KR20040075703A - 반도체 레이저 구동 회로 - Google Patents

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Abstract

배선수를 감소시켜, 배선 길이의 차이에 의한 펄스의 타이밍 어긋남도 해소할 수 있는 동시에, 고전송 레이트 시의 발광 시간의 보다 짧은 광 펄스의 발광을 가능하게 할 수 있는 반도체 레이저 구동 회로이다. 한 계통의 아날로그 신호 입력을 구비하는 이미터 접지 회로(18)는 입력 단자(18a)로부터 입력된 전압 신호(J1)를 전류 신호로 변환하는 동시에, 재생 시에 고주파 발진 회로(20)로부터 출력되는 신호가 이미터 접지 회로(18)의 전류 신호에 가산하도록 구성한다. (J1)측의 신호는 트랜지스터(Q6)의 대역 내에서 고역(高域)을 부스트(boost)하는 한편, 고주파 발진 회로(20)의 출력 신호는 트랜지스터(Q6)의 베이스 접지 회로에 의해 신호의 열화를 최소한으로 억제한다. 그리고, 전류 스위치 회로(16)는 다음 단의 전류 미러 회로(12)에 입력되는 전류를 차단 또는 통과시켜, 전류 미러 회로(12)의 출력 전류를 차단 또는 출력시킨다.

Description

반도체 레이저 구동 회로 {SEMICONDUCTOR LASER DRIVE CIRCUIT}
광학 디스크 장치의 반도체 레이저는 광 디스크로부터의 정보 재생에 사용되며, 또한 CD-RW로 알려진 상(相) 변화형 광 디스크 등의 재기록 가능한 광 디스크의 경우에는 광 디스크에 대한 정보의 기록에도 이용되고 있다.
이와 같은 반도체 레이저의 레이저 광 출력 레벨은 광 디스크에 대하여 정보를 기록하는가, 또는 재생하는가, 또는 소거하는가에 따라 변환되는 구성으로 되어 있다. 예를 들면, 재생 시에는 기록 시보다 출력 레벨이 낮은 레이저 광을 광 디스크에 조사함으로써, 광 디스크의 기록 피트를 파괴하지 않고 정보를 판독하도록 하고 있다.
그런데, 광 디스크로부터 정보를 재생하기 위해 광 디스크에 조사(照射)된 레이저 광은 광 디스크로부터 반사되어 광전 변환 소자에 인도되지만, 그 반사광의 일부는 동시에 광원인 반도체 레이저측에도 입사 된다. 그 결과, 이 복귀광과 조사광이 간섭하여 스쿠프 노이즈, 모드 호핑 노이즈가 발생하여 재생 신호의 C/N 열화의 원인이 되고 있다.
그래서, 종래의 반도체 레이저 구동 회로에서는, 반도체 레이저의 구동 전류에 200MHz~600MHz의 고주파 전류를 중첩시키는 고주파 중첩법이 이용되며, 이에 따라, 상기 노이즈의 저감이 도모되고 있다.
한편, 광 디스크에 정보를 기록하는 경우에는, 정보의 기록 밀도를 높이고, 또한 정보의 전송 속도를 높이기 위해, 반도체 레이저의 출력에 대하여 펄스폭 변조를 실행하고, 또한 강도 변조를 실행하는 방식이 채용되고 있다. 이 방식에서는, 레이저 광의 강도를 복수의 레벨로 변환할 필요가 있고, 또 전송 레이트화에 따라 레이저 광의 최단 펄스폭도 수 ns 정도까지 짧아지고 있다.
이와 같은 요구를 만족시키기 위해서는 , 반도체 레이저 구동 회로의 응답 레이트가 고속일 것이 필요 조건이며, 바꾸어 말하면 광대역의 반도체 레이저 구동 회로가 필요하게 된다.
그러나, 종래의 상 변화형 광 디스크 등에 이용되는 반도체 레이저 구동 회로는 반도체 레이저의 입력 단자에서 펄스 전류원을 가산하는 방식의 것은 전류원의 출력에 기생하는 용량, 또는 레이저의 복귀광에 의한 스쿠프 노이즈를 경감하기 위한 고주파 중첩 방식의 것은 반도체 레이저의 입력 단자와 고주파 발진기의 출력 사이에 있는 커플링 콘덴서에 의해 대역을 좁히는 경향이 있어, 결과적으로 응답 시간이 늦어지는 경향이 있다. 또 레이저 구동부와 파형 발생부의 구성이 일체형이기 때문에, 반도체 레이저의 구동 제어에 주지 않으면 안 되는 신호가 많아지고, 또한 복수의 펄스 신호를 전송할 때에 배선 길이의 차이에 의한 타이밍의 어긋남이발생해 버려, 이것을 경감하는 것은 지극히 곤란해진다. 또 회로 구성은 구동부만 비교하여 복잡하게 되며, 그 만큼 소자수도 많아지므로, 소비 전력이 켜 방열 처리의 면에서도 불리하게 된다.
본 발명은 상기와 같은 종래의 문제를 해결하기 위해 이루어진 것이며, 그 목적은 배선수를 감소시켜, 배선 길이의 차이에 의한 펄스의 타이밍 어긋남도 해소할 수 있는 동시에, 고전송 레이트 시의 발광 시간의 보다 짧은 광 펄스의 발광을 가능하게 한다. 또 저노이즈형 레이저 및 고출력형 레이저의 변환도 가능하게 한 반도체 레이저 구동 회로를 제공하는 것에 있다.
본 발명은 광 디스크에 레이저 광을 조사함으로써 광 디스크에 대한 정보의 기록 및 소거 및 광 디스크로부터의 정보를 재생하는 광학 디스크 장치에 내장하여 사용되는 반도체 레이저 구동 회로에 관한 것이다.
도 1는 본 발명의 반도체 레이저 구동 회로에 있어서의 레이저 구동부의 구성을 나타낸 1 레이저 사양의 블록도이다.
도 2는 도 1에 있어서의 레이저 구동부의 회로 구성의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에 있어서의 2 레이저 사양의 레이저 구동부의 회로 구성을 나타내는 회로도이다.
도 4는 본 발명의 반도체 레이저 구동 회로에 있어서의 파형 발생부의 구성을 나타내는 블록도이다.
도 5는 도 4에 있어서의 파형 발생부의 회로 구성의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 6은 본 발명의 파형 발생부에 있어서의 설명용 타이밍 차트이다.
