KR100837628B1

KR100837628B1 - Apparatus and method for treating substrates

Info

Publication number: KR100837628B1
Application number: KR1020060117724A
Authority: KR
Inventors: 이명기; 이우송; 최태오
Original assignee: 세메스 주식회사
Priority date: 2006-11-27
Filing date: 2006-11-27
Publication date: 2008-06-12
Also published as: KR20080047817A

Abstract

The present invention discloses a substrate processing apparatus and method, and has a structural feature of circulating and supplying deionized water supplied for cleaning processing of a substrate. According to this feature, it is possible to reduce the consumption of deionized water used in the cleaning apparatus, and to prevent the fine particles from entering the drying chamber by using a small amount of deionized water.

Substrate Cleaning, Deionized Water, Fine Particles, Drying

Description

Substrate processing apparatus and substrate processing method using the same {APPARATUS AND METHOD FOR TREATING SUBSTRATES}

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 도시해 보인 개략적 단면도,1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention,

도 2는 도 1에 도시된 기판 이송 유닛의 개략적 평면도,FIG. 2 is a schematic plan view of the substrate transfer unit shown in FIG. 1;

도 3은 도 1의 제 2 세정 챔버를 확대 도시해 보인 개략적 단면도,3 is an enlarged schematic cross-sectional view of the second cleaning chamber of FIG. 1;

도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 개략적 동작 상태도이다.4 is a schematic operation state diagram of a substrate processing apparatus according to the present invention.

< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 ><Description of Symbols for Main Parts of Drawings>

100 : 로더부 200 : 제 1 세정 챔버100 loader portion 200 first cleaning chamber

240 : 브러시 세정 유닛 300 : 제 2 세정 챔버240 brush cleaning unit 300 second cleaning chamber

310 : 기판 이송 유닛 320 : 제 1 노즐310: substrate transfer unit 320: first nozzle

330 : 제 2 노즐 340 : 제 1 배기 부재330: second nozzle 340: first exhaust member

350 : 순환 부재 400 : 건조 챔버350: circulation member 400: drying chamber

420 : 건조 노즐 500 : 언로더부420: drying nozzle 500: unloader

본 발명은 기판 처리 장치 및 방법에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 평판 표시 소자의 제조에 사용되는 기판을 세정하는 장치 및 이를 이용한 기판 세정 방법에 관한 것이다.BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention relates to a substrate processing apparatus and a method, and more particularly, to an apparatus for cleaning a substrate used in the manufacture of a flat panel display device and a substrate cleaning method using the same.

최근 들어, 정보 처리 기기는 다양한 형태의 기능과 더욱 빨라진 정보 처리 속도를 갖도록 급속하게 발전하고 있다. 이러한 정보 처리 장치는 가동된 정보를 표시하는 표시 패널(Panel)을 가진다. 지금까지 표시 패널로는 주로 브라운관(Cathode Ray Tube) 모니터가 사용되었으나, 최근에는 기술의 급속한 발전에 따라 가볍고 공간을 작게 차지하는 액정 디스플레이(LCD)와 같은 평판 표시 패널의 사용이 급격히 증대하고 있다. Recently, information processing devices have been rapidly developed to have various types of functions and faster information processing speeds. This information processing apparatus has a display panel for displaying the operated information. Until now, a cathode ray tube (CRT) monitor has been mainly used as a display panel, but recently, with the rapid development of technology, the use of flat panel display panels such as liquid crystal displays (LCDs), which are light and occupy small space, is rapidly increasing.

평판 표시 패널의 제조를 위해 다양한 공정들이 요구된다. 이들 공정들 중 세정 공정은 기판상에 부착된 파티클 등과 같은 오염 물질을 제거하는 공정으로서 박막 트랜지스터 등의 소자 손실을 최소화하여 수율을 향상시키기 위해 수행된다. Various processes are required for manufacturing a flat panel display panel. Among these processes, a cleaning process is a process of removing contaminants such as particles deposited on a substrate and is performed to improve device yield by minimizing device losses such as thin film transistors.

세정 공정이 수행되는 세정 장치는 로더부, 세정 챔버, 건조 챔버 및 언로더부 등을 가지며, 이들은 인접하게 배치되고 상호 간에 기판이 이동할 수 있도록 개구부가 형성되어 있다.The cleaning apparatus in which the cleaning process is performed has a loader section, a cleaning chamber, a drying chamber, an unloader section, and the like, which are disposed adjacent to each other and have openings formed therebetween so that the substrate can move between them.

