KR20040080980A - Substrate processing method and substrate processing apparatus - Google Patents
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Abstract
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼, 액정 표시장치용 유리기판, 플라즈마 디스플레이용 유리기판, 프린트 기판 등의 기판의 표면에 린스액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리방법 및 기판 처리장치에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing method and a substrate processing apparatus for supplying a rinse liquid to a surface of a substrate such as a semiconductor wafer, a glass substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a plasma display, a printed substrate, and the like.
반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면에, 포토리소그래피 기술을 이용하여 동, 알루미늄, 은 등의 금속재료로 배선패턴을 형성하기 위해서는, 먼저 기판의 표면에 동, 알루미늄, 은 등의 금속막을 형성하고, 그 금속막 위에 포토레지스트막을 형성한 후, 기판에 대해서 노광, 현상 및 에칭의 각 처리를 행하여 소망의 패터닝을 행하고, 그 후에 기판 위에 남아있는 포토레지스트의 피막을 기판 표면에서 박리(剝離)하여 제거한다. 이들의 일련의 프로세스 중, 기판 위에서 포토레지스트 피막을 제거하는 공정에서는, 예를 들면 아민을 포함하는 유기(有機)박리액이 사용된다. 그리고, 박리 처리 후의 기판은 순수를 사용하여 린스 처리된 후, 건조 처리된다.In order to form a wiring pattern on a surface of a substrate such as a semiconductor wafer using a metal material such as copper, aluminum, or silver by using photolithography technology, first, a metal film such as copper, aluminum, or silver is formed on the surface of the substrate. After the photoresist film is formed on the metal film, the substrate is subjected to each process of exposure, development, and etching, and the desired patterning is performed. After that, the film of the photoresist remaining on the substrate is peeled off and removed from the substrate surface. . Among these series of processes, in the process of removing a photoresist film on a board | substrate, the organic peeling liquid containing an amine is used, for example. The substrate after the peeling treatment is rinsed using pure water, and then dried.
여기서, 아민을 포함하는 유기박리액을 사용하여 기판을 박리 처리한 후, 박리액이 부착한 기판의 표면에 순수를 공급하여 린스 처리하면, 아민을 포함하는 박리액이 순수와 서로 섞여 강알카리성의 용액이 생성된다. 이 결과, 배선패턴을 형성하는 금속막이 부식되거나 혹은 용해된다는 문제가 발생한다. 그래서, 이와 같은 문제점을 해결하기 위해, 박리 처리후의 린스 처리에 있어서, 이산화탄소를 용해시킨 순수를 사용한다는 방법이 제안되어 있다. 즉, 아민을 포함하는 박리액이 부착한 기판의 표면에 대해 이산화탄소를 용해시킨 순수를 대량으로 토출하는 것에 의해, 아민에 의한 알카리성을 중화하여 강알카리성의 용액이 생성되는 것을 방지한다는 방법이 제안되어 있다(예를 들면, 특허문헌 1참조).Here, when the substrate is peeled off using an organic peeling solution containing an amine, and then pure water is supplied to the surface of the substrate to which the peeling solution adheres, and the rinse treatment is performed, the peeling solution containing the amine is mixed with the pure water to form a strong alkali. A solution is produced. As a result, there arises a problem that the metal film forming the wiring pattern is corroded or dissolved. Then, in order to solve such a problem, the method of using the pure water which melt | dissolved carbon dioxide in the rinse process after peeling process is proposed. That is, by discharging large quantities of pure water in which carbon dioxide is dissolved on the surface of the substrate on which the stripping solution containing the amine is attached, a method of neutralizing the alkalinity by the amine to prevent the formation of a strong alkaline solution has been proposed. (For example, refer patent document 1).
도 3은, 이산화탄소를 용해한 순수를 린스액으로 사용하는 수세(水洗)처리부를 구비한 종래의 기판 처리장치의 개략 구성의 일예를 나타내는 모식적 정면도이다. 이 기판 처리장치에는 수세처리부(60)의 전단(前段)측에 수세처리부(60)와 인접하여 박리처리부(62)가 설치되어 있다.3 is a schematic front view showing an example of a schematic configuration of a conventional substrate processing apparatus having a water washing treatment unit using pure water dissolved in carbon dioxide as a rinse liquid. This substrate processing apparatus is provided with the peeling processing part 62 adjacent to the water washing processing part 60 at the front end side of the water washing processing part 60. As shown in FIG.
박리처리부(62)는 그 일부 밖에 도시하고 있지 않으며 상세한 구성을 나타내고 있지 않지만, 처리챔버(64)를 구비하고, 처리챔버(64)의 내부에는 기판(W)을 지지하여 수평방향으로 반송하는 롤러 컨베이어(66)가 배열 설치되어 있다. 기판(W)은 롤러 컨베이어(66)에 의해 수평자세로 지지되고, 혹은 기판 반송방향과 직교하는 방향으로 약간 경사진 자세로 지지되어 반송된다. 이 기판(W)은 에칭처리 후의 기판으로서, 그 표면에는 포토레지스트 피막이 피착하고 있다. 또한, 기판 반송로의 상방에는, 기판 반송로를 따라 복수의 박리액 토출노즐(도시하지 않음)이 설치되어 있다. 그리고, 처리챔버(64) 내에서 기판(W)을 롤러 컨베이어(66)에 의해 반송하면서, 박리액 토출노즐에서 기판(W)의 상면에 박리액, 예를 들면 1-메틸-2-피롤리돈, 이소프로페놀아민, 모노에탄올아민 등의 아민을 포함하는 유기박리액이 공급된다. 이것에 의해, 기판(W)의 표면에 피착한 포토레지스트 피막을 용해하여 기판(W)의 표면에서 제거된다.Although only a part of the peeling treatment part 62 is not shown and does not show a detailed configuration, it is provided with a processing chamber 64 and a roller for supporting the substrate W in the processing chamber 64 and transporting it in the horizontal direction. Conveyor 66 is arrange | positioned. The board | substrate W is supported by the roller conveyor 66 in a horizontal position, or it is supported by a slightly inclined posture in the direction orthogonal to a board | substrate conveyance direction, and is conveyed. This board | substrate W is a board | substrate after an etching process, and the photoresist film is deposited on the surface. Further, a plurality of peeling liquid discharge nozzles (not shown) are provided along the substrate transport path above the substrate transport path. And while conveying the board | substrate W in the process chamber 64 by the roller conveyor 66, a peeling liquid, for example, 1-methyl- 2-pyrroli, on the upper surface of the board | substrate W from a peeling liquid discharge nozzle. Organic peeling liquid containing amines, such as a ton, isoprophenolamine, and a monoethanolamine, is supplied. As a result, the photoresist film deposited on the surface of the substrate W is dissolved and removed from the surface of the substrate W. FIG.
박리처리부(62)에서 박리 처리되고 처리챔버(64)의 출구(68)에서 반출되는 기판(W) 표면에는 박리액(1)이 부착하고 있으며, 기판(W)은 그 표면에 박리액(1)이 부착한 상태에서 수세처리부(60)로 반송된다. 수세처리부(60)는 입구측 개구(72) 및 출구측 개구(74)를 가지는 처리챔버(70)를 구비하고, 처리챔버(70)의 내부에는 기판(W)을 수평자세 혹은 약간 경사진 자세로 지지하여 수평방향으로 반송하는 롤러 컨베이어(76)가 배열 설치되어 있다. 처리챔버(70)의 입구측 개구(72) 부근에는 기판(W)의 상면에 커튼모양으로 린스액을 토출하는 입구노즐(78)이 배열 설치되어 있다. 또한, 기판 반송로를 사이에 두고 그 상방 및 하방에는 각각 기판 반송로를 따라 상부 스프레이 노즐(80) 및 하부 스프레이 노즐(82)이 연설(連設)되어 있다. 입구노즐(78), 상부 스프레이 노즐(80) 및 하부 스프레이 노즐(82)에 각각 연통(連通) 접속된 각 린스액 공급배관(84, 86, 88)은 각각 배관(90a)에 연결되어 접속되고, 배관(90a)은 펌프(92)의 토출구측에 유로(流路) 접속되어 있다. 펌프(92)의 흡입구 측은, 배관(90b)을 통해서 순수(2)가 저장된 저수조(94)의 바닥부에 유로 접속되어 있다. 그리고, 배관(90a)의 도중에는 가스 용해모듈(96)이 끼워 삽입되어 있으며, 가스 용해모듈(96)에, 가스 봄베 등의 탄산가스 공급원에 접속된 가스 공급관(98)이 접속되어 있어, 배관(90a)을 통해서 린스액 공급배관(84, 96, 88)에 공급되는 순수중에 이산화탄소를 용해시키도록 되어 있다.The peeling liquid 1 adheres to the surface of the board | substrate W peeled off by the peeling process part 62 and carried out from the exit 68 of the processing chamber 64, and the board | substrate W has the peeling liquid 1 on the surface. ) Is conveyed to the water washing unit 60 in the state of attachment. The flushing treatment section 60 includes a processing chamber 70 having an inlet opening 72 and an outlet opening 74, and a posture in which the substrate W is in a horizontal position or slightly inclined inside the processing chamber 70. The roller conveyor 76 which carries out the support and conveys in the horizontal direction is arrange | positioned. In the vicinity of the inlet side opening 72 of the processing chamber 70, an inlet nozzle 78 for discharging the rinse liquid in the form of a curtain is arranged on the upper surface of the substrate W. Moreover, the upper spray nozzle 80 and the lower spray nozzle 82 are extended along the board | substrate conveyance path, respectively, above and below the board | substrate conveyance path. Each rinse liquid supply pipe 84, 86, 88 connected to the inlet nozzle 78, the upper spray nozzle 80, and the lower spray nozzle 82, respectively, is connected to the pipe 90a. The pipe 90a is connected to a discharge port side of the pump 92. The suction port side of the pump 92 is connected to the bottom of the reservoir 94 in which the pure water 2 is stored via the pipe 90b. In the middle of the pipe 90a, a gas dissolving module 96 is inserted and inserted, and a gas supply pipe 98 connected to a carbon dioxide gas supply source such as a gas cylinder is connected to the gas dissolving module 96. The carbon dioxide is dissolved in the pure water supplied to the rinse liquid supply pipe (84, 96, 88) through 90a).
