JP2007043252A - 弾性表面波デバイス - Google Patents
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Abstract
【課題】 1次−3次縦結合二重モードの共振子型SAWフィルタにおいて、通過帯域の高域側で不要なスプリアスを効果的に抑圧し、周波数対称性を向上させ、通過帯域の減衰傾度を十分に急峻にし、より一層の小型化を実現する。
【解決手段】 圧電基板2に第1〜第3のIDT3〜5をSAWの伝搬方向に沿って近接して配置し、かつその両側にそれぞれ反射器6,7を配置し、隣接する第1のIDT3と第2のIDT4間の離隔距離D1と、隣接する第2のIDT4と第3のIDT5間の離隔距離D2とが異なり、D1が0.30λ<D1≦0.50λ、好ましくは0.30λ<D1≦0.40λの範囲にあるように設定する。
【選択図】 図1
【解決手段】 圧電基板2に第1〜第3のIDT3〜5をSAWの伝搬方向に沿って近接して配置し、かつその両側にそれぞれ反射器6,7を配置し、隣接する第1のIDT3と第2のIDT4間の離隔距離D1と、隣接する第2のIDT4と第3のIDT5間の離隔距離D2とが異なり、D1が0.30λ<D1≦0.50λ、好ましくは0.30λ<D1≦0.40λの範囲にあるように設定する。
【選択図】 図1
Description
本発明は、圧電材料で形成した又は圧電体薄膜を基板上に形成した圧電基板に3個のIDT(すだれ状トランスデューサ)を弾性表面波(Surface Acoustic Wave:SAW)の伝搬方向に沿って配置し、帯域通過フィルタなどに使用するのに適した弾性表面波デバイスに関する。
従来から、通信機器特に携帯電話などの移動体通信の分野において、帯域通過フィルタとして、周波数選択性に優れた共振子型のSAWフィルタが広く使用されている。一般にSAWフィルタには、通信機器において隣接する送受信波を分離するために通過帯域の減衰傾度を急峻にすること、高感度化の観点から通過帯域の低損失化、及び通信機器の小型化に対応してより小型化が要求されている。
共振子型のSAWフィルタでは、3個のIDTをSAWの伝搬方向に沿って圧電基板上に配置しかつその両側に反射器を設け、これらが励起するSAWがIDT間で互いに音響結合した際に生ずる1次及び3次モードの2つの振動を利用することによって、1次及び2次モードの2つの振動を利用した場合よりも広帯域化が可能なことが知られており、更に中央のIDTと両側のIDTとの対面する最も内側の電極指の中心間距離を概ねλ/4(λはSAWの波長)とすることによって、より広帯域低損失の縦結合2重モードSAWフィルタが提案されている(例えば、特許文献1を参照)。
更に、このような広帯域低損失の縦結合2重モードSAWフィルタにおいて、中央のIDTと両側のIDTとの対面する最も内側の電極指の中心間距離が左右で異なり、特にその一方をnλ/2としかつ他方を(2n−1)λ/4(nは自然数)とすることによって、高域側減衰帯域に現れるスプリアスを抑圧し、高域側近傍の減衰量を大きくすることが知られている(例えば、特許文献2を参照)。
また、低損失かつ帯域外抑圧度良好な狭帯域SAWフィルタを得るために、中間に入力用すだれ状電極を挟んで2個の出力用すだれ状電極を配置し、入出力すだれ状電極間距離が左右でm・λ(mは自然数)異なるようにした構成が知られている(例えば、特許文献3を参照)。
同様に3個のIDTを配置した狭帯域のSAWフィルタにおいて、中央のIDTと両側のIDT間の最も隣接する電極指の中心間距離を異ならせ、かつ中央のIDTと両側のIDT間の電極指周期を異ならせ、更に好ましくは両側のIDTと反射器間の最も隣接する電極指の中心間距離を調節することによって、通過帯域を劣化することなく通過帯域の減衰傾度を急峻にした縦結合二重モードSAWフィルタが知られている(例えば、特許文献4を参照)。
