KR101100961B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

Substrate treating apparatus and substrate treating method Download PDF

Info

Publication number
KR101100961B1
KR101100961B1 KR1020090128022A KR20090128022A KR101100961B1 KR 101100961 B1 KR101100961 B1 KR 101100961B1 KR 1020090128022 A KR1020090128022 A KR 1020090128022A KR 20090128022 A KR20090128022 A KR 20090128022A KR 101100961 B1 KR101100961 B1 KR 101100961B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
liquid
processing
substrate
holding
liquid discharge
Prior art date
Application number
KR1020090128022A
Other languages
Korean (ko)
Other versions
KR20100105345A (en
Inventor
가즈오 조다이
가즈미 스기타
에이지 야마시타
다쿠토 가와카미
Original Assignee
다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority to JPJP-P-2009-062398 priority Critical
Priority to JP2009062398A priority patent/JP5202400B2/en
Application filed by 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤 filed Critical 다이니폰 스크린 세이조우 가부시키가이샤
Publication of KR20100105345A publication Critical patent/KR20100105345A/en
Application granted granted Critical
Publication of KR101100961B1 publication Critical patent/KR101100961B1/en

Links

Images

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • HELECTRICITY
    • H01BASIC ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/677Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations
    • H01L21/67703Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for conveying, e.g. between different workstations between different workstations
    • H01L21/67706Mechanical details, e.g. roller, belt

Abstract

(과제)다량의 처리액을 소비하는 일 없이, 기판의 표면 전역에 유효하게 처리액을 공급하는 것이 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공한다.

(해결 수단)유리 기판(100)을 수평 방향으로 반송하는 반송 롤러(9)와, 처리액 토출구(21)가 형성되고, 이 처리액 토출구(21)와 유리 기판(100)의 표면의 사이가 처리액의 액막에 의해 액밀 상태가 되는 위치에 배치된 처리액 토출 노즐(2)과, 처리액 유지면(31)을 구비하고, 처리액 토출구(21)와 처리액 유지면(31)의 사이에 처리액의 액고임을 형성할 수 있게 되는 위치에 배치된 액고임 유지 부재(3)와, 유리 기판(100)의 이면에 세정액을 공급하는 한 쌍의 이면 세정부(4)를 구비한다.

Figure R1020090128022

(Problem) Provided is a substrate processing apparatus and a substrate processing method capable of effectively supplying a processing liquid to the entire surface of a substrate without consuming a large amount of processing liquid.

(Solution means) The conveyance roller 9 which conveys the glass substrate 100 in a horizontal direction, and the process liquid discharge port 21 are formed, and between this process liquid discharge port 21 and the surface of the glass substrate 100 is carried out. The process liquid discharge nozzle 2 and the process liquid holding surface 31 which are arrange | positioned in the position which becomes liquid-tight state by the liquid film of a process liquid are provided, and are between the process liquid discharge port 21 and the process liquid holding surface 31. FIG. And a liquid level holding member 3 disposed at a position at which the liquid level of the processing liquid can be formed, and a pair of rear surface cleaning portions 4 for supplying the cleaning liquid to the rear surface of the glass substrate 100.

Figure R1020090128022

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method {SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}

이 발명은, LCD(액정 표시 장치)나 PDP(플라즈마 디스플레이) 등의 FPD(플랫 패널 디스플레이)용 유리 기판, 유기 EL용 유리 기판, 포토마스크용 유리 기판, 광디스크용 기판, 반도체 웨이퍼, 태양 전지 및 전자 페이퍼용 필름 기판 등의 기판을 처리액에 의해 처리하는 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치에 관한 것이다.The present invention is a glass substrate for FPD (flat panel display), such as LCD (liquid crystal display device) and PDP (plasma display), glass substrate for organic EL, glass substrate for photomask, substrate for optical disk, semiconductor wafer, solar cell and A substrate processing method and a substrate processing apparatus for processing a substrate such as a film substrate for electronic paper with a processing liquid.

예를 들면, LCD의 제조시에는, 어모퍼스 실리콘층을 유리 기판 상에 형성하고, 이 실리콘층 표면의 자연 산화막을 에칭 처리하고, 세정 및 건조 처리를 한 후에, 레이저를 조사하여 어모퍼스 실리콘층을 용융 재결정화하고 있다. 이 때, 에칭 공정 등에 있어서는, 종래, 기판을 수평하게 지지한 상태로 수직축 둘레를 회전시키면서, 그 표면에 순차적으로 에칭액을 공급하여, 기판의 표면을 에칭 처리하는 구성이 채용되고 있다. 또, 에칭 처리 후의 기판은 강한 발수성을 가짐으로서, 에칭 후의 기판을 저속 회전시키면서 세정액을 공급하고, 기판 전면에 그 표면 장력으로 세정액의 액막을 형성한 상태로 세정 처리를 실시하고, 그런 후, 기판을 고속 회전시켜 세정액을 제거하는 구성이 채용되고 있다(특허 문헌 1 참조).For example, in manufacturing LCD, an amorphous silicon layer is formed on a glass substrate, the native oxide film on the surface of the silicon layer is etched, washed and dried, and then irradiated with laser to melt the amorphous silicon layer. Recrystallization. At this time, in an etching process, the structure which etches the surface of a board | substrate is sequentially employ | adopted by supplying etching liquid to the surface while rotating around a vertical axis | shaft in the state which supported the board | substrate horizontally. Moreover, since the board | substrate after an etching process has strong water repellency, it supplies the cleaning liquid, rotating the board | substrate after etching at low speed, and performs a cleaning process in the state which formed the liquid film of the cleaning liquid by the surface tension in the whole surface of the board | substrate, and then, a board | substrate The structure which removes a washing | cleaning liquid by rotating at high speed is employ | adopted (refer patent document 1).

[선행 기술 문헌][Prior Art Literature]

[특허 문헌][Patent Document]

[특허 문헌 1:일본국 특허공개 2003-17461][Patent Document 1: Japanese Patent Publication No. 2003-17461]

근래의 피처리 기판의 대형화에 의해, 특허 문헌 1에 기재된 발명과 같이, 기판을 회전시키면서 에칭 처리를 행하는 것은 곤란해지고 있다. 이 때문에, 기판을 수평 방향으로 반송하면서, 기판의 표면에 대해서 에칭액 등의 처리액을 공급하여, 기판을 처리하는 것이 제안되고 있다.In recent years, it has become difficult to perform an etching process while rotating a board | substrate like invention of patent document 1 by the enlargement of the to-be-processed board | substrate. For this reason, it is proposed to process a substrate by supplying a processing liquid such as an etchant to the surface of the substrate while transporting the substrate in the horizontal direction.

즉, 기판을 복수의 반송 롤러에 의해 수평 방향을 향해 반송하면서, 기판의 표면과 대향 배치된 슬릿 노즐이나 스프레이 노즐로부터 기판의 표면에 처리액을 공급함으로써, 기판을 처리액에 의해 처리하는 것이 고려된다. 그러나, 기판의 표면이 강한 발액성(발수성)을 가지는 경우에는, 처리액이 기판의 표면에서 겉돌게 되어 버리고, 기판의 표면 전역에 처리액을 공급할 수 없다는 문제가 발생한다.That is, it is considered that the substrate is processed by the processing liquid by supplying the processing liquid to the surface of the substrate from the slit nozzle or the spray nozzle disposed opposite to the surface of the substrate while conveying the substrate in the horizontal direction by the plurality of transfer rollers. do. However, when the surface of a board | substrate has strong liquid repellency (water repellency), a process liquid will turn out on the surface of a board | substrate, and the problem that a process liquid cannot be supplied to the whole surface of a board | substrate arises.

특히, 처리액으로서 에칭액을 사용한 에칭 처리에 있어서는, 에칭 처리를 개시한 후에 기판의 표면이 강한 발액성이 되고, 처리액으로서의 에칭액이 기판의 표면에서 겉돌게 된다. 이 때문에, 극히 다량의 처리액을 기판의 표면에 공급함으로써, 기판 표면의 전역에 처리액을 널리 퍼지게 하는 것도 고려할 수 있지만, 이 경우에는, 극히 다량의 처리액을 소비한다는 문제가 발생한다.In particular, in the etching treatment using the etching solution as the treatment liquid, the surface of the substrate becomes strong liquid repellency after the etching treatment is started, and the etching solution as the treatment liquid turns away from the surface of the substrate. For this reason, by supplying a very large amount of the processing liquid to the surface of the substrate, it is also possible to consider spreading the processing liquid throughout the entire surface of the substrate.

이 발명은 상기 과제를 해결하기 위해서 이루어진 것이며, 다량의 처리액을 소비하는 일 없이, 기판의 표면 전역에 유효하게 처리액을 공급하는 것이 가능한 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.This invention is made | formed in order to solve the said subject, and an object of this invention is to provide the substrate processing apparatus and substrate processing method which can supply a processing liquid effectively to the whole surface of a board | substrate, without consuming a large amount of processing liquid. .

청구항 1에 기재된 발명은, 기판을 그 주면이 대략 수평 방향이 되는 상태로 지지함과 더불어, 그 기판을 대략 수평 방향으로 반송하는 반송 기구와, 하방을 향하는 처리액 토출구가 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송 방향과 교차하는 방향으로 연장 설치됨과 더불어, 상기 처리액 토출구과 상기 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 표면의 거리가, 그들 사이가 상기 처리액 토출구로부터 토출된 처리액의 액막에 의해 액밀 상태가 되는 위치에 배치된 처리액 토출 노즐과, 처리액 토출구와 대향하는 위치에 처리액의 액고임을 유지하는 처리액 유지면을 구비하고, 상기 처리액 토출구와 상기 처리액 유지면의 거리가, 그들 사이에 처리액의 액고임을 형성 가능하게 되는 위치에 배치된 액고임 유지 부재를 구비한 것을 특징으로 한다. The invention according to claim 1 supports a substrate in a state in which its main surface is in a substantially horizontal direction, and a conveying mechanism for conveying the substrate in a substantially horizontal direction, and a processing liquid discharge port facing downward, While extending in a direction intersecting with the conveying direction of, the distance between the processing liquid discharge port and the surface of the substrate conveyed by the conveying mechanism is between the liquid film and the liquid film of the processing liquid discharged from the processing liquid discharge port. And a processing liquid holding surface for holding the liquid level of the processing liquid at a position facing the processing liquid discharge port, wherein the distance between the processing liquid discharge port and the processing liquid holding surface is determined. It is characterized by including a liquid level holding member disposed at a position at which the liquid level of the processing liquid can be formed therebetween.

