KR102134439B1 - Substrate treating apparatus and substrate treating method - Google Patents

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    • H01L21/67051Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles

Abstract

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 기판 처리 장치는 하우징, 기판을 제 1 방향으로 반송시키는 반송 유닛 및 상기 기판 상으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 갖되, 상기 액 공급 유닛은, 상기 하우징 내에 상기 제 1 방향을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖고, 상기 기판 상으로 상기 액을 공급하는 제 1 노즐 및 상기 제 1 노즐의 후방에 위치되고 상기 제 1 노즐을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖고, 상기 기판 상으로 상기 액을 공급하는 제 2 노즐을 포함할 수 있다. The present invention provides a substrate processing apparatus. The substrate processing apparatus includes a housing, a conveying unit for conveying a substrate in a first direction, and a liquid supplying unit for supplying liquid onto the substrate, wherein the liquid supplying unit is inclined downward in the housing toward the first direction It has a discharge port provided, a first nozzle for supplying the liquid onto the substrate and a discharge port located at the rear of the first nozzle and provided in an inclined downward direction toward the first nozzle, the liquid on the substrate It may include a second nozzle for supplying.

Description

기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용한 기판 처리 방법 {SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}Substrate processing apparatus and substrate processing method using substrate processing apparatus {SUBSTRATE TREATING APPARATUS AND SUBSTRATE TREATING METHOD}

본 발명은 기판 처리 장치, 그리고 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법에 관한 것이다.The present invention relates to a substrate processing apparatus and a substrate processing method for processing a substrate using the substrate processing apparatus.

기판 표면에 잔류하는 파티클(Particle), 유기 오염물, 그리고 금속 오염물 등의 오염 물질은 반도체 소자의 특성과 생산 수율에 많은 영향을 미친다. 이 때문에 기판 표면에 부착된 각종 오염 물질을 제거하는 세정 공정이 반도체 제조 공정에서 매우 중요하며, 반도체를 제조하는 각 단위 공정의 전후 단계에서 기판을 세정 처리하는 공정이 실시되고 있다. 일반적으로 기판의 세정은 케미컬을 이용하여 기판 상에 잔류하는 금속 이물질, 유기 물질, 또는 파티클 등을 제거하는 케미컬 처리 공정, 순수를 이용하여 기판 상에 잔류하는 케미컬을 제거하는 세척 공정, 그리고 질소 가스 등을 이용하여 기판을 건조하는 건조 공정을 포함한다. Contaminants such as particles remaining on the substrate surface, organic contaminants, and metal contaminants have a great influence on the properties and production yield of semiconductor devices. For this reason, a cleaning process for removing various contaminants attached to the surface of the substrate is very important in the semiconductor manufacturing process, and a process of cleaning the substrate at a stage before and after each unit process for manufacturing the semiconductor is being performed. In general, the cleaning of the substrate is a chemical treatment process for removing metal foreign substances, organic substances, or particles remaining on the substrate using chemicals, a cleaning process for removing chemicals remaining on the substrate using pure water, and nitrogen gas And a drying process of drying the substrate by using the like.

일반적으로, 세척 공정에서 케미컬을 제거하기 위해 순수를 공급하면, 기판 상에 잔류하는 케미컬과 순수가 혼합되어 기판 상에 두껍게 쌓이게 된다. 따라서 기판이 계속적으로 식각되고, 순수를 공급하는 노즐의 타력이 효과적으로 전달되지 않는 문제점이 발생한다. In general, when pure water is supplied to remove chemicals in the cleaning process, chemicals and pure water remaining on the substrate are mixed and thickly accumulated on the substrate. Therefore, there is a problem that the substrate is etched continuously and the force of the nozzle that supplies pure water is not effectively transmitted.

본 발명은 기판의 세척 효율을 향상시킬 수 있는 기판 처리 장치 및 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다. An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus and method capable of improving the cleaning efficiency of a substrate.

본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.The problem to be solved by the present invention is not limited to the above-described problems, and the problems not mentioned can be clearly understood by a person having ordinary knowledge in the technical field to which the present invention pertains from this specification and the accompanying drawings. will be.

본 발명은 기판 처리 장치를 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판 처리 장치는 하우징, 기판을 제 1 방향으로 반송시키는 반송 유닛 및 상기 기판 상으로 액을 공급하는 액 공급 유닛을 갖되, 상기 액 공급 유닛은, 상기 하우징 내에 상기 제 1 방향을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖고, 상기 기판 상으로 상기 액을 공급하는 제 1 노즐 및 상기 제 1 노즐의 후방에 위치되고 상기 제 1 노즐을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖고, 상기 기판 상으로 상기 액을 공급하는 제 2 노즐을 포함할 수 있다.The present invention provides a substrate processing apparatus. A substrate processing apparatus according to an embodiment of the present invention includes a housing, a conveying unit for conveying a substrate in a first direction, and a liquid supplying unit for supplying liquid onto the substrate, wherein the liquid supplying unit includes the agent in the housing. A first nozzle for supplying the liquid onto the substrate and having a discharge port that is inclined downward in a direction toward one direction, and a discharge port which is located behind the first nozzle and is provided at an inclination downward in the direction toward the first nozzle And a second nozzle that supplies the liquid onto the substrate.

