KR20080075828A - Process for preparing a plasma display panel and transfer film - Google Patents

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고지 이따노
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제이에스알 가부시끼가이샤
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Abstract

A method for manufacturing a plasma display panel and a transfer film are provided to improve the throughput and a close adhesion property by forming inorganic powder containing resin pattern on an inorganic powder containing resin layer. A first inorganic powder containing resin layer of a non-photoresist property is formed on a substrate. A second inorganic powder containing resin layer of a photoresist property is formed on a corresponding first inorganic powder containing resin layer. The inorganic powder containing resin layer is exposed and developed to form a pattern of the inorganic powder containing resin layer between the first inorganic powder containing resin layer and the corresponding first inorganic powder containing resin layer. The pattern of the second inorganic powder containing resin layer is hardened. At least one portion of the first inorganic powder containing resin layer and the second inorganic powder containing resin layer is formed by using a manner including a transfer process for transferring an inorganic powder containing resin layer formed on a support film.

Description

플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 전사 필름 {Process for Preparing a Plasma Display Panel and Transfer Film}Process for Preparing a Plasma Display Panel and Transfer Film

본 발명은 플라즈마 디스플레이 패널을 구성하는 패널 재료의 형성에 있어서, 제조 효율이 높고, 패터닝성이 우수하고, 또한 전사 필름을 사용함으로써 종래 의 방법과 비교하여 실질적으로 작업성을 향상시킬 수 있는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 전사 필름에 관한 것이다. The present invention provides a plasma display which can substantially improve workability in comparison with a conventional method by forming a panel material constituting the plasma display panel, which has high manufacturing efficiency, excellent patterning properties, and a transfer film. A method for producing a panel and a transfer film.

플라즈마 디스플레이 패널 (PDP)은 대형 패널이면서 제조 공정이 용이한 것, 시야각이 넓은 것, 자발광 타입으로 표시 품위가 높은 것 등의 이유로 플래트 패널 표시 기술 중에서 주목받고 있고, 특히 칼라 플라즈마 디스플레이 패널은 20 인치 이상의 벽걸이 TV용의 표시 디바이스로서 장래 주류가 될 것으로 기대되고 있다. Plasma display panel (PDP) is attracting attention among flat panel display technologies due to its large panel size, easy manufacturing process, wide viewing angle, and high display quality due to self-luminous type. It is expected to become the mainstream in the future as a display device for wall-mounted TVs larger than inches.

칼라 PDP는 가스 방전에 의해 발생하는 자외선을 형광체에 조사함으로써 칼라 표시가 가능해 진다. 그리고 일반적으로 칼라 PDP에 있어서는 적색 발광용의 형광체 부위, 녹색 발광용의 형광체 부위 및 청색 발광용의 형광체 부위가 기판 상에 형성됨으로써 각 색의 발광 표시 셀이 전체에 균일하게 혼재한 상태로 구성되어 있다. 구체적으로는 유리 등으로 이루어지는 기판의 표면에, 배리어 리브로 칭하 여지는 절연성 재료로 이루어지는 격벽이 설치되어 있고, 이 격벽에 의해서 다수의 표시 셀이 구획되고, 해당 표시 셀의 내부가 플라즈마 작용 공간이 된다. 그리고 이 플라즈마 작용 공간에 형광체 부위가 설치됨과 동시에, 이 형광체 부위에 플라즈마를 작용시키는 전극이 설치됨으로써 각각의 표시 셀을 표시 단위로 하는 플라즈마 디스플레이 패널이 구성된다. The color PDP is capable of color display by irradiating the phosphor with ultraviolet rays generated by gas discharge. In general, in the color PDP, a phosphor region for red light emission, a phosphor region for green light emission, and a phosphor region for blue light emission are formed on a substrate, whereby light emitting display cells of each color are uniformly mixed in the whole. have. Specifically, a partition wall made of an insulating material called a barrier rib is provided on a surface of a substrate made of glass or the like, and a plurality of display cells are partitioned by the partition walls, and the inside of the display cell becomes a plasma working space. . A phosphor portion is provided in the plasma working space, and an electrode for applying a plasma to the phosphor portion is provided to form a plasma display panel in which each display cell is a display unit.

도 1은 교류형의 PDP의 단면 형상을 나타내는 모식도이다. 이 도면에 있어서 (1) 및 (2)는 대향 배치된 유리 기판, (3)은 격벽이고, 유리 기판 (1), 유리 기판 (2) 및 격벽 (3)에 의해 셀이 구획 형성된다. (4)는 유리 기판 (1)에 고정된 투명 전극, (5)는 투명 전극의 저항을 내리는 목적으로, 투명 전극 상에 형성된 버스 전극, (6)은 유리 기판 (2)에 고정된 어드레스 전극, (7)은 셀 내에 유지된 형광체, (8)은 투명 전극 (4) 및 버스 전극 (5)를 피복하도록 유리 기판 (1)의 표면에 형성된 유전체층, (9)는 어드레스 전극 (6)을 피복하도록 유리 기판 (2)의 표면에 형성된 유전체층, (10)은 예를 들면 산화마그네슘으로 이루어지는 보호막이다. 또한, 직류형의 PDP에서는 통상 전극 단자 (양극 단자)와 전극 리드 (양극 리드)와의 사이에 저항체를 설치한다. 또한 PDP의 콘트라스트를 향상시키기 위해서, 적색, 녹색, 청색의 칼라 필터나 블랙 매트릭스를, 상기 유전체층 (8)과 보호막 (10)의 사이 등에 설치하는 경우도 있다. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC PDP. In this figure, (1) and (2) are the glass substrates which oppose, (3) are partition walls, and a cell is partitioned by the glass substrate 1, the glass substrate 2, and the partition wall 3. In FIG. (4) is a transparent electrode fixed to the glass substrate (1), (5) is a bus electrode formed on the transparent electrode for the purpose of lowering the resistance of the transparent electrode, (6) is an address electrode fixed to the glass substrate (2) (7) is a phosphor retained in the cell, (8) a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate (1) to cover the transparent electrode (4) and the bus electrode (5), (9) the address electrode (6) The dielectric layer 10 formed on the surface of the glass substrate 2 so as to be coated is a protective film made of, for example, magnesium oxide. In the direct current type PDP, a resistor is usually provided between the electrode terminal (anode terminal) and the electrode lead (anode lead). In addition, in order to improve the contrast of the PDP, a red, green or blue color filter or black matrix may be provided between the dielectric layer 8 and the protective film 10 or the like.

이러한 플라즈마 디스플레이 패널에 있어서 패널 재료의 제조 방법으로서는 (1) 이온 스퍼터법이나 전자 빔 증착법 등에 의한 방법이나 (2) 스크린 인쇄법 등에 의해 형성된 무기 분체 함유 수지층을 소성하고, 유기 물질을 제거하는 방법 등 이 알려져 있고, 각각의 패널 재료는 통상 상기 (1) 또는 (2)의 방법을 반복함으로써 형성된다.In such a plasma display panel, a method for producing a panel material includes (1) an ion sputtering method, an electron beam vapor deposition method, or the like, and (2) a method of firing an inorganic powder-containing resin layer formed by a screen printing method and removing an organic substance. Etc. are known, and each panel material is usually formed by repeating the above method (1) or (2).

그러나, 상기 (1)의 방법으로서는 대형의 진공 설비가 필요한 것, 공정상의 작업 처리량이 느리다는 등의 문제가 있다. 이 때문에 통상 대부분의 패널 재료에는 상기 (2)의 방법이 이용되지만, 상기 (2)의 방법에 있어서도 적어도 무기 분체 함유 수지층의 형성과 소성을 반복하는 것으로부터, 제조 효율의 면에서 충분한 것이라고는 말할 수 없었다. 또한, 고정밀 패턴의 형성에 있어서는 노광, 현상 처리를 포함하는 포토리소그래피법에 의한 무기 분체 함유 수지층의 패터닝법이 알려져 있지만 현상 처리시에 무기층 상으로부터 무기 분체 함유 수지층의 패턴이 박리되기 쉽다는 문제가 있었다. However, the method of said (1) has a problem that a large vacuum installation is needed, and the process throughput in a process is slow. For this reason, although the method of said (2) is normally used for most panel materials, it is sufficient in terms of manufacturing efficiency from repeating formation and baking of an inorganic powder containing resin layer at least also in the method of said (2). Couldn't say Moreover, in the formation of a high precision pattern, although the patterning method of the inorganic powder containing resin layer by the photolithographic method containing exposure and image development is known, the pattern of an inorganic powder containing resin layer is easy to peel off from an inorganic layer at the time of image development processing. Had a problem.

본 발명의 제1의 목적은 무기층 상에 무기 패턴을 갖는 패널 재료를 형성하는데 있어서 제조 효율이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 것에 있다. A first object of the present invention is to provide a method for manufacturing a plasma display panel which is excellent in manufacturing efficiency in forming a panel material having an inorganic pattern on an inorganic layer.

본 발명의 제2의 목적은 현상 처리시의 밀착성이 양호한, 패터닝성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 것에 있다. The 2nd object of this invention is to provide the manufacturing method of the plasma display panel which is excellent in patterning property with favorable adhesiveness at the time of image development processing.

본 발명의 제3의 목적은 작업성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 것에 있다. It is a third object of the present invention to provide a method of manufacturing a plasma display panel having excellent workability.

본 발명의 제4의 목적은 제조 효율, 패터닝성 및 작업성이 우수한 신규 전사 필름을 제공하는 것에 있다. A fourth object of the present invention is to provide a novel transfer film excellent in production efficiency, patterning property and workability.

본 발명에 있어서 제1 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 (이하, 제조 방법 I」이라고도 한다)은 하기 (ⅰ) 내지 (ⅲ)의 공정을 포함하는 방법에 의해, 무기막 상에 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, a method of manufacturing a first plasma display panel (hereinafter also referred to as manufacturing method I) is to form a pattern on an inorganic film by a method including the following steps (i) to (iv). It is done.

(i) 기판 상에 비감광성의 제1 무기 분체 함유 수지층을 형성하고, 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 감광성의 제2 무기 분체 함유 수지층을 형성하는 공정, (i) forming a non-photosensitive first inorganic powder-containing resin layer on the substrate, and forming a photosensitive second inorganic powder-containing resin layer on the first inorganic powder-containing resin layer;

(ⅱ) 제2 무기 분체 수지층을 노광ㆍ현상 처리하고, 제2 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성하는 공정, (Ii) exposing and developing the second inorganic powder resin layer to form a pattern of the second inorganic powder-containing resin layer;

(ⅲ) 제1 무기 분체 함유 수지층 및 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 소성하는 공정. (Iii) The process of baking the 2nd inorganic powder containing resin layer pattern formed on the 1st inorganic powder containing resin layer and this 1st inorganic powder containing resin layer.

본 발명에 있어서 제2 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 (이하, 「제조 방법 Ⅱ」라고도 한다)은 하기 (i) 내지 (ⅳ)의 공정을 포함하는 방법에 의해 무기막 상에 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다. In the present invention, the method of manufacturing the second plasma display panel (hereinafter also referred to as "manufacturing method II") forms a pattern on the inorganic film by a method comprising the following steps (i) to (iii). It is done.

(i) 기판 상에 제1 무기 분체 함유 수지층을 형성하고, 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층을 형성하고, 해당 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트막을 형성하는 공정,(i) forming a first inorganic powder-containing resin layer on the substrate, forming a second inorganic powder-containing resin layer on the first inorganic powder-containing resin layer, and forming a resist film on the second inorganic powder-containing resin layer. Forming process,

(ⅱ) 레지스트막을 노광ㆍ현상 처리하고, 레지스트 패턴을 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 형성하는 공정, (Ii) exposing and developing the resist film and forming a resist pattern on the second inorganic powder-containing resin layer;

(ⅲ) 제2 무기 분체 수지층을 에칭 처리하고, 레지스트 패턴에 대응하는 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성하는 공정, (Iii) etching the second inorganic powder resin layer and forming a second inorganic powder-containing resin layer pattern corresponding to the resist pattern on the first inorganic powder-containing resin layer,

(ⅳ) 제1 무기 분체 함유 수지층 및 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 소성하는 공정. (Iii) The process of baking the 2nd inorganic powder containing resin layer pattern formed on the 1st inorganic powder containing resin layer and this 1st inorganic powder containing resin layer.

또한, 본 발명에 있어서 제1 전사 필름 (이하, 「전사 필름 I」이라고도 한다)은 지지 필름 상에, 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 레지스트층, 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 무기 분체 함유 수지층 및 알칼리 불용성 또는 난용성의 수지 성분을 함유하는 무기 분체 함유 수지층을 포함하는 적층막이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 한다. In addition, in this invention, the 1st transfer film (henceforth "transfer film I") is the inorganic powder containing water which contains the resist layer containing alkali-soluble resin component, and alkali-soluble resin component on a support film. The laminated film which consists of an inorganic powder containing resin layer containing a ground layer and alkali-insoluble or poorly soluble resin component is formed, It is characterized by the above-mentioned.

또한, 본 발명에 있어서 제2 전사 필름 (이하, 「전사 필름 Ⅱ」라고도 한다)은 지지 필름 상에, 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 감광성의 무기 분체 함유 수지층과, 알칼리 불용성 또는 난용성의 수지 성분을 함유하는 비감광성의 무기 분체 함유 수지층을 포함하는 적층막이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 한다. In addition, in this invention, the 2nd transfer film (henceforth "transfer film II") is a photosensitive inorganic powder containing resin layer containing alkali-soluble resin component, and alkali insoluble or poorly soluble on a support film. A laminated film comprising a non-photosensitive inorganic powder-containing resin layer containing a resin component is formed.

본 발명에 따르면 하기의 효과가 발휘된다. According to the present invention, the following effects are exerted.

(1) 무기층 상에 패턴을 갖는 패널 재료를 형성하는데 있어서 제조 효율이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공할 수 있다. (1) The manufacturing method of the plasma display panel which is excellent in manufacturing efficiency in forming a panel material which has a pattern on an inorganic layer can be provided.

(2) 현상 처리시의 밀착성이 양호하고, 패터닝성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공할 수 있다. (2) The manufacturing method of the plasma display panel which is favorable in the adhesiveness at the time of image development processing, and excellent in patterning property can be provided.

(3) 작업성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공할 수 있다. (3) The manufacturing method of the plasma display panel excellent in workability can be provided.

(4) 제조 효율, 패터닝성 및 작업성이 우수한 신규 전사 필름을 제공할 수 있다. (4) A novel transfer film excellent in manufacturing efficiency, patterning property and workability can be provided.

<발명의 실시의 형태> <Embodiment of the Invention>

이하, 본 발명에 관해서 상세히 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.

<플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법> <Method of manufacturing plasma display panel>

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 I에서는 [1] 제1 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정, [2] 제2 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정, [3] 노광 공정, [4] 제2 무기 분체 함유 수지층의 현상 공정, [5] 소성 공정을 포함하는 방법에 의해 무기막 상에 패턴을 형성한다. 또한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 Ⅱ에서는 상기 [2] 제2 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정후에, [2'] 레지스트막의 형성 공정이 가해지고, 또한 상기 [4] 제2 무기 분체 함유 수지층의 현상 공정이, [4-1] 레지스트막의 현상 공정과 [4-2] 제2 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정이 된다. 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의해, 특히 바람직하게는 유전체층 상에, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 칼라필터, 블랙 매트릭스 등의 패턴이 형성된 패널 재료를 형성할 수 있다. In the manufacturing method I of the plasma display panel of this invention, [1] the formation process of a 1st inorganic powder containing resin layer, [2] the formation process of a 2nd inorganic powder containing resin layer, [3] an exposure process, [4] 2nd A pattern is formed on an inorganic film by the method containing the image development process of an inorganic powder containing resin layer, and a [5] baking process. In the plasma display panel manufacturing method II of the present invention, after the step [2] of forming the second inorganic powder-containing resin layer, the step of forming the [2 '] resist film is performed, and the [4] second inorganic powder is further applied. The developing process of a containing resin layer becomes the developing process of a [4-1] resist film, and the etching process of a [4-2] 2nd inorganic powder containing resin layer. According to the method of manufacturing the plasma display panel of the present invention, a panel material having a pattern such as a partition wall, an electrode, a resistor, a phosphor, a color filter, a black matrix and the like can be formed particularly preferably on a dielectric layer.

[1] 제1 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정 [1] Formation process of first inorganic powder-containing resin layer

제1 무기 분체 함유 수지층은 지지 필름 상에 무기 분체 함유 수지층이 형성 된 구성을 갖는 전사 필름을 이용하고, 기판 상에 해당 무기 분체 함유 수지층을 전사함으로써 형성하는 것이 바람직하다. 이러한 형성 방법에 따르면 막 두께 균일성이 우수한 제1 무기 분체 함유 수지층을 쉽게 형성할 수 있고, 형성되는 패턴의 막 두께 균일화를 도모할 수 있다. 또한, 상기 전사 필름을 사용하여 n회 전사를 반복함으로써, n층 (n은 2 이상의 정수를 나타낸다)의 제1 무기 분체 함유 수지층을 갖는 적층체를 형성할 수 있다. 또한, n층의 제1 무기 분체 함유 수지층으로 이루어지는 적층체를 지지 필름 상에 형성한 전사 필름을 이용하고 기판 상에 일괄 전사함으로써 상기 적층체를 형성할 수 있다. It is preferable to form the 1st inorganic powder containing resin layer by using the transfer film which has a structure in which the inorganic powder containing resin layer was formed on the support film, and transferring the said inorganic powder containing resin layer on a board | substrate. According to such a formation method, the 1st inorganic powder containing resin layer excellent in film thickness uniformity can be formed easily, and the film thickness uniformity of the pattern formed can be aimed at. Moreover, by repeating n times transfer using the said transfer film, the laminated body which has the 1st inorganic powder containing resin layer of n layer (n represents an integer greater than or equal to 2) can be formed. Moreover, the said laminated body can be formed by carrying out collective transfer on a board | substrate using the transfer film which formed the laminated body which consists of n layer of 1st inorganic powder containing resin layers on the support film.

전사 공정의 한예를 나타내면 이하와 같다. 필요에 따라 사용되는 전사 필름의 보호 필름층을 박리한 후, 기판의 표면에, 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름을 중첩시키고, 이 전사 필름을 가열 롤러 등에 의해 열 압착한 후, 무기 분체 함유 수지층으로부터 지지 필름을 박리 제거한다. 이에 따라 기판의 표면에 무기 분체 함유 수지층이 전사되어 밀착한 상태가 된다. 여기서 전사 조건으로서는 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 40 내지 14O ℃, 가열 롤러에 의한 롤압이 O.1 내지 1O kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도가 O.1 내지 1O m/분을 나타낼 수 있다. 또한, 기판은 예열될 수 있고, 예열 온도는 예를 들면 40 내지 140 ℃로 할 수 있다. An example of the transfer process is as follows. After peeling the protective film layer of the transfer film used as needed, after superimposing a transfer film so that the surface of an inorganic powder containing resin layer may contact the surface of a board | substrate, and heat-compression-bonding this transfer film with a heating roller etc., The support film is peeled off from an inorganic powder containing resin layer. As a result, the inorganic powder-containing resin layer is transferred to and adhered to the surface of the substrate. Here, as transfer conditions, for example, the surface temperature of the heating roller may represent 40 to 14 ° C., the roll pressure by the heating roller is 0.1 to 10 kg / cm, and the moving speed of the heating roller is 0.1 to 10 m / min. have. In addition, the substrate may be preheated, and the preheating temperature may be 40 to 140 ° C, for example.

