JP2009016320A - Electrode member manufacturing method - Google Patents

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JP2009016320A
JP2009016320A JP2007180353A JP2007180353A JP2009016320A JP 2009016320 A JP2009016320 A JP 2009016320A JP 2007180353 A JP2007180353 A JP 2007180353A JP 2007180353 A JP2007180353 A JP 2007180353A JP 2009016320 A JP2009016320 A JP 2009016320A
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Kazuo Kudo
和生 工藤
Takafumi Itano
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide an electrode member manufacturing method for forming an inexpensive and highly accurate pattern which has a thin film on a ceramic, silicon or glass substrate and high adhering strength. <P>SOLUTION: The electrode manufacturing method comprises steps of forming an aluminum paste layer containing aluminum powder A and a binding resin C on the substrate and forming a resist film on the aluminum paste layer formed on the substrate to form a laminate with the aluminum paste layer and the resist film on the substrate, applying exposure treatment to the resist film of the laminate to form the latent image of a resist pattern, applying developing treatment to the resist film to actualize the resist pattern, applying etching treatment to the aluminum paste layer to form the pattern of the aluminum paste layer corresponding to the resist pattern, and then applying firing treatment to the pattern. The contained aluminum powder A is an aluminum powder of D50: 2-20 μm. <P>COPYRIGHT: (C)2009,JPO&INPIT

Description

本発明は、電極部材の製造方法に関する。より詳細には、フラットパネルディスプレイなどのディスプレイパネル、電子部品の高度実装材料および太陽電池材料に用いられる電極パターンを有する回路基板の製造において、高感度かつ高精度のパターンを形成する場合に好適に使用することができる電極部材の製造方法に関する。   The present invention relates to a method for manufacturing an electrode member. More specifically, in the production of circuit boards having electrode patterns used for display panels such as flat panel displays, advanced mounting materials for electronic components, and solar cell materials, it is suitable for forming highly sensitive and accurate patterns. The present invention relates to a method for manufacturing an electrode member that can be used.

近年、回路基板やディスプレイパネルにおけるパターン加工に対して、高密度化および高精細化の要求が高まっている。このような要求が高まっているディスプレイパネルの中でも、特にプラズマディスプレイパネル(以下「PDP」ともいう。)やフィールドエミッションディスプレイ(以下「FED」ともいう。)などのフラットパネルディスプレイ(以下「FPD」ともいう。)が注目されている。   In recent years, there is an increasing demand for higher density and higher definition for pattern processing in circuit boards and display panels. Among such display panels that have been increasing in demand, particularly flat panel displays (hereinafter referred to as “FPD”) such as plasma display panels (hereinafter also referred to as “PDP”) and field emission displays (hereinafter also referred to as “FED”). ) Is attracting attention.

図1は交流型のPDPの断面形状を示す模式図である。図1において、101および102は対抗配置されたガラス基板、103および111は隔壁であり、ガラス基板101、ガラス基板102、背面隔壁103および前面隔壁111によりセルが区画形成されている。104はガラス基板101に固定された透明電極であり、105は透明電極104の抵抗を下げる目的で該透明電極104上に形成されたバス電極であり、106はガラス基板102に固定されたアドレス電極である。107はセル内に保持された蛍光物質であり、108は透明電極104およびバス電極105を被覆するようガラス基板101の表面に形成された誘電体層であり、109はアドレス電極106を被覆するようガラス基板102の表面に形成された誘電体層であり、110は例えば酸化マグネシウムよりなる保護膜である。また、カラーFPDにおいては、コントラストの高い画像を得るため、ガラス基板と誘電体層との間に、カラーフィルター(赤色・緑色・青色)やブラックマトリックスなどを設けることがある。   FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC type PDP. In FIG. 1, reference numerals 101 and 102 denote opposing glass substrates, and reference numerals 103 and 111 denote partition walls. Cells are partitioned by the glass substrate 101, the glass substrate 102, the rear partition wall 103, and the front partition wall 111. 104 is a transparent electrode fixed to the glass substrate 101, 105 is a bus electrode formed on the transparent electrode 104 for the purpose of reducing the resistance of the transparent electrode 104, and 106 is an address electrode fixed to the glass substrate 102. It is. 107 is a fluorescent material held in the cell, 108 is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 101 so as to cover the transparent electrode 104 and the bus electrode 105, and 109 is used to cover the address electrode 106. A dielectric layer is formed on the surface of the glass substrate 102, and 110 is a protective film made of, for example, magnesium oxide. In a color FPD, a color filter (red / green / blue) or a black matrix may be provided between the glass substrate and the dielectric layer in order to obtain a high contrast image.

FPDにおいて小型化、高精細化が進んでおり、それに伴ってパターン加工技術の向上が要望されている。従来の工法であるスクリーン印刷法ではパネルの大型化および高精細化に伴い、パターン精度の要求が非常に厳しくなり、対応できないという問題があったため、フォトリソグラフィー法が主に用いられている。   FPDs are becoming smaller and higher definition, and accordingly, improvement of pattern processing technology is demanded. The screen printing method, which is a conventional construction method, has a problem that the demand for pattern accuracy becomes very strict with the increase in size and definition of the panel, and the photolithography method is mainly used.

前記フォトリソグラフィー法による電極形成では感光性銀ペーストが用いられることが多いが、このようなペーストは層の深さ方向に対する感度が不十分であり、必ずしもエッジがシャープなパターンもしくは高精細なパターンが得られるものとはならなかった。また、銀自身は貴金属であるが故に、高価な導電性ペーストとなってきている。感光性銀ペーストの欠陥として高温多湿環境下でマイグレーションを起し易く、銀表面が硫化を起こし易い性質を持っている。   Photosensitive silver paste is often used for electrode formation by the photolithography method, but such paste has insufficient sensitivity in the depth direction of the layer, and a pattern with a sharp edge or a high-definition pattern is not necessarily obtained. It was not what was obtained. Further, since silver itself is a noble metal, it has become an expensive conductive paste. As a defect of the photosensitive silver paste, migration is likely to occur in a high-temperature and high-humidity environment, and the silver surface is susceptible to sulfidation.

特にFPD部材である電極等の形成方法には安価の無機粒子含有感光性樹脂材料でかつ、高精細化でパターン加工できる材料が要求されている。   In particular, a method for forming an electrode as an FPD member requires an inexpensive inorganic particle-containing photosensitive resin material and a material that can be patterned with high definition.

本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものであって、安価で、高精度のパターンを形成することができ、かつセラミック、シリコンおよびガラス基板に対して薄膜で接着強度が高い電極部材の製造方法を提供することを目的とする。   The present invention is intended to solve the problems associated with the prior art as described above, can form a low-cost, high-precision pattern, and adheres to a ceramic, silicon, and glass substrate with a thin film. It aims at providing the manufacturing method of an electrode member with high intensity | strength.

上記課題は、アルミニウム粉末(A)および結着樹脂(C)を含有するアルミニウムペースト層を基板上に形成し、基板上に形成されたアルミニウムペースト層上にレジスト膜を形成することにより基板上にアルミニウムペースト層とレジスト膜の積層体を形成し、当該積層体のレジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、アルミニウムペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応するアルミニウムペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含むことを特徴とする電極の製造方法であって、アルミニウム粉末(A)として、D50:2〜20μmのアルミニウム粉末を含有することを特徴とする電極の製造方法により達成される。   The above problem is that an aluminum paste layer containing an aluminum powder (A) and a binder resin (C) is formed on a substrate, and a resist film is formed on the aluminum paste layer formed on the substrate. Forming a laminate of an aluminum paste layer and a resist film, exposing the resist film of the laminate to form a latent image of the resist pattern, developing the resist film to reveal the resist pattern; An electrode manufacturing method comprising etching a paste layer to form a pattern of an aluminum paste layer corresponding to a resist pattern, and firing the pattern, wherein the aluminum powder (A) includes: D50: achieved by an electrode manufacturing method characterized by containing 2 to 20 μm aluminum powder That.

本発明の製造方法において、安価でかつ高精細のパターン形成することができ、フラットパネルディスプレイの電極配線を構成する部材の形成、電子部品の高度実装材料の部材の形成ならびに太陽電池の部材の形成に好適に使用することができる。 In the manufacturing method of the present invention, an inexpensive and high-definition pattern can be formed, formation of members constituting electrode wiring of a flat panel display, formation of members of highly mounting materials for electronic components, and formation of members of solar cells Can be suitably used.

以下、本発明に係る電極の製造方法について説明する。以下、前記製造方法に用いられる材料、各種条件などについて説明する。
[基板]
基板材料としてガラス、シリコン、ポリカーボネート、ポリエステル、芳香族アミド、ポリアミドイミド、ポリイミドなどの絶縁性材料からなる板状部材である。この板状部材の表面に対しては、必要に応じて、シランカップリング剤などによる薬品処理、プラズマ処理、イオンプレーティング法、スパッタリング法、気相反応法、真空蒸着法などによる薄膜形成処理のような適宜選択の前処理を施されてもよい。
[転写フィルム]
本発明の製造方法に用いる転写フィルムは、支持フィルムと、この支持フィルム上に形成されたアルミニウムペースト層および/またはレジスト層を有してなり、当該アルミニウムペースト層またはレジスト層の表面に保護フィルム層が設けられていてもよい。
[支持フィルム]
転写フィルムを構成する支持フィルムは、耐熱性および耐溶剤性を有すると共に可撓性を有する樹脂フィルムであることが好ましい。支持フィルムが可撓性を有することにより、ロールコータによってペースト状組成物を塗布することができ、アルミニウムペースト層をロール状に巻回した状態で保存し、供給することができる。支持フィルムを形成する樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリフロロエチレンなどの含フッ素樹脂、ナイロン、セルロースなどを挙げることができる。支持フィルムの厚さとしては、例えば20〜100μmとされる。
Hereinafter, the manufacturing method of the electrode which concerns on this invention is demonstrated. Hereinafter, materials used in the manufacturing method, various conditions, and the like will be described.
[substrate]
A plate-like member made of an insulating material such as glass, silicon, polycarbonate, polyester, aromatic amide, polyamideimide, or polyimide as a substrate material. If necessary, the surface of the plate-like member may be subjected to chemical treatment with a silane coupling agent, plasma treatment, ion plating method, sputtering method, gas phase reaction method, vacuum deposition method, etc. Such an appropriate pretreatment may be performed.
[Transfer film]
The transfer film used in the production method of the present invention has a support film and an aluminum paste layer and / or a resist layer formed on the support film, and a protective film layer on the surface of the aluminum paste layer or resist layer. May be provided.
[Support film]
The support film constituting the transfer film is preferably a resin film having heat resistance and solvent resistance and flexibility. Since the support film has flexibility, the paste-like composition can be applied by a roll coater, and the aluminum paste layer can be stored and supplied in a state of being wound in a roll. Examples of the resin forming the support film include polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyfluoroethylene, and other fluorine-containing resins, nylon, and cellulose. The thickness of the support film is, for example, 20 to 100 μm.

[アルミニウム組成物]
本発明の製造方法に用いられる構成成分は、アルミニウムペースト層とレジスト層より形成される。アルミニウムペースト層は、アルミニウム粉末(A)、ガラス粉末(B)、結着樹脂(C)および溶剤(D)を含有する。レジスト層は結着樹脂(a)、溶剤(b)、多官能(メタ)アクリレート(c)、光重合開始剤(d)を含有する。
[アルミニウムペースト層]
本発明のアルミニウムペースト層は、アルミニウム粉末、ガラス粉末、アルカリ可溶性樹脂および溶剤を必須成分として含有するアルミニウムペースト組成物を前記基板および/または支持フィルム上に塗布し、塗膜を乾燥して溶剤の一部または全部を除去することにより形成することができる。
[アルミニウムペースト組成物]
アルミニウムペースト層を作製するために用いられるアルミニウムペースト組成物は、アルミニウム粉末(A)、ガラス粉末(B)、結着樹脂(C)および溶剤(D)を含有することを特徴とする。
[アルミニウム粉末(A)]
FPDを構成する「電極」を形成するための組成物に含有される無機粉体としては、アルミニウム粉末およびその化合物からなる金属粉末を挙げることができる。
[Aluminum composition]
The components used in the production method of the present invention are formed from an aluminum paste layer and a resist layer. The aluminum paste layer contains aluminum powder (A), glass powder (B), binder resin (C) and solvent (D). The resist layer contains a binder resin (a), a solvent (b), a polyfunctional (meth) acrylate (c), and a photopolymerization initiator (d).
[Aluminum paste layer]
The aluminum paste layer of the present invention is prepared by applying an aluminum paste composition containing aluminum powder, glass powder, an alkali-soluble resin and a solvent as essential components onto the substrate and / or supporting film, drying the coating film, It can be formed by removing part or all of it.
[Aluminum paste composition]
The aluminum paste composition used for producing the aluminum paste layer contains an aluminum powder (A), a glass powder (B), a binder resin (C) and a solvent (D).
[Aluminum powder (A)]
Examples of the inorganic powder contained in the composition for forming the “electrode” constituting the FPD include an aluminum powder and a metal powder composed of a compound thereof.

上記アルミニウム粉末の粒径は、作製しようとするパターンの形状を考慮して適宜選択するが、アルミニウム粉末の50重量%粒子径(D50)が2.0〜20.0μmであることが好ましい。より好ましくは50重量%粒子径(D50)が3.0〜15.0μmであることが好ましい。この範囲にアルミニウム粉末の平均粒径にあると、現像時に残渣を生じないため、高精細なパターンを得ることができる。   The particle size of the aluminum powder is appropriately selected in consideration of the shape of the pattern to be produced, but the 50% by weight particle size (D50) of the aluminum powder is preferably 2.0 to 20.0 μm. More preferably, the 50% by weight particle diameter (D50) is 3.0 to 15.0 μm. When the average particle diameter of the aluminum powder is within this range, no residue is produced during development, and a high-definition pattern can be obtained.

アルミニウム粉末の形状としては、球状またはフレーク状のいずか1種以上を用いる。
[ガラス粉末(B)]
本発明のアルミニウムペースト組成物に用いられるガラス粉末としては、好ましくは軟化点が350〜700℃(好ましくは400〜600℃)の範囲内にあるガラス粉末を挙げることができる。ガラス粉末の軟化点が350℃未満である場合には、本発明の転写フィルムから形成されたアルミニウムペースト層の焼成工程において、結着樹脂などの有機物質が完全に分解除去されない段階でガラス粉末が溶融してしまうため、形成される誘電体層中に有機物質の一部が残留し、この結果、誘電体層が着色されて、その光透過率が低下する傾向がある。一方、ガラス粉末の軟化点が700℃を超える場合には、700℃より高温で焼成する必要があるために、ガラス基板に歪みなどが発生しやすい。
As the shape of the aluminum powder, one or more of spherical or flaky shapes are used.
[Glass powder (B)]
Examples of the glass powder used in the aluminum paste composition of the present invention include a glass powder having a softening point in the range of 350 to 700 ° C. (preferably 400 to 600 ° C.). When the softening point of the glass powder is less than 350 ° C., the glass powder is not fully decomposed and removed in the baking process of the aluminum paste layer formed from the transfer film of the present invention. Since it melts, a part of the organic substance remains in the formed dielectric layer. As a result, the dielectric layer is colored and its light transmittance tends to decrease. On the other hand, when the softening point of the glass powder exceeds 700 ° C., the glass substrate needs to be baked at a temperature higher than 700 ° C., so that the glass substrate is likely to be distorted.

好適なガラス粉末の具体例としては、
1.酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素(PbO−B2O3−SiO2系)の混合物、
2.酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素(ZnO−B2O3−SiO2系)の混合物、
3.酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウム(PbO−B2O3−SiO2−Al2O3系)の混合物、
4.酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素(PbO−ZnO−B2O3−SiO2系)の混合物、
5.酸化ビスマス、酸化ホウ素、酸化ケイ素(Bi2O3-B2O3-SiO2系)の混合物、
6.酸化亜鉛、酸化リン、酸化ケイ素(ZnO−P2O5−SiO2系)の混合物、
7.酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化カリウム(ZnO−B2O3−K2O系)の混合物、
8.酸化リン、酸化ホウ素、酸化アルミニウム(P2O5−B2O3−Al2O3系)の混合物、
9.酸化亜鉛、酸化リン、酸化ケイ素、酸化アルミニウム(ZnO−P2O5−SiO2−Al2O3系)の混合物、
10.酸化亜鉛、酸化リン、酸化チタン(ZnO−P2O5−TiO2系)の混合物、
11.酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化カリウム(ZnO−B2O3−SiO2系−K2O系)の混合物、
12.酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化カリウム、酸化カルシウム(ZnO−B2O3−SiO2−K2O−CaO系)の混合物、
13.酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化アルミニウム(ZnO−B2O3−SiO2−K2O−CaO−Al2O3系)の混合物
14.酸化ホウ素、酸化珪素、酸化アルミニウム(B2O3−SiO2−Al2O3系)の混合物、
15.酸化ホウ素、酸化珪素、酸化ナトリウム(B2O3−SiO2−Na2O系)の混合物
などが挙げられる。
Specific examples of suitable glass powder include
1. A mixture of lead oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO-B 2 O 3 —SiO 2 system),
2. A mixture of zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (ZnO-B 2 O 3 —SiO 2 system),
3. A mixture of lead oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (PbO-B 2 O 3 —SiO 2 —Al 2 O 3 series),
4). A mixture of lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 —SiO 2 system),
5). A mixture of bismuth oxide, boron oxide, silicon oxide (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 system),
6). A mixture of zinc oxide, phosphorus oxide, silicon oxide (ZnO-P 2 O 5 —SiO 2 system),
7). A mixture of zinc oxide, boron oxide, potassium oxide (ZnO-B 2 O 3 -K 2 O system),
8). A mixture of phosphorus oxide, boron oxide, aluminum oxide (P 2 O 5 —B 2 O 3 —Al 2 O 3 system),
9. A mixture of zinc oxide, phosphorus oxide, silicon oxide, aluminum oxide (ZnO-P 2 O 5 —SiO 2 —Al 2 O 3 series),
10. A mixture of zinc oxide, phosphorus oxide, titanium oxide (ZnO-P 2 O 5 -TiO 2 system),
11. A mixture of zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, potassium oxide (ZnO-B 2 O 3 —SiO 2 system—K 2 O system),
12 A mixture of zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, potassium oxide, calcium oxide (ZnO-B 2 O 3 —SiO 2 —K 2 O—CaO system),
13. 14. Mixture of zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, potassium oxide, calcium oxide, aluminum oxide (ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 —K 2 O—CaO—Al 2 O 3 system) A mixture of boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (B 2 O 3 —SiO 2 —Al 2 O 3 series),
15. Examples thereof include a mixture of boron oxide, silicon oxide, and sodium oxide (B 2 O 3 —SiO 2 —Na 2 O system).