상기 액 공급 유닛은, 상기 하우징 내에 상기 제 2 노즐의 후방에 배치되고, 상기 기판 상으로 상기 액을 공급하는 제 3 노즐을 더 포함할 수 있다.The liquid supply unit may further include a third nozzle that is disposed behind the second nozzle in the housing and supplies the liquid onto the substrate.

상기 제 3 노즐은 그 길이 방향이 상기 제 1 방향으로 제공될 수 있다. The length of the third nozzle may be provided in the first direction.

상기 제 3 노즐은 복수 개 제공될 수 있다.A plurality of the third nozzles may be provided.

상기 제 1 노즐은 상기 하우징 내 유입구에 인접하게 배치될 수 있다.The first nozzle may be disposed adjacent to the inlet in the housing.

상기 하우징은, 상기 제 2 노즐과 상기 제 3 노즐 사이에 상기 하우징의 하면으로부터 수직하게 연장되며 상기 하우징 내에서 상기 반송 유닛보다 아래 영역을 제 1 영역과 제 2 영역으로 구획하는 격벽, 상기 제 1 영역과 연결된 제 1 배출관, 상기 제 2 영역과 연결된 제 2 배출관울 더 포함할 수 있다.The housing, vertically extending from a lower surface of the housing between the second nozzle and the third nozzle, partition walls partitioning a region below the transfer unit into the first region and the second region within the housing, the first A first discharge pipe connected to the region and a second discharge pipe connected to the second region may be further included.

상기 기판 처리 장치는, 상기 액을 저장하는 액 탱크, 상기 액 탱크와 상기 액 공급 유닛을 연결하는 공급라인을 더 포함하고, 상기 제 2 배출관은, 상기 제 2 영역과 상기 액 탱크를 연결하고, 상기 제 2 영역 내의 상기 액을 회수하여 재사용할 수 있다.The substrate processing apparatus further includes a liquid tank for storing the liquid, a supply line connecting the liquid tank and the liquid supply unit, and the second discharge pipe connects the second region and the liquid tank, The liquid in the second region can be recovered and reused.

또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 따른 기판을 처리하는 방법에 있어서, 하우징 내에 제 1 방향을 따라 기판이 반입되면, 상기 제 1 방향을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖는 제 1 노즐로 상기 기판 상에 액을 공급한 뒤에, 상기 제 1 노즐의 후방에 배치되고 상기 제 1 노즐을 향하는 방향으로 경사지게 제공되는 토출구를 갖는 제 2 노즐로 상기 기판 상에 상기 액을 공급할 수 있다.In addition, the present invention provides a method for processing a substrate. In a method of processing a substrate according to an embodiment of the present invention, when the substrate is carried along a first direction in a housing, the substrate is firstly provided with a first nozzle having an outlet that is inclined downward in a direction toward the first direction. After supplying the liquid to the liquid, the liquid can be supplied to the substrate with a second nozzle disposed at the rear of the first nozzle and having a discharge port inclined in a direction toward the first nozzle.

상기 제 2 노즐로 상기 기판 상에 상기 액을 공급한 뒤에, 그 길이 방향이 상기 제 1 방향을 따라 배열된 제 3 노즐로 상기 액을 공급할 수 있다.After supplying the liquid on the substrate with the second nozzle, the liquid may be supplied to a third nozzle whose length direction is arranged along the first direction.

상기 하우징 내의 상기 제 2 노즐과 상기 제 3 노즐 사이에서 상기 반송 유닛보다 아래 영역을 격벽으로 제 1 영역과 제 2 영역으로 구획하고, 상기 제 1 영역의 상기 액은 상기 하우징의 외부로 배출시키고, 상기 제 2 영역의 상기 액은 회수하여 재사용할 수 있다.Between the second nozzle and the third nozzle in the housing, a region lower than the transfer unit is partitioned into a first region and a second region by a partition wall, and the liquid in the first region is discharged out of the housing, The liquid in the second region can be recovered and reused.

본 발명의 일 실시예에 의하면, 세척 효율이 향상된 기판 처리 장치를 제공할 수 있다.According to an embodiment of the present invention, it is possible to provide a substrate processing apparatus with improved cleaning efficiency.

본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.The effects of the present invention are not limited to the above-described effects, and the effects not mentioned will be clearly understood by those skilled in the art from the present specification and the accompanying drawings.

도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치 단면도이다.
도 2는 도 1의 세척 챔버를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 반송 유닛을 상부에서 바라본 도면이다.
도 4는 도 2의 제 1 노즐과 제 2 노즐을 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 5는 도 2의 세척 챔버를 상부에서 바라본 도면이다.
도 6은 종래의 일반적인 세척 챔버에서 케미컬을 제거하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 7과 도 8은 도 2의 세척 챔버에서 케미컬을 제거하는 모습을 보여주는 도면이다.
도 9는 다른 실시예에 따른 세척 챔버를 보여주는 도면이다.
도 10은 또 다른 실시예에 따른 세척 챔버를 보여주는 도면이다.
1 is a cross-sectional view of a substrate processing apparatus according to an exemplary embodiment of the present invention.
FIG. 2 is a view showing the cleaning chamber of FIG. 1.
FIG. 3 is a view of the conveying unit of FIG. 2 viewed from the top.
4 is a view schematically showing the first nozzle and the second nozzle of FIG. 2.
FIG. 5 is a view of the cleaning chamber of FIG. 2 viewed from the top.
6 is a view showing a state in which the chemical is removed in a conventional cleaning chamber.
7 and 8 are views illustrating a state in which the chemical is removed from the washing chamber of FIG. 2.
9 is a view showing a cleaning chamber according to another embodiment.
10 is a view showing a cleaning chamber according to another embodiment.

