JP2004333754A - 電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 - Google Patents
電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004333754A JP2004333754A JP2003128074A JP2003128074A JP2004333754A JP 2004333754 A JP2004333754 A JP 2004333754A JP 2003128074 A JP2003128074 A JP 2003128074A JP 2003128074 A JP2003128074 A JP 2003128074A JP 2004333754 A JP2004333754 A JP 2004333754A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- insulating layer
- layer
- electro
- outer edge
- substrate
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Planar Illumination Modules (AREA)
Abstract
【課題】電気光学装置において、表面段差上に形成された電極に接続された配線の断線を低減することのできる構造を提供する。
【解決手段】本発明の電気光学装置は、一対の対向する電極の間に電気光学層が配置された複数の画素を含む表示領域Ｄと、その外側に配置された周辺領域Ｅとを有し、一方側の基板１２１上には画素Ｐ毎に開口部１２３ａを備えた反射層１２３が形成され、その上に第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６とが積層され、画素Ｐにおいては開口部１２３ａの形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、この上に配置された一方の電極１２２ａ−１に接続され表示領域Ｄから周辺領域Ｅに延在する配線１２２ａ−２が設けられ、周辺領域Ｅにおける第１絶縁層１２５の外縁１２５ｅの位置と第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅの位置が配線１２２ａ−２の延在方向に見て相互に異なることを特徴とする。
【選択図】 図７
【解決手段】本発明の電気光学装置は、一対の対向する電極の間に電気光学層が配置された複数の画素を含む表示領域Ｄと、その外側に配置された周辺領域Ｅとを有し、一方側の基板１２１上には画素Ｐ毎に開口部１２３ａを備えた反射層１２３が形成され、その上に第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６とが積層され、画素Ｐにおいては開口部１２３ａの形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、この上に配置された一方の電極１２２ａ−１に接続され表示領域Ｄから周辺領域Ｅに延在する配線１２２ａ−２が設けられ、周辺領域Ｅにおける第１絶縁層１２５の外縁１２５ｅの位置と第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅの位置が配線１２２ａ−２の延在方向に見て相互に異なることを特徴とする。
【選択図】 図７
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に係り、特に、表示領域に設けられた電極に接続され周辺領域に延在する配線を有する液晶表示装置として構成する場合に好適な構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置などの電気光学装置においては、一対の対向する電極間に電気光学層を配置してなる複数の画素が配列された表示領域（有効動作領域）と、この表示領域の外側に配置された周辺領域とが設けられる。この周辺領域には、表示領域に設けられた上記電極から引き出された複数の配線が配設され、これらの配線を介して上記電極が駆動され、表示領域に所望の表示態様が実現される。
【０００３】
上記電気光学装置の一例として液晶表示装置について説明すると、たとえば、ガラスなどの基板上に反射層が形成され、この反射層上にカラーフィルタを構成する着色層が形成され、さらに、この着色層上に透明な絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの透明導電体で構成された透明電極が形成された構造を有するものが知られている。このような液晶表示装置がたとえば反射型カラー液晶表示装置である場合には、一方の基板１の上に反射層２、保護膜３、遮光膜１３、着色層４、保護膜６、密着性向上層５、電極７が順次積層された構造を有する（例えば、以下の特許文献１参照）。
【０００４】
一方、特に携帯型電子機器においては、反射表示と透過表示のいずれもが表示可能に構成された半透過反射型の液晶表示装置が採用される場合が多い。このような半透過反射型の液晶表示装置としては、たとえば、反射機能を有する反射層に画素毎に開口部を形成することにより、この開口部を通してバックライトなどの照明手段の光を透過可能に構成したものが知られている（例えば、以下の特許文献２参照）。すなわち、画素のうち、上記の開口部が設けられている部分が光透過領域となり、その他の部分が光反射領域となるので、昼間などでは光反射領域にて反射される反射光によって表示を視認可能とし、夜間などにおいては照明手段を点灯させて光透過領域を透過する透過光によって表示を視認可能とする。
【０００５】
ところで、上記のような半透過反射型の液晶表示装置においては、透過表示を行う場合には、表示光は照明手段から入射して液晶層を一回だけ通過するのに対して、反射表示を行う場合には、外光が入射して反射層によって反射された表示光は液晶層を往復２回通過するため、リタデーションΔｎ・ｄ（Δｎは液晶分子の屈折率異方性、ｄは液晶層の厚さ）の関数である光変調度合が透過表示と反射表示とで大きく異なることとなることから、透過表示と反射表示とをそれぞれ最適化することが困難であるという問題点がある。すなわち、透過表示と反射表示の一方の表示品位を優先すると他方の表示品位が犠牲になる。このため、上記の液晶表示装置では、上記光透過領域の液晶層を厚く、また、上記光反射領域の液晶層を薄く構成することによって、両表示のコントラストなどをより向上させる構造（マルチギャップ構造）を採用している。
【０００６】
ところが、このような半透過反射型の液晶表示装置では、光反射領域の電極を反射層を兼ねた金属電極とし、光透過領域の電極をＩＴＯなどで構成された透明電極としているため、基板内面上に金属電極が露出していることから耐食性の問題が生じやすいとともに、この金属電極と対向する透明電極との間に極性差が生ずるため、表示品位の低下や長期信頼性の低下をもたらすという問題点がある。
【０００７】
このような問題点を解決する方法としては、反射層上に絶縁層を介して透明電極を形成する方法がある。この方法では、反射層が絶縁層により被覆されるために耐食性の問題を回避することができるとともに、反射層とは別に透明電極を設けるために上記のような極性差が生じないという利点がある。また、このように構成する場合に、カラーフィルタの着色層を保護するための保護膜をパターニングすることにより基板上に表面凹凸を構成し、これによって上記のように光透過領域の液晶層を厚く、光反射領域の液晶層を薄くする構造が採用される場合がある。このような構造を有する液晶表示装置の細部構造を図１５に示す。
