KR20050045842A - Inorganic Particle―Containing Resin Composition, Transfer Film and Plasma Display Panel Production Process - Google Patents

Inorganic Particle―Containing Resin Composition, Transfer Film and Plasma Display Panel Production Process Download PDF

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가쯔히로 우찌야마
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Abstract

본 발명은 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다. 상세하게는, (a) 구리, 철, 니켈로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 무기 분체, (b) 결합 수지, (c) 광 중합성 단량체 및 (d) 광 중합 개시제를 함유하는 무기 분체 함유 수지 조성물, 이 조성물을 포함하는 층이 지지 필름 상에 형성된 전사 필름, 및 상기 조성물을 이용한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD This invention relates to the manufacturing method of an inorganic powder containing resin composition, a transfer film, and a plasma display panel. Specifically, it contains (a) an inorganic powder containing at least one metal selected from the group consisting of copper, iron and nickel, (b) a binder resin, (c) a photopolymerizable monomer and (d) a photopolymerization initiator. The inorganic powder containing resin composition, the transfer film in which the layer containing this composition was formed on the support film, and the manufacturing method of the plasma display panel using the said composition.

Description

무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 {Inorganic Particle―Containing Resin Composition, Transfer Film and Plasma Display Panel Production Process}Production method of inorganic powder-containing resin composition, transfer film and plasma display panel {Inorganic Particle-Containing Resin Composition, Transfer Film and Plasma Display Panel Production Process}

본 발명은 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법에 관한 것이다. 상세하게는, 플라즈마 디스플레이 패널을 구성하는 블랙 매트릭스 및 전극의 형성에 있어서, 제조 효율이 높고, 패터닝성이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법 및 이것에 바람직하게 이용되는 조성물 및 전사 필름에 관한 것이다. TECHNICAL FIELD This invention relates to the manufacturing method of an inorganic powder containing resin composition, a transfer film, and a plasma display panel. Specifically, the present invention relates to a method for producing a plasma display panel having high manufacturing efficiency and excellent patterning property, and a composition and a transfer film, which are preferably used in the formation of a black matrix and an electrode constituting the plasma display panel.

플라즈마 디스플레이 패널(PDP)는 대형 패널이면서 제조 공정이 용이하고, 시야각이 넓으며, 자발광 유형으로 표시 품위가 높은 등의 이유로 인해, 플랫 패널표시 기술 중에서 주목받고 있고, 특히 컬러 플라즈마 디스플레이 패널은 20 인치 이상의 벽걸이 TV용의 표시 장치로서 장래 주류가 될 것으로 기대되고 있다. Plasma display panel (PDP) is attracting attention among flat panel display technologies due to its large panel size, easy manufacturing process, wide viewing angle, and high display quality due to its self-luminous type. It is expected to become the mainstream in the future as a display device for wall-mounted TVs larger than inches.

컬러 PDP는, 가스 방전에 의해 발생하는 자외선을 형광체에 조사함으로써 컬러 표시가 가능해진다. 또한, 일반적으로, 컬러 PDP에 있어서는 적색 발광용의 형광체 부위, 녹색 발광용의 형광체 부위 및 청색 발광용의 형광체 부위가 기판 상에 형성됨으로써, 각 색의 발광 표시 셀이 전체에 균일하게 혼재한 상태로 구성되어 있다. 구체적으로는, 유리 등을 포함하는 기판 표면에, 배리어리브라 불리는 절연성 재료를 포함하는 격벽이 설치되어 있고, 상기 격벽에 의해 다수의 표시 셀이 구획되어, 상기 표시 셀의 내부가 플라즈마 작용 공간이 된다. 또한, 이 플라즈마 작용 공간에 형광체 부위가 설치됨과 동시에, 이 형광체 부위에 플라즈마를 작용시키는 전극이 설치됨으로써, 각각의 표시 셀을 표시 단위로 하는 플라즈마 디스플레이 패널이 구성된다. 상기 전극은 통상, 은 등을 함유하는 백색 도전층과, 상기 백색 도전층의 하층에 차광층 역할을 하는 흑색층을 갖는 적층 패턴으로 구성된다. 또한, 통상 PDP의 콘트라스트를 향상시키기 위해서, 전극 패턴 사이에 블랙 매트릭스나 컬러 필터가 설치된다. In color PDP, color display becomes possible by irradiating the fluorescent substance with the ultraviolet-ray generate | occur | produced by gas discharge. In general, in a color PDP, a phosphor portion for red light emission, a phosphor portion for green light emission, and a phosphor portion for blue light emission are formed on a substrate, whereby light-emitting display cells of each color are uniformly mixed throughout. Consists of Specifically, a partition wall including an insulating material called barrier rib is provided on a surface of a substrate including glass or the like, and a plurality of display cells are partitioned by the partition wall, so that the inside of the display cell has a plasma working space. do. In addition, a phosphor portion is provided in the plasma working space, and an electrode for applying a plasma to the phosphor portion is provided to form a plasma display panel in which each display cell is a display unit. The electrode is usually composed of a laminated pattern having a white conductive layer containing silver and the like and a black layer serving as a light shielding layer under the white conductive layer. Moreover, in order to improve the contrast of a PDP normally, a black matrix and a color filter are provided between electrode patterns.

이러한 플라즈마 디스플레이 패널에서의 패널 재료의 제조 방법으로서는, (1) 이온 스퍼터링법이나 전자 빔 증착법 등에 의한 방법이나 (2) 포토리소그래피법이나 스크린 인쇄법 등에 의해 형성한 무기 분체 함유 수지층 패턴을 소성하고, 유기 물질을 제거하는 방법 등이 알려져 있다. 그 중에서도 포토리소그래피법에 의해 무기 분체 함유 수지층을 패턴화하는 방법이, 제조 효율이 높은 방법으로서 바람직하게 이용되고 있다.  As a method for producing a panel material in such a plasma display panel, (1) an ion sputtering method, an electron beam deposition method, or the like, or (2) an inorganic powder-containing resin layer pattern formed by a photolithography method, a screen printing method, or the like is fired. And a method for removing organic matters are known. Especially, the method of patterning an inorganic powder containing resin layer by the photolithographic method is used suitably as a method with high manufacturing efficiency.

<특허 문헌 1><Patent Document 1>

일본 특허 공개 (평)11-162339호 공보Japanese Patent Publication No. 11-162339

<특허 문헌 2><Patent Document 2>

일본 특허 공개 2001-84833호 공보Japanese Patent Laid-Open No. 2001-84833

<특허 문헌 3><Patent Document 3>

일본 특허 공개 2002-245932호 공보Japanese Patent Publication No. 2002-245932

<특허 문헌 4><Patent Document 4>

일본 특허 공개 2003-51250호 공보Japanese Patent Publication No. 2003-51250

종래 기술에서는, 블랙 매트릭스를 형성할 때 전극 패턴을 형성한 후, 상기 전극 패턴의 흑색 도전층과는 조성이 다른 흑색 무기 분체 함유 수지를 이용하여, 전극 패턴 사이에 블랙 매트릭스를 형성해야만 했다. 따라서, 블랙 매트릭스와 전극 패턴을 형성할 때에 현상, 소성 공정이 각각 두번 필요하였기 때문에, 더욱 제조 효율이 양호한 제조 방법이 요망되었다. In the prior art, after forming an electrode pattern when forming a black matrix, it was necessary to form a black matrix between electrode patterns using the black inorganic powder containing resin from which the composition differs from the black conductive layer of the said electrode pattern. Therefore, since the development and the baking process were required twice each when forming the black matrix and the electrode pattern, a manufacturing method with better manufacturing efficiency was desired.

본 발명의 제1 목적은, 블랙 매트릭스와 전극에서의 차광층을 동시에 형성하는 데에 바람직한 무기 분체 함유 수지 조성물을 제공하는 것이다. The 1st objective of this invention is providing the inorganic powder containing resin composition suitable for simultaneously forming a black matrix and the light shielding layer in an electrode.

본 발명의 제2 목적은, 블랙 매트릭스와 전극에서의 차광층을 동시에 형성하는 데에 바람직한 전사 필름을 형성하는 것이다. A second object of the present invention is to form a transfer film suitable for simultaneously forming a black matrix and a light shielding layer in an electrode.

본 발명의 제3 목적은, 블랙 매트릭스와 전극을 형성하는 데 있어서 제조 효율이 우수한 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법을 제공하는 것이다. A third object of the present invention is to provide a method of manufacturing a plasma display panel which is excellent in manufacturing efficiency in forming a black matrix and an electrode.

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물은 (a) 구리, 철, 니켈로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 무기 분체, (b) 결합 수지, (c) 광 중합성 단량체 및 (d) 광 중합 개시제를 함유하는 것을 특징으로 한다. The inorganic powder-containing resin composition of the present invention comprises (a) an inorganic powder containing at least one metal selected from the group consisting of copper, iron and nickel, (b) a binder resin, (c) a photopolymerizable monomer and (d) It is characterized by containing a photoinitiator.

본 발명의 전사 필름은 지지 필름 상에, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물을 포함하는 층이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 한다. The transfer film of the present invention is characterized in that a layer containing the inorganic powder-containing resin composition of the present invention is formed on a supporting film.

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법(이하, 「PDP의 제조 방법 (I)」이라고도 함)은, 하기 (i) 내지 (vi)의 공정을 포함하는 방법에 의해 블랙 매트릭스와 전극을 동시에 형성하는 것을 특징으로 한다. The method of manufacturing the plasma display panel of the present invention (hereinafter also referred to as "manufacturing method (I) of PDP") forms a black matrix and an electrode at the same time by a method comprising the following steps (i) to (vi). It is characterized by.

(i) 기판 상에, 청구항 제1항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물을 이용하여 무기 분체 함유 수지층 A를 형성하는 공정. (i) Process of forming inorganic powder containing resin layer A on the board | substrate using the inorganic powder containing resin composition of Claim 1.

(ii) 상기 무기 분체 함유 수지층 A를 노광하여, 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴의 잠상을 형성하는 공정. (ii) A step of exposing the inorganic powder-containing resin layer A to form a latent image of the pattern of the inorganic powder-containing resin layer A.

(iii) 상기 무기 분체 함유 수지층 A 상에 감광성의 도전성 무기 분체 함유 수지층 B를 형성하는 공정. (iii) Process of forming photosensitive electroconductive inorganic powder containing resin layer B on said inorganic powder containing resin layer A.

(iv) 상기 도전성 무기 분체 함유 수지층 B를 노광하여, 도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 패턴의 잠상을 형성하는 공정. (iv) Exposing the said conductive inorganic powder containing resin layer B, and forming the latent image of the pattern of the conductive inorganic powder containing resin layer B.

(v) 무기 분체 함유 수지층 A 및 도전성 무기 분체 함유 수지층 B를 현상하여, 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴 및 무기 분체 함유 수지층 A/도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 적층 패턴을 동시에 형성하는 공정. (v) The inorganic powder-containing resin layer A and the conductive inorganic powder-containing resin layer B are developed to simultaneously form a pattern of the inorganic powder-containing resin layer A and a lamination pattern of the inorganic powder-containing resin layer A / conductive inorganic powder-containing resin layer B. Process.

(vi) 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴 및 무기 분체 함유 수지층 A/도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 적층 패턴을 소성하는 공정. (vi) The process of baking the pattern of the inorganic powder containing resin layer A, and the laminated pattern of the inorganic powder containing resin layer A / conductive inorganic powder containing resin layer B.

본 발명의 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법(이하, 「PDP의 제조 방법 (II)」라고도 함)은, 하기 (vii) 내지 (xii)의 공정을 포함하는 방법에 의해 블랙 매트릭스와 전극을 동시에 형성하는 것을 특징으로 한다. The method for manufacturing a plasma display panel of the present invention (hereinafter also referred to as "manufacturing method (II) of PDP") simultaneously forms a black matrix and an electrode by a method comprising the following steps (vii) to (xii). It is characterized by.

(vii) 기판 상에, 제1항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물을 이용하여 무기 분체 함유 수지층 A를 형성하는 공정. (vii) Process of forming inorganic powder containing resin layer A on the board | substrate using the inorganic powder containing resin composition of Claim 1.

(viii) 상기 무기 분체 함유 수지층 A를 노광하여, 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴의 잠상을 형성하는 공정. (viii) A process of exposing the said inorganic powder containing resin layer A and forming the latent image of the pattern of the inorganic powder containing resin layer A.

(ix) 상기 무기 분체 함유 수지층 A 상에 비감광성의 도전성 무기 분체 함유 수지층 C를 형성하고, 상기 도전성 무기 분체 함유 수지층 C 상에 레지스트층을 형성하는 공정. (ix) Process of forming non-photosensitive electroconductive inorganic powder containing resin layer C on said inorganic powder containing resin layer A, and forming a resist layer on said electroconductive inorganic powder containing resin layer C.