세정 챔버 내에는 기판상의 오염 물질을 제거하기 위해 분무 형태의 탈이온수를 공급하는 제 1 탈이온수 공급 부재와, 기판상에 공급된 탈이온수의 미세 입자가 기판을 타고 흐르는 것을 방지하기 위해 워터 커튼(Water Curtain)이 형성되도록 탈이온수를 공급하는 제 2 탈이온수 공급 부재가 설치된다.The cleaning chamber includes a first deionized water supply member for supplying deionized water in the form of a spray to remove contaminants on the substrate, and a water curtain to prevent the fine particles of deionized water supplied on the substrate from flowing through the substrate. A second deionized water supply member for supplying deionized water is provided to form a water curtain.

그런데, 제 1 탈이온수 공급 부재에 탈이온수를 제공하는 배관 계통은 순환 공급 구조를 가지는 반면에, 제 2 탈이온수 공급 부재에 탈이온수를 제공하는 배관 계통은 사용된 탈이온수를 순환 공급시키지 않고 외부로 배출시키는 구조를 가진다. 이러한 차이점으로 인해 제 2 탈이온수 공급 부재는 제 1 탈이온수 공급 부재와 비교하여 다량의 탈이온수를 소모하는 문제점이 있었다.By the way, while the piping system providing deionized water to the first deionized water supply member has a circulation supply structure, the piping system providing deionized water to the second deionized water supply member does not circulate the used deionized water without circulating the used deionized water. It has a structure to discharge it. Due to this difference, the second deionized water supply member has a problem of consuming a large amount of deionized water as compared to the first deionized water supply member.

그리고, 제 2 탈이온수 공급 부재에서 소모되는 탈이온수의 량을 줄이면, 제 1 탈이온수 공급 부재로부터 공급된 탈이온수의 미세 입자들이 기판 표면을 타고 흘러 건조 챔버로 유입되는 문제점이 있었다.When the amount of deionized water consumed in the second deionized water supply member is reduced, fine particles of deionized water supplied from the first deionized water supply member flow through the substrate surface and flow into the drying chamber.

따라서, 본 발명은 상술한 바와 같은 종래의 통상적인 세정 장치가 가진 문제점을 감안하여 이를 해소하기 위해 창출된 것으로서, 본 발명의 목적은 탈이온수의 소모량을 줄일 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.Accordingly, the present invention has been made to solve the problems in view of the conventional cleaning apparatus as described above, and an object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method which can reduce the consumption of deionized water. It is for.

또한, 본 발명의 목적은 탈이온수의 미세 입자들이 건조 챔버로 유입되는 것을 방지할 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하기 위한 것이다.It is also an object of the present invention to provide a substrate processing apparatus and method capable of preventing the fine particles of deionized water from entering the drying chamber.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 장치에 있어서, 기판 처리 공정이 진행되는 챔버와; 상기 챔버로 반입된 기판에 처리액을 분사하는 제 1 노즐과; 상기 제 1 노즐의 후단에 인접하게 배치되며, 상기 제 1 노즐로부터 분사된 처리액의 미세 입자가 상기 기판 표면으로부터 분리되도록 상기 기판상에 탈이온수를 공급하는 제 2 노즐;를 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, the substrate processing apparatus according to the present invention comprises: a chamber in which a substrate processing step is performed; A first nozzle for spraying a processing liquid onto the substrate loaded into the chamber; And a second nozzle disposed adjacent to the rear end of the first nozzle, the second nozzle supplying deionized water onto the substrate so that the fine particles of the processing liquid injected from the first nozzle are separated from the surface of the substrate. do.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 제 1 노즐로부터 상기 기판에 분사되는 상기 처리액은 기체가 혼합된 탈이온수를 포함하는 것이 바람직하다.In the substrate processing apparatus according to the present invention having the configuration described above, the treatment liquid injected from the first nozzle to the substrate preferably includes deionized water mixed with gas.

