KR20070096939A - Process for preparing flat panel display and transfer film - Google Patents

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KR20070096939A
KR20070096939A KR1020070029123A KR20070029123A KR20070096939A KR 20070096939 A KR20070096939 A KR 20070096939A KR 1020070029123 A KR1020070029123 A KR 1020070029123A KR 20070029123 A KR20070029123 A KR 20070029123A KR 20070096939 A KR20070096939 A KR 20070096939A
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고우지 이따노
마사히로 노다
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제이에스알 가부시끼가이샤
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Abstract

A process for preparing a flat panel display and a transfer film are provided to improve production efficiency by reducing the number of manufacturing processes. A lamination layer is formed on a transparent substrate. The lamination layer includes a resin layer including an inorganic powder and a photosensitive resin layer having a composition different from the composition of the resin layer. An exposing process is performed on the transparent substrate side and the lamination layer side of the transparent substrate. The lamination layer is developed and etched in order to form a lamination layer pattern. A bake process for the lamination layer is performed.

Description

평판 디스플레이의 제조 방법 및 전사 필름 {PROCESS FOR PREPARING FLAT PANEL DISPLAY AND TRANSFER FILM}Manufacturing Method and Transfer Film of Flat Panel Display {PROCESS FOR PREPARING FLAT PANEL DISPLAY AND TRANSFER FILM}

도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 단면 형상을 나타내는 모식도이다.1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC plasma display panel.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명Explanation of symbols for the main parts of the drawings

101: 유리 기판101: glass substrate

102: 유리 기판102: glass substrate

103: 배면 격벽103: rear bulkhead

104: 투명 전극104: transparent electrode

105: 버스 전극105: bus electrode

106: 어드레스 전극106: address electrode

107: 형광 물질107: fluorescent material

108: 유전체층108: dielectric layer

109: 유전체층109: dielectric layer

110: 보호층110: protective layer

111: 전면 격벽111: front bulkhead

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 (평) 11-44949호 공보[Patent Document 1] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-44949

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 (평) 11-283495호 공보[Patent Document 2] Japanese Patent Application Laid-Open No. 11-283495

본 발명은 평판 디스플레이의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 바람직하게 이용되는 전사 필름에 관한 것이다. This invention relates to the manufacturing method of a flat panel display, and the transfer film used suitably for the said manufacturing method.

최근, 평판상의 형광 표시체로서 플라즈마 디스플레이 패널(이하 "PDP"라고도 함), 필드 에미션 디스플레이(이하 "FED"라고도 함) 등의 평판 디스플레이(이하 "FPD"라고도 함)가 주목받고 있다. PDP는 투명 전극을 형성하여, 근접한 2장의 유리판 사이에 아르곤 또는 네온 등의 불활성 가스를 봉입하고, 플라즈마 방전을 일으켜 가스를 빛나게 함으로써, 형광체를 발광시켜 정보를 표시하는 디스플레이이다. 한편, FED는 전계 인가에 의해 음극으로부터 진공중에 전자를 방출시키고, 그 전자를 양극 상의 형광체에 조사함으로써, 형광체를 발광시켜 정보를 표시하는 디스플레이이다.In recent years, attention has been paid to flat panel displays (hereinafter also referred to as "FPD") such as plasma display panels (hereinafter referred to as "PDP") and field emission displays (hereinafter also referred to as "FED") as flat fluorescent displays. PDP is a display which forms a transparent electrode, seals inert gas, such as argon or neon, between two adjacent glass plates, and makes plasma discharge and makes a gas shine, and light-emitting fluorescent substance and display information. On the other hand, FED is a display which emits an electron in vacuum from an anode by applying an electric field, and irradiates the electron on the phosphor on the anode, thereby emitting a phosphor to display information.

도 1은 교류형 플라즈마 디스플레이 패널의 단면 형상을 나타내는 모식도이다. 도 1에 있어서, (101) 및 (102)는 대향 배치된 유리 기판, (103) 및 (111)은 격벽이고, 유리 기판(101), 유리 기판(102), 배면 격벽(103) 및 전면 격벽(111)에 의해 셀이 구획 형성되어 있다. (104)는 유리 기판(101)에 고정된 투명 전극이고, (105)는 투명 전극(104)의 저항을 낮출 목적으로 상기 투명 전극(104) 상에 형성된 버스 전극이고, (106)은 유리 기판(102)에 고정된 어드레스 전극이다. (107)은 셀 내에 유지된 형광 물질이고, (108)은 투명 전극(104) 및 버스 전극(105)을 피복하도록 유리 기판(101)의 표면에 형성된 유전체층이고, (109)는 어드레스 전극(106)을 피복하도록 유리 기판(102)의 표면에 형성된 유전체층이고, (110)은 예를 들면 산화마그네슘을 포함하는 보호막이다. 또한, 컬러 PDP에서는 콘트라스트가 높은 화상을 얻기 위해 유리 기판과 유전체층 사이에 컬러 필터(적색·녹색·청색)나 블랙 매트릭스 등을 설치할 수 있다.1 is a schematic diagram showing a cross-sectional shape of an AC plasma display panel. In Fig. 1, reference numerals 101 and 102 are glass substrates arranged oppositely, 103 and 111 are partition walls, and the glass substrate 101, glass substrate 102, back partition 103, and front partition walls The cell is partitioned by 111. As shown in FIG. Numeral 104 is a transparent electrode fixed to the glass substrate 101, 105 is a bus electrode formed on the transparent electrode 104 for the purpose of lowering the resistance of the transparent electrode 104, and 106 is a glass substrate. It is an address electrode fixed to 102. 107 is a fluorescent material retained in the cell, 108 is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 101 to cover the transparent electrode 104 and the bus electrode 105, and 109 is the address electrode 106 ) Is a dielectric layer formed on the surface of the glass substrate 102, and (110) is a protective film containing, for example, magnesium oxide. In the color PDP, a color filter (red, green, blue), a black matrix, or the like can be provided between the glass substrate and the dielectric layer in order to obtain a high contrast image.

이러한 PDP의 유전체, 격벽, 전극, 형광체, 컬러 필터 및 블랙 스트라이프(매트릭스) 등의 제조 방법으로서는 감광성 무기 분체 함유 수지층을 기판 상에 형성하고, 패턴을 형성하는 부분에 대응하는 막에 자외선을 조사한 후에 현상함으로써 기판 상에 패턴을 잔존시키고, 이를 소성하는 포토리소그래피법이 바람직하게 이용되었다(예를 들면, 일본 특허 공개 (평) 11-44949호 공보 참조).As a method of manufacturing such a dielectric, partition, electrode, phosphor, color filter, and black stripe (matrix) of such a PDP, a photosensitive inorganic powder-containing resin layer is formed on a substrate, and ultraviolet rays are irradiated to a film corresponding to a portion to form a pattern. The photolithographic method in which a pattern is left on a substrate by developing later and calcined is preferably used (see, for example, Japanese Patent Laid-Open No. 11-44949).

그러나, 상기한 바와 같은 종래의 포토리소그래피법에서는 5 ㎛ 이상의 막 두께를 갖는 패턴을 형성할 때, 무기 분체 함유 수지층의 깊이 방향에 대한 감도가 불충분하고, 현상 마진이 넓은 재료가 얻어지지 않는다는 문제가 있다.However, in the conventional photolithography method as described above, when a pattern having a film thickness of 5 µm or more is formed, sensitivity to the depth direction of the inorganic powder-containing resin layer is insufficient, and a material having a wide development margin is not obtained. There is.

본 출원인은 이러한 포토리소그래피법에 있어서의 문제를 해결하는 수단으로서, 일본 특허 공개 (평) 11-283495호 공보(특허 문헌 2)에 전사 필름을 이용한 PDP의 제조 방법을 제안하였다. 일본 특허 공개 (평) 11-44949호 공보에 기재된 PDP의 제조 방법은 무기 분체 함유 수지층과 레지스트층과의 적층막을 지지 필름 상에 형성하고, 상기 적층막을 기판 상에 전사하고, 상기 레지스트막을 노광 처리 하여 레지스트 패턴의 잠상을 형성하고, 상기 레지스트막을 현상 처리하여 레지스트 패턴을 현재화(顯在化)시키고, 상기 무기 분체 함유 수지층을 에칭 처리하여 레지스트 패턴에 대응하는 무기 분체 함유 수지층의 패턴을 형성하고, 상기 패턴을 소성 처리함으로써, 상기 기판의 표면에 무기 패턴을 형성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.The present applicant has proposed a method for producing a PDP using a transfer film in Japanese Patent Laid-Open No. 11-283495 (Patent Document 2) as a means for solving such a problem in the photolithography method. The manufacturing method of PDP of Unexamined-Japanese-Patent No. 11-44949 forms the laminated film of an inorganic powder containing resin layer and a resist layer on a support film, transfers the laminated film on a board | substrate, and exposes the said resist film. A latent image of the resist pattern is formed, the resist film is developed to present the resist pattern, and the inorganic powder-containing resin layer is etched to form an inorganic powder-containing resin layer corresponding to the resist pattern. And forming the inorganic pattern on the surface of the substrate by firing the pattern.

그러나, 상기와 같은 종래의 방법에서는 예를 들면 기판 상에 블랙 매트릭스를 형성한 후, 재차 전극 패턴을 동일한 방법에 의해 형성할 필요가 있어, 생산 효율 측면에서 한층 더 개선이 요구되었다.However, in the above conventional method, for example, after forming a black matrix on a substrate, it is necessary to again form an electrode pattern by the same method, and further improvement in production efficiency was calculated | required.

본 발명은 상기 과제를 해결하고자 하는 것으로, FPD를 구성하는 복수개의 요소(예를 들면, 블랙 매트릭스 및 전극 패턴 등)를 효율적으로 형성할 수 있는 FPD의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 바람직하게 이용되는 전사 필름을 제공하는 것을 목적으로 한다. The present invention aims to solve the above problems, and is preferably used in the method for producing FPD and the method for producing the FPD capable of efficiently forming a plurality of elements (for example, a black matrix and an electrode pattern) constituting the FPD. It is an object to provide a transfer film.

본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 검토를 행한 결과, 무기 분체 함유 수지층을 포함하는 적층막을 투명 기판 상에 형성하고, 상기 적층막이 형성된 투명 기판의 양면을 노광하여 현상함으로써, FPD를 구성하는 복수개의 요소(예를 들면, 블랙 매트릭스 및 전극 패턴 등)를 일괄 형성할 수 있음을 발견하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.MEANS TO SOLVE THE PROBLEM As a result of earnestly examining in order to solve the said subject, when forming a laminated film containing an inorganic powder containing resin layer on a transparent substrate, it exposes and develops both sides of the transparent substrate in which the said laminated film was formed, and comprises a FPD. The present invention has been accomplished by discovering that a plurality of elements (for example, a black matrix and an electrode pattern, etc.) can be collectively formed.

즉, 본 발명에 따른 FPD의 제조 방법은 (1) 투명 기판 상에 상기 투명 기판 에 접촉하는 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및 상기 수지층(A)와는 층 조성이 다른 감광성 수지층(B)를 포함하는 적층막을 형성하는 공정, (2) 상기 적층막이 형성된 투명 기판을 투명 기판면측 및 적층막 형성면측으로부터 각각 패턴 노광하는 공정, (3) 상기 적층막을 현상 처리 또는 에칭 처리하여 적층막 패턴을 형성하는 공정, 및 (4) 상기 적층막 패턴을 소성하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 한다.That is, the manufacturing method of FPD which concerns on this invention is (1) the photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) which contact | connects the said transparent substrate on a transparent substrate, and the photosensitive resin layer (B) differing in layer composition from the said resin layer (A). (2) pattern exposure of the transparent substrate on which the said laminated film was formed from the transparent substrate surface side and the laminated film formation surface side, respectively, (3) the said laminated film developing process or etching process, and a laminated film pattern And a step of firing the laminated film pattern.

상기 감광성 수지층(B)로서는, 예를 들면 감광성 무기 분체 함유 수지층, 또는 무기 분체를 함유하지 않는 레지스트층을 들 수 있다. 또한, 상기 적층막은 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)를 추가로 포함할 수 있다. As said photosensitive resin layer (B), the photosensitive inorganic powder containing resin layer or the resist layer which does not contain an inorganic powder is mentioned, for example. In addition, the laminated film may further include a non-photosensitive inorganic powder-containing resin layer (C).

상기 공정(1)은 지지 필름 상에 형성된 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및/또는 지지 필름 상에 형성된 상기 감광성 수지층(B)를 상기 투명 기판 상에 전사하는 공정을 포함하는 방법; The step (1) includes a step of transferring the photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) formed on the supporting film and / or the photosensitive resin layer (B) formed on the supporting film onto the transparent substrate;

지지 필름 상에 형성된 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및/또는 지지 필름 상에 형성된 상기 감광성 수지층(B)를 포함하는 적층막을 상기 투명 기판 상에 전사하는 공정을 포함하는 방법; 또는A method comprising transferring a laminated film comprising said photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) formed on a supporting film and / or said photosensitive resin layer (B) formed on a supporting film onto said transparent substrate; or

지지 필름 상에 형성된, 상기 투명 기판 상에 형성되는 모든 층을 포함하는 적층막을 상기 투명 기판 상에 일괄 전사하는 방법에 의해 행하는 것이 바람직하다. It is preferable to perform the lamination | stacking film containing all the layers formed on the said transparent substrate on the support film by the method of carrying out the batch transfer on the said transparent substrate.

상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)는 바람직하게는 금속 분체 및/또는 무기 안료 분체, 보다 바람직하게는 흑색 안료 분체를 함유한다. 본 발명의 바람직한 양태로서는 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)가 흑색 안료 분체를 함유 하고, 또한 상기 감광성 수지층(B)가 금속 분체를 함유하는 양태; 및 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)가 흑색 안료 분체를 함유하고, 상기 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)가 금속 분체를 함유하고, 또한 상기 감광성 수지층(B)가 무기 분체를 함유하지 않는 레지스트층인 양태를 들 수 있다. 한편, 상기 금속 분체는 은 분체인 것이 바람직하다.The photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) preferably contains metal powder and / or inorganic pigment powder, more preferably black pigment powder. As a preferable aspect of this invention, the said photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) contains black pigment powder, and the said photosensitive resin layer (B) contains metal powder; And the photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) contains black pigment powder, the non-photosensitive inorganic powder-containing resin layer (C) contains a metal powder, and the photosensitive resin layer (B) contains an inorganic powder. The aspect which is a resist layer which is not used is mentioned. In addition, it is preferable that the said metal powder is silver powder.

본 발명의 FPD의 제조 방법에서는 투명 기판 상에 블랙 매트릭스 패턴과, 상기 블랙 매트릭스 패턴 상에 전극 패턴을 일괄 형성할 수 있다. 또한, 상기 FPD는 플라즈마 디스플레이 패널인 것이 바람직하다.In the FPD manufacturing method of the present invention, a black matrix pattern and an electrode pattern may be collectively formed on the black matrix pattern. In addition, the FPD is preferably a plasma display panel.

본 발명에 따른 전사 필름은 지지 필름 상에 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및 상기 수지층(A)와는 층 조성이 다른 감광성 수지층(B)를 포함하는 적층막이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 한다. 또한, 본 발명의 전사 필름은 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)를 추가로 포함할 수 있다. 이 경우, 지지 필름 상에 감광성 수지층(B), 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C), 및 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)가 상기 순서대로 적층 형성되고, 또한 상기 감광성 수지층(B)가 무기 분체를 함유하지 않는 레지스트층인 것이 바람직하다. The transfer film according to the present invention is characterized in that a laminated film including a photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) and a photosensitive resin layer (B) having a different layer composition from the resin layer (A) is formed on a supporting film. . In addition, the transfer film of the present invention may further include a non-photosensitive inorganic powder-containing resin layer (C). In this case, the photosensitive resin layer (B), the non-photosensitive inorganic powder containing resin layer (C), and the photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) are laminated | stacked and formed in the said order on the support film, and the said photosensitive resin layer (B) ) Is preferably a resist layer containing no inorganic powder.

본 발명의 전사 필름에 있어서, 상기 지지 필름 상에 형성된 적층막은 라미네이팅에 의해 적층 형성되는 것이 바람직하다. 또한, 본 발명의 전사 필름은 본 발명의 FPD의 제조 방법에 바람직하게 사용할 수 있다. In the transfer film of the present invention, the laminated film formed on the supporting film is preferably laminated by lamination. Moreover, the transfer film of this invention can be used suitably for the manufacturing method of the FPD of this invention.

이하, 본 발명에 따른 FPD의 제조 방법 및 상기 제조 방법에 바람직하게 이용되는 전사 필름에 대하여 상세히 설명한다. Hereinafter, the manufacturing method of FPD which concerns on this invention, and the transfer film used preferably for the said manufacturing method are demonstrated in detail.

[FPD의 제조 방법][Production method of FPD]

본 발명의 FPD의 제조 방법은 (1) 투명 기판 상에 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)를 포함하는 적층막을 형성하는 공정, (2) 투명 기판의 투명 기판면측 및 적층막 형성면측을 노광하는 공정, (3) 상기 적층막의 각 층을 현상 처리 또는 에칭 처리하여 적층막 패턴을 형성하는 공정, 및 (4) 상기 적층막 패턴을 소성하는 공정을 포함하는 방법에 의해 투명 기판 상에 패턴을 형성하는 것을 특징으로 한다. The manufacturing method of the FPD of this invention is a process of (1) forming the laminated | multilayer film containing the photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) on a transparent substrate, and (2) exposing the transparent substrate surface side and laminated film formation surface side of a transparent substrate. Forming a pattern on the transparent substrate by a process comprising the steps of: (3) developing or etching each layer of the laminated film to form a laminated film pattern, and (4) baking the laminated film pattern. Characterized in that.

본 발명의 FPD의 제조 방법에 의해, 투명 기판 상에 FPD를 구성하는 복수개의 요소, 바람직하게는 투명 기판 상에 블랙 매트릭스 패턴과, 상기 블랙 매트릭스 패턴 상에 전극 패턴을 일괄 형성할 수 있다. 또한, 본 발명의 제조 방법은 PDP의 제조, 보다 구체적으로는 PDP를 구성하는 블랙 매트릭스 패턴 및 전극 패턴의 일괄 형성에 적합하다. 이하, 각 공정에 대하여 설명한다.According to the FPD manufacturing method of the present invention, a plurality of elements constituting the FPD on the transparent substrate, preferably a black matrix pattern on the transparent substrate, and an electrode pattern on the black matrix pattern can be collectively formed. Moreover, the manufacturing method of this invention is suitable for manufacture of PDP, more specifically, the batch formation of the black matrix pattern and electrode pattern which comprise PDP. Hereinafter, each process is demonstrated.

(1) 적층막 형성 공정(1) laminated film forming process

이 공정에서는 투명 기판 상에 상기 투명 기판에 접촉하는 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및 상기 수지층(A)와는 층 조성이 다른 감광성 수지층(B)를 포함하는 적층막을 형성한다.In this step, a laminated film including a photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) in contact with the transparent substrate and a photosensitive resin layer (B) different in layer composition from the resin layer (A) is formed on the transparent substrate.

상기 감광성 수지층(B)로서는 감광성 무기 분체 함유 수지층(B-1) 또는 무기 분체를 함유하지 않는 레지스트층(B-2)를 들 수 있다. 또한, 상기 적층막은 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)를 추가로 포함할 수 있다. 이 경우, 상기 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)는 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)와 감광성 수지층(B) 사이에 형성되고, 또한 이 수지층(B)가 무기 분체를 함유하지 않는 레지스트층인 것이 바람직하다.As said photosensitive resin layer (B), the photosensitive inorganic powder containing resin layer (B-1) or the resist layer (B-2) which does not contain an inorganic powder is mentioned. In addition, the laminated film may further include a non-photosensitive inorganic powder-containing resin layer (C). In this case, the said non-photosensitive inorganic powder containing resin layer (C) is formed between the said photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) and the photosensitive resin layer (B), and this resin layer (B) does not contain an inorganic powder. It is preferable that it is a resist layer.

상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)는 바람직하게는 금속 분체 및/또는 무기 안료 분체, 보다 바람직하게는 흑색 안료 분체를 함유한다. 본 발명의 바람직한 양태, 즉 블랙 매트릭스 패턴 및 전극 패턴을 형성하는 경우에 있어서는, 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)는 흑색 안료 분체를 함유하고, 또한 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(B-1)은 금속 분체를 함유하거나, 또는 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)는 흑색 안료 분체를 함유하고, 또한 상기 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)는 금속 분체를 함유한다. 한편, 상기 금속 분체는 은 분체인 것이 바람직하다.The photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) preferably contains metal powder and / or inorganic pigment powder, more preferably black pigment powder. In the case of forming a preferred embodiment of the present invention, that is, a black matrix pattern and an electrode pattern, the photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) contains black pigment powder, and the photosensitive inorganic powder-containing resin layer (B-1). ) Contains a metal powder, or the photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) contains a black pigment powder, and the non-photosensitive inorganic powder-containing resin layer (C) contains a metal powder. In addition, it is preferable that the said metal powder is silver powder.

