JP2002141269A - Substrate-processing system and method - Google Patents
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Landscapes
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- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
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- Weting (AREA)
Abstract
Description
【０００１】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示パネルや
プラズマ表示パネルなどの製造に用いるガラス基板、半
導体ウエハ、半導体製造装置用のマスク基板などの基板
の表面に、素子形成などのための処理を施す基板処理装
置および基板処理方法に関する。BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a process for forming elements on a surface of a substrate such as a glass substrate used for manufacturing a liquid crystal display panel or a plasma display panel, a semiconductor wafer, or a mask substrate for a semiconductor manufacturing apparatus. And a substrate processing method.
【０００２】[0002]
【従来の技術】半導体素子や液晶表示パネルを製造する
工程でのフォトリソグラフィのプロセスにおいては、例
えば、処理すべき基板の表面に配線材である銅やアルミ
ニウムなどの金属膜を形成し、その上にフォトレジスト
液を塗布して感光性の被膜を形成し、さらに露光、現
像、エッチング等のプロセス処理を施して、上記金属膜
に所望のパターニングを行なう。そしてしかる後、基板
上に残っているフォトレジストの被膜を除去する。かか
るフォトレジスト被膜の除去は、有機剥離液を用いて剥
離処理を行ったり、例えばオゾン等を用いたいわゆるア
ッシング処理を行った後に有機剥離液でレジスト膜の残
さを除去するといった工程で行われる。そして、これら
の工程で有機剥離液で処理された基板は純水によって洗
浄され、乾燥されて次なる処理を施されることになる。2. Description of the Related Art In a photolithography process in a process of manufacturing a semiconductor element or a liquid crystal display panel, for example, a metal film such as copper or aluminum is formed on a surface of a substrate to be processed, and a metal film such as copper or aluminum is formed thereon. Is coated with a photoresist solution to form a photosensitive film, and is subjected to a process such as exposure, development, and etching to perform desired patterning on the metal film. Thereafter, the photoresist film remaining on the substrate is removed. The removal of the photoresist film is performed in a process of performing a stripping process using an organic stripping solution, or performing a so-called ashing process using, for example, ozone, and then removing a residue of the resist film with the organic stripping solution. Then, the substrate treated with the organic stripping liquid in these steps is washed with pure water, dried and subjected to the next treatment.
【０００３】ところで、これらの工程で用いられる有機
剥離液には、例えばアミン系などのように水と混ざると
強アルカリを呈する性質を有するものがある。このた
め、上記のようなフォトリソグラフィの工程において、
有機剥離液で処理した基板に対して洗浄処理を施すため
にそのまま純水などを供給すると、供給された純水が基
板表面に付着残存しているアミン系などの有機剥離液と
混合されて強アルカリ性の溶液となり、上記のような金
属膜を腐食あるいは溶解させるなどの不都合が発生する
おそれがある。Incidentally, some organic stripping solutions used in these steps, such as amines, have a property of exhibiting a strong alkali when mixed with water. Therefore, in the photolithography process as described above,
When pure water or the like is supplied as it is to perform the cleaning treatment on the substrate treated with the organic stripping liquid, the supplied pure water is mixed with the amine-based organic stripping liquid remaining on the substrate surface and is strongly mixed. It becomes an alkaline solution and may cause inconveniences such as corrosion or dissolution of the metal film as described above.
【０００４】[0004]
【発明が解決しようとする課題】そこで、有機剥離液で
処理した基板に対しては、純水などによる洗浄に先立っ
て、基板表面に残存付着している有機剥離液をイソプロ
ピルアルコール（以下、ＩＰＡと称する）やジメチルス
ルホキシド（ＤＭＳＯ）、Ｎ−メチルピロリドン（ＮＭ
Ｐ）、ブチルジグリコール（ＢＤＧ）など、アミンを含
まない有機溶剤で洗い流し、しかる後に純水などによっ
て洗浄処理することが考えられる。Therefore, prior to cleaning with pure water or the like, the organic stripper remaining on the substrate surface is treated with isopropyl alcohol (hereinafter referred to as IPA) for the substrate treated with the organic stripper. Dimethylsulfoxide (DMSO), N-methylpyrrolidone (NM
It is conceivable to wash away with an organic solvent containing no amine such as P) and butyldiglycol (BDG), and then wash with pure water or the like.
【０００５】しかし、このような方法をとると、ＩＰＡ
などで基板表面に残存付着している有機剥離液を洗い流
しておいてから純水などによる洗浄工程を行なうため、
必要な処理時間が長くなってしまう欠点がある。また、
ＩＰＡを基板表面に残存付着している有機剥離液を洗い
流せるほどに大量に使用するので、ＩＰＡの消費量が多
く、ランニングコストが高くつく欠点がある。さらにま
た、有機剥離液で基板を処理する処理槽と、ＩＰＡで基
板表面に残存付着している有機剥離液を洗い流す処理槽
と、基板表面を純水で洗浄する処理槽とが必要となり、
装置が大型化する欠点がある。However, if such a method is adopted, IPA
In order to carry out the cleaning process with pure water etc. after washing away the organic stripping solution remaining on the substrate surface with
There is a disadvantage that the required processing time becomes longer. Also,
Since IPA is used in such a large amount that the organic stripping solution remaining on the substrate surface can be washed away, there is a disadvantage that the consumption of IPA is large and the running cost is high. Further, a processing tank for treating the substrate with an organic stripping liquid, a processing tank for washing away the organic stripping liquid remaining on the substrate surface with IPA, and a processing tank for washing the substrate surface with pure water are required.
There is a disadvantage that the device becomes large.
【０００６】本発明は、このような事情に鑑みてなされ
たものであって、金属薄膜の腐食や溶解の発生を抑制で
き、処理時間が長くなることがなく、またランニングコ
ストが低く、装置が大型化することがない基板処理装置
および基板処理方法を提供することを目的とする。The present invention has been made in view of such circumstances, and can suppress the occurrence of corrosion and dissolution of a metal thin film, does not require a long processing time, and has a low running cost. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method that do not increase in size.
【０００７】[0007]
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、表面
に金属薄膜が形成された基板に対して、その金属薄膜に
耐エッチング被膜を選択的に形成したのちエッチング処
理し、当該基板をさらに処理する基板処理方法であっ
て、前記エッチング処理後の基板の表面に剥離液を供給
して前記耐エッチング被膜を除去する工程と、当該工程
に引き続いて、前記基板の表面に二酸化炭素を含む純水
を供給して洗浄する工程とを備えたことを特徴とする基
板処理方法である。According to a first aspect of the present invention, a substrate having a metal thin film formed on its surface is selectively etched with an etching resistant film on the metal thin film, and then subjected to an etching process. A substrate processing method for further processing, wherein a step of supplying a stripping solution to the surface of the substrate after the etching treatment to remove the etching-resistant coating, and subsequent to the step, including carbon dioxide on the surface of the substrate Cleaning the substrate by supplying pure water.
【０００８】請求項２の発明は、基板の表面に金属薄膜
を形成する工程と、前記金属薄膜の上に感光性被膜を形
成する工程と、前記感光性被膜を固化する工程と、前記
感光性被膜にパターンを露光する工程と、前記露光した
前記感光性被膜を現像する工程と、前記現像後の前記感
光性被膜のパターンに従い前記金属薄膜をエッチングす
る工程と、前記エッチング後の基板に対して剥離液を供
給して付着している前記感光性被膜を除去する工程と、
前記剥離後の基板に対して二酸化炭素を含む純水を供給
して洗浄する工程とを備えたことを特徴とする基板処理
方法である。[0008] The invention of claim 2 includes a step of forming a metal thin film on the surface of the substrate, a step of forming a photosensitive film on the metal thin film, a step of solidifying the photosensitive film, and a step of solidifying the photosensitive film. A step of exposing a pattern to the film, a step of developing the exposed photosensitive film, a step of etching the metal thin film according to the pattern of the developed photosensitive film, and a step of etching the substrate. A step of removing the attached photosensitive film by supplying a stripping solution,
Supplying pure water containing carbon dioxide to the substrate after the peeling to clean the substrate.
【０００９】請求項３の発明は、請求項１または２にお
いて、前記金属薄膜が、銀、銅、アルミニウム、モリブ
デン、チタンの少なくともいずれかを含んだものである
ことを特徴とする。A third aspect of the present invention is characterized in that, in the first or second aspect, the metal thin film contains at least one of silver, copper, aluminum, molybdenum, and titanium.
【００１０】請求項４の発明は、請求項１乃至３のいず
れかにおいて、前記剥離液が、少なくともアミンを含ん
だものであることを特徴とする。A fourth aspect of the present invention is characterized in that, in any one of the first to third aspects, the stripping solution contains at least an amine.
【００１１】請求項５の発明は、請求項１乃至３のいず
れかにおいて、前記剥離液が、少なくともアミンを含ん
だ有機物であることを特徴とする。A fifth aspect of the present invention is characterized in that, in any one of the first to third aspects, the stripping solution is an organic substance containing at least an amine.
