JP4337388B2 - Inorganic particle-containing composition for plasma display panel, transfer film, and method for producing plasma display panel - Google Patents

Description

【００１０】
（式中、Ｘは水素原子またはメチル基を示し、Ｒ¹ は単結合、メチレン基または炭素数２〜５のアルキレン基を示し、ｎは１〜６の整数を示す。）
【００１１】
本発明の無機粒子含有組成物は、さらに〔Ｃ〕感放射線性成分を含有する組成物（以下、「感放射線性無機粒子含有組成物」ともいう）であってもよい。
【００１２】
本発明の転写フィルムは、前記無機粒子含有組成物から得られる膜形成材料層を有することを特徴とする。
【００１３】
本発明の第１のＰＤＰの製造方法（以下、「ＰＤＰの製造方法▲１▼」ともいう）は、本発明の無機粒子含有組成物から得られる膜形成材料層を基板に転写し、転写された膜形成材料層を焼成することにより、前記基板上に誘電体層を形成する工程を有することを特徴とする。
本発明の第２のＰＤＰの製造方法（以下、「ＰＤＰの製造方法▲２▼」ともいう）は、本発明の無機粒子含有組成物から得られる膜形成材料層を基板上に転写し、転写された膜形成材料層上にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、当該膜形成材料層をエッチング処理してレジストパターンに対応するパターン層を形成し、当該パターン層を焼成処理することにより、隔壁、電極、抵抗体、誘電体層、蛍光体、カラーフィルターおよびブラックマトリックスから選ばれる構成要素を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１４】
また、本発明の第３のＰＤＰの製造方法（以下、「ＰＤＰの製造方法▲３▼」ともいう）は、レジスト膜と、本発明の無機粒子含有組成物から得られる膜形成材料層との積層膜を支持フィルム上に形成し、支持フィルム上に形成された積層膜を基板上に転写し、当該積層膜を構成するレジスト膜を露光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、当該膜形成材料層をエッチング処理してレジストパターンに対応するパターン層を形成し、当該パターン層を焼成処理することにより、隔壁、電極、抵抗体、誘電体層、蛍光体、カラーフィルターおよびブラックマトリックスから選ばれる構成要素を形成する工程を含むことを特徴とする。
さらに、本発明の第４のＰＤＰの製造方法（以下、「ＰＤＰの製造方法▲４▼」ともいう）は、本発明の感放射線性無機粒子含有組成物から得られる膜形成材料層を基板上に転写し、当該膜形成材料層を露光処理してパターンの潜像を形成し、当該膜形成材料層を現像処理してパターン層を形成し、当該パターン層を焼成処理することにより、隔壁、電極、抵抗体、誘電体層、蛍光体、カラーフィルターおよびブラックマトリックスから選ばれる構成要素を形成する工程を含むことを特徴とする。
【００１５】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の無機粒子含有組成物（以下、単に「組成物」ともいう）について詳細に説明する。
本発明の組成物は、通常、無機粒子、結着樹脂および溶剤を含有する。重合体〔Ｂ〕は、結着樹脂として含有される。
【００１６】
＜無機粒子＞
本発明の組成物を構成する無機粒子を構成する無機物質としては特に限定されるものではなく、当該組成物により形成される焼結体の用途（ＰＤＰの構成要素の種類）に応じて適宜選択することができる。
ここに、ＰＤＰを構成する「誘電体層」または「隔壁」を形成するための組成物に含有される無機粒子については、軟化点が３５０〜７００℃（好ましくは４００〜６００℃）の範囲内にあるガラス粉末を挙げることができる。ガラス粉末の軟化点が４００℃未満である場合には、当該組成物による膜形成材料層の焼成工程において、結着樹脂などの有機物質が完全に分解除去されない段階でガラス粉末が溶融してしまうため、形成される誘電体層中に有機物質の一部が残留し、この結果、誘電体層が着色されて、その光透過率が低下する傾向がある。一方、ガラス粉末の軟化点が６００℃を超える場合には、６００℃より高温で焼成する必要があるために、ガラス基板に歪みなどが発生しやすい。
好適なガラス粉末の具体例としては、▲１▼酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素（PbO−B2O3−SiO2系）の混合物、▲２▼酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化マグネシウム（PbO−B2O3−SiO2−MgO系）の混合物、▲３▼酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム（PbO−B2O3−SiO2−Al2O3系）の混合物、▲４▼酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化カルシウム（PbO−B2O3−SiO2−CaO系）の混合物、▲５▼酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素（PbO−ZnO−B2O3−SiO2系）の混合物などを例示することができる。
これらガラス粉末は、誘電体層および隔壁以外の構成要素（例えば電極・抵抗体・蛍光体・カラーフィルター・ブラックマトリックス）を形成するための組成物中に含有（併用）されていてもよい。これらのパネル材料を得るための無機粒子含有樹脂組成物におけるガラスフリットの含有量は、無機粒子全量に対して、通常、９０質量％以下、好ましくは、５０〜９０質量％である。
【００１７】
ＰＤＰを構成する「電極」を形成するための組成物に含有される無機粒子としては、Ag、Au、Al、Ni、Ag−Pd合金、CuおよびCrなどからなる金属粒子を挙げることができる。
これらの金属粒子は、誘電体層を形成するための組成物中にガラス粉末と併用する形で含有されていてもよい。誘電体層形成用組成物における金属粒子の含有量は、無機粒子全量に対して、通常、１０質量％以下、好ましくは０．１〜５質量％である。
ＰＤＰを構成する「抵抗体」を形成するための組成物に含有される無機粒子としては、RuO2などからなる粒子を挙げることができる。
ＰＤＰを構成する「蛍光体」を形成するための組成物に含有される無機粒子としては、Y2O3：Eu₃₊、Y2SiO5：Eu₃₊、Y3Al5O12：Eu₃₊、YVO4：Eu₃₊、(Y, Gd)BO3：Eu₃₊、Zn3(PO4)2：Mnなどの赤色用蛍光物質；Zn2SiO4：Mn、BaAl12O19：Mn、BaMgAl14O23：Mn、LaPO4：(Ce, Tb)、Y3(Al, Ga)5O12：Tbなどの緑色用蛍光物質；Y2SiO5：Ce、BaMgAl10O17：Eu₂₊、BaMgAl14O23：Eu₂₊、(Ca, Sr, Ba)10(PO4)6Cl2：Eu₂₊、(Zn, Cd)S：Agなどの青色用蛍光物質などからなる粒子を挙げることができる。
ＰＤＰを構成する「カラーフィルター」を形成するための組成物に含有される無機粒子としては、Fe2O3、Pb3O4などの赤色用物質、Cr2O3などの緑色用物質、2（Al2Na2Si3O10）・Na2S4などの青色用物質などからなる粒子を挙げることができる。
ＰＤＰを構成する「ブラックマトリックス」を形成するための組成物に含有される無機粒子としては、Mn、Fe、Crなどからなる粒子を挙げることができる。
【００１８】
＜結着樹脂＞
本発明の組成物を構成する結着樹脂は、重合体〔Ｂ〕を含有する樹脂である。結着樹脂は、重合体〔Ｂ〕単独でもよく、他の重合体との混合物であってもよい。他の重合体としては、アクリル樹脂が好適に用いられる。
重合体〔Ｂ〕は、上記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を有する重合体であり、好ましくはアクリル樹脂である。結着樹脂としてアクリル樹脂が含有されていることにより、形成される膜形成材料層には、基板に対する優れた（加熱）密着性が発揮される。従って、本発明の組成物を支持フィルム上に塗布して転写フィルムを製造する場合において、得られる転写フィルムは、膜形成材料層の転写性（基板への加熱密着性）に優れたものとなる。
本発明の組成物を構成するアクリル樹脂（重合体〔Ｂ〕・他の重合体）としては、適度な粘着性を有して無機粒子を結着させることができ、膜形成材料の焼成処理（４００〜６００℃）によって完全に酸化除去される（共）重合体の中から選択される。
【００１９】
上記式（Ｉ）で表される繰り返し単位は、下記式（ｉ）で表されるモノマーを（共）重合させることにより形成される。
【００２０】
【化３】

【００２１】
（式中、Ｘ、Ｒ¹ およびｎの定義は上記式（Ｉ）に同じ。）
【００２２】
上記式（ｉ）中、Ｒ¹ としては、単結合またはメチレン基が特に好ましい。また、ｎとしては、１が特に好ましい。
上記式（ｉ）で表されるモノマーの具体例としては、グリシジル（メタ）アクリレート、β−メチルグリシジル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリロイルメチルシクロヘキセンオキサイド、３,４−エポキシシクロヘキシルメチル（メタ）アクリレート等を挙げることができる。
【００２３】
重合体〔Ｂ〕は、上記式（ｉ）で表されるモノマーと、他のモノマーとの共重合体であることが好ましく、他のモノマーとしては、他の（メタ）アクリレート化合物が好ましい。
かかる他の（メタ）アクリレート化合物の具体例としては、メチル（メタ）アクリレート、エチル（メタ）アクリレート、プロピル（メタ）アクリレート、イソプロピル（メタ）アクリレート、ブチル（メタ）アクリレート、イソブチル（メタ）アクリレート、t-ブチル（メタ）アクリレート、ペンチル（メタ）アクリレート、アミル（メタ）アクリレート、イソアミル（メタ）アクリレート、ヘキシル（メタ）アクリレート、ヘプチル（メタ）アクリレート、オクチル（メタ）アクリレート、イソオクチル（メタ）アクリレート、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ノニル（メタ）アクリレート、デシル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、ウンデシル（メタ）アクリレート、ドデシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、ステアリル（メタ）アクリレート、イソステアリル（メタ）アクリレートなどのアルキル（メタ）アクリレート；
ヒドロキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、３−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレート、４−ヒドロキシブチル（メタ）アクリレートなどのヒドロキシアルキル（メタ）アクリレート；
フェノキシエチル（メタ）アクリレート、２−ヒドロキシ−３−フェノキシプロピル（メタ）アクリレートなどのフェノキシアルキル（メタ）アクリレート；
２−メトキシエチル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレート、２−プロポキシエチル（メタ）アクリレート、２−ブトキシエチル（メタ）アクリレート、２−メトキシブチル（メタ）アクリレートなどのアルコキシアルキル（メタ）アクリレート；
ポリエチレングリコールモノ（メタ）アクリレート、エトキシジエチレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、フェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリエチレングリコール（メタ）アクリレート、ポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、メトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、エトキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレート、ノニルフェノキシポリプロピレングリコール（メタ）アクリレートなどのポリアルキレングリコール（メタ）アクリレート；
シクロヘキシル（メタ）アクリレート、4-ブチルシクロヘキシル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンテニル（メタ）アクリレート、ジシクロペンタジエニル（メタ）アクリレート、ボルニル（メタ）アクリレート、イソボルニル（メタ）アクリレート、トリシクロデカニル（メタ）アクリレートなどのシクロアルキル（メタ）アクリレート；
ベンジル（メタ）アクリレート、テトラヒドロフルフリル（メタ）アクリレートなどを挙げることができる。これらの（メタ）アクリレート化合物は、単独でまたは２種以上を混合して用いることができる。
【００２４】
これらのうち、アルキル（メタ）アクリレート、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートおよびアルコキシアルキル（メタ）アクリレートが好ましく、特に好ましい（メタ）アクリレート化合物として、ブチル（メタ）アクリレート、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレートおよび２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートを挙げることができる。
【００２５】
他の共重合性単量体としては、上記（メタ）アクリレート化合物と共重合可能な化合物ならば特に制限はないが、例えば、（メタ）アクリル酸、ビニル安息香酸、マレイン酸、ビニルフタル酸などの不飽和カルボン酸類；ビニルベンジルメチルエーテル、ビニルグリシジルエーテル、スチレン、a-メチルスチレン、ブタジエン、イソプレンなどのビニル基含有ラジカル重合性化合物が挙げられる。
【００２６】
また、後述するフォトレジスト法を利用したＰＤＰの構成要素の形成において、膜形成材料層のエッチング処理にアルカリ可溶性が必要な場合には、上記他の共重合性単量体（共重合成分）として、カルボキシル基含有単量体が含有されることが好ましい。上記カルボキシル基含有単量体の具体例としては、アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸、コハク酸モノ（２−（メタ）アクリロイロキシエチル）、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ（メタ）アクリレートなどが挙げられる。これらの中で、メタクリル酸が特に好ましい。
ここに、好ましいアルカリ可溶性樹脂の具体例としては、例えば（メタ）アクリル系樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹脂、ポリエステル樹脂などを挙げることができる。
このようなアルカリ可溶性樹脂のうち、特に好ましいものとしては、上記カルボキシル基含有単量体とアルキル（メタ）アクリレート、ヒドロキシアルキル（メタ）アクリレートおよびアルコキシアルキル（メタ）アクリレートとの共重合体が好ましく、特に好ましい（メタ）アクリレート化合物として、ブチル（メタ）アクリレート、エチルヘキシル（メタ）アクリレート、ラウリル（メタ）アクリレート、イソデシル（メタ）アクリレート、２−エトキシエチル（メタ）アクリレートおよび２−ヒドロキシプロピル（メタ）アクリレートを挙げることができる。
【００２７】
重合体〔Ｂ〕において、上記式（ｉ）で表されるモノマーの使用割合は、全モノマー中、通常、０．１〜５０重量部、好ましくは０．１〜１０重量部、特に好ましくは１〜５重量部である。
【００２８】
重合体〔Ｂ〕の分子量としては、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー（以下、「ＧＰＣ」という）によるポリスチレン換算の重量平均分子量（以下、単に「重量平均分子量」ともいう）として、４，０００〜３００，０００であることが好ましく、さらに好ましくは１０，０００〜２００，０００とされる。
【００２９】
また、重合体〔Ｂ〕と混合して用いてもよい他の重合体としては、上記他の（メタ）アクリレート化合物を含む重合体を好ましいものとして挙げることができる。
結着樹脂全体における上記式（Ｉ）で表される繰り返し単位の割合は、通常、０．１〜５０重量％、好ましくは０．１〜１０重量％、特に好ましくは１〜５重量％である。さらに、結着樹脂全体における（メタ）アクリレート由来の繰り返し単位（上記式（Ｉ）で表される繰り返し単位を含む）の割合は、好ましくは７０重量％以上、特に好ましくは９０重量％以上である。
【００３０】
本発明の組成物における結着樹脂の含有割合としては、無機粒子１００重量部に対して、５〜８０重量部であることが好ましく、さらに好ましくは５〜３０重量部とされる。結着樹脂の割合が過小である場合には、無機粒子を確実に結着保持することができず、一方、この割合が過大である場合には、焼成工程に長い時間を要したり、形成される焼結体（例えば誘電体層）が十分な強度や膜厚を有するものとならなかったりする。
【００３１】
＜溶剤＞
本発明の組成物には、通常、溶剤が含有される。上記溶剤としては、無機粒子との親和性、結着樹脂の溶解性が良好で、得られる組成物に適度な粘性を付与することができ、乾燥されることによって容易に蒸発除去できるものであることが好ましい。
かかる溶剤の具体例としては、ジエチルケトン、メチルブチルケトン、ジプロピルケトン、シクロヘキサノンなどのケトン類；n-ペンタノ−ル、4-メチル-2-ペンタノ−ル、シクロヘキサノ−ル、ジアセトンアルコールなどのアルコール類；エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテルなどのエーテル系アルコール類；酢酸-n-ブチル、酢酸アミルなどの不飽和脂肪族モノカルボン酸アルキルエステル類；乳酸エチル、乳酸-n-ブチルなどの乳酸エステル類；メチルセロソルブアセテート、エチルセロソルブアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチル-3-エトキシプロピオネートなどのエーテル系エステル類などを例示することができ、これらは、単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
本発明の組成物における溶剤の含有割合としては、組成物の粘度を好適な範囲に維持する観点から、無機粒子１００重量部に対して、４０重量部以下であることが好ましく、さらに好ましくは５〜３０重量部とされる。
【００３２】
＜分散剤＞
本発明の組成物には、分散剤が含有されることが好ましい。当該分散剤としては、下記一般式（２）で表されるシランカップリング剤〔飽和アルキル基含有（アルキル）アルコキシシラン〕が好ましい。
【００３３】
【化４】