처리챔버(70)의 바닥부에는 배액용 배관(100)이 연결되어 접속되어 있으며, 배액용 배관(100)을 통해 사용이 끝난 린스액이 폐기되도록 되어 있다. 또한, 도시하고 있지 않지만, 수세처리부(60)의 하류측에는 복수의 수세처리부가 연설되어 있다. 그리고, 하류측에 배치된 수세처리부에서 기판의 세정에 사용된 순수는 그 수세처리부와 인접하는 상류측의 수세처리부의 저수조 내로 보내져, 최하류측에 위치하는 수세처리부에서 순차, 상류측에 위치하는 각 수세처리부의 저수조 내로 보내져온 사용이 끝난 순수가 송출액배관(102)을 통해 수세처리부(60)의 저수조(94) 내로 공급되도록 되어 있다.The drainage pipe 100 is connected to and connected to the bottom of the processing chamber 70, and the used rinse liquid is discarded through the drainage pipe 100. In addition, although not shown in figure, the some water washing process part is spoken downstream of the water washing process part 60. As shown in FIG. The pure water used for washing the substrate in the water washing unit disposed on the downstream side is sent into the water tank of the water washing unit on the upstream side adjacent to the water washing unit, and is sequentially positioned on the upstream side of the water washing unit. The used pure water, which has been sent into the water storage tanks of each water treatment unit, is supplied into the water storage tank 94 of the water washing unit 60 through the delivery liquid pipe 102.
도 3에 나타낸 구성의 수세처리부(60)에 있어서는, 처리챔버(70) 내로 입구측 개구(72)를 통해서 반입되어온 기판(W)은, 먼저 입구노즐(78)에서 기판(W)의 상면에 커튼모양으로 토출되는 린스액에 의해 표면에 부착한 박리액(1)이 씻겨 내려간다. 또, 처리챔버(70) 내를 기판(W)이 롤러 컨베이어(76)에 의해 반송되면서, 상부 스프레이 노즐(80) 및 하부 스프레이 노즐(82)에서 기판(W)의 상ㆍ하 양면에 각각 린스액이 토출되는 것에 의해, 기판(W)의 표면에 부착한 박리액(1)이 씻겨 내려간다. 이때, 기판(W) 위에서 아민을 포함하는 박리액과 린스액(순수)을 혼합한 용액이 생성되지만, 린스액 중에는 이산화탄소가 용해하고 있으므로, 아민에 의한 알카리성이 중화되어 용액이 강알카리성이 되는 것이 방지된다. 그리고, 수세처리부(60)에서의 린스 처리가 종료한 기판(W)은 처리챔버(70) 내에서 출구측 개구(74)를 통해서 반출되어, 인접하는 수세처리부로 반송된다.In the water washing processing unit 60 having the configuration shown in FIG. 3, the substrate W brought into the processing chamber 70 through the inlet opening 72 is first formed on the upper surface of the substrate W by the inlet nozzle 78. The peeling liquid 1 adhering to the surface is washed off by the rinse liquid discharged in a curtain shape. Moreover, while the board | substrate W is conveyed by the roller conveyor 76 in the process chamber 70, the upper spray nozzle 80 and the lower spray nozzle 82 rinse the upper and lower surfaces of the board | substrate W, respectively. As the liquid is discharged, the peeling liquid 1 attached to the surface of the substrate W is washed off. At this time, a solution in which a stripping solution containing an amine and a rinse liquid (pure water) is mixed on the substrate W is produced. However, since carbon dioxide is dissolved in the rinse liquid, the alkalinity caused by the amine is neutralized, and the solution is strongly alkaline. Is prevented. And the board | substrate W which the rinse process in the water washing process part 60 complete | finished is carried out through the exit side opening 74 in the process chamber 70, and is conveyed to the adjacent water washing process part.
(특허문헌 1)(Patent Document 1)
특개2000-141269호 공보(제5-6항, 도 1)Japanese Patent Laid-Open No. 2000-141269 (paragraphs 5-6, Fig. 1)
도 3에 나타낸 바와 같은 구성을 구비한 종래의 기판 처리장치에서는, 수세처리부(60)에서 기판(W)의 린스 처리에 사용된 후의 린스액은, 처리챔버(70)의 바닥부에서 배액용 배관(100)을 통해 모두 폐기되고 있다. 이것은 린스액에 박리액이 혼합되는 것에 의해, 사용이 끝난 린스액 중에는 박리액 중에 포함되어 있는 아민이 부식성분으로서 포함되기 때문이다. 이와 같이, 사용이 끝난 린스액은 모두 폐기하도록 하고 있기 때문에, 수세처리부(60)와 인접하는 하류측의 수세처리부에서 송출액배관(102)을 통해서 저수조(94) 내로 공급되는 순수의 양은 입구노즐(78), 상부 스프레이 노즐(80) 및 하부 스프레이 노즐(82)에서 각각 기판(W)에 공급되는 린스액의 양으로는 충분치 않으며, 별도로 순수 공급원에서 순수를 저수조(94) 내로 공급하는 것이 필요하다. 이 때문에, 순수의 사용량이 많게 되며, 또 그것에 따라 탄산가스의 소비량도 많게 된다는 문제점이 있다.In the conventional substrate processing apparatus having the configuration as shown in FIG. 3, the rinse liquid after being used for the rinsing treatment of the substrate W in the water treatment unit 60 is piped for drainage at the bottom of the processing chamber 70. All are discarded through (100). This is because the peeling liquid is mixed with the rinse liquid, and thus the amine contained in the peeling liquid is contained as a corrosion component in the used rinse liquid. In this way, since the used rinse liquid is to be discarded, the amount of pure water supplied into the water storage tank 94 through the discharge liquid piping 102 in the downstream water treatment unit adjacent to the water treatment unit 60 is the inlet nozzle. The amount of the rinse liquid supplied to the substrate W from the upper spray nozzle 80 and the lower spray nozzle 82, respectively, is not sufficient, and it is necessary to separately supply pure water into the reservoir 94 from the pure water source. Do. For this reason, there is a problem in that the amount of pure water used increases, and accordingly, the amount of carbon dioxide consumed increases.
한편, 순수의 사용량을 조금이라도 줄이고자 하여, 처리챔버(70)의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액의 일부를 저수조(94) 내로 되돌려, 린스액을 순환 사용하고자 하면, 저수조(94) 내의 린스액 중에 아민(부식성분)이 잔존하여, 다음에 린스 처리되는 기판에서 문제를 일으키게 된다.On the other hand, in order to reduce the amount of pure water even a little, to return a part of the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber 70 into the water storage tank 94 and to circulate the rinse liquid, the water storage tank 94 An amine (corrosion component) remains in the rinse liquid in the interior, which causes problems in the substrate to be rinsed next.
본 발명은, 이상과 같은 사정을 감안한 것으로, 기판의 표면에 린스액을 공급하여 기판을 처리하는 경우에 있어서, 린스액(순수)의 사용량을 저감시킬 수 있는 기판 처리방법을 제공하는 것 및 그 방법을 알맞게 실시할 수 있는 기판 처리장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.In view of the above circumstances, the present invention provides a substrate processing method capable of reducing the amount of the rinse liquid (pure water) used when the rinse liquid is supplied to the surface of the substrate to treat the substrate. It is an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus capable of suitably carrying out the method.
도 1은 본 발명의 실시형태의 일예를 나타내고, 기판 처리장치의 개략 구성을 나타내는 모식적 정면 단면도이다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a typical front sectional drawing which shows an example of embodiment of this invention, and shows schematic structure of a substrate processing apparatus.
