JPH10209802A - 弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波素子Info
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- JPH10209802A JPH10209802A JP4455797A JP4455797A JPH10209802A JP H10209802 A JPH10209802 A JP H10209802A JP 4455797 A JP4455797 A JP 4455797A JP 4455797 A JP4455797 A JP 4455797A JP H10209802 A JPH10209802 A JP H10209802A
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- JP
- Japan
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- surface acoustic
- acoustic wave
- crystal
- substrate
- wave
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-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/02535—Details of surface acoustic wave devices
- H03H9/02543—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles
- H03H9/0259—Characteristics of substrate, e.g. cutting angles of langasite substrates
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 電気機械結合係数がＳＴカット水晶基板より
も大きく、周波数温度特性が良好な基板を用いた熱衝撃
にも強い温度安定性の良い弾性表面波素子を提供する。 【解決手段】 ランガサイト圧電結晶のｘカット基板上
のレイリー波モードを用いて波の伝版方向を結晶のｙ軸
方向から＋１６度から＋２３．５度の範囲におき、且つ
弾性波素子を構成する電極類すなわち送信または受信す
だれ状電極または反射器のうち２つ以上の電極を実効的
なパワーフロー角に合うように８度から１２度斜めに傾
けて配置することによって、温度安定性の良く、熱衝撃
にも強く且つ電気機械結合係数の大きな特性をもつ弾性
表面波素子を得ている。
も大きく、周波数温度特性が良好な基板を用いた熱衝撃
にも強い温度安定性の良い弾性表面波素子を提供する。 【解決手段】 ランガサイト圧電結晶のｘカット基板上
のレイリー波モードを用いて波の伝版方向を結晶のｙ軸
方向から＋１６度から＋２３．５度の範囲におき、且つ
弾性波素子を構成する電極類すなわち送信または受信す
だれ状電極または反射器のうち２つ以上の電極を実効的
なパワーフロー角に合うように８度から１２度斜めに傾
けて配置することによって、温度安定性の良く、熱衝撃
にも強く且つ電気機械結合係数の大きな特性をもつ弾性
表面波素子を得ている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は弾性表面波素子に関
し、更に詳しくは、ランガサイト（Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ
１４）結晶のｘカット板およびその付近のカット板を用
いて形成した弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタに
代表されるレイリー波型のモードを用いた弾性表面波素
子に関する。
し、更に詳しくは、ランガサイト（Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ
１４）結晶のｘカット板およびその付近のカット板を用
いて形成した弾性表面波共振子や弾性表面波フィルタに
代表されるレイリー波型のモードを用いた弾性表面波素
子に関する。
【０００２】
【従来の技術】ランガサイト結晶板はバルク波振動子で
は水晶板よりも電気機械結合係数が大きく容量比の小さ
な共振子や比帯域幅の広いフィルタに適した材料として
実用され始めているが、弾性表面波素子では実効電気機
械結合係数（ｋ２）が大きくて温度安定性にすぐれた素
子は実現されていない。
は水晶板よりも電気機械結合係数が大きく容量比の小さ
な共振子や比帯域幅の広いフィルタに適した材料として
実用され始めているが、弾性表面波素子では実効電気機
械結合係数（ｋ２）が大きくて温度安定性にすぐれた素
子は実現されていない。
【０００３】理論的には、Ｂ．Ｐ．Ｓｏｒｏｋｉｎ，
Ｐ．Ｐ．Ｔｕｒｃｈｉｎ，Ｓ．Ｉ．Ｂｕｒｋｏｖ，Ｄ．
Ａ．Ｇｌｕｓｈｋｏｖ と Ｋ．Ｓ．Ａｌｅｋｓａｎｄ
ｒｏｖが Ｐｒｏｃｅｅｄｉｇｓ ｏｆ ｔｈｅ １９
９６ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｆｒｅ
ｑｕｅｎｃｙ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，
ｐｐ．１６１〜１６９，５−７Ｊｕｎｅ（１９９６）で
電気機械結合係数（ｋ２）と遅延時間温度係数（ＴＣ
Ｄ）に関する詳細なデータを示しているが、実験的裏付
けもなく、ｘカット板に関しては誤りと思える記述があ
る。
Ｐ．Ｐ．Ｔｕｒｃｈｉｎ，Ｓ．Ｉ．Ｂｕｒｋｏｖ，Ｄ．
Ａ．Ｇｌｕｓｈｋｏｖ と Ｋ．Ｓ．Ａｌｅｋｓａｎｄ
ｒｏｖが Ｐｒｏｃｅｅｄｉｇｓ ｏｆ ｔｈｅ １９
９６ ＩＥＥＥ Ｉｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ Ｆｒｅ
ｑｕｅｎｃｙ Ｃｏｎｔｒｏｌ Ｓｙｍｐｏｓｉｕｍ，
ｐｐ．１６１〜１６９，５−７Ｊｕｎｅ（１９９６）で
電気機械結合係数（ｋ２）と遅延時間温度係数（ＴＣ
Ｄ）に関する詳細なデータを示しているが、実験的裏付
けもなく、ｘカット板に関しては誤りと思える記述があ
る。
【０００４】ｘカット板に関して、発明者が第１７回超
音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウ
ムの講演予稿集１０月２３〜２５日（１９９６）ｐｐ．
３０７〜３０８で開示した計算結果、およびこれとは独
立に、佐藤隆史，西方敦博と清水康敬氏が同じシンポジ
ウムの予稿集１０月２３〜２５日（１９９６）ｐｐ．３
０５〜３０６で開示した計算結果を比較すると、波の位
相速度と電気機械結合係数（ｋ２）の伝搬方位依存性は
ほぼ同一傾向をもっている。これにたいして前述のＢ．
Ｐ．Ｓｏｒｏｋｉｎ等の結果は全く異なる結果となって
いる。 このように、ｘカット基板では電気機械結合係
数（ｋ２）や遅延時間温度係数（ＴＣＤ）の伝搬方位依
存性は実験的にも理論的にも明確になっていない。
音波エレクトロニクスの基礎と応用に関するシンポジウ
ムの講演予稿集１０月２３〜２５日（１９９６）ｐｐ．
３０７〜３０８で開示した計算結果、およびこれとは独
立に、佐藤隆史，西方敦博と清水康敬氏が同じシンポジ
ウムの予稿集１０月２３〜２５日（１９９６）ｐｐ．３
０５〜３０６で開示した計算結果を比較すると、波の位
相速度と電気機械結合係数（ｋ２）の伝搬方位依存性は
ほぼ同一傾向をもっている。これにたいして前述のＢ．
Ｐ．Ｓｏｒｏｋｉｎ等の結果は全く異なる結果となって
いる。 このように、ｘカット基板では電気機械結合係
数（ｋ２）や遅延時間温度係数（ＴＣＤ）の伝搬方位依
存性は実験的にも理論的にも明確になっていない。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】弾性表面波素子の温度
特性に対する要求は通信システムのチャンネル数の増加
に伴いますます厳しくなっている。 たとえば、−２０
℃〜＋９０℃の広い温度範囲でフィルタの中心周波数や
共振子の共振周波数の変化分Δｆ０が小さいほど安定で
