JP2009004728A - Substrate processing apparatus - Google Patents

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幸雄 富藤
Kazuto Ozaki
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To more accurately recognize the processing state of a substrate. <P>SOLUTION: This substrate processing apparatus has processing tanks 10A to 10C and is configured so as to perform cleaning processings, while supplying rinse liquid to the surface of the substrate S by shower nozzles 14 in each of the processing tanks 10A to 10C, respectively, while conveying the substrate S in an inclined attitude. A pH-measuring instrument 16 for receiving the rinse liquid flowing down along the surface of the substrate S, before the rinse liquid reaches the bottom in each of the tanks to measure pH of the rinse liquid is provided inside the respective processing tanks 10A to 10C, and a controller 40 controls the amount of supply of the rinse liquid in each of the processing tanks 10A to 10C, on the basis of the result of the measurement by each pH-measurement instrument 16. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、LCD、PDP用ガラス基板および半導体基板等の基板に処理液を供給して各種処理を施す基板処理装置に関するものである。   The present invention relates to a substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a substrate such as an LCD, a glass substrate for PDP, and a semiconductor substrate and performing various processes.

従来、上記のような基板処理装置として、タンクに貯溜された処理液を処理槽に送液してその内部に配置されたノズル部材から基板上に供給する一方で、使用後の処理液を処理槽から前記タンクに回収し、これによって処理液を循環させながら使用するものが知られている。この種の装置として、例えば特許文献1には、処理槽から導出される処理液の汚染(劣化)の状態を測定し、具体的には処理液のpH値を測定し、処理液の汚染度が高い処理開始直後は、導出される処理液を全て廃棄し、汚染度が一定レベル以下まで低下すると処理液を上記タンクに回収するようにしたものが記載されている。
特開平11−238716号公報
Conventionally, as a substrate processing apparatus as described above, the processing liquid stored in the tank is supplied to the processing tank and supplied onto the substrate from the nozzle member disposed therein, while the processing liquid after use is processed. It is known that the tank is recovered from the tank and used while circulating the treatment liquid. As this type of apparatus, for example, in Patent Document 1, the state of contamination (deterioration) of the processing liquid derived from the processing tank is measured, specifically, the pH value of the processing liquid is measured, and the degree of contamination of the processing liquid is measured. However, immediately after the start of the treatment, all of the derived treatment liquid is discarded, and the treatment liquid is collected in the tank when the contamination level falls below a certain level.
Japanese Patent Laid-Open No. 11-238716

従来のこの種の基板処理装置では、基板に対して処理液が定量的に供給されているのが一般的である。例えば、基板を搬送しながら処理を行うものでは、処理液の供給開始および停止は、専ら搬送路等に設けられたセンサによる基板の検知に基づいて行われており、処理中は、一定流量で処理液が基板に供給されている。従って、小サイズの基板等では、必要以上に処理液が供給され、処理液が無駄に消費されているケースもある。   In this type of conventional substrate processing apparatus, the processing liquid is generally supplied quantitatively to the substrate. For example, in the case of performing processing while transporting a substrate, the supply start and stop of the processing liquid is performed based on detection of the substrate by a sensor provided in the transport path or the like. A processing liquid is supplied to the substrate. Therefore, in the case of a small-sized substrate or the like, there is a case where the processing liquid is supplied more than necessary and the processing liquid is wasted.

近年、より経済的に基板の処理を進めるべく、処理液の無駄な消費(供給)を抑えることが求められており、特許文献1のように処理槽から導出される処理液の汚染(劣化)状態を監視して、処理液の供給量を適正化することが考えられる。つまり、処理液の劣化状態と基板の処理状況との間には在る程度相関があるため、処理液の汚染状態から基板の処理状況を推測し、これに基づき処理液の供給量を制御することが考えられる。しかし、上記文献1のように、処理槽から導出される処理液の汚染状態を監視する場合には、基板を経由しない処理液、つまり処理槽の壁面に吹き付けられて当該壁面に付着した余分な汚染成分を含む処理液も監視対象となるため、基板の処理状況を正確に把握する上で充分でない。   In recent years, it has been demanded to suppress wasteful consumption (supply) of a processing liquid in order to proceed with the processing of a substrate more economically. As in Patent Document 1, contamination (deterioration) of a processing liquid derived from a processing tank is required. It is conceivable to monitor the state and optimize the supply amount of the processing liquid. That is, since there is a certain degree of correlation between the deterioration state of the processing liquid and the processing state of the substrate, the processing state of the substrate is estimated from the contamination state of the processing liquid, and the supply amount of the processing liquid is controlled based on this. It is possible. However, when the contamination state of the processing liquid derived from the processing tank is monitored as in the above-mentioned literature 1, the processing liquid that does not pass through the substrate, that is, the excess sprayed on the wall surface of the processing tank and attached to the wall surface. Since the processing liquid containing the contaminating component is also monitored, it is not sufficient for accurately grasping the processing status of the substrate.

本発明は、上記の事情に鑑みてなされたものであって、第1の目的は、基板の処理状況をより正確に把握できるようにすること、第2の目的は、処理液の無駄な消費(供給)を抑えて合理的に基板の処理を行うことを目的とする。   The present invention has been made in view of the above circumstances, and a first object is to make it possible to more accurately grasp the processing status of the substrate, and a second object is to uselessly consume processing liquid. The purpose is to rationally process the substrate while suppressing (supply).

上記課題を解決するために、本発明は、ノズル部材により基板の表面に処理液を供給し、所定の処理を基板に施す処理槽を有する基板処理装置において、前記基板の表面から流下する処理液を、当該処理液が前記処理槽の底部に到達する前に受けて、その劣化状態に関連づけられた所定の物理量を測定する測定手段を備えているものである(請求項1)。   In order to solve the above problems, the present invention provides a processing liquid that flows down from the surface of a substrate in a substrate processing apparatus having a processing tank that supplies a processing liquid to the surface of the substrate by a nozzle member and performs a predetermined processing on the substrate. Is received before the processing liquid reaches the bottom of the processing tank, and is provided with measuring means for measuring a predetermined physical quantity associated with the deterioration state (Claim 1).

このように、基板の表面から流下する処理液を、当該処理液が処理槽の底部に到達する前に直接受けて上記物理量を測定する構成によれば、基板に注がれた処理液だけが測定対象となるため、余分な汚染成分を測定対象から排除することができる。そのため、上記物理量の測定結果に基づき基板の処理状況をより正確に把握することが可能となる。   Thus, according to the configuration in which the processing liquid flowing down from the surface of the substrate is directly received before the processing liquid reaches the bottom of the processing tank and the physical quantity is measured, only the processing liquid poured into the substrate is present. Since it becomes a measuring object, an excess contaminant component can be excluded from a measuring object. Therefore, it becomes possible to grasp the processing status of the substrate more accurately based on the measurement result of the physical quantity.

より具体的に、処理中に前記基板を傾斜姿勢で支持する支持手段を有するものでは、前記測定手段は、前記支持手段に支持された基板の低位側の端縁の下方に配置されている(請求項2)。   More specifically, in the case of having support means for supporting the substrate in an inclined posture during processing, the measurement means is disposed below the lower edge of the substrate supported by the support means ( Claim 2).

例えば、基板を傾斜姿勢で搬送しながらその表面に処理液を供給して処理を行う装置では、上記の構成に従うことで、基板の傾斜に沿って流下する処理液を良好に受けることができ、上記物理量の測定を適切に行うことが可能となる。   For example, in an apparatus that performs processing by supplying a processing liquid to the surface of the substrate while conveying the substrate in an inclined posture, the processing liquid flowing down along the inclination of the substrate can be well received by following the above configuration, It is possible to appropriately measure the physical quantity.

また、前記測定手段は、処理液に接触して前記物理量を測定する測定部と、基板から流下する処理液を受けて前記測定部に案内する案内部とを有するものでもよい(請求項3)。   In addition, the measurement unit may include a measurement unit that measures the physical quantity in contact with a processing liquid, and a guide unit that receives the processing liquid flowing down from the substrate and guides it to the measurement unit. .

このように、基板から流下する処理液を受けて測定部に案内する構成によれば、より確実に処理液を上記測定部に接触させて上記物理量を測定することが可能となる。   As described above, according to the configuration in which the processing liquid flowing down from the substrate is received and guided to the measurement unit, the physical quantity can be measured more reliably by bringing the processing liquid into contact with the measurement unit.

なお、上記の基板処理装置は、前記物理量の測定結果に基づいて基板に供給する処理液の供給量を制御する供給量制御手段を有するのが好適である(請求項4)。例えば前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて処理液の単位時間当たりの供給量を制御するものであるのが好適である(請求項5)。また、供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて基板に対する処理液の供給時間を制御するもの(請求項6)、例えば基板を搬送しながら当該基板に対して処理液を供給する場合には、前記測定結果に基づいて基板の搬送速度を制御するものであるのが好適である(請求項7)。   The substrate processing apparatus preferably includes a supply amount control means for controlling the supply amount of the processing liquid supplied to the substrate based on the measurement result of the physical quantity. For example, it is preferable that the supply amount control means controls the supply amount of the processing liquid per unit time based on the measurement result (claim 5). The supply amount control means controls the supply time of the processing liquid to the substrate based on the measurement result (Claim 6). For example, when supplying the processing liquid to the substrate while transporting the substrate It is preferable that the substrate transport speed is controlled based on the measurement result.

すなわち、処理液の劣化状態と基板の処理状況との間には相関があるため、上記のように、測定手段により上記物理量を測定し、その測定結果に基づいて基板に対する処理液の供給量を制御することで基板の処理状況に見合った適量の処理液を供給することが可能となり、これによって処理液の無駄な消費を抑えることができるようになる。   That is, since there is a correlation between the deterioration state of the processing liquid and the processing state of the substrate, as described above, the physical quantity is measured by the measuring means, and the supply amount of the processing liquid to the substrate is determined based on the measurement result. By controlling, it becomes possible to supply an appropriate amount of the processing liquid corresponding to the processing state of the substrate, thereby suppressing wasteful consumption of the processing liquid.