상기 적층막은 각 층을 구성하는 성분을 함유하는 액상 조성물을 각 층마다 스크린 인쇄법, 롤 도포법, 회전 도포법, 유연 도포법 등 다양한 방법에 의해 도포하여 건조함으로써 형성할 수 있지만, 얻어지는 층의 두께 균일성과 작업 효율성 측면에서 전사 필름을 이용하여 투명 기판 상에 형성하는 것이 바람직하다. Although the said laminated | multilayer film can be formed by apply | coating and drying the liquid composition containing the component which comprises each layer by various methods, such as a screen printing method, a roll coating method, a rotary coating method, a flexible coating method, for each layer, In view of thickness uniformity and work efficiency, it is preferable to form on a transparent substrate using a transfer film.

상기 적층막의 형성은, 예를 들면Formation of the laminated film is, for example

지지 필름 상에 형성된 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및/또는 지지 필름 상에 형성된 상기 감광성 수지층(B)를 상기 투명 기판 상에 전사하는 공정을 포함하는 방법;Transferring the photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) formed on the supporting film and / or the photosensitive resin layer (B) formed on the supporting film onto the transparent substrate;

지지 필름 상에 형성된 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및/또는 지지 필름 상에 형성된 상기 감광성 수지층(B)를 포함하는 적층막을 상기 투명 기판 상 에 전사하는 공정을 포함하는 방법; 또는 A method comprising transferring a laminated film comprising the photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) formed on the supporting film and / or the photosensitive resin layer (B) formed on the supporting film onto the transparent substrate; or

지지 필름 상에 형성된, 상기 투명 기판 상에 형성되는 모든 층을 포함하는 적층막을 상기 투명 기판 상에 일괄 전사하는 방법에 의해 행할 수 있다. The laminated film containing all the layers formed on the said transparent substrate on the support film can be performed by the method of carrying out the package | transferring collectively on the said transparent substrate.

즉, 투명 기판 상에 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)와, 필요에 따라 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)와, 감광성 수지층(B)를 각 층마다 전사하여 형성할 수도 있고; That is, the photosensitive inorganic powder containing resin layer (A), the non-photosensitive inorganic powder containing resin layer (C), and the photosensitive resin layer (B) may be transferred and formed for each layer on a transparent substrate as needed;

층(A)를 단독으로 전사하여 형성한 후, 층(C)와 층(B)를 포함하는 적층막을 전사하여 형성할 수도 있고; After transfer | transforming and forming layer (A) independently, you may transfer and form the laminated | multilayer film containing layer (C) and layer (B);

층(A)와 층(C)를 포함하는 적층막을 전사하여 형성한 후, 층(B)를 단독으로 전사하여 형성할 수도 있고; The laminated film including the layer (A) and the layer (C) may be transferred and formed, followed by the transfer of the layer (B) alone.

투명 기판 상에 형성되는 모든 층을 포함하는 적층막을 일괄 전사하여 형성할 수도 있다. The laminated film including all the layers formed on the transparent substrate may also be collectively transferred.

전사 공정의 일례를 나타내면 다음과 같다. 필요에 따라 사용되는 전사 필름의 보호 필름층을 박리한 후, 투명 기판의 표면에 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)의 표면이 접촉되도록 전사 필름을 중첩시키고, 이 전사 필름을 가열 롤러 등에 의해 열 압착한 후, 수지층(A)로부터 지지 필름을 박리 제거한다. 이에 따라, 투명 기판의 표면에 수지층(A) 또는 수지층(A)를 포함하는 적층막이 전사되어 밀착된 상태가 된다.An example of the transfer process is as follows. After peeling the protective film layer of the transfer film used as needed, the transfer film is superposed so that the surface of the photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) may contact the surface of a transparent substrate, and this transfer film is heated with a heating roller etc. After crimping | bonding, the support film is peeled off from a resin layer (A). Thereby, the laminated film containing the resin layer (A) or the resin layer (A) is transferred to the surface of a transparent substrate, and it will be in the state stuck.

전사 조건으로서는, 예를 들면 가열 롤러의 표면 온도를 80 내지 140 ℃, 가열 롤러에 의한 롤 선압을 1 내지 5 kg/㎝, 가열 롤러의 이동 속도를 0.1 내지 10.0 m/분으로 할 수 있다. 또한, 투명 기판은 예열될 수도 있고, 예열 온도는 예를 들면 40 내지 120 ℃로 할 수 있다.As transfer conditions, the surface temperature of a heating roller can be 80-140 degreeC, the roll linear pressure by a heating roller is 1-5 kg / cm, and the moving speed of a heating roller can be 0.1-10.0 m / min. In addition, the transparent substrate may be preheated, and the preheating temperature may be 40 to 120 ° C, for example.

본 발명의 제조 방법에서 사용되는 투명 기판은 적층막 형성면과 반대되는 투명 기판면측으로부터, 투명 기판 상에 접촉하는 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)를 노광할 수 있으면 특별히 한정되지 않는다. 구체적으로는, 유리, 석영 등의 내열성 절연성 재료를 포함하는 판형 투명 부재를 들 수 있다. 이 판형 투명 부재의 표면에 대하여, 필요에 따라 실란 커플링제 등에 의한 약품 처리; 플라즈마 처리; 이온 플레이팅법, 스퍼터링법, 기상 반응법, 진공 증착법 등에 의한 박막 형성 처리 등의 전처리를 적절히 실시할 수도 있다.The transparent substrate used by the manufacturing method of this invention will not be specifically limited if the photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) which contacts on a transparent substrate can be exposed from the transparent substrate surface side opposite to a laminated film formation surface. Specifically, the plate-shaped transparent member containing heat resistant insulating materials, such as glass and quartz, is mentioned. Chemical treatment with a silane coupling agent etc. as needed with respect to the surface of this plate-shaped transparent member; Plasma treatment; Pretreatment, such as a thin film formation process by the ion plating method, the sputtering method, the vapor phase reaction method, the vacuum vapor deposition method, etc., can also be performed suitably.

(2) 노광 공정(2) exposure process

이 공정에서는 투명 기판 상에 형성된 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및 감광성 수지층(B)에 자외선 등의 방사선을 선택적 조사(노광)하여 각 패턴의 잠상을 형성한다. 한편, 투명 기판면측 및 적층막 형성면측으로부터의 노광은 동시에 행할 수도 있고, 따로 행할 수도 있다.In this step, radiation such as ultraviolet rays is selectively irradiated (exposured) to the photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) and the photosensitive resin layer (B) formed on the transparent substrate to form a latent image of each pattern. On the other hand, exposure from the transparent substrate surface side and the laminated film formation surface side may be performed simultaneously, or may be performed separately.

노광 방법으로서는, 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)에 대해서는 투명 기판면측으로부터, 감광성 수지층(B)에 대해서는 적층막 형성면측으로부터 각각 노광용 마스크를 통해 자외선 등의 방사선을 선택적 조사하여 각 패턴의 잠상을 형성하는 방법이나, 노광용 마스크를 통하지 않고 레이저광을 주사하여 각 패턴의 잠상을 형성하는 방법 등을 들 수 있다. As an exposure method, the photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) is irradiated selectively by irradiating radiation, such as an ultraviolet-ray, through an exposure mask from the transparent substrate surface side, and the photosensitive resin layer (B) from the laminated film formation surface side, respectively, and the latent image of each pattern And a method of forming a latent image of each pattern by scanning a laser beam without passing through an exposure mask.

방사선 조사 장치로서는 특별히 한정되지 않고, 종래의 포토리소그래피법에 서 사용되고 있는 자외선 조사 장치, 반도체 및 액정 표시 장치를 제조할 때에 사용되고 있는 노광 장치, 고체 레이저, 기체 레이저, 반도체 레이저 또는 액체 레이저를 이용한 노광 장치 등을 들 수 있다. It does not specifically limit as a radiation irradiation apparatus, Exposure using the exposure apparatus, solid-state laser, gas laser, semiconductor laser, or liquid laser which are used when manufacturing the ultraviolet irradiation device, semiconductor, and liquid crystal display device which are used by the conventional photolithographic method. A device etc. are mentioned.

(3) 현상 공정 및 에칭 공정(3) Developing process and etching process

이 공정에서는 노광된 적층막을 구성하는 각 층을 현상 처리 또는 에칭 처리함으로써, 각 층의 패턴(이하 "적층막 패턴"이라 함)을 형성한다. 예를 들면, 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및 감광성 무기 분체 함유 수지층(B-1)을 포함하는 적층막을 형성한 경우에는, 현상 처리에 의해 수지층(A)의 패턴과 수지층(B-1)의 패턴을 형성함으로써 적층막 패턴을 형성한다. 또한, 감광성 무기 분체 함유 수지층(A), 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C), 및 레지스트층(B-2)를 포함하는 적층막을 형성한 경우에는, 우선 현상 처리에 의해 레지스트층(B-2)의 패턴을 형성하고, 후속 에칭 처리에 의해 수지층(C)의 패턴을 형성하고, 이어지는 후속 현상 처리에 의해 수지층(A)의 패턴을 형성함으로써 적층막 패턴을 형성한다. In this step, each layer constituting the exposed laminated film is developed or etched to form a pattern of each layer (hereinafter referred to as a "laminated film pattern"). For example, when the laminated film containing the photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) and the photosensitive inorganic powder containing resin layer (B-1) was formed, the pattern of the resin layer (A) and the resin layer ( By forming the pattern of B-1), a laminated film pattern is formed. In addition, when the laminated film containing the photosensitive inorganic powder containing resin layer (A), the non-photosensitive inorganic powder containing resin layer (C), and the resist layer (B-2) is formed, first, a resist process (B) is carried out by image development processing. The laminated film pattern is formed by forming the pattern of -2), forming the pattern of the resin layer (C) by the subsequent etching treatment, and forming the pattern of the resin layer (A) by the subsequent development treatment.

현상·에칭 처리 조건으로서는 각 층의 구성 성분의 종류 등에 따라 현상액의 종류·조성·농도, 현상 시간, 현상 온도, 현상 방법(예를 들면, 침지법, 요동법, 샤워법, 분무법, 퍼들법), 현상 장치 등을 적절히 선택할 수 있다. As the developing and etching treatment conditions, the type, composition, and concentration of the developing solution, the developing time, the developing temperature, and the developing method (for example, the dipping method, the shaking method, the shower method, the spray method, and the puddle method) according to the kind of the constituents of each layer, etc. , A developing device, etc. can be selected suitably.

이 현상·에칭 공정에 의해, 수지층의 경우에는 수지층 잔류부와 수지층 제거부로 구성되는 수지층 패턴이 형성되고, 레지스트층의 경우도 마찬가지로 레지스트 잔류부와 레지스트 제거부로 구성되는 레지스트 패턴이 형성된다. By this development and etching process, in the case of a resin layer, the resin layer pattern which consists of a resin layer remainder and a resin layer removal part is formed, and also in the case of a resist layer, the resist pattern comprised by a resist remainder and a resist removal part is similarly carried out. Is formed.

상기 레지스트 패턴은, 예를 들면 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)의 에 칭 처리에 있어서 에칭 마스크로서 작용한다. 즉, 수지층(C) 중, 레지스트 패턴의 레지스트 제거부에 대응하는 부분이 에칭액에 용해되어 선택적으로 제거되고, 또한 에칭 처리를 계속하면, 수지층(C)에서의 레지스트 제거부에 대응하는 부분의 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)가 노출된다. 이에 따라, 수지층(C)의 잔류부와 제거부로 구성되는 수지층(C) 패턴이 형성된다. The said resist pattern acts as an etching mask in the etching process of a non-photosensitive inorganic powder containing resin layer (C), for example. That is, the part corresponding to the resist removal part in the resin layer C when the part corresponding to the resist removal part of a resist pattern in a resin layer C melt | dissolves in an etching liquid, and is selectively removed, and continues etching process. The photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) is exposed. Thereby, the resin layer (C) pattern which consists of a residual part and a removal part of the resin layer (C) is formed.

따라서, 레지스트 잔류부의 구성 재료(광 경화된 레지스트)는 수지층(C)의 구성 재료보다도 에칭액에 대한 용해 속도가 작은 것이 필요하다. 즉, 레지스트 패턴을 구성하는 레지스트 잔류부는 에칭 처리시에 서서히 용해되고, 수지층(C) 패턴이 형성된 단계(에칭 처리 종료시)에서 완전히 제거되는 것이 바람직하다. 한편, 에칭 처리 후에 레지스트 잔류부의 일부 또는 전부가 잔류해 있더라도 이 레지스트 잔류부는 다음의 소성 공정에서 제거된다. Therefore, it is necessary for the constituent material of the resist remaining portion (photocured resist) to have a smaller dissolution rate in the etching liquid than the constituent material of the resin layer (C). That is, it is preferable that the resist remaining portion constituting the resist pattern is gradually dissolved during the etching process and completely removed at the step (at the end of the etching process) in which the resin layer (C) pattern is formed. On the other hand, even if some or all of the resist remaining portion remains after the etching treatment, the resist remaining portion is removed in the following firing step.

상기 현상 공정 및 에칭 공정에서는 각각 다른 현상액 및 에칭액을 이용할 수 있지만, 현상액 및 에칭액으로서 동일 용액을 이용하는 것이 바람직하다. 이에 따라, 현상 처리 및 에칭 처리를 일련의 공정으로 행할 수 있고, 공정의 간략화에 의한 제조 효율의 향상을 도모할 수 있다. Although different developing solution and etching solution can be used in the said developing process and the etching process, it is preferable to use the same solution as a developing solution and an etching solution. Thereby, the developing process and the etching process can be performed in a series of steps, and the production efficiency can be improved by simplifying the steps.

상기 현상액(에칭액)으로서는 알칼리성 용액(이하, 단순히 "알칼리 현상액"이라고도 함)인 것이 바람직하다. 이에 따라, 수지층 및 레지스트층에 함유되는 알칼리 가용성 수지를 용이하게 용해 제거할 수 있다. 한편, 무기 분체 함유 수지층에 함유되는 무기 분체는 알칼리 가용성 수지에 의해 균일하게 분산되어 있기 때문에, 알칼리 현상액으로 결착 수지인 알칼리 가용성 수지를 용해시키고, 세정함으 로써 무기 분체도 동시에 제거된다. As said developing solution (etching solution), it is preferable that it is an alkaline solution (henceforth simply an "alkali developing solution"). Thereby, alkali-soluble resin contained in a resin layer and a resist layer can be easily dissolved and removed. On the other hand, since the inorganic powder contained in the inorganic powder-containing resin layer is uniformly dispersed by the alkali-soluble resin, the inorganic powder is also removed simultaneously by dissolving and washing the alkali-soluble resin, which is the binder resin, with an alkaline developer.

상기 알칼리 현상액의 유효 성분으로서는, 예를 들면 수산화리튬, 수산화나트륨, 수산화칼륨, 인산수소나트륨, 인산수소이암모늄, 인산수소이칼륨, 인산수소이나트륨, 인산이수소암모늄, 인산이수소칼륨, 인산이수소나트륨, 규산리튬, 규산나트륨, 규산칼륨, 탄산리튬, 탄산나트륨, 탄산칼륨, 붕산리튬, 붕산나트륨, 붕산칼륨, 암모니아 등의 무기 알칼리성 화합물; 테트라메틸암모늄 히드록시드, 트리메틸히드록시에틸암모늄 히드록시드, 모노메틸아민, 디메틸아민, 트리메틸아민, 모노에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 모노이소프로필아민, 디이소프로필아민, 에탄올아민 등의 유기 알칼리성 화합물 등을 들 수 있다. As active ingredients of the alkaline developer, for example, lithium hydroxide, sodium hydroxide, potassium hydroxide, sodium hydrogen phosphate, diammonium hydrogen phosphate, dipotassium hydrogen phosphate, disodium hydrogen phosphate, ammonium dihydrogen phosphate, potassium dihydrogen phosphate, sodium dihydrogen phosphate Inorganic alkaline compounds such as lithium silicate, sodium silicate, potassium silicate, lithium carbonate, sodium carbonate, potassium carbonate, lithium borate, sodium borate, potassium borate and ammonia; Tetramethylammonium Hydroxide, Trimethylhydroxyethylammonium Hydroxide, Monomethylamine, Dimethylamine, Trimethylamine, Monoethylamine, Diethylamine, Triethylamine, Monoisopropylamine, Diisopropylamine, Ethanolamine Organic alkaline compounds, such as these, etc. are mentioned.

상기 알칼리 현상액은 상기 알칼리성 화합물의 1종 또는 2종 이상을 물 등에 용해시킴으로써 제조할 수 있다. 알칼리 현상액에서의 알칼리성 화합물의 농도는 통상 0.001 내지 10 질량%, 바람직하게는 0.01 내지 5 질량%이다. 한편, 알칼리 현상액에 의한 현상·에칭 처리가 이루어진 후에는 통상적으로 수세 처리가 실시된다. The alkaline developer can be prepared by dissolving one or two or more kinds of the alkaline compounds in water or the like. The concentration of the alkaline compound in the alkaline developer is usually 0.001 to 10 mass%, preferably 0.01 to 5 mass%. On the other hand, after the image development and etching process by alkaline developing solution is performed, the water washing process is performed normally.

(4) 소성 공정(4) firing process

이 공정에서는 상기 공정(3)에 의해 얻어진 적층막 패턴을 소성 처리한다. 이에 따라, 무기 분체 함유 수지층 잔류부 중의 유기 물질이 소실되어, 예를 들면 투명 기판의 표면에 블랙 매트릭스 패턴이 형성되고, 상기 블랙 매트릭스 패턴 위에 전극 패턴이 형성되어 이루어지는 패널 재료를 얻을 수 있다. 이와 같이, 본 발명에 따르면, FPD를 구성하는 복수개의 요소, 구체적으로는 블랙 매트릭스 패턴 및 전극 패턴을 일괄적으로 형성할 수 있어, 공정수의 삭감에 의한 생산 효율의 향상을 도모할 수 있다. In this process, the laminated film pattern obtained by the said process (3) is baked. Thereby, the organic material in an inorganic powder containing resin layer remainder disappears, for example, the black matrix pattern is formed in the surface of a transparent substrate, and the panel material by which the electrode pattern is formed on the said black matrix pattern can be obtained. As described above, according to the present invention, a plurality of elements constituting the FPD, specifically, a black matrix pattern and an electrode pattern can be formed collectively, and the production efficiency can be improved by reducing the number of steps.

소성 처리 온도는 수지층 잔류부 중의 유기 물질이 소실되고, 무기 분체가 융착되는 온도인 것이 필요하고, 통상적으로 400 내지 600 ℃이다. 또한, 소성 시간은 통상적으로 10 내지 90분간이다. The baking treatment temperature is required to be a temperature at which the organic substance in the resin layer remaining portion disappears and the inorganic powder is fused, and is usually 400 to 600 ° C. Moreover, baking time is 10 to 90 minutes normally.

[전사 필름][Transfer film]

본 발명의 전사 필름은 지지 필름 상에 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및 상기 수지층(A)와는 층 조성이 다른 감광성 수지층(B)을 포함하는 적층막이 형성되어 이루어진다. 이 경우, 지지 필름 상에 상기 수지층(B) 및 상기 수지층(A)가 상기 순서대로 적층 형성되어 이루어지는 것이 보다 바람직하다.In the transfer film of the present invention, a laminated film including a photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) and a photosensitive resin layer (B) different in layer composition from the resin layer (A) is formed. In this case, it is more preferable that the said resin layer (B) and the said resin layer (A) are laminated | stacked and formed in the said order on a support film.

본 발명의 전사 필름에서의 적층막은 상기 수지층(A) 및 수지층(B) 외에, 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)를 추가로 포함할 수 있다. 이 경우, 지지 필름 상에 레지스트층(B-2), 수지층(C) 및 수지층(A)가 상기 순서대로 적층 형성되어 이루어지는 것이 바람직하다. The laminated film in the transfer film of this invention can further contain the non-photosensitive inorganic powder containing resin layer (C) other than the said resin layer (A) and resin layer (B). In this case, it is preferable that the resist layer (B-2), the resin layer (C), and the resin layer (A) are laminated | stacked and formed in the said order on a support film.

한편, 상술한 바와 같이 본 발명의 FPD 제조 방법에서는 상기 본 발명의 전사 필름 이외에도, 지지 필름 상에 상기 수지층(A), (B), 및 (C)가 각각 단독으로 설치된 전사 필름을 이용하여, 각 층마다 투명 기판 상에 전사하여 적층막을 형성할 수도 있다. 또한, 지지 필름 상에 상기 수지층(A)가 단독으로 설치된 전사 필름과, 수지층(C) 및 레지스트층(B-2)를 포함하는 적층막이 형성되어 이루어지는 전사 필름을 이용하여, 투명 기판 상에 수지층(A)를 전사하여 형성한 후, 이 수지층 (A) 상에 수지층(C) 및 레지스트층(B-2)를 포함하는 적층막을 전사하여 형성할 수도 있다. 또한, 지지 필름 상에 상기 수지층(A) 및 수지층(C)를 포함하는 적층막이 형성되어 이루어지는 전사 필름과, 레지스트층(B-2)가 단독으로 설치된 전사 필름을 이용하여, 투명 기판 상에 수지층(A) 및 수지층(C)를 포함하는 적층막을 전사하여 형성한 후, 이 수지층(C) 상에 레지스트층(B-2)를 전사하여 형성할 수 있다.On the other hand, in the FPD manufacturing method of the present invention as described above, in addition to the transfer film of the present invention, using the transfer film provided with the resin layers (A), (B), and (C) each on the support film alone, Each layer may be transferred onto a transparent substrate to form a laminated film. Moreover, using the transfer film in which the said resin layer (A) was provided independently on the support film, and the transfer film in which the laminated film containing a resin layer (C) and a resist layer (B-2) is formed, it forms on a transparent substrate. After the resin layer (A) is transferred to and formed on the resin layer (A), a laminated film including the resin layer (C) and the resist layer (B-2) may be transferred and formed on the resin layer (A). Moreover, using the transfer film in which the laminated | multilayer film containing the said resin layer (A) and the resin layer (C) is formed on a support film, and the transfer film in which the resist layer (B-2) was provided independently, it uses an image on a transparent substrate. After transfer | transferring and forming the laminated | multilayer film containing a resin layer (A) and a resin layer (C), the resist layer (B-2) can be transferred and formed on this resin layer (C).

