KR20040024477A - 배선 구조의 제조 방법, 전기 광학 장치의 제조 방법,전기 광학 장치 및 전자 기기 - Google Patents

Abstract

반투과반사형의 액정 장치 등의 전기 광학 장치에 있어서, 신뢰성이 높은 배선 및 접속 단자를 제공한다.

데이터선(6a)의 측벽 및 상면의 일부는 반사막(44)으로 덮여 있으므로, 반사막(44)을 패터닝할 때에 중앙층(62)이 에천트에 의해 침식되지 않는다. 또한, 콘택트 홀(44a)을 거쳐서 투명 도전막(45)이 데이터선(6a)의 상층(63)과 접속되어 있기 때문에, 접속 단자(90)의 저항치를 낮춰서, 양호한 도통을 확보할 수 있다.

Description

배선 구조의 제조 방법, 전기 광학 장치의 제조 방법, 전기 광학 장치 및 전자 기기{MANUFACTURING METHODS OF WIRING STRUCTURE AND ELECTROOPTICAL DEVICE, ELECTROOPTICAL DEVICE, AND ELECTRONIC EQUIPMENT}

본 발명은, 배선 구조 및 전기 광학 패널의 제조 방법, 및, 전기 광학 패널, 그 배선 구조 및 전자 기기의 기술 분야에 속한다.

액정 장치 등의 전기 광학 장치는, 2장의 기판을 소정의 간극을 가지고 접합하여 구성된다. 기판 사이의 거리를 규제하는 것은, 대략 사각형의 형상을 한 밀봉부로 불리는 외부 프레임이며, 밀봉부의 내측에는 액정 등의 전기 광학 물질이 충전되도록 되어 있다.

이러한 전기 광학 장치에는, 백 라이트의 광을 이용하여 표시하는 투과형, 외광을 장치 내부에서 반사한 반사광을 표시에 이용하는 반사형, 또한, 밝은 곳에서는 외광을 이용한 반사 표시를 하고, 어두운 곳에서는 내장된 백 라이트로부터 발생하는 광원광을 이용하여 투과 표시를 하는 반투과반사형이 있다.

반투과반사형의 전기 광학 장치로서, 매트릭스 형상으로 배열된 각 화소에 반투과반사 전극을 구비하는 내면 반사 방식의 것이 개발되어 있다. 이 장치에서, 반투과반사 전극은, 예컨대, 알루미늄(aluminium)막 등의 반사 전극 혹은 반사막의 위에, ITO(인듐 주석 산화물)막 등의 투명 전극이 중첩되어 형성되어 있다.

또한, 각 화소에 대응하여 박막 트랜지스터(이하, 적절히 TFT(Thin Film Transistor)로 지칭함)가 마련된다. 각 TFT의 소스는 각 데이터선과 접속되고, 그 드레인은 각 투명 전극과 접속되며, 그 게이트는 각 주사선과 접속되어 있다. 각데이터선이나 각 주사선은, 밀봉 내부로부터 외부로 인출(引出)되고, 접속 단자가 형성되어 있다. 이러한 구조에 관해서는, 예컨대, 특허 문헌1에 기재되어 있다. 또한, 데이터선의 배선 구조로서, 특허 문헌2에 기재되어 있는 것과 같이, 티탄, 알루미늄, 질화 티탄의 순서대로 적층된 3층 구조의 것이 이용되는 경우가 있다.

[특허문헌1]

일본 특허 공개 평성 제 06-289414 호 공보(제 2 페이지, 도 2)

[특허문헌2]

일본 특허 공개 2000-243834 호 공보(제 7 페이지)

그리고, TFT가 형성되는 기판은, 개략적으로, 제 1로 유리 등의 기판 상에 TFT를 형성하고, 제 2로 데이터선 등의 배선 구조를 형성하고, 제 3으로 그 위에서 보호막 및 아크릴층을 형성하고, 제 4로 반사 전극을 형성하고, 제 5로 투명 전극을 형성한다는 공정에 의해서 제조된다.

그런데, 데이터선 등의 배선은, 밀봉부의 밖으로 인출되지만, 그 단부에 있어서는, 외부로부터의 신호 공급을 받기 위해서, 전기적인 접속을 양호하게 행하는 접속 단자를 마련할 필요가 있다. 그리고, 접속 단자는, 상술한 제조 공정으로 형성할 필요가 있다.

도 16에 접속 단자 부분의 단면도를 도시한다. 이 예에서는, 밀봉부의 밖에서도 배선의 위에 보호막과 아크릴층을 적층하고, 상술한 제 5 공정에 있어서 투명 전극을 형성할 때에, 콘택트 홀을 거쳐서, 투명 전극과 동일 재료로 접속 단자를 형성한다. 이 예에서는, 아크릴층의 패터닝 마스크를 이용하여, 보호막을 패터닝할 수 있다.

그러나, 아크릴층은 환경 수분에 의해 팽윤(膨潤)하는 성질이 있기 때문에, 접속 단자를 박리하는 작용을 야기하여, 신뢰성을 현저히 악화시켜 버린다고 하는 문제가 있었다.

그래서, 도 17에 도시하는 바와 같이, 밀봉부의 밖에서는 아크릴층을 제거하여 접속 단자 부분을 구성하는 것도 고려된다. 이 경우에는, 접속 단자의 신뢰성이 향상하지만, 아크릴층의 패터닝 마스크와는 별도의 마스크를 이용하여, 보호막을 패터닝할 필요가 있다. 따라서, 제조 비용이 상승한다는 문제가 있었다.

또한, 도 18에 도시하는 바와 같이, 밀봉부의 밖에서는 보호막 및 아크릴층을 제거하여 접속 단자 부분을 구성하는 것도 생각된다. 이 경우에는, 반사 전극을 패터닝할 때에 3층 구조의 배선의 중앙층(알루미늄)이 에천트에 의해 침식되고, 중앙층에 사이드 컷(side cut)이 생긴다고 하는 문제가 있다. 그 위에 투명 도전막을 피복하고자 하면, 에지부가 충분히 피복되지 않고, 투명 도전막이 막의 박리를 일으켜서, 박리된 파편이 화소 전극사이에 부착하여 연결점 결함을 야기한다고 하는 문제가 있었다.

본 발명은 상기 문제점을 감안하여 이루어진 것으로서, 배선 구조 및 전기광학 패널의 제조 방법, 및, 전기 광학 패널, 그 배선 구조 및 전자 기기를 제공하는 것을 과제로 한다.