なお、基板の処理状況は、使用前後の処理液の劣化状態を比較することでより正確に把握することが可能となる。そのため、上記の装置は、前記測定手段を第1測定手段としたときに、これとは別に、基板に供給される前の処理液に関する前記物理量を測定する第2測定手段をさらに備え、前記供給量制御手段は、これら第1,第2測定手段による測定結果の差に基づき前記供給量を制御するものであるのが好適である(請求項8)。   In addition, it becomes possible to grasp | ascertain the processing condition of a board | substrate more correctly by comparing the deterioration state of the processing liquid before and behind use. Therefore, when the measurement unit is the first measurement unit, the apparatus further includes a second measurement unit that measures the physical quantity related to the processing liquid before being supplied to the substrate. It is preferable that the amount control means controls the supply amount based on the difference between the measurement results obtained by the first and second measurement means (claim 8).

また、上記基板処理装置においては、前記処理槽での処理に用いた処理液であって使用後に回収された処理液を再度前記処理槽での処理に用いる処理液の循環系統と、当該循環系統内を循環する処理液のうち使用後に回収される処理液を当該循環系統から排液する排液手段と、当該循環系統内に新たな処理液を導入する新液導入手段と、前記測定手段による測定結果に基づいて前記排液手段および新液導入手段を制御することにより前記循環系統内の処理液の入替えを行う入替制御手段と、を有するものであってもよい(請求項9)。   Further, in the substrate processing apparatus, a processing liquid used for processing in the processing tank, and a processing liquid recovered after use for processing in the processing tank is used again for processing in the processing tank, and the circulation system A draining means for draining the processing liquid recovered after use from the processing liquid circulating in the interior from the circulation system, a new liquid introducing means for introducing a new processing liquid into the circulation system, and the measurement means. And a replacement control means for replacing the processing liquid in the circulation system by controlling the drainage means and the new liquid introduction means based on the measurement result (claim 9).

このような構成によれば、処理槽に対して処理液を循環させる基板処理装置において、前記物理量の測定に基づき処理液の浪費を有効に抑えることができるとともに、処理液の液質を良好に保って基板の処理の促進を図ることができる。   According to such a configuration, in the substrate processing apparatus for circulating the processing liquid to the processing tank, waste of the processing liquid can be effectively suppressed based on the measurement of the physical quantity, and the quality of the processing liquid is improved. Thus, the processing of the substrate can be promoted.

また、前記処理槽として、第1処理槽とこの第1処理槽で処理を終えた基板に前記第1処理槽と同一種類の処理液を用いて基板を処理する第2処理槽とを備えるとともに、前記第2処理槽での処理に用いた処理液であって使用後に回収される処理液を前記第1処理槽での処理に用いる処理液の供給系統を有するものでは、前記第1処理槽に前記測定手段が配備され、前記制御手段は、前記測定結果に基づいて第1処理槽での基板に対する処理液の供給量および第2処理槽での基板に対する処理液の供給量の少なくとも一方を制御するように構成されるものであってもよい(請求項10)。   In addition, the processing tank includes a first processing tank and a second processing tank that processes the substrate on the substrate that has been processed in the first processing tank using the same type of processing liquid as the first processing tank. The first processing tank is a processing liquid used for processing in the second processing tank, and has a processing liquid supply system used for processing in the first processing tank. The measurement means is provided, and the control means determines at least one of a supply amount of the treatment liquid to the substrate in the first treatment tank and a supply amount of the treatment liquid to the substrate in the second treatment tank based on the measurement result. It may be configured to control (claim 10).

このような構成によれば、処理槽同士がいわゆるカスケード接続された装置において、処理液の浪費をトータル的に抑えることが可能となる。   According to such a configuration, waste of processing liquid can be suppressed in a total in an apparatus in which processing tanks are connected in a so-called cascade connection.

請求項1〜3に係る発明によると、余分な汚染成分が測定対象から排除されるので、これによって基板の処理状況を正確に把握することが可能となる。請求項4〜9に係る発明によると、基板の処理状況に応じて基板に対する処理液の供給量が制御されるので、無駄な処理液の消費を抑えて、経済的に基板を処理できるようになる。   According to the first to third aspects of the present invention, since excess contaminant components are excluded from the measurement target, it becomes possible to accurately grasp the processing status of the substrate. According to the inventions according to claims 4 to 9, since the supply amount of the processing liquid to the substrate is controlled according to the processing state of the substrate, it is possible to process the substrate economically while suppressing wasteful processing liquid consumption. Become.

本発明の好ましい実施の形態について図面を用いて説明する。   A preferred embodiment of the present invention will be described with reference to the drawings.

図1は本発明に係る基板処理装置を模式図で概略的に示している。同図に示す基板処理装置は、例えばエッチング処理(薬液処理)後の基板に対して洗浄処理を施すものである。   FIG. 1 schematically shows a substrate processing apparatus according to the present invention in a schematic view. The substrate processing apparatus shown in the figure performs, for example, a cleaning process on a substrate after an etching process (chemical solution process).

同図に示すように、この基板処理装置は、第1〜第3の連続する三つの処理槽10(第1処理槽10A,第2処理槽10B,第3処理槽10C)を有している。各処理槽10A〜10Cには、それぞれ複数の搬送ローラ12が所定間隔で配備されており、基板Sがこれら搬送ローラ12により支持された状態で、図中左側から右側に向かって搬送される構成となっている。なお、各搬送ローラ12は、図2に示すように、基板Sの搬送方向と直交する方向に傾斜して設けられており、これにより基板Sを水平面に対して所定角度θだけ傾斜させた状態で搬送するようになっている。   As shown in the figure, this substrate processing apparatus has first to third consecutive three processing tanks 10 (first processing tank 10A, second processing tank 10B, and third processing tank 10C). . In each of the processing tanks 10 </ b> A to 10 </ b> C, a plurality of transport rollers 12 are provided at predetermined intervals, and the substrate S is transported from the left side to the right side in the figure while being supported by the transport rollers 12. It has become. In addition, as shown in FIG. 2, each conveyance roller 12 is inclined and provided in the direction orthogonal to the conveyance direction of the board | substrate S, and the state which inclined the board | substrate S by predetermined angle (theta) with respect to the horizontal surface by this It is designed to be transported by.

各処理槽10A〜10Cには、基板Sに対してその上方からリンス液(当実施形態では純水)を供給するためのシャワーノズル14(本発明に係るノズル部材に相当する)がそれぞれ配備されており、第3処理槽10Cについては、基板Sの上下両側からリンス液を供給するようにシャワーノズル14が配備されている。シャワーノズル14は、点在する複数のノズル口を有しており、各ノズル口からそれぞれ液滴状のリンス液を吐出して基板Sに吹き付ける構成となっている。   In each of the treatment tanks 10A to 10C, a shower nozzle 14 (corresponding to a nozzle member according to the present invention) for supplying a rinse liquid (pure water in this embodiment) to the substrate S from above is provided. In the third treatment tank 10C, the shower nozzle 14 is provided so as to supply the rinsing liquid from both the upper and lower sides of the substrate S. The shower nozzle 14 has a plurality of scattered nozzle openings, and is configured to discharge droplet-like rinse liquid from each nozzle opening and spray it onto the substrate S.

各処理槽10A〜10Cに対するリンス液の供給系統等は次のように構成されている。   The rinsing liquid supply system for each of the treatment tanks 10A to 10C is configured as follows.

各処理槽10A,10B,10Cにはそれぞれ、リンス液を貯溜するためのタンク20A,20B,20C(第1タンク20A,第2タンク20B,第3タンク20C)が設けられている。各タンク20A〜20Cには、それぞれポンプ23およびバルブ22aを備えた供給用配管22が設け設けられており、ポンプ23の作動により、各タンク20A〜20Cから、それぞれ対応する処理槽10A〜10Cに対してリンス液を送液し、使用後のリンス液を、各処理槽10A〜10Cにそれぞれ接続された導出管24A〜24Cを通じて導出するようになっている。また、各タンク20A〜20Cには、それぞれバルブ26aを備えたリンス液の廃液管26が設けられており、メンテナンスの際には、バルブ26aの操作により、各タンク20A〜20C内のリンス液を図外の廃液タンクに導出し得るようになっている。   The treatment tanks 10A, 10B, and 10C are provided with tanks 20A, 20B, and 20C (first tank 20A, second tank 20B, and third tank 20C) for storing the rinse liquid, respectively. Each of the tanks 20A to 20C is provided with a supply pipe 22 provided with a pump 23 and a valve 22a. By the operation of the pump 23, the tanks 20A to 20C are respectively transferred to the corresponding processing tanks 10A to 10C. On the other hand, the rinse liquid is fed, and the rinse liquid after use is led out through lead-out pipes 24A to 24C connected to the treatment tanks 10A to 10C, respectively. Each tank 20A-20C is provided with a waste liquid waste pipe 26 provided with a valve 26a. During maintenance, the rinse liquid in each tank 20A-20C is removed by operating the valve 26a. It can be led to a waste liquid tank outside the figure.

