JPS61144910A - Idt励振エネルギ閉込め型圧電デバイスの電極構造 - Google Patents

Idt励振エネルギ閉込め型圧電デバイスの電極構造

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JPS61144910A
JPS61144910A JP26775384A JP26775384A JPS61144910A JP S61144910 A JPS61144910 A JP S61144910A JP 26775384 A JP26775384 A JP 26775384A JP 26775384 A JP26775384 A JP 26775384A JP S61144910 A JPS61144910 A JP S61144910A
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JP
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idt
piezoelectric device
reflector
gap
saw
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JP26775384A
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JPH033413B2 (ja
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Yuzo Nakazawa
中沢 祐三
Kazuo Ono
和男 小野
Masaki Tanaka
田中 昌喜
Takao Morita
孝夫 森田
Takefumi Kurosaki
黒崎 武文
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Toyo Communication Equipment Co Ltd
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Toyo Communication Equipment Co Ltd
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    • HELECTRICITY
    • H03ELECTRONIC CIRCUITRY
    • H03HIMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
    • H03H9/00Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
    • H03H9/46Filters
    • H03H9/64Filters using surface acoustic waves
    • H03H9/6423Means for obtaining a particular transfer characteristic
    • H03H9/6433Coupled resonator filters
    • H03H9/644Coupled resonator filters having two acoustic tracks
    • H03H9/6456Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled
    • H03H9/6459Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode
    • H03H9/6463Coupled resonator filters having two acoustic tracks being electrically coupled via one connecting electrode the tracks being electrically cascaded

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  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Acoustics & Sound (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 (産業上の利用分野) 本発明は圧電基板表面に形成したIDT電極によって励
振する弾性表面波(SAW)、ラブ波或はH8波等を利
用した共振器、フィルタ等圧電デバイスの電極構造に関
する。
(従来技術) 従来インタディジタルトランスジューサ(IDT)  
電極によって励起する波動を利用する弾性表面波(SA
W)共振器等では第2図に示す如く圧電基板1表面にI
D’L’電極2全付着すると共にその両側に周期的金属
ストリップ等による反射器3.3を配置することによっ
て前記IDT2によって励起した5AWi前記反射器3
,3によって反射しその振動エネルギを前記IDT2内
に閉込め高いQt−実現することが多い。
間隙lはデバイスの小型化の為もあって励振波長λに対
して3/8λ乃至1λとするのが一般的であった。
この場合前記反射器3,3間には基本(−次)共振モー
ドのみならず二次以上の高次共振モードの振動エネルギ
閉込めが生じており偶数次モードの振動エネルギによっ
て励起する電荷は前記IDT  2内で相殺されるも奇
数次モードによるそれは相殺されることがなく、殊に三
次共振モードの感動エネルギに起因するスプリアス応答
が顕著に現れるという欠陥があった。
(発明の目的) 本発明は上述し念如き従来のIDT励撮型圧電デバイス
の欠陥を除去すべくなされたものであって高次共振モー
ドの振動によって励起する電荷6IDT内で相殺しスプ
リアス応答を低減した圧電デバイスを提供することを目
的とする。
(発明の概要) 上述の目的を達成する為1本発明に於いてはIDT両端
部と反射器内1.11端部の間隙全前記両反射器内側端
間隔の1/12乃至3/12の幅員を有するIDT又は
反射器の存在しない領域とするものである。
(発明の実施例) 以下本発明をその理論と実験結果を示す図によって詳細
に説明する。
第1図は本発明の基本的発想含水す為の説明図である。
即ち1反射器3.3を備えた一般的なSAW共振器に於
いて反射器内側端を完全な反射面と仮定したとき奇数次
共振モードを考えると変位、即ちその振動エネルギはI
DT  2の中心を基準ニすればコサイン・カーブとな
り前記IDTzを含む反射器3,3の内側端間に閉込も
る。
又、IDT2に励起する電荷も前記変位に比例すること
はいうまでもない。
而して高次奇数次共振モードの振動によるスプリアス応
答の発生は例えば本図に示す3次モードの振動により発
生する電荷が相殺される斜線部を除いた両端の空白部分
に残留する電荷に起因すると考えられるので該空白部に
対応する共振器の基板部分からIDTi削除し電荷を収
集せしめないようにすればよいことが理解されよう。
従って上述した仮定の下では前記IDT 2の両性側端
と前記反射器3,3の内側端との間隙ノを両反射器内側
端間隔りの1/6とし核部にIDTを配置しないように
すればよい。
第3図はこのことを実験的に確認した結果を示すもので
あって、従来のl=1/2λの共振器に比して三次共振
モードの振動に起因するスプリアスは充分に抑圧される
ことが判明した。
もっとも以上は純理論的考察であって実際には振動エネ
ルギが前記両反射器3.3間に完全に閉込められること
はなく反射器の内側端からその内部に向けて指数関数的
に減衰することは周知であるから前記間隙lの実用的な
値は実験によって決定すべきである。
そこで試料としてはスプリアス応答が顕著に出現する出
出二重モードSAWフィルタを選択し前記間隙lを1/
2λから7/24Lまで段階的に変化せしめ夫々のスプ
リアス応答を調べることとした。
伺、二重モードSAWフィルタとは!4図に示す如く圧
電基板1上にIDT2.2e並列に近接配置しこれら両
IDT2,2間に於ける音響的結合によって生ずる異っ
た二つの共振モード(夫々対称モード及び反対称モード
と称する)の共振周波数の差を利用するフィルタのこと
である。
さて、上述の如きフィルタを用いて行った実験の結果は
第5図に示す如くでありて三次対称モードによるスプリ
アス(低周波側)も反対称モードのそれ(高周波側)も
共に1=176Lの場合は殆んどスプリアスが削減し理
論の正当性るl=1/2λの場合に比して約10dB低
下し充分実用に耐え得るものであることが判明した。
本 このことはSAW共振傘等の小型化への要求が極めて厳
しい今日前記lを理想的な1/6Lにすることは困難な
場合が少なくないから要求のスペックに応じてlの値k
l/12Lから3/12Lの間で自由に選択し得ること
を意味するものである。
尚、前記IDT  2の外側端と前記反射器3,3の内
側端との間隙lにはSAW等の波動の伝搬を妨げない限
りいかなる工作を施しても格別の問題は生じない。例え
ば第6Nに示す如く核部に電極リード・パターン4を設
は基板1の一側にリード線ボンディング・バット5を集
中するようにしてもよい。
以上弾性表面ffIL(SkW)′f!:利用したデバ
イスについて説明したが本発明はこれにのみ限定される
必然性はな(SAWと全く同様に取扱うことが可能な他
のIDT励掻型のデバイス、例えばラブ波、SH波等を
利用するデバイスにも適用し得ることはいうまでもある
まい。
(発明の効果) 本発明は以上説明した如く構成するので三次共振モード
によって励起する電荷−i IDT内で相殺しこのモー
ドの撮動に基因するスプリアス応答全抑圧することがで
きるから反射器金偏えたIDT励振型圧電デバイスのス
プリアス特性を向上する上で著しい効果を発揮する。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明の基本的発想を示す説明、第2図は従来
のSAW共憑器の構造を示す平面図1Ea図は本発明の
理論’18AW共振器によって立証する為の実験結果を
示す図、第4図は本発明を適用すべき二重モードSAW
フィルタの構成及びその振動モードを示す説明図、第5
図は本発明を適用した二重モードSA’Wフィルタのス
プリアス発生状況と従来のそれとの比較実験結果を示す
図、第6図は本発明に係るSAW共振器の他の実施例を
示す平面図である。 l・・・・・・・・・圧電基板、  2・・・・・・・
・・IDT電極。 3・・・・・・・・・反射器、  l・・・・・・・・
・IDT外側端と反射器内側端との間隙、  L・・・
・・・・・・反射器内側間の間隔。 特許出願人  東洋通信機株式会社 手続補正書 昭和59年12月24日 昭和59年12月19日提出の特許願 2、発明の名称 IDT励振エネルギ閉込め型圧電デバ
イスのt極構造 3、補正をする者 事件との関係   出願人 郵便番号 253−01    電話 0467−74
−1131 (代表)5、補正により増加する発明の数
  なし6、補正の対象 発明の詳細な説明及び図面補
正の内容 (1)発明の詳細な説明を以下の如く補正する。 a)  p−2/1−1Or或はH8i等tJ’lJ用
t、*共振器、フィルタ等圧」ヲ「或はSH波等を利用
した共振器、共振器フィルタ等圧」と補正する。 b)p−3/1−13  「モードの振動エネルギに起
因・−・・・・」ヲ「モードの振動に起因・・・・・・
」 と補正する。 c)p  5/l  19  rその内部に向けて・・
・・・・Jfi−「その外側端に向けて・・・−・・」
と補正する。 d)p−7/l−1〜2 「・・・・・・dB低下し充
分実用に耐え得るものである・・・・・・」ヲ「・・・
・・・dB低下し実用上充分効果のあるものである・曲
・」と補正する。 (2)図面を添付訂正図面の如く補正する。 以上

