KR20040030236A - Conductive Paste Composition, Transfer Film for Forming Electrode and Electrode for Plasma Display Panel - Google Patents

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KR20040030236A
KR20040030236A KR1020030049638A KR20030049638A KR20040030236A KR 20040030236 A KR20040030236 A KR 20040030236A KR 1020030049638 A KR1020030049638 A KR 1020030049638A KR 20030049638 A KR20030049638 A KR 20030049638A KR 20040030236 A KR20040030236 A KR 20040030236A
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가쯔히로 우찌야마
가오리 요시미쯔
다까히로 사까이
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제이에스알 가부시끼가이샤
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Abstract

PURPOSE: A conductive paste composition and a transfer film for electrode formation are provided to improve the electroconductivity and cohesiveness in electrode pattern, thereby being advantageously used in electrodes of plasma display panel (PDP). CONSTITUTION: The conductive paste composition comprises: (A) an electroconductive powder having the specific surface area of 1.5-5.0m2/g and comprising at least Ag powder; (B) a glass frit wherein the glass frit is a smokeless glass frit having a softening point of at least 400-600deg.C; and (C) a binding resin comprising at least (meth)acryl resin containing carboxyl groups. The transfer film for electrode formation comprises an electroconductive resin layer obtained from the electroconductive composition.

Description

도전성 페이스트 조성물, 전극 형성용 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널용 전극 {Conductive Paste Composition, Transfer Film for Forming Electrode and Electrode for Plasma Display Panel}Conductive paste composition, electrode for transfer film and electrode for plasma display panel {Conductive Paste Composition, Transfer Film for Forming Electrode and Electrode for Plasma Display Panel}

본 발명은 도전성 페이스트 조성물, 전극 형성용 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널용 전극에 관한 것이며, 더욱 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 형성을 위해 매우 적합하게 사용할 수 있는 도전성 페이스트 조성물, 전극 형성용 전사 필름 및 그것을 사용하여 얻어지는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극에 관한 것이다.The present invention relates to a conductive paste composition, a transfer film for forming an electrode and an electrode for a plasma display panel, and more particularly, a conductive paste composition, a transfer film for forming an electrode, which can be used suitably for forming an electrode of a plasma display panel, and The present invention relates to an electrode for plasma display panel obtained using the same.

플라즈마 디스플레이 패널 (PDP)은 제조 공정이 용이하다는 것, 시야각이 넓다는 것, 자발광 유형으로 표시 품위가 높다는 것 등의 이유로 플랫 패널 표시 기술 중에서 주목받고 있으며, 특히 칼라 플라즈마 디스플레이 패널은 20 인치 이상의 대형 표시 장치로서 벽걸이 텔레비젼 등의 용도로 주류를 이룰 것으로 기대되고 있다.Plasma display panels (PDPs) are attracting attention among flat panel display technologies due to their ease of manufacturing process, wide viewing angle, and high display quality due to their self-luminous type. As a large display device, it is expected to become mainstream for the use of a wall-mounted television.

칼라 PDP는 가스 방전에 의해 발생되는 자외선을 형광체에 조사함으로써 칼라 표시가 가능하다. 그리고 일반적으로 칼라 PDP에서는 적색 발광용의 형광체 부위, 녹색 발광용의 형광체 부위 및 청색 발광용의 형광체 부위가 기판 상에 형성됨으로써 각 색의 발광 표시 셀이 전체적으로 균일하게 혼재한 상태로 구성되어 있다. 구체적으로는 유리 등으로 이루어지는 기판의 표면에, 배리어 리브라 칭하는 절연성 재료를 포함하는 격벽이 설치되고, 이 격벽에 의해서 다수의 표시 셀이 구획되며 이 표시 셀의 내부가 플라즈마 작용 공간이 된다. 그리고 이 플라즈마 작용 공간에 형광체 부위가 설치됨과 동시에 이 형광체 부위에 플라즈마를 작용시키는 전극이 설치됨으로써 각각의 표시 셀을 표시 단위로 하는 PDP가 구성된다.Color PDP can display a color by irradiating a fluorescent substance with the ultraviolet-ray generate | occur | produced by gas discharge. In general, in the color PDP, a phosphor region for red light emission, a phosphor region for green light emission, and a phosphor region for blue light emission are formed on a substrate, and the light emitting display cells of each color are uniformly mixed as a whole. Specifically, a partition wall including an insulating material called barrier rebar is provided on the surface of the substrate made of glass or the like, and a plurality of display cells are partitioned by the partition wall, and the inside of the display cell becomes a plasma working space. A phosphor portion is provided in the plasma working space and an electrode for applying a plasma to the phosphor portion is provided to form a PDP having each display cell as a display unit.

도 1은 교류형의 PDP의 단면 형상을 나타내는 모식도이다. 도 1에 있어서, 1 및 2는 대향 배치된 유리 기판이고, 3은 격벽이고, 유리 기판 (1), 유리 기판 (2) 및 격벽 (3)에 의해 셀이 구획 형성된다. 4는 유리 기판 (1)에 고정된 투명 전극, 5는 투명 전극의 저항을 내릴 목적으로 투명 전극 상에 형성된 버스 전극, 6은 유리 기판 (2)에 고정된 어드레스 전극, 7은 셀 내에 유지된 형광체, 8은 투명 전극 (4) 및 버스 전극 (5)를 피복하도록 유리 기판 (1)의 표면에 형성된 유전체층, 9는 어드레스 전극 (6)을 피복하도록 유리 기판 (2)의 표면에 형성된 유전체층, 10은 예를 들면 산화마그네슘을 포함하는 보호막이다. 또한 직류형의 PDP에서는 통상적으로 전극 단자 (양극 단자)와 전극 리드 (양극 리드)의 사이에 저항체를 설치한다. 또한 PDP의 콘트라스트를 향상시키기 위해 적색, 녹색, 청색의 칼라 필터나 블랙 매트릭스를 상기 유전체층 (8)과 보호막 (10)의 사이 등에 설치하는 경우도 있다.1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC PDP. In FIG. 1, 1 and 2 are glass substrates arrange | positioned opposingly, 3 is a partition, and a cell is partitioned by the glass substrate 1, the glass substrate 2, and the partition 3. 4 is a transparent electrode fixed to the glass substrate 1, 5 is a bus electrode formed on the transparent electrode for the purpose of lowering the resistance of the transparent electrode, 6 is an address electrode fixed to the glass substrate 2, 7 is maintained in the cell Phosphor, 8 is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 1 to cover the transparent electrode 4 and the bus electrode 5, 9 is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 2 to cover the address electrode 6, 10 is a protective film containing magnesium oxide, for example. In the direct current type PDP, a resistor is usually provided between the electrode terminal (anode terminal) and the electrode lead (anode lead). In addition, in order to improve the contrast of the PDP, a red, green or blue color filter or black matrix may be provided between the dielectric layer 8 and the protective film 10 or the like.

이러한 PDP에 있어서의 전극 패턴의 제조 방법으로서는, (1) 금속 박막을 스퍼터링이 증착 등으로 형성하고, 레지스트를 도포, 노광, 현상 후에 에칭액에 의해 금속 박막의 패턴을 형성하는 에칭법, (2) 비감광성의 무기 분체 함유 수지 조성물을 기판 상에 스크린 인쇄하여 패턴을 얻고, 이것을 소성하는 스크린 인쇄법, (3) 감광성의 무기 분체 함유 수지 조성물의 막을 기판 상에 형성하고, 이 막에 포토마스크를 통해 자외선을 조사한 후에 현상함으로써 기판 상에 패턴을 잔존시키고, 이것을 소성하는 포토리소그래피법 등이 알려져 있다.As a method of manufacturing an electrode pattern in such a PDP, (1) an etching method in which a metal thin film is formed by sputtering deposition or the like and a pattern of the metal thin film is formed by etching liquid after coating, exposure and development of a resist, (2) The screen printing method of screen-printing a non-photosensitive inorganic powder containing resin composition on a board | substrate, and baking this, (3) forming the film of the photosensitive inorganic powder containing resin composition on a board | substrate, and attaching a photomask to this film The photolithographic method etc. which leave a pattern on a board | substrate by developing after irradiating an ultraviolet-ray through and baking this are known.

그러나 상기 에칭법으로는 대형의 진공 설비가 필요하다는 점, 공정 상의 처리량이 지연된다는 점 등의 문제가 있다.However, the etching method has a problem such as the need for a large vacuum equipment and the delay in the throughput in the process.

또한 상기 스크린 인쇄법으로는 패널의 대형화 및 고정밀화에 따라 패턴의 위치 정밀도의 요구가 매우 높아져 통상적인 인쇄로는 대응할 수 없다는 문제가 있다.In addition, the screen printing method has a problem in that the demand for positional accuracy of the pattern is very high due to the increase in size and precision of the panel, and thus it is not possible to cope with normal printing.

또한 상기 포토리소그래피법으로는 5 ㎛ 이상의 막 두께를 갖는 패턴을 형성할 때, 무기 분체 함유 수지 조성물의 막의 깊이 방향에 대한 감도가 불충분하고, 현상시에 기판 계면으로부터 패턴이 박리되기 쉽다는 문제가 있다.Further, when the pattern having a film thickness of 5 μm or more is formed by the photolithography method, there is a problem that the sensitivity of the inorganic powder-containing resin composition to the depth direction of the film is insufficient, and the pattern is easily peeled from the substrate interface during development. have.

따라서, 상기와 같은 에칭법, 스크린 인쇄법 및 포토리소그래피법에서 볼 수 있는 문제를 해결하는 수단으로서 본 발명자들은 레지스트막과 무기 분체 함유 수지층과의 적층막을 지지 필름 상에 형성하고, 지지 필름 상에 형성된 적층막을 기판 상에 전사하고, 이 적층막을 구성하는 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 이 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키고, 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성하고, 이 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 상기 기판의 표면에 전극을 형성하는 공정을 포함하는 제조 방법 (이하, 「드라이 필름법」이라 하기도 함)을 제안하고 있다 (일본 특허 공개 평 11-162339, 일본 특허 공개 평 11-283495 공보 참조).Therefore, as a means of solving the problems seen in the above etching method, screen printing method and photolithography method, the present inventors form a laminated film of a resist film and an inorganic powder-containing resin layer on a support film, and onto the support film. The laminated film formed on the substrate was transferred onto a substrate, the resist film constituting the laminated film was exposed to light to form a latent image of the resist pattern, the resist film was developed to present the resist pattern, and the inorganic powder-containing resin layer was etched. A manufacturing method comprising the step of forming an electrode on the surface of the substrate by a method including a step of forming a pattern of an inorganic powder-containing resin layer corresponding to a resist pattern and firing the pattern (hereinafter, referred to as a "dry film Act, also referred to as "Law" (Japanese Patent Laid-Open No. 11-162339, Japanese Patent Laid-Open No. 11-2). See 83495).

그러나 이러한 제조 방법으로는 간편하게 고정밀 패턴의 형성이 가능하기는 하지만 도전성 등의 전극 성능에 있어서는 불충분한 면이 있었다.However, although such a high-precision pattern can be formed easily by such a manufacturing method, there existed an inadequate aspect in electrode performance, such as electroconductivity.

본 발명의 과제는 우수한 도전성을 가짐과 동시에 양호한 밀착성을 갖는 전극 패턴을 형성할 수 있는 도전성 페이스트 조성물, 전극 형성용 전사 필름 및 그것을 사용하여 얻어지는 PDP용 전극을 제공하는 것에 있다.The subject of this invention is providing the electrically conductive paste composition which can form the electrode pattern which has the outstanding electroconductivity and the favorable adhesiveness, the transfer film for electrode formation, and the electrode for PDP obtained using the same.

도 1은 일반적인 PDP를 나타내는 설명용 단면도이다.1 is a cross-sectional view illustrating a general PDP.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1 유리 기판1 glass substrate

2 유리 기판2 glass substrates

3 격벽3 bulkhead

4 투명 전극4 transparent electrodes

5 버스 전극5 bus electrode

6 어드레스 전극6 address electrode

7 형광체7 phosphor

8 유전체층8 Dielectric Layer

9 유전체층9 dielectric layer

10 보호막10 Shield

본 발명의 도전성 페이스트 조성물은 (A) 비표면적이 1.5 내지 5.0 ㎡/g인 도전성 분체, (B) 유리 프릿 및 (C) 결합 수지를 함유하는 것을 특징으로 한다.The electrically conductive paste composition of this invention contains the electrically conductive powder (A) specific surface area of 1.5-5.0 m <2> / g, (B) glass frit, and (C) bonding resin.