또한 기판 상에, 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 여러가지 방법에 의해 비감광성의 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포한 후, 도포막을 건조하는 방법에 의해 제1 무기 분체 함유 수지층을 형성할 수 있다. 또한 상기 공정을 n회 반복함으로써 n층의 적층체를 형성할 수 있다. Furthermore, after apply | coating a non-photosensitive inorganic powder containing resin composition on the board | substrate by various methods, such as the screen printing method, the roll coating method, the rotary coating method, the flexible coating method, and containing a 1st inorganic powder by the method of drying a coating film. A resin layer can be formed. In addition, an n-layer laminate can be formed by repeating the above steps n times.

[2] 제2 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정 [2] formation process of second inorganic powder-containing resin layer

제2 무기 분체 함유 수지층은 지지 필름 상에 무기 분체 함유 수지층이 형성된 구성을 갖는 전사 필름을 사용하고, 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층을 전사함으로써 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 전사 필름을 사용하여 n회 전사를 반복함으로써, n층 (n은 2 이상의 정수를 나타낸다)의 제2 무기 분체 함유 수지층을 갖는 적층체를 형성할 수 있다. 또한, n층의 제2 무기 분체 함유 수지층으로 이루어지는 적층체를 지지 필름 상에 형성한 전사 필름을 사용하여 기판 상에 일괄 전사함으로써 상기 적층체를 형성할 수도 있다. The second inorganic powder-containing resin layer is formed by transferring a second inorganic powder-containing resin layer onto the first inorganic powder-containing resin layer by using a transfer film having a configuration in which the inorganic powder-containing resin layer is formed on the supporting film. desirable. Moreover, by repeating n times transfer using the said transfer film, the laminated body which has a 2nd inorganic powder containing resin layer of n layers (n represents an integer greater than or equal to 2) can be formed. Moreover, the said laminated body can also be formed by carrying out the collective transfer of the laminated body which consists of n layers of 2nd inorganic powder containing resin layers on a board | substrate using the transfer film formed on the support film.

또한, 제2 무기 분체 함유 수지층의 전사 조건으로서는 상기 [1] 제1 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정과 마찬가지의 조건을 이용할 수 있다. In addition, as transfer conditions of a 2nd inorganic powder containing resin layer, the conditions similar to the formation process of said [1] 1st inorganic powder containing resin layer can be used.

또한, 제1 무기 분체 함유 수지층 상에, 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 여러가지 방법에 따라 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포한 후, 도포막을 건조하는 방법에 의해 제2 무기 분체 함유 수지층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 공정을 n회 반복함으로써 n층의 적층체를 형성할 수 있다. Moreover, after apply | coating an inorganic powder containing resin composition on a 1st inorganic powder containing resin layer in accordance with various methods, such as a screen printing method, a roll coating method, a rotary coating method, and a flexible coating method, it is made by the method of drying a coating film. 2 inorganic powder containing resin layer can be formed. In addition, the laminate of n layers can be formed by repeating the above steps n times.

또한, 상기 [1] 및 [2]에 있어서 수지층의 형성 공정은 지지 필름 상에 제2 무기 분체 함유 수지층과 제1 무기 분체 함유 수지층과의 적층막이 형성되어 이루어지는 전사 필름을 이용함으로써 해당 적층막을 기판 상에 전사하고, 수지층과 제2 무기 분체 함유 수지층을 일괄 형성하는 것이 보다 바람직하다. 이러한 형성 방법에 따르면 막 두께 균일성이 우수한 무기 분체 함유 수지층을 또한 쉽게 형성할 수 있고, 패턴 형상의 향상과 동시에, 공정의 간략화를 도모할 수 있다. 또한, 각각 독립하는 n층의 제1 및(또는) 제2 무기 분체 함유 수지층으로 이루어지는 적층체를 지지 필름 상에 형성한 전사 필름을 사용하여 기판 상에 일괄 전사함으로써 상기 적층체를 형성할 수도 있다. In addition, in the said [1] and [2], the formation process of a resin layer is applicable by using the transfer film in which the laminated film of a 2nd inorganic powder containing resin layer and a 1st inorganic powder containing resin layer is formed on a support film. It is more preferable to transfer a laminated film on a board | substrate and to collectively form a resin layer and a 2nd inorganic powder containing resin layer. According to such a formation method, the inorganic powder containing resin layer excellent in the film thickness uniformity can also be easily formed, and the pattern shape can be improved and a process can be simplified. Moreover, the said laminated body can also be formed by carrying out the collective transfer of the laminated body which consists of independent n-layer 1st and / or 2nd inorganic powder containing resin layer on a board | substrate using the transfer film formed on the support film. have.

또한, 상기 전사 조건은 상기 [1] 제1 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정과 마찬가지의 조건을 들 수 있다. Moreover, the said transfer conditions are the same conditions as the formation process of the said [1] 1st inorganic powder containing resin layer.

[2'] 레지스트막의 형성 공정 [2 '] forming process of resist film

제조 방법 Ⅱ에서 사용되는 레지스트막은 지지 필름 상에 레지스트막이 형성된 구성을 갖는 전사 필름을 사용하고, 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트막을 전사함으로써 형성하는 것이 바람직하다. It is preferable to form the resist film used by the manufacturing method II by using the transfer film which has a structure in which the resist film was formed on the support film, and transferring a resist film on a 2nd inorganic powder containing resin layer.

또한, 레지스트막의 전사 조건으로서는 상기 [1] 제1 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정과 마찬가지의 조건을 이용할 수 있다. In addition, as transfer conditions of a resist film, the conditions similar to the formation process of said [1] 1st inorganic powder containing resin layer can be used.

또한, 제2 무기 분체 함유 수지층 상으로는 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 여러가지 방법에 따라 레지스트 조성물을 도포한 후, 도포막을 건조하는 방법에 의해 레지스트막을 형성할 수 있다. The resist film can be formed on the second inorganic powder-containing resin layer by applying a resist composition in accordance with various methods such as screen printing, roll coating, rotary coating, and cast coating, and then drying the coating film. .

또한, 상기 [1], [2] 및 [2']에 있어서 수지층의 형성 공정은 지지 필름 상에 레지스트막, 제2 무기 분체 함유 수지층 및 제1 무기 분체 함유 수지층의 적층막이 형성되어 이루어지는 전사 필름을 사용함으로써 해당 적층막을 기판 상에 전사하고, 제1 무기 분체 함유 수지층, 제2 무기 분체 함유 수지층 및 레지스트막을 일괄 형성하는 것이 보다 바람직하다. 이러한 형성 방법에 따르면 막 두께 균일성 이 우수한 무기 분체 함유 수지층 및 레지스트막을 또한 쉽게 형성할 수가 있고, 패턴 형상의 향상과 동시에, 공정의 간략화를 도모할 수 있다. In the above-mentioned [1], [2] and [2 '], the resin layer forming step includes forming a laminated film of a resist film, a second inorganic powder-containing resin layer and a first inorganic powder-containing resin layer on a support film. By using the transfer film which consists of these, it is more preferable to transfer this laminated film on a board | substrate, and to collectively form a 1st inorganic powder containing resin layer, a 2nd inorganic powder containing resin layer, and a resist film. According to this formation method, an inorganic powder-containing resin layer and a resist film having excellent film thickness uniformity can be easily formed, and the pattern shape can be improved, and the process can be simplified.

또한, 상기 전사 조건은 상기 [1] 제1 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정과 마찬가지의 조건을 들 수 있다. Moreover, the said transfer conditions are the same conditions as the formation process of the said [1] 1st inorganic powder containing resin layer.

[3] 노광 공정 [3] exposure steps

이 공정에서는 제조 방법 I에 있어서 감광성의 제2 무기 분체 함유 수지층의 표면에, 그리고 제조 방법 Ⅱ에서는 레지스트막의 표면에, 노광용 마스크를 통해 자외선 등의 방사선의 선택적 조사 (노광)를 행하여 패턴의 잠상을 형성한다. In this step, selective exposure of radiation such as ultraviolet rays (exposure) is performed on the surface of the photosensitive second inorganic powder-containing resin layer in Manufacturing Method I and on the surface of the resist film in Manufacturing Method II through exposure mask to expose the latent image of the pattern. To form.

여기에 방사선 조사 장치로서는 상기 포트리소그래피법으로 사용되고 있는 자외선 조사 장치, 반도체 및 액정 표시 장치를 제조할 때 사용되고 있는 노광 장치 등이 사용되지만 특히 한정되는 것이 아니다. Although the ultraviolet irradiation device used by the said photolithographic method, the exposure apparatus used when manufacturing a semiconductor, and a liquid crystal display device, etc. are used here, it is not specifically limited.

또한, 제2 무기 분체 함유 수지층 또는 레지스트막을 전사에 의해서 형성한 경우에는 제2 무기 분체 함유 수지층 또는 레지스트막 상의 지지 필름을 박리하지않은 상태로 노광하고, 노광 후에 지지 필름을 박리할 수 있다. 지지 필름을 박리하지 않고 노광함으로써 노광용 마스크의 오염을 방지할 수 있고, 또한 노광시의 산소 장해에 의한 결착 수지의 경화 속도의 저하를 방지할 수 있다. When the second inorganic powder-containing resin layer or the resist film is formed by transfer, the supporting film on the second inorganic powder-containing resin layer or the resist film is exposed without being peeled off, and the supporting film can be peeled off after the exposure. . By exposing a support film without peeling, it can prevent contamination of the mask for exposure, and can also prevent the fall of the hardening rate of the binder resin by oxygen interference at the time of exposure.

[4] 제2 무기 분체 함유 수지층의 현상 공정 (제조 방법 I)[4] Process for developing second inorganic powder-containing resin layer (Manufacturing Method I)

이 공정에서는 노광된 제2 무기 분체 함유 수지층을 현상 처리함으로써 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성한다. In this step, a pattern of the second inorganic powder-containing resin layer is formed on the first inorganic powder-containing resin layer by developing the exposed second inorganic powder-containing resin layer.

여기서, 현상 처리 조건으로서는 제2 무기 분체 함유 수지층의 종류에 따라, 현상액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법 (예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 스프레이법, 퍼들법 등), 현상 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다. Here, as the developing treatment conditions, depending on the type of the second inorganic powder-containing resin layer, the type, composition, and concentration of the developing solution, the developing time, the developing temperature, the developing method (for example, the dipping method, the shaking method, the shower method, the spray method, Puddle method), a developing apparatus, etc. can be selected suitably.

[4-1] 레지스트막의 현상 공정 (제조 방법 Ⅱ)[4-1] Development process of resist film (Manufacturing Method II)

이 공정에서는 노광된 레지스트막을 현상 처리함으로써, 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트 패턴을 형성한다. In this step, the exposed resist film is developed to form a resist pattern on the second inorganic powder-containing resin layer.

여기서, 현상 처리 조건으로서는 레지스트막의 종류에 따라서 현상액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법 (예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 스프레이법, 퍼들법 등), 현상 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다. Here, as the developing treatment conditions, the type, composition, and concentration of the developing solution, the developing time, the developing temperature, the developing method (for example, the dipping method, the shaking method, the shower method, the spray method, the puddle method, and the like) according to the type of the resist film, the developing apparatus Etc. can be selected as appropriate.

[4-2] 제2 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정 (제조 방법 Ⅱ)[4-2] Etching Step of Second Inorganic Powder-Containing Resin Layer (Manufacturing Method II)

이 공정에서는 제2 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하고 레지스트 패턴에 대응하는 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성한다. In this step, the second inorganic powder-containing resin layer is etched to form a second inorganic powder-containing resin layer pattern corresponding to the resist pattern on the first inorganic powder-containing resin layer.

즉, 제2 무기 분체 함유 수지층 중, 레지스트 패턴의 레지스트 제거부에 대응하는 부분이 에칭액에 용해되어 선택적으로 제거된다. 그리고 에칭 처리를 계속하면 제2 무기 분체 함유 수지층에 있어서 레지스트 제거부에 대응하는 부분에서 제1 무기 분체 함유 수지층 표면이 노출된다. That is, the part corresponding to the resist removal part of a resist pattern among a 2nd inorganic powder containing resin layer melt | dissolves in an etching liquid, and is selectively removed. Then, if the etching process is continued, the surface of the first inorganic powder-containing resin layer is exposed at the portion corresponding to the resist removing portion in the second inorganic powder-containing resin layer.

여기서, 에칭 처리 조건으로서는 제2 무기 분체 함유 수지층의 종류 등에 따라서 에칭액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 처리 시간, 처리 온도, 처리 방법 (예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 스프레이법, 퍼들법), 처리 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다. Here, as the etching treatment conditions, the type, composition, and concentration of the etching liquid, the treatment time, the treatment temperature, the treatment method (for example, the dipping method, the shaking method, the shower method, the spray method, and the puddle, depending on the type of the second inorganic powder-containing resin layer, etc. Method), a processing apparatus, etc. can be selected suitably.

또한, 에칭액으로서 현상 공정에서 사용한 현상액과 동일한 용액을 사용할 수 있도록 레지스트막 및 제2 무기 분체 함유 수지층의 종류를 선택함으로써 현상 공정과, 에칭 공정을 연속적으로 실시할 수 있으며, 공정의 간략화에 의한 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다. In addition, by selecting the type of the resist film and the second inorganic powder-containing resin layer so that the same solution as that used in the developing step can be used as the etching solution, the developing step and the etching step can be carried out continuously. The manufacturing efficiency can be improved.

여기서, 레지스트 패턴을 구성하는 레지스트 잔류부는 에칭 처리시에 서서히 용해되고, 제2 무기 분체 함유 수지층이 형성된 단계 (에칭 처리의 종료 시간)로 완전히 제거되는 것이 바람직하다. Here, it is preferable that the resist residual part which comprises a resist pattern is melt | dissolved gradually at the time of an etching process, and is completely removed by the step (end time of an etching process) in which the 2nd inorganic powder containing resin layer was formed.

또한, 에칭 처리 후에 레지스트 잔류부의 일부 또는 전부가 잔류되어 있어도 해당 레지스트 잔류부는 다음 소성 공정에서 제거된다. In addition, even if some or all of the resist remaining portion remains after the etching treatment, the resist remaining portion is removed in the next firing step.

[5] 소성 공정 [5] firing processes

이 공정에서는 제1 무기 분체 함유 수지층 및 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 일괄 소성 처리하고, 제1 및 제2 무기 분체 함유 수지층 (잔류부) 중의 유기 물질을 소실시켜 무기막 상에 무기의 패턴을 형성한다. In this step, the first inorganic powder-containing resin layer and the second inorganic powder-containing resin layer pattern formed on the first inorganic powder-containing resin layer are collectively baked, and the first and second inorganic powder-containing resin layers (residual part) The organic substance in the inside is lost, and an inorganic pattern is formed on an inorganic film.

여기서, 소성 처리의 온도로서는 무기 분체 함유 수지층 (잔류부) 중의 유기물질이 소실되는 온도일 것이 필요하고, 통상 400 내지 600 ℃이다. 또한, 소성 시간은 통상 10 내지 90 분간이다. Here, as the temperature of the baking treatment, it is necessary to be a temperature at which the organic substance in the inorganic powder-containing resin layer (residual portion) disappears, and is usually 400 to 600 ° C. In addition, baking time is 10 to 90 minutes normally.

이하, 상기 각 공정에 사용되는 재료, 각종 조건 등에 대해서 설명한다. Hereinafter, the material used for each said process, various conditions, etc. are demonstrated.

<기판> <Substrate>

기판 재료로서는 예를 들면 유리, 실리콘, 폴리카보네이트, 폴리에스테르, 방향족 아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 등의 절연성 재료로 이루어지는 판형 부재를 들 수 있다. 이 판형 부재의 표면에 대해서는 필요에 따라 실란 커플링제 등에 의한 약품 처리; 플라즈마 처리; 이온 플레이팅법, 스퍼터링법, 기상 반응법, 진공 증착법 등에 의한 박막 형성 처리와 같은 적절한 전처리를 실시할 수 있다. As a board | substrate material, the plate-shaped member which consists of insulating materials, such as glass, silicone, polycarbonate, polyester, aromatic amide, polyamideimide, polyimide, is mentioned, for example. About the surface of this plate-shaped member, Chemical treatment with a silane coupling agent etc. as needed; Plasma treatment; Suitable pretreatment such as thin film formation treatment by ion plating method, sputtering method, vapor phase reaction method, vacuum deposition method or the like can be performed.

또한, 본 발명에 있어서는 기판으로서 내열성을 갖는 유리를 사용하는 것이 바람직하다. 유리 기판으로서는 예를 들면 아사히 가라스(주) 제조 PD200을 바람직한 것으로 하여 들 수 있다. In addition, in this invention, it is preferable to use glass which has heat resistance as a board | substrate. As a glass substrate, Asahi Glass Co., Ltd. product PD200 is mentioned as a preferable thing, for example.

<제1 무기 분체 함유 수지층> <1st inorganic powder containing resin layer>

본 발명의 제조 방법에 사용되는 제1 무기 분체 함유 수지층은 무기 분체, 결착 수지 및 용제를 함유하여 이루어지는 페이스트형의 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포하고, 도포막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다. 본 발명의 제조 방법에 바람직하게 이용되는 전사 필름은 지지 필름 상에 상기 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포, 건조하여 제1 무기 분체 함유 수지층을 형성하여 얻어지는 것으로, 해당 제1 무기 분체 함유 수지층의 표면에 보호 필름층을 설치할 수 있다. The 1st inorganic powder containing resin layer used for the manufacturing method of this invention apply | coats the paste-type inorganic powder containing resin composition containing inorganic powder, binder resin, and a solvent, and dries a coating film, and removes some or all of a solvent. It can form by doing. The transfer film used for the manufacturing method of this invention is obtained by apply | coating and drying the said inorganic powder containing resin composition on a support film, and forming a 1st inorganic powder containing resin layer, and of the said 1st inorganic powder containing resin layer A protective film layer can be provided on the surface.

또한, 본 발명의 제조 방법에 사용되는 제1 무기 분체 함유 수지층은 유전체형성 재료층인 것이 바람직하다. Moreover, it is preferable that the 1st inorganic powder containing resin layer used for the manufacturing method of this invention is a dielectric formation material layer.