あり、２０℃（室温）における共振周波数ｆ２０に対し
て（Δｆ０／ｆ２０）が３００ｐｐｍ（３００×１０
−６）以内に入ることが望まれている。このように温度
安定性の高い素子を得るには、従来ＳＴカット水晶基板
が用いられているが、電気機械結合係数（ｋ２）が約
０．１２％と小さいために、フィルタとしては十分な比
帯域幅がとれない問題や電圧制御型の発振器用素子とし
ては可変幅がとれない問題があり、さらに、誘電率が小
さいために、素子のインピーダンスが大きくなるため共
振抵抗の小さい素子を得るには交差幅をひろげざるを得
なくなり、主共振に近接してスプリアス共振が発生しや
すくなるという問題も生じる。
特性に対する要求は通信システムのチャンネル数の増加
に伴いますます厳しくなっている。 たとえば、−２０
℃〜＋９０℃の広い温度範囲でフィルタの中心周波数や
共振子の共振周波数の変化分Δｆ０が小さいほど安定で
あり、２０℃（室温）における共振周波数ｆ２０に対し
て（Δｆ０／ｆ２０）が３００ｐｐｍ（３００×１０
−６）以内に入ることが望まれている。このように温度
安定性の高い素子を得るには、従来ＳＴカット水晶基板
が用いられているが、電気機械結合係数（ｋ２）が約
０．１２％と小さいために、フィルタとしては十分な比
帯域幅がとれない問題や電圧制御型の発振器用素子とし
ては可変幅がとれない問題があり、さらに、誘電率が小
さいために、素子のインピーダンスが大きくなるため共
振抵抗の小さい素子を得るには交差幅をひろげざるを得
なくなり、主共振に近接してスプリアス共振が発生しや
すくなるという問題も生じる。
【０００６】このような問題を解決するために外部にコ
イルなどのインダクタンス成分をいれて素子の制動容量
分を打ち消し、見かけ上のｋ２を大きくする方法がある
がデバイス全体の大きさが大きくなる新たな問題が生じ
る。
イルなどのインダクタンス成分をいれて素子の制動容量
分を打ち消し、見かけ上のｋ２を大きくする方法がある
がデバイス全体の大きさが大きくなる新たな問題が生じ
る。
【０００７】さらにそのほかにも、ＩＣチップと混在さ
せるハイブリット型集積回路では、水晶の場合には熱衝
撃によって結晶自体に相転移が生じて性能が著しく劣化
する問題があることから、熱衝撃に強い相転移が問題に
ならない結晶を用いた弾性表面波素子の実現が望まれて
いる。
せるハイブリット型集積回路では、水晶の場合には熱衝
撃によって結晶自体に相転移が生じて性能が著しく劣化
する問題があることから、熱衝撃に強い相転移が問題に
ならない結晶を用いた弾性表面波素子の実現が望まれて
いる。
【０００８】本発明はこのような実情に鑑みてなされた
もので、電気機械結合係数がＳＴカット水晶より大き
く、周波数特性の温度変化すなわちΔｆ０の変化分（Δ
ｆ０／ｆ２０）を−２０℃〜＋９０℃の広い温度範囲で
３００ｐｐｍ程度におさめることが可能な程度の、温度
安定性にすぐれた誘電率も大きなレイリー波モード用基
板を使用した弾性表面波素子の提供を目的としている。
もので、電気機械結合係数がＳＴカット水晶より大き
く、周波数特性の温度変化すなわちΔｆ０の変化分（Δ
ｆ０／ｆ２０）を−２０℃〜＋９０℃の広い温度範囲で
３００ｐｐｍ程度におさめることが可能な程度の、温度
安定性にすぐれた誘電率も大きなレイリー波モード用基
板を使用した弾性表面波素子の提供を目的としている。
【課題を解決するための手段】上記の目的を達成するた
め、本発明の弾性表面波素子は１４７０℃の融点まで相
転移がないランガサイト結晶のｘカット板およびｘカッ
トから±１度以内にある板上のレイリー波の温度特性の
伝搬方位依存性を用いたものである。 その板面上のレ
イリー波モードの励振・受信・伝搬・反射を利用した弾
性表面波素子において、レイリー波の伝搬方向が結晶の
ｙ軸より１６度から２３．５度までの間にあり、素子の
励信用および受信用すだれ状電極およびグレーティング
反射器のうち少なくとも１つ以上の電極が波の伝搬方向
からさらに＋８度から＋１２度ほど実効的なパワーフロ
ーの方向に沿って角度Θだけ斜めに傾けて配置されてい
ることを特徴とする。