도 2는 도 1에 나타낸 기판 처리장치의 수세처리부에서의 처리동작의 일예를 설명하기 위한 타임차트이다.FIG. 2 is a time chart for explaining an example of the processing operation in the water washing processing unit of the substrate processing apparatus shown in FIG. 1.
도 3은 이산화탄소를 용해한 순수를 린스액으로서 사용하는 수세처리부를 구비한 종래의 기판 처리장치의 개략 구성의 일예를 나타내는 모식적 정면도이다.3 is a schematic front view showing an example of a schematic configuration of a conventional substrate processing apparatus having a water washing treatment unit using pure water dissolved in carbon dioxide as a rinse liquid.
* 도면의 주요 부분에 대한 간단한 부호의 설명 *Description of simple symbols for the main parts of the drawing
W 기판, 1 박리액,W substrate, 1 peeling liquid,
2 순수, 10 수세처리부,2 pure water, 10 water treatment parts,
12 처리챔버,12 treatment chamber,
14 처리챔버의 입구측 개구(開口),14 opening on the inlet side of the treatment chamber,
16 처리챔버의 출구측 개구, 18 롤러 컨베이어,16 exit chamber opening, 18 roller conveyor,
20 입구노즐, 22 상부 스프레이 노즐,20 inlet nozzle, 22 upper spray nozzle,
24 하부 스프레이 노즐, 26,28,30 린스액 공급배관,24 lower spray nozzle, 26, 28, 30 rinse liquid supply line,
32a,32b 배관, 34 펌프,32a, 32b piping, 34 pumps,
36 저수조, 38 가스 용해모듈,36 reservoir, 38 gas melting module,
40 가스공급관, 42 액유출관,40 gas supply pipe, 42 liquid outlet pipe,
44 회수용 배관, 46 배액용 배관,44 return pipe, 46 drain pipe,
48 pH계, 50 컨트롤러,48 pH meter, 50 controller,
52 순수 공급용 배관, V1~V5개폐 제어밸브.52 Pure water supply piping, V 1 to V 5 open / close control valve.
청구항 1에 관한 발명은, 처리챔버 내에서 기판을 반송하면서, 상기 처리챔버의 입구 부근에 배열 설치되고 기판의 상면에 커튼모양으로 린스액을 토출하는 입구노즐, 그리고 기판 반송로를 사이에 두고 그 상방 및 하방에 각각 기판 반송로를 따라 연설되며 기판의 상면 및 하면에 린스액을 토출하는 상부 스프레이 노즐 및 하부 스프레이 노즐로부터, 기판에 대해서 각각 린스액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리방법으로서, (a) 기판이 상기 처리챔버 내로 반입된 당초에, 상기 입구노즐과 상기 상부 스프레이 노즐로부터 린스액을 기판에 공급하는 공정과, (b) 상기 (a)공정이 종료한 후에, 기판이 상기 처리챔버 내에서 반출될 때까지는 상기 상부 스프레이 노즐과 상기 하부 스프레이 노즐로부터 린스액을 기판으로 공급하는 공정과, (c) 기판이 처리챔버 내에 반입된 후 소정 시간이 경과할 때까지, 상기 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액을 폐기하는 공정과, (d) 상기 (c)공정이 종료한 후에, 기판이 처리챔버 내에서 반출될 때까지는 사용이 끝난 린스액을 회수조로 회수하여 재사용하는 공정을 구비하고, 상기 처리챔버로 반송되어 오는 기판은, 박리 처리후의 기판으로서 상면에 아민을 포함하는 박리액이 부착한 것이며, 상기 린스액은 순수중에 이산화탄소를 용해한 린스액인 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 1 is provided with an inlet nozzle arranged in the vicinity of the inlet of the treatment chamber and discharging the rinse liquid in the form of a curtain on the upper surface of the substrate while the substrate is conveyed in the treatment chamber, and the substrate conveying path. A substrate processing method for treating a substrate by supplying a rinse liquid to the substrate from the upper spray nozzle and the lower spray nozzle, each of which extends along the substrate conveyance path up and down and discharges the rinse liquid to the upper and lower surfaces of the substrate, respectively. (a) initially supplying the rinse liquid from the inlet nozzle and the upper spray nozzle to the substrate at the time when the substrate is brought into the processing chamber; and (b) after the step (a) is completed, the substrate is subjected to the treatment. Supplying the rinse liquid to the substrate from the upper spray nozzle and the lower spray nozzle until it is discharged into the chamber, and (c) the substrate is processed. Disposing of the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber until a predetermined time elapses after being loaded into the chamber; and (d) after the completion of the step (c), the substrate is processed. It is provided with the process of collecting and reusing a used rinse liquid to a recovery tank until it is carried out in the inside, The board | substrate conveyed to the said processing chamber is a peeling liquid containing an amine on the upper surface as a board | substrate after a peeling process. The rinse liquid is characterized in that the rinse liquid dissolved carbon dioxide in pure water.
청구항 2에 관한 발명은, 처리챔버 내에서 기판을 반송하면서, 상기 처리챔버의 입구 부근에 배열 설치되고 기판의 상면에 커튼모양으로 린스액을 토출하는 입구노즐, 그리고 기판 반송로를 사이에 두고 그 상방 및 하방에 각각 기판 반송로를 따라 연설되며 기판의 상면 및 하면에 린스액을 토출하는 상부 스프레이 노즐 및 하부 스프레이 노즐로부터, 기판에 대해서 각각 린스액을 공급하여 기판을 처리하는 기판 처리방법으로서, (a) 기판이 상기 처리챔버 내로 반입된 당초에, 상기 입구노즐과 상기 상부 스프레이 노즐로부터 린스액을 기판에 공급하는 공정과, (b) 상기 (a)공정이 종료한 후에, 기판이 상기 처리챔버 내에서 반출될 때까지는 상기 상부 스프레이 노즐과 상기 하부 스프레이 노즐로부터 린스액을 기판으로 공급하는 공정과, (c) 상기 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액 중에 포함되는 아민의 양을 나타내는 지시치를 계속적으로 계측하고, 계측된 지시치가 미리 설정된 조건을 만족할 때까지는 사용이 끝난 린스액을 폐기하는 공정과, (d) 상기 계측된 지시치가 상기 미리 설정된 조건을 만족함과 동시에 기판이 처리챔버 내에서 반출될 때까지는, 사용이 끝난 린스액을 회수조로 회수하여 재사용하는 공정을 구비하고, 상기 처리챔버로 반송되어 오는 기판은, 박리 처리후의 기판으로서 상면에 아민을 포함하는 박리액이 부착한 것이며, 상기 린스액은 순수중에 이산화탄소를 용해한 린스액인 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 2 is provided with an inlet nozzle arranged in the vicinity of the inlet of the processing chamber and discharging the rinse liquid in the form of a curtain on the upper surface of the substrate, and the substrate transport path, while transporting the substrate in the processing chamber. A substrate processing method for treating a substrate by supplying a rinse liquid to the substrate from the upper spray nozzle and the lower spray nozzle, each of which extends along the substrate conveyance path up and down and discharges the rinse liquid to the upper and lower surfaces of the substrate, respectively. (a) initially supplying the rinse liquid from the inlet nozzle and the upper spray nozzle to the substrate at the time when the substrate is brought into the processing chamber; and (b) after the step (a) is completed, the substrate is subjected to the treatment. Supplying the rinse liquid to the substrate from the upper spray nozzle and the lower spray nozzle until it is carried out in the chamber; and (c) the treatment. Continuously measuring an indicator indicating the amount of amine contained in the used rinse liquid discharged from the bottom of the burr, and discarding the used rinse liquid until the measured indication satisfies a preset condition; d) recovering the used rinse liquid to a recovery tank and reusing it until the measured indication satisfies the preset condition and the substrate is taken out of the processing chamber, and is returned to the processing chamber. The board | substrate is a board | substrate after peeling process, and the peeling liquid containing an amine adhered to the upper surface, The said rinse liquid is a rinse liquid which melt | dissolved carbon dioxide in pure water, It is characterized by the above-mentioned.
청구항 3에 관한 발명은, 청구항 2에 기재의 기판 처리방법에 있어서, 상기 지시치는 pH값이며, 상기 (c)공정은 계측된 pH값이 소정 값 이하가 될때까지는 사용이 끝난 린스액을 폐기하는 공정이며, 상기 (d)공정은 계측된 pH값이 소정 값 이하로 됨과 동시에 상기 기판이 상기 처리챔버 내에서 반출될 때까지는 사용이 끝난린스액을 회수조로 회수하여 재사용하는 공정인 것을 특징으로 한다.In the invention according to claim 3, in the substrate processing method according to claim 2, the indicated value is a pH value, and in the step (c), the used rinse liquid is discarded until the measured pH value becomes less than or equal to a predetermined value. The step (d) is characterized in that the process is to recover the used rinse liquid to a recovery tank and reuse until the measured pH value is less than a predetermined value and the substrate is taken out in the processing chamber. .