도 1은 본 발명의 실시예에 따른 전기 광학 장치의 평면도,

도 2는 도 1의 H-H' 단면도,

도 3은 TFT 어레이 기판(10) 상에 구성되는 배선, 전자 소자 등의 등가 회로도,

도 4는 전기 광학 장치의 부분 단면도,

도 5는 데이터선(6a)의 단면도,

도 6은 데이터선(6a)의 다른 구성예를 도시하는 단면도,

도 7은 접속 단자 근방의 외관을 도시하는 사시도,

도 8은 도 7에 도시한 J-J'를 포함하는 평면을 따라 절단했을 때의 전기 광학 장치의 단면도,

도 9는 도 7에 도시한 K-K'를 포함하는 평면에 따라 절단했을 때의 전기 광학 장치의 단면도,

도 10은 TFT 어레이 기판(10)의 제조 공정을 도시하는 공정도,

도 11은 TFT 어레이 기판(10)의 제조 공정을 도시하는 공정도,

도 12는 변형예에 따른 데이터선(6a) 및 유기 절연막(43)을 모식적으로 도시하는 개념도,

도 13은 실시예에 따른 전기 광학 장치를 적용한 전자 기기의 일례인 모바일형 컴퓨터를 도시하는 사시도,

도 14는 실시예에 따른 전기 광학 장치를 적용한 전자 기기의 다른 예인 휴대 전화를 도시하는 사시도,

도 15는 실시예에 따른 전기 광학 장치를 적용한 전자 기기의 다른 예인 디지털 스틸 카메라의 구성을 도시하는 사시도,

도 16은 종래의 배선 구조를 도시하는 단면도,

도 17은 종래의 배선 구조의 다른 예를 도시하는 단면도,

도 18은 종래의 배선 구조의 다른 예를 도시하는 단면도.

도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

6a : 데이터선9a : 화소 전극

10 : TFT 어레이 기판20 : 대향 기판

44 : 반사막45 : 투명 도전막

50 : 액정층90 : 접속 단자

상기 과제를 해결하기 위해서, 본 발명의 배선 구조의 제조 방법은, 제 1 층과 상기 제 1 층의 위에 적층된 제 2 층을 갖는 배선을 형성하는 공정과, 상기 배선의 측벽을 적어도 덮고, 또한, 상기 제 2 층의 상면의 일부를 노출시키도록 상기 배선의 위에서 제 3 층을 에칭에 의해 패터닝하는 공정과, 적어도 상기 제 2 층이 노출되어 있는 부분에 제 4 층을 형성하는 공정을 구비하며, 상기 제 2 층은 상기 제 3 층의 에칭에 이용하는 에천트에 대하여 내식성(耐蝕性)을 갖는 한편, 상기 제 1 층은 상기 에천트에 대하여 침식성(侵蝕性)을 갖는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 의하면, 배선의 측벽은 제 3 층에 의해 덮여있으므로, 제 3 층을 에칭에 의해 패터닝하는 공정에 있어서, 그 에천트가 제 1 층을 침식하지 않는다. 따라서, 신뢰성이 높은 배선 구조를 제조하는 것이 가능해진다.

여기서, 상기 제 1 층 및 상기 제 3 층은, 동일한 재료에 의해서 구성되더라도 좋다. 또한, 상기 제 4 층을 형성하는 공정의 일부는, 산소를 포함하는 분위기속에서 행해지고, 상기 제 3 층과 상기 제 4 층의 계면에는, 상기 제 2 층의 단위면적당의 저항치와 비교하여 단위 면적당의 저항치가 높은 산화막이 형성되고, 상기 제 2 층의 재료는, 상기 제 3 층의 재료와 비교하여 산화되기 어려운 도전 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 제 3 층과 제 4 층 사이의 면에산화막이 형성되었다고 해도, 제 2 층의 재료는, 제 3 층의 재료와 비교하여 산화되기 어렵기 때문에, 제 2 층과 제 4 층 사이의 도전율은 양호한 것이 된다. 이 결과, 제 4 층을 접속 단자의 표면에 이용하면, 저 저항의 접속 단자를 구성하는 것이 가능해진다.

또한, 상기 배선은, 상기 제 1 층의 밑에 하층을 갖는 3층 구조이며, 상기 배선을 형성하는 공정은, 상기 하층, 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층을 순서대로 패터닝하는 것이 바람직하다. 이 경우, 패터닝에 이용하는 마스크로서 동일한 것을 이용해도 좋다.

또한, 상기 제 1 층은 알루미늄을 포함하고, 상기 제 2 층은 질화 티탄을 포함하고, 상기 제 4 층은 인듐 주석 산화물을 포함하는 것이 바람직하다.

다음에, 본 발명에 따른 전기 광학의 제조 방법은, 밀봉의 내측에 전기 광학 물질을 봉입하여 구성되는 전기 광학 장치를 제조하는 방법으로서, 기판 상에 복수의 전극을 갖는 반도체 소자를 매트릭스 형상으로 형성하는 공정과, 상기 밀봉의 외측에 형성되는 접속 단자와 접속되어, 제 1 층과 상기 제 1 층의 위에 적층된 제 2 층을 갖는 배선을 형성하는 공정과, 상기 밀봉의 내측에 있어서, 상기 각 반도체 소자의 위에서 절연층을 형성하는 공정과, 제 1 재료를 이용하여, 상기 각 반도체 소자에 대응하여 상기 절연층의 위에 복수의 반사 전극을 형성하고 또한, 상기 배선의 측벽을 적어도 덮고, 또한, 상기 접속 단자의 일부에서는 상기 제 2 층을 노출시키도록 상기 배선의 위에서 제 3 층을 형성하는 공정과, 제 2 재료를 이용하여, 상기 반사 전극을 덮도록 투명 전극을 형성하고 또한, 상기 밀봉의 외측에 위치하는 상기 배선 중, 적어도 상기 제 2 층이 노출하고 있는 부분의 위에서 제 4 층을 형성하는 공정을 구비한다.

본 발명에 의하면, 반사 전극과 제 3 층을 동시에 형성할 수 있고, 또한, 투명 전극과 제 4 층을 동시에 형성할 수 있으므로, 공정을 삭감할 수 있다. 또, 반도체 소자로서는, 예컨대, TFT나 박막 다이오드 TFD(Thin Film Diode)가 해당한다.

또한, 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 제 1 층은 상기 제 1 재료에 의해서 구성되는 것이 바람직하다. 이 경우, 반사 전극 및 제 3 층을 패터닝할 때에 이용하는 에천트에 의해서 제 1 층은 침식되지만, 배선의 측벽은 제 3 층에 의해서 덮여있기 때문에, 제 1 층이 침식되는 것을 방지하는 것이 가능해진다.

또한, 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 투명 전극 및 상기 제 4 층을 형성하는 공정의 일부는, 산소를 포함하는 분위기 속에서 행해지고, 상기 제 3 층과 상기 접속 전극의 계면에는, 상기 제 2 층의 단위 면적당의 저항치에 비교하여 단위 면적당의 저항치가 높은 산화막이 형성되며, 상기 제 2 층의 재료는, 상기 제 3 층의 재료와 비교하여 산화되기 어려운 도전 재료를 이용하는 것이 바람직하다. 본 발명에 의하면, 제 3 층과 제 4 층 사이의 면에 산화막이 형성되었다고 해도, 제 2 층의 재료는, 제 3 층의 재료와 비교하여 산화되기 어렵기 때문에, 제 2 층과 제 4 층 사이의 도전율은 양호한 것이 된다. 이 결과, 저 저항의 접속 단자를 구성하는 것이 가능해진다.

또한, 전기 광학 장치의 제조 방법에 있어서, 상기 배선은, 상기 제 1 층의 밑에 하층을 갖는 3층 구조이며, 상기 배선을 형성하는 공정은, 상기 하층, 상기제 1 층 및 상기 제 2 층을 순서대로 패터닝하는 것이 바람직하다. 또한, 상기 제 1 층은 알루미늄을 포함하고, 상기 제 2 층은 질화 티탄을 포함하고, 상기 제 1 재료는 알루미늄을 포함하고, 상기 제 2 재료는 인듐 주석 산화물을 포함하는 것이 바람직하다.

