JP2005198020A - 弾性表面波装置 - Google Patents

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Abstract

【課題】 SAW装置の高次横モードによるスプリアスを抑制し、低いインピーダンスを確保・維持しつつ小型化を可能にする。
【解決手段】 圧電基板11表面に2つのIDT12とそれらを挟むように各1個の反射器13とを配置したSAWフィルタは、反射器がSAWの伝搬方向17に沿って一定間隔で配置された複数の反射体16を有し、各反射体はバスバー18から内側へSAWの伝搬方向に垂直な方向に延長する金属ストリップからなる2つの正反射部19と、その間に金属ストリップの不連続部20からなる中央の非反射部とで構成される。反射器の開口長W2はIDTの開口長Wと略同一で、不連続部と両側の正反射部とは反射器の開口長においてその中心に関して対称に配置される。反射器の非反射部によって、3次横モードのエネルギ分布はそのプラス側部分とマイナス側部分とが互いにキャンセルされる。
【選択図】 図1

Description

本発明は、圧電基板の表面に形成した交差指電極からなるIDT(すだれ状トランスデューサ)とその両側に配置した反射器とを備えた、例えば共振子、フィルタとして使用される弾性表面波装置に関する。
一般に情報通信機器や民生機器等の電子機器に広く使用されている弾性表面波装置は、弾性表面波(SAW)の伝搬方向に垂直な向きに高次横モードの振動が励振され、これにより発生するスプリアスがその特性を劣化させることが知られている。図9(A)は、従来構造のSAWフィルタの典型例を示しており、圧電基板1の中央に2つのIDT2がSAWの伝搬方向に沿って配置され、それらを挟むように両側に各1個の反射器3が配置されている。各IDT2は、これを構成する交差指電極4a,4bの交差幅W1がIDTの開口長Wに略等しく、交差指電極が交差する領域5の面積がIDTの寸法に関して最大である。反射器3は、その開口長W2がIDTの開口長Wと略同一で、金属ストリップからなる各反射体6の長さが一定である。
交差指電極が交差する領域5の面積は、SAWフィルタのインピーダンスと反比例の関係にある。従って、このSAWフィルタは、インピーダンスを低く抑制できるが、横モードスプリアスが発生し易くなる。図9(B)は、このSAWフィルタに発生する1次、2次及び3次横モードのエネルギ分布を概略示している。これらのエネルギ分布は正弦波状に表れ、基本波の1次横モードは主振動となり、2次横モードはプラス側及びマイナス側の各部分が互いにキャンセルし合うが、3次横モードは両端のプラス側部分7がキャンセルされずに残る。そのため、SAWフィルタの規格化周波数(ΔF[ppm])に対する減衰量(Att[dB])の変化を表した図10に示すように、横モードスプリアスが発生する。
このような弾性表面波装置の横モードスプリアスを解消または抑圧するために、従来から様々な工夫がなされている(例えば、特許文献1乃至6を参照。)。特許文献1に記載の弾性表面波共振器は、反射器を構成する金属ストリップ列の先端部を結ぶ包絡線の少なくとも一方が、該金属ストリップ列の長手方向に略垂直な基準に対して傾けた非直線に形成されている。これは、図9の従来例と同様に反射器の各反射体の長さが等しくかつIDTの交差幅が一定の場合、反射器の内側と外側とでSAWの伝搬速度が異なるため、高次横モードの波が反射器の端部で反射され、閉じ込められて共振モードを生じ、スプリアスになることに鑑みてなされてもので、前述したように構成することによって、高次横モードの波を前記包絡線で乱反射させ、横モード共振を生じ難くしている。
特許文献2に記載のSAWデバイスは、反射器に重み付けが施され、反射構造体の本数がその幅方向の位置によって一定でない反射器を有する。図9に示す従来例のように反射構造体(反射体)の本数が一定である場合には、SAWの伝搬方向に垂直な幅方向に台形に近い振動変位分布を示すが、例えば反射器の両端における反射構造体の本数を減らすことによって正弦関数に近い振動変位分布となり、高次横モードの振動変位を抑圧できるとしている。
これに対し、IDTの交差幅を変化させる重み付けをした弾性表面波装置が知られている。特許文献3に記載の表面波素子は、IDT電極の交差幅重み付けの包絡線をコサイン関数処理することにより、高次モードが良好に抑圧され、共振周波数付近のスプリアスが除去されるというものである。
更に、複数の高次横モードが励振しないようにIDTの開口長を小さくしてSAWの伝搬路幅を小さくする方法も知られているが、設計自由度が制限されるという問題がある。そこで特許文献4に記載の弾性表面波装置は、反射器の開口長をIDTの開口長の70%以下の比率にして、IDTにより励振される3次横モードの形状と反射器内で存在する3次横モードの形状とを大きく異なるものにして、高次横モードのスプリアスを抑圧している。