(x) 레지스트층을 노광ㆍ현상 처리하고, 레지스트층의 패턴을 도전성 무기 분체 함유 수지층 C 상에 형성하는 공정. (x) The process of exposing and developing a resist layer and forming the pattern of a resist layer on the conductive inorganic powder containing resin layer C.

(xi) 무기 분체 함유 수지층 A의 현상 처리 및 도전성 무기 분체 함유 수지층 C의 에칭 처리를 행하여, 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴과, 레지스트층 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지층 A/도전성 무기 분체 함유 수지층 C의 적층 패턴을 동시에 형성하는 공정. (xi) The development process of the inorganic powder containing resin layer A and the etching process of the electroconductive inorganic powder containing resin layer C are performed, and the inorganic powder containing resin layer A / electroconductivity corresponding to the pattern of the inorganic powder containing resin layer A, and the resist layer pattern is performed. The process of simultaneously forming the lamination pattern of the inorganic powder containing resin layer C.

(xii) 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴 및 무기 분체 함유 수지층 A/도전성 무기 분체 함유 수지층 C의 적층 패턴을 소성하는 공정. (xii) The process of baking the pattern of the inorganic powder containing resin layer A and the lamination pattern of the inorganic powder containing resin layer A / conductive inorganic powder containing resin layer C.

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>Best Mode for Carrying Out the Invention

이하, 본 발명에 대하여 상세히 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.

<무기 분체 함유 수지 조성물><Inorganic powder containing resin composition>

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물은 (a) 구리, 철, 니켈로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 무기 분체, (b) 결합 수지, (c) 광 중합성 단량체 및 (d) 광 중합 개시제를 필수 성분으로 하고, 통상 감광성을 갖는다. The inorganic powder-containing resin composition of the present invention comprises (a) an inorganic powder containing at least one metal selected from the group consisting of copper, iron and nickel, (b) a binder resin, (c) a photopolymerizable monomer and (d) The photoinitiator is an essential component and usually has photosensitivity.

(a) 무기 분체(a) inorganic powder

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에 사용되는 무기 분체로서는 구리, 철, 니켈 입자를 들 수 있다. 본 발명의 무기 분체 함유 조성물을 본 발명의 PDP의 제조 방법에 이용할 때, 통상 무기 분체는 소성 공정에서 산화되지만, 상기 금속 입자를 이용함으로써, 얻어지는 블랙 매트릭스와 전극의 차광층에 함유되는 무기 분체의 산화 정도(산화의 진행 상황)를 다르게 할 수 있어, 도전성을 가지지 않는 블랙 매트릭스와 도전성을 갖는 전극의 차광층을 동시에 형성하는 것이 가능해진다. Copper, iron, nickel particles are mentioned as an inorganic powder used for the inorganic powder containing resin composition of this invention. When the inorganic powder-containing composition of the present invention is used in the production method of the PDP of the present invention, the inorganic powder is usually oxidized in the firing step, but the inorganic powder contained in the black matrix and the light shielding layer of the electrode obtained by using the metal particles are used. The degree of oxidation (the progress of oxidation) can be different, and it is possible to simultaneously form the black matrix having no conductivity and the light shielding layer of the electrode having conductivity.

상기 무기 분체의 평균 입경은 바람직하게는 0.01 내지 10 ㎛, 보다 바람직하게는 0.05 내지 5 ㎛이다. 무기 분체의 평균 입경이 0.01 ㎛ 미만인 경우에는, 무기 분체의 비표면적이 커지기 때문에 조성물 중에서 입자의 응집이 발생하기 쉬워져, 안정된 분산 상태를 얻기가 어려워진다. 한편, 무기 분체의 평균 입경이 10 ㎛ 이상인 경우에는 정밀도가 높은 패턴을 얻기가 어려워진다.  The average particle diameter of the said inorganic powder becomes like this. Preferably it is 0.01-10 micrometers, More preferably, it is 0.05-5 micrometers. When the average particle diameter of an inorganic powder is less than 0.01 micrometer, since the specific surface area of an inorganic powder becomes large, aggregation of particle | grains will occur easily in a composition, and it will become difficult to obtain a stable dispersion state. On the other hand, when the average particle diameter of an inorganic powder is 10 micrometers or more, it becomes difficult to obtain a high precision pattern.

또한, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에는, 상술한 각 무기 분체 이외에 유리 프릿(frit)이 함유될 수도 있다. 상기 유리 프릿의 조성으로서는 예를 들면, 1. 산화납, 산화붕소, 산화규소(PbO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, 2. 산화아연, 산화붕소, 산화규소(ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, 3. 산화납, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄(PbO-B2O3-SiO2-Al2O3계)의 혼합물, 4. 산화납, 산화아연, 산화붕소, 산화규소(PbO-ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물 등을 들 수 있다. 이들 유리 프릿의 연화점으로서는, 400 내지 600 ℃의 범위 내인 것이 바람직하다. 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에서의 유리 프릿의 함유량은, 무기 분체 전량에 대하여 80 질량% 이하, 바람직하게는 50 질량% 이하이다.In addition, the glass powder frit may be contained in the inorganic powder containing resin composition of this invention other than each inorganic powder mentioned above. As the composition of the glass frit, for example, 1. a mixture of lead oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 type ), 2. zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 based), 3. Mixture of lead oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 based), 4. Lead oxide, zinc oxide And a mixture of boron oxide and silicon oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 type ). As a softening point of these glass frits, it is preferable to exist in the range of 400-600 degreeC. Content of the glass frit in the inorganic powder containing resin composition of this invention is 80 mass% or less with respect to inorganic powder whole quantity, Preferably it is 50 mass% or less.

(b) 결합 수지(b) binding resin

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 결합 수지로서는 다양한 수지를 사용할 수 있지만, 알칼리 가용성 수지를 30 내지 100 질량%의 비율로 함유하는 수지를 이용하는 것이 바람직하다. 여기서, 「알칼리 가용성」이란, 알칼리성 현상액에 의해 용해되어, 목적하는 현상 처리가 수행될 정도로 용해성을 갖는 성질을 말한다. Although various resin can be used as binder resin which comprises the inorganic powder containing resin composition of this invention, it is preferable to use resin which contains alkali-soluble resin in the ratio of 30-100 mass%. Here, "alkali-soluble" means the property which melt | dissolves with alkaline developing solution and has solubility to the extent that a desired image development process is performed.

이러한 알칼리 가용성 수지의 구체예로서는, 예를 들면 (메트)아크릴계 수지, 히드록시스티렌 수지, 노볼락 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. As a specific example of such alkali-soluble resin, (meth) acrylic-type resin, hydroxy styrene resin, a novolak resin, a polyester resin etc. are mentioned, for example.

이러한 알칼리 가용성 수지 중, 특히 바람직한 것으로서는 하기 단량체(가)와 단량체(다)와의 공중합체, 단량체(가), 단량체(나) 및 단량체(다)의 공중합체 등의 아크릴 수지를 들 수 있다. Among these alkali-soluble resins, acrylic resins such as copolymers of the following monomers (A) and monomers (C), copolymers of monomers (A), monomers (B) and monomers (C) are mentioned.

단량체(가): 카르복실기 함유 단량체류Monomer (A): Carboxyl group-containing monomers

아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 신남산, 숙신산 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), ω-카르복시-폴리카프로락톤 모노(메트)아크릴레이트 등. Acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, succinic acid mono (2- (meth) acryloyloxyethyl), ω-carboxy-polycaprolactone mono (Meth) acrylates and the like.

단량체(나): OH 함유 단량체류Monomer (B): OH-containing monomers

(메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 3-히드록시프로필 등의 수산기 함유 단량체류; o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌 등의 페놀성 수산기 함유 단량체류 등. Hydroxyl group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate; Phenolic hydroxyl group containing monomers, such as o-hydroxy styrene, m-hydroxy styrene, and p-hydroxy styrene.

단량체(다): 그 밖의 공중합 가능한 단량체류Monomer (C): Other copolymerizable monomers

(메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산 에틸, (메트)아크릴산 n-부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 n-라우릴, (메트)아크릴산 벤질, (메트)아크릴산 글리시딜, (메트)아크릴산 디시클로펜타닐 등의 단량체(가) 이외의 (메트)아크릴산 에스테르류; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 방향족 비닐계 단량체류; 부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디엔류; 폴리스티렌, 폴리(메트)아크릴산메틸, 폴리(메트)아크릴산 에틸, 폴리(메트)아크릴산 벤질 등의 중합체쇄의 한쪽 말단에 (메트)아크릴로일기 등의 중합성 불포화기를 갖는 거대 단량체류 등. Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n-lauryl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, glycy (meth) acrylate (Meth) acrylic acid esters other than monomer (a), such as dill and dicyclopentanyl (meth) acrylate; Aromatic vinyl monomers such as styrene and α-methylstyrene; Conjugated dienes such as butadiene and isoprene; Macromonomers having a polymerizable unsaturated group such as a (meth) acryloyl group at one end of a polymer chain such as polystyrene, methyl poly (meth) acrylate, poly (meth) acrylate, and benzyl poly (meth) acrylate.

상기 단량체(가)와 단량체(다)와의 공중합체나, 단량체(가), 단량체(나) 및 단량체(다)의 공중합체는, 단량체(가)에서 유래하는 공중합 성분의 존재에 의해 알칼리 가용성을 갖는 것이 된다. 그 중에서도 단량체(가), 단량체(나) 및 단량체(다)의 공중합체는, (A) 무기 입자의 분산 안정성이나 후술하는 알칼리 현상액에의 용해성의 관점에서 특히 바람직하다. 이 공중합체에서의 단량체(가)에서 유래하는 공중합 성분의 함유율은 바람직하게는 5 내지 60 질량%, 특히 바람직하게는 10 내지 40 질량%이고, 단량체(나)에서 유래하는 공중합 성분의 함유율은 바람직하게는 1 내지 50 질량%, 특히 바람직하게는 5 내지 30 질량%이다. The copolymer of the monomer (A) and the monomer (C), or the copolymer of the monomer (A), the monomer (B) and the monomer (C) has alkali solubility due to the presence of a copolymerization component derived from the monomer (A). It is to have. Especially, the copolymer of a monomer (A), a monomer (B), and a monomer (C) is especially preferable from a viewpoint of the dispersion stability of (A) inorganic particle and the solubility to the alkali developing solution mentioned later. The content rate of the copolymerization component derived from the monomer (a) in this copolymer becomes like this. Preferably it is 5 to 60 mass%, Especially preferably, it is 10 to 40 mass%, and the content rate of the copolymerization component derived from a monomer (b) is preferable. Preferably it is 1-50 mass%, Especially preferably, it is 5-30 mass%.

상기 알칼리 가용성 수지의 분자량으로서는, Mw가 5,000 내지 5,000,000인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 300,000이다. As molecular weight of the said alkali-soluble resin, it is preferable that Mw is 5,000-5,000,000, More preferably, it is 10,000-300,000.

또한, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서의 결합 수지의 함유 비율로서는, 무기 분체 100 질량부에 대하여 통상 1 내지 200 질량부이고, 바람직하게는 5 내지 100 질량부, 특히 바람직하게는 10 내지 80 질량부이다. Moreover, as content ratio of the binder resin in the inorganic powder containing resin composition of this invention, it is 1-200 mass parts normally with respect to 100 mass parts of inorganic powder, Preferably it is 5-100 mass parts, Especially preferably, it is 10- 80 parts by mass.

(c) 광 중합성 단량체(c) photopolymerizable monomer

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 광 중합성 단량체로서는, 예를 들면 다관능성 (메트)아크릴레이트를 바람직한 것으로서 들 수 있다. As a photopolymerizable monomer which comprises the inorganic powder containing resin composition of this invention, a polyfunctional (meth) acrylate is mentioned as a preferable thing, for example.

다관능성 (메트)아크릴레이트의 구체예로서는 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 양쪽 말단 히드록시폴리부타디엔, 양쪽 말단 히드록시폴리이소프렌, 양쪽 말단 히드록시폴리카프로락톤 등의 양쪽 말단 히드록실화 중합체의 디(메트)아크릴레이트류; As a specific example of polyfunctional (meth) acrylate, Di (meth) acrylates of alkylene glycol, such as ethylene glycol and propylene glycol; Di (meth) acrylates of polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol; Di (meth) acrylates of both terminal hydroxylated polymers such as both terminal hydroxypolybutadiene, both terminal hydroxypolyisoprene and both terminal hydroxypolycaprolactone;

글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 트리메틸올알칸, 테트라메틸올알칸, 펜타에리스리톨, 디펜타에리스리톨 등의 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 3가 이상의 다가 알코올의 폴리알킬렌글리콜 부가물의 폴리(메트)아크릴레이트류; 1,4-시클로헥산디올, 1,4-벤젠디올류 등의 환식 폴리올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 알키드 수지 (메트)아크릴레이트, 실리콘 수지 (메트)아크릴레이트, 스피란 수지 (메트)아크릴레이트 등의 올리고 (메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. Poly (meth) acrylates of trivalent or higher polyhydric alcohols such as glycerin, 1,2,4-butanetriol, trimethylolalkane, tetramethylolalkane, pentaerythritol, dipentaerythritol, etc .; Poly (meth) acrylates of polyalkylene glycol adducts of trivalent or higher polyhydric alcohols; Poly (meth) acrylates of cyclic polyols such as 1,4-cyclohexanediol and 1,4-benzenediols; Oligos, such as polyester (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, alkyd resin (meth) acrylate, silicone resin (meth) acrylate, and spiran resin (meth) acrylate ( And meth) acrylates. These may be used alone or in combination of two or more thereof.