다음에, 본 발명에 따른 전기 광학 장치는, 밀봉의 내측에, 전기 광학 물질이 봉입되고, 상기 밀봉의 외측에 접속 단자가 배치되어 구성되는 전기 광학 장치로서, 상기 접속 단자는, 제 1 층과, 상기 제 1 층의 위에 적층된 제 2 층과, 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층의 측벽을 적어도 덮고, 또한, 상기 접속 단자의 일부에서 상기 제 2 층을 노출시키도록 형성된 제 3 층과, 상기 제 2 층이 노출하고 있는 부분에 형성된 제 4 층을 구비한 것을 특징으로 한다. 또한, 상기 전기 광학 장치는, 반사 도전성 재료에 의해서 구성된 반사 전극 및 투명 도전성 재료에 의해서 구성된 투명 전극에 의해 형성되는 화소를 구비하는 것을 특징으로 하고, 또한, 상기 반사 전극과 상기 제 3 층은 동일한 반사 도전성 재료에 의해서 구성되고, 또한, 상기 투명 전극과 상기 제 4 층은 동일한 투명 도전성 재료에 의해서 구성되는 것을 특징으로 한다.

또한, 밀봉의 내측에, 전기 광학 물질이 봉입되고, 상기 밀봉의 외측에 접속 단자와, 해당 접속 단자에 접속되는 배선이 배치되어 구성되는 전기 광학 장치에 있어서, 상기 접속 단자와 상기 배선은, 제 1 층과, 상기 제 1 층의 위에 적층된 제 2 층과, 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층의 측벽을 적어도 덮도록 형성된 제 3 층을 구비하고, 상기 접속 단자는, 그 일부에서, 상기 제 2 층을 노출시키도록 형성된 제 3 층과, 상기 제 2 층이 노출하고 있는 부분에 형성된 제 4 층을 구비한 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따르면, 배선의 측벽은 제 3 층에 의해 덮이므로, 제 3 층을 에칭에 의해 패터닝하는 공정에서, 그 에천트가 제 1 층을 침식하지 않는다. 따라서, 신뢰성이 높은 배선 구조를 제조하는 것이 가능해진다.

여기서, 상기 반사 전극과 상기 제 3 층은 동일 재료에 의해서 구성되고, 또한, 상기 투명 전극과 상기 제 4 층은 동일 재료에 의해서 구성되는 것이 바람직하다. 이 경우는 제조 공정을 간략화하는 것이 가능해진다.

다음에, 본 발명에 따른 전기 광학 장치는, 밀봉의 내측에 전기 광학 물질을 봉입하여 구성되는 전기 광학 장치로서, 상기 밀봉의 내측에 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 반도체 소자와, 상기 각 반도체 소자에 대응하여, 반사 도전성 재료에 의해서 구성된 반사 전극 및 투명 도전성 재료에 의해서 구성된 투명 전극에 의해 형성되는 화소가 배치되고, 상기 밀봉의 외측에 형성되는 접속 단자와, 제 1 층과 상기 제 1 층의 위에 적층된 제 2 층을 갖는 배선이 접속되어 배치되고, 상기 접속 단자는, 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층의 측벽을 적어도 덮고, 또한, 적어도 상기 접속 단자의 일부에서는 상기 제 2 층을 노출시키도록 형성된 제 3 층과, 상기 제 2 층이 노출하고 있는 부분에 형성된 상기 제 4 층을 구비하는 것을 특징으로 한다. 본 발명에 의하면, 배선의 측벽은 제 3 층에 의해 덮이므로, 제 3 층을 에칭에 의해 패터닝하는 공정에서, 그 에천트가 제 1 층을 침식하지 않는다. 따라서, 신뢰성이 높은 전기 광학 장치를 제공할 수 있다.

여기서, 본 발명의 전기 광학 장치는, 상기 밀봉의 내측에 있어서, 상기 반도체 소자의 위에 요철 형상을 갖는 유기 절연막을 구비하고, 상기 반사 전극은, 상기 유기 절연막의 위에 형성되는 것에 의해 요철 형상을 갖고, 상기 투명 전극은 상기 반사 전극을 덮도록 형성되고, 상기 반사 전극과 상기 제 3 층은 동일한 반사 도전성 재료에 의해서 구성되고, 상기 투명 전극과 상기 제 4 층은 동일한 투명 도전성 재료에 의해서 구성되는 것을 특징으로 한다. 이 경우는 제조 공정을 간략화하는 것이 가능해진다.

또한, 상기 배선은 상기 제 1 층의 밑에 하층을 구비하는 3층 구조로 구성되고, 상기 하층은 티탄을 포함하고, 상기 제 1 층은 알루미늄을 포함하고, 상기 제 2 층은 질화 티탄을 포함하고, 상기 반사 전극 및 상기 제 3 층은 알루미늄을 포함하고, 상기 투명 전극과 상기 제 4 층은 인듐 주석 산화물을 포함하는 것이 바람직하다.

다음에, 본 발명에 따른 전자 기기는, 상술한 전기 광학 장치를 구비한 것을 특징으로 하고, 예컨대, 반투과반사형의 전기 광학 장치를 표시부로서 갖는, 휴대 전화나 페이져의 표시부, 액정 텔레비전, 퍼스널 컴퓨터나 모바일 혹은 휴대 단말기의 모니터부, 카메라의 파인더(Finder)부 등이 해당한다.

본 발명의 이러한 작용 및 다른 이득은 다음에 설명하는 실시예로부터 분명해진다.

(실시예)

이하, 본 발명의 실시예를 도면에 근거하여 설명한다. 이하의 실시예는, 본 발명의 전기 광학 장치를, 반투과반사형의 액정 장치에 적용한 것이다. 여기서는, 전기 광학 장치의 일례로서, 백 라이트를 구비하고 있는 구동 회로 내장형의 TFT 액티브 매트릭스 구동 방식의 반투과반사형의 액정 장치를 예로 든다.

<1.액정 장치의 전체 구성>

우선, 전기 광학 장치의 전체 구성에 대하여, 도 1 및 도 2를 참조하여 설명한다. 도 1은, TFT 어레이 기판을 그 위에 형성된 각 구성 요소와 함께 대향 기판의 측에서 본 평면도이며, 도 2는, 도 1의 H-H' 단면도이다.

도 1 및 도 2에 있어서, 본 실시예에 따른 전기 광학 장치에서는, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)이 대향 배치되어 있다. TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에 액정층(50)이 봉입되어 있고, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)은, 화상 표시 영역(10a)의 주위에 위치하는 밀봉부(52)에 의해 서로 접착되어 있다.

밀봉부(52)의 재료는, 양 기판을 접합하기 위한, 예컨대 자외선 경화 수지, 열경화 수지 등으로 이루어지고, 제조 프로세스에 있어서 TFT 어레이 기판(10) 상에 도포된 후, 자외선 조사, 가열 등에 의해 경화시킨 것이다.

밀봉부(52) 중에는, 기판간의 갭을 규정하기 위한, 유리 섬유(glass fiber) 혹은 유리 비드 등의 갭 재료가 살포되어 있다. 혹은, 비교적 대형의 액정 장치의경우에는, 이것에 추가하여, 또는 대체하여, 액정층(50) 중에, 유리 섬유 혹은 유리 비드 등의 갭 재료를 살포하더라도 좋다. 또한, 화상 표시 영역(10a)의 전역에 걸쳐서 화소 간극에, 갭 재료로서 다수의 패주부(貝柱部)를 마련하더라도 좋다.