【０００８】
図１５に示す液晶表示装置２００においては、第１基板２１０と第２基板２２０との間に液晶層２３５が配置される。第１基板２１０には、基板２１１上に透明下地層２１２、反射層２１３、着色層２１４Ｆ，２１４Ｃ、保護膜２１５、透明電極２１６、配向膜２１７が順次形成され、第２基板２２０には、基板２２１上に透明電極２２２及び配向膜２２３が順次形成されている。反射層２１３には画素Ｐ毎に開口部２１３ａが形成され、この開口部２１３ａによって光透過領域Ｐｔが構成され、その他の部分は光反射領域Ｐｒとなっている。画素間には遮光層２１４ＢＭが形成されている。この液晶表示装置では、保護膜２１５をパターニングするだけで光透過領域Ｐｔにおいて液晶層２３５を厚く、光反射領域Ｐｒにおいて液晶層２３５を薄く形成することができる。また、この図示例では、光透過領域Ｐｔの着色層２１４Ｃの光学濃度を大きくし、光反射領域Ｐｒの着色層２１４Ｆの光学濃度を小さくすることによって、透過表示と反射表示との間の表示態様の差を低減している。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−１４３３４号公報
【特許文献２】
特開平１１−２４２２２６号公報（特に、図１、図４、図２４、図２５など参照。）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１５に示した半透過反射型の液晶表示装置においては、光透過領域Ｐｔにおいて着色層２１４Ｃ上に保護膜２１５が形成されていないことから、着色層２１４Ｃを介して反射層２１３と透明電極２１６との間にリーク電流が流れ、これによって表示品位が低下するといった問題点がある。
【００１１】
一方、上記の問題点を解消するために、光透過領域Ｐｔにおいても反射層２１３の開口部２１３ａ上に絶縁層を形成する場合が考えられるが、この場合には、この絶縁層や保護膜の厚さが増大するため、特に、透明電極２１６に接続された配線の下地表面に、大きな表面段差が生じたり、表面傾斜角が増大したりすることにより、透明導電体の成膜時においてカバレッジ不足などにより配線に断線が発生するという問題点が考えられる。この配線の断線が発生すると、上記透明電極がストライプ状に構成されている場合には、当該透明電極が伸びている画素列全体に表示不良が発生するという深刻な問題を生ずる。
【００１２】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、表面段差を備えた基板上に電極及びこれに接続された配線を形成してなる電気光学装置用基板若しくは電気光学装置において、反射層と電極との間のリーク電流を低減することのできるとともに、表面段差上に形成された電極に接続された配線の断線を低減することのできる構造を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の電気光学装置用基板は、基板上に複数の画素を含む表示領域と、該表示領域の外側に配置された周辺領域とを有する電気光学装置用基板において、前記基板上には前記画素毎に開口部を備えた反射層が形成され、該反射層上に第１絶縁層と第２絶縁層とが積層され、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方が部分的に存在しないことにより、前記開口部の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、前記凹凸表面上に電極が配置され、前記電極に接続され前記表示領域から前記周辺領域に延在する配線が設けられ、前記周辺領域における前記第１絶縁層の外縁位置と前記第２絶縁層の外縁位置が前記配線の延在方向に見て相互に異なることを特徴とする。
【００１４】
上記のように、反射層上に第１絶縁層と第２絶縁層とを積層し、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方が部分的に存在しないことにより、前記開口部の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成されていることにより、マルチギャップタイプの電気光学装置を容易に構成することができる。特に、第１絶縁層と第２絶縁層の少なくとも一方をパターニングすることによって簡単に所望の位置に所望の段差を有する凹凸表面を構成できる。
【００１５】
本発明では、上記の凹凸表面を構成しても、反射層と電極との間には第１絶縁層と第２絶縁層の少なくとも一方が必ず存在するように構成することにより、反射層と電極との間の電気リークを防止することができる。
【００１６】
また、表面領域に設けられた電極に接続された配線が周辺領域に引き出されるように延在し、この配線の延在方向に見て周辺領域における第１絶縁層の外縁位置と第２絶縁層の外縁位置とが相互に異なることにより、周辺領域における配線の下地表面の表面段差（表面傾斜角）を低減することができるため、配線の断線を防止することができる。
【００１７】
ここで、上記第１絶縁層及び第２絶縁層は、透光性を有する無機材料や有機材料などによって構成できる。無機材料としては、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５などが挙げられる。また、有機材料としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂などが挙げられる。特に樹脂材料によって構成する場合、感光性樹脂材料をフォトリソグラフィ法によってパターニングすることが好ましい。このパターニングによって、第１絶縁層と第２絶縁層の少なくとも一方を部分的に除去することができ、これによって上記の表面段差を構成できる。なお、第１絶縁層と第２絶縁層は相互に同じ材料によって構成されていてもよく、或いは、相互に異なる材料によって構成されていてもよい。
【００１８】
また、上記第１絶縁層及び／又は第２絶縁層の外縁上に構成される表面傾斜面の最大傾斜角は１０度以下であることが配線の断線を防止する上でより好ましい。上記外縁上の表面傾斜面は、第１絶縁層及び／又は第２絶縁層の外縁を外側（表示領域から離れる側）へ向けて徐々に薄くするような傾斜状の外縁断面形状とすることによって構成できる。例えば、第１絶縁層又は第２絶縁層が感光性樹脂で構成される場合には、上記外縁となるべき位置において露光強度を外側へ向けて徐々に変化させることによって傾斜状の外縁断面形状を構成できる。
【００１９】
本発明において、前記第１絶縁層の外縁が前記第２絶縁層の外縁よりも前記延在方向に見て前記表示領域側（すなわち内側）に位置することが好ましい。これによれば、第１絶縁層の外縁が第２絶縁層によって被覆されることになるため、第１絶縁層の外縁に起因して生ずる表面傾斜を第２絶縁層によって緩和したり、傾斜角の変化をより滑らかに構成したりすることができることから、配線の断線をより低減することができる。
【００２０】
本発明において、前記周辺領域には前記反射層と前記配線との間に遮光部が構成され、該遮光部の外縁位置は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の外縁位置に対して前記延在方向に見て異なることが好ましい。