上記ガラス粉末は、電極部材を得るためのアルミニウムペースト組成物におけるガラス粉末の含有量は、アルミニウムペースト組成物全量に対して、好ましくは、0.5〜15重量%である。より好ましくは1.0〜10重量%である。   As for the said glass powder, Preferably content of the glass powder in the aluminum paste composition for obtaining an electrode member is 0.5 to 15 weight% with respect to the aluminum paste composition whole quantity. More preferably, it is 1.0 to 10% by weight.

上記ガラス粉末の粒径は、作製しようとするパターンの形状を考慮して適宜選択するが、ガラス粉末の50重量%粒子径(D50)が0.2〜4.0μmであることが好ましい。さらに、10重量%粒径(D10)が0.05〜0.5μm、90重量%粒径(D90)が10〜20μmであることが好ましい。より好ましくは50重量%粒子径(D50)が0.5〜3.8μmであることが好ましい。この範囲にガラス粉末の平均粒径にあると、紫外線照射時の光が塗膜の底部まで十分到達し、高精細なパターンを得ることができる。特に、環境を配慮した無鉛ガラスが好ましい。
本発明のアルミニウムペースト組成物において、無機粒子とは、有機成分を除いた部分、すなわち無機粒子全体をいう。無機粒子は、アルミニウム粉末およびガラス粉末をいう。また、有機成分には、アルカリ可溶性樹脂、溶剤、多官能(メタ)アクリレート、重合禁止剤、酸化防止剤、可塑剤、増粘剤、有機溶剤、分散剤、沈降防止剤やレベリング剤などの添加剤成分を添加することができる。本発明のアルミニウムペースト組成物は、95〜10重量%の無機粒子と5〜90重量%の有機成分からなることが好ましい。
[結着樹脂(C)]
本発明の組成物に用いられる結着樹脂(C)は、アルカリ可溶性であることが好ましい。本発明において「アルカリ可溶性」とは目的とする現像処理が可能な程度に、アルカリ性の現像液に溶解する性質をいう。このような結着樹脂は、アルカリ可溶性官能基含有モノマー(C1)と(メタ)アクリル酸誘導体(C2)とを共重合させることにより得ることができる。
The particle size of the glass powder is appropriately selected in consideration of the shape of the pattern to be produced, but it is preferable that the 50% by weight particle size (D50) of the glass powder is 0.2 to 4.0 μm. Further, it is preferable that the 10% by weight particle size (D10) is 0.05 to 0.5 μm and the 90% by weight particle size (D90) is 10 to 20 μm. More preferably, the 50% by weight particle diameter (D50) is preferably 0.5 to 3.8 μm. When the average particle diameter of the glass powder is within this range, the light during ultraviolet irradiation reaches the bottom of the coating sufficiently and a high-definition pattern can be obtained. In particular, lead-free glass considering the environment is preferable.
In the aluminum paste composition of the present invention, the inorganic particles refer to portions excluding organic components, that is, the entire inorganic particles. Inorganic particles refer to aluminum powder and glass powder. In addition, addition of alkali-soluble resins, solvents, polyfunctional (meth) acrylates, polymerization inhibitors, antioxidants, plasticizers, thickeners, organic solvents, dispersants, anti-settling agents, leveling agents, etc. to organic components Agent components can be added. The aluminum paste composition of the present invention preferably comprises 95 to 10% by weight of inorganic particles and 5 to 90% by weight of organic components.
[Binder resin (C)]
The binder resin (C) used in the composition of the present invention is preferably alkali-soluble. In the present invention, “alkali-soluble” refers to a property of being dissolved in an alkaline developer to such an extent that the intended development processing is possible. Such a binder resin can be obtained by copolymerizing the alkali-soluble functional group-containing monomer (C1) and the (meth) acrylic acid derivative (C2).

上記アルカリ可溶性官能基含有モノマー(C1)としては、(メタ)アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸、コハク酸モノ(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)、2−メタクリロイロキシエチルフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルヘキサヒドロハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルテトラヒドロハイドロゲンフタレート、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート等のカルボキシル基含有モノマー類;
(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、(α-ヒドロキシメチル)アクリレート等の水酸基含有モノマー類;
o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン等のフェノール性水酸基含有モノマー類
などのアルカリ可溶性官能基と不飽和結合を有するモノマーが挙げられる。これらのモノマーのうち、(メタ)アクリル酸、2−メタクリロイロキシエチルフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルヘキサヒドロハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルテトラヒドロハイドロゲンフタレート、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチルが好ましい。
Examples of the alkali-soluble functional group-containing monomer (C1) include (meth) acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, and succinic acid mono (2- (meth)). Acryloyloxyethyl), 2-methacryloyloxyethylphthalic acid, 2-acryloyloxyethyl hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hexahydrohydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl tetrahydrophthalate, carboxyl group-containing monomers such as ω-carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate;
Hydroxyl group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, (α-hydroxymethyl) acrylate;
Examples thereof include monomers having an alkali-soluble functional group and an unsaturated bond, such as phenolic hydroxyl group-containing monomers such as o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, and p-hydroxystyrene. Among these monomers, (meth) acrylic acid, 2-methacryloyloxyethylphthalic acid, 2-acryloyloxyethyl hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hexahydrohydrogen phthalate, 2-acryloyl Oxypropyltetrahydrohydrogenphthalate and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate are preferred.

アルカリ可溶性官能基含有モノマー(C1)を共重合することにより、樹脂にアルカリ可溶性を付与することができる。このアルカリ可溶性官能基含有モノマー(C1)由来の構成単位の含有量は、樹脂の全構成単位中、通常、5〜90重量%、好ましくは10〜80重量%、特に好ましくは15〜70重量%である。   By copolymerizing the alkali-soluble functional group-containing monomer (C1), alkali solubility can be imparted to the resin. The content of the structural unit derived from the alkali-soluble functional group-containing monomer (C1) is usually from 5 to 90% by weight, preferably from 10 to 80% by weight, particularly preferably from 15 to 70% by weight, based on all the structural units of the resin. It is.

上記(メタ)アクリル酸誘導体(C2)としては、上記アルカリ可溶性官能基含有モノマー(C1)と共重合可能な(メタ)アクリル酸誘導体であれば特に限定されないが、たとえば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、トリチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボロニル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート等の上記モノマー(C2)以外の(メタ)アクリレート類などが挙げられる。   The (meth) acrylic acid derivative (C2) is not particularly limited as long as it is a (meth) acrylic acid derivative copolymerizable with the alkali-soluble functional group-containing monomer (C1). For example, methyl (meth) acrylate, Ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) Monomers (C2) such as acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, trityl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, etc. Etc. outside (meth) acrylates.

また、本発明では、上記(メタ)アクリル酸誘導体(C2)の代わりに、あるいは上記(メタ)アクリル酸誘導体(C2)に加えて、たとえば、スチレン、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート等から得られるポリマーの一方の鎖末端に、(メタ)アクリロイル基、アリル基、ビニル基などの重合性不飽和基を有するマクロモノマーなどを用いてもよい。
(ラジカル重合開始剤)
上記共重合の際、ラジカル重合開始剤を使用することが好ましい。ラジカル重合開始剤としては、ビニル単量体の重合に用いられるラジカル重合開始剤を使用できる。例えば、2,2’−アゾビスイソブチロ二トリル、2,2’−アゾビス(2−メチルブチル二トリル)、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロ二トリル)、1,1’−アゾビス(1−シクロヘキサンカルボニトリル)、ジメチルー2,2’−アゾビスイソブチレート、4,4’−アゾビス(4−シアノバレリック酸)等のアゾ化合物;t−ブチルパーオキシビバレート、t−ブチルパーオキシ2−エチルヘキサノエート、クミルパーオキシ2−エチルヘキサノエート等のパーオキシエステル類の有機過酸化物等を挙げることができる。これらのラジカル重合開始剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらのラジカル重合開始剤の使用量は、上記共重合に使用する全モノマー100重量部に対して0.1〜10重量程度である。
In the present invention, for example, styrene, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate instead of the (meth) acrylic acid derivative (C2) or in addition to the (meth) acrylic acid derivative (C2). Alternatively, a macromonomer having a polymerizable unsaturated group such as a (meth) acryloyl group, an allyl group, or a vinyl group may be used at one chain end of a polymer obtained from benzyl (meth) acrylate or the like.
(Radical polymerization initiator)
In the copolymerization, it is preferable to use a radical polymerization initiator. As the radical polymerization initiator, a radical polymerization initiator used for polymerization of a vinyl monomer can be used. For example, 2,2′-azobisisobutyronitrile, 2,2′-azobis (2-methylbutylnitryl), 2,2′-azobis (2,4-dimethylvaleronitryl), 1,1 ′ -Azo compounds such as azobis (1-cyclohexanecarbonitrile), dimethyl-2,2'-azobisisobutyrate, 4,4'-azobis (4-cyanovaleric acid); t-butyl peroxybivalate, t -Organic peroxides of peroxyesters such as butylperoxy 2-ethylhexanoate and cumylperoxy 2-ethylhexanoate. These radical polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more. The usage-amount of these radical polymerization initiators is about 0.1-10 weight with respect to 100 weight part of all the monomers used for the said copolymerization.

このようにして得られたアルカリ可溶性樹脂(C)の重量平均分子量(以下「Mw」ともいう。)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定したポリスチレン換算値で、好ましくは5,000〜150,000、より好ましくは10,000〜100,000である。Mwは、上記モノマーの共重合割合、組成、連鎖移動剤、重合温度などの条件を適宜選択することにより制御することができる。Mwが前記範囲よりも低いと、現像後の膜荒れが発生しやすくなり、また、Mwが前記範囲を超えると、未露光部の現像液に対する溶解性が低下し、解像度が低下する場合がある。   The weight average molecular weight (hereinafter also referred to as “Mw”) of the alkali-soluble resin (C) thus obtained is a polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography (GPC), and preferably from 5,000 to It is 150,000, More preferably, it is 10,000-100,000. Mw can be controlled by appropriately selecting conditions such as the copolymerization ratio, composition, chain transfer agent, and polymerization temperature of the monomer. When Mw is lower than the above range, film roughness after development is likely to occur, and when Mw exceeds the above range, the solubility of the unexposed portion in the developer may be reduced and resolution may be reduced. .

上記結着樹脂のガラス転移温度(Tg)は、−10〜120℃、好ましくは0〜100℃である。ガラス転移温度が前記範囲よりも低いと、塗膜にタックを生じやすく、ハンドリングがしにくい傾向にある。また、ガラス転移温度が前記範囲を超えると、支持体であるガラス基板等との密着性が悪くなり、転写できないことがある。なお、前記ガラス転移温度は、モノマー(C1)、(メタ)アクリル酸誘導体(C2)の量を変更することによって適宜調節することがでる。
上記結着樹脂(C)の酸価は、好ましくは20〜200mgKOH/g、より好ましくは30〜160mgKOH/gの範囲である。酸価が20mgKOH/g以下では速やかにアルカリ現像液で除去しにくく、高精細なパターン形成が困難となる傾向にある。また、酸価が200mgKOH/g以上になると、アルカリ現像液に浸食されやすくなり、高精細なパターン形成が困難となる傾向にある。
[溶剤(D)]
本発明のアルミニウムペースト組成物には、通常、適当な流動性または可塑性、良好な膜形成性を付与するために溶剤が含有される。用いられる溶剤としては、無機粉体との親和性、アルカリ可溶性樹脂の溶解性が良好で、アルミペーストの粘度を調整すると共に、乾燥することにより容易に蒸発ができるものが好ましい。
The glass transition temperature (Tg) of the binder resin is −10 to 120 ° C., preferably 0 to 100 ° C. When the glass transition temperature is lower than the above range, the coating film tends to be tacky and is difficult to handle. On the other hand, when the glass transition temperature exceeds the above range, the adhesiveness with a glass substrate as a support is deteriorated, and transfer may not be possible. In addition, the said glass transition temperature can be suitably adjusted by changing the quantity of a monomer (C1) and a (meth) acrylic acid derivative (C2).
The acid value of the binder resin (C) is preferably 20 to 200 mgKOH / g, more preferably 30 to 160 mgKOH / g. When the acid value is 20 mgKOH / g or less, it is difficult to quickly remove it with an alkaline developer, and it tends to be difficult to form a high-definition pattern. On the other hand, when the acid value is 200 mgKOH / g or more, it tends to be eroded by the alkaline developer, and it tends to be difficult to form a high-definition pattern.
[Solvent (D)]
The aluminum paste composition of the present invention usually contains a solvent for imparting appropriate fluidity or plasticity and good film forming properties. The solvent used is preferably a solvent that has good affinity with inorganic powder and good solubility of the alkali-soluble resin, can adjust the viscosity of the aluminum paste, and can be easily evaporated by drying.

また、好ましい溶剤としては、標準沸点(1気圧における沸点)が100〜300℃であるケトン類、アルコール類およびエステル類を挙げることができる。
溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メトキシプロピルアセテート、ジオキサン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、ジメチルスルフォキシド、γ−ブチロラクトン、ターピネオール、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどが挙げられる。上記溶剤は、1種単独で用いても、2種以上を混合して用いてもよい。また、本発明の組成物における溶剤の含有割合としては、良好な膜形成性(流動性または可塑性)が得られる範囲内において適宜選択することができる。
[多官能(メタ)アクリレート]
本発明のアルミニウムペースト組成物において、多官能(メタ)アクリレートを、ペーストに可塑性を付与するため、有機成分中の10重量%以上、好ましくは15〜60重量%となる量で用いてもよい。
Examples of preferable solvents include ketones, alcohols, and esters having a normal boiling point (boiling point at 1 atm) of 100 to 300 ° C.
Examples of the solvent include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methoxypropyl acetate, dioxane, cyclohexanone, cyclopentanone, isobutyl alcohol, isopropyl alcohol, dimethyl sulfoxide, γ- Examples include butyrolactone, terpineol, diethylene glycol monoethyl ether acetate, and diethylene glycol monobutyl ether. The said solvent may be used individually by 1 type, or 2 or more types may be mixed and used for it. Further, the content ratio of the solvent in the composition of the present invention can be appropriately selected within a range in which good film forming properties (fluidity or plasticity) can be obtained.
[Multifunctional (meth) acrylate]
In the aluminum paste composition of the present invention, polyfunctional (meth) acrylate may be used in an amount of 10 wt% or more, preferably 15 to 60 wt% in the organic component in order to impart plasticity to the paste.

このような多官能(メタ)アクリレートとしては、アリル化シクロヘキシルジ(メタ)アクリレート、2,5−ヘキサンジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリグリセロールジ(メタ)アクリレート等のジ(メタ)タクリレート類;
ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンPO変性トリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンEO変性トリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ベンジルメルカプタン(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート類;
上記化合物中の芳香環の水素原子のうち、1〜5個を塩素もしくは臭素原子に置換したモノマー;および、
スチレン、p−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、塩素化スチレン、臭素化スチレン、α−メチルスチレン、塩素化α−メチルスチレン、臭素化α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン、ヒドロキシメチルスチレン、カルボシキメチルスチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルカルバゾール、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、1−ビニル−2−ピロリドンなどが挙げられる。上記多官能(メタ)アクリレートは、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[紫外線吸収剤]
本発明では、アルミニウムペースト組成物中に紫外線吸収剤を添加することも有効である。紫外線吸収効果の高い化合物を添加することによって、高アスペクト比、高精細、高解像度が得られる。紫外線吸収剤としては、有機系染料または無機系顔料を用いることができ、中でも350〜450nmの波長範囲で高UV吸収係数を有する有機系染料または無機顔料が好ましく用いられる。
Such polyfunctional (meth) acrylates include allylated cyclohexyl di (meth) acrylate, 2,5-hexanedi (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,3-butylene glycol di (Meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, methoxylated cyclohexyl di (meth) ) Acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, triglycerol di (meth) acrylate Of di (meth) methacrylate compounds;
Pentaerythritol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane (meth) acrylate, trimethylolpropane PO modified tri (meth) acrylate, trimethylolpropane EO modified tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol Polyfunctional (meth) acrylates such as monohydroxypenta (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, benzyl mercaptan (meth) acrylate;
A monomer in which 1 to 5 of the aromatic ring hydrogen atoms in the compound are substituted with chlorine or bromine atoms; and
Styrene, p-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, chlorinated styrene, brominated styrene, α-methylstyrene, chlorinated α-methylstyrene, brominated α-methylstyrene, chloromethylstyrene, hydroxymethyl Examples thereof include styrene, carboxymethyl styrene, vinyl naphthalene, vinyl anthracene, vinyl carbazole, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and 1-vinyl-2-pyrrolidone. The said polyfunctional (meth) acrylate may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.
[Ultraviolet absorber]
In the present invention, it is also effective to add an ultraviolet absorber to the aluminum paste composition. By adding a compound having a high ultraviolet absorption effect, a high aspect ratio, high definition, and high resolution can be obtained. As the ultraviolet absorber, an organic dye or an inorganic pigment can be used, and among them, an organic dye or an inorganic pigment having a high UV absorption coefficient in a wavelength range of 350 to 450 nm is preferably used.