【００３４】
（式中、ｐは３〜２０の整数、ｍは１〜３の整数、ｎは１〜３の整数、そしてａは１から３の整数である。）
【００３５】
上記一般式（２）において、飽和アルキル基の炭素数を示すｐは３〜２０の整数とされ、好ましくは４〜１６の整数とされる。
ｐが３未満である飽和アルキル基含有（アルキル）アルコキシシランを含有させても、得られる形膜形成材料層において十分な可撓性が発現されない場合がある。一方、ｐの値が２０を超える飽和アルキル基含有（アルキル）アルコキシシランは分解温度が高く、得られるによる膜形成材料層の焼成工程において、有機物質（前記シラン誘導体）が完全に分解除去されない段階でガラス粉末が溶融してしまうため、形成される誘電体層中に有機物質の一部が残留し、この結果、誘電体層の光透過率が低下する場合がある。
【００３６】
上記一般式（２）で表されるシランカップリング剤の具体例としては、ｎ−プロピルジメチルメトキシシラン、ｎ−ブチルジメチルメトキシシラン、ｎ−デシルジメチルメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルジメチルメトキシシラン、ｎ−イコサンジメチルメトキシシランなどの飽和アルキルジメチルメトキシシラン類（ａ＝１，ｍ＝１，ｎ＝１）；
ｎ−プロピルジエチルメトキシシラン、ｎ−ブチルジエチルメトキシシラン、ｎ−デシルジエチルメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルジエチルメトキシシラン、ｎ−イコサンジエチルメトキシシランなどの飽和アルキルジエチルメトキシシラン類（ａ＝１，ｍ＝１，ｎ＝２）；
ｎ−ブチルジプロピルメトキシシラン、ｎ−デシルジプロピルメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルジプロピルメトキシシラン、ｎ−イコサンジプロピルメトキシシランなどの飽和アルキルジプロピルメトキシシラン類（ａ＝１，ｍ＝１，ｎ＝３）；
ｎ−プロピルジメチルエトキシシラン、ｎ−ブチルジメチルエトキシシラン、ｎ−デシルジメチルエトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルジメチルエトキシシラン、ｎ−イコサンジメチルエトキシシランなどの飽和アルキルジメチルエトキシシラン類（ａ＝１，ｍ＝２，ｎ＝１）；
ｎ−プロピルジエチルエトキシシラン、ｎ−ブチルジエチルエトキシシラン、ｎ−デシルジエチルエトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルジエチルエトキシシラン、ｎ−イコサンジエチルエトキシシランなどの飽和アルキルジエチルエトキシシラン類（ａ＝１，ｍ＝２，ｎ＝２）；
ｎ−ブチルジプロピルエトキシシラン、ｎ−デシルジプロピルエトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルジプロピルエトキシシラン、ｎ−イコサンジプロピルエトキシシランなどの飽和アルキルジプロピルエトキシシラン類（ａ＝１，ｍ＝２，ｎ＝３）；
ｎ−プロピルジメチルプロポキシシラン、ｎ−ブチルジメチルプロポキシシラン、ｎ−デシルジメチルプロポキシシラン、ｎ−ヘキサデシルジメチルプロポキシシラン、ｎ−イコサンジメチルプロポキシシランなどの飽和アルキルジメチルプロポキシシラン類（ａ＝１，ｍ＝３，ｎ＝１）；
ｎ−プロピルジエチルプロポキシシラン、ｎ−ブチルジエチルプロポキシシラン、ｎ−デシルジエチルプロポキシシラン、ｎ−ヘキサデシルジエチルプロポキシシラン、ｎ−イコサンジエチルプロポキシシランなどの飽和アルキルジエチルプロポキシシラン類（ａ＝１，ｍ＝３，ｎ＝２）；
ｎ−ブチルジプロピルプロポキシシラン、ｎ−デシルジプロピルプロポキシシラン、ｎ−ヘキサデシルジプロピルプロポキシシラン、ｎ−イコサンジプロピルプロポキシシランなどの飽和アルキルジプロピルプロポキシシラン類（ａ＝１，ｍ＝３，ｎ＝３）；
【００３７】
ｎ−プロピルメチルジメトキシシラン、ｎ−ブチルメチルジメトキシシラン、ｎ−デシルメチルジメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルメチルジメトキシシラン、ｎ−イコサンメチルジメトキシシランなどの飽和アルキルメチルジメトキシシラン類（ａ＝２，ｍ＝１，ｎ＝１）；
ｎ−プロピルエチルジメトキシシラン、ｎ−ブチルエチルジメトキシシラン、ｎ−デシルエチルジメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルエチルジメトキシシラン、ｎ−イコサンエチルジメトキシシランなどの飽和アルキルエチルジメトキシシラン類（ａ＝２，ｍ＝１，ｎ＝２）；
ｎ−ブチルプロピルジメトキシシラン、ｎ−デシルプロピルジメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルプロピルジメトキシシラン、ｎ−イコサンプロピルジメトキシシランなどの飽和アルキルプロピルジメトキシシラン類（ａ＝２，ｍ＝１，ｎ＝３）
ｎ−プロピルメチルジエトキシシラン、ｎ−ブチルメチルジエトキシシラン、ｎ−デシルメチルジエトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルメチルジエトキシシラン、ｎ−イコサンメチルジエトキシシランなどの飽和アルキルメチルジエトキシシラン類（ａ＝２，ｍ＝２，ｎ＝１）；
ｎ−プロピルエチルジエトキシシラン、ｎ−ブチルエチルジエトキシシラン、ｎ−デシルエチルジエトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルエチルジエトキシシラン、ｎ−イコサンエチルジエトキシシランなどの飽和アルキルエチルジエトキシシラン類（ａ＝２，ｍ＝２，ｎ＝２）；
ｎ−ブチルプロピルジエトキシシラン、ｎ−デシルプロピルジエトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルプロピルジエトキシシラン、ｎ−イコサンプロピルジエトキシシランなどの飽和アルキルプロピルジエトキシシラン類（ａ＝２，ｍ＝２，ｎ＝３）；
ｎ−プロピルメチルジプロポキシシラン、ｎ−ブチルメチルジプロポキシシラン、ｎ−デシルメチルジプロポキシシラン、ｎ−ヘキサデシルメチルジプロポキシシラン、ｎ−イコサンメチルジプロポキシシランなどの飽和アルキルメチルジプロポキシシラン類 （ａ＝２，ｍ＝３，ｎ＝１）；
ｎ−プロピルエチルジプロポキシシラン、ｎ−ブチルエチルジプロポキシシラン、ｎ−デシルエチルジプロポキシシラン、ｎ−ヘキサデシルエチルジプロポキシシラン、ｎ−イコサンエチルジプロポキシシランなどの飽和アルキルエチルジプロポキシシラン類（ａ＝２，ｍ＝３，ｎ＝２）；
ｎ−ブチルプロピルジプロポキシシラン、ｎ−デシルプロピルジプロポキシシラン、ｎ−ヘキサデシルプロピルジプロポキシシラン、ｎ−イコサンプロピルジプロポキシシランなどの飽和アルキルプロピルジプロポキシシラン類（ａ＝２，ｍ＝３，ｎ＝３）；
【００３８】
ｎ−プロピルトリメトキシシラン、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ−イコサントリメトキシシランなどの飽和アルキルトリメトキシシラン類（ａ＝３，ｍ＝１）；
ｎ−プロピルトリエトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−デシルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルトリエトキシシラン、ｎ−イコサントリエトキシシランなどの飽和アルキルトリエトキシシラン類（ａ＝３，ｍ＝２）；
ｎ−プロピルトリプロポキシシラン、ｎ−ブチルトリプロポキシシラン、ｎ−デシルトリプロポキシシラン、ｎ−ヘキサデシルトリプロポキシシラン、ｎ−イコサントリプロポキシシランなどの飽和アルキルトリプロポキシシラン類（ａ＝３，ｍ＝３）などを挙げることができ、これらは、単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００３９】
これらのうち、ｎ−ブチルトリメトキシシラン、ｎ−デシルトリメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルトリメトキシシラン、ｎ−デシルジメチルメトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルジメチルメトキシシラン、ｎ−ブチルトリエトキシシラン、ｎ−デシルトリエトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルトリエトキシシラン、ｎ−デシルエチルジエトキシシラン、ｎ−ヘキサデシルエチルジエトキシシラン、ｎ−ブチルトリプロポキシシラン、ｎ−デシルトリプロポキシシラン、ｎ−ヘキサデシルトリプロポキシシランなどが特に好ましい。
【００４０】
本発明の転写フィルムの膜形成材料層におけるシランカップリング剤の含有割合としては、ガラス粉末１００重量部に対して、０．００１〜１０重量部であることが好ましく、さらに好ましくは０．００１〜５重量部とされる。シランカップリング剤の割合が過小である場合には、ガラス粉末の分散安定性の向上効果、形成される膜形成材料層における可撓性の向上効果を十分に発揮させることができない。一方、この割合が過大である場合には、得られるガラスペースト組成物を保存する際に粘度が経時的に上昇したり、シランカップリング剤同士で反応が起こり、焼成後の光透過率を下げる原因になったりする場合がある。
【００４１】
＜可塑剤＞
本発明の組成物には、形成される膜形成材料層に良好な可撓性と燃焼性とを発現させるために、可塑剤が含有されることが好ましい。当該可塑剤としては、下記一般式（３）で示される化合物からなる可塑剤が好ましい。
【化５】

