KR100680087B1 - Inorganic Particle-Containing Resin Composition, Transfer Film Comprising the Same and Plasma Display Panel Production Process - Google Patents

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Abstract

본 발명은 가요성, 전사성이 우수하고, 에칭 공정 및 소성 공정을 거쳐 형성되는 소결체 패턴에 변형 및 박리가 발생하지 않는 무기 입자 함유 수지층을 형성할 수 있는 무기 입자 함유 수지 조성물, 상기 무기 입자 함유 수지층을 가진 전사 필름을 제공하는 것 및 치수 정밀도가 높은 패턴을 형성할 수 있고, 작업성이 우수한 PDP의 제조 방법을 제공한다. The present invention provides an inorganic particle-containing resin composition excellent in flexibility and transferability and capable of forming an inorganic particle-containing resin layer that does not cause deformation and peeling in a sintered body pattern formed through an etching process and a firing process, and the inorganic particles. It is possible to provide a transfer film having a resin layer containing a resin, and to provide a pattern with high dimensional accuracy, and to provide a method for producing a PDP having excellent workability.

본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물은 무기 입자, 결착 수지, 메틸올기 및(또는) 알콕시메틸기를 함유하는 화합물 및 용제를 함유한다. 본 발명의 전사 필름은 상기 무기 입자 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 입자 함유 수지층이 지지 필름상에 형성되어 있다. 본 발명의 PDP 제조 방법은, 상기한 전사 필름을 구성하는 무기 입자 함유 수지층을 기판상에 전사하고, 무기 입자 함유 수지층을 에칭 처리 및 소성 처리함으로써 PDP 구성 요소를 형성하는 공정을 포함한다. The inorganic particle containing resin composition of this invention contains the compound and solvent containing an inorganic particle, binder resin, a methylol group, and / or an alkoxy methyl group. As for the transfer film of this invention, the inorganic particle containing resin layer obtained from the said inorganic particle containing resin composition is formed on the support film. The PDP manufacturing method of this invention includes the process of forming a PDP component by transferring the inorganic particle containing resin layer which comprises said transfer film on a board | substrate, and etching and baking an inorganic particle containing resin layer.

무기입자, 패턴, 수지 조성물, 전사 필름, 플라즈마 디스플레이 Inorganic particles, pattern, resin composition, transfer film, plasma display

Description

무기 입자 함유 수지 조성물, 그를 포함하는 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법{Inorganic Particle-Containing Resin Composition, Transfer Film Comprising the Same and Plasma Display Panel Production Process}Inorganic Particle-Containing Resin Composition, Transfer Film Comprising the Same and Plasma Display Panel Production Process

도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 단면 형상을 나타내는 모식도.1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC plasma display panel.

도 2는 (가)는 본 발명의 전사 필름을 나타내는 개략 단면도이고, (나)는 상기 전사 필름의 층 구성을 나타내는 단면도.(A) is a schematic sectional drawing which shows the transfer film of this invention, (b) is sectional drawing which shows the laminated constitution of the said transfer film.

도 3은 본 발명 제조 방법에서의 전극의 형성 공정(전사 공정·레지스트막의 형성 공정·노광 공정)의 일례를 나타내는 개략 단면도.3 is a schematic cross-sectional view showing an example of an electrode formation step (transfer step, resist film formation step, exposure step) in the production method of the present invention.

도 4는 본 발명 제조 방법에서의 전극의 형성 공정(현상 공정·에칭 공정·소성 공정)의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.It is a schematic sectional drawing which shows an example of the formation process (development process, etching process, baking process) of the electrode in the manufacturing method of this invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명> <Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

1: 유리 기판(전면 기판)1: glass substrate (front substrate)

2: 유리 기판(배면 기판)2: glass substrate (back substrate)

3: 격벽3: bulkhead

4: 투명 전극4: transparent electrode

5: 버스 전극 5: bus electrode                 

6: 어드레스 전극6: address electrode

7: 형광체7: phosphor

8: 유전체(전면 기판)8: Dielectric (Front Board)

9: 유전체(배면 기판)9: dielectric (back substrate)

10: 보호막10: shield

1F: 지지 필름1F: support film

2F: 무기 입자 함유 수지층2F: inorganic particle-containing resin layer

F3: 커버 필름F3: cover film

11: 유리 기판11: glass substrate

12: 투명 전극12: transparent electrode

20: 전사 필름20: transfer film

21: 무기 입자 함유 수지층21: inorganic particle-containing resin layer

22: 지지 필름22: support film

25: 무기 입자 함유 수지층의 패턴25: Pattern of Inorganic Particle-Containing Resin Layer

25A: 수지층 잔류부25A: Resin layer remaining part

25B: 수지층 제거부25B: Resin Layer Removal Part

31: 레지스트막31: resist film

35: 레지스트 패턴35: resist pattern

35A: 레지스트 잔류부35A: Resist Residue

35B: 레지스트 제거부 35B: resist removal section                 

40: 전극40: electrode

50: 패널 재료50: panel material

M: 노광용 마스크M: mask for exposure

MA: 광투과부MA: light transmitting part

MB: 차광부MB: Shading part

본 발명은 무기 입자 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 플라즈마 디스플레이 패널의 각 표시 셀을 구성하는 전극, 격벽, 저항체, 유전체, 형광체, 칼라 필터 및 블랙 스트라이프 (매트릭스) 형성에 있어서, 고정밀 패턴을 형성하기 위하여 바람직하게 사용할 수 있는 무기 입자 함유 수지 조성물, 이를 이용하여 얻어지는 무기 입자 함유 수지층을 갖는 전사 필름 및 상기 전사 필름을 이용하여 행하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다.The present invention relates to an inorganic particle-containing resin composition, a transfer film, and a method for manufacturing a plasma display panel using the same. More particularly, the present invention relates to an electrode, a partition, a resistor, a dielectric, a phosphor, and a color filter constituting each display cell of the plasma display panel. And an inorganic particle-containing resin composition which can be preferably used to form a high precision pattern in forming a black stripe (matrix), a transfer film having an inorganic particle-containing resin layer obtained using the same, and a plasma display performed using the transfer film. It relates to a method for producing a panel.

플라즈마 디스플레이 패널 (이하, "PDP"라고 함)은 대형 패널이면서 제조 공정이 용이하고, 시야각이 넓으며 자발광 타입으로 표시 품위가 높다는 것 등의 이유로부터 편평한 패널 표시 기술 중에서 주목받고 있으며, 특히 칼라 PDP는 20 인치 이상의 벽걸이 텔레비젼용 표시 장치로서 장래 주류가 될 것으로 기대되고 있다. Plasma display panels (hereinafter referred to as "PDP") are large panels, and are attracting attention among flat panel display technologies for reasons such as easy manufacturing processes, wide viewing angles, and high display quality due to their self-luminous type. PDPs are expected to become mainstream in the future as display devices for wall-mounted televisions of 20 inches or larger.                         

칼라 PDP는 가스 방전에 의해 발생하는 자외선을 형광체에 조사함으로써 칼라 표시가 가능하다. 그리고, 일반적으로 칼라 PDP에서는 적색 발광용 형광체 부위, 녹색 발광용 형광체 부위 및 청색 발광용 형광체 부위가 기판상에 형성됨으로써, 각 색의 발광 표시 셀이 전체에 균일하게 혼재된 상태로 구성되어 있다. 구체적으로는, 유리 등으로 이루어지는 기판 표면에 배리어 리브라고 불리우는 절연성 재료로 이루어지는 격벽이 설치되어 있고, 이 격벽에 의해 다수의 표시 셀이 구획되며, 상기 표시 셀 내부가 플라즈마 작용 공간이 된다. 그리고, 이 플라즈마 작용 공간에 형광체 부위가 설치됨과 동시에, 이 형광체 부위에 플라즈마를 작용시키는 전극이 설치됨으로써, 각각의 표시 셀을 표시 단위로 하는 플라즈마 디스플레이 패널이 구성된다.Color PDP can display a color by irradiating a fluorescent substance with the ultraviolet-ray generate | occur | produced by gas discharge. In general, in the color PDP, the red luminescent phosphor portion, the green luminescent phosphor portion and the blue luminescent phosphor portion are formed on the substrate so that the light emitting display cells of each color are uniformly mixed in the whole. Specifically, a partition wall made of an insulating material called a barrier rib is provided on the surface of the substrate made of glass or the like, and a plurality of display cells are partitioned by the partition wall, and the inside of the display cell becomes a plasma working space. A phosphor portion is provided in the plasma working space and an electrode for applying a plasma to the phosphor portion is provided to form a plasma display panel in which each display cell is a display unit.

도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 단면 형상을 나타내는 모식도이다. 도면에서 (1) 및 (2)는 대향 배치된 유리 기판, (3)은 격벽이고, 유리 기판 (1), 유리 기판 (2) 및 격벽 (3)에 의해 셀이 구획 형성된다. (4)는 유리 기판 (1)에 고정된 투명 전극, (5)는 투명 전극 (4)의 저항을 낮출 목적으로 투명 전극 (4) 상에 형성된 버스 전극, (6)은 유리 기판 (2)에 고정된 어드레스 전극, (7)은 셀 내에 유지된 형광체, (8)은 투명 전극 (4) 및 버스 전극 (5)를 피복하도록 유리 기판 (1) 표면에 형성된 유전체, (9)는 어드레스 전극 (6)을 피복하도록 유리 기판 (2) 표면에 형성된 유전체, (10)은 예를 들면 산화 마그네슘으로 이루어지는 보호막이다.1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC plasma display panel. In the drawings, (1) and (2) are opposed glass substrates, (3) are partition walls, and cells are partitioned by the glass substrate (1), glass substrate (2), and partition walls (3). 4 is a transparent electrode fixed to the glass substrate 1, 5 is a bus electrode formed on the transparent electrode 4 for the purpose of lowering the resistance of the transparent electrode 4, 6 is a glass substrate 2 An address electrode fixed to the substrate, (7) a phosphor held in the cell, (8) a dielectric formed on the surface of the glass substrate (1) to cover the transparent electrode (4) and the bus electrode (5), (9) an address electrode The dielectric material 10 formed on the surface of the glass substrate 2 so as to cover 6 is a protective film made of, for example, magnesium oxide.

또한, PDP의 콘트라스트를 향상시키기 위하여 적색, 녹색, 청색의 칼라 필터 나 통상 스트라이프형 및 격자형의 형상을 갖는 블랙 매트릭스를 상기 유리 기판 (1)과 유전체 (8) 사이 및 상기 유전체 (8)과 보호막 (10) 사이 등에 설치하는 경우도 있다.In addition, in order to improve the contrast of the PDP, a red, green, blue color filter or a black matrix having a stripe-like and lattice-shaped shape is interposed between the glass substrate 1 and the dielectric 8 and the dielectric 8 and It may be provided between the protective film 10 and the like.

또한, 직류형 PDP에 있어서는, 상기 교류형의 PDP 구성 요소와 함께 통상 전극 단자 (양극 단자)와 전극 리드 (양극 리드)와의 사이에 저항체를 설치한다.In the DC-type PDP, a resistor is usually provided between the electrode terminal (anode terminal) and the electrode lead (anode lead) together with the AC-type PDP component.

이러한 플라즈마 디스플레이 패널을 구성하는 전극, 격벽, 저항체, 유전체, 형광체, 칼라 필터 및 블랙 매트릭스 등을 제조하는 방법으로서는, (1) 비감광성 무기 입자 함유 수지 조성물을 기판상에 스크린 인쇄하여 패턴을 얻고, 이것을 소성하는 스크린 인쇄법, (2) 감광성 무기 입자 함유 수지 조성물막을 기판상에 형성하고, 이 막에 포토마스크를 통하여 자외선을 조사하여 현상함으로써 기판상에 패턴을 형성하고, 이것을 소성하는 포토리소그래피법 등이 알려져 있다. As a method of manufacturing an electrode, a partition, a resistor, a dielectric, a phosphor, a color filter, a black matrix, and the like constituting such a plasma display panel, (1) a non-photosensitive inorganic particle-containing resin composition is screen printed onto a substrate to obtain a pattern; Screen printing method of baking this, (2) Photosensitive inorganic particle containing resin composition film | membrane is formed on a board | substrate, this pattern is formed by irradiating an ultraviolet-ray through a photomask, and a pattern is formed on a board | substrate, and this photolithographic method of baking this Etc. are known.

그러나, 상기 스크린 인쇄법에서는 패널의 대형화 및 고정밀화에 따라 패턴의 위치 정밀도에 대한 요구가 매우 엄격해 통상의 인쇄법으로는 대응할 수 없다는 문제가 있다.However, in the above screen printing method, there is a problem that the demand for positional accuracy of the pattern is very strict due to the increase in size and precision of the panel, and thus it is not possible to cope with the ordinary printing method.

또한, 상기 포토리소그래피법에서는 1회 노광 및 현상 공정으로 10 내지 1OO ㎛의 막 두께를 갖는 패턴을 형성할 때, 무기 입자 함유 수지층의 깊이 방향에 대한 감도가 낮고, 명확한 엣지의 정밀도 높은 패턴을 얻기가 곤란하다. 또한, 현상 공정에 있어서 찌꺼기가 생기기 쉽고, 또한 소성 공정을 거쳐 형성되는 소결체의 패턴 변형이나 상기 패턴의 박리가 발생하기 쉽다는 문제가 있다.In addition, in the photolithography method, when forming a pattern having a film thickness of 10 to 100 [mu] m in a single exposure and development process, a pattern having a low sensitivity to the depth direction of the inorganic particle-containing resin layer and a high precision with a clear edge are produced. Difficult to obtain Moreover, there exists a problem that a dregs easily generate | occur | produces in a image development process, and the pattern deformation of the sintered compact formed through a baking process and peeling of the said pattern are easy to generate | occur | produce.

치수 정밀도가 높은 전극, 격벽, 저항체, 유전체, 형광체, 칼라 필터 및 블 랙 매트릭스를 얻을 수 있고, 또한 상기 (1), (2)와 같은 제조 방법과 비교하여 작업성이 향상된 형성 방법으로서, 본 발명자들은 무기 입자 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 입자 함유 수지층을 지지 필름상에 형성하고, 상기 무기 입자 함유 수지층을 기판상에 전사하여 기판상에 전사된 무기 입자 함유 수지층상에 레지스트막을 형성하고, 상기 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키며, 상기 무기 입자 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기 입자 함유 수지층 패턴을 형성하고, 상기 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해, 전극, 저항체, 유전체, 형광체, 칼라 필터 및 블랙 매트릭스 중 하나 이상을 형성하는 방법을 제안하고 있다 (일본 특개평 11-162339호 공보 참조).An electrode, partition wall, resistor, dielectric, phosphor, color filter, and black matrix with high dimensional accuracy can be obtained, and the forming method has improved workability as compared with the manufacturing methods such as (1) and (2). The inventors form an inorganic particle-containing resin layer obtained from an inorganic particle-containing resin composition on a support film, transfer the inorganic particle-containing resin layer onto a substrate to form a resist film on the inorganic particle-containing resin layer transferred onto the substrate, Exposing the resist film to form a latent image of a resist pattern; developing the resist film to present a resist pattern; etching the inorganic particle-containing resin layer to form an inorganic particle-containing resin layer pattern corresponding to the resist pattern And a method including the step of firing the pattern to form an electrode, a resistor, a dielectric, and a mold. A method of forming at least one of a body, a color filter and a black matrix is proposed (see Japanese Patent Laid-Open No. 11-162339).

이러한 제조 방법에 따르면, 정밀도가 높고, 동시에 표면 균일성이 우수한 패턴을 형성할 수 있다. 또한, 무기 입자 함유 수지 조성물로 이루어지는 무기 입자 함유 수지층이 지지 필름상에 형성되어 이루어지는 복합 필름 (이하, "전사 필름"이라고 함)은, 이것을 롤형으로 권취하여 보존할 수 있는 점에서도 유리하다.According to this manufacturing method, a pattern with high precision and excellent surface uniformity can be formed. Moreover, the composite film (henceforth "transfer film") in which the inorganic particle containing resin layer which consists of an inorganic particle containing resin composition is formed on a support film is also advantageous at the point which can be wound up and preserve | saved in roll shape.

그러나, 종래의 전사 필름은 지지 필름상에 형성되는 무기 입자 함유 수지층이 충분한 가요성을 갖지 못하며, 전사 필름을 구부리면 상기 무기 입자 함유 수지층 표면에 미세한 균열 (금이 감)이 발생한다는 문제가 있다.However, the conventional transfer film has a problem that the inorganic particle-containing resin layer formed on the support film does not have sufficient flexibility, and when the transfer film is bent, fine cracks (cracking) occur on the surface of the inorganic particle-containing resin layer. have.

또한, 무기 입자 함유 수지층이 유리 기판에 대하여 충분한 접착성 (가열 접착성)을 발휘할 수 없고, 지지 필름으로부터 유리 기판 표면으로 전사되지 않는다는 문제가 있다. Moreover, there exists a problem that an inorganic particle containing resin layer cannot exhibit sufficient adhesiveness (heat adhesiveness) with respect to a glass substrate, and does not transfer to a glass substrate surface from a support film.                         

또한, 무기 입자 함유 수지층의 패턴을 소성하여 형성되는 소결체 패턴에 있어서, 변형 및 박리가 발생하기 쉽다는 문제가 있다.Moreover, in the sintered compact pattern formed by baking the pattern of an inorganic particle containing resin layer, there exists a problem that a deformation | transformation and peeling tend to occur easily.

