KR20050041613A - 데이터 출력제어회로 - Google Patents
데이터 출력제어회로 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20050041613A KR20050041613A KR1020030076835A KR20030076835A KR20050041613A KR 20050041613 A KR20050041613 A KR 20050041613A KR 1020030076835 A KR1020030076835 A KR 1020030076835A KR 20030076835 A KR20030076835 A KR 20030076835A KR 20050041613 A KR20050041613 A KR 20050041613A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- signal
- data output
- clock
- data
- rising
- Prior art date
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
- G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
- G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
- G11C7/1066—Output synchronization
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1051—Data output circuits, e.g. read-out amplifiers, data output buffers, data output registers, data output level conversion circuits
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/10—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers
- G11C7/1072—Input/output [I/O] data interface arrangements, e.g. I/O data control circuits, I/O data buffers for memories with random access ports synchronised on clock signal pulse trains, e.g. synchronous memories, self timed memories
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C7/00—Arrangements for writing information into, or reading information out from, a digital store
- G11C7/22—Read-write [R-W] timing or clocking circuits; Read-write [R-W] control signal generators or management
- G11C7/222—Clock generating, synchronizing or distributing circuits within memory device
Abstract
Description
Claims (4)
- 지연고정루프에서 출력되는 라이징 데이터용 DLL클럭과 폴링 데이터용 DLL클럭에 각각 동기시켜 라이징데이터와 폴링데이터를 출력하는 동기식 메모리 장치의 데이터 출력제어회로에 있어서,리드명령어에 응답하여 내부신호를 출력하는 내부신호생성부;상기 내부신호를 상기 라이징 데이터용 DLL클럭에 동기시켜, 셋팅된 카스레이턴시 모드에 대응하는 클럭주기만큼 쉬프팅시킨 라이징 데이터출력 인에이블신호로 출력하는 라이징데이터 출력제어부; 및상기 라이징 데이터출력 인에이블신호를 상기 폴링 데이터용 DLL클럭에 동기시켜 폴링 데이터출력 인에이블신호로 출력하는 폴링데이터 출력제어부를 구비하는 데이터 출력제어회로.
- 제 1 항에 있어서,상기 라이징데이터 출력제어부는상기 라이징데이터용 DLL클럭을 클럭입력단으로 각각 입력받고, 상기 내부신호를 첫번째 플립플롭수단의 데이터 입력단으로 입력받으며, 다음단부터는 앞단의 부출력을 다음단의 데이터 입력단으로 입력받는 다수의 D형 플립플롭수단을 구비하는 라이징데이터 출력제어용 신호 쉬프팅수단;상기 다수의 D형 플립플롭수단의 정출력단에서 출력되는 신호를 각각 입력받으며, 상기 셋팅된 카스레이턴시 모드에 대응하는 제어신호에 의해 선택적으로 턴온되는 다수의 제1 전송게이트를 구비하는 신호선택부; 및상기 신호선택부에서 출력되는 신호를 버퍼링하여 상기 라이징 데이터출력 인에이블신호로 출력하는 제1 버퍼링수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력제어회로.
- 제 2 항에 있어서,상기 폴링데이터 출력제어부는상기 폴링데이터용 DLL클럭을 소정시간(상기 라이징 데이터 출력제어용 신호 쉬프팅수단과 상기 신호선택부에서 라이징데이터용 DLL클럭이 지연되는 지연시간만큼) 지연시켜 출력하는 지연부;상기 제1 전송게이트에서 출력되는 신호를 상기 지연부에서 출력되는 폴링데이터용 DLL클럭에 동기시켜 출력하는 클럭동기수단; 및상기 클럭동기수단에서 출력되는 신호를 버퍼링하여 상기 폴링 데이터용출력 인에이블신호를 출력하는 제2 버퍼링수단을 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력제어회로.