(1) 제1 무기 분체 함유 수지 조성물(1) 1st inorganic powder containing resin composition

본 발명에 있어서 제1 무기 분체 함유 수지 조성물은 무기 분체, 결착 수지 및 용제를 필수 성분으로 하는 통상 비감광성의 조성물이다. In this invention, a 1st inorganic powder containing resin composition is a normal non-photosensitive composition which uses an inorganic powder, a binder resin, and a solvent as an essential component.

(a) 무기 분체 (a) inorganic powder

제1 무기 분체 함유 수지 조성물에 사용되는 무기 분체는 형성하는 패턴 재료의 종류에 따라 다르지만 유전체층을 형성하기 위한 유리 프릿을 함유하는 것이 바람직하다. Although the inorganic powder used for a 1st inorganic powder containing resin composition changes with kinds of pattern material to form, it is preferable to contain the glass frit for forming a dielectric layer.

상기 유리 프릿의 조성으로서는 예를 들면 (1) 산화 납, 산화 붕소, 산화 규소 (PbO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, (2) 산화 아연, 산화 붕소, 산화 규소 (ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, (3) 산화 납, 산화 붕소, 산화 규소, 산화 알루미늄 (PbO-B2O3-SiO2-Al2O3계)의 혼합물, (4) 산화 납, 산화 아연, 산화 붕소, 산화 규소 (PbO-ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물 등을 들 수 있다. 또한, 상기 이외에도 플라즈마 디스플레이의 유전체층 형성에 적합한 조성의 유리 프릿을 사용할 수 있다. Examples of the composition of the glass frit include (1) a mixture of lead oxide, boron oxide, and silicon oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 based), (2) zinc oxide, boron oxide, and silicon oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 system), (3) lead oxide, boron oxide, silicon oxide, a mixture of aluminum oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 system), (4) lead oxide And a mixture of zinc oxide, boron oxide, and silicon oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 type ). In addition to the above, a glass frit having a composition suitable for forming a dielectric layer of a plasma display can be used.

유리 프릿의 연화점으로서는 통상 400 내지 600 ℃의 범위 내이다. 유리 프릿의 연화점이 400 ℃ 미만인 경우에는, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 의한 소성 공정에서 제1 무기 분체 함유 수지층에 포함되는 결착 수지 등의 유기 물질이 완전히 분해 제거되지 않은 단계에서 유리 프릿이 용융되어 버리기 때문에 형성되는 유전체층 중에 유기 물질의 일부가 잔류하고 이 결과, 유전체층이 착색되어 그 광투과율이 저하되는 경향이 있다. 한편, 유리 프릿의 연화점이 600 ℃를 초과할 경우에는 600 ℃보다 고온으로 소성할 필요가 있기 때문에, 유리 기판에 비틀림 등이 발생되기 쉽다. 또한, 높은 광투과율을 갖는 유전체층을 형성하기 때문에 유리 프릿의 연화점으로서는 450 내지 550 ℃ 인 것이 바람직하다. As a softening point of a glass frit, it exists in the range of 400-600 degreeC normally. When the softening point of the glass frit is less than 400 ° C., the glass is formed at a step in which organic substances such as binder resins contained in the first inorganic powder-containing resin layer are not completely decomposed and removed in the firing step by the method for manufacturing a plasma display panel of the present invention. Since the frit melts, a part of the organic material remains in the dielectric layer formed, and as a result, the dielectric layer tends to be colored and the light transmittance tends to be lowered. On the other hand, when the softening point of a glass frit exceeds 600 degreeC, since it needs to bake at higher temperature than 600 degreeC, distortion etc. are easy to generate | occur | produce in a glass substrate. Moreover, since the dielectric layer which has a high light transmittance is formed, it is preferable that it is 450-550 degreeC as a softening point of a glass frit.

유리 프릿의 평균 입경 (median 직경)으로서는 통상 O.1 내지 1O ㎛의 것이 사용되지만 바람직하게는 1.0 내지 3.0 ㎛이다. 유리 프릿의 평균 입경이 1.O ㎛미만인 경우에는, 얻어지는 조성물을 사용하여 형성되는 본 발명의 제조 방법에 바람직하게 사용되는 전사 필름에 있어서 제1 무기 분체 함유 수지층의 가소성을 충분히 향상시킬 수 없다. 또한, 유리 프릿의 평균 입경이 3.0 ㎛을 초과할 경우에는 형성되는 유전체층의 균일성이 손상될 우려가 있다. 또한, 유리 프릿의 평균 입경은 보다 바람직하게는 1.5 내지 3.O ㎛이다. 여기서 「유리 프릿의 평균 입경」은 레이저 회절법에 의해 측정된 입경으로부터 구하여 지는 값을 가리키는 것으로 한다. As an average particle diameter (median diameter) of a glass frit, the thing of 0.1-10 micrometers is used normally, Preferably it is 1.0-3.0 micrometers. When the average particle diameter of glass frit is less than 1.0 micrometer, the plasticity of the 1st inorganic powder containing resin layer cannot fully be improved in the transfer film used preferably for the manufacturing method of this invention formed using the composition obtained. . Moreover, when the average particle diameter of a glass frit exceeds 3.0 micrometers, there exists a possibility that the uniformity of the dielectric layer formed may be impaired. In addition, the average particle diameter of the glass frit is more preferably 1.5 to 3.0 mu m. Here, "the average particle diameter of a glass frit" shall refer to the value calculated | required from the particle diameter measured by the laser diffraction method.

제1 무기 분체 함유 수지 조성물에 사용되는 무기 분체는 유리 프릿과 Cr 등의 금속, 무기 안료, 세라믹 등의 임의의 다른 무기 분체를 함유하는 것일 수 있다. (a) 무기 분체 중에 있어서 유리 프릿의 함유량은 무기 분체 100 질량부중, 통상 80 내지 100 질량부이다. The inorganic powder used for the first inorganic powder-containing resin composition may contain glass frit and any other inorganic powder such as metals such as Cr, inorganic pigments and ceramics. (a) In an inorganic powder, content of a glass frit is 80-100 mass parts normally in 100 mass parts of inorganic powders.

(b) 결착 수지 (b) binder resin

제1 무기 분체 함유 수지층에 있어서 결착 수지는 아크릴 수지인 것이 바람직하다. 결착 수지로서 아크릴 수지가 함유되어 있으므로써 본 발명의 제조 방법에 바람직하게 사용되는 전사 필름이, 기판에 대한 우수한 (가열) 접착성을 갖는 것이 된다. 따라서 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 지지 필름 상에 도포하고 전사 필름을 제조하는 경우에 있어서, 얻어지는 전사막은 제1 무기 분체 함유 수지층의 전사성 (기판으로의 가열 접착성)이 우수한 것이 된다. In the first inorganic powder-containing resin layer, the binder resin is preferably an acrylic resin. Since an acrylic resin is contained as a binder resin, the transfer film used preferably for the manufacturing method of this invention becomes what has the outstanding (heating) adhesiveness to a board | substrate. Therefore, when apply | coating a 1st inorganic powder containing resin composition on a support film and manufacturing a transfer film, the transfer film obtained becomes what is excellent in the transfer property (heat adhesiveness to a board | substrate) of a 1st inorganic powder containing resin layer.

제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 아크릴 수지로서는 적절한 점착성을 가지고 무기 분체를 결착시킬 수 있고, 막 형성 재료의 소성 처리 (400 ℃ 내지 600 ℃)에 의해 완전히 산화 제거되는 (공)중합체의 중에서 선택된다. As an acrylic resin which comprises a 1st inorganic powder containing resin composition, it can bind an inorganic powder with appropriate adhesiveness, and is in the (co) polymer completely oxidized and removed by the baking process (400 degreeC-600 degreeC) of a film formation material. Is selected.

또한, 상기 아크릴 수지는 알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성의 수지인 것이 바람직하다. 여기서 말하는 「알칼리 불용성 또는 알칼리 난용성」이란, 본 발명에서 제2 무기 분체 함유 수지층의 현상 또는 에칭 조건하에서, 해당 제2 무기 분체 함유 수지층 대신에 상기 아크릴 수지만을 사용한 피막을 현상한 경우에, 해당 피막의 초기 막 두께의 50 % 이상, 특히 바람직하게는 90 % 이상이 현상 후에 잔존하는 성질을 의미한다. Moreover, it is preferable that the said acrylic resin is alkali insoluble or alkali poorly soluble resin. The term &quot; alkali insoluble or alkali poorly soluble &quot; used herein refers to developing a film using only the acrylic resin in place of the second inorganic powder-containing resin layer under development or etching conditions of the second inorganic powder-containing resin layer. Means a property in which 50% or more, particularly preferably 90% or more of the initial film thickness of the coating film remains after development.

이러한 아크릴 수지에는 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 단독 중합체, 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 2종 이상의 공중합체, 및 하기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물과 공중합성 단량체의 공중합체가 포함된다. Such acrylic resins include homopolymers of (meth) acrylate compounds represented by the following formula (1), two or more copolymers of (meth) acrylate compounds represented by the following formula (1), and (meth) acryl represented by the following formula (1): Copolymers of late compounds and copolymerizable monomers are included.

Figure 112008056432103-PAT00001
Figure 112008056432103-PAT00001

식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 1가의 유기기를 나타 낸다.In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 represents a monovalent organic group.

상기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물의 구체적인 예로서는 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 아밀(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트; Specific examples of the (meth) acrylate compound represented by Formula 1 include methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, and butyl (meth) acrylate. , Isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth ) Acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate Alkyl (meth) acrylates such as undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, and isostearyl (meth) acrylate;

히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트; Hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth) acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as acrylate and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate;

페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이트 등의 페녹시알킬(메트)아크릴레이트; Phenoxyalkyl (meth) acrylates such as phenoxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate;

2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-프로폭시에틸(메트)아크릴레이트, 2-부톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-메톡시부틸(메트)아크릴레이트 등의 알콕시알킬(메트)아크릴레이트;2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2-propoxyethyl (meth) acrylate, 2-butoxyethyl (meth) acrylate, 2-methoxybutyl ( Alkoxyalkyl (meth) acrylates such as meth) acrylate;

폴리에틸렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜(메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜모노(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 에톡시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜(메트)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜(메트)아크릴레이트; Polyethylene glycol mono (meth) acrylate, ethoxy diethylene glycol (meth) acrylate, methoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, phenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxy polyethylene glycol (meth) acrylate, Polyalkylene glycols such as polypropylene glycol mono (meth) acrylate, methoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, ethoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, and nonylphenoxy polypropylene glycol (meth) acrylate ( Meth) acrylates;

시클로헥실(메트)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐(메트)아크릴레이트, 보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트 등의 시클로알킬(메트)아크릴레이트; Cyclohexyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylate, dicyclopentadienyl (meth) acrylate, bor Cycloalkyl (meth) acrylates such as niel (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate and tricyclodecanyl (meth) acrylate;

벤질(메트)아크릴레이트, 테트라히드로푸르푸릴(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. Benzyl (meth) acrylate, tetrahydrofurfuryl (meth) acrylate, etc. are mentioned.

이들 중, 상기 화학식 1 중, R2로 표시되는 기가, 알킬기 또는 알콕시알킬기를 함유하는 기인 것이 바람직하고, 특히 바람직한 (메트)아크릴레이트 화합물로서 부틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트 및 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트를 들 수 있다. 다른 공중합성 단량체로서는 상기(메트)아크릴레이트 화합물과 공중합 가능한 화합물이면 특히 제한은 없지만 예를 들면 (메트)아크릴산, 비닐벤조산, 말레산, 비닐프탈산 등의 불포화 카르복실산류; 비닐벤질메틸에테르, 비닐글리시딜에테르, 스티렌, α-메틸스티렌, 부타디엔, 이소프렌 등의 비닐기 함유 라디칼 중합성 화합물을 들 수 있다. Of these, the group represented by R 2 in the above formula (1) is preferably a group containing an alkyl group or an alkoxyalkyl group, and butyl (meth) acrylate and 2-ethylhexyl (meth) as particularly preferred (meth) acrylate compounds Acrylate, lauryl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, and 2-ethoxyethyl (meth) acrylate. As another copolymerizable monomer, if it is a compound copolymerizable with the said (meth) acrylate compound, there will be no restriction | limiting in particular, For example, Unsaturated carboxylic acids, such as (meth) acrylic acid, vinylbenzoic acid, maleic acid, vinylphthalic acid; And vinyl group-containing radically polymerizable compounds such as vinyl benzyl methyl ether, vinyl glycidyl ether, styrene, α-methyl styrene, butadiene and isoprene.

제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 아크릴 수지에 있어서, 상기 화학식 1로 표시되는 (메트)아크릴레이트 화합물 유래의 공중합 성분은 통상 70 질량% 이상, 바람직하게는 90 질량% 이상이다. 또한, 상기 화학식 1 중, R2로 표시되는 기가 알킬기 또는 옥시알킬렌기를 함유하는 기인 (메트)아크릴레이트 화합물 유래의 공중합 성분이 50 질량% 이상, 특히 바람직하게는 80 질량% 이상 포함되는 아크릴 수지가 보다 바람직하다. In the acrylic resin which comprises a 1st inorganic powder containing resin composition, the copolymerization component derived from the (meth) acrylate compound represented by the said General formula (1) is 70 mass% or more normally, Preferably it is 90 mass% or more. Moreover, the acrylic resin which contains 50 mass% or more, especially preferably 80 mass% or more of copolymerization components derived from the (meth) acrylate compound in which the group represented by R <2> contains an alkyl group or an oxyalkylene group in the said General formula (1). Is more preferable.

특히 바람직한 아크릴 수지의 구체적인 예로서는 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트, 메틸메타크릴레이트-부틸메타크릴레이트 공중합체 등을 예시할 수 있다. Specific examples of particularly preferable acrylic resins include polymethyl methacrylate, polybutyl methacrylate, methyl methacrylate-butyl methacrylate copolymer, and the like.

제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 아크릴 수지의 분자량으로서는 GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량 (이하, 「Mw」라고도 한다)으로서 4,000 내지 300,000인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 200,000이다. As a molecular weight of the acrylic resin which comprises a 1st inorganic powder containing resin composition, it is preferable that it is 4,000-300,000 as a weight average molecular weight (henceforth "Mw") in polystyrene conversion by GPC, More preferably, it is 10,000-200,000. .

제1 무기 분체 함유 수지 조성에 있어서 결착 수지의 함유 비율로서는 무기 분체 100 질량부에 대하여, 5 내지 50 질량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5 내지 25 질량부이다. 결착 수지의 비율이 과소한 경우에는 무기 분체를 확실하게 결착 유지할 수 없고, 한편 이 비율이 과대한 경우에는 소성시 유기 성분의 제거가 곤란하게 된다. As a content rate of binder resin in 1st inorganic powder containing resin composition, it is preferable that it is 5-50 mass parts with respect to 100 mass parts of inorganic powder, More preferably, it is 5-25 mass parts. When the ratio of the binder resin is too small, the inorganic powder cannot be reliably bound and maintained. On the other hand, when this ratio is excessive, it is difficult to remove the organic component during firing.

(c) 용제 (c) solvent

제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 용제로서는 유리 프릿 등의 무기 분체와의 친화성, 결착 수지의 용해성이 양호하고, 무기 분체 함유 수지 조성물에 적절한 점성을 부여할 수 있음과 동시에 건조됨으로써 용이하게 증발 제거할 수 있는 것이 바람직하다. As a solvent which comprises a 1st inorganic powder containing resin composition, it has favorable affinity with inorganic powders, such as glass frit, and solubility of a binder resin, can impart moderate viscosity to an inorganic powder containing resin composition, and is easy to dry. It is desirable to be able to evaporate off.

또한, 특히 바람직한 용제로서 표준 비점 (1 기압에서의 비점)이 100 내지 200 ℃인 케톤류, 알코올류 및 에스테르류 (이하, 이들을 「특정 용제」라고 한다)를 들 수 있다. Moreover, ketones, alcohols, and esters (hereinafter, these are called "a specific solvent") whose standard boiling point (boiling point at 1 atmosphere) are 100-200 degreeC as an especially preferable solvent are mentioned.

이러한 특정 용제의 구체적인 예로서는 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; n-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 시클로헥산올, 디아세톤알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 에테르계 알코올류; 아세트산-n-부틸, 아세트산아밀 등의 포화 지방족 모노카르복실산알킬에스테르류; 락트산에틸, 락트산-n-부틸 등의 락트산에스테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등의 에테르계 에스테르류 등을 예시할 수 있고, 이들 중 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알코올, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 락트산에틸, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등이 바람직하 다. 이러한 특정 용제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. Specific examples of such specific solvents include ketones such as diethyl ketone, methyl butyl ketone, dipropyl ketone and cyclohexanone; alcohols such as n-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, cyclohexanol and diacetone alcohol; Ether alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether; Saturated aliphatic monocarboxylic acid alkyl esters such as acetic acid-n-butyl and amyl acetate; Lactic acid esters such as ethyl lactate and n-butyl lactate; Ether esters such as methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and ethyl-3-ethoxypropionate; and the like, among them, methyl butyl ketone and cyclohexanone Preferred are diacetone alcohol, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl-3-ethoxypropionate and the like. These specific solvents can be used individually or in combination of 2 or more types.

특정 용제 이외의 용제의 구체적인 예로서는 테레빈 오일, 에틸셀로솔브, 메틸셀로솔브, 테르피네올, 부틸카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨, 이소프로필알코올, 벤질알코올 등을 들 수 있다. Specific examples of solvents other than the specific solvents include terebin oil, ethyl cellosolve, methyl cellosolve, terpineol, butyl carbitol acetate, butyl carbitol, isopropyl alcohol, benzyl alcohol, and the like.

제1 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서 용제의 함유 비율로서는 제1 무기 분체 함유 수지 조성물의 점도를 적합한 범위에 유지하는 관점에서 유리 프릿 등의 무기 분체 100 질량부에 대하여, 1 내지 50 질량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 5 내지 40 질량부이다. It is preferable that it is 1-50 mass parts with respect to 100 mass parts of inorganic powders, such as glass frit, from a viewpoint of maintaining the viscosity of a 1st inorganic powder containing resin composition in a suitable range as a content rate of a solvent in a 1st inorganic powder containing resin composition. More preferably, it is 5-40 mass parts.

또한, 전 용제에 대한 특정 용제의 함유 비율은 50 질량% 이상인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 70 질량% 이상이다. Moreover, it is preferable that the content rate of the specific solvent with respect to all the solvents is 50 mass% or more, More preferably, it is 70 mass% or more.