본 명세서에 기재된 실시예는 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 본 발명의 사상을 명확히 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에 기재된 실시예에 의해 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 범위는 본 발명의 사상을 벗어나지 아니하는 수정예 또는 변형예를 포함하는 것으로 해석되어야 한다. 또한, 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면은 본 발명을 용이하게 설명하기 위한 것이므로, 본 발명이 본 명세서에서 사용되는 용어와 첨부된 도면에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 본 발명을 설명함에 있어서, 관련된 공지의 구성 또는 기능에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명은 생략한다.Since the embodiments described in this specification are intended to clearly explain the spirit of the present invention to those skilled in the art to which the present invention pertains, the present invention is not limited by the embodiments described in the present specification. The scope of the present invention should be interpreted as including modifications or variations that do not depart from the spirit of the present invention. In addition, the terms used in the present specification and the accompanying drawings are for easy description of the present invention, and the present invention is not limited by the terms used in the present specification and the accompanying drawings. In addition, in describing the present invention, when it is determined that detailed descriptions of related well-known configurations or functions may obscure the subject matter of the present invention, detailed descriptions thereof will be omitted.

본 실시예에서 기판(S)은 평판 표시 패널 제조에 사용되는 기판(S)을 예로 들어 설명한다. 그러나 이와 달리 기판(S)은 반도체 칩 제조에 사용되는 웨이퍼일 수 있다.In the present embodiment, the substrate S will be described by taking as an example the substrate S used for manufacturing the flat panel display panel. However, unlike this, the substrate S may be a wafer used for semiconductor chip manufacturing.

이하, 도면을 참조하여 본 발명에 따른 실시예를 상세히 설명한다.Hereinafter, embodiments according to the present invention will be described in detail with reference to the drawings.

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 도 1은 본 발명의 바람직한 일 실시예에 따른 기판 처리 장치(1000)를 보여주는 도면이다. 제 1 챔버(100)와 제 2 챔버(200)는 다양한 공정을 수행할 수 있으나, 이하에서는 에칭 공정으로 한정하여 설명한다. The present invention provides an apparatus for processing a substrate. 1 is a view showing a substrate processing apparatus 1000 according to an exemplary embodiment of the present invention. The first chamber 100 and the second chamber 200 may perform a variety of processes, but will be described below as an etching process.

도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 제 1 챔버(100), 제 2 챔버(200), 그리고 세척 챔버(300)를 가진다. 여기서, 제 1 챔버(100), 제 2 챔버(200), 그리고 세척 챔버(300)가 배열된 방향을 제1방향(X)으로 칭한다. 또한, 상부에서 바라볼 때 제1방향(X)에 수직인 방향을 제2방향(Y)으로 칭하고, 제1방향(X)과 제2방향(Y)에 수직인 방향을 제3방향(Z)으로 칭하기로 한다. 각각의 챔버(100, 200, 300) 내에는 유입구(12)와 유출구(14)가 제공된다. 유입구(12)는 하우징(110, 210, 310)의 일측면에 형성된다. 기판(S)은 유입구(12)를 통해 하우징(110, 210, 310) 내로 유입된다. 이와 마주보는 타측면에는 유출구(14)가 제공된다. 기판(S)은 유출구(14)를 통해 하우징(110, 210, 310)으로부터 유출된다.Referring to FIG. 1, the substrate processing apparatus 1000 has a first chamber 100, a second chamber 200, and a cleaning chamber 300. Here, the direction in which the first chamber 100, the second chamber 200, and the washing chamber 300 are arranged is referred to as a first direction (X). In addition, the direction perpendicular to the first direction (X) when viewed from the top is referred to as the second direction (Y), and the direction perpendicular to the first direction (X) and the second direction (Y) is the third direction (Z) ). Inlets 12 and outlets 14 are provided in each chamber 100, 200, and 300. Inlet 12 is formed on one side of the housing (110, 210, 310). The substrate S is introduced into the housings 110, 210 and 310 through the inlet 12. An outlet 14 is provided on the other side facing this side. The substrate S is discharged from the housings 110, 210, 310 through the outlet 14.

제 1 챔버(100)는 제 1 에칭 공정을 수행한다. 제 1 챔버(100)는 제 1 하우징(110), 제 1 노즐 유닛(120), 그리고 제 1 반송 유닛(150)을 가진다. 제 1 하우징(110)은 제 1 에칭 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 제 1 노즐 유닛(120)은 기판(S) 상에 제 1 처리액을 공급한다. 제 1 노즐 유닛(120)은 각각 그 길이 방향이 제1방향(X)으로 제공된다. 제 1 노즐 유닛(120)은 샤프트들의 상부에 배치된다. 제 1 노즐 유닛(120)은 복수 개의 제 1 노즐(120a, 120b, 120c)로 제공될 수 있다. 일 예로, 제 1 처리액은 케미컬일 수 있다. 제 1 반송 유닛(150)은 후술할 제 3 반송 유닛(350)과 대체로 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 가진다. The first chamber 100 performs a first etching process. The first chamber 100 has a first housing 110, a first nozzle unit 120, and a first transport unit 150. The first housing 110 provides a space for performing the first etching process. The first nozzle unit 120 supplies the first processing liquid on the substrate S. Each of the first nozzle units 120 is provided in a longitudinal direction (X). The first nozzle unit 120 is disposed on top of the shafts. The first nozzle unit 120 may be provided as a plurality of first nozzles 120a, 120b, and 120c. As an example, the first treatment liquid may be chemical. The first transport unit 150 has substantially the same or similar structure and function to the third transport unit 350 to be described later.