상기 다관능성 (메트)아크릴레이트의 분자량으로서는 100 내지 2,000인 것이 바람직하다. As a molecular weight of the said polyfunctional (meth) acrylate, it is preferable that it is 100-2,000.

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서의 광 중합성 단량체의 함유 비율로서는, 무기 분체 100 질량부에 대하여 통상 30 내지 70 질량부이고, 바람직하게는 40 내지 60 질량부이다. As a content rate of the photopolymerizable monomer in the inorganic powder containing resin composition of this invention, it is 30-70 mass parts with respect to 100 mass parts of inorganic powders normally, Preferably it is 40-60 mass parts.

(d) 광 중합 개시제(d) photoinitiator

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 광 중합 개시제의 구체예로서는, 벤질, 벤조인, 벤조페논, 캄포퀴논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-메틸-〔4-(메틸티오)페닐〕-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 등의 카르보닐 화합물; 아조이소부티로니트릴, 4-아지드벤즈알데히드 등의 아조 화합물 또는 아지드 화합물; 머캅탄디술피드 등의 유기 황 화합물; 벤조일퍼옥시드, 디-tert-부틸퍼옥시드, tert-부틸히드로퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드, 파라메탄히드로퍼옥시드 등의 유기 퍼옥시드; 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(2'-클로로페닐)-1,3,5-트리아진, 2-〔2-(2-푸라닐)에틸레닐〕-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등의 트리할로메탄류; 2,2'-비스(2-클로로페닐)-4,5,4', 5'-테트라페닐-1,2'-비이미다졸 등의 이미다졸 이량체 등을 들 수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. As a specific example of the photoinitiator which comprises the inorganic powder containing resin composition of this invention, benzyl, benzoin, benzophenone, camphorquinone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydride Oxycyclohexylphenyl ketone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-methyl- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propaneone, 2-benzyl-2- Carbonyl compounds such as dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one; Azo compounds or azide compounds such as azoisobutyronitrile and 4-azide benzaldehyde; Organic sulfur compounds such as mercaptan disulfide; Organic peroxides such as benzoyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, tert-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide and paramethane hydroperoxide; 1,3-bis (trichloromethyl) -5- (2'-chlorophenyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (2-furanyl) ethylenyl] -4,6-bis Trihalo methanes such as (trichloromethyl) -1,3,5-triazine; And imidazole dimers such as 2,2'-bis (2-chlorophenyl) -4,5,4 'and 5'-tetraphenyl-1,2'-biimidazole. These can be used individually or in combination of 2 or more types.

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서의 광 중합 개시제의 함유 비율로서는, 광 중합성 단량체 100 질량부에 대하여 통상 10 내지 50 질량부이고, 바람직하게는 15 내지 35 질량부이다. As a content rate of the photoinitiator in the inorganic powder containing resin composition of this invention, it is 10-50 mass parts normally with respect to 100 mass parts of photopolymerizable monomers, Preferably it is 15-35 mass parts.

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에는 통상, 적당한 유동성 또는 가소성, 양호한 막 형성성을 부여하기 위해서 용제가 함유된다. 사용되는 용제로서는, 무기 분체와의 친화성, 결합 수지의 용해성이 양호하고, 무기 분체 함유 수지 조성물에 적절한 점성을 부여할 수 있음과 동시에, 건조시킴으로써 쉽게 증발 제거할 수 있는 것이 바람직하다. The inorganic powder-containing resin composition of the present invention usually contains a solvent in order to impart proper fluidity or plasticity and good film formability. As the solvent to be used, it is preferable that the affinity with the inorganic powder and the solubility of the binding resin are good, the appropriate viscosity can be imparted to the inorganic powder-containing resin composition, and the evaporation can be easily removed by drying.

또한, 특히 바람직한 용제로서, 표준 비점(1 기압에서의 비점)이 100 내지 200 ℃인 케톤류, 알코올류 및 에스테르류(이하, 이들을 「특정 용제」라 함)를 들 수 있다. Moreover, as a particularly preferable solvent, ketones, alcohols, and esters (hereinafter, these are referred to as "specific solvents") whose standard boiling point (boiling point at 1 atmosphere) are 100-200 degreeC.

이러한 특정 용제의 구체예로서는 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; n-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 시클로헥산올, 디아세톤 알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 등의 에테르계 알코올류; 아세트산-n-부틸, 아세트산 아밀 등의 포화 지방족 모노카르복실산 알킬에스테르류; 락트산 에틸, 락트산-n-부틸 등의 락트산 에스테르류; 메틸셀로솔브 아세테이트, 에틸셀로솔브 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등의 에테르계 에스테르류 등을 예시할 수 있고, 이들 중에서 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤 알코올, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 락트산 에틸, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등이 바람직하다. 이러한 특정 용제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. As a specific example of such a specific solvent, Ketones, such as a diethyl ketone, a methyl butyl ketone, a dipropyl ketone, cyclohexanone; alcohols such as n-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, cyclohexanol and diacetone alcohol; Ether alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether; Saturated aliphatic monocarboxylic acid alkyl esters such as acetic acid-n-butyl and amyl acetate; Lactic acid esters such as ethyl lactate and lactic acid-n-butyl; And ether esters such as methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and ethyl-3-ethoxypropionate, and the like. And diacetone alcohol, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl-3-ethoxypropionate, and the like. These specific solvents can be used individually or in combination of 2 or more types.

특정 용제 이외의 용제의 구체예로서는, 테레빈유, 에틸셀로솔브, 메틸셀로솔브, 테르피네올, 부틸카르비톨 아세테이트, 부틸카르비톨, 이소프로필 알코올, 벤질 알코올 등을 들 수 있다. Specific examples of solvents other than the specific solvents include terebin oil, ethyl cellosolve, methyl cellosolve, terpineol, butyl carbitol acetate, butyl carbitol, isopropyl alcohol, benzyl alcohol, and the like.

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에 있어서의 용제의 함유 비율로서는, 양호한 막 형성성(유동성 또는 가소성)이 얻어지는 범위 내에서 적절하게 선택할 수 있다. As a content rate of the solvent in the inorganic powder containing resin composition of this invention, it can select suitably within the range from which favorable film formation property (fluidity or plasticity) is obtained.

또한, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에는, 임의 성분으로서 가소제, 분산제, 현상 촉진제, 접착 조제, 헐레이션 방지제, 레벨링제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 증감제, 연쇄 이동제 등의 각종 첨가제가 함유될 수도 있다. Moreover, in the inorganic powder containing resin composition of this invention, as an arbitrary component, a plasticizer, a dispersing agent, a development promoter, an adhesion | attachment adjuvant, an antihalation agent, a leveling agent, a storage stabilizer, an antifoamer, antioxidant, a ultraviolet absorber, a sensitizer, a chain transfer agent, etc. Various additives may be contained.

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물은 상기 무기 분체, 결합 수지, 광 중합성 단량체, 광 중합 개시제 및 용제와 필요에 따라서 상기 임의 성분을, 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서, 볼 밀, 비드 밀 등의 혼련기를 이용하여 혼련함으로써 제조할 수 있다. The inorganic powder-containing resin composition of the present invention comprises the above-mentioned inorganic powder, a binder resin, a photopolymerizable monomer, a photopolymerization initiator and a solvent, and optionally the above-mentioned optional components in a roll kneader, mixer, homo mixer, ball mill, bead mill, etc. It can manufacture by kneading using the kneading machine of.

상기와 같이 하여 제조되는 무기 분체 함유 수지 조성물은 도포에 적합한 유동성을 갖는 페이스트상의 조성물이고, 그의 점도는 통상 100 내지 1,000,000 cp, 바람직하게는 500 내지 300,000 cp이다. The inorganic powder-containing resin composition prepared as described above is a paste-like composition having fluidity suitable for application, and its viscosity is usually 100 to 1,000,000 cp, preferably 500 to 300,000 cp.

<전사 필름><Transfer film>

본 발명의 전사 필름은, 지지 필름 상에 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포하고, 도막을 건조시켜 얻어지는 층이 형성되어 이루어진다. 전사 필름을 구성하는 지지 필름은, 내열성 및 내용제성을 가짐과 동시에 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름이 가요성을 가지기 때문에, 롤 코터에 의해 페이스트상 조성물을 도포할 수 있고, 무기 분체 함유 수지층을 롤상으로 권취한 상태로 보존하여 공급할 수 있다. 지지 필름을 형성하는 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 폴리플루오르에틸렌 등의 불소 함유 수지, 나일론, 셀룰로오스 등을 들 수 있다. 지지 필름의 두께로서는, 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다. The transfer film of this invention apply | coats the inorganic powder containing resin composition of this invention on a support film, and the layer obtained by drying a coating film is formed. It is preferable that the support film which comprises a transfer film is a resin film which has heat resistance and solvent resistance, and has flexibility. Since a support film has flexibility, a paste composition can be apply | coated by a roll coater, and an inorganic powder containing resin layer can be preserve | saved and supplied in the state wound up to roll shape. Examples of the resin forming the support film include fluorine-containing resins such as polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyfluoroethylene, nylon, cellulose, and the like. Can be mentioned. As thickness of a support film, it is 20-100 micrometers, for example.

무기 분체 함유 수지 조성물을 지지 필름 상에 도포하는 방법으로서는, 막 두께의 균일성이 우수한 막 두께가 두꺼운(예를 들면 10 ㎛ 이상) 도막을 효율적으로 형성할 수 있는 것이 필요하고, 구체적으로는 롤 코터에 의한 도포 방법, 닥터 블레이드에 의한 도포 방법, 커튼 코터에 의한 도포 방법, 다이 코터에 의한 도포 방법, 와이어 코터에 의한 도포 방법 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다. As a method of apply | coating an inorganic powder containing resin composition on a support film, it is necessary to be able to form a thick film thickness (for example, 10 micrometers or more) excellent in the uniformity of film thickness efficiently, and specifically, a roll The coating method with a coater, the coating method with a doctor blade, the coating method with a curtain coater, the coating method with a die coater, the coating method with a wire coater, etc. are mentioned as a preferable thing.

또한, 무기 분체 함유 수지 조성물이 도포되는 지지 필름의 표면에는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 의해, 후술하는 전사 공정에서 지지 필름의 박리 조작을 쉽게 행할 수 있다. Moreover, it is preferable that the mold release process is given to the surface of the support film to which an inorganic powder containing resin composition is apply | coated. Thereby, peeling operation of a support film can be performed easily in the transfer process mentioned later.

도막의 건조 조건으로서는, 예를 들면 50 내지 150 ℃에서 0.5 내지 30 분간정도이고, 건조 후 용제의 잔존 비율(무기 분체 함유 수지층 중의 함유율)은 통상 2 질량% 이내이다. As drying conditions of a coating film, it is about 0.5 to 30 minutes at 50-150 degreeC, for example, and the residual ratio (content rate in an inorganic powder containing resin layer) of a solvent after drying is normally 2 mass% or less.

상기와 같이 하여 지지 필름 상에 형성되는 무기 분체 함유 수지층의 두께로서는, 무기 분체의 함유율이나 크기 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 5 내지 500 ㎛이다. As thickness of the inorganic powder containing resin layer formed on a support film as mentioned above, although it changes also with content rate, size, etc. of an inorganic powder, it is 5-500 micrometers, for example.

또한, 무기 분체 함유 수지층의 표면에 설치되는 보호 필름층으로서는, 폴리에틸렌 필름, 폴리비닐알코올계 필름 등을 들 수 있다. Moreover, a polyethylene film, a polyvinyl alcohol-type film, etc. are mentioned as a protective film layer provided in the surface of an inorganic powder containing resin layer.