여기에서 "패턴의 변형"이란, 기판으로부터 패턴 엣지부가 젖혀 올라가는 현상, 이른바 엣지 컬을 말한다.The term "deformation of the pattern" herein refers to a phenomenon in which the pattern edge portion is bent up from the substrate, so-called edge curl.

또한, "패턴의 박리"란, 극도의 패턴 변형이 발생한 결과, 기판으로부터 패턴이 탈락하는 현상을 말한다.In addition, "pattern peeling" means the phenomenon that a pattern falls from a board | substrate as a result of the extreme pattern distortion generate | occur | produced.

본 발명은 이상과 같은 사정에 기초하여 이루어진 것이다.This invention is made | formed based on the above circumstances.

본 발명의 제1 목적은 가요성, 전사성 (유리 기판에 대한 무기 입자 함유 수지층의 가열 접착성)이 우수하고, 에칭 공정 및 소성 공정을 거쳐 형성되는 소결체 패턴에 변형이나 박리가 발생하지 않는 무기 입자 함유 수지층을 형성할 수 있는 무기 입자 함유 수지 조성물을 제공하는 것이다.The first object of the present invention is excellent in flexibility and transferability (heat adhesion of the inorganic particle-containing resin layer to the glass substrate), and does not cause deformation or peeling of the sintered body pattern formed through the etching process and the firing process. It is providing the inorganic particle containing resin composition which can form an inorganic particle containing resin layer.

본 발명의 제2 목적은 가요성, 전사성 (유리 기판에 대한 무기 입자 함유 수지층의 가열 접착성)이 우수하고, 에칭 공정 및 소성 공정을 거쳐 형성되는 소결체 패턴에 변형이나 박리가 발생하지 않는 무기 입자 함유 수지층을 갖는 전사 필름을 제공하는 것이다.The second object of the present invention is excellent in flexibility and transferability (heat adhesion of the inorganic particle-containing resin layer to the glass substrate), and does not cause deformation or peeling of the sintered body pattern formed through the etching process and the firing process. It is to provide a transfer film having an inorganic particle-containing resin layer.

본 발명의 제3 목적은 치수 정밀도가 높은 패턴을 형성할 수 있고, 작업성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다.A third object of the present invention is to provide a method of manufacturing a plasma display panel which can form a pattern with high dimensional accuracy and is excellent in workability.

본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물은 (A) 무기 입자, (B) 결착 수지, (C) 메틸올기 및(또는) 알콕시메틸기를 함유하는 화합물 (이하, 간단히 "특정 화합물"이라고 함) 및 (D) 용제를 함유하는 것을 특징으로 한다.The inorganic particle-containing resin composition of the present invention comprises a compound containing (A) an inorganic particle, (B) a binder resin, (C) a methylol group and / or an alkoxymethyl group (hereinafter simply referred to as a "specific compound") and (D A solvent is contained.

본 발명의 전사 필름은 상기 무기 입자 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 입자 함유 수지층이 지지 필름상에 형성되어 있는 것을 특징으로 한다.The transfer film of this invention is characterized by the inorganic particle containing resin layer obtained from the said inorganic particle containing resin composition formed on the support film.

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은 상기한 전사 필름을 구성하는 무기 입자 함유 수지층을 기판상에 전사하고, 전사된 무기 입자 함유 수지층상에 레지스트막을 형성하고, 상기 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키며, 상기 무기 입자 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기 입자 함유 수지층 패턴을 형성하고, 상기 패턴을 소성 처리함으로써 격벽, 전극, 저항체, 유전체, 형광체, 칼라 필터 및 블랙 매트릭스 중 하나 이상을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.In the method of manufacturing a plasma display panel of the present invention, the inorganic particle-containing resin layer constituting the transfer film is transferred onto a substrate, a resist film is formed on the transferred inorganic particle-containing resin layer, and the resist film is exposed to a resist pattern. By forming a latent image of the resist film, developing the resist film to present a resist pattern, etching the inorganic particle-containing resin layer to form an inorganic particle-containing resin layer pattern corresponding to the resist pattern, and firing the pattern And forming at least one of a partition, an electrode, a resistor, a dielectric, a phosphor, a color filter, and a black matrix.

또한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법은, 레지스트막과 상기의 무기 입자 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 입자 함유 수지층과의 적층막을 지지 필름상에 형성하고, 상기 적층막을 기판상에 전사하며, 상기 적층막을 구성하는 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키고, 상기 무기 입자 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기 입자 함유 수지층 패턴을 형성하고, 상기 패턴을 소성 처리함으로써 격벽, 전극, 저항체, 유전체, 형광체, 칼라 필터 및 블랙 매트릭스 중 하나 이상을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으 로 한다.Moreover, the manufacturing method of the plasma display panel of this invention forms the laminated film of a resist film and the inorganic particle containing resin layer obtained from said inorganic particle containing resin composition on a support film, and transfers the laminated film on a board | substrate, The resist film constituting the laminated film is exposed to light to form a latent image of the resist pattern, the resist film is developed to present a resist pattern, and the inorganic particle-containing resin layer is etched to contain inorganic particles corresponding to the resist pattern. And forming one or more of a barrier rib, an electrode, a resistor, a dielectric, a phosphor, a color filter, and a black matrix by forming a layer pattern and firing the pattern.

<발명의 실시 형태><Embodiment of the invention>

이하, 본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물에 대하여 상세히 설명한다.EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, the inorganic particle containing resin composition of this invention is demonstrated in detail.

본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물은 무기 입자, 결착 수지, 특정 화합물 및 용제를 필수 성분으로서 함유한다. The inorganic particle containing resin composition of this invention contains an inorganic particle, a binder resin, a specific compound, and a solvent as essential components.

<무기 입자> <Inorganic particles>

본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물에 사용되는 무기 입자의 종류는, 상기 조성물에 의해 형성되는 소결체의 용도 (예를 들면 격벽, 전극, 저항체, 유전체, 형광체, 칼라 필터, 블랙 매트릭스 등의 PDP 구성 요소) 등에 따라 다르다.The kind of inorganic particle used for the inorganic particle containing resin composition of this invention is a use of the sintered compact formed with the said composition (for example, PDP components, such as a partition, an electrode, a resistor, a dielectric, fluorescent substance, a color filter, and a black matrix). ), Etc.

여기에서 PDP를 구성하는 격벽 및 유전체를 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 입자로서는, 저융점의 유리 프릿 등을 들 수 있다.Here, as an inorganic particle contained in the partition which comprises a PDP, and the composition for forming a dielectric, the glass frit of a low melting point, etc. are mentioned.

이 저융점의 유리 프릿 (frit)은 그 연화점이 400 내지 600 ℃의 범위 내에 있는 것이 바람직하다. It is preferable that the softening point of this low melting glass frit exists in the range of 400-600 degreeC.

유리 프릿의 연화점이 400 ℃ 미만인 경우에는, 상기 조성물에 의한 무기 입자 함유 수지층의 소성 공정에 있어서 결착 수지 등의 유기 물질이 완전히 분해 제거되지 않은 단계에서 유리 프릿이 용융되어 버리기 때문에, 형성되는 소결체 중에 유기 물질 중 일부가 잔류하고, 그 결과 소결체가 착색되어 그 광투과율이 저하하는 경향이 있다. 한편, 유리 프릿의 연화점이 600 ℃를 넘는 경우에는 600 ℃보다 고온에서 소성할 필요가 있기 때문에, 유리 기판에 변형 등이 발생하기 쉽다. In the case where the softening point of the glass frit is less than 400 ° C, the glass frit melts at a stage in which the organic material such as the binder resin is not completely decomposed and removed in the firing step of the inorganic particle-containing resin layer by the composition. A part of organic substance remains in it, and as a result, a sintered compact will color and the light transmittance will tend to fall. On the other hand, when the softening point of a glass frit exceeds 600 degreeC, since it needs to bake at higher temperature than 600 degreeC, a deformation | transformation etc. are easy to generate | occur | produce in a glass substrate.                     

구체적으로는 산화 납, 산화 붕소, 산화 규소계 (PbO-B2O3-SiO2계), 산화 납, 산화 붕소, 산화 규소, 산화 알루미늄계 (PbO-B2O3-SiO2-Al2O 3계), 산화 아연, 산화 붕소, 산화 규소계 (ZnO-B2O3-SiO2계), 산화 아연, 산화 붕소, 산화 규소, 산화 알루미늄계 (ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3계), 산화 납, 산화 아연, 산화 붕소, 산화 규소계 (PbO-ZnO-B2O3-SiO2계), 산화 납, 산화 아연, 산화 붕소, 산화 규소, 산화 알루미늄계 (PbO-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3계), 산화 비스무트, 산화 붕소, 산화 규소계 (Bi2O3-B2O3-SiO2계), 산화 비스무트, 산화 붕소, 산화 규소, 산화 알루미늄계 (Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3계), 산화 비스무트, 산화 아연, 산화 붕소, 산화 규소계 (Bi 2O3-ZnO-B2O3-SiO2계), 산화 비스무트, 산화 아연, 산화 붕소, 산화 규소, 산화 알루미늄계 (Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3계) 등의 유리 프릿을 들 수 있다.Specifically, lead oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 type ), lead oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide type (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 based), zinc oxide, boron oxide, silicon oxide based (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 based), zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide based (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2- Al 2 O 3 based), lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 based), lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide ( PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 based), bismuth oxide, boron oxide, silicon oxide (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 based), bismuth oxide, boron oxide, Silicon oxide, aluminum oxide type (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 type ), bismuth oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide type (Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 based), bismuth oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide based (Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 And glass frits such as -Al 2 O 3 system).

이들 저융점의 유리 프릿은 유전체 및 격벽 이외의 구성 요소 (예를 들면, 전극, 저항체, 형광체, 칼라 필터, 블랙 매트릭스)를 형성하기 위한 조성물 중에 함유될 수 있다.These low melting glass frits may be contained in the composition for forming components other than dielectrics and partitions (eg, electrodes, resistors, phosphors, color filters, black matrices).

PDP를 구성하는 전극을 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 입자로서는, Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd 합금, Cu, Cr 등으로 이루어지는 입자를 들 수 있다.As an inorganic particle contained in the composition for forming the electrode which comprises a PDP, particle | grains which consist of Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd alloy, Cu, Cr, etc. are mentioned.

PDP를 구성하는 투명 전극을 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 입자로서는, 산화 인듐, 산화 주석, 주석 함유 산화 인듐 (ITO), 안티몬 함유 산화 주석 (ATO), 불소 첨가 산화 인듐 (FIO), 불소 첨가 산화 주석 (FTO), 불소 첨가 산화 아연 (FZO) 등으로 이루어지는 입자, 및 Al, Co, Fe, In, Sn 및 Ti로부터 선택된 1종 또는 2종 이상의 금속을 함유하는 산화 아연 미립자 등을 들 수 있다.Examples of the inorganic particles contained in the composition for forming the transparent electrode constituting the PDP include indium oxide, tin oxide, tin-containing indium oxide (ITO), antimony-containing tin oxide (ATO), fluorinated indium oxide (FIO), and fluorine addition. Zinc oxide fine particles containing particles consisting of tin oxide (FTO), fluorinated zinc oxide (FZO) and the like, and one or two or more metals selected from Al, Co, Fe, In, Sn and Ti. .

PDP를 구성하는 저항체를 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 입자로서는, RuO2 등으로 이루어지는 입자를 들 수 있다.The inorganic particles contained in the composition for forming a resistor constituting a PDP, there may be mentioned particles composed of RuO 2 and the like.

PDP를 구성하는 형광체를 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 입자로서는, Y2O3: Eu3+, Y2SiO5: Eu3+, Y3 Al5O12: Eu3+, YVO4: Eu3+, (Y,Gd)BO3 : Eu3-, Zn3 (PO4)2: Mn 등의 적색용 형광 물질; Zn2SiO4: Mn, BaAl12O19: Mn, BaMgAl 14O23: Mn, LaPO4: (Ce,Tb), Y3(Al,Ga)5O12: Tb 등의 녹색용 형광 물질; Y2SiO 5: Ce, BaMgAl1OO17: Eu2+, BaMgAl14O23: Eu2+, (Ca,Sr,Ba)10(PO4)6Cl 2: Eu2+, (Zn,Cd)S: Ag 등의 청색용 형광 물질 등으로 이루어지는 입자를 들 수 있다. Examples of the inorganic particles contained in the composition for forming the phosphor constituting the PDP include Y 2 O 3 : Eu 3+ , Y 2 SiO 5 : Eu 3+ , Y 3 Al 5 O 12 : Eu 3+ , YVO 4 : Eu Red phosphors such as 3+ , (Y, Gd) BO 3 : Eu 3 − , Zn 3 (PO 4 ) 2 : Mn; Green phosphors such as Zn 2 SiO 4 : Mn, BaAl 12 O 19 : Mn, BaMgAl 14 O 23 : Mn, LaPO 4 : (Ce, Tb), Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Tb; Y 2 SiO 5: Ce, BaMgAl 1O O 17: Eu 2+, BaMgAl 14 O 23: Eu 2+, (Ca, Sr, Ba) 10 (PO 4) 6 Cl 2: Eu 2+, (Zn, Cd) And particles made of a blue fluorescent substance such as S: Ag.

PDP를 구성하는 블랙 스트라이프 (매트릭스)를 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 입자로서는 Co, Cr, Cu, Fe, Mn, Ni, Ti, Zn 등의 금속 및 그의 산화물, 복합 산화물, 탄화물, 질화물, 황화물, 규화물, 붕화물 및 카본 블랙, 흑연 등의 입자를 들 수 있다.Examples of the inorganic particles contained in the composition for forming the black stripe (matrix) constituting the PDP include metals such as Co, Cr, Cu, Fe, Mn, Ni, Ti, and Zn and their oxides, composite oxides, carbides, nitrides, sulfides, and the like. And particles such as silicides, borides and carbon black and graphite.

<결착 수지> <Binder Resin>

본 발명에서 사용되는 결착 수지로서는 알칼리 가용성 수지를 결착 수지 중 에 30 내지 100 중량%의 비율로 함유하는 수지가 특히 바람직하다.As the binder resin used in the present invention, a resin containing an alkali-soluble resin in the binder resin in a proportion of 30 to 100% by weight is particularly preferable.

여기에서 "알칼리 가용성"이란, 후술하는 알칼리성 에칭액에 의해 용해하고, 목적으로 하는 에칭 처리가 수행될 정도로 용해성을 갖는 성질을 말한다.Here, "alkali solubility" means the property which melt | dissolves with the alkaline etching liquid mentioned later and has solubility to the extent that the target etching process is performed.

이러한 알칼리 가용성 수지의 구체예로서는, 예를 들면 (메트)아크릴 수지, 히드록시스티렌 수지, 노볼락 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다.As a specific example of such alkali-soluble resin, a (meth) acrylic resin, a hydroxy styrene resin, a novolak resin, a polyester resin etc. are mentioned, for example.

이러한 알칼리 가용성 수지 중, 특히 바람직한 것으로서는 하기 단량체 (가)와 단량체 (나)의 공중합체, 또는 단량체 (가)와 단량체 (나)와 단량체 (다)의 공중합체 등의 (메트)아크릴 수지를 들 수 있다.Among these alkali-soluble resins, (meth) acrylic resins such as copolymers of the following monomers (a) and monomers (b) or copolymers of monomers (a) and monomers (b) and monomers (c) are particularly preferred. Can be mentioned.

단량체 (가):Monomer (A):

아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 신남산, 숙신산 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), ω-카르복시-폴리카프로락톤 모노(메트)아크릴레이트 등의 카르복실기 함유 단량체류;Acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, succinic acid mono (2- (meth) acryloyloxyethyl), ω-carboxy-polycaprolactone mono Carboxyl group-containing monomers such as (meth) acrylate;

(메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 3-히드록시프로필 등의 수산기 함유 단량체류; o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌 등의 페놀성 수산기 함유 단량체류 등으로 대표되는 알칼리 가용성 관능기 함유 단량체류. Hydroxyl group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate; Alkali-soluble functional group containing monomers represented by phenolic hydroxyl group containing monomers, such as o-hydroxy styrene, m-hydroxy styrene, and p-hydroxy styrene.

단량체 (나):Monomer (I):

(메트)아크릴산 메틸, (메트)아크릴산 에틸, (메트)아크릴산 n-부틸, (메트)아크릴산 n-라우릴, (메트)아크릴산 벤질, 글리시딜(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트 등의 단량체 (가) 이외의 (메트)아크릴산 에스테르류; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 방향족 비닐계 단량체류; 부타디엔, 이소푸렌 등의 공액 디엔류 등으로 대표되는 단량체 (가)와 공중합 가능한 단량체류.Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, n-lauryl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) (Meth) acrylic acid esters other than monomer (a), such as an acrylate; Aromatic vinyl monomers such as styrene and α-methylstyrene; Monomers copolymerizable with monomers (a) represented by conjugated dienes such as butadiene and isoprene.

단량체 (다):Monomer (C):

폴리스티렌, 폴리(메트)아크릴산 메틸, 폴리(메트)아크릴산 에틸, 폴리(메트)아크릴산 벤질 등의 중합체쇄 한쪽 말단에 (메트)아크릴로일기 등의 중합성 불포화기를 갖는 거대 단량체 등으로 대표되는 거대 단량체류.Macromonomer represented by macromonomer etc. which have polymerizable unsaturated groups, such as a (meth) acryloyl group, in one terminal of a polymer chain, such as polystyrene, methyl poly (meth) acrylate, ethyl poly (meth) acrylate, and benzyl poly (meth) acrylate Liu.