【００２１】
配線の下層に遮光部が構成されていることによって、表示領域から周辺領域に延在する配線の高低差も大きくなることから、本発明の構成による効果、すなわち配線の断線防止効果がより顕著に発揮される。また、第１絶縁層、第２絶縁層及び遮光部のそれぞれの外縁位置が相互に異なる位置にあるため、配線の下地表面の段差量を低減し、段差上の表面傾斜角を低減することができることから、配線の断線をより低減することができる。
【００２２】
ここで、遮光部は、配線と第２絶縁層との間、第２絶縁層と第１絶縁層との間、第１絶縁層の下のいずれに配置されていてもよいが、特に、第１絶縁層の下層に遮光部が構成されていることが望ましい。この場合、遮光部の外縁位置が第１絶縁層及び第２絶縁層のうち少なくとも一方の外縁位置より前記表示領域側に配置されていることにより、少なくとも一方の絶縁層によって遮光部が覆われ保護されるため、遮光部の劣化を防止できる。
【００２３】
なお、この遮光部は、黒色樹脂などにより単一材料で構成することもでき、また、後述するように、複数色の着色層を積層することによって構成することも可能である。
【００２４】
本発明において、前記表示領域には、前記反射層と前記電極との間に着色層が形成されていることが好ましい。
【００２５】
この着色層によって電気光学装置の表示を着色することが可能になる。特に、複数色の着色層を配列させることによってマルチカラー表示（例えばフルカラー表示）が可能になる。また、着色層が第１絶縁層及び第２絶縁層の下層に配置されている場合には、第１絶縁層及び第２絶縁層を着色層の保護膜として用いることができる。
【００２６】
また、上記着色層を形成することによって表示領域における第１絶縁層及び第２絶縁層が高い位置に設けられることになるため、表示領域から周辺領域に延在する配線の高低差も増大することから、本発明の構成による効果、すなわち配線の断線防止効果がより顕著に発揮される。
【００２７】
本発明において、前記周辺領域には前記反射層と前記電極との間に複数色の前記着色層が積層されてなる遮光部が構成され、該遮光部を構成する前記複数色の着色層の外縁位置が前記延在方向に見て相互に異なることが好ましい。
【００２８】
このように複数色の着色層を積層することによっても遮光部を構成することができる。特に、表示領域において複数色の着色層が配列形成される場合には、遮光部のための専用の製造工程を設けることなく遮光部を形成できるという利点がある。このとき、複数色の着色層を積層して構成された遮光部は、当然のことながら単層の着色層よりも厚くなるため、周辺領域における配線の下地表面の表面段差量も増大する。したがって、本発明を適用することによる効果がさらに顕著なものとなる。
【００２９】
また、遮光部を構成する複数色の着色層の外縁位置が配線の延在方向に見て相互に異なるように構成されることにより、遮光部が配線の延在方向に見て外側に徐々に薄くなるように形成されるため、配線の下地表面の表面段差量や表面傾斜角を低減することができ、その結果、配線の断線をより低減することが可能になる。
【００３０】
本発明において、前記第１絶縁層は前記表示領域において全面的に形成され、前記第２絶縁層は前記開口部の形成領域において形成されていないことが好ましい。第１絶縁層を表示領域において全面的に形成し、第２絶縁層を開口部の形成領域において形成しないことによって、第１絶縁層によって反射層と電極との間の絶縁性を確保しつつ、表示領域における凹凸表面形状を制御性良く形成することが可能になるため、凹凸表面に起因する光学特性をより向上させることができる。たとえば、液晶装置においては、液晶層の厚さの変化態様を高精度に設定することができるため、液晶分子の配向の乱れの態様やその範囲を制御することにより、コントラストの低下などを防止することができる。
【００３１】
次に、本発明の電気光学装置は、一対の対向する電極の間に電気光学層が配置された複数の画素を含む表示領域と、該表示領域の外側に配置された周辺領域とを有する電気光学装置において、前記電気光学層の一方側には基板が配置され、該基板上には前記画素毎に開口部を備えた反射層が形成され、該反射層上に、前記電気光学層に向けて、第１絶縁層と第２絶縁層とが積層され、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方が部分的に存在しないことにより、前記開口部の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、前記凹凸表面上に一方の前記電極が配置され、前記一方の電極に接続され前記表示領域から前記周辺領域に延在する配線が設けられ、前記周辺領域における前記第１絶縁層の外縁位置と前記第２絶縁層の外縁位置が前記配線の延在方向に見て相互に異なることを特徴とする。
【００３２】
本発明において、前記第１絶縁層の外縁が前記第２絶縁層の外縁よりも前記延在方向に見て前記表示領域側に位置することが好ましい。
【００３３】
本発明において、前記周辺領域には前記反射層と前記電極との間に遮光部が構成され、該遮光部の外縁位置は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の外縁位置に対して前記延在方向に見て異なることが好ましい。この場合、前記遮光部は、第１絶縁層及び第２絶縁層より下層に配置されることが望ましい。このときにはさらに、遮光部の外縁は、第１絶縁層と第２絶縁層の少なくとも一方の外縁より前記表示領域側に配置されていることが好ましい。
【００３４】
本発明において、前記表示領域には、前記反射層と前記電極との間に着色層が形成されていることが好ましい。これにより、表示を着色化する事が可能になる。
【００３５】
本発明において、前記周辺領域には前記反射層と前記電極との間に複数色の前記着色層が積層されてなる遮光部が構成され、該遮光部を構成する前記複数色の着色層の外縁位置が前記延在方向に見て相互に異なることが好ましい。これにより、遮光層の外縁上の表面段差量や表面傾斜角を低減することが可能になる。
【００３６】
本発明において、前記第１絶縁層は前記表示領域において全面的に形成され、前記第２絶縁層は前記開口部の形成領域において形成されていないことが好ましい。これにより、凹凸表面を制御性良く形成することができる。
【００３７】
本発明において、前記配線は、上下導通部を介して前記電気光学層の反対側に導電接続されていることが好ましい。配線が上下導通部を介して電気光学層の反対側に導電接続されていることにより、電気光学層を介して対向する一対の電極を共に電気光学層の一方側に配置することができるので、上記基板上における配線の引き回し面積が低減され、その分、周辺領域の幅を増大させなくても、配線の延在方向の長さを充分に確保することが可能になり、その結果、第１絶縁層の外縁と第２絶縁層の外縁を相互に離反させることができる（遮光部が設けられている場合には、遮光部の外縁からも離反させることができる）ため、配線の下地表面をさらに平坦化或いは平滑化することが可能になることから、配線の断線をさらに低減できる。
【００３８】
本発明において、前記上下導通部は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の外縁以外の平坦面上において前記配線と導電接続されていることが好ましい。これによって、上下導通部の導通状態をより確実に得ることができ、電気的信頼性を向上できる。
