JPH11297605A - Peeling method/apparatus - Google Patents

Peeling method/apparatus

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Publication number
JPH11297605A
JPH11297605A JP10282098A JP10282098A JPH11297605A JP H11297605 A JPH11297605 A JP H11297605A JP 10282098 A JP10282098 A JP 10282098A JP 10282098 A JP10282098 A JP 10282098A JP H11297605 A JPH11297605 A JP H11297605A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
peeling
stripping
tank
chemical
Prior art date
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Withdrawn
Application number
JP10282098A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Nobuo Yanagisawa
暢生 柳沢
Mitsuo Ogasawara
光雄 小笠原
Takeshi Taniguchi
竹志 谷口
Original Assignee
Dainippon Screen Mfg Co Ltd
大日本スクリーン製造株式会社
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dainippon Screen Mfg Co Ltd, 大日本スクリーン製造株式会社 filed Critical Dainippon Screen Mfg Co Ltd
Priority to JP10282098A priority Critical patent/JPH11297605A/en
Publication of JPH11297605A publication Critical patent/JPH11297605A/en
Withdrawn legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To peel off a film formed on a substrate surface surely and quickly. SOLUTION: In a substrate treating apparatus, a first peeling tank 14a, a second peeling tank 14b, a third peeling tank 14c, a rinsing tank 14d and a drying tank 14e are arranged in series, a substrate W is carried in the respective tanks in sequence, and peeling processes are executed to the substrate W in the peeling tanks 14a-14c. In the first peeling tank 14a, the substrate W is dipped in chemical liquid excited by an ultrasonic wave in a low frequency range. In the second peeling tank 14b, a first nozzle 36 spouts high pressure chemical liquid against the substrate W, and then a second nozzle 38 spouts chemical liquid excited by an ultrasonic wave in a high frequency range against the substrate W. In the third peeling tank 14c, nozzles 60a, 60b spout low pressure chemical liquid against the substrate W.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
【0001】[0001]
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示器用基板
等のFPD(Flat Panel Display)用基板、フォトマス
ク用ガラス基板、半導体基板等の基板に形成された膜を
剥離する剥離方法および同装置に関するものである。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a method and apparatus for peeling a film formed on a substrate such as a flat panel display (FPD) substrate such as a substrate for a liquid crystal display, a glass substrate for a photomask, and a semiconductor substrate. It is about.
【0002】[0002]
【従来の技術】従来から、液晶表示器用ガラス基板等の
処理においては基板の表面に形成されたレジスト等の膜
を剥離する工程があり、このような膜の剥離方法とし
て、例えば、基板を剥離液に浸漬させて膜を剥離した
り、基板に剥離液を吹き付けて膜を剥離する方法が一般
に知られている。
2. Description of the Related Art Conventionally, in the processing of a glass substrate for a liquid crystal display or the like, there has been a step of peeling a film such as a resist formed on the surface of the substrate. There is generally known a method in which a film is peeled by dipping in a liquid or a film is peeled by spraying a peeling liquid onto a substrate.
【0003】また、近年では、基板を剥離液中に浸漬し
た状態で40KHz程度の低周波域の超音波で剥離液を励
振することにより膜を剥離する方法も実用化されている
(特開昭60−203944号公報)。この方法によれ
ば、剥離液の化学的作用、剥離液の振動作用およびキャ
ビテーション現象、すなわち気泡の発生および消滅の作
用により高い剥離力が得られ、単に基板を剥離液に浸漬
する場合に比べると膜を極めて迅速に、しかも確実に剥
離することができる。
In recent years, a method of exfoliating a film by exciting a stripping solution with ultrasonic waves in a low frequency range of about 40 KHz while a substrate is immersed in the stripping solution has been put into practical use (Japanese Patent Application Laid-Open No. H10-163,878). No. 60-203944). According to this method, a high peeling force is obtained by the chemical action of the stripping liquid, the vibration action of the stripping liquid and the cavitation phenomenon, that is, the action of generation and disappearance of bubbles, compared with a case where the substrate is simply immersed in the stripping liquid. The film can be peeled off very quickly and reliably.
【0004】[0004]
【発明が解決しようとする課題】ところが、上記の方法
では、膜の剥離力が強いため、例えば、基板の表面とレ
ジスト等の膜との界面に形成される回路パターンまでも
が剥離されて破壊されるという弊害(過剰剥離)を伴う
虞れがある。
However, in the above method, since the peeling force of the film is strong, for example, even the circuit pattern formed at the interface between the surface of the substrate and the film such as a resist is peeled and destroyed. There is a possibility that such a problem (excessive peeling) may be caused.
【0005】そのため、最近では、0.5MHz以上の高
周波域の超音波で剥離液を励振することにより膜を剥離
する方法が提案されている(特開平3−236217号
公報)。この方法によれば、剥離液に振動は生じるもの
の、低周波域の超音波により剥離液を励振する場合のよ
うにキャビテーション現象が発生することがない。その
ため、高い剥離効果を得ながらも回路パターンを破壊す
るに至るほど剥離力が高められることがない。従って、
剥離方法としては極めて有用である。
For this reason, a method has recently been proposed for exfoliating the film by exciting the exfoliating solution with ultrasonic waves in a high frequency range of 0.5 MHz or more (Japanese Patent Application Laid-Open No. 3-236217). According to this method, although the stripping solution is vibrated, the cavitation phenomenon does not occur unlike the case where the stripping solution is excited by ultrasonic waves in a low frequency range. Therefore, the peeling force is not so high as to cause the circuit pattern to be destroyed while obtaining a high peeling effect. Therefore,
It is extremely useful as a peeling method.
【0006】しかし、この方法の場合には剥離力が弱い
分、低周波域の超音波により剥離液を励振する場合に比
べ完全に膜を剥離するのに時間がかかり、そのため、大
型の基板をより迅速に処理することが要求される今日で
は、処理時間の短縮化を図る上で問題が残されている。
However, in this method, since the peeling force is weak, it takes more time to completely peel off the film than in a case where the peeling solution is excited by low frequency ultrasonic waves. In today's demand for faster processing, there remains a problem in reducing processing time.
【0007】本発明は、上記問題を解決するためになさ
れたものであり、基板表面に形成された膜を適切、かつ
迅速に剥離することができる剥離方法および同装置を提
供することを目的としている。
SUMMARY OF THE INVENTION The present invention has been made to solve the above problems, and has as its object to provide a peeling method and a peeling apparatus capable of appropriately and quickly peeling a film formed on a substrate surface. I have.
【0008】[0008]
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明は、基板に剥離液を供給してその表面に形成
された膜を剥離する方法において、50kHz以下の低周
波域の超音波振動を付与した剥離液を基板に供給する低
周波剥離工程および超音波振動を付与しない剥離液を高
圧で基板に吹き付ける高圧スプレー剥離工程の少なくと
も一方の工程と、0.5MHz以上の高周波域の超音波振
動を付与した剥離液を基板に供給する高周波剥離工程と
を行うようにしたものである(請求項1)。
In order to solve the above problems, the present invention provides a method for removing a film formed on a surface of a substrate by supplying a removing solution to the substrate. At least one of a low-frequency peeling step of supplying a peeling liquid to which the ultrasonic vibration is applied to the substrate and a high-pressure spray peeling step of blowing a peeling liquid that does not apply the ultrasonic vibration to the substrate at a high pressure; A high-frequency stripping step of supplying a stripping solution to which ultrasonic vibrations have been applied to the substrate (claim 1).