また、特許文献5に記載の弾性表面波共振子は、IDTの開口長に対する交差幅の比を65〜75%に設定しかつこの比率を一定に維持することによって、0次モード波形の1つのピッチの間で2次モード波形のプラス側とマイナス側の面積が略等しくなって2次モードの発生エネルギが相殺され、横モードスプリアスを抑圧できると共に、設計自由度を大きくできるとしている。更に特許文献6に記載の弾性表面波装置は、IDTの開口長に対する交差幅の比を0.75〜0.85に設定して、水晶などの電気機械結合係数が小さい圧電基板を用いた場合でも、横2次モードスプリアスの抑圧を可能にしている。
特開昭59−200519号公報 特開平3−128519号公報 特開平7−22898号公報 特開平7−86869号公報 特開昭62−219709号公報 特開平9−260996号公報
しかしながら、SAW装置において高品質化・高性能化を図るためには、横モードスプリアスの抑圧と同時に、低いインピーダンスを確保・維持する必要がある。また、最近の電子機器の小型化に対応して、弾性表面波装置も小型化が要請されている。
そこで本発明は、これらの問題点に鑑みてなされたものであり、その目的は、低いインピーダンスを確保・維持しつつ、高次横モードによるスプリアスを抑制することができ、しかも小型化に適したSAW装置を提供することにある。
本発明によれば、上記目的を達成するために、圧電基板と、該圧電基板の表面に少なくとも1組のIDTと、圧電基板表面にIDTを挟むようにその両側に各1個設けられる反射器とを備え、該反射器が、IDTにより励振されるSAWの伝搬方向に沿って所定の間隔でかつそれに対して垂直方向に配置された複数の反射体を有し、各反射体が反射器の開口長において、SAWをその伝搬方向に沿って反射する正反射部とSAWをその伝搬方向に沿って反射しない非反射部とを有し、これら正反射部と非反射部とを、高次横モードのエネルギ分布がそのプラス側とマイナス側とでキャンセルされるように設けたSAW装置が提供される。
反射体の非反射部は、SAWを全く反射することなく通過させる反射体の不連続部分の形で、またはSAWをその伝搬方向とは異なる向きに反射させる乱反射部として設けられるが、いずれの場合にも、非反射部を設けることによって横モードのエネルギ分布を、通常の反射器を用いた場合に表れる正弦波状のものと異なる形に変化させることができる。そして、反射体の正反射部と非反射部とを適当に設定することにより、通常はキャンセルされずに残る3次横モード及び/またはそれより高次横モードのエネルギ分布をキャンセルさせることができ、それによって高次横モードスプリアスを抑制することができる。
しかも、本発明は、反射器の構造に工夫を加えるだけで、IDTの構造は全く変える必要がないから、交差指電極の交差幅を最大に即ちIDTの開口長Wに略等しくすることができ、低いインピーダンスを確保・維持することができる。更に、それによって、同じインピーダンスを実現するのに必要な交差指電極が交差する領域の面積に対するIDTの大きさ、即ち圧電基板の大きさを最小にできるので、SAW装置の小型化を図るのに有利である。
或る実施例では、反射体の非反射部である乱反射部が、SAWの伝搬方向に垂直な方向に対して傾斜させた辺縁を有する反射体部分で構成され、従来使用されている反射器の作成方法によって容易に形成される。
また、或る実施例では、反射体の正反射部と非反射部とが反射器の開口長においてその中心に関して対称に設けることが好ましく、それにより高次横モードのエネルギ分布をバランス良く発生させて、そのプラス側部分とマイナス側部分とを互いにキャンセルし易くできる。
更に或る実施例において、反射器の反射体は、従来の反射器と同様に圧電基板表面に形成した金属ストリップから形成され、従来技術を用いて容易に所望の形状・寸法に加工することができる。
以下に、添付図面を参照しつつ、本発明の好適な実施例について詳細に説明する。
図1(A)は、本発明によるSAWフィルタの第1実施例を示している。例えばリチウムタンタレート、リチウムナイオベート、水晶などの従来公知の圧電材料で形成された圧電基板11の表面には、中央に2つのIDT12がSAWの伝搬方向に沿って配置され、それらを挟むように両側に各1個の反射器13が配置されている。各IDT12は、図9の従来例と同様に交差指電極14a,14bの交差幅W1がIDTの開口長Wに略等しい。従って、前記交差指電極が交差する領域15の面積を前記IDTの寸法に関して最大にすることができ、低いインピーダンスを確保できる。