<지지 필름><Support film>

상기 전사 필름을 구성하는 지지 필름은 내열성 및 내용제성을 갖는 동시에 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하다. 지지 필름이 가요성을 가짐에 따라, 롤 코터에 의해 페이스트상 조성물을 도포할 수 있고, 무기 분체 함유 수지층을 롤형으로 권취한 상태로 보존하고, 공급할 수 있다.It is preferable that the support film which comprises the said transfer film is a resin film which has heat resistance and solvent resistance, and has flexibility. As a support film has flexibility, a paste composition can be apply | coated by a roll coater, and an inorganic powder containing resin layer can be preserve | saved and supplied in the state wound up to roll shape.

지지 필름을 형성하는 수지로서는, 예를 들면 폴리에틸렌테레프탈레이트, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리스티렌, 폴리이미드, 폴리비닐알코올, 폴리염화비닐, 폴리플루오로에틸렌 등의 불소 함유 수지, 나일론, 셀룰로오스 등을 들 수 있다. 지지 필름의 두께는 예를 들면 20 내지 100 ㎛가 된다. 한편, 지지 필름의 표면에는 이형 처리가 실시되어 있는 것이 바람직하다. 이에 따라, 상술한 전사 공정에서 지지 필름의 박리 조작을 용이하게 행할 수 있다. Examples of the resin forming the support film include fluorine-containing resins such as polyethylene terephthalate, polyester, polyethylene, polypropylene, polystyrene, polyimide, polyvinyl alcohol, polyvinyl chloride, polyfluoroethylene, nylon, cellulose, and the like. Can be mentioned. The thickness of a support film becomes 20-100 micrometers, for example. On the other hand, it is preferable that the mold release process is given to the surface of a support film. Thereby, peeling operation of a support film can be performed easily in the transfer process mentioned above.

<보호 필름><Protective film>

본 발명의 전사 필름에서는 무기 분체 함유 수지층(A)의 표면을 보호하기 위해 이 수지층(A)의 표면 상에 보호 필름(커버 필름)이 설치될 수 있다. 이 보호 필름은 가요성을 갖는 수지 필름인 것이 바람직하고, 이에 따라 얻어지는 전사 필 름을 롤형으로 권취한 상태로 보존 또는 공급할 수 있다. In the transfer film of this invention, in order to protect the surface of the inorganic powder containing resin layer (A), a protective film (cover film) may be provided on the surface of this resin layer (A). It is preferable that this protective film is a flexible resin film, and it can preserve | save or supply the transfer film obtained by this in the state wound up to roll shape.

상기 보호 필름을 구성하는 수지로서는 폴리에틸렌테레프탈레이트 필름, 폴리에틸렌 필름, 폴리비닐알코올계 필름 등을 들 수 있다. 또한, 상기 보호 필름으로서 상기 지지 필름을 이용할 수 있다. 보호 필름의 두께는 예를 들면 20 내지 100 ㎛이다. 또한, 커버 필름의 표면에는 이형 처리가 실시될 수 있다. As resin which comprises the said protective film, a polyethylene terephthalate film, a polyethylene film, a polyvinyl alcohol-type film, etc. are mentioned. Moreover, the said support film can be used as said protective film. The thickness of a protective film is 20-100 micrometers, for example. In addition, a release treatment may be performed on the surface of the cover film.

<감광성 무기 분체 함유 수지층(A)> <Photosensitive inorganic powder containing resin layer (A)>

본 발명의 전사 필름을 구성하는 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)는 (a) 무기 분체, (b) 결착 수지, (c) 광 중합성 단량체, (d) 광 중합 개시제, 및 (e) 용제를 함유하는 페이스트상의 감광성 무기 분체 함유 수지 조성물 A를 이용하여 형성된다. 한편, 상기 조성물 A는 추가로 (f) 실란 커플링제나 (g) 기타 성분을 함유할 수 있다.The photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) which comprises the transfer film of this invention is (a) inorganic powder, (b) binder resin, (c) photopolymerizable monomer, (d) photoinitiator, and (e) solvent It is formed using the paste-form photosensitive inorganic powder containing resin composition A containing. On the other hand, the composition A may further contain (f) a silane coupling agent or (g) other components.

상기 수지층(A)는 상기 지지 필름 상에 형성된 수지층(B) 또는 수지층(C) 상에 상기 조성물 A를 도포하고, 도막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다. 또한, 보호 필름 상에 상기 조성물 A를 도포하고, 도막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 지지 필름 상에 수지층(A)를 형성하는 동시에, 이와는 별도로 지지 필름 상에 수지층(B) 또는 수지층(C)를 형성하고, 얻어진 수지층(A)의 표면과 얻어진 수지층(B) 또는 수지층(C)의 표면을 중첩시켜 압착하는 방법(라미네이팅)에 의해서도 바람직하게 형성할 수 있다. 라미네이팅에 의한 적층에 의해, 각 층의 인터믹싱에 의해 발생하는 감광 성능의 악화를 막을 수 있다. 한편, 상기 수지층(C)와 지지 필름 사이에는 필요에 따라 레지스트층 (B-2)가 형성될 수 있다.The said resin layer (A) can be formed by apply | coating the said composition A on the resin layer (B) or resin layer (C) formed on the said support film, drying a coating film, and removing some or all of a solvent. Furthermore, the said composition A is apply | coated on a protective film, a coating film is dried and a part or all of a solvent is removed, and a resin layer (A) is formed on a support film, and the resin layer (B) is carried out separately from a support film. Or it can form also preferably by the method (laminating) which forms the resin layer (C), superimposes the surface of the obtained resin layer (A), and the obtained resin layer (B) or the resin layer (C) by pressing. . By lamination by lamination, it is possible to prevent deterioration of the photosensitive performance caused by intermixing of each layer. Meanwhile, a resist layer (B-2) may be formed between the resin layer (C) and the support film as necessary.

상기 조성물 A의 도포 방법으로서는 막 두께의 균일성이 우수한 막 두께가 큰(예를 들면 10 ㎛ 이상) 도막을 효율적으로 형성할 수 있으면 특별히 한정되지 않고, 공지된 방법을 채용할 수 있다. 바람직한 도포 방법의 예로서는, 노즐 코터, 롤 코터, 그라비아 코터, 블레이드 코터, 나이프 코터, 바 코터, 닥터 코터, 딥 코터, 다이 코터, 리버스 코터, 커튼 코터, 와이어 코터, 오리피스 코터 등을 들 수 있다. 상기 수지층(A)의 막 두께는 통상 1 내지 20 ㎛이다. 도막의 건조 조건은 예를 들면 50 내지 150 ℃에서 0.5 내지 30분 정도이고, 건조 후의 용제의 잔존 비율(수지층 A 중의 함유율)은 통상 2 질량% 이내이다.As a coating method of the said composition A, if the coating film with a large film thickness (for example, 10 micrometers or more) excellent in the uniformity of film thickness can be formed efficiently, it will not specifically limit, A well-known method can be employ | adopted. Examples of preferred coating methods include nozzle coaters, roll coaters, gravure coaters, blade coaters, knife coaters, bar coaters, doctor coaters, dip coaters, die coaters, reverse coaters, curtain coaters, wire coaters, orifice coaters, and the like. The film thickness of the said resin layer (A) is 1-20 micrometers normally. Drying conditions of a coating film are about 0.5 to 30 minutes at 50-150 degreeC, for example, and the residual ratio (content in resin layer A) of the solvent after drying is usually 2 mass% or less.

상기 조성물 A는 무기 분체(a), 결착 수지(b), 광 중합성 단량체(c), 광 중합 개시제(d), 용제(e) 및 필요에 따라 이용되는 실란 커플링제(f)나 기타 성분(g)를 롤 혼련기, 믹서, 호모 믹서, 샌드 밀 등의 혼련·분산기를 이용하여 혼련함으로써 제조할 수 있다. 한편, 상기 조성물 A의 점도는 0.1 내지 10 Pa·s인 것이 바람직하다. The composition A is an inorganic powder (a), a binder resin (b), a photopolymerizable monomer (c), a photopolymerization initiator (d), a solvent (e), and a silane coupling agent (f) or other component used as necessary. (g) can be manufactured by kneading | mixing using kneading | dispersing machines, such as a roll kneader, a mixer, a homo mixer, and a sand mill. On the other hand, it is preferable that the viscosity of the said composition A is 0.1-10 Pa.s.

(a) 무기 분체(a) inorganic powder

상기 무기 분체(a)는 형성 재료의 종류에 따라 다르지만, 예를 들면 금속 분체, 무기 안료 분체, 형광체 분체, 유리 분체 등을 들 수 있다. 본 발명의 바람직한 양태인 블랙 매트릭스 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 흑색 안료 분체, 구체적으로는 사산화삼코발트(Co3O4)가 바람직하다. 또한, 유리 분체를 병용할 수 도 있다.Although the said inorganic powder (a) changes with kinds of forming material, a metal powder, an inorganic pigment powder, fluorescent substance powder, glass powder, etc. are mentioned, for example. As the inorganic powder used for the black matrix forming material which is a preferred embodiment of the present invention, black pigment powder, specifically tricobalt tetraoxide (Co 3 O 4 ) is preferable. Moreover, glass powder can also be used together.

상기 사산화삼코발트의 비표면적은 바람직하게는 7.5 ㎡/g 이상 20 ㎡/g 이하, 보다 바람직하게는 10 ㎡/g 이상 20 ㎡/g 이하이다. 사산화삼코발트의 비표면적이 7.5 ㎡/g 미만이면, 광투과율이 낮은 블랙 매트릭스가 얻어지지 않는다. 또한, 20 ㎡/g을 초과하면, 붉은 기가 도는 색의 블랙 매트릭스가 형성되는 등, 양호한 흑색을 갖는 블랙 매트릭스를 얻을 수 없는 경우가 있다. 한편, 상기 비표면적이란 상기 조성물에 함유되는 사산화삼코발트의 BET법에 의해 구해지는 비표면적의 평균치를 말한다. 또한, 상기 사산화삼코발트의 평균 입경은 통상적으로 0.05 내지 5.0 ㎛, 바람직하게는 0.1 내지 0.5 ㎛이다. The specific surface area of the tricobalt tetraoxide is preferably 7.5 m 2 / g or more and 20 m 2 / g or less, more preferably 10 m 2 / g or more and 20 m 2 / g or less. If the specific surface area of tricobalt tetraoxide is less than 7.5 m 2 / g, a black matrix having a low light transmittance cannot be obtained. Moreover, when it exceeds 20 m <2> / g, the black matrix which has favorable black may be unable to be obtained, for example, a black matrix of reddish color will be formed. In addition, the said specific surface area means the average value of the specific surface area calculated | required by the BET method of the tricobalt tetraoxide contained in the said composition. In addition, the average particle diameter of the tricobalt tetraoxide is usually 0.05 to 5.0 탆, preferably 0.1 to 0.5 탆.

상기 유리 분체로서는 연화점이 400 내지 600 ℃인 유리 분체가 바람직하다. 유리 분체의 연화점이 400 ℃ 미만인 경우에는 상기 소성 공정에서 결착 수지 등의 유기 물질이 완전히 분해 제거되지 않는 단계에서 유리 분체가 용융되어 버린다. 그 때문에, 형성되는 블랙 매트릭스 중에 유기 물질의 일부가 잔류하고, 얻어지는 PDP 내에 아웃 가스가 확산되는 결과, 형광체의 수명을 저하시킬 우려가 있다. 한편, 유리 분체의 연화점이 600 ℃를 초과하는 경우에는, 무기 분체 함유 수지층을 600 ℃보다 고온에서 소성할 필요가 있기 때문에, 상기 수지층의 피전사체인 투명 기판에 변형 등이 발생할 수 있다.As said glass powder, the glass powder whose softening point is 400-600 degreeC is preferable. If the softening point of the glass powder is less than 400 ° C, the glass powder melts in a step in which organic substances such as binder resin are not completely decomposed and removed in the firing step. Therefore, a part of organic substance remains in the formed black matrix, and there exists a possibility that the lifetime of fluorescent substance may be reduced as a result of outgas spreading in the obtained PDP. On the other hand, when the softening point of glass powder exceeds 600 degreeC, since an inorganic powder containing resin layer needs to be baked at higher temperature than 600 degreeC, a deformation | transformation etc. may occur in the transparent substrate which is a to-be-transferred body of the said resin layer.

상기 유리 분체의 바람직한 구체예로서는, 산화아연, 산화붕소, 산화규소(ZnO-B2O3-SiO2)계; 산화납, 산화붕소, 산화규소(PbO-B2O3-SiO2)계; 산화납, 산화붕 소, 산화규소, 산화알루미늄(PbO-B2O3-SiO2-Al2O3)계; 산화납, 산화아연, 산화붕소, 산화규소(PbO-ZnO-B2O3-SiO2)계; 산화비스무스, 산화붕소, 산화규소(Bi2O3-B2O3-SiO2)계; 산화비스무스, 산화붕소, 산화규소, 산화알루미늄(Bi2O3-B2O3-SiO2-Al2O3)계 등을 들 수 있지만, 환경에 대한 부하 측면에서 PbO를 포함하지 않는 무연 유리 분체인 것이 바람직하다. 상기 유리 분체의 평균 입경은 0.1 내지 3.0 ㎛인 것이 바람직하다.Preferable specific examples of the glass powder include zinc oxide, boron oxide, and silicon oxide (ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 ); Lead oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 ); Lead oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (PbO-B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ); Lead oxide, zinc oxide, boron oxide, silicon oxide (PbO-ZnO-B 2 O 3 -SiO 2 ); Bismuth oxide, boron oxide, silicon oxide (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 ) system; Lead-free glass containing bismuth oxide, boron oxide, silicon oxide, aluminum oxide (Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 -Al 2 O 3 ), etc., but not containing PbO in terms of environmental load It is preferable that it is powder. It is preferable that the average particle diameter of the said glass powder is 0.1-3.0 micrometers.

무기 분체(a)에서의 사산화삼코발트와 유리 분체와의 함유 비율은 무기 분체 전량에 대하여 사산화삼코발트가 30 내지 50 질량%, 유리 분체가 50 내지 70 질량%인 것이 바람직하다. 사산화삼코발트의 비율이 상기 비율임에 따라, 상기 사산화삼코발트가 소성 후에도 표면에 석출되지 않고 유리 분체와 함께 막 내에 포매(包埋)되어, 표면 평활성 및 차광성이 우수한 블랙 매트릭스가 얻어진다. 또한, 유리 분체의 비율이 상기 비율임에 따라, 차광성이 우수한 블랙 매트릭스가 얻어지고, 소성 후의 기판에 대한 밀착성이나 막 강도가 양호해지는 효과가 얻어진다.The content of tricobalt tetraoxide and the free powder in the inorganic powder (a) is preferably 30 to 50 mass% and 50 to 70 mass% of tricobalt tetraoxide based on the total amount of the inorganic powder. As the ratio of tricobalt tetraoxide is the above ratio, the tricobalt tetraoxide is embedded in the film together with the glass powder without depositing on the surface even after firing, thereby obtaining a black matrix having excellent surface smoothness and light shielding properties. Moreover, when the ratio of glass powder is the said ratio, the black matrix excellent in light-shielding property is obtained, and the effect that adhesiveness with respect to the board | substrate after baking, and film strength becomes favorable is obtained.

또한, 상기 조성물 A에는 사산화삼코발트 및 유리 분체 이외의 무기 분체가 포함될 수 있다. 구체적으로는, Mn, Fe, Cr, Ni, Co, 이들의 산화물 및 복합 산화물 등의 사산화삼코발트 이외의 유색 안료나, 산화알루미늄, 산화티탄, 산화지르코늄, 산화규소, 산화세륨 등의 무기 산화물 등을 들 수 있다. 그 밖의 무기 분체의 함유량은 무기 분체 전량의 30 질량% 이하인 것이 바람직하다. In addition, the composition A may include inorganic powders other than tri-cobalt tetraoxide and free powder. Specifically, inorganic pigments such as colored pigments other than tricobalt tetraoxide such as Mn, Fe, Cr, Ni, Co, oxides and composite oxides thereof, and aluminum oxide, titanium oxide, zirconium oxide, silicon oxide, cerium oxide, and the like Can be mentioned. It is preferable that content of another inorganic powder is 30 mass% or less of an inorganic powder whole quantity.

(b) 결착 수지(b) binder resin

상기 조성물 A를 구성하는 결착 수지(b)로서는 다양한 수지를 사용할 수 있지만, 알칼리 가용성 수지를 20 내지 100 질량%의 비율로 함유하는 수지를 사용하는 것이 바람직하다. 여기에서 "알칼리 가용성"이란 알칼리성 현상액에 의해 용해되고, 목적으로 하는 현상 처리가 수행되는 정도로 용해성을 갖는 성질을 말한다. Although various resin can be used as binder resin (b) which comprises the said composition A, It is preferable to use resin containing alkali-soluble resin in the ratio of 20-100 mass%. As used herein, "alkali soluble" refers to a property of being solubilized to the extent that it is dissolved by an alkaline developer and the target development treatment is performed.

이러한 알칼리 가용성 수지로서는, 예를 들면 (메트)아크릴계 수지, 히드록시스티렌 수지, 노볼락 수지, 폴리에스테르 수지 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 (메트)아크릴계 수지가 바람직하다. 특히, (메트)아크릴산 유래의 구성 단위 및 (메트)아크릴레이트 유래의 구성 단위의 합계 비율이 전체 구성 단위의 70 질량% 이상, 바람직하게는 90 질량% 이상인 (메트)아크릴계 수지가 바람직하다. As such alkali-soluble resin, (meth) acrylic-type resin, hydroxy styrene resin, a novolak resin, a polyester resin etc. are mentioned, for example. In these, (meth) acrylic-type resin is preferable. In particular, the total ratio of the structural unit derived from (meth) acrylic acid and the structural unit derived from (meth) acrylate is preferably 70% by mass or more, preferably 90% by mass or more of the total structural units.

상기 조성물 A가 결착 수지(b)로서 (메트)아크릴계 수지를 함유함으로써, 상기 조성물 A로부터 형성되는 무기 분체 함유 수지층(A)는 기판에 대한 우수한 (가열) 접착성을 발휘한다. 따라서, 상기 조성물 A를 지지 필름 상에 도포하여 제조한 전사 필름은 수지층(A)의 전사성(기판으로의 가열 접착성)이 우수하게 된다.When the said composition A contains (meth) acrylic-type resin as binder resin (b), the inorganic powder containing resin layer (A) formed from the said composition A exhibits the outstanding (heating) adhesiveness to a board | substrate. Therefore, the transfer film produced by applying the composition A on the support film is excellent in the transferability (heat adhesion to the substrate) of the resin layer (A).

상기 (메트)아크릴계 수지로서는 적절한 점착성을 가져 무기 분체를 결착시킬 수 있고, 적층막 패턴의 소성 처리(400 ℃ 내지 600 ℃)에 의해 완전히 산화 제거되는 (공)중합체인 것이 바람직하다. As said (meth) acrylic-type resin, it is preferable that it is a (co) polymer which has an appropriate adhesiveness, can bind an inorganic powder, and is fully oxidized and removed by the baking process (400 degreeC-600 degreeC) of a laminated film pattern.

이러한 (메트)아크릴계 수지 중에서 바람직한 것으로서는, 하기 단량체(I)와 단량체(II)와의 공중합체, 단량체(I), 단량체(II) 및 단량체(III)의 공중합체 등의 (메트)아크릴계 수지를 들 수 있다.Among these (meth) acrylic resins, preferred are (meth) acrylic resins such as copolymers of the following monomers (I) and (II), copolymers of monomers (I), monomers (II) and monomers (III). Can be mentioned.

상기 단량체(I)로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 말레산, 푸마르산, 크로톤산, 이타콘산, 시트라콘산, 메사콘산, 신남산, 숙신산 모노(2-(메트)아크릴로일옥시에틸), ω-카르복시-폴리카프로락톤 모노(메트)아크릴레이트 등의 카르복실기 함유 단량체류를 들 수 있다. Examples of the monomer (I) include acrylic acid, methacrylic acid, maleic acid, fumaric acid, crotonic acid, itaconic acid, citraconic acid, mesaconic acid, cinnamic acid, and succinic acid mono (2- (meth) acryloyloxyethyl and carboxyl group-containing monomers, such as (omega)-carboxy- polycaprolactone mono (meth) acrylate.

