KR20040036589A - 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법 - Google Patents

하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20040036589A
KR20040036589A KR1020030073770A KR20030073770A KR20040036589A KR 20040036589 A KR20040036589 A KR 20040036589A KR 1020030073770 A KR1020030073770 A KR 1020030073770A KR 20030073770 A KR20030073770 A KR 20030073770A KR 20040036589 A KR20040036589 A KR 20040036589A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
tone
phase shifting
film
shifting mask
target
Prior art date
Application number
KR1020030073770A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100561895B1 (ko
Inventor
미쯔이마사루
스즈끼도시유끼
이시하라시게노리
Original Assignee
호야 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 호야 가부시키가이샤 filed Critical 호야 가부시키가이샤
Publication of KR20040036589A publication Critical patent/KR20040036589A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100561895B1 publication Critical patent/KR100561895B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/26—Phase shift masks [PSM]; PSM blanks; Preparation thereof
    • G03F1/32—Attenuating PSM [att-PSM], e.g. halftone PSM or PSM having semi-transparent phase shift portion; Preparation thereof
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0641—Nitrides
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F1/00—Originals for photomechanical production of textured or patterned surfaces, e.g., masks, photo-masks, reticles; Mask blanks or pellicles therefor; Containers specially adapted therefor; Preparation thereof
    • G03F1/68—Preparation processes not covered by groups G03F1/20 - G03F1/50

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Preparing Plates And Mask In Photomechanical Process (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)

Abstract

블랭크의 양산시 광학 특성의 변화를 방지할 수 있는, 균일한 품질을 가진 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크들을 효율적으로 제조하기 위하여, 금속과 실리콘을 포함하는 타깃을 제공하고, 반응성 가스를 포함하는 분위기에서 반응성 스퍼터링을 수행하여, 상기 투명 기판상에 상기 하프-톤 막을 형성하는 단계를 포함하는, 각각이 투명 기판상에 하나 이상의 하프-톤 막을 포함하는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조하는 방법이 제공되는데, 상기 반응성 스퍼터링에 의해 하프-톤 막을 형성하는 단계는, 상기 타깃으로서, 소정 광학 특성의 하프-톤 막이 얻어지도록 선택된 금속/실리콘 조성비를 갖는 타깃을 이용하여, 반응성 가스의 유량 (flow rate) 변화에 대해 방전 특성이 안정화되는 영역으로부터 선택된 반응성 가스 유량에서 수행된다.