各処理槽10A〜10Cに設けられる上記導出管24A〜24Cのうち、第3処理槽10Cの導出管24Cは、第2処理槽10Bの第2タンク20Bに接続されており、第2処理槽10Bの導出管24Bは、第1処理槽10Aの第1タンク20Aに接続されている。また、第1処理槽10Aの導出管24Aは、図外の廃液タンクに接続されている。第3タンク20Cには、さらに新液供給管28が接続されており、当該新液供給管28に介設されるバルブ28aの操作に応じてリンス液供給源30から第3タンク20Cに新規リンス液が導入される構成となっている。つまり、この基板処理装置では、リンス液供給源30から第3タンク20Cに新規リンス液を導入しつつこのリンス液を第3処理槽10Cに送液し、第3処理槽10Cから導出される使用後のリンス液を上流側の第2タンク20Bに導入する。そして、この第2タンク20Bのリンス液を第2処理槽10Bに送液し、この第2処理槽10Bで使用されたリンス液をさらに上流側の第1タンク20Aに導入し、第1タンク20Aのリンス液を第1処理槽10Aに送液した後、第1処理槽10Aから導出されるリンス液を図外の廃液タンクに導入するようになっている。要するに、下流側の処理槽で使用されたリンス液を順次上流側に繰り上げながら上流側の処理槽で使用するようにリンス液の供給系統が構成されている、換言すれば処理槽10A〜10Cが当該供給系統を介してカスケード接続されている。   Of the outlet pipes 24A to 24C provided in the processing tanks 10A to 10C, the outlet pipe 24C of the third processing tank 10C is connected to the second tank 20B of the second processing tank 10B, and the second processing tank 10B. The lead-out pipe 24B is connected to the first tank 20A of the first treatment tank 10A. The outlet pipe 24A of the first treatment tank 10A is connected to a waste liquid tank not shown. A new liquid supply pipe 28 is further connected to the third tank 20C, and a new rinse is supplied from the rinse liquid supply source 30 to the third tank 20C in accordance with the operation of the valve 28a interposed in the new liquid supply pipe 28. The liquid is introduced. That is, in this substrate processing apparatus, the new rinsing liquid is introduced from the rinsing liquid supply source 30 to the third tank 20C, and this rinsing liquid is supplied to the third processing tank 10C and is used from the third processing tank 10C. The subsequent rinse liquid is introduced into the second tank 20B on the upstream side. Then, the rinsing liquid in the second tank 20B is sent to the second processing tank 10B, and the rinsing liquid used in the second processing tank 10B is further introduced into the first tank 20A on the upstream side, and the first tank 20A After the rinsing liquid is fed to the first processing tank 10A, the rinsing liquid derived from the first processing tank 10A is introduced into a waste liquid tank (not shown). In short, the rinsing liquid supply system is configured to use the rinsing liquid used in the downstream processing tank in the upstream processing tank while sequentially raising the rinsing liquid to the upstream side, in other words, the processing tanks 10A to 10C are Cascade connection is established via the supply system.

なお、以下の説明においてタンク20A〜20Cについて「上流側」「下流側」というときには基板Sの搬送方向に対応するものとする。   In the following description, when the tanks 20A to 20C are referred to as “upstream side” and “downstream side”, they correspond to the transport direction of the substrate S.

上記処理槽10A〜10Cおよびタンク20A〜20Cには、それぞれリンス液の劣化状態に関連づけられた所定の物理量を測定するための測定手段が設けられている。   The processing tanks 10A to 10C and the tanks 20A to 20C are provided with measuring means for measuring predetermined physical quantities associated with the deterioration state of the rinse liquid, respectively.

具体的には、各処理槽10A〜10Cには、基板Sの処理中、当該基板Sに沿って流下するリンス液を直接受けて、すなわち、基板Sから流下するリンス液が槽内の底部に達する前に受けてそのpH値を測定するpH測定装置16(第1pH測定装置16という)が設けられる一方、各タンク20A〜20Cに、それぞれ当該タンク20A〜20C内のリンス液のpH値を測定する第2pH測定装置36が設けられている。   Specifically, each of the processing tanks 10A to 10C directly receives the rinsing liquid flowing down along the substrate S during the processing of the substrate S, that is, the rinsing liquid flowing down from the substrate S reaches the bottom of the tank. A pH measuring device 16 (referred to as a first pH measuring device 16) that receives and measures the pH value before reaching is provided, while each tank 20A-20C measures the pH value of the rinsing liquid in the tank 20A-20C, respectively. A second pH measuring device 36 is provided.

第1pH測定装置16は、図1に示すように、処理槽10A〜10C内の略中央(基板搬送方向における略中央)であって、図2に示すように、搬送ローラ12によって傾斜姿勢で支持された基板Sの低位側の端部下方に配置されている。この第1pH測定装置16は、同図に示すように、漏斗状の液受け部17(本発明に係る案内部に相当する)と、この液受け部17の下方に設けられる、計測ヘッドを備えたpH計本体18(本発明に係る測定部に相当する)とを具備しており、基板Sに沿って流下するリンス液を液受け部17で受けてpH計本体18に案内することによりリンス液のpH値を測定し、その測定結果に対応した信号を後記コントローラ40に出力するように構成されている。   As shown in FIG. 1, the first pH measuring device 16 is substantially in the center (substantially the center in the substrate transport direction) in the processing tanks 10 </ b> A to 10 </ b> C, and is supported in an inclined posture by the transport roller 12 as illustrated in FIG. 2. The substrate S is disposed below the lower end of the substrate S. The first pH measuring device 16 includes a funnel-shaped liquid receiving portion 17 (corresponding to a guide portion according to the present invention) and a measurement head provided below the liquid receiving portion 17 as shown in FIG. The pH meter main body 18 (corresponding to the measuring unit according to the present invention) is provided, and the rinse liquid flowing down along the substrate S is received by the liquid receiving unit 17 and guided to the pH meter main body 18 for rinsing. The pH value of the liquid is measured, and a signal corresponding to the measurement result is output to the controller 40 described later.

一方、第2pH測定装置36は、詳しく図示していないが、各タンク20A〜20Cの内部の所定位置に計測ヘッドを有し、この計測ヘッドにより、各タンク20A〜20C内に貯溜されるリンス液のpH値を測定して、その測定結果に対応した信号を後記コントローラ40に出力するように構成されている。   On the other hand, although not shown in detail, the second pH measuring device 36 has a measuring head at a predetermined position inside each of the tanks 20A to 20C, and the rinsing liquid stored in each of the tanks 20A to 20C by this measuring head. The pH value is measured, and a signal corresponding to the measurement result is output to the controller 40 described later.

なお、この基板処理装置は、基板Sの一連の洗浄動作を制御するコントローラ40(本発明に係る供給量制御手段に相当する)を有している。このコントローラ40は、論理演算を実行するCPU等を主な要素として構成されており、搬送ローラ12を駆動するモータ、前記ポンプ23、バルブ22a,26a,28a、およびpH測定装置16,36等は全てこのコントローラ40に電気的に接続されている。そして、前記pH測定装置16,36による測定結果に基づき前記バルブ22a等がこのコントローラ40により開閉制御される構成となっている。以下、このコントローラ40の制御に基づく基板Sの洗浄動作の一例について説明する。   The substrate processing apparatus includes a controller 40 (corresponding to a supply amount control unit according to the present invention) that controls a series of cleaning operations of the substrate S. The controller 40 is composed mainly of a CPU or the like that executes a logical operation. The motor that drives the transport roller 12, the pump 23, the valves 22a, 26a, and 28a, the pH measuring devices 16 and 36, and the like. All are electrically connected to the controller 40. The valve 22a and the like are controlled to be opened and closed by the controller 40 based on the measurement results by the pH measuring devices 16 and 36. Hereinafter, an example of the cleaning operation of the substrate S based on the control of the controller 40 will be described.

基板Sの処理を開始する準備段階として、各タンク20A〜20Cに一定量の新液(新規リンス液)が貯溜される。新液の貯溜は、新液供給管28を通じてリンス液供給源30から第3タンク20Cに新液が導入され、この新液が図外の送液管を通じて上流側のタンク20A,20Bに送液されることにより行われる。   As a preparation stage for starting the processing of the substrate S, a certain amount of new liquid (new rinse liquid) is stored in each of the tanks 20A to 20C. In the storage of the new liquid, the new liquid is introduced into the third tank 20C from the rinsing liquid supply source 30 through the new liquid supply pipe 28, and this new liquid is supplied to the upstream tanks 20A and 20B through the liquid supply pipe not shown. Is done.

各タンク20A〜20Cの準備が完了すると搬送ローラ12が駆動されて基板Sの搬送が開始され、上流側から薬液処理終了後の基板Sが傾斜姿勢で搬送されてくる。そして、第1処理槽10Aの直ぐ上流側に配置される図外の基板(先端)センサにより基板Sの先端が検出されると、第1処理槽10A内のシャワーノズル14からリンス液が吐出され、基板Sに対するリンス液の供給が開始される。これにより基板Sが第1処理槽10A内に搬入されると、シャワーノズル14から基板Sの上面にリンス液が供給されて所定の洗浄処理が基板Sに施されることとなる。なお、洗浄処理中、基板Sの上面から流下するリンス液の一部は、pH測定装置16の液受け部17に流れ込むこととなり(図2参照)、これにより基板Sの処理に供された使用後のリンス液のpH値が測定される。   When the preparation of each of the tanks 20A to 20C is completed, the transport roller 12 is driven to start transport of the substrate S, and the substrate S after the chemical solution processing is transported in an inclined posture from the upstream side. And if the front-end | tip of the board | substrate S is detected by the board | substrate (tip) sensor outside a figure arrange | positioned immediately upstream of 10 A of 1st process tanks, the rinse liquid will be discharged from the shower nozzle 14 in 10 A of 1st process tanks. Then, the supply of the rinse liquid to the substrate S is started. Thus, when the substrate S is carried into the first processing tank 10A, the rinse liquid is supplied from the shower nozzle 14 to the upper surface of the substrate S, and a predetermined cleaning process is performed on the substrate S. During the cleaning process, a part of the rinsing liquid flowing down from the upper surface of the substrate S flows into the liquid receiving part 17 of the pH measuring device 16 (see FIG. 2), whereby the use provided for the processing of the substrate S is performed. The pH value of the subsequent rinse solution is measured.

