JP2011007865A - Photosensitive paste composition and pattern forming method - Google Patents

Photosensitive paste composition and pattern forming method Download PDF

Info

Publication number
JP2011007865A
JP2011007865A JP2009148812A JP2009148812A JP2011007865A JP 2011007865 A JP2011007865 A JP 2011007865A JP 2009148812 A JP2009148812 A JP 2009148812A JP 2009148812 A JP2009148812 A JP 2009148812A JP 2011007865 A JP2011007865 A JP 2011007865A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
photosensitive paste
acid
meth
paste composition
pattern
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2009148812A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hiroshi Majima
寛 間嶋
Shogo Okabe
尚吾 岡部
Masahiro Ueda
政宏 上田
Nami Onimaru
奈美 鬼丸
Daigo Mochizuki
大剛 望月
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
Priority to JP2009148812A priority Critical patent/JP2011007865A/en
Publication of JP2011007865A publication Critical patent/JP2011007865A/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Landscapes

  • Gas-Filled Discharge Tubes (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a photosensitive paste composition which is inexpensive and capable of forming a thinnly-filmed and high-definition pattern having a low resistance value on a glass substrate.SOLUTION: The photosensitive paste composition comprises a conductive component (A), an alkali-soluble resin (C), a polyfunctional (meth)acrylate (D), a photopolymerization initiator (E), and silicon particles (F).

Description

本発明は、感光性ペースト組成物およびパターン形成方法に関する。さらに詳しくは、
フラットパネルディスプレイなどのディスプレイパネル、電子部品の高度実装材料および
太陽電池の部材を製造する際に、高感度かつ高精度のパターンを形成することが可能な感
光性ペースト組成物および該組成物を用いたパターン形成方法に関する。
The present invention relates to a photosensitive paste composition and a pattern forming method. For more details,
A photosensitive paste composition capable of forming a high-sensitivity and high-precision pattern when manufacturing a display panel such as a flat panel display, an advanced mounting material for electronic components, and a member of a solar cell, and the composition are used. The present invention relates to a pattern forming method.

近年、回路基板やディスプレイパネルにおけるパターン加工に対して、高密度化および
高精細化の要求が高まっている。このような要求が高まっているディスプレイパネルの中
でも、特にプラズマディスプレイパネル(以下「PDP」ともいう。)やフィールドエミ
ッションディスプレイ(以下「FED」ともいう。)などのフラットパネルディスプレイ
(以下「FPD」ともいう。)が注目されている。
In recent years, there is an increasing demand for higher density and higher definition for pattern processing in circuit boards and display panels. Among such display panels that have been increasing in demand, particularly flat panel displays (hereinafter referred to as “FPD”) such as plasma display panels (hereinafter also referred to as “PDP”) and field emission displays (hereinafter also referred to as “FED”). ) Is attracting attention.

図1は交流型のPDPの断面形状を示す模式図である。図1において、101および1
02は対抗配置されたガラス基板、103および111は隔壁であり、ガラス基板101
、ガラス基板102、背面隔壁103および前面隔壁111によりセルが区画形成されて
いる。104はガラス基板101に固定された透明電極であり、105は透明電極104
の抵抗を下げる目的で該透明電極104上に形成されたバス電極であり、106はガラス
基板102に固定されたアドレス電極である。107はセル内に保持された蛍光物質であ
り、108は透明電極104およびバス電極105を被覆するようガラス基板101の表
面に形成された誘電体層であり、109はアドレス電極106を被覆するようガラス基板
102の表面に形成された誘電体層であり、110は例えば酸化マグネシウムよりなる保
護層である。
FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC type PDP. In FIG. 1, 101 and 1
02 is a glass substrate arranged opposite to it, 103 and 111 are partition walls, and the glass substrate 101
The cells are partitioned by the glass substrate 102, the rear partition wall 103, and the front partition wall 111. 104 is a transparent electrode fixed to the glass substrate 101, and 105 is a transparent electrode 104.
The bus electrode is formed on the transparent electrode 104 for the purpose of lowering the resistance, and 106 is an address electrode fixed to the glass substrate 102. 107 is a fluorescent material held in the cell, 108 is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 101 so as to cover the transparent electrode 104 and the bus electrode 105, and 109 is used to cover the address electrode 106. A dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 102, and 110 is a protective layer made of, for example, magnesium oxide.

上述の構成を有するPDPや図2に示されるFEDに代表されるFPDにおいては、パ
ネルの大型化および高精細化が進んでおり、それに伴ってパターン加工技術の向上が要望
されている。しかしながら、パネルの大型化および高精細化に伴い、パターン精度の要求
が非常に厳しくなり、従来の工法であるスクリーン印刷法では、前記要求に対応できない
という問題がある。
In the PDP having the above-described configuration and the FPD represented by the FED shown in FIG. 2, the panel has been increased in size and definition, and accordingly, improvement of the pattern processing technique is demanded. However, with the increase in size and definition of panels, the demand for pattern accuracy becomes very strict, and there is a problem that the screen printing method, which is a conventional construction method, cannot meet the demand.

そこで現在では、フォトリソグラフィー法によるパターン形成が主に用いられている。
例えば電極を製造する場合には、導電成分として銀を使用した感光性導電性ペーストを用いたフォトリソグラフィー法により、スクリーン印刷法では対応できなかった問題である、大型および高精細なパターン形成が可能となっている。
Therefore, at present, pattern formation by photolithography is mainly used.
For example, when manufacturing electrodes, large and high-definition patterns can be formed by photolithography using a photosensitive conductive paste that uses silver as the conductive component, a problem that could not be addressed by screen printing. It has become.

しかしながら、銀は貴金属であるため、感光性銀ペーストが高価になっている。また、感光性銀ペーストの欠陥として、高温多湿環境下でマイグレーションを起こしやすく、銀表面において硫化が発生するという性質が挙げられる。   However, since silver is a noble metal, photosensitive silver paste is expensive. Moreover, as a defect of the photosensitive silver paste, there is a property that migration easily occurs in a high-temperature and high-humidity environment, and sulfide is generated on the silver surface.

上記のように、近年のパターン精度およびコストダウンに対する要求から、安価でかつ高精細なパターンを、セラミック、シリコンおよびガラス基板上に形成可能な無機粒子含有感光性樹脂材料が望まれており、銀に代わる安価な材料として、アルミニウム粉末を用いた感光性樹脂材料が検討されている。(特開2009-37232号公報)
特開2009−37232号
As described above, due to recent demands for pattern accuracy and cost reduction, a photosensitive resin material containing inorganic particles capable of forming an inexpensive and high-definition pattern on a ceramic, silicon, and glass substrate is desired. A photosensitive resin material using aluminum powder has been studied as an inexpensive alternative to the above. (Japanese Patent Laid-Open No. 2009-37232)
JP 2009-37232 A

しかしながら、特開2009-37232号公報に開示される感光性ペースト組成物では、成形された電極の基板への密着性はあるものの、さらに低抵抗値の電極が得られることが望まれていた。   However, in the photosensitive paste composition disclosed in JP-A-2009-3722, it has been desired that an electrode having a lower resistance value can be obtained although the molded electrode has adhesion to the substrate.

本発明は、上記のような従来技術に伴う問題を解決しようとするものである。すなわち、本発明は、安価で、かつ薄膜で、抵抗値が低く、高精細なパターンをガラス基板上に形成可能な感光性ペースト組成物を提供することを目的とする。また、本発明は、前記感光性ペースト組成物を用いたパターン形成方法を提供することを目的とする。   The present invention seeks to solve the problems associated with the prior art as described above. That is, an object of the present invention is to provide a photosensitive paste composition that is inexpensive, thin, has a low resistance value, and can form a high-definition pattern on a glass substrate. Another object of the present invention is to provide a pattern forming method using the photosensitive paste composition.

本発明者らは上記課題を解決するため鋭意検討を行った。
本発明は、導電性成分(A)、アルカリ可溶性樹脂(C)、多官能(メタ)アクリレート(D)光重合開始剤(E)およびシリコン粒子(F)を含有することを特徴とする感光性ペースト組成物と、
前記感光性ペースト組成物からなる感光性ペースト層を基板上に形成する工程、 該ペースト層を露光処理してパターンの潜像を形成する工程、 該ペースト層を現像処理してパターンを形成する工程、および 該パターンを焼成処理する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法とを提供するものである。
The present inventors have intensively studied to solve the above problems.
The present invention contains a conductive component (A), an alkali-soluble resin (C), a polyfunctional (meth) acrylate (D) photopolymerization initiator (E), and silicon particles (F). A paste composition;
Forming a photosensitive paste layer comprising the photosensitive paste composition on a substrate; exposing the paste layer to form a latent image of a pattern; and developing the paste layer to form a pattern And a pattern forming method comprising a step of baking the pattern.

本発明によれば、時的に基板への密着性が低下することがなく、抵抗値が低く、支持体との密着性が良好な高精細なパターンをガラス基板またはシリコン基板上に形成可能な感光性ペースト組成物が提供される。また、本発明によれば、前記感光性ペースト組成物を用いたパターン形成方法が提供される。   According to the present invention, it is possible to form a high-definition pattern on a glass substrate or a silicon substrate that does not occasionally deteriorate the adhesion to the substrate, has a low resistance value, and a good adhesion to the support. A photosensitive paste composition is provided. Moreover, according to this invention, the pattern formation method using the said photosensitive paste composition is provided.

特に、本発明に係る感光性ペースト組成物を用いることにより、安価でかつ高精細なパ
ターンを形成することができ、FPDの配線を構成する部材の形成、電子部品の高度実装
材料の部材の形成、および太陽電池の部材の形成に好適である。
In particular, by using the photosensitive paste composition according to the present invention, an inexpensive and high-definition pattern can be formed, formation of members constituting FPD wiring, formation of members for highly mounting materials for electronic components And suitable for forming solar cell members.

以下、本発明に係る感光性ペースト組成物およびパターン形成方法について、詳細に説
明する。なお、以下では、前記感光性ペースト組成物を用いて形成される、露光前の層を
「感光性ペースト層」ともいう。
Hereinafter, the photosensitive paste composition and the pattern forming method according to the present invention will be described in detail. Hereinafter, the layer before exposure formed using the photosensitive paste composition is also referred to as “photosensitive paste layer”.

〔感光性ペースト組成物〕
本発明に係る感光性ペースト組成物は、以下に説明する導電性成分(A)、アルカリ可溶性樹脂(C)、多官能(メタ)アクリレート(D)光重合開始剤(E)およびシリコン粒子(F)を含有することを特徴とする感光性ペースト組成物である。
[Photosensitive paste composition]
The photosensitive paste composition according to the present invention comprises a conductive component (A), an alkali-soluble resin (C), a polyfunctional (meth) acrylate (D) photopolymerization initiator (E), and silicon particles (F) described below. Is a photosensitive paste composition.

<導電成分(A)>
導電性成分としては、銀、金、アルミニウム、ニッケル、銅などの球状粒子やフレーク、これらの金属を含む合金粉末を挙げることができ、これらのうちでも銀またはアルミニウム粉末が好ましい。
導電性成分は50重量%粒子径(以下「D50」ともいう。)は、通常2.0〜20μm、好ましくはD50が2.5〜18μm、より好ましくはD50が3.0〜15μmである。
導電性成分がフレークの場合には、平均厚さが0.1〜1μm、好ましくは0.15〜0.9μm、より好ましくは0.15〜0.8μmの範囲にある。
<Conductive component (A)>
Examples of the conductive component include spherical particles and flakes such as silver, gold, aluminum, nickel, and copper, and alloy powders containing these metals. Among these, silver or aluminum powder is preferable.
The conductive component has a 50% particle diameter (hereinafter also referred to as “D50”) of generally 2.0 to 20 μm, preferably D50 of 2.5 to 18 μm, more preferably D50 of 3.0 to 15 μm.
When the conductive component is flakes, the average thickness is in the range of 0.1 to 1 μm, preferably 0.15 to 0.9 μm, more preferably 0.15 to 0.8 μm.

D50または平均厚さが上記範囲を上回る導電性成分を用いると、高精細なパターンを形成することが困難になることがある。   When a conductive component having D50 or an average thickness exceeding the above range is used, it may be difficult to form a high-definition pattern.

なお、本発明において、50重量%粒子径(D50)は、レーザー回折法により、後述
する実施例での測定条件下で測定される場合の値である。また、平均厚さは、SEM観察
により、後述する実施例での測定条件下で測定される場合の値である。
In the present invention, the 50% by weight particle diameter (D50) is a value when measured by the laser diffraction method under the measurement conditions in Examples described later. The average thickness is a value when measured under SEM observation under the measurement conditions in the examples described later.