【００１２】請求項６の発明は、請求項１において、前
記耐エッチング被膜がフォトレジスト膜であることを特
徴とする。A sixth aspect of the present invention is characterized in that, in the first aspect, the etching resistant film is a photoresist film.
【００１３】請求項７記の発明は、請求項２において、
前記感光性被膜がフォトレジスト膜であることを特徴と
する。[0013] The invention according to claim 7 is based on claim 2,
The photosensitive film is a photoresist film.
【００１４】請求項８の発明は、請求項１乃至７のいず
れかにおいて、前記二酸化炭素を含む純水は、二酸化炭
素を溶解した純水であることを特徴とする。According to an eighth aspect of the present invention, in any one of the first to seventh aspects, the pure water containing carbon dioxide is pure water in which carbon dioxide is dissolved.
【００１５】請求項９の発明は、基板を支持する支持機
構と、前記支持機構に支持された基板に対して剥離液を
供給する剥離液供給機構と、前記剥離液供給機構によっ
て剥離液が供給された基板に対して、二酸化炭素を含む
水を供給する水供給機構とを備えたことを特徴とする基
板処理装置である。According to a ninth aspect of the present invention, there is provided a support mechanism for supporting a substrate, a stripper supply mechanism for supplying a stripper to the substrate supported by the support mechanism, and a stripper supplied by the stripper supply mechanism. And a water supply mechanism for supplying water containing carbon dioxide to the completed substrate.
【００１６】請求項１０の発明は、請求項９において、
表面に形成された金属薄膜に対して耐エッチング被膜を
選択的に形成したのちエッチング処理した基板をさらに
処理するものである。According to a ninth aspect of the present invention, in the ninth aspect,
After selectively forming an etching-resistant coating on the metal thin film formed on the surface, the etching-processed substrate is further processed.
【００１７】請求項１１の発明は、請求項９または１０
において、前記二酸化炭素を含む水を供給する水供給機
構は、基板に対して二酸化炭素を含む水を吐出するノズ
ルを含むものであることを特徴とする。The invention of claim 11 is the invention of claim 9 or 10
Wherein the water supply mechanism for supplying water containing carbon dioxide includes a nozzle for discharging water containing carbon dioxide to the substrate.
【００１８】請求項１２の発明は、請求項９または１０
において、前記二酸化炭素を含む水を供給する水供給機
構は、二酸化炭素を含む水を貯溜した処理槽に基板を浸
漬するものであることを特徴とする。The invention of claim 12 is the invention of claim 9 or 10
Wherein the water supply mechanism for supplying the water containing carbon dioxide immerses the substrate in a treatment tank storing water containing carbon dioxide.
【００１９】請求項１３の発明は、請求項９乃至１２に
おいて、前記支持機構が、基板を水平または若干の傾斜
姿勢で支持して搬送する搬送機構であることを特徴とす
る。According to a thirteenth aspect of the present invention, in any of the ninth to twelfth aspects, the support mechanism is a transport mechanism for transporting the substrate while supporting the substrate in a horizontal or slightly inclined posture.
【００２０】請求項１４の発明は、請求項９乃至１２に
おいて、前記支持機構が、基板を略鉛直姿勢で支持して
搬送する搬送機構であることを特徴とする。According to a fourteenth aspect of the present invention, in any one of the ninth to twelfth aspects, the support mechanism is a transport mechanism that transports the substrate while supporting the substrate in a substantially vertical posture.
【００２１】請求項１５の発明は、請求項９乃至１４に
おいて、前記支持機構が、基板を１枚づつ支持して搬送
する搬送機構であることを特徴とする。According to a fifteenth aspect of the present invention, in any one of the ninth to fourteenth aspects, the support mechanism is a transport mechanism that supports and transports the substrates one by one.
【００２２】請求項１６の発明は、請求項９乃至１４に
おいて、前記支持機構が、基板を一度に複数枚支持して
搬送する搬送機構であることを特徴とする。According to a sixteenth aspect of the present invention, in any one of the ninth to fourteenth aspects, the support mechanism is a transport mechanism that supports and transports a plurality of substrates at a time.
【００２３】請求項１７の発明は、請求項９乃至１６に
おいて、前記剥離液が、少なくともアミンを含んだもの
であることを特徴とする。The invention of claim 17 is characterized in that, in claims 9 to 16, the stripping solution contains at least an amine.
【００２４】請求項１８の発明は、請求項９乃至１６に
おいて、前記剥離液が、少なくともアミンを含んだ有機
物であることを特徴とする。The invention of claim 18 is characterized in that in claim 9 to 16, the stripping solution is an organic substance containing at least an amine.
【００２５】請求項１９の発明は、請求項９乃至１８に
おいて、前記二酸化炭素を含む水が、二酸化炭素を溶解
した水であることを特徴とする。A nineteenth aspect of the present invention is characterized in that, in any one of the ninth to eighteenth aspects, the water containing carbon dioxide is water in which carbon dioxide is dissolved.
【００２６】請求項２０の発明は、請求項９乃至１９の
いずれかにおいて、基板を処理する処理室を構成する室
構成体をさらに備え、According to a twentieth aspect of the present invention, in any one of the ninth to nineteenth aspects, the apparatus further comprises a chamber constituting a processing chamber for processing the substrate,
【００２７】前記支持機構が前記処理室内に基板を支持
するものであることを特徴とする。[0027] The support mechanism supports the substrate in the processing chamber.
【００２８】[0028]
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施の形態を図面
を用いて詳細に説明する。図１は本発明に係る基板処理
装置の第１実施形態の要部の概略構成を示す模式的断面
図である。この基板処理装置は、角型のガラス基板Ｗ
（以下、単に基板Ｗと称する）を水平姿勢または若干の
傾斜姿勢として図中左から右へ向って水平方向にローラ
コンベア１で搬送しつつ、処理液として剥離液を供給し
て基板Ｗに対して剥離処理を施し、かつ当該処理後に純
水を供給して洗浄処理する剥離装置である。Next, embodiments of the present invention will be described in detail with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of a main part of a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. This substrate processing apparatus has a rectangular glass substrate W
(Hereinafter, simply referred to as the substrate W) in a horizontal posture or a slightly inclined posture, while being conveyed horizontally from left to right in the figure by the roller conveyor 1, while supplying a stripping liquid as a processing liquid to the substrate W. This is a stripping apparatus for performing a stripping process and supplying pure water after the process to perform a cleaning process.
【００２９】この基板Ｗは、この剥離装置に搬送されて
くるまでに、以下の処理が施されたものである。すなわ
ち、その表面に配線材料として銀、銅、アルミニウム、
モリブデンまたはチタン、もしくは少なくともそれらを
含んだ合金、例えばアルミネオジウム合金、アルミチタ
ン合金などの合金よりなる金属薄膜を形成する工程、次
に、その金属薄膜の上にフォトレジスト液を塗布して、
耐エッチング被膜となる感光性被膜を形成する工程、次
に、基板を加熱して形成した感光性被膜を固化する工
程、次に、基板を冷却して常温に戻す工程、次に、形成
した感光性被膜に所望の配線パターンを露光する工程、
次に、その露光した感光性被膜を現像する工程、次に、
その現像後の感光性被膜のパターンに従い、耐エッチン
グ被膜である感光性被膜が存在しない部分の金属薄膜を
エッチングする工程。つまり、この剥離装置に搬送され
てくる基板はフォトリソグラフィによる金属薄膜のパタ
ーニングが行われた状態であって、パターニングされて
基板上に残った金属薄膜の上にフォトレジストの被膜が
残っている状態である。The substrate W has been subjected to the following processing before being transferred to the peeling apparatus. In other words, silver, copper, aluminum,
Molybdenum or titanium, or at least an alloy containing them, for example, aluminum neodymium alloy, a step of forming a metal thin film made of an alloy such as an aluminum titanium alloy, then apply a photoresist liquid on the metal thin film,
A step of forming a photosensitive film to be an etching-resistant film, a step of heating the substrate to solidify the formed photosensitive film, a step of cooling the substrate to room temperature, and a step of forming the photosensitive film. Exposing a desired wiring pattern to the functional film,
Next, a step of developing the exposed photosensitive film,
A step of etching the metal thin film in a portion where the photosensitive film which is an etching resistant film does not exist according to the pattern of the photosensitive film after the development. In other words, the substrate conveyed to the peeling device is in a state where the metal thin film is patterned by photolithography, and the photoresist film remains on the metal thin film that has been patterned and left on the substrate. It is.
