KR20060051015A - Inorganic powder-containing resin composition, transfer film, and process for producing plasma display panel - Google Patents

Inorganic powder-containing resin composition, transfer film, and process for producing plasma display panel Download PDF

Info

Publication number
KR20060051015A
KR20060051015A KR1020050082082A KR20050082082A KR20060051015A KR 20060051015 A KR20060051015 A KR 20060051015A KR 1020050082082 A KR1020050082082 A KR 1020050082082A KR 20050082082 A KR20050082082 A KR 20050082082A KR 20060051015 A KR20060051015 A KR 20060051015A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
inorganic powder
containing resin
layer
resist
pattern
Prior art date
Application number
KR1020050082082A
Other languages
Korean (ko)
Inventor
다까히로 사까이
Original Assignee
제이에스알 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 제이에스알 가부시끼가이샤 filed Critical 제이에스알 가부시끼가이샤
Publication of KR20060051015A publication Critical patent/KR20060051015A/en

Links

Images

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08LCOMPOSITIONS OF MACROMOLECULAR COMPOUNDS
    • C08L33/00Compositions of homopolymers or copolymers of compounds having one or more unsaturated aliphatic radicals, each having only one carbon-to-carbon double bond, and only one being terminated by only one carboxyl radical, or of salts, anhydrides, esters, amides, imides or nitriles thereof; Compositions of derivatives of such polymers
    • C08L33/04Homopolymers or copolymers of esters
    • C08L33/06Homopolymers or copolymers of esters of esters containing only carbon, hydrogen and oxygen, which oxygen atoms are present only as part of the carboxyl radical
    • C08L33/08Homopolymers or copolymers of acrylic acid esters
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/01Use of inorganic substances as compounding ingredients characterized by their specific function
    • C08K3/013Fillers, pigments or reinforcing additives
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08KUse of inorganic or non-macromolecular organic substances as compounding ingredients
    • C08K3/00Use of inorganic substances as compounding ingredients
    • C08K3/18Oxygen-containing compounds, e.g. metal carbonyls
    • C08K3/24Acids; Salts thereof
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/16Coating processes; Apparatus therefor
    • G03F7/161Coating processes; Apparatus therefor using a previously coated surface, e.g. by stamping or by transfer lamination
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01JELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J11/00Gas-filled discharge tubes with alternating current induction of the discharge, e.g. alternating current plasma display panels [AC-PDP]; Gas-filled discharge tubes without any main electrode inside the vessel; Gas-filled discharge tubes with at least one main electrode outside the vessel
    • H01J11/20Constructional details
    • H01J11/34Vessels, containers or parts thereof, e.g. substrates
    • H01J11/44Optical arrangements or shielding arrangements, e.g. filters, black matrices, light reflecting means or electromagnetic shielding means

Abstract

패턴 형상이 우수한 PDP의 구성 요소(예를 들면, 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터, 블랙 매트릭스)를 바람직하게 형성할 수 있는 무기 분체 함유 수지 조성물을 제공한다. 작업성이 우수하고, 패턴 형상이 우수한 PDP의 구성 요소를 형성할 수 있는 전사 필름 및 PDP의 제조 방법을 제공하는 것에 있다. Provided is an inorganic powder-containing resin composition which can preferably form components (for example, dielectric layers, barrier ribs, electrodes, resistors, phosphors, color filters, and black matrices) of a PDP having an excellent pattern shape. It is providing the transfer film and the manufacturing method of PDP which can form the component of PDP which is excellent in workability and excellent in pattern shape.

본 발명은 (a) 무기 분체, (b) 결착 수지 및 (c) 산가가 30 mgKOH/g 이상인 저분자 화합물을 함유하고, JIS K 5601-2-1의 방법에 의해 측정한 산가가 8 내지 100 mgKOH/g인 것을 특징으로 하는 무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 PDP의 제조 방법을 제공한다. The present invention contains (a) an inorganic powder, (b) a binder resin, and (c) a low molecular weight compound having an acid value of 30 mgKOH / g or more, and an acid value of 8 to 100 mgKOH measured by the method of JIS K 5601-2-1. It provides the inorganic powder containing resin composition, the transfer film, and the manufacturing method of PDP which are / g.

무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름, 플라즈마 디스플레이 패널, 패턴 형상, 결착 수지, 산가, 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터, 블랙 매트릭스 Inorganic powder-containing resin composition, transfer film, plasma display panel, pattern shape, binder resin, acid value, dielectric layer, partition, electrode, resistor, phosphor, color filter, black matrix

Description

무기 분체 함유 수지 조성물, 전사 필름 및 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법{Inorganic Powder-Containing Resin Composition, Transfer Film, And Process for Producing Plasma Display Panel}Production method of inorganic powder-containing resin composition, transfer film and plasma display panel {Inorganic Powder-Containing Resin Composition, Transfer Film, And Process for Producing Plasma Display Panel}

도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 단면 형상을 나타내는 모식도이다. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC plasma display panel.

<도면의 주요 부분에 대한 부호의 간단한 설명><Brief description of symbols for the main parts of the drawings>

1, 2 유리 기판1, 2 glass substrate

3 격벽3 bulkhead

4 투명 전극4 transparent electrodes

5 버스(bus) 전극5 bus electrode

6 어드레스 전극6 address electrode

7 형광 물질7 fluorescent material

8, 9 유전체층8, 9 dielectric layers

10 보호층10 protective layer

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 (평)11-162339호 공보[Patent Document 1] Japanese Unexamined Patent Publication No. Hei 11-162339

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 제2001-84833호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2001-84833

[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 제2002-245932호 공보[Patent Document 3] Japanese Unexamined Patent Publication No. 2002-245932

[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 제2003-51250호 공보[Patent Document 4] Japanese Patent Application Laid-Open No. 2003-51250

본 발명은 무기 분체 함유 수지 조성물 및 그것을 사용하여 얻어지는 전사 필름에 관한 것이다. 구체적으로는, 플라즈마 디스플레이 패널을 구성하는 패널 재료의 형성에 바람직한 무기 분체 함유 수지 조성물 및 전사 필름에 관한 것이다. The present invention relates to an inorganic powder-containing resin composition and a transfer film obtained by using the same. Specifically, it is related with the inorganic powder containing resin composition and transfer film which are suitable for formation of the panel material which comprises a plasma display panel.

최근, 평판상의 형광 표시체로서 플라즈마 디스플레이가 주목받고 있다. 도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널(이하, "PDP"라고도 함)의 단면 형상을 나타내는 모식도이다. 상기 도면에서, (1) 및 (2)는 대항 배치된 유리 기판이고, (3)은 격벽이고, 유리 기판 (1), 유리 기판 (2) 및 격벽 (3)에 의해 셀이 구획 형성되어 있다. (4)는 유리 기판 (1)에 고정된 투명 전극, (5)는 투명 전극 (4)의 저항을 낮출 목적으로 해당 투명 전극 (4)상에 형성된 버스 전극, (6)은 유리 기판 (2)에 고정된 어드레스 전극, (7)은 셀내에 유지된 형광 물질, (8)은 투명 전극 (4) 및 버스 전극 (5)를 피복하도록 유리 기판 (1)의 표면에 형성된 유전체층, (9)는 어드레스 전극 (6)을 피복하도록 유리 기판 (2)의 표면에 형성된 유전체층, (10)은 예를 들면 산화마그네슘으로 이루어지는 보호막이다. 또한, 컬러 PDP에서는 콘트라스트가 높은 화상을 얻기 위해 유리 기판과 유전체층 사이에 컬러 필터(적색·녹색·청색)나 블랙 매트릭스 등을 설치하는 경우가 있다. In recent years, a plasma display attracts attention as a flat fluorescent display. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC plasma display panel (hereinafter also referred to as "PDP"). In the figure, (1) and (2) are oppositely arranged glass substrates, (3) are partition walls, and cells are partitioned by the glass substrate 1, glass substrate 2, and partition walls 3. . (4) is a transparent electrode fixed to the glass substrate (1), (5) is a bus electrode formed on the transparent electrode (4) for the purpose of lowering the resistance of the transparent electrode (4), (6) is a glass substrate (2) (7) is a fluorescent material held in the cell, (8) a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate (1) to cover the transparent electrode (4) and the bus electrode (5), (9) Denotes a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 2 so as to cover the address electrode 6, and 10 is a protective film made of, for example, magnesium oxide. In addition, in a color PDP, a color filter (red, green, blue), a black matrix, or the like may be provided between the glass substrate and the dielectric layer in order to obtain a high contrast image.

이러한 PDP의 유전체층, 격벽, 전극, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 스트라이프(매트릭스) 등의 제조 방법으로는, 감광성 무기 입자 함유 수지층을 기판상에 형성하고, 이 막에 포토마스크를 개재하여 자외선을 조사하는 방법이나 레이저광을 주사하여 직접 묘화하는 방법 등으로 노광한 후에 현상함으로써 기판상에 패턴을 잔존시키고, 이것을 소성하는 포토리소그래피법 등이 바람직하게 사용되고 있다. In such a method of manufacturing a PDP dielectric layer, barrier rib, electrode, phosphor, color filter, and black stripe (matrix), a photosensitive inorganic particle-containing resin layer is formed on a substrate, and the film is irradiated with ultraviolet rays through a photomask. The photolithography method is preferably used, in which a pattern is left on a substrate by developing after exposure by exposure to a method such as a scanning method, a method of scanning a laser beam, and drawing directly.

알칼리 현상액을 사용한 포토리소그래피법에서, 수지의 산가를 조절함으로써 현상액에 대한 용해성을 조절하여 패턴 형상의 최적화가 행해져 왔다. 그러나, 페이스트의 분산 안정성을 만족시키기 위해 산성기를 가진 분산제를 첨가할 필요가 발생하고, 이 분산제의 영향에 의해, 수지의 산가를 조절하는 것만으로는 막의 용해성이 적절한 범위로부터 벗어나, 얻어지는 패턴의 형상이 불량해진다는 문제가 발생한다.In the photolithography method using an alkaline developer, the pattern shape has been optimized by adjusting the solubility in the developer by adjusting the acid value of the resin. However, it is necessary to add a dispersant having an acidic group in order to satisfy the dispersion stability of the paste, and by the influence of this dispersant, only by adjusting the acid value of the resin, the solubility of the film deviates from an appropriate range and the shape of the pattern obtained This problem arises.

본 발명은 이상과 같은 사정을 기초로 하여 이루어진 것이다. This invention is made | formed based on the above circumstances.

본 발명의 제1 목적은, 무기 분체 함유 수지층의 산가를 조절함으로써, 무기 분체 함유 수지층의 현상액에 대한 용해성을 제어하여 패턴 형상이 우수한 PDP의 구성 요소(예를 들면, 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터, 블랙 매트릭스)를 바람직하게 형성할 수 있는 무기 분체 함유 수지 조성물을 제공하는 것에 있다. The first object of the present invention is to control the solubility of the inorganic powder-containing resin layer in the developing solution by adjusting the acid value of the inorganic powder-containing resin layer, so that the component of the PDP having excellent pattern shape (for example, dielectric layer, partition, electrode, etc.) And an inorganic powder-containing resin composition capable of preferably forming a resistor, a phosphor, a color filter, and a black matrix).

본 발명의 제2 목적은, 작업성이 우수하고, 패턴 형상이 우수한 PDP의 구성 요소를 형성할 수 있는 전사 필름을 제공하는 것에 있다. The 2nd object of this invention is to provide the transfer film which can form the component of PDP which is excellent in workability and excellent in pattern shape.

본 발명의 제3 목적은, 작업성이 우수하고, 패턴 형상이 우수한 PDP의 구성 요소를 형성할 수 있는 PDP의 제조 방법을 제공하는 것에 있다. A third object of the present invention is to provide a method for producing a PDP that can form a component of the PDP that is excellent in workability and excellent in pattern shape.

본 발명의 또 다른 목적은, 하기 설명으로 명백해질 것이다. Another object of the present invention will become apparent from the following description.

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물(이하, 간단히 "본 발명의 조성물"이라고도 함)은, (a) 무기 분체, (b) 결착 수지 및 (c) 산가가 30 mgKOH/g 이상인 저분자 화합물(이하, "산성 화합물"이라고도 함)을 함유하고, JIS K 5601-2-1의 방법에 의해 측정한 산가가 8 내지 100 mgKOH/g인 것을 특징으로 한다. The inorganic powder-containing resin composition of the present invention (hereinafter, also simply referred to as "composition of the present invention") is a low molecular compound (hereinafter, referred to as "a) inorganic powder, (b) binder resin, and (c) acid value of 30 mgKOH / g or more (hereinafter, And "acid compound", and the acid value measured by the method of JIS K 5601-2-1 is 8 to 100 mgKOH / g.

본 발명의 제1 전사 필름(이하, "전사 필름 I"라고도 함)은, 지지 필름상에 (a) 무기 분체, (b) 결착 수지 및 (c) 산가가 30 mgKOH/g 이상인 저분자 화합물을 함유하고, JIS K 5601-2-1의 방법에 의해 측정한 산가가 8 내지 100 mgKOH/g인 무기 분체 함유 수지층을 갖는 것을 특징으로 한다. The first transfer film of the present invention (hereinafter also referred to as "transfer film I") contains (a) inorganic powder, (b) binder resin, and (c) low molecular weight compound having an acid value of 30 mgKOH / g or more on a supporting film. And it has an inorganic powder containing resin layer whose acid value measured by the method of JISK5601-2-1 is 8-100 mgKOH / g. It is characterized by the above-mentioned.

본 발명의 제2 전사 필름(이하, "전사 필름 II"라고도 함)은, 지지 필름상에 (A) 레지스트층, 및 (B) (a) 무기 분체, (b) 결착 수지 및 (c) 산가가 30 mgKOH/g 이상인 저분자 화합물을 함유하고, JIS K 5601-2-1의 방법에 의해 측정한 산가가 8 내지 100 mgKOH/g인 무기 분체 함유 수지층을 적층하여 형성되는 것을 특징으로 한다. The second transfer film (hereinafter, also referred to as "transfer film II") of the present invention is a (A) resist layer and (B) (a) inorganic powder, (b) binder resin, and (c) acid value on a supporting film. It is characterized by containing the low molecular weight compound which is 30 mgKOH / g or more, and is formed by laminating the inorganic powder containing resin layer whose acid value measured by the method of JISK5601-2-1 is 8-100 mgKOH / g.

본 발명의 제1 PDP의 제조 방법(이하, "PDP의 제조 방법 I"라고도 함)은, 기판상에 본 발명의 조성물로부터 얻어지는 층을 형성하고, 이 층상에 레지스트층을 형성하고, 이 레지스트층을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성한 후, 이 레지스트층을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키고, 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성하고, 이 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 무기 패턴을 갖는 패널 재료를 형성하는 것을 특징으로 한다. The manufacturing method of the 1st PDP of this invention (henceforth "the manufacturing method I of PDP") forms the layer obtained from the composition of this invention on a board | substrate, forms a resist layer on this layer, and this resist layer After exposing the resist pattern to form a latent image of the resist pattern, the resist layer was developed to present the resist pattern, and the inorganic powder-containing resin layer was etched to form a pattern of the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern. And it forms a panel material which has an inorganic pattern by the method including the process of baking this pattern.

본 발명의 제2 PDP의 제조 방법(이하, "PDP의 제조 방법 II"라고도 함)은, 기판상에 본 발명의 조성물로부터 얻어지는 층과 레지스트층의 적층막을 형성하고, 이 레지스트층을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성한 후, 이 레지스트층을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키고, 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성하고, 이 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 무기 패턴을 갖는 패널 재료를 형성하는 것을 특징으로 한다. The method for producing a second PDP of the present invention (hereinafter also referred to as "manufacturing method II of PDP") forms a laminated film of a layer and a resist layer obtained from the composition of the present invention on a substrate, and exposes the resist layer by After forming the latent image of the resist pattern, the resist layer is developed to present the resist pattern, and the inorganic powder-containing resin layer is etched to form a pattern of the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern. It is characterized by forming a panel material having an inorganic pattern by a method including a step of firing.

<발명을 실시하기 위한 최선의 형태>Best Mode for Carrying Out the Invention

이하, 본 발명에 대해서 상세히 설명한다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, this invention is demonstrated in detail.