また、同様に通過域の高周波側に生ずるスプリアスにより劣化する減衰傾度を改善して急峻にするために、3個のIDTを圧電基板上に配置し、中央のIDTと隣接する一方のIDTとの電極指の中心間間隔G1を5λ/4とし、他方のIDTとの電極指の中心間間隔G2を(0.84+n)λ<G2<(1.0+n)λとして、中央のIDTの中心軸を基準として非対称に構成した1次−3次縦結合二重モードSAWフィルタが知られている(例えば、特許文献5を参照)。
更に、挿入損失の増大を招くことなく、通過帯域よりも高域側の阻止域における減衰量を効果的に改善し、目的とする帯域幅を確実に確保し、高い選択度を得るために、隣接する第1〜第3のインターデジタル電極間の最も近接し合っている電極指間の中心間距離L1と中心間距離L2とを異ならせ、かつそれらが、0+nλ<L1<1/2λ+nλ、1/2λ+mλ<L2<(m+1)λ、L1≠L2−1/2λ+kλの関係を満たすように設定した2重モード縦結合型SAW共振子フィルタが知られている(例えば、特許文献6を参照)。
また、隣接する第1〜第3のインターデジタル電極間の最も近接し合っている電極指間の中心間距離L1と中心間距離L2とを異ならせるだけでなく、少なくとも1つのID電極を重み付けすることにより、通過帯域の高域側に現れる大きなスプリアスをより効果的に抑圧し、それにより選択特性をより一層改善した縦結合型SAW共振子フィルタが知られている(例えば、特許文献7を参照)。
しかしながら、上述した従来の1次−3次縦結合二重モードSAWフィルタは、いずれも通過帯域の高域側でスプリアスの抑圧が十分でなく、周波数対称性即ち中心周波数の低域側及び高域側両方における周波数特性の対称性が良くない、という問題がある。また、通過帯域の減衰傾度も十分に急峻でないため、携帯電話などの通信機器に十分対応し得ない虞がある。上記特許文献6に記載のSAW共振子フィルタでは、更に周知の間引き重み付け法を組み合わせることによって、より一層通過帯域近傍の阻止域における減衰特性を改善することができるとしている。しかしながら、一般に間引き重み付けは挿入損失などのフィルタ特性を劣化させる虞がある。また、スプリアスを効果的に抑圧するために、SAWフィルタにSAWレゾネータを組み合わせる方法が従来からよく知られているが、フィルタ全体の小型化が制限されるという問題が生じる。
そこで本発明は、上述した従来の問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、圧電基板に3個のIDTをSAWの伝搬方向に沿って配置し、1次及び3次モードの2つの振動を利用した共振子型SAWフィルタにおいて、特に通過帯域の高域側で不要なスプリアスを効果的に抑圧し、周波数対称性を向上させることにある。
更に、本発明は、携帯電話などの通信機器に対応させて通過帯域の減衰傾度を十分に急峻にし得る1次−3次縦結合二重モードの共振子型SAWフィルタを提供することにある。また、本発明の別の目的は、より一層の小型化を実現し得る1次−3次縦結合二重モードの共振子型SAWフィルタを提供することにある。
本発明によれば、上記目的を達成するために、圧電基板に弾性表面波の伝搬方向に沿って互いに近接して配置した第1〜第3のIDTと、その両側に配置した反射器とを有し、隣接する第1のIDTと第2のIDT間の離隔距離D1と、隣接する第2のIDTと第3のIDT間の離隔距離D2とが異なり、かつ、D1が0.30λ<D1≦0.50λの範囲にある弾性表面波デバイスが提供される。
このようにD1及びD2を設定することによって、通過帯域幅の広狭によらず、通過帯域の高域側のスプリアスを従来よりも効果的に抑圧し、優れた周波数対称性を実現することができる。更に、フィルタの終端インピーダンスZを或る値に設定したとき、電極指交差長を従来よりも小さくでき、それだけ圧電基板の幅を縮小できることから、SAWフィルタを小型化することができる。