め、本発明の弾性表面波素子は１４７０℃の融点まで相
転移がないランガサイト結晶のｘカット板およびｘカッ
トから±１度以内にある板上のレイリー波の温度特性の
伝搬方位依存性を用いたものである。 その板面上のレ
イリー波モードの励振・受信・伝搬・反射を利用した弾
性表面波素子において、レイリー波の伝搬方向が結晶の
ｙ軸より１６度から２３．５度までの間にあり、素子の
励信用および受信用すだれ状電極およびグレーティング
反射器のうち少なくとも１つ以上の電極が波の伝搬方向
からさらに＋８度から＋１２度ほど実効的なパワーフロ
ーの方向に沿って角度Θだけ斜めに傾けて配置されてい
ることを特徴とする。
【００１０】一般に弾性表面波用基板は図２のような右
手系のオイラー角で（φ，θ，ψ）で表現され、次のよ
うな内容を意味する。この図で、結晶のｃ軸はｚ，ａ軸
はｘ，ｘに直交する軸はｙとされる。この直交座標系に
おいて、波の伝搬方向をｘ１，基板の深さ方向を−
ｘ３，波のビーム幅方向をｘ２とするとき、弾性表面波
用基板のカット面とレイリー波の伝搬方向は（φ，θ，
ψ）と表現される。上述した本発明のｘカット板はφ＝
９０゜，θ＝９０゜となり、伝搬方向はψ＝１６゜〜２
３．５゜となり、（９０゜，９０゜，１６゜〜２３．５
゜）板とかける。
手系のオイラー角で（φ，θ，ψ）で表現され、次のよ
うな内容を意味する。この図で、結晶のｃ軸はｚ，ａ軸
はｘ，ｘに直交する軸はｙとされる。この直交座標系に
おいて、波の伝搬方向をｘ１，基板の深さ方向を−
ｘ３，波のビーム幅方向をｘ２とするとき、弾性表面波
用基板のカット面とレイリー波の伝搬方向は（φ，θ，
ψ）と表現される。上述した本発明のｘカット板はφ＝
９０゜，θ＝９０゜となり、伝搬方向はψ＝１６゜〜２
３．５゜となり、（９０゜，９０゜，１６゜〜２３．５
゜）板とかける。
【００１１】この基板にアルミニウムを主成分とする金
属薄膜電極によってすだれ状電極およびその両側に反射
電極を配した１ポート型弾性表面波共振子を図１のよう
にレイリー波の伝搬方向からΘ度傾けて形成する。 こ
の角度Θは、図３のようなパワーフロー角の理論値よ
り、電極の膜厚によって異なるが、３度以内の値を差し
引いた角度で形成すると電極があるときの実効的なパワ
ーフローの方向に近づき、共振子ではＱが大きくなり、
フィルタでは効率が良くなる。
属薄膜電極によってすだれ状電極およびその両側に反射
電極を配した１ポート型弾性表面波共振子を図１のよう
にレイリー波の伝搬方向からΘ度傾けて形成する。 こ
の角度Θは、図３のようなパワーフロー角の理論値よ
り、電極の膜厚によって異なるが、３度以内の値を差し
引いた角度で形成すると電極があるときの実効的なパワ
ーフローの方向に近づき、共振子ではＱが大きくなり、
フィルタでは効率が良くなる。
【００１２】実際に電極交差指幅が３０波長に相当し、
波長（λ）当たりの電極の厚さ（Ｈ／λ）がＨ／λ＝
０．０１８の電極からなる共振子を製作したところ、図
４に示すような周波数特性が得られた。 １番大きな応
答（ピーク値）を与える周波数が主共振周波数（ｆ０）
である。
波長（λ）当たりの電極の厚さ（Ｈ／λ）がＨ／λ＝
０．０１８の電極からなる共振子を製作したところ、図
４に示すような周波数特性が得られた。 １番大きな応
答（ピーク値）を与える周波数が主共振周波数（ｆ０）
である。
【００１３】ｚカットｙ伝搬板に相当する（０゜，０
゜，９０゜）板およびｘカット板に相当する（９０゜，
９０゜，ψ）板で伝搬方位ψを種々変えながら、実験を
進めたところ、２０℃における主共振周波数をｆ２０と
して、各温度における主共振周波数（ｆ０）の変化分を
（ｆ０−ｆ２０）／ｆ２０で表すと図５に示す特性が得
られる。図５から明らかな通り、（９０゜，９０゜，２
１゜）板の素子の場合は３５℃に頂点をもつ２次曲線状
の温度変化をして、他の基板の場合に対して温度変化が
著しく小さいことが解る。 （９０゜，９０゜，２１
゜）板の素子の詳細な温度変化特性を図６に示す。 −
２０℃〜９０℃の温度範囲で２２０ｐｐｍの変化しかな
いことがわかる。この基板の電気機械結合係数（ｋ２）