상기 알칼리 가용성 수지의 분자량으로서는, GPC에 의한 폴리스티렌 환산 중량 평균 분자량 (이하, "Mw"라고 함)으로서 5,000 내지 500,000인 것이 바람직하고, 10,000 내지 300,000이 더욱 바람직하다.As molecular weight of the said alkali-soluble resin, it is preferable that it is 5,000-500,000 as polystyrene conversion weight average molecular weight (henceforth "Mw") by GPC, and 10,000-300,000 are more preferable.

무기 입자 함유 수지 조성물에서의 결착 수지의 함유 비율은, 무기 입자 100 중량부에 대하여 통상 1 내지 1,000 중량부이며, 바람직하게는 5 내지 200 중량부이다. 결착 수지의 비율이 너무 작은 경우에는 무기 입자를 확실히 결착 유지할 수 없고, 한편 이 비율이 너무 큰 경우에는 소성 공정에 장시간을 요하거나, 형성되는 패턴 형상이 불균일해진다.The content rate of binder resin in an inorganic particle containing resin composition is 1-1,000 weight part normally with respect to 100 weight part of inorganic particles, Preferably it is 5-200 weight part. If the ratio of the binder resin is too small, the inorganic particles can not be reliably bound and held. On the other hand, if the ratio is too large, the firing process takes a long time or the pattern shape formed becomes uneven.

<특정 화합물> <Specific compound>

특정 화합물이 함유되어 있는 조성물을 사용함으로써, 형성되는 무기 입자 함유 수지층에 양호한 가요성과 전사성을 발현시킬 수 있다. 또한, 이 무기 입자 함유 수지층 패턴을 소성하여 형성되는 소결체 패턴에는, 상기 패턴 변형 및 패턴 박리가 발생하지 않는다.By using the composition containing a specific compound, favorable flexibility and transferability can be expressed in the inorganic particle containing resin layer formed. Moreover, the said pattern deformation and pattern peeling do not generate | occur | produce in the sintered compact pattern formed by baking this inorganic particle containing resin layer pattern.

따라서, 특정 화합물을 함유하는 무기 입자 함유 수지층을 구비한 전사 필름 에 따르면, 상기 무기 입자 함유 수지층 패턴을 소성함으로써 목적으로 하는 소결체 패턴을 확실히 형성할 수 있다.Therefore, according to the transfer film provided with the inorganic particle containing resin layer containing a specific compound, the target sintered compact pattern can be reliably formed by baking the said inorganic particle containing resin layer pattern.

이러한 화합물로서는 멜라민류, 벤조구아나민류, 글리콜우릴류 등을 들 수 있다.As such a compound, melamine, benzoguanamine, glycoluril, etc. are mentioned.

이들 중, 바람직하게는 탄소수 6 이하의 알콕시메틸기를 반복 단위 중에 평균 2개 이상 함유하는 화합물이 사용되고, 더욱 바람직하게는 메톡시메틸기를 반복 단위 중에 평균 2개 이상 함유하는 화합물이 사용된다. 특히, 바람직하게는 메톡시메틸기를 반복 단위 중에 평균 2개 이상 함유하는 멜라민이 사용된다.Of these, compounds containing an average of two or more of alkoxymethyl groups having 6 or less carbon atoms in the repeating unit are used, and more preferably compounds containing two or more of methoxymethyl groups in the repeating unit are used. In particular, preferably, melamine containing two or more methoxymethyl groups in the repeating unit is used.

이러한 화합물의 중량 평균 중합도는 통상 10 이하이고, 바람직하게는 5 이하, 특히 바람직하게는 2.5 이하이다.The weight average degree of polymerization of such a compound is usually 10 or less, preferably 5 or less, particularly preferably 2.5 or less.

특정 화합물의 시판품으로서는, "사이멜 300" (반복 단위 중에 메톡시메틸기를 평균 5개 이상 갖는 멜라민, 중합 평균 중합도 1.35), "사이멜 1170" (반복 단위 중에 메톡시부틸기를 평균 3개 이상 갖는 글리콜우릴, 중합 평균 중합도 1.5) 등의 사이멜 시리즈 (미쯔이 사이아미드사 제조), "MW-30" (반복 단위 중에 메톡시메틸기를 평균 5개 이상 갖는 멜라민, 중합 평균 중합도 1.5), "MX-45" (반복 단위 중에 메톡시메틸기와 메톡시부틸기를 합쳐 평균 5개 이상 갖는 멜라민, 중합 평균 중합도 1.5) 등의 니카락 시리즈 (산와 케미컬사 제조)를 들 수 있다.As a commercial item of a specific compound, "Cymel 300" (melamine having an average of 5 or more methoxymethyl groups in the repeating unit, polymerization average degree of polymerization 1.35), "Cymel 1170" (having an average of 3 or more methoxybutyl groups in the repeating unit Cymel series (manufactured by Mitsui Cyamide, Inc.) such as glycoluril and polymerization average polymerization degree 1.5), "MW-30" (melamine having an average of 5 or more methoxymethyl groups in a repeating unit, polymerization average polymerization degree 1.5), and "MX- And Nicarac series (manufactured by Sanwa Chemical Co., Ltd.) such as 45 "(melamine having an average of 5 or more in the methoxymethyl group and the methoxybutyl group in a repeating unit, and a polymerization average degree of polymerization of 1.5).

무기 입자 함유 수지 조성물에서의 특정 화합물의 함유 비율은, 무기 입자 100 중량부에 대하여 통상 0.1 내지 500 중량부, 바람직하게는 0.5 내지 100 중량부이고, 특히 바람직하게는 1 내지 50 중량부이다. 특정 화합물 비율이 너무 작은 경우에는 얻어지는 전사 필름의 가요성과 전사성이 부족하고, 또한 무기 입자 함유 수지층 패턴을 소성하여 형성되는 소결체 패턴에 엣지 컬 및 패턴 박리가 발생하기 쉽다. 한편, 이 비율이 너무 큰 경우에는 소성 공정에 장시간을 요하거나, 형성되는 전극, 격벽, 저항체, 유전체, 형광체, 칼라 필터 및 블랙 스트라이프 (매트릭스) 형상이 불균일해지는 경우가 있다.The content rate of the specific compound in an inorganic particle containing resin composition is 0.1-500 weight part normally, Preferably it is 0.5-100 weight part with respect to 100 weight part of inorganic particles, Especially preferably, it is 1-50 weight part. When the specific compound ratio is too small, the flexibility and transferability of the transfer film obtained are insufficient, and edge curl and pattern peeling are likely to occur in the sintered body pattern formed by firing the inorganic particle-containing resin layer pattern. On the other hand, when this ratio is too large, it may take a long time for the firing process or the electrodes, partitions, resistors, dielectrics, phosphors, color filters, and black stripes (matrix) shapes to be formed may become uneven.

<(메트)아크릴로일기 함유 화합물><(Meth) acryloyl group containing compound>

본 발명의 조성물에는 분자 중에 1개 이상의 (메트)아크릴로일기를 갖는 화합물이 함유될 수도 있다.The composition of the present invention may contain a compound having one or more (meth) acryloyl groups in the molecule.

상기 화합물의 구체예로서, (메트)아크릴로일기를 1개 갖는 화합물로서는, 예를 들면, 메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, 부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 아밀(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 2-에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 트리데실 (메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트류;As a specific example of the said compound, As a compound which has one (meth) acryloyl group, For example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) Acrylate, butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl (meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (Meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylic Latex, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylate, tridecyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, Isostearyl (meth) acrylic Sites of such alkyl (meth) acrylate;

히드록시메틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록 시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트류;Hydroxymethyl (meth) acrylate, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as) acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate;

2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-프로폭시에틸(메트)아크릴레이트, 2-부톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-메톡시부틸(메트)아크릴레이트 등의 알콕시알킬(메트)아크릴레이트류;2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2-propoxyethyl (meth) acrylate, 2-butoxyethyl (meth) acrylate, 2-methoxybutyl ( Alkoxyalkyl (meth) acrylates such as meth) acrylate;

아크릴산, 메타크릴산, 2-(메트)아크릴로일옥시에틸숙신산, ω-카르복시-폴리카프로락톤 모노(메트)아크릴레이트 등의 카르복실기 함유 (메트)아크릴로일기 함유 화합물 등을 들 수 있다.Carboxyl group containing (meth) acryloyl-group containing compounds, such as acrylic acid, methacrylic acid, 2- (meth) acryloyloxyethyl succinic acid, (omega)-carboxy- polycaprolactone mono (meth) acrylate, etc. are mentioned.

(메트)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 화합물로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류;As a compound which has two or more (meth) acryloyl groups, For example, Di (meth) acrylates of alkylene glycols, such as ethylene glycol and propylene glycol;

3가 이상의 다가 알코올의 폴리알킬렌글리콜 부가물 폴리(메트)아크릴레이트류;Polyalkylene glycol adduct poly (meth) acrylates of trivalent or higher polyhydric alcohols;

폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류;Di (meth) acrylates of polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol;

글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 트리메틸올알칸, 테트라메틸올알칸, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 등의 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트류 및 이들의 디카르복실산 변성물;Poly (meth) acrylates of trivalent or higher polyhydric alcohols such as glycerin, 1,2,4-butanetriol, trimethylolalkane, tetramethylolalkane, pentaerythritol, dipentaerythritol, and dicarboxyl thereof Acid denaturates;

4-시클로헥산디올, 1,4-벤젠디올류 등의 환식 폴리올의 폴리(메트)아크릴레이트류;Poly (meth) acrylates of cyclic polyols such as 4-cyclohexanediol and 1,4-benzenediols;

폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트) 아크릴레이트, 알키드 수지 (메트)아크릴레이트, 실리콘 수지 (메트)아크릴레이트, 스피란 수지 (메트)아크릴레이트 등의 올리고(메트)아크릴레이트류;Oligos, such as polyester (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, alkyd resin (meth) acrylate, silicone resin (meth) acrylate, and spiran resin (meth) acrylate ( Meth) acrylates;

폴리부타디엔, 폴리이소푸렌, 폴리카프로락톤 등의 중합체 양말단을 히드록실화하여 얻어지는 디(메트)아크릴레이트류;Di (meth) acrylates obtained by hydroxylating polymer sock ends such as polybutadiene, polyisoprene and polycaprolactone;

트리스(메트)아크릴로일옥시에틸포스페이트 등을 들 수 있고, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류;Tris (meth) acryloyloxyethyl phosphate etc. are mentioned, Di (meth) acrylates of alkylene glycol, such as ethylene glycol and propylene glycol;

폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.Di (meth) acrylates of polyalkylene glycols, such as polyethyleneglycol and polypropylene glycol, etc. are mentioned as a preferable thing. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

본 발명의 조성물에 있어서는, 얻어지는 전사 필름의 가요성 및 전사성이 양호해지고, 또한 레지스트 패턴과 무기 입자 함유 수지층 패턴과의 밀착성이 우수해지는 점으로부터, 특히 (메트)아크릴로일기를 2개 이상 갖는 화합물, 즉 다가 아크릴레이트가 사용되는 것이 바람직하다.In the composition of this invention, since flexibility and the transferability of the transfer film obtained become favorable, and the adhesiveness of a resist pattern and an inorganic particle containing resin layer pattern becomes excellent, it is especially two or more (meth) acryloyl groups. It is preferable that the compound which has, ie, polyvalent acrylate, is used.

무기 입자 함유 수지 조성물에서의 (메트)아크릴로일기 함유 화합물의 함유 비율은, 형성되는 무기 입자 함유 수지층에 더욱 양호한 가요성과 에칭성을 주기 위하여 무기 입자 100 중량부에 대하여 통상 0.1 내지 500 중량부, 바람직하게는 0.5 내지 100 중량부가 사용된다.The content ratio of the (meth) acryloyl group-containing compound in the inorganic particle-containing resin composition is usually 0.1 to 500 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the inorganic particles in order to give better flexibility and etching properties to the inorganic particle-containing resin layer formed. Preferably, 0.5 to 100 parts by weight is used.

<용제><Solvent>

본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물을 구성하는 용제는 상기 무기 입자 함유 수지 조성물에 적당한 유동성 또는 가소성, 양호한 막 형성성을 부여하기 위 하여 함유된다.The solvent which comprises the inorganic particle containing resin composition of this invention is contained in order to provide moderate fluidity | liquidity, plasticity, and favorable film formation property to the said inorganic particle containing resin composition.

상기 용제로서는 무기 입자와의 친화성, 결착 수지, 특정 화합물 등의 유기 성분의 용해성이 양호하고, 무기 입자 함유 수지 조성물에 적절한 점성을 부여할 수 있으며, 건조됨으로써 쉽게 증발 제거할 수 있는 것이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들면 에테르류, 에스테르류, 에테르에스테르류, 케톤류, 케톤에스테르류, 아미드류, 아미드에스테르류, 락탐류, 락톤류, 술폭시드류, 술폰류, 탄화 수소류, 할로겐화 탄화 수소류 등을 들 수 있다.The solvent is particularly limited as long as it has a good affinity with inorganic particles, a solubility of organic components such as a binder resin, a specific compound, can impart appropriate viscosity to the inorganic particle-containing resin composition, and can be easily evaporated and removed by drying. For example, ethers, esters, ether esters, ketones, ketone esters, amides, amide esters, lactams, lactones, sulfoxides, sulfones, hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, and the like Etc. can be mentioned.

이러한 용제의 구체예로서는 테트라히드로푸란, 아니솔, 디옥산, 에틸렌글리콜 모노알킬에테르류, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르류, 프로필렌글리콜 모노알킬에테르류, 프로필렌글리콜 디알킬에테르류, 아세트산 에스테르류, 히드록시아세트산 에스테르류, 알콕시아세트산 에스테르류, 프로피온산 에스테르류, 히드록시프로피온산 에스테르류, 알콕시프로피온산 에스테르류, 젖산 에스테르류, 에틸렌글리콜 모노알킬에테르아세테이트류, 프로필렌글리콜 모노알킬에테르아세테이트류, 알콕시아세트산 에스테르류, 환식 케톤류, 비환식 케톤류, 아세트아세트산 에스테르류, 피루브산 에스테르류, N,N-디알킬포름아미드류, N,N-디알킬아세트아미드류, N-알킬피롤리돈류, γ-락톤류, 디알킬술폭시드류, 디알킬술폰류, t-피네올, N-메틸-2-피롤리돈 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. Specific examples of such solvents include tetrahydrofuran, anisole, dioxane, ethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, acetic acid esters and hydroxy. Acetic acid esters, alkoxyacetic acid esters, propionic acid esters, hydroxypropionic acid esters, alkoxypropionic acid esters, lactic acid esters, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether acetates, alkoxy acetic acid esters, cyclic compounds Ketones, acyclic ketones, acetic acid esters, pyruvic acid esters, N, N-dialkylformamides, N, N-dialkylacetamides, N-alkylpyrrolidones, γ-lactones, dialkylsulls Foxids, dialkyl sulfones, t-pineol, N-methyl-2-pyrrolidone, etc. are mentioned. have. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

무기 입자 함유 수지 조성물에서의 용제 함유 비율은 양호한 막 형성성 (유동성 또는 가소성)을 얻을 수 있는 범위에서 적절히 선택할 수 있지만, 통상, 무기 입자 100 중량부에 대하여 1 내지 10,000 중량부인 것이 바람직하고 더욱 바람직하게는 10 내지 1,000 중량부이다.Although the solvent content ratio in an inorganic particle containing resin composition can be suitably selected from the range which can obtain favorable film formation property (flowability or plasticity), it is usually 1-10000 weight part with respect to 100 weight part of inorganic particles, and it is more preferable. Preferably from 10 to 1,000 parts by weight.

<가소제> <Plasticizer>

본 발명의 조성물에 있어서는 형성되는 무기 입자 함유 수지층에 또한 양호한 가요성을 부여하기 위해서 가소제가 함유될 수 있다. 특히 바람직한 가소제로서는 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 나타내는 화합물로 이루어지는 가소제 (이하, 「특정 가소제」라고 한다)를 들 수 있다. 특정 가소제가 함유되어 이루어지는 본 발명의 조성물에 의하면 형성되는 무기 입자 함유 수지층에 또한 양호한 가요성과 연소성을 얻을 수 있고 또한 해당 특정 가소제는 열에 의해 용이하게 분해 제거되기 때문에 해당 무기 입자 함유 수지층을 소성하여 얻을 수 있는 예를 들면 유전체 등의 광 투과율을 저하시키지 않는다. In the composition of this invention, a plasticizer may be contained in order to provide favorable flexibility to the inorganic particle containing resin layer formed. As a particularly preferable plasticizer, a plasticizer (hereinafter, referred to as a "specific plasticizer") consisting of a compound represented by the following general formula (1) or (2) is mentioned. According to the composition of the present invention in which the specific plasticizer is contained, good flexibility and combustibility can also be obtained in the inorganic particle-containing resin layer formed, and since the specific plasticizer is easily decomposed and removed by heat, the inorganic particle-containing resin layer is fired. For example, light transmittance of a dielectric or the like is not lowered.

Figure 112001001537236-pat00001
Figure 112001001537236-pat00001

식 중, R1 및 R3은 각각 동일 또는 다른 탄소수 1 내지 30의 알킬기를 나타내고, R2 및 R4는 각각 동일 또는 다른 탄소수 1 내지 30의 알킬렌기를 나타내고, m은 0 내지 5의 수이고, n은 1 내지 10의 수이다. In the formula, R 1 and R 3 each represent the same or different alkyl group of 1 to 30 carbon atoms, R 2 and R 4 each represent the same or different alkylene group of 1 to 30 carbon atoms, m is a number of 0 to 5 , n is a number from 1 to 10.