청구항 2에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 토출 노즐에 있어서의 처리액 토출구와 상기 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 표면의 거리는, 1㎜ 내지 2㎜이다. In the invention according to claim 2, in the substrate processing apparatus according to claim 1, the distance between the processing liquid discharge port in the processing liquid discharge nozzle and the surface of the substrate conveyed by the transfer mechanism is 1 mm to 2 mm.

청구항 3에 기재된 발명은, 청구항 2에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 이면과 상기 액고임 유지 부재에 있어서의 처리액 유지면의 거리는, 1㎜ 내지 2㎜이다.In the invention according to claim 3, in the substrate processing apparatus according to claim 2, the distance between the back surface of the substrate conveyed by the transfer mechanism and the processing liquid holding surface in the liquid holding member is 1 mm to 2 mm.

청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 3에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 토출구는, 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송 방향과 교차하는 방향으로 늘어서게 설치된 다수의 구멍으로 구성된다. In the invention according to claim 4, in the substrate processing apparatus according to claim 3, the processing liquid discharge port is composed of a plurality of holes arranged in a line intersecting with a conveying direction of the substrate by the conveying mechanism.

청구항 5에 기재된 발명은, 청구항 4에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 토출구는, 거기에 공급된 처리액에 압력이 부여되지 않는 상태에 있어서 는, 처리액의 표면 장력의 작용에 의해 당해 처리액 토출구로부터 처리액이 흘러 내리지 않는 크기이다. Invention of Claim 5 is the substrate processing apparatus of Claim 4 WHEREIN: The said process liquid discharge port is performed by the action of the surface tension of a process liquid in the state in which the pressure is not applied to the process liquid supplied there. The processing liquid does not flow down from the processing liquid discharge port.

청구항 6에 기재된 발명은, 청구항 4에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 토출 노즐의 하면은, 평면형상, 또는, 기판의 반송 방향과 연직 방향을 포함하는 평면에 의한 단면 형상이 하방이 볼록해지는 원호형상이다. In the invention according to claim 6, in the substrate processing apparatus according to claim 4, the lower surface of the processing liquid discharge nozzle has a planar shape, or a cross-sectional shape by a plane including a conveyance direction and a vertical direction of the substrate is convex downward. It is an arc shape.

청구항 7에 기재된 발명은, 청구항 3에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 액고임 유지 부재의 표면에는, 액고임 유지용의 오목부가 형성된다. In the invention according to claim 7, in the substrate processing apparatus according to claim 3, a recess for retaining the liquid pool is formed on the surface of the liquid pool holding member.

청구항 8에 기재된 발명은, 청구항 3에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 토출 노즐 및 상기 액고임 유지 부재에 대해서 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송 방향의 하류측에, 상기 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 이면에 세정액을 공급하는 이면 세정부를 구비한다. Invention of Claim 8 conveys by the said conveyance mechanism in the substrate processing apparatus of Claim 3 to the downstream of the conveyance direction of the board | substrate by the said conveyance mechanism with respect to the said process liquid discharge nozzle and the said liquid holding member. The back surface cleaning part which supplies a cleaning liquid to the back surface of the board | substrate used is provided.

청구항 9에 기재된 발명은, 청구항 8에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 이면 세정부는, 그 상면에 세정액의 액고임을 유지하는 세정액 유지면을 구비한다. According to a ninth aspect of the present invention, in the substrate processing apparatus of the eighth aspect, the rear surface cleaning portion includes a cleaning liquid holding surface that maintains a liquid level of the cleaning liquid on an upper surface thereof.

청구항 10에 기재된 발명은, 청구항 9에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 이면과 상기 이면 세정부에 있어서의 세정액 유지면의 거리는, 1㎜ 내지 2㎜이다. In the invention according to claim 10, in the substrate processing apparatus according to claim 9, the distance between the back surface of the substrate conveyed by the transport mechanism and the cleaning liquid holding surface in the back surface cleaning portion is 1 mm to 2 mm.

청구항 11에 기재된 발명은, 청구항 1에 기재된 기판 처리 장치에 있어서, 상기 처리액 토출 노즐과, 상기 액고임 유지 부재와, 상기 이면 세정부는, 각각, 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송 방향으로 복수개 늘어서게 설치되어 있다. In the invention according to claim 11, in the substrate processing apparatus according to claim 1, a plurality of the processing liquid discharge nozzles, the liquid holding member and the back surface cleaning part are each provided in a conveying direction of the substrate by the conveying mechanism. It is installed side by side.

청구항 12에 기재된 발명은, 반송 기구에 의해 주면이 대략 수평 방향이 되는 상태로 대략 수평 방향으로 반송되는 기판의 표면보다 상방에 배치된 처리액 토출 노즐로부터 처리액을 토출함으로써, 상기 처리액 토출 노즐과, 상기 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 이면보다 하방의 상기 처리액 토출 노즐과 대향하는 위치에 배치된 액고임 유지 부재의 사이에, 처리액의 액고임을 형성하는 액고임 형성 공정과, 기판을 대략 수평 방향으로 반송함으로써, 기판의 선단을 상기 처리액 토출 노즐과 상기 액고임 유지 부재의 사이에 형성된 처리액의 액고임 중에 진입시키는 선단 진입 공정과, 상기 처리액 토출 노즐로부터 처리액을 토출함으로써, 처리액 토출 노즐과 기판의 사이를 처리액에 의해 액밀로 한 채의 상태로 기판을 대략 수평 방향으로 반송하여, 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정을 구비한 것을 특징으로 한다. Invention of Claim 12 discharges a process liquid from the process liquid discharge nozzle arrange | positioned above the surface of the board | substrate conveyed in a substantially horizontal direction with the main surface being a substantially horizontal direction by a conveyance mechanism, The said process liquid discharge nozzle And a liquid pool forming step of forming a liquid pool of the processing liquid between the liquid pool holding member disposed at a position facing the processing liquid discharge nozzle below the rear surface of the substrate transported by the transport mechanism. Is transported in the substantially horizontal direction, the front end entry step of allowing the front end of the substrate to enter the liquid pool of the processing liquid formed between the processing liquid discharge nozzle and the liquid pool holding member, and the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle. Thus, the substrate is conveyed in the substantially horizontal direction while the liquid is sealed between the processing liquid discharge nozzle and the substrate by the processing liquid. Characterized in that it includes a treatment liquid supply step of supplying the treatment solution to the surface of the substrate.

청구항 1 및 청구항 12에 기재된 발명에 의하면, 처리액 토출 노즐과 액고임 유지 부재의 사이에 형성된 액고임의 작용에 의해, 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 표면의 선단부 전역에 처리액을 공급할 수 있고, 또 그 후는, 처리액 토출 노즐과 기판의 표면의 사이를 처리액의 액막에 의해 액밀 상태로 하여 기판의 표면에 처리액을 공급할 수 있다. 이 때문에, 기판의 표면이 발액성이 되어도, 다량의 처리액을 소비하는 일 없이, 기판의 표면 전역에 유효하게 처리액을 공급하는 것이 가능해진다.According to the invention of Claims 1 and 12, the processing liquid can be supplied to the entire front end portion of the surface of the substrate conveyed by the conveying mechanism by the action of the liquid raising formed between the processing liquid discharge nozzle and the liquid retaining member. After that, the processing liquid can be supplied to the surface of the substrate in a liquid-tight state between the processing liquid discharge nozzle and the surface of the substrate by the liquid film of the processing liquid. For this reason, even if the surface of a board | substrate becomes liquid repellency, it becomes possible to supply a process liquid effectively to the whole surface of a board | substrate, without consuming a large amount of process liquid.

청구항 2에 기재된 발명에 의하면, 기판과 처리액 토출 노즐의 충돌을 회피 하면서, 처리액 토출 노즐과 기판의 표면의 사이를 처리액의 액막에 의해 액밀 상태로 하는 것이 가능해진다. According to the invention of claim 2, it is possible to make the liquid-tight state between the processing liquid discharge nozzle and the surface of the substrate by the liquid film of the processing liquid while avoiding the collision of the substrate and the processing liquid discharge nozzle.

청구항 3에 기재된 발명에 의하면, 기판과 액고임 유지 부재의 충돌을 회피하면서, 처리액 토출 노즐과 액고임 유지 부재의 사이에 처리액의 액고임을 형성하는 것이 가능해진다.According to the invention of claim 3, it becomes possible to form the liquid level of the processing liquid between the processing liquid discharge nozzle and the liquid level holding member while avoiding the collision between the substrate and the liquid level holding member.

청구항 4에 기재된 발명에 의하면, 기판의 반송 방향과 교차하는 방향으로 늘어서게 설치된 다수의 처리액 토출구로부터 기판의 표면 전역에 처리액을 공급하는 것이 가능해진다.According to invention of Claim 4, it becomes possible to supply a process liquid to the whole surface of a board | substrate from many process liquid discharge ports provided in the line crossing the direction which intersects the conveyance direction of a board | substrate.

청구항 5에 기재된 발명에 의하면, 기판을 처리하지 않을 때에, 처리액 토출구로부터의 처리액의 흘러 내림을 방지하는 것이 가능해진다.According to the invention of claim 5, when the substrate is not processed, it is possible to prevent the flow of the processing liquid from the processing liquid discharge port.

청구항 6에 기재된 발명에 의하면, 처리액 토출 노즐과 기판의 표면의 사이를 용이하게 액밀 상태로 하는 것이 가능해진다.According to invention of Claim 6, it becomes possible to make liquid-tight state easily between the process liquid discharge nozzle and the surface of a board | substrate.

청구항 7에 기재된 발명에 의하면, 액고임 유지 부재의 표면에 형성된 오목부의 작용에 의해, 처리액의 액고임을 용이하게 형성하는 것이 가능해진다.According to invention of Claim 7, it becomes possible to easily form the liquid level of a process liquid by the action of the recessed part formed in the surface of the liquid level holding member.

청구항 8에 기재된 발명에 의하면, 기판의 선단부가 액고임에 진입할 때에 기판의 이면으로 돌아 들어가는 처리액을 세정 제거하는 것이 가능해진다.According to invention of Claim 8, when the front-end | tip part of a board | substrate enters a liquid level, it becomes possible to wash | clean and remove the process liquid which returns to the back surface of a board | substrate.