或る実施例では、この離隔距離D1の範囲において、離隔距離D2が(−0.173BW+0.914)λ≦D2≦(−0.237BW+1.167)λの範囲にあるとき、フィルタの仕様や終端インピーダンスの値に拘わらず、電極指交差長を最小にすることができ、圧電基板即ちSAWフィルタをより小型化することができる。
また、或る実施例では、離隔距離D1が0.30λ<D1≦0.40λの範囲にあると、後述するように減衰特性の急峻性を表わすシェイプファクタ(BW10/BW3)が安定して小さくなり、通過帯域の減衰傾度を従来よりも急峻にすることができる。別の実施例では、このD1の範囲において、D2が(−0.173BW+0.914)λ≦D2≦(−0.283BW+1.210)λの範囲にあると、通過帯域幅の広狭によらず、常に十分に急峻な減衰傾度を確保することができる。
以下に、本発明の好適実施例について添付図面を参照しつつ詳細に説明する。
図1は、本発明による1次−3次縦結合二重モードの共振子型SAWフィルタ1を示している。圧電基板2には、第1〜第3のIDT3〜5がSAWの伝搬方向に沿って互いに近接して配置され、かつその両側にそれぞれ反射器6,7が配置されている。尚、本実施例において、圧電基板2には、水晶,LiTaO3,LiNbO3などの圧電材料で形成された基板、及びその表面に圧電体薄膜を積層した基板の双方を含むものとする。
図1は、本発明による1次−3次縦結合二重モードの共振子型SAWフィルタ1を示している。圧電基板2には、第1〜第3のIDT3〜5がSAWの伝搬方向に沿って互いに近接して配置され、かつその両側にそれぞれ反射器6,7が配置されている。尚、本実施例において、圧電基板2には、水晶,LiTaO3,LiNbO3などの圧電材料で形成された基板、及びその表面に圧電体薄膜を積層した基板の双方を含むものとする。
各IDT3〜5は、それぞれ1対の交差指電極3a,3b、4a,4b、5a,5bを有する。中央の第2のIDT4は、一方の交差指電極4aが接地され、他方の交差指電極4bが出力端子に接続されている。その両側の第1及び第3のIDT3,5は、一方の交差指電極3a,5aが互いに接続されかつ入力端子に接続され、他方の交差指電極3b,5bが互いに接続されかつ接地されている。
隣接する第1のIDT3と第2のIDT4間の離隔距離D1と、隣接する第2のIDT4と第3のIDT5間の離隔距離D2とは、異なるように設定される。ここで、隣接するIDT間の離隔距離D1,D2は、次のように定義する。前記IDTにより励振されるSAWの波長λは、前記交差指電極のピッチ、例えば図1に示すように、隣接する電極対と電極対との間隔の中心位置から次の隣接する電極対と電極対との間隔の中心位置までを1単位として、1対の電極指の幅と間隔とにより決定される。本発明では、このように決定されるλを1単位として、各IDTのSAW伝搬方向両端において、その最も外側の電極指の縁端から更にλ/4だけ外側に広げた位置が、その端部として画定される。従って、隣接する2つのIDTについて、それぞれこのように画定されるSAW伝搬方向の端部とそれに隣接する端部との間隔を、本発明における隣接するIDT間の離隔距離とする。更に本発明によれば、D1を0.30λ<D1≦0.50λの範囲に設定する。このようにD1及びD2を設定することによって、通過帯域の高域側のスプリアスをより効果的に抑圧することができる。
図2(A)〜(D)は、図1のSAWフィルタにおいて、その比帯域幅(=帯域幅BW/中心周波数F0)及びD1を変化させたときのフィルタ特性をそれぞれ示している。ここで、比帯域幅について図3を用いて詳細に説明する。図3は、本実施例のような共振子型SAWフィルタの一般的なフィルタ特性を示している。同図において、点P1は最小挿入損失となる周波数、点P2は中心周波数F0、点P3及び点P4は、それぞれ最小挿入損失P1からの減衰量が−3dBとなるカットオフ周波数fl,fhである。従って、中心周波数はF0=(fl+fh)/2であり、カットオフ周波数fl,fhでの通過帯域幅即ち3dB帯域幅がBW=fh−flである。この3dB帯域幅と中心周波数との比、即ちBW/F0が比帯域幅である。
