JP2005258398A - Method of manufacturing plasma display panel and transfer film - Google Patents

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JP2005258398A JP2004335806A JP2004335806A JP2005258398A JP 2005258398 A JP2005258398 A JP 2005258398A JP 2004335806 A JP2004335806 A JP 2004335806A JP 2004335806 A JP2004335806 A JP 2004335806A JP 2005258398 A JP2005258398 A JP 2005258398A
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香里 吉満
Takahiro Sakai
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Abstract

<P>PROBLEM TO BE SOLVED: To provide a method of manufacturing PDP by which components of PDP excellent in pattern profile (such as a dielectric layer, barrier ribs, electrodes, a resistive element, a phosphor, color filters and a black matrix) can be suitably formed with excellent workability, and to provide a transfer film. <P>SOLUTION: A panel material with an inorganic pattern is formed by a method comprising the steps of forming an inorganic-powder-containing resin layer on a substrate; forming a resist film containing a specified photoinitiator on the inorganic-powder-containing resin layer; forming a latent image of a resist pattern by exposing the resist film; eliciting the resist pattern by developing the resist film; forming a pattern of the inorganic-powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern by etching the inorganic-powder-containing resin layer; and firing the formed pattern. <P>COPYRIGHT: (C)2005,JPO&NCIPI

Description

本発明は、プラズマディスプレイパネルの製造方法および当該製造方法に好適に用いられる転写フィルムに関する。   The present invention relates to a method for producing a plasma display panel and a transfer film suitably used for the production method.

近年、平板状の蛍光表示体としてプラズマディスプレイが注目されている。図1は交流型のプラズマディスプレイパネル(以下、「PDP」ともいう)の断面形状を示す模式図である。同図において、1および2は対抗配置されたガラス基板、3は隔壁であり、ガラス基板1、ガラス基板2および隔壁3によりセルが区画形成されている。4はガラス基板1に固定された透明電極、5は透明電極4の抵抗を下げる目的で、当該透明電極4上に形成されたバス電極、6はガラス基板2に固定されたアドレス電極、7はセル内に保持された蛍光物質、8は透明電極4およびバス電極5を被覆するようガラス基板1の表面に形成された誘電体層、9はアドレス電極6を被覆するようガラス基板2の表面に形成された誘電体層、10は例えば酸化マグネシウムよりなる保護膜である。また、カラーPDPにあっては、コントラストの高い画像を得るため、ガラス基板と誘電体層との間に、カラーフィルター(赤色・緑色・青色)やブラックマトリックスなどを設けることがある。   In recent years, a plasma display has attracted attention as a flat fluorescent display. FIG. 1 is a schematic view showing a cross-sectional shape of an AC type plasma display panel (hereinafter also referred to as “PDP”). In the figure, reference numerals 1 and 2 denote glass substrates arranged opposite to each other, 3 denotes a partition, and cells are defined by the glass substrate 1, the glass substrate 2, and the partition 3. 4 is a transparent electrode fixed to the glass substrate 1, 5 is a bus electrode formed on the transparent electrode 4 for the purpose of reducing the resistance of the transparent electrode 4, 6 is an address electrode fixed to the glass substrate 2, and 7 is Fluorescent material held in the cell, 8 is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 1 so as to cover the transparent electrode 4 and the bus electrode 5, and 9 is on the surface of the glass substrate 2 so as to cover the address electrode 6. The formed dielectric layer 10 is a protective film made of, for example, magnesium oxide. In the color PDP, a color filter (red / green / blue) or a black matrix may be provided between the glass substrate and the dielectric layer in order to obtain a high contrast image.

このようなPDPの隔壁、電極、蛍光体、カラーフィルターおよびブラックストライプ(マトリクス)等の製造方法としては、感光性無機粉体含有樹脂層を基板上に形成し、この膜にフォトマスクを介して紫外線を照射した上で現像することにより基板上にパターンを残存させ、これを焼成するフォトリソグラフィー法などが好適に用いられているが、前記フォトリソグラフィー法では、一回の露光および現像の工程で10〜100μmの膜厚を有するパターンを形成する際、無機粉体含有樹脂層の深さ方向に対する感度が不十分であり、必ずしもエッジがシャープな高精細パターンが得られるものとはならなかった。   As a method for producing such PDP partition walls, electrodes, phosphors, color filters, black stripes (matrix), etc., a photosensitive inorganic powder-containing resin layer is formed on a substrate, and a photomask is provided on this film. A photolithographic method or the like is preferably used in which a pattern is left on the substrate by developing after being irradiated with ultraviolet rays, and the pattern is baked. In the photolithographic method, the exposure and development steps are performed once. When forming a pattern having a film thickness of 10 to 100 μm, the sensitivity in the depth direction of the inorganic powder-containing resin layer is insufficient, and a high-definition pattern with sharp edges is not necessarily obtained.

上記のような問題を解決する手段として、本発明者らは、感光性レジスト組成物層と無機粉体含有樹脂層の積層体を基板上に形成し、当該積層膜を構成する感光性レジスト組成物層を露光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該感光性レジスト組成物層を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体含有樹脂層をエッチング処理してレジストパターンに対応する無機粉体含有樹脂層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理して無機パターンを形成する工程を含むことを特徴とするPDPの製造方法を提案している。   As means for solving the above-mentioned problems, the present inventors formed a laminate of a photosensitive resist composition layer and an inorganic powder-containing resin layer on a substrate, and a photosensitive resist composition constituting the laminated film. The physical layer is exposed to form a latent image of the resist pattern, the photosensitive resist composition layer is developed to reveal the resist pattern, and the inorganic powder-containing resin layer is etched to support the resist pattern. The manufacturing method of PDP characterized by including the process of forming the pattern of the inorganic powder containing resin layer to form, and baking the said pattern and forming an inorganic pattern is proposed.

特開平9−155961号JP 9-155961 A 特開平11−162339号JP-A-11-162339

しかしながら、上記の感光性レジスト組成物においては、塗膜中における光硬化用放射線の強度は、深さ方向に対して減衰するために、当該塗膜における感光性レジスト組成物の底部に接近するに従って小さくなる現象が生じ、硬化反応が十分に達成されない状態となり易い。そして、この場合には、PDPにおける各構成要素の製造工程における現像処理により当該底部がえぐられてしまい、得られるレジストパターンはいわゆるアンダーカットが生じたものとなり、極端な場合には現像処理において、感光性レジスト層が流れ去ってしまうという問題がある。そしてその結果、パターニングが不均一となり、パネルの歩留まりが極端に悪くなる。
また、感度を確保するために光開始剤を増量すると、焼成処理におけるレジスト層の燃焼性が低下して、パターン形状が悪くなりやすいという問題があった。
However, in the above-described photosensitive resist composition, the intensity of the photo-curing radiation in the coating film attenuates with respect to the depth direction, and therefore, as it approaches the bottom of the photosensitive resist composition in the coating film. A phenomenon of becoming smaller occurs, and the curing reaction is not easily achieved. In this case, the bottom portion is removed by the development process in the manufacturing process of each component in the PDP, and the obtained resist pattern has a so-called undercut. In an extreme case, in the development process, There is a problem that the photosensitive resist layer flows away. As a result, the patterning becomes non-uniform and the yield of the panel becomes extremely poor.
Further, when the amount of the photoinitiator is increased in order to ensure sensitivity, there is a problem that the flammability of the resist layer in the baking process is lowered and the pattern shape is liable to be deteriorated.

本発明は、以上のような事情に基づいてなされたものである。
本発明の第1の目的は、作業性に優れ、かつパターン形状に優れたPDPの構成要素(例えば、誘電体層、隔壁、電極、抵抗体、蛍光体、カラーフィルター、ブラックマトリックス)を好適に形成することができるPDPの製造方法を提供することにある。
本発明の第2の目的は、作業性に優れ、パターン形状に優れたPDPの構成要素が形成できる転写フィルムを提供することにある。
本発明のさらなる目的は、下記説明で明らかになろう。
The present invention has been made based on the above situation.
The first object of the present invention is to suitably use PDP components (for example, dielectric layers, barrier ribs, electrodes, resistors, phosphors, color filters, and black matrices) having excellent workability and excellent pattern shapes. An object of the present invention is to provide a method of manufacturing a PDP that can be formed.
The second object of the present invention is to provide a transfer film that can form a PDP component excellent in workability and pattern shape.
Further objects of the present invention will become apparent from the following description.

本発明のPDPの製造方法は、基板上に無機粉体含有樹脂層を形成し、当該無機粉体含有樹脂層上に、下記式(1)および下記式(2)で表される化合物から選ばれる少なくとも一種(以下、「化合物(I)」ともいう)を含有するレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体含有樹脂層をエッチング処理してレジストパターンに対応する無機粉体含有樹脂層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パターンを有するパネル材料を形成することを特徴とする。   The method for producing the PDP of the present invention comprises forming an inorganic powder-containing resin layer on a substrate, and selecting from the compounds represented by the following formula (1) and the following formula (2) on the inorganic powder-containing resin layer. A resist film containing at least one kind (hereinafter also referred to as “compound (I)”), exposing the resist film to form a latent image of the resist pattern, and developing the resist film By revealing the resist pattern, etching the inorganic powder-containing resin layer to form a pattern of the inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern, and baking the pattern, the inorganic pattern is formed. A panel material is formed.

Figure 2005258398
Figure 2005258398

〔式(1)および式(2)において、R1およびRは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基(但し、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基、フェニル基およびハロゲン原子から選ばれる少なくとも1種で置換されてもよい。)、フェニル基(但し、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基、フェニル基およびハロゲン原子から選ばれる少なくとも1種で置換されてもよい。)、炭素数4〜20の含酸素複素環含有基、炭素数4〜20の含窒素複素環含有基または炭素数4〜20の含硫黄複素環含有基であり(但し、R1およびRがいずれも水素原子である場合を除く)、Rは水素原子または炭素数1〜12のアルキル基であり、R、RおよびRは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜6のアルキル基である。〕 In [Equation (1) and (2), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms (provided that An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group and a halogen atom, which may be substituted, and a phenyl group (however, an alkyl having 1 to 6 carbon atoms) Group, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, and a halogen atom may be substituted.), An oxygen-containing heterocyclic group having 4 to 20 carbon atoms, and a group having 4 to 20 carbon atoms A nitrogen-containing heterocyclic group or a sulfur-containing heterocyclic group having 4 to 20 carbon atoms (except when R 1 and R 2 are both hydrogen atoms), and R 3 is a hydrogen atom or 1 carbon atom an 12 alkyl radical, R , R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]

本発明のPDPの製造方法においては、あらかじめ、レジスト膜と無機粉体含有樹脂層との積層膜を支持フィルム上に形成することによって、さらに好適にその効果を発揮する。   In the method for producing a PDP of the present invention, the effect is more preferably exhibited by previously forming a laminated film of a resist film and an inorganic powder-containing resin layer on a support film.

本発明の転写フィルムは、支持フィルム上に、化合物(I)を含有するレジスト膜と、無機粉体および結着樹脂を含有する無機粉体含有樹脂層との積層膜を有することを特徴とする。   The transfer film of the present invention is characterized by having a laminated film of a resist film containing compound (I) and an inorganic powder-containing resin layer containing an inorganic powder and a binder resin on a support film. .

本発明の、導電性ペースト組成物および電極形成用転写フィルムによれば、作業性に優れ、かつ優れたパターン形状を有するとともに良好な密着性を有する電極パターンを形成することができる。本発明の導電性ペースト組成物および電極形成用転写フィルムは、プラズマディスプレイパネルの電極パターン形成のために好適に使用することができる。   According to the conductive paste composition and the electrode-forming transfer film of the present invention, it is possible to form an electrode pattern that is excellent in workability and has an excellent pattern shape and good adhesion. The conductive paste composition and the electrode-forming transfer film of the present invention can be suitably used for forming an electrode pattern for a plasma display panel.