청구항 9에 기재된 발명에 의하면, 기판의 이면과 이면 세정부의 사이를 세정액의 액막에 의해 액밀 상태로 하여, 기판의 이면의 세정을 행하는 것이 가능해진다.According to invention of Claim 9, it becomes possible to wash | clean the back surface of a board | substrate between the back surface of a board | substrate and a back surface washing part by making it into the liquid sealing state with the liquid film of a cleaning liquid.

청구항 10에 기재된 발명에 의하면, 기판과 이면 세정부의 충돌을 회피하면 서, 이면 세정부와 기판의 이면의 사이를 세정액의 액막에 의해 액밀 상태로 하는 것이 가능해진다.According to invention of Claim 10, it becomes possible to make a liquid-tight state between the back surface washing part and the back surface of a board | substrate with the liquid film of a cleaning liquid, avoiding the collision of a board | substrate and a back surface washing part.

청구항 11에 기재된 발명에 의하면, 처리액의 공급과 기판 이면의 세정을 확실히 실행하는 것이 가능해진다.According to invention of Claim 11, supply of a process liquid and washing | cleaning of the back surface of a board | substrate can be performed reliably.

이하, 이 발명의 실시의 형태를 도면에 기초하여 설명한다. 도 1은, 이 발명에 관련되는 기판 처리 장치의 측면 개요도이다. 또, 도 2는, 처리·세정 유닛(1)을 확대하여 나타내는 측면도이다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, embodiment of this invention is described based on drawing. 1 is a side schematic view of a substrate processing apparatus according to the present invention. 2 is a side view which expands and shows the processing and washing unit 1.

이 기판 처리 장치는, 어모퍼스 실리콘층이 그 표면에 형성된 유리 기판(100)에 대해서 레이저 어닐을 행하기 전에, 실리콘층 표면에 형성된 산화막의 에칭을 행하기 위한 것이다. 이 기판 처리 장치는, 유리 기판(100)을 그 주면이 수평 방향이 되는 상태로 지지함과 더불어, 이 유리 기판(100)을 수평 방향으로 반송하는 복수의 반송 롤러(9)와, 4개의 처리·세정 유닛(1a, 1b, 1c, 1d)(이것들을 총칭할 때에는 「처리·세정 유닛(1)」이라고 한다)을 구비한다. This substrate processing apparatus is for etching the oxide film formed on the surface of a silicon layer before laser annealing with respect to the glass substrate 100 in which the amorphous silicon layer was formed in the surface. The substrate processing apparatus supports the glass substrate 100 in a state where the main surface thereof is in the horizontal direction, and the plurality of conveying rollers 9 for conveying the glass substrate 100 in the horizontal direction and four treatments. And washing units 1a, 1b, 1c, and 1d (when these are collectively referred to as "processing and washing unit 1").

각 처리·세정 유닛(1)은, 복수의 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 표면에 처리액을 공급하기 위한 처리액 토출 노즐(2)과, 이 처리액 토출 노즐(2)의 사이에 처리액의 액고임을 형성하기 위한 액고임 유지 부재(3)와, 유리 기판(100)의 이면을 세정하기 위한 한 쌍의 이면 세정부(4)를 구비한다. 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)에 대해, 4개의 처리·세정 유닛(1a, 1b, 1c, 1d)의 작용에 의해, 순차적으로, 그 표면으로의 처리액의 공급과, 그 이면의 세정이 실행된다.Each treatment / cleaning unit 1 includes a treatment liquid discharge nozzle 2 for supplying a treatment liquid to the surface of the glass substrate 100 conveyed by the plurality of conveying rollers 9, and the treatment liquid discharge nozzle ( A liquid level holding member 3 for forming a liquid level of the processing liquid between 2) and a pair of rear surface cleaning sections 4 for cleaning the rear surface of the glass substrate 100 are provided. On the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9, supply of the process liquid to the surface is sequentially carried out by the action of four processing and cleaning units 1a, 1b, 1c, and 1d, The back surface is washed.

최초로, 세정·처리 유닛(1)에 있어서의 처리액 토출 노즐(2)의 구성에 대해서 설명한다. 도 3은, 처리액 토출 노즐(2)의 하면도이다.First, the structure of the process liquid discharge nozzle 2 in the washing | cleaning and processing unit 1 is demonstrated. 3 is a bottom view of the processing liquid discharge nozzle 2.

이 처리액 토출 노즐(2)은, 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)과 대향하는 하면에, 다수의 처리액 토출구(21)가 형성된 구성을 가진다. 이들 처리액 토출구(21)는, 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 반송 방향과 직교하는 방향으로 늘어서게 설치되어 있다. 이 처리액 토출구(21)는, 예를 들면, 0.5㎜정도의 직경을 가지며, 처리액 토출 노즐(2)의 길이 방향(반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 반송 방향과 직교하는 방향)으로, 5㎜ 내지 10㎜ 정도의 피치로 형성되어 있다. 이 처리액 토출구(21)는, 유리 기판(100)의 폭 방향(반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 반송 방향과 직교하는 방향) 전역에 걸쳐 설치되어 있다.This process liquid discharge nozzle 2 has the structure in which the process liquid discharge port 21 was formed in the lower surface which opposes the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9. As shown in FIG. These process liquid discharge ports 21 are provided in a line in the direction orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9. This processing liquid discharge port 21 has a diameter of about 0.5 mm, for example, and the longitudinal direction of the processing liquid discharge nozzle 2 (the conveying direction of the glass substrate 100 conveyed by the conveying roller 9) and Orthogonal to each other) and is formed at a pitch of about 5 mm to 10 mm. This processing liquid discharge port 21 is provided over the whole width direction (direction orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9) of the glass substrate 100.

유리 기판(100)의 처리시에는, 후술하는 바와 같이, 이 처리액 토출구(21)로부터 처리액이 토출되고, 유리 기판(100)의 표면에 공급된다. 이 때, 후술하는 바와 같이, 처리액 토출구(21)와 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 표면의 거리는, 그들 사이가 처리액 토출구(21)로부터 토출된 처리액의 액막에 의해 액밀 상태가 되도록 할 필요가 있기 때문에, 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 한편, 처리액 토출구(21)와 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 표면의 거리를 과도하게 작게 하면, 유리 기판(100)과 처리액 토출 노즐(2)이 충돌할 우려가 있다. 유리 기판(100)과 처리액 토출 노즐(2)의 충돌을 회피하면서, 처리액 토 출 노즐(2)과 유리 기판(100)의 표면의 사이를 처리액의 액막에 의해 액밀 상태로 하기 위해서는, 처리액 토출 노즐(2)에 있어서의 처리액 토출구(21)(즉, 처리액 토출 노즐(2)의 하면)와 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 표면의 거리(D1)(도 2 참조)는, 1㎜ 내지 2㎜로 하는 것이 바람직하다. At the time of the process of the glass substrate 100, a process liquid is discharged from this process liquid discharge port 21, and is supplied to the surface of the glass substrate 100 as mentioned later. At this time, as mentioned later, the distance of the surface of the glass substrate 100 conveyed by the process liquid discharge port 21 and the conveyance roller 9 is the liquid film of the process liquid discharged from the process liquid discharge port 21 between them. Since it is necessary to make it into the liquid-tight state, it is preferable that it is as small as possible. On the other hand, when the distance of the surface of the glass substrate 100 conveyed by the process liquid discharge port 21 and the conveyance roller 9 is made small too much, the glass substrate 100 and the process liquid discharge nozzle 2 may collide. There is. In order to make the liquid-tight state between the process liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 by the liquid film of a process liquid, avoiding the collision of the glass substrate 100 and the process liquid discharge nozzle 2, The distance D1 of the surface of the glass substrate 100 conveyed by the processing liquid discharge port 21 (that is, the lower surface of the processing liquid discharge nozzle 2) and the conveyance roller 9 in the process liquid discharge nozzle 2. (See FIG. 2) is preferably 1 mm to 2 mm.

또, 처리액 토출 노즐(2)과 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 표면의 사이가, 처리액 토출구(21)로부터 토출된 처리액의 액막에 의해 액밀 상태가 되도록 하기 위해서는, 처리액 토출 노즐(2)의 하면의 형상을, 평면형상으로 하거나, 혹은, 유리 기판(100)의 반송 방향과 연직 방향을 포함하는 평면에 의한 단면 형상이 하방이 볼록해지는 원호형상으로 하는 것이 바람직하다. 이러한 형상을 채용함으로써, 처리액 토출 노즐(2)과 유리 기판(100)의 표면의 사이에 처리액의 액막을 형성할 수 있고, 액밀 상태를 용이하게 달성하는 것이 가능해진다. 또한, 처리액 토출 노즐(2)의 하면을 상술한 바와 같은 하방이 볼록해지는 원호형상으로 하기 위해서는, 처리액 토출 노즐(2)을, 예를 들면, 복수의 처리액 토출구가 그 하단부에 형성된 파이프로 구성하면 된다. 그리고, 이 처리액 토출 노즐(2)의 재질은, 금속 이온 등이 용출하는 일이 없이, 처리의 청정성을 확보할 수 있는, 예를 들면, 불소 수지제의 것을 채용하는 것이 바람직하다.Moreover, it is made so that between the process liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9 may be in the liquid tight state by the liquid film of the process liquid discharged from the process liquid discharge port 21. In order to make the shape of the lower surface of the process liquid discharge nozzle 2 into a planar shape, or to make the cross-sectional shape by the plane containing the conveyance direction and the vertical direction of the glass substrate 100 into an arc shape where convex downwards, It is preferable. By adopting such a shape, the liquid film of the processing liquid can be formed between the processing liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100, and the liquid-tight state can be easily achieved. In addition, in order to make the lower surface of the process liquid discharge nozzle 2 into the arc shape which becomes convex below, the process liquid discharge nozzle 2 is a pipe in which the some process liquid discharge port was formed in the lower end part, for example. It can be configured as. In addition, it is preferable that the material of this process liquid discharge nozzle 2 employ | adopts the thing of the fluororesin which can ensure the cleanliness of a process, without a metal ion etc. eluting.

도 4는, 처리액 토출 노즐(2)로의 처리액의 공급 기구를 나타내는 개요도이다.4 is a schematic diagram illustrating a supply mechanism of the processing liquid to the processing liquid discharge nozzle 2.