상기 목적을 달성하기 위해 본 발명은 상 변화형 광 디스크에 레이저 광을 조사하여 상기 광 디스크에 대한 기록 및 소거 및 상기 광 디스크로부터의 정보를 재생하는 광학 디스크 장치에 내장하여 사용되는 반도체 레이저의 구동 회로로서, 상기 기록 및 소거 및 재생에 있어서 상기 기록 및 소거 및 재생에 대응한 레이저 광을 발생시키기 위한 전기 신호를 생성하는 파형 발생부와, 상기 전기 신호를 상기 파형 발생부로부터 출력하는 한 계통의 라인과, 상기 한 계통의 라인에 출력된 상기 전기 신호에 비례한 전류를 상기 반도체 레이저에 공급하여 당해 반도체 레이저를 구동하는 레이저 구동부를 구비하는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 반도체 레이저 구동 회로에서는, 파형 발생부에서 기록 및 소거 및 재생에 있어서 기록 및 소거 및 재생에 대응한 레이저 광을 발생시키기 위한 전기 신호를 생성한다. 그리고, 레이저 구동부는 한 계통의 라인에 출력된 전기 신호에 비례한 전류를 반도체 레이저에 공급하여 당해 반도체 레이저를 구동한다.
따라서, 배선수가 감소되고, 배선 길이의 차이에 의한 펄스의 타이밍 어긋남도 해소할 수 있는 동시에, 고전송 레이트 시의 발광 시간의 보다 짧은 광 펄스의 발광이 가능하게 된다.
다음에 본 발명의 실시예에 대하여 도면을 참조하여 설명한다.
도 1은 본 발명의 반도체 레이저 구동 회로에 있어서의 레이저 구동부의 구성을 나타내는 1 레이저 사양의 블록도, 도 2는 도 1에 있어서의 레이저 구동부의회로 구성의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 1 및 도 2에서, 반도체 레이저 구동 회로(10)는 전류 미러 회로(current mirror circuit)(12), 베이스 접지 회로(14), 전류 스위치 회로(16), 이미터 접지 회로(전압 전류 변환 회로)(18), 고주파 발진 회로(20)및 결합 회로(22)를 구비하고 있다.
상기 전류 미러 회로(12)는 재생, 기록 및 소거의 각 모드 선택 시에 레이저 다이오드(LD1)를 발광하기 위해 레이저 다이오드(LD1)에 전류를 공급하기 위한 것이며, 베이스를 공통으로 접속한 PNP형의 트랜지스터(Q1, Q2)와, 저항(R1, R2) 및 콘덴서(C2)로 이루어지며, 트랜지스터(Q1, Q2)의 이미터는 저항(R1, R2)을 통해 전원(Vcc1)에 접속되며, 콘덴서(C2)는 저항(R2)에 병렬로 접속된다.
상기 베이스 접지 회로(14)는 레이저 다이오드(LD1)를 발광하기 위해 레이저 다이오드(LD1)를 전류 구동하는 것이며, PNP형의 트랜지스터(Q5)와 저항(R3, R6) 및 콘덴서(C4)로 이루어지며, 트랜지스터(Q5)의 이미터는 전류 미러 회로(12)의 트랜지스터(Q2)의 컬렉터에 저항(R3)을 통해 접속되며, 트랜지스터(Q5)의 컬렉터와 그라운드 사이에는 레이저 다이오드(LD1)가 접속되어 있다. 또 트랜지스터(Q5)의 베이스는 저항(R6)을 통해 전원(Vcc3)에 접속되어 있다.
상기 전류 스위치 회로(16)는 레이저 다이오드(LD1)를 온 오프 제어하기 위한 것이며, 저항(R7)을 통해 이미터를 공통으로 접속한 이미터 결합형의 NPN형 트랜지스터(Q3, Q4)와, 트랜지스터(Q3)의 베이스에 접속한 저항(R4, R8)과, 트랜지스터(Q4)의 베이스에 접속한 저항(R5) 및 콘덴서(C3)와, 트랜지스터(Q3)의 베이스에접속한 스위치용의 트랜지스터(Q7) 및 저항(R12, R16)으로 이루어지며, 트랜지스터(Q3)의 컬렉터는 전원(Vcc1)에 직결되고, 트랜지스터(Q4)의 컬렉터는 전류 미러 회로(12)의 트랜지스터(Q1)의 컬렉터 및 베이스에 접속되고, 또한 트랜지스터(Q4)의 베이스는 저항(R5)을 통해 전원(Vcc2)에 접속되어 있다.
또 트랜지스터(Q7)의 베이스에는 저항(R12)을 통해 레이저 다이오드 이네이블 신호(LD_En)를 입력하기 위한 입력 단자(16a)가 접속되어 있다.
상기 이미터 접지 회로(18)는 NPN형 트랜지스터(Q6) 및 저항(R14, R15)을 구비하고, 트랜지스터(Q6)의 베이스는 아날로그 신호 입력 단자(18a)에 접속되고, 이 아날로그 신호 입력 단자(18a)에는 파형 발생부(30)로부터 출력되는 전기 신호, 즉 아날로그 신호(J1)가 한 계통의 라인(301)을 통해 인가될 수 있도록 구성되어 있다.
또 트랜지스터(Q6)의 컬렉터는 전류 스위치 회로(16)의 트랜지스터(Q3, Q4)의 이미터에 공통으로 접속되고, 또한 트랜지스터(Q6)의 이미터는 저항(R10)과 콘덴서(C6)와의 결합 회로(22)를 통해 고주파 발진 회로(20)의 출력단에 접속되어 있다.
상기 고주파 발진 회로(20)는 재생 신호의 C/N의 열화를 방지하기 위해 레이저 다이오드(LD1)의 구동 전류에 중첩시키는 200MHz~600MHz의 고주파 전류를 발진시키는 것이며, NPN형의 트랜지스터(Q8, Q9)와 저항(R9, R11, R13, R17~R19)과 콘덴서(C5, C7~C9) 및 코일(L1)로 이루어지며, 트랜지스터(Q8)의 컬렉터는 전원(Vcc4)에 접속되고, 트랜지스터(Q9)의 베이스에는 고주파 중첩용 온/오프 신호인 HF_En 신호를 입력하기 위한 HF_En 입력 단자(20a)가 접속되어 있다.
다음에, 이와 같이 구성된 본 실시예에 있어서의 반도체 레이저 구동 회로의 동작에 대하여 설명한다.
먼저, 광 디스크의 재생 시에 대하여 설명한다.
아날로그 신호 입력 단자(18a)에 인가된 전압 신호(J1)는 이미터 접지 회로(18)의 트랜지스터(Q6)의 베이스에 입력된다.