各反射器13は、複数の反射体16がSAWの伝搬方向17に沿って一定の間隔で配置され、その開口長W2は図9の場合と同様にIDT12の開口長Wと略同一である。各反射体16は、圧電基板11の長手方向に沿って配置された2つのバスバー18からそれぞれ内側へSAWの伝搬方向17に垂直な方向に延長する、例えばアルミニウムなどの金属ストリップからなる2つの正反射部19と、その間に設けられた金属ストリップの不連続部20からなる非反射部とで構成される。中央の不連続部20とその両側の正反射部19とは、反射器13の開口長においてその中心に関して対称に配置される。
IDT12により励振されたSAWは、反射器13の正反射部19の領域を進む波が正反射部19により伝搬方向17に沿って反射されるのに対し、中央の不連続部20を進む波が不連続部20をそのまま通過して、圧電基板11の端縁でSAWの伝搬方向17に沿って全反射される。この結果、本実施例のSAWフィルタに発生する1次、2次、3次横モードのエネルギ分布は、図1(B)に示すように、特に反射体16の不連続部20に対応する範囲において、図9(B)に示す正弦波状のエネルギ分布と大きく異なる。
本実施例でも、基本波である1次横モードが主振動となり、2次横モードはプラス側及びマイナス側の各部分が互いにキャンセルし合うことは、図9の従来例と同じである。3次横モードは、正反射部19に対する不連続部20の長さを適当に設定することにより、そのプラス側部分とマイナス側部分とを互いにキャンセルさせることができる。それにより、3次横モードスプリアスの発生が抑圧される。
図2は、本実施例のSAWフィルタにおける規格化周波数(ΔF[ppm])に対する減衰量(Att[dB])の変化を表している。同図から、本実施例によれば、図10の従来例に比して高次横モードが抑圧され、良好なフィルタ特性を得られることが分かる。
図3は、本発明によるSAWフィルタの第2実施例を示している。第2実施例では、反射器13の反射体16が、各バスバー18からそれぞれ内側へSAWの伝搬方向17に垂直な方向に延長する金属ストリップからなる2つの正反射部19の間に、それらから連続する金属ストリップの乱反射部21を非反射部として中央に有する。乱反射部21は、両正反射部19から反射器13の開口長の中心に向けて細くなるように、SAWの伝搬方向17に垂直な方向から直線状に傾斜させた辺縁を有する金属ストリップで形成される。本実施例でも、中央の乱反射部21とその両側の正反射部19とは、反射器13の開口長においてその中心に関して対称に配置される。
IDT12により励振されたSAWは、反射器13の正反射部19の領域を進む波が正反射部19により伝搬方向17に沿って反射されるのに対し、中央の乱反射部21を進む波が乱反射部21によりSAWの伝搬方向17とは異なる向きに反射される。その結果、本実施例のSAWフィルタに発生する1次、2次、3次横モードのエネルギ分布は、特に反射体16の乱反射部21に対応する範囲において、図9(B)の正弦波状のエネルギ分布から大きく変化し、3次横モードは、乱反射部21の寸法・形状を適当に設定することにより、そのプラス側部分とマイナス側部分とを互いにキャンセルさせ、3次横モードスプリアスの発生を抑圧することができる。尚、1次横モードが主振動となり、2次横モードはプラス側及びマイナス側の各部分が互いにキャンセルし合うことは、同じである。
図4は、図3に示す本発明の第2実施例の変形例を示している。この変形例のSAWフィルタは、反射器13の各反射体16が、各正反射部19と隣接するバスバー18との間に追加の乱反射部22を更に有する。追加の乱反射部22は、各正反射部19から隣接するバスバー18に向けて先細に、SAWの伝搬方向17に垂直な方向から直線状に傾斜させた辺縁を有する金属ストリップで形成される。
図5は、図3に示す本発明の第2実施例の別の変形例を示している。この変形例では、反射器13の反射体16が、各正反射部19に追加の乱反射部23を更に有する。この追加の乱反射部23は、正反射部19を途中で分断し、分断した両側の正反射部19からその中間位置に向けて細くなるように、SAWの伝搬方向17に垂直な方向から直線状に傾斜させた辺縁を有する金属ストリップで形成される。図4、図5の変形例でも、乱反射部21、22と正反射部19とは、反射器13の開口長においてその中心に関して対称に配置される。
このように乱反射部を増やしかつ正反射部と交互に配置しかつ乱反射部の寸法・形状を適当に選択することによって、所望の高次横モードのエネルギ分布を変化させ、そのプラス側部分とマイナス側部分とを互いにキャンセルさせて、高次横モードスプリアスの発生を抑圧することができる。
図6〜図8は、図3〜図5に示す第2実施例にそれぞれ変形を加えた、本発明によるSAWフィルタの第3実施例を示している。図3に対応する図6の実施例では、反射器13の反射体16に設けられる中央の乱反射部24が、SAWの伝搬方向17に垂直な方向に対して傾斜させて両側の正反射部19から直線状に延長し、反射器13の開口長の中心で「く」の字状に屈曲させた金属ストリップで形成される。この金属ストリップはその幅が一定で、両辺縁が同じ向き角度で傾斜している。