以下、本発明について詳細に説明する。
本発明の製造方法においては、〔1〕無機粉体含有樹脂層の形成工程、〔2〕レジスト膜の形成工程、〔3〕レジスト膜の露光工程、〔4〕レジスト膜の現像工程、〔5〕無機粉体含有樹脂層のエッチング工程、〔6〕無機粉体含有樹脂層パターンの焼成工程により、無機パターンを有するパネル材料を形成する。ここで、無機パターンを有するパネル材料とは、プラズマディスプレイパネルの構成部品であれば特に制限はなく、例えば、隔壁、電極、誘電体、抵抗体、蛍光体、カラーフィルター、ブラックマトリックスなどが挙げられる。
Hereinafter, the present invention will be described in detail.
In the production method of the present invention, [1] an inorganic powder-containing resin layer forming step, [2] a resist film forming step, [3] a resist film exposing step, [4] a resist film developing step, [5 A panel material having an inorganic pattern is formed by an etching process of an inorganic powder-containing resin layer and [6] a baking process of an inorganic powder-containing resin layer pattern. Here, the panel material having an inorganic pattern is not particularly limited as long as it is a component of a plasma display panel, and examples thereof include a partition, an electrode, a dielectric, a resistor, a phosphor, a color filter, and a black matrix. .

<無機粉体含有樹脂層の形成工程>
本発明の製造方法において、無機粉体含有樹脂層は、スクリーン印刷法、ロール塗布法、回転塗布法、流延塗布法等種々の方法によって無機粉体含有樹脂組成物を塗布した後、塗膜を乾燥することにより形成することができるが、中でも転写フィルムを使用し、当該転写フィルムを構成する無機粉体含有樹脂層を基板の表面に転写する方法により形成することが好ましい。
ここに、転写フィルムは、支持フィルムと、この支持フィルム上に形成された無機粉体含有樹脂層とを有してなり、当該無機粉体含有樹脂層の表面には保護フィルム層が設けられていてもよい。転写フィルムの具体的構成については後述する。
<Inorganic powder-containing resin layer forming step>
In the production method of the present invention, the inorganic powder-containing resin layer is coated with the inorganic powder-containing resin composition by various methods such as screen printing, roll coating, spin coating, and cast coating. However, it is preferable to use a transfer film and transfer the inorganic powder-containing resin layer constituting the transfer film to the surface of the substrate.
The transfer film has a support film and an inorganic powder-containing resin layer formed on the support film, and a protective film layer is provided on the surface of the inorganic powder-containing resin layer. May be. The specific configuration of the transfer film will be described later.

転写工程の一例を示せば以下のとおりである。必要に応じて使用される転写フィルムの保護フィルム層を剥離した後、ガラス基板の表面に、無機粉体含有樹脂層の表面が当接されるように転写フィルムを重ね合わせ、この転写フィルムを加熱ローラなどにより熱圧着した後、無機粉体含有樹脂層から支持フィルムを剥離除去する。これにより、ガラス基板の表面に無機粉体含有樹脂層が転写されて密着した状態となる。ここで、転写条件としては、例えば、加熱ローラの表面温度が80〜140℃、加熱ローラによるロール圧が1〜5kg/cm2 、加熱ローラの移動速度が0.1〜10.0m/分を示すことができる。また、ガラス基板は予熱されていてもよく、予熱温度としては例えば40〜100℃とすることができる。 An example of the transfer process is as follows. After peeling off the protective film layer of the transfer film used as necessary, the transfer film is overlaid on the surface of the glass substrate so that the surface of the resin layer containing the inorganic powder is in contact with it, and this transfer film is heated. After thermocompression bonding with a roller or the like, the support film is peeled off from the inorganic powder-containing resin layer. As a result, the inorganic powder-containing resin layer is transferred and adhered to the surface of the glass substrate. Here, as the transfer conditions, for example, the surface temperature of the heating roller is 80 to 140 ° C., the roll pressure by the heating roller is 1 to 5 kg / cm 2 , and the moving speed of the heating roller is 0.1 to 10.0 m / min. Can show. Further, the glass substrate may be preheated, and the preheat temperature can be set to 40 to 100 ° C., for example.

<レジスト膜の形成工程>
この工程においては、形成された無機粉体含有樹脂層の表面にレジスト膜を形成する。このレジスト膜を構成するレジストとしては、ポジ型レジストおよびネガ型レジストのいずれであってもよく、その具体的組成については後述する。
レジスト膜は、スクリーン印刷法、ロール塗布法、回転塗布法、流延塗布法等種々の方法によってレジストを塗布した後、塗膜を乾燥することにより形成することができる。
また、支持フィルム上に形成されたレジスト膜を無機粉体含有樹脂層の表面に転写することによって形成してもよい。このような形成方法によれば、レジスト膜の形成工程における工程改善(高効率化)を図ることができるとともに、形成される無機粉体パターンの膜厚均一性を図ることができる。
レジスト膜の膜厚としては、通常、0.1〜40μm、好ましくは0.5〜20μmである。
<Resist film formation process>
In this step, a resist film is formed on the surface of the formed inorganic powder-containing resin layer. The resist constituting the resist film may be either a positive resist or a negative resist, and the specific composition thereof will be described later.
The resist film can be formed by applying a resist by various methods such as a screen printing method, a roll coating method, a spin coating method, and a casting coating method, and then drying the coating film.
Moreover, you may form by transferring the resist film formed on the support film to the surface of an inorganic powder containing resin layer. According to such a forming method, it is possible to improve the process (high efficiency) in the resist film forming process, and to achieve uniform film thickness of the formed inorganic powder pattern.
The thickness of the resist film is usually 0.1 to 40 μm, preferably 0.5 to 20 μm.

<レジスト膜の露光工程>
この工程においては、無機粉体含有樹脂層上に形成されたレジスト膜の表面に、露光用マスクを介して、紫外線などの放射線を選択的照射(露光)して、レジストパターンの潜像を形成する。
ここに、放射線照射装置としては、前記フォトリソグラフィー法で使用されている紫外線照射装置、半導体および液晶表示装置を製造する際に使用されている露光装置など特に限定されるものではない。
<Resist film exposure process>
In this process, a resist pattern latent image is formed by selectively irradiating (exposing) ultraviolet rays or the like to the surface of the resist film formed on the inorganic powder-containing resin layer through an exposure mask. To do.
Here, the radiation irradiation apparatus is not particularly limited, such as an ultraviolet irradiation apparatus used in the photolithography method, an exposure apparatus used in manufacturing semiconductors and liquid crystal display devices.

<レジスト膜の現像工程>
この工程においては、露光されたレジスト膜を現像処理することにより、レジストパターン(潜像)を顕在化させる。
ここに、現像処理条件としては、レジスト膜の種類などに応じて、現像液の種類・組成・濃度、現像時間、現像温度、現像方法(例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル法)、現像装置などを適宜選択することができる。
この現像工程により、レジスト残留部とレジスト除去部とから構成されるレジストパターン(露光用マスクに対応するパターン)が形成される。
このレジストパターンは、次工程(エッチング工程)におけるエッチングマスクとして作用するものであり、レジスト残留部の構成材料(光硬化されたレジスト)は、無機粉体含有樹脂層の構成材料よりもエッチング液に対する溶解速度が小さいことが必要である。
<Development process of resist film>
In this step, the exposed resist film is developed to reveal a resist pattern (latent image).
Here, as development processing conditions, depending on the type of resist film, etc., the type / composition / concentration of developer, development time, development temperature, development method (for example, dipping method, rocking method, shower method, spray method, Paddle method), developing device and the like can be selected as appropriate.
By this development process, a resist pattern (pattern corresponding to an exposure mask) composed of a resist remaining portion and a resist removal portion is formed.
This resist pattern acts as an etching mask in the next process (etching process), and the constituent material of the resist remaining portion (photocured resist) is more resistant to the etching solution than the constituent material of the inorganic powder-containing resin layer. A low dissolution rate is required.

<無機粉体含有樹脂層のエッチング工程>
この工程においては、無機粉体含有樹脂層をエッチング処理し、レジストパターンに対応する無機粉体含有樹脂層のパターンを形成する。
すなわち、無機粉体含有樹脂層のうち、レジストパターンのレジスト除去部に対応する部分がエッチング液に溶解されて選択的に除去される。そして、更にエッチング処理を継続すると、無機粉体含有樹脂層におけるレジスト除去部に対応する部分でガラス基板表面が露出する。これにより、材料層残留部と材料層除去部とから構成される無機粉体含有樹脂層パターンが形成される。
ここに、エッチング処理条件としては、無機粉体含有樹脂層の種類などに応じて、エッチング液の種類・組成・濃度、処理時間、処理温度、処理方法(例えば浸漬法、揺動法、シャワー法、スプレー法、パドル法)、処理装置などを適宜選択することができる。
なお、エッチング液として、現像工程で使用した現像液と同一の溶液を使用することができるよう、レジスト膜および無機粉体含有樹脂層の種類を選択することにより、現像工程と、エッチング工程とを連続的に実施することが可能となり、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることができる。
ここに、レジストパターンを構成するレジスト残留部は、エッチング処理の際に徐々に溶解され、無機粉体含有樹脂層パターンが形成された段階(エッチング処理の終了時)で完全に除去されるものであることが好ましい。
なお、エッチング処理後にレジスト残留部の一部または全部が残留していても、当該レジスト残留部は、次の焼成工程で除去される。
<Etching process of inorganic powder-containing resin layer>
In this step, the inorganic powder-containing resin layer is etched to form an inorganic powder-containing resin layer pattern corresponding to the resist pattern.
That is, in the inorganic powder-containing resin layer, a portion corresponding to the resist removal portion of the resist pattern is dissolved in the etching solution and selectively removed. When the etching process is further continued, the glass substrate surface is exposed at a portion corresponding to the resist removal portion in the inorganic powder-containing resin layer. Thereby, the inorganic powder containing resin layer pattern comprised from a material layer residual part and a material layer removal part is formed.
Here, as the etching treatment conditions, depending on the type of the inorganic powder-containing resin layer, etc., the type / composition / concentration of the etchant, the treatment time, the treatment temperature, the treatment method (for example, immersion method, rocking method, shower method) , Spray method, paddle method), processing apparatus, and the like can be appropriately selected.
In addition, by selecting the type of the resist film and the inorganic powder-containing resin layer so that the same solution as the developing solution used in the developing step can be used as the etching solution, the developing step and the etching step are performed. It becomes possible to carry out continuously, and it is possible to improve the manufacturing efficiency by simplifying the process.
Here, the resist residual portion constituting the resist pattern is gradually dissolved during the etching process, and is completely removed at the stage where the inorganic powder-containing resin layer pattern is formed (at the end of the etching process). Preferably there is.
Note that even if part or all of the remaining resist portion remains after the etching process, the remaining resist portion is removed in the next baking step.

<無機粉体含有樹脂層パターンの焼成工程>
この工程においては、無機粉体含有樹脂層パターンを焼成処理して隔壁、電極、抵抗体、蛍光体、カラーフィルターまたはブラックマトリックス等を形成する。これにより、材料層残留部中の有機物質が焼失して、ガラス層、金属層、蛍光体層などの無機物層が形成され、ガラス基板の表面に隔壁、電極、抵抗体、蛍光体、カラーフィルターまたはブラックマトリックス等のパターンが形成されてなるパネル材料を得ることができる。
ここに、焼成処理の温度としては、材料層残留部中の有機物質が焼失される温度であることが必要であり、通常、400〜600℃とされる。また、焼成時間は、通常10〜90分間とされる。
<Baking step of inorganic powder-containing resin layer pattern>
In this step, the inorganic powder-containing resin layer pattern is baked to form partition walls, electrodes, resistors, phosphors, color filters, black matrices, or the like. As a result, the organic substance in the remaining part of the material layer is burned off to form an inorganic layer such as a glass layer, a metal layer, and a phosphor layer, and a partition, electrode, resistor, phosphor, and color filter are formed on the surface of the glass substrate. Alternatively, a panel material in which a pattern such as a black matrix is formed can be obtained.
Here, the temperature of the baking treatment needs to be a temperature at which the organic substance in the remaining portion of the material layer is burned off, and is usually set to 400 to 600 ° C. The firing time is usually 10 to 90 minutes.