そして、基板Sがさらに搬送され、第1処理槽10A内の下流端近傍に配置される図外の基板(後端)センサにより基板Sの後端が検知されると、シャワーノズル14からのリンス液の供給が停止される。   When the rear end of the substrate S is detected by a substrate (rear end) sensor (not shown) disposed near the downstream end in the first processing tank 10A when the substrate S is further conveyed, the rinse from the shower nozzle 14 is performed. The liquid supply is stopped.

第1処理槽10Aを通過した基板Sは、さらに搬送ローラ12の駆動により第2処理槽10B、第3処理槽10Cへと順次搬送され、これら各処理槽10B,10Cにおいてその上面にリンス液が供給されることにより同様に洗浄処理が施される。その際、各処理槽10B,10Cにおいても、1処理槽10Aと同様に、処理中は、基板Sから流下するリンス液のpH値がpH測定装置16によって測定されることとなる。   The substrate S that has passed through the first processing tank 10A is further transported sequentially to the second processing tank 10B and the third processing tank 10C by driving the transport roller 12, and the rinse liquid is applied to the upper surface of each of the processing tanks 10B and 10C. By being supplied, a cleaning process is similarly performed. At that time, the pH value of the rinsing liquid flowing down from the substrate S is measured by the pH measuring device 16 during the processing in each of the processing tanks 10B and 10C as well as the one processing tank 10A.

こうして基板Sが各処理槽10A〜10Cを通過すると、当該基板Sに対する一連の洗浄処理が終了する。説明を省略しているが、第2、第3の各処理槽10B,10Cについても、処理槽10B,10Cの直ぐ上流側に配置される基板(先端)センサ、および各処理槽10B,10C内の下流端近傍に配置される基板(後端)センサによる基板Sの検知に基づき、リンス液の供給開始および停止が制御されるようになっている。   When the substrate S thus passes through the processing tanks 10A to 10C, a series of cleaning processes for the substrate S is completed. Although the explanation is omitted, the second and third processing tanks 10B and 10C also have a substrate (tip) sensor disposed immediately upstream of the processing tanks 10B and 10C, and the processing tanks 10B and 10C. The supply start and stop of the rinsing liquid are controlled based on detection of the substrate S by the substrate (rear end) sensor disposed in the vicinity of the downstream end.

なお、このような基板Sの洗浄処理においては、各処理槽10A〜10Cにおける基板Sに対するリンス液の供給量が上記pH測定装置16の測定結果に基づき次のように制御される。すなわち、エッチング処理(薬液処理)後の基板Sに対して洗浄処理(リンス液として純水を用いる洗浄処理)を施す上記装置では、洗浄処理中、基板Sの洗浄に供された使用後のリンス液のpH値が処理の進行に伴い変化する。具体的には、処理開始直後はリンス液のpH値が高く、処理の進行に伴いpH値が低下する。そのため、上記コントローラ40には、基準洗浄レベルに対応したpH値(基準値という)が、処理槽10A〜10C毎に予め記憶されており、各処理槽10A〜10Cにおける測定pH値(例えば所定時間の平均値)と上記基準値との差が演算され、その結果に基づき各処理槽10A〜10Cにおける基板Sに対するリンス液の供給量が制御されるようになっている。具体的には、測定pH値が基準値に対して一定レベル以上高い場合、つまり基板Sの洗浄が充分に進行していない場合には、単位時間当たりのリンス液の供給量が所定流量だけ増加するようにバルブ22aの開度等が制御される。逆に、pHの測定値が基準値に対して一定レベル以上低い場合、つまり基板Sの洗浄が予定以上に進んでいる場合には、リンス液の単位時間当たりの供給量が所定流量だけ減少するようにバルブ22aの開度等が制御されるようになっている。このような基板Sに対するリンス液の供給量の制御は、一定のサイクルで、あるいはオペレータによる入力操作に従って実行される。なお、前記ポンプ23が、例えばインバータモータにより駆動するポンプである場合には、上記バルブ22aの開度を制御する代わりに、又は当該開度の制御と併せて、前記モータの回転数を変化させることによってシャワーノズル14へ供給されるリンス液の流量が制御される。   In such a cleaning process of the substrate S, the supply amount of the rinse liquid to the substrate S in each of the processing tanks 10A to 10C is controlled as follows based on the measurement result of the pH measuring device 16. That is, in the above apparatus for performing the cleaning process (cleaning process using pure water as a rinsing liquid) on the substrate S after the etching process (chemical solution process), the rinse after use provided for cleaning the substrate S during the cleaning process. The pH value of the liquid changes as the treatment proceeds. Specifically, the pH value of the rinse liquid is high immediately after the start of the treatment, and the pH value decreases as the treatment proceeds. Therefore, the controller 40 stores a pH value (referred to as a reference value) corresponding to the reference cleaning level in advance for each of the processing tanks 10A to 10C, and a measured pH value (for example, a predetermined time) in each of the processing tanks 10A to 10C. The difference between the average value) and the reference value is calculated, and based on the result, the supply amount of the rinsing liquid to the substrate S in each of the processing tanks 10A to 10C is controlled. Specifically, when the measured pH value is higher than a reference level by a certain level, that is, when the cleaning of the substrate S is not sufficiently advanced, the supply amount of the rinsing liquid per unit time is increased by a predetermined flow rate. Thus, the opening degree of the valve 22a is controlled. On the contrary, when the measured value of pH is lower than the reference value by a certain level or more, that is, when the cleaning of the substrate S is proceeding more than planned, the supply amount of the rinsing liquid per unit time decreases by a predetermined flow rate. Thus, the opening degree of the valve 22a and the like are controlled. Such control of the supply amount of the rinsing liquid to the substrate S is executed in a constant cycle or according to an input operation by the operator. When the pump 23 is a pump driven by an inverter motor, for example, the rotational speed of the motor is changed instead of controlling the opening degree of the valve 22a or in combination with the opening degree control. Thereby, the flow rate of the rinse liquid supplied to the shower nozzle 14 is controlled.

他方、基板Sの洗浄処理中、各タンク20A〜20C内のリンス液のpH値は、第2pH測定装置36により測定されている。コントローラ40には、上記流量制御用の基準値とは別に、タンク20A〜20C毎に、液管理用のpH値の基準値が予め記憶されており、何れかのタンク20A〜20Cにおいて測定pH値が基準値を超えると、つまり、各タンク20A〜20C内のリンス液が一定レベル以上まで劣化すると、当該タンク20A〜20C内のリンス液の一部が廃液管26を通じて廃棄される、あるいは図外の送液管を通じて上流側のタンクに送液される一方、当該タンクに対して下流側のタンクから汚れの少ないリンス液が送液管を通じて送液され、これによってリンス液の機能回復が図られる。   On the other hand, during the cleaning process of the substrate S, the pH value of the rinse liquid in each of the tanks 20 </ b> A to 20 </ b> C is measured by the second pH measuring device 36. In addition to the reference value for flow rate control, the controller 40 stores a reference value for the pH value for liquid management in advance for each of the tanks 20A to 20C, and the measured pH value in any of the tanks 20A to 20C. Exceeds the reference value, that is, when the rinsing liquid in each of the tanks 20A to 20C deteriorates to a certain level or more, a part of the rinsing liquid in the tanks 20A to 20C is discarded through the waste liquid pipe 26, or not shown. While the liquid is supplied to the upstream tank through the liquid supply pipe, the rinsing liquid with less dirt is sent from the downstream tank to the tank through the liquid supply pipe, and thereby the function of the rinse liquid is recovered. .

以上のように、上記実施形態の基板処理装置では、基板Sの処理状況と相関のある使用後のリンス液のpH値をpH測定装置16で測定し、その測定値から基板Sの洗浄が充分に進行していないと判断される場合(測定pH値が基準値に対して一定レベル以上高い場合)には、基板Sに対するリンス液の供給量を増量補正し、逆に、基板Sの洗浄が予定以上に進んでいると判断される場合(測定pH値が基準値に対して一定レベル以上低い場合)には、基板Sに対するリンス液の供給量を減量補正する構成となっているので、基板Sの処理状況に応じて、必要充分なリンス液を基板Sに供給しながら洗浄処理を行うことができる。従って、リンス液の無駄な消費を抑えて、経済的に基板Sを処理できるようになる。   As described above, in the substrate processing apparatus of the above embodiment, the pH value of the rinse liquid after use having a correlation with the processing state of the substrate S is measured by the pH measuring apparatus 16, and the substrate S is sufficiently cleaned from the measured value. If the measured pH value is higher than the reference value by a certain level or more, the supply amount of the rinsing liquid to the substrate S is corrected to increase, and conversely, the cleaning of the substrate S is performed. When it is determined that the progress is higher than planned (when the measured pH value is lower than a reference level by a certain level or more), the supply amount of the rinsing liquid to the substrate S is corrected to decrease. The cleaning process can be performed while supplying a necessary and sufficient rinse liquid to the substrate S according to the processing state of S. Therefore, wasteful consumption of the rinsing liquid can be suppressed and the substrate S can be processed economically.

