KR20040076222A - 탄성 표면파 필터, 통신기 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 배선 패턴간의 기생용량을 작게 할 수 있고, 통과대역외의 신호 억압도를 크게 할 수 있는 탄성 표면파 필터, 통신기를 제공한다.
압전기판(100)상에, 압전기판(100)보다 유전율이 작은 수지 패턴(2), 및 각 도체 패턴(31∼46, 51∼63)을 각각 형성한다. 각 도체 패턴(31∼46)에 의해 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(11, 12) 및 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13, 14)를 각각 형성한다. 서로 다른 전위를 가지는 각 도체 패턴(58, 59)인 각 배선 패턴, 및 각 도체 패턴(60, 61)인 각 배선 패턴끼리가 평면방향에서 보았을 때 대향하는 부분을 수지 패턴(2) 상에 형성한다.

Description

탄성 표면파 필터, 통신기{Surface acoustic wave filter and communication apparatus}
본 발명은 휴대전화 등의 통신기의 밴드패스필터에 적합한, 전송특성이 개선된 탄성 표면파 필터, 및 그것을 이용한 통신기에 관한 것이다.
종래, 휴대전화 등의 소형의 통신기에서는, 수십 ㎒∼수 ㎓의 범위내를 통과대역주파수로 하는 밴드패스필터가 많이 이용되어 있다. 상기 밴드패스필터의 일예로서는 소형화가 가능한 탄성 표면파 필터를 들 수 있다.
도 25에 나타낸 바와 같이, 탄성 표면파 필터(500)는 압전기판(100)의 표면파 전파방향을 따라, 반사기(리플렉터)(510), 빗형전극부(501), 빗형전극부(502),빗형전극부(503), 반사기(511)를 배열하여, 필터 소자(504)를 형성하고 있다. 여기서 각 빗형전극부(501∼503)는 서로 사이에 삽입된 각 빗형전극을 가지는 전기신호-표면파 결합 변환기(Inter Digital Transducer, 이하 IDT라고 함)이다.
또한, 압전기판(100) 상에는, 입력 패드(520), 출력 패드(521), 각 접지 패드(522, 523, 524)가 각각 형성되어 있고, 또한, 각 IDT(501∼503)와 각 패드(520∼524)를 전기적으로 각각 도통시키기 위한 각 배선 패턴(525∼530)이 각각 형성되어 있다.
여기에서, 각 IDT(501∼503), 각 반사기(510, 511), 각 패드(520∼524), 각 배선 패턴(525∼530)은 모두, 압전기판(100) 상에 형성된 도체박막의 패턴이다.
탄성 표면파 필터(500)의 입력 패드(520)에 전기신호가 인가되면, IDT(501)와 IDT(503)에 의해 표면파가 여기되고(excited), 반사기(510)와 반사기(511) 사이에 끼워진 IDT(501), IDT(502), IDT(503)를 포함하는 영역에 표면파의 정재파가 발생하고, 이 정재파의 에너지를 IDT(502)가 전기신호로 변환하여, 출력 패드(521)에 출력전위가 발생한다. 각 IDT(501∼503)가 전기신호와 표면파를 변환할 때의 변환특성이 주파수 특성을 가지기 때문에, 탄성 표면파 필터(500)는 밴드패스 특성을 나타낸다.
도 25에 나타낸 탄성 표면파 필터(500)는 각 반사기(510, 511) 사이에 끼워진 음향 트럭 안에, 입력용의 각 IDT(501, 503)와 출력용의 IDT(502)를 음향적으로 종속 배열하는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터이다. 그러나, 탄성 표면파 필터로서는 종결합 공진자형 이외에도, 횡결합 공진자형, 트랜스버셜형(transversal),래더형, 래티스형(lattice) 등의 종류를 들 수 있다.
모든 종류의 탄성 표면파 필터는 IDT와 배선 패턴을, 압전기판 상에 도체박막 패턴으로서 형성하여 구성되어 있고, IDT의 전기신호-표면파 변환이 주파수 특성을 가지는 것을 이용해서 밴드패스 특성을 얻고 있다.
또한, 탄성 표면파 필터의 소형화 때문에, 각 배선 패턴의 적어도 일부를 서로 입체 교차시키도록, SiO2등의 절연체를 사이에 끼우는 것이 개시되어 있다(각 특허문헌 1∼5를 참조).
[특허문헌 1] 일본국 특허 공개공보 평5-167387호(공개일: 1993년 7월 2일)
[특허문헌 2] 일본국 특허 공개공보 평5-235684호(공개일: 1993년 9월 10일)
[특허문헌 3] 일본국 특허 공개공보 평7-30362호(공개일: 1995년 1월 31일)
[특허문헌 4] 일본국 특허 공개공보 2000-49567호(공개일: 2000년 2월 18일)
[특허문헌 5] 일본국 특허 공개공보 2000-138553호(공개일: 2000년5월 16일)
상기 종래의 탄성 표면파 필터 특성을 악화시키는 요인으로서, 압전기판 상에 형성된 각 배선 패턴간에 형성되는 기생용량을 들 수 있다. 입력신호의 인가되는 배선 패턴과 출력신호의 발생하는 배선 패턴과의 사이에 형성되는 기생용량은, 입력신호단자에서부터 출력신호단자로의 전류 바이패스 경로가 되기 때문에, 통과대역외 주파수의 신호에 대한 억압도를 악화시킨다.
특히, 다수의 IDT를 사용한 탄성 표면파 필터에 있어서는, IDT끼리를 결선하는 배선 패턴이 많아지는 동시에, 피복도가 증대화하고, 기생용량이 발생하기 쉬워, 대형화를 초래하고 있다.
또한, 입력과 출력의 어느 한쪽이 불평형 신호이고, 다른 한쪽이 평형 신호인 평형-불평형 변환기능을 가지는 탄성 표면파 필터에 있어서는, 불평형 신호가 인가되는 배선 패턴과 평형 신호가 인가되는 배선 패턴과의 사이의 기생용량은, 본래, 서로 역위상 동진폭이 되어야만 하는 2개의 각 평형 신호에 대하여, 동상 동진폭의 불평형 신호가 유입하는 전류 유입 경로가 되기 때문에, 각 평형 신호에 포함되는 커먼 모드(common-mode) 신호를 증가시켜, 평형도를 악화시키는 원인이 된다.
이상 서술한 바와 같이, 각 배선 패턴의 사이, 특히 서로 다른 전위를 가지는 각 배선 패턴의 사이에 형성되는 기생용량은, 탄성 표면파 필터의 특성에 대하여 악영향을 초래한다. 특히 비유전율이 20을 초과하는 LiTaO3, 혹은 LiNbO3, 혹은 Li2B4O7라는 압전기판을 이용한 경우, 기생용량이 특히 커지기 때문에, 악영향이 현저하다. 또한, 주파수가 높아질수록 기생용량을 개재하여 흐르는 전류가 커지기 때문에, 높은 주파수를 통과대역으로 하는 탄성 표면파 필터 만큼, 악영향이 크다.
본 발명의 목적은 각 배선 패턴간에 형성되는 기생용량이 작은 탄성 표면파 필터를 제공하고, 또한, 통과대역외의 신호 억압도의 큰 탄성 표면파 필터를 제공하는 것이다. 또한, 평형 신호의 평형도가 양호한 불평형-평형 변환기능을 가지는 탄성 표면파 필터를 제공하는 것이다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시형태에 따른 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
도 2는 상기 도 1의 X-X'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 3은 상기 제 1 실시형태의 전송특성과, 비교예의 전송특성을 비교해서 나타내는 그래프이다.
도 4는 상기 제 1 실시형태의 전송특성과, 비교예의 전송특성을 더욱 고영역측까지 비교해서 나타내는 그래프이다.
도 5는 상기 제 1 실시형태에 있어서의 평형 신호의 진폭 평형도와, 비교예에 있어서의 평형 신호의 진폭 평형도를 비교해서 나타내는 그래프이다.
도 6은 상기 제 1 실시형태에 있어서의 평형 신호의 위상 평형도와, 비교예에 있어서의 평형 신호의 위상 평형도를 비교해서 나타내는 그래프이다.
도 7은 상기 제 1 실시형태에 있어서의 커먼 모드 억압도와, 비교예에 있어서의 커먼 모드 억압도를 비교해서 나타내는 그래프이다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시형태에 따른 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
도 9는 상기 도 8의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 10은 본 발명의 제 3 실시형태에 따른 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
도 11은 상기 도 10의 Z-Z'선을 따라 절단한 단면도이다.
도 12는 본 발명에 관한 제 3 실시형태의 일변형예에 따른 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
도 13은 본 발명의 제 3 실시형태의 다른 변형예에 따른 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
도 14는 본 발명의 제 4 실시형태에 따른 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
도 15는 본 발명의 제 5 실시형태에 따른 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
도 16은 본 발명의 제 6 실시형태에 따른 탄성 표면파 필터이며, (a)은 평면도를 나타내고, (b)은 상기(a)의 X-X선을 따라 절단한 단면도이다.
도 17은 상기 제 6 실시형태의 일변형예에 따른 탄성 표면파 필터이며, (a)은 평면도를 나타내고, (b)은 상기(a)의 a-b선을 따라 절단한 단면도이다.
도 18은 상기 제 6 실시형태에 있어서의 다른 변형예에 따른 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
도 19는 상기 제 6 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
도 20은 상기 제 6 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
도 21은 상기 제 6 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
도 22는 상기 제 6 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 따른 탄성 표면파필터의 평면도이다.
도 23은 본 발명의 제 7 실시형태에 따른 탄성 표면파 필터이며, (a)은 평면도를 나타내고, (b)은 상기(a)의 X-X선을 따라 절단한 단면도이다.
도 24는 본 발명의 통신기의 회로 블록도이다.
도 25는 종래의 탄성 표면파 필터의 평면도이다.
<도면의 주요부분에 대한 간단한 설명>
2: 수지 패턴(절연 패턴)
38∼41: IDT(빗형전극부, 배선 패턴, 도체 패턴)
58∼61: 배선 패턴(도체 패턴)
100: 압전기판
본 발명의 탄성 표면파 필터는 이상의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판; 상기 압전기판 상에 형성된, 상기 압전기판보다도 작은 유전율을 구비하는 절연 패턴; 상기 압전기판의 위 및 절연 패턴의 적어도 한쪽의 위에 형성된 도체 패턴; 을 적어도 구비하고, 상기 도체 패턴의 일부가 IDT를, 잔여의 부분의 일부가 배선 패턴을 각각 구성하고, 또한 서로 다른 전위를 가지는 배선 패턴끼리가 평면방향에서 보았을 때 대향하는 부분에 있어서, 상기 절연 패턴 상에 적어도 한쪽의 배선 패턴의 적어도 일부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 구성에 따르면, 도체 패턴의 일부를 절연 패턴 상에 형성한 경우, 절연 패턴 상에 형성된 도체 패턴은 고유전율의 압전기판에 직접 접촉하지 않고, 압전기판보다 저유전율의 절연 패턴을 사이에 끼워서 압전기판 상에 지지되기 때문에, 다른 도체 패턴과의 사이의 기생용량을 상기 절연 패턴에 의해 감소할 수 있다. 상기 기생용량은 압전기판의 유전율이 높을수록 커지는 것이다.
예를 들면, 폭 20㎛의 각 도체 패턴이, 서로 20㎛의 간격을 두고, 예를 들면 LiTaO3의 압전기판 상에 평행하게, 평면방향에서 보았을 때 대향하여 배열된 경우, 한쪽의 도체 패턴을 비유전율 2, 두께 1㎛의 수지 패턴으로 하는 절연 패턴 상에 형성하여, 2개의 각 도체 패턴간에 형성되는 기생용량은 절연 패턴을 생략한 경우에 비하면 약 1/2로 감소할 수 있고, 양쪽의 각 도체 패턴을 비유전율 2, 두께 1㎛의 수지 패턴으로 한 절연 패턴 상에 각각 형성하여, 2개의 각 도체 패턴간에 형성되는 기생용량은 절 인연 패턴이 전혀 없을 때의 약 1/3로 감소할 수 있다.
게다가, 상기 구성에서는 기생용량이 형성되어 쉬운, 서로 전위가 다른 배선 패턴끼리가 평면방향에서 보았을 때 대향하는 부분에 있어서, 적어도 한쪽의 배선 패턴의 적어도 일부를, 절연 패턴 상에 형성하였기 때문에, 상기 기생용량을 보다 효과적으로 감소할 수 있다.