상기 성분 이외에, 제1 무기 분체 함유 수지 조성물에는 무기 분체의 분산 안정성 향상의 목적으로 실릴기 함유 화합물이 함유될 수 있다. 해당 실릴기 함유 화합물로서는 하기 화학식 2로 표시되는 실릴기 함유 화합물 [포화 알킬기 함유 (알킬)알콕시실란]이 바람직하다. In addition to the above components, the first inorganic powder-containing resin composition may contain a silyl group-containing compound for the purpose of improving the dispersion stability of the inorganic powder. As the silyl group-containing compound, a silyl group-containing compound [saturated alkyl group-containing (alkyl) alkoxysilane] represented by the following formula (2) is preferable.

Figure 112008056432103-PAT00002
Figure 112008056432103-PAT00002

식 중, p는 3 내지 20의 정수, m은 1 내지 3의 정수, n은 1 내지 3의 정수, 그리고 a는 1 내지 3의 정수이다. In formula, p is an integer of 3-20, m is an integer of 1-3, n is an integer of 1-3, and a is an integer of 1-3.

상기 화학식 2에 있어서, 포화 알킬기의 탄소수를 나타내는 p는 3 내지 20의 정수이고, 바람직하게는 4 내지 16의 정수이다. In the said Formula (2), p which shows the carbon number of a saturated alkyl group is an integer of 3-20, Preferably it is an integer of 4-16.

p가 3 미만인 포화 알킬기 함유 (알킬)알콕시실란을 함유시켜도, 얻어지는 형막 형성 재료층에 있어서 충분한 가소성이 발현되지 않는 경우가 있다. 한편, p의 값이 20을 초과하는 포화 알킬기 함유 (알킬)알콕시실란은 분해 온도가 높고, 본 발명의 플라즈마 디스플레이의 제조 방법에 의한 소성 공정에서, 유기 물질 (상기 실란 유도체)이 완전히 분해 제거되지 않은 상태로, 형성되는 유전체층 등의 무기층중에 유기 물질의 일부가 잔류되고, 이 결과, 유전체층의 경우에 있어서는 광 투과율이 저하되는 경우가 있다. Even if p contains a saturated alkyl group-containing (alkyl) alkoxysilane having less than 3, sufficient plasticity may not be expressed in the resulting film-forming material layer. On the other hand, saturated alkyl group-containing (alkyl) alkoxysilanes having a p value of more than 20 have a high decomposition temperature, and organic materials (the silane derivatives) are not completely decomposed and removed in the firing process by the method for producing a plasma display of the present invention. In a non-existent state, a part of organic substance remains in inorganic layers, such as a dielectric layer formed, and as a result, light transmittance may fall in the case of a dielectric layer.

상기 화학식 2로 표시되는 실릴기 함유 화합물의 구체적인 예로서는 n-프로필디메틸메톡시실란, n-부틸디메틸메톡시실란, n-데실디메틸메톡시실란, n-헥사데실디메틸메톡시실란, n-에이코실디메틸메톡시실란 등의 포화 알킬디메틸메톡시실란류 (a=1, m=1, n= 1); Specific examples of the silyl group-containing compound represented by the formula (2) include n-propyldimethylmethoxysilane, n-butyldimethylmethoxysilane, n-decyldimethylmethoxysilane, n-hexadecyldimethylmethoxysilane, n-ecosil Saturated alkyldimethylmethoxysilanes such as dimethylmethoxysilane (a = 1, m = 1, n = 1);

n-프로필디에틸메톡시실란, n-부틸디에틸메톡시실란, n-데실디에틸메톡시실란, n-헥사데실디에틸메톡시실란, n-에이코실디에틸메톡시실란 등의 포화 알킬디에틸메톡시실란류 (a=1, m=1, n= 2); saturated alkyl di such as n-propyldiethylmethoxysilane, n-butyldiethylmethoxysilane, n-decyldiethylmethoxysilane, n-hexadecyldiethylmethoxysilane, n-ecosyldiethylmethoxysilane Ethylmethoxysilanes (a = 1, m = 1, n = 2);

n-부틸디프로필메톡시실란, n-데실디프로필메톡시실란, n-헥사데실디프로필메톡시실란, n-에이코실디프로필메톡시실란 등의 포화 알킬디프로필메톡시실란류 (a=1, m=1, n=3); saturated alkyldipropyl methoxysilanes such as n-butyldipropylmethoxysilane, n-decyldipropylmethoxysilane, n-hexadecyldipropylmethoxysilane and n-ecosyldipropylmethoxysilane (a = 1 , m = 1, n = 3);

n-프로필디메틸에톡시실란, n-부틸디메틸에톡시실란, n-데실디메틸에톡시실란, n-헥사데실디메틸에톡시실란, n-에이코실디메틸에톡시실란 등의 포화 알킬디메 틸에톡시실란류 (a=1, m=2, n=1); Saturated alkyl dimethyl ethoxysilane, such as n-propyl dimethyl ethoxysilane, n-butyl dimethyl ethoxy silane, n-decyl dimethyl ethoxy silane, n-hexadecyl dimethyl ethoxy silane, n-eicosyl dimethyl ethoxy silane, etc. The class (a = 1, m = 2, n = 1);

n-프로필디에틸에톡시실란, n-부틸디에틸에톡시실란, n-데실디에틸에톡시실란, n-헥사데실디에틸에톡시실란, n-에이코실디에틸에톡시실란 등의 포화 알킬디에틸에톡시실란류 (a=1, m=2, n=2); Saturated alkyl di, such as n-propyldiethylethoxysilane, n-butyldiethylethoxysilane, n-decyldiethylethoxysilane, n-hexadecyldiethylethoxysilane, and n-eicosyldiethylethoxysilane Ethyl ethoxysilanes (a = 1, m = 2, n = 2);

n-부틸디프로필에톡시실란, n-데실디프로필에톡시실란, n-헥사데실디프로필에톡시실란, n-에이코실디프로필에톡시실란 등의 포화 알킬디프로필에톡시실란류 (a=1, m=2, n=3); saturated alkyldipropylethoxysilanes such as n-butyldipropylethoxysilane, n-decyldipropylethoxysilane, n-hexadecyldipropylethoxysilane and n-ecosyldipropylethoxysilane (a = 1 , m = 2, n = 3);

n-프로필디메틸프로폭시실란, n-부틸디메틸프로폭시실란, n-데실디메틸프로폭시실란, n-헥사데실디메틸프로폭시실란, n-에이코실디메틸프로폭시실란 등의 포화 알킬디메틸프로폭시실란류 (a=1, m=3, n=1); Saturated alkyl dimethyl propoxy silanes, such as n-propyl dimethyl propoxy silane, n-butyl dimethyl propoxy silane, n-decyl dimethyl propoxy silane, n-hexadecyl dimethyl propoxy silane, n-eicosyl dimethyl propoxy silane, etc. (a = 1, m = 3, n = 1);

n-프로필디에틸프로폭시실란, n-부틸디에틸프로폭시실란, n-데실디에틸프로폭시실란, n-헥사데실디에틸프로폭시실란, n-에이코실디에틸프로폭시실란 등의 포화 알킬디에틸프로폭시실란류 (a=1, m=3, n=2); Saturated alkyl di, such as n-propyl diethyl propoxy silane, n-butyl diethyl propoxy silane, n-decyl diethyl propoxy silane, n-hexadecyl diethyl propoxy silane, and n-ecosyl diethyl propoxy silane Ethyl propoxysilanes (a = 1, m = 3, n = 2);

n-부틸디프로필프로폭시실란, n-데실디프로필프로폭시실란, n-헥사데실디프로필프로폭시실란, n-에이코실디프로필프로폭시실란 등의 포화 알킬디프로필프로폭시실란류 (a=1, m=3, n=3); Saturated alkyl dipropyl propoxy silanes, such as n-butyl dipropyl propoxy silane, n-decyl dipropyl propoxy silane, n-hexadecyl dipropyl propoxy silane, and n-eicosyl dipropyl propoxy silane (a = 1 , m = 3, n = 3);

n-프로필메틸디메톡시실란, n-부틸메틸디메톡시실란, n-데실메틸디메톡시실란, n-헥사데실메틸디메톡시실란, n-에이코실메틸디메톡시실란 등의 포화 알킬메틸디메톡시실란류 (a=2, m=1, n=1); Saturated alkyl methyl dimethoxy silanes, such as n-propylmethyldimethoxysilane, n-butylmethyldimethoxysilane, n-decylmethyldimethoxysilane, n-hexadecylmethyldimethoxysilane, and n-eicosylmethyldimethoxysilane (a = 2, m = 1, n = 1);

n-프로필에틸디메톡시실란, n-부틸에틸디메톡시실란, n-데실에틸디메톡시실 란, n-헥사데실에틸디메톡시실란, n-에이코실에틸디메톡시실란 등의 포화 알킬에틸디메톡시실란류 (a=2, m=1, n=2); Saturated alkyl ethyl dimethoxy silane, such as n-propyl ethyl dimethoxy silane, n-butyl ethyl dimethoxy silane, n-decyl ethyl dimethoxy silane, n-hexadecyl ethyl dimethoxy silane, and n-ecosyl ethyl dimethoxy silane The class (a = 2, m = 1, n = 2);

n-부틸프로필디메톡시실란, n-데실프로필디메톡시실란, n-헥사데실프로필디메톡시실란, n-에이코실프로필디메톡시실란 등의 포화 알킬프로필디메톡시실란류 (a=2, m=1, n=3) Saturated alkyl propyl dimethoxy silanes, such as n-butyl propyl dimethoxy silane, n-decyl propyl dimethoxy silane, n-hexadecyl propyl dimethoxy silane, and n-eicosyl propyl dimethoxy silane (a = 2, m = 1). , n = 3)

n-프로필메틸디에톡시실란, n-부틸메틸디에톡시실란, n-데실메틸디에톡시실란, n-헥사데실메틸디에톡시실란, n-에이코실메틸디에톡시실란 등의 포화 알킬메틸디에톡시실란 (a=2, m=2, n=1); Saturated alkylmethyl diethoxysilane, such as n-propylmethyl diethoxysilane, n-butylmethyl diethoxysilane, n-decylmethyl diethoxysilane, n-hexadecylmethyl diethoxysilane, and n-eicosylmethyl diethoxysilane ( a = 2, m = 2, n = 1);

n-프로필에틸디에톡시실란, n-부틸에틸디에톡시실란, n-데실에틸디에톡시실란, n-헥사데실에틸디에톡시실란, n-에이코실에틸디에톡시실란 등의 포화 알킬에틸디에톡시실란류 (a=2, m=2, n=2); Saturated alkyl ethyl diethoxysilanes, such as n-propyl ethyl diethoxy silane, n-butyl ethyl diethoxy silane, n-decyl ethyl diethoxy silane, n-hexadecyl ethyl diethoxy silane, and n-eicosyl ethyl diethoxy silane. (a = 2, m = 2, n = 2);

n-부틸프로필디에톡시실란, n-데실프로필디에톡시실란, n-헥사데실프로필디에톡시실란, n-에이코실프로필디에톡시실란 등의 포화 알킬프로필디에톡시실란류 (a=2, m=2, n=3); Saturated alkyl propyl diethoxysilanes, such as n-butyl propyl diethoxysilane, n-decyl propyl diethoxy silane, n-hexadecyl propyl diethoxy silane, and n- ethoxy propyl diethoxy silane (a = 2, m = 2) , n = 3);

n-프로필메틸디프로폭시실란, n-부틸메틸디프로폭시실란, n-데실메틸디프로폭시실란, n-헥사데실메틸디프로폭시실란, n-에이코실메틸디프로폭시실란 등의 포화 알킬메틸디프로폭시실란류 (a=2, m=3, n=1); saturated alkyls such as n-propylmethyldipropoxysilane, n-butylmethyldipropoxysilane, n-decylmethyldipropoxysilane, n-hexadecylmethyldipropoxysilane, n-ecosylmethyldipropoxysilane Methyldipropoxysilanes (a = 2, m = 3, n = 1);

n-프로필에틸디프로폭시실란, n-부틸에틸디프로폭시실란, n-데실에틸디프로폭시실란, n-헥사데실에틸디프로폭시실란, n-에이코실에틸디프로폭시실란 등의 포화 알킬에틸디프로폭시실란류 (a=2, m=3, n=2); saturated alkyls such as n-propylethyldipropoxysilane, n-butylethyldipropoxysilane, n-decylethyldipropoxysilane, n-hexadecylethyldipropoxysilane, n-ecosylethyldipropoxysilane Ethyldipropoxysilanes (a = 2, m = 3, n = 2);

n-부틸프로필디프로폭시실란, n-데실프로필디프로폭시실란, n-헥사데실프로필디프로폭시실란, n-에이코실프로필디프로폭시실란 등의 포화 알킬프로필디프로폭시실란류 (a=2, m=3, n=3); Saturated alkyl propyl dipropoxy silanes, such as n-butyl propyl dipropoxy silane, n-decyl propyl dipropoxy silane, n-hexadecyl propyl dipropoxy silane, and n- ecoxy propyl dipropoxy silane (a = 2, m = 3, n = 3);

n-프로필트리메톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, n-데실트리메톡시실란, n-헥사데실트리메톡시실란, n-에이코실트리메톡시실란 등의 포화 알킬트리메톡시실란류 (a=3, m=1); Saturated alkyl trimethoxysilanes, such as n-propyl trimethoxysilane, n-butyl trimethoxysilane, n-decyl trimethoxysilane, n-hexadecyl trimethoxysilane, and n-eicosyl trimethoxysilane (a = 3, m = 1);

n-프로필트리에톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-데실트리에톡시실란, n-헥사데실트리에톡시실란, n-에이코실트리에톡시실란 등의 포화 알킬트리에톡시실란류 (a=3, m=2); Saturated alkyl triethoxysilanes, such as n-propyl triethoxysilane, n-butyl triethoxysilane, n-decyl triethoxysilane, n-hexadecyl triethoxysilane, and n-eicosyl triethoxysilane (a = 3, m = 2);

n-프로필트리프로폭시실란, n-부틸트리프로폭시실란, n-데실트리프로폭시실란, n-헥사데실트리프로폭시실란, n-에이코실트리프로폭시실란 등의 포화 알킬트리프로폭시실란류 (a=3, m=3) 등을 들 수 있으며, 이들은 단독 또는 2종 이상 조합하여 사용할 수 있다. Saturated alkyl tripropoxy silanes, such as n-propyl tripropoxy silane, n-butyl tripropoxy silane, n-decyl tripropoxy silane, n-hexadecyl tripropoxy silane, and n-eicosyl tripropoxy silane (a = 3, m = 3), etc. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

이들 중, n-부틸트리메톡시실란, n-데실트리메톡시실란, n-헥사데실트리메톡시실란, n-데실디메틸메톡시실란, n-헥사데실디메틸메톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-데실트리에톡시실란, n-헥사데실트리에톡시실란, n-데실에틸디에톡시실란, n-헥사데실에틸디에톡시실란, n-부틸트리프로폭시실란, n-데실트리프로폭시실란, n-헥사데실트리프로폭시실란 등이 특히 바람직하다. Among them, n-butyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, n-hexadecyltrimethoxysilane, n-decyldimethylmethoxysilane, n-hexadecyldimethylmethoxysilane, n-butyltrie Oxysilane, n-decyltriethoxysilane, n-hexadecyltriethoxysilane, n-decylethyl diethoxysilane, n-hexadecylethyl diethoxysilane, n-butyl tripropoxysilane, n-decyl triprop Foxysilane, n-hexadecyl tripropoxysilane, etc. are especially preferable.

제1 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서 실릴기 함유 화합물의 함유 비율로서는 유리 프릿 등의 무기 분체 100 질량부에 대하여, 5 질량부 이하인 것이 바 람직하고, 더욱 바람직하게는 3 질량부 이하이다. 실릴기 함유 화합물의 비율이 과대한 경우에는, 얻어지는 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 보존시에 점도가 경시적으로 상승되거나 실릴기 함유 화합물 끼리 반응이 일어나 소성 후에 유기 물질이 잔류하는 원인이 되기도 하는 경우가 있다. It is preferable that it is 5 mass parts or less with respect to 100 mass parts of inorganic powders, such as glass frit, as a content rate of a silyl group containing compound in a 1st inorganic powder containing resin composition, More preferably, it is 3 mass parts or less. When the proportion of the silyl group-containing compound is excessive, the viscosity increases over time when the first inorganic powder-containing resin composition obtained is stored, or the silyl group-containing compounds react with each other to cause organic substances to remain after firing. There is a case.

또한, 제1 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서는, 형성되는 제1 무기 분체 함유 수지층에 양호한 가요성과 연소성을 발현시키기 위해서 가소제가 함유될 수 있다. 가소제로서는 하기 화학식 3 또는 4로 표시되는 화합물로 이루어지는 가소제, 또는 폴리프로필렌글리콜이 바람직하다. Moreover, in a 1st inorganic powder containing resin composition, a plasticizer may be contained in order to express favorable flexibility and combustibility in the 1st inorganic powder containing resin layer formed. As a plasticizer, the plasticizer which consists of a compound represented by following formula (3) or 4 or polypropylene glycol is preferable.

Figure 112008056432103-PAT00003
Figure 112008056432103-PAT00003

식 중, R3 및 R6은 각각 동일 또는 상이한 탄소수 1 내지 30의 알킬기를 나타내고, R4 및 R5는 각각 동일 또는 상이한 메틸렌기 또는 탄소수 2 내지 30의 알킬렌기를 나타내고, s는 0 내지 5의 수이고, t는 1 내지 10의 수이다. In the formula, R 3 and R 6 each represent the same or different alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, R 4 and R 5 each represent the same or different methylene group or the alkylene group having 2 to 30 carbon atoms, and s is 0 to 5 And t is a number from 1 to 10.

Figure 112008056432103-PAT00004
Figure 112008056432103-PAT00004

식 중, R7은 탄소수 1 내지 30의 알킬기 또는 알케닐기를 나타낸다.In formula, R <7> represents a C1-C30 alkyl group or alkenyl group.

가소제를 함유하는 제1 무기 분체 함유 수지층을 구비한 전사 필름에 따르면 이것을 접어 구부려도, 해당 막 형성 재료층의 표면에 미소한 균열 (금이 가서 깨짐)이 발생하는 일은 없고, 또한 해당 전사 필름은 유연성이 우수한 것이 되고, 이것을 롤상으로 권취하는 것도 쉽게 할 수 있다. According to the transfer film provided with the 1st inorganic powder containing resin layer containing a plasticizer, even if this is bent and folded, a small crack (cracking and cracking) does not generate | occur | produce on the surface of the said film formation material layer, and the said transfer film It is excellent in flexibility, and it can also make it easy to wind up in roll shape.

특히, 상기 화학식 3 또는 4로 표시되는 화합물로 이루어지는 가소제는 열에 의해 쉽게 분해 제거되기 때문에, 해당 제1 무기 분체 함유 수지를 소성하여 얻어지는 무기층 중에 악영향을 미치는 일은 없다. In particular, since the plasticizer composed of the compound represented by the above formula (3) or (4) is easily decomposed and removed by heat, it does not adversely affect the inorganic layer obtained by firing the first inorganic powder-containing resin.