【0009】このように高周波剥離工程に加えて、該高
周波剥離工程よりも膜の剥離力が強い低周波剥離工程お
よび高圧スプレー剥離工程の少なくとも一方の工程を行
うことにより迅速に膜を剥離することができ、しかも、
このように複数の工程により膜を剥離することで、低周
波剥離工程や高圧スプレー剥離工程での処理時間を比較
的短く設定できる。そのため、低周波剥離工程等での過
剰剥離等の発生を防止しつつ膜を適切に剥離することが
できる。なお、請求項1の記載において「基板に剥離液
を供給する」とは、貯留された剥離液に剥離液を浸漬す
ることにより剥離液を供給する場合と、基板に向かって
剥離液を吹き付けることにより剥離液を供給する場合の
双方の意味である。
As described above, by performing at least one of the low-frequency peeling step and the high-pressure spray peeling step, in which the film has a stronger peeling force than the high-frequency peeling step, in addition to the high-frequency peeling step, the film can be peeled quickly. Can be done, and
By stripping the film in a plurality of steps as described above, the processing time in the low-frequency stripping step and the high-pressure spray stripping step can be set relatively short. Therefore, the film can be appropriately peeled while preventing occurrence of excessive peeling or the like in the low-frequency peeling step or the like. In the description of the first aspect, "supplying the stripping solution to the substrate" means that the stripping solution is supplied by immersing the stripping solution in the stored stripping solution, and that the stripping solution is sprayed toward the substrate. In the case of supplying the stripping liquid.
【0010】この方法において、さらに、基板に対して
低圧で剥離液を吹き付ける低圧スプレー剥離工程を行う
ようにしてもよい(請求項2)。
In this method, a low-pressure spray stripping step of spraying a stripping solution at a low pressure on the substrate may be further performed.
【0011】このようにすれば、例えば、最終的な仕上
げを剥離力の比較的弱い低圧スプレー剥離工程により行
うことで、過剰剥離等の発生を防止しながら膜をより完
全に剥離することが可能となる。なお、低圧スプレー剥
離工程では、0.5kgf/cm2〜1kgf/cm2の圧力で剥離液
を基板に吹き付け(請求項3)、高圧スプレー剥離工程
では、3kgf/cm2〜20kgf/cm2の圧力で剥離液を吹き付
けるのが望ましい(請求項4)。
In this case, for example, by performing the final finishing in a low-pressure spray peeling step having a relatively weak peeling force, the film can be more completely peeled while preventing the occurrence of excessive peeling and the like. Becomes In the low pressure spray stripping step, 0.5kgf / cm 2 ~1kgf / cm 2 of pressure spraying a stripping solution to the substrate (Claim 3), in the high pressure spray stripping step, the 3kgf / cm 2 ~20kgf / cm 2 It is desirable to spray the stripping solution under pressure (claim 4).
【0012】また、低周波剥離工程を行う場合には、3
0kHz〜50kHzの超音波振動を剥離液に付与する
のが望ましい(請求項5)。この周波数域の超音波振動
を付与すれば、剥離液の化学的作用、剥離液の振動作
用、さらにはキャビテーション現象の発生により膜を極
めて効果的に剥離することができる。
When the low-frequency peeling step is performed,
It is desirable to apply ultrasonic vibration of 0 kHz to 50 kHz to the stripping solution (claim 5). By applying ultrasonic vibration in this frequency range, the film can be peeled off very effectively due to the chemical action of the stripping liquid, the vibration action of the stripping liquid, and the occurrence of a cavitation phenomenon.
【0013】なお、高周波剥離工程では、0.5MHz
〜2MHzの超音波振動を剥離液に付与するのが望まし
い(請求項6)。
In the high frequency peeling step, 0.5 MHz
It is desirable to apply ultrasonic vibration of ~ 2 MHz to the stripping solution.
【0014】また、上記課題を解決するために、本発明
は、基板に剥離液を供給してその表面に形成された膜を
剥離する装置において、50kHz以下の低周波域の超音
波振動を付与した剥離液を基板に供給する低周波剥離液
供給手段および超音波振動を付与しない剥離液を高圧で
基板に吹き付ける高圧スプレー手段の少なくとも一方の
手段と、0.5MHz以上の高周波域の超音波振動を付与
した剥離液を基板に供給する高周波剥離液供給手段とを
備えているものである(請求項7)。
According to another aspect of the present invention, there is provided an apparatus for supplying a stripping solution to a substrate and stripping a film formed on the surface of the substrate by applying ultrasonic vibration in a low frequency range of 50 kHz or less. At least one of a low-frequency release liquid supply means for supplying the separated release liquid to the substrate and a high-pressure spray means for spraying the release liquid without applying ultrasonic vibration to the substrate at a high pressure; and ultrasonic vibration in a high frequency range of 0.5 MHz or more. And a high-frequency stripping liquid supply means for supplying the stripping liquid to the substrate.
【0015】また、この装置において、さらに基板に対
して低圧で剥離液を吹き付ける低圧スプレー手段を備え
ているものである(請求項8)。
Further, the apparatus further comprises a low-pressure spray means for spraying a stripping solution at a low pressure on the substrate.
【0016】このような装置によれば、上記請求項1〜
6記載の剥離方法を適切に実施することができる。
According to such an apparatus, the above claims 1 to
The peeling method described in 6 can be appropriately performed.
【0017】[0017]
【発明の実施の形態】本発明の実施の形態について図面
を用いて説明する。図1は、本発明に係る基板処理装置
の一の実施の形態を示す概略図である。この図に示す基
板処理装置10は、前工程から搬入されてくる基板Wを
受け取る受入れ部12と、内部に基板Wの各種処理槽を
備えた処理装置本体14と、処理後の基板Wを次工程に
受け渡す受渡し部16とを直列に備えるとともに、基板
Wの搬送機構18を備えており、受入れ部12、処理装
置本体14および受渡し部16に基板Wを順次搬送しな
がら、処理装置本体14内において所定の処理を施すよ
うに構成されている。
Embodiments of the present invention will be described with reference to the drawings. FIG. 1 is a schematic diagram showing one embodiment of a substrate processing apparatus according to the present invention. The substrate processing apparatus 10 shown in FIG. 1 includes a receiving unit 12 for receiving a substrate W carried in from a previous process, a processing apparatus body 14 having various processing tanks for the substrate W therein, and a substrate W after processing. A transfer mechanism 16 for transferring the substrate W is provided in series, and a transfer mechanism 18 for the substrate W is provided. The transfer mechanism 16 transfers the substrate W to the receiving unit 12, the processing apparatus main body 14, and the transfer unit 16 sequentially. It is configured to perform a predetermined process inside.