導電性成分は脂肪酸により包接されたものを使用することもできる。
例えばFPDの配線を構成する電極を形成する場合には、前記例示のフレーク状アルミニウム粉末が好適に用いられるが、特に、JIS K 5906に記載の方法に従って測定されるリーフィング価が小さい(またはリーフィング価がない)、ノンリーフィング型フレーク状アルミニウム粉末が好適に用いられる。また、前記例示のフレーク状アルミニウム粉末は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
As the conductive component, one encapsulated with a fatty acid can be used.
For example, when the electrode constituting the wiring of the FPD is formed, the above-described flaky aluminum powder is preferably used. In particular, the leafing value measured according to the method described in JIS K 5906 is small (or the leafing value). Non-leafing flaky aluminum powder is preferably used. Moreover, the said flaky aluminum powder of the said illustration may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

上記脂肪酸としては、例えば、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、
ぺラルゴン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、パルミトイ
ル酸、マルガリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、リノレン酸、ノナデカン酸
、アラキジン酸、アラキドン酸、ベヘン酸、リグノセレン酸、ネルボン酸、セロチン酸、
モンタン酸、メリシン酸が挙げられる。これらの脂肪酸の中では、オレイン酸は効率的に
アルミニウム粉末を包接および/または修飾することができる。オレイン酸などの脂肪酸
を用いて、上記フレーク状アルミニウム粉末を包接および/または修飾することで、ノンリーフィング型のフレーク状アルミニウム粉末を容易に得ることができる。そして、このようなノンリーフィング型のフレーク状アルミニウム粉末を用いることで、感光性ペースト層中に該アルミニウム粉末をより均一に分散することが可能となる。このため、このようにして得られる感光性ペースト層は露光光を反射することなく(すなわち、透過率が向上する)、良好にパターン形成することができる。
Examples of the fatty acid include butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthic acid, caprylic acid,
Pelargonic acid, lauric acid, myristic acid, pentadecylic acid, palmitic acid, palmitoyl acid, margaric acid, oleic acid, vaccenic acid, linoleic acid, linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, arachidonic acid, behenic acid, lignoselenic acid, nerbon Acid, serotic acid,
Examples include montanic acid and melicic acid. Among these fatty acids, oleic acid can efficiently include and / or modify aluminum powder. By inclusion and / or modification of the flaky aluminum powder using a fatty acid such as oleic acid, a non-leafing flaky aluminum powder can be easily obtained. By using such non-leafing flaky aluminum powder, it becomes possible to more uniformly disperse the aluminum powder in the photosensitive paste layer. For this reason, the photosensitive paste layer obtained in this way can be satisfactorily patterned without reflecting exposure light (that is, the transmittance is improved).

<ガラス粉末(B)>
本発明において、ガラス粉末(B)を用いることが好ましい。ガラス粉末(B)は、本
発明に係る感光性ペースト組成物を用いて形成されるパターンの用途(例えば、FPDの
部材、電子部品の部材など。)に応じて適宜選択することができる。
<Glass powder (B)>
In the present invention, it is preferable to use glass powder (B). A glass powder (B) can be suitably selected according to the use (for example, member of FPD, member of electronic components, etc.) of the pattern formed using the photosensitive paste composition which concerns on this invention.

ガラス粉末(B)の好適な具体例としては、
1.酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素の混合物(PbO−B2O3−SiO2系)、
2.酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素の混合物(ZnO−B2O3−SiO2系)、
3.酸化鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムの混合物
(PbO−B2O3−SiO2−Al2O3系)、
4.酸化鉛、酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素の混合物
(PbO−ZnO−B2O3−SiO2系)、
5.酸化ビスマス、酸化ホウ素、酸化ケイ素の混合物
(Bi2O3−B2O3−SiO2系)、
6.酸化亜鉛、酸化リン、酸化ケイ素の混合物(ZnO−P2O5−SiO2系)、
7.酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化カリウムの混合物(ZnO−B2O3−K2O系)、
8.酸化リン、酸化ホウ素、酸化アルミニウムの混合物
(P2O5−B2O3−Al2O3系)、
9.酸化亜鉛、酸化リン、酸化ケイ素、酸化アルミニウムの混合物
(ZnO−P2O5−SiO2−Al2O3系)、
10.酸化亜鉛、酸化リン、酸化チタンの混合物(ZnO−P2O5−TiO2系)、
11.酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化カリウムの混合物
(ZnO−B2O3−SiO2系−K2O系)、
12.酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化カリウム、酸化カルシウムの混合物
(ZnO−B2O3−SiO2−K2O−CaO系)、
13.酸化亜鉛、酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化カリウム、酸化カルシウム、酸化アルミ
ニウムの混合物(ZnO−B2O3−SiO2−K2O−CaO−Al2O3系)、
14.酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化アルミニウムの混合物
(B2O3−SiO2−Al2O3系)、
15.酸化ホウ素、酸化ケイ素、酸化ナトリウムの混合物
(B2O3−SiO2−Na2O系)、
が挙げられる。これらの中では、環境に配慮した無鉛ガラスが特に好ましい。
As a preferable specific example of the glass powder (B),
1. A mixture of lead oxide, boron oxide and silicon oxide (PbO-B2O3-SiO2 system),
2. A mixture of zinc oxide, boron oxide and silicon oxide (ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 system),
3. A mixture of lead oxide, boron oxide, silicon oxide and aluminum oxide (PbO-B2O3-SiO2-Al2O3 system),
4). A mixture of lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO—ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 system),
5. Mixture of bismuth oxide, boron oxide, silicon oxide (Bi2O3-B2O3-SiO2 system),
6). A mixture of zinc oxide, phosphorus oxide and silicon oxide (ZnO—P 2 O 5 —SiO 2 system),
7). A mixture of zinc oxide, boron oxide and potassium oxide (ZnO—B 2 O 3 —K 2 O system),
8). Mixture of phosphorus oxide, boron oxide and aluminum oxide (P2O5-B2O3-Al2O3 system),
9. Zinc oxide, phosphorus oxide, silicon oxide, aluminum oxide mixture (ZnO-P2O5-SiO2-Al2O3 system),
10. A mixture of zinc oxide, phosphorus oxide and titanium oxide (ZnO—P 2 O 5 —TiO 2 system),
11. A mixture of zinc oxide, boron oxide, silicon oxide and potassium oxide (ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 -K 2 O),
12 Zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, potassium oxide, calcium oxide mixture (ZnO-B2O3-SiO2-K2O-CaO system),
13. A mixture of zinc oxide, boron oxide, silicon oxide, potassium oxide, calcium oxide, aluminum oxide (ZnO—B 2 O 3 —SiO 2 —K 2 O—CaO—Al 2 O 3 system),
14 Boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide mixture (B2O3-SiO2-Al2O3 system),
15. Boron oxide, silicon oxide, sodium oxide mixture (B2O3-SiO2-Na2O system),
Is mentioned. Of these, environment-friendly lead-free glass is particularly preferable.

ガラス粉末(B)の平均粒子径は、パターンの形状を考慮して適宜選択される。ガラス
粉末(B)の50重量%粒子径(D50)は、好ましくは0.2〜5μm、より好ましくは0.2〜4μm、さらに好ましくは0.5〜3.8μmの範囲にある。また、ガラス粉末(B)の10重量%粒子径(D10)は0.05〜0.5μmの範囲にあることが好ましく、90重量%粒子径(D90)は10〜20μmの範囲にあることが好ましい。ガラス粉末(B)の平均粒子径(D50、D10、D90)が前記範囲にあると、露光工程において、露光光が感光性ペースト層の底部まで充分到達し、高精細なパターンを形成することができる。
The average particle diameter of the glass powder (B) is appropriately selected in consideration of the pattern shape. The 50% by weight particle size (D50) of the glass powder (B) is preferably in the range of 0.2 to 5 μm, more preferably 0.2 to 4 μm, and still more preferably 0.5 to 3.8 μm. Moreover, it is preferable that the 10 weight% particle diameter (D10) of glass powder (B) exists in the range of 0.05-0.5 micrometer, and a 90 weight% particle diameter (D90) exists in the range of 10-20 micrometers. preferable. When the average particle diameter (D50, D10, D90) of the glass powder (B) is in the above range, the exposure light sufficiently reaches the bottom of the photosensitive paste layer in the exposure step, and a high-definition pattern can be formed. it can.

なお、本発明において、50重量%粒子径(D50)、10重量%粒子径(D10)お
よび90重量%粒子径(D90)は、レーザー回折法により、後述する実施例での測定条
件下で測定される場合の値である。
In the present invention, the 50 wt% particle size (D50), 10 wt% particle size (D10), and 90 wt% particle size (D90) are measured by the laser diffraction method under the measurement conditions in the examples described later. This is the value when

また、例えばFPDの配線を構成する電極を形成する場合には、ガラス粉末(B)とし
て、(B1)軟化点が好ましくは350〜700℃、より好ましくは400〜620℃の
範囲にあるガラス粉末(以下「ガラス粉末(B1)」ともいう。)を用いることが好まし
い。
For example, when forming an electrode constituting an FPD wiring, as the glass powder (B), (B1) a glass powder having a softening point of preferably 350 to 700 ° C., more preferably 400 to 620 ° C. (Hereinafter also referred to as “glass powder (B1)”) is preferably used.

軟化点が上記範囲を下回るガラス粉末を用いると、感光性ペースト層を露光・現像して
形成されるパターンを焼成する工程において、アルカリ可溶性樹脂(C)などの有機物質
が完全に分解除去されない段階で該ガラス粉末が溶融してしまうため、電極中に該有機物
質の一部が残留することがある。その結果、前記電極が着色されて、その光透過率が低下
することがある。一方、軟化点が上記範囲を上回るガラス粉末を用いると、感光性ペース
ト層を露光・現像して形成されるパターンを焼成する工程において、その温度条件が非常
に高くなるため、ガラス基板に歪みなどが発生することがある。
When glass powder having a softening point lower than the above range is used, the organic paste such as the alkali-soluble resin (C) is not completely decomposed and removed in the step of baking the pattern formed by exposing and developing the photosensitive paste layer. Since the glass powder melts, a part of the organic substance may remain in the electrode. As a result, the electrode may be colored and its light transmittance may be reduced. On the other hand, if a glass powder with a softening point exceeding the above range is used, the temperature condition becomes very high in the process of baking the pattern formed by exposing and developing the photosensitive paste layer, so that the glass substrate is distorted. May occur.

なお、本発明において、ガラス粉末(B)の軟化点は、DSC測定により、後述する実
施例での測定条件下で測定される場合の値である。
本発明に係る感光性ペースト組成物において、ガラス粉末(B)の含有量は、該組成物
全体に対して、好ましくは0.5〜35重量%、より好ましくは1〜25重量%、さらに好ましくは1.5〜20重量%の範囲にある。
In the present invention, the softening point of the glass powder (B) is a value when measured by DSC measurement under measurement conditions in Examples described later.
In the photosensitive paste composition according to the present invention, the content of the glass powder (B) is preferably 0.5 to 35% by weight, more preferably 1 to 25% by weight, and still more preferably based on the entire composition. Is in the range of 1.5 to 20% by weight.

特に、ガラス粉末(B)の少なくとも一部がガラス粉末(B1)であることが好ましく、該ガラス粉末(B1)の含有量は、感光性ペースト組成物全体に対して、好ましくは1〜25重量%、より好ましくは1.5〜20重量%の範囲にある。ガラス粉末(B1)の含有量が前記範囲にあると、FPDの配線を構成する電極などの部材を形成する場合に好適である。   In particular, it is preferable that at least a part of the glass powder (B) is the glass powder (B1), and the content of the glass powder (B1) is preferably 1 to 25 weights with respect to the entire photosensitive paste composition. %, More preferably in the range of 1.5 to 20% by weight. When the content of the glass powder (B1) is in the above range, it is suitable for forming a member such as an electrode constituting the FPD wiring.

<アルカリ可溶性樹脂(C)>
なお、本発明において「アルカリ可溶性」とは、目的とする現像処理が可能な程度に、アルカリ性の現像液に溶解する性質をいう。
アルカリ可溶性樹脂(C)としては、以下のアルカリ可溶性官能基含有モノマー(C1)と(メタ)アクリル酸誘導体(C2)との共重合体が好ましい。
≪アルカリ可溶性官能基含有モノマー(C1)≫
アルカリ可溶性官能基含有モノマー(C1)としては、例えば、(メタ)アクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸、コハク酸モノ(2−(メタ)アクリロイロキシエチル)、2−メタクリロイロキシエチルフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルヘキサヒドロハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルテトラヒドロハイドロゲンフタレート、ω−カルボキシ−ポリカプロラクトンモノ(メタ)アクリレートなどのカルボキシル基含有モノマー類;
(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピル、(α−ヒドロキシメチル)アクリレートなどの水酸基含有モノマー類;
o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレンなどのフェノール性水酸基含有モノマー類などの、アルカリ可溶性官能基と不飽和結合とを有するモノマーが挙げられる。
<Alkali-soluble resin (C)>
In the present invention, “alkali-soluble” refers to a property of being dissolved in an alkaline developer to such an extent that the desired development processing can be performed.
As the alkali-soluble resin (C), a copolymer of the following alkali-soluble functional group-containing monomer (C1) and a (meth) acrylic acid derivative (C2) is preferable.
≪Alkali-soluble functional group-containing monomer (C1) ≫
Examples of the alkali-soluble functional group-containing monomer (C1) include (meth) acrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, and succinic acid mono (2- (meta ) Acryloyloxyethyl), 2-methacryloyloxyethylphthalic acid, 2-acryloyloxyethyl hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hexahydrohydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl tetrahydrophthalate , Carboxyl group-containing monomers such as ω-carboxy-polycaprolactone mono (meth) acrylate;
Hydroxyl group-containing monomers such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, and (α-hydroxymethyl) acrylate;
Examples thereof include monomers having an alkali-soluble functional group and an unsaturated bond, such as phenolic hydroxyl group-containing monomers such as o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene, and p-hydroxystyrene.

これらのモノマー(C1)は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、これらのモノマー(C1)の中では、(メタ)アクリル酸、2−メタクリロイロキシエチルフタル酸、2−アクリロイルオキシエチルハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルヘキサヒドロハイドロゲンフタレート、2−アクリロイルオキシプロピルテトラヒドロハイドロゲンフタレート、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチルが好ましい。   These monomers (C1) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. Among these monomers (C1), (meth) acrylic acid, 2-methacryloyloxyethylphthalic acid, 2-acryloyloxyethyl hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl hexahydro Hydrogen phthalate, 2-acryloyloxypropyl tetrahydrohydrogen phthalate, and 2-hydroxyethyl (meth) acrylate are preferred.

アルカリ可溶性官能基含有モノマー(C1)を共重合することにより、樹脂にアルカリ可溶性を付与することができる。このアルカリ可溶性官能基含有モノマー(C1)由来の構成単位の含有量は、アルカリ可溶性樹脂(C)の全構成単位中、通常は5〜90重量%、好ましくは10〜80重量%、より好ましくは15〜70重量%である。   By copolymerizing the alkali-soluble functional group-containing monomer (C1), alkali solubility can be imparted to the resin. The content of the structural unit derived from the alkali-soluble functional group-containing monomer (C1) is usually from 5 to 90% by weight, preferably from 10 to 80% by weight, more preferably from all the structural units of the alkali-soluble resin (C). 15 to 70% by weight.