<무기 분체 함유 수지 조성물> <Inorganic powder containing resin composition>

본 발명의 조성물은 JIS K 5601-2-1의 방법에 의해 측정한 산가가 8 내지 100 mgKOH/g이고, 바람직하게는 10 내지 95 mgKOH/g이며, 특히 바람직하게는 12 내지 90 mgKOH/g이다. The composition of the present invention has an acid value of 8 to 100 mgKOH / g, preferably 10 to 95 mgKOH / g, particularly preferably 12 to 90 mgKOH / g, as measured by the method of JIS K 5601-2-1. .

조성물의 산가의 값이 8 mgKOH/g보다 작으면, 패턴을 형성할 때에 에칭액에 대한 용해성이 부족하고, 현상에 시간이 걸려 작업 처리량이 악화된다는 문제가 발생하는 경향이 있다. 또한, 현상 시간이 길어짐으로써, 미노광부가 완전히 용해되 기 전에 노광부가 팽윤하여 기판과의 밀착성이 약해지고, 패턴이 기판으로부터 박리되어 버리는 경우가 있다. 또한, 산가의 값이 100 mgKOH/g을 초과하면, 패턴의 가로에서부터 에칭이 심하게 되어, 패턴 상면의 폭이 좁고, 패턴 저면의 폭이 넓어진다. 그 결과, 양호한 형상의 패턴이 얻어지지 않게 된다는 문제가 발생하는 경향이 있다. When the value of the acid value of the composition is less than 8 mgKOH / g, there is a tendency that problems such as poor solubility in the etching solution when forming the pattern, deterioration in work throughput due to developing time. In addition, as the developing time becomes longer, the exposed portion swells before the unexposed portion is completely dissolved, and thus the adhesion to the substrate is weakened, and the pattern may be peeled off from the substrate. In addition, when the value of the acid value exceeds 100 mgKOH / g, etching becomes severe from the width of the pattern, the width of the pattern upper surface is narrow, and the width of the pattern bottom surface is widened. As a result, there exists a tendency to generate | occur | produce the problem that the pattern of a favorable shape cannot be obtained.

또한, 본 발명에서의 산가의 구체적인 측정 방법은 하기와 같다. In addition, the specific measuring method of the acid value in this invention is as follows.

1. 무기 분체 함유 페이스트를 바 코터 등에 의해 페트 필름상에 박막상으로 형성하고, 그 막을 100 ℃에서 5 분간 건조시킴으로써 유기 용제를 제거한다. (전사 필름의 경우에는 이 공정이 불필요해짐)1. An inorganic powder-containing paste is formed into a thin film on a PET film by a bar coater or the like, and the organic solvent is removed by drying the film at 100 ° C. for 5 minutes. (This process becomes unnecessary in the case of transfer film)

2. 얻어진 박막(전사 필름의 경우는 무기 분체 함유 수지층)의 소정량을 2-부타논에 용해시킨다. 2. The predetermined amount of the obtained thin film (in the case of a transfer film, an inorganic powder containing resin layer) is dissolved in 2-butanone.

3. 원심 분리에 의해 무기 분체를 침강시키고, 경사 분리(decantation)에 의해 상청액을 채취한다. 3. The inorganic powder is allowed to settle by centrifugation, and the supernatant is collected by decantation.

4. 페놀프탈레인 용액을 첨가한 후, 0.1 규정의 수산화칼륨(에탄올 용액)을 사용하여 적정함으로써 산가를 구한다. 4. After adding phenolphthalein solution, the acid value is calculated | required by titration using 0.1 hydroxide of potassium hydroxide (ethanol solution).

또한, 본 발명의 조성물을 사용하여 본 발명의 전사 필름을 제조한 경우, 이 전사 필름에서의 무기 분체 함유 수지층의 산가는 본 발명의 조성물의 산가로 변하지 않는 값을 나타낸다. In addition, when manufacturing the transfer film of this invention using the composition of this invention, the acid value of the inorganic powder containing resin layer in this transfer film shows the value which does not change with the acid value of the composition of this invention.

(a) 무기 분체(a) inorganic powder

본 발명의 조성물을 구성하는 무기 분체를 구성하는 무기 물질로는 특별히 한정되는 것은 아니고, 해당 조성물에 의해 형성되는 소결체의 용도(PDP의 구성 요소의 종류)에 따라 적절하게 선택할 수 있다. It does not specifically limit as an inorganic substance which comprises the inorganic powder which comprises the composition of this invention, It can select suitably according to the use (type of component of PDP) of the sintered compact formed with this composition.

여기서, PDP를 구성하는 "유전체층" 및 "격벽"을 형성하기 위해 조성물에 함유되는 무기 분체에 대해서는, 연화점이 350 내지 700 ℃(바람직하게는 400 내지 620 ℃)의 범위내에 있는 유리 분말을 들 수 있다. 유리 분말의 연화점이 400 ℃ 미만인 경우에는, 해당 조성물에 의한 막 형성 재료층의 소성 공정에서, 유기 물질이 완전히 분해 제거되지 않는 단계에서 유리 분말이 용융되어 버리기 때문에, 형성되는 유리 소결체 중에 유기 물질의 일부가 잔류하고, 이 결과 얻어지는 격벽(유리 소결체)이 착색되어 광투과율이 저하하는 경향이 있다. 한편, 유리 분말의 연화점이 620 ℃를 초과하는 경우에는, 620 ℃보다 고온에서 소성할 필요가 있기 때문에, 유리 기판에 왜곡 등이 발생하기 쉽다. 또한, 유리 분말의 열 팽창 계수(α 300)는 기초 유리 기판의 열 팽창 계수와 동일하게 하는 것이 바람직하다. 기초 유리 기판의 열 팽창 계수와 유리 분말의 열 팽창 계수를 동일하게 함으로써, 소성시에 기판과 패턴 사이에서의 왜곡에 의한 기판의 휘어짐이나 깨짐 등의 결점을 회피할 수 있다. 구체적으로는, 유리 분말의 열 팽창 계수는 60×10-7 내지 100×10-7/℃인 것이 바람직하다. Here, about the inorganic powder contained in a composition for forming the "dielectric layer" and "binder" which comprise a PDP, the glass powder which has a softening point in the range of 350-700 degreeC (preferably 400-620 degreeC) is mentioned. have. In the case where the softening point of the glass powder is less than 400 ° C, the glass powder melts in a step in which the organic material is not completely decomposed and removed in the firing step of the film-forming material layer by the composition. A part remains and the partition (glass sintered compact) obtained as a result of this is colored, and light transmittance tends to fall. On the other hand, when the softening point of glass powder exceeds 620 degreeC, since baking needs to be carried out at high temperature rather than 620 degreeC, distortion etc. are easy to generate | occur | produce in a glass substrate. In addition, it is preferable to make the thermal expansion coefficient (alpha 300) of glass powder the same as the thermal expansion coefficient of a base glass substrate. By making the thermal expansion coefficient of a base glass substrate the same as the thermal expansion coefficient of a glass powder, the defects, such as the curvature of a board | substrate and the crack by the distortion between a board | substrate and a pattern at the time of baking, can be avoided. Specifically, the thermal expansion coefficient of the glass powder is preferably 60 × 10 −7 to 100 × 10 −7 / ° C.

바람직한 유리 분말의 구체예로는, I. 산화납, 산화붕소, 산화규소(PbO-B2O3-SiO2계)의 혼합물, II. 산화아연, 산화붕소, 산화규소(ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합 물, III. 산화납, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄(PbO-B2O3-SiO2-Al2O3계)의 혼합물, IV. 산화납, 산화아연, 산화붕소, 산화규소(PbO-ZnO-B2O3-SiO2계)의 혼합물 등을 예시할 수 있다. Specific examples of preferred glass powders include I. mixtures of lead oxide, boron oxide and silicon oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 system), II. A mixture of zinc oxide, boron oxide and silicon oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 type ), III. A mixture of lead oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 system), IV. And a mixture of lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 type ), and the like.

이들 유리 분말은, 유전체나 격벽 이외의 구성 요소(예를 들면 전극·저항체·형광체·컬러 필터·블랙 매트릭스)를 형성하기 위한 조성물 중에 함유(병용)될 수 있다. 이들 구성 요소를 얻기 위한 무기 분체 함유 수지 조성물에서의 유리 분말의 함유량은, 무기 분체 전체량에 대하여 통상 90 질량% 이하, 바람직하게는 1 내지 90 질량%이다. These glass powders can be contained (combined) in the composition for forming components (for example, an electrode, a resistor, a fluorescent substance, a color filter, and a black matrix) other than a dielectric and a partition. Content of the glass powder in the inorganic powder containing resin composition for obtaining these components is 90 mass% or less normally with respect to inorganic powder whole quantity, Preferably it is 1-90 mass%.

PDP를 구성하는 "전극"을 형성하기 위해 조성물에 함유되는 무기 분체로는, Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd 합금, Cu 및 Cr 등을 포함하는 금속 입자를 들 수 있다. As inorganic powder contained in a composition for forming the "electrode" which comprises a PDP, metal particle containing Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd alloy, Cu, Cr, etc. is mentioned.

PDP를 구성하는 "저항체"를 형성하기 위한 조성물에 함유되는 무기 분체로는, Ru02 등을 포함하는 입자를 들 수 있다. The inorganic powders contained in the composition for forming a "resistor" constituting a PDP, there may be mentioned the particles containing Ru0 2 and the like.

PDP를 구성하는 "형광체"를 형성하기 위해 조성물에 함유되는 무기 분체로는, Y2O3:Eu3 +, Y2SiO5:Eu3 +, Y3Al5O12:Eu3 +, YVO4:Eu3 +, (Y,Gd)BO3:Eu3 +, Zn3(PO4)2:Mn 등의 적색용 형광 물질; Zn2Si04:Mn, BaAl12O19:Mn, BaMgAl14O23:Mn, LaPO4:(Ce,Tb), Y3(Al,Ga)5O12:Tb 등의 녹색용 형광 물질; Y2SiO5:Ce, BaMgAl10O17:Eu2 +, BaMgAl14O23:Eu2+, (Ca,Sr,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu2 +, (Zn,Cd)S:Ag 등의 청색용 형광 물질 등 을 포함하는 입자를 들 수 있다. The inorganic powders contained in the composition for forming a "fluorescent material" constituting a PDP are, Y 2 O 3: Eu 3 +, Y 2 SiO 5: Eu 3 +, Y 3 Al 5 O 12: Eu 3 +, YVO 4: Eu 3 +, (Y , Gd) BO 3: Eu 3 +, Zn 3 (PO 4) 2: a fluorescent material for red, such as Mn; Green fluorescent materials such as Zn 2 Si0 4 : Mn, BaAl 12 O 19 : Mn, BaMgAl 14 O 23 : Mn, LaPO 4 : (Ce, Tb), Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Tb; Y 2 SiO 5: Ce, BaMgAl 10 O 17: Eu 2 +, BaMgAl 14 O 23: Eu 2+, (Ca, Sr, Ba) 10 (PO 4) 6 Cl 2: Eu 2 +, (Zn, Cd) Particles containing blue fluorescent substances, such as S: Ag, etc. are mentioned.

PDP를 구성하는 "컬러 필터"를 형성하기 위해 조성물에 함유되는 무기 분체로는, Fe2O3, Pb3O4 등의 적색용 물질, Cr2O3 등의 녹색용 물질, 2(Al2Na2Si3O10)·Na2S4 등의 청색용 물질 등을 포함하는 입자를 들 수 있다. Examples of the inorganic powder contained in the composition for forming the "color filter" constituting the PDP include a red substance such as Fe 2 O 3 and Pb 3 O 4 , a green substance such as Cr 2 O 3 , and 2 (Al 2). Na 2 Si 3 O 10) · Na 2 may be a particle, or the like material for the blue color, such as s 4.

PDP를 구성하는 "블랙 매트릭스(스트라이프)"를 형성하기 위해 조성물에 함유되는 무기 분체로는, Mn, Fe, Cr, Co, Ni 등을 포함하는 입자 및 이들 산화물을 들 수 있다. As inorganic powder contained in a composition for forming the "black matrix (stripe) which comprises a PDP, the particle | grains containing Mn, Fe, Cr, Co, Ni, etc., and these oxides are mentioned.

(b) 결착 수지(b) binder resin

본 발명의 조성물을 구성하는 결착 수지로는, 카르복실기를 함유하는 아크릴수지가 바람직하다. 구체적으로는, 하기의 단량체 (가)와 단량체 (다)와의 공중합체, 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체 등을 들 수 있다. As binder resin which comprises the composition of this invention, the acrylic resin containing a carboxyl group is preferable. Specifically, the copolymer of the following monomer (A) and monomer (C), the monomer (A), the monomer (B), the copolymer of monomer (C), etc. are mentioned.

단량체 (가): 카르복실기 함유 단량체류Monomer (A): Carboxyl group-containing monomers

아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 신남산, 숙신산 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), ω-카르복시-폴리카프롤락톤 모노(메트)아크릴레이트 등. Acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, succinic acid mono (2- (meth) acryloyloxyethyl), ω-carboxy-polycaprolactone Mono (meth) acrylates and the like.

단량체 (나): OH 함유 단량체류Monomer (B): OH-containing monomers

(메트)아크릴산 2-히드록시에틸, (메트)아크릴산 2-히드록시프로필, (메트)아크릴산 3-히드록시프로필 등의 수산기 함유 단량체류; o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌 등의 페놀성 수산기 함유 단량체류 등. Hydroxyl group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate; Phenolic hydroxyl group containing monomers, such as o-hydroxy styrene, m-hydroxy styrene, and p-hydroxy styrene.

단량체 (다): 그 밖의 공중합 가능한 단량체류Monomer (C): Other copolymerizable monomers

(메트)아크릴산메틸, (메트)아크릴산에틸, (메트)아크릴산 n-부틸, (메트)아크릴산 2-에틸헥실, (메트)아크릴산 n-라우릴, (메트)아크릴산벤질, (메트)아크릴산글리시딜, (메트)아크릴산디시클로펜타닐 등의 단량체 (가) 이외의 (메트)아크릴산 에스테르류; 메틸-α-(히드록시메틸)아크릴레이트, 에틸-α-(히드록시메틸)아크릴레이트, n-부틸-α-(히드록시메틸)아크릴레이트 등의 α-히드록시메틸기를 갖는 아크릴레이트; 스티렌, α-메틸스티렌 등의 방향족 비닐계 단량체류; 부타디엔, 이소프렌 등의 공액 디엔류; 폴리스티렌, 폴리(메트)아크릴산메틸, 폴리(메트)아크릴산에틸, 폴리(메트)아크릴산벤질 등의 중합체쇄의 한 쪽 말단에 (메트)아크릴로일기 등의 중합성 불포화기를 갖는 거대 단량체류 등. Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, n-lauryl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, and glycid (meth) acrylate (Meth) acrylic acid esters other than monomer (a), such as dill and dicyclopentanyl (meth) acrylate; Acrylates having α-hydroxymethyl groups such as methyl-α- (hydroxymethyl) acrylate, ethyl-α- (hydroxymethyl) acrylate and n-butyl-α- (hydroxymethyl) acrylate; Aromatic vinyl monomers such as styrene and α-methylstyrene; Conjugated dienes such as butadiene and isoprene; Macromonomers having polymerizable unsaturated groups such as (meth) acryloyl groups at one end of polymer chains such as polystyrene, methyl poly (meth) acrylate, poly (meth) acrylate, and benzyl poly (meth) acrylate.

상기 단량체 (가)와 단량체 (다)의 공중합체나, 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체는, 단량체 (가)로부터 유래하는 공중합 성분의 존재에 의해 알칼리 가용성을 갖게 된다. 그 중에서도 단량체 (가), 단량체 (나) 및 단량체 (다)의 공중합체는, 무기 분체의 분산 안정성이나 후술하는 에칭액(알칼리 현상액)에의 용해성의 관점에서 특히 바람직하다. The copolymer of the monomer (A) and the monomer (C), or the copolymer of the monomer (A), the monomer (B) and the monomer (C) has alkali solubility due to the presence of a copolymerization component derived from the monomer (A). Will have Especially, the copolymer of a monomer (A), a monomer (B), and a monomer (C) is especially preferable from a viewpoint of the dispersion stability of an inorganic powder, and the solubility to the etching liquid (alkali developing solution) mentioned later.

이 공중합체에서의 단량체 (가)로부터 유래하는 공중합 성분의 함유율은, 바람직하게는 5 내지 60 질량%, 특히 바람직하게는 10 내지 40 질량%이고, 단량체 (나)에 유래하는 공중합 성분의 함유율은, 바람직하게는 1 내지 50 질량%, 특히 바람직하게는 5 내지 30 질량%이다. The content rate of the copolymerization component derived from the monomer (a) in this copolymer becomes like this. Preferably it is 5-60 mass%, Especially preferably, it is 10-40 mass%, The content rate of the copolymerization component derived from a monomer (b) is , Preferably it is 1-50 mass%, Especially preferably, it is 5-30 mass%.