は０．２４％あり、ＳＴカット水晶基板の２倍あること
がわかり、また、波の伝搬速度は２６２０ｍ／ｓであっ
た。
゜，９０゜）板およびｘカット板に相当する（９０゜，
９０゜，ψ）板で伝搬方位ψを種々変えながら、実験を
進めたところ、２０℃における主共振周波数をｆ２０と
して、各温度における主共振周波数（ｆ０）の変化分を
（ｆ０−ｆ２０）／ｆ２０で表すと図５に示す特性が得
られる。図５から明らかな通り、（９０゜，９０゜，２
１゜）板の素子の場合は３５℃に頂点をもつ２次曲線状
の温度変化をして、他の基板の場合に対して温度変化が
著しく小さいことが解る。 （９０゜，９０゜，２１
゜）板の素子の詳細な温度変化特性を図６に示す。 −
２０℃〜９０℃の温度範囲で２２０ｐｐｍの変化しかな
いことがわかる。この基板の電気機械結合係数（ｋ２）
は０．２４％あり、ＳＴカット水晶基板の２倍あること
がわかり、また、波の伝搬速度は２６２０ｍ／ｓであっ
た。
【００１４】（９０゜，９０゜，２１゜）付近で、伝搬
方位ψを変えながら実験を進めたところ、主共振周波数
（ｆ０）の変化分（（ｆ０−ｆ２０）／ｆ２０）はいず
れも２次曲線状に変化し、その頂点温度を伝搬方位ψに
対してプロットすると図７のようになる。 波長当たり
の電極膜厚（Ｈ／λ）が大きくなると頂点温度は低くな
る傾向があり、Ｈ／λ＝０．０１８で実線のように変化
したものがＨ／λ＝０．０４４では点線の位置まで下が
ってくる。
方位ψを変えながら実験を進めたところ、主共振周波数
（ｆ０）の変化分（（ｆ０−ｆ２０）／ｆ２０）はいず
れも２次曲線状に変化し、その頂点温度を伝搬方位ψに
対してプロットすると図７のようになる。 波長当たり
の電極膜厚（Ｈ／λ）が大きくなると頂点温度は低くな
る傾向があり、Ｈ／λ＝０．０１８で実線のように変化
したものがＨ／λ＝０．０４４では点線の位置まで下が
ってくる。
【００１５】波長当たりの電極膜厚（Ｈ／λ）大きくな
ると実効的なパワーフロー角Θにも影響を与え、実験的
に共振子の応答が大きくなり、容量比が小さくなる場合
をプロットすると図８のようになる。電極膜厚が厚くな
ると実効的なパワーフロー角Θは図３の理論値より最大
で３度程度小さく配置すると共振子の応答が大きくな
り、フィルタでは通過帯域の損失を低減し、比帯域幅の
より大きな素子を作ることができる。
ると実効的なパワーフロー角Θにも影響を与え、実験的
に共振子の応答が大きくなり、容量比が小さくなる場合
をプロットすると図８のようになる。電極膜厚が厚くな
ると実効的なパワーフロー角Θは図３の理論値より最大
で３度程度小さく配置すると共振子の応答が大きくな
り、フィルタでは通過帯域の損失を低減し、比帯域幅の
より大きな素子を作ることができる。
【００１６】これらの特性において、切断角に対する精
度はあまり厳しくなく、±１度以内であれば、伝搬方位
を少し変えることで補償することができる。
度はあまり厳しくなく、±１度以内であれば、伝搬方位
を少し変えることで補償することができる。
【発明の効果】以上のように本発明によれば、ランガサ
イト（Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４）結晶のｘカット板のレ
イリー波の伝搬方位を温度変化が少なくなる伝搬方向に
選ぶことによって、ＳＴカット水晶基板より電気機械結
合係数で２倍大きな温度安定性の良い基板にすることを
可能にして、弾性表面波共振子ではより小さな容量比を
実現可能にし、弾性表面波フィルタでは通過帯域幅がひ
ろいフィルタの実現を容易にし、且つ、ハイブリットＩ
Ｃに適した熱衝撃に強い弾性表面波素子の実現が可能に
なった。
イト（Ｌａ３Ｇａ５ＳｉＯ１４）結晶のｘカット板のレ
イリー波の伝搬方位を温度変化が少なくなる伝搬方向に
選ぶことによって、ＳＴカット水晶基板より電気機械結
合係数で２倍大きな温度安定性の良い基板にすることを
可能にして、弾性表面波共振子ではより小さな容量比を
実現可能にし、弾性表面波フィルタでは通過帯域幅がひ
ろいフィルタの実現を容易にし、且つ、ハイブリットＩ
Ｃに適した熱衝撃に強い弾性表面波素子の実現が可能に
なった。