<PDP의 제조 방법 (I)><Production Method of PDP (I)>

본 발명의 PDP의 제조 방법 (I)에 있어서는, (i) 무기 분체 함유 수지층 A의 형성 공정, (ii) 무기 분체 함유 수지층 A의 노광 공정, (iii) 도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 형성 공정, (iv) 도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 노광 공정, (v) 현상 공정, (vi) 소성 공정을 포함하는 방법에 의해, 블랙 매트릭스와 전극을 동시에 형성할 수 있다. In the manufacturing method (I) of the PDP of this invention, (i) formation process of inorganic powder containing resin layer A, (ii) exposure process of inorganic powder containing resin layer A, and (iii) electroconductive inorganic powder containing resin layer B A black matrix and an electrode can be formed simultaneously by the method including a formation process, the (iv) exposure process of the conductive inorganic powder containing resin layer B, the (v) developing process, and the (vi) baking process.

도 1은 PDP의 제조 방법 (I)에 있어서 블랙 매트릭스 및 전극을 형성하기 위한 일련의 공정을 나타내는 개략 단면도이다. 1 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps for forming a black matrix and an electrode in the manufacturing method (I) of a PDP.

(i) 무기 분체 함유 수지층 A의 형성 공정 (i) Formation Process of Inorganic Powder-Containing Resin Layer A

이 공정에서는 도 1(i)에 나타낸 바와 같이, 기판 (10) 상에 무기 분체 함유 수지층 A (11)이 형성된다. 무기 분체 함유 수지층 A는, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물을 기판 상에 도포하거나, 본 발명의 전사 필름을 이용하여 기판 상에 상기 무기 분체 함유 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다. 전사 필름을 이용하는 방법에 따르면, 막 두께 균일성이 우수한 무기 분체 함유 수지층 A를 쉽게 형성할 수 있고, 형성되는 패턴의 막 두께 균일화를 도모할 수 있다. 또한, 상기 전사 필름을 이용하여 n회 전사를 반복함으로써, n층(n은 2 이상의 정수를 나타냄)의 무기 분체 함유 수지층을 갖는 적층체를 형성할 수도 있다. 또한, n층의 무기 분체 함유 수지층을 포함하는 적층체를 지지 필름 상에 형성한 전사 필름을 이용하여 기판 상에 일괄 전사함으로써, 상기 적층체를 형성할 수도 있다. In this step, as shown in FIG. 1 (i), the inorganic powder-containing resin layer A 11 is formed on the substrate 10. Inorganic powder containing resin layer A can be formed by apply | coating the inorganic powder containing resin composition of this invention on a board | substrate, or transferring the said inorganic powder containing resin layer on a board | substrate using the transfer film of this invention. According to the method using a transfer film, the inorganic powder containing resin layer A excellent in film thickness uniformity can be formed easily, and the film thickness uniformity of the pattern formed can be aimed at. Moreover, by repeating n times transfer using the said transfer film, you may form the laminated body which has an inorganic powder containing resin layer of n layer (n represents an integer of 2 or more). Moreover, the said laminated body can also be formed by carrying out the collective transfer of the laminated body containing n-layered inorganic powder containing resin layer on a board | substrate using the transfer film formed on the support film.

무기 분체 함유 수지 조성물의 도포 방법으로서는, 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 다양한 방법을 들 수 있고, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물을 도포한 후, 도막을 건조시키는 방법에 의해 무기 분체 함유 수지층 A를 형성할 수 있다. 또한, 상기 공정을 n회 반복함으로써 n층의 적층체를 형성할 수도 있다. As a coating method of an inorganic powder containing resin composition, various methods, such as the screen printing method, the roll coating method, the rotary coating method, the flexible coating method, are mentioned, and after apply | coating the inorganic powder containing resin composition of this invention, drying a coating film The inorganic powder containing resin layer A can be formed by the method. In addition, an n-layer laminate can be formed by repeating the above steps n times.

또한, 전사 필름을 이용하는 전사 공정의 일례를 나타내면 이하와 같다. 필요에 따라서 사용되는 전사 필름의 보호 필름층을 박리한 후, 기판 표면에, 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름을 겹치고, 이 전사 필름을 가열 롤러 등에 의해 열 압착한 후, 무기 분체 함유 수지층으로부터 지지 필름을 박리 제거한다. 이에 의해, 기판 표면에 무기 분체 함유 수지층이 전사되어 밀착된 상태가 된다. 여기서, 전사 조건으로서는, 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 40 내지 140 ℃, 가열 롤러에 의한 롤 압이 0.1 내지 10 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도가 0.1 내지 10 m/분을 나타낼 수 있다. 또한, 기판은 예열되어 있을 수도 있으며, 예열 온도로서는 예를 들면 40 내지 140 ℃로 할 수 있다. Moreover, when an example of the transfer process using a transfer film is shown, it is as follows. After peeling the protective film layer of the transfer film used as needed, after laminating | stacking a transfer film so that the surface of an inorganic powder containing resin layer may contact the board | substrate surface, and heat-compression-bonding this transfer film with a heating roller etc., an inorganic powder The support film is peeled off from the containing resin layer. As a result, the inorganic powder-containing resin layer is transferred to and adhered to the substrate surface. Here, as transfer conditions, the surface temperature of a heating roller can show 40-140 degreeC, the roll pressure by a heating roller is 0.1-10 kg / cm, and the moving speed of a heating roller can show 0.1-10 m / min, for example. . In addition, the board | substrate may be preheated and can be 40-140 degreeC as preheating temperature, for example.

(ii) 무기 분체 함유 수지층 A의 노광 공정(ii) Exposure process of inorganic powder containing resin layer A

이 공정에서는 도 1(ii)에 나타낸 바와 같이, 감광성의 무기 분체 함유 수지층 A (11)의 표면에, 노광용 마스크 (M)을 통해 자외선 등의 방사선의 선택적 조사(노광)을 행하여 패턴의 잠상을 형성한다. 동일한 도면에 있어서, MA 및 MB는 각각 노광용 마스크 (M)에서의 광 투과부 및 차광부이다. 또한, 11a는 무기 분체 함유 수지층 A의 감광부(패턴 잠상부), 11b는 비감광부이다. In this step, as shown in Fig. 1 (ii), the surface of the photosensitive inorganic powder-containing resin layer A (11) is subjected to selective irradiation (exposure) of radiation such as ultraviolet rays through the exposure mask M to expose the latent image of the pattern. To form. In the same figure, MA and MB are the light transmission part and the light shielding part in the exposure mask M, respectively. In addition, 11a is a photosensitive part (pattern latent image part) of inorganic powder containing resin layer A, and 11b is a non-photosensitive part.

여기서, 방사선 조사 장치로서는, 포토리소그래피법에서 일반적으로 사용되는 자외선 조사 장치, 반도체 및 액정 표시 장치를 제조할 때에 사용되는 노광 장치 등이 이용되지만, 특별히 한정되는 것은 아니다. Here, although the ultraviolet irradiation apparatus, the semiconductor, and the exposure apparatus used when manufacturing a liquid crystal display device generally used by the photolithographic method are used as a radiation irradiation apparatus, it is not specifically limited.

또한, 무기 분체 함유 수지층 A를 전사에 의해 형성한 경우에는, 상기 수지층 상에 피복되어 있는 지지 필름을 박리하지 않은 상태에서 노광을 행하는 것이 바람직하다. Moreover, when inorganic powder containing resin layer A is formed by transcription | transfer, it is preferable to perform exposure in the state which does not peel the support film coat | covered on the said resin layer.

(iii) 도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 형성 공정(iii) Formation process of conductive inorganic powder containing resin layer B

이 공정에서는 도 1(iii)에 나타낸 바와 같이, 무기 분체 함유 수지층 (11) 상에, 도전성 무기 분체 함유 수지층 B (12)가 형성된다. 도전성 무기 분체 함유 수지층 B는, 후술하는 감광성의 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물을 무기 분체 함유 수지층 A 상에 도포하거나, 지지 필름 상에 도전성 무기 분체 함유 수지층이 형성된 구성을 갖는 전사 필름을 이용하여, 무기 분체 함유 수지층 A 상에 도전성 무기 분체 함유 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다. 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물의 도포 방법 및 전사 필름의 전사 방법 및 전사 조건은, 상술한 공정(i)에서의 각 방법ㆍ조건과 동일하게 할 수 있다. In this step, as shown in FIG. 1 (iii), the conductive inorganic powder-containing resin layer B 12 is formed on the inorganic powder-containing resin layer 11. The conductive inorganic powder containing resin layer B applies the photosensitive conductive inorganic powder containing resin composition mentioned later on the inorganic powder containing resin layer A, or uses the transfer film which has a structure in which the conductive inorganic powder containing resin layer was formed on the support film. It can form by transferring a conductive inorganic powder containing resin layer on inorganic powder containing resin layer A. The coating method of the electroconductive inorganic powder containing resin composition, the transfer method of a transfer film, and transfer conditions can be made the same as each method and conditions in the above-mentioned process (i).

도전성 무기 분체 함유 수지 조성물은, (a) 무기 분체 대신에 (a') 도전성 분체를 사용한 것 이외에는, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물과 동일한 조성을 갖는 조성물이고, 동일한 형성 방법에 의해 얻을 수 있다. 상기 조성물을 구성하는 (a') 도전성 분체로서는 Ag, Au, Al, Ag-Pd 합금, Cr 등의 입자를 들 수 있다. 또한, 상기 조성물에는, 도전성 분체 이외에 상술한 유리 프릿이 함유되어 있을 수도 있다. The conductive inorganic powder-containing resin composition is a composition having the same composition as the inorganic powder-containing resin composition of the present invention, except that (a ') conductive powder is used instead of (a) inorganic powder, and can be obtained by the same forming method. As (a ') electroconductive powder which comprises the said composition, particle | grains, such as Ag, Au, Al, Ag-Pd alloy, Cr, are mentioned. Moreover, the said glass frit may be contained in the said composition other than electroconductive powder.

도전성 무기 분체 함유 수지층을 갖는 전사 필름은, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물 대신에 상기 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물을 사용한 것 이외에는, 본 발명의 전사 필름과 동일하게 하여 형성할 수 있다. The transfer film which has a conductive inorganic powder containing resin layer can be formed similarly to the transfer film of this invention except having used the said conductive inorganic powder containing resin composition instead of the inorganic powder containing resin composition of this invention.

(iv) 도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 노광 공정(iv) Exposure process of conductive inorganic powder containing resin layer B

이 공정에서는 도 1(iv)에 나타낸 바와 같이, 감광성의 도전성 무기 분체 함유 수지층 B (12)의 표면에, 노광용 마스크 (m)을 통해 자외선 등의 방사선의 선택적 조사(노광)을 행하여 패턴의 잠상을 형성한다. 동일한 도면에 있어서, mA 및 mB는 각각 노광용 마스크 (m)에서의 광 투과부 및 차광부이다. 또한, 12a는 도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 감광부(패턴 잠상부), 12b는 비감광부이다. 이 때, 도 1(iv)에 나타낸 바와 같이, 후술하는 현상 처리에 의해 도전성 무기 분체 함유 수지층 B가 잔존하는 부분(12a)는, 현상 처리에 의해 무기 분체 함유 수지층 A가 잔존하는 부분(11a) 위에 형성되도록 한다. In this step, as shown in Fig. 1 (iv), the surface of the photosensitive conductive inorganic powder-containing resin layer B 12 is subjected to selective irradiation (exposure) of radiation such as ultraviolet rays (exposure) through a mask m for exposure to obtain the pattern. Forms a latent image. In the same figure, mA and mB are a light transmitting part and a light shielding part in the exposure mask m, respectively. In addition, 12a is a photosensitive part (pattern latent image part) of the conductive inorganic powder containing resin layer B, and 12b is a non-photosensitive part. At this time, as shown to Fig.1 (iv), the part 12a in which the electroconductive inorganic powder containing resin layer B remains by the image development process mentioned later is the part in which the inorganic powder containing resin layer A remains by image development process ( 11a).

여기서, 방사선 조사 장치로서는 상기 포토리소그래피법에서 사용되는 자외선 조사 장치, 반도체 및 액정 표시 장치를 제조할 때에 사용되는 노광 장치 등이 이용되지만, 특별히 한정되는 것은 아니다. Here, although the ultraviolet irradiation device used by the said photolithographic method, the exposure apparatus used when manufacturing a semiconductor, and a liquid crystal display device etc. are used as a radiation irradiation apparatus, it is not specifically limited.

또한, 도전성 무기 분체 함유 수지층 B를 전사에 의해 형성한 경우에는, 상기 수지층 상에 피복되어 있는 지지 필름을 박리하지 않은 상태에서 노광을 행하는 것이 바람직하다. Moreover, when electroconductive inorganic powder containing resin layer B is formed by transcription | transfer, it is preferable to perform exposure in the state which does not peel the support film coat | covered on the said resin layer.