이에 의해, 상기 구성은 상기 기생용량에 기인하는, 통과대역내의 삽입손실의 증가나, 통과대역외(특히, 고주파수측)의 억압도(감쇠량)의 저하라는 전송특성의 열화를 회피할 수 있어, 전송특성을 개선할 수 있다.
상기 탄성 표면파 필터에 있어서는, 상기 도체 패턴은 상기 압전기판 상에 형성되고, 일부가 IDT를 형성하는 제1의 도체 패턴, 및, 상기 제1의 도체 패턴과 도통하고, 일부가 상기 절연 패턴 상에 형성되어 있는 제2의 도체 패턴으로 형성되어 있어도 좋다.
본 발명의 다른 탄성 표면파 필터는 전기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판; 상기 압전기판 상에 형성되어 일부가 IDT를 형성하고, 잔여의 부분 중 적어도 일부가 제1의 배선 패턴을 형성하고 있는 제1의 도체 패턴; 상기 압전기판상 및 상기 제1의 배선 패턴 상에 형성된 절연 패턴; 상기 압전기판상 및 상기 절연 패턴 상에 형성되어, 적어도 일부가 제2의 배선 패턴을 형성하고, 또한 상기 제1의 도체패턴과 도통하고 있는 제2의 도체 패턴; 을 구비하고, 제1의 배선 패턴과 제2의 배선 패턴에서, 서로 다른 전위를 가지는 배선 패턴끼리가 평면방향에서 보았을 때 대향하는 부분에 있어서, 적어도 한쪽의 배선 패턴의 적어도 일부가 상기 절연 패턴 상에 형성되어 있는 동시에, 상기 제1의 배선 패턴과 제2의 배선 패턴이 상기절연 패턴을 개재하여 교차하고 있는 부분을 적어도 1군데 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
상기 구성에 따르면, 상기 제1의 배선 패턴과 제2의 배선 패턴이 상기 절연 패턴을 개재해서 교차하고 있는 부분을 적어도 1군데 가지므로, 제1의 도체 패턴을 하층의 제1의 배선 패턴, 압전기판보다도 작은 유전율을 가지는 절연 패턴을 층간 절연막, 제2의 도체 패턴을 상층의 제2의 배선 패턴으로 하여, 각 배선 패턴의 입체교차를 이용하고, 단일평면상에서 각 배선 패턴을 레이아웃함으로써, 각 배선 패턴의 점유면적(압전기판의 두께 방향에서의 투영면적)을 삭감할 수 있어, 소형화할 수 있다.
또한, 상기 구성에 있어서는, 제1의 배선 패턴과 제2의 배선 패턴에서, 서로 다른 전위를 가지는 배선 패턴끼리가 평면방향에서 보았을 때 대향하는 부분에 있어서, 적어도 한쪽의 배선 패턴의 적어도 일부를 상기 절연 패턴 상에 형성하였기 때문에, 전술한 바와 같이, 기생용량을 보다 효과적으로 감소할 수 있다.
이에 의해, 상기 구성은 상기 기생용량에 기인하는, 통과대역내의 삽입손실의 증가나, 통과대역외(특히, 고주파수측)의 억압도(감쇠량)의 저하라는 전송특성의 열화를 회피할 수 있고, 전송특성을 개선할 수 있는 동시에 소형화할 수 있다.
상기 탄성 표면파 필터에 있어서는, 상기 서로 전위가 다른 배선 패턴 중, 한쪽이 입력신호가 인가되는 배선 패턴이고, 다른 쪽은 출력신호가 인가되는 배선 패턴인 것이 바람직하다.
상기 구성에 따르면, 입력신호가 인가되는 배선 패턴과, 다른 쪽이 출력신호가 인가되는 배선 패턴과의 사이의 기생용량이 감소되면, 입력신호단자에서부터 출력신호단자로 기생용량을 경유해서 유입하는 전류가 감소하기 때문에, 탄성 표면파 필터의 통과대역외의 신호 억압도를 크게 할 수 있다.
본 발명의 또 다른 탄성 표면파 필터는 전기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에 형성한 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자를 가지는 래더형 회로구성의 탄성 표면파 필터로서, 상기 압전기판; 상기 압전기판 상에 형성된 상기 압전기판보다도 작은 유전율을 구비하는 절연 패턴; 상기 압전기판의 위 및 절연 패턴의 적어도 한쪽의 위에 형성된 도체 패턴; 을 적어도 구비하고, 상기 도체 패턴의 일부가 IDT를, 잔여의 부분의 일부가 배선 패턴을 각각 구성하고, 상기 절연 패턴 상에, 배선 패턴의 적어도 일부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
본 발명의 또 다른 탄성 표면파 필터는 전기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에 형성한 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자를 가지는 래더형 회로구성의 탄성 표면파 필터로서, 상기 압전기판; 상기 압전기판 상에 형성되어 일부가 IDT를 형성하고, 잔여의 부분 중 적어도 일부가 제1의 배선 패턴을 형성하고 있는 제1의 도체 패턴; 상기 압전기판상, 및 상기 제1의 배선 패턴 상에 형성된 절연 패턴; 상기 압전기판상 및 상기 절연 패턴 상에 형성되어, 적어도 일부가 제2의 배선 패턴을 형성하고, 또한 상기 제1의 도체 패턴과 도통하고 있는 제2의 도체 패턴; 을 구비하고, 상기 절연 패턴 상에, 적어도 한쪽의 배선 패턴의 적어도 일부가 형성되어 있는 동시에, 상기 제1의 배선 패턴과 제2의 배선 패턴이 상기 절연 패턴을 개재해서 교차하고 있는 부분을 적어도 1군데 가지는 것을 특징으로 하고 있다.
그러므로, 상기 구성은 절연 패턴을 형성함으로써, 전술한 바와 같이, 상기 기생용량에 기인하는, 통과대역내의 삽입손실의 증가나, 통과대역외(특히, 고주파수측)의 억압도(감쇠량)의 저하라는 전송특성의 열화를 회피할 수 있고, 전송특성을 개선할 수 있는 동시에 소형화할 수 있다.
상기 탄성 표면파 필터에 있어서는, 상기 제2의 배선 패턴의 일부는 어스 패드끼리를 직접 도통하는 배선 패턴이며, 상기 배선 패턴은 상기 절연 패턴을 개재해서 상기 제1의 배선 패턴과 교차하고 있어도 좋다.
상기 탄성 표면파 필터에서는, 상기 배선 패턴은 어스 패드와 병렬암 공진자의 사이를 도통하는 배선 패턴 이외의 부분에 있어서, 상기 배선 패턴의 적어도 일부가 절연 패턴 상에 형성되어 있어도 좋다.
상기 탄성 표면파 필터에 있어서는, 하나의 압전기판 상에 복수의 필터 요소가 형성된 멀티플 필터이어도 좋다.
본 발명의 또 다른 탄성 표면파 필터는 전기의 과제를 해결하기 위해서, 압전기판 상에 형성한 직렬암 공진자 및 격자암 공진자를 가지는 래티스형 회로구성의 탄성 표면파 필터로서, 상기 압전기판; 상기 압전기판 상에 형성된 상기 압전기판보다도 작은 유전율을 구비하는 절연 패턴; 상기 압전기판의 위 및 절연 패턴의 적어도 한쪽의 위에 형성된 도체 패턴; 을 적어도 구비하고, 상기 도체 패턴의 일부가 IDT를, 잔여의 부분의 일부가 배선 패턴을 각각 구성하고, 상기 절연 패턴 상에, 배선 패턴의 적어도 일부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하고 있다.
그러므로, 상기 구성은 절연 패턴을 형성함으로써, 전술한 바와 같이, 상기기생용량에 기인하는, 통과대역내의 삽입손실의 증가나, 통과대역외(특히, 고주파수측)의 억압도(감쇠량)의 저하라는 전송특성의 열화를 회피할 수 있고, 전송특성을 개선할 수 있는 동시에 소형화할 수 있다.
상기 탄성 표면파 필터에서는, 절연 패턴의 비유전율이 4미만인 것이 바람직하다. 상기 구성에 따르면, 압전기판과의 비유전율의 차이를 크게 할 수 있기 때문에, 상기 기생용량을 더한층 효율적으로 감소할 수 있고, 따라서 전송특성을 보다 효과적으로 개선할 수 있다.
상기 탄성 표면파 필터에 있어서는, 절연 패턴은 수지로 이루어지는 것이 바람직하다. 상기 구성에 따르면, 절연 패턴의 비유전율을 2정도로 작게 할 수 있으므로, 압전기판과의 비유전율의 차이를 크게 할 수 있고, 상기 기생용량을 더한층 효율적으로 감소할 수 있고, 전송특성을 보다 효과적으로 개선할 수 있다.
또한, 상기 구성에서는 액상의 수지원료를 스핀 코트 또는 스프레이 도포하거나, 시트 형상의 수지에 부착하거나 하는 등의 방법에 의해, 용이하게 압전기판 상에 수지의 층을 형성한 후, 특히 감광성의 수지를 이용하고 포토리소그래피를 이용해서 패터닝하여, 용이하게 절연 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 스크린 인쇄 등의 방법을 이용하여도, 절연 패턴을 용이하게 형성할 수 있다.
이와 같이 수지를 이용하여, 절연 패턴의 형성은 용이해진다. 더욱이, 수지를 이용하여 비교적 용이하게, 1㎛정도 내지는 그 이상의 막두께의 절연 패턴을 형성할 수 있다.
또한, 세라믹 재료를 이용해서 절연 패턴을 형성하는 경우, 다음과 같은 문제가 있다. 세라믹 재료로 박막 패턴(절연 패턴)을 형성하는 방법으로서는, 리프트 오프법과 에칭법을 들 수 있다.
그런데, 리프트 오프법에 의해 세라믹 재료의 박막 패턴을 형성하는 경우에는, 성막 입자의 수직 입사성이 높은 방법으로 세라믹 재료를 성막할 필요가 있지만, 세라믹 재료는 일반적으로 융점이 높다는 점으로부터, 성막 입자의 수직 입사성이 높은 방법의 대표인 진공증착법이 곤란하다. 이 때문에, 콜리메이터(collimator)를 사용한 스퍼터 성막 등의 특수한 고비용의 성막방법을 이용하지 않을 수 없다.
또한, 에칭법으로 세라믹 재료의 박막 패턴을 형성하는 경우에는, 세라믹 재료를 에칭 하면서도 탄성 표면파의 전파로가 되는 압전기판의 표면에는 손상을 주지 않도록 에칭 프로세스를 사용하지 않으면 안 되지만, 이것도 매우 곤란하여 현실적으로 세라믹 재료를 에칭할 때는 압전기판의 표면은 손상을 받고, 탄성 표면파 필터의 특성은 많든 적든 간에 손상된다.
이상, 설명한 바와 같이, 세라믹 재료의 박막 패턴(절연 패턴)을 압전기판 상에 저비용으로 형성하는 것은 곤란하다. 또한, 만일 세라믹 재료의 박막 패턴(절연 패턴)을 압전기판 상에 형성할 수 있다고 하여도, 그 막두께는 고작해야 수백 ㎚이고, 세라믹 재료의 비유전율은 일반적으로 4이상으로 크기 때문에, 각 도체 패턴간, 특히 입체 교차부의 각 도체 패턴간에 생기는 기생용량을 감소하는 것은 곤란하다.
그러나, 상기 구성에서는 절연 패턴으로 수지를 이용하였기 때문에, 층간 절연막에서는 비유전율이 4미만, 예를 들면 2정도로 작으며, 1㎛정도 내지는 그 이상의 막두께의 층간 절연막을 형성할 수 있기 때문에, 각 도체 패턴의 입체 교차부에 탄성 표면파 필터의 특성열화의 원인이 될 정도의 기생용량이 형성되는 것은 회피된다.
상기 탄성 표면파 필터에서는, 상기 압전기판의 비유전율은 20이상이어도 좋다. 상기 탄성 표면파 필터에 있어서는, 상기 압전기판은 LiTaO3, LiNbO3, 및 Li2B4O7중 어느 하나로 이루어져도 좋다. 상기 구성에 따르면, LiTaO3, LiNbO3, 및 Li2B4O7등의 비유전율이 20이상인 압전기판과 절연 패턴과의 비유전율의 차이를 크게 할 수 있기 때문에, 상기 기생용량을 더한층 효율적으로 감소할 수 있고, 따라서 전송특성을 보다 효과적으로 개선할 수 있다.