Description

하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법 {PROCESS FOR FABRICATING HALF-TONE PHASE SHIFT MASK BLANK}
본 발명은 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법, 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크 및 하프-톤형 위상 시프팅 마스크에 관한 것이다. 보다 구체적으로, 본 발명은, 블랭크의 양산시, 광학 특성의 변화를 방지할 수 있는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조하는 방법, 상기 방법에 의해 획득되는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크, 및 상기 마스크 블랭크로부터 제조되는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크에 관한 것이다.
IC 및 LSI 와 같은 반도체 장치의 종래 제조시, 포토레지스트 조성물 (photoresist composition) 을 이용하는 포토리소그래피에 의해 미세 가공 (micro-processing) 이 수행된다. 미세 가공시, 실리콘 웨이퍼와 같은 기판상에 포토레지스트 조성물의 박막을 형성하고, 패턴을 가진 마스크를 통해, 자외선과 같은 활성광 (actinic ray) 에 포토레지스트 조성물을 노광시킨 다음 현상하여 레지스트 패턴을 획득하고, 이 레지스트 패턴을 보호막으로 이용하여 기판을 에칭한다.
그러나, 근래에는, 반도체 장치의 집적도가 급속히 증가하여, VLSI (very large scale integrated circuits) 등의 제조는 서브미크론 (submicron) 또는 1/4 미크론 (quarter micron) 영역의 초미세 패턴의 가공 정밀도를 요구한다. 종래의 노광 소스로서 이용되는 자외선은 파장에 의한 제한을 갖기 때문에, 노광용 광의 파장은 감소하는 경향이 있으며, g-빔, i-빔 및, 디프-UV (deep-UV) 와 엑시머 레이저빔과 같은 원자외빔 (far ultraviolet beams) 을 이용하여 노광을 수행해야 한다.
한편, DRAM (dynamic random access memory) 의 경우, 현재 256 메가비트용 양산 체제가 확립되어 있고, 집적도는 메가비트급 (megabit class) 에서 기가비트급 (gigabit class) 으로 더 향상되고 있다. 따라서, 집적 회로의 설계 기준 치수 (design rule) 는 미세화하고 있으며, 0.10 ㎛ 이하의 선폭 (line width ; half pitch) 을 갖는 미세 패턴이 요구되는 것도 시간 문제가 되었다.
패턴 사이즈의 미세화에 대처하기 위한 하나의 수단으로서, 지금까지는, 상술한 바와 같이, 노광 소스의 파장을 감소시키는 것에 의해, 패턴의 고해상도가 진행되어 왔다. 따라서, 현재의 포토리소그래피에서는 노광 소스로서 KrF 엑시머 레이저빔 (248 nm) 과 ArF 엑시머 레이저빔 (193 nm) 이 주로 이용되고 있으며, 더나아가, F2엑시머 레이저빔 (157 nm) 의 이용이 검토되고 있다.
그러나, 노광의 파장 감소가 해상도를 향상시키긴 하지만, 한편으로는, 초점의 깊이가 감소하기 때문에, 렌즈를 포함하는 광학 시스템의 설계에 대한 부담 증가 및 프로세스 안정성의 감소와 같은 바람직하지 못한 사태를 야기시킨다.
이러한 문제에 대처하기 위해서, 위상 시프팅 리소그래피법을 이용하게 되었다. 위상 시프팅 리소그래피법은 광학 시스템을 변경하지 않으면서 마스크만을 변경하여 포토리소그래피의 해상도를 향상시키는 방법으로서, 이 방법에서는, 포토마스크를 투과하는 노광빔에 위상차를 부여하여 투과하는 빔들간의 상호간섭 (interference) 을 이용함으로써, 해상도를 비약적으로 향상시킬 수 있다. 상기 위상 시프팅 리소그래피법은 미세-패턴을 전사 (transfer) 하기 위한 마스크로서 위상 시프팅 마스크를 이용한다.
상기 위상 시프팅 마스크는, 예를 들어, 마스크상의 패턴부를 형성하는 위상 시프터부 (phase shifter portion) 및 시프터부가 존재하지 않는 비-패턴부로 이루어진다. 상기 2 개 부분을 투과하는 빔들의 위상은 서로 180°만큼 시프팅되어, 패턴의 경계 부분에서 빔들이 상호간섭을 일으키므로, 투과된 이미지는 콘트라스트가 향상된다. 위상 시프터부를 관통하는 빔의 위상 시프팅량 φ(rad) 은 위상 시프터부에 대한 복소 굴절율 (n) 의 실수부와 막두께 (d) 에 의존하며, 수학식 1 의 관계가 성립된다는 것이 공지되어 있다.
여기서, λ는 노광빔의 파장이다.
따라서, 위상을 180°만큼 시프팅하기 위해, 막두께 (d) 는 다음과 같이 결정될 수 있다.
상기 위상 시프팅 마스크는 필요한 해상도를 획득하기 위한 초점 깊이의 증가를 실현하여, 노광빔의 파장을 변경하지 않으면서, 해상도와 프로세스의 적용성을 동시에 향상시킬 수 있다.
마스크 패턴을 형성하는 위상 시프터부의 광투과성 (light trasmissivity) 에 따라, 실제로, 위상 시프팅 마스크는 완전 투과형 (Levenson 형) 위상 시프팅 마스크과 하프-톤형 위상 시프팅 마스크로 크게 분류할 수 있다. 완전 투과형 위상 시프팅 마스크는 위상 시프터부의 광투과율이 비-패턴부 (광투과부) 에 대한 광투과율과 동일하며 노광빔의 파장에 대해 거의 투명한 마스크이다. 완전 투과형 위상 시프팅 마스크는 일반적으로 라인 (line) 과 스페이스 (space) 의 전사에 효과적이라 한다. 후자의 하프-톤형에서는, 위상 시프터부 (광 반-투과부 ; light semi-transmission portion) 의 광투과율이 비-패턴부 (광투과부) 에 대한 광투과율의 수십 % 이고, 컨택트홀과 고립형 패턴 (isolated pattern) 을 제작하는데 효과적이라 한다.
하프-톤형 위상 시프팅 마스크에는 주로 투과율을 조정하는 층과 주로 위상을 조정하는 층으로 이루어지는 2-층형의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 및 구조가 간단하여 제조가 용이한 단층형의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크가 있다.
현재에는, 하프-톤형 위상 시프터부가 MoSiN 막 또는 MoSiON 막의 단층으로 이루어진 하프-톤형 위상 시프팅 마스크가 주류이다.
일반적으로, 상기 MoSiN 막 또는 MoSiON 막은 불활성 가스 및, O2, N2, NO2등과 같은 반응성 가스를 포함하는 스퍼터링 분위기에서 MoSi 타깃을 이용하는 반응성 스퍼터링법 (reactive sputtering method) 에 의해 형성된다. MoSi 타깃으로서는, 통상적으로, Mo:Si = 1:2 (몰비) 의 타깃이 이용된다. MoSi 계 막 (MoSi-containing film) 은 일반적으로 파장이 감소함에 따라 투과율이 낮아지는 경향을 보이므로, 노광빔의 파장이 감소함에 따라, 투과성이 보다 높은 재료막을 얻기 위해 70 내지 95 몰% 의 실리콘량을 가진 MoSi 타깃을 이용하는 방법이 적용된다 (예를 들어, 일본특허 제 2989156 호 참조). 종래에는, 소정 노광빔의 파장에 대해 소망의 광학 특성을 갖는 막을 얻기 위해, 반응성 가스의 유량을 제어하고, 선택적으로, 타깃의 조성을 제어하였다.