또한 본 발명의 도전성 페이스트 조성물은 (A) 도전성 분체로서 적어도 Ag 분체를 함유하는 것이 바람직하다. 또한 (B) 유리 프릿으로서 적어도 연화점이 400 내지 600 ℃인 무연 유리 프릿을 함유하는 것이 바람직하다. 또한 (C) 결합 수지로서 적어도 카르복실기 함유 (메트)아크릴 수지를 함유하는 것이 바람직하다.Moreover, it is preferable that the electrically conductive paste composition of this invention contains at least Ag powder as (A) electroconductive powder. Moreover, it is preferable to contain the lead-free glass frit whose softening point is 400-600 degreeC at least as (B) glass frit. Moreover, it is preferable to contain at least a carboxyl group-containing (meth) acrylic resin as (C) bonding resin.

본 발명의 전극 형성용 전사 필름은 본 발명의 도전성 페이스트 조성물을 도포함으로써 얻어지는 도전성 수지층을 함유하는 것을 특징으로 한다.The transfer film for electrode formation of this invention contains the conductive resin layer obtained by apply | coating the electrically conductive paste composition of this invention, It is characterized by the above-mentioned.

본 발명의 PDP용 전극은 본 발명의 도전성 페이스트 조성물 및(또는) 본 발명의 전극 형성용 전사 필름을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 한다.The electrode for PDP of this invention is formed using the electrically conductive paste composition of this invention, and / or the electrode transfer film for formation of this invention.

<발명의 실시의 형태><Embodiment of the Invention>

이하, 본 발명의 도전성 페이스트 조성물, 전극 형성용 전사 필름 및 PDP용 전극을 상세하게 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the electrically conductive paste composition of this invention, the transfer film for electrode formation, and the electrode for PDP are explained in full detail.

<도전성 페이스트 조성물><Conductive Paste Composition>

본 발명의 도전성 페이스트 조성물은 (A) 도전성 분체, (B) 유리 프릿 및 (C) 결합 수지를 적어도 함유하고, (A) 도전성 분체의 비표면적이 1.5 내지 5.0㎡/g인 것을 필수로 한다.The electrically conductive paste composition of this invention contains at least (A) electroconductive powder, (B) glass frit, and (C) bonding resin, and it is essential that the specific surface area of (A) electroconductive powder is 1.5-5.0 m <2> / g.

(A) 도전성 분체(A) conductive powder

본 발명의 도전성 페이스트 조성물에 함유되는 도전성 분체의 비표면적은 1.5 내지 5.0 ㎡/g이고, 바람직하게는 1.5 내지 4.0 ㎡/g이고, 더욱 바람직하게는 2.0 내지 3.5 ㎡/g이다.The specific surface area of the electroconductive powder contained in the electrically conductive paste composition of this invention is 1.5-5.0 m <2> / g, Preferably it is 1.5-4.0 m <2> / g, More preferably, it is 2.0-3.5 m <2> / g.

도전성 분체의 비표면적이 1.5 ㎡/g 미만인 경우에는 도전성 페이스트 조성물을 사용하여 얻어지는 전극 패턴의 도전성이 충분하지 않다. 한편, 도전성 분체의 비표면적이 5.0 ㎡/g을 초과할 경우에는 도전성 페이스트 조성물 중에서 분체의 응집이 발생되기 쉽고 안정된 분산 상태를 얻기 어려워진다. 또한, 도전성 페이스트 조성물을 사용하여 얻어지는 전극 패턴의 기판에 대한 밀착성이 손상되기 쉽다.When the specific surface area of electroconductive powder is less than 1.5 m <2> / g, the electroconductivity of the electrode pattern obtained using an electrically conductive paste composition is not enough. On the other hand, when the specific surface area of electroconductive powder exceeds 5.0 m <2> / g, aggregation of powder will arise easily in a conductive paste composition, and it will become difficult to obtain a stable dispersion state. Moreover, the adhesiveness with respect to the board | substrate of the electrode pattern obtained using an electrically conductive paste composition tends to be impaired.

또한 여기서 말하는 비표면적이란 도전성 페이스트 조성물에 함유되는 도전성 분체의 BET법에 의해 구할 수 있는 평균치를 말한다.In addition, the specific surface area here means the average value calculated | required by the BET method of the electroconductive powder contained in an electrically conductive paste composition.

본 발명의 도전성 페이스트 조성물에서 도전성 분체로서는 Ag, Au, Al, Cu, Ag-Pd 합금 등의 금속 및 합금을 들 수 있고, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 이러한 도전성 분체 중에서도 대기 중에서 소성한 경우에도 산화에 의한 도전성의 저하가 발생되지 않고, 비교적 저렴한 Ag를 사용하는 것이 특히 바람직하다.Examples of the conductive powder in the conductive paste composition of the present invention include metals and alloys such as Ag, Au, Al, Cu, Ag-Pd alloys, and can be used alone or in combination of two or more thereof. It is especially preferable to use Ag which is relatively inexpensive, even if it bakes in air | atmosphere among these electroconductive powders, and the fall of electroconductivity does not occur.

상기 도전성 분체의 형상으로서는 입상, 구형, 플레이크형 등 특별히 한정되지 않고, 단독으로 또는 2종 이상의 형상의 도전성 분체를 혼합하여 사용할 수도 있다. 또한 상기 도전성 분체의 평균 입경은 바람직하게는 0.1 내지 5 ㎛이고, 다른 입경을 갖는 도전성 분체를 혼합하여 사용할 수도 있다.The shape of the conductive powder is not particularly limited to granular, spherical or flake type, and may be used alone or in combination of two or more types of conductive powders. Moreover, the average particle diameter of the said electroconductive powder becomes like this. Preferably it is 0.1-5 micrometers, You may mix and use the electroconductive powder which has another particle diameter.

(B) 유리 프릿(B) glass frit

본 발명의 도전성 페이스트 조성물에 함유되는 유리 프릿으로서는 저융점 유리 프릿이 바람직하게 사용된다. 통상적으로 연화점 650 ℃ 이하의 유리 프릿이 사용되고, 바람직하게는 400 내지 600 ℃의 유리 프릿이 사용된다. 유리 프릿의 연화점이 400 ℃ 미만인 경우에는 소성 공정에서 후술하는 결합 수지가 분해 제거되기 전에 유리 프릿의 용융이 개시되기 때문에, 소성 후의 패턴에 유기 잔사가 잔존될 우려가 있다. 또한 유리 프릿의 연화점이 600 ℃를 초과할 경우에는 소성 공정에서 유리 프릿이 충분히 용융되지 않고, 소성 후의 패턴의 밀착성이 불충분해질 우려가 있다.As the glass frit contained in the conductive paste composition of the present invention, a low melting glass frit is preferably used. Usually a glass frit with a softening point of 650 ° C. or lower is used, and preferably a glass frit with 400 to 600 ° C. is used. When the softening point of a glass frit is less than 400 degreeC, since melting of a glass frit starts before the bonding resin mentioned later in a baking process is removed and removed, there exists a possibility that an organic residue may remain in the pattern after baking. Moreover, when the softening point of a glass frit exceeds 600 degreeC, a glass frit does not melt enough in a baking process, and there exists a possibility that the adhesiveness of the pattern after baking may become inadequate.

유리 프릿의 조성으로서는, 예를 들면 (1) 산화납, 산화붕소, 산화규소계 (PbO-B2O3-SiO2계), (2) 산화납, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄계 (PbO-B2O3-SiO2-Al2O3계), (3) 산화아연, 산화붕소, 산화규소계 (ZnO-B2O3-SiO2계), (4) 산화아연, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄계 (ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3계), (5) 산화납, 산화아연, 산화붕소, 산화규소계 (PbO-ZnO-B2O3-SiO2계), (6) 산화납, 산화아연, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄계 (PbO-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3계), (7) 산화비스무스, 산화붕소, 산화규소계 (Bi2O3-B2O3-SiO2계), (8) 산화비스무스, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄계 (Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3계), (9) 산화비스무스, 산화아연, 산화붕소,산화규소계 (Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2계), (10) 산화비스무스, 산화아연, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄계 (Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3계) 등을 들 수 있다. 이러한 유리 프릿 중에서도 환경 상의 문제로 상기 (3), (4), (7), (8), (9) 및 (10)에 기재된 무연 유리 프릿을 사용하는 것이 바람직하고, 그 중에서도 도전성 페이스트 조성물의 경시 안정성의 관점에서 (7), (8), (9) 및 (10)에 기재된 산화비스무스를 주성분으로 하는 무연 유리 프릿을 사용하는 것이 특히 바람직하다.As the composition of the glass frit, for example, (1) lead oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 type ), (2) lead oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide type ( PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 based), (3) zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 based), (4) zinc oxide, boron oxide , Silicon oxide, aluminum oxide type (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 type ), (5) lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide type (PbO-ZnO-B 2 O 3- SiO 2 based), (6) lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide based (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 based), (7) bismuth oxide, oxide Boron, silicon oxide (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 type ), (8) bismuth oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide type (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2- Al 2 O 3 type ), (9) bismuth oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide type (Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 type ), (10) bismuth oxide, zinc oxide, oxidation Boron, Silicon Oxide, Aluminum Oxide And the like (Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 system). Among these glass frits, it is preferable to use the lead-free glass frit described in the above (3), (4), (7), (8), (9) and (10) as an environmental problem, and among these, the conductive paste composition It is particularly preferable to use a lead-free glass frit mainly containing bismuth oxide as described in (7), (8), (9) and (10) from the viewpoint of aging stability.

또한 상기 유리 프릿의 형상은 특별히 한정되지 않고, 평균 입경은 바람직하게는 0.1 내지 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.5 내지 5 ㎛이다. 유리 프릿의 평균 입경이 O.1 ㎛ 미만인 경우는 유리 프릿의 비표면적이 커지기 때문에 도전성 페이스트 조성물 중에서 입자의 응집이 발생되기 쉬워 안정된 분산 상태를 얻기 어려움과 동시에 도전성 페이스트 조성물의 증점 등의 경시 변화가 생길 경우가 있다. 한편, 유리 프릿의 평균 입경이 1O ㎛ 이상인 경우는 고정밀의 전극 패턴을 얻기가 어려워진다.Moreover, the shape of the said glass frit is not specifically limited, The average particle diameter becomes like this. Preferably it is 0.1-10 micrometers, More preferably, it is 0.5-5 micrometers. When the average particle diameter of the glass frit is less than 0.1 µm, the specific surface area of the glass frit is large, so that aggregation of particles in the conductive paste composition tends to occur, making it difficult to obtain a stable dispersion state and at the same time changing the thickening of the conductive paste composition. It may occur. On the other hand, when the average particle diameter of glass frit is 10 micrometers or more, it becomes difficult to obtain a high precision electrode pattern.

상기 유리 프릿은, 단독으로 또는 다른 유리 프릿 조성, 다른 연화점, 다른 형상, 다른 평균 입경을 갖는 유리 프릿을 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.The said glass frit can be used individually or in combination of 2 or more types of glass frits which have another glass frit composition, another softening point, another shape, and another average particle diameter.

도전성 페이스트 조성물에 있어서의 유리 프릿의 함유량은 도전성 분체 100 중량부에 대하여 바람직하게는 1 내지 30 중량부, 특히 바람직하게는 2 내지 20 중량부이다. 유리 프릿이 1 중량부 미만이면 얻어지는 전극의 기판에의 밀착성이 불충분해질 우려가 있다. 또한 30 중량부를 초과하면 얻어지는 전극의 도전성이 저하될 우려가 있음과 동시에 도전성 페이스트 조성물의 보존 안정성이 저하되어 경시 변화가 생길 우려가 있다.The content of the glass frit in the conductive paste composition is preferably 1 to 30 parts by weight, particularly preferably 2 to 20 parts by weight based on 100 parts by weight of the conductive powder. When glass frit is less than 1 weight part, there exists a possibility that the adhesiveness to the board | substrate of the electrode obtained may become inadequate. Moreover, when it exceeds 30 weight part, there exists a possibility that the electroconductivity of the electrode obtained may fall, and the storage stability of an electrically conductive paste composition may fall, and a time-dependent change may occur.