본 발명의 일 특징에 따르면, 상기 장치는 상기 기판을 처리한 후 배출되는 탈이온수를 순환시켜 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐로 재공급하는 순환 부재;를 더 포함하는 것이 바람직하다.According to one feature of the invention, the apparatus further comprises a circulation member for circulating the deionized water discharged after processing the substrate and re-supply to the first nozzle and the second nozzle.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 장치는, 기판을 처리하는 장치에 있어서, 기판 처리 공정이 진행되는 공간을 제공하는 챔버와; 상기 챔버 내에 서로 나란하게 배열되며, 기판과 접촉하는 다수의 롤러들이 설치된 이송 샤프트들과; 상기 이송 샤프트들에 의해 이동되는 상기 기판상에 분무 상태의 탈이온수를 분사하는 제 1 노즐과; 상기 제 1 노즐의 후단에 인접하게 배치되며, 상기 제 1 노즐로부터 분사된 탈이온수의 미세 입자가 상기 기판 표면으로부터 분리되도록 상기 기판상에 탈이온수를 공급하는 제 2 노즐;을 포함하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, a substrate processing apparatus according to the present invention, comprising: a chamber for providing a space in which a substrate processing process proceeds; Transfer shafts arranged side by side in the chamber and provided with a plurality of rollers in contact with the substrate; A first nozzle for spraying deionized water in a spray state on the substrate moved by the transfer shafts; And a second nozzle disposed adjacent to the rear end of the first nozzle and supplying deionized water onto the substrate so that the fine particles of deionized water injected from the first nozzle are separated from the surface of the substrate. do.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 장치에 있어서, 상기 장치는 상기 기판을 처리한 후 배출되는 탈이온수를 순환시켜 상기 제 1 노즐 및 상기 제 2 노즐로 재공급하는 순환 부재;를 더 포함하는 것이 바람직하다.In the substrate processing apparatus according to the present invention having the configuration as described above, the apparatus comprises a circulation member for circulating the deionized water discharged after processing the substrate to re-supply to the first nozzle and the second nozzle; It is preferable to further include.

상기한 목적을 달성하기 위하여 본 발명에 의한 기판 처리 방법은, 기판 처리 방법에 있어서, 기판에 처리액을 공급하고, 상기 기판 표면을 따라 흐르는 처리액의 미세 입자가 상기 기판 표면으로부터 분리되도록 상기 기판에 탈이온수를 공 급하고, 상기 기판 표면으로부터 분리된 처리액의 미세 입자를 외부로 배출하는 것을 특징으로 한다.In order to achieve the above object, in the substrate processing method of the present invention, in the substrate processing method, the substrate is supplied with a processing liquid, and the fine particles of the processing liquid flowing along the substrate surface are separated from the substrate surface. It is characterized in that the deionized water is supplied to the air, and the fine particles of the treatment liquid separated from the substrate surface are discharged to the outside.

상술한 바와 같은 구성을 가지는 본 발명에 의한 기판 처리 방법에 있어서, 상기 방법은 상기 기판을 처리한 후 배출되는 탈이온수를 순환시켜 상기 기판으로 재공급하는 것이 바람직하다.In the substrate processing method according to the present invention having the configuration as described above, it is preferable that the method circulates deionized water discharged after processing the substrate and resupply it to the substrate.

이하 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예에 따른 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법을 상세히 설명하기로 한다. 우선 각 도면의 구성 요소들에 참조 부호를 부가함에 있어서, 동일한 구성 요소들에 대해서는 비록 다른 도면상에 표시되더라도 가능한 한 동일한 부호를 가지도록 하고 있음에 유의해야 한다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어, 관련된 공지 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Hereinafter, a substrate processing apparatus and a substrate processing method using the same according to a preferred embodiment of the present invention will be described in detail with reference to the accompanying drawings. First, in adding reference numerals to the components of each drawing, it should be noted that the same reference numerals are assigned to the same components as much as possible, even if shown on different drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that the detailed description of the related well-known configuration or function may obscure the gist of the present invention, the detailed description thereof will be omitted.

( 실시 예 )(Example)

본 실시 예에서 기판(S)은 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판(S)을 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼일 수 있다.In the present embodiment, the substrate S will be described taking as an example a substrate S used for manufacturing a flat panel display panel. Alternatively, the substrate S may be a wafer used for manufacturing a semiconductor chip.

도 1은 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 일 예를 도시해 보인 개략적 단면도이다.1 is a schematic cross-sectional view showing an example of a substrate processing apparatus according to the present invention.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(10)는 로더부(100), 복수의 챔버들(200,300,400), 그리고 언로더부(500)를 포함한다. 로더부(100), 챔버 들(200,300,400) 그리고 언로더부(500)는 일렬로 나란하게 배치된다. 챔버들(200,300,400) 내에는 기판 이송 유닛(210,310,410)이 설치된다. 기판(S)은 기판 이송 유닛(210,310,410)에 의해 가장 전방에 위치된 로더부(100)로부터 순차적으로 가장 후방에 위치된 언로더부(500)까지 이동된다. Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 10 includes a loader unit 100, a plurality of chambers 200, 300, and 400, and an unloader unit 500. The loader unit 100, the chambers 200, 300, 400 and the unloader unit 500 are arranged side by side in a row. Substrate transfer units 210, 310, and 410 are installed in the chambers 200, 300, and 400. The substrate S is moved by the substrate transfer units 210, 310, and 410 from the loader part 100 located at the most forward to the unloader part 500 located at the most rearward.