【００３０】この基板処理装置は、搬送搬入されたエッ
チング後の基板に対してアミンを含む有機剥離液を供給
して付着している前記感光性被膜を除去する工程を実行
する剥離処理部と、剥離後の基板に対して炭酸ガスを溶
解した純水を供給して洗浄する工程を実行する洗浄処理
部と、洗浄後の基板を乾燥させる工程を実行する乾燥処
理部からなっている。図１では剥離処理部Ｃと洗浄処理
部Ｄのみを示す。図示は省略しているが、洗浄処理部Ｄ
のさらに右側には、基板Ｗに乾燥空気を供給するかまた
は基板Ｗを回転させるなどして乾燥処理する乾燥処理部
が設けられる。The substrate processing apparatus includes a release processing section for performing a step of supplying an organic release liquid containing amine to the transported and etched substrate and removing the adhered photosensitive film. The cleaning unit includes a cleaning unit that performs a step of supplying pure water in which carbon dioxide gas is dissolved to the substrate after peeling to perform cleaning, and a drying unit that performs a step of drying the substrate after cleaning. FIG. 1 shows only the stripping section C and the cleaning section D. Although not shown, the cleaning unit D
Further on the right side, a drying processing unit is provided for performing drying processing by supplying dry air to the substrate W or rotating the substrate W.
【００３１】なお、前記有機剥離液としてはアミン、す
なわち、アンモニア分子の中の水素原子を炭化水素基で
置換した構造の化合物を含む有機剥離液が用いられる。
具体的には例えば、１−メチル−２ピロリドン、テトラ
ヒドロチオフェン１．１−ジオキシド、イソプロパノー
ルアミン、ジメチルスルホシキド、モノエタノールアミ
ン、２−（２アミノエトキシ）エタノール、ヒドロキシ
アミン、カテコール、Ｎ−メチルピロリドン、アロマテ
イックジオール、パーフレン、フェノールを主成分とす
る薬液が使用される。As the organic stripping solution, an organic stripping solution containing an amine, that is, a compound having a structure in which a hydrogen atom in an ammonia molecule is replaced with a hydrocarbon group is used.
Specifically, for example, 1-methyl-2-pyrrolidone, tetrahydrothiophene 1.1-dioxide, isopropanolamine, dimethylsulfoxide, monoethanolamine, 2- (2aminoethoxy) ethanol, hydroxyamine, catechol, N-methyl A chemical solution mainly containing pyrrolidone, an aromatic diol, perfrene, and phenol is used.
【００３２】より具体的な例としては、１−メチル−２
ピロリドンとテトラヒドロチオフェン１．１−ジオキシ
ドとイソプロパノールアミンとの混合液（第１例）、ジ
メチルスルホシキドとモノエタノールアミンとの混合液
（第２例）、２−（２アミノエトキシ）エタノールとヒ
ドロキシアミンとカテコールとの混合液（第３例）、２
−（２アミノエトキシ）エタノールとＮ−メチルピロリ
ドンとの混合液（第４例）、モノエタノールアミンと水
とアロマテイックジオールとの混合液（第５例）、パー
フレンとフェノールとの混合液（第６例）などが挙げら
れる。As a more specific example, 1-methyl-2
A mixture of pyrrolidone, tetrahydrothiophene 1.1-dioxide and isopropanolamine (first example), a mixture of dimethylsulfoxide and monoethanolamine (second example), 2- (2aminoethoxy) ethanol and hydroxy Mixed solution of amine and catechol (third example), 2
A mixed solution of (2-aminoethoxy) ethanol and N-methylpyrrolidone (fourth example), a mixed solution of monoethanolamine, water and aromatic diol (fifth example), a mixed solution of perfrene and phenol ( Sixth example).
【００３３】基板Ｗに対して剥離処理を施すための剥離
処理室２および基板Ｗに対して洗浄処理を施すための洗
浄処理室４は、室構成体３により区画形成される。ま
た、室構成体３には、基板Ｗを剥離処理室２および洗浄
処理室４へ搬入搬出するための開口５が形成され、その
開口５を介して基板Ｗを剥離処理室２へ搬入し、さらに
洗浄処理室４へ搬入し、洗浄処理室４から搬出するため
のローラコンベア１が設けられている。基板Ｗは、剥離
処理室２および洗浄処理室４内において、ローラコンベ
ア１によって支持され、搬送される。A peeling processing chamber 2 for performing a peeling process on the substrate W and a cleaning processing chamber 4 for performing a cleaning process on the substrate W are defined by the chamber structure 3. Further, the chamber constituting body 3 is formed with an opening 5 for carrying the substrate W into and out of the separation processing chamber 2 and the cleaning processing chamber 4, and the substrate W is loaded into the separation processing chamber 2 through the opening 5, Further, a roller conveyor 1 for carrying in and out of the cleaning processing chamber 4 is provided. The substrate W is supported and transported by the roller conveyor 1 in the separation processing chamber 2 and the cleaning processing chamber 4.
【００３４】剥離処理室２には、ローラコンベア１によ
って支持された剥離処理室２内の基板Ｗに対して処理液
を低圧又は高圧で供給可能な液供給機構１０が付設され
る。液供給機構１０において、剥離液タンク１８は剥離
処理室２の下方の開口１５と配管接続され、開口１５か
ら排出される剥離液は剥離液タンク１８に受け入れられ
て貯溜される。剥離液タンク１８は上記例のようなアミ
ンを含む有機剥離液を貯溜しており、貯溜している剥離
液を所定温度に保つための温度調節機構１４が付設され
ている。また、剥離液タンク１８は、ポンプ１９、流量
調整可能な開閉弁２２及びフィルタ２３を介してノズル
１１に配管接続されている。ポンプ１９はインバータ２
０の出力によって駆動され、インバータ２０の出力は制
御装置２１によって制御される。ポンプ１９は、制御装
置２１によってインバータ２０の周波数を制御すること
により、ノズル１１側に向けた吐出圧力を低圧と高圧と
に任意に切り替えて駆動制御可能となっている。これに
より、ローラコンベア１の上方に設置されたノズル１１
は、ローラコンベア１上に支持された基板Ｗに対して剥
離液を低圧又は高圧で供給可能となっている。なお、ノ
ズル１１は、図１の紙面奥行き方向に長いものを使用す
るか、あるいは紙面奥行き方向に複数の同じノズル１１
を配列して配置することにより、紙面奥行き方向に等し
い状態で処理液が供給されるようにして、処紙面奥行き
方向に処理ムラが生じるのを防止している。A liquid supply mechanism 10 capable of supplying a processing liquid at a low pressure or a high pressure to the substrate W in the separation processing chamber 2 supported by the roller conveyor 1 is additionally provided in the separation processing chamber 2. In the liquid supply mechanism 10, the stripping solution tank 18 is connected to the opening 15 below the stripping processing chamber 2 by piping, and the stripping solution discharged from the opening 15 is received and stored in the stripping solution tank 18. The stripping solution tank 18 stores an organic stripping solution containing an amine as described above, and is provided with a temperature control mechanism 14 for keeping the stored stripping solution at a predetermined temperature. The stripping solution tank 18 is connected to the nozzle 11 via a pump 19, a flow rate-controllable on-off valve 22, and a filter 23. The pump 19 is the inverter 2
The output of the inverter 20 is controlled by the control device 21. The drive of the pump 19 can be controlled by controlling the frequency of the inverter 20 by the control device 21 to arbitrarily switch the discharge pressure toward the nozzle 11 to a low pressure and a high pressure. Thereby, the nozzle 11 installed above the roller conveyor 1
Is capable of supplying a stripper at a low pressure or a high pressure to the substrate W supported on the roller conveyor 1. The nozzle 11 may be long in the depth direction of FIG. 1 or may be a plurality of the same nozzles 11 in the depth direction of the paper.
Are arranged in a line so that the processing liquid is supplied in a state equal to the depth direction of the paper surface, thereby preventing the occurrence of processing unevenness in the depth direction of the paper surface.
【００３５】また、剥離処理室２内のローラコンベア１
の両端近く、すなわち両方の開口５近くの位置にはロー
ラコンベア１上の基板Ｗの有無を検出して信号を出力す
るセンサ１６、１７が設けられている。センサ１６、１
７は制御装置２１に接続されており、基板Ｗがローラコ
ンベア１上をセンサ１６、１７のところまで搬送されて
くると、制御装置２１は当該センサ１６、１７からの出
力信号によりそれを検知する。また、ローラコンベア１
は後述のように制御装置２１によってその動作が制御さ
れるが、ローラコンベア１のうち、特に剥離処理室２内
に位置する部分には他の部分とは独立した駆動源として
可逆転モータ（図示せず）が使用され、ローラコンベア
１に乗せられて運ばれてきた基板Ｗを剥離処理室２内で
センサ１６とセンサ１７との間を周期的に往復移動させ
ることができる。The roller conveyor 1 in the separation processing chamber 2
Sensors 16 and 17 for detecting the presence or absence of the substrate W on the roller conveyor 1 and outputting a signal are provided near both ends of the roller conveyor 1, that is, near the openings 5. Sensor 16, 1
Reference numeral 7 is connected to a control device 21. When the substrate W is conveyed on the roller conveyor 1 to the sensors 16 and 17, the control device 21 detects the substrate W based on output signals from the sensors 16 and 17. . Roller conveyor 1
The operation is controlled by the control device 21 as described later. In the roller conveyor 1, in particular, a portion located in the separation processing chamber 2 has a reversible rotating motor (see FIG. (Not shown), and the substrate W carried on the roller conveyor 1 can be periodically reciprocated between the sensors 16 and 17 in the separation processing chamber 2.