【0018】上記搬送機構18は、複数のローラ17を
基板Wの搬送方向に所定の間隔で配設したローラコンベ
アであって、図外の駆動機構による各ローラ17の同期
回転に伴い基板Wを水平に支持した状態で搬送するよう
に構成されている。
The transport mechanism 18 is a roller conveyor in which a plurality of rollers 17 are arranged at predetermined intervals in the transport direction of the substrate W. The transport mechanism 18 transports the substrate W with the synchronous rotation of each roller 17 by a drive mechanism (not shown). It is configured to be transported while being supported horizontally.
【0019】上記処理装置本体14には、同図に示すよ
うに、区画形成された複数の処理槽が備えられている。
具体的には第1剥離槽14a、第2剥離槽14b、第3
剥離槽14c、水洗槽14d及び乾燥槽14eが直列に
備えられている。そして、第1剥離槽14aに形成され
た導入口15aを通じて処理装置本体14内に基板Wを
導入し、各槽間壁に形成された連絡口15bを介して順
次基板Wを各槽にわって搬送しながら、乾燥槽14eに
形成された導出口15cを通じて上記受渡し部16に基
板Wを送り出すように構成されている。
As shown in FIG. 1, the processing apparatus main body 14 is provided with a plurality of processing tanks formed in a partitioned manner.
Specifically, the first peeling tank 14a, the second peeling tank 14b,
A peeling tank 14c, a washing tank 14d, and a drying tank 14e are provided in series. Then, the substrate W is introduced into the processing apparatus main body 14 through the introduction port 15a formed in the first stripping tank 14a, and the substrate W is sequentially transferred to each tank through the communication port 15b formed in the inter-tank wall. While being transported, the substrate W is sent out to the delivery unit 16 through the outlet 15c formed in the drying tank 14e.
【0020】上記第1〜第3の剥離槽14a〜14c
は、いずれも基板Wに薬液(剥離液)を供給してその表
面に形成されているレジスト等の膜を剥離するための処
理槽である。
The first to third stripping tanks 14a to 14c
Are treatment tanks for supplying a chemical solution (stripping solution) to the substrate W and stripping a film such as a resist formed on the surface thereof.
【0021】第1剥離槽14aの内部には、図2(a)
に示すように、搬送機構18による基板搬送路の一部を
囲むように上部開口を有した薬液の浸漬槽20が設けら
れている。浸漬槽20の前後側壁、すなわち基板Wの搬
送方向における前後側壁には、開口部22a,22bが
形成されており、この開口部22a,22bを介して基
板Wが浸漬槽20内を通過できるように構成されている
とともに、これら開口部22a,22bがシャッター2
4により開閉可能となっている。開口部22a,22b
は、ローラ17による基板Wの搬入、搬出を可能とする
必要最小限度の大きさとされており、通常は、同図に示
すように開口部22a,22bの下側縁部まで薬液が貯
留されている。
FIG. 2A shows the inside of the first peeling tank 14a.
As shown in FIG. 1, a chemical immersion tank 20 having an upper opening is provided so as to surround a part of the substrate transfer path by the transfer mechanism 18. Openings 22a and 22b are formed in the front and rear side walls of the immersion tank 20, that is, the front and rear side walls in the transport direction of the substrate W, so that the substrate W can pass through the immersion tank 20 through the openings 22a and 22b. And the openings 22a and 22b are
4 allows opening and closing. Openings 22a, 22b
Is set to the minimum necessary size to allow the loading and unloading of the substrate W by the rollers 17, and usually, the chemical is stored up to the lower edges of the openings 22a and 22b as shown in FIG. I have.
【0022】浸漬槽20には、その内部に超音波発生器
26が設置されるとともに、図1に示すように第1薬液
タンク28から導出された薬液供給管30が接続されて
おり、この薬液供給管30に介設されたポンプ31の作
動により第1薬液貯留タンク28から浸漬槽20に薬液
が供給されるようになっている。
An ultrasonic generator 26 is installed inside the immersion tank 20, and a chemical supply pipe 30 drawn from a first chemical tank 28 is connected to the immersion tank 20, as shown in FIG. The chemical liquid is supplied from the first chemical liquid storage tank 28 to the immersion tank 20 by the operation of the pump 31 provided in the supply pipe 30.
【0023】すなわち、基板Wの処理時には、上記開口
部22a,22bを通じて浸漬槽20内に基板Wが搬入
され、その後、開口部22a,22bが閉じられて薬液
供給管30を介して薬液が浸漬槽20内に供給される。
これにより、図2(b)に示すように、基板Wが薬液に
浸漬されるようになっている。この際、ローラ17が正
逆回転駆動されることにより基板Wが一定の範囲で搬送
方向に進退させられるとともに、上記超音波発生器26
の作動により薬液に低周波域の超音波振動、例えば、当
実施の形態では30kHz〜50kHzの超音波振動が
薬液に付与される。すなわち、これら浸漬槽20、超音
波発生器26等により本発明の低周波剥離液供給手段が
構成されている。
That is, when processing the substrate W, the substrate W is carried into the immersion tank 20 through the openings 22a and 22b, and thereafter the openings 22a and 22b are closed and the chemical is immersed through the chemical supply pipe 30. It is supplied into the tank 20.
Thereby, as shown in FIG. 2B, the substrate W is immersed in the chemical solution. At this time, the forward and reverse rotation of the roller 17 causes the substrate W to advance and retreat in the transport direction within a certain range, and the ultrasonic generator 26
By the operation of, ultrasonic vibration in a low-frequency range, for example, 30 kHz to 50 kHz in this embodiment, is applied to the chemical solution. That is, the immersion tank 20, the ultrasonic generator 26, and the like constitute the low-frequency stripping solution supply means of the present invention.
【0024】そして、基板Wの処理が終了すると開口部
22a,22bが開かれて、基板Wが開口部22bを通
じて搬出されるようになっている。この際、開口部22
a,22bが開くと、浸漬槽20内の薬液が開口部22
a,22bを介して外部にオーバーフローし、これによ
りローラ17が露出して基板Wの搬出が可能となる。
When the processing of the substrate W is completed, the openings 22a and 22b are opened, and the substrate W is carried out through the opening 22b. At this time, the opening 22
When the a and 22b are opened, the chemical solution in the immersion tank 20 is opened.
The rollers 17 a and 22 b overflow to the outside, whereby the rollers 17 are exposed and the substrate W can be carried out.
【0025】なお、図1中、32は薬液供給管30に介
設されるフィルタで、また、34は、第1剥離槽14a
内の薬液を第1薬液貯留タンク28に回収するための薬
液回収管である。つまり、浸漬槽20からオーバーフロ
ーした薬液は薬液回収管34を介して第1薬液タンク2
8に回収され、再度、薬液供給管30を介して浸漬槽2
0に供給される。この際、フィルタ32を介して薬液が
供給されることにより、薬液が浄化されながら循環使用
されるようになっている。
In FIG. 1, reference numeral 32 denotes a filter interposed in the chemical supply pipe 30, and reference numeral 34 denotes a first peeling tank 14a.