밀봉부(52)가 배치된 밀봉 영역의 내측에 병행하여, 화상 표시 영역(10a)의 프레임 영역을 규정하는 차광성의 프레임 차광막(53)이, 대향 기판(20)측에 설치된다. 단, 이러한 프레임 차광막의 일부 또는 전부는, TFT 어레이 기판(10)측에 내장 차광막으로서 마련되더라도 좋다.

화상 표시 영역의 주변으로 확대되는 영역 중, 밀봉부(52)의 외측에 위치하는 주변 영역에는, 데이터선 구동 회로(101) 및 외부 회로 접속 단자(102)가 TFT 어레이 기판(10)의 한 변을 따라 마련되어 있고, 주사선 구동 회로(104)가, 이 한 변에 인접하는 두 변을 따라 마련되어 있다. 또한, TFT 어레이 기판(10)의 남은 한 변에는, 화상 표시 영역(10a)의 양측에 마련된 주사선 구동 회로(104) 사이를 연결하기 위한 복수의 배선(105)이 마련되어 있다. 또한 도 1에 도시하는 바와 같이, 대향 기판(20)의 4개의 모서리부에는, 양 기판간의 상하 도통 단자로서 기능하는 상하 도통재(106)가 배치되어 있다. 한편, TFT 어레이 기판(10)에는 이들의 모서리에 대향하는 영역에서 상하 도통 단자가 마련되어 있다. 이들에 의해, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에서 전기적인 도통을 얻는 것이 가능하다.

도 2에 있어서, TFT 어레이 기판(10)은, 그 기판 본체로서, 석영판, 유리판 등으로 이루어지는 투명한 제 2 투명 기판(202)을 구비하여 이루어진다. 제 2 투명 기판(202)의 위에는, 화소 스위칭용의 TFT나 주사선, 데이터선 등의 배선, 화소전극(9a)이 형성되고, 또한 그 최상층 부분에 배향막이 형성되어 있다. 한편, 대향 기판(20)의 위는, 그 기판 본체로서, 석영판, 유리판 등으로 이루어지는 투명한 제 1 투명 기판(201)을 구비하여 이루어진다. 제 1 투명 기판(201) 상에는, 대향 전극(22) 및 격자 형상의 차광막(23)이 형성되어 있고, 또한 그 최상층 부분에 배향막이 형성되어 있다. 또한, 액정층(50)은, 예컨대 한 종류 또는 수 종류의 네마틱 액정을 혼합한 액정으로 이루어지고, 이들 한 쌍의 배향막 사이에서, 소정의 배향 상태를 얻는다.

대향 기판(20)은 또한, 제 1 투명 기판(201)에서의 액정층(50)과 반대측에는, 편광판(207) 및 위상차판(208)을 구비하여 구성되어 있다.

TFT 어레이 기판(10)은 또한, 제 2 투명 기판(202)에 있어서의 액정층(50)과 반대측에, 편광판(217) 및 위상차판(218)을 구비한다. 덧붙여서, 편광판(217)의 외측에, 형광관(220)과 형광관(220)으로부터의 광을 편광판(217)으로부터 액정 패널 내로 도입하기 위한 도광판(219)을 구비하여 구성되어 있다. 도광판(219)은, 이면(裏面) 전체에 산란용의 조면(粗面)이 형성되거나, 혹은 산란용의 인쇄층이 형성된 아크릴 수지판 등의 투명체이며, 광원인 형광관(220)의 광을 단면(端面)으로 받아 들여, 도면의 상면으로부터 거의 균일한 광을 방출하도록 되어 있다. 또한, 도 1에서는 설명의 편의상, 이러한 TFT 어레이 기판(10)에 대하여 외장되는 형광관(220)의 도시를 생략하고 있다.

또한, 도 1 및 도 2에 도시한 TFT 어레이 기판(10) 상에는, 이것들의 데이터선 구동 회로(101), 주사선 구동 회로(104) 등에 추가하여, 화상 신호선 상의 화상신호를 샘플링하여 데이터선에 공급하는 샘플링 회로, 복수의 데이터선에 소정 전압 레벨의 프리 차지 신호를 화상 신호에 선행하여 각각 공급하는 프리 차지 회로, 제조 도중이나 출하 시의 당해 전기 광학 장치의 품질, 결함 등을 검사하기 위한 검사 회로 등을 형성하더라도 좋다. 또한, 본 실시예에서는, 데이터선 구동 회로(101)나 주사선 구동 회로(104)를 TFT 어레이 기판(10)의 위에 마련하는 대신에, 예컨대 TAB(Tape Automated bonding) 기판 상에 실장된 구동용 LSI에, TFT 어레이 기판(10)의 주변부에 마련된 이방성 도전 필름을 거쳐서 전기적 및 기계적으로 접속하도록 하더라도 좋다.

다음에 도 3을 참조하여, 도 1 및 도 2에 도시한 전기 광학 장치의 화소부에 있어서의 전기적인 구성에 대하여 상세히 설명한다. 여기에서, 도 3은, TFT 어레이 기판 상에 구성되는 배선, 전자 소자 등의 등가 회로도이다.

도 3에 있어서, 본 실시예에 있어서의 전기 광학 장치의 화상 표시 영역을 구성하는 매트릭스 형상으로 형성된 복수의 화소에는 각각, 화소 전극(9a)과 당해 화소 전극(9a)을 스위칭 제어하기 위한 TFT(30)가 형성되어 있고, 화상 신호가 공급되는 데이터선(6a)이 당해 TFT(30)의 소스에 전기적으로 접속되어 있다. 데이터선(6a)에 기입하는 화상 신호 S1, S2, …, Sn은, 이 순서대로 선순차적으로 공급하더라도 무방하고, 서로 인접하는 복수의 데이터선(6a)끼리에 대하여, 그룹마다 공급하도록 하더라도 좋다. 또한, TFT(30)의 게이트에 주사선(3a)이 전기적으로 접속되어 있고, 소정의 타이밍으로, 주사선(3a)에 펄스식으로 주사 신호 G1, G2, …, Gm을, 이 순서대로 선순차적으로 인가하도록 구성되어 있다.

화소 전극(9a)은, TFT(30)의 드레인에 전기적으로 접속되어 있고, 스위칭 소자인 TFT(30)를 일정 기간만 그 스위치를 닫는 것에 의해, 데이터선(6a)으로부터 공급되는 화상 신호 S1, S2, …, Sn을 소정의 타이밍으로 기입한다. 화소 전극(9a)을 거쳐서 전기 광학 물질의 일례로서의 액정에 기입된 소정 레벨의 화상 신호 S1, S2, …, Sn은, 대향 기판(20)에 형성된 대향 전극(22)(도 2 참조)과의 사이에서 일정 기간 유지된다. 액정은, 인가되는 전압 레벨에 의해 분자 집합의 배향이나 질서가 변화함으로써, 광을 변조하고, 계조 표시를 가능하게 한다. 노멀리 화이트 모드라면, 각 화소의 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 감소하고, 노멀리 블랙 모드라면, 각 화소의 단위로 인가된 전압에 따라 입사광에 대한 투과율이 증가되어, 전체로서의 전기 광학 장치로부터는 화상 신호에 따른 콘트라스트를 가지는 광이 출사한다. 여기서, 유지된 화상 신호가 누출되는 것을 막기 위해서, 화소 전극(9a)과 대향 전극(22) 사이에 형성되는 액정 용량과 병렬로 축적 용량(70)을 부가한다.