로더부(100)는 챔버(200)로 처리될 기판(S)을 로딩한다. 각각의 챔버(200,300,400) 내에서는 기판 이송 유닛(210,310,410)에 의해 이동되는 기판(S)에 대해 소정 공정이 수행된다. 그리고, 언로더부(500)는 챔버(400)로부터 처리된 기판(S)을 언로딩한다.The loader unit 100 loads the substrate S to be processed into the chamber 200. In each chamber 200, 300, 400, a predetermined process is performed on the substrate S moved by the substrate transfer units 210, 310, 410. In addition, the unloader unit 500 unloads the substrate S processed from the chamber 400.

구체적으로, 챔버들(200,300,400)은 제 1 세정 챔버(200), 제 2 세정 챔버(300) 및 건조 챔버(400)로 이루어지며, 기판(S)은 제 1 세정 챔버(200)와 제 2 세정 챔버(300)로 이동하면서 세정되고, 이후 건조 챔버(400)로 이동하여 건조된다.Specifically, the chambers 200, 300, and 400 may include a first cleaning chamber 200, a second cleaning chamber 300, and a drying chamber 400, and the substrate S may include the first cleaning chamber 200 and the second cleaning. It is washed while moving to the chamber 300, and then moved to the drying chamber 400 and dried.

제 1 세정 챔버(200)에서는 약액 공급 부재(220)를 이용하여 테트라 암모늄 하이드록사이드(Tetra Methyl Ammonium Hydroxide, TMAH)와 같은 유기 용액을 기판(S)에 공급하여 기판(S) 표면상의 오염 물질을 일차적으로 제거한다. 그리고, 탈이온수 공급 부재(230)로부터 기판(S)에 탈이온수가 공급되고, 브러시 세정 유닛(240)으로 기판(S)상의 잔류 오염 물질을 이차적으로 제거한다.In the first cleaning chamber 200, an organic solution such as tetra ammonium hydroxide (TMAH) is supplied to the substrate S by using the chemical liquid supply member 220 to contaminants on the surface of the substrate S. Is removed first. Then, deionized water is supplied from the deionized water supply member 230 to the substrate S, and the residual contaminants on the substrate S are secondarily removed by the brush cleaning unit 240.

제 2 세정 챔버(300)에서는 제 1 세정 챔버(200)에서 제거되지 않은 오염 물질과, 브러시 세정 유닛(240)에 의해 기판(S)으로부터 제거되었으나 기판(S) 상에 또는 기판(S) 상부에 잔류하는 오염 물질을 기판(S)으로부터 제거하는 공정이 수행 된다. In the second cleaning chamber 300, contaminants not removed from the first cleaning chamber 200, and removed from the substrate S by the brush cleaning unit 240, but are on or above the substrate S. The process of removing the contaminants remaining in the substrate S is performed.

건조 챔버(400)에서는 제 1 및 제 2 세정 챔버(200,300)에서 오염 물질이 제거된 기판(S)상에 건조 가스를 공급하여 기판(S)상의 잔류 수분을 건조하는 공정이 수행된다. 건조 챔버(400)에 설치된 건조 노즐(420)은 가열된 공기, 가열된 질소 가스, 또는 가열된 비활성 가스 등을 공급하여 기판(S)을 건조할 수 있다. 선택적으로 건조 노즐(420)은 이소프로필 알코올와 같은 유기용제를 기판(S)으로 공급한 후, 이후에 상술한 가열된 공기 등을 기판(S)으로 공급하여 기판(S)을 건조할 수 있다. In the drying chamber 400, a process of drying the residual moisture on the substrate S by supplying a drying gas to the substrate S from which the contaminants are removed from the first and second cleaning chambers 200 and 300 is performed. The drying nozzle 420 installed in the drying chamber 400 may dry the substrate S by supplying heated air, heated nitrogen gas, or heated inert gas. Optionally, the drying nozzle 420 may supply the organic solvent such as isopropyl alcohol to the substrate S, and then supply the heated air or the like to the substrate S to dry the substrate S.

챔버들(200,300,400) 간 또는 각각의 챔버들(200,300,400) 내에서 기판(S)은 기판 이송 유닛(210,310,410)에 의해 이동되며, 이에 대해 설명하면 다음과 같다. 기판 이송 유닛들(210,310,410)은 동일한 구성을 가지며, 이하에서는 제 2 세정 챔버(300)에 설치된 기판 이송 유닛(310)을 예로 들어 설명한다.The substrate S is moved by the substrate transfer units 210, 310, and 410 between the chambers 200, 300, and 400 or in the respective chambers 200, 300, and 400. The substrate transfer units 210, 310, and 410 have the same configuration, and hereinafter, the substrate transfer units 310 installed in the second cleaning chamber 300 will be described as an example.