본 발명의 조성물에 사용되는 카르복실기 함유 수지로서 특히 바람직한 조성 으로는, 메타크릴산/메타크릴산 2-히드록시프로필/메타크릴산 n-부틸공중합체나, 메타크릴산/숙신산 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)/메타크릴산 2-히드록시프로필/메타크릴산 n-부틸 공중합체를 들 수 있다. As a particularly preferable composition as carboxyl group-containing resin used for the composition of this invention, methacrylic acid / methacrylic acid 2-hydroxypropyl / methacrylic acid n-butyl copolymer, methacrylic acid / succinic acid mono (2- ( (Meth) acryloyloxyethyl) / methacrylic acid 2-hydroxypropyl / methacrylic acid n-butyl copolymer is mentioned.

상기 카르복실기 함유 수지의 분자량으로는, 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(Mw)이 5,000 내지 5,000,000인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 10,000 내지 300,000이다. As molecular weight of the said carboxyl group-containing resin, it is preferable that the weight average molecular weights (Mw) of polystyrene conversion are 5,000-5,000,000, More preferably, it is 10,000-300,000.

또한, 상기 카르복실기 함유 수지의 유리 전이 온도(Tg)는 -20 ℃ 내지 60 ℃인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0 ℃ 내지 50 ℃이다. Tg가 60 ℃ 이상에서는, 전사 필름으로 만들었을 때 필름의 전사성이 악화된다. 또한, Tg가 -20 ℃ 이하에서는, 전사 필름의 점착성이 강해져 취급성이 저하된다. 또한, 소성시에 패턴이 용해되어 패턴의 직선성이 악화된다. Moreover, it is preferable that the glass transition temperature (Tg) of the said carboxyl group-containing resin is -20 degreeC-60 degreeC, More preferably, it is 0 degreeC-50 degreeC. If Tg is 60 degreeC or more, when it is made into a transfer film, the transfer property of a film will deteriorate. Moreover, when Tg is -20 degrees C or less, the adhesiveness of a transfer film will become strong and handleability will fall. In addition, the pattern dissolves during firing, and the linearity of the pattern deteriorates.

카르복실기 함유 수지의 산가는 100 내지 250 mgKOH/g인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 120 내지 200 mgKOH/g이다. It is preferable that the acid value of carboxyl group-containing resin is 100-250 mgKOH / g, More preferably, it is 120-200 mgKOH / g.

또한, 본 발명의 조성물에서의 결착 수지의 함유 비율로는, 무기 분체 100 질량부에 대하여 통상 1 내지 200 질량부이고, 바람직하게는 5 내지 150 질량부, 특히 바람직하게는 10 내지 125 질량부이다. Moreover, as content rate of the binder resin in the composition of this invention, it is 1-200 mass parts normally with respect to 100 mass parts of inorganic powder, Preferably it is 5-150 mass parts, Especially preferably, it is 10-125 mass parts. .

(c) 산성 화합물(c) acidic compounds

본 발명의 조성물을 구성하는 산성 화합물의 산가는 30 mgKOH/g 이상이고, 바람직하게는 30 내지 1500 mgKOH/g이다. 또한, 산성 화합물의 산가는 JIS K 5601-2-1의 방법에 의해 측정한 산가의 값이다. The acid value of the acidic compound which comprises the composition of this invention is 30 mgKOH / g or more, Preferably it is 30-1500 mgKOH / g. In addition, the acid value of an acidic compound is a value of the acid value measured by the method of JISK5601-2-1.

해당 산성 화합물로는 유기산 또는 무기산을 사용할 수 있으며, 유기산이 바람직하게 사용된다. 유기산으로는 지방산을 사용하는 것이 바람직하고, 특히 탄소수가 8 내지 30인 지방산을 사용하는 것이 바람직하다. 상기 지방산의 바람직한 구체예로는, 옥탄산, 운데실산, 라우르산, 미리스트산, 팔미트산, 펜타데칸산, 스테아르산, 아라킨산 등의 포화 지방산; 엘라이드산, 올레산, 리놀레산, 리놀렌산, 아라퀴돈산 등의 불포화 지방산을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. As the acidic compound, an organic acid or an inorganic acid can be used, and an organic acid is preferably used. It is preferable to use fatty acids as organic acid, and it is particularly preferable to use fatty acids having 8 to 30 carbon atoms. Preferable specific examples of the fatty acid include saturated fatty acids such as octanoic acid, undecyl acid, lauric acid, myristic acid, palmitic acid, pentadecanoic acid, stearic acid, and arachnic acid; Unsaturated fatty acids, such as elic acid, oleic acid, linoleic acid, linolenic acid, and arachidonic acid, are mentioned, These can be used individually or in combination of 2 or more types.

무기산으로는 질산, 황산, 염산, 붕산, 인산 등을 들 수 있다. Examples of the inorganic acid include nitric acid, sulfuric acid, hydrochloric acid, boric acid and phosphoric acid.

산성 화합물은, 통상 무기 분체의 분산제로서 사용되지만, 조성물의 산가를 조정하기 위해서 함유되는 것일 수도 있다. Although an acidic compound is normally used as a dispersing agent of an inorganic powder, it may be contained in order to adjust the acid value of a composition.

본 발명의 조성물에서의 산성 화합물의 함유 비율로는, 무기 분체 100 중량부에 대하여, 0.001 내지 15 중량부인 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.01 내지 10 중량부이다. As a content rate of the acidic compound in the composition of this invention, it is preferable that it is 0.001-15 weight part with respect to 100 weight part of inorganic powder, More preferably, it is 0.01-10 weight part.

(d) 가소제 (d) plasticizer

본 발명의 조성물에는, 가소제가 함유되어 있는 것이 바람직하다. 가소제를 함유함으로써, 전사 필름을 제조한 경우, 얻어진 전사 필름을 구부려도 무기 분체 함유 수지층의 표면에 미소한 균열(금이 가서 깨짐)이 발생하지 않으며, 상기 전사 필름은 유연성이 우수해지고, 이것을 롤상으로 권취하는 것도 용이하게 행할 수 있다. It is preferable that the plasticizer is contained in the composition of this invention. When the transfer film is produced by containing a plasticizer, even if the obtained transfer film is bent, minute cracks (cracking and cracking) do not occur on the surface of the inorganic powder-containing resin layer, and the transfer film has excellent flexibility, Winding in a roll shape can also be performed easily.

본 발명에 사용되는 가소제로는, 하기 화학식 1로 나타내어지는 화합물을 포 함하는 가소제가 바람직하다. 해당 화합물은, 열에 의해 쉽게 분해 제거되기 때문에, 소성 후에 형성된 구조물 중에 유기분이 잔존하는 경우는 없다. As a plasticizer used for this invention, the plasticizer containing the compound represented by following formula (1) is preferable. Since the compound is easily decomposed and removed by heat, the organic component does not remain in the structure formed after firing.

Figure 112005049472555-PAT00001
Figure 112005049472555-PAT00001

식 중, R1 및 R4는 각각 동일하거나 상이한 탄소수 1 내지 30의 알킬기를 나타내고, R2 및 R3은 각각 동일하거나 상이한 메틸렌기 또는 탄소수 2 내지 30의 알킬렌기를 나타내며, s는 0 내지 5의 수이고, t는 1 내지 10의 수이다. Wherein R 1 and R 4 each represent the same or different alkyl group having 1 to 30 carbon atoms, R 2 and R 3 each represent the same or different methylene group or an alkylene group having 2 to 30 carbon atoms, and s is 0 to 5 And t is a number from 1 to 10.

상기 화학식 1에서, R1 및 R4로 나타내어지는 알킬기 및 R2 및 R3으로 나타내어지는 알킬렌기는 직쇄상일 수도 분지상일 수도 있으며, 포화기일 수도 불포화기일 수도 있다. R1 및 R4로 나타내어지는 알킬기의 탄소수는 1 내지 30이고, 바람직하게는 2 내지 20, 더욱 바람직하게는 4 내지 10이다. 이 알킬기의 탄소수가 30을 초과하는 경우에는, 본 발명을 구성하는 용제에 대한 가소제의 용해성이 저하하여, 양호한 가요성이 얻어지지 않는 경우가 있다. 또한, t의 값은 바람직하게는 2 내지 6이다. In the general formula (1), the alkyl group represented by R 1 and R 4 and the alkylene group represented by R 2 and R 3 may be linear or branched, or may be saturated or unsaturated. Carbon number of the alkyl group represented by R <1> and R <4> is 1-30, Preferably it is 2-20, More preferably, it is 4-10. When carbon number of this alkyl group exceeds 30, the solubility of the plasticizer with respect to the solvent which comprises this invention may fall, and favorable flexibility may not be obtained. In addition, the value of t becomes like this. Preferably it is 2-6.

상기 화학식 1로 나타내어지는 화합물의 구체예로는, 디부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디-2-에틸헥실아디페이트, 디-2-에틸헥실아젤레이트, 디부틸세바케이트, 디부틸디글리콜아디페이트 등을 들 수 있다. Specific examples of the compound represented by the formula (1) include dibutyl adipate, diisobutyl adipate, di-2-ethylhexyl adipate, di-2-ethylhexyl azelate, dibutyl sebacate, dibutyl di Glycol adipate, and the like.

또한, 가소제로서 다관능성 (메트)아크릴레이트를 사용할 수도 있다.Moreover, polyfunctional (meth) acrylate can also be used as a plasticizer.

다관능성 (메트)아크릴레이트의 구체예로는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 양쪽 말단 히드록시폴리부타디엔, 양쪽 말단 히드록시폴리이소프렌, 양쪽 말단 히드록시폴리카프롤락톤 등의 양쪽 말단 히드록실화 중합체의 디(메트)아크릴레이트류; As a specific example of polyfunctional (meth) acrylate, Di (meth) acrylates of alkylene glycol, such as ethylene glycol and propylene glycol; Di (meth) acrylates of polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol; Di (meth) acrylates of both terminal hydroxylated polymers such as both terminal hydroxypolybutadiene, both terminal hydroxypolyisoprene and both terminal hydroxypolycaprolactone;

글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 트리메틸올알칸, 테트라메틸올알칸, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 등의 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 3가 이상의 다가 알코올의 폴리알킬렌글리콜 부가물의 폴리(메트)아크릴레이트류; 1,4-시클로헥산디올, 1,4-벤젠디올류 등의 환식 폴리올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 알키드 수지 (메트)아크릴레이트, 실리콘 수지(메트)아크릴레이트, 스피란 수지 (메트)아크릴레이트 등의 올리고(메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. Poly (meth) acrylates of trivalent or higher polyhydric alcohols such as glycerin, 1,2,4-butanetriol, trimethylolalkane, tetramethylolalkane, pentaerythritol, dipentaerythritol; Poly (meth) acrylates of polyalkylene glycol adducts of trivalent or higher polyhydric alcohols; Poly (meth) acrylates of cyclic polyols such as 1,4-cyclohexanediol and 1,4-benzenediols; Oligos, such as polyester (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, alkyd resin (meth) acrylate, silicone resin (meth) acrylate, and spiran resin (meth) acrylate ( And meth) acrylates. These may be used alone or in combination of two or more thereof.

이들 중에서, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 등이 특히 바람직하게 사용된다. 상기 다관능성 (메트)아크릴레이트의 분자량으로는 100 내지 2,000인 것이 바람직하다. Among them, trimethylolpropane triacrylate and the like are particularly preferably used. It is preferable that it is 100-2,000 as molecular weight of the said polyfunctional (meth) acrylate.

본 발명의 조성물에서의 가소제의 함유 비율로는, 무기 분체 100 질량부에 대하여 바람직하게는 5 내지 50 질량부이고, 특히 바람직하게는 10 내지 40 질량부이다. As a content rate of the plasticizer in the composition of this invention, Preferably it is 5-50 mass parts with respect to 100 mass parts of inorganic powder, Especially preferably, it is 10-40 mass parts.

(e) 용제(e) solvent

본 발명의 조성물에는, 통상 적당한 유동성 또는 가소성, 양호한 막 형성성을 부여하기 위해서 용제가 함유된다. 사용되는 용제로는 무기 분체와의 친화성, 결착 수지의 용해성이 양호하고, 조성물에 적절한 점성을 부여할 수 있음과 동시에, 건조됨으로써 쉽게 증발 제거할 수 있는 것이 바람직하다. The composition of the present invention usually contains a solvent in order to impart proper fluidity or plasticity and good film formability. As the solvent used, it is preferable that the affinity with the inorganic powder and the solubility of the binder resin are good, the proper viscosity can be imparted to the composition, and the evaporation can be easily removed by drying.

또한, 특히 바람직한 용제로서, 표준 비점(1 기압에서의 비점)이 100 내지 200 ℃인 케톤류, 알코올류 및 에스테르류(이하, 이들을 "특정 용제"라 함)를 들 수 있다. Moreover, as a especially preferable solvent, ketones, alcohols, and esters (hereinafter, these are referred to as "specific solvent") whose standard boiling point (boiling point at 1 atmosphere) are 100-200 degreeC.

이러한 특정 용제의 구체예로는, 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; n-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 시클로헥산올, 디아세톤 알코올 등의 알코올류; 에틸렌글리콜 모노메틸에테르, 에틸렌글리콜 모노에틸에테르, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 프로필렌글리콜 모노에틸에테르 등의 에테르계 알코올류; 아세트산-n-부틸, 아세트산아밀 등의 포화 지방족 모노카르복실산알킬에스테르류; 락트산에틸, 락트산-n-부틸 등의 락트산 에스테르류; 메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등의 에테르계 에스테르류 등을 예시할 수 있고, 이들 중에서 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤 알코올, 에틸렌글리콜 모노부틸에테르, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르, 락트산에틸, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등이 바람직하다. 이들 특정 용제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. As a specific example of such a specific solvent, Ketones, such as diethyl ketone, methyl butyl ketone, dipropyl ketone, cyclohexanone; alcohols such as n-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, cyclohexanol and diacetone alcohol; Ether alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether; Saturated aliphatic monocarboxylic acid alkyl esters such as acetic acid-n-butyl and amyl acetate; Lactic acid esters such as ethyl lactate and lactic acid-n-butyl; Ether esters such as methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and ethyl-3-ethoxypropionate; and the like, and methylbutyl ketone and cyclohexanone can be exemplified. And diacetone alcohol, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, propylene glycol monomethyl ether acetate, ethyl-3-ethoxypropionate, and the like. These specific solvents can be used individually or in combination of 2 or more types.

특정 용제 이외의 용제의 구체예로는, 테레빈유, 에틸셀로솔브, 메틸셀로솔브, 테르피놀, 부틸카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨, 이소프로필 알코올, 벤질 알코올 등을 들 수 있다. Specific examples of solvents other than specific solvents include terebin oil, ethyl cellosolve, methyl cellosolve, terpinol, butyl carbitol acetate, butyl carbitol, isopropyl alcohol, benzyl alcohol, and the like.

본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에서의 용제의 함유 비율로는, 양호한 막 형성성(유동성 또는 가소성)이 얻어지는 범위내에서 적절하게 선택할 수 있다. As a content rate of the solvent in the inorganic powder containing resin composition of this invention, it can select suitably within the range from which favorable film formation property (fluidity or plasticity) is obtained.

또한, 본 발명의 조성물에는 임의 성분으로서 분산제, 현상 촉진제, 접착 보조제, 헐레이션 방지제, 레벨링제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 증감제, 연쇄 이동제 등의 각종 첨가제가 함유되어도 좋다. In addition, the composition of the present invention may contain various additives such as a dispersant, a development accelerator, an adhesion aid, an antihalation agent, a leveling agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a sensitizer, and a chain transfer agent as optional components.

본 발명의 조성물은 상기 무기 분체, 결착 수지, 산성 화합물 및 용제와, 필요에 따라 가소제 및 상기 임의 성분을 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서, 볼밀, 비드밀 등의 혼련기를 사용하여 혼련함으로써 제조할 수 있다. The composition of the present invention can be prepared by kneading the inorganic powder, the binder resin, the acidic compound and the solvent, and, if necessary, the plasticizer and the optional component using a kneader such as a roll kneader, a mixer, a homo mixer, a ball mill, a bead mill, or the like. Can be.