≪(メタ)アクリル酸誘導体(C2)≫
(メタ)アクリル酸誘導体(C2)としては、アルカリ可溶性官能基含有モノマー(C1)と共重合可能な(メタ)アクリル酸誘導体であれば特に限定されない。例えば、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレート、n−ブチル(メタ)アクリレート、ラウリル(メタ)アクリレート、ベンジル(メタ)アクリレート、2−メトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エトキシエチル(メタ)アクリレート、2−エチルヘキシル(メタ)アクリレート、フェノキシエチル(メタ)アクリレート、トリチル(メタ)アクリレート、シクロヘキシル(メタ)アクリレート、イソボロニル(メタ)アクリレート、グリシジル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレートなどの、上記モノマー(C1)以外の(メタ)アクリレート類が挙げられる。
≪ (Meth) acrylic acid derivative (C2) ≫
The (meth) acrylic acid derivative (C2) is not particularly limited as long as it is a (meth) acrylic acid derivative copolymerizable with the alkali-soluble functional group-containing monomer (C1). For example, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, lauryl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) Acrylate, 2-ethylhexyl (meth) acrylate, phenoxyethyl (meth) acrylate, trityl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, etc. (Meth) acrylates other than the monomer (C1).

これらのモノマー(C2)は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
また、本発明では、(メタ)アクリル酸誘導体(C2)の代わりに、あるいは(メタ)アクリル酸誘導体(C2)とともに、例えば、スチレン、メチル(メタ)アクリレート、エチル(メタ)アクリレー、ベンジル(メタ)アクリレートなどから得られるポリマーの一方の鎖末端に、(メタ)アクリロイル基、アリル基、ビニル基などの重合性不飽和基を有するマクロモノマーを用いてもよい。
These monomers (C2) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.
In the present invention, for example, styrene, methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, benzyl (meta) instead of (meth) acrylic acid derivative (C2) or together with (meth) acrylic acid derivative (C2). ) A macromonomer having a polymerizable unsaturated group such as a (meth) acryloyl group, an allyl group or a vinyl group may be used at one chain end of a polymer obtained from acrylate or the like.

<ラジカル重合開始剤>
上記共重合の際、ラジカル重合開始剤を用いることが好ましい。ラジカル重合開始剤と
しては、ビニル単量体の重合に用いられるラジカル重合開始剤を用いることができる。
<Radical polymerization initiator>
In the copolymerization, it is preferable to use a radical polymerization initiator. As the radical polymerization initiator, a radical polymerization initiator used for polymerization of a vinyl monomer can be used.

ラジカル重合開始剤としては、例えば、2,2'−アゾビスイソブチロニトリル、2,
2'−アゾビス(2−メチルブチルニトリル)、2,2'−アゾビス(2,4−ジメチルバ
レロニトリル)、1,1'−アゾビス(1−シクロヘキサンカルボニトリル)、ジメチル
−2,2'−アゾビスイソブチレート、4,4'−アゾビス(4−シアノバレリック酸)な
どのアゾ化合物;t−ブチルパーオキシビバレート、t−ブチルパーオキシ2−エチルヘ
キサノエート、クミルパーオキシ2−エチルヘキサノエートなどのパーオキシエステル類
の有機過酸化物が挙げられる。
Examples of the radical polymerization initiator include 2,2′-azobisisobutyronitrile,
2'-azobis (2-methylbutylnitrile), 2,2'-azobis (2,4-dimethylvaleronitrile), 1,1'-azobis (1-cyclohexanecarbonitrile), dimethyl-2,2'-azo Azo compounds such as bisisobutyrate and 4,4′-azobis (4-cyanovaleric acid); t-butyl peroxybivalate, t-butylperoxy 2-ethylhexanoate, cumylperoxy 2-ethylhexanoate Organic peroxides of peroxyesters such as ate.

これらのラジカル重合開始剤は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
また、これらのラジカル重合開始剤の使用量は、上記共重合に使用する全モノマー100
重量部に対して、通常は0.1〜10重量部程度である。
These radical polymerization initiators may be used alone or in combination of two or more.
The amount of these radical polymerization initiators used is 100% of all monomers used for the copolymerization.
Usually, it is about 0.1 to 10 parts by weight with respect to parts by weight.

<連鎖移動剤>
上記共重合の際、連鎖移動剤を用いてもよい。連鎖移動剤としては、例えば、α−メチ
ルスチレンダイマー、t−ドデシルメルカプタン、ペンタエリスリトールテトラキス(3
−メルカプトプロピオン酸)、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトブチレ
ート)、1,4−ビス(3−メルカプトブチリルオキシ)ブタンが挙げられる。
<Chain transfer agent>
In the copolymerization, a chain transfer agent may be used. Examples of the chain transfer agent include α-methylstyrene dimer, t-dodecyl mercaptan, pentaerythritol tetrakis (3
-Mercaptopropionic acid), pentaerythritol tetrakis (3-mercaptobutyrate), 1,4-bis (3-mercaptobutyryloxy) butane.

これらの連鎖移動剤は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。また、こ
れらの連鎖移動剤の使用量は、上記共重合に使用する全モノマー100重量部に対して、
通常は0.1〜10重量部程度である。
These chain transfer agents may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together. Further, the amount of these chain transfer agents used is based on 100 parts by weight of the total monomers used for the copolymerization.
Usually, it is about 0.1 to 10 parts by weight.

<アルカリ可溶性樹脂(C)の物性>
アルカリ可溶性樹脂(C)の重量平均分子量(以下「Mw」ともいう。)は、ゲルパー
ミエーションクロマトグラフィー(GPC)により測定したポリスチレン換算値で、好ま
しくは5000〜100000、より好ましくは10000〜80000である。Mwは
、上記モノマーの共重合割合、連鎖移動剤、重合温度などの条件を適宜選択することによ
り制御することができる。Mwが前記範囲を上回ると、現像後の膜荒れが発生しやすくな
る。また、Mwが前記範囲を下回ると、未露光部の現像液に対する溶解性が低下し、パタ
ーンの解像度が低下する場合がある。
<Physical properties of alkali-soluble resin (C)>
The weight average molecular weight (hereinafter also referred to as “Mw”) of the alkali-soluble resin (C) is a polystyrene conversion value measured by gel permeation chromatography (GPC), preferably 5,000 to 100,000, more preferably 10,000 to 80000. is there. Mw can be controlled by appropriately selecting conditions such as a copolymerization ratio of the monomer, a chain transfer agent, and a polymerization temperature. If Mw exceeds the above range, film roughness after development tends to occur. On the other hand, if Mw is less than the above range, the solubility of the unexposed portion in the developer may be reduced, and the pattern resolution may be reduced.

アルカリ可溶性樹脂(C)のガラス転移温度(Tg)は、好ましくは0〜120℃、よ
り好ましくは10〜100℃である。ガラス転移温度が前記範囲を下回ると、塗膜にタッ
クを生じやすく、ハンドリングがしにくい傾向にある。また、ガラス転移温度が前記範囲
を上回ると、感光性ペースト層とガラス基板などの支持体との密着性が悪くなり、後述す
る転写フィルムを用いる場合には、該ペースト層を転写できないことがある。なお、ガラ
ス転移温度は、アルカリ可溶性官能基含有モノマー(C1)および(メタ)アクリル酸誘
導体(C2)の量を変更することによって適宜調節することがでる。
The glass transition temperature (Tg) of the alkali-soluble resin (C) is preferably 0 to 120 ° C, more preferably 10 to 100 ° C. When the glass transition temperature is lower than the above range, the coating film tends to be tacky and is difficult to handle. Further, when the glass transition temperature exceeds the above range, the adhesion between the photosensitive paste layer and a support such as a glass substrate is deteriorated, and when the transfer film described later is used, the paste layer may not be transferred. . The glass transition temperature can be appropriately adjusted by changing the amounts of the alkali-soluble functional group-containing monomer (C1) and the (meth) acrylic acid derivative (C2).

アルカリ可溶性樹脂(C)の酸価は、好ましくは20〜200mgKOH/g、より好
ましくは30〜160mgKOH/gである。酸価が前記範囲を下回ると未露光部をアル
カリ現像液で速やかに除去しにくく、高精細なパターンを形成することが困難になること
がある。また、酸価が前記範囲を上回ると、露光光によって硬化した部分もアルカリ現像
液に浸食されやすくなり、高精細なパターンを形成することが困難になることがある。
The acid value of the alkali-soluble resin (C) is preferably 20 to 200 mgKOH / g, more preferably 30 to 160 mgKOH / g. When the acid value is below the above range, it may be difficult to quickly remove the unexposed portion with an alkali developer, and it may be difficult to form a high-definition pattern. On the other hand, when the acid value exceeds the above range, a portion cured by exposure light is likely to be eroded by the alkali developer, and it may be difficult to form a high-definition pattern.

本発明に係る感光性ペースト組成物は、5〜90重量%(5〜89.5重量%)の感光
性樹脂成分と95〜10重量%(95〜10.5重量%)の無機粒子とからなることが好
ましい。なお、感光性樹脂成分とは、感光性ペースト組成物から無機粒子を除いた部分、
すなわち感光性機能を有する有機成分全体をいい、アルカリ可溶性樹脂(C)、多官能(
メタ)アクリレート(D)および光重合開始剤(E)などが含まれる。また、無機粒子に
は、導電成分(A)、ガラス粉末(B)などが含まれる。
The photosensitive paste composition according to the present invention comprises 5 to 90% by weight (5 to 89.5% by weight) of a photosensitive resin component and 95 to 10% by weight (95 to 10.5% by weight) of inorganic particles. It is preferable to become. The photosensitive resin component is a portion obtained by removing inorganic particles from the photosensitive paste composition,
That is, it refers to the entire organic component having a photosensitive function, such as alkali-soluble resin (C), polyfunctional (
A (meth) acrylate (D), a photoinitiator (E), etc. are contained. The inorganic particles include a conductive component (A), glass powder (B), and the like.

<多官能(メタ)アクリレート(D)>
本発明に係る感光性ペースト組成物には、感光性成分が含まれる。前記感光性成分とし
ては、一般的に光不溶化型の成分と光可溶化型の成分とがある。
<Multifunctional (meth) acrylate (D)>
The photosensitive paste composition according to the present invention contains a photosensitive component. As the photosensitive component, there are generally a light-insolubilized component and a light-solubilized component.

光不溶化型の成分としては、(i)分子内に不飽和基などを1つ以上有する感光性モノ
マーまたはオリゴマー、(ii)芳香族ジアゾ化合物、芳香族アジド化合物、有機ハロゲ
ン化合物などの感光性化合物、(iii)ジアゾ系アミンとホルムアルデヒドとの縮合物
などのいわゆるジアゾ樹脂といわれるものなどがある。
Examples of the photoinsolubilized component include (i) a photosensitive monomer or oligomer having one or more unsaturated groups in the molecule, (ii) a photosensitive compound such as an aromatic diazo compound, an aromatic azide compound, or an organic halogen compound. (Iii) There are so-called diazo resins such as a condensate of diazo amine and formaldehyde.

光可溶化型の成分としては、(iv)ジアゾ化合物と無機酸や有機酸との錯体、(v)
キノンジアゾ類、(vi)キノンジアゾ類を適当なポリマーバインダーと結合させたもの
(例えば、フェノール樹脂のナフトキノン−1,2−ジアジド−5−スルフォン酸エステ
ル。)などがある。
Examples of the light-solubilizing component include (iv) a complex of a diazo compound and an inorganic acid or an organic acid, (v)
Quinonediazos, (vi) those obtained by binding quinonediazos to a suitable polymer binder (for example, naphthoquinone-1,2-diazide-5-sulfonic acid ester of phenol resin), and the like.

本発明においては、上記の全ての成分を用いることができるが、上記無機粒子と混合し
て簡便に用いることができる点で、上記(i)感光性モノマーまたはオリゴマーに分類さ
れる、多官能(メタ)アクリレート(D)が必須成分として用いられる。
In the present invention, all of the above components can be used, but in terms of being easily used by mixing with the above inorganic particles, the polyfunctionality (classified as the above (i) photosensitive monomer or oligomer). (Meth) acrylate (D) is used as an essential component.