LSI 패턴의 미세화에 따라, 노광 소스 (노광빔의 파장) 로서, i-선 (367 nm) 및 KrF 엑시머 레이저빔 (248 nm) 이 실제로 이용되어 왔고, 최근에는 ArF 엑시머 레이저빔 (193 nm) 의 실용화가 진행되고 있다. 따라서, i-선, KrF 엑시머 레이저빔 및 ArF 엑시머 레이저빔과 같은 노광빔의 파장에 적합한 광학 특성 (투과율 및 위상차) 을 갖는 위상 시프팅막의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크가 요구되고 있다. 현재 이용가능한 위상 시프팅 마스크의 주류로서, 막들은 하프-톤형 위상 시프터부가 약 6 % 의 노광빔 투과율을 갖도록 설계된다. 그러나, 보다 높은 해상도를 위해, 보다 높은 투과율의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크가 필요하며, 9 %, 15 % 등등의 투과율과 같이 다양한 투과율 특성을 갖는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크에 대한 수요가 높아지고 있다.
하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 광학 특성에 있어서, 종래에는, 투과율 변화가 ±1 % 가 되도록 제어하며 위상 시프팅량은 ±5°가 되도록 제어할 것이 요구되었다. 그러나, 최근에는, ±0.4 %, 바람직하게는, ±0.2 % 의 투과율 변화와 ±4°, 바람직하게는, ±2°의 위상 시프팅량 변화를 실현할 것이 요구되고 있다. 그러나, 노광빔의 파장이 감소함에 따라, 상기 변화들이 상기 허용가능한 범위가 되도록 제어하기는 한층 어려워지는 경향이 있다. 다양한 광학 특성의 상기 다양한 종류의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크가 하나의 양산 장치로 제조될 경우, 각 종류에 대한 광학 특성에 따라 광학 특성이 변화되지 않는 막-형성 조건을 설정하기는 어려웠다.
본 발명의 목적은, 블랭크들이 균일한 품질을 갖도록, 상업적 양산시 블랭크들간의 광학 특성 변화를 방지하면서 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 효율적으로 제조하는 방법; 상기 방법에 의해 제조된 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크; 및 상기 마스크 블랭크로부터 제조된 하프-톤형 위상 시프팅 마스크를 제공하는 것이다.
도 1 은 스퍼터링이 정전력 (constant electric power) 에서 수행될 경우, 질소 유량 (flow rate) 과 방전 전압간의 관계의 일례를 나타내는 그래프.
도 2 는 단일-기판 시스템에 따라 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조하는 DC 마그네트론 스퍼터링 장치의 일례를 나타내는 개략도.
도 3 은 인-라인 연속 블랭크 제조 방법 (in-line continuous blank manufacturing method) 에 따라 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조하는 스퍼터링 장치의 일례를 나타내는 개략도.
도 4 는 실시예 1 에서 얻어진 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크들간의 위상각 변화를 나타내는 그래프.
도 5 는 실시예 1 에서 얻어진 하프-톤형 위상 마스크 블랭크들간의 투과율 변화를 나타내는 그래프.
도 6 은 실시예 2 에서 얻어진 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크들간의 위상각 변화를 나타내는 그래프.
도 7 는 실시예 2 에서 얻어진 하프-톤형 위상 마스크 블랭크들간의 투과율 변화를 나타내는 그래프.
* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 *
1 : 진공 챔버2 : 마그네트론 캐소드
3 : 기판 홀더4 : 배킹 플레이트
5 : 스퍼터링 타깃6 : 투명 기판
7 : 배기 포트8 : 가스 도입 포트
9 : DC 전원10 : 압력계
11 : 팔레트12 : 도입 챔버
13 : 스퍼터링 챔버14 : 복구 챔버
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명자들은 열심히 연구하여 다음을 알게 되었다. 반응성 가스를 포함하는 분위기에서 금속과 실리콘을 포함하는 타깃을 스퍼터링함으로써, 투명 기판상에 하프-톤 막을 형성하여, 각각이 투명 기판상에 하나 이상의 하프-톤 막을 포함하는 위상 시프팅 막을 갖는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조할 경우, 후술할 특정 조건하에서 상기 하프-톤 막을 형성함으로써, 양산시 광학 특성 변화가 방지되는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 효율적으로 제조할 수 있다. 이러한 발견에 기초하여, 본 발명이 완성되었다.
즉, 본 발명에 따르면,
(1) 각각이 투명 기판상에 하나 이상의 하프-톤 막을 포함하는 위상 시프팅 막을 갖는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조하는 방법으로서,
금속과 실리콘을 포함하는 타깃을 제공하고, 반응성 가스를 포함하는 분위기에서 반응성 스퍼터링을 수행하여, 상기 투명 기판상에 상기 하프-톤 막을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 반응성 스퍼터링에 의해 하프-톤 막을 형성하는 단계는, 반응성 가스의 유량 변화에 대해 방전 특성이 안정화되는 영역으로부터 선택된 반응성 가스 유량에서, 상기 타깃으로서, 소정 광학 특성의 하프-톤 막이 얻어지도록 선택된 금속/실리콘 조성비를 갖는 타깃을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법,
(2) 각각이 투명 기판상에 하나 이상의 하프-톤 막을 포함하는 위상 시프팅 막을 가지며, 각각에 대한 하프-톤 막은 상이한 광학 특성을 갖는 복수 타입의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조하는 방법으로서,
금속과 실리콘을 포함하는 타깃을 제공하고, 반응성 가스를 포함하는 분위기에서 반응성 스퍼터링을 수행하여, 상기 투명 기판상에 상기 하프-톤 막을 형성하는 단계를 포함하고,