한편, 재생 시에 고주파 발진 회로(20)의 HF_En 입력 단자(20a)에 가해지는 고주파 중첩용 온/오프 신호는 「L」레벨로 설정된다. 이 때문에, 트랜지스터(Q9)가 오프 되고, 트랜지스터(Q8)가 온이 된다. 이에 띠리, 고주파 발진 회로(20)가 발진 동작되고, 그 출력 신호는 저항(R10)을 통해, 이미터 접지 회로(18)의 트랜지스터(Q6)의 이미터에 입력된다. 그러면, 트랜지스터(Q6)의 컬렉터에는 고주파 발진 신호와의 전압 신호(J1)를 가산한 전류 신호가 흐른다. 여기에서, 아날로그 신호 입력 단자(18a)에 인가된 전압 신호(J1)는 직류 전압이므로, 트랜지스터(Q6)의 컬렉터에는 전류(iQ6-C)가 흐르고, 이 전류(iQ6-C)는 다음 식으로 표현된다.
또 IDC, iHF는 다음 식으로 표현된다.
여기에서, VQ6-b는 트랜지스터(Q6)의 베이스 전압, VQ6-be는 트랜지스터(Q6)의 베이스-이미터 간 전압, VQ8-e는 트랜지스터(Q8)의 이미터 진폭 전압이다.
또 재생 시의 전류 스위치 회로(16)에 있어서, 그 입력 단자(16a)에 가해진 레이저 다이오드 이네이블 신호(LD_En)가 「H」레벨인 경우에는, 트랜지스터(Q7)가 온되기 때문에, 트랜지스터(Q3)는 오프되고 트랜지스터(Q4)가 온된다. 그 결과, 상기 전류 신호(iQ6-c)는 전류 스위치 회로(16)의 트랜지스터(Q4)를 통해 흐르게 된다. 이 때문에, 전류 미러 회로(12)가 동작하고, 전류 미러 회로(12)로부터는 그 입력 신호에 비례한 전류 신호가 출력되고, 이 전류 신호는 베이스 접지 회로(14)를 통해 레이저 다이오드(LD1)에 공급된다. 이에 따라, 레이저 다이오드(LD1)는 점등되고, 전류 신호에 대응하는 강도의 레이저 광이 도시하지 않은 광 디스크에 조사되고, 그 반사광에 의해 정보가 재생 된다.
또 전류 스위치 회로(16)의 입력 단자(16a)에 가해진 레이저 다이오드 이네이블 신호(LD_En)가 「L」레벨인 경우에는, 트랜지스터(Q7)가 오프되기 때문에, 트랜지스터(Q3)는 온되고 트랜지스터(Q4)가 오프 된다. 그 결과, 트랜지스터(Q6)의 컬렉터에는 전원(Vcc1)으로부터 트랜지스터(Q3) 및 저항(R7)을 통해 전류 신호(iQ6-c)가 흐른다. 그리고, 전류 미러 회로(12)가 정지되고, 레이저 다이오드(LD1)는 소등된다.
다음에, 기록 가능한 광 디스크의 기록 및 소거 시의 동작에 대하여, 도 1을 참조하여 설명한다.
아날로그 신호 입력 단자(18a)에 인가된 전압 신호(J1)는 이미터 접지회로(18)의 트랜지스터(Q6) 베이스에 입력된다.
한편, 기록 및 소거 시에 고주파 발진 회로(20)의 HF_En 입력 단자(20a)에 가해지는 고주파 중첩용 온/오프 신호는 「H」레벨로 설정된다. 이 때문에, 트랜지스터(Q9)가 온되고, 트랜지스터(Q8)가 오프로 된다. 이에 따라, 고주파 발진 회로(20)의 비동작 상태로 되기 때문에, 고주파 발진 회로(20)의 출력은 0볼트이다. 이 경우, 이미터 접지 회로(18)의 트랜지스터(Q6) 컬렉터에는 고주파 발진 신호와 전압 신호(J1)를 가산한 전류 신호가 흐르지만, 고주파 발진 회로(20)의 발진 진폭이 제로이며, 입력 단자(18a)에는 직류 전압이 인가되고 있으므로, 트랜지스터(Q6)의 컬렉터에는 전류(iQ6-C)가 흐르며, 이 전류(iQ6-C)는 다음 식으로 표현된다.
또 IDC는 다음 식으로 나타내진다.
여기에서, VQ6-b는 트랜지스터(Q6)의 베이스 전압, VQ6-be는 트랜지스터(Q6)의 베이스-이미터 간 전압이다.
또 기록 및 소거 시의 전류 스위치 회로(16)에 있어서, 그 입력 단자(16a)에 가해진 레이저 다이오드 이네이블 신호(LD_En)가 「H」레벨인 경우에는, 트랜지스터(Q7)가 온되기 때문에, 트랜지스터(Q3)는 오프되고 트랜지스터(Q4)가 온된다. 그 결과, 상기 전류 신호(iQ6-c)는 전류 스위치 회로(16)의 트랜지스터(Q4)를 통해흐르게 된다. 이 때문에, 전류 미러 회로(12)가 동작되고, 전류 미러 회로(12)로부터는 그 입력 신호에 비례한 전류 신호가 출력되고, 이 전류 신호는 베이스 접지 회로(14)를 통해 레이저 다이오드(LD1)에 공급된다. 이에 따라, 레이저 다이오드(LD1)는 점등되고, 전류 신호에 대응하는 강도의 레이저 광이 도시하지 않은 광 디스크에 조사되면, 레이저 광의 열로 광 디스크의 기록층을 결정 상태 또는 비결정질 상태로 변화시켜 데이터를 재기록한다.
또 전류 스위치 회로(16)의 입력 단자(16a)에 가해진 레이저 다이오드 이네이블 신호(LD_En)가 「L」레벨인 경우에는, 트랜지스터(Q7)가 오프되기 때문에, 트랜지스터(Q3)는 온되고 트랜지스터(Q4)가 오프된다. 그 결과, 트랜지스터(Q6)의 컬렉터에는 전원(Vcc1)으로부터 트랜지스터(Q3) 및 저항(R7)을 통해 전류 신호(iQ6-c)가 흐른다. 그리고, 전류 미러 회로(12)가 정지되고, 레이저 다이오드(LD1)는 소등된다.
이와 같은 실시예에서의 반도체 레이저 구동 회로에 의하면, 한 계통의 아날로그 신호 입력을 구비하는 이미터 접지 회로(18)는 그 입력 단자(18a)로부터 입력된 전압 신호(J1)를 전류 신호로 변환하는 동시에, 재생 시에 고주파 발진 회로(20)로부터 출력되는 신호가 이미터 접지 회로(18)의 전류 신호에 가산하는 트랜지스터(Q6)의 이미터에 입력되도록 구성했으므로, J1측의 신호는 트랜지스터(Q6)의 대역 내에서 고역이 부스트되는 한편, 고주파 발진 회로(20)의 출력 신호는 이 출력단으로부터 본 경우, 트랜지스터(Q6)는 베이스 접지 회로로서 작용하므로, 신호의 열화는 최소한으로 억제된다.