【００３９】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、一対の対向する電極の間に電気光学層が配置された複数の画素を含む表示領域と、該表示領域の外側に配置された周辺領域とを有する電気光学装置の製造方法において、前記電気光学層の一方側に基板を配置し、該基板上に前記画素毎に開口部を備えた反射層を形成し、該反射層上に、前記電気光学層に向けて、第１絶縁層と第２絶縁層とを積層し、前記画素においては、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方を部分的に存在させないことにより、前記開口部の形成部位が低く構成された凹凸表面を構成し、前記凹凸表面上に一方の前記電極を配置し、前記一方の電極に接続され前記表示領域から前記周辺領域に延在する配線を設け、前記周辺領域における前記第１絶縁層の外縁位置と前記第２絶縁層の外縁位置を前記配線の延在方向に見て相互に異ならせることを特徴とする。
【００４０】
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の電気光学装置と、該電気光学装置の制御手段とを有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、半透過反射型の構成を有することによって透過表示と反射表示のいずれでも表示が可能となるため、特に、携帯電話機、携帯型情報端末、電子時計などの携帯型電子機器を構成する上できわめて有効である。
【００４１】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器の実施形態について詳細に説明する。以下に説明する各実施形態は、いずれも電気光学装置の一種である液晶装置に関するものであるが、本発明は、液晶装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、フィールドエミッション表示装置などの各種の電気光学装置に用いることができるものである。
【００４２】
［液晶装置の全体構成］
最初に、各実施形態に共通する液晶装置１００の全体構成について説明する。図１は液晶装置１００の分解斜視図、図２は液晶装置１００の平面透視図である。液晶装置１００は、第１基板１１０と、第２基板１２０とをシール材１３１によって貼り合せ、第１基板１１０、第２基板１２０及びシール材１３１によって囲まれた空間内に図示しない電気光学物質である液晶を封入したものである。第１基板１１０は、第２基板１２０の外形よりも張り出した基板張出部１１０Ｔを有し、この基板張出部１１０Ｔの表面上に液晶駆動回路などを内蔵した電子部品（半導体ＩＣチップ）１３２，１３３が実装されている。これらの電子部品１３２，１３３の図示しない複数の端子は、基板張出部１１０Ｔ上にそれぞれ引き出された電極配線１１２ａ、配線１１２ｂ及び入力端子１１２ｃ，１１２ｄに導電接続されている。
【００４３】
第１基板１１０においては、ガラスやプラスチックなどの透明材料で構成される基板１１１の表面上にＩＴＯなどで構成された導体パターン１１２が形成されている。この導体パターン１１２には、シール材１３１の内側に設定された表示領域Ｄ（図２参照）内にストライプ状に形成された電極配線１１２ａが含まれる。これらの電極配線１１２ａは、図示を省略した駆動素子（たとえば、ＴＦＤ（薄膜ダイオード））に接続されている。電極配線１１２ａは、表示領域Ｄ内から上記基板張出部１１０Ｔの表面上に引き出されている。また、表示領域Ｄの外側には周辺領域Ｅ（図２参照）が設けられている。この周辺領域Ｅには基板１１１上に複数の配線１１２ｂが形成されている。これらの配線１１２ｂには、表示領域Ｄとの境界線に沿って配設された接続パッド部１１２ｂｐが設けられている。また、配線１１２ｂにおける接続パッド部１１２ｂｐとは反対側の端部は、上記基板張出部１１０Ｔに引き出されている。さらに、基板張出部１１０Ｔの端縁近傍には、複数の入力端子１１２ｃ，１１２ｄが形成されている。これらの入力端子１１２ｃ，１１２ｄは、図示しないフレキシブル配線基板などの配線部材が接続されることにより、外部の表示制御手段から制御信号や表示データなどを導入可能とするためのものである。
【００４４】
一方、第２基板１２０には、ガラスやプラスチックなどで構成された基板１２１の表面（第１基板１１０と対向する内面）上に、ＩＴＯなどで構成される導体パターン１２２が形成されている。この導体パターン１２２には、ストライプ状に構成された複数の帯状導体１２２ａが設けられている。これらの帯状導体１２２ａの端部にはそれぞれ接続パッド部１２２ａｐが形成されている。これらの帯状導体１２２ａは、上記第１基板１１０の電極配線１１２ａの延長方向と直交する方向に伸びている。
【００４５】
図３は、第２基板１２０に設けられた帯状導体１２２ａの両端部近傍を拡大して示す概略平面図である。帯状導体１２２ａは、表示領域Ｄ内に配置された部分が電極１２２ａ−１となっており、この電極１２２ａ−１と一体に構成された配線１２２ａ−２は周辺領域Ｅにおいて外側に向けて延在している。上記接続パッド部１２２ａｐは上記配線１２２ａ−２の外側の端部において拡幅した形状に構成されている。なお、この配線１２２ａ−２及びその近傍の構成について以下に説明する場合、表示領域Ｄ側を内側、周辺方向Ｅ側或いはさらにその外縁に向かう方向を外側ということにする。
【００４６】
図４に示すように、帯状導体１２２ａの接続パッド部１２２ａｐは、シール材１３１を介して配線１１２ｂの接続パッド部１１２ｂｐに接続されている。シール材１３１には、樹脂基材中に多数の微小な導電粒子１３１Ａが分散配置されている。なお、図４ではシール材１３１の幅と導電粒子１３１Ａの直径とがほぼ同様に描かれているが、実際には、導電粒子１３１Ａの外径は５〜１０μｍ程度であり、シール材１３１の幅は０．１〜３．０ｍｍ程度である。これらの導電粒子１３１Ａは、第１基板１１０と第２基板１２０とがシール材１３１を介して貼り合わされ、加圧された状態でシール材１３１が硬化されたとき、接続パッド部１２１ｂｐと接続パッド部１２２ａｐとを導電接続するように構成されている。より具体的には、上記のような構成によりシール材１３１は導電異方性を有するので、複数の接続パッド部１１２ｂｐと接続パッド部１２２ａｐとは、このシール材１３１を介して相互に対応するもの同士のみが導電接続される。
【００４７】
本実施形態では、上記のように第２基板１２０において配線１２２ａ−２の端部に接続パッド部１２２ａｐが設けられ、この接続パッド部１２２ａｐから上下導通部であるシール材１３１を介して電気光学層である液晶層の反対側に導電接続される配線構造を有している。このため、第２基板１２０において配線構造の引き回し面積を小さくすることが可能になることから、第２基板１２０の周辺領域Ｅの幅を拡大しなくても、配線１２２ａ−２の長さを充分に確保することが可能になる。したがって、後述する第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の外縁を表示領域Ｄからより離れた場所に配置することが可能になることから、配線１２２ａ−２の下地表面の表面段差量や表面傾斜角を低減することができ、その結果、配線１２２ａ−２の断線の発生確率を低減できるという利点がある。
【００４８】