(C) 결합 수지(C) binding resin

본 발명의 도전성 페이스트 조성물에 함유되는 결합 수지로서는 각종 수지를 사용할 수 있지만, 알칼리 가용성 수지를 30 내지 100 중량%의 비율로 함유하는 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 여기서 「알칼리 가용성」이란 알칼리성의 에칭액에 의해 용해되어 목적으로 하는 에칭 처리가 수행될 정도로 용해성을 갖는 성질을 말한다.Various resins can be used as the binder resin contained in the conductive paste composition of the present invention, but it is preferable to use a resin containing an alkali-soluble resin in a proportion of 30 to 100% by weight. Here, "alkali solubility" means the property which has solubility so that it may melt | dissolve by alkaline etching liquid and the target etching process may be performed.

이들 알칼리 가용성 수지의 구체적인 예로서는 예를 들면 (메트)아크릴계 수지, 히드록시스티렌 수지, 노볼락 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.As a specific example of these alkali-soluble resin, (meth) acrylic-type resin, hydroxy styrene resin, a novolak resin, polyester resin, etc. are mentioned, for example.

이러한 알칼리 가용성 수지 중, 특히 바람직한 것으로서는 하기 단량체 (가)와 단량체 (다)의 공중합체, 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체 등의 카르복실기 함유 (메트)아크릴 수지를 들 수 있다.Among such alkali-soluble resins, carboxyl group-containing (meth) acrylic resins such as copolymers of the following monomers (a) and monomers (c), copolymers of monomers (a), monomers (b) and monomers (c) are particularly preferred. Can be mentioned.

단량체 (가): 카르복실기 함유 단량체류Monomer (A): Carboxyl group-containing monomers

아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 신남산, 숙신산 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), ω-카르복시-폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트 등.Acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, succinic acid mono (2- (meth) acryloyloxyethyl), ω-carboxy-polycaprolactone mono (Meth) acrylates and the like.

단량체 (나): OH 함유 단량체류Monomer (B): OH-containing monomers

(메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 3-히드록시프로필 등의 수산기 함유 단량체류; o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌 등의 페놀성 수산기 함유 단량체류 등.Hydroxyl group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate; Phenolic hydroxyl group containing monomers, such as o-hydroxy styrene, m-hydroxy styrene, and p-hydroxy styrene.

단량체 (다): 그 밖의 공중합 가능한 단량체류Monomer (C): Other copolymerizable monomers

(메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산 n-부틸, (메트)아크릴산 n-라우릴, (메트)아크릴산벤질, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트 등의, 단량체 (가) 이외의 (메트)아크릴산에스테르류; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 방향족 비닐계 단량체류; 부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디엔류; 폴리스티렌, 폴리(메트)아크릴산메틸, 폴리(메트)아크릴산에틸, 폴리(메트)아크릴산벤질 등의 중합체쇄의 한쪽 말단에 (메트)아크릴로일기 등의 중합성 불포화기를 갖는 매크로 단량체류:Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, n-lauryl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) (Meth) acrylic acid esters other than monomer (a), such as an acrylate; Aromatic vinyl monomers such as styrene and α-methylstyrene; Conjugated dienes such as butadiene and isoprene; Macromonomers which have a polymerizable unsaturated group, such as a (meth) acryloyl group, in one terminal of polymer chains, such as polystyrene, methyl poly (meth) acrylate, poly (meth) acrylate, and benzyl poly (meth) acrylate:

상기 단량체 (가)와 단량체 (다)의 공중합체 또는 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체는 단량체 (가)에 유래하는 공중합 성분의 존재에 의해 알칼리 가용성을 갖는 것이 된다. 그 중에서도 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체는 (A) 도전성 분체, (B) 유리 프릿의 분산 안정성이나 후술하는 알칼리 현상액으로의 용해성의 관점에서 특히 바람직하다. 이 공중합체에 있어서의 단량체 (가)에 유래하는 공중합 성분의 함유율은 바람직하게는 5 내지 60 질량%, 특히 바람직하게는 10 내지 40 질량%이고, 단량체 (나)에 유래하는 공중합 성분의 함유율은 바람직하게는 1 내지 50 질량%, 특히 바람직하게는 5 내지 30 질량%이다.The copolymer of the monomer (A) and the monomer (C) or the copolymer of the monomer (A), the monomer (B) and the monomer (C) has alkali solubility by the presence of a copolymerization component derived from the monomer (A). do. Especially, the copolymer of a monomer (A), a monomer (B), and a monomer (C) is especially preferable from a viewpoint of the dispersion stability of (A) electroconductive powder and (B) glass frit, and the solubility to the alkali developing solution mentioned later. The content rate of the copolymerization component derived from the monomer (a) in this copolymer becomes like this. Preferably it is 5-60 mass%, Especially preferably, it is 10-40 mass%, and the content rate of the copolymerization component derived from a monomer (b) is Preferably it is 1-50 mass%, Especially preferably, it is 5-30 mass%.

도전성 페이스트 조성물을 구성하는 알칼리 가용성 수지의 분자량은 GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (이하, 「Mw」라 하기도 함)으로 5,000내지 5,000,000인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 300,000이다.The molecular weight of the alkali-soluble resin constituting the conductive paste composition is preferably 5,000 to 5,000,000, more preferably 10,000 to 300,000, in terms of weight average molecular weight (hereinafter referred to as "Mw") in terms of polystyrene by GPC.

본 발명의 도전성 페이스트 조성물에 있어서 (C) 결합 수지의 사용 비율로서는 (A) 도전성 분체 100 중량부에 대하여 5 내지 50 중량부의 비율인 것이 바람직하다. 결합 수지의 함유량이 5 중량부 미만인 경우는 도전성 페이스트 조성물 중에서 분체의 응집이 발생되기 쉽고, 안정된 분산 상태를 얻기가 어려워질 경우가 있고, 또한 이 도전성 페이스트 조성물을 도포하여 형성된 전극 형성용 필름의 가요성이나 전사성이 현저히 저하되는 경우가 있다. 또한 결합 수지의 함유량이 50 중량부를 초과할 경우에는 전극 형성 공정 중의 소성 처리의 공정에서 패턴의 수축이 커지는 경향이 있고, 패턴의 변형이 발생될 우려가 있다.In the electrically conductive paste composition of this invention, it is preferable that it is the ratio of 5-50 weight part with respect to 100 weight part of (A) electroconductive powder as a use ratio of (C) binder resin. When the content of the binder resin is less than 5 parts by weight, agglomeration of powder is likely to occur in the conductive paste composition, and it may be difficult to obtain a stable dispersion state, and the flexible film for forming an electrode formed by applying the conductive paste composition may be In some cases, the properties and the transferability may be significantly reduced. When the content of the binder resin exceeds 50 parts by weight, the shrinkage of the pattern tends to be large in the step of the firing treatment in the electrode forming step, and there is a fear that the deformation of the pattern occurs.

(D) 용제(D) solvent

본 발명의 도전성 페이스트 조성물에는 통상적으로 용제가 함유된다. 상기 용제로서는 (A) 도전성 분체, (B) 유리 프릿과의 친화성, 및 (C) 결합 수지의 용해성이 양호하고, 도전성 페이스트 조성물에 적절한 점성을 부여할 수 있고, 건조시킴으로써 용이하게 증발 제거시킬 수 있는 것이 바람직하다.The electrically conductive paste composition of this invention contains a solvent normally. As said solvent, (A) electroconductive powder, affinity with (B) glass frit, and the solubility of (C) bonding resin are favorable, an appropriate viscosity can be provided to an electrically conductive paste composition, and it can be easily evaporated and removed by drying. It is desirable to be able to.

이러한 용제의 구체적인 예로서는 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; n-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 시클로헥산올, 디아세톤 알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 에테르계 알코올류; 아세트산-n-부틸, 아세트산아밀 등의 포화 지방족 모노카르복실산알킬에스테르류; 락트산에틸, 락트산-n-부틸 등의 락트산에스테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등의 에테르계 에스테르류 등을 예시할 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples of such a solvent include ketones such as diethyl ketone, methyl butyl ketone, dipropyl ketone, and cyclohexanone; alcohols such as n-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, cyclohexanol and diacetone alcohol; Ether alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether; Saturated aliphatic monocarboxylic acid alkyl esters such as acetic acid-n-butyl and amyl acetate; Lactic acid esters such as ethyl lactate and lactic acid-n-butyl; Ether-based esters such as methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and ethyl-3-ethoxypropionate, and the like can be exemplified, and these can be used alone or in combination of two or more thereof. Can be used.

도전성 페이스트 조성물에 있어서 용제의 함유 비율은 양호한 막 형성성 (유동성 또는 가소성)이 얻어지는 범위 내에서 적절하게 선택할 수 있지만 통상적으로 (A) 도전성 분체 100 중량부에 대하여 1 내지 10,000 중량부이고, 바람직하게는 10 내지 1,000 중량부이다.Although the content rate of a solvent in an electrically conductive paste composition can be suitably selected within the range from which favorable film formation property (flowability or plasticity) is obtained, it is normally 1-10,000 weight part with respect to 100 weight part of (A) electroconductive powder, Preferably Is 10 to 1,000 parts by weight.

도전성 페이스트 조성물에는 상기 성분 이외에, 다른 무기 분체, 가소제, 현상 촉진제, 접착 조제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 분산제, 가교제, 광중합 개시제, 광산발생제, 열중합 개시제, 열산발생제 등의 각종 첨가제를 임의 성분으로 함유할 수 있다.In addition to the above components, the conductive paste composition may contain other inorganic powders, plasticizers, development accelerators, adhesion aids, storage stabilizers, antifoaming agents, antioxidants, ultraviolet absorbers, dispersants, crosslinking agents, photopolymerization initiators, photoacid generators, thermal polymerization initiators, thermal acid generators, and the like. Various additives of can be contained as an arbitrary component.

특히, 도전성 페이스트 조성물에는 본 발명의 전극 형성용 전사 필름의 가요성이나 전사성을 양호하게 유지하기 위해서 가소제를 사용하는 것이 바람직하다. 도전성 페이스트 조성물에 사용되는 가소제로서는 각종 화합물을 사용할 수 있고, 디부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디-2-에틸헥실아디페이트, 디-2-에틸헥실아젤레이트, 디부틸세바케이트, 디부틸디글리콜아디페이트, 프로필렌글리콜모노라우레이트, 프로필렌글리콜모노올레이트, 디-2-에틸헥실프탈레이트 등의 화합물 또는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 트리메틸올알칸, 테트라메틸올알칸, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 등의 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트류 또는 이들의 디카르복실산 변성물; 3가 이상의 다가 알코올의 폴리알킬렌글리콜 부가물의 폴리(메트)아크릴레이트류 등의, 분자 중에 1개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 (메트)아크릴레이트 화합물이 사용된다.In particular, it is preferable to use a plasticizer for the conductive paste composition in order to maintain the flexibility and transferability of the transfer film for forming an electrode of the present invention. As the plasticizer used in the conductive paste composition, various compounds can be used, and dibutyl adipate, diisobutyl adipate, di-2-ethylhexyl adipate, di-2-ethylhexyl azelate, dibutyl sebacate and di Di (meth) acrylates of compounds such as butyl diglycol adipate, propylene glycol monolaurate, propylene glycol monooleate and di-2-ethylhexyl phthalate or alkylene glycols such as ethylene glycol and propylene glycol; Di (meth) acrylates of polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol; Poly (meth) acrylates of trivalent or higher polyhydric alcohols such as glycerin, 1,2,4-butanetriol, trimethylolalkane, tetramethylolalkane, pentaerythritol, dipentaerythritol, or dicarboxyl thereof Acid denaturates; The (meth) acrylate compound which has one or more (meth) acryloyl groups in a molecule | numerator, such as poly (meth) acrylates of polyalkylene glycol adduct of a trivalent or more polyhydric alcohol, is used.

도전성 페이스트 조성물에 있어서의 가소제의 함유량은, (A) 도전성 분체 100 중량부에 대하여 0.5 내지 30 중량부의 비율로 함유하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 1 내지 20 중량부이다.It is preferable to contain content of the plasticizer in an electrically conductive paste composition in the ratio of 0.5-30 weight part with respect to 100 weight part of (A) electroconductive powder, More preferably, it is 1-20 weight part.