상기 단량체(II)로서는, 예를 들면 2-히드록시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 3-히드록시프로필(메트)아크릴레이트, 2-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 3-히드록시부틸(메트)아크릴레이트, 4-히드록시부틸(메트)아크릴레이트 등의 히드록시알킬(메트)아크릴레이트류; o-히드록시스티렌, m-히드록시스티렌, p-히드록시스티렌 등의 페놀성 수산기 함유 단량체류 등의 수산기 함유 단량체류를 들 수 있다. As said monomer (II), for example, 2-hydroxyethyl (meth) acrylate, 2-hydroxypropyl (meth) acrylate, 3-hydroxypropyl (meth) acrylate, 2-hydroxybutyl (meth Hydroxyalkyl (meth) acrylates such as) acrylate, 3-hydroxybutyl (meth) acrylate, and 4-hydroxybutyl (meth) acrylate; and hydroxyl group-containing monomers such as phenolic hydroxyl group-containing monomers such as o-hydroxy styrene, m-hydroxy styrene, and p-hydroxy styrene.

단량체(III)로서는, 예를 들면As monomer (III), for example

메틸(메트)아크릴레이트, 에틸(메트)아크릴레이트, 프로필(메트)아크릴레이트, 이소프로필(메트)아크릴레이트, n-부틸(메트)아크릴레이트, 이소부틸(메트)아크릴레이트, t-부틸(메트)아크릴레이트, 펜틸(메트)아크릴레이트, 아밀(메트)아크릴레이트, 이소아밀(메트)아크릴레이트, 헥실(메트)아크릴레이트, 헵틸(메트)아크릴레이트, 옥틸(메트)아크릴레이트, 이소옥틸(메트)아크릴레이트, 에틸헥실(메트)아크릴레이트, 노닐(메트)아크릴레이트, 데실(메트)아크릴레이트, 이소데실(메트)아크릴레이트, 운데실(메트)아크릴레이트, 도데실(메트)아크릴레이트, 라우릴(메트)아크릴레이트, 스테아릴(메트)아크릴레이트, 이소스테아릴(메트)아크릴레이트 등의 알킬(메트)아크릴레이트류; Methyl (meth) acrylate, ethyl (meth) acrylate, propyl (meth) acrylate, isopropyl (meth) acrylate, n-butyl (meth) acrylate, isobutyl (meth) acrylate, t-butyl ( Meth) acrylate, pentyl (meth) acrylate, amyl (meth) acrylate, isoamyl (meth) acrylate, hexyl (meth) acrylate, heptyl (meth) acrylate, octyl (meth) acrylate, isooctyl (Meth) acrylate, ethylhexyl (meth) acrylate, nonyl (meth) acrylate, decyl (meth) acrylate, isodecyl (meth) acrylate, undecyl (meth) acrylate, dodecyl (meth) acrylic Alkyl (meth) acrylates such as acrylate, lauryl (meth) acrylate, stearyl (meth) acrylate, and isostearyl (meth) acrylate;

페녹시에틸(메트)아크릴레이트, 2-히드록시-3-페녹시프로필(메트)아크릴레이 트 등의 페녹시알킬(메트)아크릴레이트류; Phenoxyalkyl (meth) acrylates such as phenoxyethyl (meth) acrylate and 2-hydroxy-3-phenoxypropyl (meth) acrylate;

2-메톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-에톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-프로폭시에틸(메트)아크릴레이트, 2-부톡시에틸(메트)아크릴레이트, 2-메톡시부틸(메트)아크릴레이트 등의 알콕시알킬(메트)아크릴레이트류; 2-methoxyethyl (meth) acrylate, 2-ethoxyethyl (meth) acrylate, 2-propoxyethyl (meth) acrylate, 2-butoxyethyl (meth) acrylate, 2-methoxybutyl ( Alkoxyalkyl (meth) acrylates such as meth) acrylate;

폴리에틸렌글리콜 모노(메트)아크릴레이트, 에톡시디에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트, 메톡시폴리에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트, 페녹시폴리에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리에틸렌글리콜 (메트)아크릴레이트, 폴리프로필렌글리콜 모노(메트)아크릴레이트, 메톡시폴리프로필렌글리콜 (메트)아크릴레이트, 에톡시폴리프로필렌글리콜 (메트)아크릴레이트, 노닐페녹시폴리프로필렌글리콜 (메트)아크릴레이트 등의 폴리알킬렌글리콜 (메트)아크릴레이트류; Polyethylene glycol mono (meth) acrylate, ethoxydiethylene glycol (meth) acrylate, methoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, phenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, nonylphenoxypolyethylene glycol (meth) acrylate, Polyalkylene glycols such as polypropylene glycol mono (meth) acrylate, methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate, ethoxy polypropylene glycol (meth) acrylate, and nonylphenoxypolypropylene glycol (meth) acrylate ( Meth) acrylates;

벤질(메트)아크릴레이트, 페닐(메트)아크릴레이트, 시클로헥실(메트)아크릴레이트, 4-부틸시클로헥실(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜테닐(메트)아크릴레이트, 디시클로펜타디에닐(메트)아크릴레이트, 보르닐(메트)아크릴레이트, 이소보르닐(메트)아크릴레이트, 트리시클로데카닐(메트)아크릴레이트 등의 환식 (메트)아크릴레이트류; 비닐벤질메틸에테르, 비닐글리시딜에테르, 스티렌, α-메틸스티렌, 부타디엔, 이소프렌 등의 비닐기 함유 라디칼 중합성 화합물 Benzyl (meth) acrylate, phenyl (meth) acrylate, cyclohexyl (meth) acrylate, 4-butylcyclohexyl (meth) acrylate, dicyclopentanyl (meth) acrylate, dicyclopentenyl (meth) acrylic Cyclic (meth) acrylates such as late, dicyclopentadienyl (meth) acrylate, bornyl (meth) acrylate, isobornyl (meth) acrylate and tricyclodecanyl (meth) acrylate; Vinyl group-containing radically polymerizable compounds such as vinyl benzyl methyl ether, vinyl glycidyl ether, styrene, α-methyl styrene, butadiene and isoprene

등의 그 밖의 공중합 가능한 단량체류를 들 수 있다. Other copolymerizable monomers, such as these, are mentioned.

특히, 단량체(I)로서는 아크릴산 및 메타크릴산이 바람직하게 사용된다. 또한, 단량체(II)로서는 히드록시알킬(메트)아크릴레이트류가 바람직하게 사용된다. 또한, 단량체(III)로서는 알킬(메트)아크릴레이트류 및 지환식 (메트)아크릴레이트류가 바람직하게 사용된다.In particular, acrylic acid and methacrylic acid are preferably used as the monomer (I). As the monomer (II), hydroxyalkyl (meth) acrylates are preferably used. As the monomer (III), alkyl (meth) acrylates and alicyclic (meth) acrylates are preferably used.

상기 (메트)아크릴계 수지에서의 각 단량체 유래의 구성 단위의 비율은 단량체(I)(카르복실기 함유 단량체류) 유래의 구성 단위가 통상 5 내지 50 질량%, 바람직하게는 10 내지 40 질량%이고, 단량체(II)(수산기 함유 단량체류) 유래의 구성 단위가 통상 40 질량% 이하, 바람직하게는 5 내지 30 질량%이고, 단량체(III)(그 밖의 공중합 가능한 단량체류) 유래의 구성 단위가 통상 95 질량% 이하, 바람직하게는 40 내지 80 질량%이다.As for the ratio of the structural unit derived from each monomer in the said (meth) acrylic-type resin, the structural unit derived from monomer (I) (carboxyl group-containing monomers) is 5-50 mass% normally, Preferably it is 10-40 mass%, and a monomer The structural unit derived from (II) (hydroxyl group-containing monomers) is 40 mass% or less normally, Preferably it is 5-30 mass%, and the structural unit derived from monomer (III) (other copolymerizable monomers) is 95 mass normally % Or less, Preferably it is 40-80 mass%.

특히, (메트)아크릴산 유래의 구성 단위를 5 내지 30부, 수산기 함유 단량체 유래의 구성 단위를 5 내지 30부 함유하는 수지가 현상 중의 기판과의 양호한 밀착성, 현상 후의 양호한 패턴 형상이 얻어지는 점에서 바람직하게 이용된다. In particular, resin which contains 5-30 parts of structural units derived from (meth) acrylic acid, and 5-30 parts of structural units derived from a hydroxyl-containing monomer is preferable at the point from which the favorable adhesiveness with the board | substrate in image development, and the favorable pattern shape after image development are obtained. Is used.

상기 결착 수지(b)의 산가는 KOH mg/g 환산으로 30 내지 250, 바람직하게는 50 내지 200이다. The acid value of the said binder resin (b) is 30-250 in terms of KOH mg / g, Preferably it is 50-200.

상기 결착 수지(b)의 분자량은 GPC에 의한 폴리스티렌 환산의 중량 평균 분자량(이하, 단순히 "중량 평균 분자량" 또는 "Mw"라고도 함)으로 3,000 내지 300,000, 바람직하게는 10,000 내지 100,000이다. 또한, 수지의 분산도(중량 평균 분자량/수 평균 분자량)는 1.0 내지 5.0, 바람직하게는 1.0 내지 3.0이다. The molecular weight of the binder resin (b) is 3,000 to 300,000, preferably 10,000 to 100,000, in terms of the weight average molecular weight (hereinafter, simply referred to as "weight average molecular weight" or "Mw") in terms of polystyrene by GPC. Moreover, dispersion degree (weight average molecular weight / number average molecular weight) of resin is 1.0-5.0, Preferably it is 1.0-3.0.

(c) 광 중합성 단량체(c) photopolymerizable monomer

상기 조성물 A는 광 중합성 단량체(c) 및 광 중합 개시제(d)를 함유하는 감광성 조성물이다. 광 중합성 단량체(c)는 노광에 의해 중합되고, 노광 부분을 알 칼리 불용성 또는 알칼리 난용성으로 하는 성질을 갖는 것이고, 바람직한 것으로서 다관능성 (메트)아크릴레이트를 들 수 있다. The said composition A is a photosensitive composition containing a photopolymerizable monomer (c) and a photoinitiator (d). The photopolymerizable monomer (c) is polymerized by exposure and has the property of making the exposed portion alkaline insoluble or alkali poorly soluble, and polyfunctional (meth) acrylate is mentioned as a preferable one.

다관능성 (메트)아크릴레이트의 구체예로서는, 예를 들면 에틸렌글리콜, 프로필렌글리콜 등의 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 폴리에틸렌글리콜, 폴리프로필렌글리콜 등의 폴리알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류; 양쪽 말단 히드록시폴리부타디엔, 양쪽 말단 히드록시폴리이소프렌, 양쪽 말단 히드록시폴리카프로락톤 등의 양쪽 말단 히드록실화 중합체의 디(메트)아크릴레이트류; 글리세린, 1,2,4-부탄트리올, 트리메틸올알칸, 테트라메틸올알칸, 펜타에리트리톨, 디펜타에리트리톨 등의 3가 이상의 다가 알코올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 3가 이상의 다가 알코올의 폴리알킬렌글리콜 부가물의 폴리(메트)아크릴레이트류; 1,4-시클로헥산디올, 1,4-벤젠디올류 등의 환식 폴리올의 폴리(메트)아크릴레이트류; 폴리에스테르(메트)아크릴레이트, 에폭시(메트)아크릴레이트, 우레탄(메트)아크릴레이트, 알키드 수지(메트)아크릴레이트, 실리콘 수지(메트)아크릴레이트, 스피란 수지(메트)아크릴레이트 등의 올리고(메트)아크릴레이트류 등을 들 수 있다.As a specific example of polyfunctional (meth) acrylate, For example, Di (meth) acrylates of alkylene glycol, such as ethylene glycol and propylene glycol; Di (meth) acrylates of polyalkylene glycols such as polyethylene glycol and polypropylene glycol; Di (meth) acrylates of both terminal hydroxylated polymers such as both terminal hydroxypolybutadiene, both terminal hydroxypolyisoprene and both terminal hydroxypolycaprolactone; Poly (meth) acrylates of trivalent or higher polyhydric alcohols such as glycerin, 1,2,4-butanetriol, trimethylolalkane, tetramethylolalkane, pentaerythritol, dipentaerythritol; Poly (meth) acrylates of polyalkylene glycol adducts of trivalent or higher polyhydric alcohols; Poly (meth) acrylates of cyclic polyols such as 1,4-cyclohexanediol and 1,4-benzenediols; Oligos, such as polyester (meth) acrylate, epoxy (meth) acrylate, urethane (meth) acrylate, alkyd resin (meth) acrylate, silicone resin (meth) acrylate, and spiran resin (meth) acrylate ( Meth) acrylates and the like.

이들은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 이들 중에서는 알킬렌글리콜의 디(메트)아크릴레이트류, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 및 그의 폴리알킬렌글리콜 부가물, 펜타에리스톨 트리아크릴레이트 및 그의 폴리알킬렌글리콜 부가물 등이 특히 바람직하게 이용된다. 또한, 상기 다관능성 (메트)아크릴레이트의 분자량은 100 내지 2,000인 것이 바람직하다.These may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type. Among these, di (meth) acrylates of alkylene glycol, trimethylolpropane triacrylate and polyalkylene glycol adducts thereof, pentaerythritol triacrylate and polyalkylene glycol adducts thereof and the like are particularly preferably used. do. Moreover, it is preferable that the molecular weight of the said polyfunctional (meth) acrylate is 100-2,000.

상기 결착 수지(b) 및 광 중합성 단량체(c)의 총 배합량은 무기 분체(a) 100 질량부에 대하여 통상 5 내지 1000 질량부, 바람직하게는 10 내지 500 질량부의 범위이다. 또한, 광 중합성 단량체(c)는 결착 수지(b) 100 질량부에 대하여 10 내지 200 질량부, 바람직하게는 20 내지 150 질량부의 범위의 양으로 사용된다. 결착 수지의 양이 너무 적은 경우에는 무기 분체를 확실하게 결착 유지할 수 없거나 전사 필름으로서 필요한 유연성, 전사성을 손상시킬 수 있고, 한편 너무 많은 경우에는 소성 공정에 긴 시간을 요하거나, 형성되는 소결체가 충분한 강도나 막 두께를 갖지 않을 수 있다.The total compounding quantity of the said binder resin (b) and a photopolymerizable monomer (c) is 5-1000 mass parts normally with respect to 100 mass parts of inorganic powder (a), Preferably it is the range of 10-500 mass parts. The photopolymerizable monomer (c) is used in an amount in the range of 10 to 200 parts by mass, preferably 20 to 150 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the binder resin (b). If the amount of the binder resin is too small, the inorganic powder may not be reliably bound or damaged, which may impair the flexibility and transferability required as the transfer film. On the other hand, if the sintered body is formed for a long time or may be formed, It may not have sufficient strength or film thickness.

(d) 광 중합 개시제(d) photoinitiator

상기 조성물 A에 이용되는 광 중합 개시제(d)로서는, 예를 들면 벤질, 벤조인, 벤조페논, 캄파퀴논, 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 4,4'-비스(디메틸아미노)벤조페논, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2-히드록시-2-메틸-1-페닐프로판-1-온, 1-히드록시시클로헥실페닐케톤, 2,2-디메톡시-2-페닐아세토페논, 2-메틸-[4'-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀옥시드, 1-[9-에틸-6-(2-메틸벤조일)-9.H.-카르바졸-3-일]-에탄-1-온옥심-O-아세테이트 등의 카르보닐 화합물; 아조이소부티로니트릴, 4-아지드벤즈알데히드 등의 아조 화합물 또는 아지드 화합물; 2-머캅토벤조티아졸, 머캅탄 디술피드 등의 유기 황 화합물; 벤조일 퍼옥시드, 디-tert-부틸퍼옥시드, tert-부틸히드로퍼옥시드, 쿠멘히드로퍼옥시드, 파라메탄히드로퍼옥시드 등의 유기 퍼옥시드; 1,3-비스(트리클로로메틸)-5-(2'-클로로페닐)-1,3,5-트리아진, 2-[2-(2-푸라닐)에틸레닐]-4,6-비스(트리클로로메틸)- 1,3,5-트리아진 등의 트리할로메탄류; 2,2'-비스(2-클로로페닐) 4,5,4',5'-테트라페닐 1,2'-비이미다졸 등의 이미다졸 이량체 등을 들 수 있다.As a photoinitiator (d) used for the said composition A, for example, benzyl, benzoin, benzophenone, camphorquinone, 2, 2- dimethoxy- 1, 2- diphenyl ethane- 1-one, 4, 4 '-Bis (dimethylamino) benzophenone, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 2-hydroxy-2-methyl-1-phenylpropan-1-one, 1-hydroxycyclohexylphenylketone , 2,2-dimethoxy-2-phenylacetophenone, 2-methyl- [4 '-(methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propaneone, 2-benzyl-2-dimethylamino-1 -(4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylphosphineoxide, 1- [9-ethyl-6- (2-methylbenzoyl) -9.H Carbonyl compounds such as .-carbazol-3-yl] -ethane-1-one oxime-O-acetate; Azo compounds or azide compounds such as azoisobutyronitrile and 4-azide benzaldehyde; Organic sulfur compounds such as 2-mercaptobenzothiazole and mercaptan disulfide; Organic peroxides such as benzoyl peroxide, di-tert-butyl peroxide, tert-butylhydroperoxide, cumene hydroperoxide and paramethane hydroperoxide; 1,3-bis (trichloromethyl) -5- (2'-chlorophenyl) -1,3,5-triazine, 2- [2- (2-furanyl) ethylenyl] -4,6-bis Trihalo methanes such as (trichloromethyl) -1,3,5-triazine; And imidazole dimers such as 2,2'-bis (2-chlorophenyl) 4,5,4 ', 5'-tetraphenyl 1,2'-biimidazole.

이들은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 이들 중에서는 2,2-디메톡시-1,2-디페닐에탄-1-온, 2-메틸-[4'-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-1-프로파논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온, 4,4'-비스(디에틸아미노)벤조페논, 2,4,6-트리메틸벤조일-디페닐포스핀옥시드 등이 특히 바람직하게 사용된다.These may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type. Among these, 2,2-dimethoxy-1,2-diphenylethan-1-one, 2-methyl- [4 '-(methylthio) phenyl] -2-morpholino-1-propaneone, 2- Benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one, 4,4'-bis (diethylamino) benzophenone, 2,4,6-trimethylbenzoyl-diphenylforce Pinoxide and the like are particularly preferably used.

상기 광 중합 개시제(d)는 상기 광 중합성 단량체(c) 100 질량부에 대하여 통상 0.1 내지 100 질량부, 바람직하게는 1.0 내지 60 질량부의 범위의 양으로 사용된다.The said photoinitiator (d) is used in the quantity of the range of 0.1-100 mass parts normally, Preferably it is 1.0-60 mass parts with respect to 100 mass parts of said photopolymerizable monomers (c).

(e) 용제(e) solvent

상기 조성물 A는 통상적으로 용제를 함유한다. 이러한 용제로서는 무기 분체와의 친화성, 결착 수지의 용해성이 양호하고, 무기 분체 함유 수지 조성물에 적절한 점성을 부여할 수 있는 동시에, 건조 처리함으로써 용이하게 증발 제거할 수 있는 것이 바람직하다. 또한, 특히 바람직한 용제로서, 표준 비점(1 기압에서의 비점)이 60 내지 200 ℃인 케톤류, 알코올류 및 에스테르류(이하, 이들을 "특정 용제"라 함)를 들 수 있다.The composition A usually contains a solvent. As such a solvent, it is preferable that the affinity with inorganic powder and the solubility of binder resin are favorable, the viscosity can be provided to an inorganic powder containing resin composition, and it can evaporate easily by drying. Moreover, as a especially preferable solvent, ketones, alcohols, and esters (hereinafter, these are referred to as "specific solvent") whose standard boiling point (boiling point at 1 atmosphere) are 60-200 degreeC.

상기 특정 용제로서는, 예를 들면 메틸에틸케톤, 디에틸케톤, 메틸부틸케톤, 디프로필케톤, 시클로헥사논 등의 케톤류; As said specific solvent, For example, ketones, such as methyl ethyl ketone, diethyl ketone, methyl butyl ketone, dipropyl ketone, cyclohexanone;

n-펜탄올, 4-메틸-2-펜탄올, 시클로헥산올, 디아세톤알코올 등의 알코올류; alcohols such as n-pentanol, 4-methyl-2-pentanol, cyclohexanol and diacetone alcohol;

에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 프로필렌글리콜모노에틸에테르 등의 에테르계 알코올류; Ether alcohols such as ethylene glycol monomethyl ether, ethylene glycol monoethyl ether, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether and propylene glycol monoethyl ether;

아세트산-n-부틸, 아세트산아밀 등의 포화 지방족 모노카르복실산알킬에스테르류; Saturated aliphatic monocarboxylic acid alkyl esters such as acetic acid-n-butyl and amyl acetate;

락트산에틸, 락트산-n-부틸 등의 락트산 에스테르류; Lactic acid esters such as ethyl lactate and lactic acid-n-butyl;

메틸셀로솔브아세테이트, 에틸셀로솔브아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등의 에테르계 에스테르류 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 메틸부틸케톤, 시클로헥사논, 디아세톤알코올, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 프로필렌글리콜모노메틸에테르, 락트산에틸, 에틸-3-에톡시프로피오네이트 등이 바람직하다. 이들 특정 용제는 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.Ether esters such as methyl cellosolve acetate, ethyl cellosolve acetate, propylene glycol monomethyl ether acetate, and ethyl-3-ethoxypropionate, and the like. Among these, methylbutyl ketone, cyclohexanone, diacetone alcohol, ethylene glycol monobutyl ether, propylene glycol monomethyl ether, ethyl lactate, ethyl-3-ethoxy propionate, and the like are preferable. These specific solvents may be used alone, or may be used in combination of two or more thereof.