This is a chemical solution collection pipe for collecting the chemical solution in the first chemical solution storage tank 28. In other words, the chemical solution overflowing from the immersion tank 20 passes through the first chemical solution tank 2 through the chemical solution collection pipe 34.
8 and again through the chemical supply pipe 30 to the immersion tank 2
0 is supplied. At this time, the chemical solution is supplied through the filter 32, so that the chemical solution is purified and circulated for use.
【0026】第2剥離槽14bの内部には、図1に示す
ように、基板Wの表面に薬液を吹き付ける2種類のノズ
ル(第1ノズル36,第2ノズル38)が、基板Wの搬
送経路上方に、該搬送方向における上流側から順に並べ
て設けられている。
As shown in FIG. 1, two types of nozzles (a first nozzle 36 and a second nozzle 38) for spraying a chemical solution on the surface of the substrate W are provided inside the second peeling tank 14b. Above, it is provided in order from the upstream side in the transport direction.
【0027】第1ノズル36は、薬液を円錐状に噴射す
るシャワーノズルであって、同図に示すように薬液供給
管42を介して第2薬液タンク40に接続されており、
薬液供給管42に介設された高圧ポンプ44の作動によ
り薬液を高い圧力、例えば、当実施の形態では3kgf/cm
2〜20kgf/cm2の圧力で基板Wに吹き付けるように構成
されている。すなわち、これら第1ノズル36、薬液供
給管42等により本発明の高圧スプレー手段が構成され
ている。
The first nozzle 36 is a shower nozzle for injecting a chemical liquid in a conical shape, and is connected to a second chemical liquid tank 40 via a chemical liquid supply pipe 42 as shown in FIG.
The chemical is pumped at a high pressure, for example, 3 kgf / cm in this embodiment by the operation of the high-pressure pump 44 provided in the chemical supply pipe 42.
The substrate W is configured to be sprayed at a pressure of 2 to 20 kgf / cm 2 . That is, the first nozzle 36, the chemical solution supply pipe 42, and the like constitute the high-pressure spray means of the present invention.
【0028】一方、第2ノズル38は、基板Wの幅方向
(図1では紙面に直交する方向)にわたって薬液を吐出
するスリット状のノズルであって、基板Wの搬送方向に
おける上流側に向かって所定の角度で薬液を基板Wに吹
き付けるように傾斜した状態で設置されている。そし
て、薬液供給管50を介して上記第2薬液タンク40に
接続され、この薬液供給管50に介設されたポンプ52
の作動により薬液を基板Wに吹き付けるように構成され
ている。図示を省略しているが、第2ノズル38には超
音波発生器が内蔵されており、第2ノズル38から薬液
が供給される際には、この超音波発生器の作動により薬
液に高周波の超音波振動、例えば、当実施の形態では
0.5MHz〜2MHzの超音波振動を薬液に付与する
ようになっている。すなわち、これら第2ノズル38、
薬液供給管50等により本発明の高周波剥離液供給手段
が構成されている。
On the other hand, the second nozzle 38 is a slit-shaped nozzle that discharges a chemical solution in the width direction of the substrate W (in the direction perpendicular to the paper surface in FIG. 1), and is directed toward the upstream side in the transport direction of the substrate W. It is installed in an inclined state so that a chemical solution is sprayed onto the substrate W at a predetermined angle. The pump 52 is connected to the second chemical liquid tank 40 via the chemical liquid supply pipe 50, and is connected to the chemical liquid supply pipe 50.
Is configured to spray a chemical solution onto the substrate W by the operation of. Although not shown, the second nozzle 38 has a built-in ultrasonic generator, and when the chemical liquid is supplied from the second nozzle 38, a high-frequency wave is applied to the chemical liquid by the operation of the ultrasonic generator. Ultrasonic vibration, for example, in this embodiment, ultrasonic vibration of 0.5 MHz to 2 MHz is applied to the chemical solution. That is, these second nozzles 38,
The high-frequency stripping solution supply means of the present invention is constituted by the chemical solution supply tube 50 and the like.
【0029】なお、図1中、46,54は薬液供給管4
2,50に介設されるフィルタである。また、56は、
第2剥離槽14bの内の薬液を第2薬液タンク40に回
収するための薬液回収管で、第3剥離槽14cから第2
薬液タンク40に至る後述の薬液回収管68に接続され
ている。つまり、第1および第2の各ノズル36,38
から供給されて処理に供された薬液は、薬液回収管5
6、68を介して第2薬液タンク40に回収され、再
度、薬液供給管42,50を介して各ノズル36,38
に供給される。そして、この際、フィルタ46,54を
介して薬液が供給されることにより薬液が浄化されなが
ら循環使用されるようになっている。
In FIG. 1, reference numerals 46 and 54 denote chemical supply pipes 4.
2 and 50. 56 is
A chemical solution collection pipe for collecting the chemical solution in the second peeling tank 14b into the second chemical solution tank 40.
It is connected to a chemical solution collection pipe 68 described below, which reaches the chemical solution tank 40. That is, the first and second nozzles 36, 38
The chemical supplied from the container and supplied for processing is supplied to the chemical collection pipe 5
The liquid is collected in the second chemical liquid tank 40 via the liquid chemical supply pipes 6 and 68, and again through the chemical liquid supply pipes 42 and 50.
Supplied to At this time, the chemical solution is supplied through the filters 46 and 54, so that the chemical solution is purified and circulated for use.
【0030】第3剥離槽14cは、基板Wに薬液を吹き
付けつつ、ローラ17の正逆回転駆動により基板Wを一
定の範囲で搬送方向に進退させながら処理を施すように
されており、搬送機構18による基板搬送路の上下両側
には、基板Wの搬送方向に複数のノズル60a,60b
が並設され、これらノズル60a,60bが薬液供給管
62を介して上記第2薬液タンク40に接続されてい
る。
The third peeling tank 14c performs processing while spraying a chemical solution on the substrate W and moving the substrate W forward and backward within a certain range by a forward / reverse rotation of the roller 17 in the transport direction. 18, a plurality of nozzles 60a, 60b in the upper and lower sides of the substrate transport path in the transport direction of the substrate W
These nozzles 60 a and 60 b are connected to the second chemical liquid tank 40 via a chemical liquid supply pipe 62.
【0031】これらのノズル60a,60bは、薬液を
円錐状に噴射するシャワーノズルであって、同図に示す
ように薬液供給管62に介設されたポンプ66の作動に
より薬液を基板Wの表裏両面に吹き付けるように構成さ
れている。これらノズル60a,60bによる薬液の吹
き付け圧力は、上記第2剥離槽14bの第1ノズル36
による吹き付け圧力より十分小さく設定されており、例
えば、当実施の形態では0.5kgf/cm2〜1kgf/cm2に設
定されている。すなわち、これらノズル60a,60
b、薬液供給管62等により本発明の低圧スプレー手段
が構成されている。
The nozzles 60a and 60b are shower nozzles for injecting a chemical liquid in a conical shape, and the chemical liquid is supplied to the front and back of the substrate W by the operation of a pump 66 interposed in the chemical liquid supply pipe 62 as shown in FIG. It is configured to spray on both sides. The spray pressure of the chemical solution by these nozzles 60a and 60b is equal to the pressure of the first nozzle 36 of the second peeling tank 14b.