<好ましい実施形態>
本発明の製造方法においては、エッチング液に対して溶解性が異なる複数の無機粉体含有樹脂層からなる積層体を基板上に転写形成することが好ましい。このような積層体をエッチング処理することにより、エッチングに対する深さ方向の異方性が生じるため、矩形状または矩形に近い好ましい断面形状を有する材料層残留部を形成することができる。
なお、無機粉体含有樹脂層の積層数は、通常10以下とされ、好ましくは2〜5とされる。
ここに、n層の無機粉体含有樹脂層からなる積層体を基板上に形成する方法としては、(1)支持フィルム上に形成された無機粉体含有樹脂層(一層)をn回にわたって転写する方法、(2)n層の無機粉体含有樹脂層からなる積層体を一括転写する方法のいずれの方法であってもよいが、転写工程の簡略化の観点からは前記(2)の方法が好ましい。
<Preferred embodiment>
In the production method of the present invention, it is preferable to transfer and form a laminate composed of a plurality of inorganic powder-containing resin layers having different solubility in the etching solution on the substrate. By etching such a laminated body, anisotropy in the depth direction with respect to etching occurs, so that a material layer residual portion having a rectangular shape or a preferable cross-sectional shape close to a rectangle can be formed.
In addition, the lamination | stacking number of an inorganic powder containing resin layer shall be 10 or less normally, Preferably it shall be 2-5.
Here, as a method of forming a laminate comprising n layers of inorganic powder-containing resin layers on a substrate, (1) the inorganic powder-containing resin layer (one layer) formed on the support film is transferred n times. (2) The method of (2) above from the viewpoint of simplification of the transfer process, although (2) the method of batch transfer of a laminate comprising an inorganic powder-containing resin layer of n layers may be used. Is preferred.

<無機粉体パターンを形成するための他の方法>
本発明における無機粉体パターンの形成方法は、上述した方法に限定されるものではない。
ここに、無機粉体パターンを形成するための他の方法として、下記(1)〜(3)の工程による形成方法を挙げることができる。
(1)支持フィルム上にレジスト膜を形成した後、当該レジスト膜上に無機粉体含有樹脂層を積層形成する。ここに、レジスト膜および無機粉体含有樹脂層を形成する際には、ロールコータなどを使用することができ、これにより、膜厚の均一性に優れた積層膜を支持フィルム上に形成することができる。
(2)支持フィルム上に形成されたレジスト膜と無機粉体含有樹脂層との積層膜を基板上に転写する。ここに、転写条件としては前記『無機粉体含有樹脂層の転写工程』における条件と同様でよい。
(3)前記『レジスト膜の露光工程』、『レジスト膜の現像工程』、『無機粉体含有樹脂層のエッチング工程』および『無機粉体含有樹脂層パターンの焼成工程』と同様の操作を行う。
以上のような方法によれば、無機粉体含有樹脂層とレジスト膜とが基板上に一括転写されるので、工程の簡略化による製造効率を更に向上させることができる。
<Other methods for forming inorganic powder pattern>
The formation method of the inorganic powder pattern in the present invention is not limited to the method described above.
Here, as another method for forming the inorganic powder pattern, a formation method by the following steps (1) to (3) may be mentioned.
(1) After forming a resist film on a support film, an inorganic powder-containing resin layer is laminated on the resist film. Here, when forming the resist film and the inorganic powder-containing resin layer, a roll coater or the like can be used, thereby forming a laminated film having excellent film thickness uniformity on the support film. Can do.
(2) The laminated film of the resist film and the inorganic powder-containing resin layer formed on the support film is transferred onto the substrate. Here, the transfer conditions may be the same as those in the “transfer process of the inorganic powder-containing resin layer”.
(3) Perform the same operations as the “resist film exposure process”, “resist film development process”, “inorganic powder-containing resin layer etching process” and “inorganic powder-containing resin layer pattern baking process”. .
According to the above method, since the inorganic powder-containing resin layer and the resist film are collectively transferred onto the substrate, it is possible to further improve manufacturing efficiency by simplifying the process.

以下に、前記の各工程に用いられる材料、各種条件などについて説明する。
<基板>
基板材料としては、例えばガラス、シリコン、ポリカーボネート、ポリエステル、芳香族アミド、ポリアミドイミド、ポリイミドなどの絶縁性材料からなる板状部材である。この板状部材の表面に対しては、必要に応じて、シランカップリング剤などによる薬品処理;プラズマ処理;イオンプレーティング法、スパッタリング法、気相反応法、真空蒸着法などによる薄膜形成処理のような適宜の前処理を施されていてもよい。
Below, the material used for each said process, various conditions, etc. are demonstrated.
<Board>
As the substrate material, for example, a plate-like member made of an insulating material such as glass, silicon, polycarbonate, polyester, aromatic amide, polyamideimide, polyimide or the like. For the surface of the plate-like member, chemical treatment with a silane coupling agent or the like, if necessary, plasma treatment; thin film formation treatment by an ion plating method, a sputtering method, a gas phase reaction method, a vacuum deposition method, etc. Such an appropriate pretreatment may be performed.

<転写フィルム>
本発明の製造方法に用いる転写フィルムは、支持フィルムと、この支持フィルム上に形成された無機粉体含有樹脂層とを有してなり、当該無機粉体含有樹脂層の表面に保護フィルム層が設けられていてもよい。
また、本発明の製造方法に用いる転写フィルムとしては、支持フィルム上に、後述するレジスト膜と、無機粉体含有樹脂層との積層膜を有する、本発明の転写フィルムが特に好適に用いられる。以下、本発明の転写フィルムの構成要素について詳述する。
<Transfer film>
The transfer film used in the production method of the present invention comprises a support film and an inorganic powder-containing resin layer formed on the support film, and a protective film layer is formed on the surface of the inorganic powder-containing resin layer. It may be provided.
In addition, as the transfer film used in the production method of the present invention, the transfer film of the present invention having a laminated film of a resist film described later and an inorganic powder-containing resin layer on a support film is particularly preferably used. Hereinafter, the components of the transfer film of the present invention will be described in detail.

(1)支持フィルム:
転写フィルムを構成する支持フィルムは、耐熱性および耐溶剤性を有すると共に可撓性を有する樹脂フィルムであることが好ましい。支持フィルムが可撓性を有することにより、ロールコータによってペースト状組成物を塗布することができ、無機粉体含有樹脂層をロール状に巻回した状態で保存し、供給することができる。支持フィルムを形成する樹脂としては、例えばポリエチレンテレフタレート、ポリエステル、ポリエチレン、ポリプロピレン、ポリスチレン、ポリイミド、ポリビニルアルコール、ポリ塩化ビニル、ポリフロロエチレンなどの含フッ素樹脂、ナイロン、セルロースなどを挙げることができる。支持フィルムの厚さとしては、例えば20〜100μmとされる。
(1) Support film:
The support film constituting the transfer film is preferably a resin film having heat resistance and solvent resistance and flexibility. When the support film has flexibility, the paste-like composition can be applied by a roll coater, and the inorganic powder-containing resin layer can be stored and supplied in a state of being wound in a roll. Examples of the resin forming the support film include polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyfluoroethylene, and other fluorine-containing resins, nylon, and cellulose. The thickness of the support film is, for example, 20 to 100 μm.

(2)無機粉体含有樹脂層:
転写フィルムを構成する無機粉体含有樹脂層は、無機粉体、結着樹脂および溶剤を必須成分として含有するペースト状の無機粉体含有樹脂組成物(例えば、隔壁形成用組成物、電極形成用組成物、誘電体形成用組成物、抵抗体形成用組成物、蛍光体形成用組成物、カラーフィルター形成用組成物、ブラックマトリックス形成用組成物)を前記支持フィルム上に塗布し、塗膜を乾燥して溶剤の一部又は全部を除去することにより形成することができる。
(2) Resin layer containing inorganic powder:
The inorganic powder-containing resin layer constituting the transfer film is a paste-like inorganic powder-containing resin composition containing inorganic powder, a binder resin and a solvent as essential components (for example, a partition wall forming composition, an electrode forming material). A composition, a composition for forming a dielectric, a composition for forming a resistor, a composition for forming a phosphor, a composition for forming a color filter, and a composition for forming a black matrix) on the support film, It can be formed by drying to remove part or all of the solvent.

(3)無機粉体含有樹脂組成物
転写フィルムを作製するために使用される無機粉体含有樹脂組成物は、(a)無機粉体、(b)バインダーおよび(c)溶剤を含有してなるペースト状の組成物である。
(3) Inorganic powder-containing resin composition The inorganic powder-containing resin composition used for producing the transfer film comprises (a) an inorganic powder, (b) a binder, and (c) a solvent. It is a paste-like composition.

(a)無機粉体
本発明の無機粉体含有樹脂組成物に使用される無機粉体は、形成材料の種類によって異なる。
例えば、隔壁形成材料および誘電体形成用材料に使用される無機粉体としては、ガラス粉体、好ましくは軟化点が400〜600℃のガラス粉体が挙げられる。
電極形成材料に使用される無機粉体としては、Ag、Au、Al、Ni、Ag-Pd合金、Cu、Crなどを挙げることができる。
抵抗体形成材料に使用される無機粉体としては、RuO2などを挙げることができる。
蛍光体形成材料に使用される無機粉体は、Y2O3:Eu3+ 、Y2SiO5:Eu3+、Y3Al5O12:Eu3+、YVO4:Eu3+、(Y,Gd)BO3:Eu3+、Zn3(PO4)2:Mnなどの赤色用蛍光体;Zn2SiO4:Mn、BaAl12O19:Mn、BaMgAl14O23:Mn、LaPO4:(Ce,Tb)、Y3(Al,Ga)5O12:Tbなどの緑色用蛍光体;Y2SiO5:Ce、BaMgAl10O17:Eu2+、BaMgAl14O23:Eu2+、(Ca,Sr,Ba)10(PO4)6Cl2:Eu2+、(Zn,Cd)S:Agなどの青色用蛍光体を挙げることができる。
カラーフィルター形成材料に使用される無機粉体は、Fe2O3、Pb3O4、CdS、CdSe、 PbCrO4、PbSO4、Fe(NO3)3などの赤色用顔料;Cr2O3、TiO2-CoO-NiO-ZnO、CoO-CrO-TiO2-Al2O3、Co3(PO4)2、CoO-ZnOなどの緑色用顔料;2(Al2Na2Si3O10)・Na2S4)、CoO-Al2O3などの青色用顔料の他、色補正用の無機顔料として、PbCrO4-PbSO4、PbCrO4、PbCrO4-PbO、CdS、TiO2-NiO-Sb2O3などの黄色顔料;Pb(Cr-Mo-S)O4などの橙色顔料;Co3(PO4)2などの紫色顔料を挙げることができる。
ブラックマトリックス形成材料に使用される無機粉体としては、Mn、Fe、Crなどを挙げることができる。
(A) Inorganic powder The inorganic powder used in the inorganic powder-containing resin composition of the present invention varies depending on the type of forming material.
For example, examples of the inorganic powder used for the partition wall forming material and the dielectric forming material include glass powder, preferably glass powder having a softening point of 400 to 600 ° C.
Examples of the inorganic powder used for the electrode forming material include Ag, Au, Al, Ni, Ag—Pd alloy, Cu, and Cr.
Examples of the inorganic powder used for the resistor forming material include RuO 2 .
Inorganic powders used for phosphor forming materials are Y 2 O 3 : Eu 3+ , Y 2 SiO 5 : Eu 3+ , Y 3 Al 5 O 12 : Eu 3+ , YVO 4 : Eu 3+ , ( Y, Gd) BO 3 : Eu 3+ , Zn 3 (PO 4 ) 2 : Mn and other red phosphors; Zn 2 SiO 4 : Mn, BaAl 12 O 19 : Mn, BaMgAl 14 O 23 : Mn, LaPO 4 : (Ce, Tb), Y 3 (Al, Ga) 5 O 12 : Green phosphor such as Tb; Y 2 SiO 5 : Ce, BaMgAl 10 O 17 : Eu 2+ , BaMgAl 14 O 23 : Eu 2+ , (Ca, Sr, Ba) 10 (PO 4 ) 6 Cl 2 : Eu 2+ , (Zn, Cd) S: Ag, and the like.
Inorganic powders used for color filter forming materials include red pigments such as Fe 2 O 3 , Pb 3 O 4 , CdS, CdSe, PbCrO 4 , PbSO 4 , Fe (NO 3 ) 3 ; Cr 2 O 3 , Green pigments such as TiO 2 -CoO-NiO-ZnO, CoO-CrO-TiO 2 -Al 2 O 3 , Co 3 (PO4) 2 , CoO-ZnO; 2 (Al 2 Na 2 Si 3 O 10 ) ・ Na 2 S 4 ) In addition to blue pigments such as CoO-Al 2 O 3 , PbCrO 4 -PbSO 4 , PbCrO 4 , PbCrO 4 -PbO, CdS, TiO 2 -NiO-Sb 2 Mention may be made of yellow pigments such as O 3 ; orange pigments such as Pb (Cr—Mo—S) O 4 ; purple pigments such as Co 3 (PO 4 ) 2 .
Examples of the inorganic powder used for the black matrix forming material include Mn, Fe, Cr and the like.