【００３６】なお、ノズル１１は、剥離液が高圧で供給
されたときには基板Ｗに対しても高圧スプレー状で剥離
液を供給する高圧スプレーノズルであるが、剥離液が低
圧で供給されたときには、基板Ｗに対しても低圧スプレ
ー状で供給する。また、各ノズル１１の周囲には、ノズ
ル１１から高圧で吐出される剥離液がミストとなって周
囲に飛散するのを抑制する覆い部材９が設けられてい
る。The nozzle 11 is a high-pressure spray nozzle that supplies the substrate W in the form of a high-pressure spray when the release liquid is supplied at a high pressure. It is also supplied to the substrate W in the form of a low-pressure spray. In addition, a cover member 9 is provided around each nozzle 11 to prevent the stripping liquid discharged from the nozzle 11 at high pressure from becoming mist and scattering around.
【００３７】洗浄処理室４には、剥離処理室２からロー
ラコンベア１により運ばれてきた基板Ｗの上下両面に対
して純水をスプレー状で供給して洗浄するためのノズル
２４が、ローラコンベア１の上下に設けられている。純
水供給源２９からの純水はポンプ３０によって加圧さ
れ、流量調整可能な開閉弁３１及びフィルタ３２を介し
て配管２６によってノズル２４に接続されている。純水
供給源２９には、その内部に貯溜している純水に二酸化
炭素の気体を溶解させる手段が備えられている。詳細に
説明すると、純水供給源２９には二酸化炭素のガスを貯
えているボンベ５０が付設されており、ボンベ５０から
供給される二酸化炭素ガスは弁５１を介して、純水供給
源２９の内部の水面高さよりも低い位置に設けられた吐
出部材５２から吐出され、純水内でバブリングされる。
これにより、純水供給源２９に貯溜されている純水には
二酸化炭素が溶解されて溶存した状態となっている。そ
して、その純水がポンプ３０によって加圧されてノズル
２４から基板Ｗに供給されるので、基板Ｗに供給される
純水は二酸化炭素が多量に溶解された状態となってい
る。A nozzle 24 for supplying pure water in a spray form to the upper and lower surfaces of the substrate W transported from the separation processing chamber 2 by the roller conveyor 1 for cleaning is provided in the cleaning processing chamber 4. 1 are provided above and below. Pure water from a pure water supply source 29 is pressurized by a pump 30 and is connected to a nozzle 24 by a pipe 26 via an on-off valve 31 and a filter 32 capable of adjusting a flow rate. The pure water supply source 29 is provided with a means for dissolving the carbon dioxide gas in the pure water stored therein. More specifically, a cylinder 50 storing carbon dioxide gas is attached to the pure water supply source 29, and carbon dioxide gas supplied from the cylinder 50 is supplied to the pure water supply source 29 via a valve 51. The liquid is discharged from a discharge member 52 provided at a position lower than the internal water level, and is bubbled in pure water.
As a result, carbon dioxide is dissolved and dissolved in the pure water stored in the pure water supply source 29. Then, the pure water is pressurized by the pump 30 and supplied to the substrate W from the nozzle 24, so that the pure water supplied to the substrate W is in a state where a large amount of carbon dioxide is dissolved.
【００３８】なお、洗浄処理室４の上部には、周囲の下
降気流を清浄にして取り入れるためのフィルタ３３が設
けられている。また、洗浄処理室４の下部には、取り入
れた下降気流を排出するとともに使用後の純水を排出す
るための開口３４が形成されている。A filter 33 is provided at the upper part of the cleaning chamber 4 to clean and take in the surrounding downdraft. In addition, an opening 34 is formed in a lower portion of the cleaning processing chamber 4 for discharging the taken-down airflow and discharging the used pure water.
【００３９】制御装置２１は、上述したインバータ２０
のほか、ポンプ３０や開閉弁２２、３１、弁５１、ロー
ラコンベア１等にも接続（図示省略）され、それらを制
御することによって剥離液や純水の供給や基板の搬送な
どこの剥離装置全体の動作をつかさどる。特に、剥離処
理室２内で剥離液を基板Ｗに供給する際において、制御
装置２１は、基板Ｗが図中左から右方向に搬送されてセ
ンサ１７の位置まで到達したことを検知するとその剥離
処理室２内のローラコンベア１の駆動源を逆回転させ、
こんどは基板Ｗを図中右から左方向に搬送する。そし
て、次に基板がセンサ１６の位置まで到達すると、今度
は前記駆動源を正回転させることにより、基板Ｗを図中
左から右方向に搬送する。制御装置２１はかかる制御動
作を繰り返すことにより、基板Ｗを剥離処理室２内の所
定の範囲で周期的に往復移動させることができる。そし
て、かかる往復移動によって基板Ｗへの剥離処理室２で
の処理が終了すると、ローラコンベア１の前記駆動源を
正回転させて基板Ｗをセンサ１７の位置を越えて図中右
方向へ搬送し、洗浄処理室４へ送り込むことができる。The control device 21 includes the inverter 20 described above.
In addition, the pump 30 and the on-off valves 22, 31, the valve 51, the roller conveyor 1 and the like are connected (not shown). Is responsible for the operation of In particular, when supplying the stripping liquid to the substrate W in the stripping processing chamber 2, the controller 21 detects that the substrate W has been transported from the left to the right in the drawing and has reached the position of the sensor 17, and the stripping is performed. Reversely rotate the drive source of the roller conveyor 1 in the processing chamber 2;
Next, the substrate W is transported from right to left in the drawing. Then, when the substrate reaches the position of the sensor 16 next, the substrate W is transported from left to right in the drawing by rotating the driving source forward. The control device 21 can reciprocate the substrate W periodically within a predetermined range in the separation processing chamber 2 by repeating the control operation. Then, when the processing in the separation processing chamber 2 for the substrate W is completed by the reciprocating movement, the drive source of the roller conveyor 1 is rotated forward to convey the substrate W beyond the position of the sensor 17 to the right in the drawing. , Can be sent to the cleaning processing chamber 4.
【００４０】つぎにこの発明の方法を、上記第１の実施
形態の剥離装置の動作とともに説明する。この剥離装置
に搬送されて処理されようとする基板Ｗは、上述したと
おり、その表面に以下の処理が施されたものである。す
なわち基板表面に配線材料として銀、銅、アルミニウ
ム、モリブデンまたはチタン、もしくは少なくともそれ
らを含んだ合金、例えばアルミネオジウム合金、アルミ
チタン合金などの合金よりなる金属薄膜を形成する工程
と、その金属薄膜の上にフォトレジスト液を塗布して感
光性被膜を形成する工程と、基板を加熱して形成した感
光性被膜を固化する工程と、基板を冷却して常温に戻す
工程と、形成した感光性被膜に所望の配線パターンを露
光する工程と、その露光した感光性被膜を現像する工程
と、その現像後の感光性被膜のパターンに従い、感光性
被膜が存在しない部分の金属薄膜をエッチングする工程
とが施されたものである。Next, the method of the present invention will be described together with the operation of the peeling apparatus of the first embodiment. As described above, the substrate W to be transported to and processed by the peeling device has its surface subjected to the following processing. That is, a step of forming a metal thin film made of an alloy such as silver, copper, aluminum, molybdenum or titanium, or at least an alloy containing them, for example, an aluminum neodymium alloy or an aluminum titanium alloy on the substrate surface, A step of applying a photoresist solution thereon to form a photosensitive film, a step of heating the substrate to solidify the formed photosensitive film, a step of cooling the substrate to room temperature, and a step of forming the photosensitive film. A step of exposing a desired wiring pattern, a step of developing the exposed photosensitive film, and a step of etching a metal thin film in a portion where the photosensitive film does not exist according to the pattern of the developed photosensitive film. It was done.