【００４２】
（式中、R₂ およびR₅ は、それぞれ、同一または異なる炭素数１〜３０のアルキル基を示し、R₃ およびR₄ は、それぞれ、同一または異なるメチレン基または炭素数２〜３０のアルキレン基を示し、ｓは０〜５の数であり、ｔは１〜１０の数である。）
【００４３】
可塑剤を含有する膜形成材料層を備えた転写フィルムによれば、これを折り曲げても、当該膜形成材料層の表面に微小な亀裂（ひび割れ）が発生するようなことはなく、また、当該転写フィルムは柔軟性に優れたものとなり、これをロール状に巻き取ることも容易に行うことができる。
特に、上記一般式（３）で示される化合物からなる可塑剤は、熱により容易に分解除去されるため、当該膜形成材料層を焼成して得られる誘電体層の光透過率を低下させることはない。
【００４４】
上記一般式（３）において、R₂ またはR₅ で示されるアルキル基、並びにR₃ またはR₄ で示されるアルキレン基は、直鎖状であっても分岐状であってもよく、また、飽和基であっても不飽和基であってもよい。
【００４５】
R₂ またはR₅ で示されるアルキル基の炭素数は、１〜３０とされ、好ましくは２〜２０、さらに好ましくは４〜１０とされる。
当該アルキル基の炭素数が３０を超える場合には、本発明を構成する溶剤に対する可塑剤の溶解性が低下し、良好な可撓性が得られない場合がある。
【００４６】
上記構造式（３）で示される化合物の具体例としては、ジブチルアジペート、ジイソブチルアジペート、ジ−２−エチルヘキシルアジペート、ジ−２−エチルヘキシルアゼレート、ジブチルセバケート、ジブチルジグリコールアジペートなどが挙げられる。好ましくは、ｎが２〜６で表される化合物である。
【００４７】
本発明の転写フィルムの膜形成材料層における可塑剤の含有割合としては、ガラス粉末１００重量部に対して、０．１〜２０重量部であることが好ましく、さらに好ましくは０．５〜１０重量部とされる。可塑剤の割合が過小である場合には、膜形成材料層の可塑性を十分に向上させることができない場合がある。一方、この割合が過大である場合には、得られる組成物を用いて形成される膜形成材料層の粘着性（タック）が過大となり、そのような膜形成材料層を備えた転写フィルムの取扱性が劣るものとなることがある。
【００４８】
本発明の組成物には、上記の必須成分のほかに、粘着性付与剤、表面張力調整剤、安定剤、消泡剤などの各種添加剤が任意成分として含有されていてもよい。
【００４９】
＜感放射線性成分＞
本発明の無機粒子含有組成物は、感放射線性成分を含有する感放射線性無機粒子含有組成物であってもよい。当該感放射線性成分としては、例えば、（イ）多官能性モノマーと放射線重合開始剤との組み合わせ、（ロ）メラミン樹脂と放射線照射により酸を形成する光酸発生剤との組み合わせなどを好ましいものとして例示することができ、上記（イ）の組み合わせのうち、多官能性（メタ）アクリレートと放射線重合開始剤との組み合わせが特に好ましい。
【００５０】
感放射線性成分を構成する多官能性（メタ）アクリレートの具体例としては、エチレングリコール、プロピレングリコールなどのアルキレングリコールのジ（メタ）アクリレート類；ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコールなどのポリアルキレングリコールのジ（メタ）アクリレート類；両末端ヒドロキシポリブタジエン、両末端ヒドロキシポリイソプレン、両末端ヒドロキシポリカプロラクトンなどの両末端ヒドロキシル化重合体のジ（メタ）アクリレート類；
グリセリン、１，２，４−ブタントリオール、トリメチロールアルカン、テトラメチロールアルカン、ペンタエリスリトール、ジペンタエリスリトールなどの３価以上の多価アルコールのポリ（メタ）アクリレート類；３価以上の多価アルコールのポリアルキレングリコール付加物のポリ（メタ）アクリレート類；１，４−シクロヘキサンジオール、１，４−ベンゼンジオール類などの環式ポリオールのポリ（メタ）アクリレート類；ポリエステル（メタ）アクリレート、エポキシ（メタ）アクリレート、ウレタン（メタ）アクリレート、アルキド樹脂（メタ）アクリレート、シリコーン樹脂（メタ）アクリレート、スピラン樹脂（メタ）アクリレート等のオリゴ（メタ）アクリレート類などを挙げることができ、これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００５１】
また、感放射線性成分を構成する放射線重合開始剤の具体例としては、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、カンファーキノン、２−ヒドロキシ−２−メチル−１−フェニルプロパン−１−オン、１−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、２，２−ジメトキシ−２−フェニルアセトフェノン、２−メチル−〔４’−（メチルチオ）フェニル〕−２−モルフォリノ−１−プロパノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルフォリノフェニル）−ブタン−１−オンなどのカルボニル化合物；アゾイソブチロニトリル、４−アジドベンズアルデヒドなどのアゾ化合物あるいはアジド化合物；メルカプタンジスルフィドなどの有機硫黄化合物；ベンゾイルパーオキシド、ジ−ｔｅｒｔ−ブチルパーオキシド、ｔｅｒｔ−ブチルハイドロパーオキシド、クメンハイドロパーオキシド、パラメタンハイドロパーオキシドなどの有機パーオキシド；１，３−ビス（トリクロロメチル）−５−（２’−クロロフェニル）−１，３，５−トリアジン、２−〔２−（２−フラニル）エチレニル〕−４，６−ビス（トリクロロメチル）−１，３，５−トリアジンなどのトリハロメタン類；２，２’−ビス（２−クロロフェニル）４，５，４’，５’−テトラフェニル１，２’−ビイミダゾールなどのイミダゾール二量体などを挙げることができる。これらは単独でまたは２種以上を組み合わせて使用することができる。
【００５２】
無機粒子含有組成物の一例として、好ましい誘電体層形成用の組成物の例を示せば、無機粒子（ガラス粉末）として、酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化カルシウム（PbO−B2O3−SiO2−CaO系）からなる混合物１００重量部と、結着樹脂としてブチルメタクリレート／エチルヘキシルメタクリレート／ヒドロキシプロピルメタクリレート／グリシジルメタクリレート共重合体５〜３０重量部と、分散剤としてｎ−デシルトリメトキシシラン０．１〜５重量部と、可塑剤としてジ−２−エチルヘキシルアゼレート０．１〜１０重量部と、溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテル５〜３０重量部を必須成分として含有する組成物を挙げることができる。
【００５３】
本発明の組成物は、上記無機粒子、結着樹脂、特定化合物および溶剤並びに任意成分をロール混錬機、ミキサー、ホモミキサーなどの混錬機を用いて混錬することにより調製することができる。
上記のようにして調製される本発明の組成物は、塗布に適した流動性を有するペースト状の組成物であり、その粘度は、通常１,０００〜３０,０００ｃｐとされ、好ましくは３,０００〜１０,０００ｃｐとされる。
【００５４】
本発明の組成物は、以下に詳述する転写フィルム（本発明の転写フィルム）を製造するために特に好適に使用することができる。
また、本発明の組成物は、従来において公知の膜形成材料層の形成方法、すなわち、スクリーン印刷法などによって当該組成物を基板の表面に直接塗付し、塗膜を乾燥させることにより膜形成材料層を形成する方法にも好適に使用することができる。
【００５５】
＜転写フィルム＞
本発明の転写フィルムは、ＰＤＰ構成要素の形成工程、特に誘電体層の形成工程に好適に使用される複合フィルムであって、本発明の組成物を支持フィルム上に塗布し、塗膜を乾燥させることにより形成される膜形成材料層を備えてなる。すなわち、本発明の転写フィルムは、無機粒子、結着樹脂および特定化合物を含有する膜形成材料層が支持フィルム上に形成されて構成されている。
また、本発明の転写フィルムは、後述するレジスト膜を支持フィルム上に形成し、その上に本発明の組成物を塗布し、乾燥してなるもの（積層膜）であってもよい。
さらに、本発明の転写フィルムは、感放射線性無機粒子含有組成物を用いて構成された、感放射線性転写フィルムであってもよい。
【００５６】
転写フィルムの構成：
図２（イ）は、ロール状に巻回された本発明の転写フィルムを示す概略断面図であり、同図（ロ）は、当該転写フィルムの層構成を示す断面図〔（イ）の部分詳細図〕である。
図２に示す転写フィルムは、本発明の転写フィルムの一例として、ＰＤＰを構成する誘電体層を形成するために使用される複合フィルムであって、通常、支持フィルムＦ１と、この支持フィルムＦ１の表面に剥離可能に形成された膜形成材料層Ｆ２と、この膜形成材料層Ｆ２の表面に剥離容易に設けられたカバーフィルムＦ３とにより構成されている。カバーフィルムＦ３は、膜形成材料層Ｆ２の性質によっては使用されない場合もある。
【００５７】
転写フィルムを構成する支持フィルムＦ１は、耐熱性および耐溶剤性を有するとともに可撓性を有する樹脂フィルムであることが好ましい。支持フィルムＦ１が可撓性を有することにより、ロールコーター、ブレードコーターなどを用いてペースト状の組成物（本発明の組成物）を塗布することができ、これにより、膜厚の均一な膜形成材料層を形成することができるとともに、形成された膜形成材料層をロール状に巻回した状態で保存し、供給することができる。
支持フィルムＦ１を構成する樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリフロロエチレンなどの含フッ素樹脂、ナイロン、セルロースなどを挙げることができる。支持フィルムＦ１の厚さとしては、例えば２０〜１００mmとされる。
【００５８】
転写フィルムを構成する膜形成材料層Ｆ２は、焼成されることによってガラス焼結体（誘電体層）となる層であり、ガラス粉末（無機粒子）、結着樹脂および特定化合物が必須成分として含有されている。
膜形成材料層Ｆ２の厚さとしては、ガラス粉末の含有率、パネルの種類やサイズによっても異なるが、例えば５〜２００mmとされ、好ましくは１０〜１００mmとされる。この厚さが５mm未満である場合には、最終的に形成される誘電体層の膜厚が過小なものとなり、所期の誘電特性を確保することができないことがある。通常、この厚さが１０〜１００mmであれば、大型のパネルに要求される誘電体層の膜厚を十分に確保することができる。
【００５９】
転写フィルムを構成するカバーフィルムＦ３は、膜形成材料層Ｆ２の表面（ガラス基板との接触面）を保護するためのフィルムである。このカバーフィルムＦ３も可撓性を有する樹脂フィルムであることが好ましい。カバーフィルムＦ３を形成する樹脂としては、支持フィルムＦ１を形成するものとして例示した樹脂を挙げることができる。カバーフィルムＦ３の厚さとしては、例えば２０〜１００mmとされる。
【００６０】
転写フィルムの製造方法：
本発明の転写フィルムは、支持フィルム（Ｆ１）上に膜形成材料層（Ｆ２）を形成し、当該膜形成材料層（Ｆ２）上にカバーフィルム（Ｆ３）を設ける（圧着する）ことにより製造することができる。
【００６１】
膜形成材料層の形成方法としては、無機粒子、結着樹脂、分散剤、可塑剤および溶剤を含有する本発明の組成物を支持フィルムに塗布し、塗膜を乾燥して前期溶剤の一部または全部を除去する方法を挙げることができる。
【００６２】
本発明の組成物を支持フィルム上に塗布する方法としては、膜厚が大きく（例えば２０mm以上）、膜厚の膜厚の均一性に優れた塗膜を効率よく形成することができる観点から、ロールコーターによる塗布方法、ドクターブレードなどのブレードコーターによる塗布方法、カーテンコーターによる塗布方法、ワイヤーコーターによる塗布方法などを好ましいものとして挙げることができる。
なお、本発明の組成物が塗布される支持フィルムの表面には離型処理が施されていることが好ましい。これにより、膜形成材料層を転写した後において、当該膜形成材料層から支持フィルムを容易に剥離することができる。
支持フィルム上に形成された本発明の組成物による塗膜は、乾燥されることによって溶剤の一部または全部が除去され、転写フィルムを構成する膜形成材料層となる。本発明の組成物による塗膜の乾燥条件としては、例えば４０〜１５０℃で０．１〜３０分間程度とされる。乾燥後における溶剤の残存割合（膜形成材料層中の溶剤の含有割合）は、通常１０重量％以下とされ、基板に対する粘着性および適度な形状保持性を膜形成材料層に発揮させる観点から０．１〜５重量％であることが好ましい。
【００６３】
上記のようにして形成された膜形成材料層の上に設けられる（通常、熱圧着される）カバーフィルムの表面にも離型処理が施されていることが好ましい。これにより、膜形成材料層を転写する前に、当該膜形成材料層からカバーフィルムを容易に剥離することができる。
【００６４】
膜形成材料層の転写（転写フィルムの使用方法）；
支持フィルム上の膜形成材料層は、基板の表面に一括転写される。本発明の転写フィルムによれば、このような簡単な操作によって膜形成材料層をガラス基板上に確実に形成することができるので、誘電体層などのＰＤＰの構成要素の形成工程における工程改善（高効率化）を図ることができるとともに、形成される構成要素の品質の向上（例えば、誘電体層のおける安定した誘電特性の発現）を図ることができる。
【００６５】
＜ＰＤＰの製造方法▲１▼（誘電体層の形成）＞
本発明のＰＤＰの製造方法▲１▼は、本発明の転写フィルムを構成する膜形成材料層を基板の表面に転写し、転写された膜形成材料層を焼成することにより、前記基板の表面に誘電体層を形成する工程を含む。
【００６６】
図２に示したような構成の転写フィルムによる膜形成材料層の転写工程の一例を示せば以下のとおりである。
１．ロール上に巻回された状態の転写フィルムを基板の面積に応じた大きさに裁断する。
２．裁断した転写フィルムにおける膜形成材料層（Ｆ２）表面からカバーフィルム（Ｆ３）を剥離した後、基板の表面に膜形成材料層（Ｆ２）の表面が当接するように転写フィルムを重ね合わせる。
３．基板に重ね合わされた転写フィルム上に加熱ローラを移動させて熱圧着させる。
４．熱圧着により基板に固定された膜形成材料層（Ｆ２）から支持フィルム（Ｆ１）を剥離除去する。
上記のような操作により、支持フィルム（Ｆ１）上の膜形成材料層（Ｆ２）が基板上に転写される。ここで転写条件としては、例えば、加熱ローラの表面温度が６０〜１２０℃、加熱ローラによるロール圧が１〜５kg/cm²、加熱ローラの移動速度が０．２〜１０．０m/分とされる。このような操作（転写工程）は、ラミネータ装置により行うことができる。なお、基板は予熱されていてもよく、予熱温度としては例えば４０〜１００℃とすることができる。
【００６７】
基板の表面に形成転写された膜形成材料層（Ｆ２）は、焼成されて無機焼結体（誘電体層）となる。ここに、焼成方法としては、膜形成材料層（Ｆ２）が転写形成された基板を高温雰囲気下に配置する方法を挙げることができる。これにより、膜形成材料層（Ｆ２）に含有されている有機物質（例えば結着樹脂、残留溶剤、分散剤、可塑剤、各種添加剤）が分解されて除去され、無機粒子が溶融して燒結する。ここに、焼成温度としては、基板の溶融温度、膜形成材料層中の構成物質などによっても異なるが、例えば３００〜８００℃とされ、さらに好ましくは４００〜６００℃とされる。
【００６８】
＜ＰＤＰの製造方法▲２▼（フォトレジスト法を利用した構成要素の形成）＞
本発明のＰＤＰの製造方法▲２▼は、本発明の転写フィルムを構成する膜形成材料層を基板上に転写し、転写された膜形成材料層上にレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、当該膜形成材料層をエッチング処理してレジストパターンに対応するパターン層を形成し、当該パターン層を焼成処理することにより、隔壁、電極、抵抗体、誘電体層、蛍光体、カラーフィルターおよびブラックマトリックスから選ばれる構成要素を形成する工程を含む。
または、レジスト膜と、本発明の無機粒子含有組成物から得られる膜形成材料層との積層膜を支持フィルム上に形成し、支持フィルム上に形成された積層膜を基板上に転写し、当該積層膜を構成するレジスト膜を露光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、当該膜形成材料層をエッチング処理してレジストパターンに対応するパターン層を形成し、当該パターン層を焼成処理することにより、隔壁、電極、抵抗体、誘電体層、蛍光体、カラーフィルターおよびブラックマトリックスから選ばれる構成要素を形成する工程を含む。
【００６９】
以下、ＰＤＰの構成要素である「隔壁」を背面基板上の表面に形成する方法について説明する。この方法においては、〔１〕膜形成材料層の転写工程、〔２〕レジスト膜の形成工程、〔３〕レジスト膜の露光工程、〔４〕レジスト膜の現像工程、〔５〕膜形成材料層のエッチング工程、〔６〕隔壁パターンの焼成工程により、基板の表面に隔壁が形成される。
図３および図４は、隔壁を形成するための一連の工程を示す概略断面図である。図３および図４において、１１はガラス基板であり、このガラス基板上には、プラズマを発生させるための電極１２が等間隔に配列され、電極１２を被覆するように、ガラス基板１１の表面に誘電体層１３が形成されている。
なお、本発明において、「膜形成材料層を基板上に転写する」態様としては、前記ガラス基板１１の表面に転写するような様態のほかに、前記誘電体層１３の表面に転写するような様態も包括されるものとする。
【００７０】
膜形成材料層の転写工程：
膜形成材料層の転写工程一例を示せば以下のとおりである。
転写フィルムのカバーフィルム（図示省略）を剥離した後、図３（ロ）に示すように、誘電体層１３の表面に、膜形成材料層２１の表面が当接されるように転写フィルム２０を重ね合わせ、この転写フィルム２０を加熱ローラなどにより熱圧着した後、膜形成材料層２１から支持フィルム２２を剥離除去する。これにより、図３（ハ）に示すように、誘電体層１３の表面に膜形成材料層２１が転写されて密着した状態となる。ここで転写条件としては、例えば、加熱ローラの表面温度が８０〜１４０℃、加熱ローラによるローラ圧が１〜５kg/cm²、加熱ローラの移動速度が０．１〜１０．０m／分を示すことができる。また、ガラス基板１１は予熱されていてもよく、予熱温度としては例えば４０〜１００℃とすることができる。
【００７１】
レジスト膜の形成工程：
この工程においては、図３（ニ）に示すように、転写された膜形成材料層２１の表面にレジスト膜３１を形成する。このレジスト膜３１を構成するレジストとしてはポジ型レジストおよびネガ型レジストのいずれであってもよい。
レジスト膜３１は、スクリーン印刷法、ロール塗布法、回転塗布法、流延塗布法など種々の方法によってレジストを塗布した後、塗膜を乾燥することにより形成することができる。ここに塗膜の乾燥温度は、通常６０〜１３０℃程度とされる。
また、支持フィルム上に形成されたレジスト膜を膜形成材料層２１の表面に転写することによって形成してもよい。このような形成方法によれば、レジスト膜の形成工程数を減らすことができるとともに、得られるレジストの膜厚均一性が優れたものとなるため、当該レジスト膜の現像処理および膜形成材料層のエッチング処理が均一に行われ、形成される隔壁の高さおよび形状が均一なものとなる。
レジスト膜３１の膜厚としては、通常０．１〜４０mmとされ、好ましくは０．５〜２０mmとされる。
【００７２】
レジスト膜の露光工程：
この工程においては、図３（ホ）に示すように、膜形成材料層２１上に形成されたレジスト膜３１の表面に、露光用マスクＭを介して、紫外線などの放射線を選択的に照射（露光）して、レジストパターンの潜像を形成する。同図において、ＭＡおよびＭＢは、それぞれ露光用マスクＭにおける光透過部および遮光部である。
ここに、紫外線照射装置としては、前記フォトリソグラフィー法で使用されている紫外線照射装置、半導体および液晶表示装置を製造する際に使用されている露光装置など特に限定されるものではない。
なお、レジスト膜を転写により形成した場合には、レジスト膜上に被覆されている支持フィルムを剥離しない状態で露光工程を行うのが好ましい。
【００７３】
レジスト膜の現像工程
この工程においては、露光されたレジスト膜を現像処理することにより、レジストパターン（潜像）を顕在化させる。
ここに、現像処理条件としては、レジスト膜３１の種類などに応じて、現像液の種類・組成・濃度、現像時間、現像温度、現像方法（例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル法）、現像装置などを適宜選択することができる。
この現像工程により、図４（ヘ）に示すように、レジスト残留部３５Ａと、レジスト除去部３５Ｂとから構成されるレジストパターン３５（露光用マスクＭに対応するパターン）が形成される。
このレジストパターン３５は、次工程（エッチング工程）におけるエッチングマスクとして作用するものであり、レジスト残留部３５Ａの構成材料（光硬化されたレジスト）は、膜形成材料層２１の構成材料よりもエッチング液に対する溶解速度が小さいことが必要である。
【００７４】
膜形成材料層のエッチング工程：
この工程においては、膜形成材料層をエッチング処理し、レジストパターンに対応する隔壁パターン層を形成する。
すなわち、図４（ト）に示すように、膜形成材料層２１のうち、レジストパターン３５のレジスト除去部３５Ｂに対応する部分がエッチング液に溶解されて選択的に除去される。ここに図４（ト）は、エッチング処理中の状態を示している。
そして、更にエッチング処理を継続すると、図４（チ）に示すように、膜形成材料層２１における所定の部分が完全に除去されて誘電体層１３が露出する。これにより、材料層残留部２５Ａと、材料層除去部２５Ｂとから構成される隔壁パターン層２５が形成される。
ここに、エッチング処理条件としては、膜形成材料層２１の種類などに応じて、エッチング液の種類・組成・濃度、処理時間、処理温度、処理方法（例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル法）、処理装置などを適宜選択することができる。
なお、エッチング液として、現像工程で使用した現像液と同一の溶液を使用することができるよう、レジスト膜３１および膜形成材料層２１の種類を選択することにより、現像工程とエッチング工程とを連続的に実施することが可能となり、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることができる。
ここに、レジストパターン３５を構成するレジスト残留部３５Ａは、エッチング処理の際に徐々に溶解され、隔壁パターン層２５が形成された段階（エッチング処理の終了時）で完全に除去されるものであることが好ましい。
なお、エッチング処理後にレジスト残留部３５Ａの一部または全部が残留していても、当該レジスト残留部３５Ａは、次の焼成工程で除去される。
【００７５】
隔壁パターン層の焼成工程：
この工程においては、隔壁パターン層２５を焼成処理して隔壁を形成する。これにより、材料層残留部２５Ａ中の有機物質が焼失して隔壁が形成され、図４（リ）に示すような、誘電体層１３の表面に隔壁４０が形成されてなるパネル材料５０において、隔壁４０により区画される空間（材料層除去部２５Ｂに由来する空間）はプラズマ作用空間となる。
ここに、焼成処理の温度としては、材料層残留部２５Ａの有機物質が焼失される温度であることが必要であり、通常４００〜６００℃とされる。また、焼成時間は、通常１０〜９０分間とされる。
【００７６】
＜ＰＤＰの製造方法▲３▼（フォトレジスト法を利用した好ましい実施態様）＞
本発明におけるＰＤＰの製造方法は、図３および図４に示したような方法に限定されるものではない。
ここに、ＰＤＰ構成要素を形成するための他の好ましい方法（ＰＤＰの製造方法▲３▼）として、下記（１）〜（３）の工程による形成方法を挙げることができる。
【００７７】
（１）支持フィルム上にレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜上に本発明の無機粒子含有組成物を塗布、乾燥することにより膜形成材料層を積層形成する。ここに、レジスト膜および膜形成材料層を形成する際には、ロールコーターなどを使用することができ、これにより膜厚の均一性に優れた積層膜を支持フィルム上に形成することができる。
【００７８】
（２）支持フィルム上に形成されたレジスト膜と膜形成材料層との積層膜を基板上に転写する。ここに、転写条件としては前記「膜形成材料層の転写工程」における条件と同様でよい。
【００７９】
（３）前記「レジスト膜の露光工程」、「レジスト膜の現像工程」、「膜形成材料層のエッチング工程」および「隔壁パターン層の焼成工程」と同様の操作を行う。その際、先に記載したように、レジスト膜の現像液と膜形成材料層のエッチング液とを同一の溶液とし、「レジスト膜の現像工程」と「膜形成材料層のエッチング工程」とを連続的に実施することが好ましい。
以上のような方法によれば、膜形成材料層とレジスト膜とが基板上に一括転写されるので、工程の簡略化により製造効率を更に向上させることができる。
【００８０】
＜ＰＤＰの製造方法▲４▼（感放射線性転写フィルムを用いた構成要素の形成）＞
本発明のＰＤＰの製造方法▲４▼は、本発明の感放射線性転写フィルムを構成する膜形成材料層を基板上に転写し、当該膜形成材料層を露光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該膜形成材料層を現像処理してパターン層を形成し、当該パターン層を焼成処理することにより、隔壁、電極、抵抗体、誘電体層、蛍光体、カラーフィルターおよびブラックマトリックスから選ばれる構成要素を形成する工程を含む。
この方法においては、例えば隔壁の形成方法を例に採ると、前記「膜形成材料層の転写工程」の後、「レジスト膜の露光工程」、「レジスト膜の現像工程」に準じた条件でパターン層を形成し、その後、「隔壁パターンの焼成工程」により、基板の表面に隔壁が形成される。
【００８１】
以上ＰＤＰの製造方法▲１▼〜▲４▼の各工程説明において、ＰＤＰ構成要素として「隔壁」を形成する方法について説明したが、この方法に準じてＰＤＰを構成する電極、抵抗体、誘電体層、蛍光体、カラーフィルターおよびブラックマトリックスなどを形成することもできる。
【００８２】
【実施例】
以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。なお、以下について「部」は「重量部」を示す。
＜実施例１＞
（１）ガラスペースト組成物（無機粒子含有組成物）の調製：
ガラス粉末（無機粒子）として、酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化カルシウム（PbO−B2O3−SiO2−CaO系）からなる混合物（軟化点５６０℃）１００部、結着樹脂としてブチルメタクリレート（ＢＭＡ）／２−エチルヘキシルメタクリレート（ＥＨＭＡ）／２−ヒドロキシプロピルメタクリレート（ＨＰＭＡ）／グリシジルメタクリレート（ＧＭＡ）共重合体（重量比３０／６０／５／５、重量平均分子量１０５，０００）１７部と、分散剤としてｎ−デシルトリメトキシシラン１．０部と、可塑剤としてジ−２−エチルヘキシルアゼレート２．５部と、溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテル７．３部、エチル−３−エトキシプロピオネート１１．５部を分散機を用いて混錬することにより、粘度が１,６００mPa・s（２０rpm, 東機産業製、TV-30形粘度計）である本発明の組成物を調製した。
【００８３】
転写フィルムの製造および評価（可撓性・取扱性）：
上記（１）で調製した本発明の組成物を、予め離型処理したポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）よりなる支持フィルム（幅４００ｍｍ，長さ３０ｍ，厚さ３８μｍ）上にブレードコーターを用いて塗布し、形成された塗膜を１００℃で５分間乾燥することにより溶剤を除去し、これにより、厚さ９０μｍの膜形成材料層を支持フィルム上に形成した。次いで、当該膜形成材料層上に、予め離型処理したＰＥＴよりなるカバーフィルム（幅４００ｍｍ，長さ３０ｍ，厚さ３８μｍ）を貼り付けることにより、図２に示したような構成を有する本発明の転写フィルムを製造した。
【００８４】
得られた転写フィルムは柔軟性を有しており、ロール状に巻き取る操作を容易に行うことができた。また、この転写フィルムを折り曲げても、膜形成材料層の表面にひび割れ（屈曲亀裂）が生じることはなく、当該膜形成材料層は、優れた可撓性を有するものであった。
また、この転写フィルムからカバーフィルムを剥離し、膜形成材料層の表面がガラス基板の表面に当接されるように、当該転写フィルム（支持フィルムと膜形成材料層との積層体）を加圧することなく重ね合わせ、次いで当該転写フィルムをガラス基板の表面から剥がしてみたところ、当該膜形成材料層は、ガラス基板に対して適度な粘着性を示しており、しかも、当該膜形成材料層に凝集破壊を起こすことなく転写フィルムを剥がすことができ、転写フィルムとしての取扱性（ハンドリング性）は良好なものであった。
【００８５】
膜形成材料層の転写：
上記（２）により得られた転写フィルムからカバーフィルムを剥離した後、２１インチパネル用のガラス基板の表面（バス電極の固定面）に、膜形成材料層の表面が当接されるように、当該転写フィルム（支持フィルムと膜形成材料層との積層体）を重ね合わせ、この転写フィルムを加熱ロールにより熱圧着した。ここで、圧着条件としては、加熱ロールの表面温度を９０℃、ロール圧を２kg/cm²、加熱ロールの移動速度を０．８ｍ／分とした。
熱圧着処理の終了後、ガラス基板の表面に固定（加熱接着）された膜形成材料層から支持フィルムを剥離除去し、当該膜形成材料層の転写を完了した。
この転写工程において、支持フィルムを剥離するときに、膜形成材料層が凝集破壊を起こすようなことはなく、当該膜形成材料層は十分大きな膜強度を有するものであった。さらに、転写さえた膜形成材料層は、ガラス基板の表面に対して良好な接着性を有するものであった。
【００８６】
膜形成材料層の焼成（誘電体層の形成）：
上記（３）により膜形成材料層を転写形成したガラス基板を焼成炉内に配置し、炉内の温度を５７０℃まで毎分１０℃の割合で昇温させた後、５７０℃で１０分間焼成処理することにより、ガラス基板の表面に、ガラス焼結体よりなる誘電体層を形成した。
この誘電体層の膜厚（平均膜厚および公差）を測定したところ４４μｍ±０．４μｍの範囲にあり、膜厚の均一性に優れているものであった。
また、得られた誘電体層の表面について、非接触膜厚計（菱光社製、ＮＨ−３）を用いて３次元測定を実施し、ＪＩＳ規格（Ｂ ０６０１）に準じて表面粗さ（Ra、Ry、Rz）を求めたところ、Ra = ０．０６ mm、Ry = ０．４３ mm、Rz = ０．２１ mmであり、表面平滑性に優れたものであった。
【００８７】
実施例２〜６
実施例１において、結着樹脂としてそれぞれ表１に示す共重合体を用いた以外は実施例１（１）と同様にしてガラスペースト組成物を調製し、得られた各ガラスペーストを用いて実施例１（２）と同様にして転写フィルムを形成した。得られた転写フィルムはいずれも柔軟性を有しており、ロール状に巻き取る操作を容易に行うことができた。また、この転写フィルムを折り曲げても、膜形成材料層の表面にひび割れ（屈曲亀裂）が生じることはなく、当該膜形成材料層は、優れた可撓性を有するものであった。
得られた各転写フィルムを用いて実施例１（３）と同様にして転写を行ったところ、いずれの転写フィルムを用いた場合も、支持フィルムを剥離するときに膜形成材料層が凝集破壊を起こすようなことはなく、当該膜形成材料層は十分大きな膜強度を有するものであった。さらに、転写さえた膜形成材料層は、ガラス基板の表面に対して良好な接着性を有するものであった。
さらに、実施例１（４）と同様にして、誘電体層を形成し、得られた誘電体層の表面について、実施例１と同様に表面粗さ（Ra、Ry、Rz）を求めた。Ra、Ry、Rzの値を実施例１と共に表１に示す。
【００８８】
【表１】