청구항 4에 관한 발명은, 기판의 처리가 행해지는 처리챔버와, 처리챔버 내에서 기판을 반송하는 기판 반송수단과, 상기 처리챔버의 입구 부근에 배열 설치되며 기판의 상면에 커튼모양으로 린스액을 토출하는 입구노즐과, 상기 처리챔버 내에, 기판 반송로를 사이에 두고 그 상방 및 하방에 각각 기판 반송로를 따라 연설되며, 기판의 상면 및 하면에 린스액을 토출하는 상부 스프레이 노즐 및 하부 스프레이 노즐과, 상기 입구노즐과 상기 상부 스프레이 노즐 및 하부 스프레이 노즐에 각각 연결되어 접속된 제1 내지 제3 린스액 공급배관과, 상기 각 린스액 공급배관을 통해서 상기 입구노즐과 상기 상부 스프레이 노즐 및 하부 스프레이 노즐에 각각 린스액을 공급하는 린스액 공급수단을 구비하는 기판 처리장치로서, 상기 제1 내지 제3 린스액 공급배관의 각각에 끼워 삽입된 제1 내지 제3 개폐 제어밸브와, 상기 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액을 폐기하는 배액용 배관과, 상기 배액용 배관에 끼워 삽입된 제4 개폐 제어밸브와, 사용이 끝난 린스액을 회수하기 위한 회수용 배관과, 상기 회수용 배관에 끼워 삽입된 제5 개폐 제어밸브와, 상기 처리챔버의 바닥부에서 상기 회수용 배관을 통해서 배출되는 사용이 끝난 린스액을 회수하는 회수조와, 상기 제1 내지 제5 개폐 제어밸브의 각각의 개폐동작을 제어하는 제어수단을 더 구비하고, 상기 처리챔버로 반송되는 기판은 박리 처리 후의 기판으로서 상면에 아민을 포함하는 박리액이 부착한 것이며, 상기 린스액은 순수중에 이산화탄소를 용해한 린스액이며, 상기 제어수단은, 기판이 상기 처리챔버 내에 반입된 당초에는, 상기 제1 개폐 제어밸브와, 상기 제2 개폐 제어밸브를개방하고, 그 이후, 기판이 상기 처리챔버 내에서 반출될 때까지는 상기 제2 개폐 제어밸브와, 상기 제3 개폐 제어밸브를 개방하는 제1 동작과, 기판이 상기 처리챔버 내에 반입된 후 소정 시간이 경과할 때까지는, 상기 제4 개폐 제어밸브를 개방함과 동시에 상기 제5 개폐 제어밸브를 폐쇄하고, 그 이후는 기판이 처리챔버 내에서 반출될 때까지는 상기 제5 개폐 제어밸브를 개방함과 동시에 상기 제4 개폐 제어밸브를 폐쇄하는 제2 동작을 각각 제어하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 4 includes a processing chamber in which a substrate is processed, a substrate conveying means for conveying the substrate in the processing chamber, and a rinse liquid in a curtain shape on an upper surface of the substrate, arranged near the inlet of the processing chamber. An upper spray nozzle and a lower spray nozzle which discharges the rinse liquid to the upper and lower surfaces of the inlet nozzle to be discharged, and is disposed along the substrate conveying path above and below the substrate conveying path in the processing chamber, respectively. And first to third rinse liquid supply pipes connected to and connected to the inlet nozzle, the upper spray nozzle, and the lower spray nozzle, respectively, and the inlet nozzle, the upper spray nozzle, and the lower spray through the respective rinse liquid supply pipes. A substrate processing apparatus having a rinse liquid supply means for supplying a rinse liquid to a nozzle, respectively, wherein the first to third rinse liquid supply pipes First to third open / close control valves inserted into the respective components, a drain pipe for disposing of the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber, and a fourth open / close control inserted into the drain pipe. A valve, a recovery pipe for recovering the used rinse liquid, a fifth open / close control valve inserted into the recovery pipe, and a used pipe discharged from the bottom of the processing chamber through the recovery pipe A recovery tank for recovering the rinse liquid and control means for controlling the opening and closing operations of the first to fifth opening and closing control valves, wherein the substrate conveyed to the processing chamber includes an amine on the upper surface as a substrate after the peeling treatment. The rinse liquid is a rinse liquid obtained by dissolving carbon dioxide in pure water, and the control means is the first one at which the substrate is brought into the processing chamber. A first operation of opening the closing control valve, the second opening / closing control valve, and then opening the second opening / closing control valve and the third opening / closing control valve until the substrate is removed from the processing chamber; Until the predetermined time elapses after the substrate is loaded into the processing chamber, the fourth opening / closing control valve is opened and the fifth opening / closing control valve is closed. After that, the substrate is taken out of the processing chamber. Until the fifth opening and closing the control valve and the second operation for closing the fourth opening and closing control valve, characterized in that each control.
청구항 5에 관한 발명은, 기판의 처리가 행해지는 처리챔버와, 처리챔버 내에서 기판을 반송하는 기판 반송수단과, 상기 처리챔버의 입구 부근에 배열 설치되며 기판의 상면에 커튼모양으로 린스액을 토출하는 입구노즐과, 상기 처리챔버 내에, 기판 반송로를 사이에 두고 그 상방 및 하방에 각각 기판 반송로를 따라 연설되며, 기판의 상면 및 하면에 린스액을 토출하는 상부 스프레이 노즐 및 하부 스프레이 노즐과, 상기 입구노즐과 상기 상부 스프레이 노즐 및 하부 스프레이 노즐에 각각 연결되어 접속된 제1 내지 제3 린스액 공급배관과, 상기 각 린스액 공급배관을 통해서 상기 입구노즐과 상기 상부 스프레이 노즐 및 하부 스프레이 노즐에 각각 린스액을 공급하는 린스액 공급수단을 구비하는 기판 처리장치로서, 상기 제1 내지 제3 린스액 공급배관의 각각에 끼워 삽입된 제1 내지 제3 개폐 제어밸브와, 상기 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액을 폐기하는 배액용 배관과, 상기 배액용 배관에 끼워 삽입된 제4 개폐 제어밸브와, 사용이 끝난 린스액을 회수하기 위한 회수용 배관과, 상기 회수용 배관에 끼워 삽입된 제5 개폐 제어밸브와, 상기 처리챔버의 바닥부에서 상기 회수용 배관을 통해서 배출되는 사용이 끝난린스액을 회수하는 회수조와, 상기 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액 중에 포함되는 아민의 양을 나타내는 지시치를 계속적으로 계측하는 계측수단과, 상기 제1 내지 제5 개폐 제어밸브의 각각의 개폐동작을 제어하는 제어수단을 더 구비하고, 상기 처리챔버로 반송되는 기판은 박리 처리 후의 기판으로서 상면에 아민을 포함하는 박리액이 부착한 것이며, 상기 린스액은 순수중에 이산화탄소를 용해한 린스액이며, 상기 제어수단은, 기판이 상기 처리챔버 내에 반입된 당초에는, 상기 제1 개폐 제어밸브와, 상기 제2 개폐 제어밸브를 개방하고, 그 이후, 기판이 상기 처리챔버 내에서 반출될 때까지는 상기 제2 개폐 제어밸브와, 상기 제3 개폐 제어밸브를 개방하는 제1 동작과, 상기 계측수단으로부터의 계측신호에 의거하여, 린스액 중에 포함되는 아민이 소정량 이하로 되어 계측된 지시치가 미리 설정된 조건을 만족하게 될때까지는 상기 제4 개폐 제어밸브를 개방함과 동시에 상기 제5 개폐 제어밸브를 폐쇄하고, 상기 계측된 지시치가 상기 미리 설정된 조건을 만족하게 된 후 기판이 상기 처리챔버 내에서 반출될 때까지는 상기 제5 개폐 제어밸브를 개방함과 동시에 상기 제4 개폐 제어밸브를 폐쇄하는 제2 동작을 각각 제어하는 것을 특징으로 한다.The invention according to claim 5 includes a processing chamber in which a substrate is processed, a substrate conveying means for conveying the substrate within the processing chamber, and a rinse liquid in a curtain shape on an upper surface of the substrate, arranged in the vicinity of the entrance of the processing chamber. An upper spray nozzle and a lower spray nozzle which discharges the rinse liquid to the upper and lower surfaces of the inlet nozzle to be discharged, and is disposed along the substrate conveying path above and below the substrate conveying path in the processing chamber, respectively. And first to third rinse liquid supply pipes connected to and connected to the inlet nozzle, the upper spray nozzle, and the lower spray nozzle, respectively, and the inlet nozzle, the upper spray nozzle, and the lower spray through the respective rinse liquid supply pipes. A substrate processing apparatus having a rinse liquid supply means for supplying a rinse liquid to a nozzle, respectively, wherein the first to third rinse liquid supply pipes First to third open / close control valves inserted into the respective components, a drain pipe for disposing of the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber, and a fourth open / close control inserted into the drain pipe. A valve, a recovery pipe for recovering the used rinse liquid, a fifth open / close control valve inserted into the recovery pipe, and a used pipe discharged from the bottom of the processing chamber through the recovery pipe A recovery tank for recovering the rinse liquid, measurement means for continuously measuring an indication indicating the amount of amine contained in the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber, and the first to fifth open / close control valves. A control means for controlling each opening and closing operation is further provided, wherein the substrate conveyed to the processing chamber is a substrate after the peeling treatment, to which a peeling liquid containing an amine adheres on the upper surface. The rinse liquid is a rinse liquid in which carbon dioxide is dissolved in pure water, and the control means opens the first opening / closing control valve and the second opening / closing control valve initially at the time when the substrate is brought into the processing chamber. Thereafter, the substrate is included in the rinse liquid based on the first operation of opening the second opening / closing control valve, the third opening / closing control valve, and the measurement signal from the measurement means until the substrate is removed from the processing chamber. The fourth open / close control valve is opened simultaneously with the fourth open / close control valve until the measured amine becomes less than a predetermined amount and the measured indication value satisfies the preset condition, and the measured indication value is the preset condition. After the satisfactory condition is satisfied, the fifth on-off control valve is opened and the fourth on-off control valve is closed until the substrate is removed from the processing chamber. Is to control the second operation, respectively.