또한 본 발명의 도전성 페이스트 조성물은 감광성을 갖는 것일 수 있고, 이 경우 후술하는 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물을 구성하는 감방사선성 성분을 첨가함으로써 감광성을 부여한다. 도전성 페이스트 조성물에 감광성을 부여한 경우에는 레지스트 조성물을 사용하지 않고 전극 패턴을 형성할 수 있다.Moreover, the electrically conductive paste composition of this invention may be a thing with photosensitivity, and in this case, a photosensitivity is provided by adding the radiation sensitive component which comprises the alkali-developed radiation sensitive resist composition mentioned later. When photosensitive property is provided to the conductive paste composition, an electrode pattern can be formed without using a resist composition.

도전성 페이스트 조성물은 상기 (C) 결합 수지 및 필요에 따라 상기 임의 유기 성분을 균일하게 용해시켜 비히클로 한 후, 상기 (A) 도전성 분체, (B) 유리 프릿 및 필요에 따라서 상기 임의 무기 분체와 혼합하고, 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서, 볼 밀, 비드 밀 등의 혼련기를 사용하여 혼련시킴으로써 제조할 수 있다.The conductive paste composition uniformly dissolves the (C) bonding resin and the optional organic component as necessary and makes it a vehicle, followed by mixing with the (A) conductive powder, (B) glass frit and optionally the inorganic powder as necessary. And kneading using a kneading machine such as a roll kneader, a mixer, a homo mixer, a ball mill and a bead mill.

상기한 바와 같이 제조되는 도전성 페이스트 조성물은 도포에 적합한 유동성을 갖는 페이스트상의 조성물이고, 그 점도는 통상적으로 100 내지 100,00O cp이고, 바람직하게는 500 내지 10,000 cp이다.The conductive paste composition prepared as described above is a paste-like composition having fluidity suitable for application, and its viscosity is usually 100 to 100,00 cp, and preferably 500 to 10,000 cp.

<전극 형성용 전사 필름><Transfer Film for Electrode Formation>

본 발명의 전극 형성용 전사 필름은 본 발명의 도전성 페이스트 조성물을 도포함으로써 얻어지는 도전성 수지층을 함유하는 것을 필수로 한다.It is essential for the transfer film for electrode formation of this invention to contain the conductive resin layer obtained by apply | coating the electrically conductive paste composition of this invention.

본 발명의 전극 형성용 전사 필름은 통상적으로 지지 필름, 및 본 발명의 도전성 페이스트 조성물을 도포함으로써 얻어지는 도전성 수지층을 적어도 갖는 전사층으로 구성되고, 드라이 필름법에 의한 전극의 형성 공정에 사용되는 복합 재료이다.The transfer film for electrode formation of this invention is comprised from the support layer and the transfer layer which has at least the electrically conductive resin layer obtained by apply | coating the electrically conductive paste composition of this invention, and is used for the formation process of the electrode by a dry film method Material.

본 발명의 전극 형성용 전사 필름을 구성하는 지지 필름은 내열성 및 내용제성을 가짐과 동시에 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름이 가요성을 가짐으로써 롤 코터, 블레이드 코터, 슬릿 코터 등에 의해 본 발명의 도전성 페이스트 조성물을 도포할 수 있고, 도전성 수지층을 롤형으로 권회 (卷回)한 상태로 보존하여 공급할 수 있다. 지지 필름을 형성하는 수지로서는 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 폴리플루오로에틸렌 등의 불소 함유 수지, 나일론, 셀룰로오스 등을 들 수 있다. 지지 필름의 두께는 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다.It is preferable that the support film which comprises the transfer film for electrode formation of this invention is a resin film which has flexibility and heat resistance and solvent resistance. Since the support film has flexibility, the conductive paste composition of the present invention can be applied by a roll coater, a blade coater, a slit coater, or the like, and the conductive resin layer can be stored and supplied in a rolled state. Examples of the resin forming the support film include fluorine-containing resins such as polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyfluoroethylene, nylon, cellulose, and the like. Can be mentioned. The thickness of a support film is 20-100 micrometers, for example.

또한 상기 지지 필름의 표면에는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라 기판으로의 전사 공정에 있어서 지지 필름의 박리 조작을 용이하게 행할 수 있다.Moreover, it is preferable that the mold release process is given to the surface of the said support film. Thereby, the peeling operation of a support film can be easily performed in the transfer process to a board | substrate.

본 발명의 전극 형성용 전사 필름을 구성하는 도전성 수지층은 상술한 본 발명의 도전성 페이스트 조성물을 도포하고 도막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다.The conductive resin layer which comprises the transfer film for electrode formation of this invention can be formed by apply | coating the conductive paste composition of this invention mentioned above, drying a coating film, and removing a part or all of a solvent.

도전성 페이스트 조성물을 도포하는 방법으로서는 막 두께의 균일성이 우수한, 막 두께가 큰 (예를 들면 1 ㎛ 이상) 도막을 효율적으로 형성할 수 있는 것이 바람직하고, 구체적으로는 롤 코터에 의한 도포 방법, 블레이드 코터에 의한 도포 방법, 슬릿 코터에 의한 도포 방법, 커튼 코터에 의한 도포 방법, 와이어 코터에 의한 도포 방법, 그라비아 코터에 의한 도포 방법 등을 바람직한 것으로 들 수 있다.As a method of apply | coating an electrically conductive paste composition, it is preferable that the coating film with a large film thickness (for example, 1 micrometer or more) excellent in the uniformity of film thickness can be formed efficiently, Specifically, the coating method by a roll coater, The coating method by a blade coater, the coating method by a slit coater, the coating method by a curtain coater, the coating method by a wire coater, the coating method by a gravure coater, etc. are mentioned as a preferable thing.

도막의 건조 조건은 50 내지 150 ℃에서 0.5 내지 30 분간 정도이고, 건조 후에 용제의 잔존 비율 (도전성 수지층 중의 함유율)은 통상적으로 2 질량% 이하이다.Drying conditions of a coating film are about 0.5 to 30 minutes at 50-150 degreeC, and the residual ratio (content in a conductive resin layer) of a solvent after drying is 2 mass% or less normally.

상기한 바와 같이 형성되는 도전성 수지층의 막 두께는 통상적으로 1 내지 100 ㎛, 바람직하게는 3 내지 50 ㎛, 특히 바람직하게는 5 내지 40 ㎛이다.The film thickness of the conductive resin layer formed as mentioned above is 1-100 micrometers normally, Preferably it is 3-50 micrometers, Especially preferably, it is 5-40 micrometers.

또한 본 발명의 전극 형성용 전사 필름에는 전사층의 표면에 접하여 보호 필름을 설치할 수 있다. 보호 필름은 지지 필름과 동일한 것을 사용할 수 있다. 또한 보호 필름의 표면에는 통상적으로 이형 처리가 실시되고, 보호 필름의 박리 강도가 지지 필름의 박리 강도보다 작은 것이 필요하다.Moreover, a protective film can be provided in the transfer film for electrode formation of this invention in contact with the surface of a transfer layer. The protective film can use the same thing as a support film. Moreover, a mold release process is normally given to the surface of a protective film, and it is necessary that peeling strength of a protective film is smaller than peeling strength of a support film.

본 발명의 전극 형성용 전사 필름은 지지 필름 상에 레지스트층이 형성되고 또한 도전성 수지층이 적층 형성된 것일 수 있다. 기판 상에 이 적층막을 전사함으로써 도전성 수지층 상에 레지스트층이 형성된 적층막을 얻을 수 있다.The transfer film for forming an electrode of the present invention may be one in which a resist layer is formed on a support film and a conductive resin layer is laminated. By transferring this laminated film onto the substrate, a laminated film having a resist layer formed on the conductive resin layer can be obtained.

또한 본 발명의 전극 형성용 전사 필름은,Moreover, the transfer film for electrode formation of this invention,

(A-1) 본 발명의 도전성 페이스트 조성물을 도포함으로써 얻어지는 도전성수지층, 및 (A-2) 적어도 착색 안료를 갖는 무기 분체 및 결합 수지를 함유하는 착색 수지층이 적층되어 이루어지는 것이 바람직하다. 착색 수지층에는 무기 분체로서 또한 상술한 도전성 분체 및 유리 프릿이 함유되는 것이 바람직하다.(A-1) It is preferable that the conductive resin layer obtained by apply | coating the electrically conductive paste composition of this invention, and (A-2) the colored resin layer containing the inorganic powder which has a coloring pigment, and binding resin at least are laminated | stacked. It is preferable that the colored resin layer contains the above-mentioned conductive powder and glass frit as inorganic powder.

이 적층막을 사용하면 도전성 수지층과 착색 수지층으로 구성되는 적층 전극을 일괄 형성할 수 있고, 또한 기판과의 밀착성, 도전성이 우수하고 외광 반사가 적은 PDP용 버스 전극에 매우 적합한 전극 형성이 가능해진다.By using this laminated film, it is possible to collectively form a laminated electrode composed of a conductive resin layer and a colored resin layer, and also to form an electrode that is very suitable for a PDP bus electrode having excellent adhesion to a substrate, conductivity, and low external light reflection. .

또한 본 발명의 전극 형성용 전사 필름은 지지 필름 상에 레지스트층이 형성되고, 그 위에 상기 도전성 수지층 및 착색 수지층이 차례로 적층 형성된 것일 수 있다. 기판에 이 적층막을 전사함으로써 착색 수지층 상에 도전성 수지층이 형성되고 또한 그 위에 레지스트층이 형성된 적층막을 얻을 수 있다.In addition, in the transfer film for forming an electrode of the present invention, a resist layer is formed on a supporting film, and the conductive resin layer and the colored resin layer may be sequentially formed thereon. By transferring this laminated film to a substrate, a laminated film in which a conductive resin layer is formed on a colored resin layer and a resist layer is formed thereon can be obtained.

상기 착색 수지층 및 레지스트층은 상기 도전성 수지층과 동일하게 하고, 후술하는 착색 안료 함유 페이스트 조성물 및 레지스트 조성물을 도포하고, 도막을 건조시켜 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다.The colored resin layer and the resist layer can be formed in the same manner as the conductive resin layer, by applying the colored pigment-containing paste composition and the resist composition described later, drying the coating film, and removing part or all of the solvent.

이렇게 형성된 착색 수지층의 막 두께는 통상적으로 1 내지 20 ㎛, 바람직하게는 3 내지 15 ㎛, 특히 바람직하게는 5 내지 10 ㎛이다.The film thickness of the colored resin layer thus formed is usually 1 to 20 µm, preferably 3 to 15 µm, particularly preferably 5 to 10 µm.

또한 레지스트층의 막 두께는 통상적으로 1 내지 20 ㎛, 바람직하게는 3 내지 15 ㎛, 특히 바람직하게는 5 내지 10 ㎛이다.Moreover, the film thickness of a resist layer is 1-20 micrometers normally, Preferably it is 3-15 micrometers, Especially preferably, it is 5-10 micrometers.

착색 안료 함유 페이스트 조성물Color Pigment-containing Paste Composition

착색 수지층을 형성하기 위해 사용하는 착색 안료 함유 페이스트 조성물은 적어도 착색 안료를 갖는 무기 분체 및 결합 수지를 함유한다.The colored pigment containing paste composition used for forming a colored resin layer contains the inorganic powder and binder resin which have a colored pigment at least.

착색 안료 함유 페이스트 조성물에 함유되는 착색 안료는 얻어지는 전극의 외광 반사를 방지하기 위해서 첨가되는 것이고, 예를 들면 Co, Cr, Cu, Fe, Mn, Ni, Ti, Zn 등의 금속 및 그의 산화물, 복합 산화물, 탄화물, 질화물, 황화물, 규화물, 붕화물 또는 카본 블랙, 그라파이트 등의 무기 분체를 들 수 있고, 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 이 중에서 바람직한 착색 안료로서는 Co, Cr, Cu, Fe, Mn, Ni 및 Ti의 군에서 선택된 금속 분체, 금속 산화물 분체 및 복합 산화물 분체 (예를 들면 Ni 분체, Co3O4분체, Fe3O4분체, Cu-Cr 복합 산화물 분체, Cu-Fe-Mn 복합 산화물 분체, Cu-Cr-Mn 복합 산화물 분체, Co-Fe-Mn 복합 산화물 분체 등)을 들 수 있다. 이러한 착색 안료를 사용함으로써 예를 들면 흑색, 회색 등의 착색 안료 함유 페이스트 조성물이 얻어진다.The coloring pigment contained in a coloring pigment containing paste composition is added in order to prevent the external light reflection of the electrode obtained, for example, metals, such as Co, Cr, Cu, Fe, Mn, Ni, Ti, Zn, and its oxide, a composite Inorganic powders, such as an oxide, a carbide, a nitride, a sulfide, a silicide, a boride, or carbon black, graphite, are mentioned, and can be used individually or in mixture of 2 or more types. Preferred colored pigments include metal powders, metal oxide powders and composite oxide powders selected from the group of Co, Cr, Cu, Fe, Mn, Ni and Ti (for example, Ni powder, Co 3 O 4 powder, Fe 3 O 4). Powder, Cu-Cr composite oxide powder, Cu-Fe-Mn composite oxide powder, Cu-Cr-Mn composite oxide powder, Co-Fe-Mn composite oxide powder, and the like. By using such a colored pigment, colored pigment containing paste compositions, such as black and gray, are obtained, for example.