【００８９】
＜比較例＞
結着樹脂の部数を１７部とし、ブチルメタクリレート／２−エチルヘキシルメタクリレート／２−ヒドロキシプロピルメタクリレート／グリシジルメタクリレート共重合体（重量比３０／６０／５／５、重量平均分子量１０５，０００）の代わりにブチルメタクリレート／２−エチルヘキシルメタクリレート／２−ヒドロキシプロピルメタクリレート共重合体（重量比３０／６０／１０、重量平均分子量１５０，０００）を用いた以外は実施例と同様にして、粘度が１,２００mPa・s（２０rpm, 東機産業製、TV-30形粘度計）である組成物を調製した。得られた組成物を用いて実施例と同様にして転写フィルムを製造し、評価したところ、可撓性および取扱性は良好であったが、実施例と同様にして誘電体層を形成して表面粗さ（Ra、Ry、Rz）を求めたところ、Ra = ０．３１ mm、Ry = ２．６１ mm、Rz = １．１０ mmであり、表面平滑性に劣るものであった。
【００９０】
【発明の効果】
本発明の組成物によれば下記のような効果が奏される。
（１）低温・短時間での焼成工程において、表面平滑性に優れたＰＤＰの構成要素（例えば隔壁・電極・抵抗体・誘電体層・蛍光体・カラーフィルター・ブラックマトリックス）を好適に形成することができる。
（２）膜形成材料層の可撓性に優れた転写フィルムを製造することができる。
（３）膜形成材料層の転写性（基板に対する加熱接着性）に優れた転写フィルムを製造することができる。
【００９１】
本発明の転写フィルムによれば下記のような効果が奏される。
（１）低温・短時間での焼成工程において、表面平滑性に優れたＰＤＰの構成要素（特に誘電体層）を効率的に形成することができる。
（２）膜形成材料層の可撓性に優れ、当該膜形成材料層の表面に屈曲亀裂（ひび割れ）が生じない。
（３）柔軟性に優れ、ロール状に巻き取る操作を容易に行うことができる。
（４）膜形成材料層が好適な粘着性を示し、取扱性（ハンドリング性）が良好である。
（５）膜形成材料層の転写性（基板に対する加熱接着性）に優れている。
【００９２】
本発明の製造方法によれば下記のような効果が奏される。
（１）低温・短時間での焼成工程において、表面平滑性に優れたＰＤＰの構成要素（例えば隔壁・電極・抵抗体・誘電体層・蛍光体・カラーフィルター・ブラックマトリックス）を効率的に形成することができる。
（２）低温・短時間での焼成工程において、構成要素の位置精度の高いＰＤＰを効率的に形成することができる。
（３）低温・短時間での焼成工程において、膜厚の大きい誘電体層を効率的に形成することができる。
（４）低温・短時間での焼成工程において、大型パネルに要求される誘電体層を効率的に形成することができる。
（５）低温・短時間での焼成工程において、膜厚の均一性および表面平滑性に優れた誘電体層を備えたＰＤＰを効率的に形成することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】交流型プラズマディスプレイパネルの断面形状を示す模式図である。
【図２】（イ）は、本発明の転写フィルムを示す概略断面図であり、（ロ）は、当該転写フィルムの層構成を示す断面図である。
【図３】本発明の製造方法における隔壁の形成工程（転写工程・レジスト膜の形成工程・露光工程）の一例を示す概略断面図である。
【図４】本発明の製造方法における隔壁の形成工程（現像工程・エッチング工程・焼成工程）の一例を示す概略断面図である。
【符号の説明】
１ ガラス基板 ２ ガラス基板
３ 隔壁 ４ 透明電極
５ バス電極 ６ アドレス電極
７ 蛍光物質 ８ 誘電体層
９ 誘電体層 １０ 保護層
Ｆ１ 支持フィルム Ｆ２ 膜形成材料層
Ｆ３ カバーフィルム １１ ガラス基板
１２ 電極 １３ 誘電体層
２０ 転写フィルム ２１ 膜形成材料層
２２ 支持フィルム ２５ 隔壁パターン層
２５Ａ 材料層残留部 ２５Ｂ 材料層除去部
３１ レジスト膜 ３５ レジストパターン
３５Ａ レジスト残留部 ３５Ｂ レジスト除去部
４０ 隔壁 ５０ パネル材料
Ｍ 露光用マスク ＭＡ 光透過部
ＭＢ 遮光部[0001]
BACKGROUND OF THE INVENTION
The present invention relates to an inorganic particle-containing composition for a plasma display panel, a transfer film, and a method for producing a plasma display panel.
[0002]
[Prior art]
In recent years, a plasma display has attracted attention as a flat fluorescent display. FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC type plasma display panel (hereinafter also referred to as “PDP”). In the figure, reference numerals 1 and 2 denote glass substrates arranged opposite to each other, 3 denotes a partition, and cells are defined by the glass substrate 1, the glass substrate 2, and the partition 3. 4 is a transparent electrode fixed to the glass substrate 1, 5 is a bus electrode formed on the transparent electrode 4 for the purpose of reducing the resistance of the transparent electrode 4, 6 is an address electrode fixed to the glass substrate 2, and 7 is Fluorescent material held in the cell, 8 is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 1 so as to cover the transparent electrode 4 and the bus electrode 5, and 9 is on the surface of the glass substrate 2 so as to cover the address electrode 6. The formed dielectric layers 10 are protective films made of, for example, magnesium oxide. In the color PDP, a color filter (red / green / blue) or a black matrix may be provided between the glass substrate and the dielectric layer in order to obtain a high contrast image.
[0003]
As a method of manufacturing such a PDP dielectric, barrier rib, electrode, phosphor, color filter, and black stripe (matrix), a photosensitive inorganic particle-containing resin layer is formed on a substrate, and this film is passed through a photomask. A photolithography method or the like is preferably used in which a pattern is left on a substrate by developing after being irradiated with ultraviolet rays, and the pattern is baked.
[0004]
[Problems to be solved by the invention]
In principle, the photolithography method is excellent in pattern accuracy. In particular, in a method using a transfer film, a pattern having excellent film thickness uniformity and surface uniformity can be formed. However, if the baking conditions for a long time are set at a high temperature in the step of baking the film forming material layer and the film forming material layer is not sufficiently melted, the film forming material layer is likely to crack, and the high temperature However, setting firing conditions for a long time has a problem that the burden on the firing furnace is large and the productivity is lowered. Therefore, a firing process of the film forming material layer at a low temperature and in a short time is desired.
[0005]
The present invention has been made based on the above situation.
The first object of the present invention is to provide PDP components having excellent surface smoothness (for example, barrier ribs, electrodes, resistors, dielectric layers, phosphors, color filters, black matrices) in a firing process at a low temperature and in a short time. Is to provide an inorganic particle-containing composition that can be suitably formed.
The second object of the present invention is to provide an inorganic particle-containing composition capable of producing a transfer film excellent in flexibility of a film forming material layer.
The third object of the present invention is to provide an inorganic particle-containing composition capable of producing a transfer film excellent in transferability (heat adhesion to a substrate) of a film forming material layer.
[0006]
A fourth object of the present invention is to provide a transfer film capable of efficiently forming a PDP component excellent in surface smoothness in a low-temperature and short-time baking step.
A fifth object of the present invention is to provide a transfer film excellent in flexibility of a film forming material layer.
A sixth object of the present invention is to provide a transfer film excellent in transferability (heat adhesion to a substrate) of a film forming material layer.
[0007]
A seventh object of the present invention is to provide a method for producing a PDP capable of efficiently forming the constituent elements of the PDP having excellent surface smoothness in the firing step at a low temperature and in a short time.
An eighth object of the present invention is to provide a method for manufacturing a PDP that can efficiently form a PDP with high positional accuracy of components in a baking process at a low temperature and in a short time.
A ninth object of the present invention is to provide a method for producing a PDP capable of efficiently forming a dielectric layer having a large film thickness in a firing process at a low temperature and in a short time.
A tenth object of the present invention is to provide a method for producing a PDP capable of efficiently forming a dielectric layer required for a large panel in a firing process at a low temperature and in a short time.
An eleventh object of the present invention is to provide a method for producing a PDP having a dielectric layer having excellent film thickness uniformity in a firing process at a low temperature and in a short time.
A twelfth object of the present invention is to provide a method for producing a PDP having a dielectric layer excellent in surface smoothness in a firing process at a low temperature and in a short time.
[0008]
[Means for Solving the Problems]
The inorganic particle-containing composition of the present invention contains [A] inorganic particles and [B] a polymer having a repeating unit represented by the following formula (I) (hereinafter also referred to as “polymer [B]”). It is characterized by that. As a result, the adsorption of the inorganic particles to the binder resin is strengthened, and the distance between the inorganic particles is shortened at the time of firing, so that it is possible to perform firing at a low temperature and in a short time.
[0009]
[Chemical formula 2]