축적 용량(70)은, 예컨대, 용량선(300)의 일부로 이루어지는 고정 전위측 용량 전극과, TFT(30)의 드레인측 및 화소 전극(9a)에 접속된 화소 전위측 용량 전극에 따라서 구성하는 것이 가능하다.

<2. 액정 장치의 상세한 구성>

다음에, 도 4는 액정 장치의 부분 단면도이다. 또한, 각 층이나 각 부재를 도면 상에서 인식 가능한 정도의 크기로 하기 위해서, 각 층이나 각 부재마다 축척을 다르게 한다.

동 도면에 도시하는 바와 같이 액정 장치는, TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20) 사이에 액정층(50)을 충전하여 구성된다.

우선, 대향 기판(20)은, 제 1 투명 기판(201) 상에, 차광막(23), 컬러 필터(500), 배향막(21) 및 대향 전극(22)을 구비한다. 컬러 필터(500)는, 각 화소에 대응하여 매트릭스 형상으로, 적색(R), 녹색(G) 및 청색(B)으로 나누어져 있다. 컬러 필터(500)는, 안료 분산법 등의 포토리소그래피를 이용하여 제조된다. 컬러 필터(500)의 배열에는, 스트라이프 배열 외에, 델타 배열, 모자이크 배열, 삼각(triangle) 배열 등이 있다.

차광막(23)은, 컬러 필터(500)에 있어서의 각 색재 부분의 간극을 규정할 격자 형상으로, 제 1 투명 기판(201) 상에 형성되어 있다. 차광막(23)은, 예컨대 Cr(크롬), Ni(니켈) 등의 금속으로 형성되어 있다. TFT 어레이 기판(10)측에 형성되는 배선부나 소자부는, 대체로 차광막(23)에 의해서 가려진다. 차광막(23)은, 컬러 필터(500)에서의 각 색재 부분의 간극에 있어서의 광 누출을 방지하고, 또한 컬러 필터(500)에서의 혼색 방지의 기능을 갖고 또한 입사광에 기인하는 전기 광학 장치의 온도 상승을 방지하는 기능을 갖는다.

대향 전극(22)은, 컬러 필터(500) 상의 전면에 걸쳐, ITO막 등의 투명 전극막으로 형성되어 있다. 배향막(21)은, 대향 전극(22) 상의 전면에 걸쳐, 형성되어 있다. 배향막(21)은, 예컨대, 폴리이미드 수지가 도포된 후, 소성되고, 또한 연마 처리가 행하여지는 것으로 형성되어 있다.

다음에, TFT 어레이 기판(10)의 밀봉부(52)의 내측에 있어서는, 제 2 투명 기판(202) 상에, 화소 스위칭용의 TFT(30), 데이터선(6a), 반사막(44), 및 투명 도전막(45)을 구비하는 한편, 밀봉부(52)의 외측에 있어서는 데이터선(6a)이 인출되고, 그 단부에 접속 단자(90)가 형성된다.

제 2 투명 기판(202)의 위의 전면에는 하지 절연막(12)이 마련되어 있다. 하지 절연막(12)은, 제 2 투명 기판(202)의 표면의 연마 시에 있어서의 거칠기나, 세정 후에 잔류하는 오염 등으로부터 화소 스위칭용의 TFT(30)의 특성 변화를 방지하는 기능을 갖는다.

화소 스위칭용의 TFT(30)는, LDD(Lightly Doped Drain) 구조를 갖는다. TFT(30)는, 게이트(405), 당해 게이트(405)로부터의 전계에 의해 채널이 형성되는 반도체층(1a)의 채널 영역(1a'), 게이트(405)와 반도체층(1a)을 절연하는 게이트 절연막을 포함하는 절연막(2), 반도체층(1a)의 저농도 소스 영역(1b) 및 저농도 드레인 영역(1c), 반도체층(1a)의 고농도 소스 영역(1d) 및 고농도 드레인 영역(1e)을 구비한다.

TFT(30)의 위에는 제 1 층간 절연막(41), 패시베이션막(42), 및 유기 절연막(43)이 적층되어 있다. 제 1 층간 절연막(41)에는, 콘택트 홀(83, 81)이 개구되어 있고, 패시베이션막(42) 및 유기 절연막(43)에는, 콘택트 홀(85)이 개구되어 있다. 패시베이션막(42)은, TFT(30)를 알칼리 오염이나 수분으로부터 보호하는 보호막으로서 기능하고 또한, 유기 절연막(43)과의 밀착력을 높이는 기능을 갖는다. 또한, 유기 절연막(43)의 재료는 투명하고 또한 양호한 절연 특성을 갖는 유기 물질이며, 예컨대, 아크릴 등이 해당한다.

투과형의 전기 광학 장치의 경우에는, 상기 유기 절연막(43)의 표면은 평탄한 것이 좋지만, 반사형 또는 반투과반사형의 전기 광학 장치의 경우에는, 경면(鏡面) 반사를 피하기 위하여 상기 유기 절연막(43)의 표면에 요철이 형성된다. 도 4는, 후자의 경우를 도시했지만, 전자의 경우에도 본 발명은 마찬가지로 적용되는 것이다.

반도체층(1a)의 드레인 영역(1e)은, 콘택트 홀(83), 중계층(71) 및 콘택트 홀(85)을 거쳐서 투명 도전막(45)과 전기적으로 접속되어 있다. 투명 도전막(45)은 ITO에 의해 구성된다. 또한, 투명 도전막(45)의 밑에는 반사막(44)이 형성되어 있다. 반사막(44)은, 예컨대, 알루미늄에 의해서 구성된다.

투명 도전막(45) 및 반사막(44)은 상술한 화소 전극(9a)(도 2 참조)을 구성한다. 또, 화소 전극(9a)의 상측에는, 연마 처리 등의 소정의 배향 처리가 실시된 배향막(도시 생략)이 마련되어 있으며, 예컨대, 폴리이미드막 등의 유기막으로 구성된다.

화소 전극(9a) 중 투명 도전막(45)만이 연장되는 부분은 백 라이트부터의 광을 투과시키는 투과 영역 A1이 되고, 화소 전극(9a) 중 반사막(44) 및 투명 도전막(45)이 연장되는 부분은 외광을 반사하는 반사 영역 A2가 된다. 또, 화소 전극(9a)의 밑에 유기 절연막(43)에 요철을 마련하고, 반사막(44)의 표면에 다수의 미소한 대략 반구형의 오목부를 형성하더라도 좋다. 이에 따라, 경면 반사를 피하여, 광을 산란시킨 반사 표시가 가능하게 되어 있다.

반도체층(1a)의 고농도 소스 영역(1d)은 콘택트 홀(81)을 거쳐서 데이터선(6a)에 접속되어 있다. 데이터선(6a)은, 복수의 층으로 이루어지는 다층 구조를 갖는다. 이 예의 데이터선(6a)은, 도 5에 도시하는 바와 같이 하층(61), 중앙층(62), 및 상층(63)을 구비한다. 예컨대, 하층(61)은 티탄, 중앙층(62)은 알루미늄, 및 상층(63)은 질화 티탄에 의해 구성된다. 또한, 데이터선(6a)을 도 6에 도시하는 바와 같이 2층 구조로 하더라도 좋다. 이 경우, 하층(64)은 알루미늄인 한편, 상층(65)은 질화 티탄으로 구성된다.