具体的には、アゾ系染料、アミノケトン系染料、キサンテン系染料、キノリン系染料、アミノケトン系染料、アントラキノン系、ベンゾフェノン系、ジフェニルシアノアクリレート系、トリアジン系、p−アミノ安息香酸系染料などの有機系染料、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウムなどの無機顔料を用いることができる。これらにおいて、有機系染料は、焼成後の絶縁膜中に残存しないため、絶縁膜特性の低下を少なくできるので好ましいが、フラットディスプレイパネルの信頼性の観点から、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウムのような無機顔料がより好ましい。   Specifically, organic dyes such as azo dyes, amino ketone dyes, xanthene dyes, quinoline dyes, amino ketone dyes, anthraquinone dyes, benzophenone dyes, diphenyl cyanoacrylate dyes, triazine dyes, p-aminobenzoic acid dyes Inorganic pigments such as dyes, zinc oxide, titanium oxide, and cerium oxide can be used. In these, since organic dye does not remain in the insulating film after firing, it is preferable because the deterioration of the insulating film characteristics can be reduced, but from the viewpoint of the reliability of the flat display panel, zinc oxide, titanium oxide, cerium oxide Such inorganic pigments are more preferred.

無機顔料は、ガラス粉末100重量部に対して、0.001〜5重量部、好ましくは0.01〜1重量部の範囲となる量で添加することができる。0.001重量部以下では紫外線吸収剤の添加効果が減少し、5重量部を超えると紫外線吸収剤の効果が大きく膜の下部まで光が届かなくなり、パターンを形成できなくなることや成膜強度が保てないことがあるため、好ましくない。
[増感剤]
本発明のアルミニウムペースト組成物には、増感剤を添加してもよい。増感剤としては、たとえば、2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、4−イソプロピルチオキサントン、1−クロロー4−プロピルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,3−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)シクロペンタノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミニベンザル)シクロヘキサノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)−4−メチルシクロヘキサノン、ミヒラーケトン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジメチルアミノ)カルコン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)カルコン、p−ジメチルアミノシンナミリデンインダノン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、2−(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)−イソナフトチアゾール、1,3−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−カルボニル−ビス(4−ジエチルアミノベンザル)アセトン、3,3−カルボニル−ビス(7−ジエチルアミノクマリン)、N−フェニル−N−エチルエタノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、N−トリルジエタノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、3−フェニル−5−ベンゾイルチオテトラゾール、1−フェニル−5−エトキシカルボニルチオテトラゾールなどが挙げられる。
The inorganic pigment can be added in an amount of 0.001 to 5 parts by weight, preferably 0.01 to 1 part by weight, with respect to 100 parts by weight of the glass powder. When the amount is less than 0.001 part by weight, the effect of adding the ultraviolet absorber is reduced. When the amount exceeds 5 parts by weight, the effect of the ultraviolet absorber is so great that light does not reach the lower part of the film, making it impossible to form a pattern or increasing the film strength. Since it may not be kept, it is not preferable.
[Sensitizer]
A sensitizer may be added to the aluminum paste composition of the present invention. Examples of the sensitizer include 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, 4-isopropylthioxanthone, 1-chloro-4-propylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,3-bis (4 -Diethylaminobenzal) cyclopentanone, 2,6-bis (4-dimethylaminibenzal) cyclohexanone, 2,6-bis (4-dimethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, Michler's ketone, 4,4-bis (Diethylamino) -benzophenone, 4,4-bis (dimethylamino) chalcone, 4,4-bis (diethylamino) chalcone, p-dimethylaminocinnamylideneindanone, p-dimethylaminobenzylideneindanone, 2- (p- Dimethylaminopheny Vinylene) -isonaphthothiazole, 1,3-bis (4-dimethylaminobenzal) acetone, 1,3-carbonyl-bis (4-diethylaminobenzal) acetone, 3,3-carbonyl-bis (7-diethylaminocoumarin) ), N-phenyl-N-ethylethanolamine, N-phenylethanolamine, N-tolyldiethanolamine, N-phenylethanolamine, isoamyl dimethylaminobenzoate, isoamyl diethylaminobenzoate, 3-phenyl-5-benzoylthiotetrazole, Examples thereof include 1-phenyl-5-ethoxycarbonylthiotetrazole.

上記増感剤は、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。なお、増感剤の中には光重合開始剤としても使用できるものがある。上記増感剤は、無機成分に対して、通常0.01〜5重量%、より好ましくは0.05〜3重量%の範囲となる量で添加することができる。増感剤の量が少なすぎると、光感度を向上させる効果が発揮されないことがあり、増感剤の量が多すぎると、露光部の残存率が小さくなりすぎることがある。
[重合禁止剤]
本発明のアルミニウムペースト組成物には、保存時の熱安定性を向上させるために、重合禁止剤を添加してもよい。重合禁止剤としては、例えば、ヒドロキノン、ヒドロキノンのモノエステル化物、N−ニトロソジフェニルアミン、フェノチアジン、p−t−ブチルカテコール、N−フェニルナフチルアミン、2,6−ジ−t−ブチル−p−メチルフェノール、クロラニール、ピロガロールなどが挙げられる。重合禁止剤は、組成物中に、通常0.001〜1重量%の範囲となる量で添加することができる
[酸化防止剤]
本発明のアルミニウムペースト組成物には、保存時におけるアクリル系共重合体の酸化を防ぐために、酸化防止剤を添加してもよい。酸化防止剤としては、例えば、2,6−ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、2,6−ジ−t−4−エチルフェノール、2,2−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノール)、2,2−メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4−ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−6−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ−t−ブチルフェニル)ブタン、ビス[3,3−ビス−(4−ヒドロキシ−3−t−ブチルフェニル)ブチリックアシッド]グリコールエステル、ジラウリルチオジプロピオナート、トリフェニルホスファイトなどが挙げられる。酸化防止剤は、組成物中に、通常0.001〜1重量%の範囲となる量で添加することができる。
[密着助剤]
本発明のアルミニウムペースト組成物には、支持体との密着性を向上させるために、密着助剤を加えてもよい。密着助剤としては、シラン化合物が好適に用いられる。シラン化合物の具体例としては、n−プロピルジメチルメトキシシラン、n−ブチルジメチルメトキシシラン、n−デシルジメチルメトキシシラン、n−ヘキサデシルジメチルメトキシシラン、n−イコサンジメチルメトキシシラン、n−プロピルジエチルメトキシシラン、n−ブチルジエチルメトキシシラン、n−デシルジエチルメトキシシラン、n−ヘキサデシルジエチルメトキシシラン、n−イコサンジエチルメトキシシラン、n−ブチルジプロピルメトキシシラン、n−デシルジプロピルメトキシシラン、n−ヘキサデシルジプロピルメトキシシラン、n−イコサンジプロピルメトキシシラン、n−プロピルジメチルエトキシシラン、n−ブチルジメチルエトキシシラン、n−デシルジメチルエトキシシラン、n−ヘキサデシルジメチルエトキシシラン、n−イコサンジメチルエトキシシラン、n−プロピルジエチルエトキシシラン、n−ブチルジエチルエトキシシラン、n−デシルジエチルエトキシシラン、n−ヘキサデシルジエチルエトキシシラン、n−イコサンジエチルエトキシシラン、n−ブチルジプロピルエトキシシラン、n−デシルジプロピルエトキシシラン、n−ヘキサデシルジプロピルエトキシシラン、n−イコサンジプロピルエトキシシラン、n−プロピルジメチルプロポキシシラン、n−ブチルジメチルプロポキシシラン、n−デシルジメチルプロポキシシラン、n−ヘキサデシルジメチルプロポキシシラン、n−イコサンジメチルプロポキシシラン、n−プロピルジエチルプロポキシシラン、n−ブチルジエチルプロポキシシラン、n−デシルジエチルプロポキシシラン、n−ヘキサデシルジエチルプロポキシシラン、n−イコサンジエチルプロポキシシラン、n−ブチルジプロピルプロポキシシラン、n−デシルジプロピルプロポキシシラン、n−ヘキサデシルジプロピルプロポキシシラン、n−イコサンジプロピルプロポキシシラン、n−プロピルメチルジメトキシシラン、n−ブチルメチルジメトキシシラン、n−デシルメチルジメトキシシラン、n−ヘキサデシルメチルジメトキシシラン、n−イコサンメチルジメトキシシラン、n−プロピルエチルジメトキシシラン、n−ブチルエチルジメトキシシラン、n−デシルエチルジメトキシシラン、n−ヘキサデシルエチルジメトキシシラン、n−イコサンエチルジメトキシシラン、n−ブチルプロピルジメトキシシラン、n−デシルプロピルジメトキシシラン、n−ヘキサデシルプロピルジメトキシシラン、n−イコサンプロピルジメトキシシラン、n−プロピルメチルジエトキシシラン、n−ブチルメチルジエトキシシラン、n−デシルメチルジエトキシシラン、n−ヘキサデシルメチルジエトキシシラン、n−イコサンメチルジエトキシシラン、n−プロピルエチルジエトキシシラン、n−ブチルエチルジエトキシシラン、n−デシルエチルジエトキシシラン、n−ヘキサデシルエチルジエトキシシラン、n−イコサンエチルジエトキシシラン、n−ブチルプロピルジエトキシシラン、n−デシルプロピルジエトキシシラン、n−ヘキサデシルプロピルジエトキシシラン、n−イコサンプロピルジエトキシシラン、n−プロピルメチルジプロポキシシラン、n−ブチルメチルジプロポキシシラン、n−デシルメチルジプロポキシシラン、n−ヘキサデシルメチルジプロポキシシラン、n−イコサンメチルジプロポキシシラン、n−プロピルエチルジプロポキシシラン、n−ブチルエチルジプロポキシシラン、n−デシルエチルジプロポキシシラン、n−ヘキサデシルエチルジプロポキシシラン、n−イコサンエチルジプロポキシシラン、n−ブチルプロピルジプロポキシシラン、n−デシルプロピルジプロポキシシラン、n−ヘキサデシルプロピルジプロポキシシラン、n−イコサンプロピルジプロポキシシラン、n−プロピルトリメトキシシラン、n−ブチルトリメトキシシラン、n−デシルトリメトキシシラン、n−ヘキサデシルトリメトキシシラン、n−イコサントリメトキシシラン、n−プロピルトリエトキシシラン、n−ブチルトリエトキシシラン、n−デシルトリエトキシシラン、n−ヘキサデシルトリエトキシシラン、n−イコサントリエトキシシラン、n−プロピルトリプロポキシシラン、n−ブチルトリプロポキシシラン、n−デシルトリプロポキシシラン、n−ヘキサデシルトリプロポキシシラン、n−イコサントリプロポキシシラン、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、N−(2−アミノエチル)3−アミノプロピルメチルジメトキシシラン、N−(2−アミノエチル)3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリメトキシシラン、3−アミノプロピルトリエトキシシラン、3−グリシドキシプロピルトリメトキシシラン、3−グリシドキシプロピルメチルジメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メルカプトプロピルトリメトキシシラン、N−(1,3−ジメチルブチリデン)−3−(トリエトキシシリル)−1−プロパンアミン、N,N’−ビス−[3−(トリメトキシシリル)プロピル]エチレンジアミンなどが挙げられる。これらは、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
The above sensitizers may be used alone or in combination of two or more. Some sensitizers can also be used as photopolymerization initiators. The sensitizer can be added in an amount of usually 0.01 to 5% by weight, more preferably 0.05 to 3% by weight, based on the inorganic component. If the amount of the sensitizer is too small, the effect of improving the photosensitivity may not be exhibited, and if the amount of the sensitizer is too large, the residual ratio of the exposed portion may be too small.
[Polymerization inhibitor]
In order to improve the thermal stability during storage, a polymerization inhibitor may be added to the aluminum paste composition of the present invention. Examples of the polymerization inhibitor include hydroquinone, monoesterified hydroquinone, N-nitrosodiphenylamine, phenothiazine, pt-butylcatechol, N-phenylnaphthylamine, 2,6-di-tert-butyl-p-methylphenol, Examples include chloranil and pyrogallol. The polymerization inhibitor can be added to the composition in an amount usually ranging from 0.001 to 1% by weight [antioxidant].
An antioxidant may be added to the aluminum paste composition of the present invention in order to prevent oxidation of the acrylic copolymer during storage. Examples of the antioxidant include 2,6-di-t-butyl-p-cresol, butylated hydroxyanisole, 2,6-di-t-4-ethylphenol, 2,2-methylene-bis- (4 -Methyl-6-tert-butylphenol), 2,2-methylene-bis- (4-ethyl-6-tert-butylphenol), 4,4-bis- (3-methyl-6-tert-butylphenol), 1, 1,3-tris- (2-methyl-6-tert-butylphenol), 1,1,3-tris- (2-methyl-4-hydroxy-tert-butylphenyl) butane, bis [3,3-bis- (4-Hydroxy-3-t-butylphenyl) butyric acid] glycol ester, dilauryl thiodipropionate, triphenyl phosphite and the like. The antioxidant can be added to the composition in an amount usually ranging from 0.001 to 1% by weight.
[Adhesion aid]
An adhesion aid may be added to the aluminum paste composition of the present invention in order to improve the adhesion to the support. As the adhesion assistant, a silane compound is preferably used. Specific examples of the silane compound include n-propyldimethylmethoxysilane, n-butyldimethylmethoxysilane, n-decyldimethylmethoxysilane, n-hexadecyldimethylmethoxysilane, n-icosanedimethylmethoxysilane, and n-propyldiethylmethoxy. Silane, n-butyldiethylmethoxysilane, n-decyldiethylmethoxysilane, n-hexadecyldiethylmethoxysilane, n-icosanediethylmethoxysilane, n-butyldipropylmethoxysilane, n-decyldipropylmethoxysilane, n- Hexadecyldipropylmethoxysilane, n-icosanedipropylmethoxysilane, n-propyldimethylethoxysilane, n-butyldimethylethoxysilane, n-decyldimethylethoxysilane, n-hexadecyldimethyl Ruethoxysilane, n-icosanedimethylethoxysilane, n-propyldiethylethoxysilane, n-butyldiethylethoxysilane, n-decyldiethylethoxysilane, n-hexadecyldiethylethoxysilane, n-icosanediethylethoxysilane, n -Butyldipropylethoxysilane, n-decyldipropylethoxysilane, n-hexadecyldipropylethoxysilane, n-icosanedipropylethoxysilane, n-propyldimethylpropoxysilane, n-butyldimethylpropoxysilane, n-decyldimethyl Propoxysilane, n-hexadecyldimethylpropoxysilane, n-icosanedimethylpropoxysilane, n-propyldiethylpropoxysilane, n-butyldiethylpropoxysilane, n-decyldie Lupropoxysilane, n-hexadecyldiethylpropoxysilane, n-icosanediethylpropoxysilane, n-butyldipropylpropoxysilane, n-decyldipropylpropoxysilane, n-hexadecyldipropylpropoxysilane, n-icosanedipropyl Propoxysilane, n-propylmethyldimethoxysilane, n-butylmethyldimethoxysilane, n-decylmethyldimethoxysilane, n-hexadecylmethyldimethoxysilane, n-icosanemethyldimethoxysilane, n-propylethyldimethoxysilane, n-butyl Ethyldimethoxysilane, n-decylethyldimethoxysilane, n-hexadecylethyldimethoxysilane, n-icosaneethyldimethoxysilane, n-butylpropyldimethoxysilane, n-decyl Propyldimethoxysilane, n-hexadecylpropyldimethoxysilane, n-icosanepropyldimethoxysilane, n-propylmethyldiethoxysilane, n-butylmethyldiethoxysilane, n-decylmethyldiethoxysilane, n-hexadecylmethyldi Ethoxysilane, n-icosanemethyldiethoxysilane, n-propylethyldiethoxysilane, n-butylethyldiethoxysilane, n-decylethyldiethoxysilane, n-hexadecylethyldiethoxysilane, n-icosaneethyl Diethoxysilane, n-butylpropyldiethoxysilane, n-decylpropyldiethoxysilane, n-hexadecylpropyldiethoxysilane, n-icosanepropyldiethoxysilane, n-propylmethyldipropoxysilane, n-butyl Tildipropoxysilane, n-decylmethyldipropoxysilane, n-hexadecylmethyldipropoxysilane, n-icosanemethyldipropoxysilane, n-propylethyldipropoxysilane, n-butylethyldipropoxysilane, n-decyl Ethyldipropoxysilane, n-hexadecylethyldipropoxysilane, n-icosaneethyldipropoxysilane, n-butylpropyldipropoxysilane, n-decylpropyldipropoxysilane, n-hexadecylpropyldipropoxysilane, n- Icosanpropyl dipropoxysilane, n-propyltrimethoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, n-hexadecyltrimethoxysilane, n-icosanetrimethoxysilane, n-propylto Ethoxysilane, n-butyltriethoxysilane, n-decyltriethoxysilane, n-hexadecyltriethoxysilane, n-icosanetriethoxysilane, n-propyltripropoxysilane, n-butyltripropoxysilane, n-decyltri Propoxysilane, n-hexadecyltripropoxysilane, n-icosanetripropoxysilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, N- (2-aminoethyl) 3-aminopropylmethyldimethoxysilane, N- (2-amino Ethyl) 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-mercaptopropyltrimethoxysilane, N- (1,3-dimethylbutylidene) -3- (triethoxysilyl)- Examples include 1-propanamine, N, N′-bis- [3- (trimethoxysilyl) propyl] ethylenediamine, and the like. These may be used alone or in combination of two or more.