상기 반응성 스퍼터링에 의해 하프-톤 막을 형성하는 단계는, 반응성 가스의 유량 변화에 대해 방전 특성이 안정화되는 영역으로부터 선택된 반응성 가스 유량에서, 마스크 블랭크들간에 소망의 상이한 하프-톤 막 광학 특성에 얻어지도록, 상이한 금속/실리콘 조성비를 갖는 복수개 타깃으로부터 선택된 타깃을 이용하여 수행되는 것을 특징으로 하는 복수 타입의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법,
(3) 상기 (1) 또는 (2) 에 기재된 방법에 있어서,
반응성 가스는 질소, 산소, 불소 및 이들의 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 멤버인 것을 특징으로 하는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법,
(4) 상기 (1), (2) 또는 (3) 에 기재된 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크, 및
(5) 상기 (4) 에 기재된 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크가 제공된다.
상기 (1) 및 (2) 의 "위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법"은 광의로 해석되어야 하며, 이 제조 방법은 위상 시프팅 마스크 블랭크를 양산하는 방법을 포함한다.
발명의 바람직한 실시형태들
본 발명에 의해 제공되는, 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법은 각각이 투명 기판상에 하나 이상의 하프-톤 막을 포함하는 위상 시프팅 막을 갖는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조하는 방법이다. 상기 위상 시프팅 막은 단층 구조 또는 2 층 이상의 다층 구조를 갖는다. 반응성 가스를 포함하는 분위기에서 금속과 실리콘을 포함하는 타깃을 이용하여 반응성 스퍼터링을 수행함으로써, 하나 이상의 하프-톤 막을 포함하는 위상 시프팅 막을 형성한다.
하프-톤 막으로 형성된 단층 구조를 갖는 위상 시프팅 막은, 예를 들어, 금속, 실리콘 및, 산소, 질소, 불소, 탄소 및 수소로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 멤버를 포함하는 재료로 구성되는 막을 포함한다. 상기 금속의 예로는 몰리브덴, 탄탈륨, 텅스텐, 크롬, 티타늄, 니켈, 팔라듐, 하프늄 및 지르코늄을 들 수 있다.
다층 구조를 갖는 위상 시프팅 막으로는, 예를 들어, 2 이상의 상기 단층 하프-톤 막을 적층함으로써 형성되는 위상 시프팅 막 및, 상기 단층 하프-톤 막과 크롬, 탄탈륨, 하프늄, 마그네슘, 알루미늄, 티타늄, 바나듐, 이트륨, 지르코늄, 니오브, 몰리브덴, 주석, 란탄, 텅스텐 및 실리콘으로 이루어진 그룹으로부터 선택된 하나 이상의 멤버를 포함하는 금속층과 같은 투과율-조정막 (transmissivity-adjustment layer) 을 적층함으로써 형성되는 위상 시프팅 막을 들 수 있다.
위상 시프팅 효과를 얻기 위해, 본 발명의 위상 시프팅 막은 위상차가 약 180°가 되도록 설정된다.
상기 반응성 가스는 질소, 산소, 탄소, 불소 및 이들의 화합물로부터 선택되는 하나 이상의 멤버이다. 특히, O2, N2, NO2, N2O, CH4, CO2, CF4등의 하나 이상이 이용될 수 있다. 반응성 스퍼터링에서, 상기 반응성 가스와의 혼합에 이용되는 스퍼터링 가스 (불활성 가스) 로는, 예를 들어, Ar, He, Xe 및 이들 가스의 혼합물을 들 수 있다.
상기 투명 기판용 재료에 대한 특별한 제한은 없으며, 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 투명 기판으로 관용되고 있는 재료들로부터 선택할 수 있다. 상기 재료의 일례로는 소다-석회 (soda-lime) 유리 및 화이트 크라운 (white crown) 과 같은 소다-석회 유리들; 붕규산염 유리, 무알칼리 유리 (alkali-free glass) 및 알루미노규산염 (alluminosilicate) 유리와 같은 저팽창 유리; 합성 석영과 같은 석영 유리 및 폴리에스테르 필름과 같은 플라스틱 필름을 들 수 있다. 이들 중에서, LSI 및 LSD 용 마스크를 위한 기판 재료로는 소다-석회 유리 및 수정 유리가 바람직하다.
본 발명의 방법에서, 가장 큰 특징은, 반응성 가스의 유량 변화에 대해 방전특성이 안정화되는 영역으로부터 선택된 반응성 가스의 유량에서, 타깃으로서, 소정 광학 특성의 하프-톤 막이 얻어지도록 선택된 금속/실리콘 조성비를 가진 타깃을 이용하여 수행되는 반응성 스퍼터링에 의해 하프-톤 막이 형성된다는 것이다. 마스크 블랭크들 사이에서 상이한 광학 특성의 하프-톤 막을 갖는 복수개 종류의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 양산할 경우, 마스크 블랭크들 사이에서 하프-톤 막에 대해 소망의 상이한 광학 특성이 얻어지도록, 상이한 금속/실리콘 조성비의 복수개 타깃으로부터 선택된 타깃이 이용된다.
상기 "방전 특성이 안정화되는 영역"은, 일정한 전압에서 스퍼터링이 수행될 경우, 반응성 가스의 유량 변화와 관련하여 방전 전류 또는 방전 전압이 실질적인 변화를 나타내지 않는 영역을 의미한다. 스퍼터링이 정전류 (constant current) 에서 수행될 경우, 반응성 가스의 유량 변화와 관련하여 방전 전력 또는 방전 전압이 실질적인 변화를 나타내지 않는 영역을 의미한다. 특히, 반응성 가스의 유량이 10 SCCM (standard state cm3/min) 만큼 변할 경우, 방전 전압의 변화가 약 20 V 이내인 영역을 의미한다.
도 1 은 몰리브덴:실리콘 = 20:80 의 몰비로 몰리브덴과 실리콘을 포함하는 타깃을 이용하여 정전력에서 스퍼터링을 수행할 경우, 질소 가스 유량과 방전 전압 사이의 관계에 대한 일례를 나타내는 그래프로서, 이 경우, 전력은 2 kW 로 일정하게 유지되며 스퍼터링 분위기로서 아르곤 (Ar : 10 SCCM) 과 질소가 이용된다. 이 그래프는 질소의 유량 변화에 따른 방전 전압의 변화를 나타낸다. 도 1 에나타낸 바와 같이, 질소의 유량 변화와 관련하여 방전 전압이 작은 변화를 나타내는 영역 또는 방전 특성이 안정화되는 영역이 존재한다. 즉, 도 1 에는, 약 55 SCCM 이하의 질소 유량에서 방전 전압이 약 620 내지 630 V 인 안정 영역 (stable region) 과 약 80 SCCM 이상의 질소 유량에서 방전 전압이 약 350 V 인 안정 영역이 존재한다.
전압과 같은 방전 특성의 변화는 광학 특성의 변화에 큰 영향을 미치므로, 질소의 유량은 방전 전압이 변화하지 않는 영역으로부터 선택된다. 도 1 에는, 2 개의 안정 영역이 존재한다. 그러나, 형성될 하프-톤 막의 성능 (투과율 및 위상차) 의 관점에서, 방전 전압이 약 350 V 인 후자의 안정 영역에 기초하여 질소 유량을 설정하는 것이 바람직하다.