[0010]
(Wherein X represents a hydrogen atom or a methyl group, R ¹ Represents a single bond, a methylene group or an alkylene group having 2 to 5 carbon atoms, and n represents an integer of 1 to 6. )
[0011]
The inorganic particle-containing composition of the present invention may be a composition further containing [C] a radiation-sensitive component (hereinafter also referred to as “radiation-sensitive inorganic particle-containing composition”).
[0012]
The transfer film of the present invention has a film-forming material layer obtained from the inorganic particle-containing composition.
[0013]
The first PDP production method of the present invention (hereinafter also referred to as “PDP production method (1)”) transfers a film-forming material layer obtained from the inorganic particle-containing composition of the present invention to a substrate, and is transferred. The film forming material layer is baked to form a dielectric layer on the substrate.
The second PDP production method of the present invention (hereinafter also referred to as “PDP production method (2)”) transfers a film-forming material layer obtained from the inorganic particle-containing composition of the present invention onto a substrate, A resist film is formed on the formed film forming material layer, the resist film is exposed to form a latent image of the resist pattern, the resist film is developed to reveal the resist pattern, and the film forming material A structure selected from a partition, an electrode, a resistor, a dielectric layer, a phosphor, a color filter, and a black matrix by etching the layer to form a pattern layer corresponding to the resist pattern and firing the pattern layer Including the step of forming an element.
[0014]
The third PDP production method of the present invention (hereinafter also referred to as “PDP production method (3)”) comprises a resist film and a film-forming material layer obtained from the inorganic particle-containing composition of the present invention. A laminated film is formed on a supporting film, the laminated film formed on the supporting film is transferred onto a substrate, a resist film constituting the laminated film is exposed to form a latent image of a resist pattern, and the resist The film is developed to reveal a resist pattern, the film forming material layer is etched to form a pattern layer corresponding to the resist pattern, and the pattern layer is baked to form partition walls, electrodes, and resistors. And a step of forming a component selected from a dielectric layer, a phosphor, a color filter, and a black matrix.
Furthermore, the fourth PDP production method of the present invention (hereinafter also referred to as “PDP production method (4)”) comprises a film-forming material layer obtained from the radiation-sensitive inorganic particle-containing composition of the present invention on a substrate. The film-forming material layer is exposed to light to form a latent image of the pattern, the film-forming material layer is developed to form a pattern layer, and the pattern layer is baked, The method includes a step of forming a component selected from an electrode, a resistor, a dielectric layer, a phosphor, a color filter, and a black matrix.
[0015]
DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION
Hereinafter, the inorganic particle-containing composition of the present invention (hereinafter also simply referred to as “composition”) will be described in detail.
The composition of the present invention usually contains inorganic particles, a binder resin and a solvent. The polymer [B] is contained as a binder resin.
[0016]
<Inorganic particles>
The inorganic substance constituting the inorganic particles constituting the composition of the present invention is not particularly limited, and is appropriately selected according to the use of the sintered body formed by the composition (type of constituent elements of PDP). can do.
Here, the inorganic particles contained in the composition for forming the “dielectric layer” or “partition wall” constituting the PDP have a softening point in the range of 350 to 700 ° C. (preferably 400 to 600 ° C.). The glass powder which exists in can be mentioned. When the softening point of the glass powder is less than 400 ° C., the glass powder melts at a stage where organic substances such as the binder resin are not completely decomposed and removed in the baking process of the film forming material layer by the composition. Therefore, a part of the organic substance remains in the formed dielectric layer, and as a result, the dielectric layer is colored and its light transmittance tends to decrease. On the other hand, when the softening point of the glass powder exceeds 600 ° C., the glass substrate needs to be baked at a temperature higher than 600 ° C., so that the glass substrate is likely to be distorted.
Specific examples of suitable glass powder include (1) a mixture of lead oxide, boron oxide and silicon oxide (PbO-B2O3-SiO2), and (2) lead oxide, boron oxide, silicon oxide, magnesium oxide (PbO-B2O3). -SiO2-MgO) mixture, (3) lead oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (PbO-B2O3-SiO2-Al2O3) mixture, (4) lead oxide, boron oxide, silicon oxide, calcium oxide Examples thereof include a mixture of (PbO-B2O3-SiO2-CaO system), (5) a mixture of lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO-ZnO-B2O3-SiO2 system), and the like.
These glass powders may be contained (combined) in a composition for forming components other than the dielectric layer and the barrier ribs (for example, electrodes, resistors, phosphors, color filters, and black matrix). The glass frit content in the inorganic particle-containing resin composition for obtaining these panel materials is usually 90% by mass or less, preferably 50 to 90% by mass with respect to the total amount of inorganic particles.
[0017]
Examples of the inorganic particles contained in the composition for forming the “electrode” constituting the PDP include metal particles composed of Ag, Au, Al, Ni, Ag—Pd alloy, Cu, Cr, and the like.
These metal particles may be contained in the composition for forming the dielectric layer in a form used in combination with glass powder. The content of the metal particles in the dielectric layer forming composition is usually 10% by mass or less, preferably 0.1 to 5% by mass with respect to the total amount of the inorganic particles.
Examples of the inorganic particles contained in the composition for forming the “resistor” constituting the PDP include particles made of RuO 2 or the like.
As inorganic particles contained in the composition for forming the “phosphor” constituting the PDP, Y2O3: Eu ₃₊ , Y2SiO5: Eu ₃₊ , Y3Al5O12: Eu ₃₊ , YVO4: Eu ₃₊ , (Y, Gd) BO3: Eu ₃₊ , Zn3 (PO4) 2: Mn and other red phosphors; Zn2SiO4: Mn, BaAl12O19: Mn, BaMgAl14O23: Mn, LaPO4: (Ce, Tb), Y3 (Al, Ga) 5O12: Tb and other green phosphors ; Y2SiO5: Ce, BaMgAl10O17: Eu ₂₊ , BaMgAl14O23: Eu ₂₊ 、 (Ca, Sr, Ba) 10 (PO4) 6Cl2 ： Eu ₂₊ , (Zn, Cd) S: particles made of a blue fluorescent material such as Ag.
Inorganic particles contained in the composition for forming the “color filter” that constitutes the PDP include red materials such as Fe2O3 and Pb3O4, green materials such as Cr2O3, and blue materials such as 2 (Al2Na2Si3O10) and Na2S4 The particle | grains which consist of substances etc. can be mentioned.
Examples of the inorganic particles contained in the composition for forming the “black matrix” constituting the PDP include particles composed of Mn, Fe, Cr, and the like.
[0018]
<Binder resin>
The binder resin constituting the composition of the present invention is a resin containing the polymer [B]. The binder resin may be a polymer [B] alone or a mixture with another polymer. As the other polymer, an acrylic resin is preferably used.
The polymer [B] is a polymer having a repeating unit represented by the above formula (I), and preferably an acrylic resin. When the acrylic resin is contained as the binder resin, the formed film forming material layer exhibits excellent (heating) adhesion to the substrate. Accordingly, when a transfer film is produced by applying the composition of the present invention on a support film, the obtained transfer film is excellent in transferability of the film-forming material layer (heat adhesion to the substrate). .
As an acrylic resin (polymer [B] / other polymer) constituting the composition of the present invention, inorganic particles can be bound with appropriate adhesiveness, and the film-forming material is fired ( Selected from (co) polymers that are completely oxidized and removed by (400-600 ° C.).
[0019]
The repeating unit represented by the above formula (I) is formed by (co) polymerizing a monomer represented by the following formula (i).
[0020]
[Chemical 3]