(b)結着樹脂
本発明の無機粉体含有樹脂組成物に使用される結着樹脂としては、種々の樹脂を用いることができるが、アルカリ可溶性樹脂を30〜100重量%の割合で含有する結着樹脂を用いることが特に好ましい。
ここに、「アルカリ可溶性」とは、後述するアルカリ性のエッチング液によって溶解し、目的とするエッチング処理が遂行される程度に溶解性を有する性質をいう。
かかるアルカリ可溶性樹脂の具体例としては、例えば(メタ)アクリル系樹脂、ヒドロキシスチレン樹脂、ノボラック樹脂、ポリエステル樹脂などを挙げることができる。
このようなアルカリ可溶性樹脂のうち、特に好ましいものとしては、下記のモノマー(イ)とモノマー(ロ)との共重合体、又はモノマー(イ)と、モノマー(ロ)とモノマー(ハ)との共重合体を挙げることができる。
(B) Binder Resin As the binder resin used in the inorganic powder-containing resin composition of the present invention, various resins can be used, but the alkali-soluble resin is contained in a proportion of 30 to 100% by weight. It is particularly preferable to use a binder resin.
Here, “alkali-soluble” refers to the property of being dissolved in an alkaline etching solution described later and having solubility to such an extent that the intended etching process is performed.
Specific examples of such alkali-soluble resins include (meth) acrylic resins, hydroxystyrene resins, novolac resins, and polyester resins.
Among such alkali-soluble resins, particularly preferred are the following copolymer of monomer (a) and monomer (b), or monomer (a), monomer (b) and monomer (c): Mention may be made of copolymers.

モノマー(イ):
アクリル酸、メタクリル酸、マレイン酸、フマル酸、クロトン酸、イタコン酸、シトラコン酸、メサコン酸、ケイ皮酸などのカルボキシル基含有モノマー類;(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシエチル、(メタ)アクリル酸2−ヒドロキシプロピル、(メタ)アクリル酸3−ヒドロキシプロピルなどの水酸基含有モノマー類;o−ヒドロキシスチレン、m−ヒドロキシスチレン、p−ヒドロキシスチレンなどのフェノール性水酸基含有モノマー類などに代表されるアルカリ可溶性官能基含有モノマー類。
モノマー(ロ):
(メタ)アクリル酸メチル、(メタ)アクリル酸エチル、(メタ)アクリル酸ブチル、(メタ)アクリル酸ベンジル、グリシジル(メタ)アクリレート、ジシクロペンタニル(メタ)アクリレートなどのモノマー(イ)以外の(メタ)アクリル酸エステル類;スチレン、α−メチルスチレンなどの芳香族ビニル系モノマー類;ブタジエン、イソプレンなどの共役ジエン類などに代表されるモノマー(イ)と共重合可能なモノマー類。
モノマー(ハ):
ポリスチレン、ポリ(メタ)アクリル酸メチル、ポリ(メタ)アクリル酸エチル、ポリ(メタ)アクリル酸ベンジル等のポリマー鎖の一方の末端に、(メタ)アクリロイル基などの重合性不飽和基を有するマクロモノマーなどに代表されるマクロモノマー類:
Monomer (I):
Carboxyl group-containing monomers such as acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid; (meth) acrylic acid 2-hydroxyethyl, (meth) acrylic acid Hydroxyl-containing monomers such as 2-hydroxypropyl and 3-hydroxypropyl (meth) acrylate; alkali-soluble typified by phenolic hydroxyl-containing monomers such as o-hydroxystyrene, m-hydroxystyrene and p-hydroxystyrene Functional group-containing monomers.
Monomer (b):
Other than monomers (A) such as methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, butyl (meth) acrylate, benzyl (meth) acrylate, glycidyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate (Meth) acrylic acid esters; aromatic vinyl monomers such as styrene and α-methylstyrene; monomers copolymerizable with monomer (a) typified by conjugated dienes such as butadiene and isoprene.
Monomer (C):
A macro having a polymerizable unsaturated group such as a (meth) acryloyl group at one end of a polymer chain such as polystyrene, poly (meth) acrylate methyl, poly (meth) ethyl acrylate, poly (meth) acrylate benzyl, etc. Macromonomer represented by monomer etc .:

無機粉体含有樹脂組成物における結着樹脂の含有割合としては、無機粉体100重量部に対して、通常1〜50重量部とされ、好ましくは1〜40重量部とされる。   The content ratio of the binder resin in the inorganic powder-containing resin composition is usually 1 to 50 parts by weight, preferably 1 to 40 parts by weight with respect to 100 parts by weight of the inorganic powder.

(c)溶剤
無機粉体含有樹脂組成物を構成する溶剤は、当該無機粉体含有樹脂組成物に、適当な流動性または可塑性、良好な膜形成性を付与するために含有される。
無機粉体含有樹脂組成物を構成する溶剤としては、特に制限されるものではなく、例えばエーテル類、エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、ラクトン類、スルホキシド類、スルホン類、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類などを挙げることができる。
かかる溶剤の具体例としては、テトラヒドロフラン、アニソール、ジオキサン、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、プロピオン酸エステル類、ヒドロキシプロピオン酸エステル類、アルコキシプロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、アルコキシ酢酸エステル類、環式ケトン類、非環式ケトン類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル類、N,N−ジアルキルホルムアミド類、N,N−ジアルキルアセトアミド類、N−アルキルピロリドン類、γ−ラクトン類、ジアルキルスルホキシド類、ジアルキルスルホン類、ターピネオール、N−メチル−2−ピロリドンなどを挙げることができ、これらは単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
無機粉体含有樹脂組成物における溶剤の含有割合としては、良好な膜形成性(流動性または可塑性)が得られる範囲内において適宜選択することができる。
(C) Solvent The solvent constituting the inorganic powder-containing resin composition is contained in order to impart appropriate fluidity or plasticity and good film-forming properties to the inorganic powder-containing resin composition.
The solvent constituting the inorganic powder-containing resin composition is not particularly limited. For example, ethers, esters, ether esters, ketones, ketone esters, amides, amide esters, lactams, Examples include lactones, sulfoxides, sulfones, hydrocarbons, and halogenated hydrocarbons.
Specific examples of such solvents include tetrahydrofuran, anisole, dioxane, ethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, acetate esters, hydroxyacetate esters, alkoxyacetic acid. Esters, propionic acid esters, hydroxypropionic acid esters, alkoxypropionic acid esters, lactic acid esters, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether acetates, alkoxyacetic acid esters, cyclic ketones, Acyclic ketones, acetoacetic esters, pyruvates, N, N-dialkylformamides, N, N- Examples include alkylacetamides, N-alkylpyrrolidones, γ-lactones, dialkylsulfoxides, dialkylsulfones, terpineol, N-methyl-2-pyrrolidone, etc., and these may be used alone or in combination of two or more. Can be used.
The content ratio of the solvent in the inorganic powder-containing resin composition can be appropriately selected within a range in which good film forming properties (fluidity or plasticity) can be obtained.

無機粉体含有樹脂組成物には、任意成分として、可塑剤、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、低融点ガラス等の各種添加剤が含有されていてもよい。   Inorganic powder-containing resin compositions include, as optional components, plasticizers, development accelerators, adhesion assistants, antihalation agents, storage stabilizers, antifoaming agents, antioxidants, ultraviolet absorbers, fillers, low melting glass And various other additives may be contained.

(4)レジスト膜(レジスト組成物)
本発明の転写フィルムに用いられるレジスト組成物は、化合物(I)を光重合開始剤として含有するものであり、通常、(A)バインダーポリマー、(B)多官能性モノマーおよび(C)化合物(I)を含む光重合開始剤を含有する。
なお、本発明の製造方法においては、基板上に転写された無機粉体含有樹脂層上にレジスト膜を形成して用いても良い。当該レジスト膜に露光処理および現像処理を施すことにより、前記無機粉体含有樹脂層上にレジストパターンが形成される。
本発明において用いられるレジスト膜は、化合物(I)を含有する点に特徴を有する。
(4) Resist film (resist composition)
The resist composition used for the transfer film of the present invention contains compound (I) as a photopolymerization initiator, and is usually (A) a binder polymer, (B) a polyfunctional monomer, and (C) a compound ( A photopolymerization initiator containing I) is contained.
In the manufacturing method of the present invention, a resist film may be formed on the inorganic powder-containing resin layer transferred onto the substrate. By subjecting the resist film to exposure processing and development processing, a resist pattern is formed on the inorganic powder-containing resin layer.
The resist film used in the present invention is characterized in that it contains the compound (I).

(A)バインダーポリマー
レジスト組成物に用いられるバインダーポリマー(A)は、アルカリ現像型の場合にはアルカリ可溶性樹脂である必要があり、分子中に少なくとも1個以上のカルボキシル基を有するエチレン不飽和性のカルボキシル基含有単量体(A−1)と、このカルボキシル基含有単量体(A−1)と共重合可能な共重合性単量体(A−2)とよりなる単量体組成物を重合することにより得られるカルボキシル基含有共重合体であることが好ましい。
(A) Binder polymer The binder polymer (A) used in the resist composition must be an alkali-soluble resin in the case of an alkali development type, and has an ethylene unsaturated property having at least one carboxyl group in the molecule. A monomer composition comprising a carboxyl group-containing monomer (A-1) and a copolymerizable monomer (A-2) copolymerizable with the carboxyl group-containing monomer (A-1) It is preferable that it is a carboxyl group-containing copolymer obtained by polymerizing.

カルボキシル基含有単量体(A−1)の具体例としては、(イ)アクリル酸、メタクリル酸、クロトン酸などの不飽和モノカルボン酸、(ロ)イタコン酸、マレイン酸、フマル酸などの不飽和ジカルボン酸、および(ハ)その他の不飽和カルボン酸が挙げられる。これらは単独で若しくは2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Specific examples of the carboxyl group-containing monomer (A-1) include (i) unsaturated monocarboxylic acids such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid, (b) itaconic acid, maleic acid, fumaric acid and the like. Saturated dicarboxylic acids, and (c) other unsaturated carboxylic acids. These can be used alone or in combination of two or more.

上記のカルボキシル基含有単量体(A−1)に由来する構成単位を含有する共重合体は、アルカリ溶解性を有し、特に上記の割合で単量体(A−1)を用いることにより得られる共重合体は、アルカリ現像液に対して優れた溶解性を有するものとなり、従って、これを(A)成分として用いた感光性レジスト組成物は、アルカリ現像液に対する未溶解物の生成が本質的に少ないものとなり、現像処理において基板のレジストパターン形成部以外の個所における地汚れ、膜残りなどが発生しにくいものである。
また、この共重合体を(A)成分とする場合に得られるレジストパターンは、アルカリ現像液に過剰に溶解することがなく、無機粉体ペースト層に対して優れた密着性を有するため、無機粉体ペースト層から脱落しにくいものである。
The copolymer containing the structural unit derived from the above carboxyl group-containing monomer (A-1) has alkali solubility, and particularly by using the monomer (A-1) at the above ratio. The resulting copolymer has excellent solubility in an alkali developer. Therefore, a photosensitive resist composition using this as a component (A) is capable of producing an undissolved product in an alkali developer. It becomes essentially less, and background stains and film residues at portions other than the resist pattern forming portion of the substrate are less likely to occur in the development process.
In addition, the resist pattern obtained when this copolymer is used as the component (A) does not excessively dissolve in an alkali developer and has excellent adhesion to the inorganic powder paste layer, so that it is inorganic. It is difficult to fall off from the powder paste layer.