特に、この装置では、上述の通り、基板Sから流下するリンス液をpH測定装置16で直接受けてそのpH値を測定するため、基板Sに対するリンス液の供給量を、実際の基板Sの処理状況に対応して正確に制御することができるという利点がある。すなわち、別の方法として、導出管24A〜24Bを通じて各処理槽10A〜10Cから導出されるリンス液のpH値を測定することも考えられるが、この場合には、基板Sに注がれることなく処理槽10A〜10Cの内底部等に落下し、当該内底部等に付着した余分な汚染成分を含んだリンス液もpH値の測定対象となる。従って、測定結果が実際の基板Sの処理状況に対応した値とならず、リンス液の供給量の制御を、基板Sの処理状況に応じて正確に行うことが困難となるが、これに対して、上記実施形態の構成によれば、実際に基板Sに注がれて処理に供されたリンス液だけがpH値の測定対象となるため測定値の信頼性が高く、従って、基板Sに対するリンス液の供給量を、実際の基板Sの処理状況に対応して正確に制御することが可能となる。   In particular, in this apparatus, as described above, the rinsing liquid flowing down from the substrate S is directly received by the pH measuring device 16 and the pH value thereof is measured. There is an advantage that it can be accurately controlled according to the situation. That is, as another method, it is conceivable to measure the pH value of the rinsing liquid derived from each of the treatment tanks 10A to 10C through the outlet tubes 24A to 24B. In this case, the substrate S is not poured. A rinse solution containing excess contaminating components that fall to the inner bottoms of the treatment tanks 10A to 10C and adhere to the inner bottoms is also a measurement target of the pH value. Therefore, the measurement result does not become a value corresponding to the actual processing state of the substrate S, and it becomes difficult to accurately control the supply amount of the rinsing liquid according to the processing state of the substrate S. Thus, according to the configuration of the above-described embodiment, only the rinsing liquid that is actually poured into the substrate S and subjected to the processing becomes the measurement object of the pH value, so the reliability of the measurement value is high. The supply amount of the rinsing liquid can be accurately controlled according to the actual processing state of the substrate S.

次に、本発明の第2の実施形態について図3を用いて説明する。   Next, a second embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図3は第2の実施形態に係る基板処理装置を模式図で概略的に示している。同図に示す基板処理装置は、以下の点で、第1の実施形態の基板処理装置と構成が相違しており、これ以外の構成は、基本的には第1の実施形態と共通している。従って、第1の実施形態と共通する部分については、同一符号を付して説明を省略し、相違点についてのみ詳しく説明する(この点は、後述する第3の実施形態についても同じである)。   FIG. 3 schematically shows a substrate processing apparatus according to the second embodiment in a schematic view. The substrate processing apparatus shown in the figure is different from the substrate processing apparatus of the first embodiment in the following points, and other configurations are basically the same as those of the first embodiment. Yes. Accordingly, portions common to the first embodiment are denoted by the same reference numerals, description thereof is omitted, and only differences will be described in detail (this also applies to a third embodiment described later). .

まず、この装置では、各処理槽10A〜10Cで使用したリンス液を、各処理槽10A〜10Cにそれぞれ対応するタンク20A〜20Cに戻すように導出管24A〜24Cが設けられている。これによって、例えば第1処理槽10Aであれば、第1タンク20Aのリンス液を第1処理槽10Aに送液して基板Sに供給しながら、使用後のリンス液を第1処理槽10Aから第1タンク20Aに回収するという具合に、第1処理槽10Aと第1タンク20Aとの間でリンス液を循環させながら基板Sの洗浄処理を行うようにリンス液の供給系統が構成されている。第2処理槽10B、第3処理槽10Cについても同様である。   First, in this apparatus, outlet pipes 24A to 24C are provided so as to return the rinsing liquid used in the processing tanks 10A to 10C to the tanks 20A to 20C corresponding to the processing tanks 10A to 10C, respectively. Thus, for example, in the case of the first processing tank 10A, the rinsing liquid in the first tank 20A is fed to the first processing tank 10A and supplied to the substrate S, and the used rinsing liquid is supplied from the first processing tank 10A. The rinsing liquid supply system is configured to perform the cleaning process of the substrate S while circulating the rinsing liquid between the first processing tank 10A and the first tank 20A so that the substrate S is collected in the first tank 20A. . The same applies to the second treatment tank 10B and the third treatment tank 10C.

また、第3タンク20Cと第2タンク20Bとの間に、第3タンク20C内のリンス液を第2タンク20Bに送液するための、ポンプ32aを備えた第1送液管32が設けられ、さらに第2タンク20Bと第1タンク20Aとの間に、第2タンク20B内のリンス液を第1タンク20Aに送液するための、ポンプ34aを備えた第2送液管34が設けられている。これにより下流側のタンクから順次上流側のタンクに対してリンス液を送液可能な構成となっている。   In addition, a first liquid supply pipe 32 having a pump 32a for supplying the rinse liquid in the third tank 20C to the second tank 20B is provided between the third tank 20C and the second tank 20B. Furthermore, a second liquid supply pipe 34 having a pump 34a for supplying the rinse liquid in the second tank 20B to the first tank 20A is provided between the second tank 20B and the first tank 20A. ing. Thus, the rinsing liquid can be sequentially fed from the downstream tank to the upstream tank.

すなわち、第2の実施形態の基板処理装置では、リンス液供給源30から第3タンク20Cに新規リンス液を導入しつつ、このリンス液を、前記送液管32,34を介して上流側のタンク20A,20Bに順次送液することにより各タンク20A〜20Cにリンス液を貯溜した上で、上記のように各処理槽10A〜10Cと、それぞれ対応するタンク20A〜20Cとの間でリンス液を循環させながら基板Sの洗浄処理を行い、必要に応じて第1タンク20Aのリンス液を、廃液管26を通じて廃液しつつ、下流側のタンク20B,20Cのリンス液を、送液管32,34を通じて順次上流側に送液する構成となっている。   That is, in the substrate processing apparatus of the second embodiment, a new rinsing liquid is introduced from the rinsing liquid supply source 30 to the third tank 20C, and this rinsing liquid is supplied to the upstream side via the liquid supply pipes 32 and 34. The rinsing liquid is stored in each of the tanks 20A to 20C by sequentially feeding the liquid to the tanks 20A and 20B, and then the rinsing liquid between the processing tanks 10A to 10C and the corresponding tanks 20A to 20C as described above. The substrate S is cleaned while circulating, and if necessary, the rinse liquid in the first tank 20A is discarded through the waste liquid pipe 26, and the rinse liquid in the downstream tanks 20B and 20C is supplied to the liquid supply pipe 32, The liquid is sequentially sent to the upstream side through 34.

この第2の実施形態の基板処理装置では、pH測定装置16,36による測定結果に基づき、前記バルブ22a等が前記コントローラ40により以下のように制御される。   In the substrate processing apparatus of the second embodiment, the valve 22a and the like are controlled by the controller 40 as follows based on the measurement results by the pH measuring devices 16 and 36.

上記コントローラ40には、各処理槽10A〜10Cの基準洗浄レベルに対応したpH値として、それぞれ使用前のリンス液のpH値と使用後のリンス液のpH値との差に対する基準値、つまり第2pH測定装置36(本発明に係る第2測定手段に相当する)の測定値と第1pH測定装置16(本発明に係る第1測定手段に相当する)の測定値との差に対する基準値が記憶されている。そして、洗浄処理中は、一定のサイクルで、あるいはオペレータによる入力操作に基づいて、処理槽10A〜10C毎に、使用前、使用後のリンス液のpH値の差が演算され、その結果に基づき各処理槽10A〜10Cにおける基板Sに対するリンス液の供給量が制御される。なお、「使用前」、「使用後」とは、各処理槽10A〜10Cでのリンス液の「使用前」、「使用後」を意味する。   The controller 40 has a reference value for the difference between the pH value of the rinsing liquid before use and the pH value of the rinsing liquid after use, that is, the pH value corresponding to the reference cleaning level of each of the treatment tanks 10A to 10C. The reference value for the difference between the measured value of the 2 pH measuring device 36 (corresponding to the second measuring means according to the present invention) and the measured value of the first pH measuring device 16 (corresponding to the first measuring means according to the present invention) is stored. Has been. During the cleaning process, the difference in the pH value of the rinsing liquid before and after use is calculated for each of the treatment tanks 10A to 10C in a certain cycle or based on an input operation by the operator. The supply amount of the rinsing liquid to the substrate S in each of the treatment tanks 10A to 10C is controlled. “Before use” and “after use” mean “before use” and “after use” of the rinse liquid in each of the treatment tanks 10A to 10C.

例えば、第1処理槽10Aを例に説明すると、pH測定装置16により測定されるリンス液(使用後のリンス液)のpH値と、第2pH測定装置36により測定される第1タンク20A内のリンス液(使用前のリンス液)のpH値との差が演算され、その値が上記基準値に対して一定レベル以上大きい場合、つまり基板Sの洗浄が充分に進行していないと判断できる場合には、リンス液の単位時間当たりの供給量が所定流量だけ増加するようにバルブ22aの開度が制御される。逆に、上記演算値が上記基準値に対して一定レベル以上低い場合、つまり基板Sの洗浄が予定以上に進んでいると判断できる場合には、リンス液の単位時間当たりの供給量が所定流量だけ減少するようにバルブ22aの開度等が制御される。これによって、基板Sの処理状況に見合った必要充分なリンス液が基板Sに対して供給されるようになっている。なお、ここでは第1処理槽10Aの処理を例に説明したが、第2処理槽10Bおよび第3処理槽10Cでの処理についても同様である。   For example, the first treatment tank 10A will be described as an example. The pH value of the rinse liquid (rinse liquid after use) measured by the pH measurement device 16 and the first tank 20A measured by the second pH measurement device 36 are described. When the difference from the pH value of the rinsing liquid (the rinsing liquid before use) is calculated and the value is larger than a certain level with respect to the reference value, that is, it can be determined that the cleaning of the substrate S is not sufficiently advanced. The opening degree of the valve 22a is controlled so that the supply amount of the rinse liquid per unit time is increased by a predetermined flow rate. On the contrary, when the calculated value is lower than the reference value by a certain level or more, that is, when it can be determined that the cleaning of the substrate S is progressing more than planned, the supply amount of the rinsing liquid per unit time is the predetermined flow rate. The opening degree of the valve 22a and the like are controlled so as to decrease only by that amount. As a result, a necessary and sufficient rinsing liquid suitable for the processing state of the substrate S is supplied to the substrate S. Here, the processing in the first processing tank 10A has been described as an example, but the same applies to the processing in the second processing tank 10B and the third processing tank 10C.