상기 탄성 표면파 필터에서는, 통과대역의 중심주파수가 500㎒ 이상이어도 좋다. 상기 탄성 표면파 필터에 있어서는, 통과대역의 중심주파수가 1㎓ 이상이어도 좋다.
상기 구성에 따르면, 사용하는 통과대역의 중심주파수가 높아질수록, 기생용량을 개재해서 흐르는 전류는 커지고, 특히 통과대역의 중심주파수가 500㎒ 이상, 특히 1㎓ 이상에서는 기생용량을 개재해서 흐르는 전류는 커져서, 그 영향은 현저한 것이 된다. 따라서, 상기 구성에 있어서는, 상기의 통과대역의 중심주파수의 탄성 표면파 필터에 이용한 경우, 기생용량 감소에 대한, 기생용량을 개재한 전류의 유입의 감소가 커져서, 특히 큰 효과를 얻을 수 있다.
상기 탄성 표면파 필터에서는, 절연 패턴의 두께가 0.5㎛이상인 것이 바람직하다. 상기 구성에 따르면, 절연 패턴의 두께를 0.5㎛이상으로 하여, 기생용량을 더한층 효율적으로 감소할 수 있기 때문에, 전송특성을 보다 효과적으로 개선할 수 있다.
상기 탄성 표면파 필터에 있어서는, 상기 IDT가 평형-불평형 변환기능을 가지도록 설정되어 있어도 좋다.
상기 구성에 따르면, 입력신호와 출력신호 중 어느 하나가 불평형 신호이고, 다른 하나가 평형 신호인 불평형 신호-평형 신호 변환기능을 가지는 탄성 표면파 필터에 있어서는, 불평형 신호가 인가되는 배선 패턴과 평형 신호가 인가되는 배선 패턴과의 사이의 기생용량이 감소되면, 불평형 신호단자에서부터 평형 신호단자로 기생용량을 개재해서 유입하는 전류가 감소하기 때문에, 커먼 모드 신호 억압도가 향상하고, 평형 신호의 평형도가 개선한다는 효가 얻어진다.
본 발명의 통신기는, 상기 중 어느 하나에 기재된 탄성 표면파 필터를 탑재한 것을 특징으로 하고 있다. 상기 구성에 따르면, 상기 중 어느 하나의 탄성 표면파 필터를 탑재하였기 때문에, 전송특성이 우수하고, 소형화가 가능해진다.
<발명의 실시형태>
본 발명의 각 실시형태에 대해서 도 1∼도 24에 근거하여 설명하면, 이하 대로이다.
(제 1 실시형태)
도 1 및 도 2에 나타낸 바와 같이, 제 1 실시형태에 따른 탄성 표면파필터(200)에서는, 압전기판(100) 상에, 제1의 도체 패턴(1), 수지 패턴(절연 패턴)(2), 및 제2의 도체 패턴(3)이 형성되어 있다. 도 1의 지면에 대한 수직방향의 위치관계는 압전기판(100)을 가장 아래로 하면, 아래부터 순서대로, 압전기판(100), 제1의 도체 패턴(1), 수지 패턴(2), 제2의 도체 패턴(3)으로 되어 있다. 압전기판(100)은 LiTaO3단결정으로, 표면파 전파방향은 X축 방향, 기판 컷트 각도는 Y축 회전 38.5°이다.
제1의 도체 패턴(1)은 막두께 200㎚의 알루미늄 박막이다. 수지 패턴(2)은 막두께 1㎛의 폴리이미드막이다. 제2의 도체 패턴(3)은 2층의 도전박막이며, 하층이 두께 200㎚의 니크롬 박막, 상층이 두께 1000㎚의 알루미늄 박막이다.
제1의 도체 패턴(1)에 의해, 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(11, 12), 및 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13, 14)가 각각 형성되어 있다. 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(11)는 표면파 전파방향을 따라, 그레이팅형(grating) 반사기(31), IDT(32), 그레이팅형 반사기(33)를 순서대로 배치하여 형성되어 있다. 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(12)는 표면파 전파방향을 따라, 그레이팅형 반사기(34), IDT(35), 그레이팅형 반사기(36)를 순서대로 배치하여 형성되어 있다.
각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(11, 12)는 서로 완전히 동일하게 설계되어 있다. 그것들의 상세한 설계 파라미터를 개시하면, 각 IDT(32, 35), 각 그레이팅형 반사기(31, 33, 34, 36)는 모두 피치가 1.06㎛이며, 그것들의 메탈라이즈 비(metallization ratio)는 0.6이다. 또한, IDT와 그레이팅형 반사기와의 간격 (인접하는 전극지의 중심간 거리)은 1.06㎛이다. 또한, 각 IDT(32, 35)의 전극지 교차폭은 74㎛이다. 그리고, 각 IDT(32, 35)의 전극지 개수는 모두 241개이며, 그레이팅형 반사기(31, 33, 34, 36)의 전극지 개수는 모두 30개이다. 한편, 도 1에 있어서는, 전극지 개수가 실제보다도 적게 나타나 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13)는 표면파 전파방향을 따라, 그레이팅형 반사기(37), IDT(38), IDT(39), IDT(40), 그레이팅형 반사기(41)을 순서대로 배치하여 형성되고, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(14)는 표면파 전파방향을 따라, 그레이팅형 반사기(42), IDT(43), IDT(44), IDT(45), 그레이팅형 반사기(46)를 순서대로 배치하여 형성되어 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13)의 설계 파라미터를 개시하면, 각 그레이팅형 반사기(37, 41)의 피치는 1.09㎛이고, 그들의 메탈라이즈 비는 0.57이다. 또한, 각 IDT(38, 39, 40)의 피치는 1.08㎛이고, 그들의 메탈라이즈 비는 0.72이다.
단지, IDT(38, 39, 40)에 있어서는 다른 IDT와 인접하는 전극지 3개는 피치가 0.96㎛이고 메탈라이즈 비는 0.68가 되어 있다. IDT와 그레이팅형 반사기와의 간격(인접하는 전극지의 중심간 거리)은 1.02㎛이다. 인접하는 IDT끼리의 간격(인접하는 전극지의 중심간 거리)은 0.96㎛이다. 각 IDT(38, 39, 40)의 전극지 교차폭은 90㎛이다. 각 그레이팅형 반사기(37, 41)의 전극지 개수는 모두 90개, 각 IDT(38, 40)의 전극지 개수는 21개, IDT(39)의 전극지 개수는 39개이다. 도 1에 있어서는, 전극지 개수가 실제보다도 적게 나타나 있지만, 옆의 IDT나 그레이팅형 반사기에 인접하는 전극지의 극성은 정확하게 표현되어 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(14)의 설계 파라미터를 개시하면, 각 그레이팅형 반사기(42, 46)의 피치는 1.09㎛이고, 그들의 메탈라이즈 비는 0.57이다. 또한, 각 IDT(43, 44, 45)의 피치는 1.08㎛이고, 그들의 메탈라이즈 비는 0.72이다.
단지, 각 IDT(43, 44, 45)에 있어서는 다른 IDT와 인접하는 전극지 3개는 피치가 0.96㎛이고, 그들의 메탈라이즈 비는 0.68가 되어 있다. IDT와 그레이팅형 반사기와의 간격(인접하는 전극지의 중심간 거리)은 1.02㎛이다. 인접하는 IDT끼리의 간격(인접하는 전극지의 중심간 거리)은 0.96㎛이다. 각 IDT(43, 44, 45)의 전극지 교차폭은 90㎛이다. 각 그레이팅형 반사기(42, 46)의 전극지 개수는 모두 60개, 각 IDT(43, 45)의 전극지 개수는 21개, IDT(44)의 전극지 개수는 39개이다. 도 1에 있어서는, 전극지 개수가 실제보다도 적게 나타나 있지만, 옆의 IDT나 그레이팅형 반사기에 인접하는 전극지의 극성은 정확하게 표현되어 있다.
IDT(43)와 IDT(45)에 대해서는, IDT(44)에 인접하는 부위에 있어서 직렬 웨이팅이 이루어져다. 직렬 웨이팅에 대해서 설명하면, IDT(44)에 인접하는 전극지와 그 옆의 전극지의 길이를 1/2로 한 후, 발생한 2군데의 전극지 결손 부분에 더미 전극지를 형성하고, 그 2개의 더미 전극지끼리를 접속하는 처리이다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13)와 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(14)는, 서로 실질적으로 동일한 설계로 형성되면서, 각 IDT(38, 40)의 극성에 대하여, 각 IDT(43), 45의 극성이 반대로 설정되어 있기 때문에, 동일한 입력신호에 대하여, 실질적으로 동진폭에서 반대위상의 신호를 발생하도록 되어 있는 점을 여기에 적어 둔다.
제2의 도체 패턴(3)에 의해, 입력 패드(15), 제1의 출력 패드(16), 제2의 출력 패드(17), 각 접지 패드(18∼22), 각 배선 패턴(51∼63)이 형성되어 있다.
배선 패턴(51)은 입력 패드(15)와 IDT(39)를 전기적으로 도통시키고 있다. 배선 패턴(52)은 입력 패드(15)와 IDT(44)를 전기적으로 도통시키고 있다. 배선 패턴(53)은 접지 패드(18)와 각 IDT(40, 43)를 전기적으로 도통시키고 있다.
배선 패턴(54)은 접지 패드(19)와 IDT(38)를 전기적으로 도통시키고 있다. 배선 패턴(55)은 접지 패드(20)와 IDT(45)를 전기적으로 도통시키고 있다. 배선 패턴(56)은 접지 패드(21)와 IDT(39)를 전기적으로 도통시키고 있다. 배선 패턴(57)은 접지 패드(22)와 IDT(44)를 전기적으로 도통시키고 있다.
배선 패턴(58)은 IDT(38)와 IDT(32)를 전기적으로 도통시키고 있다. 배선 패턴(59)은 IDT(40)과 IDT(32)를 전기적으로 도통시키고 있다. 배선 패턴(60)은 IDT(43)와 IDT(35)를 전기적으로 도통시키고 있다. 배선 패턴(61)은 IDT(45)와 IDT(35)를 전기적으로 도통시키고 있다.
그리고, 배선 패턴(62)은 IDT(32)와 제1의 출력 패드(16)를 전기적으로 도통시키고 있고, 배선 패턴(63)은 IDT(35)와 제2의 출력 패드(17)를 도통시키고 있다.
여기에서, 각 배선 패턴(58, 59, 60, 61)은 그들의 일부가 수지 패턴(2) 상에 배치되어 형성되어 있고, 그 부분에서는 압전기판(100)과 배선 패턴(58, 59, 60, 61)이 서로 직접적으로는 접촉하고 있지 않은, 즉 서로 떨어져 있게 된다.
또한, 각 배선 패턴(58, 59)에 있어서의, 수지 패턴(2) 상에 배치된 부분과, 배선 패턴(56) 및 접지 패드(21)는 서로 다른 전위를 가지는 각 도체 패턴끼리가 평면방향에서 보았을 때 서로 대향하는 부분이 되어 있다. 더욱이, 각 배선 패턴(60, 61)과, 배선 패턴(57) 및 접지 패드(22)에 있어서도 상기와 동일하다.
탄성 표면파 필터(200)를 제조하는 방법에 대해서는 특별히 한정하지 않지만, 예를 들면, 압전기판(100) 상에 제1의 도체 패턴(1)을 진공 성막과 포토레지스트 패턴을 마스크로 한 에칭법으로 형성한 후, 수지 패턴(2)를 형성하고, 그런 후에 제2의 도체 패턴(3)을 진공 성막과 리프트 오프법으로 형성하면 좋다.
수지 패턴(2)을 형성하는 방법에 대해서도 특별히 한정하지 않지만, 예를 들면, 자외선에 노출(조사)되면 중합하여 폴리이미드가 되는 모노머를 용제에 분산시켜서 액상으로 한 것을, 스핀 코트에 의해 도포하고, 베이킹에 의해 용제를 휘발시켜서 유동성을 저하시키고, 그런 후에 수지 패턴(2)으로서 남기고 싶은 부분 이외를 차광하는 포토마스크 너머에(을 통과시켜서) 자외선 노광하여, 수지 패턴(2)를 형성하고 싶은 부분에만 폴리이미드를 생성시켜, 남은 모노머를 세척하는 약액으로 현상처리를 하여, 폴리이미드로 이루어지는 수지 패턴(2)을 형성할 수 있다.