도 4(a)에 나타내는 바와 같이, 처리액 토출 노즐(2)은, 처리액을 저장하는 저장조(22)와, 관로(23)를 통해 접속되어 있다. 이 저장조(22)는, 처리액 토출 노 즐(2)보다 상방의 위치에 배치되어 있고, 관로(23)에는, 개폐 밸브(24)가 설치되어 있다. 이 때문에, 개폐 밸브(24)를 개방함으로써, 저장조(22) 내의 처리액이 처리액 토출 노즐(2)의 처리액 토출구(21)로부터 토출된다.As shown to Fig.4 (a), the process liquid discharge nozzle 2 is connected with the storage tank 22 which stores a process liquid, and the pipe 23. This storage tank 22 is arrange | positioned above the process liquid discharge nozzle 2, and the opening-closing valve 24 is provided in the piping 23. As shown in FIG. For this reason, the process liquid in the storage tank 22 is discharged from the process liquid discharge port 21 of the process liquid discharge nozzle 2 by opening and closing the valve 24.

도 4(b)는, 처리액 토출 노즐(2)로의 처리액의 공급 기구의 다른 실시 형태를 나타내고 있다. 이 실시 형태에 있어서는, 처리액 토출 노즐(2)은, 처리액을 저장하는 저장조(22)와, 관로(23)를 통해 접속되어 있고, 관로(23)에는 펌프(25)가 설치되어 있다. 이 실시 형태에 있어서는, 펌프(25)의 구동에 의해, 저장조(22) 내의 처리액이 처리액 토출 노즐(2)의 처리액 토출구(21)로부터 토출된다.FIG.4 (b) has shown other embodiment of the supply mechanism of the process liquid to the process liquid discharge nozzle 2. As shown in FIG. In this embodiment, the processing liquid discharge nozzle 2 is connected to a storage tank 22 for storing the processing liquid through a conduit 23, and a pump 25 is provided in the conduit 23. In this embodiment, the process liquid in the storage tank 22 is discharged from the process liquid discharge port 21 of the process liquid discharge nozzle 2 by the drive of the pump 25.

또한, 처리액 토출 노즐(2)에 있어서의 처리액 토출구(21)로서는, 유리 기판(100)을 처리하지 않을 때의 처리액의 흘러 내림을 방지하기 위해, 거기에 공급된 처리액에 압력이 부여되지 않는 상태에 있어서는, 처리액의 표면 장력의 작용에 의해 처리액 토출구(21)로부터 처리액이 흘러 내리지 않는 크기로 하는 것이 바람직하다. 즉, 도 4(a)에 나타내는 개폐 밸브(24)가 폐지되고, 혹은, 도 4(b)에 있어서의 펌프(25)가 구동하지 않는 상태에 있어서는, 처리액의 표면 장력의 작용에 의해 처리액 토출구(21)로부터 처리액이 흘러 내리지 않는 크기이다. 이 처리액 토출구(21)의 크기로서는, 처리액의 점도에도 좌우되지만, 상술한 바와 같이 0.5㎜ 정도로 하는 것이 바람직하다.In addition, as the processing liquid discharge port 21 in the processing liquid discharge nozzle 2, in order to prevent the processing liquid from flowing down when the glass substrate 100 is not processed, pressure is applied to the processing liquid supplied therein. In the state which is not provided, it is preferable to set it as the magnitude | size which a process liquid does not flow out from the process liquid discharge port 21 by the effect of the surface tension of a process liquid. That is, when the on-off valve 24 shown to Fig.4 (a) is closed or the pump 25 in Fig.4 (b) does not drive, it processes by the action of the surface tension of a process liquid. The processing liquid does not flow down from the liquid discharge port 21. The size of the processing liquid discharge port 21 depends on the viscosity of the processing liquid, but is preferably about 0.5 mm as described above.

단, 유리 기판(100)의 반송 방향으로 늘어서게 설치된 다수의 처리액 토출구(21)로 바꾸고, 유리 기판(100)의 반송 방향으로 연장되는 슬릿형상의 토출구를 채용해도 된다. However, you may change into many process liquid discharge ports 21 provided in the conveyance direction of the glass substrate 100, and may employ | adopt the slit-shaped discharge port extended in the conveyance direction of the glass substrate 100. FIG.

상술한 4개의 처리·세정 유닛(1a, 1b, 1c, 1d)으로부터는, 처리액으로서의 에칭액이 공급된다. 이러한 에칭액으로서는, 예를 들면, 불산(불화수소산/HF)이 사용된다. 또한, 의도적으로 유리 기판(100)의 표면에 균일한 산화막을 형성하기 위해, 처리·세정 유닛(1a)으로부터, 또는, 처리·세정 유닛(1d)으로부터, 혹은, 처리·세정 유닛(1a, 1d)으로부터, 에칭액에 대신하여 오존수를 공급해도 된다. The etching liquid as a process liquid is supplied from the four process / cleaning units 1a, 1b, 1c, and 1d mentioned above. As such etching liquid, hydrofluoric acid (hydrofluoric acid / HF) is used, for example. In addition, in order to intentionally form a uniform oxide film on the surface of the glass substrate 100, from the processing / cleaning unit 1a or from the processing / cleaning unit 1d or the processing / cleaning units 1a and 1d. ), Ozone water may be supplied in place of the etching solution.

또한, 적합한 실시 형태로서는, 예를 들면, 상술한 4개의 처리·세정 유닛(1a, 1b, 1c, 1d)의 전부로부터 유리 기판(100)에 대해서 불산을 공급하는 실시 형태와, 4개의 처리·세정 유닛(1a, 1b, 1c, 1d) 중 유리 기판(100)의 반송 방향의 상류측의 3개의 처리·세정 유닛(1a, 1b, 1c)으로부터는 불산을 공급하고, 가장 하류측의 처리·세정 유닛(1d)으로부터는 오존수를 공급한다는 실시 형태가 있다. 단, 불산이나 오존수 이외의 에칭액을 사용해도 된다. Moreover, as suitable embodiment, for example, embodiment which supplies hydrofluoric acid to the glass substrate 100 from all of the four processing / cleaning units 1a, 1b, 1c, and 1d mentioned above, and four processing and Hydrofluoric acid is supplied from the three processing and cleaning units 1a, 1b, and 1c on the upstream side in the conveying direction of the glass substrate 100 among the cleaning units 1a, 1b, 1c, and 1d, and the processing and the most downstream side. There is an embodiment in which ozone water is supplied from the cleaning unit 1d. However, you may use etching liquid other than hydrofluoric acid and ozone water.

다음에, 세정·처리 유닛(1)에 있어서의 액고임 유지 부재(3)의 구성에 대해 설명한다. 도 5는, 액고임 유지 부재(3)의 개요를 나타내는 도면이며, 도 5(a)는 액고임 유지 부재(3)의 종단면도, 또, 도 5(b)는 액고임 유지 부재(3)의 부분 평면도이다. 또한, 도 6은, 액고임 유지 부재(3)의 부분 사시도이다.Next, the structure of the liquid holding member 3 in the washing | cleaning and processing unit 1 is demonstrated. FIG. 5: is a figure which shows the outline | summary of the liquid level holding member 3, FIG. 5 (a) is a longitudinal cross-sectional view of the liquid level holding member 3, and FIG. 5 (b) is the liquid level holding member 3 Partial top view of the. 6 is a partial perspective view of the liquid retaining member 3.

이 액고임 유지 부재(3)는, 처리액 토출 노즐(2)과의 사이에 처리액의 액고임을 형성하기 위한 것이다. 이 액고임 유지 부재(3)는, 처리액 토출 노즐(2)의 처리액 토출구(21)와 대향하는 위치에, 처리액의 액고임을 유지하는 처리액 유지면(31)을 구비한다. 그리고, 그 처리액 유지면(31)에는, 처리액의 액고임 유지용 오목부(32)가 오목하게 설치되어 있다.This liquid retaining member 3 is for forming a liquid deposit of the processing liquid between the processing liquid discharge nozzle 2. This liquid holding member 3 has a processing liquid holding surface 31 for holding the liquid level of the processing liquid at a position facing the processing liquid discharge port 21 of the processing liquid discharge nozzle 2. And the process liquid holding surface 31 is provided with the recessed part 32 for liquid pool holding | maintenance of a process liquid.

이 오목부(32)는, 처리액 유지면(31)에 적합하게 처리액의 액고임을 유지하기 위해서 사용된다. 즉, 액고임 유지 부재(3)의 재질로서는, 금속 이온 등이 용출되는 일이 없이, 처리의 청정성을 확보할 수 있는, 처리액 토출 노즐(2)과 같은, 예를 들면, 불소 수지제의 것을 채용하는 것이 바람직하다. 여기서, 불소 수지는 처리액을 겉돌게 하는 강한 발액성을 갖는다. 이 때문에, 처리액이 액고임 유지 부재(3)에 있어서의 처리액 유지면(31)으로부터 흘러 내리기 쉬워진다. 이러한 흘러 내림을 방지하기 위해서, 처리액 유지면(31)에는 오목부(32)가 형성되어 있다. 또한, 액고임 유지 부재(3)의 재질로서 염화 비닐 등의 수지를 사용하는 경우에는, 이 오목부(32)를 생략해도 된다. This recessed part 32 is used in order to hold | maintain the liquid height of a process liquid suitably for the process liquid holding surface 31. As shown in FIG. That is, the material of the liquid retaining member 3 is made of, for example, a fluorine resin, such as the treatment liquid discharge nozzle 2, which can ensure cleanliness of the process without eluting metal ions or the like. It is preferable to employ a thing. Here, the fluororesin has a strong liquid repellency which makes the treatment liquid outward. For this reason, it becomes easy to flow a process liquid from the process liquid holding surface 31 in the liquid holding member 3. In order to prevent such a fall, the recess 32 is formed in the processing liquid holding surface 31. In addition, when using resin, such as vinyl chloride, as a material of the liquid holding member 3, this recessed part 32 may be abbreviate | omitted.

도 5 및 도 6에 나타내는 바와 같이, 이 오목부(32)는, 액고임 유지 부재(3)의 길이 방향(반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 반송 방향과 직교하는 방향)으로 연장되는 형상을 가진다. 이 오목부(32)는, 유리 기판(100)의 폭방향(반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 반송 방향과 직교하는 방향) 전역에 걸쳐 형성되어 있다. 단, 이 오목부(32)는 이와 같은 형상으로 한정되는 것은 아니다. As shown to FIG. 5 and FIG. 6, this recessed part 32 is the direction orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9 in the longitudinal direction of the liquid holding device 3. It has a shape extending to). This recessed part 32 is formed over the whole width direction (direction orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9) of the glass substrate 100. However, this recessed part 32 is not limited to such a shape.