전류 스위치 회로(16)는 다음 단의 전류 미러 회로(12)에 입력되는 전류를 차단 또는 통과시켜, 전류 미러 회로(12)의 출력 전류를 차단 또는 출력시키기 위한 것이다. 또 전류 스위치 회로(16)가 전류 미러 회로(12)측을 선택하고 있는 경우, 트랜지스터(Q4)는 베이스 접지 회로와 등가로 되어, 트랜지스터(Q6)에서 발생하는 미러 효과를 경감한다. 또 전류 미러 회로(12)는 트랜지스터(Q6)[또는 트랜지스터(Q4)]에서 얻어진 전류의 방향을 반전(Sink형→Source형)시키기 위한 것이다. 또한 트랜지스터(Q5)의 베이스 접지 회로는 유입 전류에 의해 변화되는 반도체 레이저의 미분 저항의 영향을 경감하고, 특히 소전류 구동의 경우, 반도체 레이저의 미분 저항의 증대에 의한 트랜지스터(Q2)의 미러 효과를 경감할 수 있다.
도 3에 의해 본 발명에 관한 반도체 레이저 구동 회로의 다른 실시예에 대하여 설명한다.
도 3은 본 발명의 다른 실시예에서의 2 레이저 사양(仕樣)의 레이저 구동부의 회로 구성을 나타내는 회로도이다.
이 도 3에서, 반도체 레이저 구동 회로(10)는 도 2에 나타내는 경우와 동일하게 구성된 전류 미러 회로(12), 전류 스위치 회로(16), 이미터 접지 회로(18), 고주파 발진 회로(20)및 결합 회로(22)를 가지는 외에 기록·소거용 레이저 다이오드(LD1)에 전류 미러 회로(12)로부터의 전류를 공급하는 제1 베이스 접지 회로(14A)와, 재생용 레이저 다이오드(LD2)에 전류 미러 회로(12)로부터의 전류를 공급하는 제2 베이스 접지 회로(14B)와, 전류 미러 회로(12)로부터 제1 베이스 접지 회로(14A) 또는 제2 베이스 접지 회로(14B)로의 전류 경로의 스위칭을 실행하는스위치 회로(24)를 구비하고 있다.
상기 제1 베이스 접지 회로(14A)는 PNP형의 트랜지스터(Q5)를 가지며, 이 트랜지스터(Q5)의 이미터는 저항(R3)을 통해 전류 미러 회로(12)의 트랜지스터(Q2)의 컬렉터에 접속되며, 트랜지스터(Q5)의 컬렉터와 그라운드 사이에는 기록·소거용 레이저 다이오드(LD1)가 접속되어 있다. 또 트랜지스터(Q5)의 베이스는 저항(R6)을 통해 전원(Vcc3)에 접속되며, 또한 콘덴서(C4)를 통해 그라운드에 접속되어 있다. 또 트랜지스터(Q5)의 베이스와 전원(Vcc1) 사이에는 트랜지스터(Q5)를 온·오프 제어하는 트랜지스터(Q11)의 컬렉터 및 이미터가 접속되어 있다.
상기 제2 베이스 접지 회로(14B)는 PNP형의 트랜지스터(Q10)를 가지며, 이 트랜지스터(Q10)의 이미터는 저항(R3)을 통해 전류 미러 회로(12)의 트랜지스터(Q2)의 컬렉터에 접속되며, 트랜지스터(Q10)의 컬렉터와 그라운드 사이에는 재생용 레이저 다이오드(LD2)가 접속되어 있다. 또 트랜지스터(Q10)의 베이스는 저항(R20)을 통해 전원(Vcc3)에 접속되고, 또한 콘덴서(C4)를 통해 그라운드에 접속되어 있다. 또 트랜지스터(Q10)의 베이스와 전원(Vcc1) 사이에는 트랜지스터(Q10)를 온·오프 제어하는 트랜지스터(Q12)의 컬렉터 및 이미터가 접속되어 있다.
상기 스위치 회로(24)는 이미터를 공통으로 접속한 트랜지스터(Q13, Q14)를 구비하고, 이 양 트랜지스터(Q13, Q14)의 이미터는 공통의 저항(R25)을 통해 그라운드에 접속되어 있다.
트랜지스터(Q13)의 컬렉터는 저항(R21, R23)을 통해 전원(Vcc1)에 접속되고,이 저항(R21과 R23)과의 접속점은 상기 트랜지스터(Q12)의 베이스에 접속되어 있다. 또한 트랜지스터(Q13)의 베이스에는 고주파 중첩용 온/오프 신호인 HF_En 신호를 입력하기 위한 HF_En 입력 단자(20a)가 저항(R28)을 통해 접속되어 있다.
또 트랜지스터(Q14)의 컬렉터는 저항(R22, R24)을 통해 전원(Vcc1)에 접속되고, 이 저항(R22와 R24)과의 접속점은 상기 트랜지스터(Q11)의 베이스에 접속되어 있다. 또한 트랜지스터(Q14)의 베이스에는 바이어스 저항(R26, R27)이 접속되어 있다.
이와 같은 반도체 레이저 구동 회로에 있어서, 광 디스크의 재생, 기록 및 소거 시의 동작은 상기 도 2에 나타내는 경우와 기본적으로 동일하지만, 도 2와 상이한 점은 스위치 회로(24)가 고주파 중첩용 온/오프 신호인 HF_En 신호의 「H」, 「L」에 따라 전류 미러 회로(12)로부터 제1 베이스 접지 회로(14A) 또는 제2 베이스 접지 회로(14B)로의 전류 경로가 스위칭되는 점에 있다.
즉, 재생 시에 있어서, HF_En 신호가 「L」레벨로 설정되면, 스위치 회로(24)의 트랜지스터(Q13)가 오프되고 트랜지스터(Q14)가 온된다. 이에 따라, 트랜지스터(Q12)가 온되고, 제2 베이스 접지 회로(14B)의 트랜지스터(Q10)가 도통되기 때문에, 전류 미러 회로(12)로부터의 전류 신호는 트랜지스터(Q10)를 통해 재생용 레이저 다이오드(LD2)에 공급된다. 이에 따라, 레이저 다이오드(LD2)는 점등되고, 전류 신호에 대응하는 강도의 레이저 광이 도시하지 않은 광 디스크에 조사되어 그 반사광에 의해 정보가 재생된다.