청구항 6에 관한 발명은, 청구항 5 기재의 기판 처리장치에 있어서, 상기 지시치가 pH값이며, 상기 제2 동작은, 계측된 pH값이 소정 값 이하로 될때까지는 상기 배액용 배관에 끼워 삽입된 개폐 제어밸브를 개방함과 동시에 상기 회수용 배관에 끼워 삽입된 개폐 제어밸브를 폐쇄하고, 계측된 pH값이 소정 값 이하로 된 후 기판이 상기 처리챔버 내에서 반출될 때까지는 상기 회수용 배관에 끼워 삽입된 개폐 제어밸브를 개방함과 동시에 상기 배액용 배관에 끼워 삽입된 개폐 제어밸브를 폐쇄하는 것을 특징으로 한다.According to a sixth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of claim 5, the indication value is a pH value, and the second operation is opening and closing inserted into the drainage pipe until the measured pH value is lower than or equal to a predetermined value. The control valve is opened and the opening / closing control valve inserted into the collecting pipe is closed. The measured pH value is lower than or equal to a predetermined value. The control valve is inserted into the collecting pipe until the substrate is taken out of the processing chamber. And opening and closing the inserted control valve and closing the control valve inserted into the drainage pipe.
청구항 1 내지 청구항 3에 관한 발명의 기판 처리방법에 의하면, 또한 청구항 4 내지 청구항 6에 관한 발명의 기판 처리장치를 사용하면, 기판이 처리챔버 내에 반입된 당초에는, 입구노즐과 상기 스프레이 노즐만으로 린스액이 기판에 공급되며, 그 이후, 기판이 처리챔버 내에서 반출될 때까지는, 상부 스프레이 노즐과 하부 스프레이 노즐만으로 린스액이 기판에 공급되므로, 상시, 입구노즐과 상부 스프레이 노즐과 하부 스프레이 노즐로부터 린스액이 기판으로 공급되는 경우에 비해, 린스액의 사용량이 적게 된다.According to the substrate processing method of the invention of Claims 1 to 3, when the substrate processing apparatus of the invention of Claims 4 to 6 is further used, the substrate is first rinsed with only the inlet nozzle and the spray nozzle at the beginning The liquid is supplied to the substrate, and thereafter, the rinse liquid is supplied to the substrate only by the upper spray nozzle and the lower spray nozzle until the substrate is removed from the processing chamber. Therefore, from the inlet nozzle, the upper spray nozzle and the lower spray nozzle, Compared with the case where the rinse liquid is supplied to the substrate, the amount of the rinse liquid used is reduced.
청구항 1에 관한 발명의 기판 처리방법에서는, 또한 청구항 4에 관한 발명의 기판 처리장치에서는, 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액이 기판이 처리챔버 내에 반입된 후 소정 시간이 경과한 이후, 기판이 처리챔버 내에서 반출될 때까지는 회수조로 회수하여 재사용되므로, 린스액인 순수의 사용량이 더욱 저감되며, 또한 이산화탄소의 소비량이 적게 된다. 한편, 기판이 처리챔버 내에 반입된 후 소정 시간이 경과할 때까지는, 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액은 폐기된다. 또한, 기판이 처리챔버 내에 반입된 후 소정 시간이 경과한 시점에서는, 기판의 상면에 부착하고 있던 박리액의 대부분은 린스액에 의해 씻겨 내려가므로, 기판이 처리챔버 내에 반입된 후 소정 시간이 경과한 이후에 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액에는 아민이 거의 포함되어 있지 않다. 이 때문에, 그 사용이 끝난 린스액을 회수조로 회수하여 재사용하도록 해도, 회수조 내의 린스액 중에 아민(부식성분)이 잔존할 가능성은 적다. 따라서, 다음에 린스 처리되는 기판에서 문제를 일으키는 일은 없다.In the substrate processing method of the present invention according to claim 1, further, in the substrate processing apparatus of the present invention, the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber has passed a predetermined time after the substrate is loaded into the processing chamber. Thereafter, since the substrate is recovered and reused in the recovery chamber until it is taken out in the processing chamber, the amount of pure water that is a rinse liquid is further reduced, and the consumption of carbon dioxide is also reduced. On the other hand, the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber is discarded until a predetermined time elapses after the substrate is loaded into the processing chamber. In addition, when a predetermined time elapses after the substrate is loaded into the processing chamber, most of the peeling liquid adhering to the upper surface of the substrate is washed off with a rinse liquid, so that a predetermined time has elapsed after the substrate has been loaded into the processing chamber. After use, the used rinse liquid discharged from the bottom of the treatment chamber contains almost no amine. For this reason, even if the used rinse liquid is recovered and reused in a recovery tank, there is little possibility that an amine (corrosive component) remains in the rinse liquid in the recovery tank. Therefore, there is no problem in the next rinsed substrate.
청구항 2에 관한 발명의 기판 처리방법에서는, 또한 청구항 5에 관한 발명의 기판 처리장치에서는, 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액 중에 포함되는 아민의 양을 나타내는 지시치가 계속적으로 계측되며, 린스액 중에 포함되는 아민이 소정량 이하로 되어 계측된 지시치가 소정 값 이하 혹은 소정 값 이상으로 되면, 즉 기판상에서 아민을 포함하는 박리액이 거의 제거되면, 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액은, 회수조로 회수하여 재사용되므로, 린스액인 순수의 사용량이 더욱 저감되며, 또한 이산화탄소의 소비량이 적게 된다. 한편, 린스액 중에 포함되는 아민이 소정량 이하로 되어 계측된 지시치가 소정 값 이하 혹은 소정 값 이상이 될때까지는 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액은 폐기된다. 또한, 린스액 중에 포함되는 아민이 소정량 이하로 되어 계측된 지시치가 소정 값 이하 혹은 소정 값 이상으로 된 이후에 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액에는 아민이 거의 포함되어 있지 않으므로, 그 사용이 끝난 린스액을 회수조로 회수하여 재사용하도록 해도, 회수조 내의 린스액 중에 아민(부식성분)이 잔존할 가능성은 적다. 따라서, 다음에 린스 처리되는 기판에서 문제를 일으키는 일은 없다.In the substrate processing method of the invention according to claim 2, further, in the substrate processing apparatus of the invention according to claim 5, an indication indicating the amount of the amine contained in the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber is continuously measured. When the amine contained in the rinse liquid becomes less than or equal to the predetermined amount and the measured value becomes equal to or less than the predetermined value or more than the predetermined value, that is, when the stripping solution containing the amine is almost removed on the substrate, the use discharged from the bottom of the processing chamber Since the finished rinse liquid is recovered and reused in a recovery tank, the amount of pure water used as the rinse liquid is further reduced, and the consumption amount of carbon dioxide is reduced. On the other hand, the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber is discarded until the amine contained in the rinse liquid is equal to or less than the predetermined amount and the measured value becomes equal to or less than the predetermined value or more than the predetermined value. In addition, since the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber after the amine contained in the rinse liquid became a predetermined amount or less and the measured value became a predetermined value or less or a predetermined value or less contained almost no amine. Even if the used rinse liquid is recovered and reused in a recovery tank, there is little possibility that an amine (corrosive component) remains in the rinse liquid in the recovery tank. Therefore, there is no problem in the next rinsed substrate.