- 제 3 항에 있어서,상기 클럭동기수단은상기 지연부에서 출력되는 폴링데이터용 DLL클럭을 클럭입력단으로 입력받고 상기 제1 전송게이트에서 출력되는 신호를 데이터입력단으로 입력받는 D형 플립플롭을 구비하는 것을 특징으로 하는 데이터 출력제어회로
Priority Applications (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030076835A KR100540487B1 (ko) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | 데이터 출력제어회로 |
US10/875,387 US6982924B2 (en) | 2003-10-31 | 2004-06-25 | Data output control circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020030076835A KR100540487B1 (ko) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | 데이터 출력제어회로 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050041613A true KR20050041613A (ko) | 2005-05-04 |
KR100540487B1 KR100540487B1 (ko) | 2006-01-10 |
Family
ID=34545661
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020030076835A KR100540487B1 (ko) | 2003-10-31 | 2003-10-31 | 데이터 출력제어회로 |
Country Status (2)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6982924B2 (ko) |
KR (1) | KR100540487B1 (ko) |
Cited By (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100596433B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 기억 장치에서의 지연 고정 루프 및 그의 록킹 방법 |
KR100670698B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2007-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체메모리소자 내 파이프 래치장치 |
KR100800150B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2008-02-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 지연 고정 루프 장치 |
KR100832007B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2008-05-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자와 그의 구동 방법 |
KR100854417B1 (ko) * | 2007-01-03 | 2008-08-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자와 그의 구동 방법 |
US7515482B2 (en) | 2005-09-29 | 2009-04-07 | Hynix Semiconductor Inc. | Pipe latch device of semiconductor memory device |
US7561490B2 (en) | 2007-01-08 | 2009-07-14 | Hynix Semiconductor, Inc. | Semiconductor memory device and method for driving the same |
KR100922881B1 (ko) * | 2008-04-15 | 2009-10-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자 |
KR100929834B1 (ko) * | 2008-02-29 | 2009-12-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자와 그의 구동 방법 |
US7852707B2 (en) | 2007-11-02 | 2010-12-14 | Hynix Semiconductor Inc. | Data output control circuit of a double data rate (DDR) synchronous semiconductor memory device responsive to a delay locked loop (DLL) clock |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100535649B1 (ko) * | 2004-04-20 | 2005-12-08 | 주식회사 하이닉스반도체 | 디디알 메모리 소자의 디큐에스 신호 생성 회로 및 생성방법 |
KR100670682B1 (ko) * | 2005-02-04 | 2007-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 기억 소자에서의 데이터 출력 회로 및 방법 |
KR100656464B1 (ko) * | 2005-12-28 | 2006-12-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리의 출력 인에이블 신호 생성장치 및 방법 |
KR100761401B1 (ko) * | 2006-09-28 | 2007-09-27 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 및 그 구동 방법 |
KR100829455B1 (ko) * | 2006-11-13 | 2008-05-15 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 제어신호 생성회로 및방법 |
KR100837824B1 (ko) * | 2007-03-08 | 2008-06-13 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 출력 인에이블 신호 생성 회로 |
KR100868252B1 (ko) * | 2007-03-29 | 2008-11-12 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치 및 그 구동방법 |
KR100868016B1 (ko) * | 2007-04-13 | 2008-11-11 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 회로 |
KR100892645B1 (ko) * | 2007-07-11 | 2009-04-09 | 주식회사 하이닉스반도체 | 데이터 출력 클럭을 생성하는 반도체 집적 회로 |
KR100857450B1 (ko) * | 2007-08-10 | 2008-09-10 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 장치의 출력 인에이블 신호 생성 회로 및방법 |
KR100929833B1 (ko) * | 2008-04-02 | 2009-12-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 출력 인에이블 신호 생성 회로와 생성 방법 |
KR100933800B1 (ko) * | 2008-06-30 | 2009-12-24 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자의 출력 인에이블 신호 생성회로 |
KR101136985B1 (ko) | 2010-08-18 | 2012-04-19 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 회로 |
KR102079630B1 (ko) * | 2013-03-13 | 2020-04-07 | 삼성전자주식회사 | 지연동기회로를 가지는 동기 반도체 메모리 장치 및 파워 세이빙을 위한 지연동기회로 블록 구동 제어 방법 |
KR20170112631A (ko) * | 2016-04-01 | 2017-10-12 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 반도체장치 및 반도체시스템 |
Family Cites Families (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4178225B2 (ja) * | 1998-06-30 | 2008-11-12 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 集積回路装置 |
KR100291194B1 (ko) * | 1998-12-30 | 2001-06-01 | 박종섭 | 디디알 에스디램에서의 읽기 구동 방법 및 장치 |
KR100362193B1 (ko) * | 1999-11-26 | 2002-11-23 | 주식회사 하이닉스반도체 | 디디알 동기식 메모리 장치의 데이터 출력 장치 |