다음에, TFT 어레이 기판(10)의 밀봉부(52)의 외측에 있어서는, 접속 단자(90)가 형성된다. 접속 단자(90)는, 데이터선(6a)의 위에 반사막(44)과 투명 도전막(45)을 패터닝하여 구성된다. 도 7은, 접속 단자(90)의 외관을 도시하는 사시도이다. 이 도면에 도시하는 바와 같이 접속 단자(90)는, 밀봉부(52)의 외측으로서, 데이터선(6a)의 단부에 형성된다.

도 8은 도 7에 도시하는 접속 단자(90)와 그 주변 구성에 대하여 J-J'를 포함하는 평면으로 절단한 단면도이며, 도 9는 도 7에 도시하는 접속 단자(90)에 대하여 K-K'를 포함하는 평면으로 절단한 단면도이다.

이것들의 도면에 도시하는 바와 같이 밀봉부(52)의 외측에는, 유기 절연막(43)이 연장되지 않기 때문에, 접속 단자(90)나 밀봉부(52)의 외측의 배선에 있어서, 유기 절연막(43)의 팽윤 작용에 의해서, 접속 단자(90)나 배선의 신뢰성이 악화된다고 하는 문제가 해소된다.

또한, 밀봉부(52)의 외측의 배선 및 접속 단자(90)를 패시베이션막(42)에 의해서 피복하고 있지 않기 때문에, 패시베이션막(42)을 유기 절연막(43)과 동일한 마스크를 이용하여 패터닝할 수 있다.

또한, 데이터선(6a)의 측벽 및 상면의 일부는 반사막(44)으로 덮여있으므로, 반사막(44)을 패터닝할 때에 중앙층(62)이 에천트에 의해 침식된다고 하는 문제도 해소된다.

덧붙여서, 접속 단자(90)에 있어서는, 반사막(44)에 콘택트 홀(44a)이 형성되고, 콘택트 홀(44a)을 거쳐서 투명 도전막(45)이 데이터선(6a)의 상층(63)과 접속되어 있다. 이것은, 이하의 이유에 의한다.

즉, ITO로 이루어지는 투명 도전막(45)은, 후술하는 바와 같이 반사막(44)이 형성된 후에, 산소를 포함하는 분위기 속에서 스퍼터링 등에 의해 형성된다. 이 때문에, 알루미늄을 재료로 하는 반사막(44)과 투명 도전막(45) 사이의 면에 산화막이 형성되어 버린다. 이 산화막의 단위 면적당의 저항치는, 질화 티탄으로 구성되는 상층(63)의 단위 면적당의 저항치보다 높다. 따라서, 접속 단자(90)에 있어서, 가령, 데이터선(6a) 전체를 반사막(44)으로 피복하면, 도전율이 저하되어, 양호한 도통을 확보하기 어렵게 된다.

한편, 데이터선(6a)을 구성하는 상층(63)은 질화 티탄을 재료로 하므로, 알루미늄과 비교하여 산화되기 어렵고, 투명 도전막(45)을 스퍼터링 등에 의해 형성하는 공정에서 산화막이 형성되는 경우도 없다.

그래서, 반사막(44)에 콘택트 홀(44a)을 형성하고, 콘택트 홀(44a)을 거쳐서 투명 도전막(45)과 데이터선(6a)의 상층(63)을 직접 접속한 것이다. 이에 따라,접속 단자(90)의 저항값을 낮춰서, 양호한 도통을 확보할 수 있다.

<3. 액정 장치의 제조 방법>

다음에, 액정 장치의 제조 방법을 설명한다. 도 10 및 도 11은, TFT 어레이 기판(10)의 제조 공정을 도시하는 공정도이다.

제 1 공정 Sa1에서는, 제 2 투명 기판(202)의 위에, 플래너 프로세스(planar process)를 이용하여, 12, 1a, 2, 제 1 층간막(41) 등을 순차적으로 작성한다.

제 2 공정 Sa2에서는, 콘택트 홀(81, 83)을, 반응성 에칭, 반응성 이온 빔 에칭 등의 건식 에칭(dry etching)에 의해, 혹은, 습식 에칭(wet etching)에 의해 형성한다.

제 3 공정 Sa3에서는, 중계층(71)과 데이터선(6a)을 형성한다. 구체적으로는, 스퍼터 처리 등에 의해, 티탄, 알루미늄, 질화 티탄을 적층하고, 포토리소그래피 공정, 에칭 공정 등에 의해, 중계층(71)과 데이터선(6a)을 형성한다. 이 때, 밀봉부(52)의 밖에 위치하는 접속 단자(90)에 있어서도 데이터선(6a)이 동시에 형성된다.

제 4 공정 Sa4에서는, 중계층(71) 및 데이터선(6a)의 위에서, 예컨대, 상압 또는 감압 CVD 법이나 TEOS 가스 등을 이용하여, NSG, PSG, BSG, BPSG 등의 실리케이트 글라스(silicate glass)막, 질화 실리콘막이나 산화 실리콘막 등으로 이루어지는 패시베이션막(42)을 형성한다.

그리고, 패시베이션막(42)의 위에 광경화형 감광성 아크릴 수지 등 혹은 아크릴계, 에폭시계 등의 유기 절연막(43)을 스핀 코트, 인쇄 등에 의해 도포하고, 경화시킨다. 또, 유기 절연막(43)에 요철을 형성하는 경우에는, 마스크를 이용하여 볼록부를 노광하여 경화시키고, 오목부를 노광하지 않고 미경화로 하여, 포스트 베이크를 행하여 수지를 경화시키면 된다.

다음에, 제 5 공정 Sa5에서는, 유기 절연막(43) 상에, 스퍼터링, 증착 등에 의해 알루미늄을 퇴적하고, 포토리소그래피 공정, 에칭 공정 등에 의해, 반사막(44)을 형성한다. 이 때, 밀봉부(52)의 밖에 위치하는 접속 단자(90)에 있어서, 데이터선(6a)의 측벽으로부터 상면에 걸쳐서 반사막(44)이 패터닝된다. 따라서, 에천트에 의해서 알루미늄의 불필요한 부분을 제거할 때에, 접속 단자(90) 및 데이터선(6a)에 연속하여 밀봉부(52)의 밖으로 연장되는 배선에 있어서, 중앙층(62)을 구성하는 알루미늄이 녹아, 사이드 컷트가 발생한다는 문제가 해소된다.

제 6 공정 Sa6에서는, 콘택트 홀(85)을, 반응성 에칭, 반응성 이온 빔 에칭 등의 건식 에칭에 의해, 혹은, 습식 에칭에 의해 형성한다.

제 7 공정 Sa7에서는, 스퍼터링 등에 의해, 산소 분위기 속에서 ITO를 한 면에 퇴적시키고, 또한, 포토리소그래피 공정, 에칭 공정 등에 의해, 투명 도전막(45)을 형성한다. 이 때, 밀봉부(52)의 밖에 위치하는 접속 단자(90)에 있어서, 데이터선(6a)의 상층(63)과 투명 도전막(45)이 접속된다. 따라서, 스퍼터링에 의해서, 반사막(44)과 투명 도전막(45) 사이의 면에 산화막이 형성되더라도, 접속 단자(90)의 저항치를 낮게 억제할 수 있다. 이상과 같이 하여, TFT 어레이 기판(10)이 제조된다.