【００４１】さて、この剥離装置においては、まず第１
工程として、剥離処理すべき基板Ｗがローラコンベア１
によって搬送されてきて剥離処理室２へ搬入されたこと
がセンサ１６により検出されると、制御装置２１はポン
プ１９を吐出圧力が低圧となるように駆動し、搬送され
つつある基板Ｗに対してノズル１１から剥離液を低圧で
スプレー状に供給する。この第１工程においては、低圧
で基板Ｗ上に供給された剥離液は、高圧で供給されたと
きのように基板Ｗ表面に衝突して跳ね返って周囲に飛散
したりすることなく、基板Ｗの表面に液の膜を形成し、
基板Ｗの表面に付着している剥離されるべき被膜、すな
わちフォトレジストの被膜と十分に接触し、当該被膜を
膨潤させる。この第１工程は、かかる膨潤が十分に進行
する所定時間の間継続され、その間、剥離液の低圧状態
での供給は継続される。この間、基板Ｗに対しては温度
調節された剥離液が継続して供給されるので、工程の途
中で基板Ｗに触れる剥離液の温度が低下するといった不
都合は生じない。In this peeling apparatus, first, the first
As a process, the substrate W to be subjected to the peeling process is a roller conveyor 1
When the sensor 16 detects that the wafer W has been transported and carried into the separation processing chamber 2 by the sensor 16, the control device 21 drives the pump 19 so that the discharge pressure becomes low, and The stripper is supplied from the nozzle 11 in the form of a spray at a low pressure. In the first step, the stripping solution supplied onto the substrate W at a low pressure does not collide with the surface of the substrate W and rebound and scatter around the substrate W as when supplied at a high pressure. Form a liquid film on the surface,
The film W comes into sufficient contact with the film to be peeled off, that is, the photoresist film adhered to the surface of the substrate W to swell the film. This first step is continued for a predetermined time during which the swelling sufficiently proceeds, and during that time, the supply of the stripping solution in a low pressure state is continued. During this time, the temperature-controlled stripping solution is continuously supplied to the substrate W, so that there is no inconvenience that the temperature of the stripping solution that touches the substrate W during the process decreases.
【００４２】また、この第１工程が終了しないうちに基
板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２の図中右
側端部まで搬送されてしまったときには、センサ１７に
より基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１はローラコ
ンベア１の駆動源を逆回転駆動し、今度は基板Ｗを図中
右から左方向へ搬送し、剥離処理室２内で第１工程を継
続して実行する。第１工程が終了しないうちに基板Ｗが
ローラコンベア１によって剥離処理室２の図中左側端部
まで搬送されてしまったときにも同様に、センサ１６に
より基板Ｗの位置が検出され、制御装置２１はローラコ
ンベア１の駆動源を正回転駆動し、今度は基板Ｗを図中
左から右方向へ搬送し、剥離処理室２内で第１工程を継
続して実行する。このように基板Ｗが剥離処理室２内を
周期的に往復移動し、その移動中に剥離液がスプレー供
給されるので、ノズル１１から基板Ｗへの剥離液の供給
位置が時間的に変化し、基板Ｗの全面にむらなく剥離液
が供給される。制御装置２１は内蔵しているタイマによ
り第１工程の実行時間を監視し、設定された所定時間が
経過すると第１工程を終了する。If the substrate W is conveyed by the roller conveyor 1 to the right end of the separation processing chamber 2 in the drawing before the first step is completed, the position of the substrate W is detected by the sensor 17, The control device 21 drives the drive source of the roller conveyor 1 in the reverse direction, and conveys the substrate W from right to left in the drawing, and continuously executes the first process in the separation processing chamber 2. Similarly, when the substrate W is transported by the roller conveyor 1 to the left end of the separation processing chamber 2 in the drawing before the first step is completed, the position of the substrate W is similarly detected by the sensor 16 and the control device is controlled. Reference numeral 21 drives the drive source of the roller conveyor 1 in the forward direction, and conveys the substrate W from left to right in the figure, and continuously executes the first process in the separation processing chamber 2. As described above, the substrate W periodically reciprocates in the stripping chamber 2 and the stripping liquid is spray-supplied during the movement, so that the supply position of the stripping liquid from the nozzle 11 to the substrate W changes with time. The stripper is supplied evenly to the entire surface of the substrate W. The control device 21 monitors the execution time of the first step by using a built-in timer, and ends the first step when the set predetermined time has elapsed.
【００４３】剥離処理室２内で第１工程が終了すると、
引き続いて第２工程が実行される。第２工程において
は、制御装置２１はポンプ１９を吐出圧力が高圧となる
ように駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル
１１から剥離液を高圧でスプレー状に供給する。この第
２工程においては、基板Ｗ面上に剥離液が高圧で供給さ
れ、第１工程の間に十分に膨潤しているフォトレジスト
の被膜に剥離液が高圧で衝突することによる物理的衝撃
力が加わることになり、被膜が効果的に剥離除去され
る。この第２工程は、被膜の剥離除去が十分に行われる
所定時間の間継続され、その間、剥離液の高圧状態での
供給は継続される。この間、基板Ｗに対しては温度調節
された剥離液が継続して供給されるので、工程の途中で
基板Ｗに触れる剥離液の温度が低下するといった不都合
は生じない。When the first step is completed in the separation processing chamber 2,
Subsequently, the second step is performed. In the second step, the control device 21 drives the pump 19 so that the discharge pressure becomes high, and supplies the stripper at a high pressure from the nozzle 11 to the substrate W being conveyed in a spray form. In the second step, a stripping solution is supplied at a high pressure onto the surface of the substrate W, and a physical impact force caused by the stripping solution colliding at a high pressure with a sufficiently swollen photoresist film during the first step. Is added, and the film is effectively peeled and removed. This second step is continued for a predetermined time during which the film is sufficiently peeled and removed, and during that time, the supply of the peeling liquid under a high pressure is continued. During this time, the temperature-controlled stripping solution is continuously supplied to the substrate W, so that there is no inconvenience that the temperature of the stripping solution that touches the substrate W during the process decreases.
【００４４】また、この第２工程が終了しないうちに基
板Ｗがローラコンベア１によって剥離処理室２のどちら
かの端部まで搬送されてしまったときには、第１工程と
同様に、センサ１６、１７により基板Ｗの位置が検出さ
れ、制御装置２１がローラコンベア１の駆動源の回転方
向を制御することにより基板Ｗを剥離処理室２内で周期
的に往復移動させ、剥離処理室２内で第２工程を継続し
て実行する。このように基板Ｗが剥離処理室２内を移動
中に剥離液がスプレー供給されるので、ノズル１１から
基板Ｗへの剥離液の供給位置が時間的に変化し、基板Ｗ
の全面にむらなく剥離液が供給される。制御装置２１は
内蔵しているタイマにより第２工程の実行時間を監視
し、設定された所定時間が経過すると第２工程を終了す
る。第２工程が終了すると、制御装置２１はローラコン
ベア１を駆動して基板Ｗを洗浄処理室４へ送る。If the substrate W is conveyed to either end of the separation processing chamber 2 by the roller conveyor 1 before the completion of the second step, the sensors 16 and 17 are carried out similarly to the first step. , The position of the substrate W is detected, and the control device 21 controls the rotation direction of the driving source of the roller conveyor 1 to periodically reciprocate the substrate W in the separation processing chamber 2. The two steps are continuously performed. Since the stripping liquid is spray-supplied while the substrate W is moving in the stripping processing chamber 2 as described above, the supply position of the stripping liquid from the nozzle 11 to the substrate W changes with time, and the substrate W
The stripper is supplied evenly over the entire surface of the substrate. The control device 21 monitors the execution time of the second step by using a built-in timer, and ends the second step when the set predetermined time has elapsed. When the second step is completed, the control device 21 drives the roller conveyor 1 to send the substrate W to the cleaning processing chamber 4.
【００４５】洗浄処理室４内においては第３工程が実行
される。第３工程においては、制御装置２１はポンプ３
０を駆動し、搬送されつつある基板Ｗに対してノズル２
４から二酸化炭素が溶存している純水をスプレー状に供
給して洗浄処理する。この第３工程においては、基板Ｗ
の上面、下面に付着して残留している剥離液や、剥離さ
れたフォトレジスト被膜の破片などが純水スプレーによ
り洗い流される。この第３工程は、基板Ｗが洗浄処理室
４の図中右側の開口５から搬出されるまで行われる。こ
の第３工程において、基板Ｗ表面に付着して残留してい
るアミンを含む有機剥離液は、供給された純水と反応し
てアルカリ性の溶液となろうとするが、供給された純水
には二酸化炭素が溶解されていてあらかじめ弱酸性を呈
しており、アミンを含む有機剥離液と純水とが基板表面
で混合された混合物がアルカリ性に傾くのが中和され
る。このようにこの剥離装置で実行される方法では、ア
ミンを含む有機剥離液と純水との混合物はアルカリ性に
なることはなく、配線材として基板表面に形成されてい
る銀、銅、アルミニウムなどの金属薄膜がアルカリ性混
合物によって腐食や溶解されるといった不都合は生じな
い。基板Ｗに付着していた有機剥離液はごく少量であ
り、二酸化炭素が溶解された純水をスプレー状に大量に
供給することで、混合物がアルカリ性になるのは十分に
阻止できる。The third step is performed in the cleaning processing chamber 4. In the third step, the control device 21
0 to the nozzle W with respect to the substrate W being conveyed.