상기 화학식 3에 있어서, R3 또는 R6으로 표시되는 알킬기 및 R4 또는 R5로 표시되는 알킬렌기는 직쇄상 또는 분지상일 수 있고, 또한 포화기 또는 불포화기일 수 있다. In Chemical Formula 3, R 3 Or an alkyl group represented by R 6 and R 4 Or an alkylene group represented by R 5 may be linear or branched, and may also be a saturated or unsaturated group.

R3 또는 R6으로 표시되는 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이고, 바람직하게는 2 내지 20, 더욱 바람직하게는 4 내지 10이다. Carbon number of the alkyl group represented by R <3> or R <6> is 1-30, Preferably it is 2-20, More preferably, it is 4-10.

해당 알킬기의 탄소수가 30을 초과할 경우에는, 용제에 대한 가소제의 용해성이 저하되어 양호한 가요성이 얻어지지 않는 경우가 있다. When carbon number of the said alkyl group exceeds 30, solubility of a plasticizer with respect to a solvent may fall and favorable flexibility may not be obtained.

상기 구조식 3으로 표시되는 화합물의 구체적인 예로서는 디부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디-2-에틸헥실아디페이트, 디-2-에틸헥실아제레이트, 디부틸세바케이트, 디부틸디글리콜아디페이트 등을 들 수 있다. 바람직하게는, n이 2내지 6으로 표시되는 화합물이다. Specific examples of the compound represented by the above formula (3) include dibutyl adipate, diisobutyl adipate, di-2-ethylhexyl adipate, di-2-ethylhexyl acetate, dibutyl sebacate, dibutyl diglycol adipate Etc. can be mentioned. Preferably, n is a compound represented by 2-6.

상기 화학식 4에 있어서, R7은 탄소수 1 내지 30의 알킬기 또는 알케닐기를 나타내고, R7로 표시되는 알킬기 및 알케닐기는 직쇄상 또는 분지상일 수 있고, 또한 포화기 또는 불포화기일 수 있다.In Formula 4, R 7 represents an alkyl group or alkenyl group having 1 to 30 carbon atoms, and the alkyl group and alkenyl group represented by R 7 may be linear or branched, and may also be saturated or unsaturated.

R7로 표시되는 알킬기 또는 알케닐기의 탄소수는 1 내지 30이고, 바람직하게는 2 내지 20, 더욱 바람직하게는 10 내지 18이다. Carbon number of the alkyl group or alkenyl group represented by R <7> is 1-30, Preferably it is 2-20, More preferably, it is 10-18.

상기 화학식 4로 표시되는 화합물의 구체적인 예로서는 프로필렌글리콜모노라우레이트, 프로필렌글리콜모노올레이트 등을 들 수 있다. Specific examples of the compound represented by the formula (4) include propylene glycol monolaurate, propylene glycol monooleate and the like.

또한, 가소제로서 폴리프로필렌글리콜을 이용할 경우, 이러한 폴리프로필렌글리콜의 중량 평균 분자량 (Mw)은 200 내지 3,000의 범위에 있는 것이 바람직하고, 300 내지 2,000의 범위에 있는 것이 특히 바람직하다. 폴리프로필렌글리콜의 Mw가 200 미만인 경우에는, 막 강도가 큰 제1 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성하는 것이 곤란해지는 경우가 있고, 해당 제1 무기 분체 함유 수지층을 구비하여 이루어지는 전사 필름을 사용하여 이루어지는 전사 공정에 있어서, 유리 기판에 가열 접착된 제1 무기 분체 함유 수지로부터 지지 필름을 박리하려 하면, 해당 제1 무기 분체 함유 수지가 응집 파괴를 일으킬 수 있다. 한편, Mw가 3,000을 초과할 경우에는 유리 기판과의 가열 접착성이 양호한 제1 무기 분체 함유 수지층이 얻어지지 않는 경우가 있다. Moreover, when using polypropylene glycol as a plasticizer, it is preferable that the weight average molecular weight (Mw) of such polypropylene glycol exists in the range of 200-3,000, and it is especially preferable to exist in the range of 300-2,000. When Mw of polypropylene glycol is less than 200, it may become difficult to form the 1st inorganic powder containing resin layer with a large film strength on a support film, and the transfer film provided with this 1st inorganic powder containing resin layer is carried out. In the transfer process using, when the support film is to be peeled from the first inorganic powder-containing resin heat-bonded to the glass substrate, the first inorganic powder-containing resin may cause cohesive failure. On the other hand, when Mw exceeds 3,000, the 1st inorganic powder containing resin layer with favorable heat adhesiveness with a glass substrate may not be obtained.

제1 무기 분체 함유 수지층에 있어서 가소제의 함유량으로서는 무기 분체 100 질량부에 대하여, 0.5 내지 10 질량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 2 내지 7 질량부이다. 가소제의 첨가량이 증가하면 얻어지는 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 적합하게 이용되는 전사 필름의 강도를 유지할 수 없는 우려가 있다. As content of a plasticizer in a 1st inorganic powder containing resin layer, it is preferable that it is 0.5-10 mass parts with respect to 100 mass parts of inorganic powder, More preferably, it is 2-7 mass parts. When the addition amount of a plasticizer increases, there exists a possibility that the intensity | strength of the transfer film used suitably for the manufacturing method of the plasma display panel of this invention obtained may not be maintained.

제1 무기 분체 함유 수지 조성물에는 상기 성분 이외에, 점착성 부여제, 표면 장력 조정제, 안정제, 소포제, 분산제 등의 각종 첨가제를 임의 성분으로 함유할 수 있다. 분산제로서는 지방산이 바람직하게 사용된다. 특히, 탄소수 8 내지 30의 지방산이 바람직하다. 상기 지방산의 바람직한 구체적인 예로서는 옥탄산, 운데실산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 펜타데칸산, 스테아르산, 아라킨산 등의 포화 지방산; 엘라이드산(elaidic acid), 올레인산, 리놀산, 리놀렌산, 아라키돈산, 카르복시폴리카프로락톤 (n=2) 모노아크릴레이트 등의 불포화 지방산을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. The first inorganic powder-containing resin composition may contain, in addition to the above components, various additives such as a tackifier, a surface tension regulator, a stabilizer, an antifoaming agent, and a dispersant as an optional component. As the dispersant, fatty acids are preferably used. In particular, fatty acids having 8 to 30 carbon atoms are preferred. Preferable specific examples of the fatty acids include saturated fatty acids such as octanoic acid, undecyl acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, pentadecanoic acid, stearic acid, and arachnic acid; Unsaturated fatty acids such as elicic acid, oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, arachidonic acid, carboxypolycaprolactone (n = 2) monoacrylate, and the like, and these may be used alone or in combination of two or more thereof. have.

제1 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서 분산제의 함유 비율로서는 무기 분체 100 질량부에 대하여, 5 질량부 이하인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 3 질량부 이하이다. As a content rate of a dispersing agent in a 1st inorganic powder containing resin composition, it is preferable that it is 5 mass parts or less with respect to 100 mass parts of inorganic powders, More preferably, it is 3 mass parts or less.

제1 무기 분체 함유 수지 조성물은 통상 상기 (a) 무기 분체, (b) 결착 수지, (c) 용제 및 그 밖의 유기 성분을, 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서, 샌드 밀 등의 혼합ㆍ분산기를 사용하여 혼련함으로써 제조할 수 있다. 해당 제1 무기 분체 함유 수지 조성물의 점도로서는 100 내지 10,OOO mPaㆍs-1인 것이 바람직하다. The first inorganic powder-containing resin composition usually contains the above-mentioned (a) inorganic powder, (b) binder resin, (c) solvent and other organic components in a mixing / dispersing group such as a roll kneader, a mixer, a homo mixer, and a sand mill. It can manufacture by kneading using. As a viscosity of the said 1st inorganic powder containing resin composition, it is preferable that it is 100-10, OOmPa * s- 1 .

<제2 무기 분체 함유 수지층> <2nd inorganic powder containing resin layer>

본 발명의 제조 방법에 사용되는 제2 무기 분체 함유 수지층은 무기 분체, 결착 수지 및 용제를 필수 성분으로 함유하여 이루어지는 페이스트상의 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포하고, 도포막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다. 또한, 제조 방법 I에 사용되는 제2 무기 분체 함유 수지층은 또한 감광성 성분을 필수 성분으로 함유한다. 제조 방법 Ⅱ에 사용되는 제2 무기 분체 함유 수지층은 통상 비감광성이지만, 전체 또는 부분적으로 (예를 들면 n층으로 이루어지는 수지층 중의 한층만) 감광성을 갖는 것일 수 있다. The 2nd inorganic powder containing resin layer used for the manufacturing method of this invention apply | coats the paste-like inorganic powder containing resin composition which consists of an inorganic powder, a binder resin, and a solvent as an essential component, dries a coating film, and part or all of a solvent is carried out. It can form by removing. In addition, the 2nd inorganic powder containing resin layer used for the manufacturing method I also contains the photosensitive component as an essential component. Although the 2nd inorganic powder containing resin layer used for the manufacturing method II is non-photosensitive normally, it may have a photosensitive property in whole or in part (for example, only one layer in the resin layer which consists of n layers).

본 발명의 제조 방법에 바람직하게 사용되는 전사 필름은 지지 필름 상에 상기 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포, 건조하여 제2 무기 분체 함유 수지층을 형성하여 얻어지고, 해당 제2 무기 분체 함유 수지층의 표면에 보호 필름층이 설치될 수도 있다. The transfer film used for the manufacturing method of this invention is obtained by apply | coating and drying the said inorganic powder containing resin composition on a support film, and forming a 2nd inorganic powder containing resin layer, and of the said 2nd inorganic powder containing resin layer A protective film layer may be provided on the surface.

(1) 제2 무기 분체 함유 수지 조성물(1) 2nd inorganic powder containing resin composition

본 발명에 있어서 제2 무기 분체 함유 수지 조성물은 무기 분체, 결착 수지 및 용제를 필수 성분으로 하고, 제조 방법 I에 사용되는 경우는 또한 감광성 성분을 필수 성분으로 한다. In the present invention, the second inorganic powder-containing resin composition includes an inorganic powder, a binder resin, and a solvent as essential components, and when used in the production method I, the photosensitive component is also an essential component.

(a) 무기 분체 (a) inorganic powder

제2 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물에 사용되는 무기 분체는 형성하는 패턴 재료의 종류에 따라 다르다. The inorganic powder used for a 2nd inorganic powder containing photosensitive resin composition changes with kinds of pattern materials to form.

전극 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd 합금, Cu, Cr 등의 입자를 들 수 있다. Examples of the inorganic powder used for the electrode forming material include particles such as Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd alloys, Cu, Cr, and the like.

격벽 형성 재료나 유전체 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 상기 제1 무기 분체 함유 수지 조성물 중에서의 유리 프릿 등을 들 수 있다. As an inorganic powder used for a partition formation material and a dielectric formation material, the glass frit in the said 1st inorganic powder containing resin composition etc. are mentioned.

저항체 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 RuO2 등을 들 수 있다. As the inorganic powder used in the resistor forming material, RuO 2 Etc. can be mentioned.

형광체 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 적색용으로서는 Y2O3:Eu3 +, Y2SiO5:Eu3+, Y3Al5O12:Eu3 +, YVO4:Eu3 +, (Y, Gd) BO3:Eu3 +, Zn3(PO4)2:Mn 등, 녹색용으로서는 Zn2SiO4:Mn, BaAl12O19:Mn, BaMgAl14O23:Mn, LaPO4: (Ce, Tb), Y3(Al, Ga)5O12: Tb 등, 청색용으로서는 Y2SiO5:Ce, BaMgAl10O17:Eu2 +, BaMgAl14O23:Eu2 +, (Ca, Sr, Ba)10(PO4)6Cl2:Eu2+,(Zn, Cd) S:Ag 등을 들 수 있다. The inorganic powder used for forming the phosphor material for red as Y 2 O 3: Eu 3 + , Y 2 SiO 5: Eu 3+, Y 3 Al 5 O 12: Eu 3 +, YVO 4: Eu 3 +, (Y , Gd) BO 3: Eu 3 +, Zn 3 (PO 4) 2: Mn , etc., as for green Zn 2 SiO 4: Mn, BaAl 12 O 19: Mn, BaMgAl 14 O 23: Mn, LaPO 4: (Ce , Tb), Y 3 (Al , Ga) 5 O 12: Tb , etc., as for blue Y 2 SiO 5: Ce, BaMgAl 10 O 17: Eu 2 +, BaMgAl 14 O 23: Eu 2 +, (Ca, Sr , Ba) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu 2+ , (Zn, Cd) S: Ag and the like.

칼라 필터 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 적색용으로서는 Fe2O3, Pb3O4 등, 녹색용으로서는 Cr2O3 등, 청색용으로서는 2(Al2Na2Si3O10)ㆍNa2S4 등을 들 수 있다. As the inorganic powder used for the color filter forming material, Fe 2 O 3 , Pb 3 O 4 , and the like for red are used, and Cr 2 O 3 is used for green. Examples of the blue color include 2 (Al 2 Na 2 Si 3 O 10 ), Na 2 S 4 , and the like.

블랙 매트릭스 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 Ni, Ti, Cu, Mn, Fe, Cr, Co 등의 금속, 금속 산화물, Cu-Cr, Cu-Fe-Mn, Cu-Cr-Mn, Co-Cr-Fe, Co-Fe-Mn 등의 복합 금속 산화물, 카본블랙 등을 들 수 있다. As inorganic powders used for the black matrix forming material, metals such as Ni, Ti, Cu, Mn, Fe, Cr, Co, metal oxides, Cu-Cr, Cu-Fe-Mn, Cu-Cr-Mn, and Co-Cr- Composite metal oxides, such as Fe and Co-Fe-Mn, carbon black, etc. are mentioned.

이들 무기 분체의 평균 입경으로서는 바람직하게는 0.01 내지 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.05 내지 5 ㎛이다. 무기 분체의 평균 입경이 0.01 ㎛ 미만인 경우 는 무기 분체의 비표면적이 커짐으로 제2 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물 중에서 입자의 응집이 발생되기 쉽고, 안정된 분산 상태를 얻는 것이 어려워진다. 한편, 무기 분체의 평균 입경이 1O ㎛ 이상인 경우는 고정밀 패턴을 얻는 것이 어려워진다. As average particle diameter of these inorganic powders, Preferably it is 0.01-10 micrometers, More preferably, it is 0.05-5 micrometers. When the average particle diameter of an inorganic powder is less than 0.01 micrometer, the specific surface area of an inorganic powder becomes large, and particle | grains generate | occur | produce easily in the 2nd inorganic powder containing photosensitive resin composition, and it becomes difficult to obtain a stable dispersion state. On the other hand, when the average particle diameter of an inorganic powder is 100 micrometers or more, it becomes difficult to obtain a high precision pattern.

또한, 전극, 저항체, 형광체, 칼라 필터, 블랙 매트릭스 형성 재료에는 상기한 각 무기 분체 이외에, 격벽 및 유전체층에 사용되는 유리 프릿이 함유될 수 있다. 이러한 패널 재료를 얻기 위한 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서 유리 프릿의 함유량은 무기 분체 전량에 대하여 80 질량% 이하, 바람직하게는 50 질량% 이하이다. The electrodes, resistors, phosphors, color filters, and black matrix forming materials may contain, in addition to the inorganic powders described above, glass frits used for partitions and dielectric layers. In the inorganic powder-containing resin composition for obtaining such a panel material, the content of the glass frit is 80 mass% or less, preferably 50 mass% or less with respect to the inorganic powder whole quantity.

(b) 결착 수지 (b) binder resin

제2 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물을 구성하는 결착 수지로서는 여러가지의 수지를 사용할 수 있지만, 알칼리 가용성 수지를 30 내지 100 중량%의 비율로 함유하는 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 여기에 「알칼리 가용성」이란, 알칼리성의 에칭액 (현상액)에 의해 용해되고 목적으로 하는 에칭 처리가 수행되는 정도로 용해성을 갖는 성질을 말한다. Although various resin can be used as binder resin which comprises a 2nd inorganic powder containing photosensitive resin composition, it is preferable to use resin containing alkali-soluble resin in the ratio of 30 to 100weight%. "Alkali solubility" means here the property which has solubility to the extent which it melt | dissolves with alkaline etching liquid (developer) and the target etching process is performed.

이러한 알칼리 가용성 수지의 구체적인 예로서는 예를 들면 (메트)아크릴계 수지, 히드록시스티렌 수지, 노볼락 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. As a specific example of such alkali-soluble resin, (meth) acrylic-type resin, hydroxy styrene resin, a novolak resin, a polyester resin etc. are mentioned, for example.

이러한 알칼리 가용성 수지 중, 특히 바람직한 것으로서는 하기 단량체 (가)와 단량체 (다)의 공중합체, 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체 등의 아크릴 수지를 들 수 있다. Among these alkali-soluble resins, acrylic resins such as copolymers of the following monomers (A) and monomers (C), monomers (A), monomers (B) and copolymers of monomers (C) are mentioned.

단량체 (가): 카르복실기 함유 단량체류Monomer (A): Carboxyl group-containing monomers

아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 신남산, 숙신산모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), ω-카르복시-폴리카프로락톤모노(메트)아크릴레이트 등. Acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, succinic acid mono (2- (meth) acryloyloxyethyl), ω-carboxy-polycaprolactone mono (Meth) acrylates and the like.

단량체 (나): OH 함유 단량체류 Monomer (B): OH-containing monomers

(메트)아크릴산2-히드록시에틸, (메트)아크릴산2-히드록시프로필, (메트)아크릴산3-히드록시프로필 등의 수산기 함유 단량체류; o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌 등의 페놀성 수산기 함유 단량체류 등. Hydroxyl group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate; Phenolic hydroxyl group containing monomers, such as o-hydroxy styrene, m-hydroxy styrene, and p-hydroxy styrene.

단량체 (다): 그 밖의 공중합 가능한 단량체류Monomer (C): Other copolymerizable monomers

(메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산n-부틸, (메트)아크릴산2-에틸헥실, (메트)아크릴산n-라우릴, (메트)아크릴산벤질, (메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산디시클로펜타닐 등의 단량체 (가) 이외의 (메트)아크릴산에스테르류; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 방향족 비닐계 단량체류; 부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디엔류; 폴리스티렌, 폴리(메트)아크릴산메틸, 폴리(메트)아크릴산에틸, 폴리(메트)아크릴산벤질 등의 중합체쇄의 한쪽 말단에 (메트)아크릴로일기 등의 중합성 불포화기를 갖는 매크로 단량체류 등. Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n-lauryl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, and glycid (meth) acrylate (Meth) acrylic acid esters other than monomer (a), such as dill and dicyclopentanyl (meth) acrylate; Aromatic vinyl monomers such as styrene and α-methylstyrene; Conjugated dienes such as butadiene and isoprene; Macromonomers which have polymerizable unsaturated groups, such as a (meth) acryloyl group, in one terminal of polymer chains, such as polystyrene, methyl poly (meth) acrylate, poly (meth) acrylate, and benzyl poly (meth) acrylate.