청구항 3에 관한 발명의 기판 처리방법에서는, 또한 청구항 6에 관한 발명의 기판 처리장치에서는, 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액의 pH값이 계속적으로 계측되며, 계측된 pH값이 소정 값 이하로 되면, 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액을 회수조로 회수하여 재사용된다. 한편, 계측된 pH값이 소정 값 이하로 될 때까지는 처리챔버의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액은 폐기된다.In the substrate processing method of the invention according to claim 3, in the substrate processing apparatus of the invention according to claim 6, the pH value of the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber is continuously measured, and the measured pH value is If it is less than the predetermined value, the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber is recovered by the recovery tank and reused. On the other hand, the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber is discarded until the measured pH value becomes less than or equal to the predetermined value.
이하, 본 발명의 바람직한 실시형태에 관해서 도 1 및 도 2를 참조하면서 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, preferred embodiment of this invention is described, referring FIGS. 1 and 2. FIG.
도 1은 본 발명의 실시형태의 일예를 나타내며, 기판 처리장치의 개략 구성을 나타내는 모식적 정면 단면도이다. 이 도면에 있어서는, 수세처리부만을 나타내고 있다. 수세처리부(10)의 전단(前段)측에는 수세처리부(10)와 인접하여 박리처리부가 설치되어 있지만, 박리처리부에 관해서는 상술했으므로, 여기서는 그 설명은 생략한다.BRIEF DESCRIPTION OF THE DRAWINGS It is a typical front sectional drawing which shows an example of embodiment of this invention, and shows schematic structure of a substrate processing apparatus. In this figure, only the washing | cleaning process part is shown. Although the peeling treatment part is provided adjacent to the washing | cleaning process part 10 in the front end side of the washing | cleaning process part 10, since the peeling process part was mentioned above, the description is abbreviate | omitted here.
수세처리부(10)는 입구측 개구(14) 및 출구측 개구(16)를 가지는 처리챔버(12)를 구비하고, 처리챔버(12)의 내부에는, 기판(W)을 수평자세 혹은 약간 경사진 자세로 지지하여 수평방향으로 반송하는 롤러 컨베이어(18)가 배열 설치되어 있다. 이 수세처리부(10)에는 박리처리부에서 표면에 박리액(1)이 부착한 상태의 기판(W)이 반송되어 온다. 처리챔버(12)의 입구측 개구(14) 부근에는 기판(W)의 상면에 커튼모양으로 린스액을 토출하는 입구노즐(20)이 배열 설치되어 있다. 또한, 기판 반송로를 사이에 두고 그 상방 및 하방에는 각각 기판 반송로를 따라 상부 스프레이 노즐(22) 및 하부 스프레이 노즐(24)이 연설되어 있다. 이들의 구성은 상술한 종래의 장치와 동일하다.The water washing processing unit 10 includes a processing chamber 12 having an inlet opening 14 and an outlet opening 16, and inside the processing chamber 12, the substrate W is inclined horizontally or slightly inclined. The roller conveyors 18 which support in a posture and convey in a horizontal direction are arrange | positioned. The board | substrate W of the state in which the peeling liquid 1 adhered to the surface by this peeling process part 10 is conveyed to this water washing process part 10. In the vicinity of the inlet side opening 14 of the processing chamber 12, an inlet nozzle 20 for discharging the rinse liquid in the form of a curtain is arranged on the upper surface of the substrate W. Moreover, the upper spray nozzle 22 and the lower spray nozzle 24 advertise along the board | substrate conveyance path above and below the board | substrate conveyance path, respectively. These structures are the same as the conventional apparatus mentioned above.
입구노즐(20), 상부 스프레이 노즐(22) 및 하부 스프레이 노즐(24)에는 린스액 공급배관(26, 28, 30)이 각각 연결되어 접속되어 있으며, 각 린스액 공급배관(26, 28, 30)에는 개폐 제어밸브(V1, V2, V3)가 각각 끼워 삽입되어 있다. 각 린스액 공급배관(26, 28, 30)은 각각 배관(32a)에 연결되어 접속되며, 32a는 펌프(34)의 토출구 측에 유로 접속되어 있다. 펌프(34)의 흡입구 측은 배관(32b)을 통해서 순수(2)가 저장된 저수조(36)의 바닥부에 유로 접속되어 있다. 그리고, 배관(32a)의 도중에는 가스 용해모듈(38)이 끼워 삽입되어 있으며, 가스 용해모듈(38)에, 가스 봄베 등의 탄산가스 공급원에 접속된 가스 공급관(40)이 접속되어 있어, 배관(32a)을 통해서 린스액 공급배관(26, 28, 30)에 공급되는 순수중에 이산화탄소를 용해시키도록 되어 있다. 또한, 순수중에 이산화탄소를 용해시키는 수단은 배관(32a)의 도중에 가스 용해모듈(38)을 끼워 삽입하는 구성에 한정하지 않고, 어떠한 것이라도 되며, 예를 들어 탱크 내에 저장된 순수중에서 이산화탄소를 버블링하여, 이산화탄소를 용해한 순수를 제조하도록 해도 된다.Rinse liquid supply pipes 26, 28, and 30 are connected to the inlet nozzle 20, the upper spray nozzle 22, and the lower spray nozzle 24, respectively. ), On and off control valves (V 1 , V 2 , V 3 ) are inserted. Each of the rinse liquid supply pipes 26, 28, 30 is connected to the pipe 32a, respectively, and 32a is connected to the discharge port side of the pump 34. The suction port side of the pump 34 is connected to the bottom of the reservoir 36 in which the pure water 2 is stored via the pipe 32b. In the middle of the pipe 32a, a gas dissolution module 38 is inserted and inserted into the gas dissolution module 38, and a gas supply pipe 40 connected to a carbon dioxide gas supply source such as a gas cylinder is connected. The carbon dioxide is dissolved in the pure water supplied to the rinse liquid supply pipes 26, 28, and 30 through 32a). In addition, the means for dissolving carbon dioxide in pure water is not limited to the configuration of inserting the gas dissolving module 38 in the middle of the pipe 32a, and may be any one, for example, by bubbling carbon dioxide in pure water stored in a tank. You may make it pure water which melt | dissolved carbon dioxide.
처리챔버(12)의 바닥부에는 액유출관(42)이 연결되어 접속되어 있으며, 액유출관(42)은 회수용 배관(44)과 배액용 배관(46)으로 분기하고 있다. 회수용 배관(44)의 선단 유출구는 저수조(36) 내에 도입되어 있다. 또한, 배액용 배관(46)을 통해서 사용이 끝난 린스액이 폐기되도록 되어 있다. 회수용 배관(44) 및 배액용 배관(46)에는 개폐 제어밸브(V4, V5)가 각각 끼워 삽입되어 있다. 또, 액유출관(42)에는 그 내부를 흐르는 사용이 끝난 린스액의 pH값을 계속적으로 계측하는 pH계(48)가 끼워 삽입되어 있다. pH계(48)에서의 계측신호는 컨트롤러(50)에입력되도록 되어 있다. 또, 컨트롤러(50)에서는 개폐 제어밸브(V1~V5)에 제어신호를 보내, 그 제어신호에 의해 각 개폐 제어밸브(V1~V5)의 개폐동작이 제어되도록 되어 있다.The liquid outflow pipe 42 is connected and connected to the bottom part of the processing chamber 12, and the liquid outflow pipe 42 branches into the collection pipe 44 and the drain pipe 46. The tip outlet of the recovery pipe 44 is introduced into the reservoir 36. In addition, the used rinse liquid is discarded through the drainage pipe 46. Opening / closing control valves V 4 and V 5 are respectively inserted into the collecting pipe 44 and the drain pipe 46. Moreover, the pH meter 48 which continuously measures the pH value of the used rinse liquid flowing in the inside is inserted in the liquid outflow pipe 42. The measurement signal from the pH meter 48 is input to the controller 50. Further, the controller 50, the control is such that the opening and closing operation of the opening control valve (V 1 ~ V 5) to send a control signal, each opening and closing control valve (V 1 ~ V 5) by the control signal.
또한, 저수조(48) 내로 선단 유출구가 도입된 순수 공급용 배관(52)이 설치되어 있으며, 순수 공급원에서 순수 공급용 배관(52)을 통해서 순수가 저수조(48) 내로 적절하게 공급되도록 되어 있다. 또, 도 3에 관해서 상술한 바와 같이, 수세처리부(10)의 하류측에 복수의 수세처리부가 연설되어 있는 경우에는, 최하류측에 위치하는 수세처리부에서 순차, 상류측에 위치하는 각 수세처리부의 저수조 내로 보내져온 사용이 끝난 순수를 수세처리부(10)의 저수조(48) 내로 공급하는 구성으로 할 수 있다.In addition, a pure water supply pipe 52 in which a tip outlet is introduced into the reservoir 48 is provided, and the pure water is properly supplied into the reservoir 48 through the pure water supply pipe 52 from the pure water supply source. As described above with respect to FIG. 3, when a plurality of water washing processing units are delivered downstream of the water washing processing unit 10, each of the water washing processing units located sequentially and upstream in the water washing processing unit located at the most downstream side. It can be set as the structure which supplies the used pure water sent into the water storage tank of the inside into the water storage tank 48 of the water washing process part 10.