도 2는 도 1에 도시된 기판 이송 유닛의 개략적 평면도이다.FIG. 2 is a schematic plan view of the substrate transfer unit shown in FIG. 1.

도 2를 참조하면, 기판 이송 유닛(310)은 복수의 이송 샤프트들(312), 롤러들(314), 그리고 구동부(316)를 가진다. 이송 샤프트들(312)은 제 2 세정 챔버(300) 내에 서로 평행하게 나란하게 배치된다. 각각의 이송 샤프트(312)에는 그 길이 방향을 따라 복수의 롤러들(314)이 고정결합된다. 이송 샤프트들(312)은 그 중심축을 기준으로 구동부(316)에 의해 회전된다. 구동부(316)는 풀리들(317), 벨트들(318), 그리고 모터(319)를 가진다. 풀리들(317)은 각각의 이송 샤프트(312)의 양단에 각각 결합된다. 서로 다른 이송 샤프트들(312)에 결합되며 서로 인접하게 배치된 풀리들(317)은 벨트(318)에 의해 서로 연결된다. 풀리들(317) 중 어느 하나에는 이를 회전시키는 모터(319)가 결합된다. 상술한, 풀리(317), 벨트(318), 그리고 모터(319)의 조립체에 의해 이송 샤프트들(312)과 롤러들(314)이 회전되고, 기판(S)은 그 하면이 롤러들(314)에 접촉된 상태로 이송 샤프트들(312)을 따라 직선이동된다. 각각의 이송 샤프트(312)는 수평으로 배치되어 기판(S)은 수평 상태로 이송될 수 있다. 선택적으로 각각의 이송 샤프트(312)의 일단과 타단이 상이한 높이로 제공되어, 기판(S)은 경사진 상태로 이송될 수 있다.Referring to FIG. 2, the substrate transfer unit 310 has a plurality of transfer shafts 312, rollers 314, and a driver 316. The transfer shafts 312 are arranged side by side parallel to each other in the second cleaning chamber 300. A plurality of rollers 314 are fixedly coupled to each conveying shaft 312 along its longitudinal direction. The conveying shafts 312 are rotated by the drive 316 about its central axis. The driver 316 has pulleys 317, belts 318, and a motor 319. Pulleys 317 are respectively coupled to both ends of each transfer shaft 312. The pulleys 317 coupled to the different transfer shafts 312 and disposed adjacent to each other are connected to each other by a belt 318. Any one of the pulleys 317 is coupled to a motor 319 for rotating it. The above-described assembly of the pulley 317, the belt 318, and the motor 319 rotates the transfer shafts 312 and the rollers 314, and the substrate S has its rollers 314 on its lower surface. ) Is linearly moved along the transfer shafts 312 in contact with the. Each transfer shaft 312 is horizontally disposed so that the substrate S may be transferred in a horizontal state. Optionally, one end and the other end of each transfer shaft 312 are provided at different heights so that the substrate S can be transferred in an inclined state.

도 3은 도 1의 제 2 세정 챔버를 확대 도시해 보인 개략적 단면도이고, 도 4는 본 발명에 따른 기판 처리 장치의 개략적 동작 상태도이다.FIG. 3 is an enlarged schematic cross-sectional view of the second cleaning chamber of FIG. 1, and FIG. 4 is a schematic operation state diagram of the substrate processing apparatus according to the present invention.

제 2 세정 챔버(300)에서는 제 1 세정 챔버(200)에서 제거되지 않은 오염 물질과, 브러시 세정 유닛(240)에 의해 기판(S)으로부터 제거되었으나 기판(S) 상에 또는 기판(S) 상부에 잔류하는 오염 물질을 기판(S)으로부터 제거하는 공정이 수행된다.In the second cleaning chamber 300, contaminants not removed from the first cleaning chamber 200, and removed from the substrate S by the brush cleaning unit 240, but are on or above the substrate S. A process of removing contaminants remaining in the substrate from the substrate S is performed.