(v) 현상 공정(v) developing process

이 공정에서는 도 1(v)에 나타낸 바와 같이, 노광된 무기 분체 함유 수지층 A 및 도전성 무기 분체 함유 수지층 B를 현상하여, 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴 (11a)와, 무기 분체 함유 수지층 A 패턴 (11a)/도전성 무기 분체 함유 수지층 B 패턴 (12a)의 적층 패턴을 동시에 형성한다. In this step, as shown in Fig. 1 (v), the exposed inorganic powder-containing resin layer A and the conductive inorganic powder-containing resin layer B are developed, and the pattern 11a and the inorganic powder-containing water of the inorganic powder-containing resin layer A are developed. The laminated pattern of the ground layer A pattern 11a / conductive inorganic powder containing resin layer B pattern 12a is simultaneously formed.

여기서, 현상 처리 조건으로서는, 무기 분체 함유 수지층의 종류에 따라서 현상액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법(예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 분무법, 퍼들법 등), 현상 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다. Here, as the development treatment conditions, depending on the type of the inorganic powder-containing resin layer, the type, composition, and concentration of the developing solution, the developing time, the developing temperature, the developing method (for example, the dipping method, the shaking method, the shower method, the spray method, the puddle method, and the like) ), A developing device and the like can be appropriately selected.

(vi) 소성 공정(vi) firing process

이 공정에서는, 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴 및 무기 분체 함유 수지층 A/도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 적층 패턴을 일괄 소성 처리하여, 무기 분체 함유 수지층 A 및 도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 잔류부에서의 유기 물질을 소실시킨다. 이 공정에 의해, 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴으로부터 블랙 매트릭스 (21)이, 무기 분체 함유 수지층 A/도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 적층 패턴으로부터 전극 (24)(차광층 (22)/도전층 적층체 (23))가 동시에 형성된다. In this step, the pattern of the inorganic powder-containing resin layer A and the lamination pattern of the inorganic powder-containing resin layer A / the conductive inorganic powder-containing resin layer B are subjected to batch firing, and the inorganic powder-containing resin layer A and the conductive inorganic powder-containing resin layer B The organic substance in the remainder of the layer disappears. By this step, the black matrix 21 is formed from the pattern of the inorganic powder-containing resin layer A from the laminated pattern of the inorganic powder-containing resin layer A / the conductive inorganic powder-containing resin layer B by the electrode 24 (light-shielding layer 22 / The conductive layer laminate 23 is formed at the same time.

본 발명에 있어서, 무기 분체 함유 수지층 A만의 패턴(상부에 도전성 무기 분체 함유 수지층 B가 존재하지 않는 패턴)과, 무기 분체 함유 수지층 A/도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 적층 패턴에 있어서는, 통상 소성 공정에서 무기 분체 함유 수지층 A에 공급되는 산소량이 다르기 때문에, 무기 분체 함유 수지층 A 중에 함유되는 무기 분체의 산화 정도(산화의 진행 상황)가 달라진다. 따라서, 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴으로부터는 도전성을 가지지 않는 블랙 매트릭스를, 무기 분체 함유 수지층 A/도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 적층 패턴에 있어서의 무기 분체 함유 수지층 A에서는 도전성을 갖는 차광층을, 각각 형성하는 것이 가능해진다 In the present invention, in the pattern of only the inorganic powder-containing resin layer A (pattern in which the conductive inorganic powder-containing resin layer B does not exist in the upper part) and the laminated pattern of the inorganic powder-containing resin layer A / conductive inorganic powder-containing resin layer B, Since the amount of oxygen supplied to the inorganic powder-containing resin layer A in the firing step is usually different, the degree of oxidation (the progress of oxidation) of the inorganic powder contained in the inorganic powder-containing resin layer A is different. Therefore, the black matrix which does not have electroconductivity from the pattern of the inorganic powder containing resin layer A has electroconductivity in the inorganic powder containing resin layer A in the lamination pattern of the inorganic powder containing resin layer A / conductive inorganic powder containing resin layer B. It becomes possible to form a light shielding layer, respectively

여기서, 소성 처리의 온도로서는, 무기 분체 함유 수지층(잔류부) 중의 유기 물질이 소실되는 온도일 필요가 있고, 통상 400 내지 600 ℃이다. 또한, 소성 시간은 통상 10 내지 90 분간이다. Here, as a temperature of baking process, it is necessary to be the temperature which the organic substance in an inorganic powder containing resin layer (residual part) disappears, and is 400-600 degreeC normally. In addition, baking time is 10 to 90 minutes normally.

<PDP의 제조 방법 (II)><Production Method of PDP (II)>

본 발명의 PDP의 제조 방법 (II)에 있어서는, (vii) 무기 분체 함유 수지층 A의 형성 공정, (viii) 무기 분체 함유 수지층 A의 노광 공정, (ix) 도전성 무기 분체 함유 수지층 C 및 레지스트층의 형성 공정, (x) 레지스트층의 노광ㆍ현상 공정, (xi) 현상ㆍ에칭 공정, (xii) 소성 공정을 포함하는 방법에 의해, 블랙 매트릭스와 전극을 동시에 형성할 수 있다. In the manufacturing method (II) of the PDP of this invention, (vii) the inorganic powder containing resin layer A formation process, (viii) the inorganic powder containing resin layer A exposure process, (ix) electroconductive inorganic powder containing resin layer C, and The black matrix and the electrode can be formed simultaneously by a method including a step of forming a resist layer, (x) an exposure and development step of a resist layer, a (xi) development and etching step, and a (xii) firing step.

각 공정 중, (vii) 무기 분체 함유 수지층 A의 형성 공정, (viii) 무기 분체 함유 수지층 A의 노광 공정 및 (xii) 소성 공정은, 상술한 PDP의 제조 방법 (I)에 있어서의 (i) 무기 분체 함유 수지층 A의 형성 공정, (ii) 무기 분체 함유 수지층 A의 노광 공정 및 (xii) 소성 공정과 동일하게 행해진다. In each step, (vii) the inorganic powder-containing resin layer A forming step, (viii) the inorganic powder-containing resin layer A exposure step, and (xii) the firing step are described in ( i) It is performed similarly to the formation process of inorganic powder containing resin layer A, (ii) exposure process of inorganic powder containing resin layer A, and (xii) baking process.

(ix) 도전성 무기 분체 함유 수지층 C 및 레지스트층의 형성 공정 (ix) Formation process of conductive inorganic powder containing resin layer C and resist layer

도전성 무기 분체 함유 수지층 C는, 후술하는 비감광성의 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물을 무기 분체 함유 수지층 A 상에 도포하거나, 지지 필름 상에 도전성 무기 분체 함유 수지층이 형성된 구성을 갖는 전사 필름을 이용하여, 무기 분체 함유 수지층 A 상에 도전성 무기 분체 함유 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다. 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물의 도포 방법 및 전사 필름의 전사 방법 및 전사 조건은, 상술한 공정(i)에서의 각 방법ㆍ조건과 동일하게 할 수 있다. The electroconductive inorganic powder containing resin layer C applies the non-photosensitive electroconductive inorganic powder containing resin composition mentioned later on inorganic powder containing resin layer A, or has the transfer film which has a structure in which the conductive inorganic powder containing resin layer was formed on the support film. It can form by transferring an electroconductive inorganic powder containing resin layer on inorganic powder containing resin layer A using it. The coating method of the electroconductive inorganic powder containing resin composition, the transfer method of a transfer film, and transfer conditions can be made the same as each method and conditions in the above-mentioned process (i).

비감광성의 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물은 (c) 광 중합성 단량체 및 (d) 광 중합 개시제를 사용하지 않는 것 이외에는, 상술한 감광성의 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물과 동일한 조성을 갖는 조성물이고, 동일한 형성 방법에 의해 얻을 수 있다. The non-photosensitive conductive inorganic powder-containing resin composition is a composition having the same composition as the photosensitive conductive inorganic powder-containing resin composition described above, except that (c) the photopolymerizable monomer and (d) the photopolymerization initiator are not used. It can be obtained by the method.

비감광성의 도전성 무기 분체 함유 수지층을 갖는 전사 필름은, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물 대신에 상기 비감광성의 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물을 사용한 것 이외에는, 본 발명의 전사 필름과 동일하게 하여 형성할 수 있다. The transfer film which has a non-photosensitive electroconductive inorganic powder containing resin layer is formed like the transfer film of this invention except having used the said non-photosensitive electroconductive inorganic powder containing resin composition instead of the inorganic powder containing resin composition of this invention. can do.

이 공정에서는, 비감광성의 도전성 무기 분체 함유 수지층 C 상에 레지스트층을 형성한다. 이 레지스트층을 구성하는 레지스트로서는 포지티브형 레지스트 및 네가티브형 레지스트 중 어느 것일 수도 있고, 예를 들면 상술한 (c) 광 중합성 단량체와 (d) 광 중합 개시제를 함유하는 레지스트 조성물이 바람직하게 사용된다.In this step, a resist layer is formed on the non-photosensitive conductive inorganic powder-containing resin layer C. As a resist which comprises this resist layer, any of a positive type resist and a negative type resist may be sufficient, For example, the resist composition containing the above-mentioned (c) photopolymerizable monomer and (d) photoinitiator is used preferably. .

레지스트층은 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 다양한 방법에 의해 레지스트를 도포한 후, 도막을 건조시킴으로써 형성할 수 있다. 여기서 도막의 건조 온도는 통상 60 내지 130 ℃ 정도이다. The resist layer can be formed by applying a resist by various methods such as a screen printing method, a roll coating method, a rotary coating method, a flexible coating method, and then drying the coating film. The drying temperature of a coating film is about 60-130 degreeC here normally.

또한, 지지 필름 상에 형성된 레지스트층을 도전성 무기 분체 함유 수지층 C 상에 전사함으로써 형성할 수도 있다. 이러한 형성 방법에 따르면, 얻어지는 레지스트의 막 두께 균일성이 우수하게 되므로, 상기 레지스트층의 현상 처리 및 막 형성 재료층의 에칭 처리가 균일하게 행해지고, 형성되는 격벽의 높이 및 형상이 균일해진다. Moreover, it can also form by transferring the resist layer formed on the support film on the electroconductive inorganic powder containing resin layer C. According to such a formation method, since the film thickness uniformity of the resist obtained becomes excellent, the image development process of the said resist layer and the etching process of a film formation material layer are performed uniformly, and the height and shape of the partition formed are made uniform.

레지스트층의 막 두께로서는 통상 0.1 내지 40 ㎛이고, 바람직하게는 0.5 내지 20 ㎛이다. As a film thickness of a resist layer, it is 0.1-40 micrometers normally, Preferably it is 0.5-20 micrometers.

또한, 본 공정에서는, 지지 필름 상에 레지스트층과 비감광성의 도전성 무기 분체 함유 수지층과의 적층막이 형성되어 이루어지는 전사 필름을 이용함으로써, 상기 적층막을 기판 상에 전사하여, 도전성 무기 분체 함유 수지층 C와 레지스트층을 일괄 형성하는 것이 보다 바람직하다. 이러한 형성 방법에 따르면, 막 두께 균일성이 우수한 적층을 더욱 쉽게 형성할 수 있고, 패턴 형상의 향상과 동시에 공정의 간략화를 도모할 수 있다. 또한, 상기 전사 방법 및 전사 조건은 상술한 공정(i)에서의 각 방법ㆍ조건과 동일하게 할 수 있다. In addition, in this step, the laminated film is transferred onto a substrate by using a transfer film in which a laminated film of a resist layer and a non-photosensitive conductive inorganic powder-containing resin layer is formed on a support film, thereby transferring the laminated inorganic film to a conductive inorganic powder-containing resin layer. It is more preferable to collectively form C and a resist layer. According to such a formation method, the lamination | stacking which is excellent in film thickness uniformity can be formed more easily, and a process can be simplified while improving a pattern shape. In addition, the said transfer method and transfer conditions can be made the same as each method and conditions in the above-mentioned process (i).

(x) 레지스트층의 노광ㆍ현상 공정(x) Process of exposing and developing resist layer

이 공정에서는, 도전성 무기 분체 함유 수지층 C 상에 형성된 레지스트층의 표면에, 노광용 마스크를 통해 자외선 등의 방사선을 선택적으로 조사(노광)하여, 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 노광된 레지스트층을 현상 처리함으로써 레지스트 패턴(잠상)을 현재화시킨다. In this step, the surface of the resist layer formed on the conductive inorganic powder-containing resin layer C is selectively irradiated (exposed) with radiation such as ultraviolet rays through an exposure mask to form a latent image of the resist pattern, and the exposed resist layer is exposed. The development process makes the resist pattern (latent image) present.

여기서, 자외선 조사 장치로서는 상기 포토리소그래피법에서 사용되는 자외선 조사 장치, 반도체 및 액정 표시 장치를 제조할 때에 사용되는 노광 장치 등, 특별히 한정되는 것은 아니다. Here, as an ultraviolet irradiation device, it does not specifically limit, such as the ultraviolet irradiation device used by the said photolithographic method, the semiconductor, and the exposure apparatus used when manufacturing a liquid crystal display device.