すなわち、上記のように各処理槽10A〜10Cと、それぞれ対応するタンク20A〜20Cとの間でリンス液を循環させながら基板Sの洗浄処理を行う第2の実施形態の基板処理装置では、シャワーノズル14から吐出されるリンス液が経時劣化する。そのため、リンス液の経時劣化をさほど伴わない第1の実施形態のように、pH測定装置16による測定結果のみで基板Sの処理状況を正確に把握することが困難となる。そこで、第2の実施形態では、使用前、使用後のリンス液のpH値の変化に基づいて、基板Sに対するリンス液の供給量を制御する構成となっている。従って、この第2の実施形態の基板処理装置によれば、上記のように各処理槽10A〜10Cと、それぞれ対応するタンク20A〜20Cとの間でリンス液を循環させながら基板Sの洗浄処理を行う装置構成の下で、リンス液の無駄な消費を抑えて、経済的に基板Sを処理することができる、という第1の実施形態の装置と同様の効果を享受することができる。   That is, in the substrate processing apparatus of the second embodiment that performs the cleaning process of the substrate S while circulating the rinse liquid between the processing tanks 10A to 10C and the corresponding tanks 20A to 20C as described above, The rinse liquid discharged from the nozzle 14 deteriorates with time. Therefore, it becomes difficult to accurately grasp the processing state of the substrate S only by the measurement result by the pH measurement device 16 as in the first embodiment in which the rinsing liquid is not significantly deteriorated with time. Therefore, in the second embodiment, the supply amount of the rinse liquid to the substrate S is controlled based on the change in the pH value of the rinse liquid before and after use. Therefore, according to the substrate processing apparatus of the second embodiment, the cleaning process of the substrate S is performed while circulating the rinse liquid between the processing tanks 10A to 10C and the corresponding tanks 20A to 20C as described above. Under the apparatus configuration, the same effect as that of the apparatus of the first embodiment that the substrate S can be processed economically while suppressing wasteful consumption of the rinsing liquid can be obtained.

次に、本発明の第3の実施形態について図4を用いて説明する。   Next, a third embodiment of the present invention will be described with reference to FIG.

図4は第3の実施形態に係る基板処理装置を模式図で概略的に示している。同図に示す基板処理装置は、第1,第2の各処理槽10A,10Bで使用したリンス液を、各処理槽10A,10Bにそれぞれ対応するタンク20A,20Bに戻すように導出管24A,24Bが設けられている。これによって、第1処理槽10Aであれば、第1タンク20Aのリンス液を第1処理槽10Aに送液して基板Sに供給しながら、使用後のリンス液を第1処理槽10Aから第1タンク20Aに回収するという具合に、第1処理槽10Aと第1タンク20Aとの間でリンス液を循環させながら基板Sの洗浄処理を行い得るように構成されている。第2処理槽10Bについても同様である。   FIG. 4 schematically shows a substrate processing apparatus according to the third embodiment in a schematic view. In the substrate processing apparatus shown in the figure, the rinsing liquid used in the first and second processing tanks 10A and 10B is returned to the tanks 20A and 20B corresponding to the processing tanks 10A and 10B, respectively. 24B is provided. Accordingly, in the case of the first processing tank 10A, the rinsing liquid in the first tank 20A is sent to the first processing tank 10A and supplied to the substrate S, and the used rinsing liquid is supplied from the first processing tank 10A to the first processing tank 10A. The substrate S can be cleaned while circulating the rinsing liquid between the first processing tank 10A and the first tank 20A in such a manner that it is collected in one tank 20A. The same applies to the second treatment tank 10B.

各導出管24A,24Bには、それぞれバルブ25が介設されるとともに、当該バルブ25の上流側から分岐する分岐管24A′,24B′が設けられている。第1処理槽10Aの導出管24Aから分岐する分岐管24A′は、図外の廃液タンクに接続されており、他方、第2処理槽10Bの導出管24Bから分岐する分岐管24B′は、第1タンク20Aに接続されている。すなわち、必要に応じてバルブ25が操作されることにより、第1処理槽10Aから導出される使用後のリンス液を分岐管24A′を通じて廃液タンクに導出し、また、第2処理槽10Bから導出されるリンス液を分岐管24B′を通じて第1タンク20Aに送液し得るように構成されている。この実施形態では、前記分岐管24A′,24B′およびバルブ25等が本発明に係る排液手段に相当する。   Each outlet pipe 24A, 24B is provided with a valve 25 and branch pipes 24A ', 24B' branched from the upstream side of the valve 25. The branch pipe 24A ′ branched from the outlet pipe 24A of the first treatment tank 10A is connected to a waste liquid tank (not shown), while the branch pipe 24B ′ branched from the outlet pipe 24B of the second treatment tank 10B is It is connected to one tank 20A. That is, by operating the valve 25 as necessary, the used rinse liquid derived from the first treatment tank 10A is led out to the waste liquid tank through the branch pipe 24A ′, and is also led out from the second treatment tank 10B. The rinse liquid to be supplied can be sent to the first tank 20A through the branch pipe 24B '. In this embodiment, the branch pipes 24A ', 24B', the valve 25, etc. correspond to the drainage means according to the present invention.

なお、この装置では、第3処理槽10Cに対応する第3タンク20Bは設けられておらず、第3処理槽10Cに対しては、リンス液供給源30から直接供給用配管22を通じて新液が供給される構成となっている。また、第1,第2の各処理槽10A,10Bに対応する各タンク20A,20Bには、それぞれバルブ39aを備えた新液供給管39(本発明に係る新液導入手段に相当する)が接続されており、リンス液供給源30から各タンク20A,20Bに直接新液が導入可能となっている。   In this apparatus, the third tank 20B corresponding to the third processing tank 10C is not provided, and a new liquid is supplied to the third processing tank 10C from the rinse liquid supply source 30 through the supply pipe 22 directly. It is a configuration to be supplied. Each of the tanks 20A and 20B corresponding to the first and second processing tanks 10A and 10B has a new liquid supply pipe 39 (corresponding to the new liquid introducing means according to the present invention) provided with a valve 39a. The new liquid can be directly introduced into the tanks 20A and 20B from the rinse liquid supply source 30.

すなわち、第3の実施形態の基板処理装置では、リンス液供給源30から第1タンク20Aおよび第2タンク20Bにそれぞれリンス液を貯溜した上で、各供給用配管22を通じて第1〜第3の処理槽10A〜10Cにそれぞれリンス液を送液して基板Sの洗浄処理を行い、この際、第1,第2の各処理槽10A,10Bについては、対応するタンク20A,20Bとの間でリンス液を循環させながら基板Sの洗浄処理を行い、必要に応じて第2処理槽10Bから導出されるリンス液を、導出管24B(分岐管24B′)を通じて第1タンク20Aに送液するとともに、第1処理槽10Aから導出されるリンス液を、前記導出管24A(分岐管24A′)を通じて廃液するようになっている。   That is, in the substrate processing apparatus of the third embodiment, the rinsing liquid is stored in the first tank 20A and the second tank 20B from the rinsing liquid supply source 30, and then the first to third through the supply pipes 22. The rinsing liquid is supplied to the processing tanks 10A to 10C to perform the cleaning process of the substrate S. At this time, the first and second processing tanks 10A and 10B are connected to the corresponding tanks 20A and 20B. The substrate S is cleaned while circulating the rinse liquid, and the rinse liquid led out from the second treatment tank 10B is sent to the first tank 20A through the lead-out pipe 24B (branch pipe 24B ') as necessary. The rinse liquid led out from the first treatment tank 10A is drained through the lead-out pipe 24A (branch pipe 24A ′).

この装置では、pH測定装置16,36による測定結果に基づき、搬送ローラ12の駆動およびバルブ25,39a等が前記コントローラ40により以下のように制御される。   In this apparatus, based on the measurement results by the pH measuring devices 16 and 36, the driving of the conveying roller 12 and the valves 25 and 39a are controlled by the controller 40 as follows.

すなわち、各処理槽10A〜10Cにおける第1pH測定装置16の測定pH値とその基準値との差が演算され、測定pH値が基準値に対して一定レベル以上高い場合(基板Sの洗浄が充分に進行していない場合)には、搬送ローラ12による基板Sの搬送速度が一定速度まで下げられ、これによって基板Sの洗浄時間が標準時間に対して延長され、基板Sに対するリンス液の供給量が増量される。逆に、測定pH値が基準値に対して一定レベル以上低い場合(基板Sの洗浄が予定以上に進んでいる場合)には、搬送ローラ12による基板Sの搬送速度が一定速度だけ上げられ、これによって基板Sの洗浄時間が短縮され、基板Sに対するリンス液の供給量が減量されることとなる。   That is, the difference between the measured pH value of the first pH measuring device 16 in each of the treatment tanks 10A to 10C and its reference value is calculated, and when the measured pH value is higher than a certain level with respect to the reference value (the substrate S is sufficiently cleaned) In the case of not proceeding to the above, the transport speed of the substrate S by the transport roller 12 is lowered to a constant speed, whereby the cleaning time of the substrate S is extended with respect to the standard time, and the supply amount of the rinse liquid to the substrate S Is increased. On the other hand, when the measured pH value is lower than a reference level by a certain level or more (when the cleaning of the substrate S is proceeding more than expected), the transport speed of the substrate S by the transport roller 12 is increased by a certain speed. Thereby, the cleaning time of the substrate S is shortened, and the supply amount of the rinsing liquid to the substrate S is reduced.