제 2 챔버(200)는 제 1 챔버(100)에 인접한 후방에 배치된다. 제 2 챔버(200)는 제 2 에칭 공정을 수행한다. 제 2 챔버(200)는 제 2 하우징(210), 제 2 반송 유닛(250), 그리고 제 2 노즐 유닛(220)을 가진다. 제 2 하우징(210)은 제 2 에칭 공정을 수행하는 공간을 제공한다. 제 2 노즐 유닛(220)은 상술한 제 1 노즐 유닛(120)과 대체로 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 가진다. 이와 달리, 선택적으로 제 2 노즐 유닛(220)과 제 1 노즐 유닛(120)은 일직선상에서 서로 어긋나게 배치될 수 있다. 제 2 반송 유닛(250)은 후술할 제 3 반송 유닛(350)과 대체로 동일 또는 유사한 구조 및 기능을 가진다. The second chamber 200 is disposed behind the first chamber 100. The second chamber 200 performs a second etching process. The second chamber 200 has a second housing 210, a second transfer unit 250, and a second nozzle unit 220. The second housing 210 provides a space for performing the second etching process. The second nozzle unit 220 has substantially the same or similar structure and function to the first nozzle unit 120 described above. Alternatively, the second nozzle unit 220 and the first nozzle unit 120 may alternatively be arranged to be offset from each other in a straight line. The second transport unit 250 has substantially the same or similar structure and function to the third transport unit 350 to be described later.

도 2는 도 1의 세척 챔버(300)의 내부를 바라본 평면도이다. 도 3은 도 2의 반송 유닛(350)을 보여주는 도면이다. 도 4는 제 1 노즐(320)와 제 2 노즐(330)를 보여주는 도면이다. 도 5는 도 2의 세척 챔버(300)를 상부에서 바라본 도면이다. 세척 챔버(300)는 제 2 챔버(200)에 인접한 후방에 배치된다. 세척 챔버(300)에서는 기판(S) 상에 잔류하는 케미컬을 세척한다. 2 is a plan view of the inside of the washing chamber 300 of FIG. 1. 3 is a view showing the conveying unit 350 of FIG. 2. 4 is a view showing the first nozzle 320 and the second nozzle 330. 5 is a view of the washing chamber 300 of FIG. 2 as viewed from the top. The cleaning chamber 300 is disposed behind the second chamber 200. In the cleaning chamber 300, chemicals remaining on the substrate S are washed.

세척 챔버(300)는 액 탱크(305), 하우징(310), 제 1 노즐(320), 제 1 공급라인(325), 제 2 노즐(330), 제 2 공급라인(335), 제 3 노즐(340), 제 3 공급라인(345), 그리고 제 3 반송 유닛(350)을 갖는다. The washing chamber 300 includes a liquid tank 305, a housing 310, a first nozzle 320, a first supply line 325, a second nozzle 330, a second supply line 335, and a third nozzle 340, a third supply line 345, and a third transfer unit 350.

제 3 반송 유닛(350)은 기판(S)을 제 1 방향(X)으로 반송한다. 제 3 반송 유닛(350)은 공정 챔버들(100, 200, 300) 간에, 그리고 공정 챔버(100, 200, 300) 내에서 기판(S)을 제1방향(X)으로 이동시킨다. 도 3을 참조하면, 제 3 반송 유닛(350)은 복수의 샤프트들(360), 반송 롤러들(370), 그리고 구동부(380)를 가진다. The third transport unit 350 transports the substrate S in the first direction X. The third transport unit 350 moves the substrate S in the first direction X between the process chambers 100, 200, 300 and within the process chambers 100, 200, 300. Referring to FIG. 3, the third transport unit 350 has a plurality of shafts 360, transport rollers 370, and a driving unit 380.

샤프트들(360)은 제1방향(X)을 따라 배열된다. 각각의 샤프트(360)는 그 길이 방향이 제2방향(Y)으로 제공된다. 샤프트들(360)은 서로 나란하게 배치된다. 샤프트들(360)은 유입구(12)와 인접한 위치에서부터 유출구(14)와 인접한 위치까지 제공된다. 각각의 샤프트(360)에는 그 길이방향을 따라 복수의 반송 롤러들(370)이 고정 결합된다. 샤프트들(360)은 그 중심축을 기준으로 구동부(380)에 의해 회전된다.The shafts 360 are arranged along the first direction X. Each shaft 360 is provided in its longitudinal direction in the second direction (Y). The shafts 360 are arranged side by side with each other. The shafts 360 are provided from a position adjacent to the inlet 12 to a position adjacent to the outlet 14. A plurality of conveying rollers 370 are fixedly coupled to each shaft 360 along its longitudinal direction. The shafts 360 are rotated by the driving unit 380 about the central axis.