또한, 상기 특정 용제 이외의 사용 가능한 용제로서는, 예를 들면 테르빈유, 에틸셀로솔브, 메틸셀로솔브, 테르피네올, 부틸카르비톨아세테이트, 부틸카르비톨, 이소프로필알코올, 벤질알코올 등을 들 수 있다. Moreover, as a solvent which can be used other than the said specific solvent, terbin oil, ethyl cellosolve, methyl cellosolve, terpineol, butyl carbitol acetate, butyl carbitol, isopropyl alcohol, benzyl alcohol, etc. are mentioned, for example. Can be.

상기 용제(e)는 조성물 A의 점도를 바람직한 범위로 유지하는 측면에서, 무기 분체(a) 100 질량부에 대하여 5 내지 5000 질량부, 바람직하게는 10 내지 500 질량부의 범위에서 사용된다. 또한, 전체 용제에 대한 특정 용제의 비율은 50 질량% 이상, 바람직하게는 70 질량% 이상이다. The said solvent (e) is used in the range of 5-5000 mass parts with respect to 100 mass parts of inorganic powder (a), Preferably it is 10-500 mass parts with respect to maintaining the viscosity of composition A in a preferable range. Moreover, the ratio of the specific solvent with respect to all the solvent is 50 mass% or more, Preferably it is 70 mass% or more.

(f) 실란 커플링제(f) silane coupling agent

상기 조성물 A는 상기 무기 분체(a), 특히 유리 분체의 분산성 향상 및 형성하는 전사 필름의 가소화 향상을 목적으로서 실란 커플링제(f)를 함유할 수 있다. 이러한 실란 커플링제(f)로서는 하기 화학식 1로 표시되는 화합물 및 화학식 2로 표시되는 화합물을 들 수 있다.The said composition A can contain a silane coupling agent (f) for the purpose of the improvement of the dispersibility of the said inorganic powder (a), especially glass powder, and the plasticization of the transfer film to form. As such a silane coupling agent (f), the compound represented by following formula (1) and the compound represented by general formula (2) are mentioned.

Figure 112007023472830-PAT00001
Figure 112007023472830-PAT00001

(화학식 1 중, p는 3 내지 20, 바람직하게는 4 내지 16의 정수이고, m은 1 내지 3의 정수이고, n은 1 내지 3의 정수이고, a는 1 내지 3의 정수임)(In formula 1, p is 3-20, Preferably it is an integer of 4-16, m is an integer of 1-3, n is an integer of 1-3, a is an integer of 1-3)

Figure 112007023472830-PAT00002
Figure 112007023472830-PAT00002

(화학식 2 중, R은 메틸렌기 또는 탄소수 2 내지 100의 알킬렌기를 나타내고, Y는 비닐기, 에폭시기, 아크릴옥시기, 메타크릴옥시기, 머캅토기 또는 아미노기를 나타내고, X는 가수분해성 기를 나타내고, r은 0 내지 3의 정수임) In formula (2), R represents a methylene group or an alkylene group having 2 to 100 carbon atoms, Y represents a vinyl group, an epoxy group, an acryloxy group, a methacryloxy group, a mercapto group or an amino group, X represents a hydrolyzable group, r is an integer from 0 to 3)

상기 화학식 1에 있어서, p의 값이 3 미만인 실란 커플링제를 이용하는 경우에는, 얻어지는 무기 분체 함유 수지층에 있어서 충분한 가요성이 발현되지 않는 경우가 있다. 한편, 상기 p의 값이 20을 초과하는 실란 커플링제는 분해 온도가 높기 때문에, 무기 분체 함유 수지층의 소성 공정에 있어서, 유기 물질(상기 실란 유도체)이 완전히 분해 제거되지 않는 단계에서 유리 분체가 용융되어 버려, 형성 되는 패턴 중에 유기 물질의 일부가 잔류함으로써, 패널 특성에 악영향을 미치는 경우가 있다. In the said Formula (1), when using the silane coupling agent whose value of p is less than 3, sufficient flexibility may not be expressed in the inorganic powder containing resin layer obtained. On the other hand, since the silane coupling agent having a p value of more than 20 has a high decomposition temperature, in the firing step of the inorganic powder-containing resin layer, the glass powder is not completely decomposed and removed in the organic material (the silane derivative). It melt | dissolves and a part of organic substance remains in the pattern formed, and may adversely affect panel characteristics.

상기 화학식 1로 표시되는 실란 커플링제로서 사용되는 실란류의 구체예를 이하에 나타낸다. Specific examples of the silanes used as the silane coupling agent represented by the formula (1) are shown below.

포화 알킬디메틸메톡시실란류(a=1, m=1, n=1)로서, 예를 들면 n-프로필디메틸메톡시실란, n-부틸디메틸메톡시실란, n-데실디메틸메톡시실란, n-헥사데실디메틸메톡시실란, n-이코산디메틸메톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyldimethylmethoxysilanes (a = 1, m = 1, n = 1), for example, n-propyldimethylmethoxysilane, n-butyldimethylmethoxysilane, n-decyldimethylmethoxysilane, n -Hexadecyl dimethyl methoxysilane, n-di-acid dimethyl methoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬디에틸메톡시실란류(a=1, m=1, n=2)로서, 예를 들면 n-프로필디에틸메톡시실란, n-부틸디에틸메톡시실란, n-데실디에틸메톡시실란, n-헥사데실디에틸메톡시실란, n-이코산디에틸메톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyldiethyl methoxysilanes (a = 1, m = 1, n = 2), for example, n-propyldiethylmethoxysilane, n-butyldiethylmethoxysilane, n-decyldiethyl methoxy Oxysilane, n-hexadecyldiethyl methoxysilane, n-diacid diethyl methoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬디프로필메톡시실란류(a=1, m=1, n=3)로서, 예를 들면 n-부틸디프로필메톡시실란, n-데실디프로필메톡시실란, n-헥사데실디프로필메톡시실란, n-이코산디프로필메톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyldipropylmethoxysilane (a = 1, m = 1, n = 3), for example, n-butyldipropylmethoxysilane, n-decyldipropylmethoxysilane, n-hexadecyldipropyl Methoxysilane, n-icosane dipropyl methoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬디메틸에톡시실란류(a=1, m=2, n=1)로서, 예를 들면 n-프로필디메틸에톡시실란, n-부틸디메틸에톡시실란, n-데실디메틸에톡시실란, n-헥사데실디메틸에톡시실란, n-이코산디메틸에톡시실란 등을 들 수 있다.As saturated alkyl dimethyl ethoxysilane (a = 1, m = 2, n = 1), for example, n-propyldimethylethoxysilane, n-butyldimethylethoxysilane, n-decyldimethylethoxysilane, n -Hexadecyl dimethyl ethoxy silane, n-diacid dimethyl ethoxy silane, etc. are mentioned.

포화 알킬디에틸에톡시실란류(a=1, m=2, n=2)로서, 예를 들면 n-프로필디에틸에톡시실란, n-부틸디에틸에톡시실란, n-데실디에틸에톡시실란, n-헥사데실디에틸에톡시실란, n-이코산디에틸에톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyldiethyl ethoxysilanes (a = 1, m = 2, n = 2), for example, n-propyldiethylethoxysilane, n-butyldiethylethoxysilane, n-decyldiethyl Oxysilane, n-hexadecyl diethyl ethoxysilane, n- icosane diethyl ethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬디프로필에톡시실란류(a=1, m=2, n=3)로서, 예를 들면 n-부틸디 프로필에톡시실란, n-데실디프로필에톡시실란, n-헥사데실디프로필에톡시실란, n-이코산디프로필에톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyldipropylethoxysilanes (a = 1, m = 2, n = 3), for example, n-butyldipropylethoxysilane, n-decyldipropylethoxysilane, n-hexadecyldipropyl Ethoxysilane, n-icosane dipropyl ethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬디메틸프로폭시실란류(a=1, m=3, n=1)로서, 예를 들면 n-프로필디메틸프로폭시실란, n-부틸디메틸프로폭시실란, n-데실디메틸프로폭시실란, n-헥사데실디메틸프로폭시실란, n-이코산디메틸프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyldimethylpropoxysilanes (a = 1, m = 3, n = 1), for example, n-propyldimethylpropoxysilane, n-butyldimethylpropoxysilane, n-decyldimethylpropoxysilane, n -Hexadecyl dimethyl propoxy silane, n-di-acid dimethyl propoxy silane, etc. are mentioned.

포화 알킬디에틸프로폭시실란류(a=1, m=3, n=2)로서, 예를 들면 n-프로필디에틸프로폭시실란, n-부틸디에틸프로폭시실란, n-데실디에틸프로폭시실란, n-헥사데실디에틸프로폭시실란, n-이코산디에틸프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyldiethyl propoxysilanes (a = 1, m = 3, n = 2), for example, n-propyldiethylpropoxysilane, n-butyldiethylpropoxysilane, n-decyldiethylprop Foxy silane, n-hexadecyl diethyl propoxy silane, n- icosane diethyl propoxy silane, etc. are mentioned.

포화 알킬디프로필프로폭시실란류(a=1, m=3, n=3)로서, 예를 들면 n-부틸디프로필프로폭시실란, n-데실디프로필프로폭시실란, n-헥사데실디프로필프로폭시실란, n-이코산디프로필프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyldipropyl propoxysilanes (a = 1, m = 3, n = 3), for example, n-butyldipropyl propoxysilane, n-decyldipropyl propoxysilane, n-hexadecyldipropyl Propoxysilane, n-icosane dipropyl propoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬메틸디메톡시실란류(a=2, m=1, n=1)로서, 예를 들면 n-프로필메틸디메톡시실란, n-부틸메틸디메톡시실란, n-데실메틸디메톡시실란, n-헥사데실메틸디메톡시실란, n-이코산메틸디메톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylmethyldimethoxysilane (a = 2, m = 1, n = 1), for example, n-propylmethyldimethoxysilane, n-butylmethyldimethoxysilane, n-decylmethyldimethoxysilane, n -Hexadecylmethyldimethoxysilane, n-methyl dimethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬에틸디메톡시실란류(a=2, m=1, n=2)로서, 예를 들면 n-프로필에틸디메톡시실란, n-부틸에틸디메톡시실란, n-데실에틸디메톡시실란, n-헥사데실에틸디메톡시실란, n-이코산에틸디메톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylethyl dimethoxysilane (a = 2, m = 1, n = 2), for example, n-propylethyldimethoxysilane, n-butylethyldimethoxysilane, n-decylethyldimethoxysilane, n -Hexadecyl ethyl dimethoxy silane, n-ethyl diethyl silane, etc. are mentioned.

포화 알킬프로필디메톡시실란류(a=2, m=1, n=3)로서, 예를 들면 n-부틸프로필디메톡시실란, n-데실프로필디메톡시실란, n-헥사데실프로필디메톡시실란, n-이코산프로필디메톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyl propyl dimethoxysilane (a = 2, m = 1, n = 3), For example, n-butylpropyldimethoxysilane, n-decylpropyldimethoxysilane, n-hexadecylpropyldimethoxysilane, n-icosane propyldimethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬메틸디에톡시실란류(a=2, m=2, n=1)로서, 예를 들면 n-프로필메틸디에톡시실란, n-부틸메틸디에톡시실란, n-데실메틸디에톡시실란, n-헥사데실메틸디에톡시실란, n-이코산메틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylmethyl diethoxysilane (a = 2, m = 2, n = 1), for example, n-propylmethyl diethoxysilane, n-butylmethyl diethoxysilane, n-decylmethyl diethoxysilane, n -Hexadecyl methyl diethoxysilane, n-methyl diethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬에틸디에톡시실란류(a=2, m=2, n=2)로서, 예를 들면 n-프로필에틸디에톡시실란, n-부틸에틸디에톡시실란, n-데실에틸디에톡시실란, n-헥사데실에틸디에톡시실란, n-이코산에틸디에톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylethyl diethoxysilanes (a = 2, m = 2, n = 2), for example, n-propylethyl diethoxysilane, n-butylethyl diethoxysilane, n-decylethyl diethoxysilane, n -Hexadecyl ethyl diethoxysilane, n-diethyl ethyl diethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬프로필디에톡시실란류(a=2, m=2, n=3)로서, 예를 들면 n-부틸프로필디에톡시실란, n-데실프로필디에톡시실란, n-헥사데실프로필디에톡시실란, n-이코산프로필디에톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylpropyl diethoxysilanes (a = 2, m = 2, n = 3), For example, n-butylpropyl diethoxysilane, n-decylpropyl diethoxysilane, n-hexadecylpropyl diethoxysilane, n-isoacid propyl diethoxysilane etc. are mentioned.

포화 알킬메틸디프로폭시실란류(a=2, m=3, n=1)로서, 예를 들면 n-프로필메틸디프로폭시실란, n-부틸메틸디프로폭시실란, n-데실메틸디프로폭시실란, n-헥사데실메틸디프로폭시실란, n-이코산메틸디프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylmethyl dipropoxysilanes (a = 2, m = 3, n = 1), for example, n-propylmethyldipropoxysilane, n-butylmethyldipropoxysilane, n-decylmethyldiprop Foxy silane, n-hexadecyl methyl dipropoxy silane, n- methyl di-propoxy silane, etc. are mentioned.

포화 알킬에틸디프로폭시실란류(a=2, m=3, n=2)로서, 예를 들면 n-프로필에틸디프로폭시실란, n-부틸에틸디프로폭시실란, n-데실에틸디프로폭시실란, n-헥사데실에틸디프로폭시실란, n-이코산에틸디프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkylethyl dipropoxysilanes (a = 2, m = 3, n = 2), for example, n-propylethyldipropoxysilane, n-butylethyldipropoxysilane, n-decylethyldiprop Foxy silane, n-hexadecyl ethyl dipropoxy silane, n- icosyl ethyl dipropoxy silane, etc. are mentioned.

포화 알킬프로필디프로폭시실란류(a=2, m=3, n=3)로서, 예를 들면 n-부틸프로필디프로폭시실란, n-데실프로필디프로폭시실란, n-헥사데실프로필디프로폭시실란, n-이코산프로필디프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyl propyl dipropoxy silanes (a = 2, m = 3, n = 3), for example, n-butylpropyl dipropoxy silane, n-decyl propyl dipropoxy silane, n-hexadecyl propyl dip Lopoxysilane, n-icosane propyldipropoxy silane, etc. are mentioned.

포화 알킬트리메톡시실란류(a=3, m=1)로서, 예를 들면 n-프로필트리메톡시실란, n-부틸트리메톡시실란, n-데실트리메톡시실란, n-헥사데실트리메톡시실란, n-이코산트리메톡시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyl trimethoxysilanes (a = 3, m = 1), for example, n-propyltrimethoxysilane, n-butyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, n-hexadecyl tree Methoxysilane, n-icosane trimethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬트리에톡시실란류(a=3, m=2)로서, 예를 들면 n-프로필트리에톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-데실트리에톡시실란, n-헥사데실트리에톡시실란, n-이코산트리에톡시실란 등을 들 수 있다.As saturated alkyl triethoxysilanes (a = 3, m = 2), for example, n-propyl triethoxysilane, n-butyl triethoxysilane, n-decyl triethoxysilane, n-hexadecyl tree Ethoxysilane, n-icosane triethoxysilane, etc. are mentioned.

포화 알킬트리프로폭시실란류(a=3, m=3)로서, 예를 들면 n-프로필트리프로폭시실란, n-부틸트리프로폭시실란, n-데실트리프로폭시실란, n-헥사데실트리프로폭시실란, n-이코산트리프로폭시실란 등을 들 수 있다. As saturated alkyl tripropoxy silanes (a = 3, m = 3), for example, n-propyl tripropoxy silane, n-butyl tripropoxy silane, n-decyl tripropoxy silane, n-hexadecyl tree Propoxysilane, n-icosane tripropoxysilane, etc. are mentioned.

상기 화학식 2로 표시되는 실란 커플링제로서는, 예를 들면 As the silane coupling agent represented by the formula (2), for example

비닐트리클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리아세톡시실란 등의 비닐기 함유 실란 화합물;Vinyl group-containing silane compounds such as vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, and vinyltriacetoxysilane;

3-아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필트리메톡시실란, 3-아미노프로필트리에톡시실란, 3-(2-아미노에틸)아미노프로필메틸디메톡시실란 등의 아미노기 함유 실란 화합물;3-aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) aminopropyltrimethoxysilane, 3-aminopropyltriethoxysilane, 3- (2-aminoethyl) Amino group-containing silane compounds such as aminopropylmethyldimethoxysilane;

3-아크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디메톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필메틸디에톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리에톡시실란 등의 (메트)아크릴옥시기 함유 실란 화합물; 3-acryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldimethoxysilane, 3-methacryloxypropylmethyldiethoxysilane, 3-methacryloxypropyltri (Meth) acryloxy group containing silane compounds, such as ethoxysilane;

3-글리시독시프로필트리메톡시실란, 3-글리시독시프로필메틸디메톡시실란, 2-(3,4-에폭시시클로헥실)에틸트리메톡시실란 등의 에폭시기 함유 실란 화합물; Epoxy group-containing silane compounds such as 3-glycidoxypropyltrimethoxysilane, 3-glycidoxypropylmethyldimethoxysilane and 2- (3,4-epoxycyclohexyl) ethyltrimethoxysilane;

3-머캅토프로필트리메톡시실란, 3-머캅토프로필트리에톡시실란 등의 머캅토기 함유 실란 화합물 등을 들 수 있다. Mercapto-group containing silane compounds, such as 3-mercaptopropyl trimethoxysilane and 3-mercaptopropyl triethoxysilane, etc. are mentioned.

상기 실란 커플링제(f)는 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다. 상기 실란류 중에서는 n-부틸트리메톡시실란, n-데실트리메톡시실란, n-헥사데실트리메톡시실란, n-데실디메틸메톡시실란, n-헥사데실디메틸메톡시실란, n-부틸트리에톡시실란, n-데실트리에톡시실란, n-헥사데실트리에톡시실란, n-데실에틸디에톡시실란, n-헥사데실에틸디에톡시실란, n-부틸트리프로폭시실란, n-데실트리프로폭시실란, n-헥사데실트리프로폭시실란, 비닐트리클로로실란, 비닐트리메톡시실란, 비닐트리에톡시실란, 비닐트리아세톡시실란, 3-메타크릴옥시프로필트리메톡시실란이 특히 바람직하다. The said silane coupling agent (f) may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type. Among the above silanes, n-butyltrimethoxysilane, n-decyltrimethoxysilane, n-hexadecyltrimethoxysilane, n-decyldimethylmethoxysilane, n-hexadecyldimethylmethoxysilane, n-butyl Triethoxysilane, n-decyltriethoxysilane, n-hexadecyltriethoxysilane, n-decylethyldiethoxysilane, n-hexadecylethyldiethoxysilane, n-butyltripropoxysilane, n-decyl Tripropoxysilane, n-hexadecyltripropoxysilane, vinyltrichlorosilane, vinyltrimethoxysilane, vinyltriethoxysilane, vinyltriacetoxysilane, 3-methacryloxypropyltrimethoxysilane are particularly preferred. Do.

상기 실란 커플링제(f)는 상기 무기 분체(a) 100 질량부에 대하여 통상 10 질량부 이하, 바람직하게는 0.001 내지 5 질량부의 양으로 이용된다. 실란 커플링제(f)의 양이 너무 많은 경우에는, 상기 조성물 A를 보존할 때에 점도가 경시적으로 상승하거나, 실란 커플링제끼리 반응이 일어나, 형성되는 패널 부재에 소성 잔사가 잔류하는 원인이 되기도 하는 경우가 있다.The silane coupling agent (f) is usually used in an amount of 10 parts by mass or less, preferably 0.001 to 5 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the inorganic powder (a). When the amount of the silane coupling agent (f) is too large, the viscosity may increase with time when the composition A is preserved, or the silane coupling agents may react with each other, causing plastic residues to remain in the formed panel member. There is a case.

(g) 기타 성분(g) other ingredients

상기 조성물 A는 전사 필름에 양호한 유연성을 제공하기 위해, 상기 결착 수지(b)의 보조제로서 가소제를 함유할 수 있다. 가소제를 함유하는 조성물로부터 형성되는 무기 분체 함유 수지층은 충분한 유연성을 갖게 되기 때문에, 상기 수지층을 갖는 전사 필름은 절곡하더라도 상기 수지층의 표면에 미소한 균열(크래킹)이 발생하지 않고, 또한 롤형으로 용이하게 권취할 수 있다.The composition A may contain a plasticizer as an adjuvant of the binder resin (b) to provide good flexibility to the transfer film. Since the inorganic powder-containing resin layer formed from the composition containing the plasticizer has sufficient flexibility, even if the transfer film having the resin layer is bent, no minute cracking (cracking) occurs on the surface of the resin layer, and the roll type It can be wound up easily.