상기한 바와 같이 하여 제조되는 본 발명의 조성물은, 도포에 적합한 유동성을 갖는 페이스트상의 조성물이고, 그 점도는 통상 100 내지 1,000,000 cp, 바람직하게는 500 내지 300,000 cp이다. The composition of the present invention produced as described above is a paste-like composition having fluidity suitable for application, and its viscosity is usually 100 to 1,000,000 cp, preferably 500 to 300,000 cp.

<전사 필름> <Transfer film>

본 발명의 전사 필름은 JIS K 5601-2-1의 방법에 의해 측정한 산가가 8 내지 100 mgKOH/g, 바람직하게는 10 내지 95 mgKOH/g, 특히 바람직하게는 12 내지 90 mgKOH/g인 무기 분체 함유 수지층을 갖는 것을 특징으로 한다. 산가가 상기 범위를 벗어난 경우의 문제점은, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물에서의 문제점과 마찬가지이다. The transfer film of the present invention is an inorganic having an acid value of 8 to 100 mgKOH / g, preferably 10 to 95 mgKOH / g, particularly preferably 12 to 90 mgKOH / g, as measured by the method of JIS K 5601-2-1. It is characterized by having a powder containing resin layer. The problem when an acid value is out of the said range is the same as the problem in the inorganic powder containing resin composition of this invention.

상기 무기 분체 함유 수지층은, 통상 본 발명의 조성물로 형성된다. 구체적으로는, 전사 필름 I에 대해서는 지지 필름상에 본 발명의 조성물을 도포하고, 도막을 건조하여 무기 분체 함유 수지층을 형성한다. 또한, 전사 필름 II에 대해서는, 지지막상에 후술하는 레지스트 조성물을 도포, 건조하여 레지스트층을 형성하고, 이 레지스트층 상에 본 발명의 조성물을 도포하고, 도막을 건조하여 무기 분체 함유 수지층을 형성한다. The said inorganic powder containing resin layer is normally formed with the composition of this invention. Specifically, about the transfer film I, the composition of this invention is apply | coated on a support film, a coating film is dried, and an inorganic powder containing resin layer is formed. In addition, about the transfer film II, the resist composition mentioned later is apply | coated and dried on a support film, a resist layer is formed, the composition of this invention is apply | coated on this resist layer, and a coating film is dried and an inorganic powder containing resin layer is formed. do.

전사 필름을 구성하는 지지 필름은, 내열성 및 내용제성을 가짐과 동시에 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름이 가요성을 가짐으로써, 롤 코터에 의해 페이스트상의 조성물을 도포할 수 있고, 무기 분체 함유 수지층을 롤상으로 권취한 상태로 보존하여 공급할 수 있다. 지지 필름을 형성하는 수지로는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐 알코올, 폴리염화비닐, 폴리플루오로에틸렌 등의 불소 함유 수지, 나일론, 셀룰로오스 등을 들 수 있다. 지지 필름의 두께는 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다. It is preferable that the support film which comprises a transfer film is a resin film which has heat resistance and solvent resistance, and has flexibility. When a support film has flexibility, a paste composition can be apply | coated by a roll coater, and an inorganic powder containing resin layer can be preserve | saved and supplied in the state wound up to roll shape. As resin which forms a support film, For example, fluorine-containing resin, such as polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyfluoroethylene, nylon, cellulose Etc. can be mentioned. The thickness of a support film is 20-100 micrometers, for example.

무기 분체 함유 수지 조성물을 도포하는 방법으로는, 막 두께의 균일성이 우수한 막 두께가 두꺼운(예를 들면 10 ㎛ 이상) 도막을 효율적으로 형성할 수 있는 것이 필요하고, 구체적으로는 롤 코터에 의한 도포 방법, 닥터 블레이드에 의한 도포 방법, 커튼 코터에 의한 도포 방법, 다이 코터에 의한 도포 방법, 와이어 코터에 의한 도포 방법 등을 바람직한 것으로서 들 수 있다. As a method of apply | coating an inorganic powder containing resin composition, it is necessary to be able to form a thick film thickness (for example, 10 micrometers or more) excellent in the uniformity of film thickness efficiently, and specifically, by a roll coater A coating method, the coating method by a doctor blade, the coating method by a curtain coater, the coating method by a die coater, the coating method by a wire coater, etc. are mentioned as a preferable thing.

또한, 지지 필름의 조성물 도포면에는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람 직하다. 이에 따라, PDP 구성 요소를 형성할 때에 지지 필름의 박리 조작을 용이하게 행할 수 있다.Moreover, it is preferable that the mold release process is given to the composition application surface of a support film. Thereby, when forming a PDP component, the peeling operation of a support film can be performed easily.

도막의 건조 조건으로는, 예를 들면 50 내지 150 ℃에서 0.5 내지 30 분간 정도이고, 건조 후의 용제의 잔존 비율(무기 분체 함유 수지층 중의 함유율)은, 통상 2 질량% 이내이다. As drying conditions of a coating film, it is about 0.5 to 30 minutes at 50-150 degreeC, for example, and the residual ratio (content rate in an inorganic powder containing resin layer) of the solvent after drying is usually 2 mass% or less.

상기한 바와 같이 하여 지지 필름상에 형성되는 무기 분체 함유 수지층의 두께로는, 무기 분체의 함유율이나 크기 등에 따라서도 다르지만, 예를 들면 5 내지 500 ㎛이다. 또한, 전사 필름 II에서의 레지스트층의 두께로는, 통상 0.1 내지 40 ㎛, 바람직하게는 0.5 내지 20 ㎛이다. The thickness of the inorganic powder-containing resin layer formed on the support film as described above also varies depending on the content, size, and the like of the inorganic powder, but is, for example, 5 to 500 µm. Moreover, as thickness of the resist layer in the transfer film II, it is 0.1-40 micrometers normally, Preferably it is 0.5-20 micrometers.

또한, 무기 분체 함유 수지층의 표면에는 보호 필름이 설치되어 있을 수도 있고, 이 보호 필름으로는 폴리에틸렌 필름, 폴리비닐 알코올계 필름 등을 들 수 있다. Moreover, the protective film may be provided in the surface of an inorganic powder containing resin layer, and a polyethylene film, a polyvinyl alcohol-type film, etc. are mentioned as this protective film.

<PDP의 제조 방법> <Production method of PDP>

본 발명의 PDP의 제조 방법 I는 (i) 본 발명의 조성물 또는 본 발명의 전사 필름을 사용하여 무기 분체 함유 수지층을 기판상에 형성하고, (ii) 이 층상에 레지스트층을 형성하며, (iii) 이 레지스트층을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성한 후, (iv) 이 레지스트층을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키고, (v) 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성하고, (vi) 이 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 무기 패턴을 갖는 패널 재료를 형성하는 것을 특징으로 한다. 이하에, 각 공정에 대해서 설명한다. The production method I of the PDP of the present invention comprises (i) forming an inorganic powder-containing resin layer on a substrate using the composition of the present invention or the transfer film of the present invention, (ii) forming a resist layer on the layer, ( iii) exposing the resist layer to form a latent image of the resist pattern, and then (iv) developing the resist layer to present the resist pattern, and (v) etching the inorganic powder-containing resin layer onto the resist pattern. A pattern of a corresponding inorganic powder-containing resin layer is formed, and (vi) a panel material having an inorganic pattern is formed by a method including a step of baking the pattern. Below, each process is demonstrated.

(i) 무기 분체 함유 수지층의 형성 공정(i) Formation process of inorganic powder containing resin layer

무기 분체 함유 수지층은, 본 발명의 조성물을 기판상에 도포하거나, 본 발명의 전사 필름을 사용하여 기판상에 해당 전사 필름에서의 무기 분체 함유 수지층을 전사함으로써 형성할 수 있다. 전사 필름을 사용하는 방법에 따르면, 막 두께 균일성이 우수한 무기 분체 함유 수지층을 용이하게 형성할 수 있고, 형성되는 패턴의 막 두께 균일화를 도모할 수 있다. 또한, 상기 전사 필름을 사용하여 n회 전사를 반복함으로써, n층(n은 2 이상의 정수를 나타냄)의 무기 분체 함유 수지층을 갖는 적층체를 형성할 수도 있다. 또한, n층의 무기 분체 함유 수지층을 포함하는 적층체를 지지 필름상에 형성한 전사 필름을 사용하여 기판상에 일괄 전사함으로써, 상기 적층체를 형성할 수도 있다. An inorganic powder containing resin layer can be formed by apply | coating the composition of this invention on a board | substrate, or transferring the inorganic powder containing resin layer in the said transfer film on a board | substrate using the transfer film of this invention. According to the method using a transfer film, the inorganic powder containing resin layer excellent in film thickness uniformity can be formed easily, and the film thickness uniformity of the pattern formed can be aimed at. Moreover, by repeating n times transfer using the said transfer film, you may form the laminated body which has an inorganic powder containing resin layer of n layer (n represents the integer of 2 or more). Moreover, the said laminated body can also be formed by carrying out the collective transfer of the laminated body containing n-layered inorganic powder containing resin layer on a board | substrate using the transfer film formed on the support film.

본 발명의 조성물의 도포 방법으로는, 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 여러 가지 방법을 들 수 있고, 본 발명의 조성물을 도포한 후, 도막을 건조하는 방법에 의해 무기 분체 함유 수지층을 형성할 수 있다. 또한, 상기 공정을 n회 반복함으로써 n층의 적층체를 형성할 수도 있다. As a coating method of the composition of this invention, various methods, such as the screen printing method, the roll coating method, the rotation coating method, the flexible coating method, are mentioned, and after apply | coating the composition of this invention, by the method of drying a coating film An inorganic powder containing resin layer can be formed. In addition, an n-layer laminate can be formed by repeating the above steps n times.

또한, 전사 필름을 사용하는 전사 공정의 일례를 나타내면 이하와 같다. 필요에 따라 사용되는 전사 필름의 보호 필름층을 박리한 후, 기판 표면에 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름을 중첩시키고, 이 전사 필름을 가열 롤러 등에 의해 열 압착한 후, 무기 분체 함유 수지층으로부터 지지 필름을 박리 제거한다. 이에 따라, 기판의 표면에 무기 분체 함유 수지층이 전사되어 밀착한 상태가 된다. 여기서, 전사 조건으로는 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 40 내지 140 ℃, 가열 롤러에 의한 롤압이 0.1 내지 10 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도가 0.1 내지 10 m/분을 나타낼 수 있다. 또한, 기판은 예열되어 있을 수도 있고, 예열 온도로는 예를 들면 40 내지 140 ℃로 할 수 있다. Moreover, when an example of the transfer process using a transfer film is shown, it is as follows. After peeling the protective film layer of the transfer film used as needed, the transfer film is superposed so that the surface of an inorganic powder containing resin layer may contact a board | substrate surface, and this inorganic transfer film is thermocompressed with a heating roller, etc. The support film is peeled off from the containing resin layer. As a result, the inorganic powder-containing resin layer is transferred to and adhered to the surface of the substrate. Here, as transfer conditions, the surface temperature of a heating roller can show 40-140 degreeC, the roll pressure by a heating roller is 0.1-10 kg / cm, and the moving speed of a heating roller is 0.1-10 m / min, for example. In addition, the board | substrate may be preheated and can be 40-140 degreeC as preheating temperature, for example.

(ii) 레지스트층의 형성 공정(ii) formation process of resist layer

형성된 무기 분체 함유 수지층의 표면에 레지스트층을 형성한다. 이 레지스트층을 구성하는 레지스트로는, 포지티브형 레지스트 및 네가티브형 레지스트 중 어느 것일 수도 있다. A resist layer is formed on the surface of the formed inorganic powder containing resin layer. As a resist which comprises this resist layer, any of a positive resist and a negative resist may be sufficient.

레지스트층은 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 여러 가지 방법에 의해서 레지스트를 도포한 후, 도막을 건조함으로써 형성할 수 있다. The resist layer can be formed by applying a resist by various methods such as a screen printing method, a roll coating method, a rotation coating method, a flexible coating method, and then drying the coating film.

또한, 지지 필름상에 형성된 레지스트층을 무기 분체 함유 수지층의 표면에 전사함으로써 형성할 수도 있다. 이러한 형성 방법에 따르면, 레지스트층의 형성 공정에서의 공정 개선(고효율화)을 도모할 수 있음과 동시에, 형성되는 무기 분체 패턴의 막 두께 균일성을 도모할 수 있다. Moreover, it can also form by transferring the resist layer formed on the support film to the surface of an inorganic powder containing resin layer. According to such a formation method, the process improvement (high efficiency) in the formation process of a resist layer can be aimed at, and the film thickness uniformity of the inorganic powder pattern formed can be aimed at.

레지스트층의 막 두께로는, 통상 0.1 내지 40 ㎛, 바람직하게는 0.5 내지 20 ㎛이다. As a film thickness of a resist layer, it is 0.1-40 micrometers normally, Preferably it is 0.5-20 micrometers.

(iii) 레지스트층의 노광 공정(iii) exposure process of resist layer

레지스트층의 표면에 노광용 마스크를 개재해여 자외선 등의 방사선의 선택적 조사(노광)를 행하는 방법이나, 레이저광을 주사하는 방법 등으로 레지스트 패턴의 잠상을 형성한다. 여기서 방사선 조사 장치로는, 포트리소그래피법에서 일반 적으로 사용되는 자외선 조사 장치, 반도체 및 액정 표시 장치를 제조할 때에 사용되는 노광 장치, 레이저 장치 등이 사용되지만, 특별히 한정되는 것은 아니다. The latent image of a resist pattern is formed by the method of performing selective irradiation (exposure) of radiation, such as an ultraviolet-ray, a method of scanning a laser beam, etc. through the exposure mask on the surface of a resist layer. As the radiation irradiation apparatus, although an ultraviolet irradiation apparatus, a semiconductor apparatus and an exposure apparatus used when manufacturing a semiconductor and a liquid crystal display device generally used in the port lithography method are used, it is not specifically limited.

또한, 레지스트층을 전사에 의해 형성한 경우에는, 레지스트층상에 피복되어 있는 지지 필름을 박리하지 않는 상태로 노광을 행하는 것이 바람직하다. In addition, when the resist layer is formed by transfer, it is preferable to perform exposure in a state in which the supporting film coated on the resist layer is not peeled off.

(vi) 레지스트층의 현상 공정(vi) development process of resist layer

노광된 레지스트층을 현상 처리함으로써, 레지스트 패턴(잠상)을 현재화시킨다. 여기서 현상 처리 조건으로는, 레지스트층의 종류 등에 따라 현상액의 종류·조성·농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법(예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 분무법, 패들법), 현상 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다. By developing the exposed resist layer, the resist pattern (latent image) is made to present. Here, as the development treatment conditions, the type, composition, and concentration of the developing solution, the developing time, the developing temperature, the developing method (for example, the dipping method, the shaking method, the shower method, the spray method, the paddle method), and the developing device, depending on the type of the resist layer or the like. Etc. can be selected as appropriate.

이 현상 공정에 의해, 레지스트 잔류부와 레지스트 제거부로 구성되는 레지스트 패턴(노광용 마스크에 대응하는 패턴)이 형성된다. By this developing step, a resist pattern (pattern corresponding to the mask for exposure) formed of the resist remaining portion and the resist removing portion is formed.

이 레지스트 패턴은, 후속 공정(에칭 공정)에서의 에칭 마스크로서 작용하는 것이고, 레지스트 잔류부의 구성 재료(광 경화된 레지스트)는 무기 분체 함유 수지층의 구성 재료보다도 에칭액에 대한 용해 속도가 작을 필요가 있다.This resist pattern acts as an etching mask in a subsequent step (etching step), and the constituent material (photocured resist) of the resist remaining portion needs to have a smaller dissolution rate in the etching solution than the constituent material of the inorganic powder-containing resin layer. have.

(v) 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정(v) Etching Step of Inorganic Powder-Containing Resin Layer

이 공정에서는, 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하고, 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성한다. In this step, the inorganic powder-containing resin layer is etched to form a pattern of the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern.

즉, 무기 분체 함유 수지층 중, 레지스트 패턴의 레지스트 제거부에 대응하는 부분이 에칭액에 용해되어 선택적으로 제거되고, 무기 분체 함유 수지층에서의 레지스트 제거부에 대응하는 부분에서 유리 기판 표면이 노출된다. 이에 따라, 수 지층 잔류부와 수지층 제거부로 구성되는 무기 분체 함유 수지층 패턴이 형성된다. That is, the part corresponding to the resist removal part of a resist pattern among the inorganic powder containing resin layers melt | dissolves in an etching liquid, and is selectively removed, and the glass substrate surface is exposed in the part corresponding to the resist removal part in an inorganic powder containing resin layer. . As a result, an inorganic powder-containing resin layer pattern composed of the resin layer remaining portion and the resin layer removing portion is formed.