도 1 은 몰리브덴과 실리콘을 포함하는 타깃이 이용되며 질소가 반응성 가스로서 이용되고 아르곤이 스퍼터링 가스로서 이용되는, 정전력에서의 스퍼터링의 일 실시형태를 나타낸다. 그러나, 몰리브덴/실리콘의 상이한 몰비를 갖는 타깃 또는 다른 금속과 실리콘을 포함하는 타깃이 이용되거나, 정전류에서 스퍼터링이 수행되는 경우에도 이를 적용할 수 있다.
그 다음, 금속/실리콘의 상이한 조성비를 갖는 복수개 타깃이 제공되며, 상기와 같이 결정된 가스 유량이 이용될 경우, 소정의 광학 특성이 얻어지는 금속/실리콘 조성비의 타깃이 선택된다. 본 발명자들에 의해 수행된 실험에 따르면, 타깃의 조성비가 세밀하게, 예를 들어, 0.1 몰% 미만의 간격으로 조정될 경우, 하프-톤 막 재료의 감쇠 계수가 제어가능함을 알 수 있었다.
따라서, 방전 특성이 안정화되는 영역으로부터 선택되는 가스 흐름 조건에서, 1 몰% 에 근접한 간격에서 변화하는 조성비의 타깃을 이용하여, 하프-톤 막이 소정의 위상차 (단층의 경우 180°) 를 갖도록 하프-톤 막을 형성하고, 이러한 하프-톤 막에 대해 투과율을 측정한다. 이러한 방식으로, 소정의 투과율이 얻어지는 타깃의 조성비를 결정한다.
높은 투과율을 갖는 재료를 얻기 위하여, 타깃의 조성비는, 화학량론적으로 안정한 금속 실리사이드 중에서, 실리콘 함량이 높은 금속 실리사이드 조성물보다 훨씬 높은 실리콘 함량을 갖는 조성물로부터 선택되는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로, 조성비는 70 내지 95 몰% 의 실리콘 함량을 갖는 조성으로부터 선택되는 것이 바람직하다. 실리콘 함량이 70 몰% 미만일 경우, 투과율이 높은 재료를 얻기는 어렵다. KrF 엑시머 레이저의 파장보다 짧은 파장의 빔을 이용하기 위해, 실리콘 함량은 78 몰% 이상인 것이 바람직하고, ArF 엑시머 레이저의 파장보다 짧은 파장의 빔을 이용하기 위해, 실리콘 함량은 85 몰% 이상인 것이 바람직하다. 실리콘 함량이 95 몰% 를 초과할 경우, DC 스퍼터링 동안 방전 안정성이 손상될 우려가 있다.
상술한 바와 같이, 반응성 가스의 유량 변화에 대해 방전 특성이 안정화되는 영역으로부터 선택되는 반응성 가스 유량에서, 타깃으로서, 소정의 광학 특성이 얻어지도록 선택되는 금속/실리콘 조성비를 가진 타깃을 이용하여 반응성 스퍼터링을 수행함으로써, 소정의 위상각과 투과율을 가지며, 그 변화가 작은, 즉, 위상각의 변화는 일반적으로 ±4°이내, 바람직하게는 ±2°이내이며 투과율의 변화는 일반적으로 ±0.4 % 이내, 바람직하게는 ±0.2 % 이내인 하프-톤 막을 형성할 수 있다.
본 발명의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 양산하는 방법으로서, 단일-기판 시스템 및 인-라인 연속 블랭크 제조 방법 중 어느 것이든 이용할 수 있다.
먼저, 단일-기판 시스템을 설명한다.
도 2 는 단일-기판 시스템에 의해 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조하는 DC 마그네트론 스퍼터링 장치의 일례의 개략도를 나타낸다.
DC 마그네트론 스퍼터링 장치는 진공 챔버 (1) 및, 진공 챔버 (1) 내에 배치되는 마그네트론 캐소드 (2) 와 기판 홀더 (3) 를 갖는다. 마그네트론 캐소드 (2) 에는 배킹 플레이트 (4 ; backing plate) 가 부착되어 있으며, 배킹 플레이트 (4) 에는 스퍼터링 타깃 (5) 이 부착되어 있다. 배킹 플레이트 (4) 는 (나타내지 않은) 수냉 시스템 (water-cooling system) 에 의해 직접적으로 또는 간접적으로 냉각된다. 마그네트론 캐소드 (2), 배킹 플레이트 (4) 및 스퍼터링 타깃 (5) 은 전기적으로 접속되어 있다. 기판 홀더 (3) 에는 투명 기판 (6) 이 부착되어 있다.
진공 챔버 (1) 는 배기 포트 (7) 를 통해 진공 펌프에 의해 배기되어 있다. 진공 챔버 (1) 내의 분위기가 형성될 막의 특성에 더 이상 영향을 미치지 않을 진공 정도에 도달한 후, 가스 도입 포트 (8) 를 통해 질소를 포함하는 가스 혼합물을 도입하고, DC 전원 (9) 을 이용해 마그네트론 캐소드 (2) 에 음의 전압을 인가하여, 스퍼터링을 수행한다. 진공 챔버 (1) 내의 압력은 압력계 (10) 로 측정한다.
투명 기판을 진공 챔버 (1) 로 반입하여 진공 챔버 (1) 에서의 스퍼터링에 의해 그 위에 박막을 형성한 후, 이렇게 제조된 위상 시프팅 마스크 블랭크는 상기 진공 챔버 (1) 로부터 반출된다. 이러한 일련의 프로세스를 복수개 투명 기판 각각에 대해 연속적으로 수행하여, 투명 기판을 거의 일정한 간격으로 반입하고 거의 일정한 간격으로 마스크 블랭크를 진공 챔버로부터 반출함으로써, 막을 형성하는 시간 주기를 복수개 마스크 블랭크들 사이에서 일정하게 만들 수 있다.
이하, 인-라인 연속 블랭크 제조 방법을 설명한다. 도 3 은 인-라인 연속 블랭크 제조 방법에 의해 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조하는 스퍼터링 장치의 일례의 개략적 레이아웃이다.
도 3 에 나타낸 스퍼터링 장치에서, 팔레트 (11) 상에 탑재된 복수개의 투명 기판 (6) 상에 막을 형성하는 것은 연속적으로 수행되어, 반송 방향에서 반응성 가스 (O2, N2등) 의 공급량이 변하면서 팔레트가 하나의 진공 챔버내에서 반송되는 동안, 일련의 막 형성이 수행된다. 따라서, 이 경우, 스퍼터링에 의해 (동일한 진공 정도를 가진) 하나의 챔버내에서 다층막을 형성할 수 있다. 또한, 복수개 마스크 블랭크를 하나의 챔버내에서 동시에 형성할 수 있다. 도 3 에서, 참조 번호 12 는 도입 챔버를 나타내며, 참조 번호 13 은 스퍼터링 챔버를 나타내고, 참조 번호 14 는 복구 챔버 (recovery chamber) 를 나타낸다.
본 발명의 프로세스에 따르면, 각각이 그 변화가 제어되는 광학 특성을 가지며 균일한 품질을 갖는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크들을 효율적으로 양산 제조할 수 있다.
또한, 본 발명에 따르면, 상기 프로세스에 의해 제조된 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크가 제공되며, 상기 마스크 블랭크로부터 제조된 하프-톤형 위상 시프팅 마스크도 제공된다.
각각이 상기 프로세스에 의해 형성된 하나 이상의 하프-톤 막을 포함하는 위상 시프팅 막을 갖는 마스크 블랭크들을 투명 기판상에 제공하고, 위상 시프팅 막을 패터닝하여 소정 패턴에 따라 그 일부를 제거함으로써, 광 반-투과부 및 광 투과부로 구성되는 마스크 패턴을 형성하는 것에 의해, 본 발명의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크를 제조할 수 있다.