From 4, cleaning treatment is performed by supplying pure water in which carbon dioxide is dissolved in a spray form. In the third step, the substrate W
The stripping solution remaining on the upper and lower surfaces of the substrate and the delaminated photoresist film fragments are washed away by pure water spray. This third step is performed until the substrate W is carried out from the opening 5 on the right side of the cleaning processing chamber 4 in the drawing. In the third step, the organic stripping solution containing amine remaining on the surface of the substrate W tends to react with the supplied pure water to become an alkaline solution. Carbon dioxide is dissolved and exhibits a weak acidity in advance, and the mixture in which the organic stripping solution containing amine and pure water are mixed on the substrate surface is neutralized when the mixture is inclined toward alkalinity. Thus, in the method performed by this stripping apparatus, the mixture of the organic stripping solution containing amine and pure water does not become alkaline, and silver, copper, aluminum, etc., formed on the substrate surface as wiring material The disadvantage that the metal thin film is corroded or dissolved by the alkaline mixture does not occur. The amount of the organic stripper that has adhered to the substrate W is very small. By supplying a large amount of pure water in which carbon dioxide is dissolved in a spray form, the mixture can be sufficiently prevented from becoming alkaline.
【００４６】第３工程が終了して洗浄処理室４の図中右
側の開口５から搬出された基板Ｗは、図示しない搬送装
置により前記乾燥装置へ搬送され、第４工程が実行され
る。この第４工程においては、基板Ｗは周知の乾燥装
置、例えば基板を回転させることによる回転式乾燥装置
やエアを吹き付けることによるエアナイフ式乾燥装置に
よって乾燥処理される。乾燥処理後の基板Ｗは直ちに次
工程に送られるか、あるいは所定の容器に格納される。After the third step is completed, the substrate W carried out from the opening 5 on the right side of the cleaning processing chamber 4 in the figure is transferred to the drying device by a transfer device (not shown), and the fourth step is executed. In the fourth step, the substrate W is dried by a known drying device, for example, a rotary drying device by rotating the substrate or an air knife type drying device by blowing air. The substrate W after the drying process is immediately sent to the next step or stored in a predetermined container.
【００４７】この実施形態の剥離装置および方法では、
上述の通り、基板Ｗ表面に付着して残留しているアミン
を含む有機剥離液は、供給された純水と反応してアルカ
リ性の溶液となろうとするが、供給された純水には二酸
化炭素が溶解されていてあらかじめ弱酸性を呈してお
り、アミンを含む有機剥離液と純水とが基板表面で混合
された混合物がアルカリ性に傾くのが中和される。従っ
て、アミンを含む有機剥離液と純水との混合物はアルカ
リ性になることはなく、配線材として基板表面に形成さ
れている銀、銅、アルミニウム、モリブデン、チタン、
もしくは少なくともそれらを含んだ合金よりなる金属薄
膜がアルカリ性混合物によって腐食されるといった不都
合は生じない。しかも、純水で洗浄する前に基板に格別
の処理を施す必要がないので処理時間が長くなることは
なく、また格別の処理のために別途処理槽を設ける必要
もないので装置が大型化することもない。また、純水に
二酸化炭素を溶解するだけでよいのでそのための構成も
きわめて簡易でかつ低コストである。また、ランニング
コストの上でも、新たに消費されるのは二酸化炭素だけ
であるので、きわめて低コストである。また、二酸化炭
素が溶解された純水は、放置すると二酸化炭素が拡散し
て単なる純水に戻るため、廃液処理にも格別に配慮する
必要はなく、この面でも低コストであり、環境汚染の心
配もない。In the peeling apparatus and method of this embodiment,
As described above, the organic stripper containing amine remaining on the surface of the substrate W tends to react with the supplied pure water to form an alkaline solution, but the supplied pure water contains carbon dioxide. Is dissolved and has a weak acidity in advance, and the mixture in which the organic stripping solution containing amine and pure water are mixed on the substrate surface is neutralized to be alkaline. Therefore, the mixture of the organic stripping solution containing amine and pure water does not become alkaline, and silver, copper, aluminum, molybdenum, titanium,
Alternatively, there is no inconvenience that at least the metal thin film made of an alloy containing them is corroded by the alkaline mixture. Moreover, there is no need to perform a special treatment on the substrate before cleaning with pure water, so that the processing time does not increase, and there is no need to provide a separate processing tank for the special treatment, so that the apparatus becomes large. Not even. Also, since it is only necessary to dissolve carbon dioxide in pure water, the configuration for this is very simple and low cost. Also, the running cost is extremely low because only carbon dioxide is newly consumed. In addition, pure water in which carbon dioxide is dissolved diffuses carbon dioxide when left alone and returns to pure water, so there is no need to pay special attention to wastewater treatment. Don't worry.
【００４８】なお、上述した実施形態では、純水供給源
２９に二酸化炭素のガスを貯えているボンベ５０を付設
して、ボンベ５０から供給される二酸化炭素ガスを純水
供給源２９の内部の水面高さよりも低い位置から吐出し
てバブリングすることで、二酸化炭素が溶解された純水
を純水供給源２９において製造していたが、これに限ら
ず、例えば二酸化炭素を溶解した純水を他所で製造して
それをいったん純水供給源２９に移し、純水供給源２９
からノズル２４に供給するようにしてもよい。また、純
水供給源２９から供給される純水に対して、配管２６の
途中に二酸化炭素を溶解する手段を設け、それによって
得られた二酸化炭素が溶解された純水を直接ノズル２４
から基板に供給する構成としてもよい。In the above-described embodiment, a cylinder 50 storing carbon dioxide gas is attached to the pure water supply source 29, and the carbon dioxide gas supplied from the cylinder 50 is supplied to the inside of the pure water supply source 29. By discharging and bubbling from a position lower than the water level, pure water in which carbon dioxide is dissolved has been produced in the pure water supply source 29. However, the present invention is not limited to this. For example, pure water in which carbon dioxide is dissolved may be used. It is manufactured elsewhere and once transferred to the pure water source 29, the pure water source 29
From the nozzle 24. Further, a means for dissolving carbon dioxide in the middle of the pipe 26 with respect to the pure water supplied from the pure water supply source 29 is provided.
From the substrate to the substrate.
【００４９】なお、以上の実施形態の説明では、ローラ
コンベア１は、剥離処理室２や洗浄処理室４内で基板Ｗ
を水平姿勢または若干の傾斜姿勢として搬送するものと
説明したが、若干の傾斜姿勢で搬送するものとすること
が、以下の理由により望ましい。すなわち基板Ｗを例え
ば搬送方向にして対して左右いずれかに若干傾斜させて
支持することにより、剥離されたフォトレジスト被膜の
破片や汚れた剥離液、純水等がその傾斜にそって速やか
に流れ落ちて基板Ｗ表面から除去されるので、基板Ｗを
より清浄に保つことができ、また基板Ｗに付着した状態
で剥離処理室２から洗浄処理室４へ持ち込まれる有機剥
離液の量も少なくてすむ。In the above description of the embodiment, the roller conveyor 1 is provided with the substrate W in the separation processing chamber 2 and the cleaning processing chamber 4.
Has been described as being transported in a horizontal posture or a slightly inclined posture, but it is desirable to carry the paper in a slightly inclined posture for the following reasons. In other words, by supporting the substrate W with a slight inclination to the left or right with respect to, for example, the transport direction, fragments of the peeled photoresist film, dirty stripping solution, pure water, etc., quickly flow down along the slope. Since the substrate W is removed from the surface of the substrate W, the substrate W can be kept more clean, and the amount of the organic stripping liquid brought into the cleaning processing chamber 4 from the stripping processing chamber 2 while adhering to the substrate W can be reduced. .
【００５０】さらに、上記実施形態では、水平姿勢また
は若干の傾斜姿勢の基板に対してノズルから剥離液や純
水を供給する装置および方法について説明したが、これ
に限らず、例えば次のように変形したものであってもよ
い。すなわち、アミンを含む有機剥離液を貯溜した第１
処理槽と、二酸化炭素が溶解された純水を貯溜した第２
処理槽と、基板をそれら各処理槽の間で搬送する搬送機
構を備えた基板処理装置であってもよい。かかる基板処
理装置によって、基板を搬送機構のハンド等で支持した
状態で、まず基板を第１処理槽内の剥離液に浸漬させる
ことによって基板に剥離液を供給して剥離処理を行い、
剥離処理が終ると基板を第１処理槽から引き出して、引
き続いて基板を第２処理槽内の純水に浸漬させることに
よって基板に純水を供給する方法によってもよい。Further, in the above embodiment, the apparatus and the method for supplying the stripping liquid or the pure water from the nozzle to the substrate in the horizontal posture or the slightly inclined posture have been described. However, the present invention is not limited to this. It may be deformed. That is, the first organic amine-containing organic stripper is stored.
A treatment tank and a second tank storing pure water in which carbon dioxide is dissolved.
The substrate processing apparatus may be provided with a processing tank and a transfer mechanism for transferring the substrate between the processing tanks. With such a substrate processing apparatus, in a state where the substrate is supported by a hand or the like of a transfer mechanism, first, the substrate is immersed in a stripping solution in the first processing tank to supply a stripping solution to the substrate to perform a stripping process,
After the peeling process is completed, the substrate may be drawn out of the first processing bath, and then the substrate may be immersed in pure water in the second processing bath to supply pure water to the substrate.