상기 착색 안료의 평균 입경은 바람직하게는 1 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 O.01 내지 0.5 ㎛이다. 착색 안료의 평균 입경이 1 ㎛를 초과하는 무기 분체 함유 수지 조성물을 사용한 경우, 충분한 외광 반사 방지 효과를 갖는 전극을 얻기가 곤란하다. 착색 안료의 평균 입경이 0.01 ㎛ 미만인 경우는 착색 안료의 비표면적이 커지기 때문에 착색 안료 함유 페이스트 조성물 중에서 분체의 응집이 발생되기 쉽고 안정된 분산 상태를 얻기 어려워진다.The average particle diameter of the said colored pigment becomes like this. Preferably it is 1 micrometer or less, More preferably, it is 0.01-0.5 micrometer. When the inorganic powder containing resin composition whose average particle diameter of a colored pigment exceeds 1 micrometer is used, it is difficult to obtain the electrode which has sufficient external light reflection prevention effect. When the average particle diameter of a colored pigment is less than 0.01 micrometer, since the specific surface area of a colored pigment becomes large, aggregation of powder will occur easily in a colored pigment containing paste composition, and it will become difficult to obtain a stable dispersion state.

상기 착색 안료 함유 페이스트 조성물에 있어서, 무기 분체로서는 착색 안료가 함유되어 있으면 좋지만, 또한 도전성 분체 및 유리 프릿이 함유되는 것이 바람직하다. 도전성 분체와 착색 안료의 함유 비율은 도전성 분체: 착색 안료의 값이바람직하게는 75:25 내지 25:75인 비율이다. 상기 함유 비율로 도전성 분체 및 착색 안료를 함유하는 착색 안료 함유 페이스트 조성물을 사용함으로써 충분한 외광 반사 방지 효과를 가지고 또한 전극으로서 기능하는 도전성을 갖는 PDP용 버스 전극을 형성할 수 있다. 또한 유리 프릿의 함유 비율은 착색 안료 함유 페이스트 조성물에 사용되는 전 무기 분체에 대하여 50 질량% 이하, 바람직하게는 1 내지 30 질량%이다.In the said coloring pigment containing paste composition, what is necessary is just to contain a coloring pigment as an inorganic powder, but it is preferable that an electroconductive powder and a glass frit are contained. The content ratio of electroconductive powder and colored pigment is the ratio whose value of electroconductive powder: colored pigment is 75: 25-25: 75 preferably. By using the coloring pigment containing paste composition containing electroconductive powder and a coloring pigment in the said content ratio, the bus electrode for PDP which has sufficient external light reflection prevention effect, and has electroconductivity which functions as an electrode can be formed. Moreover, the content rate of glass frit is 50 mass% or less with respect to all the inorganic powders used for a coloring pigment containing paste composition, Preferably it is 1-30 mass%.

착색 안료 함유 페이스트 조성물에 있어서의 도전성 분체로서는 Ag, Au, Al, Cu, Ag-Pd 합금 등의 금속 및 합금을 들 수 있고 단독으로 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다. 이러한 도전성 분체 중에서도 대기 중에서 소성한 경우에도 산화에 의한 도전성의 저하가 생기지 않고, 비교적 저렴한 Ag를 사용하는 것이 특히 바람직하다.Examples of the conductive powder in the colored pigment-containing paste composition include metals and alloys such as Ag, Au, Al, Cu, and Ag-Pd alloys, and can be used alone or in combination of two or more thereof. It is especially preferable to use Ag which is comparatively inexpensive, even if it bakes in air | atmosphere among these electroconductive powders, and electroconductivity does not fall.

상기 도전성 분체의 형상은 입상, 구형, 플레이크형 등 특별히 한정되지 않고, 단독으로 또는 2종 이상의 형상의 도전성 분체를 혼합하여 사용할 수 있다. 또한 상기 도전성 분체의 평균 입경은 바람직하게는 0.1 내지 5 ㎛이고, 다른 입경을 갖는 도전성 분체를 혼합하여 사용할 수 있다.The shape of the said electroconductive powder is not specifically limited, such as a granular form, a spherical form, and a flake type, It can use individually or in mixture of 2 or more types of shape. Moreover, the average particle diameter of the said electroconductive powder becomes like this. Preferably it is 0.1-5 micrometers, The electroconductive powder which has another particle diameter can be mixed and used.

또한, 착색 안료 함유 페이스트 조성물에 함유되는 것이 바람직한 유리 프릿으로서는 본 발명의 도전성 페이스트 조성물과 동일한 유리 프릿이 사용된다.As the glass frit, which is preferably contained in the colored pigment-containing paste composition, the same glass frit as the conductive paste composition of the present invention is used.

상기 착색 안료 함유 페이스트 조성물에 함유되는 결합 수지로서는 본 발명의 도전성 페이스트 조성물과 동일한 결합 수지를 들 수 있다.As a binder resin contained in the said colored pigment containing paste composition, the binder resin similar to the electrically conductive paste composition of this invention is mentioned.

또한 상기 착색 안료 함유 페이스트 조성물에는 본 발명의 도전성 페이스트조성물과 동일하게 용제 및 상기 이외의 무기 분체, 가소제, 현상 촉진제, 접착 조제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 분산제, 가교제, 광중합 개시제, 광산발생제, 열중합 개시제, 열산발생제 등의 각종 첨가제를 임의 성분으로 함유시킬 수 있다.In addition, the colored pigment-containing paste composition may contain a solvent and inorganic powders other than those described above, plasticizers, development accelerators, adhesion aids, storage stabilizers, antifoaming agents, antioxidants, ultraviolet absorbers, dispersants, crosslinking agents, and photopolymerization initiators in the same manner as the conductive paste composition of the present invention. Various additives, such as a photoacid generator, a thermal polymerization initiator, and a thermal acid generator, can be contained as an arbitrary component.

착색 안료 함유 페이스트 조성물은 본 발명의 도전성 페이스트 조성물과 동일하게 제조할 수 있다.A colored pigment containing paste composition can be manufactured similarly to the electrically conductive paste composition of this invention.

상기한 바와 같이 제조되는 착색 안료 함유 페이스트 조성물은 도포에 적합한 유동성을 갖는 페이스트상의 조성물이고, 그 점도는 통상적으로 100 내지 100,O00 cp이고, 바람직하게는 500 내지 10,000 cp이다.The colored pigment-containing paste composition prepared as described above is a paste-like composition having fluidity suitable for application, and its viscosity is usually 100 to 100,00 cp, and preferably 500 to 10,000 cp.

레지스트 조성물Resist composition

레지스트층을 형성하기 위해 사용하는 레지스트 조성물로서는 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물, 유기 용제 현상형 감방사선성 레지스트 조성물, 수성 현상형 감방사선성 레지스트 조성물 등을 예시할 수 있지만 바람직하게는 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물이 사용된다. 본 발명에서 말하는 「방사선」이란 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 포함하는 것이다.As a resist composition used for forming a resist layer, although an alkali developing radiation sensitive resist composition, an organic solvent developing radiation sensitive resist composition, an aqueous developing radiation sensitive resist composition, etc. can be illustrated, Preferably it is an alkali developing type A radiation sensitive resist composition is used. "Radiation" as used in the present invention includes visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X rays and the like.

알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물은 알칼리 가용성 수지 및 감방사선성 성분을 필수 성분으로서 함유하여 이루어진다. 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물을 구성하는 알칼리 가용성 수지로서는 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 것으로서 예시한 알칼리 가용성 수지를 들 수 있다.An alkali developing radiation sensitive resist composition contains alkali-soluble resin and a radiation sensitive component as essential components. As alkali-soluble resin which comprises an alkali image development radiation sensitive resist composition, alkali-soluble resin illustrated as what comprises an inorganic powder containing resin composition is mentioned.

알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물을 구성하는 감방사선성 성분으로서는 예를 들면 (a) 반응성 단량체와 광중합 개시제와의 조합, (b) 멜라민 수지와 방사선 조사에 의해 산을 형성하는 광산발생제와의 조합 등을 바람직한 것으로 예시할 수 있고, 상기 (a)의 조합 중, (메트)아크릴레이트 화합물과 광중합 개시제와의 조합이 특히 바람직하다.As a radiation sensitive component which comprises an alkali-developing radiation sensitive resist composition, it is (a) combination of a reactive monomer and a photoinitiator, (b) melamine resin and the photoacid generator which forms an acid by irradiation, for example. A combination etc. can be illustrated as a preferable thing, and the combination of a (meth) acrylate compound and a photoinitiator is especially preferable among the combination of said (a).

감방사선성 성분을 구성하는 (메트)아크릴레이트 화합물의 구체적인 예로서는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 양 말단 히드록시폴리부타디엔, 양 말단 히드록시폴리이소프렌, 양 말단 히드록시폴리카프로락톤 등의 양 말단 히드록실화 중합체의 디(메트)아크릴레이트류; 글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 트리메틸올알칸, 테트라메틸올알칸, 디펜타에리트리톨 등의 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 3가 이상의 다가 알코올의 폴리알킬렌글리콜 부가물의 폴리(메트)아크릴레이트류; 1,4-시클로헥산디올, 1,4-벤젠디올류 등의 환식 폴리올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 알키드 수지 (메트)아크릴레이트, 실리콘 수지 (메트)아크릴레이트, 스피란 수지 (메트)아크릴레이트 등의 올리고(메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다.As a specific example of the (meth) acrylate compound which comprises a radiation sensitive component, Di (meth) acrylates of alkylene glycol, such as ethylene glycol and propylene glycol; Di (meth) acrylates of polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol; Di (meth) acrylates of both terminal hydroxylated polymers such as both terminal hydroxypolybutadiene, both terminal hydroxypolyisoprene and both terminal hydroxypolycaprolactone; Poly (meth) acrylates of trivalent or higher polyhydric alcohols such as glycerin, 1,2,4-butanetriol, trimethylolalkane, tetramethylolalkane, dipentaerythritol, etc .; Poly (meth) acrylates of polyalkylene glycol adducts of trivalent or higher polyhydric alcohols; Poly (meth) acrylates of cyclic polyols such as 1,4-cyclohexanediol and 1,4-benzenediols; Oligos, such as polyester (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, alkyd resin (meth) acrylate, silicone resin (meth) acrylate, and spiran resin (meth) acrylate ( And meth) acrylates. These may be used alone or in combination of two or more thereof.

또한 감방사선성 성분을 구성하는 광중합 개시제의 구체적인 예로서는 벤질, 벤조인, 벤조페논, 캄포퀴논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-메틸-[4'-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로판온, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 등의 카르보닐 화합물; 아조이소부티로니트릴, 4-아지드벤즈알데히드 등의 아조 화합물 또는 아지드 화합물; 머캅탄디술피드 등의 유기 황 화합물; 벤조일퍼옥시드, 디-tert-부틸퍼옥시드, tert-부틸히드로퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드, 파라 메탄히드로퍼옥시드 등의 유기 퍼옥시드; 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(2'-클로로페닐)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(2-푸라닐)에틸레닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등의 트리할로메탄류; 2,2'-비스(2-클로로페닐)4,5,4',5'-테트라페닐1,2'-비이미다졸 등의 이미다졸 이량체 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Specific examples of the photopolymerization initiator constituting the radiation sensitive component include benzyl, benzoin, benzophenone, camphorquinone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, and 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone , 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-methyl- [4 '-(methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1 Carbonyl compounds such as-(4-morpholinophenyl) -butan-1-one; Azo compounds or azide compounds such as azoisobutyronitrile and 4-azide benzaldehyde; Organic sulfur compounds such as mercaptan disulfide; Organic peroxides such as benzoyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, tert-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide and paramethane hydroperoxide; 1,3-bis (trichloromethyl) -5- (2'-chlorophenyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (2-furanyl) ethylenyl] -4,6-bis Trihalo methanes such as (trichloromethyl) -1,3,5-triazine; Imidazole dimers such as 2,2'-bis (2-chlorophenyl) 4,5,4 ', 5'-tetraphenyl1,2'-biimidazole, and the like. The above can be used in combination.