Claims (3)

    【特許請求の範囲】
  1. (1)圧電基板表面に形成したインタデジタルトランス
    ジューサ(IDT)電極とこれによって励起される弾性
    表面波(SAW)の進行方向に沿って前記IDT両側に
    配置する反射器との間隙に前記両反射器内側端間隙の1
    /12乃至3/12の幅員を有するIDT或は反射器の
    存在しない領域を設けたことを特徴とするIDT励振エ
    ネルギ閉込め型圧電デバイスの電極構造。
  2. (2)前記圧電デバイスがSAW共振器或はこれを利用
    したフィルタであることを特徴とする特許請求の範囲1
    記載のIDT励振エネルギ閉込め型圧電デバイスの電極
    構造。
  3. (3)前記圧電デバイスが単一圧電基板上にSAW共振
    器を2個以上並列近接配置し、前記各共振器相互の音響
    結合によって生ずる周波数の異なった振動モードを利用
    する多重モード SAWフィルタであることを特徴とする特許請求の範囲
    1記載のIDT励振エネルギ閉込め型圧電デバイスの電
    極構造。
JP26775384A 1984-12-19 1984-12-19 Idt励振エネルギ閉込め型圧電デバイスの電極構造 Granted JPS61144910A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01231417A (ja) * 1988-03-11 1989-09-14 Kokusai Electric Co Ltd 弾性表面波フィルタ
JPH01321714A (ja) * 1988-06-23 1989-12-27 Toko Inc 表面弾性波共振器および多重モードフィルタ
JPH02213212A (ja) * 1989-02-14 1990-08-24 Kokusai Electric Co Ltd 2端子対弾性表面波共振子
US6172581B1 (en) * 1998-05-13 2001-01-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Surface acoustic wave filters with cascaded transversely coupled mode resonator filters

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US6172581B1 (en) * 1998-05-13 2001-01-09 Sanyo Electric Co., Ltd. Surface acoustic wave filters with cascaded transversely coupled mode resonator filters

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