It is sufficiently smaller set than spraying pressure by, for example, in those embodiments is set to 0.5kgf / cm 2 ~1kgf / cm 2 . That is, these nozzles 60a, 60
b, the low-pressure spray means of the present invention is constituted by the chemical supply pipe 62 and the like.
【0032】なお、この第3剥離槽14cにおいても、
剥離槽14cと第2薬液タンク40との間には薬液回収
管68が設けられており、処理に供された薬液が該薬液
回収管68を介して第2薬液タンク40に回収されつつ
循環使用されるようになっている。この際、薬液供給管
62に介設されたフィルタ64を介して薬液が供給され
ることにより第3剥離槽14cにおいても薬液が浄化さ
れつつ循環使用されるようになっている。
Incidentally, also in the third peeling tank 14c,
A chemical solution recovery pipe 68 is provided between the peeling tank 14c and the second chemical solution tank 40, and the chemical solution used for the treatment is collected in the second chemical solution tank 40 via the chemical solution recovery pipe 68 while being circulated. It is supposed to be. At this time, the chemical solution is supplied through a filter 64 provided in the chemical solution supply pipe 62, so that the chemical solution is also purified and circulated in the third stripping tank 14c.
【0033】水洗槽14dは、基板Wに水洗処理を施す
ための槽で、槽内には、搬送機構18による基板搬送路
の上下両側に、複数のノズル70a,70bが基板Wの
搬送方向に並設されており、これらノズル70a,70
bが純水供給管72を介して純水タンク76に接続され
ている。これらのノズル70a,70bは、純水を円錐
状に噴射するシャワーノズルであって、純水供給管57
に介設されたポンプ74の作動により純水を基板Wの表
裏両面に吹き付けるように構成されている。なお、水洗
槽14dには排液管78が接続されており、処理に供さ
れた使用済みの純水はこの排液管78を介して図外の廃
液タンクに収容されるようになっている。
The washing tank 14d is a tank for performing a washing process on the substrate W. A plurality of nozzles 70a and 70b are provided in the tank on both upper and lower sides of the substrate transport path by the transport mechanism 18 in the transport direction of the substrate W. These nozzles 70a, 70
b is connected to a pure water tank 76 via a pure water supply pipe 72. These nozzles 70a and 70b are shower nozzles for injecting pure water in a conical shape, and a pure water supply pipe 57 is provided.
The pure water is sprayed on both the front and back surfaces of the substrate W by the operation of the pump 74 interposed in the substrate W. A drain pipe 78 is connected to the washing tank 14d, and the used pure water used for the treatment is stored in a waste tank (not shown) via the drain pipe 78. .
【0034】上記乾燥槽14eは、水洗処理により基板
Wに付着した純水を吹き飛ばすことにより基板Wを乾燥
させるための処理槽で、槽内には、搬送機構18による
基板搬送路の上下両側に、それぞれ基板Wの表裏両面に
指向するエアノズル80a,80bが配設されており、
これらエアノズル80a,80bがエア供給管82を介
してエア供給源84に接続されている。これらのエアノ
ズル80a,80bは、スリット状の噴出口を有したノ
ズルで、同図に示すように基板Wの搬送方向における上
流側に向かってエアを噴出するように配置されており、
搬送されてきた基板Wにエアを吹き付けることにより付
着水を吹き飛ばずように構成されている。
The drying tank 14e is a processing tank for drying the substrate W by blowing off the pure water attached to the substrate W by the water washing process. The drying tank 14e is provided on both upper and lower sides of the substrate transport path by the transport mechanism 18. , Air nozzles 80a and 80b directed to both the front and back surfaces of the substrate W are provided.
These air nozzles 80 a and 80 b are connected to an air supply source 84 via an air supply pipe 82. These air nozzles 80a and 80b are nozzles having slit-shaped ejection ports, and are arranged so as to eject air toward the upstream side in the transport direction of the substrate W as shown in FIG.
By blowing air onto the transported substrate W, it is configured not to blow off the attached water.
【0035】以上のような基板処理装置10は、図示を
省略しているが、コンピュータを構成要素とするコント
ローラを備えており、搬送機構18による基板Wの搬送
や、薬液等の供給タイミングがこのコントローラにより
統括的に制御されるようになっている。
Although not shown, the above-described substrate processing apparatus 10 includes a controller having a computer as a component, and the transport timing of the substrate W by the transport mechanism 18 and the supply timing of the chemical solution and the like are determined by the controller. It is generally controlled by a controller.
【0036】以下、上記基板処理装置10による基板W
の処理動作について説明する。基板処理装置10におい
て、図外の移載機構等により受入れ部12に基板Wが搬
入されてローラ17上に載置されると、まず、該ローラ
17が回転駆動されて基板Wが第1剥離槽14aに搬送
される。そして、浸漬槽20内に基板Wがセットさせら
れた後、浸漬槽20に薬液が供給されて基板Wが薬液に
浸漬させられる。この際、超音波発生器26の作動によ
り薬液が励振されることにより、薬液の化学的作用と振
動作用とにより効果的に膜が剥離される。特に、低周波
域の超音波振動が薬液に与えられることにより薬液にキ
ャビテーション現象が発生し、その作用により基板Wに
形成されている膜の大部分がこの処理で剥離されること
となる。なお、第1剥離槽14aでの処理時間は、基板
Wに過剰剥離が生じないように比較的短い時間に設定さ
れている。
Hereinafter, the substrate W by the substrate processing apparatus 10 will be described.
Will be described. In the substrate processing apparatus 10, when the substrate W is carried into the receiving unit 12 by a transfer mechanism (not shown) and placed on the roller 17, first, the roller 17 is driven to rotate and the substrate W is first separated. It is transported to the tank 14a. After the substrate W is set in the immersion tank 20, a chemical is supplied to the immersion tank 20, and the substrate W is immersed in the chemical. At this time, when the chemical is excited by the operation of the ultrasonic generator 26, the film is effectively peeled off by the chemical action and the vibration action of the chemical. In particular, the cavitation phenomenon occurs in the chemical solution when the ultrasonic vibration in the low frequency range is applied to the chemical solution, and the action causes most of the film formed on the substrate W to be peeled off by this processing. The processing time in the first stripping tank 14a is set to a relatively short time so that the substrate W is not excessively stripped.