この実施形態では、上下導通部に設けられる接続パッド部１２２ａｐは、基板１２１の表面上に直接形成され、これによってその表面がほぼ平坦面となっているため、シール材１３１による導電接続の信頼性を向上させることができる。ただし、接続パッド部１２２ａｐは、基板１２１上に直接形成されている必要はなく、たとえば、第１絶縁層１２５や第２絶縁層１２６の表面上に形成されていても構わない。ただし、この場合、第１絶縁層１２５の外縁１２５ｅや第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅの直上位置を除いた、表面が平坦な部分に接続パッド部１２２ａｐが形成されることが好ましい。
【００４９】
［第１実施形態］
次に、図５及び図７乃至図９を参照して本発明に係る電気光学装置用基板及び電気光学装置の第１実施形態について説明する。図７は、液晶装置１００の第２基板１２０について表示領域Ｄと周辺領域Ｅの境界近傍を示す拡大平面透視図、図８は、液晶装置１００の表示領域Ｄ内の一部を配線１２２ａ−２の延在方向に切断した状態を示す拡大断面図、図９は、液晶装置１００の表示領域Ｄ内の一部を配線１２２ａ−２の延在方向と直交する方向に切断した状態を示す拡大断面図である。
【００５０】
この実施形態では、図７に示すように、表示領域Ｄにおいて複数の画素Ｐが平面的に配列形成されている。表示領域Ｄ内の画素Ｐの間には画素間領域が存在し、この画素間領域には後述する遮光層１２９が形成されている。また、周辺領域Ｅの表示領域Ｄの外縁に沿った部分にも遮光層１２９が表示領域Ｄを取り囲むように構成されている。
【００５１】
図９に示すように、第１基板１１０において、上記の電極配線１１２ａは、駆動素子１１３を介して画素電極１１２Ｐに接続されている。駆動素子１１３及び画素電極１１２Ｐは画素毎に形成されている。駆動素子１１３としては、例えば、薄い絶縁膜を介して導体が接合したＭＩＭ構造を有するＴＦＤ（薄膜ダイオード素子）が挙げられる。画素電極１１２Ｐは、たとえば、ＩＴＯなどの透明導電体で構成される。これらの電極配線１１２ａ、駆動素子１１３及び画素電極１１２Ｐの上には、ポリイミド樹脂などで配向膜１１８が形成される。
【００５２】
図８及び図９に示すように、第２基板１２０の基板１２１上には透明下地層１２７が形成されている。この透明下地層１２７の表面には図示しない微細な凹凸が形成されている。透明下地層１２７は、たとえば、基板１２１の表面上に感光性樹脂を塗布し、所定の露光マスクを用いて露光（例えばプロキシミティ露光）した後に現像することによって微細な凹凸表面を備えた状態に形成される。この透明下地層１２７は、その凹凸表面によって以下に説明する反射層１２３の反射面を光散乱性反射面とするために設けられるものである。これによって、反射層１２３の正反射による背景の写り込みや照明光による幻惑などを防止できる。
【００５３】
上記の透明下地層１２７の上には反射層１２３が形成される。この反射層１２３は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金などの金属材料で、蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成される。反射層１２３には、図７に示すように、上記画素Ｐ毎に開口部１２３ａが形成される。この開口部１２３ａによって画素Ｐ内には光透過領域Ｐｔが構成される。この光透過領域Ｐｔ以外は、光反射領域Ｐｒとなっている。反射層の厚さは、一般的に１０００〜２０００Å程度である。
【００５４】
次に、反射層１２３の上に遮光層１２９が形成される。この遮光層１２９は、観察側（図１の下側、図８及び図９の上側）へ放出される表示光をある程度遮断できるものであればよい。たとえば、黒色樹脂層や表面処理（酸化膜）を施した金属層などで構成できる。遮光層１２９は、光学濃度（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）が１以上であることが好ましく、特に、１．５以上であることが望ましい。遮光層１２９の厚さは、たとえば０．５〜３．０μｍ程度である。
【００５５】
また、反射層１２３及び遮光層１２９の上には、第１絶縁層１２５が形成される。第１絶縁層１２５は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５などの透明な無機材料、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明な有機樹脂材料などで構成できる。この第１絶縁層１２５は、材料によっても異なるが、塗布法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などによって形成できる。本実施形態の場合、第１絶縁層１２５は、表示領域Ｄにおいてほぼ等しい厚さになるように形成されている。また、第１絶縁層１２５は表示領域Ｄから周辺領域Ｅに広がり、上記遮光層１２９を越えて外側にさらに広がるように構成されている。第１絶縁層１２５の厚さは、絶縁特性との兼ね合いで決定されるが、アクリル樹脂などで構成する場合には０．５μｍ程度で充分な絶縁性を備えるので、例えば０．５〜２．５μｍ程度とされる。
【００５６】
上記第１絶縁層１２５の上には第２絶縁層１２６が形成されている。この第２絶縁層１２６は、上記第１絶縁層１２５において説明した各素材により、同様の方法で構成できる。第２絶縁層１２６は、図８及び図９に示すように、表示領域Ｄにおいて、開口部１２３ａ上の領域、すなわち光透過領域Ｐｔを避けるように構成されている。より具体的には、第２絶縁層１２６は、光透過領域Ｐｔには形成されておらず、光反射領域Ｐｒには形成されている。これによって、第２基板１２０には、光透過領域Ｐｔにおいて低くなった凹凸表面が構成される。第２絶縁層１２６の厚さは、本実施形態の場合には表面段差量を決定するため、光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとにおける液晶層１３５の必要とされる厚さの差に応じた厚さとされる。第２絶縁層１２６の厚さは、例えば１．５〜３．０μｍ程度である。
【００５７】
次に、上記第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの透明導電体で構成された帯状導体１２２ａが形成される。この帯状導体１２２ａは上述の通り表示領域Ｄ内の電極１２２ａ−１と周辺領域Ｅ内の配線１２２ａ−２が一体に構成されたものである。配線１２２ａ−２は周辺領域Ｅにおいて表示領域Ｄから遠ざかる方向に延在している。電極１２２ａ−１上にはポリイミド樹脂などで配向膜１２８が形成される。
【００５８】
上記の構成によって、第２基板１２０の表面は、光透過領域Ｐｔにおいて一段低く構成された凹凸表面を有する。これによって、第１基板１１０と第２基板１２０との間に挟持された液晶層１３５は、各画素Ｐ毎に、光透過領域Ｐｔで厚く、光反射領域Ｐｒで薄くなるように構成される。すなわち、マルチギャップタイプの液晶装置が構成される。ここで、液晶層１３５の光に対する複屈折率や旋光性の程度（光変調度合）は、リタデーションΔｎ・ｄ（Δｎは液晶層１３５内の液晶分子の屈折率異方性、ｄは液晶層１３５の厚さ）の関数となるため、液晶層１３５の厚さが光透過領域Ｐｔで厚く光反射領域Ｐｒで薄いことによって、透過表示と反射表示の表示品位をより高いレベルで両立させることが可能になる。つまり、光透過領域Ｐｔでは、図示しないバックライトなどの照明手段から放出される照明光は一回だけ液晶層１３５を通過するのに対して、光反射領域Ｐｒでは、入射した外光は往復２回液晶層１３５を通過するので、液晶層１３５の厚さが光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとで等しい場合には、透過表示と反射表示のいずれか一方を光学的に最適化すると、他方は犠牲になり表示品位（例えばコントラストなど）が低下する。これに対して、本実施形態では、光透過領域Ｐｔにおける液晶層１３５は厚く、光反射領域Ｐｒにおける液晶層１３５は薄いため、上記の液晶層１３５に対する通過回数の差による影響が低減され、透過表示と反射表示を共に高品位化することができる。