또 기록 및 소거 시에 있어서는, HF_En 신호는 「H」레벨로 설정되기 때문에, 스위치 회로(24)의 트랜지스터(Q13)가 온되고 트랜지스터(Q14)가 오프된다. 이에 따라, 트랜지스터(Q12)가 온되고, 제1 베이스 접지 회로(14A)의 트랜지스터(Q5)가 도통되기 때문에, 전류 미러 회로(12)로부터는 그 입력 신호에 비례한 전류 신호가 출력되고, 이 전류 신호는 트랜지스터(Q5)를 통해 기록·소거용 레이저 다이오드(LD1)에 공급된다. 이에 따라, 레이저 다이오드(LD1)는 점등되고, 「상변화」의 기술로 광 디스크로의 데이터의 기록·소거 즉 데이터의 재기록이 실행된다.
다음에, 도 4 및 도 5에 의해 본 발명의 반도체 레이저 구동 회로에 사용되는 파형 발생부에 대하여 설명한다. 도 4는 본 발명의 반도체 레이저 구동 회로에 있어서의 파형 발생부의 구성을 나타내는 블록도, 도 5는 도 4에 있어서의 파형 발생부의 회로 구성의 일례를 나타내는 회로도이다.
도 4 및 도 5에서, 파형 발생부(30)는 재생용의 전류 미러 회로(32)와 전류 스위치 회로 (34)및 이미터 접지 회로(전압 제어 전류원)(36)와, 기록 및 소거용의 전류 미러 회로(38)와 전류 스위치 회로(40) 및 이미터 접지 회로(전압 제어 전류원)(42)와, 소거용의 전류 스위치 회로(46) 및 이미터 접지 회로(전압 제어 전류원)(48)와, 바이어스 전압 발생용 전원 회로(50)와, TTL/pECL 레벨 변환 회로(52)와, 제1 pECL 드라이버(54)와, 제2 pECL 드라이버(56)를 구비하고 있다.
상기 재생용의 전류 미러 회로(32)는 베이스 결합된 PNP형 트랜지스터( Q1, Q2)를 구비하고, 이 트랜지스터(Q1, Q2)의 이미터믐 저항(R1, R2)을 통해 전원 회로(50)의 파워 라인(58)에 접속되어 있다. 또 트랜지스터(Q2)의 컬렉터와 그라운드 사이에는 트랜지스터(Q2)의 컬렉터 전류를 전압으로 변환하는 저항(R13)이 저항(R7)을 통해 접속되고, 이 저항(R13)과 저항(R7)과의 접속점에는, 도 2 또는 도 3에 나타내는 반도체 레이저 구동 회로(10)에 한 계통의 아날로그 신호를 공급하기 위한 출력 전압(VOUT)을 송출하는 출력 단자(32a)가 접속되어 있다.
상기 재생용의 전류 스위치 회로(34)는 저항(R14, R15)을 통해 이미터 결합된 NPN형 트랜지스터(Q7, Q8)를 구비하고, 이 트랜지스터(Q7)의 컬렉터는 저항(R9)을 통해 파워 라인(58)에 접속되고, 트랜지스터(Q8)의 컬렉터는 저항(R10)을 통해 전류 미러 회로(32)의 트랜지스터(Q1)의 컬렉터 및 베이스에 접속되어 있다. 또 트랜지스터(Q7, Q8)의 베이스에는 저항(R12, R17)을 통해 TTL/pECL 레벨 변환 회로(52)로부터 신호[WD0(-)] 및 신호[WD0(+)]가 입력되도록 구성되어 있다.
또 상기 재생용의 이미터 접지 회로(전압 제어 전류원)(36)는 NPN형 트랜지스터(Q11)와 저항(R25, R27, R28) 및 다이오드(D1)로 이루어지고, 트랜지스터(Q11)의 컬렉터는 저항(R20)을 통해 전류 스위치 회로(34)의 트랜지스터(Q7, Q8)의 베이스에 접속되고, 또한 트랜지스터(Q11)의 베이스에는 저항(R25)을 통해 파워 컨트롤 신호(APC0)가 입력되도록 구성되어 있다.
상기 기록용의 전류 미러 회로(38)는 베이스 결합된 PNP형 트랜지스터(Q3, Q4)를 구비하고, 이 트랜지스터(Q3)의 이미터는 저항(R3)과 콘덴서(C3)의 병렬 회로를 통해 전원 회로(50)의 파워 라인(58)에 접속되고, 또한 트랜지스터(Q4)의 이미터는 저항(R4)을 통해 전원 회로(50)의 파워 라인(58)에 접속되어 있다. 또 트랜지스터(Q3)의 컬렉터는 저항(R6) 및 베이스 접지 회로를 구성하는 PNP형 트랜지스터(Q6)를 통해 출력 단자(32a)에 접속되고, 그리고, 트랜지스터(Q6)의 베이스는 저항(R11)을 통해 전원(Vcc5)에 접속되어 있다.
또 트랜지스터(Q4)의 컬렉터는 베이스 접지 회로를 구성하는 NPN형 트랜지스터(Q5)가 직렬로 접속되고, 이 트랜지스터(Q5)의 베이스는 저항(R8)을 통해 전원(Vcc6)에 접속되어 있다.
상기 기록용의 전류 스위치 회로(40)는 저항(R21, R22)을 통해 이미터 결합된 NPN형 트랜지스터(Q9, Q10)를 구비하고, 이 트랜지스터(Q9)의 컬렉터는 트랜지스터(Q5)의 이미터에 접속되고, 트랜지스터(Q10)의 컬렉터는 저항(R5)을 통해 파워 라인(58)에 접속되어 있다. 또 트랜지스터(Q9, Q10)의 베이스에는 저항(R24, R19)을 통해 제1 pECL 드라이버(54)로부터 신호(WD1_p) 및 신호(WD1_n)가 입력되도록 구성되며, 또한 트랜지스터(Q9)의 컬렉터와 트랜지스터(Q5)의 이미터와의 접속점은 아이들 전류를 발생시키기 위한 저항(R18)을 통해 그라운드에 접속되어 있다.
또 상기 재생용의 이미터 접지 회로(전압 제어 전류원)(42)는 NPN형 트랜지스터(Q12)와 저항(R29, R32, R36) 및 배리스터(varistor)(D2)로 이루어지고, 트랜지스터(Q12)의 컬렉터는 저항(R26)을 통해 전류 스위치 회로(40)의 저항(R21과 R22) 접점에 접속되고, 또한 트랜지스터(Q12)의 베이스에는 저항(R29)을 통해 파워 컨트롤 신호(APC1)가 입력되도록 구성되어 있다. 또 트랜지스터(Q12)의 베이스와 그라운드 사이에는 다이오드(D2)와 저항(R36)의 직렬 회로가 삽입되어 있다.