상기 단량체 (가)와 단량체 (다)의 공중합체나, 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체는 단량체 (가)에 유래하는 공중합 성분의 존재에 의해 알칼리 가용성을 갖는 것이 된다. 그 중에서도 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체는 (A) 무기 입자의 분산 안정성이나 후기하는 알칼리 현상액으 로의 용해성의 관점에서 특히 바람직하다. 이 공중합체에 있어서 단량체 (가)에 유래하는 공중합 성분의 함유율은 바람직하게는 5 내지 60 질량%, 특히 바람직하게는 10 내지 40 질량%이고, 단량체 (나)에 유래하는 공중합 성분의 함유율은 바람직하게는 1 내지 50 질량%, 특히 바람직하게는 5 내지 30 질량%이다. The copolymer of the monomer (A) and the monomer (C), or the copolymer of the monomer (A), the monomer (B) and the monomer (C) has alkali solubility by the presence of a copolymerization component derived from the monomer (A). It becomes. Especially, the copolymer of monomer (A), monomer (B), and monomer (C) is especially preferable from a viewpoint of the dispersion stability of (A) inorganic particle and the solubility to the alkali developing solution mentioned later. In this copolymer, the content rate of the copolymerization component derived from monomer (a) becomes like this. Preferably it is 5 to 60 mass%, Especially preferably, it is 10 to 40 mass%, and the content rate of the copolymerization component derived from monomer (b) is preferable. Preferably it is 1-50 mass%, Especially preferably, it is 5-30 mass%.

상기 알칼리 가용성 수지의 분자량으로서는 Mw가 5,000 내지 5,000,000인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 300,000이다. As molecular weight of the said alkali-soluble resin, it is preferable that Mw is 5,000-55,000,000, More preferably, it is 10,000-300,000.

또한, 제2 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물에 있어서 결착 수지의 함유비율로서는 무기 분체 100 질량부에 대하여 통상 1 내지 200 질량부이고, 바람직하게는 5 내지 100 질량부, 특히 바람직하게는 10 내지 80 질량부이다. In addition, in the 2nd inorganic powder containing photosensitive resin composition, as content rate of binder resin, it is 1-200 mass parts normally with respect to 100 mass parts of inorganic powder, Preferably it is 5-100 mass parts, Especially preferably, it is 10-80 mass It is wealth.

(c) 용제 (c) solvent

제2 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물을 구성하는 용제는 해당 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물에, 적당한 유동성 또는 가소성, 양호한 막 형성성을 부여하기 위해서 함유되고, 상기한 (1) 제1 무기 분체 함유 수지 조성물 중에 있어서 용제와 동종의 것을 사용할 수 있다. The solvent which comprises a 2nd inorganic powder containing photosensitive resin composition is contained in order to provide moderate fluidity, plasticity, and favorable film formation property to the said inorganic powder containing photosensitive resin composition, and (1) 1st inorganic powder containing resin composition mentioned above The solvent and the same kind can be used.

제2 무기 분체 함유 감광성 수지 조성물에 있어서 용제의 함유 비율로서는 양호한 막 형성성 (유동성 또는 가소성)이 얻어지는 범위 내에서 적절하게 선택할 수 있다. As a content rate of a solvent in a 2nd inorganic powder containing photosensitive resin composition, it can select suitably within the range from which favorable film formation property (fluidity or plasticity) is obtained.

(d) 감광성 성분 (d) photosensitive components

제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 감광성 성분으로서는 예를 들면 (가) 다관능성 단량체와 광중합 개시제의 조합, (나) 멜라민 수지와 광 조사에 의 해 산을 형성하는 광산발생제의 조합 등을 바람직한 것으로서 예시할 수 있고, 상기 (가)의 조합 중, 다관능성 (메트)아크릴레이트와 광중합 개시제의 조합이 특히 바람직하다. Examples of the photosensitive component constituting the second inorganic powder-containing resin composition include (a) a combination of a polyfunctional monomer and a photopolymerization initiator, (b) a combination of a melamine resin and a photoacid generator that forms an acid by light irradiation, and the like. It can illustrate as a preferable thing and the combination of a polyfunctional (meth) acrylate and a photoinitiator is especially preferable among the combination of said (A).

감광성 성분을 구성하는 다관능성 (메트)아크릴레이트의 구체적인 예로서는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 양말단 히드록시 폴리부타디엔, 양말단 히드록시 폴리이소프렌, 양말단 히드록시 폴리카프로락톤 등의 양말단 히드록실화 중합체의 디(메트)아크릴레이트류; As a specific example of the polyfunctional (meth) acrylate which comprises the photosensitive component, Di (meth) acrylates of alkylene glycol, such as ethylene glycol and propylene glycol; Di (meth) acrylates of polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol; Di (meth) acrylates of sock end hydroxylated polymers such as sock end hydroxy polybutadiene, sock end hydroxy polyisoprene and sock end hydroxy polycaprolactone;

글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 트리메틸올알칸, 테트라메틸올알칸, 펜타에리스리톨, 디펜타에리스리톨 등의 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 3가 이상의 다가 알코올의 폴리알킬렌글리콜 부가물의 폴리(메트)아크릴레이트류; 1,4-시클로헥산디올, 1,4-벤젠디올류 등의 환식 폴리올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 알키드 수지(메트)아크릴레이트, 실리콘 수지(메트)아크릴레이트, 스피란 수지(메트)아크릴레이트 등의 올리고(메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. Poly (meth) acrylates of trivalent or higher polyhydric alcohols such as glycerin, 1,2,4-butanetriol, trimethylolalkane, tetramethylolalkane, pentaerythritol, dipentaerythritol, etc .; Poly (meth) acrylates of polyalkylene glycol adducts of trivalent or higher polyhydric alcohols; Poly (meth) acrylates of cyclic polyols such as 1,4-cyclohexanediol and 1,4-benzenediols; Oligos, such as polyester (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, alkyd resin (meth) acrylate, silicone resin (meth) acrylate, and spiran resin (meth) acrylate ( And meth) acrylates. These may be used alone or in combination of two or more thereof.

또한, 감광성 성분을 구성하는 광중합 개시제의 구체적인 예로서는 벤질, 벤조인, 벤조페논, 캄퍼퀴논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-메틸-[4'-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 등의 카르보닐 화합물; 아조이소부틸로니트릴, 4-아지도벤즈알데히드 등의 아조 화합물 또는 아지드 화합물; 머캅탄디술피드 등의 유기 유황 화합물; 벤조일퍼옥시드, 디-tert-부틸퍼옥시드, tert-부틸하이드로퍼옥시드, 쿠멘하이드로퍼옥시드, 파라메탄하이드로퍼옥시드 등의 유기 퍼옥시드; 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(2'-클로로페닐)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(2-푸라닐)에틸레닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등의 트리할로메탄류; 2,2'-비스(2-클로로페닐)4,5,4',5'-테트라페닐1,2'-비이미다졸 등의 이미다졸 이량체 등을 들 수 있다. 이들은 단독 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. In addition, specific examples of the photopolymerization initiator constituting the photosensitive component include benzyl, benzoin, benzophenone, camphorquinone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-methyl- [4 '-(methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propaneone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- Carbonyl compounds such as (4-morpholinophenyl) -butan-1-one; Azo compounds or azide compounds such as azoisobutylonitrile and 4-azidobenzaldehyde; Organic sulfur compounds such as mercaptan disulfide; Organic peroxides such as benzoyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, tert-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide and paramethane hydroperoxide; 1,3-bis (trichloromethyl) -5- (2'-chlorophenyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (2-furanyl) ethylenyl] -4,6-bis Trihalo methanes such as (trichloromethyl) -1,3,5-triazine; And imidazole dimers such as 2,2'-bis (2-chlorophenyl) 4,5,4 ', 5'-tetraphenyl 1,2-biimidazole. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

제조 방법 I에 사용되는 제2 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서 감광성 성분의 함유 비율로서는 무기 분체 100 질량부에 대하여 통상 1 내지 500 질량부이고, 바람직하게는 5 내지 100 질량부이다. As a content rate of the photosensitive component in the 2nd inorganic powder containing resin composition used for the manufacturing method I, it is 1-500 mass parts normally with respect to 100 mass parts of inorganic powder, Preferably it is 5-100 mass parts.

또한, 상기 제2의 무기 분체 함유 수지 조성물에는 임의 성분으로서 가소제, 분산제, 현상 촉진제, 접착 조제, 헐레이션 방지제, 레벨링제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 증가감제, 연쇄 이동제 등의 각종 첨가제를 함유될 수 있다. In addition, the second inorganic powder-containing resin composition may include, as an optional component, a plasticizer, a dispersant, a development accelerator, an adhesion aid, an antihalation agent, a leveling agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, an increasing agent, a chain transfer agent, and the like. Various additives may be contained.

또한, 상기 화학식 2로 표시되는 실릴기 함유 화합물이나 화학식 3 또는 4로 표시되는 화합물로 이루어지는 가소제, 또는 폴리프로필렌글리콜을 (1) 제1 무기 분체 함유 수지 조성물과 같이 함유될 수 있다. Moreover, the plasticizer which consists of a silyl group containing compound represented by said Formula (2), the compound represented by Formula (3) or 4, or polypropylene glycol can be contained like (1) 1st inorganic powder containing resin composition.

제2 무기 분체 함유 수지 조성물은 상기 무기 분체, 결착 수지, 용제, 감광성 성분 및 필요에 따라 상기 임의 성분을, 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서, 볼밀, 비 드밀 등의 혼련기를 사용하여 혼련함으로써 제조할 수 있다. The second inorganic powder-containing resin composition is prepared by kneading the inorganic powder, the binder resin, the solvent, the photosensitive component and, if necessary, the above-mentioned optional components using a kneader such as a roll kneader, a mixer, a homo mixer, a ball mill, a bead mill, or the like. can do.

상기와 같이 제조되는 제2 무기 분체 함유 수지 조성물은 도포에 적합한 유동성을 갖는 페이스트상의 조성물이고, 그 점도는 통상 100 내지 1,000,000 cp, 바람직하게는 500 내지 300,000 cp이다. The second inorganic powder-containing resin composition prepared as described above is a paste-like composition having fluidity suitable for application, and its viscosity is usually 100 to 1,000,000 cp, preferably 500 to 300,000 cp.

<레지스트막> <Resist Film>

본 발명의 제조 방법 Ⅱ에 사용되는 레지스트막은 수지, 감광성 성분 및 용제를 필수 성분으로 함유하여 이루어지는 페이스트상의 레지스트 조성물을 도포하고, 도포막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다. 본 발명의 제조 방법 Ⅱ에 바람직하게 사용되는 전사 필름은 지지 필름 상에 상기레지스트 조성물을 도포, 건조하여 레지스트막을 형성하여 얻어지고 해당 레지스트막의 표면에 보호 필름층이 설치될 수 있다. The resist film used in the manufacturing method II of this invention can be formed by apply | coating the paste-form resist composition which consists of resin, the photosensitive component, and a solvent as an essential component, and dries a coating film and removes one part or all part of a solvent. The transfer film preferably used in Manufacturing Method II of the present invention is obtained by applying and drying the resist composition on a support film to form a resist film, and a protective film layer may be provided on the surface of the resist film.

(1) 레지스트 조성물 (1) resist composition

레지스트막을 형성하기 위해서 사용되는 레지스트 조성물로서는 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물, 유기 용제 현상형 감방사선성 레지스트 조성물, 수성 현상형 감방사선성 레지스트 조성물 등을 예시할 수 있지만 바람직하게는 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물이 사용된다. 또한, 본 발명에서 말하는 「감방사선성」이란 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X선 등을 포함하는 것이다. As a resist composition used for forming a resist film, although an alkali developing radiation sensitive resist composition, an organic solvent developing radiation sensitive resist composition, an aqueous developing radiation sensitive resist composition, etc. can be illustrated, Preferably it is an alkali developing sense Radioactive resist compositions are used. In addition, "radiation-sensitive" as used in the present invention includes visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X-rays and the like.

알칼리 현상형 레지스트 조성물은 알칼리 가용성 수지와 감방사선성 성분을 필수 성분으로서 함유하여 이루어진다. An alkali developing resist composition contains alkali-soluble resin and a radiation sensitive component as an essential component.

알칼리 현상형 레지스트 조성물을 구성하는 알칼리 가용성 수지로서는 제2 무기 분체 함유 수지 조성물의 결착 수지 성분을 구성하는 것으로서 예시한 알칼리 가용성 수지를 들 수 있다. As alkali-soluble resin which comprises an alkali developing resist composition, alkali-soluble resin illustrated as what comprises the binder resin component of a 2nd inorganic powder containing resin composition is mentioned.

알칼리 현상형 레지스트 조성물을 구성하는 성분으로서는 예를 들면 (가) 다관능성 단량체와 광중합 개시제의 조합, (나) 멜라민 수지와 방사선 조사에 의해 산을 형성하는 광산발생제의 조합, (다) 방사선 조사에 의해 알칼리 난용성의 것이 알칼리 가용성이 되는 화합물 등을 예시할 수 있고, 상기 (가)의 조합 중, 다관능성 (메트)아크릴레이트와 광개시제의 조합이 특히 바람직하다. 다관능성 (메트)아크릴레이트와 광중합 개시제의 구체적인 예로서는 제조 방법 Ⅰ에 사용되는 제2 무기 분체 함유 수지 조성물의 감광성 성분을 구성하는 것으로서 예시한 것을 들 수 있다. Examples of the components constituting the alkali developing resist composition include (a) a combination of a polyfunctional monomer and a photopolymerization initiator, (b) a combination of a melamine resin and a photoacid generator that forms an acid by irradiation, and (c) irradiation. It is possible to exemplify a compound in which the alkali poorly soluble compound becomes alkali-soluble, and a combination of a polyfunctional (meth) acrylate and a photoinitiator is particularly preferable among the combinations of (a) above. As an example of a polyfunctional (meth) acrylate and a photoinitiator, what was illustrated as what comprises the photosensitive component of the 2nd inorganic powder containing resin composition used for the manufacturing method I is mentioned.

이 알칼리 현상형 레지스트 조성물에 있어서 감방사선성 성분의 함유 비율로서는 알칼리 가용성 수지 100 중량부당, 통상 1 내지 200 중량부이고, 바람직하게는 5 내지 100 중량부이다. As a content rate of a radiation sensitive component in this alkali developing resist composition, it is 1-200 weight part normally per 100 weight part of alkali-soluble resin, Preferably it is 5-100 weight part.

또한, 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물에 대해서는 양호한 막 형성성을 부여하기 위해서, 적절하게 용제가 함유된다. 이러한 용제로서는 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 것으로서 예시한 용제를 들 수 있다. In addition, a solvent is contained suitably in order to provide favorable film formation property about an alkali image development radiation sensitive resist composition. As such a solvent, the solvent illustrated as what comprises a 1st inorganic powder containing resin composition is mentioned.

본 발명에서 사용되는 레지스트 조성물에는 임의 성분으로서 현상 촉진제, 접착 조제, 헐레이션 방지제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 충전제, 형광체, 안료, 염료 등의 각종 첨가제가 함유될 수 있다. The resist composition used in the present invention may contain various additives such as a development accelerator, an adhesion aid, an antihalation agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a filler, a phosphor, a pigment, and a dye as an optional component.

<전사 필름> <Transfer film>

본 발명의 전사 필름 I은 지지 필름 상에, 제2 무기 분체 함유 수지층과, 제1 무기 분체 함유 수지층을 포함하는 적층막이 형성되어 이루어진다. 또한, 본 발명의 제조 방법 I에 적합하게 사용되는 다른 전사 필름으로서는 지지 필름 상에 제1 무기 분체 함유 수지층이 형성되어 이루어지는 것, 지지 필름 상에 제2 무기 분체 함유 수지층이 형성되어 이루어지는 것 등을 들 수 있고, 이들 수지층은 각각 n층으로 이루어지는 적층체일 수 있다. The transfer film I of this invention consists of a laminated film containing a 2nd inorganic powder containing resin layer and a 1st inorganic powder containing resin layer on a support film. Moreover, as another transfer film used suitably for the manufacturing method I of this invention, a 1st inorganic powder containing resin layer is formed on a support film, and a 2nd inorganic powder containing resin layer is formed on a support film. These resin layers can be a laminated body which consists of n layers, respectively.

또한, 본 발명의 전사 필름 Ⅱ는 지지 필름 상에, 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 레지스트층과 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 무기 분체 함유 수지층과 알칼리 불용성 또는 난용성의 수지 성분을 함유하는 무기 분체 함유 수지층을 포함하는 적층막이 형성되어 이루어진다. 또한, 본 발명의 제조 방법 Ⅱ에 적합하게 사용되는 다른 전사 필름로서는 지지 필름 상에 제1 무기 분체 함유 수지층이 형성되어 이루어지는 것, 지지 필름 상에 제2 무기 분체 함유 수지층이 형성되어 이루어지는 것, 지지 필름 상에 레지스트막이 형성되어 이루어지는 것, 지지 필름 상에 제2 무기 분체 함유 수지층과 제1 무기 분체 함유 수지층이 적층 형성되어 이루어지는 것, 지지 필름 상에 레지스트막과 제2 무기 분체 함유 수지층이 적층 형성되어 이루어지는 것 등을 들 수 있고, 이들 무기 분체 함유 수지층은 각각 n층으로 이루어지는 적층체일 수 있다. Moreover, the transfer film II of this invention contains the resist layer containing alkali-soluble resin component, the inorganic powder containing resin layer containing alkali-soluble resin component, and alkali-insoluble or poorly soluble resin component on a support film. A laminated film containing an inorganic powder-containing resin layer is formed. Moreover, as another transfer film used suitably for the manufacturing method II of this invention, a 1st inorganic powder containing resin layer is formed on a support film, and a 2nd inorganic powder containing resin layer is formed on a support film. A resist film is formed on a support film, a second inorganic powder-containing resin layer and a first inorganic powder-containing resin layer are laminated on a support film, and a resist film and a second inorganic powder are contained on a support film The resin layer laminated | stacked, etc. are mentioned, These inorganic powder containing resin layers may be a laminated body which consists of n layers, respectively.

전사 필름을 구성하는 지지 필름는 내열성 및 내용제성을 가짐과 동시에 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름이 가요성을 가짐으로써, 롤 코터에 의해 페이스트상 조성물을 도포할 수 있고, 무기 분체 함유 수지층을 롤상으로 권회한 상태로 보존하여 공급할 수 있다. 지지 필름을 형성하는 수지로서는 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 폴리플루오르에틸렌 등의 불소 함유 수지, 나일론, 셀룰로오스 등을 들 수 있다. 지지 필름의 두께로서는 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다. It is preferable that the support film which comprises a transfer film is a resin film which has heat resistance and solvent resistance, and has flexibility. When a support film has flexibility, a paste composition can be apply | coated by a roll coater, and an inorganic powder containing resin layer can be preserve | saved and supplied in the state wound up to roll shape. Examples of the resin forming the support film include fluorine-containing resins such as polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyfluoroethylene, nylon, cellulose, and the like. Can be. As thickness of a support film, it is 20-100 micrometers, for example.

