JPH11231524A - Production of plasma display panel - Google Patents

Production of plasma display panel

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Publication number
JPH11231524A
JPH11231524A JP10051561A JP5156198A JPH11231524A JP H11231524 A JPH11231524 A JP H11231524A JP 10051561 A JP10051561 A JP 10051561A JP 5156198 A JP5156198 A JP 5156198A JP H11231524 A JPH11231524 A JP H11231524A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
pattern
inorganic powder
resist
film
paste layer
Prior art date
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Pending
Application number
JP10051561A
Other languages
Japanese (ja)
Inventor
Hideyuki Kamii
英行 神井
Hideaki Masuko
英明 増子
Hiroaki Nemoto
宏明 根本
Nobuo Bessho
信夫 別所
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
JSR Corp
Original Assignee
JSR Corp
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Filing date
Publication date
Application filed by JSR Corp filed Critical JSR Corp
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Publication of JPH11231524A publication Critical patent/JPH11231524A/en
Pending legal-status Critical Current

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Abstract

PROBLEM TO BE SOLVED: To prevent undercut in development and to surely produce a pattern of each constituent element with high efficiency and high definition by exposing and developing a resist film contg. a specified compd. to form a resist pattern, forming a pattern of an inorg. powder dispersed paste layer corresponding to the resist pattern and baking the paste pattern. SOLUTION: A resist film contg. a compd. represented by the formula is formed on an inorg. powder dispersed paste layer, exposed to form a latent image of a resist pattern and developed to form an apparent resist pattern. The paste layer is then etched to form a pattern of the paste layer corresponding to the resist pattern and the paste pattern is baked. A panel material with an inorg. pattern is thus obtd. Curing reaction is sufficiently attained by irradiation with a small quantity of energy and development is easily carried out.

Description

【発明の詳細な説明】DETAILED DESCRIPTION OF THE INVENTION

【0001】[0001]

【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイパネルの各表示セルを構成する隔壁、電極、誘電
体、抵抗体、蛍光体、カラーフィルターおよびブラック
マトリックスの形成において、高精細パターンの形成が
可能となり、また転写フィルムを使用することにより従
来の方法に比べて実質的に作業性を向上させることがで
きるプラズマディスプレイパネルの製造方法に関する。
BACKGROUND OF THE INVENTION 1. Field of the Invention The present invention is capable of forming a high-definition pattern in forming partition walls, electrodes, dielectrics, resistors, phosphors, color filters and black matrices constituting each display cell of a plasma display panel. Further, the present invention relates to a method of manufacturing a plasma display panel which can substantially improve workability by using a transfer film as compared with a conventional method.

【0002】[0002]

【従来の技術】プラズマディスプレイパネル(PDP)
は、大型パネルでありながら製造プロセスが容易である
こと、視野角が広いこと、自発光タイプで表示品位が高
いこと等の理由から、フラットパネル表示技術の中で注
目されており、特にカラープラズマディスプレイパネル
は、20インチ以上の壁掛けTV用の表示デバイスとし
て将来主流になるものと期待されている。カラーPDP
は、ガス放電により発生する紫外線を蛍光体に照射する
ことによってカラー表示が可能になる。そして、一般
に、カラーPDPにおいては、赤色発光用の蛍光体部
位、緑色発光用の蛍光体部位及び青色発光用の蛍光体部
位が基板上に形成されることにより、各色の発光表示セ
ルが全体に均一に混在した状態に構成されている。具体
的には、ガラス等からなる基板の表面に、バリアリブと
称される絶縁性材料からなる隔壁が設けられており、こ
の隔壁によって多数の表示セルが区画され、当該表示セ
ルの内部がプラズマ作用空間になる。そして、このプラ
ズマ作用空間に螢光体部位が設けられるとともに、この
螢光体部位にプラズマを作用させる電極が設けられるこ
とにより、各々の表示セルを表示単位とするプラズマデ
ィスプレイパネルが構成される。
2. Description of the Related Art Plasma display panels (PDPs)
Has been attracting attention in flat panel display technology because of its ease of manufacturing process despite its large size, wide viewing angle, and high display quality with its self-luminous type. Display panels are expected to become mainstream in the future as display devices for wall-mounted TVs of 20 inches or more. Color PDP
The color display can be performed by irradiating the phosphor with ultraviolet rays generated by gas discharge. In general, in a color PDP, a phosphor portion for red light emission, a phosphor portion for green light emission, and a phosphor portion for blue light emission are formed on a substrate, so that the light emitting display cells of each color are entirely formed. It is configured in a uniformly mixed state. Specifically, a partition wall made of an insulating material called a barrier rib is provided on the surface of a substrate made of glass or the like, and a large number of display cells are partitioned by the partition walls. Become space. By providing a phosphor region in the plasma working space and providing an electrode for causing plasma to act on the phosphor region, a plasma display panel having each display cell as a display unit is constructed.

【0003】AC型PDPの構造の一例を図1に示す。
前面基板ガラスには、一対の維持電極をストライプ状に
複数形成し、その上を誘電体層で覆い、さらにその上に
保護膜であるMgO膜を蒸着する。また、プラズマディ
スプレイパネルのコントラストを向上させるために、赤
色、緑色、青色のカラーフィルターやブラックマトリッ
クスを誘電体層の下に設ける場合がある。一方背面基板
ガラス上には、信号電極をストライプ状に複数形成し、
信号電極間に隔壁を設け、この隔壁の側面および底面に
蛍光体層を形成する。前記前面基板の維持電極と背面基
板の信号電極が垂直方向になるように張り合わせてシー
ルし、内部にネオンとキセノンの混合ガスを導入する。
FIG. 1 shows an example of the structure of an AC type PDP.
On the front substrate glass, a plurality of pairs of sustain electrodes are formed in a stripe shape, the upper portion is covered with a dielectric layer, and an MgO film serving as a protective film is deposited thereon. Further, in order to improve the contrast of the plasma display panel, a red, green, blue color filter or a black matrix may be provided below the dielectric layer. On the other hand, on the rear substrate glass, a plurality of signal electrodes are formed in a stripe shape,
A partition is provided between the signal electrodes, and a phosphor layer is formed on the side and bottom surfaces of the partition. The sustain electrodes on the front substrate and the signal electrodes on the rear substrate are attached and sealed so as to be vertical, and a mixed gas of neon and xenon is introduced into the interior.

【0004】DC型PDPの構造の一例を図2に示す。
前面基板ガラスには、陰極電極をストライプ状に複数形
成する。一方、背面基板ガラス上には、表示陽極と補助
陽極の電極端子およびリードを形成し、さらに陽極端子
と陽極リードの間、補助陽極端子と補助陽極リードの間
には抵抗体を設ける。また、背面基板上の表示陽極端子
と補助陽極端子の部分を除いて誘電体で絶縁する。次い
で放電空間を区画するために隔壁を格子状に設け、この
隔壁側面と陽極端子を除く底面には蛍光体層を形成す
る。前記前面基板の陰極と背面基板の表示陽極、補助陽
極が垂直方向になるように張り合わせてシールし、内部
にネオンとキセノンの混合ガスを導入する。
FIG. 2 shows an example of the structure of a DC PDP.
A plurality of cathode electrodes are formed in a stripe shape on the front substrate glass. On the other hand, electrode terminals and leads of the display anode and the auxiliary anode are formed on the rear substrate glass, and a resistor is provided between the anode terminal and the anode lead and between the auxiliary anode terminal and the auxiliary anode lead. Except for the display anode terminal and the auxiliary anode terminal on the rear substrate, they are insulated by a dielectric. Next, partition walls are provided in a grid pattern to divide the discharge space, and a phosphor layer is formed on the side surfaces of the partition walls and on the bottom surface excluding the anode terminals. The cathode of the front substrate and the display anode and the auxiliary anode of the rear substrate are vertically adhered and sealed, and a mixed gas of neon and xenon is introduced therein.

【0005】このようなプラズマディスプレイパネルの
各構成要素の製造方法としては、(1)非感光性の無機
粉体分散ペースト組成物を基板上にスクリーン印刷して
パターンを得、これを焼成するスクリーン印刷法、
(2)感光性の無機粉体分散ペースト組成物の膜を基板
上に形成し、この膜にフォトマスクを介して紫外線を照
射した上で現像することにより基板上にパターンを残存
させ、これを焼成するフォトリソグラフィー法などが知
られている。
[0005] As a method of manufacturing each component of such a plasma display panel, (1) a non-photosensitive inorganic powder-dispersed paste composition is screen-printed on a substrate to obtain a pattern, and the screen is fired. Printing method,
(2) A film of a photosensitive inorganic powder-dispersed paste composition is formed on a substrate, and the film is irradiated with ultraviolet rays through a photomask and developed to leave a pattern on the substrate. A baking photolithography method and the like are known.

【0006】しかしながら、前記スクリーン印刷法で
は、パネルの大型化および高精細化に伴い、パターンの
位置精度の要求が非常に厳しくなり、通常の印刷では対
応できないという問題がある。また、前記フォトリソグ
ラフィー法では、一回の露光および現像の工程で10〜
100μmの膜厚を有するパターンを形成する際、無機
粉体分散ペースト層の深さ方向に対する感度が不十分で
あり、必ずしもエッジがシャープな高精細パターンが得
られるものとはならなかった。
However, the screen printing method has a problem that the positional accuracy of the pattern becomes very strict with the increase in size and definition of the panel, and cannot be dealt with by ordinary printing. In the photolithography method, one exposure and development process requires 10 to 10 times.
When a pattern having a thickness of 100 μm was formed, the sensitivity in the depth direction of the inorganic powder-dispersed paste layer was insufficient, and a high-definition pattern with sharp edges was not necessarily obtained.

【0007】上記のような問題を解決する手段として、
本発明者らは、感光性レジスト組成物層と無機顔料ペー
スト層の積層体を基板上に形成し、当該積層膜を構成す
る感光性レジスト組成物層を露光処理してレジストパタ
ーンの潜像を形成し、当該感光性レジスト組成物層を現
像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機顔料ペ
ースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応
する無機顔料ペースト層のパターンを形成し、当該パタ
ーンを焼成処理して無機顔料パターンを形成する工程を
含む方法によりカラーフィルターのパターンを形成する
ことを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方
法を提案している。(特開平9−155961号、特願
平9―340514号明細書参照) 従来、感光性レジスト組成物としては、カルボキシル基
を含有するバインダーポリマーと、ペンタエリスリトー
ルアクリレートなどの多官能アクリレートよりなるラジ
カル重合性物質と、光ラジカル発生剤とを含有してなる
ものが用いられており、光ラジカル発生剤としては、例
えば1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトンなど
が用いられている。
As means for solving the above problems,
The present inventors formed a laminate of a photosensitive resist composition layer and an inorganic pigment paste layer on a substrate, and exposed the photosensitive resist composition layer constituting the laminate film to an exposure process to form a latent image of the resist pattern. Formed, developing the photosensitive resist composition layer to reveal a resist pattern, etching the inorganic pigment paste layer to form a pattern of the inorganic pigment paste layer corresponding to the resist pattern, and baking the pattern There has been proposed a method for manufacturing a plasma display panel, wherein a pattern of a color filter is formed by a method including a step of forming an inorganic pigment pattern by processing. Conventionally, as a photosensitive resist composition, radical polymerization comprising a binder polymer containing a carboxyl group and a polyfunctional acrylate such as pentaerythritol acrylate has been used. A substance containing an active substance and a photo-radical generator is used. As the photo-radical generator, for example, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone is used.

【0008】[0008]

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
感光性レジスト組成物においては、塗膜中における光硬
化用放射線の強度は、深さ方向に対して減衰するため
に、当該塗膜における感光性レジスト組成物の底部に接
近するに従って小さくなる現象が生じ、硬化反応が十分
に達成されない状態となり易い。そして、この場合に
は、PDPにおける各構成要素の製造工程における現像
処理により当該底部がえぐられてしまい、得られるレジ
ストパターンはいわゆるアンダーカットが生じたものと
なり、極端な場合には現像処理において、感光性レジス
ト層が流れ去ってしまうという問題がある。そしてその
結果、パターニングが不均一となり、パネルの歩留まり
が極端に悪くなる。以上の問題は、十分なエネルギー量
で放射線照射処理を行うことにより解決することはでき
るが、この場合には、製造における効率が低いものとな
る。
However, in the above-described photosensitive resist composition, the intensity of photocuring radiation in the coating film is attenuated in the depth direction, so that the photosensitivity of the coating film is low. A phenomenon in which the resist composition becomes smaller as approaching the bottom of the resist composition occurs, and the curing reaction tends to be insufficiently achieved. In this case, the bottom portion is hollowed out by the developing process in the manufacturing process of each component in the PDP, and the obtained resist pattern has a so-called undercut. There is a problem that the photosensitive resist layer flows away. As a result, the patterning becomes non-uniform, and the yield of the panel becomes extremely poor. The above problem can be solved by performing the irradiation treatment with a sufficient amount of energy, but in this case, the efficiency in manufacturing is low.