상기 가소제로서는, 예를 들면 폴리프로필렌글리콜, 상술한 (메트)아크릴레 이트 화합물 등의 공중합성 단량체, 디부틸아디페이트, 디이소부틸아디페이트, 디-2-에틸헥실아디페이트, 디-2-에틸헥실아젤레이트, 디부틸세바케이트, 디부틸디글리콜아디페이트, 프로필렌글리콜모노라우레이트, 프로필렌글리콜리콜모노올레에이트 등을 들 수 있다. 이들 중에서는 비점이 150 ℃ 이상인 것이 바람직하다. 이들 가소제는 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.Examples of the plasticizer include polypropylene glycol, copolymerizable monomers such as the above-mentioned (meth) acrylate compounds, dibutyl adipate, diisobutyl adipate, di-2-ethylhexyl adipate, di-2- Ethyl hexyl azelate, dibutyl sebacate, dibutyl diglycol adipate, propylene glycol monolaurate, propylene glycol glycol monooleate, and the like. In these, it is preferable that boiling point is 150 degreeC or more. These plasticizers may be used individually by 1 type, and may be used in combination of 2 or more type.

또한, 상기 조성물 A는 임의 성분으로서 분산제, 현상 촉진제, 접착 보조제, 할레이션 방지제, 레벨링제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 증감제, 연쇄 이동제 등의 각종 첨가제를 함유할 수 있다. 한편, 상기 분산제로서는 스테아르산, 올레산 등의 유기 지방산이 바람직하게 사용된다.In addition, the composition A may contain various additives such as a dispersant, a development accelerator, an adhesion aid, an antihalation agent, a leveling agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, a UV absorber, a sensitizer, and a chain transfer agent as an optional component. On the other hand, as the dispersant, organic fatty acids such as stearic acid and oleic acid are preferably used.

<감광성 무기 분체 함유 수지층(B-1) 및 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)><Photosensitive inorganic powder containing resin layer (B-1) and nonphotosensitive inorganic powder containing resin layer (C)>

본 발명의 전사 필름을 구성하는 감광성 무기 분체 함유 수지층(B-1)은 (a') 무기 분체, (b') 결착 수지, (c') 광 중합성 단량체, (d') 광 중합 개시제, 및 (e') 용제를 함유하고, 또한 상기 조성물 A와는 조성이 다른 페이스트상의 감광성 무기 분체 함유 수지 조성물 B-1을 사용하여 형성된다. 또한, 본 발명의 전사 필름을 구성하는 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)는 (a') 무기 분체, (b') 결착 수지, 및 (e') 용제를 함유하는 페이스트상의 비감광성 무기 분체 함유 수지 조성물 C를 사용하여 형성된다. 상기 조성물 B-1 및 C는 추가로 상기 조성물 A에서 예시한 (f) 실란 커플링제나 (g) 기타 성분을 함유할 수도 있다.The photosensitive inorganic powder containing resin layer (B-1) which comprises the transfer film of this invention is (a ') inorganic powder, (b') binder resin, (c ') photopolymerizable monomer, (d') photoinitiator. And (e ') solvent, and are formed using the pasty photosensitive inorganic powder containing resin composition B-1 different from the said composition A. Moreover, the non-photosensitive inorganic powder containing resin layer (C) which comprises the transfer film of this invention is a paste-type nonphotosensitive inorganic powder containing (a ') inorganic powder, (b') binder resin, and (e ') solvent. It is formed using the containing resin composition C. The compositions B-1 and C may further contain (f) silane coupling agents and (g) other components as exemplified in the composition A.

상기 수지층(B-1)은 상기 지지 필름 상에 상기 조성물 B-1을 도포하고, 도막 을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다. The said resin layer (B-1) can be formed by apply | coating the said composition B-1 on the said support film, drying a coating film, and removing a part or all of a solvent.

상기 수지층(C)는 상기 지지 필름 상 또는 상기 지지 필름 상에 형성된 레지스트층(B-2) 상에 상기 조성물 C를 도포하고, 도막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다. 또한, 상기 수지층(C)는 상기 지지 필름 상에 상기 조성물 C를 이용하여 수지층(C)를 형성하고, 이와는 별도를 지지 필름 상에 레지스트층(B-2)를 형성하고, 이 수지층(C)의 표면과 이 레지스트층(B-2)의 표면을 중첩시켜 압착하는 방법(라미네이팅)에 의해서도 바람직하게 제조할 수 있다. The said resin layer (C) can be formed by apply | coating the said composition C on the said support film or the resist layer (B-2) formed on the said support film, drying a coating film, and removing a part or all of a solvent. . In addition, the said resin layer (C) forms the resin layer (C) using the said composition C on the said support film, and forms the resist layer (B-2) on a support film separately from this resin layer, and this resin layer It can also manufacture suitably by the method (laminating) which overlaps the surface of (C) and the surface of this resist layer (B-2), and is crimped | bonded.

상기 조성물 B-1 및 C의 도포 및 도막의 건조는 상기 조성물 A의 도포 방법 및 도막의 건조 방법과 동일한 방법으로 행할 수 있다. 상기 수지층(B-1) 또는 (C)의 막 두께는 통상 10 내지 300 ㎛이다. 또한, 상기 조성물 B-1 및 C는 상기 조성물 A와 동일하게 하여 제조할 수 있다. 한편, 상기 조성물 B-1 및 C의 점도는 0.3 내지 30 Pa·s인 것이 바람직하다. 이하, 상기 조성물 B-1 또는 C의 각 성분에 대하여 설명한다.The application of the compositions B-1 and C and the drying of the coating film can be performed by the same method as the coating method of the composition A and the drying method of the coating film. The film thickness of the said resin layer (B-1) or (C) is 10-300 micrometers normally. In addition, the composition B-1 and C can be prepared in the same manner as the composition A. On the other hand, it is preferable that the viscosity of the said compositions B-1 and C is 0.3-30 Pa.s. Hereinafter, each component of the said composition B-1 or C is demonstrated.

(a') 무기 분체(a ') inorganic powder

상기 무기 분체(a')는 상술한 무기 분체(a)와 마찬가지로 형성 재료의 종류에 따라 다르지만, 본 발명의 바람직한 양태인 전극 형성 재료에 사용되는 무기 분체로서는 금속 분체, 구체적으로는 Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd 합금, Cu, Cr, Co 등을 들 수 있고, 은(Ag) 분체가 바람직하다. 또한, 이들 금속 분체와 함께 상기 조성물 A에서 예시한 유리 분체를 병용할 수도 있다. 병용하는 유리 분체의 함유 비율은 무기 분체(a') 전량의 30 질량% 이하인 것이 바람직하고, 20 질량% 이하인 것 이 특히 바람직하다. The inorganic powder (a ') depends on the type of forming material as the inorganic powder (a) described above, but the inorganic powder used for the electrode forming material which is a preferred embodiment of the present invention may be a metal powder, specifically, Ag, Au, Al, Ni, Ag-Pd alloy, Cu, Cr, Co, etc. are mentioned, A silver (Ag) powder is preferable. Moreover, the glass powder illustrated by the said composition A can also be used together with these metal powders. It is preferable that it is 30 mass% or less of the inorganic powder (a ') whole quantity, and, as for the content rate of the glass powder to use together, it is especially preferable that it is 20 mass% or less.

(b') 결착 수지(b ') binder resin

상기 결착 수지(b')는 상기 조성물 A와 마찬가지로 (메트)아크릴계 수지를 사용할 수 있지만, 상기 조성물 A에서 이용한 결착 수지(b)와 조성이 다른 수지가 바람직하다. 상기 현상·에칭 공정에 있어서, 상기 수지층(B-1) 또는 (C)는 상기 수지층(A)보다도 먼저 알칼리 현상액에 접촉하고, 패턴이 형성된다. 그 때문에, 상기 수지층(B-1) 또는 (C)는 상기 수지층(A)보다도 알칼리 현상액에 대하여 용해 속도가 작은 것이 바람직하다. Although the (meth) acrylic-type resin can be used for the said binder resin (b ') similarly to the said composition A, the resin from which the composition differs from the binder resin (b) used by the said composition A is preferable. In the said development and etching process, the said resin layer (B-1) or (C) contacts an alkali developing solution before the said resin layer (A), and a pattern is formed. Therefore, it is preferable that the said resin layer (B-1) or (C) is smaller in melt | dissolution rate with respect to alkaline developing solution than the said resin layer (A).

구체적으로는, 결착 수지(b')의 산가는 결착 수지(b)의 산가보다도 작은 것이 바람직하고, 결착 수지 중의 바람직한 구성 단위로서의 (메트)아크릴산 유래의 구성 단위의 양이 결착 수지(b)보다도 결착 수지(b') 쪽이 작은 것이 바람직하다. 또한, 결착 수지(b')의 Mw는 결착 수지(b)의 Mw보다도 큰 것이 바람직하다. Specifically, the acid value of the binder resin (b ') is preferably smaller than the acid value of the binder resin (b), and the amount of the structural unit derived from (meth) acrylic acid as a preferable structural unit in the binder resin is greater than that of the binder resin (b). It is preferable that binder resin (b ') is smaller. Moreover, it is preferable that Mw of binder resin (b ') is larger than Mw of binder resin (b).

상기 결착 수지(b')의 Mw는 4,000 내지 300,000, 바람직하게는 10,000 내지 200,000이다. 또한, 결착 수지(b')의 유리 전이 온도(Tg)는 취급성과 가열 전사성의 양립 측면에서 바람직하게는 -30 내지 100 ℃, 특히 바람직하게는 -10 내지 100 ℃이다.The Mw of the binder resin (b ') is 4,000 to 300,000, preferably 10,000 to 200,000. In addition, the glass transition temperature (Tg) of the binder resin (b ') is preferably -30 to 100 ° C, particularly preferably -10 to 100 ° C in view of both handleability and heat transferability.

상기 결착 수지(b') 및 광 중합성 단량체(c')의 총 배합량은 무기 분체(a') 100 질량부에 대하여 통상 5 내지 1000 질량부, 바람직하게는 10 내지 500 질량부의 범위이다. 또한, 광 중합성 단량체(c')는 결착 수지(b') 100 질량부에 대하여 10 내지 200 질량부, 바람직하게는 20 내지 150 질량부의 범위의 양으로 이용된다. 결착 수지의 양이 너무 적은 경우에는, 무기 분체를 확실하게 결착 유지할 수 없거나 전사 필름으로서 필요한 유연성, 전사성을 손상시킬 수 있고, 한편 너무 많은 경우에는, 소성 공정에 긴 시간을 요하거나, 형성되는 소결체가 충분한 강도나 막 두께를 갖지 않을 수 있다.The total compounding quantity of the said binder resin (b ') and a photopolymerizable monomer (c') is 5-1000 mass parts normally with respect to 100 mass parts of inorganic powder (a '), Preferably it is the range of 10-500 mass parts. The photopolymerizable monomer (c ') is used in an amount in the range of 10 to 200 parts by mass, preferably 20 to 150 parts by mass, based on 100 parts by mass of the binder resin (b'). When the amount of the binder resin is too small, the inorganic powder can not be reliably bound and the flexibility and the transferability required as the transfer film can be impaired. On the other hand, when the amount of the binder resin is too large, the baking process requires a long time or is formed. The sintered body may not have sufficient strength or film thickness.

(c') 광 중합성 단량체(c ') photopolymerizable monomer

상기 광 중합성 단량체(c')로서는 상기 조성물 A에서 예시한 광 중합성 단량체(c)와 동일한 것을 사용할 수 있다. 상기 광 중합성 단량체(c')는 무기 분체(a') 100 질량부에 대하여 통상 1 내지 50 질량부, 바람직하게는 5 내지 40 질량부의 범위의 양으로 사용된다. As said photopolymerizable monomer (c '), the thing similar to the photopolymerizable monomer (c) illustrated by the said composition A can be used. The photopolymerizable monomer (c ') is usually used in an amount in the range of 1 to 50 parts by mass, preferably 5 to 40 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the inorganic powder (a').

(d') 광 중합 개시제(d ') photoinitiator

상기 조성물 B에서 사용되는 광 중합 개시제(d')에 대해서도 마찬가지로, 상기 조성물 A에서 예시한 광 중합 개시제(d)를 사용할 수 있다. 상기 광 중합 개시제(d')는 상기 광 중합성 단량체(c') 100 질량부에 대하여 통상 0.1 내지 100 질량부, 바람직하게는 1.0 내지 60 질량부의 범위의 양으로 사용된다. Similarly, for the photoinitiator (d ') used by the said composition B, the photoinitiator (d) illustrated by the said composition A can be used. The photoinitiator (d ') is usually used in an amount in the range of 0.1 to 100 parts by mass, preferably 1.0 to 60 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the photopolymerizable monomer (c').

(e') 용제(e ') solvent

상기 조성물 B 또는 C에서 사용되는 용제(e')에 대해서도 마찬가지로, 상기 조성물 A에서 예시한 용제(e)를 사용할 수 있다. 상기 용제(e')는 조성물의 점도를 바람직한 범위로 유지하는 측면에서, 무기 분체(a') 100 질량부에 대하여 5 내지 5000 질량부, 바람직하게는 20 내지 1000 질량부의 범위로 사용된다. The solvent (e) illustrated by the said composition A can be used similarly about the solvent (e ') used by the said composition B or C. The solvent (e ') is used in the range of 5 to 5000 parts by mass, preferably 20 to 1000 parts by mass with respect to 100 parts by mass of the inorganic powder (a') in terms of maintaining the viscosity of the composition in a preferred range.

<레지스트층(B-2)><Resist layer (B-2)>

본 발명의 전사 필름을 필요에 따라 구성하는 레지스트층(B-2)는 통상적으로 (b") 결착 수지, (c") 광 중합성 단량체, 및 (d") 광 중합 개시제를 함유하고 무기 분체를 함유하지 않는 레지스트 조성물 B-2를, 상기 지지 필름 상에 도포하고, 도막을 건조하여 용제의 일부 또는 전부를 제거함으로써 형성할 수 있다. 레지스트 조성물 B-2의 도포 및 도막의 건조는 상기 조성물 A의 도포 방법 및 도막의 건조 방법과 동일한 방법으로 행할 수 있다. 레지스트층(B-2)의 막 두께는 예를 들면 5 내지 15 ㎛이다. The resist layer (B-2) which comprises the transfer film of this invention as needed usually contains (b ") binder resin, (c") photopolymerizable monomer, and (d ") photoinitiator, and is an inorganic powder. The resist composition B-2 which does not contain can be formed by apply | coating on the said support film, drying a coating film, and removing a part or all of the solvent. It can carry out by the method similar to the coating method of A and the drying method of a coating film .. The film thickness of the resist layer (B-2) is 5-15 micrometers, for example.

(b") 결착 수지(b ") binder resin

상기 레지스트 조성물 B-2에 이용되는 결착 수지(b")는 알칼리 가용성 수지가 사용되고, 분자 중에 적어도 1개 이상의 카르복실기를 갖는 에틸렌 불포화성 카르복실기 함유 단량체와, 이 카르복실기 함유 단량체와 공중합 가능한 공중합성 단량체를 포함하는 단량체 조성물을 중합함으로써 얻어지는 카르복실기 함유 공중합체인 것이 바람직하다. As the binder resin (b ") used for the said resist composition B-2, alkali-soluble resin is used and the ethylenically unsaturated carboxyl group-containing monomer which has at least 1 or more carboxyl groups in a molecule | numerator, and the copolymerizable monomer copolymerizable with this carboxyl group-containing monomer are used. It is preferable that it is a carboxyl group-containing copolymer obtained by superposing | polymerizing the monomer composition to contain.

상기 결착 수지(b")에서의 카르복실기 함유 단량체의 공중합 비율은 단량체 전량에 대하여 5 내지 50 질량%, 바람직하게는 10 내지 40 질량%이다. 카르복실기 함유 단량체의 공중합 비율이 상기 범위보다 낮으면, 얻어지는 레지스트 조성물 B-2는 알칼리 현상액에 대한 용해성이 낮아지는 경향이 있다. 한편, 카르복실기 함유 단량체의 공중합 비율이 상기 범위를 초과하면, 현상시에 레지스트 패턴이 무기 분체 함유 수지층으로부터 탈락되는 경향이 있다. The copolymerization ratio of the carboxyl group-containing monomer in the binder resin (b ") is 5-50 mass% with respect to monomer whole quantity, Preferably it is 10-40 mass%. When the copolymerization ratio of a carboxyl group-containing monomer is lower than the said range, it will be obtained. Resist composition B-2 tends to have low solubility in alkaline developing solutions, while on the other hand, when the copolymerization ratio of the carboxyl group-containing monomer exceeds the above range, the resist pattern tends to fall off from the inorganic powder-containing resin layer during development. .

상기 카르복실기 함유 단량체에 유래하는 구성 단위를 갖는 공중합체는 알칼 리 용해성을 갖고, 특히 상기 구성 단위를 상기 범위의 양으로 갖는 공중합체는 알칼리 현상액에 대하여 우수한 용해성을 나타낸다. 그 때문에, 이러한 공중합체를 레지스트 조성물 B-2에서의 결착 수지(b")로서 이용함으로써, 알칼리 현상액에 대한 미용해물이 본질적으로 적어지게 되어, 현상 처리에 있어서 기판의 레지스트 패턴 형성부 이외의 부분에서의 바탕 오염, 막 잔류 등의 발생을 감소시킬 수 있다. The copolymer which has a structural unit derived from the said carboxyl group-containing monomer has alkali solubility, and especially the copolymer which has the said structural unit in the quantity of the said range shows the outstanding solubility with respect to alkaline developing solution. Therefore, by using such a copolymer as the binder resin (b ") in the resist composition B-2, the amount of undissolved substance to an alkali developing solution is essentially reduced, and the part other than the resist pattern formation part of a board | substrate in image development processing is carried out. It is possible to reduce the occurrence of background contamination, film residues, and the like.

또한, 상기 공중합체를 결착 수지(b")로서 포함하는 레지스트 조성물 B-2로부터 얻어지는 레지스트 패턴은 알칼리 현상액에 과잉으로 용해되지 않고, 또한 무기 분체 함유 수지층에 대하여 우수한 밀착성을 갖기 때문에, 상기 수지층으로부터 탈락되기 어렵다.Moreover, since the resist pattern obtained from the resist composition B-2 containing the said copolymer as a binder resin (b ") does not melt | dissolve excessively in alkaline developing solution, and has the outstanding adhesiveness with respect to an inorganic powder containing resin layer, the said number It is difficult to fall off from the strata.

상기 카르복실기 함유 단량체로서는, 예를 들면 아크릴산, 메타크릴산, 크로톤산 등의 불포화 모노카르복실산; 이타콘산, 말레산, 푸마르산 등의 불포화 디카르복실산; 및 그 밖의 불포화 카르복실산을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 사용할 수도 있고, 2종 이상을 조합하여 사용할 수도 있다.As said carboxyl group-containing monomer, For example, unsaturated monocarboxylic acids, such as acrylic acid, methacrylic acid, and crotonic acid; Unsaturated dicarboxylic acids such as itaconic acid, maleic acid and fumaric acid; And other unsaturated carboxylic acids. These may be used individually by 1 type and may be used in combination of 2 or more type.

또한, 상기 공중합성 단량체로서는, 예를 들면 Moreover, as said copolymerizable monomer, for example

스티렌, α-메틸스티렌, 비닐톨루엔 등의 방향족 비닐 화합물류; Aromatic vinyl compounds such as styrene, α-methylstyrene, and vinyltoluene;

메틸아크릴레이트, 메틸메타크릴레이트, 에틸아크릴레이트, 에틸메타크릴레이트, 부틸아크릴레이트, 부틸메타크릴레이트, 2-히드록시에틸아크릴레이트, 2-히드록시에틸메타크릴레이트, 2-히드록시프로필아크릴레이트, 2-히드록시프로필메타크릴레이트, 벤질아크릴레이트, 벤질메타크릴레이트, 시클로헥실아크릴레이트, 시클로헥실메타크릴레이트 등의 불포화 카르복실산 알킬 에스테르류; Methyl acrylate, methyl methacrylate, ethyl acrylate, ethyl methacrylate, butyl acrylate, butyl methacrylate, 2-hydroxyethyl acrylate, 2-hydroxyethyl methacrylate, 2-hydroxypropyl acryl Unsaturated carboxylic acid alkyl esters such as latex, 2-hydroxypropyl methacrylate, benzyl acrylate, benzyl methacrylate, cyclohexyl acrylate and cyclohexyl methacrylate;

아미노에틸아크릴레이트 등의 불포화 카르복실산 아미노알킬 에스테르류; Unsaturated carboxylic acid aminoalkyl esters such as aminoethyl acrylate;

글리시딜 아크릴레이트, 글리시딜 메타크릴레이트 등의 불포화 카르복실산 글리시딜 에스테르류; Unsaturated carboxylic acid glycidyl esters such as glycidyl acrylate and glycidyl methacrylate;

아세트산비닐, 프로피온산비닐 등의 카르복실산비닐에스테르류;Carboxylic acid vinyl esters, such as vinyl acetate and a vinyl propionate;

아크릴로니트릴, 메타크릴로니트릴, α-클로로아크릴로니트릴 등의 시안화비닐 화합물류; Vinyl cyanide compounds such as acrylonitrile, methacrylonitrile and α-chloroacrylonitrile;

1,3-부타디엔, 이소프렌 등의 지방족 공액 디엔류; Aliphatic conjugated dienes such as 1,3-butadiene and isoprene;

말단에 아크릴로일기 또는 메타크릴로일기를 갖는 폴리스티렌, 폴리메틸아크릴레이트, 폴리메틸메타크릴레이트, 폴리부틸아크릴레이트, 폴리부틸메타크릴레이트, 폴리실리콘 등의 거대 단량체류 등을 들 수 있다. 이들은 1종 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. And macromonomers such as polystyrene, polymethyl acrylate, polymethyl methacrylate, polybutyl acrylate, polybutyl methacrylate, and polysilicon having acryloyl group or methacryloyl group at the terminals. These can be used individually by 1 type or in combination of 2 or more types.