다음으로, 탄성 표면파 필터(200)의 동작에 대해서 설명한다. 입력 패드(15)에 입력신호가 인가되면, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13)의 IDT(39)에 입력신호가 인가되어, IDT(38)와 IDT(40)에 출력신호가 발생한다. 여기서 발생한 출력신호는 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(11)를 개재해서 제1의 출력 패드(16)에 전해진다.
또한, 그것과 동시에, 입력 패드(15)에 입력신호가 인가되면, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(14)의 IDT(44)에 입력신호가 인가되어, IDT(43)와 IDT(45)에 출력신호가 발생한다. 여기서 발생한 출력신호는 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(12)를 개재해서 제2의 출력 패드(17)에 전해진다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13)가 발생하는 출력신호와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(14)가 발생하는 출력신호는, 실질적으로 진폭이 동등하고, 실질적으로 위상이 역위상이 되어 있기 때문에, 탄성 표면파 필터(200)는 입력 패드(15)에 불평형 신호를 인가하면, 제1의 출력 패드(16)와 제2의 출력 패드(17)에 각 평형 신호를 각각 발생하는 불평형-평형 변환기능을 발휘할 수 있다.
탄성 표면파 필터(200)의 밴드패스 특성은 실질적으로 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13, 14)에 의해 달성된다. 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(11, 12)는 탄성 표면파 필터(200)의 고주파측의 차단 영역에 반공진 주파수를 구비하도록 설계되어 있고, 탄성 표면파 필터(200)의 고주파측의 차단 영역에 있어서의 신호 억압도를 향상시키는 작용을 가진다.
또한, 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13, 14)의 각각에서는, 통과대역 고주파측에 있어서, 출력 임피던스가 용량성에 벗어나 버려서, 임피던스의 정합 상태가 나빠지는 경우가 있지만, 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(11, 12)는 그 주파수 영역에 있어서 유도성의 임피던스를 구비하도록 설계되어 있어, 이 주파수 영역에 있어서의 임피던스의 정합 상태를 개선하는 작용도 가진다.
여기에서, 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13, 14)의 출력이 인가되는각 배선 패턴(58, 59, 60, 61)은, 그들의 일부가 수지 패턴(2) 상에 배치되어 형성되어 있고, 그 부분에서는 압전기판(100)과 각 배선 패턴(58, 59, 60, 61)이 직접적으로는 접촉하고 있지 않다.
그 때문에, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13)의 입력부와 출력부의 사이에 형성되는 기생용량의 값이, 수지 패턴(2)이 없는 경우와 비교해서 작아져 있다. 다시 말해, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13)의 입력부에서 출력부로 기생용량을 개재해서 유입하는 전류가 작아져 있다.
마찬가지로, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(14)의 입력부에서 출력부의 사이에 형성되는 기생용량의 값도, 수지 패턴(2)이 없는 경우와 비교해서 작아져 있고, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(14)의 입력부에서 출력부로 기생용량을 개재해서 유입하는 전류가 작아져 있다.
수지 패턴(2)의 형성에 의해, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(13)의 입력부에서 출력부로 기생용량을 개재해서 유입하는 전류가 작아지고, 동시에 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(14)의 입력부에서 출력부로 기생용량을 개재해서 유입하는 전류가 작아지는 점으로부터, 탄성 표면파 필터(200)의 통과대역외의 신호 억압도를 향상할 수 있는 동시에, 커먼 모드 신호 억압도가 향상하여 평형 신호의 평형도를 향상할 수 있다.
각 배선 패턴(58, 59, 60, 61)의 일부를 수지 패턴(2) 상에 배치하여 형성함으로 인한 효과는, 또 하나 있다.
수지 패턴(2)을 생략한 경우, 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(11, 12)는 통과대역내의 고주파측에 있어서 유도성의 임피던스를 구비하도록 전기한 대로 설계되어 있으므로, 이 통과대역내의 고주파측에 있어서는, 유도성의 임피던스를 구비하는 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(11, 12)와, 각 배선 패턴(58, 59, 60, 61)의 쌍접지 용량과의 사이에서 병렬공진, 혹은 그것에 가까운 상태가 발생해서 큰 전류가 흐르고, 오믹(ohmic) 저항에 유래하는 발열에 의해 에너지 손실이 발생한다. 그리고, 이 발열에 의한 에너지 손실은 대역내 삽입손실을 증대시키게 된다.
본 발명에서는 각 배선 패턴(58, 59, 60, 61)의 일부를 수지 패턴(2) 상에 배치함으로써, 각 배선 패턴(58, 59, 60, 61)의 쌍접지 용량이 작아지기 때문에, 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(11, 12)와, 각 배선 패턴(58, 59, 60, 61)과의 사이에 흐르는 전류량이 감소하고, 대역내 삽입손실이 작아진다.
본 제 1 실시형태의 탄성 표면파 필터(200)에 있어서는, 각 배선 패턴(58, 59, 60, 61)만이 수지 패턴(2) 상에 배치되어 있지만, 모든 배선 패턴이 수지 패턴(2) 상에 배치되는 부위을 가지고 있어도 좋다.
단지, 접지된 배선 패턴은 가능한 한 수지 패턴 상에 배치하지 않고, 압전기판(100)의 전위를 접지 전위에 안정되도록 한 후, 접지된 배선 패턴과는 전위가 다른 고주파 신호가 인가되는 배선 패턴은 가능한 한 수지 패턴 상에 배치하고, 다른 배선 패턴과의 사이의 기생용량을 줄이는 것이, 평형 신호의 평형도를 개선하기에는 효과적이라는 점을 기록해 둔다. 이와 같이 수지 패턴을 형성하는 것은, 이하의 다른 각 실시형태에 있어서도 마찬가지로 효과적이다.
탄성 표면파 필터(200)와 비교예의 탄성 표면파 필터와의 각 전송특성의 비교를 도 3 및 도 4에 나타낸다. 또한, 탄성 표면파 필터(200)와 비교예의 탄성 표면파 필터와의 평형 신호의 진폭 및 위상의 각 평형도의 비교를 도 5 및 도 6에 각각 나타낸다. 탄성 표면파 필터(200)와 비교예의 탄성 표면파 필터와의 커먼 모드 억압도의 비교를 도 7에 나타낸다. 도 3∼도 7에 있어서 비교 대상으로 삼은 비교예의 탄성 표면파 필터는, 탄성 표면파 필터(200)에서 수지 패턴(2)을 제외한 것이다.
도 3으로부터 알 수 있는 바와 같이, 제 1 실시형태는 비교예와 비교해서 통과대역내에 있어서의 삽입손실이, 특히 고주파측에 있어서 작아져 있다. 또한, 도 4로부터 명확한 바와 같이, 본 제 1 실시형태는 비교예와 비교하여, 통과대역외의 3000 [㎒] ∼5000 [㎒]의 고주파측 영역에 있어서 삽입손실(신호 억압도)이 커져 있다.
도 5를 보면, 통과대역내의 평형 신호의 진폭 차이에 대해서는, 본 제 1 실시형태와 비교예와의 사이에 큰 차이는 없지만, 도 6으로부터 명확한 바와 같이, 통과대역내의 평형 신호의 위상 차이에 대해서는, 본 제 1 실시형태가 비교예보다도 180도(역상)에 가깝고, 위상 평형도가 양호한 것을 알 수 있다. 또한, 통과대역내의 커먼 모드 억압도를 비교하면, 도 7에 나타낸 바와 같이, 본 제 1 실시형태가 비교예보다도 커져 있는 것을 알 수 있다. 이상, 도 5 및 도 6에 의해, 본 제 1 실시형태가 비교예보다도 평형 신호의 평형도가 양호한 것을 알 수 있다.
(제 2 실시형태)
제 2 실시형태에 따른 탄성 표면파 필터(300)를 도 8에 나타낸다. 도 8에 있어서의 Y-Y'선을 따라 절단한 단면도를 도 9에 나타낸다. 탄성 표면파 필터(300)를 나타낸 도 8에 있어서 도 1과 동일한 번호를 부여한 부위는, 탄성 표면파 필터(200)와 동일한 기능을 가지는 부위이다. 탄성 표면파 필터(300)와 탄성 표면파 필터(200)의 사이에서 다른 것은, 수지 패턴(2)의 형상과 배선 패턴뿐이기 때문, 그 차이의 부분에 대해서만 설명한다.
배선 패턴(301)은 제2의 도체 패턴(3)에 의해 형성되어 있고, 입력 패드(15)와 IDT(39)를 서로 도통시키고 있다. 배선 패턴(302)은 제2의 도체 패턴(3)에 의해 형성되어 있고, 입력 패드(15)와 IDT(44)를 서로 도통시키고 있다.
배선 패턴(303)은 제2의 도체 패턴(3)에 의해 형성되어 있어, IDT(38)와 IDT(32), 및 IDT(40)와 IDT(32)를 각각 서로 도통시키고 있다. 배선 패턴(304)은 제2의 도체 패턴(3)에 의해 형성되어 있고, IDT(43)와 IDT(35), 및 IDT(45)와 IDT(35)를 각각 서로 도통시키고 있다.
배선 패턴(305)은 제2의 도체 패턴(3)에 의해 형성되어 있고, IDT(32)와 제1의 출력 패드(16)를 서로 도통시키고 있다. 배선 패턴(306)은 제2의 도체 패턴(3)에 의해 형성되어 있고, IDT(35)와 제2의 출력 패드(17)를 서로 도통시키고 있다.
배선 패턴(307)은 제1의 도체 패턴(1)에 의해 형성되어 있어서, IDT(38)와 접지 패드(18), IDT(39)와 접지 패드(18), IDT(40)와 접지 패드(18), IDT(43) 접지 패드(18), IDT(44)와 접지 패드(18), 및 IDT(45)와 접지 패드(18)를 각각 서로 도통시키고 있다.
배선 패턴(307)은 배선 패턴(301∼304)과의 입체 교차부를 가지고 있다. 입체 교차부에 대해서는, 배선 패턴(307)이 제1의 도체 패턴(1)으로 이루어지는 하층배선, 수지 패턴(2)이 층간 절연막, 각 배선 패턴(301∼304)이 제2의 도체 패턴(3)으로 이루어지는 상층배선이 되어 있다. 상기 입체 교차부에서는 배선 패턴(307)과 각 배선 패턴(301∼304)이, 수지 패턴(2)을 사이에 끼움으로써, 서로 도통하지 않고 교차되어 있다. 배선 패턴(307)의 일부는 제2의 도체 패턴(3)에도 피복되어 있지만, 배선 패턴(301∼304)과의 입체 교차부에서는, 제1의 도체 패턴(1)의 일층으로 이루어지는 배선 패턴이 되어 있다.
탄성 표면파 필터(300)에서는, 각 배선 패턴의 입체 교차에 의해, 소형화가 달성된다. 또한, 신호가 흐르는 배선 패턴의 거리를 짧게 할 수 있고, 삽입손실의 감소에도 효가 있다.
게다가, 탄성 표면파 필터(300)에 있어서는, 수지 패턴(2)을 형성함으로써 입체 교차부분의 쇼트를 방지할 수 있는 동시에, 서로 전위가 다르고, 압전기판(100)의 표면(평면방향에서 보았을 때) 방향을 따라 서로 대향하는(특히 근접한) 각 배선 패턴간, 예를 들면, 각 배선 패턴(303, 307) 사이, 각 배선 패턴(304, 307) 사이에서의 기생용량을 감소할 수 있고, 통과대역내에서의 삽입손실을 감소할 수 있는 동시에, 통과대역외(특히 고주파수측)의 억압도를 높일 수 있다.
(제 3 실시형태)
제 3 실시형태에 따른 탄성 표면파 필터(400)를 도 10에 나타낸다. 도 10의 Z-Z'선을 따라 절단한 단면도를 도 11에 나타낸다. 탄성 표면파 필터(400)는 3개의일단자쌍 탄성 표면파 공진자((401∼403))를 격자(래더) 형상으로 서로 접속해서 밴드패스필터를 형성하는 래더형 필터이다. 래더형 필터의 상세한 동작원리에 대해서는 주지이기 때문에 여기에서는 설명하지 않는다.