【0009】本発明は、以上のような事情に基づいてな
されたものであって、その目的は、現像処理においてア
ンダーカットを防ぎ、各構成要素のパターンを高い効率
で確実に、高精細に製造することができるプラズマディ
スプレイパネルの製造方法を提供することにある。
The present invention has been made in view of the above circumstances, and an object of the present invention is to prevent undercuts in a developing process, and to manufacture a pattern of each component with high efficiency and high precision. It is an object of the present invention to provide a method of manufacturing a plasma display panel.

【0010】[0010]

【課題を解決するための手段】本発明のプラズマディス
プレイパネルの製造方法は、支持フィルム上に形成され
た無機粉体分散ペースト層を基板上に転写し、当該無機
粉体分散ペースト層上に、下記式(1)で表される化合
物を含有するレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露
光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レ
ジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化さ
せ、無機粉体分散ペースト層をエッチング処理してレジ
ストパターンに対応する無機粉体分散ペースト層のパタ
ーンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む
方法により、無機パターンを有するパネル材料を形成す
ることを特徴とする。
According to a method of manufacturing a plasma display panel of the present invention, an inorganic powder dispersion paste layer formed on a support film is transferred onto a substrate, and the inorganic powder dispersion paste layer is formed on the inorganic powder dispersion paste layer. A resist film containing a compound represented by the following formula (1) is formed, the resist film is exposed to light, a latent image of the resist pattern is formed, and the resist film is developed to reveal the resist pattern. Forming a pattern of the inorganic powder-dispersed paste layer corresponding to the resist pattern by etching the inorganic powder-dispersed paste layer, and forming a panel material having an inorganic pattern by a method including a step of baking the pattern. It is characterized by doing.

【0011】[0011]

【化1】 Embedded image

【0012】本発明のプラズマディスプレイパネルの製
造方法においては、あらかじめ、レジスト膜と無機粉体
ペースト層との積層膜を支持フィルム上に形成すること
によって、さらに好適にその効果を発揮する。
In the method of manufacturing a plasma display panel according to the present invention, the effect is more preferably exhibited by forming a laminated film of a resist film and an inorganic powder paste layer on a support film in advance.

【0013】[0013]

【作用】本発明の製造方法において、無機粉体分散ペー
スト層は、無機粉体を分散させた無機粉体分散ペースト
組成物を、剛性を有する基板上に直接塗布して形成され
るのではなく、可撓性を有する支持フィルム上に塗布す
ることにより形成される。このため、当該ペースト状組
成物の塗布方法として、ロールコータなどによる塗布方
法を採用することができ、これにより、膜厚が大きく
て、かつ、膜厚の均一性に優れた無機粉体分散ペースト
層(例えば10μm±1μm)を支持フィルム上に形成
することが可能となる。そして、このようにして形成さ
れた無機粉体分散ペースト層を基板の表面に対して一括
転写するという簡単な操作により、当該無機粉体分散ペ
ースト層を基板上に確実に形成することができる。な
お、当該無機粉体ペースト層上に、特定の感光性レジス
ト組成物を塗布してパターニングを行うことにより、現
像処理におけるアンダーカットを防ぎ、PDPにおける
各構成要素のパターンを高い効率で確実に製造すること
ができるとともに、形成されるパターンの品質の向上
(高精細化)を図ることができる。
In the production method of the present invention, the inorganic powder-dispersed paste layer is not formed by directly applying an inorganic powder-dispersed paste composition in which an inorganic powder is dispersed on a rigid substrate. Formed on a flexible support film. For this reason, as a method for applying the paste-like composition, an application method using a roll coater or the like can be adopted, and thereby, the inorganic powder-dispersed paste having a large film thickness and excellent uniformity of the film thickness can be used. A layer (eg, 10 μm ± 1 μm) can be formed on the support film. Then, the inorganic powder-dispersed paste layer can be reliably formed on the substrate by a simple operation of collectively transferring the inorganic powder-dispersed paste layer thus formed to the surface of the substrate. In addition, by applying a specific photosensitive resist composition on the inorganic powder paste layer and performing patterning, an undercut in a development process is prevented, and a pattern of each component in a PDP is reliably manufactured with high efficiency. And the quality of the formed pattern can be improved (higher definition).

【0014】[0014]

【発明の実施の形態】以下、本発明の製造方法について
詳細に説明する。本発明の製造方法においては、〔1〕
無機粉体分散ペースト層の転写工程、〔2〕レジスト膜
の形成工程、〔3〕レジスト膜の露光工程、〔4〕レジ
スト膜の現像工程、〔5〕無機粉体分散ペースト層のエ
ッチング工程、〔6〕無機粉体分散ペースト層パターン
の焼成工程により、無機パターンを有するパネル材料を
形成する。ここで、無機パターンを有するパネル材料と
は、プラズマディスプレイパネルの構成部品であれば特
に制限はなく、例えば、隔壁、電極、誘電体、抵抗体、
蛍光体、カラーフィルター、ブラックマトリックスなど
が挙げられる。
DESCRIPTION OF THE PREFERRED EMBODIMENTS The production method of the present invention will be described below in detail. In the production method of the present invention, [1]
Transferring the inorganic powder dispersed paste layer, [2] forming the resist film, [3] exposing the resist film, [4] developing the resist film, [5] etching the inorganic powder dispersed paste layer, [6] A panel material having an inorganic pattern is formed by a firing step of the inorganic powder-dispersed paste layer pattern. Here, the panel material having an inorganic pattern is not particularly limited as long as it is a component of the plasma display panel. For example, a partition, an electrode, a dielectric, a resistor,
Examples include a phosphor, a color filter, a black matrix, and the like.

【0015】<無機粉体分散ペースト層の転写工程>図
3および図4は、本発明の製造方法における無機粉体分
散ペースト層の形成工程の一例を示す概略断面図であ
る。図3(イ)において、11はガラス基板である。
<Transfer Step of Inorganic Powder Dispersion Paste Layer> FIGS. 3 and 4 are schematic cross-sectional views showing an example of a step of forming an inorganic powder dispersion paste layer in the production method of the present invention. In FIG. 3A, reference numeral 11 denotes a glass substrate.

【0016】本発明の製造方法においては、転写フィル
ムを使用し、当該転写フィルムを構成する無機粉体分散
ペースト層を基板の表面に転写する点に特徴を有するも
のである。ここに、転写フィルムは、支持フィルムと、
この支持フィルム上に形成された無機粉体分散ペースト
層とを有してなり、当該無機粉体分散ペースト層の表面
には保護フィルム層が設けられていてもよい。転写フィ
ルムの具体的構成については後述する。
The manufacturing method of the present invention is characterized in that a transfer film is used and the inorganic powder-dispersed paste layer constituting the transfer film is transferred to the surface of the substrate. Here, the transfer film is a support film,
An inorganic powder-dispersed paste layer formed on the support film, and a protective film layer may be provided on the surface of the inorganic powder-dispersed paste layer. The specific configuration of the transfer film will be described later.

【0017】転写工程の一例を示せば以下のとおりであ
る。必要に応じて使用される転写フィルムの保護フィル
ム層を剥離した後、図3(ロ)に示すように、ガラス基
板11の表面に、無機粉体分散ペースト層21の表面が
当接されるように転写フィルム20を重ね合わせ、この
転写フィルム20を加熱ローラなどにより熱圧着した
後、無機粉体分散ペースト層21から支持フィルム22
を剥離除去する。これにより、図3(ハ)に示すよう
に、ガラス基板11の表面に無機粉体分散ペースト層2
1が転写されて密着した状態となる。ここで、転写条件
としては、例えば、加熱ローラの表面温度が80〜14
0℃、加熱ローラによるロール圧が1〜5kg/c
2 、加熱ローラの移動速度が0.1〜10.0m/分
を示すことができる。また、ガラス基板は予熱されてい
てもよく、予熱温度としては例えば40〜100℃とす
ることができる。
An example of the transfer step is as follows. After the protective film layer of the transfer film used as necessary is peeled off, the surface of the inorganic powder-dispersed paste layer 21 is brought into contact with the surface of the glass substrate 11 as shown in FIG. After the transfer film 20 is thermocompressed with a heating roller or the like, the transfer film 20 is transferred from the inorganic powder-dispersed paste layer 21 to the support film 22.
Is peeled off. Thereby, as shown in FIG. 3C, the inorganic powder-dispersed paste layer 2
1 is transferred and comes into close contact. Here, as the transfer condition, for example, the surface temperature of the heating roller is 80 to 14
0 ° C, roll pressure by heating roller is 1-5kg / c
m 2 , and the moving speed of the heating roller can be 0.1 to 10.0 m / min. The glass substrate may be preheated, and the preheating temperature may be, for example, 40 to 100 ° C.

【0018】<レジスト膜の形成工程>この工程におい
ては、図3(ニ)に示すように、転写された無機粉体分
散ペースト層21の表面にレジスト膜31を形成する。
このレジスト膜31を構成するレジストとしては、ポジ
型レジストおよびネガ型レジストのいずれであってもよ
く、その具体的組成については後述する。レジスト膜3
1は、スクリーン印刷法、ロール塗布法、回転塗布法、
流延塗布法等種々の方法によってレジストを塗布した
後、塗膜を乾燥することにより形成することができる。
また、支持フィルム上に形成されたレジスト膜を無機粉
体分散ペースト層21の表面に転写することによって形
成してもよい。このような形成方法によれば、レジスト
膜の形成工程における工程改善(高効率化)を図ること
ができるとともに、形成される無機粉体パターンの膜厚
均一性を図ることができる。レジスト膜31の膜厚とし
ては、通常、0.1〜40μm、好ましくは0.5〜2
0μmである。
<Step of Forming Resist Film> In this step, as shown in FIG. 3D, a resist film 31 is formed on the surface of the transferred inorganic powder dispersed paste layer 21.
The resist constituting the resist film 31 may be either a positive resist or a negative resist, and the specific composition thereof will be described later. Resist film 3
1 is screen printing, roll coating, spin coating,
It can be formed by applying a resist by various methods such as a casting coating method and then drying the coating film.
Further, the resist film may be formed by transferring the resist film formed on the support film to the surface of the inorganic powder dispersed paste layer 21. According to such a forming method, it is possible to improve the process (higher efficiency) in the process of forming the resist film, and it is possible to achieve a uniform thickness of the formed inorganic powder pattern. The thickness of the resist film 31 is generally 0.1 to 40 μm, preferably 0.5 to 2 μm.
0 μm.

【0019】〈レジスト膜の露光工程〉この工程におい
ては、図3(ホ)に示すように、無機粉体分散ペースト
層21上に形成されたレジスト膜31の表面に、露光用
マスクMを介して、紫外線などの放射線を選択的照射
(露光)して、レジストパターンの潜像を形成する。同
図において、MAおよびMBは、それぞれ、露光用マス
クMにおける光透過部および遮光部である。ここに、放
射線照射装置としては、前記フォトリソグラフィー法で
使用されている紫外線照射装置、半導体および液晶表示
装置を製造する際に使用されている露光装置など特に限
定されるものではない。
<Resist Film Exposure Step> In this step, as shown in FIG. 3E, the surface of the resist film 31 formed on the inorganic powder dispersed paste layer 21 is exposed through an exposure mask M via an exposure mask M. Then, radiation such as ultraviolet rays is selectively irradiated (exposed) to form a latent image of the resist pattern. In the figure, MA and MB are a light transmitting part and a light shielding part in the exposure mask M, respectively. Here, the radiation irradiating apparatus is not particularly limited, such as an ultraviolet irradiating apparatus used in the photolithography method, an exposure apparatus used in manufacturing a semiconductor and a liquid crystal display device.