이러한 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물에 있어서의 감방사선성 성분의 함유 비율은 알칼리 가용성 수지 100 중량부당, 통상적으로 1 내지 300 중량부이고 바람직하게는 10 내지 200 중량부이다.The content rate of the radiation sensitive component in such an alkali developing radiation sensitive resist composition is 1-300 weight part normally per 100 weight part of alkali-soluble resin, Preferably it is 10-200 weight part.

또한, 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물에 있어서, 양호한 막 형성성을 부여하기 위해 적절하게 유기 용제가 함유된다. 이러한 유기 용제로서는 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 것으로서 예시한 용제를 들 수 있다.Moreover, in alkali developing type radiation sensitive resist composition, in order to provide favorable film formation property, an organic solvent is contained suitably. As such an organic solvent, the solvent illustrated as what comprises an inorganic powder containing resin composition is mentioned.

레지스트 조성물에는 상기 성분 이외에, 현상 촉진제, 접착 조제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 레벨링제 등의 각종 첨가제를 임의 성분으로서 함유시킬 수 있다.In addition to the above components, the resist composition may contain various additives, such as a development accelerator, an adhesion aid, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, and a leveling agent, as optional components.

레지스트 조성물은 상기 알칼리 가용성 수지, 감방사선성 성분 및 필요에 따라 상기 임의의 성분을 균일하게 용해시킴으로써 제조할 수 있다.A resist composition can be manufactured by dissolving the said alkali-soluble resin, a radiation sensitive component, and the said arbitrary component uniformly as needed.

상기한 바와 같이 제조되는 레지스트 조성물은 도포에 적합한 유동성을 갖는 페이스트상의 조성물이고, 그 점도는 통상적으로 10 내지 10,000 cp이고, 바람직하게는 100 내지 1,000 cp이다.The resist composition prepared as described above is a paste-like composition having fluidity suitable for application, and its viscosity is usually 10 to 10,000 cp, and preferably 100 to 1,000 cp.

<전극의 형성 방법><Formation of Electrode>

본 발명의 PDP용 전극의 형성 방법에서는 본 발명의 전극 형성용 전사 필름을 사용하는 것이 바람직하고, [1] 도전성 수지층의 전사 공정, [2] 레지스트막의 형성 공정, [3] 레지스트막의 노광 공정, [4] 레지스트막의 현상 공정, [5] 도전성 수지층의 에칭 공정, [6] 패턴의 소성 공정의 각 공정을 갖는다. 또한 [1] 도전성 수지층의 전사 공정에는 도전성 수지층과 착색 수지층과의 적층막이 사용되는 것이 바람직하다.In the formation method of the electrode for PDP of this invention, it is preferable to use the transfer film for electrode formation of this invention, [1] the conductive resin layer transfer process, [2] the resist film formation process, [3] the resist film exposure process , [4] a resist film development step, a [5] conductive resin layer etching step, and a [6] pattern firing step. [1] In the transfer step of the conductive resin layer, a laminated film of the conductive resin layer and the colored resin layer is preferably used.

[1] 도전성 수지층의 전사 공정[1] transfer process of conductive resin layer

도전성 수지층은 본 발명의 전극 형성용 전사 필름을 사용하고, 이 전사 필름을 구성하는 도전성 수지층을 기판 상에 전사하여 형성된다. 이 때, 지지 필름 상에 도전성 수지층을 가지고, 이 도전성 수지층 상에 착색 수지층을 갖는 전사 필름을 사용하고, 착색 수지층과 도전성 수지층과의 적층막이 전사되는 것이 바람직하다.The conductive resin layer is formed by transferring the conductive resin layer constituting the transfer film onto the substrate using the transfer film for forming an electrode of the present invention. At this time, it is preferable to use the transfer film which has a conductive resin layer on a support film, and has a colored resin layer on this conductive resin layer, and the laminated film of a colored resin layer and a conductive resin layer is transferred.

전사 공정의 한 예를 나타내면 이하와 같다. 필요에 따라 사용되는 전극 형성용 전사 필름의 보호 필름을 박리한 후, 기판 상에, 도전성 수지층 (적층 막의 경우는 착색 수지층)의 표면이 접하도록 전사 필름을 중첩시키고, 이 전사 필름을 가열 롤러 등에 의해 열 압착한 후, 도전성 수지층으로부터 지지 필름을 박리 제거한다. 이에 따라, 기판 상에 도전성 수지층이 전사되어 밀착한 상태가 된다. 또한 적층막인 경우에는 기판 상에 착색 수지층이 형성되고, 그 위에 도전성 수지층이 형성되어 밀착한 상태가 된다.An example of the transfer process is as follows. After peeling the protective film of the transfer film for electrode formation used as needed, the transfer film is superimposed on the board | substrate so that the surface of an electroconductive resin layer (in the case of a laminated | multilayer film) may contact, and this transfer film is heated. After thermocompression bonding with a roller or the like, the supporting film is peeled off from the conductive resin layer. As a result, the conductive resin layer is transferred onto the substrate and brought into close contact with the substrate. Moreover, in the case of a laminated film, a colored resin layer is formed on a board | substrate, a conductive resin layer is formed on it, and it is in the state in which it adhered.

여기서, 전사 조건은 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 20 내지 140 ℃, 가열 롤러에 의한 롤 압이 1 내지 5 kg/c㎡, 가열 롤러의 이동 속도가 0.1 내지 10.O m/분을 나타낼 수 있다. 또한 기판은 예열될 수 있고, 예열 온도는 예를 들면 40 내지 100 ℃로 할 수 있다.Here, transfer conditions indicate that the surface temperature of the heating roller is 20 to 140 ° C., the roll pressure by the heating roller is 1 to 5 kg / cm 2, and the moving speed of the heating roller is 0.1 to 10.O m / min. Can be. In addition, the substrate may be preheated, and the preheating temperature may be, for example, 40 to 100 ° C.

[2] 레지스트막의 형성 공정[2] steps of forming resist films

이 공정에서는 도전성 수지층의 표면에 레지스트막을 형성한다.In this step, a resist film is formed on the surface of the conductive resin layer.

레지스트막은 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등의 각종 방법에 의해 상술한 레지스트 조성물을 도포한 후, 도막을 건조시킴으로써 형성할 수 있다.A resist film can be formed by apply | coating the resist composition mentioned above by various methods, such as the screen printing method, the roll coating method, the rotation coating method, the flexible coating method, and then drying a coating film.

또한, 지지 필름 상에 형성된 레지스트막을 도전성 수지층의 표면에 전사함으로써 형성할 수도 있고, 상술한 바와 같이 레지스트층 및 도전성 수지층의 적층막을 갖는 전사 필름, 또는 레지스트층, 도전성 수지층 및 착색 수지층의 적층막을 갖는 전사 필름을 사용하여 일괄 전사를 행할 수 있다. 이러한 형성 방법에 의하면 공정의 간략화를 도모할 수 있음과 동시에 형성되는 전극의 막 두께 균일성을 도모할 수 있다.The resist film formed on the support film may also be formed by transferring onto the surface of the conductive resin layer, and as described above, the transfer film having the laminated film of the resist layer and the conductive resin layer, or the resist layer, the conductive resin layer and the colored resin layer. Batch transfer can be performed using the transfer film which has a laminated film of this. According to such a formation method, a process can be simplified and the film thickness uniformity of the electrode formed can be aimed at.

[3] 레지스트막의 노광 공정[3] exposure steps of resist films

이 공정에서는 레지스트막의 표면에 노광용 마스크를 통해 자외선 등의 방사선을 선택적 조사 (노광)하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성한다.In this step, the surface of the resist film is selectively irradiated (exposed) with radiation such as ultraviolet rays through an exposure mask to form a latent image of the resist pattern.

여기서, 방사선 조사 장치는 상기 포토리소그래피법에서 사용되는 자외선 조사 장치, 반도체 및 액정 표시 장치를 제조할 때 사용되는 노광 장치 등 특별히 한정되는 것이 아니다.Here, the irradiation apparatus is not particularly limited, such as an ultraviolet irradiation apparatus used in the photolithography method, an exposure apparatus used when manufacturing a semiconductor and a liquid crystal display device.

[4] 레지스트막의 현상 공정[4] processes for developing resist films

이 공정에서는 노광된 레지스트막을 현상 처리함으로써 레지스트 패턴 (잠상)을 현재화시킨다.In this step, the exposed resist film is developed to present the resist pattern (latent image).

레지스트막의 현상 공정에서 사용되는 현상액은 레지스트막 (레지스트 조성물)의 종류에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 구체적으로는 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물에 의한 레지스트막에는 알칼리 현상액을 사용할 수 있다.The developer used in the development process of the resist film can be appropriately selected depending on the kind of the resist film (resist composition). Specifically, an alkaline developer can be used for a resist film made of an alkali developing radiation-sensitive resist composition.

알칼리 현상액의 유효 성분으로서는 예를 들면 수산화 리튬, 수산화 나트륨, 수산화 칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소2암모늄, 인산수소2칼륨, 인산수소2나트륨, 인산2수소암모늄, 인산2수소칼륨, 인산2수소나트륨, 규산리튬, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 붕산리튬, 붕산나트륨, 붕산칼륨, 암모니아 등의 무기 알칼리성 화합물; 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메틸히드록시에틸암모늄히드록시드, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민, 에탄올아민 등의 유기 알칼리성 화합물 등을 들 수 있다.As an active ingredient of alkaline developing solution, for example, lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, dibasic sodium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, dihydrogen phosphate Inorganic alkaline compounds such as sodium, lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, sodium borate, potassium borate and ammonia; Tetramethylammonium Hydroxide, Trimethylhydroxyethylammonium Hydroxide, Monomethylamine, Dimethylamine, Trimethylamine, Monoethylamine, Diethylamine, Triethylamine, Monoisopropylamine, Diisopropylamine, Ethanolamine Organic alkaline compounds, such as these, etc. are mentioned.

레지스트막의 현상 공정에서 사용되는 알칼리 현상액은 상기 알칼리성 화합물의 1종 또는 2종 이상을 물 등에 용해시킴으로써 제조할 수 있다. 여기서 알칼리성 현상액에 있어서 알칼리성 화합물의 농도는 통상 0.001 내지 10 중량%이고, 바람직하게는 0.01 내지 5 중량%이다. 또한 알칼리 현상액에 의한 현상 처리가 이루어진 후에는 통상적으로 수세 처리가 실시된다.The alkaline developer used in the development step of the resist film can be produced by dissolving one or two or more kinds of the alkaline compounds in water or the like. In the alkaline developer, the concentration of the alkaline compound is usually 0.001 to 10% by weight, preferably 0.01 to 5% by weight. In addition, after the development process by alkaline developing solution is performed, the water washing process is performed normally.

여기서, 현상 처리 조건은 레지스트막의 종류 등에 따라 현상액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법 (예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 스프레이법, 패들법), 현상 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다.Here, the development treatment conditions include the type, composition, and concentration of the developing solution, the developing time, the developing temperature, the developing method (for example, the dipping method, the shaking method, the shower method, the spray method, the paddle method), the developing apparatus, etc. Can be selected appropriately.

이 현상 공정에 의해 레지스트 잔류부와, 레지스트 제거부로 구성되는 레지스트 패턴 (노광용 마스크에 대응하는 패턴)이 형성된다.By this developing step, a resist pattern (pattern corresponding to the mask for exposure) formed of the resist remaining portion and the resist removing portion is formed.

이 레지스트 패턴은 다음 공정 (에칭 공정)에 있어서의 에칭 마스크로서 작용하는 것이고, 레지스트 잔류부의 구성 재료는 도전성 수지층이나 착색 수지층의 구성 재료보다 에칭액에 대한 용해 속도가 작은 것이 필요하다.This resist pattern acts as an etching mask in the next step (etching step), and the constituent material of the resist remaining portion needs to have a smaller dissolution rate in the etching solution than the constituent material of the conductive resin layer or the colored resin layer.