각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(401∼403), 각 배선 패턴(404∼409), 입력 패드(410), 출력 패드(411), 접지 패드(412)는 모두, 압전기판(100) 상에 형성된 동일한 제1의 도체 패턴(1)에 의해 각각 형성되어 있다. 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(401∼403)는 그들의 탄성 표면파의 전파방향이 서로 실질적으로 평행이 되도록 형성되어 있다.
각 배선 패턴(404, 405, 406, 407)의 일부의, 서로 평면 방향에서 보았을 때 대향하는 위치에 있어서, 각각, 수지 패턴(2) 상에 배치하여 형성되어 있다. 탄성 표면파 필터(400)의 제조방법에 대해서는 특별히 한정하지 않지만, 압전기판(100) 상에 수지 패턴(2)를 형성한 후, 도체박막을 전체면에 진공증착으로 성막하고, 그런 후에 상기 도체박막을 드라이 에칭에 의해 패터닝하여 제1의 도체 패턴(1)으로 하면 좋다.
상기 탄성 표면파 필터(400)에서는 예를 들면, 각 배선 패턴(404, 405, 406, 407)의 적어도 일부와, 압전기판(100)과의 사이에 삽입되는 수지 패턴(2)을 평면 방향에서 보았을 때 대향하는 위치에 각각 형성함으로써, 각 배선 패턴(404, 405) 사이, 각 배선 패턴(406, 408) 사이, 각 배선 패턴(407, 409) 사이의 각 기생용량을 감소할 수 있고, 통과대역내에서의 삽입손실을 감소할 수 있는 동시에, 통과대역외(특히 고주파수측)의 억압도를 높일 수 있다.
상기 제 3 실시형태의 각 변형예는, 도 12 및 도 13에 나타낸 바와 같이, 배선 패턴(404)에 삽입된 수지 패턴(2)과 평면 방향에서 보았을 때 대향하는 위치가 되는, 배선 패턴(406) 또는 배선 패턴(408)에, 다른 수지 패턴(2)을 삽입하고, 또한, 배선 패턴(405)에 삽입된 수지 패턴(2)과 평면 방향에서 보았을 때 대향하는 위치가 되는, 배선 패턴(407) 또는 배선 패턴(409)에, 또 다른 수지 패턴(2)을 삽입한 것이다.
상기 각 변형예는 각각, 각 배선 패턴(404, 405) 사이, 각 배선 패턴(406, 408) 사이, 각 배선 패턴(407, 409) 사이의 각 기생용량을 더한층 감소할 수 있고, 통과대역내에서의 삽입손실을 더욱 감소할 수 있는 동시에, 통과대역외(특히 고주파수측)의 억압도를 보다 높일 수 있다.
(제 4 실시형태)
본 발명의 탄성 표면파 필터에 있어서의, 제 4 실시형태에 따른 다른 래더형의 탄성 표면파 필터(700)를 도 14에 나타낸다. 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(701a, 701b, 702a, 702b, 702c), 각 배선 패턴(720∼722, 724, 726, 728∼730), 입력 패드(710), 출력 패드(711), 및 어스 패드(712∼715)는 모두, 압전기판(100) 상에 형성된, 동일한 제1의 도체 패턴에 의해 각각 형성되어 있다.
나머지의 각 배선 패턴(723, 725, 727)은 동일한 제2의 도체 패턴에 의해 각각 형성되어, 수지 패턴(2) 상에 배치되어 있다. 그 중, 배선 패턴(725)은 수지 패턴(2)을 사이에 끼워서 배선 패턴(726)과 서로 도통하지 않고 입체교차하고 있다. 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(701a, 701b)는 병렬암 공진자를, 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(702a∼702c)는 직렬암 공진자를 가리킨다.
상기 탄성 표면파 필터(700)에서는 예를 들면, 각 배선 패턴(723, 725, 727)을 수지 패턴(2) 상에 형성함으로써, 배선 패턴간의 기생용량을 감소할 수 있고, 통과대역내에서의 삽입손실을 감소할 수 있는 동시에, 통과대역외(특히 고주파수측)의 억압도를 높일 수 있다.
특히 어스 패드(712∼715)와 병렬암 공진자인 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자( 701a, 701b)와의 사이를 도통하는 각 배선 패턴(720, 721, 725, 728, 730) 이외에, 즉 입력단자인 입력 패드(710)부터 출력단자인 출력 패드(711)에 이르기까지의 전기신호의 통로가 되는 신호 라인의 각 배선 패턴(722, 724, 726, 729), 혹은 신호 라인과 동전위가 되는 전기적으로 접속된 각 배선 패턴(723, 727)의 적어도 하나를, 수지 패턴(2) 상에 형성함으로써, 각 배선 패턴간의 기생용량을 감소 할 수 있을 뿐 아니라, 압전기판(100)을 사이에 끼워서 패키지와 각 배선 패턴과의 사이에서 발생하는 쌍접지 용량도 감소할 수 있기 때문에, 특히 통과대역내에서의 삽입손실의 감소나 통과대역외의 억압도를 향상시키는 효과를 발휘하기 쉬워진다.
또한, 어스 패드(713, 714) 사이를 배선 패턴(725)으로 입체교차를 이용해서 직접 접속함으로써, 무리한 레이아웃을 취하지 않고 병렬공진자에 접속된 모든 각 어스 패드(712∼715)를 전기적으로 도통하여 어스를 강화할 수 있다. 특히 하나의 압전기판(100)에 2개의 필터 요소가 형성된 듀얼 필터에 이 구조를 이용하면, 각 어스 패드를 공통화할 수 있고, 어스 강화 및 칩 사이즈 소형화에 기여할 수 있다.
(제 5 실시형태)
본 발명의 제 5 실시형태에 따른 탄성 표면파 필터(800)를 도 15에 나타낸다. 탄성 표면파 필터(800)는 4개의 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(801a, 801b, 802a, 802b)를 래티스 형상으로 서로 접속하고, 평형 입력-평형 출력의 밴드패스필터를 형성하는 래티스형 필터이다. 래티스형 필터의 상세한 동작 원리에 대해서는 주지이기 때문에 여기에서는 설명하지 않는다.
각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(801a, 801b, 802a, 802b), 각 배선 패턴(820∼825), 입력 패드(810, 811), 출력 패드(812, 813)는 모두, 압전기판(100) 상에 형성된, 동일한 제1의 도체 패턴에 의해 각각 형성되어 있다.
나머지의 배선 패턴(826)은 제2의 도체 패턴에 의해 형성되어, 수지 패턴(2) 상에 배치되어 있다. 배선 패턴(826)은 수지 패턴(2)을 사이에 끼워서 배선 패턴(825)과 서로 도통하지 않고 입체교차하고 있다.
배선 패턴(825)은 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(801a, 802b), 출력 패드(813)를 접속하고 있는데 대하여, 배선 패턴(826)은 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(801b, 802b), 입력 패드(811)를 접속하고 있다. 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(801a, 801b)는 격자암(lattice-arm) 공진자를, 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(802a, 802b)는 직렬암 공진자를 가리킨다.
상기 탄성 표면파 필터(800)에서는 예를 들면, 배선 패턴(826)을 수지 패턴(2) 상에 형성함으로써, 각 배선 패턴(825, 826) 사이의 용량을 감소할 수 있고, 통과대역내에서의 삽입손실을 감소할 수 있는 동시에, 통과대역외(특히 고주파수측)의 억압도를 높일 수 있다. 또한, 배선 패턴(825, 826)처럼 입체 교차함으로써, 무리한 레이아웃을 취하지 않기 때문에, 칩 사이즈 소형화에 기여할 수 있다.
(제 6 실시형태)
본 발명의 탄성 표면파 필터에 따른 제 6 실시형태를 도 16(a)에 근거하여 설명한다. 또한, 도 16(a)에 있어서의 a-b선을 따라 절단한 단면도를 도 16(b)에 나타낸다.
상기 탄성 표면파 필터에서는 압전기판(100) 상에 수지 패턴(2), 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(102∼105) 및 배선 패턴, 패드(114∼119)가 형성되어 있다. 도 16(b)로부터 알 수 있는 바와 같이 수직방향의 위치관계는, 아래부터 압전기판(100), 수지 패턴(2), 배선 패턴(106∼109)의 순서로 되어 있다. 이 때, 수지 패턴(2)은 막두께 1㎛의 폴리이미드막이다.
도 16(a)의 구성에서는, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(102)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(103)를 각 배선 패턴(106, 107)을 개재해서 종속 접속하고 있다.
마찬가지로, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(104)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(105)를 각 배선 패턴(108, 109)을 개재해서 종속 접속하고 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(102)의 구성은 IDT(121)를 사이에 끼우도록 각 IDT(120, 122)가 형성되고, 그 양측에 반사기(123, 124)가 형성되어 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(104)의 구성은 IDT(126)를 사이에 끼우도록 각 IDT(125, 127)가 형성되고, 그 양측에 반사기(128, 129)가 형성되어 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(104)는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(102)의 IDT(121)에 대하여 IDT(126)의 방향을 교차폭 방향으로 반전하고 있다. 또한, IDT(121)과 IDT(126)의 전극지 개수는 짝수이다.
패드(115)는 입력 패드, 각 패드(117, 119)는 출력 패드로서 이용되고 있다. 또한, 각 패드(110∼113) 및 각 패드(114, 116, 118)는 접지 패드로서 이용되고 있다.
배선 패턴(140)에 의해 입력 패드(115)와 IDT(121), IDT(126)가 전기적으로 접속되어 있다. 배선 패턴(106)에 의해 IDT(120)와 IDT(130)가 전기적으로 접속되어 있다. 배선 패턴(107)에 의해 IDT(122)와 IDT(132)가 전기적으로 접속되어 있다. 배선 패턴(108)에 의해 IDT(125)와 IDT(135)가 전기적으로 접속되어 있다. 배선 패턴(109)에 의해 IDT(127)와 IDT(137)가 전기적으로 접속되어 있다. 배선 패턴(148)에 의해 IDT(131)와 출력 패드(117)가 전기적으로 접속되어 있다. 배선 패턴(149)에 의해 IDT(136)와 출력 패드(119)가 전기적으로 접속되어 있다. 배선 패턴(144)에 의해 IDT(121)와 접지 패드(110)가 전기적으로 접속되어 있다.
배선 패턴(145)에 의해 IDT(126)와 접지 패드(112)가 전기적으로 접속되어 있다. 배선 패턴(146)에 의해 IDT(131)와 접지 패드(111)가 전기적으로 접속되어 있다. 배선 패턴(147)에 의해 IDT(136)와 접지 패드(113)가 전기적으로 접속되어 있다. 배선 패턴(142)에 의해 IDT(120), IDT(130)와 접지 패드(114)가 전기적으로 접속되어 있다. 배선 패턴(143)에 의해 IDT(127), IDT(137)와 접지 패드(116)가 전기적으로 접속되어 있다. 배선 패턴(141)에 의해 IDT(122), IDT(125), IDT(132), IDT(135)와 접지 패드(118)가 전기적으로 접속되어 있다.
여기에서, 각 배선 패턴(106, 107, 108, 109)은 일부가 수지 패턴(2) 상에 배치되어 있고, 그 부분에서는 압전기판(100)과 직접적으로는 접하지 않고 있다. 또한, 도 16(a)에서는 각 배선 패턴(106, 107, 108, 109)만이 수지 패턴(2) 상에 배치되어 있지만, 모든 배선 패턴이 수지 패턴(2) 상에 배치되는 부위를 가지고 있어도 좋다.
이하에 본 실시형태의 효과에 대해서 설명한다.
배선 패턴의 적어도 일부를 수지 패턴(2) 상에 배치한 경우, 수지 패턴(2) 상에 배치된 배선부는, 고유전율의 기판에 직접 접촉하지 않고, 저유전율의 수지 패턴(2)을 사이에 끼워서 기판에 지지되기 대문에, 다른 배선과의 사이의 용량이 감소한다.