共重合性単量体(A−2)の具体例としては、(イ)スチレン、α−メチルスチレン、ビニルトルエンなどの芳香族ビニル化合物類、(ロ)メチルアクリレート、メチルメタクリレート、エチルアクリレート、エチルメタクリレート、ブチルアクリレート、ブチルメタクリレート、2−ヒドロキシエチルアクリレート、2−ヒドロキシエチルメタクリレート、ベンジルアクリレート、ベンジルメタクリレートなどの不飽和カルボン酸アルキルエステル類、(ハ)アミノエチルアクリレートなどの不飽和カルボン酸アミノアルキルエステル類、(ニ)グリシジルアクリレート、グリシジルメタクリレートなどの不飽和カルボン酸グリシジルエステル類、(ホ)酢酸ビニル、プロピオン酸ビニルなどのカルボン酸ビニルエステル類、(ヘ)アクリロニトリル、メタクリロニトリル、α−クロルアクリロニトリルなどのシアン化ビニル化合物類、(ト)1,3−ブタジエン、イソプレンなどの脂肪族共役ジエン類、(チ)それぞれ末端にアクリロイル基またはメタクリロイル基を有するポリスチレン、ポリメチルアクリレート、ポリメチルメタクリレート、ポリブチルアクリレート、ポリブチルメタクリレート、ポリシリコーンなどのマクロモノマー類などが挙げられる。これらは、単独で若しくは2種類以上を組み合わせて用いることができる。   Specific examples of the copolymerizable monomer (A-2) include (a) aromatic vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene, vinyltoluene, (b) methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, and ethyl. Unsaturated carboxylic acid alkyl esters such as methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, benzyl acrylate and benzyl methacrylate, (c) Unsaturated carboxylic acid aminoalkyl esters such as aminoethyl acrylate (D) Unsaturated carboxylic acid glycidyl esters such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate, (e) carboxylic acid vinyl esters such as vinyl acetate and vinyl propionate, (f) acrylic Vinyl cyanide compounds such as nitrile, methacrylonitrile and α-chloroacrylonitrile, (to) aliphatic conjugated dienes such as 1,3-butadiene and isoprene, (h) polystyrene having acryloyl group or methacryloyl group at each end , Macromonomers such as polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polybutyl acrylate, polybutyl methacrylate, and polysilicone. These can be used alone or in combination of two or more.

上記カルボキシル基含有単量体(A−1)と共重合性単量体(A−2)とを共重合して得られるバインダーポリマー(A)の好ましい具体例としては、メタクリル酸/ベンジルメタクリレート/スチレン共重合体、メタクリル酸/メチルメタクリレート/スチレン共重合体、メタクリル酸/ベンジルメタクリレート/ポリスチレンマクロモノマー共重合体、メタクリル酸/メチルメタクリレート/ポリスチレンマクロモノマー共重合体などが挙げられる。   Preferable specific examples of the binder polymer (A) obtained by copolymerizing the carboxyl group-containing monomer (A-1) and the copolymerizable monomer (A-2) include methacrylic acid / benzyl methacrylate / Examples thereof include a styrene copolymer, a methacrylic acid / methyl methacrylate / styrene copolymer, a methacrylic acid / benzyl methacrylate / polystyrene macromonomer copolymer, and a methacrylic acid / methyl methacrylate / polystyrene macromonomer copolymer.

バインダーポリマー(A)におけるカルボキシル基含有単量体(A−1)の共重合割合は、単量体全量に対して5〜50重量%、特に、10〜40重量%であることが好ましい。カルボキシル基含有単量体(A−1)の共重合割合が5重量%未満の場合には、得られるレジスト組成物は、アルカリ現像液に対する溶解性が低くなる傾向がある。一方、カルボキシル基含単量体(A−1)の共重合割合が50重量%を超える場合には、現像時にレジストパターンが無機粉体ペースト層から脱落する傾向がある。   The copolymerization ratio of the carboxyl group-containing monomer (A-1) in the binder polymer (A) is preferably 5 to 50% by weight, particularly preferably 10 to 40% by weight, based on the total amount of the monomers. When the copolymerization ratio of the carboxyl group-containing monomer (A-1) is less than 5% by weight, the resulting resist composition tends to be less soluble in an alkaline developer. On the other hand, when the copolymerization ratio of the carboxyl group-containing monomer (A-1) exceeds 50% by weight, the resist pattern tends to fall off from the inorganic powder paste layer during development.

このようなバインダーポリマー(A)は、ゲルパーミエーションクロマトグラフィー(GPC、キャリアー:テトラヒドロフラン)で測定されるポリスチレン換算重量平均分子量(以下、単に「重量平均分子量」という。)が、3000〜300000、特に5000〜200000であることが好ましい。
このような分子量を有するバインダーポリマーを用いることによって、現像性の高いレジスト組成物が得られ、これにより、シャープなパターンエッジを有するレジストパターンを形成することができると共に、均一なパターンを有するカラーフィルターを形成できる。
Such a binder polymer (A) has a polystyrene-equivalent weight average molecular weight (hereinafter simply referred to as “weight average molecular weight”) measured by gel permeation chromatography (GPC, carrier: tetrahydrofuran) of 3000 to 300,000. It is preferable that it is 5000-200000.
By using a binder polymer having such a molecular weight, a highly developable resist composition can be obtained, whereby a resist pattern having sharp pattern edges can be formed, and a color filter having a uniform pattern Can be formed.

(B)多官能性モノマー
多官能性モノマー(B)としては、多官能性(メタ)アクリレートが好ましく用いられる。好ましい具体例としては、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ペンタエリスリトールトリアクリレート、トリスアクリロイルオキシエチルフォスフェート、ペンタエリスリトールテトラアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレート、ジペンタエリスリトールヘキサアクリレートなどの2官能以上の多官能アクリレート類、およびこれらのオリゴマーが挙げられる。
これらの中で、ポリプロピレングリコールジアクリレート、トリメチロールプロパントリアクリレート、ジペンタエリスリトールペンタアクリレートおよびペンタエリスリトールトリアクリレートが、レジストパターンの強度が高く、パターン形成部以外での地汚れまたは膜残りが発生しにくい点で特に好ましい。
(B) Multifunctional monomer As the polyfunctional monomer (B), polyfunctional (meth) acrylate is preferably used. Preferable specific examples include two or more functionalities such as polypropylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, pentaerythritol triacrylate, trisacryloyloxyethyl phosphate, pentaerythritol tetraacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, dipentaerythritol hexaacrylate, etc. And polyfunctional acrylates, and oligomers thereof.
Among these, polypropylene glycol diacrylate, trimethylolpropane triacrylate, dipentaerythritol pentaacrylate, and pentaerythritol triacrylate have high resist pattern strength, and hardly cause scumming or film residue at portions other than the pattern forming portion. Particularly preferred in terms.

上記多官能性(メタ)アクリレートの分子量としては、100〜2,000であることが好ましい。
多官能性モノマー(B)の使用割合は、バインダーポリマー(A)100重量部に対して、通常、5〜500重量部、好ましくは20〜300重量部である。この割合が5重量部未満である場合には、レジストパターン強度が不十分なものとなりやすい傾向がある。一方、この割合が500重量部を超える場合には、アルカリ解像性が低下したり、レジストパターン形成部以外の地汚れ、膜残りなどが発生したりする傾向がある。
The molecular weight of the polyfunctional (meth) acrylate is preferably 100 to 2,000.
The proportion of the polyfunctional monomer (B) used is usually 5 to 500 parts by weight, preferably 20 to 300 parts by weight, with respect to 100 parts by weight of the binder polymer (A). When this ratio is less than 5 parts by weight, the resist pattern strength tends to be insufficient. On the other hand, when this ratio exceeds 500 parts by weight, there is a tendency that the alkali resolution is deteriorated, or background contamination other than the resist pattern forming part, film residue, etc. are generated.

(C)光重合開始剤
本発明における光重合開始剤としては、化合物(I)を必須として含有する。化合物(I)を用いることにより、高感度で硬化深度の良好なレジスト膜を得ることができ、従って得られるパターンの形状が良好なものになるという効果を有する。また、光重合開始剤全体の含有量を少なくすることができることから、燃焼性や現像性に優れたレジスト膜を得ることができる。
(C) Photopolymerization initiator The photopolymerization initiator in the present invention contains compound (I) as an essential component. By using the compound (I), it is possible to obtain a resist film having a high sensitivity and a good curing depth, and thus has an effect that the shape of the resulting pattern is good. Moreover, since the content of the whole photopolymerization initiator can be reduced, a resist film excellent in combustibility and developability can be obtained.

化合物(I)を示す上記式(1)および上記式(2)中、R1およびRは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基(但し、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基、フェニル基およびハロゲン原子から選ばれる少なくとも1種で置換されてもよい。)、フェニル基(但し、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基、フェニル基およびハロゲン原子から選ばれる少なくとも1種で置換されてもよい。)、炭素数4〜20の含酸素複素環含有基、炭素数4〜20の含窒素複素環含有基または炭素数4〜20の含硫黄複素環含有基である(但し、R1およびRがいずれも水素原子である場合を除く)。
炭素数3〜20の脂環式炭化水素基としては、シクロアルキル基、ビシクロアルキル基、トリシクロアルキル基、スピロアルキル基、ter−シクロアルキル基、テルペン骨格含有基、アダマンチル骨格含有基等が挙げられる。また、炭素数4〜20の含窒素複素環含有基、炭素数4〜20の含酸素複素環含有基、炭素数4〜20の含硫黄複素環含有基としては、たとえば、チオラニル基、アゼピニル基、ジヒドロアゼピニル基、ジオキソラニル基、トリアジニル基、オキサチアニル基、チアゾーリル基、オキサジアジニル基、ジオキサインダニイル基、ジヒアナフタレニル基、フラニル基、チオフェニル基、ピロリル基、オキサゾリル基、イソオキサゾリル基、チアゾリル基、イソチアゾリル基、ピラゾリル基、フラザニル基、ピラニル基、ピリジニル基、ピリダジニル基、ピリミジル基、ピラジニル基、ピロリニル基、モルホニル基、ピペラジニル基、キヌクリジニル基、インドーリル基、イソインドーリル基、ベンゾフラニル基、ベンゾチオフェニル基、インドリジニル基、クロメニル基、キノリニル基、イソキノリニル基、プリニル基、キナゾリニル基、シンノリニル基、フタラジニル基、プテリジニル基、カルバゾーリル基、アクリジニル基、フェナントリジニル基、チオキサンテニル基、フェナジニル基、フェノチアジニル基、フェノキサチイニル基、フェノキサジニル基、チアントレニル等が挙げられる。
In the above formula (1) and the above formula (2) showing the compound (I), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, or an alicyclic ring having 3 to 20 carbon atoms. A hydrocarbon group (however, it may be substituted with at least one selected from an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group and a halogen atom), a phenyl group (however, And may be substituted with at least one selected from an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, and a halogen atom.), An oxygen-containing heterocyclic group having 4 to 20 carbon atoms , A nitrogen-containing heterocycle-containing group having 4 to 20 carbon atoms or a sulfur-containing heterocycle-containing group having 4 to 20 carbon atoms (except when R 1 and R 2 are both hydrogen atoms).
Examples of the alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms include a cycloalkyl group, a bicycloalkyl group, a tricycloalkyl group, a spiroalkyl group, a ter-cycloalkyl group, a terpene skeleton-containing group, and an adamantyl skeleton-containing group. It is done. Examples of the nitrogen-containing heterocycle-containing group having 4 to 20 carbon atoms, the oxygen-containing heterocycle-containing group having 4 to 20 carbon atoms, and the sulfur-containing heterocycle-containing group having 4 to 20 carbon atoms include, for example, thiolanyl group and azepinyl group. , Dihydroazepinyl group, dioxolanyl group, triazinyl group, oxathanyl group, thiazolyl group, oxadiazinyl group, dioxaindanyl group, dihyanaphthalenyl group, furanyl group, thiophenyl group, pyrrolyl group, isoxazolyl group, isoxazolyl group, thiazolyl Group, isothiazolyl group, pyrazolyl group, furazanyl group, pyranyl group, pyridinyl group, pyridazinyl group, pyrimidyl group, pyrazinyl group, pyrrolinyl group, morpholinyl group, piperazinyl group, quinuclidinyl group, indolyl group, isoindolyl group, benzofuranyl group, benzo Thiophenyl group, India Zinyl, chromenyl, quinolinyl, isoquinolinyl, purinyl, quinazolinyl, cinnolinyl, phthalazinyl, pteridinyl, carbazolyl, acridinyl, phenanthridinyl, thioxanthenyl, phenazinyl, phenothiazinyl, phenoxy Examples include a sathiinyl group, a phenoxazinyl group, and thiantenyl.