여기서 에칭 처리 조건으로는, 무기 분체 함유 수지층의 종류 등에 따라 에칭액의 종류·조성·농도, 처리 시간, 처리 온도, 처리 방법(예를 들면 침지법, 요동법, 샤워법, 분무법, 패들법), 처리 장치 등을 적절하게 선택할 수 있다. Here, as the etching treatment conditions, the type, composition, and concentration of the etching liquid, the treatment time, the treatment temperature, and the treatment method (for example, the dipping method, the shaking method, the shower method, the spray method, and the paddle method) depending on the type of the inorganic powder-containing resin layer and the like. , A processing apparatus or the like can be selected as appropriate.

또한, 에칭액으로서 현상 공정에서 사용한 현상액과 동일한 용액을 사용할 수 있도록 레지스트층 및 무기 분체 함유 수지층의 종류를 선택함으로써, 현상 공정과 에칭 공정을 연속적으로 실시하는 것이 가능해져, 공정의 간략화에 의한 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다. In addition, by selecting the type of the resist layer and the inorganic powder-containing resin layer so that the same solution as that used in the developing step can be used as the etching solution, the developing step and the etching step can be carried out continuously, and the production is simplified by the process. The efficiency can be improved.

여기서 레지스트 패턴을 구성하는 레지스트 잔류부는, 에칭 처리할 때에 서서히 용해되고, 무기 분체 함유 수지층 패턴이 형성된 단계(에칭 처리의 종료시)에서 완전히 제거되는 것이 바람직하다. Here, it is preferable that the resist residual part which comprises a resist pattern is melt | dissolved gradually at the time of an etching process, and is completely removed at the stage (at the end of an etching process) in which the inorganic powder containing resin layer pattern was formed.

또한, 에칭 처리 후에 레지스트 잔류부의 일부 또는 전부가 잔류하고 있어도, 이 레지스트 잔류부는 다음 소성 공정에서 제거된다. In addition, even if some or all of the resist remaining portion remains after the etching treatment, the resist remaining portion is removed in the next baking step.

(vi) 소성 공정(vi) firing process

무기 분체 함유 수지층의 패턴을 소성 처리하여 무기 분체 함유 수지층의 잔류부에서의 유기 물질을 소실시킨다. 이 공정에 의해, 무기 분체 함유 수지층의 패턴으로부터 유기 물질이 소실되어 유리층, 금속층, 형광체층 등의 무기물층이 형성되고, 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터, 블랙 매트릭스 등의 PDP 구성 요소가 형성된다. The pattern of the inorganic powder-containing resin layer is calcined to dissipate the organic substance at the remaining portion of the inorganic powder-containing resin layer. By this step, organic substances are lost from the pattern of the inorganic powder-containing resin layer to form inorganic layers such as glass layers, metal layers, and phosphor layers, and dielectric layers, partition walls, electrodes, resistors, phosphors, color filters, black matrices, and the like. PDP components are formed.

여기서 소성 처리의 온도로는, 무기 분체 함유 수지층(잔류부) 중 유기 물질 이 소실되는 온도일 필요가 있고, 통상 400 내지 600 ℃이다. 또한, 소성 시간은 통상 10 내지 90 분간이다. Here, as the temperature of the baking treatment, it is necessary to be a temperature at which the organic substance disappears in the inorganic powder-containing resin layer (residual portion), and is usually 400 to 600 ° C. In addition, baking time is 10 to 90 minutes normally.

PDP의 제조 방법 II에서는, 기판상에 무기 분체 함유 수지층과 레지스트층의 적층막을 일괄 형성하는 것 이외에는, PDP의 제조 방법 I와 마찬가지의 공정을 갖는다. 해당 적층막은, 본 발명의 전사 필름 II를 사용하여 전사에 의해 형성되는 것이 바람직하다. In the manufacturing method II of PDP, it has the same process as the manufacturing method I of PDP except having formed the laminated film of an inorganic powder containing resin layer and a resist layer collectively on a board | substrate. The laminated film is preferably formed by transfer using the transfer film II of the present invention.

전사 공정의 일례를 나타내면 이하와 같다. 필요에 따라 사용되는 전사 필름 II의 보호 필름층을 박리한 후, 기판의 표면에 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름 II를 중첩시키고, 이 전사 필름 II를 가열 롤러 등에 의해 열 압착한 후, 적층막의 레지스트층 표면으로부터 지지 필름을 박리 제거한다. 이에 따라, 기판의 표면에 레지스트층과 무기 분체 함유 수지층의 적층막이 전사되어 밀착한 상태가 된다. 여기서 전사 조건으로는, 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도가 40 내지 140 ℃, 가열 롤러에 의한 롤압이 0.1 내지 10 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도가 0.1 내지 10 m/분을 나타낼 수 있다. 또한, 기판은 예열되어 있을 수도 있고, 예열 온도로는 예를 들면 40 내지 140 ℃로 할 수 있다. An example of the transfer process is as follows. After peeling the protective film layer of the transfer film II used as needed, the transfer film II was superposed so that the surface of an inorganic powder containing resin layer might contact the surface of a board | substrate, and this transfer film II was thermocompression-bonded by the heating roller etc. Thereafter, the support film is peeled off from the resist layer surface of the laminated film. Thereby, the laminated film of a resist layer and an inorganic powder containing resin layer is transcribe | transferred on the surface of a board | substrate, and it will be in the state in which it adhered. Here, as transfer conditions, the surface temperature of a heating roller can show 40-140 degreeC, the roll pressure by a heating roller is 0.1-10 kg / cm, and the moving speed of a heating roller is 0.1-10 m / min, for example. In addition, the board | substrate may be preheated and can be 40-140 degreeC as preheating temperature, for example.

이하, 상기 각 공정에 사용되는 재료, 각종 조건 등에 대해서 설명한다. Hereinafter, the material used for each said process, various conditions, etc. are demonstrated.

<레지스트층(레지스트 조성물)> <Resist layer (resist composition)>

레지스트층을 형성하기 위해서 사용하는 레지스트 조성물로는, (1) 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물, (2) 유기 용제 현상형 감방사선성 레지스트 조성물, (3) 수성 현상형 감방사선성 레지스트 조성물 등을 예시할 수 있지만, 상 술한 바와 같이 레지스트층의 현상에 사용하는 현상액과, 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정에 사용하는 에칭액을 동일한 용액으로 하는 것이 바람직하기 때문에, 레지스트 조성물로는 (1) 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물을 사용하는 것이 바람직하다. As a resist composition used in order to form a resist layer, (1) alkali developing radiation sensitive resist composition, (2) organic solvent developing radiation sensitive resist composition, (3) aqueous developing radiation sensitive resist composition, etc. Although it can be illustrated, as mentioned above, since it is preferable to make the developing solution used for image development of a resist layer and the etching solution used for the etching process of an inorganic powder containing resin layer into the same solution, as a resist composition, it is (1) alkali It is preferable to use a developing radiation-sensitive resist composition.

이하, 이들 레지스트 조성물에 대해서 설명한다. Hereinafter, these resist compositions are demonstrated.

(1) 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물(1) alkali developing radiation sensitive resist composition

알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물은, 알칼리 가용성 수지와 감방사선성 성분을 필수 성분으로서 함유하여 이루어진다. An alkali developing radiation sensitive resist composition contains alkali-soluble resin and a radiation sensitive component as an essential component.

알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물을 구성하는 알칼리 가용성 수지로는, 무기 분체 함유 수지 조성물의 결착 수지 성분을 구성하는 것으로서 예시한 알칼리 가용성 수지를 들 수 있다. As alkali-soluble resin which comprises an alkali image development type radiation sensitive resist composition, alkali-soluble resin illustrated as what comprises the binder resin component of an inorganic powder containing resin composition is mentioned.

알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물을 구성하는 감방사선성 성분으로는, 예를 들면 (가) 다관능성 단량체와 광중합 개시제의 조합, (나) 멜라민 수지와 방사선 조사에 의해 산을 형성하는 광산 발생제의 조합 등을 바람직한 것으로서 예시할 수 있고, 상기 (가)의 조합 중, 다관능성 (메트)아크릴레이트와 광중합 개시제의 조합이 특히 바람직하다. As a radiation sensitive component which comprises an alkali-developing radiation-sensitive resist composition, For example, (A) The combination of a polyfunctional monomer and a photoinitiator, (B) A photo-acid generator which forms an acid by melamine resin and irradiation. The combination of and the like can be exemplified as a preferable one, and a combination of a polyfunctional (meth) acrylate and a photopolymerization initiator is particularly preferable among the combinations of (a) above.

감방사선성 성분을 구성하는 다관능성 (메트)아크릴레이트의 구체예로는, 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 양쪽 말단 히드록시폴리부타디엔, 양쪽 말단 히드록시폴리이소프렌, 양쪽 말단 히드록시폴리카프롤락톤 등의 양쪽 말단 히드록실화 중합체의 디(메트)아크릴레이트류; As a specific example of the polyfunctional (meth) acrylate which comprises a radiation sensitive component, Di (meth) acrylates of alkylene glycols, such as ethylene glycol and propylene glycol; Di (meth) acrylates of polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol; Di (meth) acrylates of both terminal hydroxylated polymers such as both terminal hydroxypolybutadiene, both terminal hydroxypolyisoprene and both terminal hydroxypolycaprolactone;

글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 트리메틸올알칸, 테트라메틸올알칸, 디펜타에리트리톨 등의 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 3가 이상의 다가 알코올의 폴리알킬렌글리콜 부가물의 폴리(메트)아크릴레이트류; 1,4-시클로헥산디올, 1,4-벤젠디올류 등의 환식 폴리올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 알키드 수지(메트)아크릴레이트, 실리콘 수지(메트)아크릴레이트, 스피란 수지(메트)아크릴레이트 등의 올리고(메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. Poly (meth) acrylates of trivalent or higher polyhydric alcohols such as glycerin, 1,2,4-butanetriol, trimethylolalkane, tetramethylolalkane, dipentaerythritol, etc .; Poly (meth) acrylates of polyalkylene glycol adducts of trivalent or higher polyhydric alcohols; Poly (meth) acrylates of cyclic polyols such as 1,4-cyclohexanediol and 1,4-benzenediols; Oligos, such as polyester (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, alkyd resin (meth) acrylate, silicone resin (meth) acrylate, and spiran resin (meth) acrylate ( And meth) acrylates. These may be used alone or in combination of two or more thereof.

또한, 감방사선성 성분을 구성하는 광중합 개시제의 구체예로는, 벤질, 벤조인, 벤조페논, 캄포퀴논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-메틸-〔4'-(메틸티오)페닐〕-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 등의 카르보닐 화합물; 아조이소부티로니트릴, 4-아지드벤즈알데히드 등의 아조 화합물 또는 아지드 화합물; 머캅탄디술피드 등의 유기 황 화합물; 벤조일퍼옥시드, 디-tret-부틸퍼옥시드, tret-부틸히드로퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드, 파라메탄히드로퍼옥시드 등의 유기퍼옥시드; 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(2'-클로로페닐)-1,3,5-트리아진, 2-〔2-(2-푸라닐)에틸레닐〕-4,6-비스(트리클로로메틸)-1,3,5-트리아진 등의 트리할로메탄류; 2,2'-비스(2-클로로페닐), 4,5,4',5'-테트라페닐, 1,2'-비이미다졸 등의 이미다졸 이량체 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. Moreover, as a specific example of the photoinitiator which comprises a radiation sensitive component, benzyl, benzoin, benzophenone, camphorquinone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxy Cyclohexylphenyl ketone, 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-methyl- [4 '-(methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, 2-benzyl-2- Carbonyl compounds such as dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one; Azo compounds or azide compounds such as azoisobutyronitrile and 4-azide benzaldehyde; Organic sulfur compounds such as mercaptan disulfide; Organic peroxides such as benzoyl peroxide, di-tret-butyl peroxide, tret-butyl hydroperoxide, cumene hydroperoxide and paramethane hydroperoxide; 1,3-bis (trichloromethyl) -5- (2'-chlorophenyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (2-furanyl) ethylenyl] -4,6-bis Trihalo methanes such as (trichloromethyl) -1,3,5-triazine; Imidazole dimers such as 2,2'-bis (2-chlorophenyl), 4,5,4 ', 5'-tetraphenyl and 1,2'-biimidazole; It can be used in combination of 2 or more type.

이 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물에서의 감방사선성 성분의 함유 비율로는, 알칼리 가용성 수지 100 중량부 당, 통상 1 내지 300 중량부이고, 바람직하게는 10 내지 200 중량부이다. As a content rate of the radiation sensitive component in this alkali developing radiation sensitive resist composition, it is 1-300 weight part normally per 100 weight part of alkali-soluble resin, Preferably it is 10-200 weight part.

또한, 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물에 대해서는, 양호한 막 형성성을 부여하기 위해 적절한 유기 용제가 함유된다. 이러한 유기 용제로는, 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 것으로서 예시한 용제를 들 수 있다. Moreover, about an alkali developing radiation sensitive resist composition, in order to provide favorable film formation property, the appropriate organic solvent is contained. As such an organic solvent, the solvent illustrated as what comprises an inorganic powder containing resin composition is mentioned.

(2) 유기 용제 현상형 감방사선성 레지스트 조성물: (2) Organic solvent developing radiation sensitive resist composition:

유기 용제 현상형 감방사선성 레지스트 조성물은 천연 고무, 합성 고무 및 이들이 고리화되어 이루어지는 고리화 고무 등으로부터 선택된 1종 이상과, 아지드 화합물을 필수 성분으로서 함유하여 이루어진다. The organic solvent developing type radiation sensitive resist composition contains at least one selected from natural rubber, synthetic rubber, cyclized rubber in which these are cyclized, and an azide compound as essential components.

유기 용제 현상형 감방사선성 레지스트 조성물을 구성하는 아지드 화합물의 구체예로는, 4,4'-디아지드벤조페논, 4,4'-디아지드디페닐메탄, 4,4'-디아지드스틸벤, 4,4'-디아지드칼콘, 4,4'-디아지드벤잘아세톤, 2,6-디(4'-아지드벤잘)시클로헥사논, 2,6-디(4'-아지드벤잘)-4-메틸시클로헥사논 등을 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. As a specific example of the azide compound which comprises the organic-solvent development type radiation sensitive resist composition, 4,4'- diazide benzophenone, 4,4'- diazide diphenylmethane, 4,4'- diazide steel Ben, 4,4'-diazidechalcon, 4,4'-diazidebenzalacetone, 2,6-di (4'-azidebenzal) cyclohexanone, 2,6-di (4'-azidebenzal ) -4-methylcyclohexanone etc. can be mentioned, These can be used individually or in combination of 2 or more types.

또한 유기 용제 현상형 감방사선성 레지스트 조성물에는, 양호한 막 형성성을 부여하기 위해 통상 유기 용제가 함유된다. 이러한 유기 용제로는, 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 것으로서 예시한 용제를 들 수 있다. Moreover, in order to provide favorable film formation property, the organic solvent developing type radiation sensitive resist composition contains an organic solvent normally. As such an organic solvent, the solvent illustrated as what comprises an inorganic powder containing resin composition is mentioned.

(3) 수성 현상형 감방사선성 레지스트 조성물: (3) aqueous developing radiation-sensitive resist composition:

수성 현상형 감방사선성 레지스트 조성물은, 예를 들면 폴리비닐 알코올 등의 수용성 수지와, 디아조늄 화합물 및 중크롬산 화합물로부터 선택된 1종 이상을 필수 성분으로서 함유하여 이루어진다. The aqueous developing radiation-sensitive resist composition contains, for example, a water-soluble resin such as polyvinyl alcohol and at least one selected from diazonium compounds and dichromic acid compounds as essential components.

본 발명의 제조 방법에서 사용하는 레지스트 조성물에는, 임의 성분으로서 현상 촉진제, 접착 보조제, 헐레이션 방지제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 충전제, 형광체, 안료, 염료 등의 각종 첨가제가 함유될 수 있다. The resist composition used in the production method of the present invention may contain various additives such as development accelerators, adhesion aids, anti-halation agents, storage stabilizers, antifoaming agents, antioxidants, ultraviolet absorbers, fillers, phosphors, pigments, and dyes as optional components. Can be.