上記感光性アルミ二ウムペースト組成物における接着助剤の含有量としては、上記アルカリ可溶性樹脂(C)100重量部に対して、好ましくは0.05〜15重量部、より好ましくは0.1〜10重量部である。
[溶解促進剤]
本発明のアルミニウムペースト組成物は、後述する現像液への十分な溶解性を発現させる目的で、溶解促進剤を含有することが好ましい。溶解促進剤としては、界面活性剤が好ましく用いられる。このような界面活性剤としては、たとえば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、脂肪酸などが挙げられる。
The content of the adhesion assistant in the photosensitive aluminum paste composition is preferably 0.05 to 15 parts by weight, more preferably 0.1 to 100 parts by weight with respect to the alkali-soluble resin (C). 10 parts by weight.
[Solution Accelerator]
The aluminum paste composition of the present invention preferably contains a dissolution accelerator for the purpose of exhibiting sufficient solubility in a developer described later. As the dissolution accelerator, a surfactant is preferably used. Examples of such surfactants include fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants, nonionic surfactants, and fatty acids.

上記フッ素系界面活性剤としては、たとえば、BM CHIMIE社製「BM−1000」、「BM−1100」、大日本インキ化学工業(株)社製「メガファックF142D」、「同F172」、「同F173」、「同F183」、住友スリーエム(株)社製「フロラードFC−135」、「同FC−170C」、「同FC−430」、「同FC−431」、旭硝子(株)社製「サーフロンS−112」、「同S−113」、「同S−131」、「同S−141」、「同S−145」、「同S−382」、「同SC−101」、「同SC−102」、「同SC−103」、「同SC−104」、「同SC−105」、「同SC−106」等の市販品を挙げることができる。   Examples of the fluorosurfactant include “BM-1000” and “BM-1100” manufactured by BM CHIMIE, “Megafac F142D”, “Same F172” and “Same F172” manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc. "F173", "F183", "Florard FC-135", "FC-170C", "FC-430", "FC-431" manufactured by Sumitomo 3M Ltd., "Asahi Glass Co., Ltd." “Surflon S-112”, “S-113”, “S-131”, “S-141”, “S-145”, “S-382”, “SC-101”, “Same” Commercial products such as “SC-102”, “SC-103”, “SC-104”, “SC-105”, and “SC-106” can be mentioned.

上記シリコーン系界面活性剤としては、たとえば、東レ・ダウコーニング・シリコーン(株)社製「SH−28PA」、「SH−190」、「SH−193」、「SZ−6032」、「SF−8428」、「DC−57」、「DC−190」、信越化学工業(株)社製「KP341」、新秋田化成(株)社製「エフトップEF301」、「同EF303」、「同EF352」等の市販品を挙げることができる。   Examples of the silicone surfactant include “SH-28PA”, “SH-190”, “SH-193”, “SZ-6032”, “SF-8428” manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd. ”,“ DC-57 ”,“ DC-190 ”,“ KP341 ”manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.,“ F-top EF301 ”,“ same EF303 ”,“ same EF352 ”manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd., etc. Can be mentioned.

上記ノニオン系界面活性剤としては、たとえば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル、ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエーテル等のポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、ポリオキシエチレンジステアレートなどのポリオキシエチレンジアルキルエステル類などが挙げられる。   Examples of the nonionic surfactant include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, and polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene distyrenated phenyl ether, polyoxyethylene octyl Examples include polyoxyethylene aryl ethers such as phenyl ether and polyoxyethylene nonylphenyl ether; polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene dilaurate and polyoxyethylene distearate.

上記ノニオン系界面活性剤の市販品としては、たとえば、花王(株)社製「エマルゲンA−60」、「A−90」、「A−550」、「B−66」、「PP−99」、共栄社化学(株)社製「(メタ)アクリル酸系共重合体ポリフローNo.57」、「同No.90」などを挙げることができる。   Examples of commercially available nonionic surfactants include “Emulgen A-60”, “A-90”, “A-550”, “B-66”, and “PP-99” manufactured by Kao Corporation. “(Meth) acrylic acid copolymer polyflow No. 57” and “No. 90” manufactured by Kyoeisha Chemical Co., Ltd. can be mentioned.

上記界面活性剤の中では、現像時に未露光部の感光性樹脂層の除去が容易であることから、ノニオン系界面活性剤が好ましく、ポリオキシエチレンアリールエーテル類がより好ましく、特に下記式(1)で表される化合物が好ましい。   Among the above surfactants, nonionic surfactants are preferable, polyoxyethylene aryl ethers are more preferable, and in particular, the following formula (1) ) Is preferred.

Figure 2009016320
上記式(1)中、Rは炭素数1〜5のアルキル基、好ましくはメチル基であり、pは1〜5の整数であり、sは1〜5の整数、好ましくは2であり、tは1〜100の整数、好ましくは10〜20の整数である。
Figure 2009016320
In the above formula (1), R 1 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methyl group, p is an integer of 1 to 5, s is an integer of 1 to 5, preferably 2. t is an integer of 1 to 100, preferably an integer of 10 to 20.

本発明の組成物における溶解促進剤の含有量は、上記アルカリ可溶性樹脂(C)100重量部に対して、好ましくは0.001〜20重量部、より好ましくは0.01〜15重量部、特に好ましくは0.1〜10重量部である。溶解促進剤の含有量が上記範囲にあることにより、現像液への溶解性に優れた組成物が得られる。
脂肪酸は溶解促進剤使用することができ、アルミニウム粉末の包接剤として用いても構わない。上記脂肪酸としては酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ぺラルゴン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、パルミトイル酸、マルガリン酸、ステアリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、リノレン酸、ノナデカン酸、アラキジン酸、アラキドン酸、ベヘン酸、リグノセレン酸、ネルボン酸、セロチン酸、モンタン酸、メリシン酸が挙げられる。
[添加剤]
本発明の組成物には、任意成分として、増粘剤および沈殿防止剤の各種添加剤が含有されていても良い。上記組成物の粘度は、各種添加剤などの添加量によって適宜調整することができるが、その範囲は100〜500,000cps(センチ・ポイズ)である。
[レジスト層(以下、レジスト組成物ともいう。)]
本発明の製造方法においては、基板上に転写されたアルミニウムペースト層上にレジスト層が形成され、当該レジスト層に露光処理および現像処理を施すことにより、前記アルミニウムペースト層上にレジスト層パターンが形成される。
The content of the dissolution accelerator in the composition of the present invention is preferably 0.001 to 20 parts by weight, more preferably 0.01 to 15 parts by weight, particularly 100 parts by weight of the alkali-soluble resin (C). Preferably it is 0.1-10 weight part. When the content of the dissolution accelerator is in the above range, a composition having excellent solubility in a developer can be obtained.
Fatty acid can be used as a dissolution accelerator, and may be used as a clathrate for aluminum powder. The fatty acids include butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthic acid, caprylic acid, pelargonic acid, lauric acid, myristic acid, pentadecylic acid, palmitic acid, palmitoyl acid, margaric acid, stearic acid, oleic acid, vaccenic acid, linoleic acid Examples include acids, linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, arachidonic acid, behenic acid, lignoselenic acid, nervonic acid, serotic acid, montanic acid, and melicic acid.
[Additive]
The composition of the present invention may contain various additives such as thickeners and suspending agents as optional components. Although the viscosity of the said composition can be suitably adjusted with the addition amount of various additives etc., the range is 100-500,000 cps (centipoise).
[Resist layer (hereinafter also referred to as resist composition)]
In the manufacturing method of the present invention, a resist layer is formed on the aluminum paste layer transferred onto the substrate, and a resist layer pattern is formed on the aluminum paste layer by subjecting the resist layer to exposure processing and development processing. Is done.

レジスト層を形成するために使用するレジスト組成物としては、バインダー樹脂(a)、溶剤(b)、多官能(メタ)アクリレート(c)、光重合開始剤(d)を含有してなる。以下、これらのレジスト組成物について説明する。
[レジスト組成物]
前記レジスト組成物は、バインダー樹脂と感光性成分を必須成分として含有してなる。
The resist composition used for forming the resist layer contains a binder resin (a), a solvent (b), a polyfunctional (meth) acrylate (c), and a photopolymerization initiator (d). Hereinafter, these resist compositions will be described.
[Resist composition]
The resist composition contains a binder resin and a photosensitive component as essential components.

レジスト組成物を構成する感光性成分としては、例えば、多官能(メタ)アクリレート(E)と光重合開始剤(F)との組み合わせなどを例示として挙げることができる。
[バインダー樹脂(a)]
本発明のレジスト組成物に用いられるアルカリ可溶性樹脂(a)は、アルカリ可溶性であれば、特に限定されないが、本発明において「アルカリ可溶性」とは目的とする現像処理が可能な程度に、アルカリ性の現像液に溶解する性質をいう。このようなバインダー樹脂は、アルカリ可溶性官能基含有モノマー(a1)と(メタ)アクリル酸誘導体(a2)とを共重合させることにより得ることができる。
上記アルカリ可溶性官能基含有モノマー(a1)としては、(メタ)アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸、コハク酸モノ(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)、2−メタクリロイロキシエチルフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルヘキサヒドロハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルテトラヒドロハイドロゲンフタレート、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレート等のカルボキシル基含有モノマー類;
(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、(α-ヒドロキシメチル)アクリレート等の水酸基含有モノマー類;
o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレン等のフェノール性水酸基含有モノマー類
などのアルカリ可溶性官能基と不飽和結合を有するモノマーが挙げられる。これらのモノマーのうち、(メタ)アクリル酸、2−メタクリロイロキシエチルフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルヘキサヒドロハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルテトラヒドロハイドロゲンフタレート、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチルが好ましい。
As a photosensitive component which comprises a resist composition, the combination of a polyfunctional (meth) acrylate (E) and a photoinitiator (F) etc. can be mentioned as an example, for example.
[Binder resin (a)]
The alkali-soluble resin (a) used in the resist composition of the present invention is not particularly limited as long as it is alkali-soluble. In the present invention, the term “alkali-soluble” means that the alkali-soluble resin (a) is alkaline to the extent that the intended development processing is possible. The property of being dissolved in a developer. Such a binder resin can be obtained by copolymerizing the alkali-soluble functional group-containing monomer (a1) and the (meth) acrylic acid derivative (a2).
Examples of the alkali-soluble functional group-containing monomer (a1) include (meth) acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, and succinic acid mono (2- (meth)). Acryloyloxyethyl), 2-methacryloyloxyethylphthalic acid, 2-acryloyloxyethyl hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hexahydrohydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl tetrahydrophthalate, carboxyl group-containing monomers such as ω-carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate;
Hydroxyl group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, (α-hydroxymethyl) acrylate;
Examples thereof include monomers having an alkali-soluble functional group and an unsaturated bond, such as phenolic hydroxyl group-containing monomers such as o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, and p-hydroxystyrene. Among these monomers, (meth) acrylic acid, 2-methacryloyloxyethylphthalic acid, 2-acryloyloxyethyl hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hexahydrohydrogen phthalate, 2-acryloyl Oxypropyltetrahydrohydrogenphthalate and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate are preferred.

アルカリ可溶性官能基含有モノマー(a1)を共重合することにより、樹脂にアルカリ可溶性を付与することができる。このアルカリ可溶性官能基含有モノマー(a1)由来の構成単位の含有量は、樹脂の全構成単位中、通常、5〜90重量%、好ましくは10〜80重量%、特に好ましくは15〜70重量%である。   By copolymerizing the alkali-soluble functional group-containing monomer (a1), alkali solubility can be imparted to the resin. The content of the structural unit derived from the alkali-soluble functional group-containing monomer (a1) is usually from 5 to 90% by weight, preferably from 10 to 80% by weight, particularly preferably from 15 to 70% by weight, based on the total structural units of the resin. It is.

上記(メタ)アクリル酸誘導体(a2)としては、上記アルカリ可溶性官能基含有モノマー(a1)と共重合可能な(メタ)アクリル酸誘導体であれば特に限定されないが、たとえば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、トリチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボロニル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレート等の上記モノマー(a2)以外の(メタ)アクリレート類などが挙げられる。   The (meth) acrylic acid derivative (a2) is not particularly limited as long as it is a (meth) acrylic acid derivative copolymerizable with the alkali-soluble functional group-containing monomer (a1). For example, methyl (meth) acrylate, Ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethylhexyl (meth) Monomers (a2) such as acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, trityl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, etc. Etc. outside (meth) acrylates.

また、本発明では、上記(メタ)アクリル酸誘導体(a2)の代わりに、あるいは上記(メタ)アクリル酸誘導体(a2)に加えて、たとえば、スチレン、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート等から得られるポリマーの一方の鎖末端に、(メタ)アクリロイル基、アリル基、ビニル基などの重合性不飽和基を有するマクロモノマーなどを用いてもよい。
(ラジカル重合開始剤)
上記共重合の際、ラジカル重合開始剤を使用することが好ましい。ラジカル重合開始剤としては、上記バインダー樹脂(C)の重合に用いられるものと同様のものを用いることができる。これらのラジカル重合開始剤は、1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。これらのラジカル重合開始剤の使用量は、上記共重合に使用する全モノマー100重量部に対して0.1〜10重量程度である。
In the present invention, for example, styrene, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate instead of the (meth) acrylic acid derivative (a2) or in addition to the (meth) acrylic acid derivative (a2). Alternatively, a macromonomer having a polymerizable unsaturated group such as a (meth) acryloyl group, an allyl group, or a vinyl group may be used at one chain end of a polymer obtained from benzyl (meth) acrylate or the like.
(Radical polymerization initiator)
In the copolymerization, it is preferable to use a radical polymerization initiator. As a radical polymerization initiator, the thing similar to what is used for superposition | polymerization of the said binder resin (C) can be used. These radical polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more. The usage-amount of these radical polymerization initiators is about 0.1-10 weight with respect to 100 weight part of all the monomers used for the said copolymerization.

このようにして得られたバインダー樹脂(a)の重量平均分子量(以下「Mw」ともいう。)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定したポリスチレン換算値で、好ましくは5,000〜150,000、より好ましくは10,000〜100,000である。Mwは、上記モノマーの共重合割合、組成、連鎖移動剤、重合温度などの条件を適宜選択することにより制御することができる。Mwが前記範囲よりも低いと、現像後の膜荒れが発生しやすくなり、また、Mwが前記範囲を超えると、未露光部の現像液に対する溶解性が低下し、解像度が低下する場合がある。   The weight average molecular weight (hereinafter also referred to as “Mw”) of the binder resin (a) thus obtained is a polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography (GPC), and preferably 5,000 to 150. 1,000, more preferably 10,000 to 100,000. Mw can be controlled by appropriately selecting conditions such as the copolymerization ratio, composition, chain transfer agent, and polymerization temperature of the monomer. When Mw is lower than the above range, film roughness after development is likely to occur, and when Mw exceeds the above range, the solubility of the unexposed portion in the developer may be reduced and resolution may be reduced. .

上記バインダー樹脂のガラス転移温度(Tg)は、−10〜120℃、好ましくは0〜100℃である。ガラス転移温度が前記範囲よりも低いと、塗膜にタックを生じやすく、ハンドリングがしにくい傾向にある。また、ガラス転移温度が前記範囲を超えると、支持体であるガラス基板等との密着性が悪くなり、転写できないことがある。なお、前記ガラス転移温度は、モノマー(a1)、(メタ)アクリル酸誘導体(a2)の量を変更することによって適宜調節することがでる。
上記バインダー樹脂(a)の酸価は、好ましくは20〜200mgKOH/g、より好ましくは30〜160mgKOH/gの範囲である。酸価が20mgKOH/g以下では露光後の未露光部分が速やかにアルカリ現像液で除去しにくく、高精細なパターン形成が困難となる傾向にある。また、酸価が200mgKOH/g以上になると、露光光によって硬化した部分もアルカリ現像液に浸食されやすくなり、高精細なパターン形成が困難となる傾向にある。

[溶剤(b)]
本発明の組成物には、通常、適当な流動性または可塑性、良好な膜形成性を付与するために溶剤が含有される。用いられる溶剤としては、無機粉体との親和性、アルカリ可溶性樹脂の溶解性が良好で、アルミニウムペーストの粘度を調整すると共に、乾燥することにより容易に蒸発ができるものが好ましい。
The binder resin has a glass transition temperature (Tg) of −10 to 120 ° C., preferably 0 to 100 ° C. When the glass transition temperature is lower than the above range, the coating film tends to be tacky and is difficult to handle. On the other hand, when the glass transition temperature exceeds the above range, the adhesiveness with a glass substrate as a support is deteriorated, and transfer may not be possible. In addition, the said glass transition temperature can be suitably adjusted by changing the quantity of a monomer (a1) and a (meth) acrylic acid derivative (a2).
The acid value of the binder resin (a) is preferably in the range of 20 to 200 mgKOH / g, more preferably 30 to 160 mgKOH / g. When the acid value is 20 mgKOH / g or less, the unexposed portion after exposure is not easily removed with an alkaline developer, and it tends to be difficult to form a high-definition pattern. On the other hand, when the acid value is 200 mgKOH / g or more, the portion cured by the exposure light is easily eroded by the alkali developer, and it tends to be difficult to form a high-definition pattern.

[Solvent (b)]
The composition of the present invention usually contains a solvent for imparting appropriate fluidity or plasticity and good film forming properties. The solvent used is preferably a solvent that has good affinity with inorganic powder and good solubility of the alkali-soluble resin, can adjust the viscosity of the aluminum paste, and can be easily evaporated by drying.