예를 들면, 폭 20㎛의 배선이 20㎛의 간격을 두고 LiTaO3기판 상에 평행하게 나열해 있는 경우, 한 쪽의 배선을 비유전율 2, 두께 1㎛의 수지 패턴(2) 상에 배치하여, 2개의 배선의 사이에 들어가는 용량은 약 1/2가 되고, 양쪽의 배선을 비유전율 2, 두께 1㎛의 수지 패턴 상에 배치하여, 2개의 배선의 사이에 들어가는 용량은, 수지 패턴(2)이 전혀 없을 때의 1/3이 된다. 원리적으로는 수지 패턴(2)에 한하지 않고 절연 패턴을 이용하면 동일한 작용을 얻을 수 있지만, 수지 패턴(2)을 사용하는 것에 의한 이점을, 절연 패턴으로서 일반적인 세라믹 재료로 이루어지는 절연 패턴과의 비교로부터 3개 예로 든다.
우선, 제1의 이점은 비유전율이 작다는 점이다. 세라믹 재료의 비유전율은아무리 작아도 4정도이며, 대부분은 10이상의 큰 비유전율을 가진다. 이에 비하여 수지재료의 비유전율은 2정도로 작기 때문에, 배선 패턴과 압전기판의 사이에 삽입했을 때의 용량의 감소량이 크다.
제2의 이점은 두꺼운 패턴이 형성하기 쉽다는 점이다. 배선 패턴과 압전기판의 사이에 삽입할 경우, 패턴이 두꺼운 쪽이 용량 감소량이 크다. 세라믹 재료의 패턴은 내부응력이 크기 때문에, 수㎛의 패턴 정밀도를 가지는 패턴을 형성하려고 하는 경우, 그 두께는 수백 ㎚로 하는 것이 한계이다. 이에 비하여, 수지 패턴(2)은 내부응력이 작기 때문에, 수 ㎛의 패턴 정밀도를 가지는 패턴을 형성하는 경우라도, 그 두께를 수 ㎛, 경우에 따라서는 10㎛이상으로 하는 것이 가능하다.
제3의 이점은 패턴 형성이 용이하다는 점이다. 세라믹 재료로 이루어지는 절연 패턴을 탄성 표면파 필터가 형성되는 압전기판 상에 형성할 경우, 진공 성막공정과 패터닝 공정이 필요하여, 일반적으로 곤란하고, 고비용이 된다.
한편, 수지 패턴(2)을 형성할 때에는, 진공 성막을 사용하지 않더라도, 액상의 수지의 스핀 코트나 스프레이 도포, 혹은 시트 형상 수지의 부착 등에 의해 용이하고 저비용으로 수지층을 형성할 수 있다. 더 형성한 수지층의 패터닝에 관해서도, 수지의 재료에 따라서는 감광성을 갖게 하는 것이 가능하기 때문에, 그 경우에는, 포토마스크 너머로 노광하여 용이하게 패터닝할 수 있다.
도 16(a)의 구성에 있어서, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(102)와 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(103)를 접속하는 각 배선 패턴(106, 107), 및 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(104)와 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(105)를접속하는 각 배선 패턴(108, 109)은, 일부가 수지 패턴(2) 상에 배치되어 있고, 직접, 압전기판(100)과 접하고 있지 않다. 그 때문에, 각 배선 패턴(106, 107)과 각 접지 패드(110, 111)의 사이에 생기는 쌍접지 용량이 수지 패턴(2)이 없는 경우와 비교해서 작아진다. 각 배선 패턴(108, 109)과 각 접지 패드(112, 113)의 사이에 대해서도 동일하게 말할 수 있다.
본 제 6 실시형태에 있어서도, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(102)와 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(103), 또는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(104)와 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(105)를 접속하는 단간 부분의 쌍접지 용량이 작아져서, 단간 부분에서의 임피던스 정합이 취하기 쉬워지고, 대역내 삽입손실이나 VSWR가 양호해진다는 효과가 있다.
다음으로, 상기 제 6 실시형태의 일변형예에 대해서 도 17(a) 및 도 17(b)에 근거하여 설명한다. 또한, 도 17(a)에 있어서의 a-b선을 따라 절단한 단면도를 도 17(b)에 나타낸다. 도 17(a) 및 도 17(b)에 있어서 도 16(a) 및 도 16(b)와 동일한 부재 번호를 부여한 부위는, 도 16(a) 및 도 16(b)와 동일한 기능을 가지는 부위이므로, 설명을 생략하고 있다.
도 16과 도 17에서 다른 것은, 배선 패턴(151)의 형상, 단간 부분의 접지 패드의 유무만이기 때문에, 그 부분의 차이에 대해서만 이하에 설명한다.
배선 패턴(151)에 의해 각 IDT(120, 122)의 한쪽의 전극지와 IDT(121)의 다른 쪽의 전극지가 전기적으로 접속되어 있다. 또한, 배선 패턴(151)에 의해 각 IDT(125, 127)의 한쪽의 전극지와 IDT(126)의 다른 쪽의 전극지가 전기적으로 접속되어 있다. 배선 패턴(151)에 의해 각 IDT(130, 132)의 한쪽의 전극지와, IDT(131)의 다른 쪽의 전극지가 전기적으로 접속되어 있다. 더욱이, 배선 패턴(151)에 의해 각 IDT(135, 137)의 한쪽의 전극지와, IDT(136)의 다른 쪽의 전극지가 전기적으로 접속되어 있다. 게다가, 배선 패턴(151)은 접지 패드(118)와 전기적으로 접속되어 있다.
배선 패턴(140)과 배선 패턴(151)은 입체 교차부를 가지지만, 입체 교차부에 대해서는 배선 패턴(151)이 하층배선, 수지 패턴(2)가 층간 절연막, 배선 패턴(140)이 상층배선이 되어 있고, 서로 도통하지 않고 교차하고 있다. 마찬가지로, 배선 패턴(151)과 배선 패턴(107), 배선 패턴(151)과 배선 패턴(108)은 입체 교차부를 가진다. 또한, 배선 패턴(151)과 배선 패턴(148), 배선 패턴(151)과 배선 패턴(149)은 입체 교차부를 구비하고 있다.
또한, 입체 교차부를 구비하고 있지 않은 각 배선 패턴(106, 109)에 대해서도, 수지 패턴(2)을 압전기판(100)과의 사이에 끼워서 가지고 있다.
본 제 6 실시형태의 일변형예에서도 상기 제 6 실시형태와 동일한 효과 이외에, 입체 교차부를 형성함으로써, 도 16(a)의 구성에 있어서의 단간 부분의 접지 패드(110∼113)를 배치하지 않고, 각 IDT(121, 126, 131)를 어스 접지할 수 있다. 그 때문에, 단간 부분에 있어서 쌍접지 용량을 더욱 감소할 수 있고, 대역내 삽입손실의 감소나 VSWR의 양호화를 이룰 수 있다.
또한, 배선 패턴을 입체 교차함으로써, 소자 면적을 작게 할 수 있고, 탄성 표면파 필터의 소형화가 달성된다. 게다가, 신호가 흐르는 배선 패턴의 거리를 짧게 할 수 있고, 대역내 삽입손실의 감소에도 효과가 있다.
이어서, 상기 제 6 실시형태에 있어서의 다른 변형예에 대해서 도 18에 근거하여 이하에 설명한다. 또한, 본 변형예에서는 도 18에 있어서 도 16(a) 및 도 16(b)와 동일한 부재 번호를 부여한 부위는, 도 16(a) 및 도 16(b)와 동일한 기능을 가지는 부위이므로, 설명을 생략하고 있다.
도 18에 나타낸 바와 같이, 압전기판(100) 상에 각 수지 패턴(2), 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(161∼164), 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(165, 166), 및 각 배선 패턴이 형성되어 있다.
도 18의 구성에서는 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(161)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(162)를 2단 종속 접속하고, 서로 종속 접속된 2개의 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(161, 162)의 사이에 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(165)가 직렬로 접속되어 있다.
마찬가지로, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(163)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(164)를 2단 종속 접속하고, 서로 종속 접속된 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(163, 164)의 사이에 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(166)가 직렬로 접속되어 있다.
각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(165, 166)는 통과대역내 고주파측의 차단 영역에 있어서의 신호 억압도를 향상시키는 작용을 가진다. 또한, 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(165, 166)는 통과대역내 고주파측 부근의 임피던스가 유도성이 되도록 설계되어 있고, 이 주파수 영역에 있어서의 임피던스의 정합 상태를 개선하는 작용도 가지고 있다.
각 배선 패턴(167∼170)은 일부가 수지 패턴(2) 상에 배치되어 있고, 그 부분에서는 압전기판(100)과 직접적으로는 접하고 있지 않다. 도 18에서는 각 배선 패턴(167∼170)만이 수지 패턴(2) 상에 배치되어 있지만, 모든 배선 패턴이 수지 패턴(2) 상에 배치된 부위를 가지고 있어도 좋다. 또한, 패드(175)를 입력단자, 각 패드(181, 183)를 출력단자로서 이용하고 있다. 각 패드(174, 176, 177, 178, 179, 180, 182)를 접지 패드로서 이용하고 있다.
본 제 6 실시형태에 있어서의 다른 변형예에 있어서도, 상기 제 6 실시형태와 동일한 효과 이외에, 단간 트랩이 있어도, 단간 접속하는 배선 패턴 부분을 수지 패턴(2) 상에 배치하여, 용량이 감소해서 얻어지는 효과는 동일하다.
다음으로, 상기 제 6 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 대해서 도 19에 근거하여 이하에 설명한다. 또한, 본 변형예에서는 도 19에 있어서 도 18과 동일한 부재 번호를 부여한 부위는, 도 18과 동일한 기능을 가지는 부위이므로, 설명을 생략하고 있다.
도 19에 나타낸 바와 같이, 압전기판(100) 상에, 각 수지 패턴(2), 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(161∼164), 각 일단자쌍 탄성 표면파 공진자(165, 166), 및 각 배선 패턴이 형성되어 있다.
배선 패턴(171)과 배선 패턴(191)은 입체 교차부를 가지지만, 입체 교차부에 대해서는 배선 패턴(191)이 하층배선, 수지 패턴(2)이 층간 절연막, 배선 패턴(171)이 상층배선이 되어 있고, 서로 도통하지 않고 교차하고 있다. 마찬가지로, 배선 패턴(191)과 배선 패턴(167), 배선 패턴(191)과 배선 패턴(168), 배선 패턴(191)과 배선 패턴(169), 배선 패턴(191)과 배선 패턴(170)은 각각, 입체 교차부를 구비하고 있다.
또한, 배선 패턴(191)과 배선 패턴(172), 배선 패턴(191)과 배선 패턴(173)은 입체 교차부를 가진다. 도 19에 나타내는 변형예에 있어서도, 도 17 및 도 18에 나타낸 구성과 동일한 효과를 발휘할 수 있다.
다음으로, 상기 제 6 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 대해서 도 20에 근거하여 이하에 설명한다. 도 20에 나타낸 바와 같이, 압전기판(100) 상에, 각 수지 패턴(2), 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(241, 242) 및 각 배선 패턴이 형성되어 있다. 도 20의 구성에서는, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(241)와, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(242)를 2단 종속 접속하고 있다. 또한, 패드(247)를 입력단자, 각 패드(250, 251)를 출력단자로서 이용하고 있다. 각 패드(248, 249, 252)는 접지 패드가 되어 있다.
각 배선 패턴(244, 245)은 일부가 수지 패턴(2) 상에 배치되어 있고, 그 부분에서는 압전기판(100)과 직접적으로는 접하고 있지 않다. 도 20에서는 각 배선 패턴(244, 245)만이 수지 패턴(2) 상에 배치되어 있지만, 모든 배선 패턴이 수지 패턴(2) 상에 배치된 부위를 가지고 있어도 좋다.
도 20에 나타낸 또 다른 변형예에 있어서도, 전기의 제 6 실시형태 및 그 각 변형예와 동일한 효과를 발휘할 수 있다.
이어서, 상기 제 6 실시형태에 있어서의 또 다른 변형예에 대해서 도 21에근거하여 이하에 설명한다. 도 21에 나타낸 바와 같이, 압전기판(100) 상에 수지 패턴(2), 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(241, 242), 및 각 배선 패턴이 형성되어 있다. 도 21에 있어서 도 20과 동일한 부재 번호를 부여한 부위는, 도 20과 동일한 기능을 가지는 부위이다.