[0021]
(Where X, R ¹ And the definition of n is the same as in the above formula (I). )
[0022]
In the above formula (i), R ¹ Is particularly preferably a single bond or a methylene group. Moreover, as n, 1 is particularly preferable.
Specific examples of the monomer represented by the above formula (i) include glycidyl (meth) acrylate, β-methylglycidyl (meth) acrylate, (meth) acryloylmethylcyclohexene oxide, and 3,4-epoxycyclohexylmethyl (meth) acrylate. Etc.
[0023]
The polymer [B] is preferably a copolymer of the monomer represented by the above formula (i) and another monomer, and the other monomer is preferably another (meth) acrylate compound.
Specific examples of such other (meth) acrylate compounds include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, Ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, Lil (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, alkyl (meth) acrylates such as isostearyl (meth) acrylate;
Hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate, 4-hydroxybutyl (meth) Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as acrylates;
Phenoxyalkyl (meth) acrylates such as phenoxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate;
Alkoxyalkyls such as 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2-propoxyethyl (meth) acrylate, 2-butoxyethyl (meth) acrylate, 2-methoxybutyl (meth) acrylate, etc. ) Acrylate;
Polyethylene glycol mono (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, phenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, polypropylene glycol (meth) acrylate, methoxypolypropylene glycol Polyalkylene glycol (meth) acrylates such as (meth) acrylate, ethoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxy polypropylene glycol (meth) acrylate;
Cyclohexyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentadienyl (meth) acrylate, bornyl (meth) acrylate, isobornyl ( Cycloalkyl (meth) acrylates such as (meth) acrylate and tricyclodecanyl (meth) acrylate;
Examples thereof include benzyl (meth) acrylate and tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate. These (meth) acrylate compounds can be used alone or in admixture of two or more.
[0024]
Of these, alkyl (meth) acrylates, hydroxyalkyl (meth) acrylates and alkoxyalkyl (meth) acrylates are preferred. Particularly preferred (meth) acrylate compounds include butyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) ) Acrylate, isodecyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate.
[0025]
The other copolymerizable monomer is not particularly limited as long as it is a compound copolymerizable with the above (meth) acrylate compound. For example, (meth) acrylic acid, vinylbenzoic acid, maleic acid, vinylphthalic acid, etc. Unsaturated carboxylic acids; vinyl group-containing radical polymerizable compounds such as vinyl benzyl methyl ether, vinyl glycidyl ether, styrene, a-methyl styrene, butadiene, and isoprene.
[0026]
In addition, in the formation of PDP components using the photoresist method described later, when alkali solubility is required for the etching process of the film forming material layer, as the above other copolymerizable monomer (copolymerization component) It is preferable that a carboxyl group-containing monomer is contained. Specific examples of the carboxyl group-containing monomer include acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, and succinic acid mono (2- (meth)). Acryloyloxyethyl), ω-carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate, and the like. Of these, methacrylic acid is particularly preferred.
Specific examples of preferable alkali-soluble resins include (meth) acrylic resins, hydroxystyrene resins, novolac resins, and polyester resins.
Among such alkali-soluble resins, particularly preferred are copolymers of the carboxyl group-containing monomer and alkyl (meth) acrylate, hydroxyalkyl (meth) acrylate and alkoxyalkyl (meth) acrylate, Particularly preferred (meth) acrylate compounds include butyl (meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxypropyl (meth) acrylate. Can be mentioned.
[0027]
In the polymer [B], the proportion of the monomer represented by the formula (i) is usually 0.1 to 50 parts by weight, preferably 0.1 to 10 parts by weight, particularly preferably 1 in all monomers. ~ 5 parts by weight.
[0028]
The molecular weight of the polymer [B] is 4,000 to 300, as a polystyrene-reduced weight average molecular weight (hereinafter also simply referred to as “weight average molecular weight”) by gel permeation chromatography (hereinafter referred to as “GPC”). 000 is preferable, and more preferably 10,000 to 200,000.
[0029]
Moreover, as another polymer which may be mixed and used with polymer [B], the polymer containing said other (meth) acrylate compound can be mentioned as a preferable thing.
The proportion of the repeating unit represented by the above formula (I) in the whole binder resin is usually 0.1 to 50% by weight, preferably 0.1 to 10% by weight, particularly preferably 1 to 5% by weight. . Furthermore, the ratio of the repeating unit derived from (meth) acrylate (including the repeating unit represented by the above formula (I)) in the entire binder resin is preferably 70% by weight or more, particularly preferably 90% by weight or more. .
[0030]
The content ratio of the binder resin in the composition of the present invention is preferably 5 to 80 parts by weight, more preferably 5 to 30 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the inorganic particles. If the proportion of the binder resin is too small, the inorganic particles cannot be reliably bound and held. On the other hand, if this proportion is excessive, the firing process takes a long time or is formed. The sintered body (for example, a dielectric layer) to be produced may not have sufficient strength and film thickness.
[0031]
<Solvent>
The composition of the present invention usually contains a solvent. As the above-mentioned solvent, the affinity with inorganic particles and the solubility of the binder resin are good, it is possible to impart an appropriate viscosity to the resulting composition, and it can be easily removed by evaporation. It is preferable.
Specific examples of such solvents include ketones such as diethyl ketone, methyl butyl ketone, dipropyl ketone, and cyclohexanone; n-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, cyclohexanol, diacetone alcohol, and the like. Alcohols such as: ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, propylene glycol monoethyl ether, and other alcohols; unsaturated fats such as n-butyl acetate and amyl acetate Monocarboxylic acid alkyl esters; lactic acid esters such as ethyl lactate and lactate-n-butyl; methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl Examples thereof include ether esters such as ru-3-ethoxypropionate, and these can be used alone or in combination of two or more.
The content of the solvent in the composition of the present invention is preferably 40 parts by weight or less, more preferably 5 parts per 100 parts by weight of the inorganic particles, from the viewpoint of maintaining the viscosity of the composition in a suitable range. -30 parts by weight.
[0032]
<Dispersant>
The composition of the present invention preferably contains a dispersant. As the dispersant, a silane coupling agent [saturated alkyl group-containing (alkyl) alkoxysilane] represented by the following general formula (2) is preferable.
[0033]
[Formula 4]

[0034]
(In the formula, p is an integer of 3 to 20, m is an integer of 1 to 3, n is an integer of 1 to 3, and a is an integer of 1 to 3.)
[0035]
In the said General formula (2), p which shows carbon number of a saturated alkyl group shall be an integer of 3-20, Preferably it is set as an integer of 4-16.
Even when a saturated alkyl group-containing (alkyl) alkoxysilane having p of less than 3 is contained, sufficient flexibility may not be exhibited in the obtained film forming material layer. On the other hand, a saturated alkyl group-containing (alkyl) alkoxysilane having a p value of more than 20 has a high decomposition temperature, and the organic substance (the silane derivative) is not completely decomposed and removed in the resulting film forming material layer firing step. In this case, the glass powder melts, so that a part of the organic substance remains in the formed dielectric layer, and as a result, the light transmittance of the dielectric layer may decrease.
[0036]
Specific examples of the silane coupling agent represented by the general formula (2) include n-propyldimethylmethoxysilane, n-butyldimethylmethoxysilane, n-decyldimethylmethoxysilane, n-hexadecyldimethylmethoxysilane, n -Saturated alkyldimethylmethoxysilanes such as icosanedimethylmethoxysilane (a = 1, m = 1, n = 1);
Saturated alkyldiethylmethoxysilanes such as n-propyldiethylmethoxysilane, n-butyldiethylmethoxysilane, n-decyldiethylmethoxysilane, n-hexadecyldiethylmethoxysilane, n-icosanediethylmethoxysilane (a = 1, m = 1, n = 2);
Saturated alkyldipropylmethoxysilanes such as n-butyldipropylmethoxysilane, n-decyldipropylmethoxysilane, n-hexadecyldipropylmethoxysilane, n-icosanedipropylmethoxysilane (a = 1, m = 1, n = 3);
Saturated alkyldimethylethoxysilanes such as n-propyldimethylethoxysilane, n-butyldimethylethoxysilane, n-decyldimethylethoxysilane, n-hexadecyldimethylethoxysilane, n-icosanedimethylethoxysilane (a = 1, m = 2, n = 1);
Saturated alkyldiethylethoxysilanes such as n-propyldiethylethoxysilane, n-butyldiethylethoxysilane, n-decyldiethylethoxysilane, n-hexadecyldiethylethoxysilane, n-icosanediethylethoxysilane (a = 1, m = 2, n = 2);
Saturated alkyldipropylethoxysilanes (a = 1, m = 2, n-butyldipropylethoxysilane, n-decyldipropylethoxysilane, n-hexadecyldipropylethoxysilane, n-icosanedipropylethoxysilane) n = 3);
Saturated alkyldimethylpropoxysilanes such as n-propyldimethylpropoxysilane, n-butyldimethylpropoxysilane, n-decyldimethylpropoxysilane, n-hexadecyldimethylpropoxysilane, n-icosanedimethylpropoxysilane (a = 1, m = 3, n = 1);
Saturated alkyl diethylpropoxysilanes such as n-propyldiethylpropoxysilane, n-butyldiethylpropoxysilane, n-decyldiethylpropoxysilane, n-hexadecyldiethylpropoxysilane, n-icosanediethylpropoxysilane (a = 1, m = 3, n = 2);
Saturated alkyldipropylpropoxysilanes such as n-butyldipropylpropoxysilane, n-decyldipropylpropoxysilane, n-hexadecyldipropylpropoxysilane, n-icosanedipropylpropoxysilane (a = 1, m = 3, n = 3);
[0037]
Saturated alkylmethyldimethoxysilanes such as n-propylmethyldimethoxysilane, n-butylmethyldimethoxysilane, n-decylmethyldimethoxysilane, n-hexadecylmethyldimethoxysilane, n-icosanemethyldimethoxysilane (a = 2, m = 1, n = 1);
Saturated alkylethyldimethoxysilanes such as n-propylethyldimethoxysilane, n-butylethyldimethoxysilane, n-decylethyldimethoxysilane, n-hexadecylethyldimethoxysilane, n-icosaneethyldimethoxysilane (a = 2, m = 1, n = 2);
Saturated alkylpropyldimethoxysilanes such as n-butylpropyldimethoxysilane, n-decylpropyldimethoxysilane, n-hexadecylpropyldimethoxysilane, n-icosanepropyldimethoxysilane (a = 2, m = 1, n = 3)
Saturated alkylmethyldiethoxysilanes such as n-propylmethyldiethoxysilane, n-butylmethyldiethoxysilane, n-decylmethyldiethoxysilane, n-hexadecylmethyldiethoxysilane, n-icosanemethyldiethoxysilane (A = 2, m = 2, n = 1);
Saturated alkylethyldiethoxysilanes such as n-propylethyldiethoxysilane, n-butylethyldiethoxysilane, n-decylethyldiethoxysilane, n-hexadecylethyldiethoxysilane, n-icosaneethyldiethoxysilane (A = 2, m = 2, n = 2);
Saturated alkylpropyldiethoxysilanes (a = 2, m = 2) such as n-butylpropyldiethoxysilane, n-decylpropyldiethoxysilane, n-hexadecylpropyldiethoxysilane, n-icosanepropyldiethoxysilane , N = 3);
Saturated alkylmethyldipropoxysilanes such as n-propylmethyldipropoxysilane, n-butylmethyldipropoxysilane, n-decylmethyldipropoxysilane, n-hexadecylmethyldipropoxysilane, n-icosanemethyldipropoxysilane (A = 2, m = 3, n = 1);
Saturated alkylethyldipropoxysilanes such as n-propylethyldipropoxysilane, n-butylethyldipropoxysilane, n-decylethyldipropoxysilane, n-hexadecylethyldipropoxysilane, n-icosaneethyldipropoxysilane (A = 2, m = 3, n = 2);
Saturated alkylpropyl dipropoxysilanes such as n-butylpropyldipropoxysilane, n-decylpropyldipropoxysilane, n-hexadecylpropyldipropoxysilane, n-icosanepropyldipropoxysilane (a = 2, m = 3) , N = 3);
[0038]
Saturated alkyltrimethoxysilanes such as n-propyltrimethoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, n-hexadecyltrimethoxysilane, n-icosanetrimethoxysilane (a = 3, m = 1);
Saturated alkyltriethoxysilanes such as n-propyltriethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-decyltriethoxysilane, n-hexadecyltriethoxysilane, n-icosanetriethoxysilane (a = 3, m = 2);
Saturated alkyltripropoxysilanes such as n-propyltripropoxysilane, n-butyltripropoxysilane, n-decyltripropoxysilane, n-hexadecyltripropoxysilane, n-icosanetripropoxysilane (a = 3, m = 3) etc. can be mentioned, These can be used individually or in combination of 2 or more types.
[0039]
Among these, n-butyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, n-hexadecyltrimethoxysilane, n-decyldimethylmethoxysilane, n-hexadecyldimethylmethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n- Decyltriethoxysilane, n-hexadecyltriethoxysilane, n-decylethyldiethoxysilane, n-hexadecylethyldiethoxysilane, n-butyltripropoxysilane, n-decyltripropoxysilane, n-hexadecyltripropoxy Silane and the like are particularly preferable.
[0040]
The content ratio of the silane coupling agent in the film forming material layer of the transfer film of the present invention is preferably 0.001 to 10 parts by weight, more preferably 0.001 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the glass powder. 5 parts by weight. When the ratio of the silane coupling agent is too small, the effect of improving the dispersion stability of the glass powder and the effect of improving the flexibility of the film-forming material layer to be formed cannot be exhibited sufficiently. On the other hand, when this ratio is excessive, the viscosity increases with time when the resulting glass paste composition is stored, or a reaction occurs between silane coupling agents to lower the light transmittance after firing. It may cause.
[0041]
<Plasticizer>
The composition of the present invention preferably contains a plasticizer so that the formed film-forming material layer exhibits good flexibility and combustibility. The plasticizer is preferably a plasticizer made of a compound represented by the following general formula (3).
[Chemical formula 5]