また、好ましい溶剤としては、標準沸点(1気圧における沸点)が100〜200℃であるケトン類、アルコール類およびエステル類を挙げることができる。
溶剤としては、例えば、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチルセロソルブ、メトキシプロピルアセテート、ジオキサン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコール、ジメチルスルフォキシド、γ−ブチロラクトン、ターピネオール、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどが挙げられる。上記溶剤は、1種単独で用いても、2種以上を混合して用いてもよい。また、本発明の組成物における溶剤の含有割合としては、良好な膜形成性(流動性または可塑性)が得られる範囲内において適宜選択することができる。
[多官能(メタ)アクリレート(c)]
本発明の組成物において、多官能(メタ)アクリレートは、光に対する感度の点から、有機成分中の10重量%以上、好ましくは15〜60重量%となる量で用いられる。ここで、多官能(メタ)アクリレートとしては、光不溶化型のものと光可溶化型のものがある。
Examples of preferable solvents include ketones, alcohols, and esters having a normal boiling point (boiling point at 1 atm) of 100 to 200 ° C.
Examples of the solvent include propylene glycol monomethyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methoxypropyl acetate, dioxane, cyclohexanone, cyclopentanone, isobutyl alcohol, isopropyl alcohol, dimethyl sulfoxide, γ- Examples include butyrolactone, terpineol, diethylene glycol monoethyl ether acetate, and diethylene glycol monobutyl ether. The said solvent may be used individually by 1 type, or 2 or more types may be mixed and used for it. Further, the content ratio of the solvent in the composition of the present invention can be appropriately selected within a range in which good film forming properties (fluidity or plasticity) can be obtained.
[Polyfunctional (meth) acrylate (c)]
In the composition of the present invention, the polyfunctional (meth) acrylate is used in an amount of 10% by weight or more, preferably 15 to 60% by weight in the organic component from the viewpoint of sensitivity to light. Here, the polyfunctional (meth) acrylate includes a light insolubilizing type and a light solubilizing type.

光不溶化型のものとして、(1)分子内に不飽和基などを1つ以上有する官能性のモノマーもしくはオリゴマーを含有するもの、(2)芳香族ジアゾ化合物、芳香族アジド化合物、有機ハロゲン化合物などの感光性化合物を含有するもの、(3)ジアゾ系アミンとホルムアルデヒドとの縮合物など、いわゆるジアゾ樹脂といわれるもの等がある。   As a photo-insoluble type, (1) containing a functional monomer or oligomer having one or more unsaturated groups in the molecule, (2) aromatic diazo compound, aromatic azide compound, organic halogen compound, etc. And (3) a so-called diazo resin such as a condensate of a diazo amine and formaldehyde.

光可溶型のものとして、(4)ジアゾ化合物の無機酸や有機酸との錯体、キノンジアゾ類を含有するもの、(5)キノンジアゾ類を適当なポリマーバインダーと結合させたもの、例えばフェノール樹脂のナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルフォン酸エステル等がある。   As a light-soluble type, (4) a complex of a diazo compound with an inorganic acid or an organic acid, a quinone diazo compound, (5) a quinone diazo compound combined with a suitable polymer binder, such as a phenol resin And naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonic acid ester.

本発明における感放射線性成分としては、上記のすべてのものを用いることができるが、無機成分と混合して簡便に用いることができる点で、上記(1)のものが好ましい。   As the radiation-sensitive component in the present invention, all of the above can be used, but the above-mentioned (1) is preferable in that it can be easily used by mixing with an inorganic component.

感光性モノマーとしては、炭素−炭素不飽和結合を含有する化合物が挙げられ、具体的には、
アリル化シクロヘキシルジ(メタ)アクリレート、2,5−ヘキサンジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−ブチレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、メトキシ化シクロヘキシルジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アクリレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、トリグリセロールジ(メタ)アクリレート等のジ(メタ)タクリレート類;
ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパン(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンPO変性トリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパンEO変性トリ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ)アクリレート、ベンジルメルカプタン(メタ)アクリレート等の多官能(メタ)アクリレート類;
上記化合物中の芳香環の水素原子のうち、1〜5個を塩素もしくは臭素原子に置換したモノマー;および、
スチレン、p−メチルスチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、塩素化スチレン、臭素化スチレン、α−メチルスチレン、塩素化α−メチルスチレン、臭素化α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン、ヒドロキシメチルスチレン、カルボシキメチルスチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルカルバゾール、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、1−ビニル−2−ピロリドンなどが挙げられる。上記感光性モノマーは、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。
[光重合開始剤(d)]
光重合開始剤としては、例えば、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチル、4,4−ビス(ジメチルアミン)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)ベンゾフェノン、4,4−ジクロロベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4−メチルジフェニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2,2−ジメトキシ−2−フェニル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−メチルプロピオフェノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン、4−イソプロピルチオキサントン、1−クロロー4−プロピルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、ベンジルジメチルケタノール、ベンジルメトキシエチルアセタール、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチルエーテル、アントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−アミルアントラキノン、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチレンアントロン、4−アジドベンザルアセトフェノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)シクロヘキサノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシクロヘキサノン、2−フェニル−1,2−ブタジオン−2−(o−メトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1,3−ジフェニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシ−プロパントリオン−2−(o−ベンゾイル)オキシム、ミヒラーケトン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパン−1−オン、2−ベンジルー2−ジメチルアミノー1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノンー1、2−ヒドロキシー2−メチルー1−フェニループロパンー1−オン、2,2‘−ジメトキシー1,2−ジフェニルエタンー1−オン、ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチルーペンチルフォスフィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイルージフェニルフォスフィンオキサイド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイド、ナフタレンスルホニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、4,4−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィド、トリフェニルホルフィン、カンファーキノン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベンゾイン、および、エオシンやメチレンブルーなどの光還元性の色素とアスコルビン酸やトリエタノールアミンなどの還元剤との組合せなどが挙げられる。
Examples of the photosensitive monomer include a compound containing a carbon-carbon unsaturated bond. Specifically,
Allylated cyclohexyl di (meth) acrylate, 2,5-hexanedi (meth) acrylate, 1,4-butanediol di (meth) acrylate, 1,3-butylene glycol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate , Diethylene glycol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, methoxylated cyclohexyl di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, Di (meth) taacrylates such as propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, triglycerol di (meth) acrylate;
Pentaerythritol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane (meth) acrylate, trimethylolpropane PO modified tri (meth) acrylate, trimethylolpropane EO modified tri (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (meth) acrylate, dipentaerythritol Polyfunctional (meth) acrylates such as monohydroxypenta (meth) acrylate, ditrimethylolpropane tetra (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, benzyl mercaptan (meth) acrylate;
A monomer in which 1 to 5 of the aromatic ring hydrogen atoms in the compound are substituted with chlorine or bromine atoms; and
Styrene, p-methylstyrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, chlorinated styrene, brominated styrene, α-methylstyrene, chlorinated α-methylstyrene, brominated α-methylstyrene, chloromethylstyrene, hydroxymethyl Examples thereof include styrene, carboxymethyl styrene, vinyl naphthalene, vinyl anthracene, vinyl carbazole, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, and 1-vinyl-2-pyrrolidone. The said photosensitive monomer may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type.
[Photoinitiator (d)]
Examples of the photopolymerization initiator include benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,4-bis (dimethylamine) benzophenone, 4,4-bis (diethylamino) benzophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, 4-benzoyl- 4-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, fluorenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2,2-dimethoxy-2-phenyl-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-methylpropiophenone, pt- Butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, 4-isopropylthioxanthone, 1-chloro-4-propylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, benzyl Methyl ketanol, benzylmethoxyethyl acetal, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin butyl ether, anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-amylanthraquinone, β-chloroanthraquinone, anthrone, benzanthrone, dibenzosuberone, methyleneanthrone, 4 -Azidobenzalacetophenone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) cyclohexanone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, 2-phenyl-1,2-butadion-2- (o -Methoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenyl-propanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1- Phenyl-3-ethoxy-propanetrione-2- (o-benzoyl) oxime, Michler's ketone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propan-1-one, 2-benzyl- 2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1,2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-propan-1-one, 2,2′-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one, Bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenyl Phosphine oxide, naphthalenesulfonyl chloride, quinolinesulfonyl chloride Rholide, N-phenylthioacridone, 4,4-azobisisobutyronitrile, diphenyl disulfide, benzthiazole disulfide, triphenylformine, camphorquinone, carbon tetrabrominated, tribromophenyl sulfone, benzoin peroxide, and And a combination of a photoreductive dye such as eosin or methylene blue and a reducing agent such as ascorbic acid or triethanolamine.

上記光重合開始剤は、1種単独で用いても、2種以上を組み合わせて用いてもよい。上記光重合性開始剤は、上記無機粒子100重量部に対して、通常0.1〜30重量部、好ましくは0.3〜20重量部の範囲で用いられる。特に、多官能(メタ)アクリレートと光重合開始剤との組み合わせを用いる場合、感光性モノマーの含有量は、無機粒子100重量部に対して、通常1〜100重量部、好ましくは5〜50重量部であり、光重合開始剤の含有量は、感光性モノマー100重量部に対して、通常1〜50重量部、好ましくは2〜40重量部である。感光性成分の含有量が前記範囲を超えると、焼成後のディスプレイパネル用部材の形状が劣化することがある。   The said photoinitiator may be used individually by 1 type, or may be used in combination of 2 or more type. The photopolymerizable initiator is generally used in the range of 0.1 to 30 parts by weight, preferably 0.3 to 20 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the inorganic particles. In particular, when a combination of a polyfunctional (meth) acrylate and a photopolymerization initiator is used, the content of the photosensitive monomer is usually 1 to 100 parts by weight, preferably 5 to 50 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the inorganic particles. The content of the photopolymerization initiator is usually 1 to 50 parts by weight, preferably 2 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the photosensitive monomer. When the content of the photosensitive component exceeds the above range, the shape of the display panel member after firing may be deteriorated.

[その他の添加剤]
本発明のレジスト組成物には、密着助剤、溶解促進剤、消泡剤、増粘剤および沈殿防止剤の各種添加剤が含有されていても良い。これらの添加剤は上記アルミニウムペースト組成物と同様のものを用いることができる。
[電極の形成工法I]
本発明の電極の形成方法においては、[1]アルミニウムペースト層の形成工程、[2]レジスト層の形成工程、[3]レジスト層の露光工程、[4]レジスト層の現像工程、[5]アルミニウムペースト層のエッチング工程、[6]アルミニウムペースト層パターンの焼成工程により、アルミニウムパターンを有する電極の形成をする。ここで、アルミニウムパターンを有する電極配線とは、フラットパネルディスプレイの電極配線を構成する部材、電子部品の高度実装材料の部材ならびに太陽電池の部材などが挙げられる。
[アルミニウムペースト層の形成工程]
図3および図4は、本発明の製造方法における転写フィルムの形成工程の一例を示す概略断面図である。図3[1]において、11はガラス基板である。このガラス基板上にアルミニウムペースト層21を形成する。その具体的組成については後述する。アルミニウムペースト層21はスクリーン印刷法、ロール塗布法、回転塗布法、流延塗布法等種々の方法によってアルミニウムペーストを塗布した後、塗膜を乾燥することにより形成することができる。
[Other additives]
The resist composition of the present invention may contain various additives such as an adhesion assistant, a dissolution accelerator, an antifoaming agent, a thickener, and a precipitation inhibitor. These additives can use the same thing as the said aluminum paste composition.
[Electrode formation method I]
In the electrode forming method of the present invention, [1] an aluminum paste layer forming step, [2] a resist layer forming step, [3] a resist layer exposing step, [4] a resist layer developing step, [5] An electrode having an aluminum pattern is formed by an etching process of the aluminum paste layer and [6] a baking process of the aluminum paste layer pattern. Here, the electrode wiring having an aluminum pattern includes a member constituting an electrode wiring of a flat panel display, a member of an advanced mounting material of an electronic component, a member of a solar cell, and the like.
[Aluminum paste layer formation process]
3 and 4 are schematic cross-sectional views showing an example of a transfer film forming step in the production method of the present invention. In FIG. 3 [1], 11 is a glass substrate. An aluminum paste layer 21 is formed on this glass substrate. The specific composition will be described later. The aluminum paste layer 21 can be formed by applying the aluminum paste by various methods such as a screen printing method, a roll coating method, a spin coating method, a casting coating method, and then drying the coating film.

具体的には、本発明のアルミニウムペースト組成物は、上記アルミニウム粉末(A)、上記ガラス粉末(B)、上記アルカリ可溶性樹脂(C)および溶剤(D)、必要に応じて各種添加剤を調合した後、3本ロールや混練機で均一に混合分散して調整される。   Specifically, the aluminum paste composition of the present invention is prepared by mixing the aluminum powder (A), the glass powder (B), the alkali-soluble resin (C) and the solvent (D), and various additives as necessary. After that, the mixture is uniformly mixed and dispersed with a three roll or kneader.

得られたアルミニウムペースト組成物を、予め離型処理したポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムよりなる支持フィルム(例えば、幅200mm、長さ30m、厚さ38μm)上にナイフコーターによる塗布方法、ロールコータによる塗布方法、ドクターブレードによる塗布方法、カーテンコータによる塗布方法、ダイコータによる塗布方法、ワイヤーコータによる塗布方法、印刷装置によるスクリーン塗布方法などにより塗布して溶剤を全部もしくは一部除去することで、電極形成用のアルミニウムペースト層が支持フィルム上に形成されてなるアルミニウムペースト層の転写フィルムを作製した。   The obtained aluminum paste composition is coated on a support film (for example, width 200 mm, length 30 m, thickness 38 μm) made of a polyethylene terephthalate (PET) film, which has been subjected to release treatment in advance, using a knife coater, or using a roll coater. For electrode formation by removing all or part of the solvent by coating method, coating method by doctor blade, coating method by curtain coater, coating method by die coater, coating method by wire coater, screen coating method by printing device, etc. The transfer film of the aluminum paste layer by which the aluminum paste layer of this was formed on the support film was produced.

上記組成物の粘度は、無機粒子、増粘剤、溶剤、可塑剤および沈殿防止剤などの添加量によって適宜調整することができるが、その範囲は50〜10,000cps(センチ・ポイズ)である。   The viscosity of the composition can be adjusted as appropriate depending on the amount of inorganic particles, thickener, solvent, plasticizer, precipitation inhibitor, etc., but the range is 50 to 10,000 cps (centipoise). .

上記塗膜の乾燥条件は、乾燥後における溶剤の残存割合が2重量%以内となるように適宜調整すればよく、例えば、50〜150℃の乾燥温度で0.5〜60分間程度である。   What is necessary is just to adjust suitably the drying conditions of the said coating film so that the residual ratio of the solvent after drying may be within 2 weight%, for example, is about 0.5 to 60 minutes at the drying temperature of 50-150 degreeC.

上記のようにして形成されたアルミニウムペースト層の厚みは、3〜100μm、好ましくは5〜80μmである。
[レジスト層の形成工程]
図3[3]においてアルミニウムペースト層21上にレジスト層31を形成する。レジスト層31を構成するレジストとしては、ポジ型レジストおよびネガ型レジストのいずれであってもよく、その具体的組成については後述する。レジスト層31はスクリーン印刷法、ロール塗布法、回転塗布法、流延塗布法等種々の方法によってレジストを塗布した後、塗膜を乾燥することにより形成することができる。
The thickness of the aluminum paste layer formed as described above is 3 to 100 μm, preferably 5 to 80 μm.
[Resist layer forming step]
In FIG. 3 [3], a resist layer 31 is formed on the aluminum paste layer 21. The resist constituting the resist layer 31 may be either a positive resist or a negative resist, and its specific composition will be described later. The resist layer 31 can be formed by applying a resist by various methods such as a screen printing method, a roll coating method, a spin coating method, and a casting coating method, and then drying the coating film.

具体的には、本発明のレジスト組成物は、上記アルカリ可溶性樹脂、多官能(メタ)アクリレート、光重合開始剤、溶剤および各種添加剤を調合した後、混練することでレジスト組成物を作製した。   Specifically, the resist composition of the present invention was prepared by preparing the above-described alkali-soluble resin, polyfunctional (meth) acrylate, photopolymerization initiator, solvent and various additives, and then kneading them. .

得られたレジスト組成物を、予め離型処理したポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムよりなる支持フィルム(例えば、幅200mm、長さ30m、厚さ38μm)上にナイフコーターによる塗布方法、ロールコータによる塗布方法、ドクターブレードによる塗布方法、カーテンコータによる塗布方法、ダイコータによる塗布方法、ワイヤーコータによる塗布方法などにより塗布して溶剤をある程度除去することで、レジスト層が支持フィルム上に形成されてなるレジスト層の転写フィルムを作製した。   A coating method using a knife coater and a coating method using a roll coater on a support film (for example, width 200 mm, length 30 m, thickness 38 μm) made of a polyethylene terephthalate (PET) film obtained by subjecting the obtained resist composition to a release treatment in advance. The resist layer is formed on a support film by applying a doctor blade, a curtain coater, a die coater, a wire coater, etc. to remove the solvent to some extent. A transfer film was prepared.

上記組成物の粘度は、溶剤、可塑剤および沈殿防止剤などの添加量によって適宜調整することができるが、その範囲は5〜1,000cps(センチ・ポイズ)である。   Although the viscosity of the said composition can be suitably adjusted with the addition amount of a solvent, a plasticizer, a precipitation inhibitor, etc., the range is 5-1,000 cps (centipoise).

上記塗膜の乾燥条件は、乾燥後における溶剤の残存割合が2重量%以内となるように適宜調整すればよく、例えば、50〜150℃の乾燥温度で0.5〜60分間程度である。   What is necessary is just to adjust suitably the drying conditions of the said coating film so that the residual ratio of the solvent after drying may be within 2 weight%, for example, is about 0.5 to 60 minutes at the drying temperature of 50-150 degreeC.

上記のようにして形成されたレジスト層の厚みは、1〜100μm、好ましくは2〜50μmである。   The thickness of the resist layer formed as described above is 1 to 100 μm, preferably 2 to 50 μm.

上記熱圧着条件としては、加熱ローラの表面温度を60〜120℃、ローラ圧を0.5〜10kg/cm2、ラミネーター移動速度を0.1〜10m/分の範囲で行う。
[レジスト層の露光工程]
この工程においては、図3[4]に示すように、アルミニウムペースト層21上に形成されたレジスト層31の表面に、露光用マスクを介して、紫外線などを照射して、レジストパターンの潜像を形成する。ここに、紫外線放射装置としては、前記フォトリソグラフィー法で使用されている紫外線照射装置、半導体および液晶表示業界で使用されている露光装置など特に限定されるものではない。
As the thermocompression bonding conditions, the surface temperature of the heating roller is 60 to 120 ° C., the roller pressure is 0.5 to 10 kg / cm 2, and the laminator moving speed is 0.1 to 10 m / min.
[Resist layer exposure process]
In this step, as shown in FIG. 3 [4], the surface of the resist layer 31 formed on the aluminum paste layer 21 is irradiated with ultraviolet rays or the like through an exposure mask, so that a latent image of the resist pattern is obtained. Form. Here, the ultraviolet radiation apparatus is not particularly limited, such as an ultraviolet irradiation apparatus used in the photolithography method, an exposure apparatus used in the semiconductor and liquid crystal display industries.