상기 결착 수지(b")는 Mw가 3,000 내지 300,000, 바람직하게는 5,000 내지 200,000이다. 이러한 분자량을 갖는 결착 수지(b")를 사용함으로써, 현상성이 높은 레지스트 조성물이 얻어지고, 이에 따라 샤프한 패턴 단부를 갖는 레지스트 패턴을 형성할 수 있는 동시에, 균일한 패턴을 갖는 패널 부재를 형성할 수 있다. The binder resin (b ″) has a Mw of 3,000 to 300,000, preferably 5,000 to 200,000. By using the binder resin (b ″) having such a molecular weight, a highly developable resist composition is obtained, and thus a sharp pattern. A resist pattern having an end portion can be formed, and a panel member having a uniform pattern can be formed.

(c") 광 중합성 단량체(c ") photopolymerizable monomer

상기 레지스트 조성물 B-2에 사용되는 광 중합성 단량체(c")로서는 상기 조성물 A 등에서 예시한 다관능성 (메트)아크릴레이트가 바람직하게 이용된다. 상기 광 중합성 단량체(c")는 결착 수지(b") 100 질량부에 대하여 통상 5 내지 100 질량부, 바람직하게는 10 내지 70 질량부의 범위의 양으로 사용된다. 광 중합성 단량 체(c")의 양이 상기 범위보다 낮으면, 레지스트 패턴 강도가 불충분해지기 쉬운 경향이 있고, 상기 범위를 초과하면, 알칼리 해상성이 저하되거나, 레지스트 패턴 형성부 이외의 바탕 오염, 막 잔여 등이 발생하기도 하는 경우가 있다. As a photopolymerizable monomer (c ") used for the said resist composition B-2, the polyfunctional (meth) acrylate illustrated by the said composition A etc. is used preferably. The said photopolymerizable monomer (c") is a binder resin ( b ") in an amount in the range of usually 5 to 100 parts by mass, preferably 10 to 70 parts by mass with respect to 100 parts by mass. If the amount of the photopolymerizable monomer (c") is lower than the above range, the resist pattern The strength tends to be insufficient, and if it exceeds the above range, alkali resolution may decrease, or background contamination other than the resist pattern forming portion, film residue, etc. may occur.

(d") 광 중합 개시제(d ") photoinitiator

상기 레지스트 조성물 B-2에 사용되는 광 중합 개시제(d")로서는 상기 조성물 A 등에서 예시한 광 중합 개시제(d)를 들 수 있다. 상기 광 중합 개시제(d")의 사용 비율은 상기 광 중합성 단량체(c") 100 질량부에 대하여 통상적으로 0.1 내지 100 질량부, 바람직하게는 1.0 내지 60 질량부의 범위의 양으로 사용된다. As a photoinitiator (d ") used for the said resist composition B-2, the photoinitiator (d) illustrated by the said composition A etc. are mentioned. The use ratio of the said photoinitiator (d") is said photopolymerizable. It is normally used in the range of 0.1-100 mass parts, preferably 1.0-60 mass parts with respect to 100 mass parts of monomers (c ").

(e") 용제(e ") solvent

상기 레지스트 조성물 B-2에는 적당한 유동성 또는 가소성, 및 양호한 막 형성성을 부여하기 위해 통상적으로 용제가 함유된다. 이러한 용제로서는 특별히 제한되는 것은 아니고, 상술한 특정 용제 등이 바람직하게 사용된다. The resist composition B-2 usually contains a solvent in order to impart proper fluidity or plasticity and good film formability. It does not restrict | limit especially as such a solvent, The specific solvent mentioned above is used preferably.

(g") 기타 성분(g ") other ingredients

또한, 상기 레지스트 조성물 B-2에는 임의 성분으로서 현상 촉진제, 접착 보조제, 할레이션 방지제, 보존 안정제, 소포제, 산화 방지제, 자외선 흡수제, 충전재, 형광체, 안료, 염료 등의 각종 첨가제가 함유될 수 있다.In addition, the resist composition B-2 may contain various additives such as a development accelerator, an adhesion aid, an antihalation agent, a storage stabilizer, an antifoaming agent, an antioxidant, an ultraviolet absorber, a filler, a phosphor, a pigment, and a dye as an optional component.

[실시예] EXAMPLE

이하, 실시예에 기초하여 본 발명을 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이들에 의해 한정되는 것은 아니다. 한편, 이하에서 "부"는 "질량부"를 나타낸다. EMBODIMENT OF THE INVENTION Hereinafter, although this invention is demonstrated concretely based on an Example, this invention is not limited by these. In addition, "part" shows a "mass part" below.

[실시예 1]Example 1

(1) 감광성 무기 분체 함유 수지 조성물 A의 제조(1) Preparation of Photosensitive Inorganic Powder-Containing Resin Composition A

무기 분체(a)로서, 비표면적 11.2 ㎡/g, 평균 입경 0.3 ㎛의 사산화삼코발트(Co3O4) 40부, 평균 입경 1.5 ㎛의 Bi2O3-B2O3-SiO2계 유리 프릿(부정형, 연화점 470 ℃) 60부, 결착 수지(b)로서 벤질메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트/메타크릴산=60/20/20(질량%) 공중합체(KOH mg/g=130, Mw=50,000) 200부, 광 중합성 단량체(c)로서 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 200부, 광 중합 개시제(d)로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 5부, 실란 커플링제(f)로서 3-메타크릴옥시프로필메톡시실란 1부, 기타 임의 성분으로서 올레산 1부, 및 용제(e)로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 200부를 비드 밀로 혼련하였다. 이어서, 얻어진 혼합물을 스테인레스 메쉬(500 메쉬, 25 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 블랙 매트릭스용 감광성 무기 분체 함유 수지 조성물 A를 얻었다. As the inorganic powder (a), 40 parts of tricobalt tetraoxide (Co 3 O 4 ) having a specific surface area of 11.2 m 2 / g, an average particle diameter of 0.3 μm, and a Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 type glass frit having an average particle diameter of 1.5 μm. (Amorphous type, softening point 470 degreeC) Benzyl methacrylate / 2-hydroxypropyl methacrylate / methacrylic acid = 60/20/20 (mass%) copolymer (KOH mg / g) as 60 parts and binder resin (b) = 130, Mw = 50,000) 200 parts of trimethylolpropane triacrylate as a photopolymerizable monomer (c) and 2-benzyl-2- dimethylamino-1- (4-morpholi) as a photoinitiator (d) 5 parts of nophenyl) -butan-1-one, 1 part of 3-methacryloxypropylmethoxysilane as silane coupling agent (f), 1 part of oleic acid as other optional components, and propylene glycol monomethyl ether as solvent (e) 200 parts were kneaded with a bead mill. Subsequently, the obtained mixture was filtered with a stainless mesh (500 mesh, 25 micrometer diameter), and the photosensitive inorganic powder containing resin composition A for black matrices was obtained.

(2) 감광성 무기 분체 함유 수지 조성물 B-1의 제조(2) Preparation of Photosensitive Inorganic Powder-Containing Resin Composition B-1

무기 분체(a')로서, 비표면적 0.5 ㎡/g, 평균 입경 2.3 ㎛의 은 분체 100부, 평균 입경 3 ㎛의 Bi2O3-B2O3-SiO2계 유리 프릿(부정형, 연화점 520 ℃) 3부, 결착 수지(b')로서 벤질메타크릴레이트/n-부틸메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트/숙신산모노(2-메타크릴로일옥시에틸)/메타크릴산=30/20/20/20/10(질량%) 공중합체(KOH mg/g=114, Mw=100,000) 30부, 광 중합성 단량체(c')로서 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 10부, 광 중합 개시제(d')로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 5부, 기타 임의 성분으로서 올레산 1부, 및 용제 (e')로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 150부를 비드 밀로 혼련하였다. 이어서, 얻어진 혼합물을 스테인레스 메쉬(400 메쉬, 38 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 전극 패턴용 감광성 무기 분체 함유 수지 조성물 B-1을 얻었다. As the inorganic powder (a '), a specific surface area of 0.5 ㎡ / g, the average particle diameter of 2.3 to 100 parts ㎛ powder, average particle size 3 ㎛ Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 based glass frit (irregular, a softening point of 520 Benzyl methacrylate / n-butyl methacrylate / 2-hydroxypropyl methacrylate / mono succinate (2-methacryloyloxyethyl) / methacrylic acid = 3 parts, binder resin (b ') 30 parts of 30/20/20/20/10 (mass%) copolymer (KOH mg / g = 114, Mw = 100,000), 10 parts of trimethylolpropane triacrylate as a photopolymerizable monomer (c '), photopolymerization 5 parts 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butan-1-one as initiator (d '), 1 part oleic acid as other optional components, and propylene as solvent (e') 150 parts of glycol monomethyl ether were kneaded with a bead mill. Subsequently, the obtained mixture was filtered with a stainless mesh (400 mesh, 38 micrometer diameter), and the photosensitive inorganic powder containing resin composition B-1 for electrode patterns was obtained.

(3) 전사 필름의 제조(3) Preparation of Transfer Film

상기 (1)에서 제조한 감광성 무기 분체 함유 수지 조성물 A를, 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름(폭 200 ㎜, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 이용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5분간 건조하여 용제를 완전히 제거하였다. 이에 따라, 지지 필름 상에 두께 8 ㎛의 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)가 형성된 전사 필름(i)을 얻었다. The photosensitive inorganic powder containing resin composition A manufactured by said (1) was apply | coated using the roll coater on the support film (200 mm in width, 30 m in length, 38 micrometers in thickness) which consists of PET films which carried out the mold release process previously, and a coating film Was dried at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent. This obtained the transfer film (i) in which the photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) of thickness 8micrometer was formed on the support film.

마찬가지로, 상기 (2)에서 제조한 감광성 무기 분체 함유 수지 조성물 B-1을, 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름(폭 200 ㎜, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 이용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5분간 건조하여 용제를 완전히 제거하였다. 이에 따라, 지지 필름 상에 두께 12 ㎛의 감광성 무기 분체 함유 수지층(B-1)이 형성된 전사 필름(ii)를 얻었다. Similarly, using the roll coater on the support film (200 mm in width, 30 m in length, 38 micrometers in thickness) which consists of PET film which pre-release-processed the photosensitive inorganic powder containing resin composition B-1 manufactured by said (2). It applied and the coating film was dried at 100 degreeC for 5 minutes, and the solvent was completely removed. This obtained the transfer film (ii) in which the photosensitive inorganic powder containing resin layer (B-1) of thickness 12micrometer was formed on the support film.

(4) 필름의 전사 공정(4) film transfer process

6 인치 패널용 투명 유리 기판의 표면에 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)의 표면이 접촉되도록 전사 필름(i)을 중첩시키고, 가열 롤러로 열 압착하였다. 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤 압력을 4 kg/㎝, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 열 압착 처리 종료 후, 지지 필름을 박리 제거하였다. 이에 따라, 투명 유리 기판의 표면에 수지층(A)가 전사되어 밀착된 상태 가 되었다.The transfer film (i) was superposed so that the surface of the photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) might contact the surface of the transparent glass substrate for 6-inch panels, and it was thermocompression-bonded with the heating roller. As crimping conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. After completion of the thermocompression treatment, the support film was peeled off. Thereby, the resin layer A was transferred and adhered to the surface of the transparent glass substrate.

이어서, 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 상에 감광성 무기 분체 함유 수지층(B-1)의 표면이 접촉되도록 전사 필름(ii)를 중첩시키고, 가열 롤러로 열 압착하였다. 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤 압력을 4 kg/㎝, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 이에 따라, 투명 유리 기판의 표면에 수지층(A), 수지층(B-1) 및 지지 필름이 밀착된 상태가 되었다. Next, the transfer film (ii) was superposed on the photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) so that the surface of the photosensitive inorganic powder containing resin layer (B-1) contacted, and it was thermocompression-bonded with the heating roller. As crimping conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. Thereby, the resin layer (A), the resin layer (B-1), and the support film adhered to the surface of the transparent glass substrate.

(5) 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)의 노광 공정(5) Exposure process of photosensitive inorganic powder containing resin layer (A)

투명 유리 기판에 접촉한 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)에 대하여 노광용 마스크(투광부/차광부=150 ㎛/300 ㎛의 스트라이프 패턴)를 통해 투명 유리 기판면측으로부터, 초고압 수은등을 이용하여 i선(파장 365 ㎚의 자외선)을 조사하였다. 조사량은 200 mJ/㎠로 하였다. I-line using an ultra-high pressure mercury lamp from the surface of the transparent glass substrate through the mask for exposure to the photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) in contact with the transparent glass substrate (striping portion / light shielding portion = 150 µm / 300 µm). (Ultraviolet rays having a wavelength of 365 nm) was irradiated. The irradiation amount was 200 mJ / cm 2.

(6) 감광성 무기 분체 함유 수지층(B-1)의 노광 공정(6) Exposure process of photosensitive inorganic powder containing resin layer (B-1)

감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 상의 감광성 무기 분체 함유 수지층(B-1)에 대하여 노광용 마스크(투광부/차광부=50 ㎛/50 ㎛/50 ㎛/300 ㎛의 반복 스트라이프 패턴)를 통해 지지 필름면측으로부터, 초고압 수은등을 이용하여 i선(파장 365 ㎚의 자외선)을 조사하였다. 조사량은 400 mJ/㎠로 하였다. The photosensitive inorganic powder-containing resin layer (B-1) on the photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A-1) through an exposure mask (transmitting portion / light shielding portion = 50 μm / 50 μm / 50 μm / 300 μm repeated stripe pattern) The i-line (ultraviolet light of 365 nm wavelength) was irradiated from the support film surface side using the ultrahigh pressure mercury lamp. The irradiation amount was 400 mJ / cm 2.

(7) 현상 공정(7) developing process

수지층(B-1)로부터 지지 필름을 박리한 후, 노광 처리된 수지층(B-1) 및 수지층(A)에 대하여 현상액으로서 0.5 질량%의 탄산나트륨 수용액(30 ℃)을 이용한 샤워법에 의한 현상 처리를 60초간 행하였다. 이에 따라, 자외선이 조사되지 않은 미경화 수지층(B-1) 및 수지층(A)가 제거되고, 투명 유리 기판 상에 형성된 수지층(A)의 패턴과, 상기 수지층(A)의 패턴 상에 형성된 수지층(B-1)의 패턴을 얻었다. After peeling a support film from a resin layer (B-1), the shower method using 0.5 mass% sodium carbonate aqueous solution (30 degreeC) as a developing solution with respect to the exposed resin layer (B-1) and resin layer (A) was carried out. Development was carried out for 60 seconds. Thereby, the uncured resin layer (B-1) and resin layer (A) which were not irradiated with ultraviolet rays are removed, and the pattern of the resin layer (A) formed on the transparent glass substrate, and the pattern of the said resin layer (A) The pattern of the resin layer (B-1) formed on it was obtained.

(8) 소성 공정(8) firing process

수지층(A)의 패턴 상에 수지층(B-1)의 패턴이 형성된 투명 유리 기판을, 소성로 내에서 550 ℃의 온도 분위기하에서 30분간 소성 처리를 행하였다. 이에 따라, 투명 유리 기판의 표면에 패턴 폭 150 ㎛, 두께 1 ㎛의 블랙 매트릭스가 형성되고, 또한 상기 블랙 매트릭스 상에 패턴 폭 50 ㎛, 높이 5 ㎛의 전극 패턴이 형성된, 스페이스 폭 300 ㎛을 갖는 패널 재료를 얻을 수 있었다. The transparent glass substrate in which the pattern of the resin layer (B-1) was formed on the pattern of the resin layer (A) was baked for 30 minutes in the baking furnace in the temperature atmosphere of 550 degreeC. As a result, a black matrix having a pattern width of 150 μm and a thickness of 1 μm is formed on the surface of the transparent glass substrate, and an electrode pattern having a pattern width of 50 μm and a height of 5 μm on the black matrix has a space width of 300 μm. The panel material was obtained.

[실시예 2]Example 2

(3) 전사 필름의 제조(3) Preparation of Transfer Film

실시예 1에서 제조한, 전사 필름(i)의 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)과 전사 필름(ii)의 감광성 무기 분체 함유 수지층(B-1)을 각각의 층 표면이 접촉되도록 중첩시키고, 가열 롤러로 열 압착하였다. 이에 따라, 지지 필름 상에 수지층(B-1)과 수지층(A)의 적층막이 형성된 본 발명의 전사 필름(이하 "전사 필름(iii)"이라 함)을 얻었다. 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤 압력을 4 kg/㎝, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. The photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) of the transfer film (i) and the photosensitive inorganic powder-containing resin layer (B-1) of the transfer film (ii) prepared in Example 1 were superposed so as to contact each layer surface. It was thermocompression bonded with a heating roller. This obtained the transfer film (henceforth "transfer film (iii)") of this invention in which the laminated film of the resin layer (B-1) and the resin layer (A) was formed on the support film. As crimping conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min.

(4) 필름의 전사 공정(4) film transfer process

전사 필름(iii)의 수지층(A)측의 지지 필름을 박리한 후, 6 인치 패널용 투명 유리 기판의 표면에 상기 수지층(A)의 표면이 접촉되도록 상기 전사 필름(ii)를 중첩시키고, 가열 롤러로 열 압착하였다. 감압 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온 도를 120 ℃, 롤 압력을 4 kg/㎝, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 이에 따라, 투명 유리 기판의 표면에 수지층(A), 수지층(B-1) 및 지지 필름이 밀착된 상태가 되었다. After peeling the support film of the resin layer (A) side of the transfer film (iii), the said transfer film (ii) is superposed so that the surface of the said resin layer (A) may contact the surface of the transparent glass substrate for 6-inch panels, It was thermocompression bonded with a heating roller. As pressure reduction conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. Thereby, the resin layer (A), the resin layer (B-1), and the support film adhered to the surface of the transparent glass substrate.

그 후에는, 실시예 1과 동일하게 하여 수지층(A) 및 수지층(B-1)의 노광 공정, 현상 공정 및 소성 공정을 행하였다. 이에 따라, 투명 유리 기판의 표면에 패턴 폭 150 ㎛, 두께 1 ㎛의 블랙 매트릭스가 형성되고, 또한 상기 블랙 매트릭스 상에 패턴 폭 50 ㎛, 높이 5 ㎛의 전극 패턴이 형성된, 스페이스 폭 300 ㎛을 갖는 패널 재료를 얻을 수 있었다. Then, the exposure process of the resin layer (A) and resin layer (B-1), the image development process, and the baking process were performed like Example 1 after that. As a result, a black matrix having a pattern width of 150 μm and a thickness of 1 μm is formed on the surface of the transparent glass substrate, and an electrode pattern having a pattern width of 50 μm and a height of 5 μm on the black matrix has a space width of 300 μm. The panel material was obtained.

[실시예 3]Example 3

(1) 비감광성 무기 분체 함유 수지 조성물 C의 제조(1) Preparation of non-photosensitive inorganic powder containing resin composition C

무기 분체(a')로서, 비표면적 0.5 ㎡/g, 평균 입경 2.3 ㎛의 은 분체 100부, 평균 입경 3 ㎛의 Bi2O3-B2O3-SiO2계 유리 프릿(부정형, 연화점 520 ℃) 3부, 결착 수지(b')로서 벤질메타크릴레이트/n-부틸메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트/숙신산 모노(2-메타크릴로일옥시에틸)/메타크릴산=30/20/20/20/10(질량%) 공중합체(KOH mg/g=114, Mw=100,000) 30부, 기타 임의 성분으로서, 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 10부, 올레산 1부, 및 용제(e')로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 150부를 비드 밀로 혼련하였다. 이어서, 얻어진 혼합물을 스테인레스 메쉬(400 메쉬, 38 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 전극 패턴용 비감광성 무기 분체 함유 수지 조성물 C를 얻었다. As the inorganic powder (a '), a specific surface area of 0.5 ㎡ / g, the average particle diameter of 2.3 to 100 parts ㎛ powder, average particle size 3 ㎛ Bi 2 O 3 -B 2 O 3 -SiO 2 based glass frit (irregular, a softening point of 520 Benzyl methacrylate / n-butyl methacrylate / 2-hydroxypropyl methacrylate / succinic acid mono (2-methacryloyloxyethyl) / methacrylic acid as 3 parts of binder resin (b ') 30 parts of 30/20/20/20/10 (mass%) copolymer (KOH mg / g = 114, Mw = 100,000), 10 parts of trimethylolpropane triacrylate, 1 part of oleic acid, and a solvent as other optional components As (e '), 150 parts of propylene glycol monomethyl ethers were kneaded with a bead mill. Subsequently, the obtained mixture was filtered with a stainless mesh (400 mesh, 38 micrometer diameter), and the non-photosensitive inorganic powder containing resin composition C for electrode patterns was obtained.