多官能(メタ)アクリレート(D)としては、例えば、アリル化シクロヘキシルジ(メ
タ)アクリレート、2,5−ヘキサンジ(メタ)アクリレート、1,3−ブタンジオール
ジ(メタ)アクリレート、1,4−ブタンジオールジ(メタ)アクリレート、1,3−ブ
チレングリコールジ(メタ)アクリレート、エチレングリコールジ(メタ)アクリレート
、ジエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、1,6−ヘキサンジオールジ(メタ)
アクリレート、1,9−ノナンジオールジ(メタ)アクリレート、1,10−デカンジオ
ールジ(メタ)アクリレート、トリエチレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリエ
チレングリコールジ(メタ)アクリレート、グリセロールジ(メタ)アクリレート、メト
キシ化シクロヘキシルジ(メタ)アクリレート、ネオペンチルグリコールジ(メタ)アク
リレート、プロピレングリコールジ(メタ)アクリレート、ポリプロピレングリコールジ
(メタ)アクリレート、トリグリセロールジ(メタ)アクリレートなどのジ(メタ)タク
リレート類;
ペンタエリスリトールトリ(メタ)アクリレート、トリメチロールプロパントリ(メタ
)アクリレート、トリメチロールプロパンPO変性トリ(メタ)アクリレート、トリメチ
ロールプロパンEO変性トリ(メタ)アクリレート、ベンジルメルカプタン(メタ)トリ
アクリレート、ジトリメチロールプロパンテトラ(メタ)アクリレート、ジペンタエリス
リトールモノヒドロキシペンタ(メタ)アクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサ(
メタ)アクリレートなどの3官能以上の(メタ)アクリレート類;
上記化合物中の芳香環に結合した水素原子のうち、1〜5個が塩素原子または臭素原子
に置換されたモノマーが挙げられる。これらの多官能(メタ)アクリレート(D)は1種
単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of the polyfunctional (meth) acrylate (D) include allylated cyclohexyl di (meth) acrylate, 2,5-hexanedi (meth) acrylate, 1,3-butanediol di (meth) acrylate, and 1,4-butane. Diol di (meth) acrylate, 1,3-butylene glycol di (meth) acrylate, ethylene glycol di (meth) acrylate, diethylene glycol di (meth) acrylate, 1,6-hexanediol di (meth)
Acrylate, 1,9-nonanediol di (meth) acrylate, 1,10-decanediol di (meth) acrylate, triethylene glycol di (meth) acrylate, polyethylene glycol di (meth) acrylate, glycerol di (meth) acrylate, Di (meth) taacrylates such as methoxylated cyclohexyl di (meth) acrylate, neopentyl glycol di (meth) acrylate, propylene glycol di (meth) acrylate, polypropylene glycol di (meth) acrylate, triglycerol di (meth) acrylate;
Pentaerythritol tri (meth) acrylate, trimethylolpropane tri (meth) acrylate, trimethylolpropane PO-modified tri (meth) acrylate, trimethylolpropane EO-modified tri (meth) acrylate, benzyl mercaptan (meth) triacrylate, ditrimethylolpropane Tetra (meth) acrylate, dipentaerythritol monohydroxypenta (meth) acrylate, dipentaerythritol hexa (
Tri- or more functional (meth) acrylates such as (meth) acrylate;
Among the hydrogen atoms bonded to the aromatic ring in the above compound, there may be mentioned monomers in which 1 to 5 are substituted with chlorine atoms or bromine atoms. These polyfunctional (meth) acrylates (D) may be used alone or in combination of two or more.

本発明に係る感光性ペースト組成物において、多官能(メタ)アクリレート(D)の含
有量は、露光光に対する感度の点から、上記感光性樹脂成分全体に対して、好ましくは1
0重量%以上、より好ましくは15〜60重量%の範囲にある。多官能(メタ)アクリレ
ート(D)の含有量が前記範囲を上回ると、焼成後の部材(例えば、ディスプレイパネル
用部材)の形状が劣化することがある。
In the photosensitive paste composition according to the present invention, the content of the polyfunctional (meth) acrylate (D) is preferably 1 with respect to the entire photosensitive resin component from the viewpoint of sensitivity to exposure light.
It is 0 weight% or more, More preferably, it exists in the range of 15-60 weight%. When content of polyfunctional (meth) acrylate (D) exceeds the said range, the shape of the member after baking (for example, member for display panels) may deteriorate.

また、本発明の目的を損なわない範囲で、多官能(メタ)アクリレート(D)とともに
、スチレン、o−メチルスチレン、m−メチルスチレン、p−メチルスチレン、塩素化ス
チレン、臭素化スチレン、α−メチルスチレン、塩素化α−メチルスチレン、臭素化α−メチルスチレン、クロロメチルスチレン、ヒドロキシメチルスチレン、カルボシキメチルスチレン、ビニルナフタレン、ビニルアントラセン、ビニルカルバゾール、γ−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、1−ビニル−2−ピロリドンなどを用いてもよい。
Moreover, within the range which does not impair the objective of this invention, it is styrene, o-methylstyrene, m-methylstyrene, p-methylstyrene, chlorinated styrene, brominated styrene, (alpha)-with polyfunctional (meth) acrylate (D). Methylstyrene, chlorinated α-methylstyrene, brominated α-methylstyrene, chloromethylstyrene, hydroxymethylstyrene, carboxymethylstyrene, vinylnaphthalene, vinylanthracene, vinylcarbazole, γ-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 1- Vinyl-2-pyrrolidone or the like may be used.

<光重合開始剤(E)>
光重合開始剤(E)としては、従来公知の光重合開始剤を用いることができる。また、
露光感度を向上させるために、光重合開始剤(E)とともに増感剤を用いてもよい。
<Photopolymerization initiator (E)>
A conventionally well-known photoinitiator can be used as a photoinitiator (E). Also,
In order to improve the exposure sensitivity, a sensitizer may be used together with the photopolymerization initiator (E).

光重合開始剤(E)としては、例えば、ベンゾフェノン、o−ベンゾイル安息香酸メチ
ル、4,4−ビス(ジメチルアミン)ベンゾフェノン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)
ベンゾフェノン、4,4−ジクロロベンゾフェノン、4−ベンゾイル−4−メチルジフェ
ニルケトン、ジベンジルケトン、フルオレノン、2,2−ジエトキシアセトフェノン、2
,2−ジメトキシ−2−フェニル−2−フェニルアセトフェノン、2−ヒドロキシ−2−
メチルプロピオフェノン、p−t−ブチルジクロロアセトフェノン、チオキサントン、2
−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2−イソプロピルチオキサントン
、4−イソプロピルチオキサントン、1−クロロ−4−プロピルチオキサントン、2,4
−ジエチルチオキサントン、ベンゾイン、ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインブチル
エーテル、アントラキノン、2−t−ブチルアントラキノン、2−アミルアントラキノン
、β−クロルアントラキノン、アントロン、ベンズアントロン、ジベンゾスベロン、メチ
レンアントロン、4−アジドベンザルアセトフェノン、2,6−ビス(p−アジドベンジ
リデン)シクロヘキサノン、2,6−ビス(p−アジドベンジリデン)−4−メチルシク
ロヘキサノン、カンファーキノン、2−フェニル−1,2−ブタジオン−2−(o−メト
キシカルボニル)オキシム、1−フェニル−プロパンジオン−2−(o−エトキシカルボ
ニル)オキシム、1,3−ジフェニル−プロパントリオン−2−(o−エトキシカルボニ
ル)オキシム、1−フェニル−3−エトキシ−プロパントリオン−2−(o−ベンゾイル
)オキシム、ミヒラーケトン、2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−
モルフォリノ−1−プロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4
−モルフォリノフェニル)ブタノン−1、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニル−
プロパン−1−オン、2,2’−ジメトキシ−1,2−ジフェニルエタン−1−オンなど
のカルボニル化合物;
ビス(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリメチル−ペンチルフォスフ
ィンオキサイド、2,4,6−トリメチルベンゾイル−ジフェニルフォスフィンオキサイ
ド、ビス(2,4,6−トリメチルベンゾイル)−フェニルフォスフィンオキサイドなど
のアシルフォスフィンオキサイド系化合物;
ベンジルジメチルケタノール、ベンジルメトキシエチルアセタール、ナフタレンスルホ
ニルクロライド、キノリンスルホニルクロライド、N−フェニルチオアクリドン、4,4
−アゾビスイソブチロニトリル、ジフェニルジスルフィド、ベンズチアゾールジスルフィ
ド、トリフェニルホスフィン、四臭素化炭素、トリブロモフェニルスルホン、過酸化ベン
ゾイン;
エオシンやメチレンブルーなどの光還元性の色素と、アスコルビン酸やトリエタノール
アミンなどの還元剤との組み合せが挙げられる。これらの光重合開始剤(E)は1種単独
で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。
Examples of the photopolymerization initiator (E) include benzophenone, methyl o-benzoylbenzoate, 4,4-bis (dimethylamine) benzophenone, and 4,4-bis (diethylamino).
Benzophenone, 4,4-dichlorobenzophenone, 4-benzoyl-4-methyldiphenyl ketone, dibenzyl ketone, fluorenone, 2,2-diethoxyacetophenone, 2
, 2-Dimethoxy-2-phenyl-2-phenylacetophenone, 2-hydroxy-2-
Methylpropiophenone, pt-butyldichloroacetophenone, thioxanthone, 2
-Methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2-isopropylthioxanthone, 4-isopropylthioxanthone, 1-chloro-4-propylthioxanthone, 2,4
-Diethylthioxanthone, benzoin, benzoin methyl ether, benzoin butyl ether, anthraquinone, 2-t-butylanthraquinone, 2-amylanthraquinone, β-chloroanthraquinone, anthrone, benzanthrone, dibenzosuberone, methyleneanthrone, 4-azidobenzalacetophenone 2,6-bis (p-azidobenzylidene) cyclohexanone, 2,6-bis (p-azidobenzylidene) -4-methylcyclohexanone, camphorquinone, 2-phenyl-1,2-butadion-2- (o-methoxy) Carbonyl) oxime, 1-phenyl-propanedione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1,3-diphenyl-propanetrione-2- (o-ethoxycarbonyl) oxime, 1-phenyl 3-ethoxy - propan trione 2- (o-benzoyl) oxime, Michler's ketone, 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-
Morpholino-1-propan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4
-Morpholinophenyl) butanone-1,2-hydroxy-2-methyl-1-phenyl-
Carbonyl compounds such as propan-1-one, 2,2′-dimethoxy-1,2-diphenylethane-1-one;
Bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethyl-pentylphosphine oxide, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphine oxide, bis (2,4,6-trimethylbenzoyl) -phenyl Acylphosphine oxide compounds such as phosphine oxide;
Benzyldimethylketanol, benzylmethoxyethyl acetal, naphthalenesulfonyl chloride, quinolinesulfonyl chloride, N-phenylthioacridone, 4,4
-Azobisisobutyronitrile, diphenyl disulfide, benzthiazole disulfide, triphenylphosphine, carbon tetrabrominated, tribromophenylsulfone, benzoin peroxide;
A combination of a photoreducible pigment such as eosin or methylene blue and a reducing agent such as ascorbic acid or triethanolamine can be mentioned. These photoinitiators (E) may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

本発明に係る感光性ペースト組成物において、光重合開始剤(E)の含有量は、多官能
(メタ)アクリレート(D)100重量部に対して、好ましくは1〜50重量部、より好
ましくは2〜40重量部の範囲にある。光重合開始剤(E)の含有量が前記範囲を上回る
と、焼成後の部材(例えば、ディスプレイパネル用部材)の形状が劣化することがある。
In the photosensitive paste composition according to the present invention, the content of the photopolymerization initiator (E) is preferably 1 to 50 parts by weight, more preferably 100 parts by weight of the polyfunctional (meth) acrylate (D). It is in the range of 2 to 40 parts by weight. When content of a photoinitiator (E) exceeds the said range, the shape of the member after baking (for example, member for display panels) may deteriorate.

<シリコン粒子(F)>
本発明で使用されるシリコン粒子は50重量%粒子径が1〜10μm、好ましくは2 〜5μm、最高粒子径は505〜100μmである。
シリコン粒子の純度は99%以上であり、必要に応じて表面処理がされていてもよい。
シリコン粒子の含有量は導電性成分100重量部に対して、通常1〜20重量部、好ましくは5〜10重量部である。
<シランカップリング剤>
本発明で使用することのできるシランカップリング剤としては、ビニルトリメトキシシラン、ビニルトリエトキシシラン、3-グリシドキシプロピルメトキシシラン、2−(3,4−エポキシシクロヘキシル)エチルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジエトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシラン、3-メタクリロキシプロピルトリエトキシシランなどを挙げることができ、特に好ましくは3−メタクリロキシプロピルトリメトキシシラン、3−メタクリロキシプロピルメチルジメトキシシランなどの(メタ)アクリロイル基を有するシランカップリング剤が好ましい。
本発明に係る感光性ペースト組成物において、シランカップリング剤の含有量は、アルカリ可溶性樹脂(C)100重量部に対して、好ましくは0.05〜15重量部、より好ましくは0.1〜10重量部の範囲にある。
<Silicon particles (F)>
The silicon particles used in the present invention have a 50% by weight particle size of 1 to 10 μm, preferably 2 to 5 μm, and a maximum particle size of 505 to 100 μm.
The purity of the silicon particles is 99% or more, and surface treatment may be performed if necessary.
The content of silicon particles is usually 1 to 20 parts by weight, preferably 5 to 10 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the conductive component.
<Silane coupling agent>
Examples of the silane coupling agent that can be used in the present invention include vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethoxysilane, 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane, 3 -Methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltriethoxysilane, etc. can be mentioned, particularly preferably 3-methacryloxypropyl Silane coupling agents having a (meth) acryloyl group such as trimethoxysilane and 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane are preferred.
In the photosensitive paste composition according to the present invention, the content of the silane coupling agent is preferably 0.05 to 15 parts by weight, more preferably 0.1 to 100 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the alkali-soluble resin (C). It is in the range of 10 parts by weight.