무기 분체 함유 수지 조성물이나 레지스트막을 지지 필름 상에 도포하는 방법으로서는 막 두께의 균일성이 우수한 막 두께가 큰 (예를 들면 1O ㎛ 이상) 도포막을 효율적으로 형성할 수 있다는 것이 필요하고, 구체적으로는 롤 코터에 의한 도포 방법, 닥터 블레이드에 의한 도포 방법, 커튼 코터에 의한 도포 방법, 다이코터에 의한 도포 방법, 와이어 코터에 의한 도포 방법 등을 바람직한 것으로 들 수 있다. As a method of apply | coating an inorganic powder containing resin composition and a resist film on a support film, it is necessary that a coating film with a large film thickness (for example, 10 micrometers or more) excellent in the uniformity of film thickness can be formed efficiently, specifically, The coating method with a roll coater, the coating method with a doctor blade, the coating method with a curtain coater, the coating method with a die coater, the coating method with a wire coater, etc. are mentioned as a preferable thing.

또한, 무기 분체 함유 수지 조성물이나 레지스트막이 도포되는 지지 필름의 표면에는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라 후술하는 전사 공정에서 지지 필름의 박리 조작을 쉽게 행할 수 있다. Moreover, it is preferable that the mold release process is given to the surface of the support film to which an inorganic powder containing resin composition and a resist film are apply | coated. Thereby, peeling operation of a support film can be performed easily in the transfer process mentioned later.

도포막의 건조 조건으로서는 예를 들면 50 내지 150 ℃에서 0.5 내지 30 분간 정도이고, 건조 후의 용제의 잔존 비율 (무기 분체 함유 수지층이나 레지스트막 중의 함유율)은 통상 2 질량% 이내이다. As drying conditions of a coating film, it is about 0.5 to 30 minutes at 50-150 degreeC, for example, and the residual ratio (content rate in an inorganic powder containing resin layer or a resist film) of the solvent after drying is usually 2 mass% or less.

상기와 같이 지지 필름 상에 형성되는 무기 분체 함유 수지층의 두께로서는 무기 분체의 함유율, 부재의 종류나 크기 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 5 내 지 500 ㎛이다. As thickness of the inorganic powder containing resin layer formed on a support film as mentioned above, although it changes also with content rate of an inorganic powder, the kind and size of a member, etc., it is 5 to 500 micrometers, for example.

또한, 상기와 같이 지지 필름 상에 형성되는 레지스트막의 두께로서는 예를 들면 1 내지 20 ㎛이다. In addition, as thickness of the resist film formed on a support film as mentioned above, it is 1-20 micrometers, for example.

또한, 무기 분체 함유 수지층의 표면에 설치될 수도 있는 보호 필름층으로서는 폴리에틸렌 필름, 폴리비닐알코올계 필름 등을 들 수 있다. Moreover, as a protective film layer which may be provided in the surface of an inorganic powder containing resin layer, a polyethylene film, a polyvinyl alcohol-type film, etc. are mentioned.

<노광용 마스크> Exposure mask

본 발명의 제조 방법에 따르는 노광 공정에 있어서 사용되는 노광용 마스크의 노광 패턴으로서는 재료에 따라서도 다르지만, 일반적으로 10 내지 500 ㎛ 폭의 스트라이프이다. Although the exposure pattern of the exposure mask used in the exposure process which concerns on the manufacturing method of this invention changes with materials, it is generally 10-500 micrometers stripe.

<현상액> <Development amount>

본 발명의 제조 방법에 의한 현상 공정에서 사용되는 현상액으로서는 알칼리 현상액을 바람직하게 사용할 수 있다. 또한, 제조 방법 Ⅱ에서는 레지스트막 (레지스트 조성물)의 종류에 따라 현상액을 적절하게 선택할 수 있다. As a developing solution used in the developing process by the manufacturing method of this invention, an alkaline developing solution can be used preferably. In the production method II, the developer can be appropriately selected depending on the kind of the resist film (resist composition).

또한, 제조 방법 I에서, 제2 무기 분체 함유 수지층에 함유되는 무기 분체는 알칼리 가용성 수지에 의해 균일하게 분산되어 있기 때문에 알칼리성 용액으로 결합제인 알칼리 가용성 수지를 용해시키고 세정함으로써 무기 분체도 동시에 제거된다. In addition, in the production method I, since the inorganic powder contained in the second inorganic powder-containing resin layer is uniformly dispersed by the alkali-soluble resin, the inorganic powder is also simultaneously removed by dissolving and washing the alkali-soluble resin as a binder in an alkaline solution. .

알칼리 현상액의 유효 성분으로서는 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소이암모늄, 인산수소이칼륨, 인산수소이나트륨, 인산이수소암모늄, 인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨, 규산리튬, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 붕산리튬, 붕산나트륨, 붕산칼륨, 암모니아 등의 무기 알칼리성 화합물; 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메틸히드록시에틸암모늄히드록시드, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민, 에탄올아민 등의 유기 알칼리성 화합물 등을 들 수 있다. As an active ingredient of alkaline developing solution, lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, silicic acid Inorganic alkaline compounds such as lithium, sodium silicate, potassium silicate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, sodium borate, potassium borate and ammonia; Tetramethylammonium Hydroxide, Trimethylhydroxyethylammonium Hydroxide, Monomethylamine, Dimethylamine, Trimethylamine, Monoethylamine, Diethylamine, Triethylamine, Monoisopropylamine, Diisopropylamine, Ethanolamine Organic alkaline compounds, such as these, etc. are mentioned.

제2 무기 분체 함유 수지층 또는 레지스트막의 현상 공정에서 사용되는 알칼리 현상액은 상기 알칼리성 화합물의 1종 또는 2종 이상을 물 등에 용해시키므로써 제조할 수 있다. 여기서, 알칼리성 현상액에 있어서 알칼리성 화합물의 농도는 통상 0.001 내지 10 중량%이고, 바람직하게는 0.01 내지 5 중량%이다. 또한, 알칼리 현상액에 의한 현상 처리가 이루어진 후에는 통상 수세 처리가 실시된다. The alkaline developer used in the developing step of the second inorganic powder-containing resin layer or the resist film can be produced by dissolving one or two or more kinds of the alkaline compounds in water or the like. Here, the concentration of the alkaline compound in the alkaline developer is usually 0.001 to 10% by weight, preferably 0.01 to 5% by weight. In addition, after the development process by alkaline developing solution is performed, the water washing process is normally performed.

<에칭액> <Etching liquid>

제조 방법 Ⅱ에 있어서 제2 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정에서 사용되는 에칭액으로서는 알칼리성 용액인 것이 바람직하다. 이에 따라 제2 무기 분체 함유 수지층에 함유되는 알칼리 가용성 수지를 쉽게 용해 제거할 수 있다. In the manufacturing method II, it is preferable that it is alkaline solution as an etching liquid used at the etching process of a 2nd inorganic powder containing resin layer. Thereby, alkali-soluble resin contained in a 2nd inorganic powder containing resin layer can be easily dissolved and removed.

또한, 제2 무기 분체 함유 수지층에 함유되는 무기 분체는 알칼리 가용성 수지에 의해 균일하게 분산되기 때문에, 알칼리성 용액으로 유기 결합제인 알칼리가용성 수지를 용해시키고 세정함으로써 무기 분체도 동시에 제거된다. In addition, since the inorganic powder contained in the second inorganic powder-containing resin layer is uniformly dispersed by the alkali-soluble resin, the inorganic powder is also removed simultaneously by dissolving and washing the alkali-soluble resin which is the organic binder in the alkaline solution.

여기서, 에칭액으로서 사용되는 알칼리성 용액으로서는 현상액과 동일 조성의 용액인 것이 보다 바람직하다. Here, as an alkaline solution used as an etching solution, it is more preferable that it is a solution of the same composition as a developing solution.

에칭액이 레지스트막의 현상 공정에서 사용되는 알칼리 현상액과 동일한 용 액인 것으로 함으로써 레지스트막의 현상 공정과 에칭 공정을 연속적으로 실시하는 것이 가능하며 공정의 간략화를 도모할 수 있다. By setting the etching solution to be the same solution as the alkaline developer used in the development process of the resist film, the development process and the etching process of the resist film can be carried out continuously, and the process can be simplified.

또한, 알칼리성 용액에 의한 에칭 처리가 이루어진 후, 통상 수세 처리가 실시된다. Moreover, after the etching process by alkaline solution is performed, a water washing process is normally performed.

<실시예> <Example>

이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명하지만 본 발명은 이들에 의해서 한정되는 것이 아니다. 또한, 이하에서 「부」는 「질량부」를 나타낸다. Hereinafter, although the Example of this invention is described, this invention is not limited by these. In addition, "part" represents a "mass part" below.

< 실시예 1 (제조 방법 I)> Example 1 (Manufacturing Method I)

(1) 제1 무기 분체 함유 수지 조성물 (유전체 형성용 조성물)의 제조: (1) Preparation of 1st inorganic powder containing resin composition (composition for dielectric formation):

(a) 무기 분체로서 PbO-B2O3-SiO2계 유리 프릿 (연화점 570 ℃, 평균 입경 1.5 ㎛) 100 부, (b) 결착 수지로서 n-부틸메타크릴레이트/n-라우릴메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트=40 질량%/50 질량%/10 질량% 공중합체 (중량 평균 분자량: 100,000) 20 부, (c) 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 20 부 및 가소제로서 프로필렌글리콜모노올레이트 4 부를 분산기를 사용하여 혼련함으로써 점도가 4,000 mPaㆍs-1인 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 제조하였다. (a) 100 parts of PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -based glass frit (softening point 570 ° C., average particle diameter 1.5 μm) as the inorganic powder, (b) n-butyl methacrylate / n-lauryl methacryl as binder resin Rate / 2-hydroxypropyl methacrylate = 40 mass% / 50 mass% / 10 mass% copolymer (weight average molecular weight: 100,000) 20 parts, (c) propylene glycol monomethyl ether as a solvent, 20 parts and propylene as a plasticizer 4 parts of glycol monooleates were kneaded using a disperser to prepare a first inorganic powder-containing resin composition having a viscosity of 4,000 mPa · s −1 .

(2) 제2 무기 분체 함유 수지 조성물 (블랙 스트라이프 형성용 감광성 조성물)의 제조: (2) Preparation of 2nd inorganic powder containing resin composition (photosensitive composition for black stripe formation):

(a) 무기 분체로서 Cu-Cr계 복합 산화물 흑색 안료 (평균 입경 0.3 ㎛) 60 부, Bi2O3-O-B2O3-SiO2계 유리 프릿 (연화점 560 ℃, 평균 입경 2.0 ㎛) 40 부, (b) 결착 수지로서 2-에틸헥실메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트/메타크릴산=60 질량%/25 질량%/15 질량% 공중합체 (중량 평균 분자량: 50,000) 20 부, (c) 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 20 부 및 (d) 감광성 성분으로서 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 (다관능성 아크릴레이트) 20 부, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 (광중합 개시제) 5 부를 분산기를 사용하여 혼련함으로써 점도가 4,000 mPaㆍs-1인 제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 제조하였다. (a) an inorganic powder Cu-Cr composite oxide black pigment (mean particle size 0.3 ㎛) 60 part, Bi 2 O 3 -OB 2 O 3 -SiO 2 based glass frit (softening point 560 ℃, average particle size 2.0 ㎛) 40 parts and (b) 20 parts by weight of 2-ethylhexyl methacrylate / 2-hydroxypropyl methacrylate / methacrylic acid as a binder resin (60 mass% / 25 mass% / 15 mass% copolymer (weight average molecular weight: 50,000)) (c) 20 parts of propylene glycol monomethyl ether as a solvent and (d) 20 parts of tripropylene glycol diacrylate (polyfunctional acrylate) as a photosensitive component, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-mor By mixing 5 parts of polynophenyl) -butan-1-one (photoinitiator) using a dispersing machine, the 2nd inorganic powder containing resin composition which has a viscosity of 4,000 mPa * s <-1> was manufactured.

(3) 전사 필름의 제조: (3) Preparation of the transfer film:

상기 (1)로 제조한 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 50 ㎛의 제1 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성하였다 (이하, 「전사 필름 (I-1)」이라 한다). Applying the 1st inorganic powder containing resin composition manufactured by said (1) to the support film (200 mm in width, 30 m in length, 38 micrometers in thickness) which consists of PET films which carried out the mold release process previously, using a roll coater, and apply | coats a coating film It dried at 100 degreeC for 5 minutes, remove | eliminating a solvent completely, and formed the 1st inorganic powder containing resin layer of thickness 50micrometer on the support film (henceforth "transfer film (I-1)").

마찬가지로 상기 (2)에서 제조한 제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 15 ㎛의 제2 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성한다 (이하, 「전사 필름 (I-2)」이라 한다). Similarly, the 2nd inorganic powder containing resin composition manufactured by said (2) is apply | coated using a roll coater on the support film (200 mm in width, 30 m in length, 38 micrometers in thickness) which consists of PET films which carried out the mold release process previously, and apply | coats The film is dried at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent to form a second inorganic powder-containing resin layer having a thickness of 15 μm on the support film (hereinafter referred to as "transfer film (I-2)").

(4) 필름의 전사 공정: (4) transfer process of film:

6 인치 패널용의 유리 기판의 표면에, 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (I-1)을 중첩시키고, 이 전사 필름 (I-1)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기서 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 열 압착 처리의 종료 후, 지지 필름을 박리 제거하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 제1 무기 분체 함유 수지층이 전사되어 밀착한 상태가 되었다. The transfer film (I-1) was superposed | superposed on the surface of the glass substrate for 6-inch panels so that the surface of an inorganic powder containing resin layer might contact, and this transfer film (I-1) was thermocompression-bonded with the heating roller. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. After completion of the thermocompression treatment, the support film was peeled off. As a result, the first inorganic powder-containing resin layer was transferred to and adhered to the surface of the glass substrate.

계속해서, 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (I-2)을 중첩시키고 이 전사 필름 (I-2)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기서 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤 압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. Then, the transfer film (I-2) was superimposed on the 1st inorganic powder containing resin layer so that the surface of the 2nd inorganic powder containing resin layer might contact, and this transfer film (I-2) was thermocompression-bonded with the heating roller. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min.

(5) 제2 무기 분체 함유 수지층의 노광 공정: (5) Exposure process of 2nd inorganic powder containing resin layer:

제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 제2 무기 분체 함유 수지층에 대하여 노광용 마스크 (200 ㎛ 폭의 스트라이프 패턴)를 통해 지지 필름 상에서 초고압 수은등에 의해, i선 (파장 365 nm의 자외선)을 조사하였다. 여기에 조사량은 400 mJ/cm2로 하였다. I-rays (ultraviolet light having a wavelength of 365 nm) were irradiated to the second inorganic powder-containing resin layer formed on the first inorganic powder-containing resin layer by using an ultra-high pressure mercury lamp on a support film through a mask for exposure (200 μm wide stripe pattern). It was. Irradiation amount was 400 mJ / cm <2> here.

(6) 제2 무기 분체 함유 수지층의 현상 공정: (6) The developing process of a 2nd inorganic powder containing resin layer:

제2 무기 분체 함유 수지층으로부터 지지 필름을 박리한 후, 노광 처리된 제2 무기 분체 함유 수지층에 대하여 1.0 질량%의 탄산나트륨 수용액 (30 ℃)을 현상액으로 하는 샤워법에 의한 현상 처리를 30 초 동안 행하고, 이에 따라 자외선이 조사되지 않은 미경화의 제2 무기 분체 함유 수지층을 제거하여, 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 얻을 수 있었다. After peeling a support film from the 2nd inorganic powder containing resin layer, the development process by the shower method which makes 1.0 mass% aqueous sodium carbonate aqueous solution (30 degreeC) a developing solution with respect to the 2nd inorganic powder containing resin layer exposed to exposure was performed for 30 second. In this manner, the uncured second inorganic powder-containing resin layer, which was not irradiated with ultraviolet rays, was removed, thereby obtaining a pattern of the second inorganic powder-containing resin layer on the first inorganic powder-containing resin layer.

(7) 소성 공정: (7) firing process:

제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층의 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로 내에서 590 ℃의 온도 분위기하에서 30 분 동안 소성 처리하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 두께 25 ㎛의 유전체층 상에 패턴폭 200㎛, 높이 6 ㎛의 블랙 스트라이프가 형성되어 이루어지는 패널 재료를 얻을 수 있었다. The glass substrate in which the pattern of the 2nd inorganic powder containing resin layer was formed on the 1st inorganic powder containing resin layer was calcined for 30 minutes in the baking furnace in the temperature atmosphere of 590 degreeC. Thereby, the panel material by which the black stripe of pattern width 200 micrometers and height 6 micrometers was formed on the 25-micrometer-thick dielectric layer on the surface of a glass substrate was obtained.

<실시예 2> <Example 2>

실시예 1 중 (3) 전사 필름의 제조에 있어서, 상기 (2)에서 제조한 제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 미리 이형 처리한 PET필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 15 ㎛의 제2 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성하였다. In the manufacture of the transfer film of (3) in Example 1, the support film which consists of PET film which prerelease-released the 2nd inorganic powder containing resin composition manufactured by said (2) (200 mm in width, 30 m in length, thickness 38). (Micrometer) was apply | coated using a roll coater, the coating film was dried at 100 degreeC for 5 minutes, the solvent was completely removed, and the 2nd inorganic powder containing resin layer of thickness 15micrometer was formed on the support film.

또한, 상기 (1)에서 제조한 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 두께 50 ㎛의 제1 무기 분체 함유 수지층이 형성된 본 발명의 전사 필름 (이하, 「전사 필름 (I-3)」이라 한다)을 얻었다. Furthermore, the 1st inorganic powder containing resin composition manufactured by said (1) is apply | coated on a 2nd inorganic powder containing resin layer using a roll coater, a coating film is dried at 100 degreeC for 5 minutes, a solvent is completely removed, The transfer film (henceforth "transfer film (I-3)") of this invention in which the 1st inorganic powder containing resin layer of thickness 50micrometer was formed on the 2 inorganic powder containing resin layer was obtained.

실시예 1 중, (4) 필름의 전사 공정에서 6 인치 패널용의 유리 기판의 표면 에, 제1 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (I-3)을 중첩시키고 이 전사 필름 (I-3)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기서, 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. In Example 1, (4) the transfer film (I-3) is superposed so that the surface of a 1st inorganic powder containing resin layer may contact the surface of the glass substrate for 6-inch panels in the film transfer process, and this transfer film ( I-3) was thermocompressed with a heating roller. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min.