(2) 레지스트 조성물 B-2의 제조(2) Preparation of Resist Composition B-2

결착 수지(b")로서 벤질메타크릴레이트/2-히드록시프로필메타크릴레이트/메타크릴산=60/20/20(질량%) 공중합체(KOH mg/g=130, Mw=35,000) 60부, 광 중합성 단량체(c")로서 트리메틸올프로판 트리아크릴레이트 40부, 광 중합 개시제(d")로서 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부탄-1-온 5부, 및 용제(e")로서 프로필렌글리콜모노메틸에테르 150부를 혼합 교반하였다. 이어서, 얻어진 혼련물을 카트리지 필터(2 ㎛ 직경)로 필터링함으로써, 레지스트 조성물 B-2를 얻었다. Benzyl methacrylate / 2-hydroxypropyl methacrylate / methacrylic acid = 60/20/20 (mass%) copolymer (KOH mg / g = 130, Mw = 35,000) as binder resin (b ") 60 parts , 40 parts of trimethylolpropane triacrylate as the photopolymerizable monomer (c ") and 2-benzyl-2-dimethylamino-1- (4-morpholinophenyl) -butane-1 as the photoinitiator (d") 150 parts of propylene glycol monomethyl ether were mixed and stirred as 5 parts of -ON and as a solvent (e "). Next, the obtained kneaded material was filtered with a cartridge filter (2 micrometer diameter), and the resist composition B-2 was obtained.

(3) 전사 필름의 제조(3) Preparation of Transfer Film

상기 (1)에서 제조한 조성물 C를, 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름(폭 200 ㎜, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 이용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5분간 건조하여 용제를 완전히 제거하였다. 이에 따라, 지지 필름 상에 두께 12 ㎛의 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)가 형성된 전사 필름(iv)를 얻었다. The composition C prepared in the above (1) was applied onto a support film (200 mm in width, 30 m in length, 38 μm in thickness) made of a PET film subjected to release treatment in advance using a roll coater, and the coating film was coated at 5 ° C. at 5 ° C. Drying was performed to remove the solvent completely. This obtained the transfer film (iv) in which the non-photosensitive inorganic powder containing resin layer (C) of thickness 12micrometer was formed on the support film.

마찬가지로, 상기 (2)에서 제조한 레지스트 조성물 B-2를, 미리 이형 처리한 PET 필름으로 이루어지는 지지 필름(폭 200 ㎜, 길이 30 m, 두께 38 ㎛) 상에 롤 코터를 이용하여 도포하고, 도막을 100 ℃에서 5분간 건조하여 용제를 완전히 제거하였다. 이에 따라, 지지 필름 상에 두께 5 ㎛의 레지스트층(B-2)가 형성된 전사 필름(v)를 얻었다. Similarly, the resist composition B-2 manufactured in said (2) is apply | coated using the roll coater on the support film (200 mm in width, 30 m in length, 38 micrometers in thickness) which consists of PET films previously mold-processed, and a coating film Was dried at 100 ° C. for 5 minutes to completely remove the solvent. This obtained the transfer film v in which the resist layer (B-2) of thickness 5micrometer was formed on the support film.

다음으로, 전사 필름(iv)의 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)와 전사 필름(v)의 레지스트층(B-2)를 각각의 층 표면이 접촉되도록 중첩시키고, 가열 롤러로 열 압착하였다. 이에 따라, 지지 필름 상에 레지스트층(B-2)와 비감광성 수지층(C)의 적층막이 형성된 전사 필름(vi)을 얻었다. 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤 압력을 4 kg/㎝, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. Next, the non-photosensitive inorganic powder containing resin layer (C) of the transfer film (iv) and the resist layer (B-2) of the transfer film (v) were superposed so that the surface of each layer could contact, and it was thermocompression-bonded with the heating roller. . This obtained the transfer film (vi) in which the laminated | multilayer film of the resist layer (B-2) and the non-photosensitive resin layer (C) was formed on the support film. As crimping conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min.

(4) 필름의 전사 공정(4) film transfer process

실시예 1과 동일하게 하여, 6 인치 패널용 투명 유리 기판의 표면에 수지층(A)의 표면이 접촉되도록 전사 필름(i)를 중첩시키고, 가열 롤러로 열 압착하였다. 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤 압력을 4 kg/㎝, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 열 압착 처리 종료 후, 지지 필름을 박리 제거하였다. 이에 따라, 투명 유리 기판의 표면에 수지층(A)가 전사되어 밀착된 상태가 되었다.In the same manner as in Example 1, the transfer film (i) was superposed so that the surface of the resin layer (A) was in contact with the surface of the transparent glass substrate for 6-inch panel, and thermally crimped with a heating roller. As crimping conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. After completion of the thermocompression treatment, the support film was peeled off. Thereby, the resin layer A was transcribe | transferred and adhered to the surface of the transparent glass substrate.

이어서, 전사 필름(vi)의 수지층(C)측의 지지 필름을 박리하고, 수지층(A) 상에 상기 수지층(C)의 표면이 접촉되도록 상기 전사 필름(vi)을 중첩시키고, 가열 롤러로 열 압착하였다. 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤 압력을 4 kg/㎝, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 이에 따라, 투명 유리 기판의 표면에 수지층(A), 수지층(C), 레지스트층(B-2) 및 지지 필름이 밀착된 상태가 되었다.Next, the support film on the resin layer (C) side of the transfer film (vi) is peeled off, and the transfer film (vi) is superposed so as to contact the surface of the resin layer (C) on the resin layer (A) and heated. Thermal compression was performed with a roller. As crimping conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. Thereby, the resin layer (A), the resin layer (C), the resist layer (B-2), and the support film adhered to the surface of the transparent glass substrate.

(5) 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)의 노광 공정(5) Exposure process of photosensitive inorganic powder containing resin layer (A)

실시예 1과 동일하게, 투명 유리 기판에 접촉한 수지층(A)에 대하여 노광용 마스크(투광부/차광부=150 ㎛/300 ㎛의 스트라이프 패턴)를 통해 투명 유리 기판 면측으로부터, 초고압 수은등을 이용하여 i선(파장 365 ㎚의 자외선)을 조사하였다. 조사량은 200 mJ/㎠로 하였다. In the same manner as in Example 1, an ultra-high pressure mercury lamp was used from the surface of the transparent glass substrate through the exposure mask (transmitting portion / shielding portion = 150 µm / 300 µm) with respect to the resin layer A in contact with the transparent glass substrate. Was irradiated with i-rays (ultraviolet light having a wavelength of 365 nm). The irradiation amount was 200 mJ / cm 2.

(6) 레지스트층(B-2)의 노광 공정(6) Exposure process of resist layer (B-2)

수지층(A) 및 수지층(C) 상에 형성된 레지스트층(B-2)에 대하여 노광용 마스크(투광부/차광부=50 ㎛/50 ㎛/50 ㎛/300 ㎛의 반복 스트라이프 패턴)를 통해 지지 필름면측으로부터, 초고압 수은등을 이용하여 i선(파장 365 ㎚의 자외선)을 조사하였다. 조사량은 400 mJ/㎠로 하였다. The resist layer (B-2) formed on the resin layer (A) and the resin layer (C) through an exposure mask (repeating stripe pattern of light transmitting portion / light shielding portion = 50 µm / 50 µm / 50 µm / 300 µm). The i-line (ultraviolet light of 365 nm wavelength) was irradiated from the support film surface side using the ultrahigh pressure mercury lamp. The irradiation amount was 400 mJ / cm 2.

(7) 현상·에칭 공정(7) Developing and etching process

레지스트층(B-2)로부터 지지 필름을 박리한 후, 노광 처리된 레지스트층(B-2)에 대하여 현상액으로서 0.5 질량%의 탄산나트륨 수용액(30 ℃)을 이용한 샤워법에 의한 현상 처리를 30초간 행하였다. 이에 따라, 자외선이 조사되지 않은 미경화 레지스트층(B-2)가 제거되고, 레지스트층(B-2)의 패턴을 얻었다. After peeling a support film from the resist layer (B-2), the developing process by the shower method using 0.5 mass% sodium carbonate aqueous solution (30 degreeC) as a developing solution was carried out for 30 second with respect to the exposed resist layer (B-2). It was done. Thereby, the uncured resist layer (B-2) which was not irradiated with ultraviolet rays was removed to obtain a pattern of the resist layer (B-2).

상기 공정에 연속하여, 수지층(C)에 대하여 0.5 질량%의 탄산나트륨 수용액(30 ℃)을 에칭액으로 하는 샤워법에 의한 에칭 처리를 40초간 행하였다. 이에 따라, 레지스트층(B-2)의 패턴에 대응하는 수지층(C)의 패턴을 얻었다. Subsequently to the said process, the etching process by the shower method which makes 0.5 mass% aqueous sodium carbonate aqueous solution (30 degreeC) an etching liquid with respect to the resin layer (C) was performed for 40 second. This obtained the pattern of the resin layer (C) corresponding to the pattern of the resist layer (B-2).

추가로 연속하여, 노광 처리된 수지층(A)에 대하여 0.5 질량%의 탄산나트륨 수용액(30 ℃)을 현상액으로 하는 샤워법에 의한 현상 처리를 20초간 행하였다. 이에 따라, 자외선이 조사되지 않은 미경화된 수지층(A)가 제거되고, 수지층(A)의 패턴과, 상기 수지층(A)의 패턴 상에 형성된 수지층(C)의 패턴을 얻었다. Furthermore, the developing process by the shower method which made 0.5 mass% aqueous sodium carbonate aqueous solution (30 degreeC) the developing solution with respect to the exposed resin layer A was performed for 20 second continuously. Thereby, the uncured resin layer (A) which was not irradiated with ultraviolet light was removed, and the pattern of the resin layer (A) and the pattern of the resin layer (C) formed on the pattern of the said resin layer (A) were obtained.

(8) 소성 공정(8) firing process

수지층(A)의 패턴 및 수지층(C)의 패턴이 형성된 투명 유리 기판을, 소성로 내에서 550 ℃의 온도 분위기하에서 30분간 소성 처리를 행하였다. 이에 따라, 투명 유리 기판의 표면에 패턴 폭 150 ㎛, 두께 1 ㎛의 블랙 매트릭스가 형성되고, 상기 블랙 매트릭스 상에 패턴 폭 50 ㎛, 높이 5 ㎛의 전극 패턴이 형성된, 스페이스 폭 300 ㎛을 갖는 패널 재료를 얻을 수 있었다. The transparent glass substrate in which the pattern of the resin layer (A) and the pattern of the resin layer (C) were formed was baked for 30 minutes in the baking furnace in the temperature atmosphere of 550 degreeC. Accordingly, a panel having a space width of 300 μm, in which a black matrix having a pattern width of 150 μm and a thickness of 1 μm is formed on the surface of the transparent glass substrate, and an electrode pattern having a pattern width of 50 μm and a height of 5 μm is formed on the black matrix. Could get the material

[실시예 4]Example 4

(3) 전사 필름의 제조(3) Preparation of Transfer Film

실시예 3에서 제조한 전사 필름(vi)의 수지층(C)측의 지지 필름을 박리하고, 상기 전사 필름(vi)의 수지층(C)와 실시예 1에서 제조한 전사 필름(i)의 수지층(A)를 각각의 층 표면이 접촉되도록 중첩시키고, 가열 롤러로 열 압착하였다. 이에 따라, 지지 필름 상에 레지스트층(B-2), 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C) 및 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)의 적층막이 형성된 본 발명의 전사 필름(이하 "전사 필름(vii)"이라 함)을 얻었다. 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤 압력을 4 kg/㎝, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. The support film on the resin layer (C) side of the transfer film (vi) manufactured in Example 3 was peeled off, and the resin layer (C) of the transfer film (vi) and the transfer film (i) produced in Example 1 were removed. The resin layer (A) was superimposed so that the surface of each layer could contact, and it thermocompressed with the heating roller. Thus, the transfer film of the present invention (hereinafter referred to as "transfer film") having a laminated film of a resist layer (B-2), a non-photosensitive inorganic powder-containing resin layer (C) and a photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) formed on a supporting film. vii) "). As crimping conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min.

(4) 필름의 전사 공정(4) film transfer process

전사 필름(vii)의 수지층(A)측의 지지 필름을 박리하고, 6 인치 패널용 투명 유리 기판의 표면에 상기 수지층(A)의 표면이 접촉되도록 상기 전사 필름(vii)을 중첩시키고, 가열 롤러로 열 압착하였다. 압착 조건으로서는 가열 롤러의 표면 온도를 120 ℃, 롤 압력을 4 kg/㎝, 가열 롤러의 이동 속도를 0.5 m/분으로 하였다. 이에 따라, 투명 유리 기판의 표면에 수지층(A), 수지층(C), 레지스트층(B-2), 및 지지 필름이 밀착된 상태가 되었다. The support film on the resin layer (A) side of the transfer film (vii) is peeled off, and the transfer film (vii) is superposed so that the surface of the resin layer (A) is in contact with the surface of the transparent glass substrate for 6-inch panel, It was thermocompressed with a heating roller. As crimping conditions, the surface temperature of the heating roller was 120 degreeC, the roll pressure was 4 kg / cm, and the moving speed of the heating roller was 0.5 m / min. Thereby, the resin layer (A), the resin layer (C), the resist layer (B-2), and the support film adhered to the surface of the transparent glass substrate.

그 후에는 실시예 3과 동일하게 하여, 수지층(A) 및 레지스트층(B-2)의 노광 공정, 레지스트층(B-2)의 현상 공정, 수지층(C)의 에칭 공정, 수지층(A)의 현상 공정, 및 소성 공정을 행하였다. 이에 따라, 투명 유리 기판의 표면에 패턴 폭 150 ㎛, 두께 1 ㎛의 블랙 매트릭스가 형성되고, 또한 상기 블랙 매트릭스 상에 패턴 폭 50 ㎛, 높이 5 ㎛의 전극 패턴이 형성된, 스페이스 폭 300 ㎛를 갖는 패널 재료를 얻을 수 있었다. Subsequently, in the same manner as in Example 3, the exposure step of the resin layer (A) and the resist layer (B-2), the developing step of the resist layer (B-2), the etching step of the resin layer (C), and the resin layer The developing process of (A) and the baking process were performed. Accordingly, a black matrix having a pattern width of 150 μm and a thickness of 1 μm is formed on the surface of the transparent glass substrate, and an electrode pattern having a pattern width of 50 μm and a height of 5 μm on the black matrix has a space width of 300 μm. The panel material was obtained.

본 발명에 따르면, 투명 기판 상에 FPD를 구성하는 복수개의 요소(예를 들면, 블랙 매트릭스 및 전극 패턴 등)를 일괄 형성할 수 있기 때문에, 종래의 FPD의 제조 방법에 비해 공정수를 감소시킬 수 있어 생산 효율이 개선된다. According to the present invention, a plurality of elements (for example, a black matrix, an electrode pattern, etc.) constituting the FPD can be collectively formed on a transparent substrate, so that the number of steps can be reduced as compared with the conventional method for manufacturing FPD. There is improved production efficiency.

Claims (19)

(1) 투명 기판 상에 상기 투명 기판에 접촉하는 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및 상기 수지층(A)와는 층 조성이 다른 감광성 수지층(B)를 포함하는 적층막을 형성하는 공정, (1) forming a laminated film comprising a photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) in contact with the transparent substrate and a photosensitive resin layer (B) having a different layer composition from the resin layer (A) on the transparent substrate; (2) 상기 적층막이 형성된 투명 기판을 투명 기판면측 및 적층막 형성면측으로부터 각각 패턴 노광하는 공정, (2) pattern-exposing the transparent substrate on which the said laminated film was formed from the transparent substrate surface side and the laminated film formation surface side, respectively, (3) 상기 적층막을 현상 처리 또는 에칭 처리하여 적층막 패턴을 형성하는 공정, 및(3) a step of forming a laminated film pattern by developing or etching the laminated film, and (4) 상기 적층막 패턴을 소성하는 공정(4) baking the laminated film pattern 을 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법.Method of manufacturing a flat panel display comprising a. 제1항에 있어서, 상기 감광성 수지층(B)가 감광성 무기 분체 함유 수지층인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법. The said photosensitive resin layer (B) is a photosensitive inorganic powder containing resin layer, The manufacturing method of the flat panel display of Claim 1 characterized by the above-mentioned. 제1항에 있어서, 상기 감광성 수지층(B)가 무기 분체를 함유하지 않는 레지스트층인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법. The method of manufacturing a flat panel display according to claim 1, wherein the photosensitive resin layer (B) is a resist layer containing no inorganic powder. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 적층막이 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법. The said laminated film further contains a non-photosensitive inorganic powder containing resin layer (C), The manufacturing method of the flat panel display in any one of Claims 1-3 characterized by the above-mentioned. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공정(1)이, 지지 필름 상에 형성된 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및/또는 지지 필름 상에 형성된 상기 감광성 수지층(B)를 상기 투명 기판 상에 전사하는 공정을 포함하는 방법에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법. The said photosensitive resin layer (B) in any one of Claims 1-4 in which the said process (1) was formed on the said photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) and / or the support film formed on the support film. A method for manufacturing a flat panel display, characterized in that the method is carried out by a method including the step of transferring a) onto the transparent substrate. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공정(1)이, 지지 필름 상에 형성된 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및/또는 지지 필름 상에 형성된 상기 감광성 수지층(B)를 포함하는 적층막을 상기 투명 기판 상에 전사하는 공정을 포함하는 방법에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법. The said photosensitive resin layer (B) in any one of Claims 1-4 in which the said process (1) was formed on the said photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) and / or the support film formed on the support film. A method for manufacturing a flat panel display comprising the step of transferring a laminated film containing a layer) onto the transparent substrate. 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 공정(1)이, 지지 필름 상에 형성된, 상기 투명 기판 상에 형성되는 모든 층을 포함하는 적층막을 상기 투명 기판 상에 일괄 전사하는 방법에 의해 행해지는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법. The method according to any one of claims 1 to 4, wherein the step (1) collectively transfers a laminated film including all the layers formed on the transparent substrate, formed on the supporting film, onto the transparent substrate. The manufacturing method of the flat panel display characterized by the above-mentioned. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)가 금속 분체 및/또는 무기 안료 분체를 함유하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법. The said photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) contains metal powder and / or inorganic pigment powder, The manufacturing method of the flat panel display in any one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)가 흑색 안료 분체를 함유하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법.The said photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) contains black pigment powder, The manufacturing method of the flat panel display in any one of Claims 1-7 characterized by the above-mentioned. 제2항에 있어서, 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)가 흑색 안료 분체를 함유하고, 또한 상기 감광성 수지층(B)가 금속 분체를 함유하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법.The manufacturing method of the flat panel display of Claim 2 in which the said photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) contains black pigment powder, and the said photosensitive resin layer (B) contains metal powder. 제4항에 있어서, 상기 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)가 흑색 안료 분체를 함유하고, 또한 상기 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)가 금속 분체를 함유하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법.The flat panel display according to claim 4, wherein the photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) contains black pigment powder, and the non-photosensitive inorganic powder-containing resin layer (C) contains metal powder. Way. 제8항, 제10항 및 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 금속 분체가 은 분체인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법.The method for manufacturing a flat panel display according to any one of claims 8, 10 and 11, wherein the metal powder is silver powder. 제1항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 투명 기판 상에 블랙 매트릭스 패턴과, 상기 블랙 매트릭스 패턴 상에 전극 패턴을 일괄 형성하는 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법.The flat panel display manufacturing method according to any one of claims 1 to 12, wherein a black matrix pattern and an electrode pattern are collectively formed on the black matrix pattern. 제1항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 평판 디스플레이가 플라즈마 디스플레이 패널인 것을 특징으로 하는 평판 디스플레이의 제조 방법. The flat panel display manufacturing method according to any one of claims 1 to 13, wherein the flat panel display is a plasma display panel. 지지 필름 상에 감광성 무기 분체 함유 수지층(A) 및 상기 수지층(A)와는 층 조성이 다른 감광성 수지층(B)를 포함하는 적층막이 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전사 필름.A transfer film, comprising a laminated film comprising a photosensitive inorganic powder-containing resin layer (A) and a photosensitive resin layer (B) different in layer composition from the resin layer (A) on a supporting film. 제15항에 있어서, 상기 적층막이 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C)를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 전사 필름.The transfer film according to claim 15, wherein the laminated film further comprises a non-photosensitive inorganic powder-containing resin layer (C). 제16항에 있어서, 지지 필름 상에 감광성 수지층(B), 비감광성 무기 분체 함유 수지층(C), 및 감광성 무기 분체 함유 수지층(A)가 상기 순서대로 적층 형성되고, 또한 상기 감광성 수지층(B)가 무기 분체를 함유하지 않는 레지스트층인 것을 특징으로 하는 전사 필름.The photosensitive resin layer (B), the non-photosensitive inorganic powder containing resin layer (C), and the photosensitive inorganic powder containing resin layer (A) are laminated | stacked in the said order, and the said photosensitive number is carried out on a support film. The base layer (B) is a resist layer containing no inorganic powder. 제15항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 지지 필름 상에 형성된 적층막이 라미네이팅에 의해 적층 형성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 전사 필름.The transfer film according to any one of claims 15 to 17, wherein the laminated film formed on the support film is laminated by lamination. 제15항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 제1항 내지 제14항 중 어느 한 항에 기재된 평판 디스플레이의 제조 방법에 이용되는 것을 특징으로 하는 전사 필름.It is used for the manufacturing method of the flat panel display in any one of Claims 1-14, The transfer film as described in any one of Claims 15-18.
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