또한, 레지스트층을 전사에 의해 형성한 경우에는, 레지스트층 상에 피복되어 있는 지지 필름을 박리하지 않은 상태에서 노광 공정을 행하는 것이 바람직하다. Moreover, when forming a resist layer by transfer, it is preferable to perform an exposure process in the state which did not peel the support film coat | covered on the resist layer.

또한, 현상 처리 조건으로서는, 레지스트층의 종류 등에 따라서 현상액의 종류ㆍ조성ㆍ농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법(예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 분무법, 퍼들법), 현상 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다. As the developing treatment conditions, the type, composition, and concentration of the developing solution, the developing time, the developing temperature, the developing method (for example, the dipping method, the shaking method, the shower method, the spray method, the puddle method), and the developing apparatus, depending on the type of the resist layer and the like. Etc. can be selected as appropriate.

얻어진 레지스트층의 패턴은, 다음 공정(에칭 공정)에서의 도전성 무기 분체 함유 수지층 C의 에칭 마스크로서 작용하는 것이고, 레지스트 잔류부의 구성 재료(광 경화된 레지스트)는, 도전성 무기 분체 함유 수지층 C의 구성 재료보다 에칭액에 대한 용해 속도가 작은 것이 필요하다. The pattern of the obtained resist layer acts as an etching mask of the conductive inorganic powder containing resin layer C in the next step (etching step), and the constituent material (photocured resist) of the resist remaining portion is the conductive inorganic powder containing resin layer C. It is necessary that the dissolution rate of the etching liquid is smaller than that of the constituent material.

(xi) 현상ㆍ에칭 공정(xi) Developing and etching process

이 공정에서는, 무기 분체 함유 수지층 A의 현상 처리 및 도전성 무기 분체 함유 수지층 C의 에칭 처리를 행하여, 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴과, 레지스트층 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지층 A/도전성 무기 분체 함유 수지층 C의 적층 패턴을 동시에 형성한다. 무기 분체 함유 수지층 A의 현상 처리 조건은 상술한 공정(v)에서의 조건과 동일하게 할 수 있다. In this step, the developing treatment of the inorganic powder-containing resin layer A and the etching treatment of the conductive inorganic powder-containing resin layer C are performed, and the inorganic powder-containing resin layer A / corresponding to the pattern of the inorganic powder-containing resin layer A and the resist layer pattern. The laminated pattern of the electroconductive inorganic powder containing resin layer C is formed simultaneously. The image development process conditions of the inorganic powder containing resin layer A can be made the same as the conditions in process (v) mentioned above.

도전성 무기 분체 함유 수지층 C의 에칭 처리는, 도전성 무기 분체 함유 수지층 C 중, 레지스트층의 패턴의 레지스트 제거부에 대응하는 부분이 에칭액에 용해되어 선택적으로 제거되는 처리이다. 상기 에칭액에는, 통상 무기 분체 함유 수지층 A의 현상 처리에 이용되는 현상액이 이용되기 때문에, 무기 분체 함유 수지층 A의 현상 처리와 도전성 무기 분체 함유 수지층 C의 에칭 처리를 동시에 행할 수 있다. The etching process of the electroconductive inorganic powder containing resin layer C is a process in which the part corresponding to the resist removal part of the pattern of a resist layer is melt | dissolved in an etching liquid, and is selectively removed. Since the developing solution used for the developing process of the inorganic powder containing resin layer A is normally used for the said etching liquid, the developing process of the inorganic powder containing resin layer A and the etching process of the conductive inorganic powder containing resin layer C can be performed simultaneously.

또한, 본 공정에서 사용되는 현상액(=에칭액)으로서, 레지스트층의 현상 공정에서 사용한 현상액과 동일한 용액을 사용할 수 있도록 레지스트층의 종류를 선택하면, 전(前) 공정과 본 공정을 연속적으로 실시하는 것이 가능해져, 공정의 간략화에 의한 제조 효율의 향상을 도모할 수 있어 바람직하다. In addition, if the type of resist layer is selected so that the same solution as that used in the development step of the resist layer can be used as the developing solution (= etching solution) used in this step, the previous step and the present step are carried out continuously. It is possible to improve the manufacturing efficiency by simplifying the process, which is preferable.

여기서, 레지스트층의 패턴을 구성하는 레지스트 잔류부는 에칭 처리시에 서서히 용해되고, 에칭 처리의 종료시까지 완전히 제거되는 것이 바람직하다. Here, it is preferable that the resist residual part which comprises the pattern of a resist layer melt | dissolves gradually at the time of an etching process, and is removed completely until the completion | finish of an etching process.

또한, 에칭 처리 후에 레지스트 잔류부의 일부 또는 전부가 잔류되어 있더라도, 상기 레지스트 잔류부는 다음 소성 공정에서 제거된다. Further, even if some or all of the resist remaining portion remains after the etching process, the resist remaining portion is removed in the next firing step.

이하, 상기 각 공정에 이용되는 재료, 각종 조건 등에 대하여 설명한다. Hereinafter, the material used for each said process, various conditions, etc. are demonstrated.

<기판><Substrate>

기판 재료로서는, 예를 들면 유리, 실리콘, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 방향족 아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 등의 절연성 재료를 포함하는 판상 부재를 들 수 있다. 이 판상 부재의 표면에 대해서는, 필요에 따라서 실란 커플링제 등에 의한 약품 처리; 플라즈마 처리; 이온 도금법, 스퍼터링법, 기상 반응법, 진공 증착법 등에 의한 박막 형성 처리와 같은 적절한 전처리를 실시할 수도 있다. As a board | substrate material, the plate-shaped member containing insulating materials, such as glass, silicone, polycarbonate, polyester, aromatic amide, polyamideimide, polyimide, is mentioned, for example. About the surface of this plate-shaped member, Chemical treatment with a silane coupling agent etc. as needed; Plasma treatment; Appropriate pretreatment such as thin film formation by ion plating, sputtering, vapor phase reaction, vacuum evaporation, etc. may be performed.

또한, 본 발명에서는, 기판으로서 내열성을 갖는 유리를 이용하는 것이 바람직하다. 유리 기판으로서는, 예를 들면 아사히 글라스(주) 제조 PD200을 바람직한 것으로서 들 수 있다. Moreover, in this invention, it is preferable to use the glass which has heat resistance as a board | substrate. As a glass substrate, Asahi Glass Co., Ltd. product PD200 is mentioned as a preferable thing, for example.

<노광용 마스크><Exposure mask>

본 발명의 제조 방법에 의한 노광 공정에서 사용되는 노광용 마스크의 노광 패턴으로서는, 재료에 따라서 다르지만, 일반적으로 10 내지 500 ㎛폭의 스트라이프이다. As an exposure pattern of the mask for exposure used in the exposure process by the manufacturing method of this invention, although it changes with a material, it is generally 10-500 micrometers stripe.

<현상액ㆍ에칭액><Development solution, etching solution>

본 발명의 제조 방법에 의한 현상 공정에서 사용되는 현상액 및 에칭액으로서는, 알칼리 현상액을 바람직하게 사용할 수 있다. As a developing solution and etching liquid used at the developing process by the manufacturing method of this invention, an alkaline developing solution can be used preferably.

또한, 무기 분체 함유 수지층에 함유되는 무기 분체는 알칼리 가용성 수지에 의해 균일하게 분산되기 때문에, 알칼리성 용액으로 결합 수지인 알칼리 가용성 수지를 용해시켜 세정함으로써 무기 분체도 동시에 제거된다. In addition, since the inorganic powder contained in the inorganic powder-containing resin layer is uniformly dispersed by the alkali-soluble resin, the inorganic powder is also removed simultaneously by dissolving and washing the alkali-soluble resin which is the binding resin with the alkaline solution.

알칼리 현상액의 유효 성분으로서는, 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소이암모늄, 인산수소이칼륨, 인산수소이나트륨, 인산이수소암모늄, 인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨, 규산 리튬, 규산 나트륨, 규산 칼륨, 탄산 리튬, 탄산 나트륨, 탄산 칼륨, 붕산 리튬, 붕산 나트륨, 붕산 칼륨, 암모니아 등의 무기 알칼리성 화합물; 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메틸히드록시에틸암모늄히드록시드, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민, 에탄올아민 등의 유기 알칼리성 화합물 등을 들 수 있다. Examples of the active component of the alkaline developer include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, Inorganic alkaline compounds such as lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, sodium borate, potassium borate and ammonia; Tetramethylammonium Hydroxide, Trimethylhydroxyethylammonium Hydroxide, Monomethylamine, Dimethylamine, Trimethylamine, Monoethylamine, Diethylamine, Triethylamine, Monoisopropylamine, Diisopropylamine, Ethanolamine Organic alkaline compounds, such as these, etc. are mentioned.

알칼리 현상액은 상기 알칼리성 화합물 중 1종 또는 2종 이상을 물 등에 용해시킴으로써 제조할 수 있다. 여기서, 알칼리성 현상액에서의 알칼리성 화합물의 농도는 통상 0.001 내지 10 질량%이고, 바람직하게는 0.01 내지 5 질량%이다. 또한, 알칼리 현상액에 의한 현상 처리가 이루어진 후에는 통상 수세 처리가 실시된다. An alkaline developer can be prepared by dissolving one or two or more of the alkaline compounds in water or the like. Here, the density | concentration of the alkaline compound in alkaline developing solution is 0.001-10 mass% normally, Preferably it is 0.01-5 mass%. In addition, after the development process by alkaline developing solution is performed, the water washing process is normally performed.

<실시예><Example>

이하, 본 발명의 실시예에 대하여 설명하지만, 본 발명이 이들에 의해 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에서 「부」는 「질량부」를 나타낸다. Hereinafter, although the Example of this invention is described, this invention is not limited by these. In addition, "part" represents a "mass part" below.

<실시예 1><Example 1>

(1) 무기 분체 함유 수지 조성물의 제조: (1) Preparation of Inorganic Powder-Containing Resin Composition:

(a) 무기 분체로서 니켈 분말(평균 입경 0.2 ㎛) 100 부, Bi2O3-O-B20 3-SiO2계 유리 프릿(연화점 560 ℃, 평균 입경 2.0 ㎛) 10 부, (b) 결합 수지로서 벤질메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트/메타크릴산=60/25/15(질량%) 공중합체(중량 평균 분자량: 50,000) 60 부, (c) 광 중합성 단량체로서 폴리프로필렌글리콜 디아크릴레이트 30 부, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 15 부, (d) 광 중합 개시제(감방사선성 성분)으로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 10 부, 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 20 부를, 분산기를 이용하여 혼련함으로써 무기 분체 함유 수지 조성물을 제조하였다.(a) 100 parts of nickel powder as an inorganic powder (average particle diameter: 0.2 ㎛), Bi 2 O 3 -OB 2 0 3 -SiO 2 based glass frit (softening point 560 ℃, average particle size 2.0 ㎛) 10 parts, (b) bonding resin As benzyl methacrylate / 2-hydroxypropyl methacrylate / methacrylic acid = 60/25/15 (mass%) copolymer (weight average molecular weight: 50,000) 60 parts, (c) polypropylene as photopolymerizable monomer 30 parts of glycol diacrylate, 15 parts of trimethylolpropane triacrylate, (d) 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butane as a photopolymerization initiator (radiation sensitive component) An inorganic powder-containing resin composition was prepared by kneading 10 parts of -1-one and 20 parts of propylene glycol monomethyl ether as a solvent using a dispersing machine.

(2) 감광성 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물의 제조 (2) Preparation of Photosensitive Conductive Inorganic Powder-Containing Resin Composition

도전성 분말로서 은 분말(평균 입경 2 ㎛) 100 부, 알칼리 가용성 수지로서 n-부틸메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트/메타크릴산=60/20/20(질량%) 공중합체(Mw=60,000) 100 부, 광 중합성 단량체로서 펜타에리스리톨 트리아크릴레이트 50 부, 광 중합 개시제로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 5 부, 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 20 부를, 분산기를 이용하여 혼련함으로써 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물을 제조하였다. 100 parts of silver powder (average particle diameter 2 micrometers) as electroconductive powder, and n-butyl methacrylate / 2-hydroxypropyl methacrylate / methacrylic acid = 60/20/20 (mass%) copolymer (as alkali-soluble resin) Mw = 60,000) 100 parts, pentaerythritol triacrylate as photopolymerizable monomer 50 parts, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one 5 as photopolymerization initiator The conductive inorganic powder-containing resin composition was prepared by kneading 20 parts of propylene glycol monomethyl ether as a solvent using a disperser.