図4に対応する図7の変形例では、図6の実施例において各正反射部19と隣接するバスバー18との間に設けられた追加の乱反射部25が、乱反射部24と同様に、SAWの伝搬方向17に垂直な方向に対して傾斜させて各正反射部19から隣接するバスバー18に向けて直線状に延長する一定幅の金属ストリップで形成される。同様に、図5に対応する図8の変形例では、図6の実施例において正反射部19を途中で分断して設けられた追加の乱反射部26が、中央の乱反射部24と同様に、分断した両側の正反射部19からその中間位置で「く」の字状に屈曲するように、SAWの伝搬方向17に垂直な方向に対して傾斜させて直線状に延長する一定幅の金属ストリップで形成される。
これら第3実施例のSAWフィルタにおいても、第2実施例と同様に、乱反射部24〜26の寸法・形状及び/または数・配置を適当に設定することにより、3次及び/またはそれより高次の横モードのエネルギ分布を変化させ、そのプラス側部分とマイナス側部分とを互いにキャンセルさせて、高次横モードスプリアスの発生を抑圧することができる。
以上、本発明の好適実施例について詳細に説明したが、当業者に明らかなように、本発明はその技術的範囲内において上記各実施例に様々な変更・変形を加えて実施することができる。例えば、上記実施例では、圧電基板上にIDTが2つのSAWフィルタについて説明したが、IDTが1つのSAW共振子、その他様々な構成のSAW装置についても、その反射器に同様に適用することができる。また、上記各実施例における非反射部を構成する反射体の不連続部及び乱反射部は単なる例示であって、それらの寸法・形状・配置を様々に変化させかつ/または組み合わせて適用することができる。
(A)図は本発明によるSAWフィルタの第1実施例を示す平面図、(B)図はそれに発生する横モードのエネルギを示す図。 図1のSAWフィルタの規格化周波数(ΔF)に対する減衰量(Att)の変化を示す図。 本発明によるSAWフィルタの第2実施例を示す平面図。 図3の第2実施例の変形例を示す平面図。 図3の第2実施例の別の変形例を示す平面図。 本発明によるSAWフィルタの第3実施例を示す平面図。 図6の第3実施例の変形例を示す平面図。 図6の第3実施例の別の変形例を示す平面図。 (A)図は従来のSAWフィルタの典型例を示す平面図、(B)図はそれに発生する横モードの振動変位を示す図。 図9のSAWフィルタの規格化周波数(ΔF)に対する減衰量(Att)の変化を示す図。
符号の説明
1,11…圧電基板、2,12…IDT、3,13…反射器、4a,4b,14a,14b…交差指電極、5,15…領域、6,16…反射体、7…プラス側部分、17…SAWの伝搬方向、18…バスバー、19…正反射部、20…不連続部、21〜26…乱反射部。

Claims (6)

  1. 圧電基板と、前記圧電基板の表面に少なくとも1組のIDTと、前記圧電基板の表面に前記IDTを挟むようにその両側に各1個設けられる反射器とを備え、
    前記反射器が、前記IDTにより励振される弾性表面波(SAW)の伝搬方向に沿って所定の間隔でかつそれに対して垂直方向に配置された複数の反射体を有し、
    前記各反射体が前記反射器の開口長において、SAWをその伝搬方向に沿って反射する正反射部とSAWをその伝搬方向に沿って反射しない非反射部とを有し、
    前記正反射部と前記非反射部とが、高次横モードのエネルギ分布をそのプラス側とマイナス側とでキャンセルするように設けられることを特徴とする弾性表面波装置。
  2. 前記反射体の前記非反射部が、SAWを全く反射することなく通過させる反射体の不連続部分であることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波装置。
  3. 前記反射体の前記非反射部が、SAWをその伝搬方向とは異なる向きに反射させる乱反射部であることを特徴とする請求項1記載の弾性表面波装置。
  4. 前記乱反射部が、SAWの伝搬方向に垂直な方向に対して傾斜させた辺縁を有する反射体部分であることを特徴とする請求項3記載の弾性表面波装置。
  5. 前記反射体の前記正反射部と前記非反射部とが、前記反射器の開口長においてその中心に関して対称に設けられることを特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の弾性表面波装置。
  6. 前記反射体が、前記圧電基板表面に形成した金属ストリップからなることを特徴とする請求項1乃至5のいずれかに記載の弾性表面波装置。
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