<増感剤>
増感剤としては、例えば、2−メチルチオキサントン、2−クロロチオキサントン、2
−イソプロピルチオキサントン、4−イソプロピルチオキサントン、1−クロロー4−プ
ロピルチオキサントン、2,4−ジエチルチオキサントン、2,3−ビス(4−ジエチル
アミノベンザル)シクロペンタノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミニベンザル)シク
ロヘキサノン、2,6−ビス(4−ジメチルアミノベンザル)−4−メチルシクロヘキサ
ノン、ミヒラーケトン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)−ベンゾフェノン、4,4−ビ
ス(ジメチルアミノ)カルコン、4,4−ビス(ジエチルアミノ)カルコン、p−ジメチ
ルアミノシンナミリデンインダノン、p−ジメチルアミノベンジリデンインダノン、2−
(p−ジメチルアミノフェニルビニレン)−イソナフトチアゾール、1,3−ビス(4−
ジメチルアミノベンザル)アセトン、1,3−カルボニル−ビス(4−ジエチルアミノベ
ンザル)アセトン、3,3−カルボニル−ビス(7−ジエチルアミノクマリン)、N−フ
ェニル−N−エチルエタノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、N−トリルジエ
タノールアミン、N−フェニルエタノールアミン、ジメチルアミノ安息香酸イソアミル、
ジエチルアミノ安息香酸イソアミル、3−フェニル−5−ベンゾイルチオテトラゾール、
1−フェニル−5−エトキシカルボニルチオテトラゾールが挙げられる。
<Sensitizer>
Examples of the sensitizer include 2-methylthioxanthone, 2-chlorothioxanthone, 2
-Isopropylthioxanthone, 4-isopropylthioxanthone, 1-chloro-4-propylthioxanthone, 2,4-diethylthioxanthone, 2,3-bis (4-diethylaminobenzal) cyclopentanone, 2,6-bis (4-dimethyla Minibenzal) cyclohexanone, 2,6-bis (4-dimethylaminobenzal) -4-methylcyclohexanone, Michler's ketone, 4,4-bis (diethylamino) -benzophenone, 4,4-bis (dimethylamino) chalcone, 4, 4-bis (diethylamino) chalcone, p-dimethylaminocinnamylidene indanone, p-dimethylaminobenzylidene indanone, 2-
(P-dimethylaminophenylvinylene) -isonaphthothiazole, 1,3-bis (4-
Dimethylaminobenzal) acetone, 1,3-carbonyl-bis (4-diethylaminobenzal) acetone, 3,3-carbonyl-bis (7-diethylaminocoumarin), N-phenyl-N-ethylethanolamine, N-phenyl Ethanolamine, N-tolyldiethanolamine, N-phenylethanolamine, isoamyl dimethylaminobenzoate,
Isoamyl diethylaminobenzoate, 3-phenyl-5-benzoylthiotetrazole,
An example is 1-phenyl-5-ethoxycarbonylthiotetrazole.

これらの増感剤は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用してもよい。なお、増感剤
の中には光重合開始剤としても用いられるものもあり、光重合開始剤との組み合せにより
、増感剤であるか光重合開始剤であるかが決定される。
These sensitizers may be used alone or in combination of two or more. Some sensitizers are also used as photopolymerization initiators, and the combination with the photopolymerization initiator determines whether it is a sensitizer or a photopolymerization initiator.

本発明に係る感光性ペースト組成物において、増感剤の含有量は、上記無機粒子100
重量部に対して、好ましくは0.01〜5重量部、より好ましくは0.05〜3重量部の
範囲にある。増感剤の含有量が前記範囲を下回ると、光感度を向上させる効果が発揮され
ないことがあり、増感剤の含有量が前記範囲を上回ると、露光部の残存率が小さくなり過
ぎることがある。
In the photosensitive paste composition according to the present invention, the content of the sensitizer is the inorganic particles 100 described above.
Preferably it is 0.01-5 weight part with respect to a weight part, More preferably, it exists in the range of 0.05-3 weight part. When the content of the sensitizer is less than the above range, the effect of improving the photosensitivity may not be exhibited. When the content of the sensitizer exceeds the above range, the residual ratio of the exposed portion may become too small. is there.

<添加剤>
本発明に係る感光性ペースト組成物には、紫外線吸収剤、重合禁止剤、酸化防止剤、有
機溶媒、密着助剤、溶解促進剤、増感助剤、可塑剤、増粘剤、分散剤、無機粒子およびア
ルカリ可溶性樹脂の沈降防止剤、ならびにレベリング剤などの添加剤を添加してもよい。
<Additives>
The photosensitive paste composition according to the present invention includes an ultraviolet absorber, a polymerization inhibitor, an antioxidant, an organic solvent, an adhesion assistant, a dissolution accelerator, a sensitizer, a plasticizer, a thickener, a dispersant, Additives such as inorganic particles and alkali-soluble resin anti-settling agents and leveling agents may be added.

<紫外線吸収剤>
本発明に係る感光性ペースト組成物には、紫外線吸収剤を添加してもよい。紫外線吸収
効果の高い化合物を添加することによって、高アスペクト比、高精細、高解像度のパター
ンが得られる。紫外線吸収剤としては、有機系染料または無機系顔料を用いることができ
、中でも350〜450nmの波長範囲で高い紫外線吸収係数を有する有機系染料または
無機系顔料が好ましく用いられる。
<Ultraviolet absorber>
You may add a ultraviolet absorber to the photosensitive paste composition which concerns on this invention. By adding a compound having a high ultraviolet absorption effect, a pattern with a high aspect ratio, high definition and high resolution can be obtained. As the ultraviolet absorber, an organic dye or an inorganic pigment can be used, and among them, an organic dye or an inorganic pigment having a high ultraviolet absorption coefficient in a wavelength range of 350 to 450 nm is preferably used.

有機系染料としては、例えば、アゾ系染料、アミノケトン系染料、キサンテン系染料、
キノリン系染料、アミノケトン系染料、アントラキノン系染料、ベンゾフェノン系染料、
ジフェニルシアノアクリレート系染料、トリアジン系染料、p−アミノ安息香酸系染料が
挙げられ;無機系顔料としては、例えば、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウムが挙げら
れる。これらの中では、FPDの配線を構成する電極を形成する場合には、その信頼性の
観点から、酸化亜鉛、酸化チタン、酸化セリウムなどの無機系顔料がより好ましい。
Examples of organic dyes include azo dyes, amino ketone dyes, xanthene dyes,
Quinoline dyes, amino ketone dyes, anthraquinone dyes, benzophenone dyes,
Examples include diphenyl cyanoacrylate dyes, triazine dyes, and p-aminobenzoic acid dyes; examples of inorganic pigments include zinc oxide, titanium oxide, and cerium oxide. Among these, when forming an electrode constituting an FPD wiring, an inorganic pigment such as zinc oxide, titanium oxide, cerium oxide or the like is more preferable from the viewpoint of reliability.

無機系顔料は、ガラス粉末(B)100重量部に対して、好ましくは0.001〜5重
量部、より好ましくは0.01〜1重量部の範囲となる量で添加することができる。無機
系顔料の添加量が前記範囲を下回ると、紫外線吸収剤の添加効果が小さく、所望の効果が
得られないことがある。また、無機系顔料の添加量が前記範囲を上回ると、紫外線吸収剤
の添加効果が大きく、感光性ペースト層の底部まで露光光が届かなくなり、パターンを形
成できなくなることや成膜強度を保てないことがある。
The inorganic pigment can be added in an amount of preferably 0.001 to 5 parts by weight, more preferably 0.01 to 1 part by weight with respect to 100 parts by weight of the glass powder (B). When the addition amount of the inorganic pigment is less than the above range, the effect of adding the ultraviolet absorber is small and the desired effect may not be obtained. In addition, if the amount of inorganic pigment added exceeds the above range, the effect of adding an ultraviolet absorber is great, and exposure light does not reach the bottom of the photosensitive paste layer, making it impossible to form a pattern and maintaining film strength. There may not be.

<重合禁止剤>
本発明に係る感光性ペースト組成物には、保存時の熱安定性を向上させるために、重合
禁止剤を添加してもよい。重合禁止剤としては、例えば、ヒドロキノン、ヒドロキノンの
モノエステル化物、N−ニトロソジフェニルアミン、フェノチアジン、p−t−ブチルカ
テコール、N−フェニルナフチルアミン、2,6−ジ−t−ブチル−p−メチルフェノー
ル、クロラニール、ピロガロールが挙げられる。
<Polymerization inhibitor>
In order to improve the thermal stability during storage, a polymerization inhibitor may be added to the photosensitive paste composition according to the present invention. Examples of the polymerization inhibitor include hydroquinone, monoesterified hydroquinone, N-nitrosodiphenylamine, phenothiazine, pt-butylcatechol, N-phenylnaphthylamine, 2,6-di-tert-butyl-p-methylphenol, Examples include chloranil and pyrogallol.

重合禁止剤は、感光性ペースト組成物全体に対して、好ましくは0.001〜1重量%
の範囲となる量で添加することができる。
<酸化防止剤>
本発明に係る感光性ペースト組成物には、保存時におけるアルカリ可溶性樹脂(C)の
酸化を防ぐために、酸化防止剤を添加してもよい。酸化防止剤としては、例えば、2,6
−ジ−t−ブチル−p−クレゾール、ブチル化ヒドロキシアニソール、2,6−ジ−t−
4−エチルフェノール、2,2−メチレン−ビス−(4−メチル−6−t−ブチルフェノ
ール)、2,2−メチレン−ビス−(4−エチル−6−t−ブチルフェノール)、4,4
−ビス−(3−メチル−6−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチ
ル−6−t−ブチルフェノール)、1,1,3−トリス−(2−メチル−4−ヒドロキシ
−t−ブチルフェニル)ブタン、ビス[3,3−ビス−(4−ヒドロキシ−3−t−ブチ
ルフェニル)ブチリックアシッド]グリコールエステル、ジラウリルチオジプロピオナー
ト、トリフェニルホスファイトが挙げられる。
The polymerization inhibitor is preferably 0.001 to 1% by weight based on the entire photosensitive paste composition.
Can be added in an amount in the range of.
<Antioxidant>
In order to prevent oxidation of the alkali-soluble resin (C) during storage, an antioxidant may be added to the photosensitive paste composition according to the present invention. Examples of the antioxidant include 2, 6
-Di-t-butyl-p-cresol, butylated hydroxyanisole, 2,6-di-t-
4-ethylphenol, 2,2-methylene-bis- (4-methyl-6-tert-butylphenol), 2,2-methylene-bis- (4-ethyl-6-tert-butylphenol), 4,4
-Bis- (3-methyl-6-tert-butylphenol), 1,1,3-tris- (2-methyl-6-tert-butylphenol), 1,1,3-tris- (2-methyl-4- Hydroxy-t-butylphenyl) butane, bis [3,3-bis- (4-hydroxy-3-tert-butylphenyl) butyric acid] glycol ester, dilaurylthiodipropionate, triphenyl phosphite. .

酸化防止剤は、感光性ペースト組成物全体に対して、好ましくは0.001〜1重量%
の範囲となる量で添加することができる。
<有機溶媒>
本発明に係る感光性ペースト組成物には、その粘度を調整するために、有機溶媒を加え
てもよい。有機溶媒としては、例えば、ターピネオール、ジヒドロターピネオール、ジヒ
ドロターピネニルアセテート、リモネン、カルベオール、カルビニルアセテート、シトロ
ネロール、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール
モノブチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート、
プロピレングリコールモノメチルエーテル、メチルセロソルブ、エチルセロソルブ、ブチ
ルセロソルブ、メトキシプロピルアセテート、メチルエチルケトン、ジオキサン、アセト
ン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、イソブチルアルコール、イソプロピルアルコ
ール、テトラヒドロフラン、ジメチルスルフォキシド、γ−ブチロラクトン、ブロモベン
ゼン、クロロベンゼン、ジブロモベンゼン、ジクロロベンゼン、ブロモ安息香酸、クロロ
安息香酸が挙げられる。これらの有機溶媒は1種単独で用いてもよく、2種以上を併用し
てもよい。
The antioxidant is preferably 0.001 to 1% by weight based on the entire photosensitive paste composition.
Can be added in an amount in the range of.
<Organic solvent>
An organic solvent may be added to the photosensitive paste composition according to the present invention in order to adjust its viscosity. Examples of the organic solvent include terpineol, dihydroterpineol, dihydroterpinel acetate, limonene, carbeol, carvinyl acetate, citronellol, diethylene glycol monoethyl ether acetate, diethylene glycol monobutyl ether acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate,
Propylene glycol monomethyl ether, methyl cellosolve, ethyl cellosolve, butyl cellosolve, methoxypropyl acetate, methyl ethyl ketone, dioxane, acetone, cyclohexanone, cyclopentanone, isobutyl alcohol, isopropyl alcohol, tetrahydrofuran, dimethyl sulfoxide, γ-butyrolactone, bromobenzene, chlorobenzene , Dibromobenzene, dichlorobenzene, bromobenzoic acid, and chlorobenzoic acid. These organic solvents may be used individually by 1 type, and may use 2 or more types together.

有機溶媒は、感光性ペースト組成物全体に対して、好ましくは15〜40重量%の範囲
となる量で添加することができる。
The organic solvent can be added in an amount that is preferably in the range of 15 to 40% by weight with respect to the entire photosensitive paste composition.

<溶解促進剤>
本発明に係る感光性ペースト組成物には、後述する現像液への充分な溶解性を発現させ
る目的で、溶解促進剤を添加してもよい。溶解促進剤としては、界面活性剤が好ましく用
いられる。このような界面活性剤としては、例えば、フッ素系界面活性剤、シリコーン系
界面活性剤、ノニオン系界面活性剤、脂肪酸が挙げられる。
<Dissolution accelerator>
A dissolution accelerator may be added to the photosensitive paste composition according to the present invention for the purpose of exhibiting sufficient solubility in a developer described later. As the dissolution accelerator, a surfactant is preferably used. Examples of such surfactants include fluorine-based surfactants, silicone-based surfactants, nonionic surfactants, and fatty acids.

フッ素系界面活性剤の市販品としては、例えば、BM CHIMIE社製「BM−10
00」、「BM−1100」;大日本インキ化学工業(株)製「メガファックF142D
」、「同F172」、「同F173」、「同F183」;住友スリーエム(株)製「フロ
ラードFC−135」、「同FC−170C」、「同FC−430」、「同FC−431
」;旭硝子(株)製「サーフロンS−112」、「同S−113」、「同S−131」、
「同S−141」、「同S−145」、「同S−382」、「同SC−101」、「同S
C−102」、「同SC−103」、「同SC−104」、「同SC−105」、「同S
C−106」が挙げられる。
Examples of commercially available fluorosurfactants include “BM-10” manufactured by BM CHIMIE.
00 ”,“ BM-1100 ”;“ MegaFuck F142D ”manufactured by Dainippon Ink & Chemicals, Inc.
”,“ F172 ”,“ F173 ”,“ F183 ”;“ Florard FC-135 ”,“ FC-170C ”,“ FC-430 ”,“ FC-431 ”manufactured by Sumitomo 3M Limited.
Asahi Glass Co., Ltd. “Surflon S-112”, “S-113”, “S-131”
“Same S-141”, “Same S-145”, “Same S-382”, “Same SC-101”, “Same S
C-102 "," SC-103 "," SC-104 "," SC-105 "," S
C-106 ".