[0042]
(Where R ₂ And R _Five Each represents the same or different alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, R _Three And R _Four Each represents the same or different methylene group or an alkylene group having 2 to 30 carbon atoms, s is a number from 0 to 5, and t is a number from 1 to 10. )
[0043]
According to the transfer film provided with the film-forming material layer containing the plasticizer, even if it is bent, the surface of the film-forming material layer does not cause micro cracks (cracks). The transfer film is excellent in flexibility, and can be easily wound up in a roll shape.
In particular, since the plasticizer comprising the compound represented by the general formula (3) is easily decomposed and removed by heat, the light transmittance of the dielectric layer obtained by firing the film forming material layer is reduced. There is no.
[0044]
In the general formula (3), R ₂ Or R _Five An alkyl group represented by _Three Or R _Four The alkylene group represented by may be linear or branched, and may be a saturated group or an unsaturated group.
[0045]
R ₂ Or R _Five The number of carbon atoms of the alkyl group represented by is 1 to 30, preferably 2 to 20, and more preferably 4 to 10.
When the alkyl group has more than 30 carbon atoms, the solubility of the plasticizer in the solvent constituting the present invention is lowered, and good flexibility may not be obtained.
[0046]
Specific examples of the compound represented by the structural formula (3) include dibutyl adipate, diisobutyl adipate, di-2-ethylhexyl adipate, di-2-ethylhexyl azelate, dibutyl sebacate, dibutyl diglycol adipate and the like. Preferably, n is a compound represented by 2-6.
[0047]
The content ratio of the plasticizer in the film forming material layer of the transfer film of the present invention is preferably 0.1 to 20 parts by weight, more preferably 0.5 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the glass powder. Part. When the ratio of the plasticizer is too small, the plasticity of the film forming material layer may not be sufficiently improved. On the other hand, if this ratio is excessive, the film forming material layer formed using the resulting composition has an excessively high tack (tack), and handling of a transfer film provided with such a film forming material layer May be inferior.
[0048]
In the composition of the present invention, various additives such as a tackifier, a surface tension adjuster, a stabilizer, and an antifoaming agent may be contained as optional components in addition to the above essential components.
[0049]
<Radiation sensitive component>
The inorganic particle-containing composition of the present invention may be a radiation-sensitive inorganic particle-containing composition containing a radiation-sensitive component. Preferred examples of the radiation sensitive component include (a) a combination of a polyfunctional monomer and a radiation polymerization initiator, and (b) a combination of a melamine resin and a photoacid generator that forms an acid upon irradiation. Among the combinations (a) above, a combination of a polyfunctional (meth) acrylate and a radiation polymerization initiator is particularly preferable.
[0050]
Specific examples of the polyfunctional (meth) acrylate constituting the radiation-sensitive component include di (meth) acrylates of alkylene glycol such as ethylene glycol and propylene glycol; di (meth) acrylate of polyalkylene glycol such as polyethylene glycol and polypropylene glycol ( (Meth) acrylates; di (meth) acrylates of hydroxylated polymers at both ends, such as hydroxypolybutadiene at both ends, hydroxypolyisoprene at both ends, and hydroxypolycaprolactone at both ends;
Poly (meth) acrylates of trihydric or higher polyhydric alcohols such as glycerin, 1,2,4-butanetriol, trimethylolalkane, tetramethylolalkane, pentaerythritol, dipentaerythritol; Poly (meth) acrylates of polyalkylene glycol adducts; poly (meth) acrylates of cyclic polyols such as 1,4-cyclohexanediol and 1,4-benzenediol; polyester (meth) acrylate, epoxy (meth) Examples thereof include oligo (meth) acrylates such as acrylate, urethane (meth) acrylate, alkyd resin (meth) acrylate, silicone resin (meth) acrylate, and spirane resin (meth) acrylate. It can be used in combination on.
[0051]
Specific examples of the radiation polymerization initiator constituting the radiation-sensitive component include benzyl, benzoin, benzophenone, camphorquinone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenyl. Ketone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-methyl- [4 ′-(methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morphol Carbonyl compounds such as linophenyl) -butan-1-one; azo or azide compounds such as azoisobutyronitrile and 4-azidobenzaldehyde; organic sulfur compounds such as mercaptan disulfide; benzoyl peroxide, di-tert-butylper Oxide, tert-butyl Organic peroxides such as hydroperoxide, cumene hydroperoxide, and paraffin hydroperoxide; 1,3-bis (trichloromethyl) -5- (2′-chlorophenyl) -1,3,5-triazine, 2- [2 Trihalomethanes such as-(2-furanyl) ethylenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine; 2,2'-bis (2-chlorophenyl) 4,5,4 ', 5 Examples thereof include imidazole dimers such as'-tetraphenyl1,2'-biimidazole. These can be used alone or in combination of two or more.
[0052]
As an example of a composition for forming a preferable dielectric layer as an example of an inorganic particle-containing composition, as an inorganic particle (glass powder), lead oxide, boron oxide, silicon oxide, calcium oxide (PbO-B2O3-SiO2-) 100 parts by weight of a mixture comprising CaO), 5-30 parts by weight of a butyl methacrylate / ethylhexyl methacrylate / hydroxypropyl methacrylate / glycidyl methacrylate copolymer as a binder resin, and 0.1-0.1 of n-decyltrimethoxysilane as a dispersant. A composition containing 5 parts by weight, 0.1 to 10 parts by weight of di-2-ethylhexyl azelate as a plasticizer, and 5 to 30 parts by weight of propylene glycol monomethyl ether as a solvent can be given.
[0053]
The composition of the present invention can be prepared by kneading the inorganic particles, binder resin, specific compound and solvent, and optional components using a kneader such as a roll kneader, a mixer or a homomixer. .
The composition of the present invention prepared as described above is a paste-like composition having fluidity suitable for coating, and its viscosity is usually 1,000 to 30,000 cp, preferably 3, 000 to 10,000 cp.
[0054]
The composition of the present invention can be particularly suitably used for producing a transfer film (transfer film of the present invention) described in detail below.
In addition, the composition of the present invention can be formed by coating the composition directly on the surface of a substrate by a conventionally known method for forming a film-forming material layer, that is, screen printing, and drying the coating film. It can be used suitably also for the method of forming a material layer.
[0055]
<Transfer film>
The transfer film of the present invention is a composite film suitably used in the process of forming PDP components, particularly the process of forming a dielectric layer. The composition of the present invention is applied onto a support film, and the coating film is dried. It is provided with a film forming material layer formed by the above. That is, the transfer film of the present invention is configured by forming a film-forming material layer containing inorganic particles, a binder resin and a specific compound on a support film.
In addition, the transfer film of the present invention may be a film (laminated film) formed by forming a resist film, which will be described later, on a support film, applying the composition of the present invention thereon, and drying.
Further, the transfer film of the present invention may be a radiation-sensitive transfer film configured using a radiation-sensitive inorganic particle-containing composition.
[0056]
Composition of transfer film:
FIG. 2 (a) is a schematic cross-sectional view showing the transfer film of the present invention wound in a roll shape, and FIG. 2 (b) is a cross-sectional view showing the layer structure of the transfer film [part of FIG. Detailed view].
The transfer film shown in FIG. 2 is a composite film used for forming a dielectric layer constituting a PDP as an example of the transfer film of the present invention. Usually, the support film F1 and the support film F1 The film forming material layer F2 is formed on the surface so as to be peelable, and the cover film F3 is provided on the surface of the film forming material layer F2 so as to be easily peeled off. The cover film F3 may not be used depending on the properties of the film forming material layer F2.
[0057]
The support film F1 constituting the transfer film is preferably a resin film having heat resistance and solvent resistance and flexibility. Since the support film F1 has flexibility, a paste-like composition (the composition of the present invention) can be applied using a roll coater, a blade coater, etc., thereby forming a film with a uniform film thickness. A material layer can be formed, and the formed film-forming material layer can be stored and supplied in a rolled state.
Examples of the resin constituting the support film F1 include fluorinated resins such as polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, and polyfluoroethylene, nylon, and cellulose. The thickness of the support film F1 is, for example, 20 to 100 mm.
[0058]
The film-forming material layer F2 constituting the transfer film is a layer that becomes a glass sintered body (dielectric layer) when fired, and contains glass powder (inorganic particles), a binder resin, and a specific compound as essential components. Has been.
The thickness of the film forming material layer F2 varies depending on the glass powder content, the type and size of the panel, but is, for example, 5 to 200 mm, and preferably 10 to 100 mm. If this thickness is less than 5 mm, the dielectric layer finally formed will be too thin, and the desired dielectric characteristics may not be ensured. Usually, when the thickness is 10 to 100 mm, a sufficient thickness of the dielectric layer required for a large panel can be secured.
[0059]
The cover film F3 constituting the transfer film is a film for protecting the surface of the film forming material layer F2 (contact surface with the glass substrate). This cover film F3 is also preferably a flexible resin film. As resin which forms cover film F3, resin illustrated as what forms support film F1 can be mentioned. The thickness of the cover film F3 is, for example, 20 to 100 mm.
[0060]
Production method of transfer film:
The transfer film of the present invention is produced by forming a film-forming material layer (F2) on a support film (F1) and providing (crimping) a cover film (F3) on the film-forming material layer (F2). be able to.
[0061]
As a method for forming a film-forming material layer, the composition of the present invention containing inorganic particles, a binder resin, a dispersant, a plasticizer, and a solvent is applied to a support film, the coating film is dried, and a part of the previous solvent Or the method of removing all can be mentioned.
[0062]
As a method of applying the composition of the present invention on a support film, the film thickness is large (for example, 20 mm or more), and from the viewpoint of efficiently forming a coating film having excellent film thickness uniformity, Preferable examples include a coating method using a roll coater, a coating method using a blade coater such as a doctor blade, a coating method using a curtain coater, and a coating method using a wire coater.
In addition, it is preferable that the mold release process is given to the surface of the support film with which the composition of this invention is apply | coated. Thereby, after transferring the film forming material layer, the support film can be easily peeled off from the film forming material layer.
The coating film of the composition of the present invention formed on the support film is dried to remove a part or all of the solvent, thereby forming a film forming material layer constituting the transfer film. As drying conditions of the coating film by the composition of this invention, it is set as about 0.1 to 30 minutes at 40-150 degreeC, for example. The residual ratio of the solvent after drying (the content ratio of the solvent in the film-forming material layer) is usually 10% by weight or less, and is 0 from the viewpoint of exhibiting adhesiveness to the substrate and appropriate shape retention in the film-forming material layer. It is preferably 1 to 5% by weight.
[0063]
It is preferable that the surface of the cover film provided on the film-forming material layer formed as described above (usually thermocompression-bonded) is also subjected to release treatment. Accordingly, the cover film can be easily peeled from the film forming material layer before the film forming material layer is transferred.
[0064]
Transfer of film forming material layer (usage method of transfer film);
The film forming material layer on the support film is collectively transferred onto the surface of the substrate. According to the transfer film of the present invention, since the film forming material layer can be reliably formed on the glass substrate by such a simple operation, the process improvement in the formation process of the PDP components such as the dielectric layer ( The efficiency of the components can be improved, and the quality of the formed components (for example, the development of stable dielectric properties in the dielectric layer) can be improved.
[0065]
<PDP manufacturing method (1) (formation of dielectric layer)>
The method (1) for producing the PDP of the present invention transfers the film-forming material layer constituting the transfer film of the present invention to the surface of the substrate, and bakes the transferred film-forming material layer on the surface of the substrate. Forming a dielectric layer.
[0066]
An example of the transfer process of the film forming material layer by the transfer film having the structure as shown in FIG. 2 is as follows.
1. The transfer film wound on the roll is cut into a size corresponding to the area of the substrate.
2. After peeling the cover film (F3) from the surface of the film forming material layer (F2) in the cut transfer film, the transfer film is overlaid so that the surface of the film forming material layer (F2) is in contact with the surface of the substrate.
3. A heat roller is moved on the transfer film superimposed on the substrate and thermocompression bonded.
4). The support film (F1) is peeled and removed from the film forming material layer (F2) fixed to the substrate by thermocompression bonding.
By the operation as described above, the film forming material layer (F2) on the support film (F1) is transferred onto the substrate. Here, as transfer conditions, for example, the surface temperature of the heating roller is 60 to 120 ° C., and the roll pressure by the heating roller is 1 to 5 kg / cm. ² The moving speed of the heating roller is 0.2 to 10.0 m / min. Such an operation (transfer process) can be performed by a laminator apparatus. In addition, the board | substrate may be preheated and can be 40-100 degreeC as preheating temperature, for example.
[0067]
The film forming material layer (F2) formed and transferred on the surface of the substrate is fired to become an inorganic sintered body (dielectric layer). Examples of the firing method include a method in which the substrate on which the film forming material layer (F2) is transferred is placed in a high temperature atmosphere. As a result, organic substances (for example, binder resin, residual solvent, dispersant, plasticizer, various additives) contained in the film forming material layer (F2) are decomposed and removed, and the inorganic particles are melted and sintered. To do. Here, the firing temperature is, for example, 300 to 800 ° C., more preferably 400 to 600 ° C., although it varies depending on the melting temperature of the substrate and the constituent substances in the film forming material layer.
[0068]
<PDP Manufacturing Method (2) (Formation of Components Using Photoresist Method)>
In the production method (2) of the PDP of the present invention, the film forming material layer constituting the transfer film of the present invention is transferred onto a substrate, a resist film is formed on the transferred film forming material layer, and the resist film is formed. A latent image of the resist pattern is formed by exposure processing, the resist film is developed to reveal the resist pattern, the film forming material layer is etched to form a pattern layer corresponding to the resist pattern, A step of firing the pattern layer includes forming a component selected from a partition, an electrode, a resistor, a dielectric layer, a phosphor, a color filter, and a black matrix.
Alternatively, a laminated film of a resist film and a film-forming material layer obtained from the inorganic particle-containing composition of the present invention is formed on a support film, and the laminated film formed on the support film is transferred onto a substrate, The resist film that forms the laminated film is exposed to form a latent image of the resist pattern, the resist film is developed to reveal the resist pattern, and the film forming material layer is etched to cope with the resist pattern. Forming a pattern layer to be formed, and firing the pattern layer to form a component selected from a partition, an electrode, a resistor, a dielectric layer, a phosphor, a color filter, and a black matrix.
[0069]
Hereinafter, a method of forming “partition walls” which are constituent elements of the PDP on the surface of the back substrate will be described. In this method, [1] a film forming material layer transfer step, [2] a resist film forming step, [3] a resist film exposure step, [4] a resist film developing step, [5] a film forming material layer In this etching step, [6] the partition pattern baking step, partition walls are formed on the surface of the substrate.
3 and 4 are schematic cross-sectional views showing a series of steps for forming the partition walls. 3 and 4, reference numeral 11 denotes a glass substrate. On the glass substrate, electrodes 12 for generating plasma are arranged at equal intervals, and on the surface of the glass substrate 11 so as to cover the electrodes 12. A dielectric layer 13 is formed.
In the present invention, as a mode of “transferring the film forming material layer onto the substrate”, in addition to the mode of transferring to the surface of the glass substrate 11, the mode of transferring to the surface of the dielectric layer 13 is used. Aspects shall be included.
[0070]
Transfer process of film forming material layer:
An example of the film forming material layer transfer process is as follows.
After the cover film (not shown) of the transfer film is peeled off, the transfer film 20 is placed so that the surface of the film forming material layer 21 is in contact with the surface of the dielectric layer 13 as shown in FIG. After superimposing and heat-pressing the transfer film 20 with a heating roller or the like, the support film 22 is peeled off from the film forming material layer 21. As a result, as shown in FIG. 3C, the film forming material layer 21 is transferred and adhered to the surface of the dielectric layer 13. Here, as transfer conditions, for example, the surface temperature of the heating roller is 80 to 140 ° C., and the roller pressure by the heating roller is 1 to 5 kg / cm. ² The moving speed of the heating roller can be 0.1 to 10.0 m / min. Moreover, the glass substrate 11 may be preheated and can be 40-100 degreeC as preheating temperature, for example.
[0071]
Resist film formation process:
In this step, a resist film 31 is formed on the surface of the transferred film-forming material layer 21 as shown in FIG. The resist constituting the resist film 31 may be either a positive resist or a negative resist.
The resist film 31 can be formed by applying a resist by various methods such as a screen printing method, a roll coating method, a spin coating method, and a casting coating method, and then drying the coating film. The drying temperature of a coating film here shall be about 60-130 degreeC normally.
Alternatively, the resist film formed on the support film may be transferred to the surface of the film forming material layer 21. According to such a forming method, the number of steps of forming the resist film can be reduced, and the film thickness uniformity of the resulting resist becomes excellent. Therefore, the development process of the resist film and the film forming material layer The etching process is performed uniformly, and the height and shape of the partition wall to be formed are uniform.
The thickness of the resist film 31 is usually 0.1 to 40 mm, preferably 0.5 to 20 mm.
[0072]
Resist film exposure process:
In this step, as shown in FIG. 3E, the surface of the resist film 31 formed on the film forming material layer 21 is selectively irradiated with radiation such as ultraviolet rays through an exposure mask M ( Exposure) to form a latent image of the resist pattern. In the figure, MA and MB are a light transmitting part and a light shielding part in the exposure mask M, respectively.
Here, the ultraviolet irradiation apparatus is not particularly limited, such as an ultraviolet irradiation apparatus used in the photolithography method, an exposure apparatus used when manufacturing a semiconductor and a liquid crystal display device.
In addition, when the resist film is formed by transfer, it is preferable to perform the exposure step without peeling off the support film coated on the resist film.
[0073]
Resist film development process
In this step, the exposed resist film is developed to reveal a resist pattern (latent image).
Here, as development processing conditions, depending on the type of resist film 31 and the like, the type / composition / concentration of developer, development time, development temperature, development method (for example, dipping method, rocking method, shower method, spray method) , Paddle method), developing device and the like can be selected as appropriate.
By this development step, as shown in FIG. 4F, a resist pattern 35 (pattern corresponding to the exposure mask M) including the resist remaining portion 35A and the resist removing portion 35B is formed.
The resist pattern 35 acts as an etching mask in the next process (etching process), and the constituent material (photocured resist) of the resist remaining portion 35A is more etchant than the constituent material of the film forming material layer 21. It is necessary for the dissolution rate to be small.
[0074]
Etching process of film forming material layer:
In this step, the film forming material layer is etched to form a partition pattern layer corresponding to the resist pattern.
That is, as shown in FIG. 4G, a portion of the film forming material layer 21 corresponding to the resist removing portion 35B of the resist pattern 35 is dissolved in the etching solution and selectively removed. FIG. 4G shows a state during the etching process.
When the etching process is further continued, as shown in FIG. 4H, a predetermined portion in the film forming material layer 21 is completely removed and the dielectric layer 13 is exposed. Thereby, the partition pattern layer 25 composed of the material layer residual portion 25A and the material layer removal portion 25B is formed.
Here, as the etching process conditions, depending on the type of the film forming material layer 21 and the like, the type / composition / concentration of the etchant, the processing time, the processing temperature, the processing method (for example, dipping method, rocking method, shower method, A spray method, a paddle method), a processing apparatus, and the like can be appropriately selected.
The developing process and the etching process are continuously performed by selecting the types of the resist film 31 and the film forming material layer 21 so that the same solution as that used in the developing process can be used as the etching liquid. Therefore, the manufacturing efficiency can be improved by simplifying the process.
Here, the residual resist portion 35A constituting the resist pattern 35 is gradually dissolved during the etching process and is completely removed at the stage where the partition pattern layer 25 is formed (at the end of the etching process). It is preferable.
Even if a part or all of the remaining resist portion 35A remains after the etching process, the remaining resist portion 35A is removed in the next baking step.
[0075]
The baking process of the partition pattern layer:
In this step, the barrier rib pattern layer 25 is baked to form barrier ribs. Thereby, in the panel material 50 in which the organic substance in the material layer residual portion 25A is burned out to form the partition wall, and the partition wall 40 is formed on the surface of the dielectric layer 13 as shown in FIG. A space defined by the partition 40 (a space derived from the material layer removing unit 25B) is a plasma action space.
Here, the temperature of the baking treatment needs to be a temperature at which the organic substance in the material layer residual portion 25A is burned off, and is usually 400 to 600 ° C. The firing time is usually 10 to 90 minutes.
[0076]
<PDP Production Method (3) (Preferred Embodiment Using Photoresist Method)>
The method for producing a PDP in the present invention is not limited to the method shown in FIGS.
Here, as another preferred method (PDP production method {circle around (3)}) for forming a PDP component, there can be mentioned a method of forming by the following steps (1) to (3).
[0077]
(1) After forming a resist film on the support film, the inorganic particle-containing composition of the present invention is applied on the resist film and dried to form a film-forming material layer. Here, when forming the resist film and the film-forming material layer, a roll coater or the like can be used, whereby a laminated film having excellent film thickness uniformity can be formed on the support film.
[0078]
(2) The laminated film of the resist film and the film forming material layer formed on the support film is transferred onto the substrate. Here, the transfer conditions may be the same as those in the “film forming material layer transfer step”.
[0079]
(3) The same operations as in the “resist film exposure step”, “resist film development step”, “film forming material layer etching step” and “partition pattern layer baking step” are performed. At that time, as described above, the resist film developer and the film forming material layer etching solution are the same solution, and the "resist film developing process" and the "film forming material layer etching process" are continuously performed. Preferably.
According to the above method, since the film forming material layer and the resist film are collectively transferred onto the substrate, the manufacturing efficiency can be further improved by simplifying the process.
[0080]
<PDP production method (4) (Formation of components using a radiation-sensitive transfer film)>
In the production method (4) of the PDP of the present invention, the film-forming material layer constituting the radiation-sensitive transfer film of the present invention is transferred onto a substrate, and the film-forming material layer is subjected to exposure treatment to form a latent image of a resist pattern. Forming, patterning the film-forming material layer to form a pattern layer, and baking the pattern layer to select from a partition, an electrode, a resistor, a dielectric layer, a phosphor, a color filter, and a black matrix Forming a component to be formed.
In this method, for example, when the partition wall forming method is taken as an example, after the “film forming material layer transfer step”, the pattern is formed under the conditions in accordance with the “resist film exposure step” and “resist film development step”. After the layer is formed, the partition walls are formed on the surface of the substrate by the “sintering process of the partition pattern”.
[0081]
In the above description of each process of the manufacturing method (1) to (4) of the PDP, the method of forming the “partition wall” as the PDP component has been described. The electrodes, resistors, and dielectrics constituting the PDP according to this method Layers, phosphors, color filters, black matrices and the like can also be formed.
[0082]
【Example】
Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples. In the following, “part” means “part by weight”.
<Example 1>
(1) Preparation of glass paste composition (inorganic particle-containing composition):
As glass powder (inorganic particles), 100 parts of a mixture (softening point 560 ° C.) composed of lead oxide, boron oxide, silicon oxide, calcium oxide (PbO—B 2 O 3 —SiO 2 —CaO), butyl methacrylate (BMA) as a binder resin / 17 parts of 2-ethylhexyl methacrylate (EHMA) / 2-hydroxypropyl methacrylate (HPMA) / glycidyl methacrylate (GMA) copolymer (weight ratio 30/60/5/5, weight average molecular weight 105,000) and dispersant N-decyltrimethoxysilane 1.0 parts, di-2-ethylhexyl azelate 2.5 parts as a plasticizer, propylene glycol monomethyl ether 7.3 parts as a solvent, ethyl-3-ethoxypropionate 11. By kneading 5 parts with a disperser, the viscosity is 1,600 mPa · s (20 rpm, Machine Sangyo Co. to prepare a composition of the present invention is a TV-30 viscometer).
[0083]
Production and evaluation of transfer film (flexibility and handling):
The composition of the present invention prepared in the above (1) was applied using a blade coater on a support film (width 400 mm, length 30 m, thickness 38 μm) made of polyethylene terephthalate (PET) that had been subjected to release treatment in advance. The formed coating film was dried at 100 ° C. for 5 minutes to remove the solvent, whereby a film forming material layer having a thickness of 90 μm was formed on the support film. Next, a cover film (width 400 mm, length 30 m, thickness 38 μm) made of PET that has been subjected to release treatment in advance is attached to the film forming material layer, thereby having the configuration as shown in FIG. A transfer film was produced.
[0084]
The obtained transfer film was flexible and could be easily wound up into a roll. Further, even when this transfer film was bent, no cracks (bending cracks) were generated on the surface of the film forming material layer, and the film forming material layer had excellent flexibility.
Further, the cover film is peeled from the transfer film, and the transfer film (a laminate of the support film and the film forming material layer) is pressed so that the surface of the film forming material layer is in contact with the surface of the glass substrate. Then, when the transfer film was peeled off from the surface of the glass substrate, the film-forming material layer showed moderate adhesiveness to the glass substrate, and the film-forming material layer agglomerated. The transfer film could be peeled off without causing breakage, and the handling property (handling property) as a transfer film was good.
[0085]
Transfer of film forming material layer:
After peeling the cover film from the transfer film obtained in (2) above, the surface of the film-forming material layer is brought into contact with the surface of the glass substrate for 21-inch panel (fixing surface of the bus electrode). The transfer film (a laminate of a support film and a film forming material layer) was superposed, and the transfer film was thermocompression bonded with a heating roll. Here, as the pressure bonding conditions, the surface temperature of the heating roll is 90 ° C., and the roll pressure is 2 kg / cm. ² The moving speed of the heating roll was 0.8 m / min.
After completion of the thermocompression treatment, the support film was peeled off from the film forming material layer fixed (heat bonded) to the surface of the glass substrate, and the transfer of the film forming material layer was completed.
In this transfer step, the film forming material layer did not cause cohesive failure when the support film was peeled off, and the film forming material layer had a sufficiently large film strength. Furthermore, the film-forming material layer that had been transferred had good adhesion to the surface of the glass substrate.
[0086]
Firing of film-forming material layer (formation of dielectric layer):
The glass substrate on which the film-forming material layer is transferred and formed according to (3) above is placed in a firing furnace, the temperature in the furnace is raised to 570 ° C. at a rate of 10 ° C. per minute, and then fired at 570 ° C. for 10 minutes. By processing, a dielectric layer made of a glass sintered body was formed on the surface of the glass substrate.
When the film thickness (average film thickness and tolerance) of this dielectric layer was measured, it was in the range of 44 μm ± 0.4 μm and was excellent in film thickness uniformity.
Further, the surface of the obtained dielectric layer was subjected to three-dimensional measurement using a non-contact film thickness meter (manufactured by Ryoko Co., Ltd., NH-3), and the surface roughness (B 0601) ( Ra, Ry, Rz) were determined. Ra = 0.06 mm, Ry = 0.43 mm, Rz = 0.21 mm, and the surface smoothness was excellent.
[0087]
Examples 2-6
In Example 1, a glass paste composition was prepared in the same manner as in Example 1 (1) except that the copolymers shown in Table 1 were used as the binder resins, and the obtained glass pastes were used. A transfer film was formed in the same manner as in Example 1 (2). All of the obtained transfer films had flexibility and could be easily wound up into a roll. Further, even when this transfer film was bent, no cracks (bending cracks) were generated on the surface of the film forming material layer, and the film forming material layer had excellent flexibility.
When transfer was performed in the same manner as in Example 1 (3) using each of the obtained transfer films, the film-forming material layer was coherently broken when the support film was peeled off in any transfer film. The film forming material layer had a sufficiently large film strength. Furthermore, the film-forming material layer that had been transferred had good adhesion to the surface of the glass substrate.
Further, a dielectric layer was formed in the same manner as in Example 1 (4), and the surface roughness (Ra, Ry, Rz) of the surface of the obtained dielectric layer was determined in the same manner as in Example 1. The values of Ra, Ry, and Rz are shown in Table 1 together with Example 1.
[0088]
[Table 1]