【0037】所定時間だけ基板Wが薬液に浸漬させられ
ると、開口部22a,22bが開かれて浸漬槽20から
薬液がオーバーフローさせられるとともに搬送機構18
が高速駆動され、これにより基板Wが第2剥離槽14b
を通過させられて第3剥離槽14cに搬入される。この
際、第2剥離槽14bを基板Wが通過すると、まず第1
ノズル36により高圧の薬液が基板Wに吹き付けられ、
さらに高周波域の超音波により励振された薬液が第2ノ
ズル38から基板Wに吹き付けられる。これにより、第
1剥離槽14aで剥離されずに残存している膜の殆どが
第2剥離槽14bの通過時に剥離されることとなる。
When the substrate W is immersed in the chemical for a predetermined time, the openings 22a and 22b are opened to allow the chemical to overflow from the immersion tank 20, and the transport mechanism 18
Is driven at a high speed, whereby the substrate W is removed from the second peeling tank 14b.
And carried into the third peeling tank 14c. At this time, when the substrate W passes through the second peeling tank 14b, the first
A high-pressure chemical is sprayed onto the substrate W by the nozzle 36,
Further, the chemical solution excited by the high frequency ultrasonic waves is sprayed onto the substrate W from the second nozzle 38. Thereby, most of the film remaining without being peeled off in the first peeling tank 14a is peeled off when passing through the second peeling tank 14b.
【0038】第3剥離槽14c内では、基板Wがまず所
定の処理位置にセットされる。そして、各ノズル60
a,60bにより基板Wに薬液が吹き付けられつつ、ロ
ーラ17が正逆回転駆動されて基板Wが一定の範囲で進
退移動させられる。これにより基板Wにわずかに残存し
ている膜が剥離されることとなる。
In the third stripping tank 14c, the substrate W is first set at a predetermined processing position. And each nozzle 60
While the chemical liquid is sprayed on the substrate W by a and 60b, the roller 17 is driven to rotate forward and backward to move the substrate W forward and backward within a certain range. As a result, the film slightly remaining on the substrate W is peeled off.
【0039】そして、第3剥離槽14cでの処理が完了
すると、水洗槽14d及び乾燥槽14dと基板Wが搬送
され、純水の吹き付けおよびエアの吹き付けが順次行わ
れ、これにより基板Wに水洗処理及び乾燥処理が順次施
される。そして、受渡し部16へと基板Wが搬送され、
例えば、図外の移載機構により基板Wが受渡し部16か
らピックアップされてカセット等に収納される。こうし
て処理装置本体14における全ての処理が終了する。
When the processing in the third stripping tank 14c is completed, the washing tank 14d and the drying tank 14d and the substrate W are conveyed, and spraying of pure water and air are sequentially performed. A treatment and a drying treatment are sequentially performed. And the board | substrate W is conveyed to the delivery part 16,
For example, the substrate W is picked up from the transfer unit 16 by a transfer mechanism (not shown) and stored in a cassette or the like. Thus, all the processes in the processing device body 14 are completed.
【0040】以上説明した処理装置本体14によれば、
基板Wに形成された膜を剥離する処理として、上述のよ
うに0.5MHz〜2MHzの高周波域の超音波で励振
した薬液を基板Wに供給する処理に加え、この処理より
も剥離力が強い処理、すなわち30kHz〜50kHz
の低周波域の超音波で励振した薬液に基板Wを浸漬する
処理と、超音波振動を与えない薬液を3kgf/cm2〜20k
gf/cm2の高圧力で基板Wに吹き付ける処理とを行うよう
にしているため、高周波域の超音波振動を与えた薬液を
基板Wに供給することのみによって膜を剥離する従来の
処理にくらべると極めて効率よく膜を剥離することがで
きる。
According to the processing apparatus body 14 described above,
As a process of peeling the film formed on the substrate W, in addition to the process of supplying a chemical solution excited by ultrasonic waves in a high frequency range of 0.5 MHz to 2 MHz to the substrate W as described above, the peeling force is stronger than this process. Processing, ie 30kHz-50kHz
A process of immersing the substrate W in a chemical solution excited by ultrasonic waves in a low frequency range of 3 kgf / cm 2 to 20 k
Since the process of spraying the substrate W at a high pressure of gf / cm 2 is performed, it is compared with the conventional process of peeling a film only by supplying the substrate W with a chemical solution given ultrasonic vibration in a high frequency range. The film can be peeled very efficiently.
【0041】しかも、上記のように複数種の剥離処理を
行うため、低周波域の超音波で励振した薬液に基板を浸
漬する処理において膜を完全に剥離していまう必要がな
く、該処理の時間を短く設定することができる。そのた
め、低周波域の超音波で励振した薬液に基板を浸漬する
処理のみによって膜を剥離する従来の処理のように過剰
剥離等を招く虞れがなく、適切に基板Wの膜を剥離する
ことができる。
Further, since a plurality of kinds of peeling treatments are performed as described above, it is not necessary to completely peel off the film in the treatment of immersing the substrate in a chemical solution excited by low frequency ultrasonic waves. The time can be set shorter. Therefore, there is no possibility of causing excessive peeling or the like as in the conventional processing of peeling the film only by the treatment of immersing the substrate in a chemical solution excited by low frequency ultrasonic waves, and the film of the substrate W is appropriately peeled. Can be.
【0042】従って、上記基板処理装置10によれば、
比較的大型の基板Wであっても、基板Wに形成されてい
る膜を適切かつ迅速に剥離することができる。
Therefore, according to the substrate processing apparatus 10,
Even with a relatively large substrate W, the film formed on the substrate W can be peeled off appropriately and quickly.
【0043】ところで、上記実施の形態の基板処理装置
10は、本発明に係る剥離方法を実施する装置の一の実
施の形態であって、その具体的な構成は本発明の要旨を
逸脱しない範囲で適宜変更可能である。
Incidentally, the substrate processing apparatus 10 of the above embodiment is one embodiment of an apparatus for performing the peeling method according to the present invention, and the specific configuration thereof does not depart from the gist of the present invention. Can be changed as appropriate.
【0044】例えば、基板処理装置10の変形例として
図3〜図7に示すような装置構成を採用することも考え
られる。
For example, as a modification of the substrate processing apparatus 10, it is conceivable to adopt an apparatus configuration as shown in FIGS.
【0045】すなわち、上記基板処理装置10において
第1剥離槽14aを省略した構成(図3)、基板処理装
置10において第3剥離槽14cを省略した構成(図
4)、基板処理装置10において第2剥離槽14bの第
1ノズル36を省略した構成(図5)、基板処理装置1
0において第2剥離槽14bの第1ノズル36および第
3剥離槽14cを省略した構成(図6)、基板処理装置
10において第1剥離槽14aおよび第3剥離槽14c
を省略した構成(図7)等が考えられる。
That is, in the above-described substrate processing apparatus 10, the configuration in which the first peeling tank 14a is omitted (FIG. 3), in the substrate processing apparatus 10, in which the third peeling tank 14c is omitted (FIG. 4), and in the substrate processing apparatus 10, 2 The configuration in which the first nozzle 36 of the separation tank 14b is omitted (FIG. 5), the substrate processing apparatus 1
0 in which the first nozzle 36 and the third stripping tank 14c of the second stripping tank 14b are omitted (FIG. 6), and the first stripping tank 14a and the third stripping tank 14c in the substrate processing apparatus 10.
May be omitted (FIG. 7).