(3) 전사 필름의 제조(3) Preparation of Transfer Film

상기 (1)에서 제조한 무기 분체 함유 수지 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름을 포함하는 지지 필름(폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 이용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5 분간 건조시켜 용제를 완전히 제거하고, 두께 10 ㎛의 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성한 전사 필름(이하, 「전사 필름(1)」이라 함)을 제조하였다. The inorganic powder-containing resin composition prepared in the above (1) was coated on a support film (200 mm in width, 30 m in length, 38 μm in thickness) containing a PET film previously released by using a roll coater, and the coating film was 100 It dried at 5 degreeC for 5 minutes, the solvent was completely removed, and the transfer film (henceforth "transfer film 1") which formed the inorganic powder containing resin layer of thickness 10micrometer on the support film was manufactured.

마찬가지로, 상기 (2)에서 제조한 감광성 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름을 포함하는 지지 필름(폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 이용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5 분간 건조시켜 용제를 완전히 제거하고, 두께 20 ㎛의 감광성 도전성 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 상에 형성한 전사 필름(이하, 「전사 필름(2)」라 함)을 제조하였다. Similarly, the photosensitive conductive inorganic powder-containing resin composition prepared in the above (2) was applied onto a supporting film (200 mm in width, 30 m in length, 38 μm in thickness) containing a PET film previously released by using a roll coater. The transfer film (henceforth "transfer film 2") which dried the coating film at 100 degreeC for 5 minutes, remove | eliminated a solvent completely, and formed the 20-micrometer-thick photosensitive conductive inorganic powder containing resin layer on the support film. Prepared.

(4) 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정(4) Formation Process of Inorganic Powder-Containing Resin Layer

6 인치 패널용의 유리 기판의 표면에 무기 분체 함유 수지층 표면이 접촉되도록 전사 필름(1)을 겹치고, 이 전사 필름(1)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기서, 압착 조건으로서는, 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤 압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. The transfer film 1 was laminated so that the surface of the glass substrate for 6-inch panels might contact an inorganic powder containing resin layer surface, and this transfer film 1 was thermocompression-bonded with the heating roller. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min.

(5) 무기 분체 함유 수지층의 노광 공정(5) Exposure process of inorganic powder containing resin layer

유리 기판 상에 형성된 무기 분체 함유 수지층에 대하여, 노광용 마스크(L/S=200/200 ㎛의 스트라이프 패턴)을 통해 지지 필름 위로부터 초고압 수은등에 의해 i 선(파장 365 nm의 자외선)을 조사하여, 무기 분체 함유 수지층에 패턴의 잠상을 형성하였다. 여기서, 조사량은 400 mJ/cm2로 하였다. 노광 후, 지지 필름을 박리 제거하였다.The inorganic powder-containing resin layer formed on the glass substrate was irradiated with an i-line (ultraviolet light having a wavelength of 365 nm) by an ultra-high pressure mercury lamp from the support film through an exposure mask (L / S = 200/200 µm stripe pattern). The latent image of a pattern was formed in the inorganic powder containing resin layer. Here, the irradiation amount was 400 mJ / cm 2 . After exposure, the support film was peeled off.

(6) 도전성 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정 (6) Formation process of conductive inorganic powder-containing resin layer

상기 (5)에서 형성한 무기 분체 함유 수지층 상에, 감광성 도전성 무기 분체 함유 수지층이 접촉되도록 전사 필름(2)를 겹치고, 이 전사 필름(2)를 (4)와 동일한 조건에서 열 압착하였다. The transfer film 2 was laminated on the inorganic powder-containing resin layer formed in the above (5) so that the photosensitive conductive inorganic powder-containing resin layer was in contact, and the transfer film 2 was thermally compressed under the same conditions as in (4). .

(7) 도전성 무기 분체 함유 수지층의 노광 공정(7) Exposure process of conductive inorganic powder containing resin layer

무기 분체 함유 수지층 상에 형성된 도전성 무기 분체 함유 수지층에 대하여, 노광용 마스크(L/S=200/600 ㎛의 스트라이프 패턴)을 통해, 지지 필름 위로부터 초고압 수은등에 의해 i 선(파장 365 nm의 자외선)을 조사하여, 도전성 무기 분체 함유 수지층에 패턴의 잠상을 형성하였다. 여기서, 조사량은 400 mJ/cm2로 하였다. 이 때, 후술하는 현상 처리에 의해 도전성 무기 분체 함유 수지층이 잔존하는 부분은, 현상 처리에 의해 무기 분체 함유 수지층이 잔존하는 부분 위에 형성되도록 하였다. 노광 후, 지지 필름을 박리 제거하였다.With respect to the conductive inorganic powder containing resin layer formed on the inorganic powder containing resin layer, i-line (wavelength of 365 nm) was made from the support film by the ultra-high pressure mercury lamp through the exposure mask (L / S = 200/600 µm stripe pattern). Ultraviolet light) and the latent image of a pattern was formed in the conductive inorganic powder containing resin layer. Here, the irradiation amount was 400 mJ / cm 2 . At this time, the part in which the electroconductive inorganic powder containing resin layer remains by the image development process mentioned later was made to form on the part in which an inorganic powder containing resin layer remains by image development process. After exposure, the support film was peeled off.

(8) 적층막의 현상 공정(8) Development process of laminated film

상기 (5), (7)에서 노광 처리된 적층막에 대하여, 0.6 질량%의 탄산 나트륨 수용액(30 ℃)을 현상액으로 하는 샤워법에 의한 현상 처리를 90 초간에 걸쳐 행하고, 계속해서 초순수에 의한 수세 처리 및 건조 처리를 행하였다. 이에 의해, 무기 분체 함유 수지층의 패턴, 및 무기 분체 함유 수지층/도전성 무기 분체 함유 수지층의 적층 패턴을 동시에 얻을 수 있었다. With respect to the laminated film subjected to the exposure treatment in (5) and (7), a developing process by a shower method using a 0.6 mass% sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.) as a developing solution was performed over 90 seconds, followed by ultrapure water. Water washing treatment and drying treatment were performed. Thereby, the pattern of the inorganic powder containing resin layer and the lamination pattern of the inorganic powder containing resin layer / conductive inorganic powder containing resin layer were obtained simultaneously.

(9) 소성 공정(9) firing process

무기 분체 함유 수지층의 패턴, 및 무기 분체 함유 수지층/도전성 무기 분체 함유 수지층의 적층 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로 내에서 590 ℃의 온도 분위기하에 30 분간에 걸쳐 소성 처리를 행하였다. 이에 의해, 무기 분체 함유 수지층 패턴 및 도전성 무기 분체 함유 수지층 중의 유기 성분을 제거하고, 유리 기판의 표면에 두께 2.5 ㎛의 무기 분체층 패턴(블랙 매트릭스), 및 두께 2.5 ㎛의 무기 분체층/두께 9.0 ㎛의 도전성 무기 분체층의 적층 패턴(차광층/도전층)이 형성된 패널 재료를 얻을 수 있었다. The glass substrate in which the pattern of the inorganic powder containing resin layer and the laminated pattern of the inorganic powder containing resin layer / electroconductive inorganic powder containing resin layer were formed was baked in the baking furnace over 30 minutes in the temperature atmosphere of 590 degreeC. Thereby, the inorganic powder containing resin layer pattern and the organic component in the conductive inorganic powder containing resin layer are removed, and the inorganic powder layer pattern (black matrix) of 2.5 micrometers in thickness, and inorganic powder layer / of 2.5 micrometers in thickness are formed on the surface of a glass substrate. The panel material in which the laminated pattern (light shielding layer / conductive layer) of the conductive inorganic powder layer of thickness 9.0micrometer was formed was obtained.

<실시예 2><Example 2>

(1) 비감광성 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물의 제조 (1) Preparation of non-photosensitive conductive inorganic powder-containing resin composition

도전성 분말로서 은 분말(평균 입경 2 ㎛) 100 부, 알칼리 가용성 수지로서 n-부틸메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트/메타크릴산=60/20/20(질량%) 공중합체(Mw=60,000) 20 부, 가소제로서 폴리에틸렌글리콜 디아크릴레이트 10 부, 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 10 부를, 분산기를 이용하여 혼련함으로써 비감광성 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물을 제조하였다. 100 parts of silver powder (average particle diameter 2 micrometers) as electroconductive powder, and n-butyl methacrylate / 2-hydroxypropyl methacrylate / methacrylic acid = 60/20/20 (mass%) copolymer (as alkali-soluble resin) Mw = 60,000) 20 parts, 10 parts of polyethyleneglycol diacrylates as a plasticizer, and 10 parts of propylene glycol monomethyl ethers as a solvent were knead | mixed using a dispersing machine, and the non-photosensitive conductive inorganic powder containing resin composition was manufactured.

(2) 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물의 제조: (2) Preparation of alkali developable radiation sensitive resist composition:

알칼리 가용성 수지로서 벤질메타크릴레이트/메타크릴산=75/25(질량%) 공중합체(Mw=40,000) 60 부, 광 중합성 단량체로서 트리프로필렌글리콜 디아크릴레이트40 부, 광 중합 개시제로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 5 부 및 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트 100 부를 혼련함으로써 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물(이하, 「레지스트 조성물」이라 함)를 제조하였다. Benzyl methacrylate / methacrylic acid = 75/25 (mass%) copolymer (Mw = 40,000) as alkali-soluble resin, 60 parts of tripropylene glycol diacrylates as a photopolymerizable monomer, 2-as photoinitiator 5 parts of benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one and 100 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent are kneaded to give an alkali developing radiation-sensitive resist composition (hereinafter, " Resist composition ").

(3) 전사 필름의 제조(3) Preparation of Transfer Film

상기 (2)에서 제조한 레지스트 조성물을 미리 이형 처리한 PET 필름을 포함하는 지지 필름(폭 200 mm, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 이용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5 분간 건조시켜 용제를 완전히 제거하여, 두께 10 ㎛의 레지스트 조성물층을 지지 필름 상에 형성하였다. The resist composition prepared in the above (2) was coated on a support film (200 mm in width, 30 m in length, 38 μm in thickness) containing a PET film pre-release treated using a roll coater, and the coating film was applied at 100 ° C. 5. The solvent was completely removed by drying for a minute to form a resist composition layer having a thickness of 10 μm on the support film.

계속해서, 상기 레지스트 조성물층 상에 (1)에서 제조한 비감광성 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물을 롤 코터를 이용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5 분간 건조시켜 용제를 완전히 제거하며, 두께 20 ㎛의 비감광성 도전성 무기 분체 함유 수지층을 레지스트 조성물층 상에 형성하여 전사 필름(이하, 「전사 필름(3)」이라 함)을 제조하였다. Subsequently, the non-photosensitive conductive inorganic powder-containing resin composition prepared in (1) was applied onto the resist composition layer using a roll coater, the coating film was dried at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent, and the thickness was 20 μm. The non-photosensitive electroconductive inorganic powder containing resin layer was formed on the resist composition layer, and the transfer film (henceforth "transfer film 3") was manufactured.

(4) 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정(4) Formation Process of Inorganic Powder-Containing Resin Layer

6 인치 패널용의 유리 기판의 표면에 무기 분체 함유 수지층 표면이 접촉되도록 전사 필름(1)을 겹치고, 이 전사 필름(1)을 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기서, 압착 조건으로서는, 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤 압을 4 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. The transfer film 1 was laminated so that the surface of the glass substrate for 6-inch panels might contact an inorganic powder containing resin layer surface, and this transfer film 1 was thermocompression-bonded with the heating roller. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min.

(5) 무기 분체 함유 수지층의 노광 공정(5) Exposure process of inorganic powder containing resin layer

유리 기판 상에 형성된 무기 분체 함유 수지층에 대하여, 노광용 마스크(L/S=200/200 ㎛의 스트라이프 패턴)을 통해 지지 필름 위로부터 초고압 수은등에 의해 i 선(파장 365 nm의 자외선)을 조사하여, 무기 분체 함유 수지층에 패턴의 잠상을 형성하였다. 여기서, 조사량은 400 mJ/cm2로 하였다. 노광 후, 지지 필름을 박리 제거하였다.The inorganic powder-containing resin layer formed on the glass substrate was irradiated with an i-line (ultraviolet light having a wavelength of 365 nm) by an ultra-high pressure mercury lamp from the support film through an exposure mask (L / S = 200/200 µm stripe pattern). The latent image of a pattern was formed in the inorganic powder containing resin layer. Here, the irradiation amount was 400 mJ / cm 2 . After exposure, the support film was peeled off.

(6) 비감광성 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물, 레지스트 조성물 적층막의 형성(6) Formation of non-photosensitive conductive inorganic powder-containing resin composition and resist composition laminated film

상기 (5)에서 형성한 무기 분체 함유 수지층 상에, 비감광성 도전성 무기 분체 함유 수지층이 접촉되도록 전사 필름(3)을 겹치고, 이 전사 필름(3)을 (4)와 동일한 조건에서 열 압착하여, 무기 분체 함유 수지층 상에 비감광성 도전성 무기 분체 함유 수지 조성물, 레지스트 조성물 적층막을 형성하였다. The transfer film 3 is laminated on the inorganic powder-containing resin layer formed in the above (5) so that the non-photosensitive conductive inorganic powder-containing resin layer is in contact, and the transfer film 3 is thermally compressed under the same conditions as in (4). The non-photosensitive electroconductive inorganic powder containing resin composition and the resist composition laminated film were formed on the inorganic powder containing resin layer.