【００５９】
本実施形態においては、第１絶縁層１２５を画素Ｐ内の全面に形成することにより、反射層１２３と電極１２２ａ−１との絶縁性を確保し、また、第２絶縁層１２６をパターニングすることにより、光透過領域Ｐｔにおいて第２絶縁層１２６が存在せず、光反射領域Ｐｒにおいて第２絶縁層１２６が存在するように構成されていることにより、上記第２基板１２０の表面が凹凸状に構成されている。このように構成すると、より上層にある第２絶縁層１２６がパターニングされることによって上記凹凸表面の段差部分のダレを低減することができるため、凹凸表面形状をより制御性良く形成することができ、所望の光学特性を高精度かつ歩留まり良く得ることができるという利点がある。たとえば、光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとの境界の段差部分に形成される傾斜面の幅は、当該幅内では液晶分子の配向が乱れるため、電極１２２ａ−１に断線が生じない範囲でなるべく小さく構成することが好ましいが、上記の幅は一般的には水平方向に約８〜１０μｍ程度であるのに対して、本実施形態では５〜７μｍ程度の幅に抑制することができる。
【００６０】
なお、図８及び図９に示すように、この液晶装置１００においては、第２基板１２０に向けて偏光板１３６及び位相差板１３７が配置され、第１基板１１０の外側に、観察側（図示上側）に向けて位相差板１３８及び偏光板１３９が配置される。これらの偏光板１３６，１３９及び位相差板１３７，１３８は、第１基板１１０及び第２基板１２０の外面上に貼着固定される。
【００６１】
図５は、本実施形態における第２基板１２０について、周辺領域Ｅの一部（表示領域Ｄに隣接する部分）を拡大して示す拡大部分断面図である。ここで、断面の方向は、上記配線１２２ａ−２の延在方向としてある。また、図５に示す各層の厚さと長さの比は実際のものとは大幅に異なり、厚さを長さに対して拡大して強調表示してある。
【００６２】
図５（ａ）に示す構成においては、第１絶縁層１２５の外縁１２５ｅと、第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅとが配線１２２ａ−２の延在方向に見て相互に異なる位置に形成されている。これによって、外縁１２５ｅ，１２６に起因する表面段差や表面傾斜角を小さくすることができ、配線１２２ａ−２の断線の発生確率を低減できる。
【００６３】
また、この実施形態では、遮光層１２９の外縁１２９ｅは、上記いずれの外縁１２５ｅ，１２６ｅとも上記延在方向に見て異なる位置に形成されている。これによって、配線１２２ａ−２の下地表面は、延在方向に向けてみたとき、外縁１２９ｅ，１２６ｅ，１２５ｅ上の段差が比較的小さくなり、全体として滑らかに傾斜するようになるため、配線１２２ａ−２の断線が発生しにくくなることから、線欠陥の発生が低減される。
【００６４】
ここで、遮光層１２９の外縁１２９ｅが外縁１２５ｅ，１２６ｅの少なくとも一方よりも内側（表示領域Ｄ側）に配置されているため、遮光層１２９は第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６の少なくとも一方により被覆され保護されていることになるから、遮光層１２９の変質を防止することができ、その耐久性を高めることができる。なお、図示例では、遮光層１２９の外縁１２９ｅは外縁１２５ｅ，１２６ｅのいずれよりも内側に配置されていて、遮光層１２９は第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の双方によって被覆されている。
【００６５】
図５（ｂ）に示す構成は、第２絶縁層１２６を、感光性樹脂などをフォトリソグラフィ法などによりパターニングすることにより形成したものである。ガラスなどで構成された基板１２１上に形成した第１絶縁層１２５をパターニングする場合には、下地である基板１２１に対してエッチング液（フォトリソグラフィ法であれば現像液）がしみこみにくいため、外縁１２５ｅの表面傾斜角が小さくなるように構成できるが、第１絶縁層１２５上に第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅを形成しようとする場合には、第１絶縁層１２５自体や第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６の界面にエッチング液（現像液）がしみこみやすくなることなどから、外縁１２６ｅの表面傾斜角が図示のように大きくなりやすい。このため、この外縁１２６ｅの表面上に形成される配線１２２ａ−２の部分に断線が発生しやすい。
【００６６】
このとき、たとえば、フォトリソグラフィ法を用いる場合には、露光量を外縁１２６ｅとなるべき領域にて徐々に外側に向けて変化させ、露光量の変化によって意図的に外縁１２６ｅの表面傾斜角を低下させる対策を採ることができる。たとえば、第１絶縁層１２５の上に第２絶縁層となる感光性樹脂を塗布し、その後、所定の露光マスクを用いて露光を行い、現像することによって第２絶縁層１２６のパターニングを行う場合について説明すれば、感光性樹脂がポジ型であるときには、露光量（照射光のエネルギー密度或いは照射時間）を、外縁１２６ｅとなるべき領域において外側に向けて徐々に大きくし、これによって、炭酸ソーダや水酸化カリウム水溶液などの現像液による溶解量を調整することができる。このとき、露光マスクとしては、要求される露光量に応じて露光波長の光透過率が変化するものを用いることができる。
【００６７】
図５（ｃ）に示す構成においては、第１絶縁層１２５′の外縁１２５ｅ′の位置を、第２絶縁層１２６′の外縁１２６ｅ′の位置よりも内側（すなわち表示領域Ｄ側）に配置してある。この場合には、第１絶縁層１２５′の外縁１２５ｅ′が第２絶縁層１２６′によって覆われるため、外縁１２５ｅ′上の第２絶縁層１２６′の表面部位は外縁１２５ｅ′の表面傾斜よりも緩和された（平坦化或いは平滑化された）面形状となる。したがって、全体として配線１２２ａ−２の断線の発生確率をさらに低減することができる。
【００６８】
この場合、たとえば、第１絶縁層１２５′の外縁１２５ｅ′及び第２絶縁層１２６′の外延１２６ｅ′はいずれも基板１２１上に直接配置されている（すなわち、下層に絶縁層がない部分に配置されている）ため、上記のようなパターニングを行う場合でも、比較的容易にその表面傾斜角を小さく構成することができる。したがって、配線１２２ａ−２の下地表面をより低段差で滑らかなものとすることができることから、さらに配線の断線を低減することができる。
【００６９】
なお、遮光層１２９の外縁１２９ｅは、通常、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の双方に覆われていることから、この外縁１２９ｅの上方に位置する表面段差や表面傾斜角は比較的小さなものとなる。しかし、配線１２２ａ−２の断線をより低減するためには、遮光層１２９の外縁１２９ｅについてもある程度表面傾斜角が小さくなるように形成することが好ましい。