Figure 112001001537236-pat00002
Figure 112001001537236-pat00002

식 중, R5는 탄소수 1 내지 30의 알킬기 또는 알케닐기를 나타낸다.In formula, R <5> represents a C1-C30 alkyl group or alkenyl group.

특정 가소제를 나타내는 상기 화학식 l에 있어서, R1 또는 R4로 나타내는 알킬기In the above formula (1) representing a specific plasticizer, an alkyl group represented by R 1 or R 4

및 R2 또는 R3으로 나타내는 알킬렌기는 직쇄상, 분지상 또한 포화기이어도 불포화기일 수 있다. And the alkylene group represented by R 2 or R 3 may be an unsaturated group even if it is a linear, branched or saturated group.

R1 또는 R4로 나타내는 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이며 바람직하게는 2 내지 20, 더욱 바람직하게는 4 내지 10이 된다. Carbon number of the alkyl group represented by R <1> or R <4> is 1-30, Preferably it is 2-20, More preferably, it is 4-10.

상기 화학식 1에 있어서의 n은, 1 내지 10이며 바람직하게는 2 내지 6이다.N in the said General formula (1) is 1-10, Preferably it is 2-6.

상기 화학식 1로 나타내는 화합물의 구체적인 예로서는 디부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디-2-에틸헥실아디페이트, 디-2-에틸헥실아젤레이트, 디부틸세바케이트, 디부틸디글리콜아디페이트 등을 들 수 있다. Specific examples of the compound represented by Formula 1 include dibutyl adipate, diisobutyl adipate, di-2-ethylhexyl adipate, di-2-ethylhexyl azelate, dibutyl sebacate, dibutyl diglycol adipate, and the like. Can be mentioned.

특정 가소제를 나타내는 상기 화학식 2에 있어서, R5로 나타내는 알킬기 및 알케닐기는 직쇄상, 분지상 또한 포화기일 수 있다. In Formula 2, which represents a specific plasticizer, the alkyl group and alkenyl group represented by R 5 may be linear, branched or saturated.

R5로 나타내는 알킬기 또는 알케닐기의 탄소수는 1 내지 30이며 바람직하게는 2 내지 20, 더욱 바람직하게는 10 내지 18이다. Carbon number of the alkyl group or alkenyl group represented by R <5> is 1-30, Preferably it is 2-20, More preferably, it is 10-18.

상기 화학식 2로 나타내는 화합물의 구체적인 예로서는, 프로필렌글리콜모노라울레이트, 프로필렌글리콜모노올레이트 등을 들 수 있다. Specific examples of the compound represented by the formula (2) include propylene glycol monolaurate, propylene glycol monooleate, and the like.

또한 특정 가소제 이외로 가소제로서 바람직하게 사용되는 화합물로서는 폴 리프로필렌글리콜 등을 들 수 있다. Moreover, polypropylene glycol etc. are mentioned as a compound used preferably as a plasticizer other than a specific plasticizer.

본 발명의 조성물에 있어서의 특정 소제의 함유 비율로서는 무기 입자 100중량부에 대하여 100 중량부 이하인 것이 바람직하고 더욱 바람직하게는 0.5 내지 50 중량부이다. As a content rate of the specific sweep in the composition of this invention, it is preferable that it is 100 weight part or less with respect to 100 weight part of inorganic particles, More preferably, it is 0.5-50 weight part.

본 발명의 조성물에는 상기 성분 이외에 임의 성분으로서 분산제, 현상 촉진제, 접착 제조, 헐이션 방지제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 점착성 부여제, 표면 장력 조정제, 레벨링제, 가교제, 중합 개시제, 산발생제 등의 각종 첨가제가 함유될 수 있다. 또한 본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물은 후술하는 레지스트 조성물을 구성하는 광중합 개시제가 함유되며 감방사선성을 갖는 것일 수 있다. In addition to the above components, the composition of the present invention includes, as an optional component, a dispersant, a development accelerator, an adhesive preparation, a antihalation agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a tackifier, a surface tension regulator, a leveling agent, a crosslinking agent, a polymerization initiator, Various additives, such as an acid generator, can be contained. In addition, the inorganic particle containing resin composition of this invention contains the photoinitiator which comprises the resist composition mentioned later, and may be radiation sensitive.

본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물은 무기 입자 결착 수지, 특정 화합물 및 용제 및 임의 성분을 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서, 볼 밀, 비드 밀 등의 혼련기를 사용하여 혼련함으로써 제조할 수 있다. The inorganic particle containing resin composition of this invention can be manufactured by kneading an inorganic particle binder resin, a specific compound, a solvent, and arbitrary components using kneading machines, such as a roll kneader, a mixer, a homo mixer, a ball mill, and a bead mill.

상기와 같이하여 제조되는 본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물은 통상 도포에 적절한 유동성을 갖는 페이스트상의 조성물이고, 그 점도는 통상 100 내지 300,000 cp이며, 바람직하게는 500 내지 30,000 cp이다. The inorganic particle containing resin composition of this invention manufactured as mentioned above is a paste-form composition which has the fluidity suitable for application | coating normally, The viscosity is 100-1000,000cp normally, Preferably it is 500-30,000cp.

본 발명의 조성물은 이하에 상술하는 전사 필름 (본 발명의 전사 필름)을 제조하기 위해서 특히 적절하게 사용할 수 있다. The composition of this invention can be used especially suitably in order to manufacture the transfer film (transfer film of this invention) mentioned below.

여기에 지지 필름의 도포 공정에 제공되는 본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물의 점도로서는 1,000 내지 l0,O0O cp 인것이 바람직하다. As a viscosity of the inorganic particle containing resin composition of this invention provided here in the application | coating process of a support film, it is preferable that it is 1,000-10Ocp.                     

<전사 필름> <Transfer film>

도 2 (가)는 롤상으로 권회된 본 발명의 전사 필름을 나타내는 개략 단면도이며, 도 (나)는 이 전사 필름의 층 구성을 나타내는 단면도 [(가)의 부분 상세도〕이다. Fig. 2 (a) is a schematic sectional view which shows the transfer film of this invention wound in roll shape, and Fig. (B) is sectional drawing (partial detail view of (a)) which shows the laminated constitution of this transfer film.

도 2에 나타내는 전사 필름은 본 발명의 전사 필름의 한 예로서, PDP를 구성하는 유전체를 형성하기 위해 사용되는 복합 필름이며 통상 지지 필름 (F1)과, 이 지지 필름 (F1)의 표면에 박리 가능하게 형성된 무기 입자 함유 수지층 (F2)와, 이 무기 입자 함유 수지층 (F2)의 표면에 박리 용이하게 설치된 커버 필름 (F3)에 의해 구성되어 있다. 커버 필름 (F3)은 무기 입자 함유 수지층 (F2)의 성질에 따라 또는 전사 필름을 권회한 롤의 중량을 삭감시킬 목적으로 사용되지 않을 경우도 있다. As an example of the transfer film of this invention, the transfer film shown in FIG. 2 is a composite film used in order to form the dielectric which comprises a PDP, and can peel normally on the support film F1 and the surface of this support film F1. It is comprised by the inorganic particle containing resin layer (F2) formed in this way, and the cover film (F3) provided in the surface of this inorganic particle containing resin layer (F2) easily peelable. The cover film (F3) may not be used depending on the property of the inorganic particle-containing resin layer (F2) or for the purpose of reducing the weight of the roll wound the transfer film.

전사 필름을 구성하는 지지 필름 (F1)은 내열성 및 내용제성을 가짐과 동시에 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름이 가요성을 가짐으로서 롤 코터 등에 의해서 본 발명의 조성물을 도포할 수 있으며 형성된 무기 입자 함유수지층을 롤상으로 권회한 상태로 보존하여 공급할 수 있다. It is preferable that the support film (F1) which comprises a transfer film is a resin film which has heat resistance and solvent resistance, and has flexibility. Since the support film has flexibility, the composition of the present invention can be applied by a roll coater or the like, and the formed inorganic particle-containing resin layer can be stored and supplied in a rolled state.

지지 필름 (F1)을 형성하는 수지로서는 예를 들면 폴리에틸렌텔레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 폴리플루오로에틸렌 등의 함불소 수지, 나일론, 셀룰로오스 등을 들 수 있다. 지지 필름 (F1)의 두께로서는 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다. Examples of the resin forming the supporting film (F1) include fluorine-containing resins such as polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyfluoroethylene, nylon, Cellulose, and the like. As thickness of support film F1, it is 20-100 micrometers, for example.

전사 필름을 구성하는 무기 입자 함유 수지층 (F2)는 소성에 의해 소결체가 되는 층이며, 본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물을 상기 지지 필름상에 도포하고 도포막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다. The inorganic particle containing resin layer (F2) which comprises a transfer film is a layer which becomes a sintered compact by baking, The inorganic particle containing resin composition of this invention is apply | coated on the said support film, and a coating film is dried and a part or all of a solvent is removed. It can form by doing.

무기 입자 함유 수지층 (F2)의 막 두께로서는 무기 입자의 함유률, 부재의 종류나 사이즈 등에 의해 적절하게 선택할 수 있다. As a film thickness of an inorganic particle containing resin layer (F2), it can select suitably according to content rate of an inorganic particle, the kind and size of a member, etc.

전사 필름을 구성하는 커버 필름 (F3)은, 무기 입자 함유 수지층 (F2)의 표면 (유리 기판과의 접촉면)을 보호하기 위한 필름이다. 이 커버 필름 (F3)도 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 커버 필름 (F3)을 형성하는 수지로서는 폴리에틸렌텔레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리비닐알코올계 필름 등을 들 수 있다. 또한 커버필름 (F3)의 두께로서는 예를 들면 20 내지 l00 ㎛이다.Cover film F3 which comprises a transfer film is a film for protecting the surface (contact surface with a glass substrate) of inorganic particle containing resin layer F2. It is preferable that this cover film (F3) is also a resin film which has flexibility. As resin which forms cover film (F3), a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polyvinyl alcohol-type film, etc. are mentioned. Moreover, as thickness of cover film F3, it is 20-100 micrometers, for example.

본 발명의 전사 필름은 지지 필름 (F1)상에 무기 입자 함유 수지층 (F2)를 형성하고, 해당 무기 입자 함유 수지층 (F2)상에 커버 필름 (F3)을 설치함 (압착함)으로써 제조할 수가 있다. The transfer film of the present invention is produced by forming an inorganic particle-containing resin layer (F2) on the support film (F1) and providing a cover film (F3) on the inorganic particle-containing resin layer (F2) (pressing). You can do it.

본 발명의 조성물을 지지 필름상에 도포하는 방법으로서는 막 두께의 균일성이 우수한 막 두께 (예를 들면 1 ㎛ 이상)의 도포막을 효율적으로 형성할 수 있는 것이 바람직하고, 구체적으로는 그래비어에 의한 도포 방법, 다이에 의한 도포 방법, 롤 코터에의한 도포 방법, 닥터 블레이드에 의한 도포 방법, 닥터 롤에 의한 도포 방법, 커텐 코터에의한 도포 방법, 와이어 코터에 의한 도포 방법 등을 바람직한 것으로 들 수 있다. As a method of apply | coating the composition of this invention on a support film, it is preferable that the coating film of the film thickness (for example, 1 micrometer or more) excellent in the uniformity of film thickness can be formed efficiently, specifically, by gravure Coating methods, coating methods with a die, coating methods with a roll coater, application methods with a doctor blade, application methods with a doctor roll, application methods with a curtain coater, application methods with a wire coater, etc. are preferable. Can be.

도포막의 건조 조건으로서는, 50 내지 150 ℃에서 0.5 내지 30 분간 정도이며, 건조 후에 있어서의 용제의 잔존 비율 (무기 입자 함유 수지층 중의 함유률)은 통상 2 중량% 이하이다. As drying conditions of a coating film, it is about 0.5 to 30 minutes at 50-150 degreeC, and the residual ratio (content rate in an inorganic particle containing resin layer) of the solvent after drying is 2 weight% or less normally.

또한 본 발명의 전사 필름은 지지 필름상에 레지스트막을 형성한 후, 본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물로 이루어지는 무기 입자 함유 수지층을 적층 형성하여 이루어지는 것일 수 있다. 이 경우, 지지 필름상에 형성된 레지스트막과 무기 입자 함유 수지층과의 적층막을 기판상에 일괄 전사가 가능하고, 또한 공정의 간략화, 패턴의 고정세화를 도모할 수 있다. The transfer film of the present invention may be formed by laminating an inorganic particle-containing resin layer made of the inorganic particle-containing resin composition of the present invention after forming a resist film on the support film. In this case, the laminated film of the resist film and inorganic particle containing resin layer formed on the support film can be collectively transferred on a board | substrate, and a process can be simplified and a pattern can be made high definition.

또 본 발명의 전사 필름에 사용되는 지지 필름의 표면은 필요에 따라 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라 기판으로의 전사 공정에 있어서, 지지 필름의 박리 조작을 용이하게 할 수 있다. Moreover, it is preferable that the mold release process is given to the surface of the support film used for the transfer film of this invention as needed. Thereby, the peeling operation of a support film can be made easy in the transfer process to a board | substrate.

상기와 같이 형성된 무기 입자 함유 수지층상에 설치되어 있는 (통상, 열 압착되는) 커버 필름의 표면에도 이형 처리되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라 무기 입자 함유 수지층을 전사하기 전에 해당 무기 입자 함유 수지층으로부터 커버 필름을 용이하게 박리할 수 있다. It is preferable that the mold release process is carried out also on the surface of the cover film (usually thermocompression-bonded) provided on the inorganic particle containing resin layer formed as mentioned above. Thereby, a cover film can be easily peeled from the said inorganic particle containing resin layer before transferring an inorganic particle containing resin layer.

지지 필름상의 무기 입자 함유 수지층은, 기판의 표면에 일괄 전사된다. 본 발명의 전사 필름에 의하면 이러한 간단한 조작에 의해 무기 입자 함유 수지층을 유리 기판상에 확실하게 형성할 수 있기 때문에 유전체 등의 PDP의 구성 요소의 형성 공정에 있어서의 공정 개선 (고효율화)를 도모할 수 있음과 동시에 형성되는 구성 요소의 품질의 향상 (예를 들면 전극에 있어서의 안정된 전기 특성의 발현)을 도모할 수 있다. The inorganic particle containing resin layer on a support film is collectively transferred to the surface of a board | substrate. According to the transfer film of the present invention, since the inorganic particle-containing resin layer can be reliably formed on the glass substrate by such a simple operation, it is possible to improve the process (high efficiency) in the process of forming components of the PDP such as dielectrics. At the same time, it is possible to improve the quality of the components formed (for example, the expression of stable electrical properties in the electrode).

본 발명의 조성물은 상기와 같이 지지 필름상에 무기 입자 함유 수지층을 형 성하여 전사 필름을 제조할 때에 특히 적절하게 사용할 수 있지만 이들의 용도에 한정되는 것이 아니라 종래 공지된 무기 입자 함유 수지층의 형성 방법, 즉, 스크린 인쇄법 등에 의해서 해당 조성물을 유리 기판의 표면에 직접 도포하고 도포막을 건조함으로써 무기 입자 함유 수지층을 형성하는 방법에도 적절하게 사용할 수 있다. 여기에 스크린 인쇄법에 의한 유리 기판으로의 도포 공정에 제공되는 본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물의 점도로서는 10,000 내지 200,000 cp인 것이 바람직하다. The composition of the present invention can be particularly suitably used when forming an inorganic particle-containing resin layer on a support film as described above to produce a transfer film, but the present invention is not limited to the use thereof. It can also be used suitably also for the method of forming an inorganic particle containing resin layer by apply | coating this composition directly to the surface of a glass substrate by a formation method, ie, the screen printing method, and drying a coating film. As a viscosity of the inorganic particle containing resin composition of this invention provided here to the application | coating process to the glass substrate by a screen printing method, it is preferable that it is 10,000-200,000cp.

<PDP의 제조 방법> <Production method of PDP>

본 발명의 제조 방법은 본 발명의 전사 필름을 구성하는 무기 입자 함유 수지층을 기판상에 전사하고 전사된 무기 입자 함유 수지층상에 레지스트막을 형성하여 해당 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 해당 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시켜, 해당 무기 입자 함유 수지층을 에칭 처리하고 레지스트 패턴에 대응하는 패턴층 (무기 입자 함유 수지층의 패턴)을 형성하여 해당 패턴층을 소성 처리함으로써 소결체로 이루어지는 격벽, 전극, 저항체, 유전체, 형광체 칼라 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 구성 요소를 형성하는 공정을 포함한다. The manufacturing method of the present invention transfers the inorganic particle-containing resin layer constituting the transfer film of the present invention onto a substrate, forms a resist film on the transferred inorganic particle-containing resin layer, and exposes the resist film to form a latent image of the resist pattern. By developing the resist film to present the resist pattern, etching the inorganic particle-containing resin layer, forming a pattern layer (pattern of the inorganic particle-containing resin layer) corresponding to the resist pattern, and firing the pattern layer. Forming a component selected from a partition wall, an electrode, a resistor, a dielectric, a phosphor color filter, and a black matrix made of a sintered body.