【0020】〈レジスト膜の現像工程〉この工程におい
ては、露光されたレジスト膜を現像処理することによ
り、レジストパターン(潜像)を顕在化させる。ここ
に、現像処理条件としては、レジスト膜31の種類など
に応じて、現像液の種類・組成・濃度、現像時間、現像
温度、現像方法(例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、
スプレー法、パドル法)、現像装置などを適宜選択する
ことができる。この現像工程により、図4(ヘ)に示す
ように、レジスト残留部35Aと、レジスト除去部35
Bとから構成されるレジストパターン35(露光用マス
クMに対応するパターン)が形成される。このレジスト
パターン35は、次工程(エッチング工程)におけるエ
ッチングマスクとして作用するものであり、レジスト残
留部35Aの構成材料(光硬化されたレジスト)は、無
機粉体分散ペースト層21の構成材料よりもエッチング
液に対する溶解速度が小さいことが必要である。
<Developing Step of Resist Film> In this step, a resist pattern (latent image) is exposed by developing the exposed resist film. Here, the development processing conditions include the type, composition, and concentration of the developer, the development time, the development temperature, and the development method (for example, the immersion method, the oscillating method, the shower method,
(Spray method, paddle method), a developing device, and the like can be appropriately selected. As a result of this development step, as shown in FIG.
A resist pattern 35 (a pattern corresponding to the exposure mask M) composed of B and B is formed. The resist pattern 35 functions as an etching mask in the next step (etching step), and the constituent material (photocured resist) of the resist remaining portion 35A is smaller than the constituent material of the inorganic powder dispersion paste layer 21. It is necessary that the dissolution rate with respect to the etching solution is low.

【0021】〈無機粉体分散ペースト層のエッチング工
程〉この工程においては、無機粉体分散ペースト層をエ
ッチング処理し、レジストパターンに対応する無機粉体
分散ペースト層のパターンを形成する。すなわち、図4
(ト)に示すように、無機粉体分散ペースト層21のう
ち、レジストパターン35のレジスト除去部35Bに対
応する部分がエッチング液に溶解されて選択的に除去さ
れる。ここに、図4(ト)は、エッチング処理中の状態
を示している。そして、更にエッチング処理を継続する
と、図4(チ)に示すように、無機粉体分散ペースト層
21におけるレジスト除去部に対応する部分でガラス基
板表面が露出する。これにより、材料層残留部25Aと
材料層除去部25Bとから構成される無機粉体分散ペー
スト層パターン25が形成される。ここに、エッチング
処理条件としては、無機粉体分散ペースト層21の種類
などにに応じて、エッチング液の種類・組成・濃度、処
理時間、処理温度、処理方法(例えば浸漬法、揺動法、
シャワー法、スプレー法、パドル法)、処理装置などを
適宜選択することができる。なお、エッチング液とし
て、現像工程で使用した現像液と同一の溶液を使用する
ことができるよう、レジスト膜31および無機粉体分散
ペースト層21の種類を選択することにより、現像工程
と、エッチング工程とを連続的に実施することが可能と
なり、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることが
できる。ここに、レジストパターン35を構成するレジ
スト残留部35Aは、エッチング処理の際に徐々に溶解
され、無機粉体分散ペースト層パターン25が形成され
た段階(エッチング処理の終了時)で完全に除去される
ものであることが好ましい。なお、エッチング処理後に
レジスト残留部35Aの一部または全部が残留していて
も、当該レジスト残留部35Aは、次の焼成工程で除去
される。
<Etching Step of Inorganic Powder Dispersion Paste Layer> In this step, the inorganic powder dispersion paste layer is etched to form a pattern of the inorganic powder dispersion paste layer corresponding to the resist pattern. That is, FIG.
As shown in (g), a portion of the inorganic powder-dispersed paste layer 21 corresponding to the resist removal portion 35B of the resist pattern 35 is dissolved in an etching solution and selectively removed. Here, FIG. 4 (g) shows a state during the etching process. Then, when the etching process is further continued, as shown in FIG. 4H, the surface of the glass substrate is exposed at a portion corresponding to the resist removal portion in the inorganic powder dispersed paste layer 21. Thus, an inorganic powder dispersed paste layer pattern 25 composed of the material layer remaining portion 25A and the material layer removing portion 25B is formed. Here, as the etching treatment conditions, the type, composition, concentration, treatment time, treatment temperature, treatment method (for example, immersion method, rocking method,
A shower method, a spray method, a paddle method), a processing device, and the like can be appropriately selected. The type of the resist film 31 and the type of the inorganic powder-dispersed paste layer 21 are selected so that the same solution as the developing solution used in the developing step can be used as the etching solution. Can be continuously performed, and the manufacturing efficiency can be improved by simplifying the process. Here, the resist remaining portion 35A constituting the resist pattern 35 is gradually dissolved during the etching process, and is completely removed at the stage when the inorganic powder dispersed paste layer pattern 25 is formed (at the end of the etching process). Preferably, it is Even if a part or the whole of the remaining resist portion 35A remains after the etching process, the remaining resist portion 35A is removed in the next baking step.

【0022】<無機粉体分散ペースト層パターンの焼成
工程>この工程においては、無機粉体分散ペースト層パ
ターン25を焼成処理して電極、抵抗体、蛍光体、カラ
ーフィルターまたはブラックマトリックスを形成する。
これにより、材料層残留部中の有機物質が焼失して、金
属層、蛍光体層などの無機物層が形成され、図4(リ)
に示すような、ガラス基板の表面に電極、抵抗体、蛍光
体、カラーフィルターまたはブラックマトリックスのパ
ターン40が形成されてなるパネル材料50を得ること
ができる。ここに、焼成処理の温度としては、材料層残
留部25A中の有機物質が焼失される温度であることが
必要であり、通常、400〜600℃とされる。また、
焼成時間は、通常10〜90分間とされる。
<Baking Step of Inorganic Powder-Dispersed Paste Layer Pattern> In this step, the inorganic powder-dispersed paste layer pattern 25 is baked to form an electrode, a resistor, a phosphor, a color filter or a black matrix.
As a result, the organic substance in the remaining portion of the material layer is burned off, and an inorganic layer such as a metal layer and a phosphor layer is formed.
A panel material 50 in which an electrode, a resistor, a phosphor, a color filter or a black matrix pattern 40 is formed on the surface of a glass substrate as shown in FIG. Here, the temperature of the baking treatment needs to be a temperature at which the organic substance in the material layer residual portion 25A is burned off, and is usually 400 to 600 ° C. Also,
The firing time is generally set to 10 to 90 minutes.

【0023】<好ましい実施形態>本発明の製造方法に
おいては、エッチング液に対して溶解性が異なる複数の
無機粉体分散ペースト層からなる積層体を基板上に転写
形成することが好ましい。このような積層体をエッチン
グ処理することにより、エッチングに対する深さ方向の
異方性が生じるため、矩形状または矩形に近い好ましい
断面形状を有する材料層残留部を形成することができ
る。なお、無機粉体分散ペースト層の積層数は、通常1
0以下とされ、好ましくは2〜5とされる。ここに、n
層の無機粉体分散ペースト層からなる積層体を基板上に
形成する方法としては、(1)支持フィルム上に形成さ
れた無機粉体分散ペースト層(一層)をn回にわたって
転写する方法、(2)n層の無機粉体分散ペースト層か
らなる積層体を一括転写する方法のいずれの方法であっ
てもよいが、転写工程の簡略化の観点からは前記(2)
の方法が好ましい。
<Preferred Embodiment> In the manufacturing method of the present invention, it is preferable that a laminate comprising a plurality of inorganic powder-dispersed paste layers having different solubilities in an etching solution is transferred and formed on a substrate. By performing an etching process on such a stacked body, anisotropy in the depth direction with respect to the etching is generated, so that a material layer remaining portion having a rectangular shape or a preferable cross-sectional shape close to a rectangle can be formed. The number of layers of the inorganic powder dispersion paste layer is usually 1
0 or less, preferably 2 to 5. Where n
As a method for forming a laminate comprising the inorganic powder-dispersed paste layers on a substrate, (1) a method of transferring an inorganic powder-dispersed paste layer (one layer) formed on a support film n times, 2) Any method of batch-transferring a laminate composed of n layers of inorganic powder-dispersed paste layers may be used, but from the viewpoint of simplification of the transfer step, the method of (2)
Is preferred.

【0024】<無機粉体パターンを形成するための他の
方法>本発明における無機粉体パターンの形成方法は、
図3および図4に示したような方法に限定されるもので
はない。ここに、無機粉体パターンを形成するための他
の方法として、下記(1)〜(3)の工程による形成方
法を挙げることができる。 (1)支持フィルム上にレジスト膜を形成した後、当該
レジスト膜上に無機粉体分散ペースト層を積層形成す
る。ここに、レジスト膜および無機粉体分散ペースト層
を形成する際には、ロールコータなどを使用することが
でき、これにより、膜厚の均一性に優れた積層膜を支持
フィルム上に形成することができる。 (2)支持フィルム上に形成されたレジスト膜と無機粉
体分散ペースト層との積層膜を基板上に転写する。ここ
に、転写条件としては前記『無機粉体分散ペースト層の
転写工程』における条件と同様でよい。 (3)前記『レジスト膜の露光工程』、『レジスト膜の
現像工程』、『無機粉体分散ペースト層のエッチング工
程』および『無機粉体分散ペースト層パターンの焼成工
程』と同様の操作を行う。 以上のような方法によれば、無機粉体分散ペースト層と
レジスト膜とが基板上に一括転写されるので、工程の簡
略化による製造効率を更に向上させることができる。
<Another Method for Forming Inorganic Powder Pattern> The method for forming an inorganic powder pattern in the present invention is as follows.
The method is not limited to the method shown in FIGS. Here, as another method for forming the inorganic powder pattern, a forming method by the following steps (1) to (3) can be mentioned. (1) After forming a resist film on a support film, an inorganic powder-dispersed paste layer is laminated on the resist film. Here, when forming the resist film and the inorganic powder-dispersed paste layer, a roll coater or the like can be used, whereby a laminated film having excellent uniformity in film thickness can be formed on the support film. Can be. (2) Transfer a laminated film of a resist film and an inorganic powder-dispersed paste layer formed on a support film onto a substrate. Here, the transfer conditions may be the same as the conditions in the above-mentioned “transfer step of the inorganic powder-dispersed paste layer”. (3) Perform the same operations as those of the above-mentioned “resist film exposure step”, “resist film development step”, “inorganic powder dispersion paste layer etching step” and “inorganic powder dispersion paste layer pattern baking step”. . According to the method as described above, since the inorganic powder-dispersed paste layer and the resist film are collectively transferred onto the substrate, the production efficiency can be further improved by simplifying the steps.

【0025】以下に、前記の各工程に用いられる材料、
各種条件などについて説明する。 <基板>基板材料としては、例えばガラス、シリコン、
ポリカーボネート、ポリエステル、芳香族アミド、ポリ
アミドイミド、ポリイミドなどの絶縁性材料からなる板
状部材である。この板状部材の表面に対しては、必要に
応じて、シランカップリング剤などによる薬品処理;プ
ラズマ処理;イオンプレーティング法、スパッタリング
法、気相反応法、真空蒸着法などによる薄膜形成処理の
ような適宜の前処理を施されていてもよい。
The materials used in each of the above steps are as follows:
Various conditions will be described. <Substrate> As a substrate material, for example, glass, silicon,
It is a plate-like member made of an insulating material such as polycarbonate, polyester, aromatic amide, polyamide imide, and polyimide. The surface of the plate-like member may be subjected to a chemical treatment with a silane coupling agent or the like as necessary; a plasma treatment; a thin film forming treatment by an ion plating method, a sputtering method, a gas phase reaction method, a vacuum deposition method, or the like. Such an appropriate pretreatment may be performed.

【0026】<転写フィルム>本発明の製造方法に用い
る転写フィルムは、支持フィルムと、この支持フィルム
上に形成された無機粉体分散ペースト層とを有してな
り、当該無機粉体分散ペースト層の表面に保護フィルム
層が設けられていてもよい。
<Transfer Film> The transfer film used in the production method of the present invention comprises a support film and an inorganic powder-dispersed paste layer formed on the support film. May be provided with a protective film layer.

【0027】(1)支持フィルム:転写フィルムを構成
する支持フィルムは、耐熱性および耐溶剤性を有すると
共に可撓性を有する樹脂フィルムであることが好まし
い。支持フィルムが可撓性を有することにより、ロール
コータによってペースト状組成物を塗布することがで
き、無機粉体分散ペースト層をロール状に巻回した状態
で保存し、供給することができる。支持フィルムを形成
する樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレー
ト、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポ
リスチレン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリ
塩化ビニル、ポリフロロエチレンなどの含フッ素樹脂、
ナイロン、セルロースなどを挙げることができる。支持
フィルムの厚さとしては、例えば20〜100μmとさ
れる。
(1) Support Film: The support film constituting the transfer film is preferably a resin film having heat resistance and solvent resistance and having flexibility. When the support film has flexibility, the paste-like composition can be applied by a roll coater, and the inorganic powder-dispersed paste layer can be stored and supplied in a rolled state. As the resin forming the support film, for example, polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, fluorine-containing resin such as polyfluoroethylene,
Examples include nylon and cellulose. The thickness of the support film is, for example, 20 to 100 μm.