図2(A)は、比帯域幅=1.6%、D1=0.35λ、D2=0.69λの場合である。図中矢印で示す通過帯域の高域側のスプリアスは約16dBである。図2(B)は、比帯域幅=1.6%、D1=0.40λ、D2=0.73λの場合であり、図中矢印で示す通過帯域の高域側のスプリアスは約17dBである。図2(C)は、比帯域幅=1.0%の狭帯域で、D1=0.35λ、D2=0.76λの場合であり、図中矢印で示す通過帯域の高域側のスプリアスは約24dBである。図2(D)は、比帯域幅=1.8%の広帯域で、D1=0.35λ、D2=0.67λの場合であり、図中矢印で示す通過帯域の高域側のスプリアスは約14dBである。これに対し、例えば上記特許文献6に記載されているSAW共振子フィルタの実施例について、それと同様にD1=0.30λ、D2=0.64λとし、かつ比帯域幅=1.6%に設定してフィルタ特性をシミュレーションしたところ、高域側のスプリアスは約13dBであった。これらの結果から、本発明によるSAWフィルタは、帯域幅の広狭によらず、通過帯域の高域側においてスプリアスをより効果的に抑圧し得ることが分かる。
図4(A)〜(C)は、図1のSAWフィルタにおいて、それぞれ異なる比帯域幅についてフィルタ特性をD1に対するスプリアスの値でそれぞれ示している。但し、同図の縦軸に示すスプリアスは、最小挿入損失からの減衰量を表している。図4(A)は、比帯域幅=1.6%で、D1を0〜0.6の範囲で変化させた場合である。図4(B)は比帯域幅=1.0%で、図4(C)は比帯域幅=1.8%でそれぞれD1を0〜0.6の範囲で変化させた場合である。これらの結果から、0.30λ<D1<0.50λの範囲で、特に図4(B)では0.30λ<D1<0.40λの範囲で、大きなスプリアス抑圧度を得られることが分かる。
図5(A)〜(C)は、図1のSAWフィルタにおいて、それぞれ異なる比帯域幅についてD1に対するシェイプファクタ(BW10/BW3)の値をそれぞれ示している。ここで、シェイプファクタ=BW10/BW3とは、例えば図2に示すようなフィルタ特性において、挿入損失が10dBとなる場合の帯域幅BW10と、挿入損失が3dBとなる場合の帯域幅BW3との比であり、この値が1に近いほど、減衰傾度が急峻であると評価する。
図5(A)は、比帯域幅=1.6%で、D1を0〜0.6の範囲で変化させた場合である。図5(B)は比帯域幅=1.0%で、図5(C)は比帯域幅=1.8%でそれぞれD1を0〜0.6の範囲で変化させた場合である。これらの結果から、帯域幅の広狭によらず、0.30λ<D1≦0.40λの範囲で、シェイプファクタ(BW10/BW3)が安定して小さく、従来よりも優れた急峻性を得られることが分かる。
図6(A)〜(C)は、図1のSAWフィルタにおいて、それぞれ異なる比帯域幅について、上述したシェイプファクタ(BW10/BW3)及びスプリアス抑圧度が最良となるD1とD2との関係をそれぞれ示している。図5(A)は比帯域幅=1.6%で、図6(B)は比帯域幅=1.0%で、図6(C)は比帯域幅=1.8%でそれぞれD1を0〜0.6の範囲で変化させた場合である。これらの結果から分かるように、D1とD2との関係は比帯域幅によって変化する。例えば比帯域幅=1.6%の場合、0.30λ<D1≦0.40λにおいて0.64λ<D2≦0.77λとなる。いずれの場合も、D2は、0.30λ<D1の範囲において、他の範囲よりも比較的安定した変化を示しており、特徴的である。
更に図7は、シェイプファクタ(BW10/BW3)が良好な値を示すD1について、即ち0.30λ<D1≦0.40λの範囲において、比帯域幅BWに対するD2の変化を示している。同図において、線10で囲まれた範囲は、シェイプファクタが最良となるL2の範囲であり、これは、(−0.173BW+0.914)λ≦D2≦(−0.283BW+1.210)λで表すことができる。この範囲では、比帯域幅によらず、常に十分に急峻な減衰傾度を確保することができる。