【００５１】また、上記実施形態では、基板を１枚づつ
供給して処理する装置および方法であったが、例えば複
数枚の基板を一度に処理する装置および方法であっても
よい。すなわち上記変形例のような場合に、基板を搬送
する搬送機構が、一度に複数枚の基板を略鉛直姿勢で略
平行に保持し、第１、第２処理槽へ搬送して複数の基板
を一度に浸漬処理できる装置を用いることができる。In the above embodiment, the apparatus and the method for supplying and processing the substrates one by one have been described. However, the apparatus and the method for processing a plurality of substrates at a time may be used. That is, in the case of the above-described modification, the transport mechanism for transporting the substrates holds a plurality of substrates at a time in a substantially vertical posture and substantially parallel, and transports the substrates to the first and second processing tanks to transfer the plurality of substrates. An apparatus that can perform immersion processing at a time can be used.
【００５２】これらの変形例について、第２の実施形態
として以下に説明する。図２は本発明の第２の実施形態
の基板処理方法とそのための基板処理装置であって、第
１の実施形態と同じく、搬送搬入されたエッチング後の
基板に対してアミンを含む有機剥離液を供給して付着し
ている前記感光性被膜を除去する工程を実行する剥離処
理部と、剥離後の基板に対して炭酸ガスを溶解した純水
を供給して洗浄する工程を実行する洗浄処理部と、洗浄
後の基板を乾燥させる工程を実行する乾燥処理部を備え
る。図２では剥離処理部Ｃと洗浄処理部Ｄのみを示す。
図示は省略しているが、洗浄処理部Ｄのさらに右側に
は、任意の手段で基板Ｗを乾燥処理する乾燥処理部が設
けられる。また、第１実施形態と同一または対応する部
分にも同一符号を付して説明は省略する。These modifications will be described below as a second embodiment. FIG. 2 shows a substrate processing method according to a second embodiment of the present invention and a substrate processing apparatus therefor. As in the first embodiment, an organic stripper containing an amine on an etched substrate carried and carried in is used. And a cleaning process for performing a process of supplying pure water in which carbon dioxide is dissolved and cleaning the substrate after peeling. And a drying unit for performing a step of drying the washed substrate. FIG. 2 shows only the stripping section C and the cleaning section D.
Although not shown, a drying unit for drying the substrate W by any means is provided on the further right side of the cleaning unit D. Further, the same reference numerals are given to the same or corresponding portions as in the first embodiment, and the description is omitted.
【００５３】この基板処理装置では、アミンを含む有機
剥離液を貯溜した第１処理槽６０と、二酸化炭素が溶解
された純水を貯溜した第２処理槽６２と、基板をそれら
各処理槽の間で搬送する搬送機構６４を備える。なお、
第１処理槽６０、第２処理槽６２のそれぞれには、液を
槽内に貯溜または排出するためのバルブ６１、６３が設
けられている。搬送機構６４は、複数の基板を略平行な
鉛直姿勢で保持する保持部６６と、その保持部６６を水
平方向および上下方向に移動させるアーム６８とを備え
ている。また第２処理槽６２内にはその内部を区画して
二酸化炭素を純水に溶解するための溶解通路７２を形成
する仕切り７０が設けられている。溶解通路７２内には
吐出部材５２が配置され、ボンベ５０から供給される二
酸化炭素を純水の水面下で吐出して純水に溶解させてい
る。また、この基板処理装置で処理される基板は、上記
第１の実施形態で説明したものと同様である。In this substrate processing apparatus, a first processing tank 60 storing an organic stripping solution containing amine, a second processing tank 62 storing pure water in which carbon dioxide is dissolved, and a substrate are stored in each processing tank. It has a transport mechanism 64 for transporting between them. In addition,
In each of the first processing tank 60 and the second processing tank 62, valves 61 and 63 for storing or discharging the liquid in the tank are provided. The transport mechanism 64 includes a holding unit 66 that holds a plurality of substrates in a substantially parallel vertical posture, and an arm 68 that moves the holding unit 66 in the horizontal direction and the vertical direction. In the second processing tank 62, there is provided a partition 70 which partitions the inside and forms a dissolving passage 72 for dissolving carbon dioxide in pure water. A discharge member 52 is disposed in the dissolving passage 72, and discharges carbon dioxide supplied from the cylinder 50 below the surface of pure water to dissolve it in pure water. The substrates processed by this substrate processing apparatus are the same as those described in the first embodiment.
【００５４】かかる基板処理装置による基板処理方法で
は、まず、基板を搬送機構６４の保持部６６で支持した
状態で、まず基板Ｗを第１処理槽６０内の剥離液に浸漬
させることによって基板Ｗに剥離液を供給して剥離処理
を行う。剥離処理が終ると基板Ｗを第１処理槽６０から
引き出して、引き続いて基板を第２処理槽６２内の純水
に浸漬させることによって基板に純水を供給する。この
とき、基板Ｗ表面にはアミンを含む有機剥離液が付着し
て残留しているが、第２処理槽６２内の純水にはボンベ
５０から送られる二酸化炭素が溶解された状態であり、
基板に残っている有機剥離液が第２処理槽６２内で供給
された純水と反応してアルカリ性の溶液となろうとする
が、供給された純水には二酸化炭素が溶解されていてあ
らかじめ弱酸性を呈しており、アミンを含む有機剥離液
と純水とが基板表面で混合された混合物がアルカリ性に
傾くのが中和される。このようにこの剥離装置で実行さ
れる方法では、アミンを含む有機剥離液と純水との混合
物はアルカリ性になることはなく、配線材として基板表
面に形成されている銀、銅、アルミニウムなどの金属薄
膜がアルカリ性混合物によって腐食や溶解されるといっ
た不都合は生じない。基板Ｗに付着していた有機剥離液
はごく少量であり、二酸化炭素が溶解された純水をスプ
レー状に大量に供給することで、混合物がアルカリ性に
なるのは十分に阻止できる。In the substrate processing method using the substrate processing apparatus, the substrate W is first immersed in the stripping solution in the first processing tank 60 while the substrate is supported by the holding section 66 of the transport mechanism 64. The stripping treatment is performed by supplying a stripping liquid to the substrate. When the peeling process is completed, the substrate W is drawn out of the first processing tank 60, and subsequently, the substrate is immersed in pure water in the second processing tank 62 to supply pure water to the substrate. At this time, the organic stripper containing amine remains on the surface of the substrate W, but carbon dioxide sent from the cylinder 50 is dissolved in the pure water in the second processing tank 62,
The organic stripping solution remaining on the substrate tends to react with the pure water supplied in the second processing tank 62 to form an alkaline solution. The mixture, which is acidic and is obtained by mixing an amine-containing organic stripping liquid and pure water on the substrate surface, is neutralized when the mixture is inclined toward alkalinity. Thus, in the method performed by this stripping apparatus, the mixture of the organic stripping liquid containing amine and pure water does not become alkaline, and silver, copper, aluminum, etc. formed on the substrate surface as a wiring material The disadvantage that the metal thin film is corroded or dissolved by the alkaline mixture does not occur. The amount of the organic stripper that has adhered to the substrate W is very small, and by supplying a large amount of pure water in which carbon dioxide is dissolved in a spray form, the mixture can be sufficiently prevented from becoming alkaline.
【００５５】なお、上記第２の実施形態では、第２処理
槽６２内において純水に二酸化炭素を溶解していたが、
別の場所で二酸化炭素を溶解した純水を製造し、その純
水を第２処理槽６２に供給するようにしてもよい。ま
た、上記のような保持部６６とアーム６８とを備えた搬
送機構６４ではなく、複数の基板を収納したカセット自
体を搬送し、基板をカセットに収納したままの状態で処
理槽内に浸漬して処理するものでもよい。In the second embodiment, carbon dioxide is dissolved in pure water in the second processing tank 62.
Pure water in which carbon dioxide is dissolved may be produced in another place, and the pure water may be supplied to the second processing tank 62. Further, instead of the transport mechanism 64 having the holding section 66 and the arm 68 as described above, the cassette itself containing a plurality of substrates is transported, and the substrates are immersed in the processing tank while being stored in the cassettes. May be processed.
【００５６】なお、上記第１実施形態のように基板が水
平姿勢である場合には、上記第２実施形態のように基板
が鉛直姿勢のものに比べると、基板上に剥離液が比較的
残留しやすい状態であり、本発明が特に有効である。When the substrate is in the horizontal position as in the first embodiment, the release liquid is relatively left on the substrate as compared with the substrate in the vertical position as in the second embodiment. The present invention is particularly effective.
【００５７】[0057]
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
に係る基板処理方法及び基板処理装置によれば、金属薄
膜の腐食や溶解の発生を抑制でき、処理時間が長くなる
ことがなく、またランニングコストが低く、装置が大型
化することがない基板処理装置および基板処理方法を提
供できる。As is apparent from the above description, according to the substrate processing method and the substrate processing apparatus according to the present invention, the occurrence of corrosion and dissolution of the metal thin film can be suppressed, and the processing time does not become longer. Further, it is possible to provide a substrate processing apparatus and a substrate processing method in which running cost is low and the apparatus does not increase in size.