【0028】(2)無機粉体分散ペースト層:転写フィ
ルムを構成する無機粉体分散ペースト層は、無機粉体、
結着樹脂および溶剤を必須成分として含有するペースト
状の無機粉体分散ペースト組成物(例えば、隔壁形成用
組成物、電極形成用組成物、誘電体形成用組成物、抵抗
体形成用組成物、蛍光体形成用組成物、カラーフィルタ
ー形成用組成物、ブラックマトリックス形成用組成物な
ど)を前記支持フィルム上に塗布し、塗膜を乾燥して溶
剤の一部又は全部を除去することにより形成することが
できる。
(2) Inorganic powder-dispersed paste layer: The inorganic powder-dispersed paste layer constituting the transfer film is composed of inorganic powder,
A paste-like inorganic powder-dispersed paste composition containing a binder resin and a solvent as essential components (for example, a composition for forming a partition, a composition for forming an electrode, a composition for forming a dielectric, a composition for forming a resistor, A composition for forming a phosphor, a composition for forming a color filter, a composition for forming a black matrix, etc.) on the support film, and drying the coating film to remove a part or all of the solvent. be able to.

【0029】(3)無機粉体分散ペースト組成物 転写フィルムを作製するために使用される無機粉体分散
ペースト組成物は、(a)無機粉体、(b)バインダー
および(c)溶剤を含有してなるペースト状の組成物で
ある。
(3) Inorganic powder-dispersed paste composition The inorganic powder-dispersed paste composition used for producing a transfer film contains (a) an inorganic powder, (b) a binder and (c) a solvent. It is a paste-like composition obtained by the following.

【0030】(a)無機粉体 本発明の無機粉体分散ペースト組成物に使用される無機
粉体は、形成材料の種類によって異なる。例えば、隔壁
形成材料および誘電体形成用材料に使用される無機粉体
としては、ガラス粉体、好ましくは軟化点が400〜6
00℃のガラス粉体が挙げられる。電極形成材料に使用
される無機粉体としては、Ag、Au、Al、Ni、Ag-Pd合
金、Cu、Crなどを挙げることができる。抵抗体形成材料
に使用される無機粉体としては、RuO2などを挙げること
ができる。蛍光体形成材料に使用される無機粉体は、Y2
O3:Eu3+ 、Y2SiO5:Eu3+、Y3Al5O12:Eu3+、YVO4:Eu3+
(Y,Gd)BO3:Eu3+、Zn3(PO4)2:Mnなどの赤色用蛍光体;Zn
2SiO4:Mn、BaAl12O19:Mn、BaMgAl14O23:Mn、LaPO4:(Ce,
Tb)、Y3(Al,Ga)5O12:Tbなどの緑色用蛍光体;Y2SiO5:C
e、BaMgAl10O17:Eu2+、BaMgAl14O23:Eu2+、(Ca,Sr,Ba)
10(PO4)6Cl2:Eu2+、(Zn,Cd)S:Agなどの青色用蛍光体を
挙げることができる。カラーフィルター形成材料に使用
される無機粉体は、Fe2O3、Pb3O4、CdS、CdSe、 PbCr
O4、PbSO4、Fe(NO3)3などの赤色用顔料;Cr2O3、TiO2-C
oO-NiO-ZnO、CoO-CrO-TiO2-Al2O3、Co3(PO4)2、CoO-ZnO
などの緑色用顔料;2(Al2Na2Si3O10)・Na2S4)、CoO-Al
2O3などの青色用顔料の他、色補正用の無機顔料とし
て、PbCrO4-PbSO4、PbCrO4、PbCrO4-PbO、CdS、TiO2-Ni
O-Sb2O3などの黄色顔料;Pb(Cr-Mo-S)O4などの橙色顔
料;Co3(PO4)2などの紫色顔料を挙げることができる。
ブラックマトリックス形成材料に使用される無機粉体と
しては、Mn、Fe、Crなどを挙げることができる。
(A) Inorganic Powder The inorganic powder used in the inorganic powder-dispersed paste composition of the present invention varies depending on the type of the forming material. For example, as the inorganic powder used for the partition wall forming material and the dielectric forming material, glass powder, preferably having a softening point of 400 to 6 is used.
Glass powder at 00 ° C. is exemplified. Examples of the inorganic powder used for the electrode forming material include Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd alloy, Cu, and Cr. Examples of the inorganic powder used for the resistor forming material include RuO 2 . The inorganic powder used for the phosphor forming material is Y 2
O 3 : Eu 3+ , Y 2 SiO 5 : Eu 3+ , Y 3 Al 5 O 12 : Eu 3+ , YVO 4 : Eu 3+ ,
Red phosphor such as (Y, Gd) BO 3 : Eu 3+ , Zn 3 (PO 4 ) 2 : Mn; Zn
2 SiO 4 : Mn, BaAl 12 O 19 : Mn, BaMgAl 14 O 23 : Mn, LaPO 4 : (Ce,
Green phosphors such as Tb) and Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Tb; Y 2 SiO 5 : C
e, BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ , BaMgAl 14 O 23 : Eu 2+ , (Ca, Sr, Ba)
Blue phosphors such as 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu 2+ and (Zn, Cd) S: Ag can be given. The inorganic powder used for the color filter forming material is Fe 2 O 3 , Pb 3 O 4 , CdS, CdSe, PbCr
Red pigments such as O 4 , PbSO 4 , Fe (NO 3 ) 3 ; Cr 2 O 3 , TiO 2 -C
oO-NiO-ZnO, CoO-CrO-TiO 2 -Al 2 O 3 , Co 3 (PO4) 2 , CoO-ZnO
Green pigments such as 2 (Al 2 Na 2 Si 3 O 10 ) ・ Na 2 S 4 ), CoO-Al
In addition to blue pigments such as 2 O 3 , PbCrO 4 -PbSO 4 , PbCrO 4 , PbCrO 4 -PbO, CdS, TiO 2 -Ni as inorganic pigments for color correction
Yellow pigments such as O-Sb 2 O 3; Pb (Cr-Mo-S) O 4 orange pigments such as; Co 3 (PO 4) can be cited purple pigments such as 2.
Examples of the inorganic powder used for the black matrix forming material include Mn, Fe, and Cr.

【0031】(b)バインダー 本発明の無機粉体分散ペースト組成物に使用されるバイ
ンダーとしては、種々の樹脂を用いることができるが、
アルカリ可溶性樹脂を30〜100重量%の割合で含有
するバインダーを用いることが特に好ましい。ここに、
「アルカリ可溶性」とは、後述するアルカリ性のエッチ
ング液によって溶解し、目的とするエッチング処理が遂
行される程度に溶解性を有する性質をいう。かかるアル
カリ可溶性樹脂の具体例としては、例えば(メタ)アク
リル系樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹
脂、ポリエステル樹脂などを挙げることができる。この
ようなアルカリ可溶性樹脂のうち、特に好ましいものと
しては、下記のモノマー(イ)とモノマー(ロ)との共
重合体、又はモノマー(イ)と、モノマー(ロ)とモノ
マー(ハ)との共重合体を挙げることができる。
(B) Binder As the binder used in the inorganic powder-dispersed paste composition of the present invention, various resins can be used.
It is particularly preferable to use a binder containing 30 to 100% by weight of an alkali-soluble resin. here,
The term “alkali-soluble” refers to a property of being dissolved by an alkaline etchant described below and having such solubility that the desired etching treatment is performed. Specific examples of such alkali-soluble resins include, for example, (meth) acrylic resins, hydroxystyrene resins, novolak resins, polyester resins, and the like. Among such alkali-soluble resins, particularly preferred are a copolymer of the following monomer (a) and monomer (b), or a copolymer of monomer (a), monomer (b) and monomer (c): Copolymers can be mentioned.

【0032】モノマー(イ):アクリル酸、メタクリル
酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、
シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸などのカルボキシ
ル基含有モノマー類;(メタ)アクリル酸2−ヒドロキ
シエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピ
ル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピルなどの
水酸基含有モノマー類;o−ヒドロキシスチレン、m−
ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレンなどのフ
ェノール性水酸基含有モノマー類などに代表されるアル
カリ可溶性官能基含有モノマー類。 モノマー(ロ):(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)
アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メ
タ)アクリル酸ベンジル、グリシジル(メタ)アクリレ
ート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレートなどの
モノマー(イ)以外の(メタ)アクリル酸エステル類;
スチレン、α−メチルスチレンなどの芳香族ビニル系モ
ノマー類;ブタジエン、イソプレンなどの共役ジエン類
などに代表されるモノマー(イ)と共重合可能なモノマ
ー類。 モノマー(ハ):ポリスチレン、ポリ(メタ)アクリル
酸メチル、ポリ(メタ)アクリル酸エチル、ポリ(メ
タ)アクリル酸ベンジル等のポリマー鎖の一方の末端
に、(メタ)アクリロイル基などの重合性不飽和基を有
するマクロモノマーなどに代表されるマクロモノマー
類:
Monomers (A): acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid,
Carboxyl group-containing monomers such as citraconic acid, mesaconic acid, and cinnamic acid; hydroxyl group-containing such as 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate Monomers; o-hydroxystyrene, m-
Alkali-soluble functional group-containing monomers represented by phenolic hydroxyl group-containing monomers such as hydroxystyrene and p-hydroxystyrene. Monomer (b): methyl (meth) acrylate, (meth)
(Meth) acrylates other than the monomer (a) such as ethyl acrylate, butyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, and dicyclopentanyl (meth) acrylate;
Aromatic vinyl monomers such as styrene and α-methylstyrene; and monomers copolymerizable with monomers (a) represented by conjugated dienes such as butadiene and isoprene. Monomer (c): A polymerizable polymer such as a (meth) acryloyl group is attached to one end of a polymer chain such as polystyrene, poly (methyl) methacrylate, ethyl poly (meth) acrylate, and benzyl poly (meth) acrylate. Macromonomers represented by macromonomers having a saturated group:

【0033】無機粉体分散ペースト組成物におけるバイ
ンダーの含有割合としては、無機粉体100重量部に対
して、通常1〜50重量部とされ、好ましくは1〜40
重量部とされる。
The content ratio of the binder in the inorganic powder-dispersed paste composition is usually 1 to 50 parts by weight, preferably 1 to 40 parts by weight, per 100 parts by weight of the inorganic powder.
Parts by weight.

【0034】(c)溶剤 無機粉体分散ペースト組成物を構成する溶剤は、当該無
機粉体分散ペースト組成物に、適当な流動性または可塑
性、良好な膜形成性を付与するために含有される。無機
粉体分散ペースト組成物を構成する溶剤としては、特に
制限されるものではなく、例えばエーテル類、エステル
類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル
類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、ラクト
ン類、スルホキシド類、スルホン類、炭化水素類、ハロ
ゲン化炭化水素類などを挙げることができる。かかる溶
剤の具体例としては、テトラヒドロフラン、アニソー
ル、ジオキサン、エチレングリコールモノアルキルエー
テル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、
プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピ
レングリコールジアルキルエーテル類、酢酸エステル
類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステ
ル類、プロピオン酸エステル類、ヒドロキシプロピオン
酸エステル類、アルコキシプロピオン酸エステル類、乳
酸エステル類、エチレングリコールモノアルキルエーテ
ルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエ
ーテルアセテート類、アルコキシ酢酸エステル類、環式
ケトン類、非環式ケトン類、アセト酢酸エステル類、ピ
ルビン酸エステル類、N,N−ジアルキルホルムアミド
類、N,N−ジアルキルアセトアミド類、N−アルキル
ピロリドン類、γ−ラクトン類、ジアルキルスルホキシ
ド類、ジアルキルスルホン類、ターピネオール、N−メ
チル−2−ピロリドンなどを挙げることができ、これら
は単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることがで
きる。無機粉体分散ペースト組成物における溶剤の含有
割合としては、良好な膜形成性(流動性または可塑性)
が得られる範囲内において適宜選択することができる。
(C) Solvent The solvent constituting the inorganic powder-dispersed paste composition is contained in order to impart appropriate fluidity or plasticity and good film-forming properties to the inorganic powder-dispersed paste composition. . Solvents constituting the inorganic powder dispersion paste composition are not particularly limited, for example, ethers, esters, ether esters, ketones, ketone esters, amides, amide esters, lactams, Lactones, sulfoxides, sulfones, hydrocarbons, halogenated hydrocarbons and the like can be mentioned. Specific examples of such a solvent include tetrahydrofuran, anisole, dioxane, ethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol dialkyl ethers,
Propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, acetates, hydroxyacetates, alkoxyacetates, propionates, hydroxypropionates, alkoxypropionates, lactates, ethylene glycol Monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether acetates, alkoxyacetates, cyclic ketones, acyclic ketones, acetoacetates, pyruvates, N, N-dialkylformamides, N, N-dialkylacetamides, N-alkylpyrrolidones, γ-lactones, dialkylsulfoxides, dialkylsulfones, terpineol, N-methyl-2-pyrrolide And the like can be illustrated, it may be used alone or in combination of two or more. As the content ratio of the solvent in the inorganic powder dispersion paste composition, a good film-forming property (flowability or plasticity)
Can be appropriately selected within a range in which is obtained.