【0046】これらの装置構成によれば、いずれも、高
周波域の超音波により励振した薬液を第2ノズル38か
ら基板Wに供給するという、剥離効果が高く、しかも基
板Wにダメージを与え難い処理を行いつつ当該処理より
も剥離効果の高い処理、すなわち低周波域の超音波によ
り励振した薬液に基板Wを浸漬する処理又は超音波振動
を与えない薬液を高圧で基板Wに吹き付ける処理のいず
れかを行うため、上記基板処理装置10の場合と同様
に、膜を適切かつ迅速に剥離するという効果を得ること
が可能である。この場合、いずれの装置構成を採用する
かは基板サイズ、基板Wに形成される膜の性状、薬液の
種類、あるいはタクトタイム等の種々の条件を考慮して
決定することができる。また、各剥離処理の順序も図示
の例に限られず上記各条件を考慮して適宜決定すること
ができる。
In any of these apparatus configurations, a chemical solution excited by high-frequency ultrasonic waves is supplied from the second nozzle 38 to the substrate W, which has a high peeling effect and is less likely to damage the substrate W. Or a process in which the substrate W is immersed in a chemical solution excited by low-frequency ultrasonic waves, or a process in which a chemical solution that does not impart ultrasonic vibration is sprayed onto the substrate W at a high pressure. As in the case of the above-described substrate processing apparatus 10, it is possible to obtain an effect of appropriately and quickly peeling off the film. In this case, which apparatus configuration is adopted can be determined in consideration of various conditions such as the substrate size, the properties of the film formed on the substrate W, the type of chemical solution, and the tact time. Further, the order of the stripping processes is not limited to the illustrated example, and can be appropriately determined in consideration of the above conditions.
【0047】なお、基板Wに形成される膜が極めて剥離
しにくく、過剰剥離等の虞れがないことが明らかな場合
には、例えば、上記基板処理装置10の構成において、
第2剥離槽14bの第2ノズル38、あるいは第2ノズ
ル38と第3剥離槽14cの双方を省略したような装置
構成を採用することもできる。
In the case where it is clear that the film formed on the substrate W is extremely difficult to peel off and there is no fear of excessive peeling or the like, for example, in the configuration of the substrate processing apparatus 10,
An apparatus configuration in which the second nozzle 38 of the second peeling tank 14b or both the second nozzle 38 and the third peeling tank 14c may be omitted.
【0048】また、上記基板処理装置10においては、
低周波域の超音波により励振した薬液を供給する場合に
は基板Wを薬液に浸漬し、高周波域の超音波により励振
した薬液を供給する場合には基板Wに薬液を吹き付ける
ようにしているが、逆に、低周波域の超音波により励振
した薬液を供給する場合には基板Wに薬液を吹き付け、
高周波域の超音波により励振した薬液を供給する場合に
は基板Wを薬液に浸漬するようにしてもよい。
In the above substrate processing apparatus 10,
When supplying a chemical solution excited by low frequency ultrasonic waves, the substrate W is immersed in the chemical solution, and when supplying a chemical solution excited by high frequency ultrasonic waves, the chemical solution is sprayed on the substrate W. Conversely, when supplying a chemical solution excited by low frequency ultrasonic waves, the chemical solution is sprayed on the substrate W,
When supplying a chemical solution excited by high frequency ultrasonic waves, the substrate W may be immersed in the chemical solution.
【0049】なお、薬液を励振する場合の具体的な周波
数や、薬液を基板Wに吹き付ける場合の具体的な圧力等
は上記実施の形態の数値に限られるものではなく、基板
サイズ、基板Wに形成される膜の性状等、種々の条件を
考慮して、より迅速かつ適切に膜を剥離できるように適
宜選定するようにすればよい。
The specific frequency for exciting the chemical solution, the specific pressure for spraying the chemical solution onto the substrate W, and the like are not limited to the numerical values in the above-described embodiment. In consideration of various conditions such as the properties of the film to be formed, it may be appropriately selected so that the film can be more quickly and appropriately peeled.
【0050】[0050]
【発明の効果】以上説明したように、本発明は、0.5
MHz以上の高周波域の超音波振動を付与した剥離液を基
板に供給する高周波剥離工程に、50kHz以下の低周波
域の超音波振動を付与した剥離液を基板に供給する低周
波剥離工程および超音波振動を付与しない剥離液を高圧
で基板に吹き付ける高圧スプレー剥離工程の少なくとも
一方の工程を併用するようにしたので、極めて迅速に膜
を剥離することができ、しかも過剰剥離等の発生を有効
に防止して適切に膜を剥離することができる。
As described above, the present invention provides a 0.5
A high-frequency stripping step of applying a stripping solution to which ultrasonic vibrations in a high-frequency range of not less than 50 MHz are supplied to the substrate; Since at least one of the high-pressure spray stripping steps of spraying a stripping solution to the substrate at a high pressure without applying ultrasonic vibration is used in combination, the film can be stripped very quickly, and the occurrence of excessive stripping and the like can be effectively prevented. The film can be peeled off properly.
【0051】特に、この方法において、基板に対して低
圧で剥離液を吹き付ける低圧スプレー剥離工程をさらに
行うようにすれば、例えば、最終的な仕上げを剥離力の
比較的弱い低圧スプレー剥離工程により行うことで、過
剰剥離等の発生を防止しながら膜をより完全に剥離する
ことができる。なお、低圧スプレー剥離工程では、0.
5kgf/cm2〜1kgf/cm2の圧力で剥離液を基板に吹き付
け、高圧スプレー剥離工程では、3kgf/cm2〜20kgf/c
m2の圧力で剥離液を吹き付けるのが効果的である。
Particularly, in this method, if a low-pressure spray stripping step of spraying a stripping solution at a low pressure on the substrate is further performed, for example, the final finishing is performed by a low-pressure spray stripping step having a relatively weak peeling force. Thereby, the film can be more completely peeled while preventing occurrence of excessive peeling and the like. In addition, in the low pressure spray peeling step, 0.1.
5kgf / cm 2 ~1kgf / cm 2 of pressure spraying a stripping solution to the substrate, the high pressure spray stripping step, 3kgf / cm 2 ~20kgf / c
It is effective to spray the stripper at a pressure of m 2 .
【0052】また、低周波剥離工程を行う場合には、3
0kHz〜50kHzの超音波振動を剥離液に付与する
のが効果的であり、高周波剥離工程では、0.5MHz
〜2MHzの超音波振動を剥離液に付与するのが効果的
である。
When the low-frequency peeling step is performed,
It is effective to apply an ultrasonic vibration of 0 kHz to 50 kHz to the stripping solution.
It is effective to apply ultrasonic vibration of about 2 MHz to the stripping solution.
【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]
【図1】本発明に係る剥離装置の一例を示す模式図であ
る。
FIG. 1 is a schematic view showing an example of a peeling device according to the present invention.
【図2】第1剥離槽での処理を説明する図である。FIG. 2 is a diagram illustrating processing in a first peeling tank.