上記転写工程により基板上に転写フィルムを形成後、露光装置を用いて露光を行う。露光は通常のフォトリソグラフィーで行われるように、フォトマスクを用いてマスク露光する方法を採用することができる。用いるマスクは、アルミニウムペースト層上に転写されたレジスト層の有機成分の種類によって、ネガ型もしくはポジ型のどちらかを選定する。露光用マスクの露光パターンは、目的によって異なるが、たとえば、10〜500μm幅のストライプもしくは格子である。   After the transfer film is formed on the substrate by the transfer step, exposure is performed using an exposure apparatus. As the exposure is performed by ordinary photolithography, a mask exposure method using a photomask can be employed. As a mask to be used, either a negative type or a positive type is selected depending on the type of organic component of the resist layer transferred onto the aluminum paste layer. The exposure pattern of the exposure mask varies depending on the purpose, but is, for example, a stripe or lattice having a width of 10 to 500 μm.

また、フォトマスクを用いずに、赤色や青色の可視光レーザー光、Arイオンレーザーなどで直接描画する方法を用いてもよい。   Alternatively, a direct drawing method using a red or blue visible laser beam, an Ar ion laser, or the like without using a photomask may be used.

アルミニウムペースト層の表面に、露光用マスクを介して、紫外線などの放射線を選択的に照射(露光)して、樹脂層にパターンの潜像を形成する。露光装置としては、平行光露光機、散乱光露光機、ステッパー露光機、プロキシミティ露光機等を用いることができる。露光の際に使用される活性光源は、たとえば、可視光線、近紫外線、紫外線、電子線、X線、レーザー光などが挙げられるが、これらの中で紫外線が好ましく、その光源としては、たとえば、低圧水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプなどが使用できる。これらの中では超高圧水銀灯が好適である。   The surface of the aluminum paste layer is selectively irradiated (exposed) with radiation such as ultraviolet rays through an exposure mask to form a pattern latent image on the resin layer. As the exposure apparatus, a parallel light exposure machine, a scattered light exposure machine, a stepper exposure machine, a proximity exposure machine, or the like can be used. Examples of the active light source used in the exposure include visible light, near ultraviolet light, ultraviolet light, electron beam, X-ray, and laser light. Among these, ultraviolet light is preferable, and as the light source, for example, Low pressure mercury lamp, high pressure mercury lamp, super high pressure mercury lamp, halogen lamp, etc. can be used. Among these, an ultra high pressure mercury lamp is preferable.

露光条件は、塗布厚みによって異なるが、1〜100mW/cmの出力の超高圧水銀灯を用いて0.05〜1分間露光を行なう。この場合、波長フィルターを用いて露光光の波長領域を狭くすることによって、光の散乱を抑制し、パターン形成性を向上させることができる。具体的には、i線(365nm)の光をカットするフィルター、あるいは、i線およびh線(405nm)の光をカットするフィルターを用いて、パターン形成性を向上させることができる。
[レジスト層の現像工程]
この工程においては、露光されたレジスト層を現像処理することにより、レジストパターン(潜像)を顕在化させる。
Exposure conditions vary depending on the coating thickness, but exposure is performed for 0.05 to 1 minute using an ultrahigh pressure mercury lamp with an output of 1 to 100 mW / cm 2 . In this case, by using a wavelength filter to narrow the wavelength region of the exposure light, light scattering can be suppressed and pattern formation can be improved. Specifically, pattern formation can be improved by using a filter that cuts off i-line (365 nm) light or a filter that cuts off i-line and h-line (405 nm) light.
[Development process of resist layer]
In this step, the exposed resist layer is developed to reveal a resist pattern (latent image).

ここに、現像処理条件としては、レジスト層31の種類などに応じて現像方法(例えば、浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル法、ブラシ法など)および現像処理条件(例えば、現像液の種類・組成・濃度、現像時間、現像温度など)などは、樹脂層の種類に応じて適宜選択、設定すればよい。この現像工程により、図4[5]に示すように、レジスト残留部35Aと、レジスト除去部35Bとから構成されるレジストパターン35(露光用マスクMに対応するパターン)が形成される。   Here, as development processing conditions, development methods (for example, dipping method, rocking method, shower method, spray method, paddle method, brush method, etc.) and development processing conditions (for example, the resist layer 31) The type / composition / concentration of developer, development time, development temperature, etc.) may be appropriately selected and set according to the type of resin layer. By this development process, as shown in FIG. 4 [5], a resist pattern 35 (pattern corresponding to the exposure mask M) composed of the resist remaining portion 35A and the resist removing portion 35B is formed.

このレジストパターン35は、次工程(エッチング工程)におけるエッチングマスクとして作用するものであり、レジスト残留部35Aの構成材料(光硬化されたレジスト)は、アルミニウムペースト層21の構成材料よりもエッチング液に対する溶解速度が小さいことが必要である。   This resist pattern 35 acts as an etching mask in the next process (etching process), and the constituent material of the resist remaining portion 35A (photocured resist) is more resistant to the etching solution than the constituent material of the aluminum paste layer 21. A low dissolution rate is required.

上記現像工程で用いられる現像液としては、樹脂層中の有機成分を溶解可能な溶剤が使用できる。また、前記溶剤にその溶解力が失われない範囲で水を添加してもよい。樹脂層中にカルボキシル基等の酸性基を持つ化合物が存在する場合、アルカリ水溶液で現像できる。   As the developer used in the development step, a solvent capable of dissolving the organic component in the resin layer can be used. Further, water may be added to the solvent as long as its dissolving power is not lost. When a compound having an acidic group such as a carboxyl group is present in the resin layer, development can be performed with an alkaline aqueous solution.

上記アルミニウムペースト層に上記アルミニウム粉末(A)、上記ガラス粉末(B)が含まれており、上記アルミニウム粉末(A)、上記ガラス粉末(B)はアルカリ可溶性樹脂(C)により均一に分散されているため、該樹脂(C)を現像液で溶解させて洗浄することにより、上記アルミニウム粉末(A)、上記ガラス粉末(B)も同時に除去される。   The aluminum paste layer contains the aluminum powder (A) and the glass powder (B), and the aluminum powder (A) and the glass powder (B) are uniformly dispersed by the alkali-soluble resin (C). Therefore, the aluminum powder (A) and the glass powder (B) are simultaneously removed by dissolving the resin (C) with a developer and washing.

上記アルカリ水溶液としては、たとえば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸二水素カリウム、リン酸二水素ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、炭酸水素リチウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、アンモニア水溶液、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、エタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンなどが挙げられる。   Examples of the alkaline aqueous solution include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, phosphorus Potassium dihydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, boric acid Sodium, potassium borate, aqueous ammonia, tetramethylammonium hydroxide, trimethylhydroxyethylammonium hydroxide, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, Bruno isopropylamine, diisopropylamine, ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine.

上記アルカリ水溶液の濃度は、通常0.01〜10重量%、より好ましくは0.1〜5重量%である。アルカリ濃度が低すぎると可溶部が除去されず、アルカリ濃度が高すぎると、パターン部を剥離させ、また非可溶部を腐食させるおそれがあることから好ましくない。また、現像時の現像温度は、20〜50℃で行うことが工程管理上好ましい。   The concentration of the alkaline aqueous solution is usually 0.01 to 10% by weight, more preferably 0.1 to 5% by weight. If the alkali concentration is too low, the soluble portion is not removed, and if the alkali concentration is too high, the pattern portion may be peeled off and the non-soluble portion may be corroded. The development temperature during development is preferably 20 to 50 ° C. in terms of process control.

上記アルカリ水溶液には、ノニオン系界面活性剤や有機溶剤などの添加剤が含有されていてもよい。なお、アルカリ現像液による現像処理がなされた後は、通常、水洗処理が施される。
[アルミニウムペースト層のエッチング工程]
この工程においては、アルミニウムペースト層をエッチング処理し、レジストパターンに対応するアルミニウムペースト層のパターンを形成する。
The alkaline aqueous solution may contain additives such as nonionic surfactants and organic solvents. In addition, after the development process with an alkali developer is performed, a washing process is usually performed.
[Aluminum paste layer etching process]
In this step, the aluminum paste layer is etched to form an aluminum paste layer pattern corresponding to the resist pattern.

すなわち、図4[6]に示すように、アルミニウムペースト層21のうち、レジストパターン35のレジスト除去部35Bに対応する部分がエッチング液に溶解されて選択的に除去される。ここに、図4[6]は、エッチング処理中の状態を示している。   That is, as shown in FIG. 4 [6], a portion of the aluminum paste layer 21 corresponding to the resist removal portion 35B of the resist pattern 35 is dissolved in the etching solution and selectively removed. Here, FIG. 4 [6] shows a state during the etching process.

ここに、エッチング処理条件としては、アルミニウムペースト層21の種類などに応じて、エッチング液の種類・組成・濃度、処理時間、処理温度、処理方法(例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル法)、処理装置などを適宜選択することができる。   Here, as the etching process conditions, depending on the type of the aluminum paste layer 21 and the like, the type / composition / concentration of the etchant, the processing time, the processing temperature, the processing method (for example, dipping method, rocking method, shower method, spraying) Method, paddle method), processing apparatus, and the like can be selected as appropriate.

なお、エッチング液として、現像工程で使用した現像液と同一の溶液を使用することができるよう、レジスト層31およびアルミニウムペースト層21の種類を選択することにより、現像工程と、エッチング工程とを連続的に実施することが可能となり、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることができる。   In addition, the development process and the etching process are continuously performed by selecting the types of the resist layer 31 and the aluminum paste layer 21 so that the same solution as the developer used in the development process can be used as the etching liquid. Therefore, the manufacturing efficiency can be improved by simplifying the process.

なお、エッチング処理後にレジスト残留部35Aの一部または全部が残留していても、当該レジスト残留部35Aは、次の焼成工程で除去される。   Even if a part or all of the remaining resist portion 35A remains after the etching process, the remaining resist portion 35A is removed in the next baking step.

具体的には、アルミニウムペースト層のエッチング工程で使用されるエッチング液としては、アルカリ性溶液であることが好ましい。これにより、アルミニウムペースト層に含有されるアルカリ可溶性樹脂を容易に溶解除去することができる。   Specifically, the etching solution used in the etching process of the aluminum paste layer is preferably an alkaline solution. Thereby, the alkali-soluble resin contained in the aluminum paste layer can be easily dissolved and removed.

なお、アルミニウムペースト層に含有されるアルミニウム粉末は、アルカリ可溶性樹脂により均一に分散されているため、アルカリ性溶液でバインダーであるアルカリ可溶性樹脂を溶解させ、洗浄することにより、アルミニウム粉末も同時に除去される。   Since the aluminum powder contained in the aluminum paste layer is uniformly dispersed by the alkali-soluble resin, the aluminum powder is simultaneously removed by dissolving and washing the alkali-soluble resin as a binder with an alkaline solution. .

ここに、エッチング液として使用されるアルカリ性溶液としては、現像液と同一組成の溶液を挙げることができる。   Here, examples of the alkaline solution used as the etching solution include a solution having the same composition as the developer.

なお、アルカリ性溶液によるエッチング処理がなされた後は、通常、水洗処理が施される。
また、エッチング液として、アルミニウムペースト層のバインダーを溶解することのできる有機溶剤を使用することもできる。かかる有機溶剤としては、無機粉体分散ペースト組成物を構成するものとして例示した溶剤を挙げることができる。
In addition, after the etching process with an alkaline solution is performed, a washing process is usually performed.
Moreover, the organic solvent which can melt | dissolve the binder of an aluminum paste layer can also be used as etching liquid. Examples of the organic solvent include the solvents exemplified as those constituting the inorganic powder-dispersed paste composition.

なお、有機溶剤によるエッチング処理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒によるリンス処理が施される。
[アルミニウムペースト層パターンの焼成工程]
この工程においては、アルミニウムペースト層パターン31を焼成処理して電極配線を形成する。これにより、材料層残留部中の有機物質が焼失して、金属層などが形成され、図4[7]に示すような、ガラス基板の表面に電極配線40が形成されてなる電極材料50を得ることができる。
In addition, after the etching process with an organic solvent is performed, the rinse process with a poor solvent is performed as needed.
[Baking process of aluminum paste layer pattern]
In this step, the aluminum paste layer pattern 31 is baked to form electrode wiring. As a result, the organic material in the material layer remaining portion is burned out to form a metal layer or the like, and an electrode material 50 in which the electrode wiring 40 is formed on the surface of the glass substrate as shown in FIG. Obtainable.

焼成雰囲気は、組成物や基板の種類によって異なるが、空気、オゾン、窒素、水素等の雰囲気中で焼成する。焼成炉としては、バッチ式の焼成炉やベルト式の連続型焼成炉を用いることができる。
ここに、焼成処理の温度としては、材料層残留部25A中の有機物質が焼失される温度であることが必要であり、通常、350〜750℃とされる。また、焼成時間は、通常10〜90分間とされる。
The firing atmosphere varies depending on the composition and the type of substrate, but firing is performed in an atmosphere of air, ozone, nitrogen, hydrogen, or the like. As the firing furnace, a batch-type firing furnace or a belt-type continuous firing furnace can be used.
Here, the temperature of the baking treatment needs to be a temperature at which the organic substance in the material layer residual portion 25A is burned off, and is usually set to 350 to 750 ° C. The firing time is usually 10 to 90 minutes.