또는 레지스트막과 본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물로부터 얻을 수 있는 무기 입자 함유 수지층과의 적층막을 지지 필름상에 형성하고 지지 필름상에 형성된 적층막을 기판상에 전사하여 해당 적층막을 구성하는 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 해당 레지스트막을 현상 처리하고 레지스 트 패턴을 현재화시켜 해당 무기 입자 함유 수지층을 에칭 처리하고 레지스트 패턴에 대응하는 패턴층을 형성하고 해당 패턴층을 소성 처리함으로써 소결체으로 이루어지는 격벽, 전극, 저항체, 유전체, 형광체, 칼라 필터 및 블랙 매트릭스로부터 선택되는 구성 요소를 형성하는 공정을 포함한다. Or a resist film which forms the laminated film of a resist film and the inorganic particle containing resin layer obtained from the inorganic particle containing resin composition of this invention on a support film, transfers the laminated film formed on the support film, onto a board | substrate, and comprises the resist film which comprises this laminated film. The exposure process forms a latent image of the resist pattern, the resist film is developed and the resist pattern is present to etch the inorganic particle-containing resin layer, a pattern layer corresponding to the resist pattern is formed, and the pattern layer is calcined. Thereby forming a component selected from a partition, an electrode, a resistor, a dielectric, a phosphor, a color filter, and a black matrix made of a sintered body.

상기한 공정을 거침으로서 PDP의 구성 요소인 격벽, 전극, 저항체, 유전체, 형광체, 칼라 필터 및 블랙 매트릭스 모두를 형성할 수 있다. 이하, 「전극」을 전면 기판상의 표면에 형성하는 방법에 대하여 설명한다. 이 방법에 있어서는 [l]무기 입자 함유 수지층의 전사 공정, [2] 레지스트막의 형성 공정, [3] 레지스트막의 노광 공정, [4] 레지스트막의 현상 공정 〔5〕무기 입자 함유 수지층의 에칭 공정, 〔6〕무기 입자 함유 수지층의 패턴 소성 공정에 의해, 기판의 표면에 전극이 형성된다. Through the above process, all of the barrier ribs, electrodes, resistors, dielectrics, phosphors, color filters, and black matrices which are components of the PDP can be formed. Hereinafter, the method of forming a "electrode" in the surface on a front substrate is demonstrated. In this method, the [l] inorganic particle-containing resin layer transfer step, the [2] resist film formation step, the [3] resist film exposure step, the [4] resist film development step [5] the inorganic particle-containing resin layer etching step , [6] An electrode is formed on the surface of the substrate by a pattern firing step of the inorganic particle-containing resin layer.

도 3 및 도 4는 전극을 형성하기 위한 일련의 공정을 나타내는 개략 단면도이다. 도 3 및 도 4에 있어서, (11)은 유리 기판이며, 이 유리 기판 (11)상에는 플라즈마를 발생시키기 위한 투명 전극 (12)가 등간격으로 배열되어 있다. 3 and 4 are schematic cross-sectional views showing a series of processes for forming an electrode. 3 and 4, 11 is a glass substrate, and transparent electrodes 12 for generating plasma are arranged on the glass substrate 11 at equal intervals.

또한 본 발명에 있어서 「무기 입자 함유 수지층을 기판상에 전사한다」 태양으로서는 상기 유리 기판 (11)의 표면에 전사하는 태양 이외에, 상기 투명 전극 (12)의 표면에 전사하는 태양도 포함된다. In addition, in this invention, the aspect which "transfers an inorganic particle containing resin layer on a board | substrate" The aspect which transfers to the surface of the said transparent electrode 12 is included in addition to the aspect which transfers to the surface of the said glass substrate 11.

(1) 무기 입자 함유 수지층의 전사 공정: (1) Transfer process of inorganic particle containing resin layer:

무기 입자 함유 수지층의 전사 공정의 한 예를 나타내면 이하와 같다. An example of the transfer step of the inorganic particle-containing resin layer is as follows.

전사 필름의 커버 필름 (도시 생략)을 박리한 후, 도 3 (나)에 나타낸 것과 같이, 투명 전극 (12)의 표면에, 무기 입자 함유 수지층 (21)의 표면이 당접되도록 전사 필름 20을 겹쳐, 이 전사 필름 (20)을 가열 롤러 등에 의해 열 압착한 후, 무기 입자 함유 수지층 (21)에서 지지 필름 (22)를 박리 제거한다. 이에 따라 도 3 (다)에 나타내는 것과 같이, 투명 전극 (12)의 표면에 무기 입자 함유 수지층 (21)이 전사되어 밀착한 상태가 된다. 여기서, 전사 조건으로서는 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 80 내지 140 ℃, 가열 롤러에 의한 롤압이 1 내지 5 kg/㎠, 가열 롤러의 이동 속도가 0.l 내지 10.0 m/분을 나타낼 수 있다. 또한 유리 기판 (11)은 예열될 수도 있으며, 예열 온도는 예를 들면 40 내지 100 ℃로 할 수 있다. After peeling the cover film (not shown) of the transfer film, as shown in FIG. 3 (b), the transfer film 20 is brought into contact with the surface of the transparent electrode 12 so that the surface of the inorganic particle-containing resin layer 21 abuts. In addition, after carrying out thermocompression bonding of this transfer film 20 with a heating roller etc., the support film 22 is peeled off from the inorganic particle containing resin layer 21. As a result, as shown in FIG. 3 (c), the inorganic particle-containing resin layer 21 is transferred to and adhered to the surface of the transparent electrode 12. Here, as transfer conditions, the surface temperature of a heating roller can show 80-140 degreeC, the roll pressure by a heating roller is 1-5 kg / cm <2>, and the moving speed of a heating roller may be 0.1-10.0 m / min. . In addition, the glass substrate 11 may be preheated, and preheating temperature may be 40-100 degreeC, for example.

(2) 레지스트막의 형성 공정 (2) Formation process of resist film

이 공정에 있어서는, 도 3 (라)에 나타내는 것과 같이 전사된 무기 입자 함유 수지층 21의 표면에 레지스트막 (31)을 형성한다. 이 레지스트막 (31)을 구성하는 레지스트로서는 포지티브형 레지스트 및 네가티브형 레지스트의 어느 쪽이어도 좋다. In this step, a resist film 31 is formed on the surface of the transferred inorganic particle-containing resin layer 21 as shown in FIG. 3 (d). The resist constituting the resist film 31 may be either a positive resist or a negative resist.

레지스트막 (31)은 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 여러가지 방법에 의해서 레지스트를 도포한 후, 도포막을 건조함으로써 형성할 수가 있다. 여기서, 도포막의 건조 온도는 통상 60 내지 130 ℃정도이다. The resist film 31 can be formed by applying a resist by various methods such as a screen printing method, a roll coating method, a rotation coating method, a flexible coating method, and then drying the coating film. Here, the drying temperature of a coating film is about 60-130 degreeC normally.

또한, 지지 필름상에 형성된 레지스트막을 무기 입자 함유 수지층 (21)의 표면에 전사함으로써 형성할 수 있다. 이러한 형성 방법에 의하면 레지스트막의 형성 공정수를 줄일 수 있임과 동시에, 얻을 수 있는 레지스트막의 막 두께 균일성이 우수한 것이 되기 때문에 해당 레지스트막의 현상 처리 및 무기 입자 함유 수지층 의 에칭 처리가 균일하게 행해지며, 형성되는 전극의 높이 및 형상이 균일한 것이 된다. Moreover, it can form by transferring the resist film formed on the support film to the surface of the inorganic particle containing resin layer 21. FIG. According to this formation method, the number of steps of forming the resist film can be reduced, and the film thickness uniformity of the obtained resist film can be excellent, so that the development process of the resist film and the etching process of the inorganic particle-containing resin layer are performed uniformly. The height and shape of the formed electrode become uniform.

레지스트막 (31)의 막 두께로서는, 통상 0.1 내지 40 ㎛이며 바람직하게는 0.5 내지 20 ㎛이다. As a film thickness of the resist film 31, it is 0.1-40 micrometers normally, Preferably it is 0.5-20 micrometers.

(3) 레지스트막의 노광 공정 (3) Exposure process of resist film

이 공정에 있어서, 도 3 (마)에 나타내는 것과 같이, 무기 입자 함유 수지층 21상에 형성된 레지스트막 (31)의 표면에, 노광용 마스크 M을 통해 자외선 등의 방사선을 선택적으로 조사 (노광)하고 레지스트 패턴의 잠상을 형성한다. 이 도에 있어서, MA 및 MB는 각각 노광용 마스크 M에 있어서의 광투과부 및 차광부이다. In this step, as shown in FIG. 3 (E), the surface of the resist film 31 formed on the inorganic particle-containing resin layer 21 is selectively irradiated (exposed) with radiation such as ultraviolet rays through the exposure mask M. A latent image of the resist pattern is formed. In this figure, MA and MB are light transmitting portions and light blocking portions in the exposure mask M, respectively.

여기에 방사선 조사 장치로서는 포토리소그래피법으로 사용되고 있는 자외선 조사 장치, 반도체 및 액정 표시 장치를 제조할 때에 사용되는 노광 장치 등을 사용할 수 있으며 특별히 한정되는 것은 아니다. As the radiation irradiation apparatus, an ultraviolet irradiation apparatus used in the photolithography method, an exposure apparatus used when manufacturing a semiconductor and a liquid crystal display device, and the like can be used, but are not particularly limited.

(4) 레지스트막의 현상 공정 (4) Development process of resist film

이 공정에 있어서는 노광된 레지스트막을 현상 처리함으로써 레지스트 패턴 (잠상)을 현재화시킨다. In this step, the resist pattern (latent image) is made to present by developing the exposed resist film.

여기에 현상 처리 조건으로서는 레지스트막 (31)의 종류 등에 따라서 현상액의 종류, 조성, 농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법 (예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 스프레이법, 패들법), 현상 장치 등을 적절하게 선택할 수가 있다. Here, as the development treatment conditions, the type, composition, concentration, development time, development temperature, development method (e.g., immersion method, rocking method, shower method, paddle method, etc.) of the developer depending on the type of resist film 31 and the like. , A developing device and the like can be selected as appropriate.

이 현상 공정에 의해 도 4 (가)에 나타내는 것과 같이 레지스트 잔류부 (35A)와, 레지스트 제거부 (35B)로 구성되는 레지스트 패턴 (35) (노광용 마스크 M 에 대응하는 패턴)이 형성된다. As a result of this development step, as shown in Fig. 4A, a resist pattern 35 (pattern corresponding to the exposure mask M) composed of the resist remaining portion 35A and the resist removing portion 35B is formed.

이 레지스트 패턴 (35)는 다음 공정(에칭 공정)에 있어서의 에칭 마스크로서 작용하는 것이며 레지스트 잔류부 (35A)의 구성 재료 (광경화된 레지스트)는 무기 입자 함유 수지층 (21)의 구성 재료보다도 에칭액에 대한 용해 속도가 작은 것이 필요하다. The resist pattern 35 acts as an etching mask in the next step (etching step), and the constituent material (photocured resist) of the resist remaining portion 35A is formed more than the constituent material of the inorganic particle-containing resin layer 21. It is necessary that the dissolution rate to the etching solution is small.

(5) 무기 입자 함유 수지층의 에칭 공정;(5) etching process of inorganic particle containing resin layer;

이 공정에 있어서는, 무기 입자 함유 수지층을 에칭 처리하고 레지스트 패턴에 대응하는 전극 패턴층 (무기 입자 함유 수지층의 패턴)을 형성한다. In this step, the inorganic particle-containing resin layer is etched to form an electrode pattern layer (pattern of the inorganic particle-containing resin layer) corresponding to the resist pattern.

즉, 도 4 (나)에 나타낸 것과 같이, 무기 입자 함유 수지층 (21) 중, 레지스트 패턴 (35)의 레지스트 제거부 (35B)에 대응하는 부분이 에칭액에 용해되어 선택적으로 제거된다. 여기에, 도 4 (나)는 에칭 처리 중의 상태를 나타내고 있다. That is, as shown in FIG.4 (b), the part corresponding to the resist removal part 35B of the resist pattern 35 in the inorganic particle containing resin layer 21 is melt | dissolved in etching liquid, and is selectively removed. 4 (b) shows a state during the etching process.

그리고, 또한 에칭 처리를 계속하면 도 4 (다)에 나타낸 것과 같이, 무기 입자 함유 수지층 (21)에 있어서의 소정 부분이 완전히 제거되어 투명 전극 (12) 또는 유리 기판 (11)이 노출한다. 이에 따라 수지층 잔류부 (25A)와, 수지층 제거부 (25B)로 구성되는 전극 패턴층 (무기 입자 함유 수지층의 패턴) (25)가 형성된다. Further, if the etching process is continued, as shown in Fig. 4C, the predetermined portion in the inorganic particle-containing resin layer 21 is completely removed to expose the transparent electrode 12 or the glass substrate 11. Thereby, the electrode pattern layer (pattern of the inorganic particle containing resin layer) 25 comprised from the resin layer residual part 25A and the resin layer removal part 25B is formed.

여기에 에칭 처리 조건으로서는 무기 입자 함유 수지층 (21)의 종류 등에 따라 에칭액의 종류·조성·농도, 처리 시간, 처리 온도, 처리 방법 (예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 스프레이법, 패들법), 처리 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다. Here, the etching treatment conditions may include the type, composition, and concentration of the etching solution, the treatment time, the treatment temperature, the treatment method (for example, the dipping method, the shaking method, the shower method, the spray method, and the like depending on the type of the inorganic particle-containing resin layer 21). Paddle method), a processing apparatus, etc. can be selected suitably.

여기에, 레지스트 패턴 (35)를 구성하는 레지스트 잔류부 (35A)는 에칭 처리 시에 서서히 용해되어, 전극 패턴층 (무기 입자 함유 수지층의 패턴) (25)가 형성된 단계 (에칭 처리의 종료시)에서 완전히 제거되는 것이 바람직하다. Here, the resist remaining portion 35A constituting the resist pattern 35 is gradually dissolved during the etching process, so that an electrode pattern layer (pattern of the inorganic particle-containing resin layer) 25 is formed (at the end of the etching process). It is preferred to be removed completely in the.

또한 에칭 처리 후에 레지스트 잔류부 (35A)의 일부 또는 전부가 잔류하고 있어도 해당 레지스트 잔류부 (35A)는 다음 소성 공정에서 제거된다. Moreover, even if part or all of the resist residual part 35A remains after the etching process, the said resist residual part 35A is removed in the next baking process.

(6) 무기 입자 함유 수지층의 패턴 소성 공정(6) Pattern baking process of inorganic particle containing resin layer

이 공정에 있어서는 무기 입자 함유 수지층의 패턴 (25)을 소성 처리하여 전극을 형성한다. 이에 의해 수지층 잔류부 (25A) 중의 유기 물질이 소실하여 전극이 형성되고 도 4 (라)에 나타낸 것과 같은, 투명 전극 (12)의 표면에 전극 (40)이 형성되어 이루어지는 패널 재료 (50)을 얻을 수 있다. In this step, the pattern 25 of the inorganic particle-containing resin layer is baked to form an electrode. Thereby, the organic material in the resin layer remaining part 25A disappears, and an electrode is formed and the panel material 50 by which the electrode 40 is formed in the surface of the transparent electrode 12 as shown in FIG. Can be obtained.

여기에 소성 처리의 온도로서는 수지층 잔류부 (25A)중의 유기 물질이 소실되는 온도를 필요로 하고, 통상 400 내지 600 ℃이다. 또한, 소성 시간은 통상 10 내지 90 분간이다. As the temperature of the baking treatment, the temperature at which the organic substance in the resin layer remaining portion 25A disappears is required and is usually 400 to 600 ° C. In addition, baking time is 10 to 90 minutes normally.

<포토레지스트법을 이용한 바람직한 실시 태양> Preferred Embodiments Using the Photoresist Method

본 발명에 있어서의 PDP의 형성 방법은 도 3 및 도 4에 나타낸 것과 같은 방법에 한정되는 것이 아니다. The formation method of the PDP in this invention is not limited to the method as shown in FIG. 3 and FIG.

여기에 PDP의 구성 요소를 형성하기 위한 다른 바람직한 방법으로서 하기 (1) 내지 (3)의 공정에 의한 형성 방법을 들 수 있다. Here, the formation method by the process of following (1)-(3) is mentioned as another preferable method for forming the component of a PDP.

(l) 지지 필름상에 레지스트막을 형성한 후, 해당 레지스트막상에 본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물을 도포, 건조함으로써 무기 입자 함유 수지층을 적층형성한다. 여기에, 레지스트막 및 무기 입자 함유 수지층을 형성할 때에는 롤 코 터 등을 사용할 수 있으며 이에 따라 막 두께의 균일성이 우수한 적층막을 지지 필름상에 형성할 수 있다. (l) After forming a resist film on a support film, the inorganic particle containing resin layer is laminated | stacked by apply | coating and drying the inorganic particle containing resin composition of this invention on this resist film. Here, when forming a resist film and an inorganic particle containing resin layer, a roll coater etc. can be used and a laminated film excellent in the uniformity of a film thickness can be formed on a support film by this.

(2) 지지 필름상에 형성된 레지스트막과 무기 입자 함유 수지층과의 적층막을 기판상에 전사한다. 여기에 전사 조건으로서는 「상시 무기 입자 함유 수지층의 전사 공정」에 있어서의 조건과 동일하면 된다. (2) The laminated film of the resist film formed on the support film and the inorganic particle containing resin layer is transferred onto a substrate. Here, as transfer conditions, what is necessary is just the same as the conditions in "the transfer process of an inorganic particle containing resin layer always."