상기 패터닝 방법에 대한 특별한 제한은 없으므로, 종래의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 제조에서 공지된 어떤 방법도 이용할 수 있다. 예를 들어, 마스크 블랭크의 위상 시프팅 막상에 전자빔 레지스트막을 형성하고, 소정 패턴에 따라, 이 레지스트막에 전자빔을 조사한다. 그 후, 이 레지스트를 현상하여 레지스트 패턴을 형성한 다음, 레지스트 패턴을 마스크로 이용하여 위상 시프팅 막을 드라이-에칭하고, 나머지 레지스트 패턴을 박리 (제거) 하여, 각각이 본 발명에 의해 제공되는 광 반-투과부 및 광 투과부를 갖는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크들을 얻는다.
실시예
이하, 실시예들을 참조하여 본 발명을 보다 상세히 설명하는데, 본 발명이이들 실시예에 의해 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
도 2 에 나타낸 DC 스퍼터링 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여 단일 블랭크 제조 방법에 의해 후술하는 바와 같이, 몰리브덴, 실리콘 및 질소로 실질적으로 이루어진 단층의 광 반-투과막을 투명 기판상에 형성하였다. 이러한 방식으로, KrF 엑시머 레이저빔 (248 nm) 용 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크 250 장을 제작하였다.
스퍼터링 타깃으로서, Mo:Si 의 몰비가 20.0:80.0 인 타깃이 이용되었고, 스퍼터링 가스로서, 아르곤, 질소 및 헬륨을 포함하는 가스 혼합물 (가스 유량 : Ar = 10 SCCM, N2= 80 SCCM, He = 40 SCCM) 이 이용되었다. 광 반-투과막은 KrF 엑시머 레이저빔의 파장에서 그 위상각이 약 180°로 조정되도록 형성되었다. 상기 가스 흐름 조건은 방전 특성이 안정화되는 영역으로부터 선택되었다.
그 다음, 블랭크들은 250℃ 에서 30 분간 열-처리 장치에서 열처리되었다.
(15.2 cm ×15.2 cm 의 정사각 형태를 가진) 상기 위상 시프팅 마스크 블랭크들은 KrF 엑시머 레이저빔의 파장에서 위상각과 투과율 변화를 평가받았다. 측정 (평가) 에서는, 13.2 cm ×13.2 cm 의 정사각 형태를 가진 측정 면적에서의 임의의 6 개 포인트에 대한 데이터의 평균값을 하나의 측정 기판에 대한 값으로 취하였다. 도 4 및 도 5 는 그 결과를 나타낸다. 이들 도면은 블랭크들간의 위상각 변화가 ±1°이내이며 블랭크들간의 투과율 변화가 ±0.1 % 이내임을 나타낸다. 이러한 실시예에서, KrF 엑시머 레이저빔에 대해 안정한 광학 특성을 갖는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크가 양산되었다.
실시예 2
동일한 DC 마그네트론 스퍼터링 장치를 이용하여 단일 블랭크 제조 방법에 의해 후술하는 바와 같이, 몰리브덴, 실리콘 및 질소로 실질적으로 이루어진 단층의 광 반-투과막을 투명 기판상에 형성하였다. 이러한 방식으로, ArF 엑시머 레이저빔 (193 nm) 용 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크 250 장을 제작하였다.
스퍼터링 타깃으로서, Mo:Si 의 몰비가 10.0:90.0 인 타깃이 이용되었고, 스퍼터링 가스로서, 아르곤, 질소 및 헬륨을 포함하는 가스 혼합물이 실시예 1 과 동일한 조건하에서 이용되었다 (가스 유량 : Ar = 10 SCCM, N2= 80 SCCM, He = 40 SCCM). 광 반-투과막은 ArF 엑시머 레이저빔의 파장에서 그 위상각이 약 180°로 조정되도록 형성되었다.
그 다음, 블랭크들은 250℃ 에서 30 분간 열-처리 장치에서 열처리되었다.
(15.2 cm ×15.2 cm 의 정사각 형태를 가진) 상기 위상 시프팅 마스크 블랭크들은 실시예 1 과 동일한 방식으로 ArF 엑시머 레이저빔의 파장에서 위상각과 투과율 변화를 평가받았다. 도 6 및 도 7 이 그 결과를 나타낸다. 이들 도면은 블랭크들간의 위상각 변화가 ±1°이내이며 블랭크들간의 투과율 변화가 ±0.1 % 이내임을 나타낸다. 이러한 실시예에서, ArF 엑시머 레이저빔에 대해 안정한 광학 특성을 갖는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크가 양산되었다.
상기 실시예들에서, 상이한 노광빔의 파장을 위한 복수개의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조할 경우, 방전 안정성이 우수한 가스 조건을 고정하고 타깃의 조성을 변경함으로써, 각각이 상이한 광학 특성을 갖는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크들을 하나의 동일 장치에서 양산할 수 있다.
비교예 1
비교를 위해, 실시예 1 에서와 동일한 장치를 이용하여, 스퍼터링 가스가 아르곤, 질소 및 헬륨을 포함하는 가스 혼합물 (가스 유량 : Ar = 10 SCCM, N2= 60 SCCM, He = 40 SCCM) 로 대체되었다는 것을 제외하면 실시예 1 에서와 동일한 방식으로 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제작하였다.
그 결과, 블랭크들간의 위상각 변화는 ±5°이내였고 블랭크들간의 투과율 변화는 ±1 % 이내였다. 즉, 이들 변화는 실시예 1 의 변화들보다 컸고, 따라서, 소망의 안정한 광학 특성을 갖는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 양산하는 것은 불가능했다.
상기 실시예들은 2 개의 노광빔 파장에 대한 2 가지 타입의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조하는 실시형태를 나타내지만, 2 이상의 노광빔 파장에 대한 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크 또는 상이한 투과율 값을 갖는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크도 당연히 양산가능하다.
스퍼터링 장치가 실시예에서 설명한 단일 블랭크 제조 방법에 따른 장치로 한정되는 것은 아니며, 인-라인 연속 블랭 제조 방법에 따른 장치일 수도 있다.
또한, 반응성 가스로 이용된 N2가 다른 반응성 가스로 대체될 수도 있다.
또한, 상기 실시예에서는, 단층의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크가 제작되었다. 그러나, 본 발명은 각각이 2 이상의 층의 다층 구조를 갖는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 형성에도 적용될 수 있다.
본 발명에 따르면, 블랭크의 양산시, 광학 특성의 변화를 방지할 수 있는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법, 상기 방법에 의해 얻어진 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크 및 상기 마스크 블랭크로부터 제조된 하프-톤형 위상 시프팅 마스크를 제공할 수 있다.