これらの工程を含む本発明のパターン形成方法により、電極等のディスプレイパネル用部材、電子部品の回路パターンならびに太陽電池部材の配線パターン等を形成することができる。なお、上記転写、露光、現像、焼成の各工程中に、乾燥または予備反応の目的で、50〜300℃加熱工程を導入してもよい。
[電極の形成工法II]
本発明の電極部材の製造方法は、支持フィルム上にレジスト層を形成した後、支持フィルム上にアルミニウムペースト層を形成した後、互いの転写フィルムを貼り合せ、積層形成してなる、本発明の層転写フィルムを用いることより、作業性を向上させるものである。ここに、支持フィルム上にレジスト層を形成する際、および支持フィルム上にアルミニウムペースト層を形成する際には、ロールコータによる塗布方法、ドクターブレードによる塗布方法、カーテンコータによる塗布方法、ダイコータによる塗布方法、ワイヤーコータによる塗布方法、印刷装置によるスクリーン塗布方法などを使用することができ、これにより、膜厚の均一性に優れた層を形成することができる。本発明の転写フィルムを用いた電極部材の製造方法は、[1]レジスト層の形成工程、[2]アルミニウムペースト層の形成工程、[3]転写フィルムの形成工程、[4]転写フィルムの転写工程、[5]レジスト層の露光工程、[6]レジスト層の現像工程、[7]アルミニウムペースト層のエッチング工程、[8]アルミニウムペースト層パターンの焼成工程により、アルミニウムパターンを有する電極配線を形成する。
[レジスト層の形成工程]
図5および図6は、本発明の製造方法における転写フィルムの形成工程の一例を示す概略断面図である。図5[1]において、22は支持フィルムである。支持フィルムと、この支持フィルム上に形成されたレジスト層31を形成する。レジスト層31を構成するレジストとしては、ポジ型レジストおよびネガ型レジストのいずれであってもよく、その具体的組成については後述する。レジスト層31はスクリーン印刷法、ロール塗布法、回転塗布法、流延塗布法等種々の方法によってレジストを塗布した後、塗膜を乾燥することにより形成することができる。
[アルミニウムペースト層の形成工程]
図5[2]において、22は支持フィルムである。支持フィルムと、この支持フィルム上に形成されたアルミニウムペースト層21を形成する。その具体的組成については後述する。アルミニウムペースト層21はスクリーン印刷法、ロール塗布法、回転塗布法、流延塗布法等種々の方法によってアルミニウムペーストを塗布した後、塗膜を乾燥することにより形成することができる。
[転写フィルムの形成工程]
本発明の製造方法においては、転写フィルムを使用し、当該転写フィルムを構成するアルミニウムペースト層およびレジスト層をアルミニウムペースト層側から基板の表面に転写する点に特徴を有するものである。ここに、転写フィルムは、支持フィルムと、この支持フィルム上に形成されたアルミニウムペースト層と、支持フィルムと、この支持フィルム上に形成されたレジスト層を熱圧着により作製される。ここで、転写条件としては、例えば、加熱ローラの表面温度が50〜120℃、加熱ローラによるローラ圧が0.5〜10kg/cm2、加熱ローラの移動速度が0.1〜10m/分を示すことができる。また、ガラス基板は予熱されていてもよく、予熱温度としては例えば40〜100℃とすることができる。
[転写フィルムの転写工程]
転写工程の一例を示せば以下のとおりである。図5[4]において、必要に応じて使用される転写フィルム[22+31+21+22]の21の当接している保護フィルム層[22]を剥離した後、図5[5]に示すように、ガラス基板11の表面に、アルミニウムペースト層21の表面が、当接されるように転写フィルム[31+21]を重ね合わせ、この転写フィルム[31+21]を加熱ローラなどにより熱圧着した。ここで、転写条件としては、例えば、加熱ローラの表面温度が50〜120℃、加熱ローラによるローラ圧が0.5〜10kg/cm2、加熱ローラの移動速度が0.1〜10m/分を示すことができる。また、ガラス基板は予熱されていてもよく、予熱温度としては例えば40〜100℃とすることができる。
[レジスト層の露光工程]
この工程においては、図5[6]に示すように、アルミニウムペースト21上に形成されたレジスト層31の表面に、露光用マスクおよび支持フィルム22を介して、紫外線などを照射して、レジストパターンの潜像を形成する。ここに、紫外線放射装置としては、前記フォトリソグラフィー法で使用されている紫外線照射装置、半導体および液晶表示業界で使用されている露光装置など特に限定されるものではない。
[レジスト層の現像工程]
この工程においては、露光されたレジスト層を現像処理することにより、レジストパターン(潜像)を顕在化させる。
By the pattern forming method of the present invention including these steps, a display panel member such as an electrode, a circuit pattern of an electronic component, a wiring pattern of a solar cell member, and the like can be formed. In addition, you may introduce | transduce a 50-300 degreeC heating process in each process of the said transfer, exposure, image development, and baking for the purpose of drying or preliminary reaction.
[Electrode formation method II]
The method for producing an electrode member according to the present invention comprises: forming a resist layer on a support film; then forming an aluminum paste layer on the support film; Workability is improved by using a layer transfer film. Here, when forming a resist layer on a support film and when forming an aluminum paste layer on a support film, a coating method using a roll coater, a coating method using a doctor blade, a coating method using a curtain coater, a coating using a die coater A method, a coating method using a wire coater, a screen coating method using a printing apparatus, and the like can be used, whereby a layer having excellent film thickness uniformity can be formed. The electrode member manufacturing method using the transfer film of the present invention includes: [1] resist layer forming step, [2] aluminum paste layer forming step, [3] transfer film forming step, and [4] transfer film transfer. [5] resist layer exposure step, [6] resist layer development step, [7] aluminum paste layer etching step, [8] aluminum paste layer pattern firing step to form an electrode wiring having an aluminum pattern To do.
[Resist layer forming step]
5 and 6 are schematic cross-sectional views showing an example of a transfer film forming step in the production method of the present invention. In FIG. 5 [1], 22 is a support film. A support film and a resist layer 31 formed on the support film are formed. The resist constituting the resist layer 31 may be either a positive resist or a negative resist, and its specific composition will be described later. The resist layer 31 can be formed by applying a resist by various methods such as a screen printing method, a roll coating method, a spin coating method, and a casting coating method, and then drying the coating film.
[Aluminum paste layer formation process]
In FIG. 5 [2], 22 is a support film. A support film and an aluminum paste layer 21 formed on the support film are formed. The specific composition will be described later. The aluminum paste layer 21 can be formed by applying the aluminum paste by various methods such as a screen printing method, a roll coating method, a spin coating method, a casting coating method, and then drying the coating film.
[Transfer Film Formation Process]
The production method of the present invention is characterized in that a transfer film is used and an aluminum paste layer and a resist layer constituting the transfer film are transferred from the aluminum paste layer side to the surface of the substrate. Here, the transfer film is produced by thermocompression bonding of a support film, an aluminum paste layer formed on the support film, a support film, and a resist layer formed on the support film. Here, as the transfer conditions, for example, the surface temperature of the heating roller is 50 to 120 ° C., the roller pressure by the heating roller is 0.5 to 10 kg / cm 2, and the moving speed of the heating roller is 0.1 to 10 m / min. be able to. Further, the glass substrate may be preheated, and the preheat temperature can be set to 40 to 100 ° C., for example.
[Transfer process of transfer film]
An example of the transfer process is as follows. In FIG. 5 [4], after peeling the 21 abutting protective film layer [22] of the transfer film [22 + 31 + 21 + 22] used as necessary, it is shown in FIG. 5 [5]. In this way, the transfer film [31 + 21] is superimposed on the surface of the glass substrate 11 so that the surface of the aluminum paste layer 21 is in contact with the surface, and the transfer film [31 + 21] is thermocompression bonded with a heating roller or the like. did. Here, as the transfer conditions, for example, the surface temperature of the heating roller is 50 to 120 ° C., the roller pressure by the heating roller is 0.5 to 10 kg / cm 2, and the moving speed of the heating roller is 0.1 to 10 m / min. be able to. Further, the glass substrate may be preheated, and the preheat temperature can be set to 40 to 100 ° C., for example.
[Resist layer exposure process]
In this step, as shown in FIG. 5 [6], the surface of the resist layer 31 formed on the aluminum paste 21 is irradiated with ultraviolet rays or the like through an exposure mask and a support film 22 to form a resist pattern. The latent image is formed. Here, the ultraviolet radiation apparatus is not particularly limited, such as an ultraviolet irradiation apparatus used in the photolithography method, an exposure apparatus used in the semiconductor and liquid crystal display industries.
[Development process of resist layer]
In this step, the exposed resist layer is developed to reveal a resist pattern (latent image).

ここに、現像処理条件としては、レジスト層31の種類などに応じて現像方法(例えば、浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル法、ブラシ法など)および現像処理条件(例えば、現像液の種類・組成・濃度、現像時間、現像温度など)などは、樹脂層の種類に応じて適宜選択、設定すればよい。この現像工程により、図6[7]に示すように、レジスト残留部35Aと、レジスト除去部35Bとから構成されるレジストパターン35(露光用マスクMに対応するパターン)が形成される。   Here, as development processing conditions, development methods (for example, dipping method, rocking method, shower method, spray method, paddle method, brush method, etc.) and development processing conditions (for example, the resist layer 31) The type / composition / concentration of developer, development time, development temperature, etc.) may be appropriately selected and set according to the type of resin layer. By this development step, as shown in FIG. 6 [7], a resist pattern 35 (pattern corresponding to the exposure mask M) composed of the resist remaining portion 35A and the resist removing portion 35B is formed.

このレジストパターン35は、次工程(エッチング工程)におけるエッチングマスクとして作用するものであり、レジスト残留部35Aの構成材料(光硬化されたレジスト)は、アルミニウムペースト層21の構成材料よりもエッチング液に対する溶解速度が小さいことが必要である。   This resist pattern 35 acts as an etching mask in the next process (etching process), and the constituent material of the resist remaining portion 35A (photocured resist) is more resistant to the etching solution than the constituent material of the aluminum paste layer 21. A low dissolution rate is required.

上記現像工程で用いられる現像液としては、樹脂層中の有機成分を溶解可能な溶剤が使用できる。また、前記溶剤にその溶解力が失われない範囲で水を添加してもよい。樹脂層中にカルボキシル基等の酸性基を持つ化合物が存在する場合、アルカリ水溶液で現像できる。
[アルミニウムペースト層のエッチング工程]
この工程においては、アルミニウムペースト層をエッチング処理し、レジストパターンに対応するアルミニウムペースト層のパターンを形成する。
As the developer used in the development step, a solvent capable of dissolving the organic component in the resin layer can be used. Further, water may be added to the solvent as long as its dissolving power is not lost. When a compound having an acidic group such as a carboxyl group is present in the resin layer, development can be performed with an alkaline aqueous solution.
[Aluminum paste layer etching process]
In this step, the aluminum paste layer is etched to form an aluminum paste layer pattern corresponding to the resist pattern.

すなわち、図6[8]に示すように、アルミニウムペースト層21のうち、レジストパターン35のレジスト除去部35Bに対応する部分がエッチング液に溶解されて選択的に除去される。ここに、図6[8]は、エッチング処理中の状態を示している。   That is, as shown in FIG. 6 [8], a portion of the aluminum paste layer 21 corresponding to the resist removal portion 35B of the resist pattern 35 is dissolved in the etching solution and selectively removed. Here, FIG. 6 [8] shows a state during the etching process.

ここに、エッチング処理条件としては、アルミニウムペースト層21の種類などに応じて、エッチング液の種類・組成・濃度、処理時間、処理温度、処理方法(例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル法)、処理装置などを適宜選択することができる。   Here, as the etching process conditions, depending on the type of the aluminum paste layer 21 and the like, the type / composition / concentration of the etchant, the processing time, the processing temperature, the processing method (for example, dipping method, rocking method, shower method, spraying) Method, paddle method), processing apparatus, and the like can be selected as appropriate.

なお、エッチング液として、現像工程で使用した現像液と同一の溶液を使用することができるよう、レジスト層31およびアルミニウムペースト層21の種類を選択することにより、現像工程と、エッチング工程とを連続的に実施することが可能となり、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることができる。   In addition, the development process and the etching process are continuously performed by selecting the types of the resist layer 31 and the aluminum paste layer 21 so that the same solution as the developer used in the development process can be used as the etching liquid. Therefore, the manufacturing efficiency can be improved by simplifying the process.

なお、エッチング処理後にレジスト残留部35Aの一部または全部が残留していても、当該レジスト残留部35Aは、次の焼成工程で除去される。
[アルミニウムペースト層パターンの焼成工程]
この工程においては、アルミニウムペースト層パターン31を焼成処理して電極配線を形成する。これにより、材料層残留部中の有機物質が焼失して、金属層などが形成され、図4[9]に示すような、ガラス基板の表面に電極配線40が形成されてなる電極材料50を得ることができる。
各工程の詳細については、上記「電極の形成方法I」に準ずる。
[電極を形成するための他の方法]
本発明における電極の形成方法は、図3および図4、図5および図6に示したような方法に限定されるものではない。ここに、電極を形成するための他の方法として、下記形成工法II〜Vの工程による形成方法などを挙げることができるが、これらに限定されるものではない。
[電極の形成工法III]
本発明の電極部材の製造方法は、基板上にアルミニウムペースト層を形成した後、当該アルミニウムペースト層上に、支持フィルム上に形成したレジスト層を転写することで、積層形成してなる。基板上にアルミニウムペースト層を形成する際、および支持フィルム上にレジスト層を形成する際には、ナイフコーターによる塗布方法、ロールコータによる塗布方法、ドクターブレードによる塗布方法、カーテンコータによる塗布方法、ダイコータによる塗布方法、ワイヤーコータによる塗布方法、印刷装置によるスクリーン塗布方法などを使用することができ、これにより、膜厚の均一性に優れた層を形成することができる。本発明の電極の形成方法においては、[1]アルミニウムペースト層の形成工程、[2]レジスト層の形成工程、[3]レジスト層の転写工程、[4]レジスト層の露光工程、[5]レジスト層の現像工程、[6]アルミニウムペースト層のエッチング工程、[7]アルミニウムペースト層パターンの焼成工程により、アルミニウムパターンを有する電極の形成をする。各工程の詳細については、上記「電極の形成方法I」に準ずる。
[電極の形成工法IV]
本発明の電極部材の製造方法は、支持フィルム上にアルミニウムペースト層を形成した後、基板上に該転写フィルムを転写し、支持フィルム上にレジスト層を形成した後、該アルミニウムペースト層上に転写し、積層形成してなる。支持フィルム上にアルミニウムペースト層を形成する際、および支持フィルム上にレジスト層を形成する際には、ナイフコーターによる塗布方法、ロールコータによる塗布方法、ドクターブレードによる塗布方法、カーテンコータによる塗布方法、ダイコータによる塗布方法、ワイヤーコータによる塗布方法、印刷装置によるスクリーン塗布方法などを使用することができ、これにより、膜厚の均一性に優れた層を形成することができる。本発明の電極の形成方法においては、[1]アルミニウムペースト層の形成工程、[2]アルミニウムペースト層の転写工程、[3]レジスト層の形成工程、[4]レジスト層の転写工程、[5]レジスト層の露光工程、[6]レジスト層の現像工程、[7]アルミニウムペースト層のエッチング工程、[8]アルミニウムペースト層パターンの焼成工程により、アルミニウムパターンを有する電極の形成をする。各工程の詳細については、上記「電極の形成方法I」に準ずる。
[電極の形成工法V]
本発明の電極部材の製造方法は、支持フィルム上にレジスト層を形成した後、当該レジスト層上にアルミニウムペースト層を積層形成してなる、本発明の層転写フィルムを用いることより、作業性を向上させるものである。ここに、支持フィルム上にレジスト層を形成する際、およびレジスト層上にアルミニウムペースト層を形成する際には、ロールコータによる塗布方法、ドクターブレードによる塗布方法、カーテンコータによる塗布方法、ダイコータによる塗布方法、ワイヤーコータによる塗布方法、印刷装置によるスクリーン塗布方法などを使用することができ、これにより、膜厚の均一性に優れた層を形成することができる。本発明の転写フィルムを用いた電極の形成方法においては、[1]レジスト層の形成工程、[2]アルミニウムペースト層の形成工程、[3]転写フィルムの形成工程、[4]転写フィルムの転写工程、[5]レジスト層の露光工程、[6]レジスト層の現像工程、[7]アルミニウムペースト層のエッチング工程、[8]アルミニウムペースト層パターンの焼成工程により、アルミニウムパターンを有する電極配線を形成する。各工程の詳細については、上記「電極の形成方法I」に準ずる。
Even if a part or all of the remaining resist portion 35A remains after the etching process, the remaining resist portion 35A is removed in the next baking step.
[Baking process of aluminum paste layer pattern]
In this step, the aluminum paste layer pattern 31 is baked to form electrode wiring. As a result, the organic material in the remaining portion of the material layer is burned out, a metal layer or the like is formed, and an electrode material 50 in which the electrode wiring 40 is formed on the surface of the glass substrate as shown in FIG. Obtainable.
The details of each step are in accordance with the above-mentioned “electrode formation method I”.
[Other methods for forming electrodes]
The electrode forming method in the present invention is not limited to the method shown in FIGS. 3 and 4, 5 and 6. Examples of other methods for forming the electrode include, but are not limited to, the formation methods according to the following formation methods II to V.
[Electrode formation method III]
In the method for producing an electrode member of the present invention, an aluminum paste layer is formed on a substrate, and then a resist layer formed on a support film is transferred onto the aluminum paste layer to form a laminate. When an aluminum paste layer is formed on a substrate and a resist layer is formed on a support film, a coating method using a knife coater, a coating method using a roll coater, a coating method using a doctor blade, a coating method using a curtain coater, a die coater A coating method using a wire coater, a coating method using a wire coater, a screen coating method using a printing apparatus, and the like can be used, whereby a layer having excellent film thickness uniformity can be formed. In the electrode forming method of the present invention, [1] an aluminum paste layer forming step, [2] a resist layer forming step, [3] a resist layer transferring step, [4] a resist layer exposing step, [5] An electrode having an aluminum pattern is formed by a resist layer developing step, [6] an aluminum paste layer etching step, and [7] an aluminum paste layer pattern firing step. The details of each step are in accordance with the above-mentioned “electrode formation method I”.
[Electrode formation method IV]
In the method for producing an electrode member of the present invention, an aluminum paste layer is formed on a support film, the transfer film is transferred onto a substrate, a resist layer is formed on the support film, and then transferred onto the aluminum paste layer. And is formed by lamination. When forming an aluminum paste layer on a support film and when forming a resist layer on a support film, a coating method using a knife coater, a coating method using a roll coater, a coating method using a doctor blade, a coating method using a curtain coater, A coating method using a die coater, a coating method using a wire coater, a screen coating method using a printing apparatus, and the like can be used, thereby forming a layer having excellent film thickness uniformity. In the electrode forming method of the present invention, [1] an aluminum paste layer forming step, [2] an aluminum paste layer transferring step, [3] a resist layer forming step, [4] a resist layer transferring step, [5] An electrode having an aluminum pattern is formed by a resist layer exposure step, [6] a resist layer development step, [7] an aluminum paste layer etching step, and [8] an aluminum paste layer pattern firing step. The details of each step are in accordance with the above-mentioned “electrode formation method I”.
[Electrode formation method V]
The method for producing an electrode member of the present invention can improve workability by using the layer transfer film of the present invention, in which a resist layer is formed on a support film and then an aluminum paste layer is formed on the resist layer. It is to improve. Here, when forming a resist layer on a support film and when forming an aluminum paste layer on a resist layer, a coating method by a roll coater, a coating method by a doctor blade, a coating method by a curtain coater, a coating by a die coater A method, a coating method using a wire coater, a screen coating method using a printing apparatus, and the like can be used, whereby a layer having excellent film thickness uniformity can be formed. In the method for forming an electrode using the transfer film of the present invention, [1] a resist layer forming step, [2] an aluminum paste layer forming step, [3] a transfer film forming step, [4] transfer film transfer [5] resist layer exposure step, [6] resist layer development step, [7] aluminum paste layer etching step, [8] aluminum paste layer pattern firing step to form an electrode wiring having an aluminum pattern To do. The details of each step are in accordance with the above-mentioned “electrode formation method I”.

本発明のフラットディスプレイパネルの製造方法は、上記のようにして電極部材を形成する工程を含み、フラットパネルディスプレイの電極部材の製造方法に適している。
[実施例]
以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、実施例および比較例における「部」および「%」は、特に断りのない限り、それぞれ「重量部」および「重量%」を示す。
The manufacturing method of the flat display panel of this invention includes the process of forming an electrode member as mentioned above, and is suitable for the manufacturing method of the electrode member of a flat panel display.
[Example]
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example, this invention is not limited at all by these Examples. In the examples and comparative examples, “parts” and “%” represent “parts by weight” and “% by weight”, respectively, unless otherwise specified.

まず、物性の測定方法および評価方法について説明する。   First, a method for measuring and evaluating physical properties will be described.