(3) 상기 「레지스트막의 노광 공정」, 「레지스트막의 현상 공정」, 「무기 입자 함유 수지층의 에칭 공정」 및 「무기 입자 함유 수지층의 패턴 소성 공정」과 동일한 조작을 한다. 그 때 레지스트막의 현상액과 무기 입자 함유 수지층의 에칭액을 동일한 용액으로 하고, 「레지스트막의 현상 공정」과「무기 입자 함유 수지층의 에칭 공정」을 연속적으로 실시하는 것이 바람직하다. (3) The same operations as in the "exposure process of resist film", "development process of resist film", "etch process of inorganic particle-containing resin layer" and "pattern baking process of inorganic particle-containing resin layer" are performed. In that case, it is preferable to make the developing solution of a resist film and the etching liquid of an inorganic particle containing resin layer the same solution, and to carry out a "development process of a resist film" and an "etching process of an inorganic particle containing resin layer" continuously.

이상과 같은 방법에 따르면, 무기 입자 함유 수지층과 레지스트막이 기판상에 일괄 전사되기 때문에 공정의 간략화에 의해 제조 효율을 더욱 향상시킬 수 있다.According to the method as described above, since the inorganic particle-containing resin layer and the resist film are collectively transferred onto the substrate, the production efficiency can be further improved by simplifying the process.

<레지스트 조성물> <Resist Composition>

본 발명의 제조 방법에 있어서는, 무기 입자 함유 수지층상에 레지스트막이 형성되어, 해당 레지스트막에 노광 처리 및 현상 처리를 실시함으로써 상기무기 입자 함유 수지층상에 레지스트 패턴이 형성된다. In the manufacturing method of this invention, a resist film is formed on an inorganic particle containing resin layer, and a resist pattern is formed on the said inorganic particle containing resin layer by performing an exposure process and a developing process to this resist film.

레지스트막을 형성하기 위해서 사용하는 레지스트 조성물로서는 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물, 유기 용제 현상형 감방사선성 레지스트 조성물, 수성 현상형 감방사선성 레지스트조성물 등을 예시할 수 있지만 바람직하게는 알칼 리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물이 사용된다.As a resist composition used for forming a resist film, although an alkali developing radiation sensitive resist composition, an organic solvent developing radiation sensitive resist composition, an aqueous developing radiation sensitive resist composition, etc. can be illustrated, Preferably it is an alkali developing type A radiation sensitive resist composition is used.

본 발명에서 말하는 「방사선」이란 가시광선, 자외선, 원자외선, 전자선, X 선 등을 포함하는 것이다. "Radiation" as used in the present invention includes visible rays, ultraviolet rays, far ultraviolet rays, electron beams, X rays and the like.

알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물은, 알칼리 가용성 수지와 감방사선성 성분을 필수 성분으로 함유하여 이루어진다. An alkali developing radiation sensitive resist composition contains alkali-soluble resin and a radiation sensitive component as an essential component.

알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물을 구성하는 알칼리 가용성 수지로서는 무기 입자 함유 수지 조성물의 결착 수지를 구성하는 것으로서 예시한 알카리 가용성 수지를 들 수 있다. As alkali-soluble resin which comprises an alkali-developing radiation sensitive resist composition, the alkali-soluble resin illustrated as what comprises the binder resin of an inorganic particle containing resin composition is mentioned.

알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물을 구성하는 감방사선성 성분으로서는 예를 들면 (가) 다가 아크릴레이트와 광중합 개시제의 조합, (나) 멜라민 수지와 방사선 조사에 의해 산을 형성하는 광산 발생제의 조합, (다) 방사선 조사에 의해 알칼리 난용성의 것이 알칼리 가용성이 되는 화합물 등을 예시할 수가 있으며 상기 (가)의 조합 중, 다가 아크릴과 광중합 개시제의 네가티브 타입이 조합과 (다)의 포지티브 타입이 특히 바람직하다. Examples of the radiation-sensitive component constituting the alkali developing radiation-sensitive resist composition include (a) a combination of a polyvalent acrylate and a photopolymerization initiator, and (b) a combination of a melamine resin and a photoacid generator that forms an acid by irradiation. And (c) compounds in which alkali poorly soluble compounds become alkali-soluble due to irradiation, and the negative type of the polyhydric acrylic and the photopolymerization initiator is the combination and the positive type of the (a). Particularly preferred.

네가티브 타입의 감방사선성 성분을 구성하는 다가 아크릴레이트로서는 상술한 본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물에 사용되는 (메타)아크릴로일기 함유 화합물 중, 2개 이상의 (메타)아크릴로일기를 갖는 화합물을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. As a polyvalent acrylate which comprises a negative radiation sensitive component, the compound which has two or more (meth) acryloyl groups among the (meth) acryloyl-group containing compounds used for the inorganic particle containing resin composition of this invention mentioned above Can be mentioned. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

또한, 네가티브 타입의 감방사선성 성분을 구성하는 광중합 개시제의 구체적인 예로서는 벤질, 벤조인, 벤조페논, 미히러케톤, 4,4'-비스디에틸아미노벤조페 논, 캄퍼퀴논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-메틸-[4'-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1- (4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2,4-디에틸티옥산톤, 이소프로필티옥산톤 등의 카르보닐 화합물; 비스(2,6-디메톡시벤조일)-2,4,4-트리메틸펜틸포스핀옥사이드, 비스(2,4,6-트리메틸벤조일)-페닐포스핀옥사이드 등의 포스핀옥사이드 화합물; 아조이소부틸로니트릴, 4-아지드벤즈알데히드 등의 아조 화합물 또는 아지드 화합물; 머캅탄디술피드 등의 유기 유황 화합물; 벤조일퍼옥시드, 디-tert-부틸퍼옥시드, tert-부틸하이드로퍼옥시드, 쿠멘하이드로퍼옥시드, 파라메탄하이드로퍼옥시드 등의 유기 퍼옥시드; 2,4-비스(트리클로로메틸)-6-(2'-클로로페닐)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(2-프라닐)에틸레닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등의 트리할로메탄류; 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,5,4',5'-테트라페닐1,2'-비이미다졸 등의 이미다졸 이량체 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한 증감제, 증감제조, 수소 공여체, 연쇄 이동제를 병용할 수 있다. In addition, specific examples of the photopolymerization initiator constituting the negative radiation-sensitive component include benzyl, benzoin, benzophenone, myrrheketone, 4,4'-bisdiethylaminobenzophenone, camphorquinone and 2-hydroxy- 2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenylketone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-methyl- [4 '-(methylthio) phenyl]- 2-morpholino-1-propaneone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2,4-diethyl thioxanthone, isopropyl thi Carbonyl compounds such as oxanthone; Phosphine oxide compounds such as bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphineoxide and bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenylphosphine oxide; Azo compounds or azide compounds such as azoisobutylonitrile and 4-azide benzaldehyde; Organic sulfur compounds such as mercaptan disulfide; Organic peroxides such as benzoyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, tert-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide and paramethane hydroperoxide; 2,4-bis (trichloromethyl) -6- (2'-chlorophenyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (2-franyl) ethylenyl] -4,6-bis Trihalo methanes such as (trichloromethyl) -1,3,5-triazine; Imidazole dimers such as 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,5,4 ', 5'-tetraphenyl1,2'-biimidazole, and the like. It can use combining a species or more. Furthermore, a sensitizer, a sensitizer, a hydrogen donor, and a chain transfer agent can be used together.

한편, 포지티브 타입의 감방사선성 화합물로서는 폴리히드록시 화합물의 1,2-벤조퀴논디아지드-4-술폰산에스테르, 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산에스테르, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산에스테르 및 1,2-나프토퀴논디아지드-6-술폰산에스테르 등을 들 수 있고, 특히 1,2-나프토퀴논디아지드-4-술폰산에스테르, 1,2-나프토퀴논디아지드-5-술폰산에스테르가 바람직하다. On the other hand, as a positive type radiation sensitive compound, the 1, 2- benzoquinone diazide- 4-sulfonic acid ester of a polyhydroxy compound, the 1, 2- naphthoquinone diazide- 4-sulfonic acid ester, and 1, 2- naphtho Quinonediazide-5-sulfonic acid ester, 1,2-naphthoquinone diazide-6-sulfonic acid ester, etc. are mentioned, Especially 1,2-naphthoquinone diazide- 4-sulfonic acid ester and 1,2-nap Toquinone diazide-5-sulfonic acid ester is preferable.

감방사선성 화합물은 예를 들면 폴리히드록시 화합물과 퀴논디아지드술포닐 클로리드를 염기성 촉매의 존재하에서 반응시킴으써 얻을 수 있다. 통상 폴리히드록시 화합물의 전수산기에 대한 퀴논디아지드술폰산에스테르의 비율 (평균 에스테르화율)은 20 % 이상 100 % 이하이고, 바람직하게는 40 % 이상 95 % 이하이다. 평균 에스테르화율이 너무 낮으면 패턴 형성이 어렵고, 너무 높으면 감도의 저하를 초래할 수 있다. A radiation sensitive compound can be obtained by, for example, reacting a polyhydroxy compound with quinonediazidesulfonyl chloride in the presence of a basic catalyst. Usually, the ratio (average esterification rate) of the quinone diazide sulfonic acid ester with respect to the total hydroxyl group of a polyhydroxy compound is 20% or more and 100% or less, Preferably it is 40% or more and 95% or less. If the average esterification rate is too low, pattern formation is difficult, and if too high, it may cause a decrease in sensitivity.

여기서 사용되는 폴리히드록시 화합물로서는, 특히 한정되는 것은 아니지만 구체적인 예로서 하기 화학식 3 내지 화학식 8에 나타내는 화합물을 들 수 있다. Although it does not specifically limit as a polyhydroxy compound used here, The compound shown by following formula (3)-formula (8) is mentioned as a specific example.

Figure 112001001537236-pat00003
Figure 112001001537236-pat00003

식 중, X1 내지 X16은 각각 서로 동일 또는 다르고, 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 l 내지 4의 알콕시기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 수산기이다. 단, X1 내지 X2 및 X6 내지 X10 각각의 조합에 있어서, 적어도 1개는 수산기이다. 또한, Y1은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다. In formula, X <1> -X <16> is the same or different, respectively, and is a hydrogen atom, a C1-C4 alkyl group, a C1-C4 alkoxy group, a C6-C10 aryl group, or a hydroxyl group. Provided that X 1 to X 2 and X 6 to X 10 In each combination, at least one is a hydroxyl group. In addition, Y <1> is a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group.

Figure 112001001537236-pat00004
Figure 112001001537236-pat00004

식 중, X16 내지 X30은 각각 서로 동일 또는 다르고, 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 수산기이다. 단, X16 내지 X20, X21 내지 X25 및 X26 내지 X30의 각각의 조합에 있어서 적어도 1개는 수산기이다. 또한 Y2 내지 Y4는 각각 서로 동일 또는 다르고, 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다.In formula, X <16> -X <30> is the same or different each other, and is a hydrogen atom, a C1-C4 alkyl group, a C1-C4 alkoxy group, a C6-C10 aryl group, or a hydroxyl group. However, X 16 to X 20, X 21 to at least one dog in each combination of X 25 and X 26 to X 30 is a hydroxyl group. In addition, Y <2> -Y <4> is the same or different from each other, and is a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group.

Figure 112001001537236-pat00005
Figure 112001001537236-pat00005

식 중, X31 내지 X44는 각각 서로 상이하며 수소 원자 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 수산기이며, 단, X33 내지 X35에서 적어도 하나는 수산기이며, Y5 내지 Y8은 각각 서로 상이하며 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 4의 알킬기이다. Wherein, X 31 to X 44 are each different and each is an aryl group or a hydroxyl group of an alkoxy group, having 6 to 10 carbon atoms in the alkyl group of the hydrogen atoms having from 1 to 4 carbon atoms, 1 to 4 carbon atoms each, provided that in X 33 to X 35, at least One is a hydroxyl group, Y <5> -Y <8> is mutually different from each other, and is a hydrogen atom or a C1-C4 alkyl group.

Figure 112001001537236-pat00006
Figure 112001001537236-pat00006

식 중, X45 내지 X68은 각각 서로 상이하며, 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 시클로알킬기 또는 수산기이며, 단, X45 내지 X48 및 X49 내지 X53의 각각의 조합에서 적어도 하나는 수산기이며, Y9 및 Y10은 각각 서로 상이하며 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기 또는 탄소수 5 내지 7의 시클로알킬기이다.In the formula, X 45 to X 68 are different from each other, and each represents a hydrogen atom, a halogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, a cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms, or a hydroxyl group, except that X 45 At least one in each combination of to X 48 and X 49 to X 53 is a hydroxyl group, and Y 9 and Y 10 are each different from each other and are a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 4 carbon atoms or a cycloalkyl group having 5 to 7 carbon atoms.

Figure 112001001537236-pat00007
Figure 112001001537236-pat00007

식 중, X59 내지 X80은 각각 서로 상이하며, 수소 원자, 할로겐 원자, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 탄소수 5 내지 7의 시클로알킬기 또는 수산기이며, 단, X59 내지 X63, X64 내지 X67, X72 내지 X75 및 X76 내지 X80의 각각의 조합에서 적어도 하나는 수산기이며, 또한, Y11 내지 Y16은 각각 서로 상이하며 수소 원자 또는 탄소수 l 내지 4의 알킬기이다.Wherein, X 59 to X 80 are, each different from each other, and represents a hydrogen atom, a halogen atom, having from 1 to 4 carbon atoms, an alkoxy group, a cycloalkyl group or a hydroxyl group having 5 to 7 carbon atoms of 1 to 4 carbon atoms, provided that, X 59 To X 63 , X 64 to X 67 , X 72 to X 75 and X 76 to X 80 , at least one is a hydroxyl group, and Y 11 to Y 16 are each different from each other and are hydrogen atoms or 1 to 1 carbon atoms. It is an alkyl group of 4.

Figure 112001001537236-pat00008
Figure 112001001537236-pat00008

식 중, X81 내지 X90은 각각 서로 동일 또는 상이하며 수소 원자, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 탄소수 6 내지 10의 아릴기 또는 수산기이며, 단 X81 내지 X90의 조합에서 적어도 하나는 수산기이다.Wherein X 81 to X 90 are the same as or different from each other, and each is a hydrogen atom, an alkoxy group having 1 to 4 carbon atoms, an aryl group having 6 to 10 carbon atoms, or a hydroxyl group, provided that at least one of the hydroxyl groups in the combination of X 81 to X 90 is to be.

이 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물에서의 감방사선성 성분의 함유 비율로서는 알칼리 가용성 수지 100 중량부당, 통상 1 내지 200 중량부이며, 바람직하게는 5 내지 100 중량부이다.As a content rate of the radiation sensitive component in this alkali developing radiation sensitive resist composition, it is 1-200 weight part normally per 100 weight part of alkali-soluble resin, Preferably it is 5-100 weight part.

또한, 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물에 대해서는 양호한 막형성성을 부여하기 위하여 적절하게 유기 용매가 함유된다. 이러한 유기 용매로서는, 무기 입자 함유 수지 조성물을 구성하는 것으로서 예시한 용제를 들 수 있다.In addition, an alkali solvent is suitably contained with respect to alkali developing radiation sensitive resist composition in order to provide favorable film formation. As such an organic solvent, the solvent illustrated as what comprises an inorganic particle containing resin composition is mentioned.

본 발명에서 사용하는 레지스트 조성물에는 임의 성분으로서 현상 촉진제, 접착 제조, 할레이션 방지제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 표면 장력 조정제, 레벨링제, 필러, 형광체, 안료, 염료 등의 각종 첨가제가 함유되어 있어도 좋다. 또, 본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물에 이용되는 상기 무기 입자를 함유하여도 좋다.In the resist composition used in the present invention, as an optional component, various additives such as a development accelerator, adhesion preparation, an antihalation agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a surface tension regulator, a leveling agent, a filler, a phosphor, a pigment, and a dye are used. May be contained. Moreover, you may contain the said inorganic particle used for the inorganic particle containing resin composition of this invention.

<현상액> <Development amount>                     

레지스트막의 현상 공정에서 사용되는 현상액으로서는, 레지스트막(레지스트 조성물)의 종류에 따라 적절하게 선택할 수가 있다. 구체적으로는, 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물에 의한 레지스트막에는 알칼리 현상액을 사용할 수가 있다.As a developing solution used at the development process of a resist film, it can select suitably according to the kind of resist film (resist composition). Specifically, an alkaline developer can be used for the resist film of the alkali developing radiation-sensitive resist composition.

알칼리 현상액의 유효 성분으로서는, 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소이암모늄, 인산수소이칼륨, 인산수소이나트륨, 인산이수소암모늄, 인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨, 규산리튬, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 붕산리튬, 붕산나트륨, 붕산칼륨, 암모니아 등의 무기 알칼리성 화합물; 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메틸히드록시에틸암모늄히드록시드, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민, 에탄올아민 등의 유기 알칼리성 화합물 등을 들 수 있다.Examples of the active component of the alkaline developer include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, Inorganic alkaline compounds such as lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, sodium borate, potassium borate and ammonia; Tetramethylammonium Hydroxide, Trimethylhydroxyethylammonium Hydroxide, Monomethylamine, Dimethylamine, Trimethylamine, Monoethylamine, Diethylamine, Triethylamine, Monoisopropylamine, Diisopropylamine, Ethanolamine Organic alkaline compounds, such as these, etc. are mentioned.