다음에, 도 1에 나타낸 구성의 수세처리부(10)에서의 처리동작의 일예에 대해서, 도 1에 나타내는 타임차트를 참조하면서 설명한다. 또, 이 처리동작에서는 액유출관(42)에 pH계(48)를 부설하여 두지 않아도 된다.Next, an example of the processing operation in the water washing processing unit 10 having the configuration shown in FIG. 1 will be described with reference to the time chart shown in FIG. 1. In this processing operation, the pH meter 48 may not be provided in the liquid outlet pipe 42.
박리처리부에서 수세처리부(10)로, 표면에 박리액(1)이 부착한 상태의 기판(W)이 반송되며, 수세처리부(10)의 처리챔버(12) 내에 입구측 개구(14)를 통해서 기판(W)이 반입된다. 이때, 개폐 제어밸브(V1, V2, V5)는 개방되어 있고, 개폐 제어밸브(V3, V4)는 폐쇄되어 있다. 따라서, 입구노즐(20)과 상부 스프레이 노즐(22)만으로 각각 린스액이 토출되며, 하부 스프레이 노즐(24)에서는 린스액이 토출되지 않는다. 그리고, 처리챔버(12) 내로 반입된 기판(W)은 입구노즐(20)에서 커튼모양으로 토출되는 린스액에 의해, 표면에 부착한 박리액(1)의 대부분이 씻겨 내려간다. 또한, 상부 스프레이 노즐(22)에서 기판(W)의 상면에 토출되는 린스액에 의해, 기판(W)의 표면상에 남은 박리액(1)이 씻겨 내려간다. 이때, 기판(W)상에서 아민을 포함하는 박리액과 린스액(순수)이 혼합된 용액이 생성되지만, 린스액 중에는 이산화탄소가 용해되어 있으므로, 아민에 의한 알카리성이 중화되어 용액이 강알카리성으로 되는 것이 방지된다.The substrate W in the state in which the peeling liquid 1 adheres to the surface is conveyed from the peeling treatment section to the washing treatment section 10, and through the inlet opening 14 in the processing chamber 12 of the washing section 10. The substrate W is carried in. At this time, the open / close control valves V 1 , V 2 , V 5 are open, and the open / close control valves V 3 , V 4 are closed. Accordingly, the rinse liquid is discharged only by the inlet nozzle 20 and the upper spray nozzle 22, and the rinse liquid is not discharged from the lower spray nozzle 24. And the board | substrate W carried into the process chamber 12 wash | cleans most of the peeling liquid 1 adhering to the surface by the rinse liquid discharged in the curtain shape from the inlet nozzle 20. As shown in FIG. Moreover, the peeling liquid 1 remaining on the surface of the board | substrate W is wash | cleaned by the rinse liquid discharged to the upper surface of the board | substrate W from the upper spray nozzle 22. As shown in FIG. At this time, a solution in which a stripping solution containing an amine and a rinse liquid (pure water) is mixed on the substrate W is produced. However, since carbon dioxide is dissolved in the rinse liquid, the alkalinity caused by the amine is neutralized, and the solution becomes strongly alkaline. Is prevented.
롤러 컨베이어(18)에 의해 기판(W)이 더 반송되어, 기판(W)이 입구노즐(20)의 바로 아래 위치를 완전히 통과하면, 개폐 제어밸브(V2, V5)를 개방한 채, 또 개폐 제어밸브(V4)를 폐쇄한 채, 개폐 제어밸브(V1)가 폐쇄되고, 한편, 개폐 제어밸브(V3)가 개방된다. 따라서, 상부 스프레이 노즐(22)과 하부 스프레이 노즐(24)만으로 각각 린스액이 토출되며, 입구노즐(20)에서의 린스액의 토출은 정지된다. 그리고, 롤러 컨베이어(18)에 의해 처리챔버(12) 내를 반송되는 기판(W)은, 상부 스프레이 노즐(22)에서 토출되는 린스액에 의해, 기판(W)의 표면상에 잔존하고 있는 박리액(1)이 거의 씻겨 내려간다. 또한, 하부 스프레이 노즐(24)에서 기판의 하면으로 토출되는 린스액에 의해, 기판(W)의 하면측으로 돌아들어간 박리액(1)이 씻겨 내려간다. 또 개폐 제어밸브(V1)를 폐쇄하면 동시에 개폐 제어밸브(V3)를 반드시 개방할 필요는 없으며, 개폐 제어밸브(V3)를 먼저 개방하고, 그 후에 개폐 제어밸브(V1)를 폐쇄하도록 해도 된다.Is conveyed further a substrate (W) by a roller conveyor 18, a substrate (W) is when completely passed the position immediately below the inlet nozzle 20, the opening control valve (V 2, V 5) while being opened, also while closing the opening and closing control valve (V 4), the opening control valve (V 1) is closed, while the opening and closing control valve (V 3) is opened. Therefore, the rinse liquid is discharged only by the upper spray nozzle 22 and the lower spray nozzle 24, respectively, and the discharge of the rinse liquid from the inlet nozzle 20 is stopped. And the board | substrate W conveyed in the process chamber 12 by the roller conveyor 18 peels which remain | survives on the surface of the board | substrate W by the rinse liquid discharged from the upper spray nozzle 22. The liquid 1 is almost washed off. Moreover, the peeling liquid 1 which returned to the lower surface side of the board | substrate W is wash | cleaned by the rinse liquid discharged from the lower spray nozzle 24 to the lower surface of a board | substrate. In addition, when the on-off control valve V 1 is closed, it is not necessary to open the on-off control valve V 3 at the same time, the on-off control valve V 3 is opened first, and then the on-off control valve V 1 is closed. You may do so.
기판(W)이 처리챔버(12) 내로 반입된 후, 이 시점까지는 개폐 제어밸브(V3)가 개방되어 있으므로, 입구노즐(20), 상부 스프레이 노즐(22) 및 하부 스프레이 노즐(24)에서 기판(W)에 각각 토출되며 기판(W) 위에서 처리챔버(12)의 바닥부로 떨어진 사용이 끝난 린스액은, 처리챔버(12)의 바닥부에서 액유출관(42) 내로 유출하고, 액유출관(42)에서 배액용 배관(46)을 통해 폐기된다. 그리고, 상부 스프레이 노즐(22) 및 하부 스프레이 노즐(24)에서 기판(W)의 상·하 양면에 각각 토출되는 린스액에 의해, 기판(W) 위에서 박리액(1)이 거의 씻겨 내려간 시점에서, 개폐 제어밸브(V2, V3)를 개방한 채, 또 개폐 제어밸브(V1)를 폐쇄한 채, 개폐 제어밸브(V5)가 폐쇄되고, 한편, 개폐 제어밸브(V4)가 개방된다. 이것에 의해, 사용이 끝난 린스액은 처리챔버(12)의 바닥부에서 액유출관(42) 및 회수용 배관(44)을 통해서 저수조(36) 내로 유입하고, 저수조(36) 내의 순수(2)와 혼합된다. 이 시점에서는 기판(W)의 상면에 부착하고 있던 박리액(1)의 대부분이 린스액에 의해 씻겨 내려가 배액용 배관(46)을 통해서 폐기되고 있으므로, 사용이 끝난 린스액에는 아민이 거의 포함되어 있지 않다. 이 때문에, 사용이 끝난 린스액을 저수조(36)로 되돌려도, 저수조(36) 내의 린스액(순수(2)) 중에 아민이 혼입할 가능성은 적다. 따라서 다음에 린스 처리되는 기판에서 문제를 일으키는 일은 없다.Since the opening / closing control valve V 3 is opened up to this point after the substrate W is brought into the processing chamber 12, the inlet nozzle 20, the upper spray nozzle 22 and the lower spray nozzle 24 The used rinse liquid discharged to the substrate W and dropped to the bottom of the processing chamber 12 on the substrate W flows into the liquid discharge pipe 42 at the bottom of the processing chamber 12, and the liquid flows out. The pipe 42 is disposed of through the drainage pipe 46. The rinse liquid discharged from the upper spray nozzle 22 and the lower spray nozzle 24 to the upper and lower surfaces of the substrate W, respectively, is a time when the peeling liquid 1 is almost washed off from the substrate W. , The open / close control valve V 5 is closed while the open / close control valves V 2 and V 3 are opened and the open / close control valve V 1 is closed, while the open / close control valve V 4 is closed. Open. As a result, the used rinse liquid flows into the reservoir 36 through the liquid outlet pipe 42 and the recovery pipe 44 at the bottom of the treatment chamber 12, and the pure water 2 in the reservoir 36 is discharged. Mixed with). At this point, most of the stripping liquid 1 adhering to the upper surface of the substrate W is washed off by the rinse liquid and discarded through the drainage pipe 46. Thus, the used rinse liquid contains almost amine. Not. For this reason, even if the used rinse liquid is returned to the water storage tank 36, there is little possibility that an amine will mix in the rinse liquid (pure water 2) in the water storage tank 36. Therefore, there is no problem in the next rinsed substrate.