<기판> <Substrate>

기판 재료로는, 예를 들면 유리, 실리콘, 폴리카르보네이트, 폴리에스테르, 방향족 아미드, 폴리아미드이미드, 폴리이미드 등의 절연성 재료를 포함하는 판상 부재를 들 수 있다. 이 판형 부재의 표면에 대해서는, 필요에 따라 실란 커플링제 등에 의한 약품 처리; 플라즈마 처리; 이온 플레이팅법, 스퍼터링법, 기상 반응법, 진공 증착법 등에 의한 박막 형성 처리와 같은 적절한 전처리가 실시될 수 있다.As a board | substrate material, the plate-shaped member containing insulating materials, such as glass, silicone, polycarbonate, polyester, aromatic amide, polyamideimide, polyimide, is mentioned, for example. About the surface of this plate-shaped member, Chemical treatment with a silane coupling agent etc. as needed; Plasma treatment; Appropriate pretreatment such as thin film formation treatment by ion plating method, sputtering method, vapor phase reaction method, vacuum deposition method or the like can be performed.

또한, 본 발명에서는 기판으로서 내열성을 갖는 유리를 사용하는 것이 바람직하다. 유리 기판으로는, 예를 들면 아사히 글래스(주)제 PD200을 바람직한 것으로서 들 수 있다. Moreover, in this invention, it is preferable to use glass which has heat resistance as a board | substrate. As a glass substrate, Asahi Glass Co., Ltd. product PD200 is mentioned as a preferable thing, for example.

<노광용 마스크> <Exposure mask>

본 발명의 제조 방법에 의한 노광 공정에서 사용되는 노광용 마스크의 노광 패턴으로는, 재료에 따라 다르지만, 일반적으로 스트라이프상이나 격자상이 사용된다. 스트라이프 또는 격자의 폭은, 예를 들면 10 내지 500 ㎛이다. As an exposure pattern of the mask for exposure used in the exposure process by the manufacturing method of this invention, although it changes with materials, a stripe form and a lattice form are generally used. The width of the stripe or lattice is, for example, 10 to 500 mu m.

<현상액> <Development amount>

레지스트층의 현상 공정에서 사용되는 현상액으로는, 레지스트층(레지스트 조성물)의 종류에 따라 적절하게 선택할 수 있다. 구체적으로는, 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물에 의한 레지스트층에는 알칼리 현상액을 사용할 수 있고, 유기 용제형 감방사선성 레지스트 조성물에 의한 레지스트층에는 유기 용제 현상액을 사용할 수 있으며, 수성 현상형 감방사선성 레지스트 조성물에 의한 레지스트층에는 수성 현상액을 사용할 수 있다. 본 발명에서는 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물이 바람직하게 사용되기 때문에, 알칼리 현상액을 바람직하게 사용할 수 있다. As a developing solution used at the developing process of a resist layer, it can select suitably according to the kind of resist layer (resist composition). Specifically, an alkaline developer can be used for the resist layer of the alkali developing radiation-sensitive resist composition, an organic solvent developer can be used for the resist layer of the organic solvent-type radiation-sensitive resist composition, and an aqueous developing radiation-sensitive An aqueous developer can be used for the resist layer by the resist composition. In this invention, since an alkali developing radiation sensitive resist composition is used preferably, alkaline developing solution can be used preferably.

알칼리 현상액의 유효 성분으로는, 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소이암모늄, 인산수소이칼륨, 인산수소이나트륨, 인산이수소암모늄, 인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨, 규산리튬, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 붕산리튬, 붕산나트륨, 붕산칼륨, 암모니아 등의 무기 알칼리성 화합물; 테트라메틸암모늄히드록시드, 트리메틸히드록시에틸암모늄히드록시드, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민, 에탄올아민 등의 유기 알칼리성 화합물 등을 들 수 있다. As an active ingredient of alkaline developing solution, lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, for example Inorganic alkaline compounds such as lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, sodium borate, potassium borate and ammonia; Tetramethylammonium Hydroxide, Trimethylhydroxyethylammonium Hydroxide, Monomethylamine, Dimethylamine, Trimethylamine, Monoethylamine, Diethylamine, Triethylamine, Monoisopropylamine, Diisopropylamine, Ethanolamine Organic alkaline compounds, such as these, etc. are mentioned.

알칼리 현상액은, 상기 알칼리성 화합물의 1종 또는 2종 이상을 물 등에 용해시킴으로써 제조할 수 있다. 여기서 알칼리성 현상액에서의 알칼리성 화합물의 농도는, 통상 0.001 내지 10 질량%이고, 바람직하게는 0.01 내지 5 질량%이다. 또한, 알칼리 현상액에 의한 현상 처리가 이루어진 후에는, 통상 수세 처리가 실시된다. An alkaline developing solution can be manufactured by dissolving 1 type, or 2 or more types of the said alkaline compound in water etc. The concentration of the alkaline compound in the alkaline developer is usually 0.001 to 10% by mass, preferably 0.01 to 5% by mass. In addition, after the image development process by alkaline developing solution is performed, the water washing process is normally performed.

유기 용제 현상액의 구체예로는, 톨루엔, 크실렌, 아세트산부틸 등의 유기 용제를 들 수 있고, 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 또한, 유기 용제 현상액에 의한 현상 처리가 이루어진 후에는, 필요에 따라 빈용매에 의한 린스 처리가 실시된다. As a specific example of the organic solvent developing solution, organic solvents, such as toluene, xylene, and butyl acetate, are mentioned, These can be used individually or in combination of 2 or more types. In addition, after the development process by the organic solvent developing solution is performed, the rinse process by a poor solvent is performed as needed.

수성 현상액의 구체예로는, 물, 알코올 등을 들 수 있다. Specific examples of the aqueous developer include water and alcohols.

<에칭액> <Etching liquid>

무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정에서 사용되는 에칭액은 알칼리성 용액인 것이 바람직하다. 이에 따라, 무기 분체 함유 수지층에 함유되는 알칼리 가용성 수지를 용이하게 용해 제거할 수 있다. It is preferable that the etching liquid used at the etching process of an inorganic powder containing resin layer is an alkaline solution. Thereby, alkali-soluble resin contained in an inorganic powder containing resin layer can be easily dissolved and removed.

또한, 무기 분체 함유 수지층에 함유되는 무기 분체는, 알칼리 가용성 수지에 의해 균일하게 분산되어 있기 때문에, 알칼리성 용액에서 결착 수지인 알칼리 가용성 수지를 용해시키고, 세정함으로써, 무기 분체도 동시에 제거된다. In addition, since the inorganic powder contained in the inorganic powder-containing resin layer is uniformly dispersed by the alkali-soluble resin, the inorganic powder is also removed simultaneously by dissolving and washing the alkali-soluble resin which is the binder resin in the alkaline solution.

여기서 에칭액으로서 사용되는 알칼리성 용액으로는, 현상액과 동일한 조성의 용액을 들 수 있다. As an alkaline solution used as an etching solution here, the solution of the same composition as a developing solution is mentioned.

그리고, 에칭액이 현상 공정에서 사용하는 알칼리 현상액과 동일한 용액인 경우에는, 현상 공정과 에칭 공정을 연속적으로 실시하는 것이 가능해져, 공정의 간략화에 의한 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다. And when an etching liquid is the same solution as the alkaline developing solution used at a developing process, it becomes possible to perform a developing process and an etching process continuously, and the manufacturing efficiency can be improved by simplifying a process.

또한, 알칼리성 용액에 의한 에칭 처리가 이루어진 후에는, 통상 수세 처리 가 실시된다. In addition, after the etching process by alkaline solution is performed, a water washing process is performed normally.

또한, 에칭액으로서, 무기 분체 함유 수지층의 결착 수지를 용해할 수 있는 유기 용제를 사용할 수도 있다. 이러한 유기 용제로는, 무기 분체 함유 수지 조성물을 구성하는 것으로서 예시한 용제를 들 수 있다. Moreover, as an etching liquid, the organic solvent which can melt | dissolve the binder resin of an inorganic powder containing resin layer can also be used. As such an organic solvent, the solvent illustrated as what comprises an inorganic powder containing resin composition is mentioned.

또한, 유기 용제에 의한 에칭 처리가 이루어진 후에는, 필요에 따라 빈용매에 의한 린스 처리가 실시된다. In addition, after the etching process with an organic solvent is performed, the rinse process with a poor solvent is performed as needed.

<실시예><Example>

이하, 본 발명의 실시예에 대해서 설명하지만, 본 발명이 이들에 의해서 한정되는 것은 아니다. 또한, 이하에서 "부"는 "질량부"를 나타낸다. Hereinafter, although the Example of this invention is described, this invention is not limited by these. In addition, "part" represents a "mass part" below.

또한, Mw는 도소 가부시끼가이샤제 겔 투과 크로마토그래피(GPC)(상품명 HLC-802A)에 의해 측정한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량이다. In addition, Mw is the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the gel permeation chromatography (GPC) (brand name HLC-802A) by the Tosoh Corporation.

<실시예 1><Example 1>

(1) 무기 분체 함유 수지 조성물의 제조(1) Preparation of Inorganic Powder-Containing Resin Composition

(a) 무기 분체로서 Ag 분체(평균 입경 2.2 ㎛) 100부 및 유리 프릿(Bi2O3-B2O3-SiO2계, 평균 입경 3 ㎛, 부정형, 연화점 520 ℃, 열 팽창 계수 α300=87×10-7/℃) 10부, (b) 결착 수지로서, 메타크릴산/메타크릴산 2-히드록시프로필/메타크릴산-n-부틸/숙신산 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)=15/25/40/20(질량%) 공중합체(Mw=50,000) 60부, (c) 산성 화합물로서 올레산 3부, (d) 가소제로서, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 20부, 및 (e) 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 100부를 비드밀로 혼련한 후, 스테인레스 메쉬(500 메쉬, 25 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물 I를 제조하였다. (a) 100 parts of Ag powder (average particle diameter: 2.2 µm) and glass frit (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 system, average particle diameter of 3 µm, amorphous form, softening point 520 ° C, thermal expansion coefficient α 300 as inorganic powder = 87 × 10 −7 / ° C.) 10 parts, (b) methacrylic acid / methacrylic acid 2-hydroxypropyl / methacrylic acid-n-butyl / succinic acid mono (2- (meth) acrylic acid Iloxyethyl) = 15/25/40/20 (mass%) copolymer (Mw = 50,000) 60 parts, (c) 3 parts of oleic acid as an acidic compound, (d) 20 parts of trimethylolpropane triacrylates as a plasticizer And (e) 100 parts of propylene glycol monomethyl ether as a solvent were kneaded with a bead mill and then filtered with a stainless mesh (500 mesh, 25 µm diameter) to prepare the inorganic powder-containing resin composition I of the present invention.

(2) 무기 분체 함유 수지 조성물 I의 산가의 측정(2) Measurement of Acid Value of Inorganic Powder-Containing Resin Composition I

바 코터를 사용하여 무기 분체 함유 수지 조성물 I를 페트 필름상에 박막상으로 형성하고, 형성한 박막을 100 ℃의 클린 오븐에서 5 분간 건조함으로써 유기 용제가 제거된 무기 분체 함유 수지층을 형성하였다. 유기 용제가 제거된 무기 분체 함유 수지층을 1.1045 g 칭량하고, 100 ㎖의 2-부타논에 용해시켰다. 완전히 용해한 것을 확인한 후, 원심 분리에 의해 무기 분체를 침강시키고, 경사 분리에 의해 상청액을 분취하였다. 상청액에 페놀프탈레인을 첨가한 후, 0.1 규정의 수산화칼륨(에탄올 용액)을 사용하여 적정하였다. 적정량으로부터 산가를 계산하였더니 24.5 mgKOH/g이었다. An inorganic powder-containing resin composition I was formed in a thin film form on a pet film using a bar coater, and the formed thin film was dried in a clean oven at 100 ° C. for 5 minutes to form an inorganic powder-containing resin layer from which an organic solvent was removed. 1.1045 g of the inorganic powder-containing resin layer from which the organic solvent was removed was weighed and dissolved in 100 ml of 2-butanone. After confirming complete dissolution, the inorganic powder was precipitated by centrifugation, and the supernatant was fractionated by decantation. Phenolphthalein was added to the supernatant, and titrated using 0.1 N potassium hydroxide (ethanol solution). The acid value was calculated from the titration amount and found to be 24.5 mgKOH / g.

(3) 무기 분체 함유 수지층의 형성(3) Formation of Inorganic Powder-Containing Resin Layer

유리 기판상에 무기 분체 함유 수지 조성물 I를 두께 10 ㎛로 스크린 인쇄에 의해 도포한 후, 100 ℃의 클린 오븐에서 5 분간 건조하여 무기 분체 함유 수지층을 형성하였다. After apply | coating inorganic powder containing resin composition I to thickness 10micrometer on the glass substrate by screen printing, it dried for 5 minutes in the clean oven at 100 degreeC, and formed the inorganic powder containing resin layer.

(4) 레지스트층의 형성(4) Formation of Resist Layer

메타크릴산시클로헥실/메타크릴산=85/15(질량%) 공중합체(Mw=50,000) 60부, 헵타프로필렌글리콜 디아크릴레이트 40부, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 5부 및 시클로헥사논 250부를 혼련하여 레지스트 조성물을 제조하고, 이 레지스트 조성물을 무기 분체 함유 수지층상에 막 두께 10 ㎛로 스크린 인 쇄에 의해 도포한 후, 100 ℃의 클린 오븐에서 5 분간 건조하여 레지스트층을 형성하였다. 60 parts of cyclohexyl methacrylate / methacrylic acid = 85/15 (mass%) copolymer (Mw = 50,000), 40 parts of heptapropylene glycol diacrylate, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4- 5 parts of morpholinophenyl) -butan-1-one and 250 parts of cyclohexanone were kneaded to prepare a resist composition, and the resist composition was applied onto the inorganic powder-containing resin layer by screen printing at a film thickness of 10 탆. 5 minutes in a clean oven at 100 ° C. to form a resist layer.

(5) 레지스트층의 노광 공정(5) Exposure process of resist layer

유리 기판상에 형성된 무기 분체 함유 수지층과 레지스트층의 적층막에 대하여 선폭 100 ㎛, 스페이스폭 400 ㎛의 스트라이프상 네가티브용 노광용 마스크를 개재하고, 초고압 수은등에 의해 g선(436 nm), h선(405 nm) 및 i선(365 nm)의 혼합광을 조사하였다. 이 때의 노광량은 365 nm의 센서로 측정한 조도 환산으로 400 mJ/㎠였다. The g-line (436 nm) and h-rays were made by ultra-high pressure mercury lamp through the mask for exposure of stripe negatives with a line width of 100 micrometers, and a space width of 400 micrometers with respect to the laminated film of the inorganic powder containing resin layer and the resist layer formed on the glass substrate. (405 nm) and i-rays (365 nm) were mixed. The exposure amount at this time was 400 mJ / cm 2 in terms of illuminance measured by a 365 nm sensor.

(6) 현상 및 에칭 공정(6) developing and etching process

노광 처리된 레지스트층에 대한 현상 처리와, 무기 분체 함유 수지층에 대한 에칭 처리를 용액 온도가 30 ℃인 0.3 질량%의 탄산나트륨 수용액을 사용하여 샤워법에 의해 연속적으로 120 초간 행하고, 계속해서 초순수를 사용하여 수세를 행하였다. 이에 따라, 자외선이 조사되어 있지 않은 미경화의 레지스트층을 제거하여 레지스트 패턴을 현재화시키고, 계속해서 이 레지스트 패턴의 레지스트 제거부에 대응하는 부분을 제거하여 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성하였다. The developing process for the exposed resist layer and the etching process for the inorganic powder-containing resin layer were continuously performed for 120 seconds by a shower method using a 0.3 mass% sodium carbonate aqueous solution having a solution temperature of 30 ° C., followed by ultrapure water. It washed with water using. As a result, the uncured resist layer not irradiated with ultraviolet rays was removed to present the resist pattern, and the portion corresponding to the resist removing portion of the resist pattern was subsequently removed to form a pattern of the inorganic powder-containing resin layer. .

(7) 소성 공정(7) firing process

무기 분체 함유 수지층의 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로내에서 590 ℃의 온도 분위기하에서 30 분간에 걸쳐 소성 처리를 행하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 패턴폭 100 ㎛, 두께 6 ㎛의 전극이 형성되어 이루어지는 패널 재료를 얻을 수 있었다. 얻어진 전극은 패턴 형상 및 형상의 균일성이 우수하고, 균열은 인정 되지 않았다. The glass substrate in which the pattern of the inorganic powder containing resin layer was formed was baked in the baking furnace for 30 minutes in 590 degreeC temperature atmosphere. Thereby, the panel material by which the electrode of pattern width 100 micrometers and thickness 6 micrometers is formed on the surface of a glass substrate was obtained. The obtained electrode was excellent in pattern shape and uniformity of shape, and crack was not recognized.