また、基板Sの洗浄処理中、第1処理槽10Aにおいて第1pH測定装置16の測定pH値がその基準値(液管理用の所定のpH値)を超えると、当該第1処理槽10Aから導出されるリンス液が、前記導出管24A(分岐管24A′)を通じて廃液される。同様に、第2処理槽10Bにおいて測定pH値がその基準値を超えると、第2処理槽10Bから導出されるリンス液が、導出管24B(分岐管24B′)を通じて第1タンク20Aに送液される。また、各タンク20A,20Bに対して新液供給管39を通じて新液が導入される。これにより各処理槽10A,10Bに対して循環されるリンス液の機能回復が図られることとなる。すなわち、この実施形態では、前記コントローラ40が本発明に係る供給量制御手段および入替制御手段に相当する。   Further, when the measured pH value of the first pH measuring device 16 exceeds the reference value (predetermined pH value for liquid management) in the first processing tank 10A during the cleaning process of the substrate S, the first processing tank 10A is derived. The rinse liquid to be discharged is drained through the outlet pipe 24A (branch pipe 24A '). Similarly, when the measured pH value exceeds the reference value in the second treatment tank 10B, the rinse liquid led out from the second treatment tank 10B is fed to the first tank 20A through the lead-out pipe 24B (branch pipe 24B ′). Is done. Further, a new liquid is introduced into the tanks 20A and 20B through the new liquid supply pipe 39. Thereby, the function recovery of the rinse liquid circulated with respect to each processing tank 10A, 10B will be achieved. That is, in this embodiment, the controller 40 corresponds to a supply amount control unit and a replacement control unit according to the present invention.

以上のような第3の実施形態の装置によると、基板Sの洗浄が予定以上に進んでいる場合には、基板Sの搬送速度を一定速度だけ上げ、これにより基板Sに対するリンス液の供給量を抑え、逆に、基板Sの洗浄が充分に進行していない場合には、基板Sの搬送速度を一定速度だけ下げ、これにより基板Sに対するリンス液の供給量を増量するので、第1の実施形態と同様に、基板Sの処理状況に応じた必要充分なリンス液を基板Sに供給しながら洗浄処理を行うことができ、従って、リンス液の無駄な消費を抑えて、経済的に基板Sを処理することができる。また、このように基板Sの洗浄処理の進行度合に応じて基板Sの搬送速度を上げるので、常に一定速度で基板Sを搬送しながら洗浄処理を施す場合に比べるとスループットを向上させることが可能になるという利点もある。   According to the apparatus of the third embodiment as described above, when the cleaning of the substrate S has progressed more than expected, the conveyance speed of the substrate S is increased by a certain speed, and thereby the supply amount of the rinsing liquid to the substrate S On the contrary, when the cleaning of the substrate S is not sufficiently progressed, the transport speed of the substrate S is lowered by a certain speed, thereby increasing the supply amount of the rinsing liquid to the substrate S. As in the embodiment, the cleaning process can be performed while supplying the substrate S with a necessary and sufficient rinse liquid according to the processing state of the substrate S. Therefore, wasteful consumption of the rinse liquid can be suppressed and the substrate can be economically operated. S can be processed. Further, since the transport speed of the substrate S is increased according to the progress of the cleaning process of the substrate S in this way, it is possible to improve the throughput as compared with the case where the cleaning process is performed while transporting the substrate S at a constant speed. There is also an advantage of becoming.

なお、以上説明した第1〜第3の実施形態に係る基板処理装置は、本発明に係る基板処理装置の好ましい実施形態の一例であって、その具体的な構成は、本発明の要旨を逸脱しない範囲で適宜変更可能である。   The substrate processing apparatus according to the first to third embodiments described above is an example of a preferred embodiment of the substrate processing apparatus according to the present invention, and its specific configuration departs from the gist of the present invention. It is possible to change appropriately within the range not to be.

例えば、実施形態では、基板Sから流下するリンス液を液受け部17で受けながらpH計本体18に案内するようにpH測定装置16が構成されているが、勿論、液受け部17を省略し、基板Sから流下するリンス液を直接このpH計本体18で受けてpHを測定するようにしてもよい。要は、基板Sから流下するリンス液のpH値を、当該リンス液が処理槽10A〜10Cの底部に到達する前に測定できればよい。但し、上記実施形態のようなpH測定装置16を用いた場合には、リンス液が基板Sに沿って疎らに流下した場合でも確実にリンス液をpH計本体18に触れさせることが可能となるため、より確実にpH値を測定することが可能となる。   For example, in the embodiment, the pH measuring device 16 is configured to guide the rinsing liquid flowing down from the substrate S to the pH meter main body 18 while receiving the rinsing liquid at the liquid receiving portion 17, but of course, the liquid receiving portion 17 is omitted. Alternatively, the rinsing liquid flowing down from the substrate S may be directly received by the pH meter body 18 to measure the pH. In short, it is only necessary to measure the pH value of the rinse liquid flowing down from the substrate S before the rinse liquid reaches the bottom of the treatment tanks 10A to 10C. However, when the pH measuring device 16 as in the above embodiment is used, even when the rinsing liquid flows loosely along the substrate S, the rinsing liquid can be surely touched to the pH meter main body 18. Therefore, the pH value can be measured more reliably.

なお、実施形態では、リンス液の劣化度合に基づき基板Sの処理状況を把握するものであって、リンス液の劣化度合を上記の通りリンス液のpH値の測定により検知しているが、勿論、リンス液の劣化度合に関連づけられる物理量であればpH値以外の物理量を検出するようにしてもよい。例えば、リンス液の比抵抗値や導電率を測定するようにしてもよい。   In the embodiment, the processing state of the substrate S is grasped based on the deterioration degree of the rinsing liquid, and the deterioration degree of the rinsing liquid is detected by measuring the pH value of the rinsing liquid as described above. Any physical quantity other than the pH value may be detected as long as it is a physical quantity associated with the degree of deterioration of the rinse liquid. For example, the specific resistance value and conductivity of the rinse liquid may be measured.

また、第1の実施形態では、第1処理槽10AのpH値の測定結果に基づいて、当該第1処理槽10Aでの基板Sに対するリンス液の供給量を制御する構成となっているが、例えば第1処理槽10Aではリンス液の供給量の制御を行うことなく、あるいは第1処理槽10Aにおけるリンス液の供給量の制御と併せて、第1処理槽10AのpH値の測定結果に基づいて下流側の処理槽10B,10Cでの基板Sに対するリンス液の供給量を制御するようにしてもよい。具体的には、第1処理槽10Aにおいて、基板Sの洗浄が予定以上に進んでいると判断される場合(pHの測定値が基準値に対して一定レベル以上低い場合)には、処理槽10B,10Cでの基板Sに対するリンス液の供給量を減量補正する、あるいは処理槽10B,10Cの何れか一方の処理を省略する(つまり、リンス液を供給することなく単に通過させる)ようにしてもよい。要するに、上流側処理槽でのリンス液のpH値の測定結果に基づき、下流側処理槽のリンス液の供給量等を制御するようにしてもよい。この点は、第2、第3の実施形態についても同じである。   Moreover, in 1st Embodiment, although it becomes the structure which controls the supply amount of the rinse liquid with respect to the board | substrate S in the said 1st processing tank 10A based on the measurement result of pH value of the 1st processing tank 10A, For example, in the first treatment tank 10A, based on the measurement result of the pH value of the first treatment tank 10A without controlling the supply amount of the rinse liquid or in conjunction with the control of the supply amount of the rinse liquid in the first treatment tank 10A. The supply amount of the rinsing liquid to the substrate S in the processing tanks 10B and 10C on the downstream side may be controlled. Specifically, when it is determined that the cleaning of the substrate S has progressed more than expected in the first processing tank 10A (when the measured value of pH is lower than a reference level by a certain level), the processing tank The amount of rinsing liquid supplied to the substrate S at 10B and 10C is corrected to decrease, or the processing of either one of the processing tanks 10B and 10C is omitted (that is, the rinsing liquid is simply passed without being supplied). Also good. In short, the supply amount of the rinsing liquid in the downstream processing tank may be controlled based on the measurement result of the pH value of the rinsing liquid in the upstream processing tank. This is the same for the second and third embodiments.

また、実施形態は、基板Sを搬送しながらその上面にリンス液を供給するタイプの基板処理装置に本発明を適用した例であるが、勿論、静止させた状態で基板Sにリンス液を供給して洗浄処理を行い、終了後、基板Sを下流側に搬送するタイプの基板処理装置についても本発明は適用可能である。この場合には、基板Sから流下するリンス液のpH値をpH測定装置で測定し、この測定値が、基板Sの洗浄が完了したと認められる一定のレベルまで低下した時点でリンス液の供給を停止して基板Sを搬出するようにすればよい。これによれば、リンス液の消費量、および基板Sの停止時間を必要最小限度に抑えることができるため、経済的に、かつ効率的に基板Sの洗浄処理を行うことが可能となる。特に、第3処理槽10Cに関してこのような処理を進めるようにすれば、洗浄処理が不十分なまま基板Sが下流側に搬出されるといった不都合を未然に回避することができ、これにより洗浄処理の確実性を高めることができるという利点がある。   The embodiment is an example in which the present invention is applied to a type of substrate processing apparatus that supplies a rinsing liquid to the upper surface of the substrate S while it is being transported. Of course, the rinsing liquid is supplied to the substrate S in a stationary state. The present invention can also be applied to a substrate processing apparatus that performs a cleaning process and transports the substrate S downstream after the cleaning process. In this case, the pH value of the rinsing liquid flowing down from the substrate S is measured by a pH measuring device, and the rinsing liquid is supplied when the measured value is lowered to a certain level at which it is recognized that the cleaning of the substrate S is completed. Is stopped and the substrate S is unloaded. According to this, since the consumption amount of the rinsing liquid and the stop time of the substrate S can be suppressed to the necessary minimum, the cleaning process of the substrate S can be performed economically and efficiently. In particular, if such a process is carried out with respect to the third processing tank 10C, it is possible to avoid the disadvantage that the substrate S is carried out to the downstream side while the cleaning process is insufficient. There is an advantage that the certainty can be increased.