상부 스프레이 노즐(22)과 하부 스프레이 노즐(24)과의 사이를 통과하는 동안에, 상부 스프레이 노즐(22) 및 하부 스프레이 노즐(24)에서 각각 토출되는 린스액에 의해 세정되어 표면에 부착한 박리액(1)이 씻겨 떨어진 기판(W)은수세처리부(10)의 처리챔버(12) 내에서 출구측 개구(16)를 통해서 반출되며, 인접하는 수세처리부 등으로 반송된다. 처리챔버(12) 내에서 기판(W)이 반출되면, 개폐 제어밸브(V2)는 그대로 개방된 상태를 계속하고, 개폐 제어밸브(V3, V4)가 폐쇄되고, 한편, 개폐 제어밸브(V1, V5)가 개방되어 최초의 상태로 되돌아간다. 그리고, 다음에 린스 처리해야 할 박리 처리 후의 기판(W)이 수세처리부(10)로 반송되어, 상기한 처리동작이 반복된다.While passing between the upper spray nozzle 22 and the lower spray nozzle 24, the peeling liquid washed by the rinse liquid discharged from the upper spray nozzle 22 and the lower spray nozzle 24 and adhered to the surface, respectively. The board | substrate W wash | cleaned by (1) is carried out through the exit side opening 16 in the process chamber 12 of the water washing process part 10, and is conveyed to the adjacent water washing process part etc. When the substrate W is carried out in the processing chamber 12, the open / close control valve V 2 continues to be opened as it is, and the open / close control valves V 3 and V 4 are closed, while the open / close control valve is closed. (V 1 , V 5 ) is opened and returned to the original state. And the board | substrate W after the peeling process which should be rinsed next is conveyed to the water washing process part 10, and the said process operation | movement is repeated.
상기한 처리동작에서는, 기판(W)이 처리챔버(12) 내에 반입된 후 소정 시간이 경과하여, 기판(W) 위에서 박리액(1)이 거의 씻겨 내려갔다고 생각되는 시점에서, 개폐 제어밸브(V4, V5)의 개폐동작을 전환하는 것에 의해, 그 시점까지는 배액용 배관(46)을 통해서 폐기되었던 사용이 끝난 린스액을 회수용 배관(44)을 통해서 저수조(36) 내로 회수하도록 하고 있지만, 처리챔버(12)의 바닥부에서 유출하는 사용이 끝난 린스액의 pH값의 변화에 의해 개폐 제어밸브(V4, V5)의 개폐동작을 전환하도록 해도 된다. 즉, 린스 처리가 진행함에 따라 기판(W) 위의 박리액(1)이 씻겨 내려가 아민의 양도 감소하고, 기판(W) 위에서 박리액(1)이 거의 제거된 시점에서는, 사용이 끝난 린스액의 pH값이 산성측으로 기울어지게 된다. 그래서, 액유출관(42)에 끼워 삽입된 pH계(48)에 의해, 그 내부를 흐르는 사용이 끝난 린스액의 pH값을 계속적으로 계측하여, 그 계측신호를 컨트롤러(50)로 보내고, 사용이 끝난 린스액의 pH값이 산성측으로 기운 시점에서, 컨트롤러(50)에서 개폐 제어밸브(V4, V5)로 제어신호를 보내 개폐 제어밸브(V4)를 개방함과 동시에 개폐 제어밸브(V5)를 폐쇄하도록 한다. 이것에 의해, 그 시점까지 배액용 배관(46)을 통해서 폐기된 사용이 끝난 린스액이, 회수용 배관(44)을 통해서 저수조(36) 내로 회수되도록 한다.In the above-described processing operation, the opening / closing control valve (at the time when the predetermined time has elapsed after the substrate W is loaded into the processing chamber 12 is considered to have been almost washed off from the substrate W). By switching the opening and closing operations of V 4 and V 5 , the used rinse liquid that has been disposed of through the drainage pipe 46 up to that point is recovered into the reservoir 36 through the recovery pipe 44. However, the opening / closing operation of the opening / closing control valves V 4 and V 5 may be switched by changing the pH value of the used rinse liquid flowing out from the bottom of the processing chamber 12. That is, as the rinse treatment proceeds, the peeling liquid 1 on the substrate W is washed away, and the amount of the amine is also reduced, and when the peeling liquid 1 is almost removed on the substrate W, the used rinse liquid is used. The pH value of is inclined toward the acidic side. Thus, the pH meter 48 inserted into the liquid outlet pipe 42 continuously measures the pH value of the used rinse liquid flowing through the inside thereof, and sends the measurement signal to the controller 50 for use. When the pH value of the finished rinse liquid is inclined toward the acidic side, the controller 50 sends a control signal to the open / close control valves V 4 and V 5 to open the open / close control valve V 4 and simultaneously open / close the control valve ( V 5 ) to close. As a result, the used rinse liquid discarded through the drainage pipe 46 up to that point is recovered into the reservoir 36 through the recovery pipe 44.
또한, 상기한 실시형태에서는, 처리챔버(12)의 바닥부에서 배출되는 사용이 끝난 린스액의 pH값을 계측하는 pH계(48)를 액유출관(42)에 끼워 삽입하도록 했지만, pH계 이외에서도 사용이 끝난 린스액 중에 포함되는 아민의 양의 감소를 검출할 수 있는 측정기라면 사용이 가능하며, 예를 들면 사용이 끝난 린스액의 전기 전도도나 비저항을 측정하는 측정기를 설치하도록 해도 된다. 그리고, 이들 측정기를 이용하여, 사용이 끝난 린스액 중의 아민의 양이 소정 값 이하로 될 때까지는 사용이 끝난 린스액을 폐기하고, 아민의 양이 소정 값 이하로 된 후, 기판이 처리챔버 내에서 반출될 때까지는 사용이 끝난 린스액을 저수조(회수조)로 회수하여 재사용하도록 한다.In addition, in the above-described embodiment, the pH meter 48 for measuring the pH value of the used rinse liquid discharged from the bottom of the processing chamber 12 is inserted into the liquid outlet pipe 42. However, the pH meter In addition, any measuring device capable of detecting a decrease in the amount of amine contained in the used rinse liquid may be used. For example, a measuring device for measuring the electrical conductivity or specific resistance of the used rinse liquid may be provided. Using these measuring instruments, the used rinse liquid is discarded until the amount of the amine in the used rinse liquid becomes a predetermined value or less, and after the amount of the amine becomes a predetermined value or less, the substrate is placed in the processing chamber. Until rinsed out, the used rinse is collected and reused in the reservoir (recovery tank).
또한, 상기한 실시형태에서는, 박리 처리 후의 린스 처리에서 본 발명을 적용한 예를 나타냈지만, 본 발명은 에칭처리 후와 현상처리 후 등에 행해지는 린스 처리에 대해서도 적용하는 것이 가능하다. 또 에칭처리 후와 현상처리 후의 린스 처리에 있어서 본 발명을 적용하는 경우에는 박리액 중의 아민에 의해 사용이 끝난 린스액이 알카리성으로 되어 금속막을 부식·용해한다는 문제는 생기지 않으므로, 항상 개폐 제어밸브(V4, V5)의 한쪽을 전부 개방하고 다른쪽을 전부 폐쇄한다는 제어를 반드시 행할 필요성은 없다.In addition, in the above-mentioned embodiment, although the example which applied this invention to the rinse process after a peeling process was shown, this invention can also be applied also to the rinse process performed after an etching process, a development process, etc. When the present invention is applied in the rinsing treatment after the etching treatment and the developing treatment, the used rinse liquid becomes alkaline due to the amine in the stripping liquid, and thus there is no problem of corrosion and dissolution of the metal film. It is not necessary to control to open one side of V 4 , V 5 ) and the other side completely.
청구항 1 내지 청구항 3에 관한 각 발명의 기판 처리방법에서는, 또한 청구항 4 내지 청구항 6에 관한 각 발명의 기판 처리장치에서는, 린스액인 순수의 사용량을 더욱 저감할 수 있으며, 또한 이산화탄소의 소비량을 적게 할 수 있다. 그리고, 사용이 끝난 린스액을 회수하여 재사용하도록 해도, 다음에 린스 처리되는 기판에서 문제를 일으키는 일은 없다.In the substrate processing method of each invention of Claims 1-3, Furthermore, in the substrate processing apparatus of each invention of Claims 4-6, the usage-amount of the pure water which is a rinse liquid can further be reduced, and the consumption amount of carbon dioxide is reduced, too. can do. In addition, even if the used rinse liquid is recovered and reused, there is no problem in the next rinsed substrate.
Claims (6)
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