제 2 세정 챔버(300)는 세정 공정이 진행되는 공간을 제공한다. 제 2 세정 챔버(300)의 내부에는 기판 이송 유닛(310)에 의해 이동되는 처리 기판(S)의 상측 공간을 전단 영역(FA)과 후단 영역(BA)으로 구획하는 격벽(302)이 구비된다. 여기서, 전단 영역(FA)은 제 2 세정 챔버(300) 내로 기판(S)이 반입되는 유입구(304) 측의 기판 상부 영역으로 정의되고, 후단 영역(BA)은 기판(S)이 반출되는 유출구(306) 측의 기판 상부 영역으로 정의된다.The second cleaning chamber 300 provides a space in which the cleaning process is performed. Inside the second cleaning chamber 300, a partition wall 302 is provided to partition an upper space of the processing substrate S moved by the substrate transfer unit 310 into a front end area FA and a rear end area BA. . Here, the front end area FA is defined as an upper area of the substrate on the side of the inlet 304 where the substrate S is loaded into the second cleaning chamber 300, and the rear end area BA is an outlet through which the substrate S is carried out. It is defined as the upper region of the substrate on the 306 side.

전단 영역(FA)에는 제 1 노즐(320), 제 2 노즐(330) 및 제 1 배기 부재(340)가 설치된다. 제 1 노즐(320)은 유입구(304) 측에 인접하게 기판(S)의 상측에 설치되고, 하우징(H) 안에 설치된다. 하우징(H)은 제1 노즐(320)로부터 분사되는 유체가 기판(S)에 제공되도록 하부가 개방된다. 제 2 노즐(330)은 제 1 노즐(320)의 후단에 인접하게 설치되고, 하우징(H) 외측에서 하우징(H)과 격벽(302) 사이에 위치한다. 그리고, 제 1 배기 부재(340)는 전단 영역(FA)의 상부에 설치된다.The first nozzle 320, the second nozzle 330, and the first exhaust member 340 are installed in the front end area FA. The first nozzle 320 is installed above the substrate S adjacent to the inlet 304 side, and is installed in the housing H. The lower portion of the housing H is opened so that the fluid injected from the first nozzle 320 is provided to the substrate S. The second nozzle 330 is installed adjacent to the rear end of the first nozzle 320 and is positioned between the housing H and the partition wall 302 outside the housing H. The first exhaust member 340 is provided above the front end region FA.

제 1 노즐(320)은 제 1 세정 챔버(200)로부터 제 2 세정 챔버(300)로 반입되는 기판(S)상의 오염 물질을 제거하기 위해 처리액을 분사한다. 처리액으로는 공기 등의 기체가 혼합된 탈이온수가 사용될 수 있다. 탈이온수에 고압의 기체를 공급하여 탈이온수를 분무 상태로 만들고, 분무 상태의 탈이온수를 제 1 노즐(320)을 통해 기판(S)으로 분사한다. 제 1 노즐(320)을 통해 기판(S)에 분사된 탈이온수는 기판(S)을 세정 처리한 후 챔버(300)의 바닥면에 형성된 배출구(308)를 통해 배출된다. 그리고 탈이온수의 미세 입자들 중 일부는 제 1 배기 부재(340)를 통해 배출되고, 일부는 기판(S)의 표면을 타고 흐르게 된다.The first nozzle 320 sprays the treatment liquid to remove contaminants on the substrate S from the first cleaning chamber 200 to the second cleaning chamber 300. As the treatment liquid, deionized water mixed with a gas such as air may be used. The high-pressure gas is supplied to the deionized water to make the deionized water sprayed, and the sprayed deionized water is sprayed onto the substrate S through the first nozzle 320. Deionized water sprayed onto the substrate S through the first nozzle 320 is discharged through the outlet 308 formed on the bottom surface of the chamber 300 after the substrate S is cleaned. Some of the fine particles of deionized water are discharged through the first exhaust member 340, and some of them flow on the surface of the substrate S.

제 2 노즐(330)은 제 1 노즐(320)의 후단에 인접하게 배치된다. 제 2 노즐(330)은 제 1 노즐(320)로부터 분사된 탈이온수의 미세 입자가 기판(S) 표면으로부터 분리되도록 기판(S)상에 탈이온수를 공급한다. 도 3 및 도 4에 도시된 바와 같이, 본 발명의 일례로, 제2 노즐(330)은 기판(S)의 이동 방향과 반대 방향으로 탈이온수를 분사한다. 제 2 노즐(330)을 통해 기판(S)에 공급된 탈이온수는 제 1 노즐(320)을 통해 공급된 후 기판(S) 표면을 타고 흐르는 탈이온수의 미세 입자들을 부유(浮遊, Floating)시키고, 공기 중에 떠다니는 탈이온수의 미세 입자들은 제 1 배기 부재(340)를 통해 외부로 배출된다. 그리고, 제 2 노즐(330)을 통해 기판(S)에 공급된 탈이온수는 챔버(300)의 바닥면에 형성된 배출구(308)를 통해 배출된다.The second nozzle 330 is disposed adjacent to the rear end of the first nozzle 320. The second nozzle 330 supplies deionized water onto the substrate S so that the fine particles of deionized water injected from the first nozzle 320 are separated from the surface of the substrate S. 3 and 4, as an example of the present invention, the second nozzle 330 sprays deionized water in a direction opposite to the moving direction of the substrate S. Referring to FIG. Deionized water supplied to the substrate S through the second nozzle 330 is supplied through the first nozzle 320 and then floats fine particles of deionized water flowing through the surface of the substrate S. The fine particles of deionized water floating in the air are discharged to the outside through the first exhaust member 340. The deionized water supplied to the substrate S through the second nozzle 330 is discharged through the discharge port 308 formed on the bottom surface of the chamber 300.