다음에, 대향 기판(20)의 제조 방법 및 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)으로 액정 장치를 제조하는 방법에 대하여 설명한다.

대향 기판(20)에 대해서는, 제 1 투명 기판(201)으로서 유리 기판 등의 광 투과성 기판을 준비하고, 제 1 투명 기판(201)의 위에 블랙 매트릭스로서의 차광막(23)을 형성한다. 차광막(23)은, 예컨대 Cr, Ni, 알루미늄 등의 금속 재료를 스퍼터링한 후, 포토리소그래피 공정, 에칭 공정을 거쳐서 형성된다. 또, 차광막(23)은, 상기 금속 재료 외에, 카본이나 티탄 등을 포토 레지스트에 분산시킨 수지 블랙 등의 재료로 형성하더라도 좋다.

그 후, 컬러 필터(500)를 형성하고, 그 위에서 스퍼터링법 등에 의해, ITO 등의 투명 도전성 박막을, 약 50∼200㎚의 두께로 퇴적함으로써, 대향 전극(22)을 형성한다. 또한, 대향 전극(22)의 표면 상의 전면에 폴리이미드 등의 배향막의 도포액을 도포한 후, 소정의 프리 틸트각을 가지도록, 또한 소정 방향으로 연마 처리를 실시하는 것 등에 의해, 배향막(21)을 형성한다. 이상과 같이 하여, 대향 기판(20)이 제조된다.

최후에, 상술한 바와 같이 제조된 TFT 어레이 기판(10)과 대향 기판(20)을, 화소 전극(9a) 및 대향 전극(22)이 서로 대향하도록 밀봉재에 의해 접합하고, 진공흡인법 등의 방법에 의해, 양 기판 사이의 공간에, 예컨대 복수 종류의 네마틱 액정을 혼합하여 이루어지는 액정을 흡인하여, 소정의 두께를 갖는 액정층(50)을 형성함으로써, 상기 구조의 액정 장치가 제조된다.

<4. 액정 장치의 변형예>

상술한 실시예에 있어서는, 유기 절연막(43)이 존재하지 않는 밀봉부(52)의 외측에 있어서 데이터선(6a)의 배선에, 반사막(44)과 투명 도전막(45)의 피복을 실시했지만, 밀봉부(52)의 내측에 있어서 데이터선(6a)에 상술한 피복을 실시하더라도 좋은 것은 물론이다.

예컨대, 도 12에 도시하는 바와 같이 화소 전극(9a)에 대응하는 부분에만 유기 절연막(43)이 존재하는 경우에는, 데이터선(6a)의 측벽을 보호하지 않으면 반사막(44)을 형성할 때에 중앙층(62)이 에천트에 의해 침식된다고 하는 문제가 발생한다. 그래서, 밀봉부(52)의 내측에 있어서도 데이터선(6a)에 상술한 피복을 실시하는 것이 바람직하다.

<5. 전자 기기>

다음에, 상술한 각 실시예에 따른 반투과반사형의 전기 광학 장치를 전자 기기에 이용한 예에 대하여 도 13 내지 도 15를 참조하여 설명한다.

우선, 상술한 전기 광학 장치를, 모바일형 컴퓨터의 표시부에 적용한 예에 대하여 설명한다. 도 13은, 이 구성을 도시하는 사시도이다. 도 13에 있어서, 컴퓨터(1200)는, 키보드(1202)를 구비한 본체부(1204)와, 표시부로서 이용되는 표시 장치(1005)를 구비하고 있다.

다음에, 상술한 전기 광학 장치를, 휴대 전화의 표시부에 적용한 예에 대하여 설명한다. 도 14는, 이 구성을 도시하는 사시도이다. 도 14에 있어서, 휴대전화(1250)는, 복수의 조작 버튼(1252) 외에, 수화구, 송화구와 함께, 상술한 전기 광학 장치를 표시 장치(1005)로서 구비하는 것이다.

다음에, 상술한 전기 광학 장치를, 파인더에 이용한 디지털 스틸 카메라에 대하여 설명한다. 도 15는, 이 구성을 배면에서 도시하는 사시도이다. 디지털 스틸 카메라(1300)에 있어서의 케이스(1302)의 배면에는, 상술한 전기 광학 장치가 표시 장치(1005)로서 마련되고, 케이스(1302)의 전면에 마련된 CCD(1304)에 의한 촬상 신호에 근거하여, 표시를 행하도록 있다. 즉, 표시 장치(1005)는, 피사체를 표시하는 파인더로서 기능하게 된다.

또, 전자 기기로서는, 이것들 외에, 액정 텔레비전이나, 뷰 파인더형, 모니터 직시형의 비디오 테이프 레코더, 차량 항법 시스템, 페이져, 전자 수첩, 전자 계산기, 워드 프로세서, 워크 스테이션, 화상 전화기, POS단말, 터치 패널을 구비한 기기 등을 들 수 있다.

본 발명은, 상술한 실시예에 한정되는 것이 아니라, 청구의 범위 및 명세서 전체로부터 판독할 수 있는 발명의 요지 혹은 사상에 반하지 않는 범위로 적절히 변경 가능하고, 그와 같은 변경에 따른 전기 광학 장치 및 그 제조 방법 및 전자 기기도 또한 본 발명의 기술적 범위에 포함되는 것이다.

본 발명에 의하면, 데이터선의 측벽 및 상면의 일부는 반사막으로 덮여 있으므로, 반사막을 패터닝할 때에 중앙층이 에천트에 의해 침식되지 않으며, 콘택트홀을 거쳐서 투명 도전막이 데이터선의 상층과 접속되어 있기 때문에, 접속 단자의 저항치를 낮춰서, 양호한 도통을 확보할 수 있어, 반투과반사형의 액정 장치 등의 전기 광학 장치에서 신뢰성이 높은 배선 및 접속 단자를 제공한다.

Claims (18)

1. 제 1 층과 상기 제 1 층의 위에 적층된 제 2 층을 갖는 배선을 형성하는 공정과,

   상기 배선의 측벽을 적어도 덮고, 또한, 상기 제 2 층의 상면의 일부를 노출시키도록 상기 배선의 위에서부터 제 3 층을 에칭에 의해 패터닝하는 공정과,

   적어도 상기 제 2 층이 노출되어 있는 부분에 제 4 층을 형성하는 공정

   을 구비하되,

   상기 제 2 층은 상기 제 3 층의 에칭에 이용하는 에천트에 대하여 내식성(耐蝕性)을 갖는 한편, 상기 제 1 층은 상기 에천트에 대하여 침식성(侵蝕性)을 갖는 것

   을 특징으로 하는 배선 구조의 제조 방법.
2. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 층 및 상기 제 3 층은, 동일한 재료에 의해서 구성되는 것을 특징으로 하는 배선 구조의 제조 방법.
3. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 4 층을 형성하는 공정의 일부는, 산소를 포함하는 분위기 속에서 행해지고,