かかる化合物(I)の具体例としては、1−[9−エチル−6−ベンゾイル−9.H.−カルバゾール−3−イル]−ノナン−1,2−ノナン−2−オキシム−O−ベンゾアート、1−[9−エチル−6−ベンゾイル−9.H.−カルバゾール−3−イル]−ノナン−1,2−ノナン−2−オキシム−O−アセタート、1−[9−エチル−6−ベンゾイル−9.H.−カルバゾール−3−イル]−ペンタン−1,2−ペンタン−2−オキシム−O−アセタート、1−[9−エチル−6−ベンゾイル−9.H.−カルバゾール−3−イル]−オクタン−1−オンオキシム−O−アセタート、1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−エタン−1−オンオキシム−O−ベンゾアート、1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−エタン−1−オンオキシム−O−アセタート、1−[9−エチル−6−(1,3,5−トリメチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−エタン−1−オンオキシム−O−ベンゾアート、1−[9−ブチル−6−(2−エチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−エタン−1−オンオキシム−O−ベンゾアート等を挙げることができる。これらは同時に2種以上を使用しても良い。
これらのうち、特に1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−エタン−1−オンオキシム−O−アセタートが好ましい。当該化合物は、上記式(1)で表され、R1 がメチル基、R2 がメチル基、R3 がエチル基、R4 がメチル基、R5 およびR6 が水素原子である化合物である。
化合物(I)の含有割合としては、多官能性モノマー100質量部に対して、通常、0.01〜200質量部とされ、好ましくは、1〜120質量部とされる。
Specific examples of such compound (I) include 1- [9-ethyl-6-benzoyl-9.H.-carbazol-3-yl] -nonane-1,2-nonane-2-oxime-O-benzoate. 1- [9-ethyl-6-benzoyl-9.H.-carbazol-3-yl] -nonane-1,2-nonane-2-oxime-O-acetate, 1- [9-ethyl-6-benzoyl -9.H.-Carbazol-3-yl] -pentane-1,2-pentane-2-oxime-O-acetate, 1- [9-ethyl-6-benzoyl-9.H.-carbazol-3-yl ] -Octane-1-one oxime-O-acetate, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9.H.-carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-benzoate 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzo) Yl) -9.H.-carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-acetate, 1- [9-ethyl-6- (1,3,5-trimethylbenzoyl) -9.H.- Carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-benzoate, 1- [9-butyl-6- (2-ethylbenzoyl) -9.H.-carbazol-3-yl] -ethane-1- Onoxime-O-benzoate can be mentioned. Two or more of these may be used at the same time.
Of these, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9.H.-carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-acetate is particularly preferable. The compound is a compound represented by the above formula (1), wherein R 1 is a methyl group, R 2 is a methyl group, R 3 is an ethyl group, R 4 is a methyl group, and R 5 and R 6 are hydrogen atoms. .
As a content rate of compound (I), it is 0.01-200 mass parts normally with respect to 100 mass parts of polyfunctional monomers, Preferably, it is 1-120 mass parts.

レジスト組成物には、化合物(I)以外の光重合開始剤を併用しても良い。その他の光重合開始剤の具体例としては、ベンジル、ベンゾイン、ベンゾフェノン、カンファーキノン、2−ヒドロキシ−2−メチル−1−フェニルプロパン−1−オン、1−ヒドロキシシクロヘキシルフェニルケトン、2,2−ジメトキシ−2−フェニルアセトフェノン、2−メチル−〔4’−(メチルチオ)フェニル〕−2−モルフォリノ−1−プロパノン、2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オンなどのカルボニル化合物;アゾイソブチロニトリル、4−アジドベンズアルデヒドなどのアゾ化合物あるいはアジド化合物;メルカプタンジスルフィドなどの有機硫黄化合物;ベンゾイルパーオキシド、ジ−tert−ブチルパーオキシド、tert−ブチルハイドロパーオキシド、クメンハイドロパーオキシド、パラメタンハイドロパーオキシドなどの有機パーオキシド;1,3−ビス(トリクロロメチル)−5−(2’−クロロフェニル)−1,3,5−トリアジン、2−〔2−(2−フラニル)エチレニル〕−4,6−ビス(トリクロロメチル)−1,3,5−トリアジンなどのトリハロメタン類;2,2’−ビス(2−クロロフェニル)4,5,4’,5’−テトラフェニル1,2’−ビイミダゾールなどのイミダゾール二量体などを挙げることができる。これらは単独でまたは2種以上を組み合わせて使用することができる。 その他の光重合開始剤の含有割合は、光重合開始剤全量に対して80質量%以下とされる。   A photopolymerization initiator other than the compound (I) may be used in combination with the resist composition. Specific examples of other photopolymerization initiators include benzyl, benzoin, benzophenone, camphorquinone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexyl phenyl ketone, 2,2-dimethoxy. 2-phenylacetophenone, 2-methyl- [4 ′-(methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propanone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butane-1 Carbonyl compounds such as -one; Azo compounds or azide compounds such as azoisobutyronitrile and 4-azidobenzaldehyde; Organic sulfur compounds such as mercaptan disulfide; Benzoyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, tert-butyl hydroper Oxides Organic peroxides such as hydrogen peroxide and paraffin hydroperoxide; 1,3-bis (trichloromethyl) -5- (2′-chlorophenyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (2- Furanyl) ethylenyl] -4,6-bis (trichloromethyl) -1,3,5-triazine and the like; 2,2′-bis (2-chlorophenyl) 4,5,4 ′, 5′-tetraphenyl Examples thereof include imidazole dimers such as 1,2'-biimidazole. These can be used alone or in combination of two or more. The content rate of other photoinitiators shall be 80 mass% or less with respect to the photopolymerization initiator whole quantity.

(D)溶剤
本発明で用いられるレジスト組成物には、当該感光性レジスト組成物に適当な流動性または可塑性、良好な膜形成性を付与するために、通常、溶剤が含有される。
レジスト組成物に含有される溶剤としては、特に制限されるものではなく、例えば、エーテル類、エステル類、エーテルエステル類、ケトン類、ケトンエステル類、アミド類、アミドエステル類、ラクタム類、ラクトン類、スルホキシド類、スルホン類、炭化水素類、ハロゲン化炭化水素類などを挙げることができる。
かかる溶剤の具体例としては、テトラヒドロフラン、アニソール、ジオキサン、エチレングリコールモノアルキルエーテル類、ジエチレングリコールジアルキルエーテル類、プロピレングリコールモノアルキルエーテル類、プロピレングリコールジアルキルエーテル類、酢酸エステル類、ヒドロキシ酢酸エステル類、アルコキシ酢酸エステル類、プロピオン酸エステル類、ヒドロキシプロピオン酸エステル類、アルコキシプロピオン酸エステル類、乳酸エステル類、エチレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、プロピレングリコールモノアルキルエーテルアセテート類、アルコキシ酢酸エステル類、環式ケトン類、非環式ケトン類、アセト酢酸エステル類、ピルビン酸エステル類、N,N−ジアルキルホルムアミド類、N,N−ジアルキルアセトアミド類、N−アルキルピロリドン類、γ−ラクトン類、ジアルキルスルホキシド類、ジアルキルスルホン類、ターピネオール、N−メチル−2−ピロリドンなどを挙げることができ、これらは単独でまたは2種以上を組み合わせて用いることができる。
当該レジスト組成物における溶剤の含有割合としては、良好な膜形成性(流動性または可塑性)が得られる範囲内において適宜選択することができる。
(D) Solvent The resist composition used in the present invention usually contains a solvent in order to impart appropriate fluidity or plasticity and good film forming properties to the photosensitive resist composition.
The solvent contained in the resist composition is not particularly limited, and examples thereof include ethers, esters, ether esters, ketones, ketone esters, amides, amide esters, lactams, and lactones. Sulfoxides, sulfones, hydrocarbons, halogenated hydrocarbons, and the like.
Specific examples of such solvents include tetrahydrofuran, anisole, dioxane, ethylene glycol monoalkyl ethers, diethylene glycol dialkyl ethers, propylene glycol monoalkyl ethers, propylene glycol dialkyl ethers, acetate esters, hydroxyacetate esters, alkoxyacetic acid. Esters, propionic acid esters, hydroxypropionic acid esters, alkoxypropionic acid esters, lactic acid esters, ethylene glycol monoalkyl ether acetates, propylene glycol monoalkyl ether acetates, alkoxyacetic acid esters, cyclic ketones, Acyclic ketones, acetoacetic esters, pyruvates, N, N-dialkylformamides, N, N- Examples include alkylacetamides, N-alkylpyrrolidones, γ-lactones, dialkylsulfoxides, dialkylsulfones, terpineol, N-methyl-2-pyrrolidone, etc., and these may be used alone or in combination of two or more. Can be used.
The content ratio of the solvent in the resist composition can be appropriately selected within a range where good film formability (fluidity or plasticity) is obtained.

本発明で用いられるレジスト組成物には、任意成分として、現像促進剤、接着助剤、ハレーション防止剤、保存安定剤、消泡剤、酸化防止剤、紫外線吸収剤、フィラー、蛍光体、顔料、染料などの各種添加剤が含有されていてもよい。   The resist composition used in the present invention includes, as optional components, a development accelerator, an adhesion assistant, an antihalation agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a filler, a phosphor, a pigment, Various additives such as dyes may be contained.

(5)転写フィルムの製造方法
本発明の転写フィルムにおいては、支持フィルム上にレジスト組成物を塗布してレジスト膜を形成し、当該レジスト膜の上に無機粉体含有樹脂組成物を塗布して無機粉体含有樹脂層を形成する。また、本発明の転写フィルムは、支持フィルム上に無機粉体含有樹脂層を形成し、保護フィルム上にレジスト膜を形成し、無機粉体含有樹脂層表面とレジスト膜表面とを重ね合わせて圧着する方法によっても、好適に形成することができる。なお、本発明の製造方法には、支持フィルム上に無機粉体含有樹脂組成物を塗布して無機粉体含有樹脂層を形成した転写フィルムを用いることもできる。
レジスト組成物および無機粉体含有樹脂組成物を塗布する方法としては、膜厚の均一性に優れた膜厚の大きい(例えば10μm以上)塗膜を効率よく形成することができるものであることが必要とされ、具体的には、ロールコータによる塗布方法、ドクターブレードによる塗布方法、カーテンコーターによる塗布方法、ワイヤーコーターによる塗布方法などを好ましいものとして挙げることができる。
なお、支持フィルムの表面には離型処理が施されていることが好ましい。これにより、後述する転写工程において、支持フィルムの剥離操作を容易に行うことができる。
(5) Transfer Film Production Method In the transfer film of the present invention, a resist composition is applied onto a support film to form a resist film, and an inorganic powder-containing resin composition is applied onto the resist film. An inorganic powder-containing resin layer is formed. In addition, the transfer film of the present invention is formed by forming an inorganic powder-containing resin layer on a support film, forming a resist film on a protective film, and laminating the surface of the inorganic powder-containing resin layer and the resist film surface for pressure bonding. It can form suitably also by the method to do. In addition, the transfer film which apply | coated the inorganic powder containing resin composition on the support film, and formed the inorganic powder containing resin layer can also be used for the manufacturing method of this invention.
As a method of applying the resist composition and the inorganic powder-containing resin composition, it is possible to efficiently form a coating film having a large film thickness (for example, 10 μm or more) excellent in film thickness uniformity. Specifically, a coating method using a roll coater, a coating method using a doctor blade, a coating method using a curtain coater, a coating method using a wire coater, and the like can be mentioned as preferable examples.
In addition, it is preferable that the mold release process is performed to the surface of the support film. Thereby, peeling operation of a support film can be easily performed in the transfer process mentioned later.

塗膜の乾燥条件としては、例えば、50〜150℃で0.5〜30分間程度とされ、乾燥後における溶剤の残存割合(無機粉体含有樹脂層中の含有率)は、通常2重量%以内とされる。   The drying condition of the coating film is, for example, about 50 to 150 ° C. for about 0.5 to 30 minutes, and the remaining ratio of the solvent after drying (content ratio in the inorganic powder-containing resin layer) is usually 2% by weight. It is assumed to be within.

上記のようにして支持フィルム上に形成される無機粉体含有樹脂層の厚さとしては、無機粉末の含有率、部材の種類やサイズなどによっても異なるが、例えば10〜100μmとされる。
なお、無機粉体含有樹脂層の表面に設けられることのある保護フィルムとしては、ポリエチレンフィルム、ポリビニルアルコール系フィルムなどを挙げることができる。また、保護フィルムを設ける場合、支持フィルムと保護フィルムとでは、支持フィルムの方が剥離力の小さい(剥離しやすい)ものであることが好ましい。
The thickness of the inorganic powder-containing resin layer formed on the support film as described above varies depending on the content of the inorganic powder, the type and size of the member, and is, for example, 10 to 100 μm.
Examples of the protective film that may be provided on the surface of the inorganic powder-containing resin layer include a polyethylene film and a polyvinyl alcohol film. Moreover, when providing a protective film, it is preferable that a support film is a thing with a smaller peeling force (it is easy to peel) with a support film and a protective film.