반송 롤러(370)는 각각의 샤프트(360)에 복수 개로 제공된다. 반송 롤러(370)는 기판(S)의 저면을 지지한다. 반송 롤러(370)는 그 중심축에 홀이 형성되고, 샤프트(360)는 홀에 끼워진다. 반송 롤러(370)는 샤프트(360)와 함께 회전된다.A plurality of conveying rollers 370 are provided on each shaft 360. The transport roller 370 supports the bottom surface of the substrate S. The conveying roller 370 has a hole formed in its central axis, and the shaft 360 is fitted into the hole. The conveying roller 370 is rotated together with the shaft 360.

구동부(380)는 풀리들(382), 벨트들(384), 그리고 모터(386)를 가진다. 풀리들(382)은 각각의 샤프트(360)의 양단에 각각 결합된다. 서로 다른 샤프트들(360)에 결합되며 서로 인접하게 배치된 풀리들(382)은 벨트(384)에 의해 서로 연결된다. 풀리들(382) 중 어느 하나에는 이를 회전시키는 모터(386)가 결합된다. 상술한, 풀리(382), 벨트(384), 그리고 모터(386)의 조립체에 의해 샤프트들(360)과 반송 롤러들(370)이 회전되고, 기판(S)은 그 하면이 반송 롤러(370)에 접촉된 상태로 샤프트들(360)을 따라 직선 이동된다. 각각의 샤프트(360)는 수평으로 배치되어 기판(S)은 수평 상태로 이송될 수 있다. 선택적으로 각각의 샤프트(360)의 일단과 타단이 상이한 높이로 제공되어, 기판(S)은 경사진 상태로 이송될 수 있다.The drive unit 380 has pulleys 382, belts 384, and a motor 386. Pulleys 382 are respectively coupled to both ends of each shaft 360. Pulleys 382 coupled to different shafts 360 and disposed adjacent to each other are connected to each other by a belt 384. One of the pulleys 382 is coupled with a motor 386 that rotates it. The shafts 360 and the conveying rollers 370 are rotated by the assembly of the pulley 382, the belt 384, and the motor 386 described above, and the lower surface of the substrate S is the conveying roller 370 ), it is linearly moved along the shafts 360. Each shaft 360 is disposed horizontally so that the substrate S can be transferred in a horizontal state. Optionally, one end and the other end of each shaft 360 are provided at different heights, so that the substrate S can be transferred in an inclined state.

액 탱크(305)는 액을 저장한다. 하우징(310)은 격벽(312), 제 1 배출관(314), 그리고 제 2 배출관(316)을 갖는다. 격벽(312)은 제 2 노즐(330)와 제 3 노즐(340) 사이에서 하우징(310)의 하면으로부터 수직하게 연장된다. 격벽(312)은 하우징(310) 내의 반송 유닛(350)보다 아래 영역을 제 1 영역(D1)과 제 2 영역(D2)으로 구획한다. 제 1 영역(D1)은 제 1 노즐(320) 및 제 2 노즐(330)와 대응되는 영역이다. 제 1 영역(D1)에서는 공정 처리에 사용된 액을 하우징(310) 외부로 배출한다. 제 2 영역(D2)은 제 3 노즐(340)과 대응되는 영역이다. 제 2 영역(D2)은 공정 처리에 사용된 액을 회수하여 재사용한다. 제 1 배출관(314)은 제 1 영역(D1)과 연결된다. 제 1 배출관(314)은 제 1 영역(D1) 내의 액을 하우징(310)의 외부로 배출시킨다. 제 2 배출관(316)은 제 2 영역(D2)과 연결된다. 다시, 도 2를 참조하면, 제 2 배출관(316)은 제 2 영역(D2)과 액 탱크(305)를 연결할 수 있다. 제 2 배출관(316)을 통해, 제 2 영역(D2) 내의 액을 회수하여 재사용할 수 있다. The liquid tank 305 stores liquid. The housing 310 has a partition 312, a first discharge pipe 314, and a second discharge pipe 316. The partition 312 extends vertically from the lower surface of the housing 310 between the second nozzle 330 and the third nozzle 340. The partition 312 divides the area below the transport unit 350 in the housing 310 into a first area D1 and a second area D2. The first area D1 is an area corresponding to the first nozzle 320 and the second nozzle 330. In the first region D1, the liquid used for the process treatment is discharged outside the housing 310. The second area D2 is an area corresponding to the third nozzle 340. The second region D2 recovers and reuses the liquid used in the process treatment. The first discharge pipe 314 is connected to the first region D1. The first discharge pipe 314 discharges the liquid in the first region D1 to the outside of the housing 310. The second discharge pipe 316 is connected to the second region D2. Referring again to FIG. 2, the second discharge pipe 316 may connect the second region D2 and the liquid tank 305. The liquid in the second region D2 may be recovered and reused through the second discharge pipe 316.