제 2 세정 챔버(300)의 배출구(308)에는 순환 배관(352)이 연결되고, 순환 배관(352) 상에는 펌프와 같은 순환 부재(350)가 배치된다. 제 1 노즐(320) 및 제 2 노즐(330)로부터 기판(S)에 공급된 후 배출구(308)를 통해 배출되는 탈이온수는 순환 배관(352)을 따라 순환 부재(350)로 유입된다. 순환 부재(350)는 탈이온수를 순환시켜 제 1 노즐(320) 및 제 2 노즐(330)로 재공급한다. A circulation pipe 352 is connected to the outlet 308 of the second cleaning chamber 300, and a circulation member 350 such as a pump is disposed on the circulation pipe 352. Deionized water that is supplied from the first nozzle 320 and the second nozzle 330 to the substrate S and discharged through the outlet 308 is introduced into the circulation member 350 along the circulation pipe 352. The circulation member 350 circulates the deionized water and supplies it back to the first nozzle 320 and the second nozzle 330.

상술한 바와 같이, 제 1 노즐(320) 및 제 2 노즐(330)을 통해 기판(S)에 제공되는 탈이온수가 순환 공급되는 구성을 가짐으로써, 탈이온수의 소모량을 줄일 수 있다. 또한, 적은 량의 탈이온수를 이용하여 탈이온수의 미세 입자들이 건조 챔버로 유입되는 것을 방지할 수 있다.As described above, the deionized water provided to the substrate S is circulated and supplied through the first nozzle 320 and the second nozzle 330, thereby reducing the consumption of deionized water. In addition, a small amount of deionized water can be used to prevent the fine particles of deionized water from entering the drying chamber.

후단 영역(BA)에는 제 3 노즐(360), 제 4 노즐(370) 및 제 2 배기 부재(380)가 설치된다. 제 3 노즐(360)은 격벽(302) 후면의 기판(S) 상측에 복수 개가 배치될 수 있으며, 기판 이송 유닛(310)에 의해 이동되는 기판(S)의 하측에 서로 마주 보도록 복수 개가 더 구비될 수 있다. 제 3 노즐(360)의 후단에는 제 4 노즐(370)이 배치되고, 후단 영역(BA)의 상부에는 제 2 배기 부재(380)가 설치된다.The third nozzle 360, the fourth nozzle 370, and the second exhaust member 380 are provided in the rear end area BA. The plurality of third nozzles 360 may be disposed above the substrate S on the rear surface of the partition wall 302, and the plurality of third nozzles 360 may further be provided to face each other under the substrate S moved by the substrate transfer unit 310. Can be. The fourth nozzle 370 is disposed at the rear end of the third nozzle 360, and the second exhaust member 380 is provided at the upper end of the rear area BA.

제 3 노즐들(360)은 제 1 노즐(320) 및 제 2 노즐(330)을 통과하면서 처리된 기판(S)의 상면과 하면에 탈이온수를 공급하여 기판(S)을 세정한다. 제 3 노즐들(360)로부터 기판(S)에 공급된 탈이온수에 의해 생성되는 미세 입자들은 제 2 배기 부재(380)를 통해 외부로 배출된다. 제 4 노즐(370)은 기판(S)의 자연 건조를 방지하기 위해 탈이온수와 건조용 알코올이 혼합된 혼합 용액을 기판(S)에 공급한다. The third nozzles 360 clean the substrate S by supplying deionized water to the upper and lower surfaces of the processed substrate S while passing through the first nozzle 320 and the second nozzle 330. Fine particles generated by the deionized water supplied to the substrate S from the third nozzles 360 are discharged to the outside through the second exhaust member 380. The fourth nozzle 370 supplies a mixed solution of deionized water and a drying alcohol to the substrate S in order to prevent natural drying of the substrate S.