<실시예 2><Example 2>

(1) 무기 분체 함유 수지 조성물의 제조(1) Preparation of Inorganic Powder-Containing Resin Composition

(a) 무기 분체로서 Co3O4 분체(평균 입경 0.4 ㎛) 100부 및 유리 프릿(Bi2O3-B2O3-SiO2계, 평균 입경 3 ㎛, 부정형, 연화점 520 ℃, 열 팽창 계수 α300=87×10-7/℃) 10부, (b) 결착 수지로서, 메타크릴산/메타크릴산 2-히드록시프로필/메타크릴산-n-부틸/숙신산 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸)=15/25/40/20(질량%) 공중합체(Mw=50,000) 60부, (c) 산성 화합물로서 올레산 1.5부, (d) 가소제로서, 트리 메틸올프로판트리아크릴레이트 20부, 및 (e) 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 100부, (g) 광중합 개시제로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 10부를 비드밀로 혼련한 후, 스테인레스 메쉬(500 메쉬, 25 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 본 발명의 무기 분체 함유 수지 조성물 II를 제조하였다. (a) Co 3 O 4 as inorganic powder 100 parts of powder (average particle diameter 0.4 µm) and glass frit (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 system, average particle diameter 3 µm, indeterminate, softening point 520 ℃, coefficient of thermal expansion α 300 = 87 × 10 -7 / (C) 10 parts, (b) methacrylic acid / methacrylic acid 2-hydroxypropyl / methacrylic acid-n-butyl / succinic acid mono (2- (meth) acryloyloxyethyl) = 15 / 60 parts of 25/40/20 (mass%) copolymer (Mw = 50,000), (c) 1.5 parts of oleic acid as an acidic compound, (d) 20 parts of trimethylolpropane triacrylate as a plasticizer, and (e) solvent 100 parts of propylene glycol monomethyl ether as (g) and 10 parts of 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one as a photopolymerization initiator with a bead mill, followed by stainless steel mesh The inorganic powder containing resin composition II of this invention was manufactured by filtering by (500 mesh, 25 micrometer diameter).

(2) 무기 분체 함유 수지 조성물 II의 산가의 측정(2) Measurement of Acid Value of Inorganic Powder-Containing Resin Composition II

바 코터를 사용하여 무기 분체 함유 수지 조성물을 페트 필름상에 박막상으로 형성하고, 형성한 박막을 100 ℃의 클린 오븐에서 5 분간 건조함으로써 유기 용제가 제거된 무기 분체 함유 수지층을 형성하였다. 유기 용제가 제거된 무기 분체 함유 수지층을 1.1045 g 칭량하고, 100 ㎖의 2-부타논에 용해시켰다. 완전히 용해한 것을 확인한 후, 원심 분리에 의해 무기 분체를 침강시키고, 경사 분리에 의해 상청액을 분취하였다. 상청액에 페놀프탈레인을 첨가한 후, 0.1 규정의 수산화칼 륨(에탄올 용액)을 사용하여 적정하였다. 적정량으로부터 산가를 계산하였더니 22.4 mgKOH/g이었다. An inorganic powder-containing resin composition was formed in a thin film form on a pet film using a bar coater, and the formed thin film was dried in a clean oven at 100 ° C. for 5 minutes to form an inorganic powder-containing resin layer from which an organic solvent was removed. 1.1045 g of the inorganic powder-containing resin layer from which the organic solvent was removed was weighed and dissolved in 100 ml of 2-butanone. After confirming complete dissolution, the inorganic powder was precipitated by centrifugation, and the supernatant was fractionated by decantation. Phenolphthalein was added to the supernatant, followed by titration using 0.1 ml of calcium hydroxide (ethanol solution). The acid value was calculated from the titration amount and found to be 22.4 mgKOH / g.

(3) 무기 분체 함유 수지층의 형성(3) Formation of Inorganic Powder-Containing Resin Layer

유리 기판상에 무기 분체 함유 수지 조성물 II를 두께 10 ㎛에서 스크린 인쇄에 의해 도포한 후, 100 ℃의 클린 오븐에서 5 분간 건조하여 무기 분체 함유 수지층을 형성하였다. After apply | coating inorganic powder containing resin composition II on the glass substrate by screen printing at thickness of 10 micrometers, it dried for 5 minutes in 100 degreeC clean oven, and formed the inorganic powder containing resin layer.

(4) 무기 분체 함유 수지층의 노광 공정(4) Exposure process of inorganic powder containing resin layer

유리 기판상에 형성된 무기 분체 함유 수지층에 대하여, 선폭 100 ㎛, 스페이스폭 400 ㎛의 스트라이프상 네가티브용 노광용 마스크를 개재하고, 초고압 수은등에 의해 g선(436 nm), h선(405 nm) 및 i선(365 nm)의 혼합광을 조사하였다. 이 때의 노광량은 365 nm의 센서로 측정한 조도 환산으로 400 mJ/㎠였다. With respect to the inorganic powder-containing resin layer formed on the glass substrate, g-line (436 nm), h-line (405 nm), and ultra-high pressure mercury lamps were interposed through a stripe negative exposure mask having a line width of 100 µm and a space width of 400 µm. The mixed light of i line | wire (365 nm) was irradiated. The exposure amount at this time was 400 mJ / cm 2 in terms of illuminance measured by a 365 nm sensor.

(5) 현상 공정(5) developing process

노광 처리된 무기 분체 함유 수지층에 대한 현상 처리를 용액 온도가 30 ℃인 0.3 질량%의 탄산나트륨 수용액을 사용하여 샤워법에 의해 연속적으로 70 초간 행하고, 계속해서 초순수를 사용하여 수세를 행하였다. 이에 따라, 자외선이 조사되어 있지 않은 미경화의 무기 분체 함유 수지층을 제거하여 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성하였다. The developing treatment for the inorganic powder-containing resin layer subjected to the exposure treatment was continuously performed for 70 seconds by a shower method using a 0.3 mass% sodium carbonate aqueous solution having a solution temperature of 30 ° C, followed by washing with ultrapure water. Thereby, the pattern of the inorganic powder containing resin layer was formed by removing the uncured inorganic powder containing resin layer to which the ultraviolet-ray was not irradiated.

(6) 소성 공정(6) firing process

무기 분체 함유 수지층의 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로내에서 590 ℃의 온도 분위기하에서 30 분간에 걸쳐 소성 처리를 행하였다. 이에 따라 유리 기판의 표면에 패턴폭 100 ㎛, 두께 6 ㎛의 블랙 스트라이프가 형성되어 이루어지는 패널 재료를 얻을 수 있었다. 얻어진 전극은 패턴 형상 및 형상의 균일성이 우수하고, 균열은 인정되지 않았다.The glass substrate in which the pattern of the inorganic powder containing resin layer was formed was baked in the baking furnace for 30 minutes in 590 degreeC temperature atmosphere. Thereby, the panel material in which the black stripe of pattern width 100 micrometers and thickness 6 micrometers is formed on the surface of a glass substrate was obtained. The obtained electrode was excellent in pattern shape and uniformity of shape, and crack was not recognized.

<실시예 3><Example 3>

(1) 레지스트 조성물의 제조: (1) Preparation of Resist Composition:

결합제 중합체로서 메타크릴산벤질/메타크릴산=75/25(중량%) 공중합체(Mw=30,000) 60부, 다관능성 단량체로서 트리프로필렌글리콜 디아크릴레이트 40부, 광중합 개시제로서 2-(4-메틸벤질)-2-(디메틸아미노)-1-(4-모르폴리노페닐)부탄-1-온 20부 및 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르아세테이트 100부를 혼련한 후, 카트리지 필터(2 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 알칼리 현상형 감방사선성 레지스트 조성물(이하, "레지스트 조성물"이라 함)을 제조하였다. Benzyl methacrylate / methacrylic acid = 75/25 (wt%) copolymer (Mw = 30,000) as a binder polymer, 60 parts of tripropylene glycol diacrylates as a polyfunctional monomer, 2- (4- as a photoinitiator After kneading methylbenzyl) -2- (dimethylamino) -1- (4-morpholinophenyl) butan-1-one and 100 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent, a cartridge filter (2 탆 diameter) was kneaded. By filtering with an alkali developing radiation-sensitive resist composition (hereinafter referred to as "resist composition") was prepared.

(2) 전사 필름의 제조: (2) Preparation of the transfer film:

하기 (가) 내지 (다)의 조작에 의해, 레지스트막 및 무기 분체 함유 수지층을 순서대로 적층하여 이루어지는 적층막이 지지 필름상에 형성되어 이루어지는 본 발명의 전극 형성용 전사막을 제조하였다. By the following operations (a) to (c), a transfer film for forming an electrode of the present invention, in which a laminated film formed by sequentially laminating a resist film and an inorganic powder-containing resin layer is formed on a support film.

(가) 상기 (3)에서 제조한 레지스트 조성물을 막 두께 38 ㎛의 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 I상에 블레이드 코터를 사용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 3 분간 건조시킨 후 용제를 제거하여, 두께 8 ㎛의 레지스트막을 지지 필름 I상에 형성하였다. (A) The resist composition prepared in the above (3) was applied onto a support film I made of a PET film having a film thickness of 38 μm using a blade coater, the coating film was dried at 100 ° C. for 3 minutes, and then the solvent was removed. A resist film having a thickness of 8 mu m was formed on the supporting film I.

(나) 실시예 1의 (1)에서 제조한 무기 분체 함유 수지 조성물 I를 막 두께 38 ㎛의 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름 II상에 블레이드 코터를 사용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5 분간 건조시킨 후 용제를 제거하여 두께 10 ㎛의 무기 분체 함유 수지층을 지지 필름 II상에 형성하였다. (B) The inorganic powder-containing resin composition I prepared in Example 1 (1) was applied onto a support film II made of a PET film having a film thickness of 38 µm using a blade coater, and the coating film was dried at 100 ° C. for 5 minutes. After removing the solvent, an inorganic powder-containing resin layer having a thickness of 10 μm was formed on the supporting film II.

(다) 레지스트막과 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름을 중첩시키고, 가열 롤러로 열 압착하였다. 여기서 압착 조건으로는, 가열 롤러의 표면 온도를 90 ℃, 롤압을 2.5 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 이에 따라, 레지스트막 및 무기 분체 함유 수지층을 갖는 적층막이 지지 필름 사이에 형성된 전사 필름을 제조하였다. (C) The transfer film was superposed so that the surface of the resist film and the inorganic powder containing resin layer could contact, and it was thermo-compressed with the heating roller. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 90 degreeC, the roll pressure was 2.5 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. This produced the transfer film in which the laminated | multilayer film which has a resist film and an inorganic powder containing resin layer was formed between support films.

(3) 적층막의 전사 공정: (3) Transfer process of laminated film:

유리 기판의 표면에 상기 (2)에서 제조한 전사 필름의 무기 분체 함유 수지층의 표면이 접촉되도록 전사 필름을 중첩시키고, 이 전사 필름을 가열 롤러에 열 압착하였다. 여기서 압착 조건으로는, 가열 롤러의 표면 온도를 90 ℃, 롤압을 2.5 kg/cm, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 이에 따라, 유리 기판의 표면에 전사 필름이 전사되어 밀착한 상태가 되었다. The transfer film was superposed so that the surface of the inorganic powder containing resin layer of the transfer film manufactured by said (2) could contact the surface of a glass substrate, and this transfer film was thermocompression-bonded to the heating roller. Here, as crimping | compression-bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 90 degreeC, the roll pressure was 2.5 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. Thereby, the transfer film was transferred and adhered to the surface of the glass substrate.

(4) 레지스트막의 노광 공정·현상 공정: (4) Exposure process and development process of resist film:

상기 (3)에서 유리 기판상에 형성된 적층막 중의 레지스트막에 대하여, 지지 필름상으로부터 노광용 마스크(100 ㎛ 폭의 스트라이프 패턴 및 5 cm 사방의 각 패턴)를 개재하고, 초고압 수은등에 의해 g선(436 nm), h선(405 nm), i선(365 nm)의 혼합광을 조사하였다. 그 때의 노광량은, 365 nm의 센서로 측정한 조도 환산으로 400 mJ/㎠였다. 조사 후, 레지스트막상의 지지 필름을 박리하고, 계속해서 노광 처리된 레지스트막에 대하여 0.3 질량%의 탄산나트륨 수용액(30 ℃)을 현상액으로 하는 샤워법에 의한 레지스트막의 현상 처리를 90 초간 행하였다. The resist film in the laminated film formed on the glass substrate in the above (3) is interposed with an exposure mask (100 µm wide stripe pattern and 5 cm square pattern) from the supporting film, and the g-line ( 436 nm), h-ray (405 nm) and i-ray (365 nm) were irradiated with mixed light. The exposure amount at that time was 400 mJ / cm 2 in terms of illuminance measured by a 365 nm sensor. After the irradiation, the support film on the resist film was peeled off, and the development process of the resist film by a shower method using 0.3 mass% aqueous sodium carbonate solution (30 ° C.) as a developer was performed for 90 seconds to the exposed resist film.

이에 따라, 자외선이 조사되어 있지 않은 미경화의 레지스트를 제거하여 레지스트 패턴을 형성하였다. 레지스트 패턴은 패턴 형상이 균일하고, 패턴 엣지의 직선성이 우수하며 형상이 양호한 것이었다. As a result, an uncured resist not irradiated with ultraviolet rays was removed to form a resist pattern. The resist pattern was uniform in pattern shape, excellent in linearity of the pattern edge, and good in shape.

(5) 무기 분체 함유 수지층의 에칭 공정: (5) Etching Process of Inorganic Powder-Containing Resin Layer:

상기한 공정에 이어서, 0.3 질량%의 탄산나트륨 수용액(30 ℃)을 에칭액으로 하는 샤워법에 의한 무기 분체 함유 수지층의 에칭 처리를 60 초간 행하였다. Subsequently to the above process, the etching process of the inorganic powder containing resin layer by the shower method which makes 0.3 mass% sodium carbonate aqueous solution (30 degreeC) an etching liquid was performed for 60 second.

계속해서, 초순수에 의한 수세 처리 및 건조 처리를 행하였다. 이에 따라, 무기 분체 함유 수지층 패턴을 형성하였다. Subsequently, water washing with ultrapure water and drying were performed. Thereby, the inorganic powder containing resin layer pattern was formed.

(6) 패턴의 소성 공정: (6) firing process of the pattern:

무기 분체 함유 수지층의 패턴이 형성된 유리 기판을 소성로내의 대기 분위기하에 580 ℃에서 30 분간에 걸쳐 소성 처리를 행하였다. 이에 따라, 유리 기판의 표면에 막 두께 6 ㎛의 전극 패턴이 형성되었다. 얻어진 전극 패턴은 균열이나 결함이 없고, 형상이 우수한 것이었다. The glass substrate in which the pattern of the inorganic powder containing resin layer was formed was baked at 580 degreeC for 30 minutes in the atmospheric atmosphere in a baking furnace. As a result, an electrode pattern having a thickness of 6 μm was formed on the surface of the glass substrate. The obtained electrode pattern had no cracks or defects and was excellent in shape.

<비교예 1>Comparative Example 1

(a) 무기 분체로서 Ag 분체(평균 입경 2.2 ㎛) 100부 및 유리 프릿(Bi2O3-B2O3-SiO2계, 평균 입경 3 ㎛, 부정형, 연화점 520 ℃, 열 팽창 계수 α300=87×10-7/℃) 10부, (b) 결착 수지로서, 메타크릴산/메타크릴산 2-히드록시프로필/메타크릴 산-n-부틸=10/35/60(질량%) 공중합체(Mw=50,000) 15.0부, (c) 산성 화합물로서 올레산 0.5부, (d) 가소제로서, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 10.0부, 및 (e) 용제로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 100부를 비드밀로 혼련한 후, 스테인레스 메쉬(500 메쉬, 25 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 무기 분체 함유 수지 조성물(III)을 제조하였다. (a) 100 parts of Ag powder (average particle diameter: 2.2 µm) and glass frit (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 system, average particle diameter of 3 µm, amorphous form, softening point 520 ° C, thermal expansion coefficient α 300 as inorganic powder = 87 × 10 −7 / ° C.) 10 parts, (b) methacrylic acid / methacrylic acid 2-hydroxypropyl / methacrylic acid-n-butyl = 10/35/60 (mass%) air 15.0 parts of coalescing (Mw = 50,000), (c) 0.5 parts of oleic acid as an acidic compound, (d) 10.0 parts of trimethylolpropanetriacrylate as a plasticizer, and (e) 100 parts of propylene glycol monomethyl ether as a solvent. Then, the inorganic powder containing resin composition (III) was manufactured by filtering by stainless mesh (500 mesh, 25 micrometer diameter).