シリコーン系界面活性剤の市販品としては、例えば、東レ・ダウコーニング・シリコー
ン(株)製「SH−28PA」、「SH−190」、「SH−193」、「SZ−603
2」、「SF−8428」、「DC−57」、「DC−190」;信越化学工業(株)製
「KP341」;新秋田化成(株)製「エフトップEF301」、「同EF303」、「
同EF352」が挙げられる。
Examples of commercially available silicone surfactants include “SH-28PA”, “SH-190”, “SH-193”, and “SZ-603” manufactured by Toray Dow Corning Silicone Co., Ltd.
2 ”,“ SF-8428 ”,“ DC-57 ”,“ DC-190 ”;“ KP341 ”manufactured by Shin-Etsu Chemical Co., Ltd .;“ F-top EF301 ”,“ same EF303 ”manufactured by Shin-Akita Kasei Co., Ltd. "
EF352 ”.

ノニオン系界面活性剤としては、例えば、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリ
オキシエチレンステアリルエーテル、ポリオキシエチレンオレイルエーテルなどのポリオ
キシエチレンアルキルエーテル類;ポリオキシエチレンジスチレン化フェニルエーテル、
ポリオキシエチレンオクチルフェニルエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェニルエー
テルなどのポリオキシエチレンアリールエーテル類;ポリオキシエチレンジラウレート、
ポリオキシエチレンジステアレートなどのポリオキシエチレンジアルキルエステル類が挙
げられる。
Examples of nonionic surfactants include polyoxyethylene alkyl ethers such as polyoxyethylene lauryl ether, polyoxyethylene stearyl ether, polyoxyethylene oleyl ether; polyoxyethylene distyrenated phenyl ether,
Polyoxyethylene aryl ethers such as polyoxyethylene octyl phenyl ether and polyoxyethylene nonyl phenyl ether; polyoxyethylene dilaurate;
And polyoxyethylene dialkyl esters such as polyoxyethylene distearate.

ノニオン系界面活性剤の市販品としては、例えば、花王(株)製「エマルゲンA−60
」、「A−90」、「A−550」、「B−66」、「PP−99」;共栄社化学(株)
製「(メタ)アクリル酸系共重合体ポリフローNo.57」、「同No.90」が挙げら
れる。
Examples of commercially available nonionic surfactants include “Emulgen A-60” manufactured by Kao Corporation.
”,“ A-90 ”,“ A-550 ”,“ B-66 ”,“ PP-99 ”; Kyoeisha Chemical Co., Ltd.
“(Meth) acrylic acid copolymer polyflow No. 57”, “same No. 90” are mentioned.

脂肪酸としては、例えば、酪酸、吉草酸、カプロン酸、エナント酸、カプリル酸、ぺラ
ルゴン酸、ラウリン酸、ミリスチン酸、ペンタデシル酸、パルミチン酸、パルミトイル酸
、マルガリン酸、ステアリン酸、オレイン酸、バクセン酸、リノール酸、リノレン酸、ノ
ナデカン酸、アラキジン酸、アラキドン酸、ベヘン酸、リグノセレン酸、ネルボン酸、セ
ロチン酸、モンタン酸、メリシン酸が挙げられる。
Examples of fatty acids include butyric acid, valeric acid, caproic acid, enanthic acid, caprylic acid, pelargonic acid, lauric acid, myristic acid, pentadecylic acid, palmitic acid, palmitoyl acid, margaric acid, stearic acid, oleic acid, vaccenic acid Linoleic acid, linolenic acid, nonadecanoic acid, arachidic acid, arachidonic acid, behenic acid, lignoselenic acid, nervonic acid, serotic acid, montanic acid, and melicic acid.

これらの界面活性剤の中では、現像時に未露光部の除去が容易であることから、ノニオ
ン系界面活性剤が好ましく、ポリオキシエチレンアリールエーテル類がより好ましく、該
ポリオキシエチレンアリールエーテル類の中では、下記式(1)で表される化合物が特に
好ましい。
Among these surfactants, non-ionic surfactants are preferable, polyoxyethylene aryl ethers are more preferable, and polyoxyethylene aryl ethers are more preferable because unexposed portions can be easily removed during development. Then, the compound represented by the following formula (1) is particularly preferable.

Figure 2011007865
Figure 2011007865

上記式(1)中、R1は炭素数1〜5のアルキル基、好ましくはメチル基であり;pは1
〜5の整数であり;sは1〜5の整数、好ましくは2であり;tは1〜100の整数、好
ましくは10〜20の整数である。
In the above formula (1), R1 is an alkyl group having 1 to 5 carbon atoms, preferably a methyl group;
S is an integer of 1 to 5, preferably 2, and t is an integer of 1 to 100, preferably 10 to 20.

本発明に係る感光性ペースト組成物において、溶解促進剤の含有量は、アルカリ可溶性
樹脂(C)100重量部に対して、好ましくは0.001〜20重量部、より好ましくは
0.01〜15重量部、特に好ましくは0.1〜10重量部の範囲にある。溶解促進剤の
含有量が前記範囲にあると、後述する現像液への溶解性に優れた感光性ペースト組成物が
得られる。
In the photosensitive paste composition according to the present invention, the content of the dissolution accelerator is preferably 0.001 to 20 parts by weight, more preferably 0.01 to 15 parts per 100 parts by weight of the alkali-soluble resin (C). Part by weight, particularly preferably in the range of 0.1 to 10 parts by weight. When the content of the dissolution accelerator is in the above range, a photosensitive paste composition having excellent solubility in a developer described later can be obtained.

<感光性ペースト組成物の調製>
本発明に係る感光性ペースト組成物は、アルミニウム粉末(A1)とアルミニウム合金粉末を含む導電成分(A)、アルカリ可溶性樹脂(C)、多官能(メタ)アクリレート(D)および光重合開始剤(E)と、ガラス粉末(B)および有機溶媒などの添加剤とを所定の組成比となるように調合した後、3本ロールや混練機で均質に混合分散して調製される。
<Preparation of photosensitive paste composition>
The photosensitive paste composition according to the present invention comprises a conductive component (A) containing an aluminum powder (A1) and an aluminum alloy powder, an alkali-soluble resin (C), a polyfunctional (meth) acrylate (D) and a photopolymerization initiator ( E), glass powder (B), and an additive such as an organic solvent are prepared so as to have a predetermined composition ratio, and then mixed and dispersed homogeneously with a three roll or kneader.

本発明に係る感光性ペースト組成物の粘度は、上記無機粒子、増粘剤、有機溶媒、可塑
剤および沈殿防止剤などの添加量によって適宜調整することができるが、100〜500
000cps(センチ・ポイズ)の範囲にあることが好ましい。
The viscosity of the photosensitive paste composition according to the present invention can be adjusted as appropriate according to the amount of the inorganic particles, thickener, organic solvent, plasticizer, precipitation inhibitor, and the like.
It is preferably in the range of 000 cps (centipoise).

上記感光性ペースト組成物は、上記感光性ペースト組成物からなる感光性ペースト層を
基板上に形成する工程(感光性ペースト層形成工程)で得られる感光性ペースト層におい
て、膜厚5μmで波長365nmの光に対する透過率が0.1%以上となることが好まし
い。膜厚5μmで波長365nmの光に対する透過率が0.1%未満となる場合、フォト
リソグラフィー法によるパターン形成は困難となることがある。
The photosensitive paste composition is a photosensitive paste layer obtained in a step of forming a photosensitive paste layer made of the photosensitive paste composition on a substrate (photosensitive paste layer forming step), and has a film thickness of 5 μm and a wavelength of 365 nm. It is preferable that the transmittance with respect to light becomes 0.1% or more. When the transmittance for light having a wavelength of 365 nm with a film thickness of 5 μm is less than 0.1%, pattern formation by a photolithography method may be difficult.

〔パターン形成方法〕
本発明に係るパターン形成方法は、上記感光性ペースト組成物からなる感光性ペースト
層を基板上に形成する工程(感光性ペースト層形成工程)、該感光性ペースト層を露光処
理してパターンの潜像を形成する工程(露光工程)、該感光性ペースト層を現像処理して
パターンを形成する工程(現像工程)、および該パターンを焼成処理する工程(焼成工程
)を含むことを特徴とする。
[Pattern formation method]
The pattern forming method according to the present invention includes a step of forming a photosensitive paste layer comprising the photosensitive paste composition on a substrate (photosensitive paste layer forming step), and exposing the photosensitive paste layer to a latent pattern. It includes a step of forming an image (exposure step), a step of developing the photosensitive paste layer to form a pattern (developing step), and a step of baking the pattern (baking step).

<感光性ペースト層形成工程>
本工程では、上記感光性ペースト組成物からなる感光性ペースト層を基板上に形成する
。感光性ペースト層の形成方法としては、例えば、(i)上記感光性ペースト組成物を基
板上に塗布して塗膜を形成し、該塗膜を乾燥させて形成する方法、(ii)上記感光性ペー
スト組成物を支持フィルム上に塗布して塗膜を形成し、該塗膜を乾燥させて得られる感光
性ペースト層を有する転写フィルムを用いて、基板上に該ペースト層を転写する方法など
が挙げられる。
<Photosensitive paste layer forming step>
In this step, a photosensitive paste layer made of the photosensitive paste composition is formed on the substrate. Examples of the method for forming the photosensitive paste layer include: (i) a method in which the photosensitive paste composition is applied on a substrate to form a coating film, and the coating film is dried; A method of transferring the paste layer onto a substrate using a transfer film having a photosensitive paste layer obtained by applying a conductive paste composition on a support film to form a coating film and drying the coating film, etc. Is mentioned.

(i)上記感光性ペースト組成物を基板上に塗布する方法としては、膜厚が大きく(例
えば20μm以上)、かつ均一性に優れた塗膜を効率よく形成することができる方法であ
れば特に限定されない。例えば、ナイフコータによる塗布方法、ロールコータによる塗布
方法、ドクターブレードによる塗布方法、カーテンコータによる塗布方法、ダイコータに
よる塗布方法、ワイヤーコータによる塗布方法、スクリーン印刷装置によるスクリーン印
刷法が挙げられる。
(I) As a method for applying the photosensitive paste composition on a substrate, any method can be used as long as it can efficiently form a coating film having a large film thickness (for example, 20 μm or more) and excellent uniformity. It is not limited. Examples include a coating method using a knife coater, a coating method using a roll coater, a coating method using a doctor blade, a coating method using a curtain coater, a coating method using a die coater, a coating method using a wire coater, and a screen printing method using a screen printing apparatus.

塗膜の乾燥条件は、乾燥後における有機溶媒の残存割合が2重量%以内となるように適
宜調整すればよく、例えば、乾燥温度が50〜150℃、乾燥時間が0.5〜60分程度
である。
What is necessary is just to adjust the drying conditions of a coating film suitably so that the residual ratio of the organic solvent after drying may be within 2 weight%, for example, drying temperature is 50-150 degreeC, and drying time is about 0.5 to 60 minutes. It is.

上記のようにして形成された感光性ペースト層の膜厚は、好ましくは3〜300μm、
より好ましくは5〜200μmである。なお、感光性ペースト組成物の塗布をn回繰り返
すことで、n層(nは2以上の整数を示す。)の感光性ペースト層を有する積層体を形成
してもよい。
The film thickness of the photosensitive paste layer formed as described above is preferably 3 to 300 μm,
More preferably, it is 5-200 micrometers. In addition, you may form the laminated body which has the photosensitive paste layer of n layer (n shows an integer greater than or equal to 2) by repeating application | coating of the photosensitive paste composition n times.

(ii)上記感光性ペースト層を有する転写フィルムを用いた転写工程の一例を以下に示
す。基板と感光性ペースト層とが接するように、基板と転写フィルムとを重ね合わせ、該
転写フィルムを加熱ローラなどにより熱圧着した後、該ペースト層から支持フィルムを剥
離除去する。これにより、基板上に感光性ペースト層が転写されて密着した状態となる。
(Ii) An example of the transfer process using the transfer film having the photosensitive paste layer is shown below. The substrate and the transfer film are overlapped so that the substrate and the photosensitive paste layer are in contact, and the transfer film is thermocompression bonded with a heating roller or the like, and then the support film is peeled off from the paste layer. As a result, the photosensitive paste layer is transferred onto and in close contact with the substrate.

上記支持フィルムは、耐熱性および耐溶剤性を有するとともに可撓性を有する樹脂フィ
ルムであることが好ましい。支持フィルムを形成する樹脂としては、例えば、ポリエチレ
ンテレフタレートなどのポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、
ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリフロロエチレンなどの含フッ
素樹脂、ナイロン、セルロースが挙げられる。
The support film is preferably a resin film having heat resistance and solvent resistance and flexibility. Examples of the resin that forms the support film include polyesters such as polyethylene terephthalate, polyethylene, polypropylene, polystyrene,
Examples include fluorine-containing resins such as polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, and polyfluoroethylene, nylon, and cellulose.

転写条件としては、例えば、加熱ローラの表面温度が10〜200℃、加熱ローラによ
るロール圧が0.5〜10kg/cm2、加熱ローラの移動速度が0.1〜10m/分で
ある。また、上記基板は予熱されていてもよく、その予熱温度は、例えば40〜140℃
である。
As the transfer conditions, for example, the surface temperature of the heating roller is 10 to 200 ° C., the roll pressure by the heating roller is 0.5 to 10 kg / cm 2, and the moving speed of the heating roller is 0.1 to 10 m / min. Moreover, the said board | substrate may be preheated and the preheating temperature is 40-140 degreeC, for example.
It is.