【0035】無機粉体分散ペースト組成物には、任意成
分として、可塑剤、現像促進剤、接着助剤、ハレーショ
ン防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸
収剤、フィラー、低融点ガラス等の各種添加剤が含有さ
れていてもよい。
The inorganic powder-dispersed paste composition may contain, as optional components, a plasticizer, a development accelerator, an adhesion aid, an antihalation agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a filler, Various additives such as low melting point glass may be contained.

【0036】無機粉体分散ペースト組成物を支持フィル
ム上に塗布する方法としては、膜厚の均一性に優れた膜
厚の大きい(例えば10μm以上)塗膜を効率よく形成
することができるものであることが必要とされ、具体的
には、ロールコータによる塗布方法、ドクターブレード
による塗布方法、カーテンコーターによる塗布方法、ワ
イヤーコーターによる塗布方法などを好ましいものとし
て挙げることができる。なお、無機粉体分散ペースト組
成物が塗布される支持フィルムの表面には離型処理が施
されていることが好ましい。これにより、後述する転写
工程において、支持フィルムの剥離操作を容易に行うこ
とができる。
As a method of applying the inorganic powder-dispersed paste composition on a support film, a method capable of efficiently forming a large (for example, 10 μm or more) coating film having excellent uniformity of the film thickness is used. It is necessary that the coating method be used, and specific examples thereof include a coating method using a roll coater, a coating method using a doctor blade, a coating method using a curtain coater, and a coating method using a wire coater. In addition, it is preferable that the surface of the support film to which the inorganic powder-dispersed paste composition is applied is subjected to a release treatment. Thereby, in the transfer step described later, the operation of peeling the support film can be easily performed.

【0037】塗膜の乾燥条件としては、例えば、50〜
150℃で0.5〜30分間程度とされ、乾燥後におけ
る溶剤の残存割合(無機粉体分散ペースト層中の含有
率)は、通常2重量%以内とされる。
The drying conditions of the coating film are, for example, 50 to
The drying is performed at 150 ° C. for about 0.5 to 30 minutes, and the residual ratio of the solvent after drying (content in the inorganic powder dispersed paste layer) is usually within 2% by weight.

【0038】上記のようにして支持フィルム上に形成さ
れる無機粉体分散ペースト層の厚さとしては、無機粉末
の含有率、部材の種類やサイズなどによっても異なる
が、例えば10〜100μmとされる。なお、無機粉体
分散ペースト層の表面に設けられることのある保護フィ
ルム層としては、ポリエチレンフィルム、ポリビニルア
ルコール系フィルムなどを挙げることができる。
The thickness of the inorganic powder-dispersed paste layer formed on the support film as described above varies depending on the content of the inorganic powder, the type and size of the member, and is, for example, 10 to 100 μm. You. In addition, as a protective film layer which may be provided on the surface of the inorganic powder dispersion paste layer, a polyethylene film, a polyvinyl alcohol-based film, or the like can be used.

【0039】<レジスト膜(レジスト組成物)>本発明
の製造方法においては、基板上に転写された無機粉体分
散ペースト層上にレジスト膜が形成され、当該レジスト
膜に露光処理および現像処理を施すことにより、前記無
機粉体分散ペースト層上にレジストパターンが形成され
る。本発明の製造方法において用いられるレジスト膜
は、光ラジカル発生剤として、上記式(1)で表される
化合物を含有する点に特徴を有する。当該レジスト膜を
形成するために用いられるレジスト組成物は、(A)バ
インダーポリマー、(B)多官能性モノマー、および
(C)光ラジカル発生剤として上記式(1)で表される
化合物、を必須成分として含有する。
<Resist Film (Resist Composition)> In the production method of the present invention, a resist film is formed on the inorganic powder-dispersed paste layer transferred onto the substrate, and the resist film is subjected to an exposure treatment and a development treatment. The application forms a resist pattern on the inorganic powder-dispersed paste layer. The resist film used in the production method of the present invention is characterized in that it contains a compound represented by the above formula (1) as a photoradical generator. The resist composition used to form the resist film includes (A) a binder polymer, (B) a polyfunctional monomer, and (C) a compound represented by the above formula (1) as a photoradical generator. Contains as an essential component.

【0040】(A)バインダーポリマー レジスト組成物に用いられるバインダーポリマー(A)
は、分子中に少なくとも1個以上のカルボキシル基を有
するエチレン不飽和性のカルボキシル基含有単量体(A
−1)と、このカルボキシル基含有単量体(A−1)と
共重合可能な共重合性単量体(A−2)とよりなる単量
体組成物を重合することにより得られるカルボキシル基
含有共重合体であることが好ましい。
(A) Binder polymer Binder polymer (A) used in resist composition
Is an ethylenically unsaturated carboxyl group-containing monomer having at least one carboxyl group in the molecule (A
-1) and a carboxyl group obtained by polymerizing a monomer composition comprising a copolymerizable monomer (A-2) copolymerizable with the carboxyl group-containing monomer (A-1). It is preferable to be a containing copolymer.

【0041】カルボキシル基含有単量体(A−1)の具
体例としては、(イ)アクリル酸、メタクリル酸、クロ
トン酸などの不飽和モノカルボン酸、(ロ)イタコン
酸、マレイン酸、フマル酸などの不飽和ジカルボン酸、
および(ハ)その他の不飽和カルボン酸が挙げられる。
これらは単独で若しくは2種類以上を組み合わせて用い
ることができる。
Specific examples of the carboxyl group-containing monomer (A-1) include (a) unsaturated monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid and crotonic acid, (b) itaconic acid, maleic acid and fumaric acid. Unsaturated dicarboxylic acids, such as
And (c) other unsaturated carboxylic acids.
These can be used alone or in combination of two or more.

【0042】上記のカルボキシル基含有単量体(A−
1)に由来する構成単位を含有する共重合体は、アルカ
リ溶解性を有し、特に上記の割合で単量体(A−1)を
用いることにより得られる共重合体は、アルカリ現像液
に対して優れた溶解性を有するものとなり、従って、こ
れを(A)成分として用いた感光性レジスト組成物は、
アルカリ現像液に対する未溶解物の生成が本質的に少な
いものとなり、現像処理において基板のレジストパター
ン形成部以外の個所における地汚れ、膜残りなどが発生
しにくいものである。また、この共重合体を(A)成分
とする場合に得られるレジストパターンは、アルカリ現
像液に過剰に溶解することがなく、無機粉体ペースト層
に対して優れた密着性を有するため、無機粉体ペースト
層から脱落しにくいものである。
The carboxyl group-containing monomer (A-
The copolymer containing the structural unit derived from 1) has alkali solubility, and particularly, the copolymer obtained by using the monomer (A-1) in the above ratio is used in an alkali developer. Therefore, the photosensitive resist composition using this as the component (A) has excellent solubility.
The generation of undissolved substances in the alkali developing solution is essentially reduced, and background contamination, film residue, and the like are less likely to occur in portions other than the resist pattern forming portion of the substrate in the developing process. Further, the resist pattern obtained when this copolymer is used as the component (A) does not dissolve excessively in an alkali developing solution and has excellent adhesion to the inorganic powder paste layer. It is hard to fall off from the powder paste layer.

【0043】共重合性単量体(A−2)の具体例として
は、(イ)スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトル
エンなどの芳香族ビニル化合物類、(ロ)メチルアクリ
レート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、
エチルメタクリレート、ブチルアクリレート、ブチルメ
タクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2
−ヒドロキシエチルメタクリレート、ベンジルアクリレ
ート、ベンジルメタクリレートなどの不飽和カルボン酸
アルキルエステル類、(ハ)アミノエチルアクリレート
などの不飽和カルボン酸アミノアルキルエステル類、
(ニ)グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレ
ートなどの不飽和カルボン酸グリシジルエステル類、
(ホ)酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのカルボン
酸ビニルエステル類、(ヘ)アクリロニトリル、メタク
リロニトリル、α−クロルアクリロニトリルなどのシア
ン化ビニル化合物類、(ト)1,3−ブタジエン、イソ
プレンなどの脂肪族共役ジエン類、(チ)それぞれ末端
にアクリロイル基またはメタクリロイル基を有するポリ
スチレン、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタク
リレート、ポリブチルアクリレート、ポリブチルメタク
リレート、ポリシリコーンなどのマクロモノマー類など
が挙げられる。これらは、単独で若しくは2種類以上を
組み合わせて用いることができる。
Specific examples of the copolymerizable monomer (A-2) include (a) aromatic vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene and vinyltoluene, (b) methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl Acrylate,
Ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2
-Unsaturated carboxylic acid alkyl esters such as hydroxyethyl methacrylate, benzyl acrylate and benzyl methacrylate; (c) unsaturated carboxylic acid aminoalkyl esters such as aminoethyl acrylate;
(D) unsaturated carboxylic acid glycidyl esters such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate;
(E) vinyl carboxylate esters such as vinyl acetate and vinyl propionate; (f) vinyl cyanide compounds such as acrylonitrile, methacrylonitrile and α-chloroacrylonitrile; (g) 1,3-butadiene, isoprene and the like. Aliphatic conjugated dienes, and (h) macromonomers such as polystyrene, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polybutyl acrylate, polybutyl methacrylate, and polysilicone each having an acryloyl group or a methacryloyl group at each terminal. These can be used alone or in combination of two or more.

【0044】上記カルボキシル基含有単量体(A−1)
と共重合性単量体(A−2)とを共重合して得られるバ
インダーポリマー(A)の好ましい具体例としては、メ
タクリル酸/ベンジルメタクリレート/スチレン共重合
体、メタクリル酸/メチルメタクリレート/スチレン共
重合体、メタクリル酸/ベンジルメタクリレート/ポリ
スチレンマクロモノマー共重合体、メタクリル酸/メチ
ルメタクリレート/ポリスチレンマクロモノマー共重合
体などが挙げられる。
The carboxyl group-containing monomer (A-1)
Specific examples of the binder polymer (A) obtained by copolymerizing the copolymer with the copolymerizable monomer (A-2) include methacrylic acid / benzyl methacrylate / styrene copolymer, methacrylic acid / methyl methacrylate / styrene. Copolymers, methacrylic acid / benzyl methacrylate / polystyrene macromonomer copolymers, methacrylic acid / methyl methacrylate / polystyrene macromonomer copolymers and the like can be mentioned.

【0045】バインダーポリマー(A)におけるカルボ
キシル基含有単量体(A−1)の共重合割合は、単量体
全量に対して5〜50重量%、特に、10〜40重量%
であることが好ましい。カルボキシル基含有単量体(A
−1)の共重合割合が5重量%未満の場合には、得られ
るレジスト組成物は、アルカリ現像液に対する溶解性が
低くなる傾向がある。一方、カルボキシル基含単量体
(A−1)の共重合割合が50重量%を超える場合に
は、現像時にレジストパターンが無機粉体ペースト層か
ら脱落する傾向がある。
The copolymerization ratio of the carboxyl group-containing monomer (A-1) in the binder polymer (A) is from 5 to 50% by weight, especially from 10 to 40% by weight, based on the total amount of the monomers.
It is preferred that Carboxyl group-containing monomer (A
When the copolymerization ratio of -1) is less than 5% by weight, the obtained resist composition tends to have low solubility in an alkali developing solution. On the other hand, when the copolymerization ratio of the carboxyl group-containing monomer (A-1) exceeds 50% by weight, the resist pattern tends to fall off from the inorganic powder paste layer during development.