<露光用マスク>
レジスト膜の露光工程において使用される露光用マスクMの露光パターンとしては、材料によって異なるが、一般的に10〜500μm幅のストライプである。
<Mask for exposure>
Although the exposure pattern of the exposure mask M used in the resist film exposure process varies depending on the material, it is generally a stripe having a width of 10 to 500 μm.

<現像液>
本発明において、レジスト膜の現像工程にはアルカリ現像液が使用される。
アルカリ現像液の有効成分としては、例えば水酸化リチウム、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸水素ナトリウム、リン酸水素二アンモニウム、リン酸水素二カリウム、リン酸水素二ナトリウム、リン酸二水素アンモニウム、リン酸二水素カリウム、リン酸二水素ナトリウム、ケイ酸リチウム、ケイ酸ナトリウム、ケイ酸カリウム、炭酸リチウム、炭酸ナトリウム、炭酸カリウム、ホウ酸リチウム、ホウ酸ナトリウム、ホウ酸カリウム、アンモニアなどの無機アルカリ性化合物;テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキシド、モノメチルアミン、ジメチルアミン、トリメチルアミン、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、エタノールアミンなどの有機アルカリ性化合物などを挙げることができる。
レジスト膜の現像工程に使用されるアルカリ現像液は、前記アルカリ性化合物の1種または2種以上を水などに溶解させることにより調整することができる。ここに、アルカリ性現像液におけるアルカリ性化合物の濃度は、通常0.001〜10重量%とされ、好ましくは0.01〜5重量%とされる。なお、アルカリ現像液による現像処理がなされた後は、通常、水洗処理が施される。
<Developer>
In the present invention, an alkaline developer is used for the resist film development step.
As an active ingredient of the alkaline developer, for example, lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate , Inorganic such as potassium dihydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate, lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, sodium borate, potassium borate, ammonia Alkaline compounds: tetramethylammonium hydroxide, trimethylhydroxyethylammonium hydroxide, monomethylamine, dimethylamine, trimethylamine, monoethylamine, diethylamine, triethylamine, monoisopropylamine, diisopropyl Triethanolamine, and organic alkaline compounds such as ethanol amine.
The alkaline developer used in the resist film development step can be adjusted by dissolving one or more of the alkaline compounds in water. Here, the concentration of the alkaline compound in the alkaline developer is usually 0.001 to 10% by weight, preferably 0.01 to 5% by weight. In addition, after the development process with an alkali developer is performed, a washing process is usually performed.

<エッチング液>
無機粉体含有樹脂層のエッチング工程で使用されるエッチング液としては、アルカリ性溶液であることが好ましい。これにより、無機粉体含有樹脂層に含有されるアルカリ可溶性樹脂を容易に溶解除去することができる。
なお、無機粉体含有樹脂層に含有される無機粉体は、アルカリ可溶性樹脂により均一に分散されているため、アルカリ性溶液でバインダーであるアルカリ可溶性樹脂を溶解させ、洗浄することにより、無機粉体も同時に除去される。
ここに、エッチング液として使用されるアルカリ性溶液としては、現像液と同一組成の溶液を挙げることができる。
そして、エッチング液が、現像工程で使用するアルカリ現像液と同一の溶液である場合には、現像工程と、エッチング工程とを連続的に実施することが可能となり、工程の簡略化による製造効率の向上を図ることができるために好ましい。
なお、アルカリ性溶液によるエッチング処理がなされた後は、通常、水洗処理が施される。
<Etching solution>
The etching solution used in the etching process of the inorganic powder-containing resin layer is preferably an alkaline solution. Thereby, the alkali-soluble resin contained in the inorganic powder-containing resin layer can be easily dissolved and removed.
Since the inorganic powder contained in the inorganic powder-containing resin layer is uniformly dispersed by the alkali-soluble resin, the inorganic powder is dissolved by washing the alkali-soluble resin as a binder with an alkaline solution and washing. Are also removed at the same time.
Here, examples of the alkaline solution used as the etching solution include a solution having the same composition as the developer.
When the etching solution is the same solution as the alkaline developer used in the development process, the development process and the etching process can be performed continuously, and the manufacturing efficiency can be improved by simplifying the process. It is preferable because improvement can be achieved.
In addition, after the etching process with an alkaline solution is performed, a washing process is usually performed.

また、エッチング液として、無機粉体含有樹脂層のバインダーを溶解することのできる有機溶剤を使用することもできる。かかる有機溶剤としては、無機粉体含有樹脂組成物を構成するものとして例示した溶剤を挙げることができる。
なお、有機溶剤によるエッチング処理がなされた後は、必要に応じて貧溶媒によるリンス処理が施される。
Moreover, the organic solvent which can melt | dissolve the binder of an inorganic powder containing resin layer can also be used as etching liquid. Examples of the organic solvent include the solvents exemplified as those constituting the inorganic powder-containing resin composition.
In addition, after the etching process with an organic solvent is performed, the rinse process with a poor solvent is performed as needed.

以下、本発明の実施例について説明するが、本発明はこれらによって限定されるものではない。なお、以下において「部」は「質量部」を示す。
また、Mwは、東ソー株式会社製ゲルパーミィエーションクロマトグラフィー(GPC)(商品名HLC−802A)により測定したポリスチレン換算の重量平均分子量である。
Examples of the present invention will be described below, but the present invention is not limited to these examples. In the following, “part” means “part by mass”.
Moreover, Mw is the weight average molecular weight of polystyrene conversion measured by the Tosoh Corporation gel permeation chromatography (GPC) (brand name HLC-802A).

<実施例1>
(1)無機粉体含有樹脂組成物の調製:
導電性粉体として、比表面積1.8m/gのAg粉体100部、ガラスフリットとして平均粒径3μmのBi23−B23−SiO2系ガラスフリット(不定形、軟化点520℃)10部、結着樹脂として、メタクリル酸2−エチルヘキシル/メタクリル酸3−ヒドロキシプロピル/メタクリル酸/コハク酸モノ(2−メタクリロイロキシエチル)=60/20/20/20(質量%)共重合体(Mw=50,000)20部、分散剤としてオレイン酸1部、可塑剤としてジ−2−エチルヘキシルアゼレート10部、および溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテル100部をビーズミルで混練りした後、ステンレスメッシュ(400メッシュ、38μm径)でフィルタリングすることにより、導電性ペースト組成物を調製した。
<Example 1>
(1) Preparation of resin composition containing inorganic powder:
100 parts of Ag powder having a specific surface area of 1.8 m 2 / g as conductive powder, Bi 2 O 3 —B 2 O 3 —SiO 2 glass frit having an average particle size of 3 μm as glass frit (indefinite shape, softening point) 520 ° C.) 10 parts, as binder resin, 2-ethylhexyl methacrylate / 3-hydroxypropyl methacrylate / methacrylic acid / mono (2-methacryloyloxyethyl) succinate = 60/20/20/20 (mass%) After kneading 20 parts of a copolymer (Mw = 50,000), 1 part of oleic acid as a dispersant, 10 parts of di-2-ethylhexyl azelate as a plasticizer, and 100 parts of propylene glycol monomethyl ether as a solvent in a bead mill. Prepare conductive paste composition by filtering with stainless mesh (400 mesh, 38μm diameter) It was.

(2)レジスト組成物の調製:
バインダーポリマーとしてメタクリル酸ベンジル/メタクリル酸=75/25(重量%)共重合体(Mw=30,000)60部、多官能性モノマーとしてトリプロピレングリコールジアクリレート40部、光重合開始剤として1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−エタン−1−オンオキシム−O−アセタート10部および溶剤としてプロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート100部を混練りした後、カートリッジフィルター(2μm径)でフィルタリングすることにより、アルカリ現像型感放射線性レジスト組成物(以下、「レジスト組成物」という。)を調製した。
(2) Preparation of resist composition:
Benzyl methacrylate / methacrylic acid = 75/25 (wt%) copolymer (Mw = 30,000) 60 parts as binder polymer, polypropylene glycol diacrylate 40 parts as multifunctional monomer, photopolymerization initiator 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9.H.-carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-acetate 10 parts and 100 parts of propylene glycol monomethyl ether acetate as a solvent Then, an alkali development type radiation sensitive resist composition (hereinafter referred to as “resist composition”) was prepared by filtering with a cartridge filter (2 μm diameter).

(3)転写フィルムの作製:
下記(イ)〜(ハ)の操作により、レジスト膜および無機粉体含有樹脂層をこの順に積層してなる積層膜が支持フィルム上に形成されてなる本発明の電極形成用転写フィルムを作製した。
(イ)(2)で調製したレジスト組成物を膜厚38μmのPETフィルムよりなる支持フィルム(I)上にブレードコーターを用いて塗布し、塗膜を100℃で3分間乾燥して溶剤を除去し、厚さ8μmのレジスト膜を支持フィルム上に形成した。
(ロ)(1)で調製した無機粉体含有樹脂組成物を膜厚38μmのPETフィルムよりなる支持フィルム(II)上にブレードコーターを用いて塗布し、塗膜を100℃で5分間乾燥して溶剤を除去し、厚さ30μmの無機粉体含有樹脂層を支持フィルム上に形成した。
(ハ)(イ)及び(ロ)で作製したレジスト膜と、無機粉体含有樹脂層との表面が当接されるよう転写フィルムを重ね合わせ、加熱ローラで熱圧着した。ここで、圧着条件としては、加熱ローラの表面温度を90℃、ロール圧を2.5kg/cm、加熱ローラの移動速度を0.5m/分とした。これにより、レジスト膜および無機粉体含有樹脂層を有する積層膜が支持フィルム間に形成されてなる転写フィルムを作製した。
(3) Preparation of transfer film:
By the operations (a) to (c) below, a transfer film for forming an electrode of the present invention was produced, in which a laminated film formed by laminating a resist film and an inorganic powder-containing resin layer in this order was formed on a support film. .
(A) The resist composition prepared in (2) was applied onto a support film (I) made of a PET film with a film thickness of 38 μm using a blade coater, and the coating film was dried at 100 ° C. for 3 minutes to remove the solvent. Then, a resist film having a thickness of 8 μm was formed on the support film.
(B) The inorganic powder-containing resin composition prepared in (1) was applied on a support film (II) made of a PET film having a thickness of 38 μm using a blade coater, and the coating film was dried at 100 ° C. for 5 minutes. Then, the solvent was removed, and an inorganic powder-containing resin layer having a thickness of 30 μm was formed on the support film.
(C) The transfer film was overlaid so that the surfaces of the resist film produced in (a) and (b) and the inorganic powder-containing resin layer were brought into contact with each other, and thermocompression bonded with a heating roller. Here, as pressure bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 90 ° C., the roll pressure was 2.5 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. Thereby, a transfer film in which a laminated film having a resist film and an inorganic powder-containing resin layer was formed between support films was produced.

(4)積層膜の転写工程:
ガラス基板の表面に、(3)で作製した転写フィルムの無機粉体含有樹脂層の表面が当接されるよう転写フィルムを重ね合わせ、この転写フィルムを加熱ローラに熱圧着した。ここで、圧着条件としては、加熱ローラの表面温度を90℃、ロール圧を2.5kg/cm、加熱ローラの移動速度を0.5m/分とした。これにより、ガラス基板の表面に転写フィルムが転写されて密着した状態となった。
(4) Transfer process of laminated film:
The transfer film was superposed on the surface of the glass substrate so that the surface of the inorganic powder-containing resin layer of the transfer film prepared in (3) was in contact, and this transfer film was thermocompression bonded to a heating roller. Here, as pressure bonding conditions, the surface temperature of the heating roller was 90 ° C., the roll pressure was 2.5 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. As a result, the transfer film was transferred to and closely adhered to the surface of the glass substrate.

(5)レジスト膜の露光工程・現像工程:
上記(4)においてガラス基板上に形成された積層膜中のレジスト膜に対して、支持フィルム上より露光用マスク(100μm幅のストライプパターンおよび5cm四方の角パターン)を介して、超高圧水銀灯により、i線(波長365nmの紫外線)を400mJ/cm2照射した。照射後、レジスト膜上の支持フィルムを剥離し、次いで、露光処理されたレジスト膜に対して、0.3質量%の炭酸ナトリウム水溶液(30℃)を現像液とするシャワー法によるレジスト膜の現像処理を120秒間行った。
これにより、紫外線が照射されていない未硬化のレジストを除去し、レジストパターンを形成した。レジストパターンは、パターン形状が均一で、パターンエッジの直線性に優れた形状が良好なものであった。
(5) Exposure process / development process of resist film:
With respect to the resist film in the laminated film formed on the glass substrate in the above (4), an ultrahigh pressure mercury lamp is passed from the support film through an exposure mask (100 μm wide stripe pattern and 5 cm square pattern). , I-line (ultraviolet light having a wavelength of 365 nm) was irradiated at 400 mJ / cm 2 . After irradiation, the support film on the resist film is peeled off, and then the resist film is developed by a shower method using a 0.3% by mass sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.) as a developing solution for the exposed resist film. Processing was carried out for 120 seconds.
Thereby, the uncured resist that was not irradiated with ultraviolet rays was removed to form a resist pattern. The resist pattern had a uniform pattern shape and a good shape with excellent pattern edge linearity.