【図3】本発明に係る剥離装置の他の例を示す模式図で
ある。
FIG. 3 is a schematic view showing another example of the peeling device according to the present invention.
【図4】本発明に係る剥離装置の他の例を示す模式図で
ある。
FIG. 4 is a schematic view showing another example of the peeling device according to the present invention.
【図5】本発明に係る剥離装置の他の例を示す模式図で
ある。
FIG. 5 is a schematic view showing another example of the peeling device according to the present invention.
【図6】本発明に係る剥離装置の他の例を示す模式図で
ある。
FIG. 6 is a schematic view showing another example of the peeling device according to the present invention.
【図7】本発明に係る剥離装置の他の例を示す模式図で
ある。
FIG. 7 is a schematic view showing another example of the peeling device according to the present invention.
【符号の説明】[Explanation of symbols]
10 基板処理装置 12 受入れ部 14 処理装置本体 14a 第1剥離槽 14b 第2剥離槽 14c 第3剥離槽 14d 水洗槽 14e 乾燥槽 16 受渡し部 20 浸漬槽 26 超音波発生器 36 第1ノズル 38 第2ノズル 60a,60b ノズル 70a,70b ノズル 80a,80ba エアノズル W 基板 DESCRIPTION OF SYMBOLS 10 Substrate processing apparatus 12 Receiving part 14 Processing apparatus main body 14a 1st peeling tank 14b 2nd peeling tank 14c 3rd peeling tank 14d Rinsing tank 14e Drying tank 16 Transfer part 20 Immersion tank 26 Ultrasonic generator 36 1st nozzle 38 2nd Nozzle 60a, 60b Nozzle 70a, 70b Nozzle 80a, 80ba Air nozzle W Substrate

Claims (8)

    【特許請求の範囲】[Claims]
  1. 【請求項1】 基板に剥離液を供給してその表面に形成
    された膜を剥離する方法において、50kHz以下の低周
    波域の超音波振動を付与した剥離液を基板に供給する低
    周波剥離工程および超音波振動を付与しない剥離液を高
    圧で基板に吹き付ける高圧スプレー剥離工程の少なくと
    も一方の工程と、0.5MHz以上の高周波域の超音波振
    動を付与した剥離液を基板に供給する高周波剥離工程と
    を備えることを特徴とする剥離方法。
    In a method of supplying a stripping solution to a substrate and stripping a film formed on the surface thereof, a low-frequency stripping step of applying a stripping solution to the substrate to which ultrasonic vibration in a low frequency range of 50 kHz or less is applied. And at least one of a high-pressure spray peeling step of spraying a peeling liquid that does not apply ultrasonic vibration to the substrate at a high pressure, and a high-frequency peeling step of supplying a peeling liquid that has been subjected to ultrasonic vibration in a high frequency range of 0.5 MHz or more to the substrate. And a peeling method comprising:
  2. 【請求項2】 基板に対して低圧で剥離液を吹き付ける
    低圧スプレー剥離工程をさらに含むことを特徴とする請
    求項1記載の剥離方法。
    2. The stripping method according to claim 1, further comprising a low-pressure spray stripping step of spraying a stripping solution at a low pressure on the substrate.
  3. 【請求項3】 低圧スプレー剥離工程では、0.5kgf/
    cm2〜1kgf/cm2の圧力で剥離液を基板に吹き付けること
    を特徴とする請求項2記載の剥離方法。
    3. The low-pressure spray-peeling step includes a step of 0.5 kgf /
    separation method of claim 2, wherein the blowing stripping solution at a pressure of cm 2 ~1kgf / cm 2 to the substrate.
  4. 【請求項4】 高圧スプレー剥離工程では、3kgf/cm2
    〜20kgf/cm2の圧力で剥離液を基板に吹き付けること
    を特徴とする請求項1乃至3のいずれかに記載の剥離方
    法。
    4. In the high pressure spray peeling step, 3 kgf / cm 2
    The stripping method according to any one of claims 1 to 3, wherein a stripping solution is sprayed on the substrate at a pressure of about 20 kgf / cm2.
  5. 【請求項5】 低周波剥離工程を行う場合には、30k
    Hz〜50kHzの超音波振動を剥離液に付与すること
    を特徴とする請求項1乃至4のいずれかに記載の剥離方
    法。
    5. When performing a low frequency peeling step, 30 k
    The stripping method according to any one of claims 1 to 4, wherein ultrasonic vibration of Hz to 50 kHz is applied to the stripping solution.
  6. 【請求項6】 高周波剥離工程では、0.5MHz〜2
    MHzの超音波振動を剥離液に付与することを特徴とす
    る請求項1乃至5のいずれかに記載の剥離方法。
    6. The high-frequency peeling step is performed at 0.5 MHz to 2 MHz.
    6. The stripping method according to claim 1, wherein ultrasonic vibration of MHz is applied to the stripping solution.
  7. 【請求項7】 基板に剥離液を供給してその表面に形成
    された膜を剥離する装置において、50kHz以下の低周
    波域の超音波振動を付与した剥離液を基板に供給する低
    周波剥離液供給手段および超音波振動を付与しない剥離
    液を高圧で基板に吹き付ける高圧スプレー手段の少なく
    とも一方の手段と、0.5MHz以上の高周波域の超音波
    振動を付与した剥離液を基板に供給する高周波剥離液供
    給手段とを備えていることを特徴とする剥離装置。
    7. An apparatus for supplying a stripping solution to a substrate and stripping a film formed on the surface of the substrate, wherein a low-frequency stripping solution to the substrate is provided with a stripping solution to which ultrasonic vibration in a low frequency range of 50 kHz or less is applied. At least one of a supply unit and a high-pressure spraying unit that sprays a peeling liquid that does not apply ultrasonic vibration to the substrate at a high pressure, and a high-frequency peeling that supplies a peeling liquid that is applied with ultrasonic vibration in a high frequency range of 0.5 MHz or more to the substrate. A stripping device, comprising: a liquid supply unit.
  8. 【請求項8】 基板に対して低圧で剥離液を吹き付ける
    低圧スプレー手段をさらに備えていることを特徴とする
    請求項7記載の剥離装置。
    8. The stripping apparatus according to claim 7, further comprising low-pressure spraying means for spraying a stripping solution at a low pressure onto the substrate.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR100328258B1 (en) * 1999-12-17 2002-03-16 이형도 Wafer cleaning apparatus
JP2012178500A (en) * 2011-02-28 2012-09-13 Mitsubishi Electric Corp Wet etching method and wet etching apparatus
KR20130004980U (en) * 2012-02-10 2013-08-20 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤 Apparatus for thin filming resist layer
JP2014115307A (en) * 2012-12-06 2014-06-26 Tokyo Kakoki Kk Resist removal device

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100328258B1 (en) * 1999-12-17 2002-03-16 이형도 Wafer cleaning apparatus
JP2012178500A (en) * 2011-02-28 2012-09-13 Mitsubishi Electric Corp Wet etching method and wet etching apparatus
KR20130004980U (en) * 2012-02-10 2013-08-20 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤 Apparatus for thin filming resist layer
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