제 1 노즐(320)는 기판(S) 상으로 세척액을 분사한다. 일 예로, 세척액은 순수일 수 있다. 제 1 노즐(320)는 세척 챔버(300) 내에서 유입구(12)에 인접하게 배치될 수 있다. 도 5와 같이, 제 1 노즐(320)는 그 길이 방향이 제 2 방향(Y)을 따라 제공될 수 있다. 제 1 노즐(320)는 제 2 하우징(200)으로부터 멀어지는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖는다. 제 1 노즐(320)는 기판(S) 상에 순수를 공급하여, 기판(S) 상에 잔존하는 케미컬을 제 1 방향(X)으로 밀어낸다. 제 1 공급라인(325)는 액 탱크(305)와 제 1 노즐(320)을 연결한다.The first nozzle 320 sprays the cleaning liquid onto the substrate S. For example, the washing liquid may be pure water. The first nozzle 320 may be disposed adjacent to the inlet 12 in the cleaning chamber 300. As shown in FIG. 5, the first nozzle 320 may be provided in the longitudinal direction along the second direction (Y). The first nozzle 320 has a discharge port that is provided downwardly inclined in a direction away from the second housing 200. The first nozzle 320 supplies pure water on the substrate S to push the chemicals remaining on the substrate S in the first direction X. The first supply line 325 connects the liquid tank 305 and the first nozzle 320.

제 2 노즐(330)는 제 1 노즐(320)보다 하류에 배치된다. 제 2 노즐(330)는 제 1 노즐(320)의 후방에 제 1 노즐(320)와 인접하게 배치될 수 있다. 제 2 노즐(330)는 그 길이 방향이 제 2 방향(Y)을 따라 제공될 수 있다. 제 2 노즐(330)는 기판(S) 상으로 세척액을 분사한다. 일 예로, 세척액은 순수일 수 있다. 제 2 노즐(330)는 유입구(12)를 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖는다. 제 2 공급라인(335)는 액 탱크(305)와 제 2 노즐(330)을 연결한다.The second nozzle 330 is disposed downstream of the first nozzle 320. The second nozzle 330 may be disposed adjacent to the first nozzle 320 behind the first nozzle 320. The second nozzle 330 may be provided in the longitudinal direction along the second direction (Y). The second nozzle 330 sprays the cleaning liquid onto the substrate S. For example, the washing liquid may be pure water. The second nozzle 330 has an outlet that is provided to be inclined downward in the direction toward the inlet 12. The second supply line 335 connects the liquid tank 305 and the second nozzle 330.

제 3 노즐(340)은 제 3 하우징(300) 내 배치된다. 제 3 노즐(340)은 제 1 노즐(320)와 제 2 노즐(330)보다 하류에 배치된다. 제 3 노즐(340)은 기판(S) 상부로 세척액을 공급한다. 일 예로, 세척액은 순수일 수 있다. 제 3 노즐(340)은 그 길이 방향이 제 1 방향(X)을 따라 제공된다. 도 5를 참조하면, 제 3 노즐(340)은 복수 개 제공될 수 있다. 복수 개의 제 3 노즐(340)은 상부에서 바라볼 때 제 2 방향(Y)을 따라 배치된다. 복수 개의 제 3 노즐(340)은 서로 이격되게 배치될 수 있다. 제 3 공급라인(435)는 액 탱크(405)와 제 3 노즐(440)을 연결한다. 다시 도 2를 참조하면, 제 3 노즐(340)은 제 2 챔버(200)를 향해 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖는다. 기판(S) 상에 순수를 경사지게 공급함으로써, 기판(S) 상에서 순수를 밀어낼 수 있다. 따라서, 기판(S) 상에 순수가 잔류하는 것을 방지한다. 따라서, 기판(S) 상에 제 3 노즐(340)의 타력이 직접 전달될 수 있다. 따라서, 세척 과정이 효과적으로 진행될 수 있다. The third nozzle 340 is disposed in the third housing 300. The third nozzle 340 is disposed downstream of the first nozzle 320 and the second nozzle 330. The third nozzle 340 supplies the cleaning liquid to the substrate S. For example, the washing liquid may be pure water. The third nozzle 340 is provided in the longitudinal direction along the first direction (X). Referring to FIG. 5, a plurality of third nozzles 340 may be provided. The plurality of third nozzles 340 are disposed along the second direction Y when viewed from the top. The plurality of third nozzles 340 may be spaced apart from each other. The third supply line 435 connects the liquid tank 405 and the third nozzle 440. Referring to FIG. 2 again, the third nozzle 340 has a discharge port provided at an inclined downward direction toward the second chamber 200. By purely supplying pure water on the substrate S, pure water can be pushed out on the substrate S. Therefore, it is prevented that pure water remains on the substrate S. Accordingly, the force of the third nozzle 340 can be directly transferred to the substrate S. Therefore, the washing process can be effectively performed.