레지스트막의 현상 공정에서 사용되는 알칼리 현상액은 상기 알칼리성 화합물의 1종 또는 2종 이상을 물 등에 용해시킴으로써 제조할 수가 있다. 여기에서, 알칼리 현상액에서의 알칼리성 화합물의 농도는, 통상 0.001 내지 10 중량%이며, 바람직하게는 0.01 내지 5 중량%이다. 알칼리 현상액에는, 비이온계 계면 활성제 또는 유기 용매 등의 첨가제가 함유되어 있어도 좋다.The alkaline developer used in the development step of the resist film can be produced by dissolving one or two or more kinds of the alkaline compounds in water or the like. Here, the concentration of the alkaline compound in the alkaline developer is usually 0.001 to 10% by weight, preferably 0.01 to 5% by weight. The alkali developer may contain additives such as nonionic surfactants or organic solvents.

또, 알칼리 현상액에 의한 현상 처리가 이루어진 후에는 통상, 수세 처리가 실시된다.Moreover, after the image development process by alkaline developing solution is performed, the water washing process is normally performed.

<에칭액> <Etching liquid>                     

무기 입자 함유 수지층의 에칭 공정에서 사용되는 에칭액으로서는 알칼리성 용액인 것이 바람직하다. 이에 따라, 무기 입자 함유 수지층에 함유되는 알칼리 가용성 수지를 용이하게 용해 제거할 수가 있다.As an etching liquid used at the etching process of an inorganic particle containing resin layer, it is preferable that it is an alkaline solution. Thereby, alkali-soluble resin contained in an inorganic particle containing resin layer can be easily dissolved and removed.

또, 무기 입자 함유 수지층에 함유되는 무기 입자는, 알칼리 가용성 수지에 의해 균일하게 분산되어 있는 경우에는, 알칼리성 용액으로 알칼리 가용성 수지를 용해시키고 세정함으로써, 무기 입자도 동시에 제거된다.Moreover, when the inorganic particle contained in an inorganic particle containing resin layer is disperse | distributed uniformly by alkali-soluble resin, an inorganic particle is also removed simultaneously by dissolving and wash | cleaning alkali-soluble resin with alkaline solution.

여기에서, 에칭액으로서 사용되는 알칼리성 용액으로서는 현상액과 동일 조성의 용액인 것이 보다 바람직하다.Here, as an alkaline solution used as an etching solution, it is more preferable that it is a solution of the same composition as a developing solution.

에칭액이, 현상 공정에서 사용하는 알칼리 현상액과 동일한 용액임으로 인해 현상 공정과, 에칭 공정을 연속적으로 실시하는 것이 가능해져, 공정의 간략화를 도모할 수 있다.Because the etching solution is the same solution as the alkaline developer used in the developing step, the developing step and the etching step can be performed continuously, and the process can be simplified.

또한, 알칼리성 용액에 의한 에칭 처리가 이루어진 후에는 통상, 수세 처리가 실시된다. 또한, 필요에 따라 에칭 처리 후에 무기 입자 함유 수지층의 패턴 측면 및 기판 노출부에 잔존하는 불필요분을 문질러 제거하는 공정을 포함하여도 좋다.In addition, after the etching process by alkaline solution is performed, the water washing process is performed normally. Moreover, you may include the process of rubbing off the unnecessary part remain | survive on the pattern side surface and board | substrate exposed part of an inorganic particle containing resin layer after an etching process as needed.

PDP를 구성하는 유전체는 본 발명의 전사 필름을 구성하는 무기 입자 함유 수지층을 기판의 표면에 전사하고, 전사된 무기 입자 함유 수지층을 소성함으로써, 형성할 수도 있다.The dielectric constituting the PDP can also be formed by transferring the inorganic particle-containing resin layer constituting the transfer film of the present invention to the surface of the substrate and firing the transferred inorganic particle-containing resin layer.

도 2에 나타낸 바와 같은 구성의 전사 필름에 의한 무기 입자 함유 수지층의 전사 공정의 일예를 나타내면 다음과 같다. An example of the transfer process of the inorganic particle containing resin layer by the transfer film of the structure as shown in FIG. 2 is as follows.                     

① 롤형으로 권취된 상태의 전사 필름을 기판의 면적에 맞는 크기로 재단한다.(1) Cut the transfer film in a rolled shape into a size suitable for the area of the substrate.

② 재단한 전사 필름에서의 무기 입자 함유 수지층(F2)의 표면으로부터 커버 필름(F3)을 박리한 후, 기판의 표면에 무기 입자 함유 수지층(F2)의 표면이 접촉하 도록 전사 필름을 중합시킨다.(2) After peeling the cover film (F3) from the surface of the inorganic particle-containing resin layer (F2) in the cut transfer film, the transfer film is polymerized so that the surface of the inorganic particle-containing resin layer (F2) is in contact with the surface of the substrate. Let's do it.

③ 기판에 중첩된 전사 필름상에 가열 롤러를 이동시켜 열압착시킨다.(3) Move the heating roller onto the transfer film superimposed on the substrate to perform thermal compression.

④ 열압착에 의해 기판에 고정된 무기 입자 함유 수지층(F2)으로부터 지지 필름(F1)을 박리 제거한다.(4) The support film F1 is peeled off from the inorganic particle-containing resin layer F2 fixed to the substrate by thermocompression bonding.

상기와 같은 조작에 의해 지지 필름(F1)상의 무기 입자 함유 수지층(F2)이 기판상에 전사된다. 여기서, 전사 조건으로서는, 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 60 내지 120 ℃, 가열 롤러에 의한 롤압이 1 내지 5 kg/㎠, 가열 롤러의 이동 속도가 0.2 내지 10.0 m/분이다. 이러한 조작(전사 공정)은, 라미네이터 장치에 의해 행할 수 있다. 또, 기판은 예열되어 있어도 좋으며, 예열 온도로서는 예를 들면 40 내지 100 ℃로 할 수가 있다.By the above operation, the inorganic particle-containing resin layer F2 on the support film F1 is transferred onto the substrate. Here, as transfer conditions, the surface temperature of a heating roller is 60-120 degreeC, the roll pressure by a heating roller is 1-5 kg / cm <2>, and the moving speed of a heating roller is 0.2-10.0 m / min, for example. Such an operation (transfer process) can be performed by a laminator apparatus. Moreover, the board | substrate may be preheated and can be 40-100 degreeC as preheating temperature, for example.

기판의 표면에 전사 형성된 무기 입자 함유 수지층(F2)은 소성되어 소결체(유전체)가 된다. 여기에서, 소성 방법으로서는, 무기 입자 함유 수지층(F2)이 전사 형성된 기판을 고온 조건하에 배치하는 방법을 들 수 있다. 이에 따라, 무기 입자 함유 수지층(F2)에 함유되어 있는 유기 물질이 분해되어 제거되고, 무기 입자가 용융되어 소결된다.The inorganic particle-containing resin layer F2 formed on the surface of the substrate is fired to form a sintered body (dielectric). Here, as a baking method, the method of arrange | positioning the board | substrate with which the inorganic particle containing resin layer F2 was formed under high temperature conditions is mentioned. Thereby, the organic substance contained in the inorganic particle containing resin layer F2 is decomposed | disassembled and removed, an inorganic particle melts and it sinters.

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하는데, 본 발명은 이들에 의해 한정 되는 것은 아니다. 또, 이하에서 「부」는「중량부」를 나타낸다.Hereinafter, although the Example of this invention is described, this invention is not limited by these. In addition, "part" represents a "weight part" below.

<실시예 1> <Example 1>

(1) 무기 입자 함유 수지 조성물(전극 형성용 수지 조성물)의 제조:(1) Preparation of Inorganic Particle-Containing Resin Composition (Resin Composition for Electrode Formation):

(A) 무기 입자로서 평균 입자 지름 1 ㎛의 Ag 입자 100 부, 평균 입자 지름 3 ㎛의 Bi2O3-ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3 계의 저융점 유리 플릿(부정형, 연화점 520 ℃) 10 부, (B) 결착 수지로서 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산3-히드록시프로필/메타크릴산 = 60/20/20(중량%) 공중합체(Mw-100,000) 30부, (C) 특정 화합물로서「사이멜 300」(미쓰이 사이아미드사 제품) 10 부, (D) 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 100 부, 및 임의 성분으로서 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 10 부, 스테아린산(분산제) 1 부를 비즈밀로 혼련한 후, 스테인레스 메쉬(500 메쉬, 25 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물을 제조하였다.(A) Low-melting glass flits of Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 based 100 parts Ag particles having an average particle diameter of 1 μm and inorganic particles having an average particle diameter of 1 μm , Softening point 520 ° C.), 10 parts, (B) methacrylic acid n-butyl / methacrylic acid 3-hydroxypropyl / methacrylic acid = 60/20/20 (wt%) copolymer (Mw-100,000) 30 parts, (C) 10 parts of "Cymel 300" (made by Mitsui Saiamide) as a specific compound, 100 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent (D), and 10 parts of trimethylol propane triacrylate as an optional component And 1 part of stearic acid (dispersant) were kneaded with a bead mill and then filtered with a stainless mesh (500 mesh, 25 µm diameter) to prepare an inorganic particle-containing resin composition of the present invention.

(2) 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물의 제조(2) Preparation of alkali developing radiation sensitive resist composition

알칼리 가용성 수지로서 메타크릴산메틸/메타크릴산=70/30(중량%) 공중합체(Mw=60,000) 60부, 다가 아크릴레이트(감방사선성 성분)로서 펜타에리스리톨테트라아크릴레이트 40 부, 광중합 개시제(감방사선성 성분)로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 5 부, 및 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 100 부를 혼합, 용해한 후, 카트리지 필터(1 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물(이하, "레지스트 조성물 1"이라 한다.)를 제조하였다. 60 parts of methyl methacrylate / methacrylic acid = 70/30 (weight%) copolymer (Mw = 60,000) as alkali-soluble resin, 40 parts of pentaerythritol tetraacrylate as a polyvalent acrylate (radiation sensitive component), a photoinitiator After mixing and dissolving 5 parts of 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one as a (radiation sensitive component) and 100 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent, The alkali developing radiation sensitive resist composition (hereinafter referred to as "resist composition 1") was produced by filtering with a cartridge filter (1 탆 diameter).                     

(3) 전사 필름의 제조 (3) Preparation of Transfer Film

하기 (가), (나)의 조작에 의해, 레지스트막과 무기 입자 함유 수지층의 적층막이 지지 필름상에 형성되어 있는 본 발명의 전사 필름을 제작하였다.By the operation of following (a) and (b), the transfer film of this invention in which the laminated film of a resist film and an inorganic particle containing resin layer was formed on the support film was produced.

(가) 상기 (2)에서 제조한 레지스트 조성물 1을 미리 이형 처리한 PET 필름(폭 400 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛)으로 이루어지는 지지 필름상에 다이코터를 이용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분 간 건조하여 용제를 완전히 제거하여 두께 5 ㎛의 레지스트막을 지지 필름상에 형성하였다.(A) The resist composition 1 prepared in the above (2) was coated on a supporting film made of a PET film (400 mm wide, 30 m long, 38 μm thick) previously released by using a die coater, and the coating film was 100 It dried at 5 degreeC for 5 minutes, and the solvent was removed completely and the resist film of thickness 5micrometer was formed on the support film.

(나) 상기 (1)에서 제조한 무기 입자 함유 수지 조성물을 레지스트막상에 다이코터를 이용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분 간 건조하여 용제를 완전히 제거하여 두께 20 ㎛의 무기 입자 함유 수지층을 레지스트막상에 형성하였다.(B) The inorganic particle-containing resin composition prepared in (1) was applied onto the resist film using a die coater, the coating film was dried at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent, and the inorganic particle-containing water having a thickness of 20 μm. The ground layer was formed on the resist film.

(4) 전사 필름의 가요성 평가(4) evaluation of flexibility of transfer film

상기 (3)에서 제조한 전사 필름을 구부려 무기 입자 함유 수지층의 표면에서의 균열의 발생 유무를 육안으로 확인함으로써, 상기 전사 필름의 가요성 평가를 했더니, 무기 입자 함유 수지층의 표면에 균열은 인정되지 않아 상기 무기 입자 함유 수지층은 우수한 가요성을 갖는 것이었다.When the flexibility of the transfer film was evaluated by bending the transfer film prepared in the above (3) and visually confirming the occurrence of cracks on the surface of the inorganic particle-containing resin layer, the crack on the surface of the inorganic particle-containing resin layer It was not recognized and the said inorganic particle containing resin layer had the outstanding flexibility.

(5) 무기 입자 함유 수지층의 전사(전사 필름의 전사성 평가):(5) Transfer of Inorganic Particle-Containing Resin Layer (Evaluation of Transferability of Transfer Film):

핫 플레이트상에서 미리 80 ℃로 가열된 유리 기판 표면에, 무기 입자 함유 수지층의 표면이 맞닿도록 상기 (4)에서 제조한 전사 필름을 중합시키고, 이 전사 필름을 가열 롤러로 열압착하였다.The transfer film produced in said (4) was polymerized so that the surface of an inorganic particle containing resin layer might contact the glass substrate surface previously heated at 80 degreeC on the hotplate, and this transfer film was thermocompression-bonded with the heating roller.

여기에서, 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분(조건(1)) 및 0.1 m/분(조건(2))으로 하였다. 각 조건에 의한 열압착 처리의 종료 후, 전사 필름(레지스트막의 표면)으로부터 지지 필름을 박리 제거하여, 유리 기판의 표면에 적층막이 전사된 상태를 육안으로 확인함으로써, 상기 전사 필름의 전사성 평가를 행했더니, 전사된 적층막은 유리 기판의 표면에 대하여 밀착되어 있어 전사성은 양호하였다.Here, as crimping conditions, the surface temperature of the heating roller is 120 deg. C, the roll pressure is 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller is 0.5 m / min (condition (1)) and 0.1 m / min (condition (2)). It was. After completion of the thermocompression bonding under each condition, the support film was peeled off and removed from the transfer film (the surface of the resist film), and the transferability evaluation of the transfer film was performed by visually confirming the state where the laminated film was transferred to the surface of the glass substrate. As a result, the transferred laminated film was in close contact with the surface of the glass substrate, and transferability was good.

(6) 무기 입자 함유 수지층의 소성(패터닝 특성의 평가)(6) Firing of Inorganic Particle-Containing Resin Layer (Evaluation of Patterning Characteristics)

상기 (5)에 있어서 유리 기판상에 전사 형성된 적층막에서의 레지스트막에 대하여 노광용 마스크(100 ㎛ 폭의 스트라이프 패턴)을 통해, 초고압 수은 등으로부터 i선(파장 365 nm의 자외선)을 조사(조사량 200 mJ/㎠)하고, 계속해서, 노광 처리된 레지스트막에 대하여, 0.1 중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(30 ℃)을 현상액으로 하는 샤워법에 의한 레지스트막의 현상 처리를 행하고, 상기 현상 처리에 연속하여 0.1 중량%의 테트라메틸암모늄히드록시드 수용액(30 ℃)을 에칭액으로 하는 샤워법에 의한 무기 입자 함유 수지층의 에칭 처리를 행하였다. 합계 처리 시간은 90 초간이었다. I-line (ultraviolet light having a wavelength of 365 nm) is irradiated from ultra-high pressure mercury or the like to the resist film of the laminated film formed on the glass substrate in the above (5) through an exposure mask (100 m wide stripe pattern). 200 mJ / cm 2), and then to the exposed resist film, a development process of the resist film by a shower method using 0.1 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (30 ° C.) as a developer is carried out. Subsequent to the treatment, an etching treatment of the inorganic particle-containing resin layer by a shower method using 0.1 wt% tetramethylammonium hydroxide aqueous solution (30 ° C.) as an etching solution was performed. The total processing time was 90 seconds.

이어서, 초순수에 의한 수세 처리 및 건조 처리를 행하여, 무기 입자 함유 수지층의 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로내에서 대기 중, 600 ℃의 온도 조건하에 30 분 간에 걸쳐 소성 처리를 행하였다. 이에 따라, 소결체로 이루어지는 전극 패턴이 유리 기판의 표면에 형성된 패널 재료가 얻어졌다.Subsequently, the water washing process and the drying process by ultrapure water were performed, and the glass substrate in which the pattern of the inorganic particle containing resin layer was formed was baked for 30 minutes in air | atmosphere under the temperature condition of 600 degreeC in the baking furnace. Thereby, the panel material in which the electrode pattern which consists of sintered compacts was formed in the surface of a glass substrate was obtained.

얻어진 패널 재료에 있어서의 전극 패턴에 대하여 패턴의 변형, 박리 유무를 광학 현미경으로 관찰함으로써 패터닝 특성 평가를 행했더니, 패턴의 변형, 박리는 발생하지 않았다.When the patterning characteristic evaluation was performed by observing the deformation | transformation of a pattern and the presence or absence of the peeling with the optical microscope with respect to the electrode pattern in the obtained panel material, the deformation and peeling of the pattern did not generate | occur | produce.