상기 소거용의 전류 스위치 회로(46)는 저항(R48, R49)을 통해 이미터 결합된 NPN형 트랜지스터(Q16, Q17)를 구비하고, 이 트랜지스터(Q16)의 컬렉터는 트랜지스터(Q9)의 컬렉터와 트랜지스터(Q5)의 이미터와의 접속점에 접속되고, 트랜지스터(Q17)의 컬렉터는 저항(R42)을 통해 파워 라인(58)에 접속되어 있다. 또 트랜지스터(Q16, Q17)의 베이스에는 저항(R54, R46)을 통해 제2 pECL 드라이버(56)로부터 신호(WD2_p) 및 신호(WD2_n)가 입력되도록 구성되어 있다.
또 상기 재생용의 이미터 접지 회로(전압 제어 전류원)(48)는 NPN형 트랜지스터(Q20)와 저항(R58, R62, R66) 및 다이오드(D6)로 이루어지고, 트랜지스터(Q20)의 컬렉터는 저항(R56)을 통해 전류 스위치 회로(46)의 저항(R48과 R49)과의 접점에 접속되고, 또한 트랜지스터(Q20)의 베이스에는 저항(R58)을 통해 파워 컨트롤 신호(APC2)가 입력되도록 구성되어 있다. 또 트랜지스터(Q20)의 베이스와 그라운드 사이에는 다이오드(D6)와 저항(R66)의 직렬 회로가 삽입되어 있다.
상기 바이어스 전압 발생용 전원 회로(50)는 트랜지스터(Q13, Q14, Q15, Q18, Q19)와 저항(R37~R41, R43~R45, R47, R51~R53, R55, R57, R59, R65, R67)과 다이오드(D3, D4)와 제너 다이오드(Zener diode)(D5, D7)와 콘덴서(C7, C8, C10) 등으로 구성되며, 트랜지스터(Q18)의 베이스에는 레이저 다이오드 이네이블 신호(LD_En)가 입력되도록 되어 있다.
다음에, 상기와 같이 구성된 파형 발생부(30)의 동작에 대하여 설명한다.
먼저, 재생 시에 대하여 설명한다.
이미터 접지 회로(전압 제어 전류원)(36, 42 및 48)의 각각에 파워 컨트롤 신호(APC0~APC2)에 의해 필요한 바이어스 전압을 인가한다. 그러면, 이들 이미터접지 회로(전압 제어 전류원)(36, 42 및 48)의 트랜지스터(Q11, Q12, Q20)의 컬렉터에 전류가 발생한다. 얻어진 각각의 전류 신호는 대응하는 전류 스위치 회로 (34, 40 및 46)에 입력된다.
여기에서, 재생(Read)계의 전류 스위치 회로(34)는 TTL/pECL 레벨 변환 회로(52)로부터의 신호에 의해, 트랜지스터(Q7)가 오프, 트랜지스터(Q8)가 온됨으로써 전류 미러 회로(32)측이 선택되어 있기 때문에, 그 전류 IR은 전류 미러 회로(32)에 전달된다.
한편, 기록(Write)계의 전류 스위치 회로(40)는 대응하는 제1 pECL 드라이버(54)로부터의 신호에 의해, 트랜지스터(Q9)가 오프, 트랜지스터(Q10)가 온됨으로써 전원측이 선택되고 있다. 또 소거(Erase)계의 전류 스위치 회로(46)는 대응하는 제2 pECL 드라이버(56)로부터의 신호에 의해, 트랜지스터(Q16)가 오프, 트랜지스터(Q17가 온됨으로써 전원측이 선택되고 있다. 이 때문에, 각각의 전류 Iw와 Ie는 각각의 전류 미러 회로(38)에 전달되지 않는다. 재생(Read)계와 기록(Write)계 및 소거(Erase)계의 전류 미러 회로(32, 38, 44)의 입출력 결합 정수(定數)를 A로 하면, 파형 발생부(30)로부터 출력되는 합성 전류 IOUT는 다음 식으로 표현된다.
여기에서, Ibias는 기록(Write)계 및 소거(Erase)계의 전류 미러 회로(38)를 항상 동작 상태로 하기 위해, 저항(R18)에서 아이들(idle) 전류를 발생시킨 것이다.
따라서, 파형 발생부(30)와 반도체 레이저 구동 회로(10)를 결합한 경우, 레이저 구동 회로(10)의 출력이 반도체 레이저의 임계값 전류와 비교하여 작은 값이면, 이 아이들 전류가 존재하는 것에 의한 레이저 파워 제어로의 영향은 전무하다.
따라서, 반도체 레이저 구동 회로와 접속한 경우의 출력 전압 VOUT는 반도체 레이저 구동 회로의 입력 임피던스를 Zin으로 하면, 출력 전압 VOUT는 다음 식으로 표현된다.
다음에, 기록 시에 대하여 설명한다.
이미터 접지 회로(전압 제어 전류원)(36, 42 및 48)의 각각에 파워 컨트롤 신호(APC01~APC02)에 의해 필요한 바이어스 전압을 인가한다. 그러면, 이들 이미터 접지 회로(전압 제어 전류원)(36, 42 및 48)의 트랜지스터(Q11, Q12, Q20)의 컬렉터에 전류가 발생한다. 얻어진 각각의 전류 신호는 대응하는 전류 스위치 회로(34, 40 및 46)에 입력된다.
기록 시, 재생(Read)계의 전류 스위치 회로(34)는 TTL/pECL 레벨 변환 회로(52)로부터의 신호에 의해, 트랜지스터(Q7)가 오프, 트랜지스터(Q8)가 온됨으로써 전류 미러 회로(32)측이 선택되고 있기 때문에, 그 전류 IR은 전류 미러 회로(32)에 전달된다.
한편, 기록(Write)계 및 소거(Erase)계의 전류 미러 회로(38)는 대응하는제1 pECL 드라이버(54)및 제2 pECL 드라이버(56)로부터의 신호(2치의 펄스)에 의해 전원측 또는 전류 미러 회로(38)에 도 6에 나타낸 바와 같은 타이밍으로 변환된다. 이 때문에, 각각의 전류 Iw와 Ie는 펄스 전류로서 전류 미러 회로에 전달된다. 여기에서, Iw와 Ie를 펄스상으로 한 것을 I＾ w와 I＾ e로하고, 재생(Read)계와 기록(Write)계 및 소거(Erase)계의 전류 미러 회로(32, 38, 44)의 입출력 결합 정수를 A로 하면, 저항(R13)에 유입되는 전류 IOUT는 다음 식으로 표현된다.