도 7은, 다른 실시 형태에 관련되는 액고임 유지 부재(3)의 부분 사시도이다.7 is a partial perspective view of the liquid level holding member 3 according to another embodiment.

도 7에 나타내는 바와 같이, 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 반송 방향과 직교하는 방향으로 늘어서게 설치된 복수의 오목부(33)를 사용해도 된다. 이 경우에는, 처리액 토출 노즐(2)에 있어서의 처리액 토출구(21)와 액고임 유지 부재(3)의 오목부(33)는, 반드시 대향하고 있지 않아도 된다. 처리액 토출 노즐(2)에 있어서의 처리액 토출구(21)와 액고임 유지 부재(3)의 오목부(33)가, 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 반송 방향에 대해서 동일한 위치에 있으면 된다.As shown in FIG. 7, you may use the some recessed part 33 provided in the direction orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9. In this case, the processing liquid discharge port 21 in the processing liquid discharge nozzle 2 and the recess 33 of the liquid retaining member 3 do not necessarily have to face each other. In the conveying direction of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9, the recessed part 33 of the process liquid discharge port 21 and the liquid retention holding member 3 in the process liquid discharge nozzle 2 is carried out. It should be in the same position.

유리 기판(100)에 처리액을 공급하기 전의 단계에서, 후술하는 바와 같이, 처리액 토출 노즐(2)의 처리액 토출구(21)로부터 처리액이 토출되고, 처리액 토출 노즐(2)과 액고임 유지 부재(3)의 처리액 유지면(31)의 사이에, 처리액의 액고임을 형성할 필요가 있다. 이를 위해서는, 처리액 토출 노즐(2)과 액고임 유지 부재(3)의 처리액 유지면(31)의 거리는, 유리 기판(100)이 통과할 수 있는 범위에서, 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 한편, 액고임 유지 부재(3)와 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 이면의 거리를 과도하게 작게 하면, 유리 기판(100)과 액고임 유지 부재(3)가 충돌할 우려가 있다. 유리 기판(100)과 액고임 유지 부재(3)의 충돌을 회피하면서, 처리액 토출 노즐(2)과 액고임 유지 부재(3)의 사이에 처리액의 액고임을 형성하기 위해서는, 액고임 유지 부재(3)에 있어서의 처리액 유지면(31)과 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 이면의 거리(D2)(도 2 참조)는, 1㎜ 내지 2㎜로 하는 것이 바람직하다.In the step before supplying the processing liquid to the glass substrate 100, as described later, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge port 21 of the processing liquid discharge nozzle 2, and the processing liquid discharge nozzle 2 and the liquid are discharged. It is necessary to form the liquid level of a process liquid between the process liquid holding surface 31 of the pool holding member 3. For this purpose, it is preferable that the distance between the process liquid discharge nozzle 2 and the process liquid holding surface 31 of the liquid holding member 3 is as small as possible within the range through which the glass substrate 100 can pass. On the other hand, when the distance between the back surface of the glass substrate 100 conveyed by the liquid level holding member 3 and the conveying roller 9 is made excessively small, the glass substrate 100 and the liquid level holding member 3 may collide. There is concern. In order to form the liquid level of the processing liquid between the processing liquid discharge nozzle 2 and the liquid level holding member 3 while avoiding the collision between the glass substrate 100 and the liquid level holding member 3, the liquid level is maintained. Distance D2 (refer FIG. 2) of the back surface of the glass substrate 100 conveyed by the process liquid holding surface 31 and the conveyance roller 9 in the member 3 shall be 1 mm-2 mm. It is preferable.

또한, 처리액 토출 노즐(2)과 액고임 유지 부재(3)의 처리액 유지면(31)의 사이에 형성되는 처리액의 액고임은, 처리액 토출 노즐(2)과 액고임 유지 부재(3)의 처리액 유지면(31)의 사이의 전역에 형성될 필요는 없다. 예를 들면, 처리액 토출 노즐(2)의 길이 방향에 있어서의 여기저기의 영역에서, 부분적으로 액고임이 형성되지 않는 영역이 존재해도 된다. 처리액 토출 노즐(2)과 액고임 유지 부재(3)의 처리액 유지면(31)의 사이의 일정한 영역에 액고임이 형성되면, 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 선단부가 액고임에 진입할 때에, 처리액 토출 노즐(2)과 액고임 유지 부재(3)의 처리액 유지면(31)의 사이의 일정한 영역에 형성된 액고임을, 처리액 토출 노즐(2)과 액고임 유지 부재(3)의 처리액 유지면(31)의 사이의 전영역으로 넓힐 수 있다.In addition, the liquid level of the processing liquid formed between the processing liquid discharge nozzle 2 and the processing liquid holding surface 31 of the liquid level holding member 3 is the processing liquid discharge nozzle 2 and the liquid level holding member ( It is not necessary to form the whole area between the process liquid holding surfaces 31 of 3). For example, in the area | regions of the processing liquid discharge nozzle 2 in the longitudinal direction, the area | region where a liquid pool is not formed may exist. When a liquid level is formed in a constant region between the processing liquid discharge nozzle 2 and the processing liquid holding surface 31 of the liquid level holding member 3, the glass substrate 100 is conveyed by the conveying roller 9. When the tip portion enters the liquid pool, the processing liquid discharge nozzle 2 is a liquid level formed in a constant region between the processing liquid discharge nozzle 2 and the processing liquid holding surface 31 of the liquid pool holding member 3. And the whole area between the processing liquid holding surface 31 of the liquid holding member 3 can be widened.

다음에, 세정·처리 유닛(1)에 있어서의 이면 세정부(4)의 구성에 대해서 설명한다. 도 8은, 이면 세정부(4)의 개요를 나타내는 도면이며, 도 8(a)는 이면 세정부(4)의 부분 사시도, 또, 도 8(b)는 이면 세정부(4)의 종단면도이다.Next, the structure of the back surface washing part 4 in the washing | cleaning and processing unit 1 is demonstrated. FIG. 8: is a figure which shows the outline | summary of the back surface washing part 4, FIG. 8 (a) is a partial perspective view of the back surface washing part 4, and FIG. 8 (b) is a longitudinal cross-sectional view of the back surface washing part 4. to be.

이 이면 세정부(4)는 유리 기판(100)의 이면을 세정하기 위한 것이다. 이 이면 세정부(100)는, 도 1 및 도 2에 나타내는 바와 같이, 4개의 처리·세정 유닛(1a, 1b, 1c, 1d)의 각각에 있어서, 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 반송 방향을 따라 한 쌍 설치되어 있다. 이 이면 세정부(4)는, 그 상면이 세정액의 액고임을 유지하는 세정액 유지면(42)으로 되어 있다. 그리고, 이 세정액 유지면(42)에는, 세정액의 액고임 유지용의 오목부(43)가 오목하게 설치되어 있고, 이 오목부(43) 내에는 세정액 토출구(41)가 형성되어 있다.This back surface cleaning part 4 is for cleaning the back surface of the glass substrate 100. This back surface washing part 100 is a glass substrate conveyed by the conveyance roller 9 in each of four processing and cleaning units 1a, 1b, 1c, 1d, as shown to FIG. 1 and FIG. A pair is provided along the conveyance direction of 100. This back surface washing | cleaning part 4 is the washing | cleaning liquid holding surface 42 which maintains that the upper surface is the liquid height of a washing | cleaning liquid. The cleaning liquid holding surface 42 is provided with a recess 43 for retaining the liquid pool of the cleaning liquid, and a cleaning liquid discharge port 41 is formed in the recess 43.

오목부(43)는, 세정액 유지면(42)에 적합하게 세정액의 액고임을 유지하기 위해서 사용된다. 즉, 이면 세정부(4)의 재질로서는, 금속 이온 등이 용출되는 일이 없이, 처리의 청정성을 확보할 수 있는, 처리액 토출 노즐(2)이나 액고임 유지 부재(3)와 같은, 예를 들면, 불소 수지제의 것을 채용하는 것이 바람직하다. 여기 서, 불소 수지는 세정액을 겉돌게 하는 강한 발액성을 가진다. 이 때문에, 세정액이 이면 세정부(4)에 있어서의 세정액 유지면(42)으로부터 흘러 내리기 쉬워진다. 이러한 흘러 내림을 방지하기 위해서, 세정액 유지면(42)에는 오목부(43)가 형성되어 있다. 또한, 이면 세정부(4)의 재질로서 염화 비닐 등의 수지를 사용하는 경우에는, 이 오목부(43)를 생략해도 된다. The recessed part 43 is used in order to hold | maintain the liquid height of a washing | cleaning liquid suitably with the washing | cleaning liquid holding surface 42. As shown in FIG. That is, as a material of the back surface washing part 4, an example, such as the process liquid discharge nozzle 2 and the liquid holding member 3 which can ensure the cleanliness of a process without eluting metal ion etc., For example, it is preferable to employ | adopt fluorine resin thing. Here, the fluororesin has a strong liquid repellency which makes the washing liquid outward. For this reason, it becomes easy to flow down from the washing | cleaning liquid holding surface 42 in the back washing part 4 with a washing | cleaning liquid. In order to prevent such a fall, the recess 43 is formed in the cleaning liquid holding surface 42. In addition, when using resin, such as vinyl chloride, as a material of the back surface washing part 4, this recessed part 43 may be abbreviate | omitted.

도 8(a)에 나타내는 바와 같이, 이 오목부(43)는, 이면 세정부(4)의 길이 방향(반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 반송 방향과 직교하는 방향)으로 연장되는 형상을 가진다. 이 오목부(43)는, 유리 기판(100)의 폭 방향(반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 반송 방향과 직교하는 방향) 전역에 걸쳐 형성되어 있다. 그리고, 세정액 토출구(41)는, 오목부(43)에 따라 복수개 늘어서게 설치되어 있다.As shown to Fig.8 (a), this recessed part 43 is the longitudinal direction of the back surface washing part 4 (direction orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9). It has a shape extending to. This recessed part 43 is formed over the width direction (direction orthogonal to the conveyance direction of the glass substrate 100 conveyed by the conveyance roller 9) of the glass substrate 100. The cleaning liquid discharge ports 41 are provided in plural numbers along the concave portion 43.