本発明で用いられる基板としては、例えば、ガラス、セラミック、シリコーン、ポリカ
ーボネート、ポリエステル、芳香族アミド、ポリアミドイミド、ポリイミドなどの絶縁性
材料からなる板状部材が挙げられる。これらの中では、耐熱性を有するガラス基板を用い
ることが好ましい。
Examples of the substrate used in the present invention include a plate-like member made of an insulating material such as glass, ceramic, silicone, polycarbonate, polyester, aromatic amide, polyamideimide, and polyimide. In these, it is preferable to use the glass substrate which has heat resistance.

<露光工程>
本工程では、上記感光性ペースト層形成工程により基板上に感光性ペースト層を形成し
た後、露光装置を用いて露光を行う。具体的には、感光性ペースト層に、露光用マスクを
介して、紫外線などの露光光を選択的に照射して、該ペースト層にパターンの潜像を形成
する。
<Exposure process>
In this step, after forming the photosensitive paste layer on the substrate by the photosensitive paste layer forming step, exposure is performed using an exposure apparatus. Specifically, the photosensitive paste layer is selectively irradiated with exposure light such as ultraviolet rays through an exposure mask to form a pattern latent image on the paste layer.

露光は通常のフォトリソグラフィーで行われるように、フォトマスクを用いてマスク露
光する方法を採用することができる。フォトマスクの露光パターンは、目的によって異な
るが、例えば10〜500μm幅のストライプまたは格子である。
As the exposure is performed by ordinary photolithography, a mask exposure method using a photomask can be employed. Although the exposure pattern of a photomask changes with purposes, it is a stripe or a grating | lattice of 10-500 micrometers width, for example.

また、フォトマスクを用いずに、赤色や青色の可視光レーザー光、Arイオンレーザー
などで直接描画する方法を用いてもよい。
露光装置としては、平行光露光機、散乱光露光機、ステッパー露光機、プロキシミティ
露光機などを用いることができる。また、大面積の露光を行う場合は、ガラス基板などの
基板上に感光性ペースト層を形成した後に、搬送しながら露光を行うことによって、小さ
な露光面積の露光機で、大きな面積を露光することができる。
Alternatively, a direct drawing method using a red or blue visible laser beam, an Ar ion laser, or the like without using a photomask may be used.
As the exposure apparatus, a parallel light exposure machine, a scattered light exposure machine, a stepper exposure machine, a proximity exposure machine, or the like can be used. When exposing a large area, a photosensitive paste layer is formed on a substrate such as a glass substrate, and then exposing while transporting to expose a large area with an exposure machine having a small exposure area. Can do.

露光光としては、例えば、可視光線、近紫外線、紫外線、電子線、X線、レーザー光が
挙げられるが、これらの中では紫外線が好ましい。紫外線の光源としては、例えば、低圧
水銀灯、高圧水銀灯、超高圧水銀灯、ハロゲンランプなどが挙げられる。これらの中では
超高圧水銀灯が好適である。
Examples of the exposure light include visible light, near ultraviolet light, ultraviolet light, electron beam, X-ray, and laser light. Among these, ultraviolet light is preferable. Examples of the ultraviolet light source include a low-pressure mercury lamp, a high-pressure mercury lamp, an ultrahigh-pressure mercury lamp, and a halogen lamp. Among these, an ultra high pressure mercury lamp is preferable.

露光条件は、塗布厚みによって異なるが、例えば1〜100mW/cm2出力の超高圧
水銀灯を用いて0.05〜1分間露光を行う。この場合、波長フィルターを用いて露光光
の波長領域を狭くすることによって、光の散乱を抑制し、パターン形成性を向上させるこ
とができる。具体的には、i線(365nm)の光をカットするフィルター、あるいは、
i線およびh線(405nm)の光をカットするフィルターを用いて、パターン形成性を
向上させることができる。
Although exposure conditions vary depending on the coating thickness, for example, exposure is performed for 0.05 to 1 minute using an ultrahigh pressure mercury lamp with an output of 1 to 100 mW / cm <2>. In this case, by using a wavelength filter to narrow the wavelength region of the exposure light, light scattering can be suppressed and pattern formation can be improved. Specifically, a filter that cuts off i-line (365 nm) light, or
Pattern formation can be improved by using a filter that cuts off i-line and h-line (405 nm) light.

<現像工程>
本工程では、上記露光後、露光部と非露光部との現像液に対する溶解度差を利用して、
感光性ペースト層を現像してパターンを形成する。現像方法(例えば、浸漬法、揺動法、
シャワー法、スプレー法、パドル法、ブラシ法など)および現像処理条件(例えば、現像
液の種類・組成・濃度、現像時間、現像温度など)などは、感光性ペースト層の種類に応
じて適宜選択、設定すればよい。
<Development process>
In this step, after the exposure, using the difference in solubility in the developer between the exposed part and the non-exposed part,
The photosensitive paste layer is developed to form a pattern. Development method (for example, immersion method, rocking method,
Shower method, spray method, paddle method, brush method, etc.) and development processing conditions (for example, developer type / composition / concentration, development time, development temperature, etc.) are appropriately selected according to the type of photosensitive paste layer. , You can set.

現像工程で用いられる現像液としては、感光性ペースト層中の有機成分を溶解可能な有
機溶媒が使用できる。また、前記有機溶媒にその溶解力が失われない範囲で水を添加して
もよい。感光性ペースト層中にカルボキシル基などの酸性基を持つ化合物が存在する場合
、アルカリ水溶液で現像できる。
As the developer used in the development step, an organic solvent capable of dissolving the organic components in the photosensitive paste layer can be used. Further, water may be added to the organic solvent as long as its dissolving power is not lost. When a compound having an acidic group such as a carboxyl group is present in the photosensitive paste layer, development can be performed with an alkaline aqueous solution.

上記感光性ペースト層には、導電成分(A)、ガラス粉末(B)などの無機粒子が含まれている。このような無機粒子は
アルカリ可溶性樹脂(C)により均一に分散されているため、該樹脂(C)を現像液で溶
解して洗浄することにより、該無機粒子も同時に除去される。
The photosensitive paste layer contains inorganic particles such as a conductive component (A) and glass powder (B). Since such inorganic particles are uniformly dispersed in the alkali-soluble resin (C), the inorganic particles are simultaneously removed by dissolving the resin (C) with a developer and washing.

上記アルカリ水溶液としては、例えば、水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カ
リウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸水素二カリウム、リ
ン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸二水素カリウム、リン酸二水
素ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、炭酸水素リチウム
、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウ
ム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、アンモニア水溶液、テトラメ
チルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド
、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチル
アミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、エタノー
ルアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミンが挙げられる。
Examples of the alkaline aqueous solution include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, phosphorus Potassium dihydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium hydrogen carbonate, sodium hydrogen carbonate, potassium hydrogen carbonate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, boric acid Sodium, potassium borate, aqueous ammonia, tetramethylammonium hydroxide, trimethylhydroxyethylammonium hydroxide, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, Isopropylamine, diisopropylamine, ethanolamine, diethanolamine, triethanolamine.

上記アルカリ水溶液のアルカリ濃度は、通常は0.01〜10重量%、好ましくは0.
1〜5重量%である。アルカリ濃度が低すぎると可溶部(未露光部)が除去されず、アル
カリ濃度が高すぎると、パターンを剥離させ、あるいは非可溶部(露光部)を腐食するお
それがある。
The alkali concentration of the aqueous alkali solution is usually 0.01 to 10% by weight, preferably 0.
1 to 5% by weight. If the alkali concentration is too low, the soluble portion (unexposed portion) is not removed, and if the alkali concentration is too high, the pattern may be peeled off or the non-soluble portion (exposed portion) may be corroded.

また、現像時の現像温度は、20〜50℃で行うことが工程管理上好ましい。
上記アルカリ水溶液には、ノニオン系界面活性剤や有機溶媒などの添加剤が含有されて
いてもよい。なお、アルカリ現像液による現像処理がなされた後は、通常は水洗処理が施
される。
The development temperature during development is preferably 20 to 50 ° C. in terms of process control.
The alkaline aqueous solution may contain additives such as nonionic surfactants and organic solvents. In addition, after the development process with an alkali developer, a washing process is usually performed.

<焼成工程>
本工程では、現像工程により形成されたパターンに含まれる有機物質を焼失させるため
に、焼成炉にて該パターンを焼成処理する。
<Baking process>
In this step, the pattern is baked in a baking furnace in order to burn off organic substances contained in the pattern formed in the development step.

焼成雰囲気は、感光性ペースト組成物や基板の種類によって異なるが、空気、オゾン、
窒素、水素などの雰囲気中で焼成する。焼成炉としては、バッチ式の焼成炉やベルト式の
連続型焼成炉を用いることができる。
The firing atmosphere varies depending on the type of photosensitive paste composition and substrate, but air, ozone,
Baking in an atmosphere of nitrogen, hydrogen, or the like. As the firing furnace, a batch-type firing furnace or a belt-type continuous firing furnace can be used.

焼成処理条件は、パターン中の有機物質が焼失されることが必要であるため、通常は、
焼成温度が300〜1000℃、焼成時間が10〜90分間程度である。例えば、ガラス
基板上にパターンを形成する場合は、焼成温度が350〜600℃、焼成時間が10〜6
0分程度である。
Since the baking treatment conditions require that the organic material in the pattern be burned off,
The firing temperature is 300 to 1000 ° C., and the firing time is about 10 to 90 minutes. For example, when a pattern is formed on a glass substrate, the firing temperature is 350 to 600 ° C., and the firing time is 10 to 6
It is about 0 minutes.

<加熱工程>
上記感光性ペースト層形成、露光、現像、焼成の各工程中に、乾燥または予備反応の目
的で、50〜300℃の加熱工程を導入してもよい。
<Heating process>
A heating step of 50 to 300 ° C. may be introduced during the photosensitive paste layer formation, exposure, development, and baking steps for the purpose of drying or preliminary reaction.

〔FPD用部材などの製造〕
上記工程を含む本発明に係るパターン形成方法を用いることにより、ディスプレイパネ
ル(FPDなど)の配線を構成する部材(電極など)、電子部品の高度実装材料の部材(
回路パターンなど)、および太陽電池部材の部材(配線パターンなど)を形成することが
できる。特に、本発明に係るパターン形成方法を用いることにより、PDPなどのFPD
を好適に製造にすることができる。
[Manufacture of FPD materials]
By using the pattern forming method according to the present invention including the above steps, members (electrodes, etc.) constituting the wiring of a display panel (FPD, etc.), members of advanced mounting materials for electronic components (
Circuit pattern and the like) and members of the solar cell member (wiring pattern and the like) can be formed. In particular, an FPD such as a PDP can be obtained by using the pattern forming method according to the present invention.
Can be suitably manufactured.

以下、実施例に基づいて本発明をより具体的に説明するが、本発明は、これらの実施例により何ら限定されるものではない。なお、実施例および比較例における「部」および「%」は、特に断りのない限り、それぞれ「重量部」および「重量%」を示す。
まず、物性の測定方法および評価方法について説明する。
EXAMPLES Hereinafter, although this invention is demonstrated more concretely based on an Example, this invention is not limited at all by these Examples. In the examples and comparative examples, “parts” and “%” represent “parts by weight” and “% by weight”, respectively, unless otherwise specified.
First, a method for measuring and evaluating physical properties will be described.

〔重量平均分子量(Mw)および重量平均分子量(Mw)/数平均分子量(Mn)(以下、Mw/Mnと呼称する。)の測定方法〕
MwおよびMw/Mnは、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC)(東ソー株式会社製「HLC−8220GPC」)により測定したポリスチレン換算の値である。なお、GPC測定は、GPCカラムとして東ソー株式会社製「TSKguardcolumn SuperHZM−M」を用い、テトラヒドロフラン(THF)溶媒、測定温度40℃の条件で行った。
[Method for Measuring Weight Average Molecular Weight (Mw) and Weight Average Molecular Weight (Mw) / Number Average Molecular Weight (Mn) (hereinafter referred to as Mw / Mn)]
Mw and Mw / Mn are values in terms of polystyrene measured by gel permeation chromatography (GPC) (“HLC-8220GPC” manufactured by Tosoh Corporation). The GPC measurement was performed using “TSK guard column Super HZM-M” manufactured by Tosoh Corporation as a GPC column under the conditions of a tetrahydrofuran (THF) solvent and a measurement temperature of 40 ° C.

〔電気抵抗測定の評価方法〕
体積抵抗[μΩ・cm]は焼成後のパネルの試験片(150mm×150mm×2.8mm)の上に焼成後膜厚10μmの塗膜を作製し、NPS社製の「Resistivity Proccessor ModelΣ−5」を用いて評価した。
[Evaluation method of electrical resistance measurement]
The volume resistance [μΩ · cm] is a fired panel test piece (150 mm × 150 mm × 2.8 mm) having a film thickness of 10 μm after baking, and “Resistivity Processor Model Σ-5” manufactured by NPS. Was used to evaluate.

〔焼成後のパターンの評価方法〕
焼成後のパネルを切断してパネルの試験片(10mm×10mm×1.8mm)を作製し、パターン切断面を走査型電子顕微鏡(日立製作所製「S4200」)で観察してパターンの高さ(膜厚)を計測した。
[Method for evaluating pattern after firing]
A panel test piece (10 mm × 10 mm × 1.8 mm) was prepared by cutting the fired panel, and the pattern cut surface was observed with a scanning electron microscope (“S4200”, manufactured by Hitachi, Ltd.). Film thickness) was measured.