【0046】このようなバインダーポリマー(A)は、
ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC、キ
ャリアー:テトラヒドロフラン)で測定されるポリスチ
レン換算重量平均分子量(以下、単に「重量平均分子
量」という。)が、3000〜300000、特に50
00〜200000であることが好ましい。このような
分子量を有するバインダーポリマーを用いることによっ
て、現像性の高いレジスト組成物が得られ、これによ
り、シャープなパターンエッジを有するレジストパター
ンを形成することができると共に、均一なパターンを有
するカラーフィルターを形成できる。
Such a binder polymer (A) is
The weight average molecular weight in terms of polystyrene (hereinafter, simply referred to as “weight average molecular weight”) measured by gel permeation chromatography (GPC, carrier: tetrahydrofuran) is 3000 to 300000, particularly 50.
It is preferably from 00 to 200,000. By using a binder polymer having such a molecular weight, a resist composition having high developability can be obtained, whereby a resist pattern having a sharp pattern edge can be formed, and a color filter having a uniform pattern can be obtained. Can be formed.

【0047】(B)多官能性モノマー 多官能性モノマー(B)の好ましい具体例としては、ト
リメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリス
リトールトリアクリレート、トリスアクリロイルオキシ
エチルフォスフェート、ペンタエリスリトールテトラア
クリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレー
ト、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどの
3官能以上の多官能アクリレート類、およびこれらのオ
リゴマーが挙げられる。これらの中で、トリメチロール
プロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペ
ンタアクリレートまたはペンタエリスリトールトリアク
リレートが、レジストパターンの強度が高く、パターン
形成部以外での地汚れまたは膜残りが発生しにくい点で
特に好ましい。
(B) Polyfunctional Monomer Preferred specific examples of the polyfunctional monomer (B) include trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, trisacryloyloxyethyl phosphate, pentaerythritol tetraacrylate, and dipentaerythritol. Examples include trifunctional or higher polyfunctional acrylates such as pentaacrylate and dipentaerythritol hexaacrylate, and oligomers thereof. Among them, trimethylolpropane triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate or pentaerythritol triacrylate is particularly preferable since the strength of the resist pattern is high and background stain or film residue is hardly generated in portions other than the pattern forming portion.

【0048】多官能性モノマー(B)の使用割合は、バ
インダーポリマー(A)100重量部に対して、通常、
5〜500重量部、好ましくは20〜300重量部であ
る。この割合が5重量部未満である場合には、レジスト
パターン強度が不十分なものとなりやすい傾向がある。
一方、この割合が500重量部を超える場合には、アル
カリ解像性が低下したり、レジストパターン形成部以外
の地汚れ、膜残りなどが発生したりする傾向がある。
The proportion of the polyfunctional monomer (B) used is usually 100 parts by weight of the binder polymer (A).
It is 5 to 500 parts by weight, preferably 20 to 300 parts by weight. If this proportion is less than 5 parts by weight, the resist pattern strength tends to be insufficient.
On the other hand, when this proportion exceeds 500 parts by weight, the alkali resolution tends to decrease, and background stains other than the resist pattern forming portion, film residue, and the like tend to occur.

【0049】(C)光ラジカル発生剤 本発明において、(C)成分の光ラジカル発生剤として
は、前記式(1)で表される化合物、すなわち、ビス
(2,6−ジメトキシベンゾイル)−2,4,4−トリ
メチルペンチルフォスフィンオキサイド(以下、「特定
化合物」ともいう)が用いられる。この特定化合物より
なる光ラジカル発生剤が含有されることにより、少ない
照射エネルギー量の放射線照射処理によって硬化反応が
十分に達成されると共に、放射線が照射されない個所に
おいては硬化反応が生ずることがなく、その結果、放射
線照射処理後における塗膜は、アルカリ現像液に対して
不溶性の硬化部分と、アルカリ現像液に対して高い溶解
性を有する未硬化部分とが形成された状態となる。
(C) Photo-Radical Generator In the present invention, the photo-radical generator of the component (C) is a compound represented by the formula (1), that is, bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2. , 4,4-trimethylpentylphosphine oxide (hereinafter also referred to as "specific compound") is used. By containing the photo-radical generator composed of this specific compound, the curing reaction is sufficiently achieved by the radiation irradiation treatment with a small irradiation energy amount, and the curing reaction does not occur at the place where the radiation is not irradiated, As a result, the coating film after the irradiation treatment is in a state in which a cured portion insoluble in an alkali developing solution and an uncured portion having high solubility in an alkali developing solution are formed.

【0050】特定化合物の使用割合は、多官能性モノマ
ー(B)100重量部に対して、0.01〜200重量
部、特に、1〜120重量部であることが好ましい。こ
の割合が0.01重量部未満の場合には、放射線照射処
理において十分に硬化反応が行われず、レジストパター
ンにアンダーカットが生じる場合がある。また、この割
合が200重量部を超える場合には、現像時にレジスト
パターンが基板から脱落する傾向があり、また、レジス
トパターン形成部以外での地汚れ、膜残りなどが発生す
る場合がある。
The specific compound is preferably used in an amount of 0.01 to 200 parts by weight, more preferably 1 to 120 parts by weight, based on 100 parts by weight of the polyfunctional monomer (B). If the proportion is less than 0.01 parts by weight, the curing reaction may not be sufficiently performed in the irradiation treatment, and the resist pattern may be undercut. If this proportion exceeds 200 parts by weight, the resist pattern tends to fall off the substrate during development, and background contamination and film residue may occur at portions other than the resist pattern forming portion.

【0051】また、本発明においては、(C)成分の特
定の化合物と共に、他の光ラジカル発生剤を併用するこ
とができる。他の光ラジカル発生剤の具体例としては、
2,2’−ビス(2−クロルフェニル)−4,4’,
5,5’−テトラキス(4−エトキシカルボニルフェニ
ル)ビイミダゾール、2,2’−ビス(2−ブロモフェ
ニル)−4,4’,5,5’−テトラキス(4−エトキ
シカルボニルフェニル)ビイミダゾール、2,2’−ビ
ス(2,4−ジクロロフェニル)−4,4’,5,5’
−テトラフェニルビイミダゾール、2,2’−ビス
(2,4−ジブロモフェニル)−4,4’,5,5’−
テトラフェニルビイミダゾール、2,2’−ビス(2,
4,6−トリクロロフェニル)−4,4’,5,5’−
テトラフェニルビイミダゾール、2,2’−ビス(2,
4,6−トリブロモフェニル)−4,4’,5,5’−
テトラフェニルビイミダゾール、2−ヒドロキシ−2−
メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−(4−
イソプロピルフェニル)−2−ヒドロキシ−2−メチル
プロパン−1−オン、4−(2−ヒドロキシエトキシ)
フェニル−(2−ヒドロキシ−2−プロピル)ケトン、
1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2,2
−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2−メチ
ル(4−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノ−1
−プロパン−1−オン、2−ベンジル−2−ジメチルア
ミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1
−オン、ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジメチルア
ミノ)ベンゾフェノン、4,4’−ビス(ジエチルアミ
ノ)ベンゾフェノン、2,4−ジエチルチオキサント
ン、3,3−ジメチル−4−メトキシベンゾフェノン、
4−アジドベンズアルデヒド、4−アジドアセトフェノ
ン、4−アジドベンザルアセトフェノン、アジドピレ
ン、4−ジアゾジフェニルアミン、4−ジアゾ−4’−
メトキシ−ジフェニルアミン、4−ジアゾ−3−メトキ
シ−ジフェニルアミン、ジベンゾイル、ベンゾインチノ
イソブチルエーテル、N−フェニル−チオアクリドン、
トリフェニルピリリウムパークロレートなどが挙げられ
る。
In the present invention, another photo-radical generator can be used in combination with the specific compound (C). Specific examples of other photoradical generators include:
2,2′-bis (2-chlorophenyl) -4,4 ′,
5,5′-tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2′-bis (2-bromophenyl) -4,4 ′, 5,5′-tetrakis (4-ethoxycarbonylphenyl) biimidazole, 2,2'-bis (2,4-dichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'
-Tetraphenylbiimidazole, 2,2'-bis (2,4-dibromophenyl) -4,4 ', 5,5'-
Tetraphenylbiimidazole, 2,2′-bis (2,
4,6-trichlorophenyl) -4,4 ', 5,5'-
Tetraphenylbiimidazole, 2,2′-bis (2,
4,6-tribromophenyl) -4,4 ', 5,5'-
Tetraphenylbiimidazole, 2-hydroxy-2-
Methyl-1-phenylpropan-1-one, 1- (4-
Isopropylphenyl) -2-hydroxy-2-methylpropan-1-one, 4- (2-hydroxyethoxy)
Phenyl- (2-hydroxy-2-propyl) ketone,
1-hydroxycyclohexylphenyl ketone, 2,2
-Dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-methyl (4-methylthiophenyl) -2-morpholino-1
-Propan-1-one, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butane-1
-One, benzophenone, 4,4'-bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 2,4-diethylthioxanthone, 3,3-dimethyl-4-methoxybenzophenone,
4-azidobenzaldehyde, 4-azidoacetophenone, 4-azidobenzalacetophenone, azidopyrene, 4-diazodiphenylamine, 4-diazo-4'-
Methoxy-diphenylamine, 4-diazo-3-methoxy-diphenylamine, dibenzoyl, benzoinnoisobutylether, N-phenyl-thioacridone,
Triphenylpyrylium perchlorate and the like.

【0052】これらの中で、2−ヒドロキシ−2−メチ
ル−1−フェニルプロパン−1−オン、2−メチル(4
−メチルチオフェニル)−2−モルフォリノ−1−プロ
パン−1−オンまたは2−ベンジル−2−ジメチルアミ
ノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−
オンが、現像時に基板からのレジストパターンの脱落が
発生しないこと、高いレジストパターン強度または感度
が得られることなどの点で好ましい。当該他の光ラジカ
ル発生剤の使用割合は、光ラジカル発生剤全体における
80重量%以下であることが好ましい。
Among these, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 2-methyl (4
-Methylthiophenyl) -2-morpholino-1-propan-1-one or 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butane-1-
ON is preferable in that the resist pattern does not drop off from the substrate during development and high resist pattern strength or sensitivity can be obtained. The usage ratio of the other photo radical generator is preferably 80% by weight or less based on the entire photo radical generator.

【0053】(D)溶剤 本発明で用いられるレジスト組成物には、当該感光性レ
ジスト組成物に適当な流動性または可塑性、良好な膜形
成性を付与するために、通常、溶剤が含有される。レジ
スト組成物に含有される溶剤としては、特に制限される
ものではなく、例えば、エーテル類、エステル類、エー
テルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド
類、アミドエステル類、ラクタム類、ラクトン類、スル
ホキシド類、スルホン類、炭化水素類、ハロゲン化炭化
水素類などを挙げることができる。かかる溶剤の具体例
としては、テトラヒドロフラン、アニソール、ジオキサ
ン、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエ
チレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレング
リコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコー
ルジアルキルエーテル類、酢酸エステル類、ヒドロキシ
酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、プロピオ
ン酸エステル類、ヒドロキシプロピオン酸エステル類、
アルコキシプロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、
エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート
類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテ
ート類、アルコキシ酢酸エステル類、環式ケトン類、非
環式ケトン類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エス
テル類、N,N−ジアルキルホルムアミド類、N,N−
ジアルキルアセトアミド類、N−アルキルピロリドン
類、γ−ラクトン類、ジアルキルスルホキシド類、ジア
ルキルスルホン類、ターピネオール、N−メチル−2−
ピロリドンなどを挙げることができ、これらは単独でま
たは2種以上を組み合わせて用いることができる。当該
レジスト組成物における溶剤の含有割合としては、良好
な膜形成性(流動性または可塑性)が得られる範囲内に
おいて適宜選択することができる。
(D) Solvent The resist composition used in the present invention usually contains a solvent in order to impart appropriate fluidity or plasticity to the photosensitive resist composition and good film-forming properties. . The solvent contained in the resist composition is not particularly limited, and examples thereof include ethers, esters, ether esters, ketones, ketone esters, amides, amide esters, lactams, and lactones. , Sulfoxides, sulfones, hydrocarbons, halogenated hydrocarbons and the like. Specific examples of such a solvent include tetrahydrofuran, anisole, dioxane, ethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, acetates, hydroxyacetates, and alkoxyacetic acid. Esters, propionates, hydroxypropionates,
Alkoxypropionates, lactates,
Ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether acetates, alkoxyacetates, cyclic ketones, acyclic ketones, acetoacetates, pyruvates, N, N-dialkylformamides, N, N-
Dialkylacetamides, N-alkylpyrrolidones, γ-lactones, dialkylsulfoxides, dialkylsulfones, terpineol, N-methyl-2-
Pyrrolidone and the like can be mentioned, and these can be used alone or in combination of two or more. The content ratio of the solvent in the resist composition can be appropriately selected within a range where good film-forming properties (fluidity or plasticity) can be obtained.