   상기 제 3 층과 상기 제 4 층의 계면에는, 상기 제 2 층의 단위 면적당 저항치와 비교하여 단위 면적당 저항치가 높은 산화막이 형성되며,

   상기 제 2 층의 재료는, 상기 제 3 층의 재료와 비교하여 산화되기 어려운 도전 재료를 이용하는 것

   을 특징으로 하는 배선 구조의 제조 방법.
4. 제 1 항에 있어서,

   상기 배선은,

   상기 제 1 층의 아래에 하층을 갖는 3층 구조이고,

   상기 배선을 형성하는 공정은, 상기 하층, 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층을 순서대로 패터닝하는 것

   을 특징으로 하는 배선 구조의 제조 방법.
5. 제 1 항에 있어서,

   상기 제 1 층은 알루미늄을 포함하고,

   상기 제 2 층은 질화 티탄을 포함하며,

   상기 제 4 층은 산화 인듐 주석을 포함하는 것

   을 특징으로 하는 배선 구조의 제조 방법.
6. 밀봉의 내측에 전기 광학 물질을 봉입하여 구성되는 전기 광학 장치의 제조 방법으로서,

   기판 상에 복수의 전극을 갖는 반도체 소자를 매트릭스 형상으로 형성하는 공정과,

   상기 밀봉의 외측에 형성되는 접속 단자와 접속되어, 제 1 층과 상기 제 1 층의 위에 적층된 제 2 층을 갖는 배선을 형성하는 공정과,

   상기 밀봉의 내측에 있어서, 상기 각 반도체 소자의 위에서부터 절연층을 형성하는 공정과,

   제 1 재료를 이용하여, 상기 각 반도체 소자에 대응하여 상기 절연층 위에 복수의 반사 전극을 형성하고 또한, 상기 배선의 측벽을 적어도 덮으며, 또, 상기 접속 단자의 일부에서는 상기 제 2 층을 노출시키도록 상기 배선의 위에서부터 제 3 층을 형성하는 공정과,

   제 2 재료를 이용하여, 상기 반사 전극을 덮도록 투명 전극을 형성하고 또한, 상기 밀봉의 외측에 위치하는 상기 배선 중, 적어도 상기 제 2 층이 노출되어 있는 부분의 위에서부터 제 4 층을 형성하는 공정

   을 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
7. 제 6 항에 있어서,

   상기 제 1 층은 상기 제 1 재료에 의해서 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
8. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,

   상기 투명 전극 및 상기 제 4 층을 형성하는 공정의 일부는, 산소를 포함하는 분위기 속에서 행해지고,

   상기 제 3 층과 상기 제 4 층의 계면에는, 상기 제 2 층의 단위 면적당 저항치와 비교하여 단위 면적당 저항치가 높은 산화막이 형성되며,

   상기 제 2 층의 재료는, 상기 제 3 층의 재료와 비교하여 산화되기 어려운 도전 재료를 이용하는 것

   을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
9. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,

   상기 배선은, 상기 제 1 층의 아래에 하층을 갖는 3층 구조이고,

   상기 배선을 형성하는 공정은, 상기 하층, 상기 제 1 층 및 상기 제 2 층을 순서대로 패터닝하는 것

   을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
10. 제 6 항 또는 제 7 항에 있어서,

    상기 제 1 층은 알루미늄을 포함하고,

    상기 제 2 층은 질화 티탄을 포함하고,

    상기 제 1 재료는 알루미늄을 포함하고,

    상기 제 2 재료는 산화 인듐 주석을 포함하는 것

    을 특징으로 하는 전기 광학 장치의 제조 방법.
11. 밀봉의 내측에, 전기 광학 물질이 봉입되고, 상기 밀봉의 외측에 접속 단자가 배치되어 구성되는 전기 광학 장치로서,

    상기 접속 단자는,

    제 1 층과,

    상기 제 1 층의 위에 적층된 제 2 층과,

    상기 제 1 층 및 상기 제 2 층의 측벽을 적어도 덮고, 또한, 상기 접속 단자의 일부에서 상기 제 2 층을 노출시키도록 형성된 제 3 층과,

    상기 제 2 층이 노출되어 있는 부분에 형성된 제 4 층

    을 구비한 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
12. 제 11 항에 있어서,

    상기 전기 광학 장치는, 반사 도전성 재료에 의해서 구성된 반사 전극 및 투명 도전성 재료에 의해서 구성된 투명 전극에 의해 형성되는 화소를 구비하는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
13. 제 12 항에 있어서,

    상기 반사 전극과 상기 제 3 층은 동일한 반사 도전성 재료에 의해서 구성되고, 또한, 상기 투명 전극과 상기 제 4 층은 동일한 투명 도전성 재료에 의해서 구성되는 것을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
14. 밀봉의 내측에, 전기 광학 물질이 봉입되고, 상기 밀봉의 외측에 접속 단자와 접속되는 배선이 배치되어 구성되는 전기 광학 장치로서,

    상기 배선은,

    제 1 층과,

    상기 제 1 층의 위에 적층된 제 2 층과,

    상기 제 1 층 및 상기 제 2 층의 측벽을 적어도 덮도록 형성된 제 3 층을 구비한 것

    을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
15. 밀봉의 내측에 전기 광학 물질을 봉입하여 구성되는 전기 광학 장치로서,

    상기 밀봉의 내측에 매트릭스 형상으로 배열된 복수의 반도체 소자와, 상기 각 반도체 소자에 대응하여, 반사 도전성 재료에 의해서 구성된 반사 전극 및 투명 도전성 재료에 의해서 구성된 투명 전극에 의해 형성되는 화소가 배치되고,

    상기 밀봉의 외측에 형성되는 접속 단자와, 제 1 층과 상기 제 1 층의 위에 적층된 제 2 층을 갖는 배선이 접속되어 배치되며,

    상기 접속 단자는,

    상기 제 1 층 및 상기 제 2 층의 측벽을 적어도 덮고, 또한, 적어도 상기 접속 단자의 일부에서는 상기 제 2 층을 노출시키도록 형성된 제 3 층과,

    상기 제 2 층이 노출되어 있는 부분에 형성된 상기 제 4 층을 구비하는 것

    을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
16. 제 15 항에 있어서,

    상기 밀봉의 내측에 있어서,

    상기 반도체 소자의 위에 요철 형상을 갖는 유기 절연막을 구비하고,

    상기 반사 전극은, 상기 유기 절연막의 위에 형성되는 것에 의해 요철 형상을 갖고,

    상기 투명 전극은 상기 반사 전극을 덮도록 형성되고,

    상기 반사 전극과 상기 제 3 층은 동일한 반사 도전성 재료에 의해서 구성되고,

    상기 투명 전극과 상기 제 4 층은 동일한 투명 도전성 재료에 의해서 구성되는 것

    을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
17. 제 16 항에 있어서,

    상기 배선은 상기 제 1 층의 아래에 하층을 구비하는 3층 구조로 구성되고,

    상기 하층은 티탄을 포함하고,

    상기 제 1 층은 알루미늄을 포함하고,

    상기 제 2 층은 질화 티탄을 포함하고,

    상기 반사 전극 및 상기 제 3 층은 알루미늄을 포함하고,

    상기 투명 전극과 상기 제 4 층은 산화 인듐 주석을 포함하는 것

    을 특징으로 하는 전기 광학 장치.
18. 청구항 16 또는 청구항 17에 기재된 상기 전기 광학 장치를 구비한 것을 특징으로 하는 전자 기기.