また、洗浄処理の進行の度合に応じて基板Sに対するリンス液の供給量を増減するために、第1,第2の実施形態では、リンス液の単位時間当たりの供給量を制御し、また、第3の実施形態では、基板Sの搬送速度(基板Sの処理時間)を制御する構成となっているが、勿論、シャワーノズル14からのリンス液の吐出量と基板Sの搬送速度の双方を制御することにより、基板Sに対するリンス液の供給量を増減させるようにしてもよい。   Further, in order to increase or decrease the supply amount of the rinsing liquid to the substrate S according to the progress of the cleaning process, the first and second embodiments control the supply amount of the rinsing liquid per unit time, In the third embodiment, the transport speed of the substrate S (processing time of the substrate S) is controlled. Of course, both the discharge amount of the rinse liquid from the shower nozzle 14 and the transport speed of the substrate S are set. By controlling, the supply amount of the rinsing liquid to the substrate S may be increased or decreased.

また、実施形態では、本発明の適用例として、エッチング処理後の基板Sに対して洗浄処理を施す基板処理装置について説明したが、例えばレジスト皮膜の剥離処理後の基板Sを洗浄する装置についても本発明は適用可能である。また、このように基板Sに沿ってリンス液を流下させながら洗浄処理を施すもの以外に、基板Sに沿って薬液を流下させながら薬液処理を行うものについても本発明は適用可能である。また、実施形態のように、傾斜姿勢の基板Sに処理液(リンス液)を供給しながら処理を行う以外に、水平姿勢、あるいは垂直姿勢の基板Sに処理液を供給しながら処理を施すものについても本発明は適用可能である。   In the embodiment, as an application example of the present invention, a substrate processing apparatus that performs a cleaning process on a substrate S after an etching process has been described. However, for example, an apparatus that cleans a substrate S after a resist film peeling process can also be used. The present invention is applicable. The present invention is also applicable to a device that performs a chemical treatment while flowing a chemical solution along the substrate S, in addition to the cleaning treatment while flowing the rinse solution along the substrate S in this way. Further, as in the embodiment, in addition to processing while supplying the processing liquid (rinsing liquid) to the substrate S in an inclined posture, the processing is performed while supplying the processing liquid to the substrate S in a horizontal posture or a vertical posture. The present invention is also applicable to.

本発明に係る基板処理装置(第1の実施形態)を示す模式図である。1 is a schematic diagram showing a substrate processing apparatus (first embodiment) according to the present invention. 各処理槽における基板とpH測定装置との位置関係、およびpH測定装置の構成を示す処理槽の内部側面図である。It is an internal side view of the processing tank which shows the positional relationship of the board | substrate and pH measurement apparatus in each processing tank, and the structure of a pH measurement apparatus. 本発明に係る基板処理装置(第2の実施形態)を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the substrate processing apparatus (2nd Embodiment) which concerns on this invention. 本発明に係る基板処理装置(第3の実施形態)を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the substrate processing apparatus (3rd Embodiment) based on this invention.

符号の説明Explanation of symbols

10A 第1処理槽
10B 第2処理槽
10C 第3処理槽
20A 第1タンク
20B 第2タンク
20C 第3タンク
12 搬送ローラ
14 シャワーノズル
16 pH測定装置
17 液受け部
18,36 pH計本体
22 供給用配管
40 コントローラ
DESCRIPTION OF SYMBOLS 10A 1st processing tank 10B 2nd processing tank 10C 3rd processing tank 20A 1st tank 20B 2nd tank 20C 3rd tank 12 Conveyance roller 14 Shower nozzle 16 pH measuring device 17 Liquid receiving part 18, 36 pH meter main body 22 Supply Piping 40 Controller

Claims (10)

ノズル部材により基板の表面に処理液を供給し、所定の処理を基板に施す処理槽を有する基板処理装置において、
前記基板の表面から流下する処理液を、当該処理液が前記処理槽の底部に到達する前に受けて、その劣化状態に関連づけられた所定の物理量を測定する測定手段を備えていることを特徴とする基板処理装置。
In a substrate processing apparatus having a processing tank for supplying a processing liquid to the surface of a substrate by a nozzle member and performing a predetermined processing on the substrate,
It has a measuring means for receiving the processing liquid flowing down from the surface of the substrate before the processing liquid reaches the bottom of the processing tank and measuring a predetermined physical quantity associated with the deterioration state. A substrate processing apparatus.
請求項1に記載の基板処理装置において、
処理中に前記基板を傾斜姿勢で支持する支持手段を有し、前記測定手段は、前記支持手段に支持された基板の低位側の端縁の下方に配置されていることを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 1,
Substrate processing characterized in that it has support means for supporting the substrate in an inclined posture during processing, and the measurement means is disposed below the lower edge of the substrate supported by the support means. apparatus.
請求項1又は2に記載の基板処理装置において、
前記測定手段は、処理液に接触して前記物理量を測定する測定部と、基板から流下する処理液を受けて前記測定部に案内する案内部とを有することを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus according to claim 1 or 2,
The substrate processing apparatus, wherein the measuring unit includes a measuring unit that measures the physical quantity by contacting a processing solution, and a guide unit that receives the processing solution flowing down from the substrate and guides it to the measuring unit.
請求項1乃至3の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記物理量の測定結果に基づいて基板に供給する処理液の供給量を制御する供給量制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
In the substrate processing apparatus as described in any one of Claims 1 thru | or 3,
A substrate processing apparatus comprising supply amount control means for controlling a supply amount of a processing liquid supplied to the substrate based on the measurement result of the physical quantity.
請求項4に記載の基板処理装置において、
前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて単位時間当たりの処理液の供給量を制御することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 4,
The substrate supply apparatus is characterized in that the supply amount control means controls the supply amount of the processing liquid per unit time based on the measurement result.
請求項4に記載の基板処理装置において、
前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて基板に対する処理液の供給時間を制御することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 4,
The substrate processing apparatus, wherein the supply amount control means controls a supply time of the processing liquid to the substrate based on the measurement result.
請求項6に記載の基板処理装置において、
基板を搬送しながら当該基板に対して処理液を供給するものであって、前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて基板の搬送速度を制御することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to claim 6,
A substrate processing apparatus for supplying a processing liquid to a substrate while transporting the substrate, wherein the supply amount control means controls a transport speed of the substrate based on the measurement result.
請求項4乃至7の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記測定手段を第1測定手段としたときに、これとは別に、基板に供給される前の処理液に関する前記物理量を測定する第2測定手段をさらに備え、前記供給量制御手段は、これら第1,第2測定手段による測定結果の差に基づき前記供給量を制御することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 4 to 7,
When the measurement means is the first measurement means, it further includes second measurement means for measuring the physical quantity related to the processing liquid before being supplied to the substrate, and the supply amount control means The substrate processing apparatus is characterized in that the supply amount is controlled based on a difference between measurement results obtained by the first and second measuring means.
請求項1乃至8の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記処理槽での処理に用いた処理液であって使用後に回収された処理液を再度前記処理槽での処理に用いる処理液の循環系統と、当該循環系統内を循環する処理液のうち使用後に回収される処理液を当該循環系統から排液する排液手段と、当該循環系統内に新たな処理液を導入する新液導入手段と、前記測定手段による測定結果に基づいて前記排液手段および新液導入手段を制御することにより前記循環系統内の処理液の入替えを行う入替制御手段とを有することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 1 to 8,
The processing liquid used for the treatment in the treatment tank, and the treatment liquid collected after use is used again among the treatment liquid circulating system used for the treatment in the treatment tank and the treatment liquid circulating in the circulation system. A draining means for draining a processing liquid recovered later from the circulation system, a new liquid introducing means for introducing a new processing liquid into the circulation system, and the draining means based on a measurement result by the measurement means And a replacement control means for replacing the processing liquid in the circulation system by controlling the new liquid introduction means.
請求項4乃至7の何れか一項に記載の基板処理装置において、
前記処理槽として、第1処理槽とこの第1処理槽で処理を終えた基板に前記第1処理槽と同一種類の処理液を用いて基板を処理する第2処理槽とを備えるとともに、前記第2処理槽での処理に用いた処理液であって使用後に回収される処理液を前記第1処理槽での処理に用いる処理液の供給系統を有し、前記第1処理槽に前記測定手段が配備され、前記供給量制御手段は、前記測定結果に基づいて第1処理槽での基板に対する処理液の供給量および第2処理槽での基板に対する処理液の供給量の少なくとも一方を制御することを特徴とする基板処理装置。
The substrate processing apparatus according to any one of claims 4 to 7,
As the processing tank, a first processing tank and a substrate that has been processed in the first processing tank include a second processing tank that processes the substrate using the same type of processing liquid as the first processing tank, and A treatment liquid used for the treatment in the second treatment tank, which is a treatment liquid recovered after use, has a supply system for the treatment liquid used for the treatment in the first treatment tank, and the measurement is performed in the first treatment tank. Means is provided, and the supply amount control means controls at least one of the supply amount of the processing liquid to the substrate in the first processing tank and the supply amount of the processing liquid to the substrate in the second processing tank based on the measurement result. A substrate processing apparatus.
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