앞서 설명한 바와 같이, 제 2 세정 챔버(300)에서 세정 처리가 완료된 기 판(S)은, 기판 이송 유닛(310)에 의해 건조 챔버(400)로 이동된다. 건조 챔버(400)에서는 제 1 및 제 2 세정 챔버(200,300)에서 오염 물질이 제거된 기판(S)상에 건조 가스를 공급하여 기판(S)상의 잔류 수분을 건조한다. As described above, the substrate S on which the cleaning process is completed in the second cleaning chamber 300 is moved to the drying chamber 400 by the substrate transfer unit 310. In the drying chamber 400, a dry gas is supplied to the substrate S from which the contaminants are removed from the first and second cleaning chambers 200 and 300 to dry the residual moisture on the substrate S.

이상의 설명은 본 발명의 기술 사상을 예시적으로 설명한 것에 불과한 것으로서, 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자라면 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 다양한 수정 및 변형이 가능할 것이다. 따라서, 본 발명에 개시된 실시 예들은 본 발명의 기술 사상을 한정하기 위한 것이 아니라 설명하기 위한 것이고, 이러한 실시 예에 의하여 본 발명의 기술 사상의 범위가 한정되는 것은 아니다. 본 발명의 보호 범위는 아래의 청구범위에 의하여 해석되어야 하며, 그와 동등한 범위 내에 있는 모든 기술 사상은 본 발명의 권리범위에 포함되는 것으로 해석되어야 할 것이다.The above description is merely illustrative of the technical idea of the present invention, and those skilled in the art to which the present invention pertains may make various modifications and changes without departing from the essential characteristics of the present invention. Therefore, the embodiments disclosed in the present invention are not intended to limit the technical idea of the present invention but to describe the present invention, and the scope of the technical idea of the present invention is not limited by these embodiments. The protection scope of the present invention should be interpreted by the following claims, and all technical ideas within the equivalent scope should be interpreted as being included in the scope of the present invention.

이상에서 설명한 바와 같이 본 발명에 의하면, 세정 공정에 사용되는 탈이온수의 소모량을 줄일 수 있다.As described above, according to the present invention, the consumption of deionized water used in the washing step can be reduced.

또한, 본 발명에 의하면, 탈이온수의 미세 입자들이 건조 챔버로 유입되는 것을 방지할 수 있다.In addition, according to the present invention, fine particles of deionized water can be prevented from entering the drying chamber.

Claims

In the apparatus for processing a substrate,

A chamber providing a process space through which a substrate processing process is performed and having partition walls for separating and partitioning the process space into a front end region and a rear end region;

A housing provided in the front end region and positioned above the substrate brought into the chamber, the housing being open at the bottom thereof;

A first nozzle provided in the housing and spraying a processing liquid onto the substrate loaded into the chamber; And

The outer side of the housing in the front end region, positioned between the partition wall and the housing, in a direction opposite to the traveling direction of the substrate such that the fine particles of the processing liquid injected from the first nozzle are separated from the substrate surface And a second nozzle for supplying deionized water onto the substrate.

The method of claim 1,

And the treatment liquid injected from the first nozzle to the substrate comprises deionized water mixed with a gas.

The method of claim 2,

The device,

And a circulation member configured to circulate the deionized water discharged after processing the substrate and to resupply the deionized water to the first nozzle and the second nozzle.

In the apparatus for processing a substrate,

Transfer shafts arranged side by side in the chamber and provided with a plurality of rollers in contact with the substrate;

A housing provided in the front end region, positioned above the transfer shafts, and having a lower opening;

A first nozzle provided in the housing and spraying deionized water in a sprayed state on the substrate moved by the transfer shafts; And

In the front end region is provided on the outside of the housing, located between the partition and the housing, in a direction opposite to the traveling direction of the substrate so that fine particles of deionized water sprayed from the first nozzle are separated from the substrate surface. And a second nozzle for supplying deionized water onto the substrate.

The method of claim 4, wherein

The device,

In the substrate processing method,

Introducing a substrate into a chamber in which a process space in which a substrate process is performed is divided into a front region and a rear region by partition walls;

Spraying a processing liquid onto the substrate from a first nozzle in a housing provided in the front end region;

Supplying deionized water to the substrate from a second nozzle positioned between the partition and the housing such that fine particles of the processing liquid flowing along the substrate surface are separated from the substrate surface; And

Discharging fine particles of the treatment liquid separated from the substrate surface to the outside,

The second nozzle is a substrate processing method, characterized in that for spraying the deionized water in a direction opposite to the traveling direction of the substrate.

The method of claim 6,

The method,

And treating the substrate to circulate the deionized water discharged and then supplying the deionized water back to the substrate.