실시예 1과 동일하게 하여 제2 무기 분체 함유 수지층의 노광 공정, 현상 공정 및 소성 공정을 행하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 두께 25 ㎛의 유전체층 상에 패턴폭 200 ㎛, 높이 6 ㎛의 블랙 스트라이프가 형성되어 이루어지는 패널 재료를 얻을 수 있었다. In the same manner as in Example 1, an exposure step, a developing step, and a baking step of the second inorganic powder-containing resin layer were performed. Thereby, the panel material by which the black stripe of pattern width 200 micrometers and height 6 micrometers was formed on the 25-micrometer-thick dielectric layer on the surface of a glass substrate was obtained.

<실시예 3> <Example 3>

(1) 제1 무기 분체 함유 수지 조성물 (유전체 형성용 조성물)의 제조: (1) Preparation of 1st inorganic powder containing resin composition (composition for dielectric formation):

실시예 1 (1)과 동일하게 하여, 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 제조하였다. Example 1 It carried out similarly to (1), and manufactured the 1st inorganic powder containing resin composition.

(2) 제2 무기 분체 함유 수지 조성물 (블랙 매트릭스 형성용 조성물)의 제조: (2) Preparation of 2nd inorganic powder containing resin composition (composition for black matrix formation):

(a) 무기 분체로서 Cu-Cr계 복합 산화물 흑색 안료 (평균 입경 0.3 ㎛) 60 부, Bi2O3-O-B2O3-SiO2계 유리 프릿 (연화점 560 ℃, 평균 입경 2.0 ㎛) 40 부, (b) 결착 수지로서 2-에틸헥실메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트/메타크릴산=60 질량%/25 질량%/15 질량% 공중합체 (중량 평균 분자량: 50,000) 20 부, (c) 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 20 부 및 가소제로서 프로필렌글리콜모노올레이트 5 부를 분산기를 사용하여 혼련함으로써 점도가 4,000 mPaㆍs-1인 제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 제조하였다. (a) an inorganic powder Cu-Cr composite oxide black pigment (mean particle size 0.3 ㎛) 60 part, Bi 2 O 3 -OB 2 O 3 -SiO 2 based glass frit (softening point 560 ℃, average particle size 2.0 ㎛) 40 parts and (b) 20 parts by weight of 2-ethylhexyl methacrylate / 2-hydroxypropyl methacrylate / methacrylic acid as a binder resin (60 mass% / 25 mass% / 15 mass% copolymer (weight average molecular weight: 50,000)) and (c) 20 parts of propylene glycol monomethyl ether as a solvent and 5 parts of propylene glycol monooleate as a plasticizer were kneaded using a disperser to prepare a second inorganic powder-containing resin composition having a viscosity of 4,000 mPa · s −1 .

(3) 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물의 제조: (3) Preparation of alkali developing radiation sensitive resist composition:

알칼리 가용성 수지로서 벤질메타크릴레이트/메타크릴산=75/25 (질량%) 공중합체 (Mw=60,000) 60 부, 다관능성 단량체 (감방사선성 성분)로서 트리프로필렌글리콜디아크릴레이트 40 부, 광중합 개시제 (감방사선성 성분)로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 5 부 및 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 100 부를 혼련함으로써 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물 (이하, 「레지스트 조성물」이라고 한다)을 제조하였다. Benzyl methacrylate / methacrylic acid = 75/25 (mass%) copolymer (Mw = 60,000) as alkali-soluble resin, 60 parts of tripropylene glycol diacrylates as a polyfunctional monomer (radiation sensitive component), photopolymerization Alkali development by kneading 5 parts of 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one as an initiator (radiation sensitive component) and 100 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent A type radiation sensitive resist composition (hereinafter referred to as a "resist composition") was produced.

(4) 전사 필름의 제조: (4) Preparation of the transfer film:

상기 (1)에서 제조한 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 50 ㎛의 제1 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성하였다 (이하, 「전사 필름 (Ⅱ-1)」이라 한다). Applying the 1st inorganic powder containing resin composition manufactured by said (1) to the support film (200 mm in width, 30 m in length, 38 micrometers in thickness) which consists of PET films which carried out the mold release process previously, using a roll coater, and apply | coats a coating film It dried at 100 degreeC for 5 minutes, remove | eliminating a solvent completely, and formed the 1st inorganic powder containing resin layer of thickness 50micrometer on the support film (henceforth "transfer film (II-1)").

마찬가지로, 상기 (2)에서 제조한 제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 이용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하고, 두께 15 ㎛의 제2 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성하였다 (이하, 「전사 필름 (Ⅱ-2)」이라 한다). Similarly, apply | coating using the roll coater on the support film (200 mm in width, 30 m in length, 38 micrometers in thickness) which consists of PET film which prerelease-released the 2nd inorganic powder containing resin composition manufactured by said (2), The coating film was dried at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent, and a second inorganic powder-containing resin layer having a thickness of 15 μm was formed on the support film (hereinafter, referred to as "transfer film (II-2)").

또한, 마찬가지로 상기 (3)에서 제조한 레지스트 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 8 ㎛의 레지스트막을 지지 필름 상에 형성하였다 (이하, 「전사 필름 (Ⅱ-3)」이라 한다). Similarly, the resist composition prepared in the above (3) was applied onto a support film (200 mm in width, 30 m in length, 38 μm in thickness) made of a PET film previously released, using a roll coater, and the coating film was 100 ° C. Was dried for 5 minutes to completely remove the solvent, and a resist film having a thickness of 8 µm was formed on the support film (hereinafter referred to as "transfer film (II-3)").

(4) 필름의 전사 공정: (4) transfer process of film:

6 인치 패널용의 유리 기판의 표면에, 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (Ⅱ-1)을 중첩시키고, 이 전사 필름 (Ⅱ-1)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기서 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 열 압착 처리의 종료 후, 지지 필름을 박리 제거하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 제1 무기 분체 함유 수지층이 전사되어 밀착한 상태가 되었다. The transfer film (II-1) was superimposed on the surface of the glass substrate for 6-inch panels so that the surface of an inorganic powder containing resin layer might contact, and this transfer film (II-1) was thermocompression-bonded with the heating roller. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. After completion of the thermocompression treatment, the support film was peeled off. As a result, the first inorganic powder-containing resin layer was transferred to and adhered to the surface of the glass substrate.

계속해서, 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (Ⅱ-2)을 중첩시키고, 이 전사 필름 (Ⅱ-2)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기에서, 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 열 압착 처리의 종료 후, 지지 필름을 박리 제거하였다. 이에 따라 제1 무기 분체 함유 수지층의 표면에 제2 무기 분체 함유 수지층이 전사되어 밀착한 상태가 되었다. Subsequently, the transfer film (II-2) was superimposed on the 1st inorganic powder containing resin layer so that the surface of the 2nd inorganic powder containing resin layer might contact, and this transfer film (II-2) was thermocompression-bonded with the heating roller. . Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. After completion of the thermocompression treatment, the support film was peeled off. As a result, the second inorganic powder-containing resin layer was transferred to and adhered to the surface of the first inorganic powder-containing resin layer.

또한, 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트막의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (Ⅱ-3)을 중첩시키고 이 전사 필름 (Ⅱ-3)을 가열 롤러로써 열 압착하였다. 여기에서, 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. Furthermore, the transfer film (II-3) was superimposed on the 2nd inorganic powder containing resin layer so that the surface of a resist film might contact, and this transfer film (II-3) was thermocompression-bonded with the heating roller. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min.

(5) 레지스트막의 노광 공정: (5) Exposure process of resist film:

제2 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 레지스트막에 대하여 노광용 마스크 (200 ㎛ 폭의 스트라이프 패턴)을 통해, 지지 필름 상에서 초고압 수은등에 의해, i선 (파장 365 nm의 자외선)을 조사하였다. 여기서, 조사량은 4OO mJ/cm2로 하였다. The i-line (ultraviolet light having a wavelength of 365 nm) was irradiated to the resist film formed on the 2nd inorganic powder containing resin layer with the ultrahigh pressure mercury lamp on the support film through the exposure mask (200 micrometers wide stripe pattern). Here, the irradiation amount was 40 mJ / cm 2 .

(6) 레지스트막의 현상 공정: (6) Developing process of resist film:

레지스트막으로부터 지지 필름을 박리한 후, 노광 처리된 레지스트막에 대하여 0.6 질량%의 탄산나트륨 수용액 (30 ℃)을 현상액으로 하는 샤워법에 의한 현상 처리를 30 초 동안 행하고, 이에 따라 자외선이 조사되지 않은 미경화의 레지스트막을 제거하고, 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트 패턴을 얻을 수 있었다. After peeling a support film from a resist film, the developing process by the shower method which makes 0.6 mass% aqueous sodium carbonate aqueous solution (30 degreeC) a developing solution with respect to an exposed resist film for 30 second was performed, and ultraviolet light was not irradiated by this. The uncured resist film was removed, and a resist pattern was obtained on the second inorganic powder-containing resin layer.

(7) 제2 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정: (7) Etching Process of Second Inorganic Powder-Containing Resin Layer:

상기 (6) 레지스트막의 현상 공정에 이어서, 제2 무기 분체 함유 수지층에 대하여 0.6 질량%의 탄산나트륨 수용액 (30 ℃)을 에칭액으로 하는 샤워법에 의한 에칭 처리를 60 초 동안 행한 후, 계속해서 초순수에 의한 수세 처리 및 건조 처리를 하고, 이에 따라 레지스트막 제거부에 대응하는 제2 무기 분체 함유 수지층을 제거하여 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 얻을 수 있었다. Subsequent to the development process of the resist film (6), the etching process by a shower method using 0.6 mass% sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.) as an etching solution with respect to the second inorganic powder-containing resin layer was performed for 60 seconds, followed by ultrapure water. Washing with water and drying treatment, thereby removing the second inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist film removing unit to obtain a second inorganic powder-containing resin layer pattern on the first inorganic powder-containing resin layer. .

(8) 소성 공정: (8) firing process:

제1 무기 분체 함유 수지층상에 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로 내에서 590 ℃의 온도 분위기하에서 30 분 동안 소성 처리하였다. 이에 따라, 레지스트 패턴, 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴 및 제1 무기 분체 함유 수지층 중의 유기 성분을 제거하고, 유리 기판의 표면에 두께 25 ㎛의 유전체층 상에 패턴폭 200 ㎛, 높이 6 ㎛의 블랙 매트릭스 (스트라이프)가 형성되어 이루어지는 패널 재료를 얻을 수 있었다. The glass substrate in which the 2nd inorganic powder containing resin layer pattern was formed on the 1st inorganic powder containing resin layer was baked in the baking furnace for 30 minutes in the temperature atmosphere of 590 degreeC. Thereby, the organic component in a resist pattern, a 2nd inorganic powder containing resin layer pattern, and a 1st inorganic powder containing resin layer was removed, and the pattern width of 200 micrometers and a height of 6 micrometers were formed on the dielectric layer of thickness 25micrometer on the surface of a glass substrate. The panel material in which the black matrix (stripe) was formed was obtained.

<실시예 4> <Example 4>

실시예 3 (4) 전사 필름의 제조에 있어서, 실시예 3 (3)에서 제조한 레지스트 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 (폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 리버스 롤 코터를 이용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 3 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 8 ㎛의 레지스트막을 지지 필름 상에 형성하였다. Example 3 (4) In the manufacture of the transfer film, on the support film (200 mm in width, 30 m in length, 38 μm in thickness) consisting of a PET film in which the resist composition prepared in Example 3 (3) was released in advance. It apply | coated using the reverse roll coater, the coating film was dried at 100 degreeC for 3 minutes, the solvent was completely removed, and the 8-micrometer-thick resist film was formed on the support film.

계속해서, 실시예 3 (2)에서 제조한 제2 무기 분체 함유 수지 조성물을 레지스트막 상에 블레이드 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 두께 15 ㎛의 제2 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성하였다. Subsequently, the second inorganic powder-containing resin composition prepared in Example 3 (2) was applied onto the resist film using a blade coater, the coating film was dried at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent, and the thickness was 15 μm. The second inorganic powder containing resin layer was formed on the support film.

또한, 실시예 3 (1)에서 제조한 제1 무기 분체 함유 수지 조성물을 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 블레이드 코터를 사용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분간 건조하여 용제를 완전히 제거하여, 제2 무기 분체 함유 수지층 상에 두께 50 ㎛의 제1 무기 분체 함유 수지층이 형성된 본 발명의 전사 필름 (이하, 「전사 필름 (Ⅱ-4)」라고 한다)을 얻었다. Further, the first inorganic powder-containing resin composition prepared in Example 3 (1) was applied onto the second inorganic powder-containing resin layer using a blade coater, and the coating film was dried at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent. And the transfer film (henceforth "transfer film (II-4)") of this invention in which the 1st inorganic powder containing resin layer of thickness 50micrometer was formed on the 2nd inorganic powder containing resin layer were obtained.

실시예 3 (5) 필름의 전사 공정에서, 6 인치 패널용의 유리 기판의 표면에, 제1 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름 (Ⅱ-4)을 중첩시키고, 이 전사 필름 (II-4)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기에서 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. Example 3 (5) In the transfer process of a film, the transfer film (II-4) is superposed so that the surface of a 1st inorganic powder containing resin layer may contact the surface of the glass substrate for 6-inch panels, and this transfer film ( II-4) was thermally pressed with a heating roller. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min.

실시예 1과 동일하게 하여 레지스트막의 노광, 현상 공정, 제2 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정 및 소성 공정을 행하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 두께 25 ㎛의 유전체층 상에 패턴폭 200 ㎛, 높이 6 ㎛의 블랙 매트릭스 (스트라이프)가 형성되어 이루어지는 패널 재료를 얻을 수 있었다. In the same manner as in Example 1, the resist film was exposed, the developing step, the etching step and the baking step of the second inorganic powder-containing resin layer were performed. As a result, a panel material obtained by forming a black matrix (stripe) having a pattern width of 200 μm and a height of 6 μm on a dielectric layer having a thickness of 25 μm on the surface of the glass substrate was obtained.

도 1은 일반적인 PDP를 나타내는 설명용 단면도. 1 is a cross-sectional view illustrating a general PDP.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 유리 기판 2: 유리 기판 1: glass substrate 2: glass substrate

3: 격벽 4: 투명 전극 3: partition 4: transparent electrode

5: 버스 전극 6: 어드레스 전극5: bus electrode 6: address electrode

7: 형광체 8: 유전체층7: phosphor 8: dielectric layer

9: 유전체층 10 보호막 9: dielectric layer 10 protective film

Claims (6)

(i) 기판 상에 비감광성의 제1 무기 분체 함유 수지층을 형성하고, 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 감광성의 제2 무기 분체 함유 수지층을 형성하는 공정, (i) forming a non-photosensitive first inorganic powder-containing resin layer on the substrate, and forming a photosensitive second inorganic powder-containing resin layer on the first inorganic powder-containing resin layer; (ⅱ) 제2 무기 분체 수지층을 노광ㆍ현상 처리하고, 제2 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성하는 공정, 및 (Ii) exposing and developing the second inorganic powder resin layer to form a pattern of the second inorganic powder-containing resin layer, and (ⅲ) 제1 무기 분체 함유 수지층 및 해당 제1 무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 제2 무기 분체 함유 수지층 패턴을 소성하는 공정(Iii) Process of baking the 2nd inorganic powder containing resin layer pattern formed on the 1st inorganic powder containing resin layer and this 1st inorganic powder containing resin layer. 을 포함하는 방법에 의해 무기막 상에 패턴을 형성하고,Forming a pattern on the inorganic film by a method comprising a, 상기 제1 무기 분체 함유 수지층은 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 유래의 공중합 성분을 함유하는 수지 성분을 함유하고, 상기 제2 무기 분체 함유 수지층은 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.The said 1st inorganic powder containing resin layer contains the resin component containing the copolymerization component derived from the compound represented by following formula (1), The said 2nd inorganic powder containing resin layer contains alkali-soluble resin component, It is characterized by the above-mentioned. , Manufacturing method of plasma display panel. <화학식 1><Formula 1>
Figure 112008056432103-PAT00005
Figure 112008056432103-PAT00005
식 중, R1은 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고, R2는 알킬기 또는 알콕시알킬기를 나타낸다.In the formula, R 1 represents a hydrogen atom or a methyl group, and R 2 represents an alkyl group or an alkoxyalkyl group.
제1항에 있어서, 지지 필름 상에 형성된 무기 분체 함유 수지층을 전사하는 공정을 포함하는 방법에 의해, 제1 무기 분체 함유 수지층 및 제2 무기 분체 함유 수지층의 적어도 한쪽을 형성하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. The method according to claim 1, wherein at least one of the first inorganic powder-containing resin layer and the second inorganic powder-containing resin layer is formed by a method including a step of transferring the inorganic powder-containing resin layer formed on the support film. The manufacturing method of a plasma display panel. 제1항에 있어서, 지지 필름 상에 형성된 제2 무기 분체 함유 수지층과 제1 무기 분체 함유 수지층과의 적층막을 기판 상에 전사하는 공정을 포함하는 방법에 의해, 제1 무기 분체 함유 수지층 및 제2 무기 분체 함유 수지층을 형성하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. The first inorganic powder-containing resin layer according to claim 1, comprising a step of transferring a laminated film of the second inorganic powder-containing resin layer and the first inorganic powder-containing resin layer formed on the support film onto a substrate. And a second inorganic powder-containing resin layer, wherein the plasma display panel is manufactured. 제1항에 있어서, 제1 무기 분체 함유 수지층이, 무기 분체로서 유리 프릿을 함유하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1, wherein the first inorganic powder-containing resin layer contains a glass frit as an inorganic powder. 제1항에 있어서, 제1 무기 분체 함유 수지층에 의해 유전체층을 형성하고, 제2 무기 분체 함유 수지층에 의해 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 칼라 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 1종 이상의 패널 재료를 형성하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. The panel material according to claim 1, wherein a dielectric layer is formed of the first inorganic powder-containing resin layer, and at least one panel material selected from partitions, electrodes, resistors, phosphors, color filters, and black matrices by the second inorganic powder-containing resin layer. Forming a plasma display panel. 지지 필름 상에, 알칼리 가용성의 수지 성분을 함유하는 감광성의 무기 분체 함유 수지층과, 알칼리 불용성 또는 난용성의 수지 성분을 함유하는 비감광성의 무기 분체 함유 수지층을 포함하는 적층막이 형성되어 되는 것을 특징으로 하는, 전사 필름. The laminated film containing the photosensitive inorganic powder containing resin layer containing alkali-soluble resin component and the non-photosensitive inorganic powder containing resin layer containing alkali-insoluble or poorly soluble resin component is formed on a support film. Characterized in the transfer film.
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