유리 기판(100)의 처리시에는, 후술하는 바와 같이, 이 세정액 토출구(41)로부터 세정액이 토출되고, 유리 기판(100)의 이면에 공급된다. 이 때, 후술하는 바와 같이, 세정액 유지면(42)과 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 이면의 거리는, 그들 사이가 세정액 토출구(41)로부터 토출된 세정액의 액막에 의해 액밀 상태가 되도록 할 필요가 있기 때문에, 가능한 한 작은 것이 바람직하다. 한편, 이면 세정부(4)와 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 이면의 거리를 과도하게 작게 하면, 유리 기판(100)과 이면 처리부(4)가 충돌할 우려가 있다. 유리 기판(100)과 이면 세정부(4)의 충돌을 회피하면서, 이면 세정부(4)의 세정액 유지면(42)과 유리 기판(100)의 이면의 사이를 세정의 액막에 의해 액밀 상태 로 하기 위해서는, 이면 세정부(4)에 있어서의 세정액 유지면(42)과 반송 롤러(9)에 의해 반송되는 유리 기판(100)의 이면의 거리(D2)(도 2 참조)는, 1㎜ 내지 2㎜로 하는 것이 바람직하다.At the time of the process of the glass substrate 100, the cleaning liquid is discharged from this cleaning liquid discharge port 41, and will be supplied to the back surface of the glass substrate 100, as mentioned later. At this time, as will be described later, the distance between the cleaning liquid holding surface 42 and the back surface of the glass substrate 100 conveyed by the conveying roller 9 is between them by the liquid film of the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid discharge port 41. Since it is necessary to make it into a liquid tight state, it is preferable that it is as small as possible. On the other hand, when the distance of the back surface of the glass substrate 100 conveyed by the back surface washing part 4 and the conveyance roller 9 is made small too much, there exists a possibility that the glass substrate 100 and the back surface processing part 4 may collide. . While avoiding the collision of the glass substrate 100 and the back surface cleaning part 4, between the cleaning liquid holding surface 42 of the back surface cleaning part 4 and the back surface of the glass substrate 100 to a liquid-tight state by the liquid film of washing | cleaning. In order to do this, distance D2 (refer FIG. 2) of the back surface of the glass substrate 100 conveyed by the washing | cleaning liquid holding surface 42 and the conveyance roller 9 in the back surface washing part 4 is 1 mm- It is preferable to set it as 2 mm.

다음에, 상술한 기판 처리 장치에 의해 유리 기판(100)을 처리하는 처리 동작에 대해 설명한다. 도 9 내지 도 13은, 이 발명에 관련되는 기판 처리 장치에 의한 유리 기판(100)의 처리 동작을 나타내는 설명도이다. 또한, 도 9 내지 도 13에 있어서는, 처리·세정 유닛(1)에 있어서의 한 쌍의 이면 세정부(4) 중, 상류측의 이면 세정부(4)만을 나타내고 있다. 다른쪽의 이면 세정부(4)도 상류측의 이면 세정부(4)와 같은 동작을 실행한다.Next, the processing operation | movement which processes the glass substrate 100 by the above-mentioned substrate processing apparatus is demonstrated. 9-13 is explanatory drawing which shows the processing operation | movement of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention. In addition, in FIG. 9-13, only the back surface washing part 4 of an upstream is shown among the pair of back surface washing parts 4 in the process and washing unit 1. As shown in FIG. The other back cleaning part 4 also performs the same operation as the upstream back cleaning part 4.

복수의 반송 롤러(9)에 의해 수평 방향으로 반송되는 유리 기판(100)의 선단이 처리·세정 유닛(1)에 도달하기 전에, 도 9에 나타내는 바와 같이, 처리액 토출 노즐(2)의 처리액 토출구(21)로부터 소량의 처리액을 토출하고, 미리, 처리액 토출 노즐(2)에 있어서의 처리액 토출구(21)와 액고임 유지 부재(3)에 있어서의 처리액 유지면(31)의 사이에, 처리액의 액고임(51)을 형성해 둔다. 또, 이면 세정부(4)에 있어서의 세정액 유지면(42) 상에, 세정액의 액고임(61)을 형성해 둔다. Before the front-end | tip of the glass substrate 100 conveyed in the horizontal direction by the some conveyance roller 9 reaches the process and washing | cleaning unit 1, as shown in FIG. 9, the process of the process liquid discharge nozzle 2 A small amount of processing liquid is discharged from the liquid discharge port 21, and the processing liquid holding surface 31 in the processing liquid discharge port 21 and the liquid holding member 3 in the processing liquid discharge nozzle 2 are previously released. During the process, the liquid pool 51 of the processing liquid is formed. Moreover, the liquid pool 61 of the cleaning liquid is formed on the cleaning liquid holding surface 42 in the back surface cleaning unit 4.

이 상태에 있어서, 반송 롤러(9)에 의해 유리 기판(100)의 반송을 더 계속하면, 도 10에 나타내는 바와 같이, 유리 기판(100)의 선단이, 처리액 토출 노즐(2)과 액고임 유지 부재(3)의 사이에 형성된 처리액의 액고임(51) 중에 진입한다. 유리 기판(100)의 선단이 처리액의 액고임(51)까지 도달하면, 처리액 토출 노즐(2)로부터 처리액을 토출한다. 또한, 처리액 토출 노즐(2)로부터의 처리액의 토출은, 유리 기판(100)의 선단이 처리액의 액고임(51)에 도달하기 전에 개시해도 되고, 유리 기판(100)의 처리를 위해서 장치가 가동되고 있는 동안은, 처리액을 계속해서 토출해도 된다. In this state, if the conveyance of the glass substrate 100 is further continued by the conveyance roller 9, as shown in FIG. 10, the front-end | tip of the glass substrate 100 is a process liquid discharge nozzle 2 and a liquid height. It enters in the liquid tank 51 of the process liquid formed between the holding members 3. When the tip of the glass substrate 100 reaches the liquid level 51 of the processing liquid, the processing liquid is discharged from the processing liquid discharge nozzle 2. In addition, the discharge of the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle 2 may be started before the tip of the glass substrate 100 reaches the liquid level 51 of the processing liquid, and for the processing of the glass substrate 100. While the apparatus is in operation, the processing liquid may be continuously discharged.

이 상태로 유리 기판(100)이 수평 방향으로 더 반송된 경우에는, 도 11에 나타내는 바와 같이, 처리액 토출 노즐(2)과 유리 기판(100)의 표면의 사이에 처리액의 액막(52)이 형성되고, 처리액 토출 노즐(2)과 유리 기판(100)의 표면의 사이는, 처리액의 액막(52)에 의해 액밀 상태가 된다. 즉, 유리 기판(100)의 선단이 처리액 토출 노즐(2)과 액고임 유지 부재(3)의 사이에 형성된 처리액의 액고임(51) 중에 진입한 후, 처리액의 표면 장력에 의해 처리액 토출 노즐(2)로부터 토출된 처리액이 인장되도록 하여, 유리 기판(100)의 표면 전역에 거기에서 겉도는 일없이 넓게 발라진다. 이 때에는, 처리액 토출 노즐(2)의 길이 방향에 있어서의 여기저기의 영역에서 부분적으로 액고임이 형성되지 않는 영역이 존재하고 있었다고 해도, 유리 기판(100)이 이동을 계속함에 따라, 이들 영역은 처리액으로 채워지고, 처리액 토출 노즐(2)과 유리 기판(100)의 표면의 사이는, 처리액의 액막(52)에 의해 액밀 상태가 된다. 여기서, 액밀 상태란, 그들 사이가 모두 처리액으로 채워진 상태를 가리킨다.In the case where the glass substrate 100 is further conveyed in the horizontal direction in this state, as shown in FIG. 11, the liquid film 52 of the processing liquid between the processing liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100. This is formed, and the liquid film 52 of the processing liquid is in a liquid-tight state between the processing liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100. That is, the tip of the glass substrate 100 enters into the liquid pool 51 of the processing liquid formed between the processing liquid discharge nozzle 2 and the liquid pool holding member 3, and then is processed by the surface tension of the processing liquid. The processing liquid discharged from the liquid discharge nozzle 2 is tensioned, so that the surface of the glass substrate 100 is widely applied thereon without any external appearance. At this time, even if there were regions where liquid coagulation was not partially formed in the region of the processing liquid discharge nozzle 2 in the longitudinal direction, these regions as the glass substrate 100 continued to move. Silver is filled with the processing liquid, and the liquid film 52 of the processing liquid is in a liquid tight state between the processing liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100. Here, the liquid-tight state refers to a state where all of them are filled with the processing liquid.

그리고, 처리액 토출 노즐(2)과 유리 기판(100)의 사이를 처리액의 액막(52)에 의해 액밀로 한 채의 상태로 유리 기판(100)이 수평 방향으로 반송됨으로써, 도 12에 나타내는 바와 같이, 처리액 토출 노즐(2)과 유리 기판(100)의 표면의 사이가 처리액의 액막(52)에 의해 액밀 상태로 된 채, 유리 기판(100)의 표면 전역에 처리 액이 공급된다.And the glass substrate 100 is conveyed to the horizontal direction in the state which kept the liquid sealing between the process liquid discharge nozzle 2 and the glass substrate 100 by the liquid film 52 of a process liquid, and is shown in FIG. As described above, the processing liquid is supplied to the entire surface of the glass substrate 100 while the processing liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100 are in a liquid-tight state by the liquid film 52 of the processing liquid. .

또한, 유리 기판(100)의 선단이 처리액 토출 노즐(2)과 액고임 유지 부재(3)의 사이에 형성된 처리액의 액고임(51) 중에 진입했을 때에는, 도 10에 나타내는 바와 같이, 유리 기판(100)의 이면측에도 처리액이 도달한다. 이 처리액은, 이면 세정부(4)에 의해 세정된다. In addition, when the front-end | tip of the glass substrate 100 entered in the liquid container 51 of the process liquid formed between the process liquid discharge nozzle 2 and the liquid container holding member 3, as shown in FIG. 10, glass The processing liquid also reaches the rear surface side of the substrate 100. This processing liquid is washed by the back surface washing unit 4.