[5] 도전성 수지층의 에칭 공정[5] etching steps for conductive resin layers

이 공정에서는 도전성 수지층 (및 착색 수지층)을 에칭 처리하고, 레지스트 패턴에 대응하는 도전성 수지층 (및 착색 수지층)의 패턴을 형성한다.In this step, the conductive resin layer (and the colored resin layer) is etched to form a pattern of the conductive resin layer (and the colored resin layer) corresponding to the resist pattern.

즉, 도전성 수지층 중, 레지스트 패턴의 레지스트 제거부에 대응하는 부분이 에칭액에 용해되어 선택적으로 제거된다. 그리고 에칭 처리를 계속하면 도전성 수지층 (및 착색 수지층)에 있어서의 레지스트 제거부에 대응하는 부분에서 기판 표면이 노출된다.That is, the part corresponding to the resist removal part of a resist pattern among a conductive resin layer melt | dissolves in an etching liquid, and is selectively removed. Then, if the etching process is continued, the surface of the substrate is exposed at the portion corresponding to the resist removing portion in the conductive resin layer (and the colored resin layer).

도전성 수지층의 에칭 공정에서 사용되는 에칭액은 알칼리성 용액인 것이 바람직하다. 이에 따라 도전성 수지층 (및 착색 수지층)에 함유되는 알칼리 가용성수지를 용이하게 용해 제거시킬 수가 있다.It is preferable that the etching liquid used at the etching process of a conductive resin layer is an alkaline solution. Thereby, alkali-soluble resin contained in a conductive resin layer (and colored resin layer) can be easily dissolved and removed.

또한, 도전성 수지층 (및 착색 수지층)에 함유되는 무기 분체는 알칼리 가용성 수지에 의해 균일하게 분산되기 때문에 알칼리성 용액으로 결합제인 알칼리 가용성 수지를 용해시켜 세정함으로써 무기 분체도 동시에 제거된다.In addition, since the inorganic powder contained in the conductive resin layer (and the colored resin layer) is uniformly dispersed by the alkali-soluble resin, the inorganic powder is also removed at the same time by dissolving and washing the alkali-soluble resin as the binder in an alkaline solution.

여기서, 에칭액으로서 사용되는 알칼리성 용액으로서는 현상액과 동일 조성의 용액이 보다 바람직하다.Here, as an alkaline solution used as an etching solution, the solution of the same composition as a developing solution is more preferable.

에칭액이 현상 공정에서 사용하는 알칼리 현상액과 동일 용액인 경우 현상 공정과, 에칭 공정을 연속적으로 실시할 수 있고 공정의 간략화를 도모할 수 있다.In the case where the etching solution is the same solution as the alkaline developer used in the developing step, the developing step and the etching step can be continuously performed, and the process can be simplified.

또한 알칼리성 용액에 의한 에칭 처리가 이루어진 후에는 통상적으로 수세 처리가 실시된다. 또한 필요에 따라 에칭 처리 후에 도전성 수지층 (및 착색 수지층) 패턴 측면 및 기판 노출부에 잔존하는 불필요분을 문질러서 제거하는 공정을 포함할 수 있다.In addition, after the etching process by alkaline solution is performed, the water washing process is performed normally. Moreover, the process of rubbing off the unnecessary part which remain | survives in the conductive resin layer (and colored resin layer) pattern side surface and a board | substrate exposed part after an etching process can be included as needed.

여기서, 에칭액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 처리 시간, 처리 온도, 처리 방법 (예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 스프레이법, 패들법), 처리 장치 등은 적절하게 선택할 수 있다.Here, the type, composition, and concentration of the etching solution, the treatment time, the treatment temperature, the treatment method (for example, the dipping method, the rocking method, the shower method, the spray method, the paddle method), and the treatment device can be appropriately selected.

또한 에칭 처리 후에 레지스트 잔류부의 일부 또는 전부가 잔류되어 있어도 이 레지스트 잔류부는 다음 소성 공정에서 제거된다.In addition, even if some or all of the resist remaining portion remains after the etching treatment, the resist remaining portion is removed in the next firing step.

[6] 패턴의 소성 공정[6] firing processes of patterns

이 공정에서는 도전성 수지층 (및 착색 수지층)의 패턴을 소성 처리하여 전극을 형성한다. 이에 따라, 수지층 잔류부 중의 유기 물질이 소실되어 기판의 표면에 패턴 (적층막인 경우는 적층 패턴)이 형성되어 이루어지는 전극을 얻을 수 있다.In this step, the pattern of the conductive resin layer (and the colored resin layer) is baked to form an electrode. Thereby, the electrode in which the organic substance in a resin layer remainder is lost, and the pattern (lamination pattern in the case of a laminated film) is formed in the surface of a board | substrate can be obtained.

여기서, 소성 처리의 온도는 수지층 잔류부 중의 유기물질이 소실되는 온도이어야 하고 통상적으로 대기 중, 400 내지 600 ℃이다. 또한 소성 시간은 통상 10 내지 90 분간이다.Here, the temperature of the firing treatment should be a temperature at which the organic material in the resin layer remaining portion disappears, and is usually 400 to 600 ° C. in the air. Moreover, baking time is 10 to 90 minutes normally.

<실시예><Example>

이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명하지만 본 발명이 이들에 의해서 한정되는 것은 아니다. 또한 이하에 있어서 「부」는 「중량부」를 나타낸다.Hereinafter, although the Example of this invention is described, this invention is not limited by these. In addition, "part" shows a "weight part" below.

또한 Mw는 도소 가부시끼가이샤 제조의 겔 투과 크로마토그래피 (GPC) (상품명 HLC-802 A)에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다.In addition, Mw is the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography (GPC) (brand name HLC-802A) by Toso Corporation.

<실시예 1><Example 1>

(1) 도전성 페이스트 조성물의 제조:(1) Preparation of Conductive Paste Composition:

(A) 도전성 분체로서 비표면적 1.8 ㎡/g의 Ag 분체 100 부, (B) 유리 프릿으로서 평균 입경 3 ㎛의 Bi2O3-B2O3-SiO2계 유리 프릿 (부정형, 연화점 520 ℃) 10 부, (C) 결합 수지로서 메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 3-히드록시프로필/메타크릴산/숙신산모노(2-메타크릴로일옥시에틸)=60/20/20/20 (질량%) 공중합체 (Mw=50,000) 20 부, 기타 임의 성분으로서 올레산 1 부, 디-2-에틸헥실아젤레이트 10 부 및 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 100 부를 비드밀로 혼련한 후, 스테인레스 메쉬 (500 메쉬, 25 ㎛ 직경)으로 여과함으로써 도전성 페이스트 조성물을 제조하였다.(A) 100 parts of Ag powder having a specific surface area of 1.8 m 2 / g as the conductive powder, and (B) Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 based glass frit having an average particle diameter of 3 μm as the glass frit (negative, softening point of 520 ° C.) 10 parts, (C) 2-ethylhexyl methacrylate / methacrylic acid 3-hydroxypropyl / methacrylic acid / mono succinate (2-methacryloyloxyethyl) = 60/20/20 / 20 parts by mass of 20 (mass%) copolymer (Mw = 50,000), 1 part of oleic acid as other optional components, 10 parts of di-2-ethylhexyl azelate, and 100 parts of propylene glycol monomethyl ether as a solvent, followed by A conductive paste composition was prepared by filtering into a mesh (500 mesh, 25 μm diameter).

(2) 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물의 제조:(2) Preparation of alkali developable radiation sensitive resist composition:

알칼리 가용성 수지로서 메타크릴산벤질/메타크릴산=75/25 (중량%) 공중합체 (Mw=30,000) 60 부, 다관능성 단량체 (감방사선성 성분)으로서 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 40 부, 광중합 개시제 (감방사선성 성분)로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 5 부 및 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 100 부를 혼련한 후, 카트리지 필터 (2 ㎛ 직경)으로 여과함으로써 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물 (이하, 「레지스트 조성물」이라 함)을 제조하였다.Benzyl methacrylate / methacrylic acid = 75/25 (wt%) copolymer (Mw = 30,000) as alkali-soluble resin, 40 parts of tripropylene glycol diacrylates as a polyfunctional monomer (radiation sensitive component), photopolymerization After kneading 5 parts of 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one as an initiator (radiation sensitive component) and 100 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent, An alkali developing radiation sensitive resist composition (hereinafter referred to as a "resist composition") was prepared by filtration with a cartridge filter (2 µm diameter).

(3) 전사 필름의 제조:(3) Preparation of the transfer film:

하기 (가) 및 (나)의 조작에 의해 레지스트막 및 도전성 수지층을 이 순서로 적층하여 이루어지는 적층막이 지지 필름 상에 형성되어 이루어지는 본 발명의 전극 형성용 전사 필름을 제조하였다.The transfer film for electrode formation of this invention by which the laminated | multilayer film which laminates a resist film and an electroconductive resin layer in this order by the operation of following (a) and (b) is formed on a support film was manufactured.

(가) (2)에서 제조한 레지스트 조성물을 막 두께 38 ㎛의 PET 필름으로 이루어진 지지 필름 상에 블레이드 코터를 사용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 3 분간 건조시켜 용제를 제거하여 두께 8 ㎛의 레지스트막을 지지 필름 상에 형성하였다.(A) The resist composition prepared in (2) was applied onto a support film made of a PET film having a film thickness of 38 μm using a blade coater, and the coating film was dried at 100 ° C. for 3 minutes to remove the solvent to remove the solvent. A resist film was formed on the support film.

(나) (가)에서 제조한 레지스트막 상에 (1)에서 제조한 도전성 페이스트 조성물을 블레이드 코터를 사용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5 분간 건조시켜 용제를 제거하고 두께 25 ㎛의 도전성 수지층을 레지스트막 상에 형성하여 레지스트막 및 도전성 수지층을 갖는 적층막이 지지 필름상에 형성되어 이루어는 전극 형성용 전사 필름을 제조하였다.(B) The conductive paste composition prepared in (1) was applied onto the resist film prepared in (a) using a blade coater, and the coating film was dried at 100 ° C. for 5 minutes to remove the solvent, and the conductive water having a thickness of 25 μm. The base layer was formed on a resist film, and the transfer film for electrode formation which produced the laminated film which has a resist film and a conductive resin layer is formed on a support film.

(4) 적층막의 전사 공정:(4) Transfer process of the laminated film:

유리 기판의 표면에, (3)에서 제조한 전극 형성용 전사 필름의 도전성 수지층의 표면이 접촉하도록 전사 필름을 중첩시키고, 이 전사 필름을 가열 롤러에 열 압착하였다. 여기서 압착 조건은 가열 롤러의 표면 온도를 100 ℃, 롤 압을 2.5 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 전사 필름이 전사되어 밀착한 상태가 되었다.The transfer film was overlaid so that the surface of the electroconductive resin layer of the electrode formation transfer film manufactured by (3) may contact the surface of a glass substrate, and this transfer film was thermocompression-bonded to the heating roller. In the crimping conditions, the surface temperature of the heating roller was 100 ° C, the roll pressure was 2.5 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. Thereby, the transfer film was transferred to the surface of the glass substrate, and it was in the state which contacted.

(5) 레지스트막의 노광 공정ㆍ현상 공정:(5) Exposure process and development process of resist film:

상기 (4)에 있어서 유리 기판 상에 형성된 적층막 중의 레지스트막에 대하여 지지 필름 상에서 노광용 마스크 (1OO ㎛ 폭의 줄무늬 패턴 및 5 cm 사방의 각 패턴)을 통해 초고압 수은등에 의해, i선 (파장 365 nm의 자외선)을 400 mJ/c㎡ 조사했다. 레지스트막 상의 지지 필름을 박리하고, 이어서 노광 처리된 레지스트막에 대하여 0.5 질량%의 탄산나트륨 수용액 (30 ℃)을 현상액으로 하는 샤워법에 의한 레지스트막의 현상 처리를 30 초간 행하였다.I-line (wavelength 365) by an ultra-high pressure mercury lamp through a mask for exposure (the stripe pattern of 100 micrometers width and each pattern of 5 cm square) on a support film with respect to the resist film in the laminated film formed on the glass substrate in said (4). nm ultraviolet ray) was irradiated with 400 mJ / cm 2. The support film on the resist film was peeled off, and the development process of the resist film by the shower method which made 0.5 mass% aqueous sodium carbonate aqueous solution (30 degreeC) as a developing solution for the exposed resist film was then performed for 30 second.