여기에서, Ibias는 기록(Write)계 및 소거(Erase)계의 전류 미러 회로(38)를 항상 동작 상태로 하기 위해, 저항(R18)에서 아이들 전류를 발생시킨 것이다.
따라서, 파형 발생부(30)와 반도체 레이저 구동 회로(10)를 결합한 경우, 반도체 레이저 구동 회로(10)의 출력이 반도체 레이저의 임계값 전류와 비교하여 작은 값이면, 이 아이들 전류가 존재하는 것에 의한 레이저 파워 제어로의 영향은 전무하다. 또 기록 시의 전류 IR은 쿨링 파워의 제어에 기여한다.
따라서, 반도체 레이저 구동부와 접속한 경우의 출력 전압 VOUT는 반도체 레이저 구동 회로(1O)의 입력 임피던스를 Zin으로 하면, 출력 전압 VOUT는 다음 식으로 표현된다.
다음에, 소거 시에 대하여 설명한다.
이미터 접지 회로(전압 제어 전류원)(36, 42 및 48)의 각각에 파워 컨트롤 신호(APC0~APC2)에 의해 필요한 바이어스 전압을 인가한다. 그러면, 이들 이미터 접지 회로(전압 제어 전류원)(36, 42 및 48)의 트랜지스터(Q11, Q12, Q20)의 컬렉터에 전류가 발생한다. 얻어진 각각의 전류 신호는 대응하는 전류 스위치 회로(34, 40 및 46)에 입력된다.
소거 시, 재생(Read)계의 전류 스위치 회로(34)는 대응하는 TTL/pECL 레벨 변환 회로(52)로부터의 신호에 의해, 트랜지스터(Q7)가 오프, 트랜지스터(Q8)가 온됨으로써 전류 미러 회로(32)측이 선택되고 있기 때문에, 그 전류 IR은 전류 미러 회로(32)에 전달된다. 또 소거(Erase)계의 전류 스위치 회로(46)는 대응하는 제2 pECL 드라이버(56)로부터의 신호에 의해, 트랜지스터(Q16)가 온, 트랜지스터(Q17)가 오프됨으로써 전류 미러 회로(38)측이 선택되고 있기 때문에, 그 전류 Ie는 베이스 접지 회로를 구성하는 NPN형 트랜지스터(Q5)를 통해 전류 미러 회로(38)에 전달된다.
한편, 기록(Write)계의 전류 스위치 회로(4O)는 대응하는 제1 pECL 드라이버(54)로부터의 신호(WD1_p)를 「L」레벨로 하므로, 전원측에 전달된다. 그러면, 파형 발생부(30)가 출력되는 합성 전류 IOUT는 다음 식으로 표현된다.
여기에서, Ibias는 기록(Write) 및 소거(Erase)계의 전류 미러 회로(38)를 항상 동작 상태로 하기 위해, 저항(R18)에서 아이들 전류를 발생시킨 것이다.
따라서, 파형 발생부(30)와 반도체 레이저 구동 회로(10)를 결합한 경우, 반도체 레이저 구동 회로(10)의 출력이 반도체 레이저의 임계값 전류와 비교하여 작은 값이면, 이 아이들 전류가 존재하는 것에 의한 레이저 파워 제어로의 영향은 전무하다. 또 기록 시의 전류 IR은 쿨링 파워의 제어에 기여한다.
따라서, 반도체 레이저 구동 회로(1O)와 접속한 경우의 출력 전압 VOUT는 반도체 레이저 구동 회로(1O)의 입력 임피던스를 Zin으로 하면, 그 출력 전압 VOUT는 다음 식으로 표현된다.
이상, 재생 시 및 기록 시, 소거 시에 있어서, 실제의 사용 상태에서는 반도체 레이저 구동 회로(10)와 파형 발생부(30)와 접속하므로, 반도체 레이저 구동 회로(10)의 동작 설명에 있는 식 4 중의 VQ6-b와의 관계식은 다음 식으로 표현된다.
다음에, 레이저 다이오드의 소등 및 점등 시에 대하여 설명한다.
소등 시는 바이어스 전압 발생용 전원 회로(50)의 LD-En 신호는 TTL/CMOS 레벨의 「L」레벨을 수신한다. 그러면, 바이어스 전압 발생용 전원 회로(50)의 트랜지스터(Q18)는 오프 상태로 되고, 트랜지스터(Q15)도 오프 상태로 된다. 이 때, 제너 다이오드(D5)에는 바이어스 전류가 흐르지 않으므로, 제너 다이오드(D5)의 음극 전압은 거의 제로 볼트로 되고, 트랜지스터(Q13)의 출력(이미터)도 제로 볼트로 된다. 이 트랜지스터(Q13)의 출력은 파형 발생부(30)의 주전원으로서 이용되고 있으므로, 이 전압이 제로 볼트이면 회로는 모두 비동작 상태로 되기 때문에, 파형 발생부(30)의 출력 전류 신호는 제로로 된다.
또 점등 시에는 바이어스 전압 발생용 전원 회로(50)의 LD-En 신호는 TTL/CM0S 레벨의 「H」레벨을 수신한다. 그러면, 바이어스 전압 발생용 전원 회로(50)의 트랜지스터(Q18)는 온 상태로 되고, 트랜지스터(Q15)는 정(定)전류원이 되어, 제너 다이오드(D5)에 바이어스 전류가 흐르게 한다. 이 때, 제너 다이오드(D5)의 음극 전압은 원하는 참조 전압이 발생하고, 이것이 트랜지스터(Q13)의 베이스에 인가된다. 트랜지스터(Q13)의 출력(이미터)에 약 0.6볼트 정도의 전압 강하가 일어나지만, 제너 다이오드(D5)는 션트(shunt) 레귤레이터형 밴드 갭 전압원이므로, 트랜지스터(Q13)의 출력 전압(이미터)은 제너 다이오드(D5) 내부의 레퍼런스 전압과 저항(R53, R57)에 의해 분압(分壓)된 전압이 동일하게 되도록 음극 전압을 제어하므로, 다음 식과 같이 된다.
여기에서, Vref는 D5의 레퍼런스 전압이다.