배선 패턴(261)과 배선 패턴(262)은 입체 교차부를 가지고 있고, 입체 교차부에 대해서는 배선 패턴(261)이 하층배선, 수지 패턴(2)이 층간 절연막, 배선 패턴(262)이 상층배선이 되어 있어, 서로 도통하지 않고 교차하고 있다. 마찬가지로, 배선 패턴(261)과 배선 패턴(244), 배선 패턴(261)과 배선 패턴(263)은 입체 교차부를 각각 구비하고 있다. 그들 각 입체 교차부에 있어서, 사이에 수지 패턴(2)이 끼워져 형성되어 있다.
도 21에 나타낸 변형예에 있어서도, 상기 도 17에 나타낸 구성과 동일한 효과를 가진다.
다음으로, 상기 제 6 실시형태에 있어서의, 또 다른 변형예에 대해서 도 22에 근거하여 이하에 설명한다. 도 22에 나타낸 바와 같이, 각 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(310, 320)를 서로 종속 접속하고, 입력이 불평형형 단자이고 출력이 평형 단자인 평형-불평형형의 탄성 표면파 필터(309)를 구성하고 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(310)는 3개의 각 IDT(311, 312, 313)와 그들을 사이에 끼운 각 반사기(314, 315)로 구성되어 있다. 그리고, 중앙의 IDT(311)에 있어서의 한쪽의 전극지가 불평형 단자인 입력단자(330)에 접속되어 있고, IDT(311)의 다른 쪽의 전극지가 어스측의 배선 패턴(340)에 접속되어 있다. 또한, 어스측의 배선 패턴(340)은 그 양단측에 외부 어스에 접속하기 위한 각 어스 패드(341, 342)에 각각 접속되어 있다.
또한, 중앙의 IDT(311)의 양측(탄성 표면파의 전파방향을 따르는)에 각각 배치된 각 IDT(312, 313)는 각각의 IDT(312, 313)의 한쪽의 전극지가 각 배선 패턴을 개재해서 각 어스 패드(343, 344)에 각각 접속되어 있다. 또한, 각각의 IDT(312, 313)의 반대측이 되는 다른 쪽의 각 전극지는, 탄성 표면파 필터(309)의 종속 접속으로 이용하는 각 배선 패턴(361, 362)에 각각 접속되어 있다.
마찬가지로, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(320)는 3개의 각 IDT(321, 322, 323)와 반사기(324, 325)로 구성되어 있다. 그리고, 중앙의 IDT(321)에 있어서의 한쪽 편인 한쪽의 전극지가, 탄성 표면파의 전파방향을 따라 2분할되어 있고, 각 배선 패턴(363, 364)을 개재해서 평형단자인 각 출력단자(351, 352)에 각각 접속되어 있다.
게다가, IDT(321)의 반대측인 다른 쪽의 전극지가 부유전극(floating electrode)으로 설정되어 있다. 여기에서, IDT(321)의 반대측은, 부유전극이 되어 있지만, 경우에 따라서는 접지에 접속하는 구성을 행하여도 좋다. 또한, 중앙의 IDT(321)의 양측에 놓인 각 IDT(322, 323)는 각각의 IDT(322, 323)의 한쪽 편이 되는 한쪽의 각 전극지가 각 배선 패턴(382, 383)을 개재해서 어스 패드(346, 345)에 각각 접속되어 있다. 또한, 각각의 IDT(322, 323)의 반대측이 되는 다른 쪽의 각 전극지는, 탄성 표면파 필터(309)의 종속 접속에 이용하는 각 배선 패턴(362, 361)에 각각 접속되어 있다. 각 배선 패턴(361, 362)은 각각, 어스 패드(341)와 어스패드(342)를 접속하고 있는 배선 패턴(340)과 교차하고 있다. 여기에서, 배선 패턴(361, 362)은 배선 패턴(340)과 전기적으로 접속하지 않도록 배선 패턴(361, 362)의 하면에 수지 패턴(2a)이 형성되고, 배선 패턴(340)과 각각 교차하고 있다. 또한, 수지 패턴(2a)은 비유전율이 작은 폴리이미드 수지를 사용하고 있기 때문에, 각 배선 패턴(361, 362)과 어스와의 사이에 발생하는 부유용량을 감소할 수 있다. 이에 의해, 얻어진 탄성 표면파 필터(309)의 통과대역내의 반사특성을 개선할 수 있다.
또한, 이러한 탄성 표면파 필터(309)의 종속 접속에 이용하는 배선 패턴(361, 362)과 어스 배선인 배선 패턴(340)이, 각각 서로 교차하는 구조로 함으로써, 종래와 같이 본딩용의 큰 어스 패드를 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(310)와 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(320)의 사이에 형성할 필요가 없으므로, 평형-불평형형의 탄성 표면파 필터(309)를 대폭 소형화할 수 있다.
또한, 배선 패턴(363, 364)의 하면에는, 수지 패턴(2b)이 형성되어 있다. 이 때문에, 각 배선 패턴(363, 364)은 직접, 비유전율이 높은 압전기판에 접하지 않으므로, 배선 패턴(363)과 배선 패턴(364)의 사이에 들어가는 부유용량을 감소할 수 있다. 이 배선 패턴(363)과 배선 패턴(364)의 사이에 들어가는 부유용량은, VSWR에 나쁜 영향을 주므로, 이러한 구조로 함으로써 평형도의 개선을 도모할 수 있다.
(제 7 실시형태)
도 23(a) 및 도 23(b)에, 본 발명의 제 7 실시형태의 탄성 표면파 필터(301)를 나타낸다. 본 실시형태의 설명에서는, W-CDMA용의 수신용 필터를 예로 들어서설명을 행한다. 도 23(a)에 있어서의 X-X선을 따라 절단한 단면도를 도 23(b)에 나타낸다.
압전기판(100) 상에, 제1의 도체 패턴, 제2의 도체 패턴, 수지 패턴(2)이 형성되어 있다. 도 23(a)의 지면에 대한 수직방향의 위치관계는, 압전기판(100)을 가장 하로 하면, 예를 들면 도 23(b)에 나타낸 바와 같이, 아래부터 순서대로, 압전기판(100), 제1의 도체 패턴으로서의 수지 패턴(2), 제2의 도체 패턴으로 되어 있다. 압전기판(100)은 LiTaO3단결정으로, 표면파 전파방향은 X축 방향, 기판 컷트 각도는 Y축 회전 38.5°이다. 제1의 도체 패턴은 막두께 180㎚의 알루미늄 박막이다. 수지 패턴(2)는 막두께 2㎛의 폴리이미드막이다. 제2의 도체 패턴은 2층 박막이며, 하층이 두께 200㎚의 니크롬 박막, 상층이 두께 1140㎚의 알루미늄 박막이다.
제1의 도체 패턴에 의해, 3IDT 타이프의 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(202), 탄성 표면파 공진자(203), 탄성 표면파 공진자(204), 각 배선 패턴(205, 206)이 형성되어 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(202)는 표면파 전파방향을 따라, 반사기(207), IDT(208), IDT(209), IDT(210), 반사기(211)를 배열하여 형성되어 있다. 도 23(a)을 보면 알 수 있듯이, IDT(208)와 IDT(209)의 사이, 및 IDT(209)와 IDT(210)의 사이에 복수개의 전극지의 피치(도 23(a)의 212와 213의 부위)를 IDT의 다른 부분보다 좁게 하고, 더욱이 IDT-IDT 간격을 그 주변의 IDT의 파장의 약 0.5배로 하여, 벌크파로서 방출하는 성분에 의한 손실을 감소하고 있다. 탄성 표면파 공진자(203)는 반사기(214), IDT(215), 반사기(216)를 탄성 표면파의 전파방향에 배열하여 형성되어 있다. 탄성 표면파 공진자(204)는 반사기(217), IDT(218), 반사기(219)를 탄성 표면파의 전파방향에 배열하여 형성되어 있다.
종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(202)의 상세한 설계는, 협피치 전극지의 피치로 결정되는 파장을 각각 λI2, 그 밖의 전극지의 피치로 결정되는 파장을 각각 λI1, 반사기의 파장을 각각 λR이라고 하면, 이하 대로이다.
교차폭: 29.8λI1
IDT 개수(208, 209, 210의 순서): 36(4)/ (4)46(4)/ (4)36개 (괄호내는 피치를 좁게 한 전극지의 개수)
IDT 파장 λI1: 2.88㎛, λI2: 2.72㎛ (λI1은 피치를 좁게 하지 않은 부분, λI2는 피치를 좁게 한 부분)
반사기 파장 λR: 2.89㎛
반사기 개수: 220개
파장λI1과 λI2의 전극지에 끼워져 있는 부위의 IDT-IDT 간격: 0.25λI1＋0.25λI2
파장λI2의 전극지에 끼워져 있는 부위의 IDT-IDT 간격: 0.50λI2
IDT-반사기 간격: 0.55λR
IDT duty: 0.60
반사기 duty: 0.60
도 23(a)에 있어서는, 전극지 개수가 실제보다도 적게 그려져 있다.
각 2단자쌍 탄성 표면파 공진자(203, 204)의 상세한 설계에 대해서는 이하 대로이다. 도 23(a)에 있어서는, 전극지 개수가 실제보다도 적게 그려져 있다.
교차폭: 32.4λI
IDT 개수: 240
IDT 파장 및 반사기 파장 λI: 2.85㎛
반사기 개수: 30개
IDT-반사기 간격: 0.50λR
제2의 도체 패턴에 의해, 제1의 입력 패드(220), 제2의 입력 패드(221), 제2의 출력 패드(222), 제2의 출력 패드(223), 각 배선 패턴(224∼227)이 형성되어 있다.
배선 패턴(205)은 입력 패드(220)와 IDT(209)를 전기적으로 도통시키고 있다. 배선 패턴(206)은 입력 패드(221)와 IDT(209)를 전기적으로 도통시키고 있다. 배선 패턴(224)은 출력 패드(222)와 IDT(215)를 전기적으로 도통시키고 있다. 배선 패턴(225)은 IDT(215)와 각 IDT(208, 210)를 전기적으로 도통시키고 있다. 배선 패턴(226)은 IDT(218)와 각 IDT(208, 210)를 전기적으로 도통시키고 있다. 배선 패턴(227)은 출력 패드(223)와 IDT(218)를 전기적으로 도통시키고 있다.
여기에서, 각 배선 패턴(225, 226)은 일부가 수지 패턴(2) 상에 배치되어 있고, 그 부분에서는 압전기판(100)과 각 배선 패턴(225, 226)이 직접적으로는 접촉하지 않고 있다. 또한, 배선 패턴(225)은 배선 패턴(205)과 일부에서 입체 교차부를 가지지만, 입체 교차부는 배선 패턴(205)이 제1의 도체 패턴으로 이루어지는 하층배선, 수지 패턴(2)이 층간 절연막, 배선 패턴(225)이 제2의 도체 패턴으로 이루어지는 상층배선이 되어 있어서, 배선 패턴(225)과 배선 패턴(205)을 서로 도통하지 않고 교차시키고 있다.
또한, 배선 패턴(226)은 일부에서 배선 패턴(206)과 입체 교차부를 가지지만, 입체 교차부에 대해서도, 배선 패턴(206)이 제1의 도체 패턴으로 이루어지는 하층배선, 수지 패턴(2)이 층간 절연막, 배선 패턴(226)이 제2의 도체 패턴으로 이루어지는 상층배선이 되어 있어서, 서로 도통하지 않고 교차시키고 있다.
본 실시형태의 특징은, 출력신호가 흐르는 배선 패턴(225)는 일부가 수지 패턴(2) 상에 배치되어 있고, 그 부분에서는 압전기판(100)과 출력신호가 흐르는 배선 패턴(225)이 직접적으로는 접촉하고 있지 않은 점이다.
그 때문에, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(201)의 입력신호가 인가되는 배선 패턴(205) 및 입력 패드(220)와 출력신호가 흐르는 배선 패턴(225)과의 사이에 들어가는 기생용량의 값이, 수지 패턴(2)이 없는 경우와 비교하여 작아져 있다. 마찬가지로, 출력신호가 흐르는 배선 패턴(226)는 일부가 수지 패턴(2) 상에 배치되어 있고, 그 부분에서는 압전기판(100)과 출력신호가 흐르는 배선 패턴(226)이 직접적으로는 접촉하고 있지 않다.