(7) 레지스트 조성물층의 노광 공정(7) Exposure process of resist composition layer

계속해서, 상기 (6)에서 형성된 레지스트 조성물층에 대하여, 노광용 마스크(L/S=200/600 ㎛의 스트라이프 패턴)을 통해 초고압 수은등에 의해 i 선(파장 365 nm의 자외선)을 조사하여 레지스트 조성물층에 패턴의 잠상을 형성하였다. 여기서, 조사량은 400 mJ/cm2로 하였다. 이 때, 후술하는 현상 처리에 의해 레지스트 조성물층이 잔존하는 부분은, 현상 처리에 의해 무기 분체 함유 수지층이 잔존하는 부분 위에 형성되도록 하였다.Subsequently, the resist composition layer formed in the above (6) was irradiated with an i-line (ultraviolet light having a wavelength of 365 nm) with an ultra-high pressure mercury lamp through an exposure mask (L / S = 200/600 µm stripe pattern). A latent image of a pattern was formed in the layer. Here, the irradiation amount was 400 mJ / cm 2 . At this time, the part in which the resist composition layer remains by the development process mentioned later was made to form on the part in which an inorganic powder containing resin layer remains by the development process.

(8) 레지스트 조성물층의 현상 공정(8) Development Process of Resist Composition Layer

레지스트 필름으로부터 지지 필름을 박리한 후, 노광 처리된 레지스트막에 대하여, 0.6 질량%의 탄산 나트륨 수용액(30 ℃)을 현상액으로 하는 샤워법에 의한 현상 처리를 30 초간에 걸쳐 행하고, 이에 의해 자외선이 조사되지 않은 미경화 레지스트막을 제거하여, 도전성 무기 분체 함유 수지층 상에 레지스트 패턴을 얻을 수 있었다. After peeling a support film from a resist film, the image development process by the shower method which makes 0.6 mass% aqueous sodium carbonate aqueous solution (30 degreeC) the developing solution is performed over 30 second with respect to the exposed resist film. The uncured resist film which was not irradiated was removed, and the resist pattern was obtained on the conductive inorganic powder containing resin layer.

(9) 현상ㆍ에칭 공정(9) Developing and etching process

상기 (8)의 레지스트막의 현상 공정에 연속하여, 도전성 무기 분체 함유 수지층 및 무기 분체 함유 수지층에 대하여 0.6 질량%의 탄산 나트륨 수용액(30 ℃)을 에칭액으로 하는 샤워법에 의한 에칭 처리를 90 초간에 걸쳐 행한 후, 계속해서 초순수에 의한 수세 처리 및 건조 처리를 행하였다. 이에 의해, 무기 분체 함유 수지층의 패턴과, 레지스트층 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지층/도전성 무기 분체 함유 수지층의 적층 패턴을 동시에 얻을 수 있었다. Subsequent to the developing step of the resist film of (8) above, the etching treatment by the shower method using 0.6 mass% of sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.) as an etching solution was performed with respect to the conductive inorganic powder-containing resin layer and the inorganic powder-containing resin layer. After performing over seconds, the water washing process and the drying process by ultrapure water were subsequently performed. Thereby, the laminated pattern of the inorganic powder containing resin layer and the inorganic powder containing resin layer / conductive inorganic powder containing resin layer corresponding to the resist layer pattern was obtained simultaneously.

(10) 소성 공정(10) firing process

무기 분체 함유 수지층의 패턴, 및 무기 분체 함유 수지층/도전성 무기 분체 함유 수지층의 적층 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로 내에서 590 ℃의 온도 분위기하에 30 분간에 걸쳐 소성 처리를 행하였다. 이에 의해, 레지스트 패턴, 무기 분체 함유 수지층 패턴 및 도전성 무기 분체 함유 수지층 중의 유기 성분을 제거하여, 유리 기판의 표면에 두께 2.5 ㎛의 무기 분체층 패턴(블랙 매트릭스), 및 두께2.5 ㎛의 무기 분체층 패턴/두께 9.0 ㎛의 도전성 무기 분체층 패턴(차광층/도전층)이 형성된 패널 재료를 얻을 수 있었다. The glass substrate in which the pattern of the inorganic powder containing resin layer and the laminated pattern of the inorganic powder containing resin layer / electroconductive inorganic powder containing resin layer were formed was baked in the baking furnace over 30 minutes in the temperature atmosphere of 590 degreeC. Thereby, the organic component in a resist pattern, an inorganic powder containing resin layer pattern, and an electroconductive inorganic powder containing resin layer is removed, and the inorganic powder layer pattern (black matrix) of 2.5 micrometers in thickness, and the inorganic 2.5 micrometers in thickness are formed on the surface of a glass substrate. The panel material in which the conductive inorganic powder layer pattern (light shielding layer / conductive layer) of powder layer pattern / thickness 9.0micrometer was formed was obtained.

본 발명에 따르면, 플라즈마 디스플레이 패널을 구성하는 블랙 매트릭스 및 전극의 형성에 있어서 제조 효율이 높고, 패터닝성이 우수한 플라즈마 디스플레이패널의 제조 방법 및 이것에 바람직하게 이용되는 조성물 및 전사 필름을 얻을 수 있다. According to the present invention, it is possible to obtain a method for producing a plasma display panel having high manufacturing efficiency and excellent patterning property in forming a black matrix and an electrode constituting the plasma display panel, and a composition and a transfer film which are preferably used for this.

도 1은 본 발명의 PDP의 제조 방법 (I)에서 블랙 매트릭스 및 전극을 형성하기 위한 일련의 공정을 나타내는 개략 단면도.1 is a schematic cross-sectional view showing a series of steps for forming a black matrix and an electrode in the method (I) for producing a PDP of the present invention.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명><Explanation of symbols for the main parts of the drawings>

10: 기판 10: Substrate

11: 무기 분체 함유 수지층 A11: Inorganic powder containing resin layer A

11a: 무기 분체 함유 수지층 A의 감광부(패턴 잠상부)11a: Photosensitive part (pattern latent image part) of inorganic powder containing resin layer A

11b: 무기 분체 함유 수지층 A의 비감광부11b: non-photosensitive part of inorganic powder containing resin layer A

11A: 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴11A: Pattern of Inorganic Powder-Containing Resin Layer A

12: 도전성 무기 분체 함유 수지층 B 12: conductive inorganic powder-containing resin layer B

12a: 도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 감광부(패턴 잠상부)12a: Photosensitive part (pattern latent image part) of conductive inorganic powder containing resin layer B

12b: 도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 비감광부12b: non-photosensitive portion of conductive inorganic powder-containing resin layer B

12A: 도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 패턴12A: Pattern of conductive inorganic powder-containing resin layer B

21: 블랙 매트릭스21: black matrix

22: 차광층 22: light shielding layer

23: 도전층23: conductive layer

24: 전극(차광층/도전층 적층체) 24: electrode (shielding layer / conductive layer laminate)

M: 노광 마스크 M: exposure mask

MA: 노광용 마스크 (M)의 광 투과부 MA: light transmitting part of the exposure mask M

MB: 노광용 마스크 (M)의 차광부 MB: Light shielding part of the exposure mask M

m: 노광 마스크 m: exposure mask

mA: 노광용 마스크 (m)의 광 투과부 mA: light transmitting portion of the exposure mask m

mB: 노광용 마스크 (m)의 차광부 mB: Light shielding part of exposure mask m

Claims (4)

(a) 구리, 철, 니켈로 이루어지는 군에서 선택되는 1종 이상의 금속을 포함하는 무기 분체, (b) 결합 수지, (c) 광 중합성 단량체 및 (d) 광 중합 개시제를 함유하는 무기 분체 함유 수지 조성물. (a) Inorganic powder containing at least one metal selected from the group consisting of copper, iron and nickel, (b) binding resin, (c) photopolymerizable monomer and inorganic powder containing (d) photopolymerization initiator Resin composition. 지지 필름 상에, 제1항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물을 포함하는 층이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전사 필름. On the support film, the layer containing the inorganic powder containing resin composition of Claim 1 is formed, The transfer film characterized by the above-mentioned. (i) 기판 상에, 제1항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물을 이용하여 무기 분체 함유 수지층 A를 형성하는 공정, (i) Process of forming inorganic powder containing resin layer A on the board | substrate using the inorganic powder containing resin composition of Claim 1, (ii) 상기 무기 분체 함유 수지층 A를 노광하여, 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴의 잠상을 형성하는 공정, (ii) exposing the inorganic powder-containing resin layer A to form a latent image of the pattern of the inorganic powder-containing resin layer A, (iii) 상기 무기 분체 함유 수지층 A 상에 감광성의 도전성 무기 분체 함유 수지층 B를 형성하는 공정, (iii) forming a photosensitive conductive inorganic powder-containing resin layer B on the inorganic powder-containing resin layer A, (iv) 상기 도전성 무기 분체 함유 수지층 B를 노광하여, 도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 패턴의 잠상을 형성하는 공정, (iv) exposing the conductive inorganic powder-containing resin layer B to form a latent image of the pattern of the conductive inorganic powder-containing resin layer B, (v) 무기 분체 함유 수지층 A 및 도전성 무기 분체 함유 수지층 B를 현상하여, 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴 및 무기 분체 함유 수지층 A/도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 적층 패턴을 동시에 형성하는 공정, (v) The inorganic powder-containing resin layer A and the conductive inorganic powder-containing resin layer B are developed to simultaneously form a pattern of the inorganic powder-containing resin layer A and a lamination pattern of the inorganic powder-containing resin layer A / conductive inorganic powder-containing resin layer B. Process, (vi) 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴 및 무기 분체 함유 수지층 A/도전성 무기 분체 함유 수지층 B의 적층 패턴을 소성하는 공정을 포함하는 방법에 의해, 블랙 매트릭스와 전극을 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. (vi) forming a black matrix and an electrode simultaneously by a method comprising the step of firing the pattern of the inorganic powder-containing resin layer A and the lamination pattern of the inorganic powder-containing resin layer A / the conductive inorganic powder-containing resin layer B. The manufacturing method of the plasma display panel. (vii) 기판 상에, 제1항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물을 이용하여 무기 분체 함유 수지층 A를 형성하는 공정, (vii) forming an inorganic powder-containing resin layer A on the substrate by using the inorganic powder-containing resin composition according to claim 1, (viii) 상기 무기 분체 함유 수지층 A를 노광하여, 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴의 잠상을 형성하는 공정, (viii) exposing the inorganic powder-containing resin layer A to form a latent image of the pattern of the inorganic powder-containing resin layer A, (ix) 상기 무기 분체 함유 수지층 A 상에 비감광성의 도전성 무기 분체 함유 수지층 C를 형성하고, 상기 도전성 무기 분체 함유 수지층 C 상에 레지스트층을 형성하는 공정, (ix) process of forming non-photosensitive electroconductive inorganic powder containing resin layer C on said inorganic powder containing resin layer A, and forming a resist layer on said electroconductive inorganic powder containing resin layer C, (x) 레지스트층을 노광ㆍ현상 처리하고, 레지스트층의 패턴을 도전성 무기 분체 함유 수지층 C 상에 형성하는 공정, (x) exposing and developing the resist layer and forming a pattern of the resist layer on the conductive inorganic powder-containing resin layer C, (xi) 무기 분체 함유 수지층 A의 현상 처리 및 도전성 무기 분체 함유 수지층 C의 에칭 처리를 행하여, 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴과, 레지스트층 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지층 A/도전성 무기 분체 함유 수지층 C의 적층 패턴을 동시에 형성하는 공정, (xi) The development process of the inorganic powder containing resin layer A and the etching process of the electroconductive inorganic powder containing resin layer C are performed, and the inorganic powder containing resin layer A / electroconductivity corresponding to the pattern of the inorganic powder containing resin layer A, and the resist layer pattern is performed. Simultaneously forming a laminated pattern of the inorganic powder-containing resin layer C, (xii) 무기 분체 함유 수지층 A의 패턴 및 무기 분체 함유 수지층 A/도전성 무기 분체 함유 수지층 C의 적층 패턴을 소성하는 공정을 포함하는 방법에 의해, 블랙 매트릭스와 전극을 동시에 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. (xii) simultaneously forming a black matrix and an electrode by a method comprising the step of firing the pattern of the inorganic powder-containing resin layer A and the lamination pattern of the inorganic powder-containing resin layer A / the conductive inorganic powder-containing resin layer C. The manufacturing method of the plasma display panel.
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