<실시예 2><Example 2>

(1) 무기 입자 함유 수지 조성물(흑색 전극 형성용 수지 조성물)의 제조:(1) Preparation of Inorganic Particle-Containing Resin Composition (Resin Composition for Black Electrode Formation):

(A) 무기 입자로서 평균 입자 지름 1 ㎛의 Ag 입자 50 부, 평균 입자 지름 0.2 ㎛의 Ni 입자(구형) 50 부, 평균 입자 지름 3 ㎛의 Bi2O3-ZnO-B2O3 -SiO2-Al2O3계의 저융점 유리 플릿(부정형, 연화점 520 ℃) 10 부, (B) 결착 수지로서 메타크릴산n-부틸/메타크릴산3-히드록시프로필/메타크릴산 = 60/20/20(중량%) 공중합체(Mw=100,000) 40 부, (C) 특정 화합물로서「사이놀 300」(미쓰이 사이아미드사 제품)를 20 부, (D) 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 100 부 및 임의 성분으로서 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 10 부, 올레인산(분산제) 1 부를 비즈밀로 혼련한 후, 스테인레스 메쉬(500 메쉬, 25 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물을 제조하였다.(A) 50 parts of Ag particles having an average particle diameter of 1 μm, 50 parts of Ni particles (spherical) having an average particle diameter of 0.2 μm, and Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO having an average particle diameter of 3 μm. 10 parts of 2 -Al 2 O 3 system low melting glass fleece (an amorphous form, softening point 520 ° C.), (B) n-butyl / methacrylic acid 3-hydroxypropyl / methacrylic acid as a binder resin = 60 / 20 parts by weight of 20/20 (% by weight) copolymer (Mw = 100,000), (C) 20 parts of `` Synol 300 '' (manufactured by Mitsui Cyamide) as a specific compound, and (D) propylene glycol monomethyl ether acetate The inorganic particle-containing resin composition of the present invention was prepared by kneading 100 parts of trimethylolpropanetriacrylate and 1 part of oleic acid (dispersant) as a bead mill, followed by filtering with a stainless mesh (500 mesh, 25 μm diameter) as 100 parts and optional components. Prepared.

(2) 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물(겸 전극 형성용 수지 조성물)의 제조:(2) Preparation of alkali developing radiation sensitive resist composition (resin composition for electrode formation):

알칼리 가용성 수지로서 메타크릴산 n-부틸/메타크릴산3-히드록시프로필/메타크릴산 = 60/20/20(중량%) 공중합체(Mw=100,000) 60 부, 다가 아크릴레이트(감방사선성 성분)로서 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 40 부, 광중합 개시제(감방사선성 성분)로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 5 부, 무기 입자로서 평균 입자 지름 1 ㎛의 Ag 입자 250 부, 평균 입자 직경 2 ㎛의 Bi2O3- ZnO-B2O3-SiO2-Al2O3계의 저융점 유리 플릿(부정형, 연화점 540 ℃) 30 부, 및 용제로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트 100 부, 및 임의 성분으로서 스테아린산(분산제) 1 부를 비드밀로 혼련한 후, 스테인레스 메쉬(500 메쉬, 25 ㎛ 직경)으로 필터링함으로써, 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물(이하, "레지스트 조성물 2"라 한다.)를 제조하였다.Methacrylic acid n-butyl / methacrylic acid 3-hydroxypropyl / methacrylic acid = 60/20/20 (wt%) copolymer (Mw = 100,000) as alkali-soluble resin, polyvalent acrylate (radiation-sensitive) 40 parts of trimethylolpropane triacrylate as a component), 5 parts of 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one as a photoinitiator (radiation sensitive component), inorganic 250 parts of Ag particles having an average particle diameter of 1 μm and Bi 2 O 3 -ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 based low-melting glass flits (negative, softening point of 540 ° C.) as particles. ) 30 parts, and 100 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent, and 1 part of stearic acid (dispersant) as an optional component by kneading with a bead mill, and then filtered with a stainless mesh (500 mesh, 25 ㎛ diameter), alkali A radioactive resist composition (hereinafter referred to as "resist composition 2") was prepared.

(3) 전사 필름의 제조 (3) Preparation of Transfer Film

(가), (나)의 조작에 의해 레지스트막과, 무기 입자 함유층과의 적층막이 지지 필름상에 형성되어 있는 본 발명의 전사 필름을 제작하였다.By the operation of (a) and (b), the transfer film of this invention in which the laminated film of a resist film and an inorganic particle containing layer was formed on the support film was produced.

(가) 상기 (2)에서 제조한 레지스트 조성물 2를 미리 이형 처리한 PET 필름(폭 400: mm, 길이: 30 m, 두께 38 ㎛)으로 이루어지는 지지 필름상에 닥터 플레이드를 이용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5분간 건조하고, 용제를 완전히 제거하여 두께 20 ㎛의 레지스트막을 지지 필름상에 형성하였다.(A) Applying a resist plate on the support film which consists of PET film (width: 400 mm, length: 30 m, thickness 38 micrometers) previously mold-released the resist composition 2 manufactured by said (2), The coating film was dried at 100 ° C. for 5 minutes, and the solvent was completely removed to form a resist film having a thickness of 20 μm on the supporting film.

(나) 상기 (1)에서 제조한 무기 입자 함유 수지 조성물을 레지스트막상에 닥터 플레이드를 이용하여 도포하고, 도포막을 100 ℃에서 5 분 간 건조하여 용제를 완전히 제거하여 두께 10 ㎛의 무기 입자 함유 수지층을 레지스트막상에 형성하였다.(B) Applying the inorganic particle-containing resin composition prepared in (1) above using a doctor plate on a resist film, drying the coating film at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent to contain inorganic particles having a thickness of 10 μm. The resin layer was formed on the resist film.

(4) 전사 필름의 가요성 평가(4) evaluation of flexibility of transfer film

상기 (3)에서 제조한 전사 필름을 구부려 무기 입자 함유 수지층의 표면에서의 균열(굴곡 균열) 발생 유무를 육안으로 확인함으로써, 상기 전사 필름의 가요성 평가를 행더니, 무기 입자 함유 수지층의 표면에 균열은 발견되지 않아 상기 무기 입자 함유 수지층은 우수한 가요성을 갖는 것이었다.By flexing the transfer film prepared in the above (3) and visually confirming the occurrence of cracks (bending cracks) on the surface of the inorganic particle-containing resin layer, the flexibility of the transfer film was evaluated. No crack was found on the surface, and the inorganic particle-containing resin layer had excellent flexibility.

(5) 무기 입자 함유 수지층의 전사(전사 필름의 전사성 평가):(5) Transfer of Inorganic Particle-Containing Resin Layer (Evaluation of Transferability of Transfer Film):

핫 플레이트상에서 미리 80 ℃로 가열된 유리 기판의 표면에, 무기 입자 함유 수지층의 표면이 맞닿도록 상기 (4)에서 제조한 전사 필름을 중합시키고, 이 전사 필름을 가열 롤러로 열압착하였다.The transfer film produced in said (4) was superposed | polymerized so that the surface of an inorganic particle containing resin layer might contact the surface of the glass substrate previously heated at 80 degreeC on the hotplate, and this transfer film was thermocompression-bonded with the heating roller.

여기에서, 압착 조건으로서는, 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분(조건(1)) 및 0.1 m/분(조건(2))으로 하였다. 각 조건에 의한 열압착 처리 종료 후, 전사 필름(레지스트막의 표면)으로부터 지지 필름을 박리 제거하고, 유리 기판의 표면에 적층막이 전사된 상태를 육안으로 확인함으로써, 상기 전사 필름의 전사성 평가를 행했더니, 전사된 적층막은 유리 기판의 표면에 대하여 밀착되어 있어 전사성은 양호하였다. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of a heating roller is 120 degreeC, a roll pressure is 4 kg / cm, the moving speed of a heating roller is 0.5 m / min (condition (1)), and 0.1 m / min (condition (2)) It was made. After completion of the thermocompression bonding under each condition, the support film was peeled off and removed from the transfer film (the surface of the resist film), and the transferability evaluation of the transfer film was performed by visually confirming the state where the laminated film was transferred to the surface of the glass substrate. As a result, the transferred laminated film was in close contact with the surface of the glass substrate and the transferability was good.

(6) 패터닝 특성의 평가 (6) evaluation of patterning characteristics

상기 (5)에서 유리 기판상에 전사 형성된 적층막에서의 레지스트막에 대하여, 노광용 마스크(100 ㎛ 폭의 스트라이프 패턴)을 통해, 초고압 수은등으로부터 i선(파장 365 nm의 자외선)을 조사(조사량 200 mJ/㎠)하고, 계속해서, 노광 처리된 레지스트막에 대하여, 0.5 중량%의 탄산나트륨 수용액(30 ℃)을 현상액으로 하는 샤워법에 의한 레지스트막의 현상 처리를 행하고 상기 현상 처리에 연속하여 0.5 중량%의 탄산나트륨 수용액(30 ℃)을 에칭액으로 하는 샤워법에 의한 무기 입자 함유 수지층의 에칭 처리를 행하였다. 합계의 처리 시간은 90 초간이었다. The resist film in the laminated film formed on the glass substrate in (5) above is irradiated with i-line (ultraviolet light having a wavelength of 365 nm) from an ultra-high pressure mercury lamp through an exposure mask (100 m wide stripe pattern). mJ / cm 2), and then, the exposed resist film is subjected to the development of the resist film by a shower method using 0.5% by weight of a sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.) as a developing solution, followed by 0.5% by weight of the development process. The inorganic particle containing resin layer was etched by the shower method which uses the sodium carbonate aqueous solution (30 degreeC) as an etching liquid. The processing time of the sum was 90 seconds.                     

계속해서, 초순수에 의한 수세 처리 및 건조 처리를 행하고, 무기 입자 함유 수지층의 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로내에서 대기 중, 600 ℃의 온도 조건하에 30 분 간에 걸쳐 소성 처리를 행하였다. 이에 따라, 소결체로 이루어지는 전극 패턴이 유리 기판의 표면에 형성되어 되는 패널 재료가 얻어졌다.Subsequently, the water washing process and the drying process by ultrapure water were performed, and the glass substrate in which the pattern of the inorganic particle containing resin layer was formed was baked in air in the kiln for 30 minutes under the temperature condition of 600 degreeC. This obtained the panel material in which the electrode pattern which consists of a sintered compact is formed in the surface of a glass substrate.

얻어진 패널 재료에서의 전극 패턴에 대하여 패턴의 변형, 박리 유무를 광학현미경으로써 관찰함으로써 패터닝 특성 평가를 행했더니, 패턴의 변형, 박리는 발생되지 않았다.When the patterning characteristic evaluation was performed by observing the deformation | transformation of a pattern and the presence or absence of peeling with the optical microscope with respect to the electrode pattern in the obtained panel material, the deformation and peeling of the pattern did not generate | occur | produce.

<비교예 1>Comparative Example 1

특정 화합물을 사용하지않은 것 이외는 실시예 1(1)과 동일하게 하여 비교용 조성물을 제조하고, 상기 조성물을 사용한 것 이외는 실시예 1(3)과 동일하게 하여 비교용의 전사 필름을 제작하였다.A comparative composition was produced in the same manner as in Example 1 (1) except that no specific compound was used, and a comparative transfer film was prepared in the same manner as in Example 1 (3) except that the composition was used. It was.

이와 같이 하여 얻어진 전사 필름을 실시예 1(4)와 동일하게 하여 가요성 평가를 행했더니, 상기 전사 필름을 구부렸을 때, 상기 무기 입자 함유 수지층의 표면에 균열이 현저히 인정되어 상기 무기 입자 함유 수지층은 가요성이 떨어지는 것이었다.When the transfer film thus obtained was subjected to the flexibility evaluation in the same manner as in Example 1 (4), when the transfer film was bent, cracks were remarkably recognized on the surface of the inorganic particle-containing resin layer to contain the inorganic particles. The resin layer was inferior in flexibility.

또한, 얻어진 전사 필름을 사용한 것 이외는 실시예 1(5)와 동일하게 하여 적층막의 전사를 행하여 전사성 평가를 행했더니, 유리 기판의 표면에 대하여 양호한 전사성을 갖는 것이 아니었다.Moreover, except having used the obtained transfer film, it carried out similarly to Example 1 (5), and performed transferability evaluation by carrying out the transfer film | membrane, but it did not have favorable transferability with respect to the surface of a glass substrate.

또한, 무기 입자 함유 수지층을 전사 형성한 유리 기판을 이용한 것 이외에는 실시예 1(6)과 동일하게 하여 에칭 처리 및 소성 처리함으로써, 소결체로 이루 어지는 전극을 유리 기판의 표면에 형성하여 패터닝 특성 평가를 행했더니, 패턴의 변형, 박리가 발생되어 있다는 것이 확인되었다.In addition, except that the glass substrate which transferred and formed the inorganic particle containing resin layer was carried out similarly to Example 1 (6), by etching and baking, the electrode which consists of a sintered compact is formed in the surface of a glass substrate, and patterning characteristic evaluation is carried out. It was confirmed that deformation of the pattern and peeling occurred.

이상의 실시예 1 내지 2 및 비교예 1에 관한 전사 필름의 가요성, 전사성 및 전극 패턴의 패터닝 특성에 관한 평가 결과를 하기표 1에 통합하여 나타냈다.The evaluation results regarding the flexibility, the transferability, and the patterning characteristics of the electrode pattern of the transfer film according to the above Examples 1 to 2 and Comparative Example 1 were collectively shown in Table 1 below.

가요성Flexibility 전사성Transcription 패터닝 특성Patterning properties 조건 ①Condition ① 조건 ②Condition 실시예 1Example 1 양호Good 양호Good 양호Good 양호Good 실시예 2Example 2 양호Good 양호Good 양호Good 양호Good 비교예 1Comparative Example 1 불량Bad 불량Bad 불량Bad 불량Bad

본 발명의 무기 입자 함유 수지 조성물에 따르면, 가요성 및 전사성이 우수하여 에칭 공정 및 소성 공정을 거쳐 형성되는 소결체의 패턴에 변형이나 박리를 발생시키지 않는 무기 입자 함유 수지층을 형성할 수가 있다.According to the inorganic particle containing resin composition of this invention, the inorganic particle containing resin layer which is excellent in flexibility and a transferability, and does not produce distortion and peeling in the pattern of the sintered compact formed through an etching process and a baking process can be formed.

본 발명의 전사 필름에 따르면, 이것을 구성하는 무기 입자 함유 수지층으로부터 목적으로 하는 소결체의 패턴을 확실하게 형성할 수가 있고, 따라서 플라즈마 디스플레이 패널의 전극, 격벽, 저항체, 유전체, 형광체, 칼라 필터 및 블랫 매트릭스 형성를 위하여 적합하게 사용할 수가 있다.According to the transfer film of the present invention, the pattern of the target sintered body can be reliably formed from the inorganic particle-containing resin layer constituting this, so that the electrode, the partition, the resistor, the dielectric, the phosphor, the color filter and the black of the plasma display panel can be formed. It can be used suitably for matrix formation.

또한, 본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 따르면, 치수 정밀도가 높은 패턴을 형성할 수가 있어 우수한 작업성을 얻을 수 있다.


Moreover, according to the manufacturing method of the plasma display panel of this invention, the pattern with high dimensional precision can be formed and the outstanding workability can be obtained.


Claims (4)

(A) 무기 입자, (A) inorganic particles, (B) 결착 수지, (B) binder resin, (C) 무기 입자 100 중량부에 대하여 0.1 내지 500 중량부의, 메틸올기, 알콕시메틸기 또는 양자를 모두 함유하는 멜라민류, 벤조구아나민류 또는 글리콜우릴류, 및 (C) melamines, benzoguanamines or glycolurils containing 0.1 to 500 parts by weight of methylol group, alkoxymethyl group or both with respect to 100 parts by weight of inorganic particles, and (D) 용제(D) solvent 를 함유하는 것을 특징으로 하는, 무기 입자 함유 수지 조성물.Inorganic particle containing resin composition characterized by including the. 제1항에 기재한 무기 입자 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 입자 함유 수지층이 지지 필름상에 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 전사 필름.The inorganic particle containing resin layer obtained from the inorganic particle containing resin composition of Claim 1 is formed on the support film, The transfer film characterized by the above-mentioned. 제2항에 기재한 전사 필름을 구성하는 무기 입자 함유 수지층을 기판상에 전사하고, 전사된 무기 입자 함유 수지층상에 레지스트막을 형성하고, 상기 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴 잠상을 형성하고, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키고, 상기 무기 입자 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기 입자 함유 수지층 패턴을 형성하고, 상기 패턴을 소성 처리함으로써 격벽, 전극, 저항체, 유전체, 형광체, 칼라 필터 및 블랙 매트릭스 중 적어도 하나를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법.The inorganic particle-containing resin layer constituting the transfer film according to claim 2 is transferred onto a substrate, a resist film is formed on the transferred inorganic particle-containing resin layer, and the resist film is exposed to light to form a resist pattern latent image, The resist film is developed to present a resist pattern, the inorganic particle-containing resin layer is etched to form an inorganic particle-containing resin layer pattern corresponding to the resist pattern, and the pattern is fired to form a partition, an electrode, a resistor, a dielectric And forming at least one of a phosphor, a color filter, and a black matrix. 레지스트막과 제1항에 기재한 무기 입자 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 무기 입자 함유 수지층과의 적층막을 지지 필름상에 형성하고, 상기 적층막을 기판상에 전사하고, 상기 적층막을 구성하는 레지스트막을 노광 처리하여 레지스트 패턴 잠상을 형성하고, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키고, 상기 무기 입자 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기 입자 함유 수지층 패턴을 형성하고, 상기 패턴을 소성 처리함으로써 격벽, 전극, 저항체, 유전체, 형광체, 칼라 필터 및 블랙 매트릭스 중 적어도 하나를 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는, 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. The laminated film of the resist film and the inorganic particle containing resin layer obtained from the inorganic particle containing resin composition of Claim 1 is formed on a support film, the said laminated film is transferred on a board | substrate, and the resist film which comprises the said laminated film is exposed-processed. By forming a resist pattern latent image, developing the resist film to present a resist pattern, etching the inorganic particle-containing resin layer to form an inorganic particle-containing resin layer pattern corresponding to the resist pattern, and firing the pattern And forming at least one of a partition wall, an electrode, a resistor, a dielectric, a phosphor, a color filter, and a black matrix by treating the plasma display panel.
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