그 때문에, 종결합 공진자형 탄성 표면파 필터(201)의 입력신호가 인가되는 배선 패턴(206) 및 입력 패드(221)와 출력신호가 흐르는 배선 패턴(226)과의 사이에 들어가는 기생용량의 값이, 수지 패턴(2)이 없는 경우와 비교하여 작아져 있다.
따라서 본실시형태에서는 전기의 제 1∼제 6 실시형태와 동일하게, 대역내 삽입손실이나 VSWR가 좋아진다는 효과를 가진다.
상기의 각 실시형태에 기재의 수지 패턴(2)으로서는 폴리이미드 이외에는, 에폭시 수지(유리-에폭시 등), 아크릴 수지를 사용할 수 있고, 또한, 수지가 보다 바람직하지만, 절연성을 구비하고 있다면 사용가능하므로, 세라믹 재료를 이용한 절연 패턴도 가능하다. 상기 세라믹 재료로서는 SiO2, SiN, Al2O3를 들 수 있다.
이어서, 도 24를 참조하면서, 본 발명의 탄성 표면파 필터를 탑재한 통신기(600)에 대하여 설명한다. 상기 통신기(600)는 수신을 행하는 리시버측(Rx측)으로서, 안테나(601), 안테나 공용부/RF Top 필터(602), 앰프(603), Rx 단간 필터(604), 믹서(605), 1st IF 필터(606), 믹서(607), 2nd IF 필터(608), 1st＋2nd 로컬 신시사이저(611), TCXO(temperature compensated crystal oscillator(온도 보상형 수정 발진기))(612), 디바이더(613), 로컬 필터(614)를 구비해서 구성되어 있다. Rx 단간 필터(604)에서부터 믹서(605)로는 도 24에 이중선으로 나타낸 바와 같이, 밸런스성을 확보하기 위해서 각 평형 신호로 송신하는 것이 바람직하다.
또한, 상기 통신기(600)는 송신을 행하는 트랜스미터측(Tx측)으로서, 상기 안테나(601) 및 상기 안테나 공용부/RF Top 필터(602)를 공용하는 동시에, Tx IF 필터(621), 믹서(622), Tx 단간 필터(623), 앰프(624), 커플러(625), 아이솔레이터(626), APC(automatic power control(자동출력제어))(627)를 구비해서 구성되어 있다.
그리고, 상기 안테나 공용부/RF Top 필터(602), Rx 단간 필터(604), Tx 단간 필터(623)에는 상술한 본 각 실시형태에 기재된 탄성 표면파 필터를 적합하게 이용할 수 있다.
따라서, 상기 통신기는 이용한 탄성 표면파 필터가, 양호한 전송특성(통과대역이 광대역, 통과대역외의 대감쇠량)을 구비함으로써, 양호한 송수신 기능과 함께 소형화를 도모할 수 있도록 되어 있다.
본 발명의 탄성 표면파 필터 및 그것을 이용한 통신기는 수지(절연)패턴을 형성함으로써, 각 배선(도체)패턴간의 기생용량에 기인하는, 통과대역내의 삽입손실의 증가나, 통과대역외(특히, 고주파수측)의 억압도(감쇠량)의 저하라는 전송특성의 열화를 경감할 수 있고, 전송특성을 개선할 수 있는 동시에 소형화할 수 있기 때문에, 통신의 분야에 적합하게 이용할 수 있다.
본 발명의 탄성 표면파 필터는, 이상과 같이 압전기판 상에 형성된 상기 압전기판보다도 작은 유전율을 구비하는 절연 패턴; 상기 압전기판의 위 및 절연 패턴의 적어도 한쪽의 위에 형성된 도체 패턴; 을 구비하고, 상기 도체 패턴의 일부가 IDT를, 잔여의 부분의 일부가 배선 패턴을 각각 형성하고, 또한 서로 다른 전위를 가지는 배선 패턴끼리가 평면방향에서 보았을 때 대향하는 부분에 있어서, 적어도 한쪽의 배선 패턴의 적어도 일부가, 절연 패턴 상에 형성되어 있는 구성이다.
그러므로, 상기 구성은 압전기판보다도 유전율이 작은 절연 패턴 상에, 도체 패턴의 잔여부분 중 적어도 일부를 형성함으로써, 상기 잔여의 적어도 일부는, 압전기판과 사이에 절연 패턴이 삽입된 상태가 된다.
이에 의해, 상기 구성은 상기 잔여의 적어도 일부의 도체 패턴과, 다른 부분의 도체 패턴과의 사이에 형성되는 기생용량을 상기 절연 패턴에 의해 감소할 수 있고, 상기 기생용량에 기인하는, 전송특성(통과대역내에서의 삽입손실, 통과대역외의 억압도등)을 개선할 수 있다는 효과를 가진다.

Claims (21)

  1. 압전기판;
    상기 압전기판 상에 형성된 상기 압전기판보다도 작은 유전율을 구비하는 절연 패턴;
    상기 압전기판의 위 및 절연 패턴의 적어도 한쪽의 위에 형성된 도체 패턴; 을 적어도 구비하고,
    상기 도체 패턴의 일부가 빗형전극부를, 잔여의 부분의 일부가 배선 패턴을 각각 구성하고, 또한 서로 다른 전위를 가지는 배선 패턴끼리가 평면방향에서 보았을 때 대향하는 부분에 있어서,
    상기 절연 패턴 상에, 적어도 한쪽의 배선 패턴의 적어도 일부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  2. 제 1항에 있어서, 상기 도체 패턴은 상기 압전기판 상에 형성되어, 일부가 빗형전극부를 형성하는 제1의 도체 패턴; 상기 제1의 도체 패턴과 도통하고, 일부가 상기 절연 패턴 상에 형성되어 있는 제2의 도체 패턴; 을 포함하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  3. 압전기판;
    상기 압전기판 상에 형성되어, 일부가 빗형전극부를 형성하고, 잔여의 부분중 적어도 일부가 제1의 배선 패턴을 형성하고 있는 제1의 도체 패턴;
    상기 압전기판상, 및 상기 제1의 배선 패턴 상에 형성된 절연 패턴;
    상기 압전기판상 및 상기 절연 패턴 상에 형성되어, 적어도 일부가 제2의 배선 패턴을 형성하고, 또한 상기 제1의 도체 패턴과 도통하고 있는, 제2의 도체 패턴; 을 구비하고,
    제1의 배선 패턴과 제2의 배선 패턴에서, 서로 다른 전위를 가지는 배선 패턴끼리가 평면방향에서 보았을 때 대향하는 부분에 있어서,
    상기 절연 패턴 상에, 적어도 한쪽의 배선 패턴의 적어도 일부가 형성되어 있는 동시에,
    상기 제1의 배선 패턴과 제2의 배선 패턴이 상기 절연 패턴을 개재해서 교차하고 있는 부분을 적어도 1군데 가지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  4. 제 1항에 있어서,상기 서로 전위가 다른 배선 패턴 중, 한쪽은 입력신호가 인가되는 배선 패턴이고, 다른 쪽은 출력신호가 인가되는 배선 패턴인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  5. 압전기판 상에 형성한 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자를 가지는 래더형 회로구성의 탄성 표면파 필터로서,
    상기 압전기판; 상기 압전기판 상에 형성된 상기 압전기판보다도 작은 유전율을 구비하는 절연 패턴; 상기 압전기판의 위 및 절연 패턴의 적어도 한쪽의 위에형성된 도체 패턴; 을 적어도 구비하고,
    상기 도체 패턴의 일부가 빗형전극부를, 잔여의 부분의 일부가 배선 패턴을 각각 구성하고,
    상기 절연 패턴 상에, 배선 패턴의 적어도 일부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  6. 압전기판 상에 형성한 직렬암 공진자 및 병렬암 공진자를 가지는 래더형 회로구성의 탄성 표면파 필터로서,
    상기 압전기판; 상기 압전기판 상에 형성되어, 일부가 빗형전극부를 형성하고, 잔여의 부분 중 적어도 일부가 제1의 배선 패턴을 형성하고 있는 제1의 도체 패턴; 상기 압전기판상, 및 상기 제1의 배선 패턴 상에 형성된 절연 패턴; 상기 압전기판상 및 상기 절연 패턴 상에 형성되어 적어도 일부가 제2의 배선 패턴을 형성하고, 또한 상기 제1의 도체 패턴과 도통하고 있는 제2의 도체 패턴; 을 구비하고,
    상기 절연 패턴 상에, 적어도 한쪽의 배선 패턴의 적어도 일부가 형성되어 있는 동시에,
    상기 제1의 배선 패턴과 제2의 배선 패턴이 상기 절연 패턴을 개재해서 교차하고 있는 부분을 적어도 1군데 가지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  7. 제 6항에 있어서, 상기 제2의 배선 패턴의 일부는 어스 패드끼리를 직접 도통하는 배선 패턴이고,
    상기 배선 패턴은 상기 절연 패턴을 개재해서 상기 제1의 배선 패턴과 교차하고 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  8. 제 5항에 있어서, 상기 배선 패턴은 어스 패드와 병렬암 공진자의 사이를 도통하는 배선 패턴 이외의 부분에 있어서, 상기 배선 패턴의 적어도 일부가 절연 패턴 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  9. 제 5항에 있어서, 하나의 압전기판 상에 복수의 필터 요소가 형성된 멀티플 필터인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  10. 압전기판 상에 형성한 직렬암 공진자 및 격자암 공진자를 가지는 래티스형 회로구성의 탄성 표면파 필터로서,
    상기 압전기판; 상기 압전기판 상에 형성된 상기 압전기판보다도 작은 유전율을 구비하는 절연 패턴; 상기 압전기판의 위 및 절연 패턴의 적어도 한쪽의 위에 형성된 도체 패턴; 을 적어도 구비하고,
    상기 도체 패턴의 일부가 빗형전극부를, 잔여의 부분의 일부가 배선 패턴을 각각 구성하고,
    상기 절연 패턴 상에, 배선 패턴의 적어도 일부가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  11. 압전기판 상에 형성한 직렬암 공진자 및 격자암 공진자를 가지는 래티스형 회로구성의 탄성 표면파 필터로서,
    상기 압전기판; 상기 압전기판 상에 형성되어, 일부가 빗형전극부를 형성하고, 잔여의 부분 중 적어도 일부가 제1의 배선 패턴을 형성하고 있는 제1의 도체 패턴; 상기 압전기판상, 및 상기 제1의 배선 패턴 상에 형성된 절연 패턴; 상기 압전기판상 및 상기 절연 패턴 상에 형성되어, 적어도 일부가 제2의 배선 패턴을 형성하고, 또한 상기 제1의 도체 패턴과 도통하고 있는 제2의 도체 패턴; 을 구비하고,
    상기 절연 패턴 상에, 적어도 한쪽의 배선 패턴의 적어도 일부가 형성되어 있는 동시에,
    상기 제1의 배선 패턴과 제2의 배선 패턴이 상기 절연 패턴을 개재해서 교차하고 있는 부분을 적어도 1군데 가지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  12. 제 10항에 있어서, 상기 절연 패턴의 비유전율이 4미만인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  13. 제 10항에 있어서, 상기 절연 패턴은 수지로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  14. 제 10항에 있어서, 상기 절연 패턴의 두께가 0.5㎛이상인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  15. 제 10항에 있어서, 상기 압전기판의 비유전율은 20이상인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  16. 제 15항에 있어서, 상기 압전기판은 LiTaO3, LiNbO3,및 Li2B4O7중 어느 하나로 이루어지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  17. 제 10항에 있어서, 통과대역의 중심주파수가 500㎒ 이상인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  18. 제 10항에 있어서, 통과대역의 중심주파수가 1㎓ 이상인 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  19. 제 1항에 있어서, 상기 탄성 표면파 필터가 평형-불평형 변환기능을 가지는 동시에, 평형 신호단자와 불평형 신호단자를 가지는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  20. 제 19항에 있어서, 상기 평형 신호단자에 접속되어 있는 배선 패턴과, 상기불평형 신호단자에 접속되어 있는 배선 패턴 중, 적어도 한쪽의 배선 패턴이, 상기 절연 패턴 상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성 표면파 필터.
  21. 제 1항 내지 제 20항 중 어느 한 항에 기재된 탄성 표면파 필터를 탑재한 것을 특징으로 하는 통신기.
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