(6)無機粉体含有樹脂層のエッチング工程:
上記の工程に連続して、0.3質量%の炭酸ナトリウム水溶液(30℃)をエッチング液とするシャワー法による無機粉体含有樹脂層のエッチング処理を60秒間行った。
次いで、超純水による水洗処理および乾燥処理を行った。これにより、無機粉体含有樹脂層パターンを形成した。
(6) Etching process of inorganic powder-containing resin layer:
The inorganic powder-containing resin layer was etched for 60 seconds by the shower method using a 0.3% by mass sodium carbonate aqueous solution (30 ° C.) as an etching solution, following the above steps.
Next, washing with ultrapure water and a drying treatment were performed. Thereby, an inorganic powder-containing resin layer pattern was formed.

(7)パターンの焼成工程:
無機粉体含有樹脂層のパターンが形成されたガラス基板を焼成炉内の大気雰囲気下、580℃で30分間にわたり焼成処理を行った。これにより、ガラス基板の表面に膜厚8μmの電極パターンが形成された。得られた電極パターンは、亀裂や欠けがなく、形状に優れたものであった。また、得られた電極パターン上にJIS Z1522に規定されたセロハン粘着テープをはり、JIS K 5400に準じたテープ法による密着性評価を行った。その結果、電極パターンに剥離は認められず、良好な密着性を示した。評価結果を表1に示す。
(7) Pattern firing step:
The glass substrate on which the pattern of the inorganic powder-containing resin layer was formed was baked at 580 ° C. for 30 minutes in an air atmosphere in a baking furnace. As a result, an electrode pattern having a thickness of 8 μm was formed on the surface of the glass substrate. The obtained electrode pattern had no cracks or chips and was excellent in shape. Moreover, the cellophane adhesive tape prescribed | regulated to JISZ1522 was applied on the obtained electrode pattern, and adhesiveness evaluation by the tape method according to JISK5400 was performed. As a result, no peeling was observed in the electrode pattern, indicating good adhesion. The evaluation results are shown in Table 1.

<実施例2、3>
実施例1において、1−[9−エチル−6−(2−メチルベンゾイル)−9.H.−カルバゾール−3−イル]−エタン−1−オンオキシム−O−アセタートを表1に示す部数に変量した以外は実施例1と同様にして、転写フィルムの形成および電極パターンの形成・評価を行った。評価結果を表1に併せて示す。
<Examples 2 and 3>
In Example 1, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9.H.-carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-acetate was changed to the parts shown in Table 1. A transfer film and an electrode pattern were formed and evaluated in the same manner as in Example 1 except that. The evaluation results are also shown in Table 1.

<比較例>
実施例1において、光重合開始剤として2−ベンジル−2−ジメチルアミノ−1−(4−モルフォリノフェニル)−ブタン−1−オンを表1に示す部数用いた以外は実施例1と同様にして、転写フィルムの形成および電極パターンの形成・評価を行った。評価結果を表1に併せて示す。
<Comparative example>
In Example 1, the same procedure as in Example 1 was performed except that 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one was used as the photopolymerization initiator in the number of parts shown in Table 1. Then, formation of a transfer film and formation / evaluation of an electrode pattern were performed. The evaluation results are also shown in Table 1.

Figure 2005258398
現像後のレジスト形状:○は良好、×は不良(エッジの直線性なし、寸法違いなど)
焼成後パターン形状:○は亀裂、欠けなし、×は亀裂または欠けあり
密着性評価:○は剥離なし、×は剥離あり
Figure 2005258398
Resist shape after development: ○ is good, x is bad (no edge linearity, dimensional difference, etc.)
Pattern shape after firing: ○ indicates no crack or chipping, × indicates crack or chipping Adhesion evaluation: ○ indicates no peeling, × indicates peeling

交流型プラズマディスプレイパネルの断面形状を示す模式図である。It is a schematic diagram which shows the cross-sectional shape of an alternating current type plasma display panel.

符号の説明Explanation of symbols

1 ガラス基板 2 ガラス基板
3 隔壁 4 透明電極
5 バス電極 6 アドレス電極
7 蛍光物質 8 誘電体層
9 誘電体層 10 保護層

DESCRIPTION OF SYMBOLS 1 Glass substrate 2 Glass substrate 3 Partition 4 Transparent electrode 5 Bus electrode 6 Address electrode 7 Fluorescent substance 8 Dielectric layer 9 Dielectric layer 10 Protective layer

Claims (4)

基板上に無機粉体含有樹脂層を形成し、当該無機粉体含有樹脂層上に、下記式(1)および下記式(2)で表される化合物から選ばれる少なくとも一種を含有するレジスト膜を形成し、当該レジスト膜を露光処理して、レジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体含有樹脂層をエッチング処理してレジストパターンに対応する無機粉体含有樹脂層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パターンを有するパネル材料を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
Figure 2005258398
〔式(1)および式(2)において、R1およびRは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基(但し、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基、フェニル基およびハロゲン原子から選ばれる少なくとも1種で置換されてもよい。)、フェニル基(但し、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基、フェニル基およびハロゲン原子から選ばれる少なくとも1種で置換されてもよい。)、炭素数4〜20の含酸素複素環含有基、炭素数4〜20の含窒素複素環含有基または炭素数4〜20の含硫黄複素環含有基であり(但し、R1およびRがいずれも水素原子である場合を除く)、Rは水素原子または炭素数1〜12のアルキル基であり、R、RおよびRは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜6のアルキル基である。〕
An inorganic powder-containing resin layer is formed on a substrate, and a resist film containing at least one selected from compounds represented by the following formula (1) and the following formula (2) is formed on the inorganic powder-containing resin layer. Forming and exposing the resist film to form a latent image of the resist pattern; developing the resist film to reveal the resist pattern; etching the inorganic powder-containing resin layer to form a resist pattern; A method for producing a plasma display panel, wherein a panel material having an inorganic pattern is formed by a method including a step of forming a pattern of a corresponding inorganic powder-containing resin layer and baking the pattern.
Figure 2005258398
In [Equation (1) and (2), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms (provided that An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group and a halogen atom, which may be substituted, and a phenyl group (however, an alkyl having 1 to 6 carbon atoms) Group, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, and a halogen atom may be substituted.), An oxygen-containing heterocyclic group having 4 to 20 carbon atoms, and a group having 4 to 20 carbon atoms A nitrogen-containing heterocyclic group or a sulfur-containing heterocyclic group having 4 to 20 carbon atoms (except when R 1 and R 2 are both hydrogen atoms), and R 3 is a hydrogen atom or 1 carbon atom an 12 alkyl radical, R , R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]
下記式(1)および下記式(2)で表される化合物から選ばれる少なくとも一種を含有するレジスト膜と、無機粉体含有樹脂層との積層膜を支持フィルム上に形成し、当該積層膜を基板上に転写し、当該積層膜を構成するレジスト膜を露光処理してレジストパターンの潜像を形成し、当該レジスト膜を現像処理してレジストパターンを顕在化させ、無機粉体含有樹脂層をエッチング処理してレジストパターンに対応する無機粉体含有樹脂層のパターンを形成し、当該パターンを焼成処理する工程を含む方法により、無機パターンを有するパネル材料を形成することを特徴とするプラズマディスプレイパネルの製造方法。
Figure 2005258398
〔式(1)および式(2)において、R1およびRは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基(但し、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基、フェニル基およびハロゲン原子から選ばれる少なくとも1種で置換されてもよい。)、フェニル基(但し、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基、フェニル基およびハロゲン原子から選ばれる少なくとも1種で置換されてもよい。)、炭素数4〜20の含酸素複素環含有基、炭素数4〜20の含窒素複素環含有基または炭素数4〜20の含硫黄複素環含有基であり(但し、R1およびRがいずれも水素原子である場合を除く)、Rは水素原子または炭素数1〜12のアルキル基であり、R、RおよびRは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜6のアルキル基である。〕
A laminated film of a resist film containing at least one selected from the compounds represented by the following formula (1) and the following formula (2) and an inorganic powder-containing resin layer is formed on a support film, and the laminated film is The resist film constituting the laminated film is transferred onto the substrate and exposed to light to form a latent image of the resist pattern. The resist film is developed to reveal the resist pattern, and the inorganic powder-containing resin layer is formed. A plasma display panel characterized by forming a panel material having an inorganic pattern by a method including a step of etching to form a pattern of an inorganic powder-containing resin layer corresponding to a resist pattern and baking the pattern. Manufacturing method.
Figure 2005258398
In [Equation (1) and (2), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms (provided that An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group and a halogen atom, which may be substituted, and a phenyl group (however, an alkyl having 1 to 6 carbon atoms) Group, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, and a halogen atom may be substituted.), An oxygen-containing heterocyclic group having 4 to 20 carbon atoms, and a group having 4 to 20 carbon atoms A nitrogen-containing heterocyclic group or a sulfur-containing heterocyclic group having 4 to 20 carbon atoms (except when R 1 and R 2 are both hydrogen atoms), and R 3 is a hydrogen atom or 1 carbon atom an 12 alkyl radical, R , R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]
得られる材料が、隔壁、電極、蛍光体、カラーフィルターおよびブラックストライプ(マトリクス)から選ばれる少なくとも1種である、請求項1乃至2記載のプラズマディスプレイパネルの製造方法。 The method of manufacturing a plasma display panel according to claim 1 or 2, wherein the material obtained is at least one selected from partition walls, electrodes, phosphors, color filters, and black stripes (matrix). 支持フィルム上に、下記式(1)および下記式(2)で表される化合物から選ばれる少なくとも一種を含有するレジスト膜と、無機粉体および結着樹脂を含有する無機粉体含有樹脂層との積層膜を有することを特徴とする、転写フィルム。
Figure 2005258398
〔式(1)および式(2)において、R1およびRは、それぞれ独立に、水素原子、炭素数1〜20のアルキル基、炭素数3〜20の脂環式炭化水素基(但し、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基、フェニル基およびハロゲン原子から選ばれる少なくとも1種で置換されてもよい。)、フェニル基(但し、炭素数1〜6のアルキル基、炭素数1〜6のアルコキシル基、フェニル基およびハロゲン原子から選ばれる少なくとも1種で置換されてもよい。)、炭素数4〜20の含酸素複素環含有基、炭素数4〜20の含窒素複素環含有基または炭素数4〜20の含硫黄複素環含有基であり(但し、R1およびRがいずれも水素原子である場合を除く)、Rは水素原子または炭素数1〜12のアルキル基であり、R、RおよびRは、それぞれ独立に、水素原子または炭素数1〜6のアルキル基である。〕


On the support film, a resist film containing at least one selected from the compounds represented by the following formula (1) and the following formula (2), an inorganic powder-containing resin layer containing an inorganic powder and a binder resin, A transfer film comprising: a laminated film.
Figure 2005258398
In [Equation (1) and (2), R 1 and R 2 are each independently a hydrogen atom, an alkyl group having 1 to 20 carbon atoms, alicyclic hydrocarbon group having 3 to 20 carbon atoms (provided that An alkyl group having 1 to 6 carbon atoms, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group and a halogen atom, which may be substituted, and a phenyl group (however, an alkyl having 1 to 6 carbon atoms) Group, an alkoxyl group having 1 to 6 carbon atoms, a phenyl group, and a halogen atom may be substituted.), An oxygen-containing heterocyclic group having 4 to 20 carbon atoms, and a group having 4 to 20 carbon atoms A nitrogen-containing heterocyclic group or a sulfur-containing heterocyclic group having 4 to 20 carbon atoms (except when R 1 and R 2 are both hydrogen atoms), and R 3 is a hydrogen atom or 1 carbon atom an 12 alkyl radical, R , R 5 and R 6 are each independently a hydrogen atom or an alkyl group having 1 to 6 carbon atoms. ]


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