【００７０】
第１絶縁層１２５の外縁１２５ｅや第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅによって生ずる表面傾斜角は、１５度以下であることが好ましく、１０度以下であることが望ましい。なお、この表面傾斜角とは、水平面を基準とする外縁全体の平均の傾斜角度を言うものとする。
【００７１】
この実施形態では、反射層１２３が金属で構成されているため、表示領域Ｄ内において全面的に形成された第１絶縁層１２５によって反射層１２３と電極１２２ａ−１との間の絶縁が確保されている。したがって、電極１２２ａ−１と反射層１２３との間の電気リークによって表示品位が損なわれることはない。
【００７２】
上記実施形態では、第１絶縁層１２５を表示領域Ｄ内に全面的に形成するとともに、第２絶縁層１２６を表示領域Ｄ内において部分的に存在しないように構成することにより、第２基板１２０に、光透過領域Ｐｔが低くなるように構成された凹凸表面を形成している。しかしながら、本発明はこのような場合に限られるものではない。たとえば、第１絶縁層１２５を表示領域Ｄ内において部分的に存在しないように構成することによって第１基板１２０の凹凸表面を形成し、この上に第２絶縁層１２６を全面的に形成することによって電気リークを防止してもよい。さらには、第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６の双方を表示慮域Ｄ内において部分的に存在しないように構成することによって凹凸表面を形成するようにしても構わない。この場合、第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６のいずれか少なくとも一方が反射層１２３と電極１２２ａ−１との間に介在するようにすれば（第１絶縁層１２５の非形成範囲と、第２絶縁層１２６の非形成範囲とが平面的に重ならないようにすれば）、上記の電気リークを防止し、これに起因する表示品位の低下を回避できる。
【００７３】
［第２実施形態］
次に、図６及び図１０乃至図１２を参照して、本発明に係る第２実施形態について説明する。この実施形態において、第１実施形態の構成要素と対応する部分には同一符号を付し、同様の部分についての説明は省略する。
【００７４】
この実施形態においては、図１０乃至図１２に示すように、反射層１２３及びその開口部１２３ａ上に、着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂが配置され、これらの着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂ上に上記第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６が積層されている。各画素Ｐには、複数色の着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂのいずれかが配置されている。これらの複数色の着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂは、上記表示領域Ｄ内において所定の配列パターンとなるように配設されている。この配列パターンとしては、たとえば、公知のストライプ配列、デルタ配列、斜めモザイク配列などが挙げられる。
【００７５】
この実施形態では、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６は、上記着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂを外部から保護する保護膜としても機能するようになっている。
【００７６】
本実施形態において、遮光層１２４ＢＭは、第１実施形態のように単一素材によって構成することもできるが、特に、複数色の着色層を積層することによって構成することが望ましい。これによって、遮光層を形成するための専用の工程を実施する必要がなくなり、着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂの製造工程と共に遮光層１２４ＢＭを形成することが可能になる。遮光層１２４ＢＭは、図示例では、２色の着色層を積層することによって構成してある。ただし、表示領域Ｄに形成する全ての色（図示例では３色）の着色層を積層することによって構成してもよい。この場合には、遮光層１２４ＢＭの厚さが厚くなるものの、遮光層１２４ＢＭの光学濃度を大きくすることができ、より完全な遮光性能を得ることが可能になる。
【００７７】
図６は、周辺領域Ｅにおける表示領域Ｄに隣接した部分を示す拡大部分断面図である。ここで、図面の断面方向が上記配線１２２ａ−２の延在方向となるように設定してある。この周辺領域Ｅにおいては、表示領域Ｄを取り囲むように表示領域Ｄに隣接する部分に遮光層１２４ＢＭが形成されている。この遮光層１２４ＢＭは、図示例では、光学濃度の高い青色の着色層１２４Ｂと、赤色の着色層１２４Ｒとを積層したものとなっている。
【００７８】
図６（ａ）に示す構成においては、第１絶縁層１２５の外縁１２５ｅと、第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅとが配線１２２ａ−２の延在方向に見て相互に異なる位置に配置されている。より具体的には、外縁１２５ｅよりも外縁１２６ｅが内側（表示領域Ｄ側）に配置されている。また、遮光層１２４ＢＭの外縁１２４ＢＭｅは、上記外縁１２５ｅ，１２６ｅのいずれとも異なる位置に配置されている。
【００７９】
ここで、遮光層１２４ＢＭの外縁１２４ＢＭｅが外縁１２５ｅ，１２６ｅの少なくとも一方よりも内側（表示領域Ｄ側）に配置されているため、遮光層１２４ＢＭは第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６の少なくとも一方により被覆され保護されていることになるから、遮光層１２４ＢＭの変質を防止することができ、その耐久性を高めることができる。なお、図示例では、遮光層１２４ＢＭの外縁１２４ＢＭｅは外縁１２５ｅ，１２６ｅのいずれよりも内側に配置されていて、遮光層１２４ＢＭは第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の双方によって被覆されている。
【００８０】
図６（ｂ）に示す構成においては、第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅは第１絶縁層１２５の上に配置されている。この場合、第１実施形態で説明したように、第２絶縁層１２６のパターニング方法によっては図示のように外縁１２６ｅの表面傾斜角が比較的大きくなる場合がある。このような場合には、第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅの表面傾斜角を意図的に小さくする方策を第１実施形態と同様に採用することにより、配線１２２ａ−２の断線を低減できる。
【００８１】
図６（ｃ）に示す構成においては、第１絶縁層１２５′の外縁１２５ｅ′を、第２絶縁層１２６′の外縁１２６ｅ′よりも内側（表示領域Ｄ側）に配置することにより、第１実施形態と同様に、外縁１２６ｅ′上の表面段差又は表面傾斜角を低減している。