이에 따라 자외선이 조사되지 않은 미경화의 레지스트를 제거하고 레지스트 패턴을 형성하였다.As a result, the uncured resist not irradiated with ultraviolet rays was removed to form a resist pattern.

(6) 도전성 수지층의 에칭 공정:(6) Etching Process of Conductive Resin Layer:

상기 공정에 이어서 0.5 질량%의 탄산나트륨 수용액 (30 ℃)을 에칭액으로 하는 샤워법에 의한 도전성 수지층의 에칭 처리를 60 초간 행하였다.Subsequently to the said process, the etching process of the electrically conductive resin layer by the shower method which makes 0.5 mass% sodium carbonate aqueous solution (30 degreeC) an etching liquid was performed for 60 second.

이어서, 초순수에 의한 수세 처리 및 건조 처리를 행하였다. 이에 따라 도전성 수지층 잔류부와, 도전성 수지층 제거부로 구성되는 패턴을 형성하였다.Subsequently, washing with water and drying treatment with ultrapure water were performed. Thereby, the pattern comprised by the conductive resin layer remainder and the conductive resin layer removal part was formed.

(7) 패턴의 소성 공정:(7) firing process of the pattern:

도전성 수지층의 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로 내의 대기 분위기하, 590 ℃에서 30 분 동안 소성 처리하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 막 두께 8 ㎛의 전극 패턴이 형성되었다.The glass substrate in which the pattern of the conductive resin layer was formed was calcined at 590 ° C. for 30 minutes in an air atmosphere in the firing furnace. As a result, an electrode pattern having a thickness of 8 μm was formed on the surface of the glass substrate.

(8) 전극 패턴의 도전성 평가:(8) Conductivity evaluation of the electrode pattern:

얻어진 전극 패턴 (5 cm 사방의 각 패턴)의 저항율을 4 탐침법에 의해 측정하였더니 2.9 μΩㆍcm이고, 3.0 μΩㆍcm 미만의 우수한 도전성을 나타냈다.When the resistivity of the obtained electrode pattern (each pattern of 5 cm square) was measured by the four probe method, it was 2.9 microohm * cm and the outstanding electroconductivity of less than 3.0 microohm * cm was shown.

(9) 전극 패턴의 밀착성 평가:(9) Evaluation of adhesiveness of the electrode pattern:

얻어진 전극 패턴 (1OO ㎛ 폭의 줄무늬 패턴) 상에 JIS Z1522에 규정된 셀로판 점착 테이프를 붙이고, JIS K 5400에 준한 테이프법에 의한 밀착성 평가를 하였다. 그 결과, 전극 패턴에 박리는 확인되지 않았고, 양호한 밀착성을 나타내었다.The cellophane adhesive tape prescribed | regulated to JIS Z1522 was stuck on the obtained electrode pattern (stripe pattern of 100 micrometers width), and adhesiveness evaluation by the tape method based on JISK5400 was performed. As a result, peeling was not confirmed by the electrode pattern, and showed favorable adhesiveness.

<실시예 2 내지 4><Examples 2 to 4>

실시예 1 중, (A) 도전성 분체로서 하기 표 1에 나타내는 비표면적의 Ag 입자를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 페이스트 조성물의 제조, 전극 형성용 전사 필름의 제조, 전극 패턴의 형성 및 전극 패턴의 평가를 하였다.In Example 1, except that the Ag particles having a specific surface area shown in Table 1 below were used as the (A) conductive powder, the preparation of the conductive paste composition, the preparation of the transfer film for forming an electrode, and the electrode pattern were carried out in the same manner as in Example 1. Formation and evaluation of the electrode pattern were performed.

전극 패턴의 평가 결과를 표 1에 나타냈다.Table 1 shows the evaluation results of the electrode patterns.

<실시예 5>Example 5

실시예 2 중, (1) 도전성 페이스트 조성물의 제조, (2) 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물의 제조를 행하고, 또한, (1')로서 이하의 착색 안료 함유 페이스트 조성물의 제조를 행하였다.In Example 2, (1) manufacture of the electrically conductive paste composition, (2) alkali developing type radiation sensitive resist composition was performed, and the following coloring pigment containing paste composition was produced as (1 ').

(1') 착색 안료 함유 페이스트 조성물의 제조:Preparation of (1 ') Color Pigment-Containing Paste Composition:

도전성 분체로서 평균 입경 1 ㎛의 Ag 분체 60 부, 착색 안료로서 평균 입경 0.6 ㎛의 Cu-Fe-Mn 복합 산화물 분체 40 부, 유리 프릿으로서 평균 입경 3 ㎛의 Bi2O3-B2O3-SiO2계 유리 프릿 (부정형, 연화점 520 ℃) 10 부, (C) 결합 수지로서 메타크릴산 2-에틸헥실/메타크릴산 3-히드록시프로필/메타크릴산/숙신산모노(2-메타크릴로일옥시에틸)=60/20/20/20 (질량%) 공중합체 (Mw=50,000) 20 부, 기타 임의 성분으로서 올레산 1 부, 디-2-에틸헥실아젤레이트 10 부 및 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 100 부를 비드밀로 혼련한 후, 스테인레스 메쉬 (500 메쉬, 25 ㎛ 직경)으로 여과함으로써 착색 안료 함유 페이스트 조성물을 제조하였다.60 parts of Ag powder having an average particle diameter of 1 µm as the conductive powder, 40 parts of Cu-Fe-Mn composite oxide powder having an average particle diameter of 0.6 µm as the coloring pigment, and a Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -having a mean particle diameter of 3 µm as the glass frit. 10 parts of SiO 2 -based glass frit (atypical, softening point 520 ° C.), (C) 2-ethylhexyl methacrylate / methacrylic acid 3-hydroxypropyl / methacrylic acid / monosuccinate mono (2-methacrylo) as a binder resin Iloxyethyl) = 60/20/20/20 (mass%) copolymer (Mw = 50,000) 20 parts, 1 part of oleic acid as other optional components, 10 parts of di-2-ethylhexyl azelate and propylene glycol mono as solvent A colored pigment-containing paste composition was prepared by kneading 100 parts of methyl ether with a bead mill and then filtering through a stainless mesh (500 mesh, 25 μm diameter).

실시예 2 중, (3) 전사 필름의 제조에 있어서, 실시예 2와 동일하게 전사 필름을 제조한 후,In Example 2, in the production of the transfer film (3), after the transfer film was produced in the same manner as in Example 2,

(다) 실시예 2 중 (나)에서 제조한 전사 필름의 도전성 수지층 상에, (1')에서 제조한 착색 안료 함유 페이스트 조성물을 블레이드 코터를 사용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5 분간 건조시켜 용제를 제거하고, 두께 5 ㎛의 도전성 수지층을 레지스트막 상에 형성하고, 레지스트막, 도전성 수지층 및 착색 안료 함유 수지층을 이 순서로 적층하여 아루어지는 적층막이 지지 필름 상에 형성되어 이루어지는 본 발명의 전극 형성용 전사 필름을 제조하여, 실시예 2와 동일하게 하여 전극 패턴의 형성 및 전극 패턴의 평가를 하였다. 전극 패턴의 평가 결과를 표 1에 나타냈다.(C) On the electroconductive resin layer of the transfer film manufactured in (B) of Example 2, the coloring pigment containing paste composition manufactured by (1 ') was apply | coated using a blade coater, and a coating film was carried out at 100 degreeC for 5 minutes. The solvent is removed by drying, a 5 탆 thick conductive resin layer is formed on the resist film, and a laminated film formed by laminating a resist film, a conductive resin layer and a colored pigment-containing resin layer in this order is formed on the supporting film. The transfer film for electrode formation of this invention formed was produced, and it carried out similarly to Example 2, and formed the electrode pattern and evaluated the electrode pattern. Table 1 shows the evaluation results of the electrode patterns.

<비교예 1 내지 3><Comparative Examples 1 to 3>

실시예 1 중, (A) 도전성 분체로서 표 1에 나타내는 비표면적의 Ag 입자를 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여, 도전성 페이스트 조성물의 제조, 전극 형성용 전사 필름의 제조, 전극 패턴의 형성 및 전극 패턴의 평가를 하였다.In Example 1, except having used Ag particle of the specific surface area shown in Table 1 as (A) electroconductive powder, it carried out similarly to Example 1, manufacture of a conductive paste composition, manufacture of the transfer film for electrode formation, formation of an electrode pattern. And electrode patterns were evaluated.

전극 패턴의 평가 결과를 표 1에 나타냈다.Table 1 shows the evaluation results of the electrode patterns.

<비교예 4><Comparative Example 4>

실시예 5 중, (A) 도전성 분체로서 표 1에 나타내는 비표면적의 Ag 입자를 사용한 것 이외에는 실시예 5와 동일하게 하여, 도전성 페이스트 조성물의 제조, 전극 형성용 전사 필름의 제조, 전극 패턴의 형성 및 전극 패턴의 평가를 하였다. 전극 패턴의 평가 결과를 표 1에 나타냈다.In Example 5, production of the conductive paste composition, production of the transfer film for forming an electrode, and formation of the electrode pattern were performed in the same manner as in Example 5, except that Ag particles having a specific surface area shown in Table 1 were used as the (A) conductive powder. And electrode patterns were evaluated. Table 1 shows the evaluation results of the electrode patterns.

밀착성 평가: ○은 박리 없음, ×는 박리 있음Adhesion evaluation: ○ no peeling, × has peeling

전극의 종류: 단은 단층 전극, 적은 적층 전극Type of electrode: single layer single electrode, few stacked electrodes

본 발명의 도전성 페이스트 조성물 및 전극 형성용 전사 필름에 의하면 우수한 도전성을 가짐과 동시에 양호한 밀착성을 갖는 전극 패턴을 형성할 수 있다. 본 발명의 도전성 페이스트 조성물 및 전극 형성용 전사 필름은 플라즈마 디스플레이 패널의 전극 패턴 형성을 위해 바람직하게 사용할 수 있다.According to the electrically conductive paste composition of this invention and the transfer film for electrode formation, the electrode pattern which has the outstanding electroconductivity and has favorable adhesiveness can be formed. The electrically conductive paste composition of this invention and the transfer film for electrode formation can be used suitably for electrode pattern formation of a plasma display panel.

Claims (7)

(A) 비표면적이 1.5 내지 5.0 ㎡/g인 도전성 분체, (B) 유리 프릿 및 (C) 결합 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.A conductive paste composition comprising (A) a conductive powder having a specific surface area of 1.5 to 5.0 m 2 / g, (B) glass frit, and (C) bonding resin. 제1항에 있어서, (A) 도전성 분체로서, 적어도 Ag 분체를 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.The conductive paste composition according to claim 1, wherein at least Ag powder is contained as the conductive powder (A). 제1항에 있어서, (B) 유리 프릿으로서, 적어도 연화점이 400 내지 600 ℃인 무연 유리 프릿을 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.The electrically conductive paste composition of Claim 1 containing the lead-free glass frit whose softening point is 400-600 degreeC at least as a glass frit. 제1항에 있어서, (C) 결합 수지로서, 적어도 카르복실기 함유 (메트)아크릴 수지를 함유하는 것을 특징으로 하는 도전성 페이스트 조성물.The conductive paste composition according to claim 1, wherein at least a carboxyl group-containing (meth) acrylic resin is contained as the (C) bonding resin. 제1항 내지 제4항에 기재된 도전성 페이스트 조성물로부터 얻어지는 도전성수지층을 함유하는 것을 특징으로 하는 전극 형성용 전사 필름.The electroconductive resin layer obtained from the electrically conductive paste composition of Claims 1-4 is contained, The transfer film for electrode formation characterized by the above-mentioned. 제1항 내지 제4항에 기재된 도전성 페이스트 조성물을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극.It is formed using the electrically conductive paste composition of Claims 1-4, The electrode for plasma display panels characterized by the above-mentioned. 제5항에 기재된 전극 형성용 전사 필름을 사용하여 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널용 전극.It is formed using the transfer film for electrode formation of Claim 5, The electrode for plasma display panels characterized by the above-mentioned.
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