【図１】本発明に係る基板処理装置の第１の実施形態の
要部の概略構成を示す模式的断面図である。FIG. 1 is a schematic cross-sectional view showing a schematic configuration of a main part of a first embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention.
【図２】本発明に係る基板処理装置の第２の実施形態の
要部の概略構成を示す模式的断面図である。FIG. 2 is a schematic sectional view showing a schematic configuration of a main part of a second embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention.
Ｗ・・・基板 １・・・ローラコンベア ２・・・剥離処理室 ３・・・室構成体 １０・・・液供給機構 １９、３０・・・ポンプ ２１・・・制御装置 ２９・・・純水供給源 ５０・・・ボンベ ５２・・・吐出部材 ６０・・・第１処理槽 ６２・・・第２処理槽 W ... Substrate 1 ... Roller conveyor 2 ... Peel processing chamber 3 ... Chamber structure 10 ... Liquid supply mechanism 19, 30 ... Pump 21 ... Control device 29 ... Pure Water supply source 50: cylinder 52: discharge member 60: first processing tank 62: second processing tank
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｇ０２Ｆ 1/1333 ５００ Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ (72)発明者 福地 毅 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 (72)発明者 富藤 幸雄 京都市上京区堀川通寺之内上る４丁目天神 北町１番地の１ 大日本スクリーン製造株 式会社内 Ｆターム(参考） 2H088 FA17 FA21 FA30 MA20 2H090 JA06 JB02 JC07 JC19 5F043 AA24 AA25 AA37 BB27 DD02 EE36 GG10 5F046 MA02 MA07 MA10 ──────────────────────────────────────────────────続 き Continued on the front page (51) Int.Cl. 7 Identification code FI Theme coat ゛ (Reference) G02F 1/1333 500 H01L 21/30 572B (72) Inventor Takeshi Fukuchi Go up Horikawa-dori Teranouchi, Kamigyo-ku, Kyoto-shi (72) Inventor Yukio Futo 4-chome Tenjin Kitamachi 1-1-1 Dainippon Screen Manufacturing Co., Ltd. F term (reference) 2H088 FA17 FA21 FA30 MA20 2H090 JA06 JB02 JC07 JC19 5F043 AA24 AA25 AA37 BB27 DD02 EE36 GG10 5F046 MA02 MA07 MA10
Claims (20)
て、その金属薄膜に耐エッチング被膜を選択的に形成し
たのちエッチング処理し、当該基板をさらに処理する基
板処理方法であって、 前記エッチング処理後の基板の表面に剥離液を供給して
前記耐エッチング被膜を除去する工程と、 当該工程に引き続いて、前記基板の表面に二酸化炭素を
含む純水を供給して洗浄する工程と を備えたことを特徴とする基板処理方法。1. A substrate processing method for selectively forming an etching-resistant coating on a metal thin film on a substrate having a metal thin film formed on a surface thereof, etching the metal thin film, and further processing the substrate. Supplying a stripping solution to the surface of the substrate after the etching treatment to remove the etching-resistant coating, and, following the step, cleaning and supplying pure water containing carbon dioxide to the surface of the substrate. A substrate processing method, comprising:
と、 前記金属薄膜の上に感光性被膜を形成する工程と、 前記感光性被膜を固化する工程と、 前記感光性被膜にパターンを露光する工程と、 前記露光した前記感光性被膜を現像する工程と、 前記現像後の前記感光性被膜のパターンに従い前記金属
薄膜をエッチングする工程と、 前記エッチング後の基板に対して剥離液を供給して付着
している前記感光性被膜を除去する工程と、 前記剥離後の基板に対して二酸化炭素を含む純水を供給
して洗浄する工程とを備えたことを特徴とする基板処理
方法。2. A step of forming a metal thin film on a surface of a substrate, a step of forming a photosensitive film on the metal thin film, a step of solidifying the photosensitive film, and exposing a pattern to the photosensitive film. Performing the step of developing the exposed photosensitive film, etching the metal thin film according to the pattern of the developed photosensitive film, and supplying a stripping solution to the etched substrate. A substrate processing method, comprising: a step of removing the photosensitive film adhered to the substrate; and a step of supplying pure water containing carbon dioxide to the substrate after the peeling to wash the substrate.
ム、モリブデン、チタンの少なくともいずれかを含んだ
ものであることを特徴とする請求項１または２記載の基
板処理方法。3. The method according to claim 1, wherein the metal thin film contains at least one of silver, copper, aluminum, molybdenum, and titanium.
だものであることを特徴とする請求項１乃至３のいずれ
かに記載の基板処理方法。4. The substrate processing method according to claim 1, wherein the stripping solution contains at least an amine.
だ有機物であることを特徴とする請求項１乃至３のいず
れかに記載の基板処理方法。5. The substrate processing method according to claim 1, wherein the stripping liquid is an organic substance containing at least an amine.
膜であることを特徴とする請求項１記載の基板処理方
法。6. The method according to claim 1, wherein the etching resistant film is a photoresist film.
ることを特徴とする請求項２記載の基板処理方法。7. The method according to claim 2, wherein the photosensitive film is a photoresist film.
素を溶解した純水であることを特徴とする請求項１乃至
７のいずれかに記載の基板処理方法。8. The substrate processing method according to claim 1, wherein the pure water containing carbon dioxide is pure water in which carbon dioxide is dissolved.
る剥離液供給機構と、 前記剥離液供給機構によって剥離液が供給された基板に
対して、二酸化炭素を含む水を供給する水供給機構と、
を備えたことを特徴とする基板処理装置。9. A support mechanism for supporting a substrate, a release liquid supply mechanism for supplying a release liquid to the substrate supported by the support mechanism, and a substrate for which the release liquid is supplied by the release liquid supply mechanism. A water supply mechanism for supplying water containing carbon dioxide;
A substrate processing apparatus comprising:
エッチング被膜を選択的に形成したのちエッチング処理
した基板をさらに処理するものである請求項９記載の基
板処理装置。10. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein an etching-resistant coating is selectively formed on the metal thin film formed on the surface, and then the etched substrate is further processed.
供給機構は、基板に対して二酸化炭素を含む水を吐出す
るノズルを含むものであることを特徴とする請求項９ま
たは１０記載の基板処理装置。11. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the water supply mechanism for supplying the water containing carbon dioxide includes a nozzle for discharging water containing carbon dioxide to the substrate. .
供給機構は、二酸化炭素を含む水を貯溜した処理槽に基
板を浸漬するものであることを特徴とする請求項９また
は１０記載の基板処理装置。12. The substrate according to claim 9, wherein the water supply mechanism that supplies the water containing carbon dioxide immerses the substrate in a treatment tank storing water containing carbon dioxide. Processing equipment.
干の傾斜姿勢で支持して搬送する搬送機構であることを
特徴とする請求項９乃至１２のいずれかに記載の基板処
理装置。13. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the support mechanism is a transport mechanism that transports the substrate while supporting the substrate in a horizontal or slightly inclined posture.
支持して搬送する搬送機構であることを特徴とする請求
項９乃至１２のいずれかに記載の基板処理装置。14. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the support mechanism is a transfer mechanism that supports and transfers the substrate in a substantially vertical posture.
して搬送する搬送機構であることを特徴とする請求項９
乃至１４のいずれかに記載の基板処理装置。15. The transport mechanism according to claim 9, wherein the support mechanism is a transport mechanism that supports and transports the substrates one by one.
15. The substrate processing apparatus according to any one of claims 14 to 14.
支持して搬送する搬送機構であることを特徴とする請求
項９乃至１４のいずれかに記載の基板処理装置。16. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein said support mechanism is a transfer mechanism that supports and transfers a plurality of substrates at a time.
んだものであることを特徴とする請求項９乃至１６のい
ずれかに記載の基板処理装置。17. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the stripping solution contains at least an amine.
んだ有機物であることを特徴とする請求項９乃至１６の
いずれかに記載の基板処理装置。18. The substrate processing apparatus according to claim 9, wherein the stripping liquid is an organic substance containing at least an amine.
素を溶解した水であることを特徴とする請求項９乃至１
８のいずれかに記載の基板処理装置。19. The method according to claim 9, wherein the water containing carbon dioxide is water in which carbon dioxide is dissolved.
9. The substrate processing apparatus according to any one of 8.
成体をさらに備え、 前記支持機構は前記処理室内に基板を支持するものであ
ることを特徴とする請求項９乃至１９のいずれかに記載
の基板処理装置。20. The apparatus according to claim 9, further comprising a chamber constituting a processing chamber for processing the substrate, wherein the support mechanism supports the substrate in the processing chamber. The substrate processing apparatus according to any one of the preceding claims.
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