JP4684394B2 (ja) * | 2000-07-05 | 2011-05-18 | エルピーダメモリ株式会社 | 半導体集積回路装置 |
KR100670694B1 (ko) * | 2000-08-31 | 2007-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 고속메모리장치의 출력인에블신호 생성장치 |
JP2003272379A (ja) * | 2002-03-14 | 2003-09-26 | Mitsubishi Electric Corp | 半導体記憶装置 |
US6850458B2 (en) * | 2002-11-14 | 2005-02-01 | Wen Li | Controlling data strobe output |
-
2003
- 2003-10-31 KR KR1020030076835A patent/KR100540487B1/ko active IP Right Grant
-
2004
- 2004-06-25 US US10/875,387 patent/US6982924B2/en active Active
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100596433B1 (ko) * | 2003-12-29 | 2006-07-05 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 기억 장치에서의 지연 고정 루프 및 그의 록킹 방법 |
US7515482B2 (en) | 2005-09-29 | 2009-04-07 | Hynix Semiconductor Inc. | Pipe latch device of semiconductor memory device |
KR100670698B1 (ko) * | 2005-09-29 | 2007-01-17 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체메모리소자 내 파이프 래치장치 |
US7715245B2 (en) | 2005-09-29 | 2010-05-11 | Hynix Semiconductor, Inc. | Pipe latch device of semiconductor memory device |
KR100800150B1 (ko) * | 2006-06-30 | 2008-02-01 | 주식회사 하이닉스반도체 | 지연 고정 루프 장치 |
US7706210B2 (en) | 2006-10-31 | 2010-04-27 | Hynix Semiconductor, Inc. | Semiconductor memory device including delay locked loop and method for driving the same |
KR100832007B1 (ko) * | 2006-10-31 | 2008-05-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자와 그의 구동 방법 |
KR100854417B1 (ko) * | 2007-01-03 | 2008-08-26 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자와 그의 구동 방법 |
US7561490B2 (en) | 2007-01-08 | 2009-07-14 | Hynix Semiconductor, Inc. | Semiconductor memory device and method for driving the same |
US7852707B2 (en) | 2007-11-02 | 2010-12-14 | Hynix Semiconductor Inc. | Data output control circuit of a double data rate (DDR) synchronous semiconductor memory device responsive to a delay locked loop (DLL) clock |
KR100929834B1 (ko) * | 2008-02-29 | 2009-12-07 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자와 그의 구동 방법 |
US7791963B2 (en) | 2008-02-29 | 2010-09-07 | Hynix Semiconductor Inc. | Semiconductor memory device and operation method thereof |
KR100922881B1 (ko) * | 2008-04-15 | 2009-10-20 | 주식회사 하이닉스반도체 | 반도체 메모리 소자 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20050094443A1 (en) | 2005-05-05 |
KR100540487B1 (ko) | 2006-01-10 |
US6982924B2 (en) | 2006-01-03 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
KR100540487B1 (ko) | 데이터 출력제어회로 | |
KR100540472B1 (ko) | 데이터 출력에 관한 동작마진이 향상된 메모리 장치 | |
US10679683B1 (en) | Timing circuit for command path in a memory device | |
KR100709566B1 (ko) | 주파수 변화에 따라 데이터의 출력타이밍을 제어하기 위한반도체 메모리 장치 | |
KR100567065B1 (ko) | 메모리 장치용 입력 회로 | |
KR100543937B1 (ko) | 데이터 출력제어회로 | |
CN111418015B (zh) | 用于存储器装置中的命令同步的技术 | |
US7675797B2 (en) | CAS latency circuit and semiconductor memory device including the same | |
US7586337B2 (en) | Circuit for switching between two clock signals independently of the frequency of the clock signals | |
KR100468776B1 (ko) | 클락 지터의 영향을 감소시킬 수 있는 동기식 반도체메모리장치 | |
JP4745782B2 (ja) | 半導体記憶装置 | |
US20210091772A1 (en) | Signal generation circuit and a semiconductor apparatus using the signal generation circuit | |
KR100498473B1 (ko) | 제어신호 발생회로 및 상기 제어신호 발생회로를 구비하는데이터 전송회로 | |
KR20050061123A (ko) | Ddr sdram 콘트롤러의 데이터 제어회로 | |
KR100359157B1 (ko) | 라이트 명령어 레이턴시회로 및 그 제어방법 | |
KR100807111B1 (ko) | 출력 제어장치 | |
KR100190373B1 (ko) | 리드 패스를 위한 고속 동기식 메모리 장치 | |
KR100486199B1 (ko) | 반도체메모리장치의하이임피던스제어신호발생회로 | |
KR19990075644A (ko) | 데이터 스트로우브 신호를 사용한 데이터 입력 회로 | |
KR100668517B1 (ko) | 테스트장치를 구비하는 출력 제어장치 | |
JP2006277892A (ja) | 半導体記憶装置 | |
KR100529039B1 (ko) | 도메인 크로싱 마진을 증가시킨 반도체 메모리 소자 | |
KR100537206B1 (ko) | 더블 데이터 레이트 싱크로너스 디램 | |
KR19990006094A (ko) | 반도체 메모리 소자의 내부신호 발생장치 | |
KR20050064035A (ko) | 파이프 래치 회로 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant | ||
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20121203 Year of fee payment: 8 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20131209 Year of fee payment: 9 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20141205 Year of fee payment: 10 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20151201 Year of fee payment: 11 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20161129 Year of fee payment: 12 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20181129 Year of fee payment: 14 |
|
FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20191127 Year of fee payment: 15 |