〔耐酸性の評価方法〕
焼成後のパネルを切断してパネルの試験片(100mm×50mm×1.8mm)を作製し、試験片を45℃の硝酸3wt%水溶液中に3分間浸漬した。浸漬後、超純水で洗浄し乾燥を行い、塗膜部分を電気抵抗測定の評価方法と同様の方法で、パターン部分を上記焼成後のパターンの評価方法と同様の方法で評価した。
[Evaluation method for acid resistance]
The panel after firing was cut to prepare a panel test piece (100 mm × 50 mm × 1.8 mm), and the test piece was immersed in a 3 wt% nitric acid aqueous solution at 45 ° C. for 3 minutes. After immersion, the substrate was washed with ultrapure water and dried, and the coating film portion was evaluated in the same manner as the electrical resistance measurement evaluation method, and the pattern portion was evaluated in the same manner as the pattern evaluation method after baking.

〔耐アルカリ酸性の評価方法〕
焼成後のパネルを切断してパネルの試験片(100mm×50mm×1.8mm)を作製し、試験片を45℃の水酸化ナトリウム7wt%水溶液中に3分間浸漬した。浸漬後、超純水で洗浄し乾燥を行い、塗膜部分を電気抵抗測定の評価方法と同様の方法で、パターン部分を上記焼成後のパターンの評価方法と同様の方法で評価した。
[Evaluation method for alkali acid resistance]
The panel after firing was cut to prepare a panel test piece (100 mm × 50 mm × 1.8 mm), and the test piece was immersed in a 7 wt% sodium hydroxide aqueous solution at 45 ° C. for 3 minutes. After immersion, the substrate was washed with ultrapure water and dried, and the coating film portion was evaluated in the same manner as the electrical resistance measurement evaluation method, and the pattern portion was evaluated in the same manner as the pattern evaluation method after baking.

〔合成例〕
n−ブチルメタクリレート40部、2−エチルヘキシルメタクリレート30部、2−ヒドロキシエチルメタクリレート15部、メタクリル酸15部、アゾビスイソブチロニトリル(AIBN)1部、ペンタエリスリトールテトラキス(3−メルカプトプロピオン酸)(堺化学工業(株)製)5部を攪拌機付きオートクレーブに仕込み、窒素雰囲気下において、ターピネオール150部中で均一になるまで攪拌した。
(Synthesis example)
n-butyl methacrylate 40 parts, 2-ethylhexyl methacrylate 30 parts, 2-hydroxyethyl methacrylate 15 parts, methacrylic acid 15 parts, azobisisobutyronitrile (AIBN) 1 part, pentaerythritol tetrakis (3-mercaptopropionic acid) ( 5 parts (manufactured by Sakai Chemical Industry Co., Ltd.) were charged into an autoclave equipped with a stirrer and stirred in 150 parts of terpineol in a nitrogen atmosphere until uniform.

次に、80℃で4時間重合させ、さらに100℃で1時間重合反応を継続させた後、室温まで冷却してSH基を有するアルカリ可溶性樹脂(C1)を得た。前記アルカリ可溶性樹脂(C1)の重合率は98%であり、アルカリ可溶性樹脂(C1)の重量平均分子量は21000(Mw/Mn 1.9)であった。   Next, polymerization was carried out at 80 ° C. for 4 hours, and further the polymerization reaction was continued at 100 ° C. for 1 hour, followed by cooling to room temperature to obtain an alkali-soluble resin (C1) having SH groups. The polymerization rate of the alkali-soluble resin (C1) was 98%, and the weight-average molecular weight of the alkali-soluble resin (C1) was 21000 (Mw / Mn 1.9).

[実施例]
表1に示すアルミニウム粉末及び表2に示すB2O3−SiO2系ガラス粉末(不定形、軟化点500℃)、表3に示すシリコン粉末、および表4に示す感光性樹脂成分を作製した後に、表5の組成で混合し混練機で混練して感光性アルミペースト組成物(以下「感光性ペースト」ともいう。)を調製した。
上記感光性ペーストを325メッシュのスクリーンを用いてパネルの試験片(150mm×150mm×2.8mm)上に100mm角の大きさにベタに印刷し、100℃で10分間保持して乾燥した。
次に、ネガ型クロムマスク(パターン幅50μm、パターン間隔100μm)を用いて、上面から25mJ/cm2出力の超高圧水銀灯により、無機粒子含有感光性樹脂層を紫外線露光した。露光量は1000mJ/cm2であった。
次に、露光後の感光性ペースト層に、23℃に保持した炭酸ナトリウムの0.5%水溶液を、シャワーで60秒間かけることにより現像した。その後、シャワースプレーを用いて水洗浄し、光硬化していないスペース部分を除去してパネル用ガラス基板上に格子状の感光性ペーストパターンを形成した。次に、得られた感光性ペーストパターンを580℃で30分間焼成して電極パターンを形成した。この焼成後のパターンを上記評価方法により評価した。
さらに、これらのパターンを上記評価方法により、耐酸性及び耐アルカリ性を評価した。結果を表6に示す。実施例1〜11のいずれにおいても、硝酸水溶液及び水酸化ナトリウム水溶液浸漬後の膜厚低下及び抵抗値の悪化は、比較例1〜4に比べて抑制できていた。
[Example]
After producing the aluminum powder shown in Table 1 and the B2O3-SiO2 glass powder shown in Table 2 (indefinite shape, softening point 500 ° C.), the silicon powder shown in Table 3, and the photosensitive resin component shown in Table 4, Table 5 And a photosensitive aluminum paste composition (hereinafter also referred to as “photosensitive paste”).
The above-mentioned photosensitive paste was printed on a panel test piece (150 mm × 150 mm × 2.8 mm) with a size of 100 mm square using a 325 mesh screen, held at 100 ° C. for 10 minutes, and dried.
Next, using a negative chrome mask (pattern width 50 μm, pattern interval 100 μm), the inorganic particle-containing photosensitive resin layer was exposed to ultraviolet rays with an ultrahigh pressure mercury lamp having an output of 25 mJ / cm 2 from the top surface. The exposure amount was 1000 mJ / cm2.
Next, the exposed photosensitive paste layer was developed by applying a 0.5% aqueous solution of sodium carbonate maintained at 23 ° C. for 60 seconds in a shower. Then, it washed with water using shower spray, the space part which has not been photocured was removed, and the grid-like photosensitive paste pattern was formed on the glass substrate for panels. Next, the obtained photosensitive paste pattern was baked at 580 ° C. for 30 minutes to form an electrode pattern. This fired pattern was evaluated by the above evaluation method.
Furthermore, acid resistance and alkali resistance of these patterns were evaluated by the above evaluation method. The results are shown in Table 6. In any of Examples 1 to 11, a decrease in film thickness and a deterioration in resistance value after immersion in an aqueous nitric acid solution and an aqueous sodium hydroxide solution were suppressed as compared with Comparative Examples 1 to 4.

Figure 2011007865
Figure 2011007865

Figure 2011007865
Figure 2011007865

Figure 2011007865
Figure 2011007865

Figure 2011007865
Figure 2011007865

Figure 2011007865
Figure 2011007865





Figure 2011007865
Figure 2011007865

TMP:トリメチロールプロパン(プロピオンオキサイド変性)トリアクリレート
MTPMP:2−メチル−1−[4−(メチルチオ)フェニル]−2−モルフォリノ−1−プロパン−1−オン
DMMPB:2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)ブタノン−1
DETX:2,4−ジエチルチオキサントン
BHHD:1,7-ビス(4−ヒドロキシフェノール)−1,6−ヘプタジエン−3,5−ジオン
TNOL:ターピネオール
TMP: trimethylolpropane (propion oxide modified) triacrylate MTPMP: 2-methyl-1- [4- (methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propan-1-one DMMPB: 2-benzyl-2-dimethylamino -1- (4-morpholinophenyl) butanone-1
DETX: 2,4-diethylthioxanthone BHHD: 1,7-bis (4-hydroxyphenol) -1,6-heptadiene-3,5-dione TNOL: terpineol

図1は、交流型プラズマディスプレイパネルの断面形状を示す模式図である。FIG. 1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC type plasma display panel. 図2は、一般的なフィールドエミッションディスプレイの断面形状を示す模式図である。FIG. 2 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of a general field emission display.

101 ガラス基板
102 ガラス基板
103 背面隔壁
104 透明電極
105 バス電極
106 アドレス電極
107 蛍光物質
108 誘電体層
109 誘電体層
110 保護層
111 前面隔壁
201 ガラス基板
202 ガラス基板
203 絶縁層
204 透明電極
205 エミッタ
206 カソード電極
207 蛍光体
208 ゲート
209 スペーサ
101 glass substrate 102 glass substrate 103 rear partition 104 transparent electrode 105 bus electrode 106 address electrode 107 fluorescent material 108 dielectric layer 109 dielectric layer 110 protective layer 111 front partition 201 glass substrate 202 glass substrate 203 insulating layer 204 transparent electrode 205 emitter 206 Cathode electrode 207 Phosphor 208 Gate 209 Spacer

Claims (6)

導電性成分(A)、
アルカリ可溶性樹脂(C)、
多官能(メタ)アクリレート(D)
光重合開始剤(E)および
シリコン粒子(F)
を含有することを特徴とする感光性ペースト組成物。
Conductive component (A),
Alkali-soluble resin (C),
Multifunctional (meth) acrylate (D)
Photopolymerization initiator (E) and silicon particles (F)
A photosensitive paste composition comprising:
シリコン粒子の50重量%粒子径が1〜10μmであることを特徴とする請求項1記載の感光性ペースト組成物。   The photosensitive paste composition according to claim 1, wherein a silicon particle has a 50% by weight particle diameter of 1 to 10 μm. さらにガラス粒子(B)を含有することを特徴とする請求項1記載の感光性ペースト組成物。   Furthermore, glass particle (B) is contained, The photosensitive paste composition of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 導電性粒子がアルミニウム粒子であることを特徴とする請求項1記載の感光性ペースト組成物。 The photosensitive paste composition according to claim 1, wherein the conductive particles are aluminum particles. さらにガラス粉末(B)を含有することを特徴とする請求項1に記載の感光性ペースト組成物。   Furthermore, glass powder (B) is contained, The photosensitive paste composition of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 請求項1〜5のいずれかに記載の感光性ペースト組成物からなる感光性ペースト層を基板上に形成する工程、
該ペースト層を露光処理してパターンの潜像を形成する工程、
該ペースト層を現像処理してパターンを形成する工程、および
該パターンを焼成処理する工程を含むことを特徴とするパターン形成方法。
Forming a photosensitive paste layer comprising the photosensitive paste composition according to claim 1 on a substrate;
A step of exposing the paste layer to form a latent image of a pattern;
A pattern forming method comprising: a step of developing the paste layer to form a pattern; and a step of baking the pattern.
JP2009148812A 2009-06-23 2009-06-23 Photosensitive paste composition and pattern forming method Pending JP2011007865A (en)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009148812A JP2011007865A (en) 2009-06-23 2009-06-23 Photosensitive paste composition and pattern forming method

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009148812A JP2011007865A (en) 2009-06-23 2009-06-23 Photosensitive paste composition and pattern forming method

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2011007865A true JP2011007865A (en) 2011-01-13

Family

ID=43564642

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2009148812A Pending JP2011007865A (en) 2009-06-23 2009-06-23 Photosensitive paste composition and pattern forming method

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2011007865A (en)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017120349A (en) * 2015-12-29 2017-07-06 帝人株式会社 Photosensitive resin composition and method for manufacturing semiconductor device

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2017120349A (en) * 2015-12-29 2017-07-06 帝人株式会社 Photosensitive resin composition and method for manufacturing semiconductor device
CN108475014A (en) * 2015-12-29 2018-08-31 帝人株式会社 Photosensitive polymer combination and semiconductor device manufacturing method
KR20180099658A (en) * 2015-12-29 2018-09-05 데이진 가부시키가이샤 Photosensitive resin composition and method for manufacturing semiconductor device
CN108475014B (en) * 2015-12-29 2021-06-01 帝人株式会社 Photosensitive resin composition and method for manufacturing semiconductor device
KR102651216B1 (en) * 2015-12-29 2024-03-25 데이진 가부시키가이샤 Photosensitive resin composition and semiconductor device manufacturing method

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4640460B2 (en) Photosensitive paste composition and pattern forming method
JP5056757B2 (en) Photosensitive resin composition, photosensitive film and pattern forming method
JP4697031B2 (en) Inorganic particle-containing photosensitive resin composition, photosensitive film, and inorganic pattern forming method
JP5446704B2 (en) Photosensitive paste composition and pattern forming method
JP5287397B2 (en) Aluminum-containing photosensitive resin composition and pattern forming method
JP2012093586A (en) Photosensitive paste composition and pattern formation method
JP2011064864A (en) Photosensitive composition, method of forming pattern, and method of manufacturing electrode for fpd
JP5120093B2 (en) Photosensitive composition and electrode manufacturing method
JP2009294648A (en) Photosensitive paste composition and pattern forming method
JP5050784B2 (en) Inorganic particle-containing photosensitive resin composition, photosensitive film, pattern forming method, and flat panel display manufacturing method
JP2011007864A (en) Photosensitive paste composition and pattern forming method
JP2010276703A (en) Photosensitive paste composition and pattern forming method
JP5239612B2 (en) Photosensitive paste composition and pattern forming method
JP5120120B2 (en) Photosensitive paste composition and pattern forming method
JP5120119B2 (en) Photosensitive paste composition and pattern forming method
JP2011007865A (en) Photosensitive paste composition and pattern forming method
JP5347665B2 (en) Aluminum-containing photosensitive composition and method for producing electrode
JP2009016320A (en) Electrode member manufacturing method
JP2010181475A (en) Aluminum-containing photosensitive composition and method for manufacturing electrode
JP2011013588A (en) Photosensitive paste composition and pattern forming method
KR100412293B1 (en) Photo-Sensitive Paste, Plasma Display and a Process for Preparing it
JP2010210864A (en) Aluminum-containing photosensitive resin composition and method for forming pattern
JP2011029113A (en) Photosensitive black paste, and method of forming bus electrode black layer
JP2010102200A (en) Photosensitive paste composition and pattern forming method
JP2010145545A (en) Photosensitive paste composition and pattern forming method