【図１】本発明の実施の形態の素子内部の電極構成を示
す模式的平面図
す模式的平面図
【図２】本発明の実施の形態の基板の切断方位および波
の伝搬方位を表す右手系オイラー角の説明図
の伝搬方位を表す右手系オイラー角の説明図
【図３】本発明の実施の参考となった理論で得られた波
の伝搬方位とパワーフロー角との関係を示すグラフ
の伝搬方位とパワーフロー角との関係を示すグラフ
【図４】本発明の実施の形態の１ポート型共振子の特性
を示すグラフ
を示すグラフ
【図５】ランガサイト基板を用いた１ポート型共振子の
切断角および伝搬方位の違いによる共振周波数の温度に
よる変化分の違いを表すグラフ
切断角および伝搬方位の違いによる共振周波数の温度に
よる変化分の違いを表すグラフ
【図６】本発明の実施の形態の１ポート型共振子の共振
周波数の温度による変化分を詳細に表すグラフ
周波数の温度による変化分を詳細に表すグラフ
【図７】本発明の実施の形態の素子の電極厚さと共振周
波数の温度による変化分の頂点温度との関係を表すグラ
フ
波数の温度による変化分の頂点温度との関係を表すグラ
フ
【図８】本発明の実施の形態の素子の電極厚さと実効的
パワーフローを最大にする電極傾斜角との関係を表すグ
ラフ
パワーフローを最大にする電極傾斜角との関係を表すグ
ラフ
１．ランガサイト圧電結晶基板 ２．グレーティング反射器 ３．すだれ状電極 ４．波の伝搬方向 ５．波の実効的パワーフローの方向
Claims (1)
- 【請求項１】 ランガサイト圧電結晶のｘカット基板上
に、結晶のｙ軸から波の伝搬方向までの角度が、結晶の
ｚ軸方向に、＋１６度から＋２３．５度の範囲にあり、
且つ、送信すだれ状電極または受信すだれ状電極または
反射電極のうちの２つ以上の電極が波の伝搬方向から、
結晶のｚ軸方向にさらに、＋８度から１２度傾けて配置
されていることを特徴とする弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4455797A JPH10209802A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 弾性表面波素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4455797A JPH10209802A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 弾性表面波素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10209802A true JPH10209802A (ja) | 1998-08-07 |
Family
ID=12694810
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4455797A Pending JPH10209802A (ja) | 1997-01-23 | 1997-01-23 | 弾性表面波素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10209802A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7372347B2 (en) | 2003-11-18 | 2008-05-13 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
-
1997
- 1997-01-23 JP JP4455797A patent/JPH10209802A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7372347B2 (en) | 2003-11-18 | 2008-05-13 | Fujitsu Media Devices Limited | Surface acoustic wave device |
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