【0054】本発明で用いられるレジスト組成物には、
任意成分として、現像促進剤、接着助剤、ハレーション
防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収
剤、フィラー、蛍光体、顔料、染料などの各種添加剤が
含有されていてもよい。
The resist composition used in the present invention includes:
As an optional component, various additives such as a development accelerator, an adhesion aid, an antihalation agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a filler, a phosphor, a pigment, and a dye are contained. Is also good.

【0055】<露光用マスク>レジスト膜の露光工程に
おいて使用される露光用マスクMの露光パターンとして
は、材料によって異なるが、一般的に10〜500μm
幅のストライプである。
<Exposure Mask> The exposure pattern of the exposure mask M used in the exposure process of the resist film varies depending on the material, but is generally 10 to 500 μm.
It is a stripe of width.

【0056】<現像液>本発明において、レジスト膜の
現像工程にはアルカリ現像液が使用される。アルカリ現
像液の有効成分としては、例えば水酸化リチウム、水酸
化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸水素ナトリウ
ム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸水素二カリウ
ム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素アンモニウ
ム、リン酸二水素カリウム、リン酸二水素ナトリウム、
ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、
炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ホウ酸
リチウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、アンモ
ニアなどの無機アルカリ性化合物;テトラメチルアンモ
ニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアン
モニウムヒドロキシド、モノメチルアミン、ジメチルア
ミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチル
アミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、
ジイソプロピルアミン、エタノールアミンなどの有機ア
ルカリ性化合物などを挙げることができる。レジスト膜
の現像工程に使用されるアルカリ現像液は、前記アルカ
リ性化合物の1種または2種以上を水などに溶解させる
ことにより調整することができる。ここに、アルカリ性
現像液におけるアルカリ性化合物の濃度は、通常0.0
01〜10重量%とされ、好ましくは0.01〜5重量
%とされる。なお、アルカリ現像液による現像処理がな
された後は、通常、水洗処理が施される。
<Developer> In the present invention, an alkaline developer is used in the step of developing the resist film. Examples of the effective component of the alkali developer include lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, and ammonium dihydrogen phosphate. , Potassium dihydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate,
Lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate,
Inorganic alkaline compounds such as lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, sodium borate, potassium borate, and ammonia; tetramethylammonium hydroxide, trimethylhydroxyethylammonium hydroxide, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monomethylamine Ethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine,
Organic alkaline compounds such as diisopropylamine and ethanolamine can be exemplified. The alkali developer used in the step of developing the resist film can be adjusted by dissolving one or more of the above alkaline compounds in water or the like. Here, the concentration of the alkaline compound in the alkaline developer is usually 0.0
The content is 0.01 to 10% by weight, preferably 0.01 to 5% by weight. After the development processing with an alkali developing solution, a washing treatment is usually performed.

【0057】<エッチング液>無機粉体分散ペースト層
のエッチング工程で使用されるエッチング液としては、
アルカリ性溶液であることが好ましい。これにより、無
機粉体分散ペースト層に含有されるアルカリ可溶性樹脂
を容易に溶解除去することができる。なお、無機粉体分
散ペースト層に含有される無機粉体は、アルカリ可溶性
樹脂により均一に分散されているため、アルカリ性溶液
でバインダーであるアルカリ可溶性樹脂を溶解させ、洗
浄することにより、無機粉体も同時に除去される。ここ
に、エッチング液として使用されるアルカリ性溶液とし
ては、現像液と同一組成の溶液を挙げることができる。
そして、エッチング液が、現像工程で使用するアルカリ
現像液と同一の溶液である場合には、現像工程と、エッ
チング工程とを連続的に実施することが可能となり、工
程の簡略化による製造効率の向上を図ることができる。
なお、アルカリ性溶液によるエッチング処理がなされた
後は、通常、水洗処理が施される。
<Etching liquid> The etching liquid used in the etching step of the inorganic powder dispersed paste layer includes:
Preferably, it is an alkaline solution. Thereby, the alkali-soluble resin contained in the inorganic powder dispersion paste layer can be easily dissolved and removed. Since the inorganic powder contained in the inorganic powder-dispersed paste layer is uniformly dispersed in the alkali-soluble resin, the inorganic powder is dissolved by dissolving the alkali-soluble resin as a binder in an alkaline solution, and then washing. Is also removed at the same time. Here, examples of the alkaline solution used as the etching solution include a solution having the same composition as the developing solution.
When the etching solution is the same solution as the alkali developing solution used in the developing step, the developing step and the etching step can be performed continuously, and the manufacturing efficiency is reduced by simplifying the steps. Improvement can be achieved.
After the etching treatment with the alkaline solution is performed, a water washing treatment is usually performed.

【0058】また、エッチング液として、無機粉体分散
ペースト層のバインダーを溶解することのできる有機溶
剤を使用することもできる。かかる有機溶剤としては、
無機粉体分散ペースト組成物を構成するものとして例示
した溶剤を挙げることができる。なお、有機溶剤による
エッチング処理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒に
よるリンス処理が施される。
An organic solvent capable of dissolving the binder of the inorganic powder-dispersed paste layer can also be used as the etching solution. As such an organic solvent,
The solvents exemplified as constituents of the inorganic powder dispersion paste composition can be exemplified. After the etching with the organic solvent is performed, a rinsing with a poor solvent is performed as necessary.

【0059】[0059]

【実施例】以下、本発明の実施例について説明するが、
本発明はこれらによって限定されるものではない。な
お、以下において、「部」および「%」は、それぞれ
「重量部」および「重量%」を示す。また、重量平均分
子量(Mw)は、東ソー株式会社製ゲルパーミィエーシ
ョンクロマトグラフィー(GPC)(商品名HLC−8
02A)により測定したポリスチレン換算の平均分子量
である。
Hereinafter, embodiments of the present invention will be described.
The present invention is not limited by these. In the following, “parts” and “%” indicate “parts by weight” and “% by weight”, respectively. The weight average molecular weight (Mw) was determined by gel permeation chromatography (GPC) (trade name: HLC-8, manufactured by Tosoh Corporation).
02A) is the average molecular weight in terms of polystyrene measured by the method described in Example 02A).

【0060】<実施例1> (1)無機粉体分散ペースト組成物(カラーフィルター
形成用組成物)の調製:赤色無機顔料粉末として、Fe
2 3 20部、結着樹脂として、ブチルメタクリレート
(50重量%)とメチルメタクリレート(30重量%)
とメタクリル酸(20重量%)を共重合させて得られた
アクリル樹脂(GPCによるポリスチレン換算の重量平
均分子量:100,000)20部、低融点ガラスとし
てPbO−SiO2 −B2 3 −ZnO系ガラス80
部、および溶剤としてプロピレングリコールモノメチル
エーテル15部を分散機を用いて混練することにより、
粘度が5,000cpである、カラーフィルター形成用
途の、赤色用無機粉体分散ペースト組成物を調製した
(以下、ペースト(R)とする)。次に緑色用無機顔料と
してCr2 3 を使用した以外は、赤色用無機粉体ペー
スト組成物と同様に緑色用無機粉体分散ペースト組成物
を調製した。粘度は6,000cpであった。(以下、
ペースト(G)とする)次に青色用無機顔料としてCo
O−Al2 3 を使用した以外は、赤色用無機粉体ペー
スト組成物と同様に青色用無機粉体分散ペースト組成物
を調製した。粘度は5,500cpであった。(以下、
ペースト(B)とする)
Example 1 (1) Preparation of Inorganic Powder Dispersion Paste Composition (Composition for Forming Color Filter): Fe powder was used as a red inorganic pigment powder.
20 parts of 2 O 3 , butyl methacrylate (50% by weight) and methyl methacrylate (30% by weight) as binder resins
(Weight average molecular weight in terms of polystyrene measured by GPC: 100,000) acrylic resin obtained by copolymerizing methacrylic acid (20 wt%) 20 parts, PbO-SiO 2 -B 2 O 3 -ZnO as low melting glass System glass 80
Parts, and by kneading 15 parts of propylene glycol monomethyl ether as a solvent using a disperser,
An inorganic powder dispersion paste composition for red color having a viscosity of 5,000 cp and used for forming a color filter was prepared.
(Hereinafter referred to as paste (R)). Next, a green inorganic powder dispersed paste composition was prepared in the same manner as the red inorganic powder paste composition, except that Cr 2 O 3 was used as the green inorganic pigment. The viscosity was 6,000 cp. (Less than,
Paste (G)) Next, Co as an inorganic pigment for blue color
Except using O-Al 2 O 3, as well as the red inorganic powder paste composition was prepared blue inorganic powder dispersed paste composition. The viscosity was 5,500 cp. (Less than,
Paste (B))

【0061】(2)レジスト組成物の調製:(A)成分
としてメタクリル酸/ベンジルメタクリレート/スチレ
ン共重合体(重量組成比:25/65/10,重量平均
分子量:40000)50重量部、(B)成分としてト
リメチロールプロパントリアクリレート40重量部、
(C)成分としてビス(2,6−ジメトキシベンゾイ
ル)−2,4,4−トリメチルペンチルフォスフィンオ
キサイド24重量部、(D)成分としてエチルセロソル
ブアセテート790重量部を用いて、感光性レジスト組
成物を製造した。
(2) Preparation of resist composition: 50 parts by weight of methacrylic acid / benzyl methacrylate / styrene copolymer (weight composition ratio: 25/65/10, weight average molecular weight: 40000) as component (A); ) 40 parts by weight of trimethylolpropane triacrylate as a component,
A photosensitive resist composition comprising 24 parts by weight of bis (2,6-dimethoxybenzoyl) -2,4,4-trimethylpentylphosphine oxide as the component (C) and 790 parts by weight of ethyl cellosolve acetate as the component (D) Was manufactured.

【0062】(3)転写フィルムの製造:下記(イ)〜
(ロ)の操作により、無機粉体分散ペースト層と、感光
性レジスト層との積層膜が支持フィルム上に形成されて
なる転写フィルムを作製した。 (イ)レジスト組成物を、予め離型処理したPETフ
ィルムよりなる支持フィルム(幅200mm、長さ30
m、厚さ38μm)上にロールコータを用いて塗布し、
塗膜を100℃で5分間乾燥して溶剤を完全に除去し、
厚さ5μmのレジスト膜を支持フィルム上に形成した。 (ロ)ペースト(A)をレジスト膜上にロールコータを
用いて塗布し、塗膜を100℃で5分間乾燥して溶剤を
完全に除去し、厚さ20μmの無機粉体分散ペースト層
をレジスト膜上に形成し、転写フィルム(以下、「転写
フィルム(R)」ともいう)を得た。 ペースト(G)およびペースト(B)についても上記
(イ)〜(ロ)と同様の操作を行い、転写フィルム
(G)および転写フィルム(B)を作製した。
(3) Production of transfer film:
By the operation of (b), a transfer film having a laminated film of the inorganic powder-dispersed paste layer and the photosensitive resist layer formed on the support film was produced. (A) A supporting film (200 mm wide, 30 mm long) made of a PET film which has been previously subjected to a release treatment of the resist composition.
m, a thickness of 38 μm) using a roll coater,
The coating film is dried at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent,
A resist film having a thickness of 5 μm was formed on the support film. (B) The paste (A) is applied on the resist film using a roll coater, and the coating film is dried at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent, and a 20 μm-thick inorganic powder-dispersed paste layer is formed on the resist film. A transfer film (hereinafter, also referred to as “transfer film (R)”) was formed on the film. For the paste (G) and the paste (B), the same operation as in the above (a) to (b) was performed to produce a transfer film (G) and a transfer film (B).