Claims (5)

  1. 각각이 투명 기판상에 하나 이상의 하프-톤 막을 포함하는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조하는 방법으로서,
    금속과 실리콘을 포함하는 타깃을 제공하고, 반응성 가스를 포함하는 분위기에서 반응성 스퍼터링을 수행하여, 상기 투명 기판상에 상기 하프-톤 막을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 반응성 스퍼터링에 의해 하프-톤 막을 형성하는 단계는, 상기 타깃으로는, 소정 광학 특성의 하프-톤 막이 얻어지도록 선택된 금속/실리콘 조성비를 갖는 타깃을 이용하고, 반응성 가스의 유량 변화에 대해 방전 특성이 안정화되는 영역으로부터 선택된 반응성 가스 유량에서 수행되는 것을 특징으로 하는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법.
  2. 각각이 투명 기판상에 하나 이상의 하프-톤 막을 포함하는 위상 시프팅 막을 가지며, 각각에 대한 하프-톤 막은 상이한 광학 특성을 갖는 복수 타입의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크를 제조하는 방법으로서,
    금속과 실리콘을 포함하는 타깃을 제공하고, 반응성 가스를 포함하는 분위기에서 반응성 스퍼터링을 수행하여, 상기 투명 기판상에 상기 하프-톤 막을 형성하는 단계를 포함하고,
    상기 반응성 스퍼터링에 의해 하프-톤 막을 형성하는 단계는, 상기 마스크블랭크들 사이에서 소망의 상이한 하프-톤 막 광학 특성이 얻어지도록, 상이한 금속/실리콘 조성비를 갖는 복수개 타깃으로부터 선택된 타깃을 이용하여, 반응성 가스의 유량 변화에 대해 방전 특성이 안정화되는 영역으로부터 선택된 반응성 가스 유량에서 수행되는 것을 특징으로 하는 복수 타입의 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 반응성 가스는 질소, 산소, 불소 및 이들의 화합물로 이루어진 그룹으로부터 선택되는 하나 이상의 멤버인 것을 특징으로 하는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법.
  4. 제 1 항, 제 2 항 또는 제 3 항에 기재된 방법에 의해 제조되는 것을 특징으로 하는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크.
  5. 제 4 항에 기재된 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크로부터 제조되는 것을 특징으로 하는 하프-톤형 위상 시프팅 마스크.
KR1020030073770A 2002-10-23 2003-10-22 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법 KR100561895B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2002-00308345 2002-10-23
JP2002308345A JP4049372B2 (ja) 2002-10-23 2002-10-23 ハーフトーン型位相シフトマスクブランクスの製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040036589A true KR20040036589A (ko) 2004-04-30
KR100561895B1 KR100561895B1 (ko) 2006-03-16