즉, 도 12에 나타내는 바와 같이, 수평 방향으로 반송되는 유리 기판(100)의 선단이 이면 세정부(4)에 도달하기 전에는, 이면 세정부(4)에 있어서의 세정액 유지면(42)(도 8 참조)에는 세정액 토출구(41)로부터 토출된 세정액의 액막(61)이 형성되어 있다. 이 상태에 있어서, 유리 기판(100)이 더 반송되어 이면 세정부(4)를 통과하면, 유리 기판(100)의 이면과 이면 세정부(4)의 세정액 유지면(42)의 사이에 세정액의 액막(62)이 형성되고, 유리 기판(100)의 이면과 이면 세정부(4)의 사이는, 세정액의 액막(62)에 의해 액밀 상태가 된다.That is, as shown in FIG. 12, before the front end of the glass substrate 100 conveyed in a horizontal direction reaches the back surface washing part 4, the cleaning liquid holding surface 42 in the back surface washing part 4 (FIG. 8), the liquid film 61 of the cleaning liquid discharged from the cleaning liquid discharge port 41 is formed. In this state, when the glass substrate 100 is further conveyed and passes through the back surface cleaning part 4, the cleaning liquid is separated between the back surface of the glass substrate 100 and the cleaning liquid holding surface 42 of the back surface cleaning part 4. The liquid film 62 is formed, and the liquid film 62 of the cleaning liquid is in a liquid-tight state between the back surface of the glass substrate 100 and the back surface cleaning portion 4.

이러한 상태로, 유리 기판(100)의 반송을 계속함으로써, 유리 기판(100)의 표면에는 처리액의 액막(52)이 형성되어 그 전체면에 처리액이 공급되고, 유리 기판(100)의 이면에는 세정액의 액막(62)이 형성되어 그 전체면이 세정된다.By continuing conveyance of the glass substrate 100 in such a state, the liquid film 52 of a processing liquid is formed in the surface of the glass substrate 100, a processing liquid is supplied to the whole surface, and the back surface of the glass substrate 100 is carried out. The liquid film 62 of the washing | cleaning liquid is formed in the surface, and the whole surface is wash | cleaned.

이상과 같이, 이 발명에 관련되는 기판 처리 장치에 있어서는, 처리액 토출 노즐(2)과 유리 기판(100)의 표면의 사이에 처리액의 액막(52)을 형성한 상태로 처리액을 공급함으로써, 사용하는 처리액의 양이 극히 적은 경우에 있어서도, 유리 기판(100)의 전체면에 처리액을 공급하는 것이 가능해진다. 본 발명자들의 실험에 의하면, 유리 기판(100)을 수평 방향을 향해 반송하면서, 유리 기판(100)의 표면과 대향 배치된 슬릿 노즐로부터 유리 기판(100)의 표면에 처리액을 흘러 내리게 했을 경우와 비교하여, 필요로 하는 처리액의 사용량을, 약20분의 1로 하는 것이 가능한 것이 확인되고 있다.As mentioned above, in the substrate processing apparatus which concerns on this invention, by supplying a process liquid in the state which formed the process liquid film 52 between the process liquid discharge nozzle 2 and the surface of the glass substrate 100, Even when the amount of the processing liquid to be used is extremely small, the processing liquid can be supplied to the entire surface of the glass substrate 100. According to the experiments of the present inventors, when the processing liquid flows down to the surface of the glass substrate 100 from the slit nozzle disposed to face the surface of the glass substrate 100 while conveying the glass substrate 100 in the horizontal direction, In comparison, it has been confirmed that the amount of processing liquid required can be set to about one-twentieth.

또, 도 1에 나타내는 바와 같이, 이 기판 처리 장치에 있어서는, 상술한 바와 같은 구성을 가지는 처리·세정 유닛(1)이 4개, 늘어서게 설치되어 있다. 복수의 반송 롤러(9)에 의해 수평 방향으로 반송되는 유리 기판(100)은, 이들 4개의 처리·세정 유닛(1a, 1b, 1c, 1d)에 의해 순차적으로 처리액이 공급되고, 또, 이면이 세정된다. 이 때문에, 처리액으로서 에칭액을 사용한 에칭 처리의 경우에 있어서도, 에칭 처리를 개시한 후에 유리 기판(100)의 표면이 강한 발액성으로 되었을 경우에 있어서도, 처리액 토출 노즐(2)과 유리 기판(100)의 사이를 처리액의 액막(52)에 의해 액밀로 함으로써 에칭액이 겉도는 것을 방지하고, 또한, 이 동작을 4개의 처리·세정 유닛(1a, 1b, 1c, 1d)을 이용하여 4회 반복함으로써, 유리 기판(100)의 표면에 처리액으로서의 에칭액 등을 확실히 공급할 수 있고, 또, 그에 따라 유리 기판(100)의 이면 세정을 확실히 실행하는 것이 가능해진다.In addition, as shown in FIG. 1, in this substrate processing apparatus, four processing / cleaning units 1 having the above-described configuration are provided in a line. As for the glass substrate 100 conveyed in the horizontal direction by the some conveyance roller 9, a process liquid is sequentially supplied by these four process and cleaning units 1a, 1b, 1c, 1d, and the back surface Is washed. For this reason, also in the case of the etching process using etching liquid as a process liquid, even when the surface of the glass substrate 100 became strong liquid repellency after starting an etching process, the process liquid discharge nozzle 2 and the glass substrate ( By liquid-tightening the liquid film 52 between the processing liquids, the etching liquid is prevented from appearing, and this operation is repeated four times using four processing / cleaning units 1a, 1b, 1c, and 1d. Thereby, the etching liquid etc. as a process liquid can be reliably supplied to the surface of the glass substrate 100, and it becomes possible to reliably perform back surface washing of the glass substrate 100 by it.

또한, 상술한 실시 형태에 있어서는, 유리 기판(100)을, 그 주면이 수평 방향이 되는 상태로 지지하여, 수평 방향으로 반송하고 있지만, 유리 기판(100)이 약간 경사져 있어도 된다. 예를 들면, 유리 기판(100)이 그 반송 방향과 직교하는 방향에 대해서 1도 정도 경사져 있어도, 이 발명을 적용하는 것은 가능하다. 즉, 이 발명은, 유리 기판(100)을 정확하게 수평 방향으로 지지하는 경우에 한정하지 않고, 대략 수평 방향으로 지지하는 경우에 있어서도 적용이 가능하다.In addition, in embodiment mentioned above, the glass substrate 100 is supported in the state whose main surface becomes a horizontal direction, and is conveyed in the horizontal direction, but the glass substrate 100 may be inclined slightly. For example, even if the glass substrate 100 inclines about 1 degree with respect to the direction orthogonal to the conveyance direction, it is possible to apply this invention. That is, this invention is applicable not only in the case of supporting the glass substrate 100 correctly in a horizontal direction, but also in the case of supporting in the substantially horizontal direction.

또, 상술한 실시 형태에 있어서는, 유리 기판(100)의 표면에 에칭액으로서의 불산 등을 공급하고 있지만, 이 발명은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들면, 유리 기판(100)에 대해서 현상액을 공급함으로써 현상 처리를 행하는 기판 처리 장치에 이 발명을 적용해도 된다. 또한, 그 외의 처리액을 사용하는 기판 처리 장치에 이 발명을 적용하는 것도 가능하다.Moreover, in embodiment mentioned above, hydrofluoric acid etc. as an etching liquid are supplied to the surface of the glass substrate 100, but this invention is not limited to this. For example, you may apply this invention to the substrate processing apparatus which develops by supplying a developing solution with respect to the glass substrate 100. Moreover, it is also possible to apply this invention to the substrate processing apparatus using other processing liquid.

도 1은 이 발명에 관련되는 기판 처리 장치의 측면 개요도이다.1 is a side schematic view of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 2는 처리·세정 유닛(1)을 확대하여 나타내는 측면도이다.2 is an enlarged side view of the processing / cleaning unit 1.

도 3은 처리액 토출 노즐(2)의 하면도이다.3 is a bottom view of the processing liquid discharge nozzle 2.

도 4는 처리액 토출 노즐(2)로의 처리액의 공급 기구를 나타내는 개요도이다.4 is a schematic diagram illustrating a supply mechanism of the processing liquid to the processing liquid discharge nozzle 2.

도 5는 액고임 유지 부재(3)의 개요를 나타내는 도면이다.5 is a view showing the outline of the liquid retaining member 3.

도 6은 액고임 유지 부재(3)의 부분 사시도이다.6 is a partial perspective view of the liquid retaining member 3.

도 7은 다른 실시 형태에 관련되는 액고임 유지 부재(3)의 부분 사시도이다.7 is a partial perspective view of the liquid level holding member 3 according to another embodiment.

도 8은 이면 세정부(4)의 개요를 나타내는 도면이다.8 is a diagram illustrating an outline of the back surface washing unit 4.

도 9는 이 발명에 관련되는 기판 처리 장치에 의한 유리 기판(100)의 처리 동작을 나타내는 설명도이다.FIG. 9: is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention.

도 10은 이 발명에 관련되는 기판 처리 장치에 의한 유리 기판(100)의 처리 동작을 나타내는 설명도이다.FIG. 10: is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention.

도 11은 이 발명에 관련되는 기판 처리 장치에 의한 유리 기판(100)의 처리 동작을 나타내는 설명도이다.It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention.

도 12는 이 발명에 관련되는 기판 처리 장치에 의한 유리 기판(100)의 처리 동작을 나타내는 설명도이다.It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention.