【0063】(4)積層膜の転写工程:6インチパネル
用のガラス基板の表面に、無機粉体分散ペースト層の表
面が当接されるよう転写フィルム(R)を重ね合わせ、
加熱ローラで熱圧着した。ここで、圧着条件としては、
加熱ローラの表面温度を120℃、ロール圧を4kg/
cm2 、加熱ローラの移動速度を0.5m/分とした。
熱圧着処理の終了後、積層膜〔レジスト膜の表面〕から
支持フィルムを剥離除去した。これにより、ガラス基板
の表面に積層膜が転写されて密着した状態となった。こ
の積層膜〔無機粉体分散ペースト層とレジスト膜との積
層膜〕について膜厚を測定したところ、25μm±1μ
mの範囲にあった。
(4) Laminating film transfer step: A transfer film (R) is superimposed on the surface of a glass substrate for a 6-inch panel so that the surface of the inorganic powder-dispersed paste layer is in contact with the glass substrate.
Thermocompression bonding was performed with a heating roller. Here, as the crimping conditions,
The surface temperature of the heating roller is 120 ° C and the roll pressure is 4kg /
cm 2 , and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min.
After the completion of the thermocompression bonding, the support film was peeled off from the laminated film [the surface of the resist film]. Thereby, the laminated film was transferred to the surface of the glass substrate and brought into close contact therewith. When the film thickness of this laminated film [laminated film of the inorganic powder-dispersed paste layer and the resist film] was measured, 25 μm ± 1 μm was obtained.
m.

【0064】(5)レジスト膜の露光工程・現像工程:
無機粉体分散ペースト層上に形成されたレジスト膜に対
して、露光用マスク(300μm幅のストライプパター
ン)を介して、超高圧水銀灯により、i線(波長365
nmの紫外線)を照射した。ここに、照射量は100m
J/cm2とした。次いで、露光処理されたレジスト膜
に対して、0.2重量%の水酸化カリウム水溶液(25
℃)を現像液とするシャワー法による現像処理を20秒
かけて行った。次いで超純水による水洗処理を行い、こ
れにより、紫外線が照射されていない未硬化のレジスト
を除去し、レジストパターンを形成した。
(5) Exposure process and development process of resist film:
The resist film formed on the inorganic powder-dispersed paste layer was exposed to an i-line (wavelength 365) by an ultra-high pressure mercury lamp through an exposure mask (300 μm width stripe pattern).
nm ultraviolet light). Here, the irradiation amount is 100 m
J / cm 2 . Then, a 0.2% by weight aqueous solution of potassium hydroxide (25 wt.
(° C.) as a developing solution by a shower method over 20 seconds. Next, a water washing treatment with ultrapure water was performed, whereby the uncured resist not irradiated with the ultraviolet rays was removed, and a resist pattern was formed.

【0065】(6)無機粉体分散ペースト層のエッチン
グ工程:上記の工程に連続して、0.2重量%の水酸化
カリウム水溶液(25℃)をエッチング液とするシャワ
ー法によるエッチング処理を1分かけて行った。次い
で、超純水による水洗処理および乾燥処理を行った。こ
れにより、材料層残留部と、材料層除去部とから構成さ
れる無機粉体分散ペースト層のパターンを形成した。そ
の後、オーブン中で200℃で30分間ポストベークを
行った。
(6) Etching step of the inorganic powder-dispersed paste layer: Continuing with the above steps, an etching treatment by a shower method using a 0.2% by weight aqueous solution of potassium hydroxide (25 ° C.) as an etching solution is performed. Went over a minute. Next, a washing treatment and a drying treatment with ultrapure water were performed. As a result, a pattern of the inorganic powder-dispersed paste layer composed of the material layer remaining portion and the material layer removing portion was formed. Thereafter, post-baking was performed in an oven at 200 ° C. for 30 minutes.

【0066】(7)緑色および青色の積層工程 (6)で形成された赤色用無機粉体分散ペースト層のパ
ターン上に、転写フィルム(G)および転写フィルム
(B)を用いて、前記(4)〜(6)の操作を同様に行
い、赤、緑、青色カラーフィルター用無機粉体分散ペー
スト層からなるストライプパターンを形成した。
(7) Green and Blue Laminating Step On the pattern of the inorganic powder dispersion paste layer for red formed in (6), using the transfer film (G) and the transfer film (B), ) To (6) were performed in the same manner to form a stripe pattern composed of the inorganic powder dispersion paste layers for red, green, and blue color filters.

【0067】(8)無機粉体分散ペースト層の焼成工
程:赤、緑、青色カラーフィルター用無機粉体分散ペー
スト層のパターンが形成されたガラス基板を、焼成炉内
で520℃の温度雰囲気下で30分間にわたり焼成処理
を行った。これにより、ガラス基板の表面にカラーフィ
ルターパターンが形成されてなるパネル材料が得られ
た。上記の処理操作後、光学顕微鏡によって基板および
パターン表面を観察したところ、基板上に未溶解物の残
存は認められなかった。また、形成されたカラーフィル
ターのパターンエッジはシャープであり、パターン幅
は、300μm±3μmと良好であった。
(8) Firing Step of Inorganic Powder Dispersion Paste Layer: A glass substrate on which a pattern of an inorganic powder dispersion paste layer for red, green and blue color filters is formed is placed in a firing furnace at a temperature of 520 ° C. For 30 minutes. As a result, a panel material having the color filter pattern formed on the surface of the glass substrate was obtained. After the above-described processing operation, the substrate and the pattern surface were observed with an optical microscope, and no undissolved matter remained on the substrate. The pattern edge of the formed color filter was sharp, and the pattern width was as good as 300 μm ± 3 μm.

【0068】〔比較例1〕 (1)レジスト組成物の調製:(A)成分としてメタク
リル酸/ベンジルメタクリレート/スチレン共重合体
(重量組成比:25/65/10,重量平均分子量:4
0000)50重量部、(B)成分としてトリメチロー
ルプロパントリアクリレート40重量部、光開始剤とし
て1−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル24重量
部、(D)成分としてエチルセロソルブアセテート79
0重量部を用いて、感光性レジスト組成物を製造し
た。
Comparative Example 1 (1) Preparation of resist composition: methacrylic acid / benzyl methacrylate / styrene copolymer as component (A) (weight composition ratio: 25/65/10, weight average molecular weight: 4)
0000) 50 parts by weight, trimethylolpropane triacrylate as component (B) 40 parts by weight, 1-hydroxy-cyclohexyl-phenyl as photoinitiator 24 parts by weight, ethylcellosolve acetate 79 as component (D)
A photosensitive resist composition was produced using 0 parts by weight.

【0069】次いで、感光性レジスト組成物の代わり
に感光性レジスト組成物を用いたこと以外は、実施例
1と同様にしてカラーフィルターを形成した。上記の処
理操作後において、光学顕微鏡によって観察したとこ
ろ、パターンのエッジに剥がれが認められた。
Next, a color filter was formed in the same manner as in Example 1 except that the photosensitive resist composition was used instead of the photosensitive resist composition. After the above-mentioned processing operation, when observed with an optical microscope, peeling was observed at the edge of the pattern.

【0070】[0070]

【発明の効果】本発明のプラズマディスプレイパネルの
製造方法によれば、用いられるレジスト組成物に特定の
化合物よりなる光ラジカル発生剤(C)が含有されてい
ることにより、少ない照射エネルギー量の放射線照射処
理によって硬化反応が十分に達成されるので、パターン
のかけがなく現像処理を容易に行うことができると共
に、高精細のパターンを高い効率で確実に製造すること
ができる。
According to the method of manufacturing a plasma display panel of the present invention, since the photo-radical generator (C) comprising a specific compound is contained in the resist composition to be used, radiation with a small irradiation energy amount is obtained. Since the curing reaction is sufficiently achieved by the irradiation treatment, development processing can be easily performed without applying a pattern, and a high-definition pattern can be reliably produced with high efficiency.

【図面の簡単な説明】[Brief description of the drawings]

【図1】一般的なAC型PDPを示す説明用断面図であ
る。
FIG. 1 is an explanatory sectional view showing a general AC type PDP.

【図2】一般的なDC型PDPを示す説明用断面図であ
る。
FIG. 2 is an explanatory sectional view showing a general DC-type PDP.

【図3】本発明の一実施例に係るプラズマディスプレイ
パネルの製造方法を工程順に示す説明用断面図である。
FIG. 3 is a sectional view for illustrating a method of manufacturing a plasma display panel according to one embodiment of the present invention in the order of steps.

【図4】本発明の一実施例に係る製造方法の、図3の工
程に続く工程を順に示す説明用断面図である。
FIG. 4 is an explanatory cross-sectional view showing a step subsequent to the step of FIG. 3 in the manufacturing method according to the embodiment of the present invention.

【符号の説明】[Explanation of symbols]

1 前面基板 2 背面基
板 3 誘電体 3A MgO
層 3B カラーフィルター・ブラックマトリクス層 4 蛍光体 5 障壁 6A 維持電極 6B 信号電
極 6a 陰極 6b 表示陽
極 6b’ 表示陽極リード 6c 補助陽
極 6c’ 補助陽極リード 7 抵抗 8 表示セル 9 補助セ
ル 10 バスライン 11 基板 20 転写フィルム 21 無機粉
体分散ペースト層 22 支持フィルム 25 無機粉体分散ペースト層パターン 25A 材料層残留部 25B 材料層
除去部 31 レジスト膜 M 露光用
マスク MA 光透過部(露光用マスク) MB 遮光部
(露光用マスク) 35 レジストパターン 35A レジス
ト残留部 35B レジスト除去部 40 無機パ
ターン 50 パネル材料
DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Front board 2 Back board 3 Dielectric 3A MgO
Layer 3B Color filter / black matrix layer 4 Phosphor 5 Barrier 6A Sustain electrode 6B Signal electrode 6a Cathode 6b Display anode 6b 'Display anode lead 6c Auxiliary anode 6c' Auxiliary anode lead 7 Resistance 8 Display cell 9 Auxiliary cell 10 Bus line 11 Substrate Reference Signs List 20 transfer film 21 inorganic powder-dispersed paste layer 22 support film 25 inorganic powder-dispersed paste layer pattern 25A material layer remaining portion 25B material layer removing portion 31 resist film M exposure mask MA light transmitting portion (exposure mask) MB light shielding portion (Exposure mask) 35 resist pattern 35A resist remaining portion 35B resist removing portion 40 inorganic pattern 50 panel material

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 別所 信夫 東京都中央区築地二丁目11番24号 ジェイ エスアール株式会社内 ────────────────────────────────────────────────── ─── Continuing on the front page (72) Inventor Nobuo Bessho 2-11-24 Tsukiji, Chuo-ku, Tokyo Inside JSR Corporation

Claims (2)

【特許請求の範囲】[Claims] 【請求項1】 支持フィルム上に形成された無機粉体分
散ペースト層を基板上に転写し、当該無機粉体分散ペー
スト層上に、式(1)で表される化合物を含有するレジ
スト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジ
ストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処
理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体分散ペ
ースト層をエッチング処理してレジストパターンに対応
する無機粉体分散ペースト層のパターンを形成し、当該
パターンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パ
ターンを有するパネル材料を形成することを特徴とす
る、プラズマディスプレイパネルの製造方法。
An inorganic powder-dispersed paste layer formed on a support film is transferred onto a substrate, and a resist film containing a compound represented by the formula (1) is formed on the inorganic powder-dispersed paste layer. Forming, exposing the resist film to form a latent image of the resist pattern, developing the resist film to reveal the resist pattern, etching the inorganic powder dispersion paste layer to form a resist pattern A method for manufacturing a plasma display panel, comprising forming a panel material having an inorganic pattern by a method including a step of forming a pattern of a corresponding inorganic powder-dispersed paste layer and baking the pattern.
【請求項2】 式(1)で表される化合物を含有するレ
ジスト膜と、無機粉体分散ペースト層との積層膜を支持
フィルム上に形成し、当該積層膜を基板上に転写し、当
該積層膜を構成するレジスト膜を露光処理してレジスト
パターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理し
てレジストパターンを顕在化させ、無機粉体分散ペース
ト層をエッチング処理してレジストパターンに対応する
無機粉体分散ペースト層のパターンを形成し、当該パタ
ーンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パター
ンを有するパネル材料を形成することを特徴とするプラ
ズマディスプレイパネルの製造方法。
2. A laminated film of a resist film containing a compound represented by the formula (1) and an inorganic powder-dispersed paste layer is formed on a support film, and the laminated film is transferred onto a substrate. The resist film constituting the laminated film is exposed to light to form a latent image of the resist pattern, the resist film is developed to reveal the resist pattern, and the inorganic powder-dispersed paste layer is etched to form a resist pattern. A method for manufacturing a plasma display panel, comprising forming a panel material having an inorganic pattern by a method including a step of forming a pattern of a corresponding inorganic powder-dispersed paste layer and baking the pattern.
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