실시예 1(2)와 동일하게 하여 무기 분체 함유 수지 조성물(III)의 산가를 측정하였더니 산가는 7.4 mgKOH/g이었다. The acid value of the inorganic powder-containing resin composition (III) was measured in the same manner as in Example 1 (2), and the acid value was 7.4 mgKOH / g.

무기 분체 함유 수지 조성물(III)을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 무기 분체 함유 수지층을 형성하고, 이 무기 분체 함유 수지층상에 레지스트층을 형성하여 노광 공정, 현상 및 에칭 공정을 행하였더니 무기 분체 함유 수지층에 에칭 잔여물이 인식되고, 양호한 패턴 형상이 얻어지지 않았다. 또한, 해당 잔여물을 없애기 위해 현상·에칭 공정을 행하는 시간을 연장하였더니 잔여물이 없어지기 전에 무기 분체 함유 수지층의 패턴이 기판으로부터 박리되어 버렸다. Except having used the inorganic powder containing resin composition (III), the inorganic powder containing resin layer was formed like Example 1, the resist layer was formed on this inorganic powder containing resin layer, and the exposure process, image development, and the etching process were performed. The etching residue was recognized by the inorganic powder-containing resin layer, and a good pattern shape was not obtained. Moreover, when the development and etching process was extended in order to remove the said residue, the pattern of the inorganic powder containing resin layer peeled from the board | substrate before a residue disappeared.

<비교예 2>Comparative Example 2

(a) 무기 분체로서 Co3O4 분체(평균 입경 0.4 ㎛) 100부 및 유리 프릿(Bi2O3-B2O3-SiO2계, 평균 입경 3 ㎛, 부정형, 연화점 520 ℃, 열 팽창 계수 α300=87×10-7/℃) 10부, (b) 결착 수지로서, 메타크릴산/메타크릴산 2-히드록시프로필/메타크릴산-n-부틸=30/30/40(질량%) 공중합체(Mw=50,000) 120부, (c) 산성 화합물로서 올레산 20부, (d) 가소제로서, 트리메틸올프로판트리아크릴레이트 20부, 및 (e) 용제 로서 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 100 부를 비드밀로 혼련한 후, 스테인레스 메쉬(500 메쉬, 25 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 무기 분체 함유 수지 조성물(IV)을 제조하였다. (a) Co 3 O 4 as inorganic powder 100 parts of powder (average particle diameter 0.4 µm) and glass frit (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 system, average particle diameter 3 µm, indeterminate, softening point 520 ℃, coefficient of thermal expansion α 300 = 87 × 10 -7 / (Degree. C.) 10 parts, (b) methacrylic acid / methacrylic acid 2-hydroxypropyl / methacrylic acid-n-butyl = 30/30/40 (mass%) copolymer (Mw = 50,000) 120 (B) 20 parts of oleic acid as an acidic compound, (d) 20 parts of trimethylolpropanetriacrylate as a plasticizer, and (e) 100 parts of propylene glycol monomethyl ether as a solvent were kneaded with a bead mill, followed by stainless steel mesh (500). Inorganic powder-containing resin composition (IV) was prepared by filtering with a mesh).

실시예 1(2)와 동일하게 하여 무기 분체 함유 수지 조성물(IV)의 산가를 측정하였더니 산가는 105 mgKOH/g이었다. When the acid value of the inorganic powder-containing resin composition (IV) was measured in the same manner as in Example 1 (2), the acid value was 105 mgKOH / g.

무기 분체 함유 수지 조성물(IV)을 사용한 것 이외에는 실시예 1과 동일하게 하여 무기 분체 함유 수지층을 형성하고, 이 무기 분체 함유 수지층상에 레지스트층을 형성하여 노광 공정, 현상 및 에칭 공정을 행하였더니 무기 분체 함유 수지층이 모두 용해되어 패턴을 형성할 수 없었다. 또한, 현상·에칭 공정을 행하는 시간을 60 초로 짧게 하였더니, 무기 분체 함유 수지층의 패턴이 사각형이 되지 않고, 패턴 상부의 폭이 매우 가는 것이 되어 양호한 패턴 형상을 얻을 수 없었다. Except having used the inorganic powder containing resin composition (IV), the inorganic powder containing resin layer was formed like Example 1, the resist layer was formed on this inorganic powder containing resin layer, and the exposure process, image development, and the etching process were performed. All the inorganic powder-containing resin layers were dissolved to form a pattern. Moreover, when the time to perform the image development / etching process was shortened to 60 second, the pattern of the inorganic powder containing resin layer did not become square, the width | variety of the upper part of a pattern became very thin, and the favorable pattern shape was not obtained.

<비교예 3> Comparative Example 3

무기 분체 함유 수지 조성물로서, 비교예 1에서 얻어진 무기 분체 함유 수지 조성물(III)을 사용한 것 이외에는 실시예 3과 동일하게 하여 레지스트막과 무기 분체 함유 수지층이 적층된 전사 필름을 제조하였다. A transfer film in which a resist film and an inorganic powder-containing resin layer were laminated was prepared in the same manner as in Example 3 except that the inorganic powder-containing resin composition (III) obtained in Comparative Example 1 was used as the inorganic powder-containing resin composition.

얻어진 전사 필름을 사용하고, 실시예 3과 동일하게 하여 전사, 레지스트막의 노광·현상 및 무기 분체 함유 수지층의 에칭을 행한 결과, 무기 분체 함유 수지층에 에칭 잔여물이 인식되고, 양호한 패턴 형상이 얻어지지 않았다. 또한, 해당 잔여물을 없애기 위해 현상·에칭 공정을 행하는 시간을 연장하였더니 잔여물이 없어지기 전에 무기 분체 함유 수지층의 패턴이 기판으로부터 박리되어 버렸다. Using the obtained transfer film, transfer, exposure and development of the resist film, and etching of the inorganic powder-containing resin layer were carried out in the same manner as in Example 3, the etching residue was recognized in the inorganic powder-containing resin layer, and a good pattern shape was obtained. Not obtained. Moreover, when the development and etching process was extended in order to remove the said residue, the pattern of the inorganic powder containing resin layer peeled from the board | substrate before a residue disappeared.

본 발명은 무기 분체 함유 수지층의 산가를 조절함으로써, 무기 분체 함유 수지층의 현상액에의 용해성을 제어하여 패턴 형상이 우수한 PDP의 구성 요소(예를 들면 유전체층, 격벽, 전극, 저항체, 형광체, 컬러 필터, 블랙 매트릭스)를 바람직하게 형성할 수 있는 무기 분체 함유 수지 조성물을 제공한다. The present invention controls the solubility of the inorganic powder-containing resin layer in the developing solution by adjusting the acid value of the inorganic powder-containing resin layer, so that the component of the PDP having excellent pattern shape (for example, dielectric layer, partition, electrode, resistor, phosphor, color) An inorganic powder-containing resin composition capable of preferably forming a filter, a black matrix) is provided.

본 발명은 작업성이 우수하고, 패턴 형상이 우수한 PDP의 구성 요소를 형성할 수 있는 전사 필름을 제공한다. This invention provides the transfer film which can form the component of PDP which is excellent in workability and excellent in pattern shape.

본 발명은 작업성이 우수하고, 패턴 형상이 우수한 PDP의 구성 요소를 형성할 수 있는 PDP의 제조 방법을 제공한다. The present invention provides a method for producing a PDP that can form components of the PDP that are excellent in workability and excellent in pattern shape.

Claims (10)

(a) 무기 분체, (b) 결착 수지 및 (c) 산가가 30 mgKOH/g 이상인 저분자 화합물을 함유하고, JIS K 5601-2-1의 방법에 의해 측정한 산가가 8 내지 100 mgKOH/g인 것을 특징으로 하는 무기 분체 함유 수지 조성물. (a) an inorganic powder, (b) binder resin, and (c) a low molecular weight compound having an acid value of 30 mgKOH / g or more, and having an acid value of 8 to 100 mgKOH / g measured by the method of JIS K 5601-2-1. Inorganic powder containing resin composition characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, (b) 결착 수지가 카르복실기를 함유하는 아크릴 수지인 무기 분체 함유 수지 조성물. The inorganic powder containing resin composition of Claim 1 whose (b) binder resin is an acrylic resin containing a carboxyl group. 제1항에 있어서, (c) 저분자 화합물이 유기산 또는 무기산인 무기 분체 함유 수지 조성물. The inorganic powder containing resin composition of Claim 1 whose (c) low molecular weight compound is an organic acid or an inorganic acid. 제1항에 있어서, 추가로 (d) 가소제를 함유하는 무기 분체 함유 수지 조성물. The inorganic powder-containing resin composition according to claim 1, further comprising (d) a plasticizer. 지지 필름상에 (a) 무기 분체, (b) 결착 수지 및 (c) 산가가 30 mgKOH/g 이상인 저분자 화합물을 함유하고, JIS K 5601-2-1의 방법에 의해 측정한 산가가 8 내지 100 mgKOH/g인 무기 분체 함유 수지층을 갖는 것을 특징으로 하는 전사 필름. On the support film, (a) inorganic powder, (b) binder resin, and (c) the low molecular compound whose acid value is 30 mgKOH / g or more, and the acid value measured by the method of JISK5601-2-1 are 8-100. It has an inorganic powder containing resin layer which is mgKOH / g, The transfer film characterized by the above-mentioned. 지지 필름상에 (A) 레지스트층, 및 (B) (a) 무기 분체, (b) 결착 수지 및 (c) 산가가 30 mgKOH/g 이상인 저분자 화합물을 함유하고, JIS K 5601-2-1의 방법에 의해 측정한 산가가 8 내지 100 mgKOH/g인 무기 분체 함유 수지층을 적층하여 형성되는 것을 특징으로 하는 전사 필름. (A) resist layer, and (B) (a) inorganic powder, (b) binder resin, and (c) low molecular weight compound whose acid value is 30 mgKOH / g or more on a support film, Complies with JISK5601-2-1 The transfer film characterized by laminating | stacking the inorganic powder containing resin layer whose acid value measured by the method is 8-100 mgKOH / g. 기판상에 제1항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 층을 형성하고, 이 층상에 레지스트층을 형성하고, 이 레지스트층을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성한 후, 이 레지스트층을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키고, 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성하고, 이 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 무기 패턴을 갖는 패널 재료를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. After forming the layer obtained from the inorganic powder containing resin composition of Claim 1 on a board | substrate, forming a resist layer on this layer, exposing this resist layer to form the latent image of a resist pattern, and developing this resist layer Processing the resist pattern to present the inorganic powder-containing resin layer, and etching the inorganic powder-containing resin layer to form a pattern of the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern, and firing the pattern. The manufacturing method of the plasma display panel characterized by forming the panel material which has. 제7항에 있어서, 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 층이 제5항에 기재된 전사 필름을 사용하여 기판상에 무기 분체 함유 수지층을 전사함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. The method for producing a plasma display panel according to claim 7, wherein the layer obtained from the inorganic powder-containing resin composition is formed by transferring the inorganic powder-containing resin layer onto the substrate using the transfer film according to claim 5. 기판상에 제1항에 기재된 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 층과 레지스트층의 적층막을 형성하고, 상기 레지스트층을 노광 처리하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성한 후, 상기 레지스트층을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화시키고, 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분 체 함유 수지층의 패턴을 형성하고, 이 패턴을 소성 처리하는 공정을 포함하는 방법에 의해 무기 패턴을 갖는 패널 재료를 형성하는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. After forming the laminated film of the layer and resist layer obtained from the inorganic powder containing resin composition of Claim 1 on a board | substrate, exposing the said resist layer to form the latent image of a resist pattern, and developing the said resist layer and resist pattern Material of the inorganic pattern-containing resin layer by etching the inorganic powder-containing resin layer to form a pattern of the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern, and firing the pattern. Forming a plasma display panel, characterized in that for forming. 제9항에 있어서, 무기 분체 함유 수지 조성물로부터 얻어지는 층과 레지스트층의 적층막이 제6항에 기재된 전사 필름을 사용하여 기판상에 무기 분체 함유 수지층과 레지스트층의 적층막을 전사함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 플라즈마 디스플레이 패널의 제조 방법. The laminated film of the layer and resist layer obtained from an inorganic powder containing resin composition is formed by transferring the laminated film of an inorganic powder containing resin layer and a resist layer on a board | substrate using the transfer film of Claim 6. The manufacturing method of the plasma display panel.
KR1020050082082A 2004-09-06 2005-09-05 Inorganic powder-containing resin composition, transfer film, and process for producing plasma display panel KR20060051015A (en)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004257980A JP2006070226A (en) 2004-09-06 2004-09-06 Inorganic powder-containing resin composition, transfer film and method for producing plasma display panel
JPJP-P-2004-00257980 2004-09-06

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20060051015A true KR20060051015A (en) 2006-05-19

Family

ID=36151178

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020050082082A KR20060051015A (en) 2004-09-06 2005-09-05 Inorganic powder-containing resin composition, transfer film, and process for producing plasma display panel

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP2006070226A (en)
KR (1) KR20060051015A (en)
TW (1) TW200617094A (en)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2008001070A (en) * 2006-06-26 2008-01-10 Jsr Corp Manufacturing method of flat panel display and transfer film
JP4954647B2 (en) * 2006-09-11 2012-06-20 太陽ホールディングス株式会社 Plasma display panel having photosensitive paste and fired product pattern formed from the photosensitive paste
JP2011198470A (en) * 2010-03-17 2011-10-06 Namics Corp Conductive paste for film electrode, conductive film for electrode, and film electrode

Also Published As

Publication number Publication date
TW200617094A (en) 2006-06-01
JP2006070226A (en) 2006-03-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100513180B1 (en) Method for Forming Pattern on Substrate and Transfer Film
JP5104101B2 (en) INORGANIC POWDER-CONTAINING RESIN COMPOSITION, PATTERN FORMING METHOD, AND METHOD FOR PRODUCING ELECTRODE FOR FLAT PANEL DISPLAY
JP4075277B2 (en) Inorganic particle-containing photosensitive composition and photosensitive film
KR20040030236A (en) Conductive Paste Composition, Transfer Film for Forming Electrode and Electrode for Plasma Display Panel
KR20060041842A (en) Inorganic particle- containing resin composition, transfer film and display panel production process
KR20060051015A (en) Inorganic powder-containing resin composition, transfer film, and process for producing plasma display panel
JP2006219660A (en) Inorganic powder-containing resin composition, transfer film, and method for producing plasma display panel
KR20050045842A (en) Inorganic Particle―Containing Resin Composition, Transfer Film and Plasma Display Panel Production Process
KR100680087B1 (en) Inorganic Particle-Containing Resin Composition, Transfer Film Comprising the Same and Plasma Display Panel Production Process
KR20070008624A (en) Composition containing inorganic powder, transfer film, and method of forming inorganic sinter
KR20080055682A (en) Inorganic particle-containing photosensitive resin composition, photosensitive film, method for forming pattern, and process for preparing flat panel display
JP4006907B2 (en) Photosensitive transfer film
JP4639770B2 (en) Inorganic powder-containing resin composition, transfer film, and method for producing plasma display panel
JP4366820B2 (en) Inorganic particle-containing photosensitive composition and photosensitive film
JP2010117615A (en) Photosensitive composition, method for forming baked product and method for manufacturing flat display panel
JP2005325148A (en) Inorganic powdery material-containing resin composition, transfer film and method for producing plasma display panel (pdp)
JP2008298999A (en) Inorganic powder-containing resin composition, pattern forming method and method for producing member for flat panel display
JP4134411B2 (en) Plasma display panel manufacturing method and transfer film
KR20080075828A (en) Process for preparing a plasma display panel and transfer film
JP2009016320A (en) Electrode member manufacturing method
JP2006045270A (en) Resin composition containing inorganic powder, transfer film and manufacturing method of plasma display panel
JP2003071962A (en) Transfer film
KR20060094037A (en) Process for preparing plasma display panel and transfer film
JP4214597B2 (en) Pattern manufacturing method and transfer film
KR100859392B1 (en) Inorganic particle containing composition for plasma display panel, transfer film and process for producing plasma display panel

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Withdrawal due to no request for examination