〔重量平均分子量(Mw)および重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)(以下、Mw/Mnと呼称する。)の測定方法〕
MwおよびMw/Mnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)(東ソー株式会社製「HLC−8220GPC」)により測定したポリスチレン換算の値である。なお、GPC測定は、GPCカラムとして東ソー株式会社製「TSKguardcolumn SuperHZM−M」を用い、テトラヒドロフラン(THF)溶媒、測定温度40℃の条件で行った。
〔焼成後のパターンの評価方法〕
焼成後のパネルを切断してパネルの試験片(150mm×150mm×2.8mm)を作製し、図2に示す位置のパターン切断面を走査型電子顕微鏡(日立製作所製「S4200」)で観察してパターンの幅および高さを計測し、それぞれを下記基準で評価した。なお、所望の規格は、パターンの幅が50μm、高さが10μm、間隔を100μmである。
A:所望の規格のもの。
B:所望の規格から±5%以内のもの。
C:所望の規格から±5%を超えて±10%以内のもの。
D:所望の規格から±10%を超えるもの。
〔焼成後のパターン密着性評価〕
パネルの試験片(150mm×150mm×2.8mm)上にパターン作製、焼成し、焼成後のパターンと支持体との密着性評価を行った。なお、所望の規格は、パターンの幅が50μm、高さが10μm、間隔100μmである。セロテープ(ニチバン社製)を加熱ローラにより熱圧着した。圧着条件は、加熱ローラの表面温度を23℃、ロール圧を4kg/cm、加熱ローラの移動速度を0.5m/分とした。これにより、支持体の表面にセロテープが転写されて密着した状態となった。このセロテープを支持体より剥離することで評価した。
○:パターン剥れなし。
×:パターン剥れあり。
〔合成例1〕
2−エトキシエチルメタクリレート80g、メタクリル酸20g、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)1g、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオン酸)(堺化学工業(株)製)5gを攪拌機付きオートクレーブに仕込み、窒素雰囲気下において、ターピネオール150部中で均一になるまで攪拌した。次いで、80℃で4時間重合させ、さらに100℃で1時間重合反応を継続させた後、室温まで冷却してSH基を有するメタクリル樹脂(1)を得た。このメタクリル樹脂(1)の重合率は98%であり、アルカリ可溶性樹脂(1)の重量平均分子量は20000(Mw/Mn 1.8)であった。
〔合成例2〕
ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオン酸)の代わりにノフマーNSD(日本油脂(株)製)5gを使用した以外は、合成例1と同様にしてメタクリル樹脂(2)を得た。このアルカリ可溶性樹脂(2)の重合率は98%であり、アルカリ可溶性樹脂(2)の重量平均分子量25000(Mw/Mn 2.2)であった。
〔合成例3〕
メタクリル酸の代わりに2−ヒドロキシエチルメタクリレート25gを使用した以外は、合成例1と同様にしてメタクリル樹脂(3)を得た。このアルカリ可溶性樹脂(3)の重合率は98%であり、アルカリ可溶性樹脂(4)の重量平均分子量28000(Mw/Mn 2.4)であった。
[実施例1〜4]
実施例1は、表1に示すアルミニウム粉末16g、表2に示すガラス粉末2gおよび表3に示すバインダー組成物82gを作製した後に、混練機で混練してアルミニウムペースト組成物(以下「アルミニウムペースト」ともいう。)を調製した。
[Method for Measuring Weight Average Molecular Weight (Mw) and Weight Average Molecular Weight (Mw) / Number Average Molecular Weight (Mn) (hereinafter referred to as Mw / Mn)]
Mw and Mw / Mn are values in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC) (“HLC-8220GPC” manufactured by Tosoh Corporation). The GPC measurement was performed using “TSK guard column Super HZM-M” manufactured by Tosoh Corporation as a GPC column under the conditions of a tetrahydrofuran (THF) solvent and a measurement temperature of 40 ° C.
[Method for evaluating pattern after firing]
A panel test piece (150 mm × 150 mm × 2.8 mm) was prepared by cutting the fired panel, and the pattern cut surface at the position shown in FIG. 2 was observed with a scanning electron microscope (“S4200” manufactured by Hitachi, Ltd.). The width and height of the pattern were measured, and each was evaluated according to the following criteria. The desired standard is a pattern width of 50 μm, a height of 10 μm, and an interval of 100 μm.
A: The desired standard.
B: Within ± 5% of desired standard.
C: A value exceeding ± 5% and within ± 10% from a desired standard.
D: More than ± 10% from the desired standard.
[Evaluation of pattern adhesion after firing]
A pattern was prepared and fired on a panel test piece (150 mm × 150 mm × 2.8 mm), and the adhesion between the fired pattern and the support was evaluated. The desired standard is a pattern width of 50 μm, a height of 10 μm, and an interval of 100 μm. Cello tape (manufactured by Nichiban Co., Ltd.) was thermocompression bonded with a heating roller. The pressure bonding conditions were such that the surface temperature of the heating roller was 23 ° C., the roll pressure was 4 kg / cm 2 , and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. As a result, the cellophane tape was transferred to the surface of the support and brought into close contact. Evaluation was made by peeling the cellophane from the support.
○: No pattern peeling.
X: Pattern peeling occurred.
[Synthesis Example 1]
80 g of 2-ethoxyethyl methacrylate, 20 g of methacrylic acid, 1 g of azobisisobutyronitrile (AIBN), 5 g of pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionic acid) (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd.) are charged into an autoclave equipped with a stirrer and nitrogen The mixture was stirred in 150 parts of terpineol under an atmosphere until uniform. Next, polymerization was carried out at 80 ° C. for 4 hours, and the polymerization reaction was continued at 100 ° C. for 1 hour, followed by cooling to room temperature to obtain a methacrylic resin (1) having SH groups. The polymerization rate of this methacrylic resin (1) was 98%, and the weight average molecular weight of alkali-soluble resin (1) was 20000 (Mw / Mn 1.8).
[Synthesis Example 2]
A methacrylic resin (2) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 5 g of NOFMER NSD (manufactured by NOF Corporation) was used instead of pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionic acid). The polymerization rate of the alkali-soluble resin (2) was 98%, and the weight-average molecular weight of the alkali-soluble resin (2) was 25000 (Mw / Mn 2.2).
[Synthesis Example 3]
A methacrylic resin (3) was obtained in the same manner as in Synthesis Example 1 except that 25 g of 2-hydroxyethyl methacrylate was used instead of methacrylic acid. The polymerization rate of the alkali-soluble resin (3) was 98%, and the weight-average molecular weight of the alkali-soluble resin (4) was 28000 (Mw / Mn 2.4).
[Examples 1 to 4]
In Example 1, 16 g of aluminum powder shown in Table 1, 2 g of glass powder shown in Table 2, and 82 g of binder composition shown in Table 3 were prepared, and then kneaded with a kneader to produce an aluminum paste composition (hereinafter referred to as “aluminum paste”). (Also called).

表4に示す有機成分を作製した後に、混練機で混練してレジスト組成物(以下「レジスト層」ともいう。)を調製した。
上記アルミニウムペーストを予め離型処理したポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムよりなる支持フィルム(例えば、幅200mm、長さ30m、厚さ38μm)上に塗布し、100℃で10分間保持して乾燥した。実施例1〜15のいずれにおいても15μm±1μmの範囲にあった。
上記レジストを予め離型処理したポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムよりなる支持フィルム(例えば、幅200mm、長さ30m、厚さ38μm)上に塗布し、100℃で10分間保持して乾燥した。実施例1〜4のいずれにおいても10μm±1μmの範囲にあった。
次に、アルミニウムペースト層の表面に、レジスト層が当接されるよう転写フィルム同士を重ね合わせ、この転写フィルムを加熱ローラにより熱圧着した。圧着条件は、加熱ローラの表面温度を23℃、ロール圧を4kg/cm、加熱ローラの移動速度を0.5m/分とした。熱圧着処理終了後、転写フィルムのアルミニウムペースト層に接した支持フィルムを剥離し、支持フィルムが除去された状態となった。ガラス基板上にアルミニウムペースト層側の転写フィルムを熱圧着した。これによって、ガラス基板の表面にアルミニウムペースト層が密着した状態となった。
After preparing the organic components shown in Table 4, a resist composition (hereinafter also referred to as “resist layer”) was prepared by kneading with a kneader.
The aluminum paste was applied onto a support film (for example, width 200 mm, length 30 m, thickness 38 μm) made of a polyethylene terephthalate (PET) film which had been subjected to a mold release treatment in advance, and held at 100 ° C. for 10 minutes to dry. In any of Examples 1 to 15, it was in the range of 15 μm ± 1 μm.
The resist was coated on a support film (for example, width 200 mm, length 30 m, thickness 38 μm) made of a polyethylene terephthalate (PET) film which had been subjected to a release treatment in advance, and was dried at 100 ° C. for 10 minutes. In any of Examples 1 to 4, it was in the range of 10 μm ± 1 μm.
Next, the transfer films were superposed on the surface of the aluminum paste layer so that the resist layer was in contact, and the transfer film was thermocompression bonded with a heating roller. The pressure bonding conditions were such that the surface temperature of the heating roller was 23 ° C., the roll pressure was 4 kg / cm 2 , and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. After the thermocompression treatment, the support film in contact with the aluminum paste layer of the transfer film was peeled off, and the support film was removed. The transfer film on the aluminum paste layer side was thermocompression bonded onto the glass substrate. As a result, the aluminum paste layer was in close contact with the surface of the glass substrate.

次に、ネガ型クロムマスク(パターン幅50μm、パターン間隔100μm)を用いて、上面から25mJ/cm出力の超高圧水銀灯により、感光性レジスト層を紫外線露光した。露光量は500mJ/cmであった。 Next, using a negative chrome mask (pattern width 50 μm, pattern interval 100 μm), the photosensitive resist layer was exposed to ultraviolet rays with an ultrahigh pressure mercury lamp having an output of 25 mJ / cm 2 from the top surface. The exposure amount was 500 mJ / cm 2 .

次に、露光後のレジスト層に、23℃に保持した炭酸ナトリウムの0.5%水溶液を、シャワーで60秒間かけることにより現像した。その後、シャワースプレーを用いて水洗浄し、光硬化していないスペース部分を除去してパネル用ガラス基板上に幅50μm、間隔100μmのパターンを形成した。この現像後のパターンを上記評価方法により評価した。結果を表5に示す。   Next, the resist layer after exposure was developed by applying a 0.5% aqueous solution of sodium carbonate maintained at 23 ° C. for 60 seconds in a shower. Then, it washed with water using shower spray, the space part which is not photocured was removed, and the pattern of width 50 micrometers and a space | interval of 100 micrometers was formed on the glass substrate for panels. The developed pattern was evaluated by the above evaluation method. The results are shown in Table 5.

次に、得られたアルミニウムペースト層パターンを580℃で30分間焼成して電極パターンを形成した。この焼成後のパターンを上記評価方法により評価した。結果を表5に示す。   Next, the obtained aluminum paste layer pattern was baked at 580 ° C. for 30 minutes to form an electrode pattern. This fired pattern was evaluated by the above evaluation method. The results are shown in Table 5.

実施例2〜4は実施例1と同様の評価を行った。表5に示すように、実施例1〜4においての現像後のパターン評価では、実施例1〜4が特に優れていた。焼成後のパターン評価では実施例1〜4が優れていた。   Examples 2 to 4 were evaluated in the same manner as in Example 1. As shown in Table 5, Examples 1 to 4 were particularly excellent in pattern evaluation after development in Examples 1 to 4. In the pattern evaluation after baking, Examples 1-4 were excellent.

Figure 2009016320
Figure 2009016320

Figure 2009016320
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Figure 2009016320
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TMP:トリメチロールプロパン(プロピオンオキサイド変性)トリアクリレート
DMMPB:2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート






TMP: trimethylolpropane (propion oxide modified) triacrylate DMMPB: 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1
PGMEA: Propylene glycol monomethyl ether acetate






Figure 2009016320
Figure 2009016320

TMP:トリメチロールプロパン(プロピオンオキサイド変性)トリアクリレート
TPDA:トリプロピレングリコールジアクリレート
DMMPB:2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1
BHHD:1,7-ビス(4−ヒドロキシフェノール)−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジオン
PGMEA:プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
TMP: trimethylolpropane (propion oxide modified) triacrylate TPDA: tripropylene glycol diacrylate DMMPB: 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) butanone-1
BHHD: 1,7-bis (4-hydroxyphenol) -1,6-heptadiene-3,5-dione PGMEA: propylene glycol monomethyl ether acetate

Figure 2009016320
Figure 2009016320

[比較例1〜4]
表6に示すように、比較例1〜4は実施例1と同様に評価した。比較例1〜4においての現像後のパターン評価では、比較例1、3および4は不良となった。比較例2はやや不良となった。焼成後のパターン評価では比較例1、3および4は不良となったが、パターンの欠けや剥れ等は観察されなかった。比較例2はやや不良となるものの、パターンの欠けや剥れ等が観察された。



[Comparative Examples 1-4]
As shown in Table 6, Comparative Examples 1 to 4 were evaluated in the same manner as Example 1. In the pattern evaluation after development in Comparative Examples 1 to 4, Comparative Examples 1, 3 and 4 were defective. Comparative Example 2 was slightly poor. In the pattern evaluation after firing, Comparative Examples 1, 3 and 4 were defective, but no chipping or peeling of the pattern was observed. Although Comparative Example 2 was slightly defective, pattern chipping and peeling were observed.



Figure 2009016320
Figure 2009016320

交流型プラズマディスプレイパネルの断面形状を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross-sectional shape of an alternating current type plasma display panel. 一般的なフィールドエミッションディスプレイの断面形状を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross-sectional shape of a general field emission display.

符号の説明Explanation of symbols

101 ガラス基板
102 ガラス基板
103 背面隔壁
104 透明電極
105 バス電極
106 アドレス電極
107 蛍光物質
108 誘電体層
109 誘電体層
110 保護層
111 前面隔壁
201 ガラス基板
202 ガラス基板
203 絶縁層
204 透明電極
205 エミッタ
206 カソード電極
207 蛍光体
208 ゲート
209 スペーサ
101 glass substrate 102 glass substrate 103 rear partition 104 transparent electrode 105 bus electrode 106 address electrode 107 fluorescent material 108 dielectric layer 109 dielectric layer 110 protective layer 111 front partition 201 glass substrate 202 glass substrate 203 insulating layer 204 transparent electrode 205 emitter 206 Cathode electrode 207 Phosphor 208 Gate 209 Spacer

Claims (7)

アルミニウム粉末(A)および結着樹脂(C)を含有するアルミニウムペースト層を基板上に形成し、基板上に形成されたアルミニウムペースト層上にレジスト膜を形成することにより基板上にアルミニウムペースト層とレジスト膜の積層体を形成し、当該積層体のレジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、アルミニウムペースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応するアルミニウムペースト層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含むことを特徴とする電極の製造方法であって、
前記アルミニウム粉末(A)として、D50:2〜20μmのアルミニウム粉末を含有することを特徴とするフラットパネルディスプレイ電極の製造方法。
An aluminum paste layer containing aluminum powder (A) and a binder resin (C) is formed on the substrate, and a resist film is formed on the aluminum paste layer formed on the substrate, thereby forming an aluminum paste layer on the substrate. Form a laminate of resist films, expose the resist film of the laminate to form a latent image of the resist pattern, develop the resist film to reveal the resist pattern, and etch the aluminum paste layer An electrode manufacturing method comprising a step of processing to form a pattern of an aluminum paste layer corresponding to a resist pattern, and firing the pattern,
A method for producing a flat panel display electrode, wherein the aluminum powder (A) contains D50: 2 to 20 μm aluminum powder.
支持フィルム上に形成されたアルミニウム粉末(A)およびアルカリ結着樹脂(C)を含有するアルミニウムペースト層および/または支持フィルム上に形成されたレジスト膜を転写する工程を含むことにより基板上にアルミニウムペースト層とレジスト膜の積層体を形成することを特徴とする電極の製造方法であって、
前記アルミニウム粉末(A)として、D50:2〜20μmのアルミニウム粉末を含有することを特徴とする、請求項1記載のフラットパネルディスプレイ電極の製造方法。
Aluminum on the substrate by including a step of transferring the aluminum paste layer containing the aluminum powder (A) and the alkaline binder resin (C) formed on the support film and / or the resist film formed on the support film An electrode manufacturing method characterized by forming a laminate of a paste layer and a resist film,
The method for producing a flat panel display electrode according to claim 1, wherein the aluminum powder (A) contains D50: 2 to 20 µm aluminum powder.
支持フィルム上に形成されたアルミニウム粉末(A)および結着樹脂(C)を含有するアルミニウムペースト層と、レジスト膜との積層体を転写する工程を含むことにより基板上にアルミニウムペースト層とレジスト膜の積層体を形成することを特徴とする電極の製造方法であって、
アルミニウム粉末(A)として、D50:2〜20μmのアルミニウム粉末を含有することを特徴とする、請求項1記載のフラットパネルディスプレイ電極の製造方法。
An aluminum paste layer and a resist film are formed on the substrate by including a step of transferring a laminate of the aluminum paste layer containing the aluminum powder (A) and the binder resin (C) formed on the support film and the resist film. An electrode manufacturing method characterized by forming a laminate of:
The method for producing a flat panel display electrode according to claim 1, wherein the aluminum powder (A) contains an aluminum powder having a D50 of 2 to 20 µm.
前記アルミニウムペースト層にさらに軟化点350〜700℃のガラス粉末(B)を前記アルミニウムペースト層に対して0.5〜20重量%含むことを特徴とする、請求項1〜3いずれかに記載のフラットパネルディスプレイ電極の製造方法 The glass paste (B) having a softening point of 350 to 700 ° C is further contained in the aluminum paste layer in an amount of 0.5 to 20% by weight with respect to the aluminum paste layer. Method for manufacturing flat panel display electrode 支持フィルム上に形成されたアルミニウム粉末(A)および結着樹脂(C)を含有するアルミニウムペースト層を含む転写フィルムであって、前記アルミニウム粉末(A)として、D50:2〜20μmのアルミニウム粉末を含有することを特徴とする、転写フィルム。 A transfer film comprising an aluminum paste layer containing an aluminum powder (A) and a binder resin (C) formed on a support film, wherein the aluminum powder (A) is D50: 2 to 20 μm aluminum powder A transfer film comprising: 前記アルミニウムペースト層にさらに軟化点350〜700℃のガラス粉末(B)を前記アルミニウムペースト層に対して0.5〜20重量%含むことを特徴とする、請求項56に記載の転写フィルム。 57. The transfer film according to claim 56, wherein the aluminum paste layer further comprises 0.5 to 20% by weight of glass powder (B) having a softening point of 350 to 700 [deg.] C. with respect to the aluminum paste layer. 前記アルミニウムペースト層と、レジスト膜との積層体を含むことを特徴とする請求項5または6に記載の転写フィルム。 The transfer film according to claim 5, comprising a laminate of the aluminum paste layer and a resist film.
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