도 6은 종래의 일반적인 기판 처리 장치에서 케미컬을 제거하는 과정을 보여주는 도면이다. 도 7과 도 9는 도 2의 세척 챔버(300)에서 제 1 노즐(320), 제 2 노즐(330), 그리고 제 3 노즐(340)로 케미컬을 제거하는 과정을 보여주는 도면이다. 도 6과 같이 제 1 노즐(320)와 제 3 노즐(340)만이 제공되는 경우, 제 1 노즐(320)로 인해 기판(S) 상의 케미컬이 제 1 방향(X)으로 밀려나게 된다. 따라서, 제 3 노즐(340)이 기판(S) 상에 세척액을 공급할 때, 두껍게 형성된 케미컬 층으로 인해 기판(S) 상에 전달되는 제 3 노즐(340)의 타력이 줄어들게 된다. 또한, 기판(S) 상에 잔류하는 케미컬과 기판(S) 상에 공급된 세척액이 혼합되어 잔류하여, 기판(S)의 식각이 진행된다. 이와 달리, 도 7을 참조하면, 제 1 노즐(320)에 의해 밀려난 케미컬은 제 2 노즐(330)에 의해, 제 1 방향(X)을 따라 흐를 수 없게 된다. 따라서, 기판 (S) 상의 케미컬 층은 얇아지게 되어, 제 3 노즐(340)은 기판(S) 상에 타력을 효과적으로 전달할 수 있다. . 또한, 기판(S) 상에 세척액과 혼합된 잔류 케미컬 양이 줄어들게 되어, 기판(S)이 식각되는 양을 줄일 수 있다. 도 8과 같이, 기판(S)은 제 1 방향(X)을 따라 계속적으로 반송되고, 케미컬은 기판(S) 상에서부터 분리되어 제거된다.6 is a view showing a process of removing chemicals in a conventional general substrate processing apparatus. 7 and 9 are views illustrating a process of removing chemicals from the cleaning chamber 300 of FIG. 2 to the first nozzle 320, the second nozzle 330, and the third nozzle 340. When only the first nozzle 320 and the third nozzle 340 are provided as shown in FIG. 6, the chemical on the substrate S is pushed out in the first direction X due to the first nozzle 320. Therefore, when the third nozzle 340 supplies the washing liquid on the substrate S, the force of the third nozzle 340 transferred on the substrate S is reduced due to the thickly formed chemical layer. In addition, the chemical remaining on the substrate S and the washing liquid supplied on the substrate S are mixed and remain, so that the etching of the substrate S proceeds. In contrast, referring to FIG. 7, the chemical pushed by the first nozzle 320 cannot flow along the first direction X by the second nozzle 330. Therefore, the chemical layer on the substrate S is thinned, so that the third nozzle 340 can effectively transmit the force on the substrate S. . In addition, since the amount of residual chemical mixed with the washing liquid on the substrate S is reduced, the amount of the substrate S etched can be reduced. 8, the substrate S is continuously transported along the first direction X, and the chemical is separated and removed from the substrate S.

이와 달리, 선택적으로, 도 9와 같이, 제 1 노즐(420), 제 2 노즐(430), 그리고 제 3 노즐(440)은 인접한 복수 개의 챔버(400, 500) 내에 나누어 제공될 수 있다. 또한, 도 10과 같이, 세척 챔버(600) 내에는 제 1 노즐(420)과 제 2 노즐(430)만이 제공될 수 있다. Alternatively, alternatively, as illustrated in FIG. 9, the first nozzle 420, the second nozzle 430, and the third nozzle 440 may be provided in a plurality of adjacent chambers 400 and 500. In addition, as shown in FIG. 10, only the first nozzle 420 and the second nozzle 430 may be provided in the cleaning chamber 600.

상술한 예들에서는 기판(S)에 대한 에칭 공정 후 세척 공정이 이루어지도록 설명하였다. 그러나 이와 달리 공정의 시기와 공정 챔버의 수는 상이할 수 있다. 또한, 상술한 예들에서는 노즐 유닛이 계속적으로 이루어지는 장치 내에 제공되는 것으로 설명하였다. 그러나 이와 달리 기판(S)에 대해 스팀 부재 또는 브러쉬 부재 등이 더 제공될 수 있다. 이상에서 설명한 본 발명은, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에 있어 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 수정, 치환 및 변형이 가능하므로 상술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니다. 또한, 본 명세서에서 설명된 실시예들은 한정되게 적용될 수 있는 것이 아니라, 다양한 변형이 이루어질 수 있도록 각 실시예들의 전부 또는 일부가 선택적으로 조합되어 구성될 수도 있다.In the above examples, it has been described that a cleaning process is performed after the etching process for the substrate S. However, the timing of the process and the number of process chambers may differ. In addition, in the above-described examples, it has been described that the nozzle unit is provided in a continuously made apparatus. However, unlike this, a steam member or a brush member may be further provided to the substrate S. The present invention described above, as the person skilled in the art to which the present invention pertains, various modifications, substitutions, and modifications are possible without departing from the technical spirit of the present invention. It is not limited by the drawings. In addition, the embodiments described herein are not limitedly applicable, and all or part of each embodiment may be selectively combined to be configured so that various modifications can be made.

100 : 제 1 챔버 200 : 제 2 챔버
300 : 세척 챔버 310 : 하우징
312 : 격벽 314 : 제 1 배출관
316 : 제 2 배출관 320 : 제 1 노즐
330 : 제 2 노즐 340 : 제 3 노즐
12 : 유입구 14 : 유출구
100: first chamber 200: second chamber
300: cleaning chamber 310: housing
312: bulkhead 314: first discharge pipe
316: second discharge pipe 320: first nozzle
330: second nozzle 340: third nozzle
12: inlet 14: outlet

Claims (10)