図8(A)〜(C)は、図1のSAWフィルタにおいて、それぞれ異なる比帯域幅について、該フィルタの終端インピーダンスZに関して、D1に対する電極指交差長Wの値をそれぞれ示している。同図の縦軸に示すW×Zの値は、フィルタの設計条件に応じてインピーダンスZを予め設定した場合に、その値が小さいほど電極指交差長Wの値が小さいことを表している。そして、インピーダンスZの値により決定される電極指交差長Wの値が小さいほど、SAWフィルタの幅を小さくすることができる。
図8(A)は比帯域幅=1.6%で、図8(B)は比帯域幅=1.0%で、図8(C)は比帯域幅=1.8%でそれぞれD1を0〜0.6の範囲で変化させた場合である。例えば、図8(A)において、D1=0.3λのとき、インピーダンスZを50Ωとすると、W=1.2mmにする必要がある。D1=0.4λのときは、Z=50Ωで、W=0.8mmになるので、それだけ圧電基板の幅寸法を縮小することができる。図7の結果から、帯域幅の広狭によらず、或る終端インピーダンスZを設定すれば、0.30λ<D1≦0.50λの範囲で電極指交差長を小さくでき、従ってSAWフィルタを小型化し得ることが分かる。
更に図9は、電極指交差長を小さくして圧電基板即ちSAWフィルタの小型化が可能なD1について、即ち0.30λ<D1≦0.50λの範囲において、比帯域幅BWに対するD2の変化を示している。同図において、線11で囲まれた範囲は、電極指交差長を最小にするD2の範囲であり、これは、(−0.173BW+0.914)λ≦D2≦(−0.237BW+1.167)λで表すことができる。この範囲では、フィルタの仕様や終端インピーダンスの値に拘わらず、電極指交差長を最小にして、圧電基板即ちSAWフィルタを小型化することができる。
以上、本発明の好適な実施例について詳細に説明したが、本発明は、上記実施例に様々な変形・変更を加えて実施することができる。
1…SAWフィルタ、2…圧電基板、3〜5…IDT、3a〜5a,3b〜5b…交差指電極、6,7…反射器、10,11…線。
Claims (4)
- 圧電基板に弾性表面波の伝搬方向に沿って互いに近接して配置した第1〜第3のIDTと、その両側に配置した反射器とを有し、
隣接する前記第1のIDTと前記第2のIDT間の離隔距離D1と、隣接する前記第2のIDTと前記第3のIDT間の離隔距離D2とが異なり、かつ、D1が0.30λ<D1≦0.50λ(但し、λ:弾性表面波の波長)の範囲にあることを特徴とする弾性表面波デバイス。 - D1が0.30λ<D1≦0.40λの範囲にあることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波デバイス。
- D2が(−0.173BW+0.914)λ≦D2≦(−0.283BW+1.210)λ(但し、BW:比帯域幅)の範囲にあることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波デバイス。
- D2が(−0.173BW+0.914)λ≦D2≦(−0.237BW+1.167)λの範囲にあることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波デバイス。
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Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2005222295A JP2007043252A (ja) | 2005-07-29 | 2005-07-29 | 弾性表面波デバイス |
Applications Claiming Priority (1)
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