도 13은 이 발명에 관련되는 기판 처리 장치에 의한 유리 기판(100)의 처리 동작을 나타내는 설명도이다.It is explanatory drawing which shows the processing operation of the glass substrate 100 by the substrate processing apparatus which concerns on this invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명>Description of the Related Art

1:처리·세정 유닛 2:처리액 토출 노즐1: Treatment and cleaning unit 2: Treatment liquid discharge nozzle

3:액고임 유지 부재 4:이면 세정부3: liquid high holding member 4: back surface washing part

9:반송 롤러 21:처리액 토출구9: conveying roller 21: treatment liquid discharge port

22:저장조 23:관로22: reservoir 23: pipeline

24:개폐 밸브 25:펌프24: open and close valve 25: pump

31:처리액 유지면 32, 33, 43:오목부31: Treatment liquid holding surface 32, 33, 43: Concave part

41:세정액 토출구 42:세정액 유지면41: washing liquid discharge port 42: washing liquid holding surface

100:유리 기판100: glass substrate

Claims (12)

기판을 그 주면이 수평 방향이 되는 상태로 지지함과 더불어, 그 기판을 수평 방향으로 반송하는 반송 기구와,A conveying mechanism for supporting the substrate in a state in which the main surface thereof is in the horizontal direction and conveying the substrate in the horizontal direction; 하방을 향하는 처리액 토출구가 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송 방향과 교차하는 방향으로 연장 설치됨과 더불어, 상기 처리액 토출구와 상기 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 표면의 거리가, 그들 사이가 상기 처리액 토출구로부터 토출된 처리액의 액막에 의해 액밀 상태가 되는 위치에 배치된 처리액 토출 노즐과,While the processing liquid discharge port facing downward extends in the direction intersecting with the conveying direction of the substrate by the conveying mechanism, the distance between the processing liquid discharge port and the surface of the substrate conveyed by the conveying mechanism is between the processing. A processing liquid discharge nozzle disposed at a position where the liquid film of the processing liquid discharged from the liquid discharge port becomes a liquid-tight state; 처리액 토출구와 대향하는 위치에 처리액의 액고임을 유지하는 처리액 유지면을 구비하고, 상기 처리액 토출구와 상기 처리액 유지면의 거리가, 그들 사이에 처리액의 액고임을 형성 가능하게 되는 위치에 배치된 액고임 유지 부재를 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.And a processing liquid holding surface for holding the liquid level of the processing liquid at a position opposite to the processing liquid discharge port, wherein a distance between the processing liquid discharge port and the processing liquid holding surface can form a liquid level of the processing liquid therebetween. And a liquid level holding member disposed at a position to be provided. 청구항 1에 있어서,The method according to claim 1, 상기 처리액 토출 노즐에 있어서의 처리액 토출구와 상기 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 표면의 거리는, 1㎜ 내지 2㎜인, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus in which the distance of the process liquid discharge port in the said process liquid discharge nozzle and the surface of the board | substrate conveyed by the said conveyance mechanism is 1 mm-2 mm. 청구항 2에 있어서,The method according to claim 2, 상기 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 이면과 상기 액고임 유지 부재에 있어서의 처리액 유지면의 거리는, 1㎜ 내지 2㎜인, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus which is 1 mm-2 mm in distance of the back surface of the board | substrate conveyed by the said conveyance mechanism, and the process liquid holding surface in the said liquid holding member. 청구항 3에 있어서, The method of claim 3, 상기 처리액 토출구는, 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송 방향과 교차하는 방향으로 늘어서게 설치된 다수의 구멍으로 구성되는, 기판 처리 장치.The processing liquid discharge port is constituted by a plurality of holes arranged in a line intersecting with a direction in which a substrate is conveyed by the transfer mechanism. 청구항 4에 있어서,The method according to claim 4, 상기 처리액 토출구는, 거기에 공급된 처리액에 압력이 부여되지 않는 상태에 있어서는, 처리액의 표면 장력의 작용에 의해 당해 처리액 토출구로부터 처리액이 흘러 내리지 않는 크기인, 기판 처리 장치.The processing liquid discharge port is a substrate processing apparatus having a size such that the processing liquid does not flow from the processing liquid discharge port under the action of the surface tension of the processing liquid in a state where pressure is not applied to the processing liquid supplied thereto. 청구항 4에 있어서, The method according to claim 4, 상기 처리액 토출 노즐의 하면은, 평면형상, 또는, 기판의 반송 방향과 연직 방향을 포함하는 평면에 의한 단면 형상이 하방이 볼록해지는 원호형상인, 기판 처리 장치.The lower surface of the said process liquid discharge nozzle is planar shape, or the cross-sectional shape by the plane containing a conveyance direction and a perpendicular direction of a board | substrate is a circular arc shape which convex downwards. 청구항 3에 있어서, The method of claim 3, 상기 액고임 유지 부재의 표면에는, 액고임 유지용의 오목부가 형성되는, 기판 처리 장치.The substrate processing apparatus in which the recessed part for liquid level holding is formed in the surface of the said liquid level holding member. 청구항 3에 있어서,The method of claim 3, 상기 처리액 토출 노즐 및 상기 액고임 유지 부재에 대해서 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송 방향의 하류측에, 상기 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 이면에 세정액을 공급하는 이면 세정부를 구비한, 기판 처리 장치.The board | substrate provided with the back surface washing | cleaning part which supplies a cleaning liquid to the back surface of the board | substrate conveyed by the said conveyance mechanism with respect to the said process liquid discharge nozzle and the said liquid holding | maintenance member downstream of the conveyance direction of the board | substrate by the said conveyance mechanism. Processing unit. 청구항 8에 있어서, The method according to claim 8, 상기 이면 세정부는, 그 상면에 세정액의 액고임을 유지하는 세정액 유지면을 구비하는, 기판 처리 장치.The said back surface washing | cleaning part is a substrate processing apparatus provided with the washing | cleaning liquid holding surface which maintains the liquid height of a washing | cleaning liquid on the upper surface. 청구항 9에 있어서, The method according to claim 9, 상기 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 이면과 상기 이면 세정부에 있어서의 세정액 유지면의 거리는, 1㎜ 내지 2㎜인, 기판 처리 장치.The distance of the back surface of the board | substrate conveyed by the said conveyance mechanism, and the cleaning liquid holding surface in the said back surface washing part is 1 mm-2 mm. 청구항 8에 있어서, The method according to claim 8, 상기 처리액 토출 노즐과, 상기 액고임 유지 부재와, 상기 이면 세정부는, 각각, 상기 반송 기구에 의한 기판의 반송 방향으로 복수개 늘어서게 설치되어 있는, 기판 처리 장치.The said processing liquid discharge nozzle, the said liquid holding | maintenance holding member, and the said back surface washing part are each provided in a line in the conveyance direction of the board | substrate by the said conveyance mechanism, respectively. 반송 기구에 의해 주면이 수평 방향이 되는 상태로 수평 방향으로 반송되는 기판의 표면보다 상방에 배치된 처리액 토출 노즐로부터 처리액을 토출함으로써, 상기 처리액 토출 노즐과, 상기 반송 기구에 의해 반송되는 기판의 이면보다 하방의 상기 처리액 토출 노즐과 대향하는 위치에 배치된 액고임 유지 부재의 사이에, 처리액의 액고임을 형성하는 액고임 형성 공정과,It is conveyed by the said process liquid discharge nozzle and the said conveyance mechanism by discharging a process liquid from the process liquid discharge nozzle arrange | positioned above the surface of the board | substrate conveyed in a horizontal direction with the main surface being a horizontal direction by a conveyance mechanism. A liquid pool forming step of forming a liquid pool of the processing liquid between the liquid pool holding members disposed at positions opposite to the processing liquid discharge nozzle below the rear surface of the substrate; 기판을 수평 방향으로 반송함으로써, 기판의 선단을 상기 처리액 토출 노즐과 상기 액고임 유지 부재의 사이에 형성된 처리액의 액고임 중에 진입시키는 선단 진입 공정과,A front end entry step of causing the front end of the substrate to enter the liquid level of the processing liquid formed between the processing liquid discharge nozzle and the liquid level holding member by transporting the substrate in the horizontal direction; 상기 처리액 토출 노즐로부터 처리액을 토출함으로써, 처리액 토출 노즐과 기판의 사이를 처리액에 의해 액밀로 한 채의 상태로 기판을 수평 방향으로 반송하여, 기판의 표면에 처리액을 공급하는 처리액 공급 공정을 구비한 것을 특징으로 하는 기판 처리 방법.By discharging the processing liquid from the processing liquid discharge nozzle, the substrate is conveyed in a horizontal direction while the liquid is sealed between the processing liquid discharge nozzle and the substrate by the processing liquid, thereby supplying the processing liquid to the surface of the substrate. The substrate processing method characterized by including the liquid supply process.
KR1020090128022A 2009-03-16 2009-12-21 Substrate treating apparatus and substrate treating method KR101100961B1 (en)

Priority Applications (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2009-062398 2009-03-16
JP2009062398A JP5202400B2 (en) 2009-03-16 2009-03-16 Substrate processing apparatus and substrate processing method

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20100105345A KR20100105345A (en) 2010-09-29
KR101100961B1 true KR101100961B1 (en) 2011-12-29

Family

ID=42977720

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090128022A KR101100961B1 (en) 2009-03-16 2009-12-21 Substrate treating apparatus and substrate treating method

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP5202400B2 (en)
KR (1) KR101100961B1 (en)

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5785454B2 (en) * 2011-07-29 2015-09-30 株式会社Screenホールディングス Substrate processing equipment
JP2013080808A (en) * 2011-10-04 2013-05-02 Tokyo Electron Ltd Substrate processing apparatus and substrate processing method

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102289A (en) 1999-09-30 2001-04-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and method for substrate processing
JP2004363200A (en) 2003-06-03 2004-12-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and equipment of substrate treatment

Family Cites Families (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH0649956B2 (en) * 1987-10-31 1994-06-29 大日本スクリーン製造株式会社 Substrate surface treatment method
JP2007196094A (en) * 2006-01-24 2007-08-09 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Treatment liquid supply unit and substrate treatment apparatus equipped with the same

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001102289A (en) 1999-09-30 2001-04-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Device and method for substrate processing
JP2004363200A (en) 2003-06-03 2004-12-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd Method and equipment of substrate treatment

Also Published As

Publication number Publication date
KR20100105345A (en) 2010-09-29
JP2010219187A (en) 2010-09-30
JP5202400B2 (en) 2013-06-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101322983B1 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2011071385A (en) Device and method for treating substrate
KR101100961B1 (en) Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP4514140B2 (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
TWI512818B (en) Cleaning apparatus for silicon wafer
JP5876702B2 (en) Substrate processing equipment
KR101099576B1 (en) System for supplying and collecting cleaning solution
JP2009135129A (en) Substrate processing apparatus
JP3866856B2 (en) Substrate processing equipment
JP5785454B2 (en) Substrate processing equipment
JP6047359B2 (en) Substrate cleaning device
JP5016430B2 (en) Substrate processing equipment
KR20100055812A (en) Apparatus for processing a substrate
JP2010103383A (en) Substrate processing apparatus
KR20110034537A (en) Substrate processing apparatus
JP6049257B2 (en) Wafer cleaning apparatus and cleaning method
JP2013191651A (en) Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP2014069126A (en) Substrate treatment apparatus
KR101856197B1 (en) Apparatus for providing chemical liquid
KR100812096B1 (en) Apparatus and method for glass etching
TWI452622B (en) Substrate cleaning device
JP2006179758A (en) Substrate treatment equipment
JP2008227195A (en) Liquid processing unit
WO2015048576A1 (en) Processes and apparatus for cleaning, rinsing, and drying substrates
JP2013202547A (en) Substrate processing apparatus

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20141203

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151118

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161123

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171114

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20181129

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20191202

Year of fee payment: 9