기판 처리 장치에 있어서,
하우징;
기판을 제 1 방향으로 반송시키는 반송 유닛; 및
상기 기판 상으로 액을 공급하는 액 공급 유닛;을 갖되,
상기 액 공급 유닛은,
상기 하우징 내에 상기 제 1 방향을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖고, 상기 기판 상으로 상기 액을 공급하는 제 1 노즐;
상기 제 1 노즐의 후방에 위치되고 상기 제 1 노즐을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖고, 상기 기판 상으로 상기 액을 공급하는 제 2 노즐; 그리고,
상기 하우징 내에 상기 제 2 노즐의 후방에 배치되고, 상기 기판 상으로 상기 액을 공급하는 제 3 노즐;을 포함하고,
상기 제 3 노즐은,
상기 제 1 노즐을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖는 기판 처리 장치.
In the substrate processing apparatus,
housing;
A conveying unit for conveying the substrate in a first direction; And
Having a liquid supply unit for supplying a liquid onto the substrate;
The liquid supply unit,
A first nozzle having an outlet provided in an inclined downward direction in the direction toward the first direction in the housing, and supplying the liquid onto the substrate;
A second nozzle positioned at the rear side of the first nozzle and having an outlet provided inclined downward in a direction toward the first nozzle to supply the liquid onto the substrate; And,
Included in the housing is disposed behind the second nozzle, the third nozzle for supplying the liquid onto the substrate; includes,
The third nozzle,
A substrate processing apparatus having a discharge port provided obliquely downward in a direction toward the first nozzle.
삭제delete 제 1 항에 있어서,
상기 제 3 노즐은, 그 길이 방향이 상기 제 1 방향으로 제공된, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The third nozzle, the substrate processing apparatus, the longitudinal direction is provided in the first direction.
제 1 항에 있어서,
상기 제 3 노즐은, 복수 개 제공된, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The third nozzle is provided with a plurality of substrate processing apparatus.
제 1 항에 있어서,
상기 제 1 노즐은,
상기 하우징 내 유입구에 인접하게 배치된, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The first nozzle,
And disposed adjacent to the inlet in the housing.
제 1 항에 있어서,
상기 하우징은,
상기 제 2 노즐과 상기 제 3 노즐 사이에 상기 하우징의 하면으로부터 수직하게 연장되며 상기 하우징 내에서 상기 반송 유닛보다 아래 영역을 제 1 영역과 제 2 영역으로 구획하는 격벽과;
상기 제 1 영역과 연결된 제 1 배출관과;
상기 제 2 영역과 연결된 제 2 배출관을 더 포함하는, 기판 처리 장치.
According to claim 1,
The housing,
A partition wall extending vertically from a lower surface of the housing between the second nozzle and the third nozzle and dividing an area below the transfer unit into the first area and the second area within the housing;
A first discharge pipe connected to the first region;
And a second discharge pipe connected to the second region.
제 6 항에 있어서,
상기 기판 처리 장치는,
상기 액을 저장하는 액 탱크와;
상기 액 탱크와 상기 액 공급 유닛을 연결하는 공급라인을 더 포함하고,
상기 제 2 배출관은,
상기 제 2 영역과 상기 액 탱크를 연결하고, 상기 제 2 영역 내의 상기 액을 회수하여 재사용하는, 기판 처리 장치.
The method of claim 6,
The substrate processing apparatus,
A liquid tank for storing the liquid;
Further comprising a supply line connecting the liquid tank and the liquid supply unit,
The second discharge pipe,
A substrate processing apparatus that connects the second region and the liquid tank and recovers and reuses the liquid in the second region.
기판을 처리하는 방법에 있어서,
하우징 내에 제 1 방향을 따라 기판이 반입되면, 상기 제 1 방향을 향하는 방향으로 하향 경사지게 제공되는 토출구를 갖는 제 1 노즐로 상기 기판 상에 액을 공급한 뒤에, 상기 제 1 노즐의 후방에 배치되고 상기 제 1 노즐을 향하는 방향으로 경사지게 제공되는 토출구를 갖는 제 2 노즐로 상기 기판 상에 상기 액을 공급한 이후에,
상기 제 1 노즐을 향하는 방향으로 경사지게 제공되는 토출구를 갖는 제 3 노즐로 상기 액을 공급하여 상기 기판 상의 케미컬을 상기 기판의 밖으로 제거하는, 기판 처리 방법.
In the method of processing the substrate,
When the substrate is carried along the first direction in the housing, after supplying the liquid onto the substrate with a first nozzle having a discharge port provided in an inclined downward direction in the direction toward the first direction, it is disposed behind the first nozzle After supplying the liquid onto the substrate with a second nozzle having a discharge port provided obliquely in a direction toward the first nozzle,
A method of processing a substrate, wherein the liquid on the substrate is removed out of the substrate by supplying the liquid to a third nozzle having an ejection opening provided obliquely in a direction toward the first nozzle.
삭제delete 제 8 항에 있어서,
상기 하우징 내의 상기 제 2 노즐과 상기 제 3 노즐 사이에서 반송 유닛보다 아래 영역을 격벽으로 제 1 영역과 제 2 영역으로 구획하고, 상기 제 1 영역의 상기 액은 상기 하우징의 외부로 배출시키고, 상기 제 2 영역의 상기 액은 회수하여 재사용하는, 기판 처리 방법.
The method of claim 8,
Between the second nozzle and the third nozzle in the housing, an area below the transport unit is partitioned into partitions into first and second areas, and the liquid in the first area is discharged out of the housing, and the A method of processing a substrate, wherein the liquid in the second region is recovered and reused.
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