Family

ID=32211568

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030073770A KR100561895B1 (ko) 2002-10-23 2003-10-22 하프-톤형 위상 시프팅 마스크 블랭크의 제조 방법

Country Status (5)

Country Link
US (2) US7141339B2 (ko)
JP (1) JP4049372B2 (ko)
KR (1) KR100561895B1 (ko)
DE (1) DE10349087B4 (ko)
TW (1) TWI306996B (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100922913B1 (ko) * 2005-05-20 2009-10-22 호야 가부시키가이샤 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법 및 위상 시프트마스크의 제조 방법

Families Citing this family (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4049372B2 (ja) 2002-10-23 2008-02-20 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスクブランクスの製造方法
JP4933754B2 (ja) * 2005-07-21 2012-05-16 信越化学工業株式会社 フォトマスクブランクおよびフォトマスクならびにこれらの製造方法
JP4933753B2 (ja) * 2005-07-21 2012-05-16 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランクおよび位相シフトマスクならびにこれらの製造方法
EP1746460B1 (en) * 2005-07-21 2011-04-06 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Photomask blank, photomask and fabrication method thereof
TWI426343B (zh) * 2007-05-17 2014-02-11 Lg Innotek Co Ltd 一種具有多個半透射部分之半色調網點光罩及其製造方法
US20140174908A1 (en) * 2011-03-29 2014-06-26 Avago Technologies General Ip (Singapore) Pte. Ltd. Scandium-aluminum alloy sputtering targets
KR102123702B1 (ko) 2012-05-16 2020-06-16 호야 가부시키가이샤 마스크 블랭크, 전사용 마스크 및 이들의 제조 방법
CN104883149B (zh) * 2014-02-28 2020-06-05 安华高科技股份有限公司 钪铝合金溅镀目标
JP6396118B2 (ja) * 2014-08-20 2018-09-26 Hoya株式会社 位相シフトマスクブランク及びその製造方法、並びに位相シフトマスクの製造方法
JP6677139B2 (ja) * 2016-09-28 2020-04-08 信越化学工業株式会社 ハーフトーン位相シフト型フォトマスクブランクの製造方法
JP7037919B2 (ja) * 2017-11-14 2022-03-17 アルバック成膜株式会社 マスクブランク、ハーフトーンマスクおよびその製造方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4201645A (en) 1978-06-26 1980-05-06 Robert J. Ferran Closed-loop sputtering system and method of operating same
DE4106513C2 (de) 1991-03-01 2002-06-13 Unaxis Deutschland Holding Verfahren zur Regelung eines reaktiven Sputterprozesses und Vorrichtung zur Durchführung des Verfahrens
JP2996613B2 (ja) 1995-12-27 2000-01-11 ホーヤ株式会社 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
US5942356A (en) * 1996-03-30 1999-08-24 Hoya Corporation Phase shift mask and phase shift mask blank
JP2989156B2 (ja) 1996-03-30 1999-12-13 ホーヤ株式会社 スパッタターゲット、該スパッタターゲットを用いた位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
US6511778B2 (en) * 2000-01-05 2003-01-28 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phase shift mask blank, phase shift mask and method of manufacture
JP4450137B2 (ja) 2000-01-05 2010-04-14 信越化学工業株式会社 位相シフトマスクブランク、位相シフトマスク及び位相シフトマスクの製造方法
US6503668B2 (en) 2000-01-12 2003-01-07 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Phase shift mask blank, phase shift mask, and method of manufacture
JP2002189284A (ja) 2000-01-12 2002-07-05 Shin Etsu Chem Co Ltd 位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスク並びに位相シフトマスクブランク及び位相シフトマスクの製造方法
JP4458216B2 (ja) 2000-09-01 2010-04-28 信越化学工業株式会社 フォトマスク用ブランクス及びフォトマスクの製造方法
JP2002090978A (ja) * 2000-09-12 2002-03-27 Hoya Corp 位相シフトマスクブランクの製造方法、及び位相シフトマスクブランクの製造装置
JP4049372B2 (ja) 2002-10-23 2008-02-20 Ｈｏｙａ株式会社 ハーフトーン型位相シフトマスクブランクスの製造方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100922913B1 (ko) * 2005-05-20 2009-10-22 호야 가부시키가이샤 위상 시프트 마스크 블랭크의 제조 방법 및 위상 시프트마스크의 제조 방법

Also Published As

Publication number Publication date
US20070037073A1 (en) 2007-02-15
DE10349087A1 (de) 2004-05-27
JP4049372B2 (ja) 2008-02-20
TWI306996B (en) 2009-03-01
TW200421053A (en) 2004-10-16
KR100561895B1 (ko) 2006-03-16
US7141339B2 (en) 2006-11-28
JP2004144900A (ja) 2004-05-20
US7601468B2 (en) 2009-10-13
US20040110072A1 (en) 2004-06-10
DE10349087B4 (de) 2009-02-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7601468B2 (en) Process for manufacturing half-tone phase shifting mask blanks
EP1722271B1 (en) Phase-shift photomask-blank, phase-shift photomask and fabrication method thereof
KR100587827B1 (ko) 포토마스크 블랭크의 제조방법
US7736824B2 (en) Photomask blank, photomask, and method of manufacture
KR20010104642A (ko) 하프톤 위상 시프트 포토마스크 및 하프톤 위상 시프트포토마스크용 블랭크
EP3165963B1 (en) Photomask blank, making method, and photomask
US7419749B2 (en) Halftone phase shift mask blank, halftone phase shift mask and their preparation
EP1321820B1 (en) Halftone phase shift photomask and blank for halftone phase shift photomask
JP2002244274A (ja) フォトマスクブランク、フォトマスク及びこれらの製造方法
KR20080106307A (ko) 포토마스크 블랭크 및 포토마스크와 그들의 제조 방법
EP1116998B1 (en) Blank for halftone phase shift photomask and halftone phase shift photomask
US5419988A (en) Photomask blank and phase shift photomask
CN111801618A (zh) 掩模坯料、相移掩模及半导体器件的制造方法
EP3660587B1 (en) Method for preparing a photomask blank
JP4021237B2 (ja) リソグラフィーマスクブランクの製造方法及びリソグラフィーマスク並びにハーフトーン型位相シフトマスクブランク
JP2004318088A (ja) フォトマスクブランク及びフォトマスク並びにフォトマスクブランクの製造方法
JPH11125896A (ja) フォトマスクブランクス及びフォトマスク
JP4332697B2 (ja) スパッタターゲット
JP6528877B2 (ja) フォトマスクブランクの製造方法
JPH0980736A (ja) 露光用マスク及びその製造方法
JPH0659434A (ja) 位相シフトフォトマスクブランク及び位相シフトフォトマスク
JPH0659433A (ja) フォトマスクブランク及びフォトマスク

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
O035 Opposition [patent]: request for opposition
O132 Decision on opposition [patent]
O074 Maintenance of registration after opposition [patent]: final registration of opposition
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130227

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140220

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150224

Year of fee payment: 10

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20160219

Year of fee payment: 11

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20170221

Year of fee payment: 12

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20180220

Year of fee payment: 13

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190219

Year of fee payment: 14

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200219

Year of fee payment: 15