이 트랜지스터(Q13)의 출력은 파형 발생부(30)의 주전원으로서 이용되고 있으므로, 이 전압이 회로 동작에 충분한 전압이 되면, 재생, 기록, 소거의 레이저 점등이 가능해진다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명의 반도체 레이저 구동 회로에서는, 상 변화형 광 디스크 구동 장치에 있어서, 소형의 픽업에 마운트하지 않을 수 없는 구동부와 회로 규모가 비교적 큰 APC(Automatic Power Control) 회로는 필연적으로 거리를 두게 되지만, 레이저 구동부와 파형 발생부를 분리하고, 이 사이의 신호 전송선을 1 계통의 아날로그 신호로 대응하기 때문에 배선수를 감소할 수 있다. 또 레이저 구동부와 파형 발생부를 분리한 것은 고전송 레이트 시의 기록 파형을 생성할 때, 배선 길이의 차이에 의한 펄스(WD1과 WD2)의 타이밍 어긋남도 해소한다.
또 본 발명에 의하면, 레이저 구동부 및 파형 발생부의 베이스 접지 회로는 미러 효과의 저감에 공헌하고, 보다 광대역화가 도모되기 때문에, 고전송 레이트 시의 발광 시간이 짧은 광 펄스를 발광시키는 것이 가능해진다.
또 본 발명의 반도체 레이저 구동 회로는 레이저 구동부와 파형 발생부로 분리되어 있기 때문에, 회로 소자를 최저 필요한 것 이외는 픽업 외로 배제할 수 있다. 이에 따라, 구동부의 동작 전류가 억제됨으로써 발열량이 적어지므로 방열 처리에 대하여 유리해진다.
또 본 발명에 의하면, 레이저 구동부와 파형 발생부의 2종 1조의 반도체 레이저 구동 회로는 2 레이저를 변환하여 사용하는 형으로도 변형할 수 있으므로, 예를 들면, 재생용(저노이즈형 레이저)과 기록용(고출력형 레이저)으로 구분 사용하여, 반도체 레이저 칩 제조 시에 항상 트레이드 오프로 되는 이 2개의 특성(저노이즈 또한 고출력)을 동시에 실현되는 것이 가능해진다. 2 레이저화를 본 회로 1 세트로 실현할 수 있게 되면, 코스트를 대폭 올리지 않고, 상이한 2 종류의 파장의 레이저에도 응용할 수 있으므로, 호환 광 디스크 레코더나, 다파장 기록형 광 디스크 장치에도 응용할 수 있다.

Claims (15)

  1. 상(相) 변화형 광 디스크에 레이저 광을 조사(照射)하여 상기 광 디스크에 대한 기록 및 소거 및 상기 광 디스크로부터의 정보를 재생하는 광학 디스크 장치에 내장하여 사용되는 반도체 레이저의 구동 회로로서,
    상기 기록 및 소거 및 재생에 있어서 상기 기록 및 소거 및 재생에 대응한 레이저 광을 발생시키기 위한 전기 신호를 생성하는 파형 발생부와,
    상기 전기 신호를 상기 파형 발생부로부터 출력하는 한 계통의 라인과,
    상기 한 계통의 라인에 출력된 상기 전기 신호에 비례한 전류를 상기 반도체 레이저에 공급하여 상기 반도체 레이저를 구동하는 레이저 구동부를 구비하는
    것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 파형 발생부와 상기 레이저 구동부는 서로 분리되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  3. 제1항에 있어서,
    상기 파형 발생부로부터 출력되는 전기 신호는 전압 신호이며, 상기 레이저 구동부는 상기 파형 발생부로부터의 전압 신호를 전류로 변환하는 전압 전류 변환 회로와, 상기 전압 전류 변환 회로로부터 출력되는 전류 신호에 의해 구동되는 전류 미러 회로(current mirror circuit)를 구비하고, 상기 전압 신호에 대하여 비례한 전류는 상기 전류 미러 회로로부터 상기 반도체 레이저에 공급되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  4. 제3항에 있어서,
    상기 전압 전류 변환 회로는 이미터 접지 회로에 의해 구성되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  5. 제3항에 있어서,
    상기 광학 디스크 장치로부터 상기 기록 및 소거 및 재생을 위한 제어 신호가 송출되고, 상기 전압 전류 변환 회로로부터 상기 전류 미러 회로로의 전류 신호의 차단 또는 공급은 상기 제어 신호에 의해 작동되는 전류 스위치 회로에 의해 제어되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  6. 제3항에 있어서,
    상기 전류 미러 회로와 상기 반도체 레이저 사이에 베이스 접지 회로가 설치되고, 상기 베이스 접지 회로에 의해 상기 반도체 레이저의 임피던스 변동과 미러 효과에 의한 대역(帶域) 변동이 억제되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  7. 제3항에 있어서,
    상기 레이저 구동부는 상기 재생 시에 상기 전압 전류 변환 회로의 전류 신호에 고주파 전류를 중첩(重疊)하는 고주파 발진 회로를 구비하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 반도체 레이저는 레이저 다이오드인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  9. 제3항에 있어서,
    상기 전류 미러 회로로부터의 전류에 의해 구동되는 반도체 레이저는 재생용과 기록·소거용의 2개의 반도체 레이저를 스위칭하여 구동하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 전류 미러 회로와 상기 재생용 레이저 다이오드 및 기록·소거용 레이저 다이오드 사이에 베이스 접지 회로가 각각 설치되고, 상기 전류 미러 회로로부터 상기 각 베이스 접지 회로로의 전류 경로의 스위칭을 실행하는 스위치 회로가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  11. 제1항에 있어서,
    상기 파형 발생부는 이미터 결합형 전류 스위치 회로를 이용한 펄스 전류원을 복수 구비하고, 상기 전기 신호는 상기 펄스 전류원을 가산하여 생성된 기록 파형 신호인 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 펄스 전류원의 출력측에 베이스 접지 회로가 설치되고, 상기 펄스 전류원의 가산은 상기 베이스 접지 회로의 입력단에서 실행되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 베이스 접지 회로의 출력측에 전류 미러 회로가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  14. 제13항에 있어서,
    상기 전류 미러 회로의 출력측에 베이스 접지 회로가 설치되는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
  15. 제11항에 있어서,
    상기 펄스 전류원의 출력측에 베이스 접지 회로가 설치되며, 상기 펄스 전류원의 가산은 상기 베이스 접지 회로의 입력단에서 실행되며, 상기 베이스 접지 회로의 출력측에 전류 미러 회로가 설치되며, 상기 전류 미러 회로의 출력측에 베이스 접지 회로가 설치되며, 상기 펄스 전류원 중 고속 응답이 요구되지 않는 펄스 전류원의 출력과 상기 전류 미러 회로의 출력을 가산하는 것을 특징으로 하는 반도체 레이저 구동 회로.
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