[0089]
<Comparative example>
The number of parts of the binder resin is 17 parts, instead of butyl methacrylate / 2-ethylhexyl methacrylate / 2-hydroxypropyl methacrylate / glycidyl methacrylate copolymer (weight ratio 30/60/5/5, weight average molecular weight 105,000). The viscosity was 1,200 mPa · s in the same manner as in the Examples except that a butyl methacrylate / 2-ethylhexyl methacrylate / 2-hydroxypropyl methacrylate copolymer (weight ratio 30/60/10, weight average molecular weight 150,000) was used. s (20 rpm, manufactured by Toki Sangyo Co., Ltd., TV-30 type viscometer) was prepared. Using the obtained composition, a transfer film was produced and evaluated in the same manner as in the examples. The flexibility and handleability were good, but a dielectric layer was formed in the same manner as in the examples. When the surface roughness (Ra, Ry, Rz) was determined, Ra = 0.31 mm, Ry = 2.61 mm, Rz = 1.10 mm, and the surface smoothness was poor.
[0090]
【The invention's effect】
According to the composition of the present invention, the following effects are exhibited.
(1) PDP components having excellent surface smoothness (for example, barrier ribs, electrodes, resistors, dielectric layers, phosphors, color filters, black matrix) are suitably formed in a low-temperature, short-time firing step. be able to.
(2) A transfer film excellent in flexibility of the film forming material layer can be produced.
(3) A transfer film excellent in transferability of the film-forming material layer (heat adhesion to the substrate) can be produced.
[0091]
The transfer film of the present invention has the following effects.
(1) In the firing process at a low temperature and in a short time, it is possible to efficiently form PDP components (particularly dielectric layers) having excellent surface smoothness.
(2) The film forming material layer is excellent in flexibility, and the surface of the film forming material layer is free from bending cracks.
(3) It has excellent flexibility and can be easily wound up into a roll.
(4) The film-forming material layer exhibits suitable tackiness and handling properties (handling properties) are good.
(5) Excellent transferability of film-forming material layer (heat adhesion to substrate).
[0092]
According to the manufacturing method of the present invention, the following effects are exhibited.
(1) Efficient formation of PDP components (eg, barrier ribs, electrodes, resistors, dielectric layers, phosphors, color filters, and black matrix) with excellent surface smoothness in a low-temperature, short-time firing process can do.
(2) In the baking process at a low temperature and in a short time, it is possible to efficiently form a PDP with high positional accuracy of components.
(3) A dielectric layer having a large film thickness can be efficiently formed in a firing process at a low temperature and in a short time.
(4) In a firing process at a low temperature and in a short time, a dielectric layer required for a large panel can be efficiently formed.
(5) In a firing process at a low temperature and in a short time, a PDP having a dielectric layer excellent in film thickness uniformity and surface smoothness can be efficiently formed.
[Brief description of the drawings]
FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC type plasma display panel.
2A is a schematic cross-sectional view showing a transfer film of the present invention, and FIG. 2B is a cross-sectional view showing a layer structure of the transfer film.
FIG. 3 is a schematic cross-sectional view showing an example of a partition wall formation step (transfer step, resist film formation step, exposure step) in the manufacturing method of the present invention.
FIG. 4 is a schematic cross-sectional view showing an example of a partition formation step (development step, etching step, baking step) in the production method of the present invention.
[Explanation of symbols]
1 Glass substrate 2 Glass substrate
3 Bulkhead 4 Transparent electrode
5 Bus electrode 6 Address electrode
7 Fluorescent material 8 Dielectric layer
9 Dielectric layer 10 Protective layer
F1 Support film F2 Film forming material layer
F3 cover film 11 glass substrate
12 Electrode 13 Dielectric layer
20 Transfer film 21 Film forming material layer
22 support film 25 partition pattern layer
25A material layer residual part 25B material layer removal part
31 resist film 35 resist pattern
35A Resist remaining part 35B Resist removal part
40 Bulkhead 50 Panel material
M Mask for exposure MA Light transmission part
MB shading part

Claims (8)

[A] inorganic particles and [B] at least one selected from the group consisting of repeating units represented by the following formula (I) , alkyl (meth) acrylate, hydroxyalkyl (meth) acrylate, and alkoxyalkyl (meth) acrylate A polymer consisting only of repeating units derived from the monomer , wherein the polymer contains 0.1 to 20% by weight of the repeating unit represented by the formula (I) , An inorganic particle-containing composition for forming a dielectric layer of a plasma display panel.

(In the formula, X represents a hydrogen atom or a methyl group, R ¹ represents a single bond, a methylene group or an alkylene group having 2 to 5 carbon atoms, and n represents an integer of 1 to 6)   The hydroxyalkyl (meth) acrylate is hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) 2. The inorganic particle-containing composition for forming a dielectric layer of a plasma display panel according to claim 1, wherein the composition is acrylate or 4-hydroxybutyl (meth) acrylate. The polymer the formula in [B] content of the repeating unit represented by the formula (I) is a plasma display panel according to claim 1 or 2, characterized in that 2.5 to 7.5 wt% An inorganic particle-containing composition for forming a dielectric layer. Furthermore, the inorganic particle containing composition for dielectric material layer formation of the plasma display panel in any one of Claims 1-3 containing a radiation sensitive component [C]. Furthermore, the inorganic particle containing composition for dielectric material layer formation of the plasma display panel in any one of Claims 1-4 containing a plasticizer. It characterized by having a film forming material layer obtained from the dielectric layer forming the inorganic particle-containing composition of the plasma display panel according to any one of claims 1 to 5, a transfer film. A transfer film comprising a laminate of a resist film and a film-forming material layer obtained from the inorganic particle-containing composition for forming a dielectric layer of a plasma display panel according to any one of claims 1 to 5 .   A film-forming material layer obtained from the inorganic particle-containing composition for forming a dielectric layer of a plasma display panel according to claim 1 is transferred onto the substrate, and the transferred film-forming material layer is baked on the substrate. A method of manufacturing a plasma display panel, comprising a step of forming a dielectric layer.

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