【００８２】
また、この構成例では、遮光層１２４ＢＭ′の外縁を緩やかに構成することによって、遮光層１２４ＢＭ′の外縁上の表面段差又は表面傾斜角を低減している。より具体的には、遮光層１２４ＢＭ′を構成する一層目の着色層１２４Ｂ′の外縁１２４Ｂｅ′を、二層目の着色層１２４Ｒ′の外縁１２４Ｒｅ′よりも外側（表示領域Ｄから離れる側）に形成してある。これによって、遮光層１２４ＢＭ′の外縁上の表面をよりなだらかに構成できる。なお、この場合に、着色層１２４Ｂ′の外縁１２４Ｂｅ′と、着色層１２４Ｒ′の外縁１２４Ｒｅ′の双方が上記第１絶縁層１２５′の外縁１２５ｅ′と第２絶縁層１２６′の外縁１２６ｅ′のいずれとも異なる位置に形成されていることが望ましいことはもちろんである。
【００８３】
また、上記とは逆に、一層目の着色層１２４Ｂ′の外縁１２４Ｂｅ′を、二層目の着色層１２４Ｒ′の外縁１２４Ｒｅ′よりも内側（表示領域Ｄ側）に配置してもよい。この場合においても、一層目１２４Ｂ′の外縁１２４Ｂｅ′よりも外側には二層目の着色層１２４Ｒ′だけが存在することとなるため、遮光層１２４ＢＭ′は全体として外側に向けて徐々に薄く形成されることになる。すなわち、上記のように複数色の着色層を積層してなる遮光層では、各着色層の外縁位置を相互に異ならしめることによって、配線１２２ａ−２の断線の発生率を低減できることになる。
【００８４】
［電子機器］
最後に、図１３及び図１４を参照して、本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。この実施形態では、上記電気光学装置（液晶装置１００）を表示手段として備えた電子機器について説明する。図１３は、本実施形態の電子機器における液晶装置１００に対する制御系（表示制御系）の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、表示情報出力源１９１と、表示情報処理回路１９２と、電源回路１９３と、タイミングジェネレータ１９４とを含む表示制御回路１９０を有する。また、上記と同様の液晶装置１００には、上述の構成を有する液晶パネル１００Ａを駆動する駆動回路１００Ｂが設けられている。この駆動回路１００Ｂは、上記のように液晶パネル１００Ａに直接実装されている電子部品（半導体ＩＣチップ）１３２，１３３で構成される。ただし、駆動回路１００Ｂは、上記のような態様の他に、パネル表面上に形成された回路パターン、或いは、液晶パネルに導電接続された回路基板に実装された半導体ＩＣチップ若しくは回路パターンなどによっても構成することができる。
【００８５】
表示情報出力源１９１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１９２に供給するように構成されている。
【００８６】
表示情報処理回路１９２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１００Ｂへ供給する。駆動回路１００Ｂは、走査線駆動回路、信号線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路１９３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００８７】
図１４は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話の外観を示す。この電子機器１０００は、操作部１００１と、表示部１００２とを有し、表示部１００２の内部に回路基板１１００が配置されている。回路基板１１００上には上記の液晶装置１００が実装されている。そして、表示部１００２の表面において上記液晶パネル１００Ａを視認できるように構成されている。
【００８８】
本実施形態の液晶装置１００は、上記のように透過表示と反射表示とを状況に応じて切り替えて実施することが可能であるため、上記のような携帯型の電子機器に搭載される場合に特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態の液晶装置の全体構成を示す概略分解斜視図。
【図２】実施形態の液晶装置の概略平面透視図。
【図３】実施形態の第２基板の導体パターンの一部を拡大して示す拡大部分平面図。
【図４】実施形態の上下導通部を拡大して示す拡大部分断面図。
【図５】第１実施形態の第２基板の周辺領域の一部を拡大して示す拡大部分断面図（ａ）〜（ｃ）。
【図６】第２実施形態の第２基板の周辺領域の一部を拡大して示す拡大部分断面図（ａ）〜（ｃ）。
【図７】第１実施形態の第２基板の一部を拡大して示す拡大平面透視図。
【図８】第１実施形態の表示領域の一部を第２基板の配線の延在方向に拡大して示す部分拡大断面図。
【図９】第１実施形態の表示領域の一部を第２基板の配線の延在方向と直交する方向に拡大して示す部分拡大断面図。
【図１０】第２実施形態の第２基板の一部を拡大して示す拡大平面透視図。
【図１１】第２実施形態の表示領域の一部を第２基板の配線の延在方向に拡大して示す部分拡大断面図。
【図１２】第２実施形態の表示領域の一部を第２基板の配線の延在方向と直交する方向に拡大して示す部分拡大断面図。
【図１３】電子機器に搭載された電気光学装置及びその制御手段を示す概略構成図。
【図１４】電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図１５】従来の半透過反射型の液晶表示装置の構造を示す拡大部分断面図。
【符号の説明】
１００…液晶装置、１１０…第１基板、１２０…第２基板、１２１…基板、１２２…導体パターン、１２２ａ…帯状導体、１２２ａ−１…電極、１２２ａ−２…配線、１２２ａｐ…接続パッド部、１２３…反射層、１２３ａ…開口部、１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂ…着色層、１２４ＢＭ，１２９…遮光層、１２４ＢＭｅ，１２５ｅ，１２６ｅ，１２９ｅ…外縁、１２５…第１絶縁層、１２６…第２絶縁層、１３１…シール材、１３１Ａ…導電粒子、１３２，１３３…電子部品、１３５…液晶層
【発明の属する技術分野】
本発明は電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器に係り、特に、表示領域に設けられた電極に接続され周辺領域に延在する配線を有する液晶表示装置として構成する場合に好適な構造に関する。
【０００２】
【従来の技術】
一般に、液晶表示装置、有機エレクトロルミネッセンス表示装置、プラズマディスプレイ装置などの電気光学装置においては、一対の対向する電極間に電気光学層を配置してなる複数の画素が配列された表示領域（有効動作領域）と、この表示領域の外側に配置された周辺領域とが設けられる。この周辺領域には、表示領域に設けられた上記電極から引き出された複数の配線が配設され、これらの配線を介して上記電極が駆動され、表示領域に所望の表示態様が実現される。
【０００３】
上記電気光学装置の一例として液晶表示装置について説明すると、たとえば、ガラスなどの基板上に反射層が形成され、この反射層上にカラーフィルタを構成する着色層が形成され、さらに、この着色層上に透明な絶縁膜を形成し、この絶縁膜上にＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの透明導電体で構成された透明電極が形成された構造を有するものが知られている。このような液晶表示装置がたとえば反射型カラー液晶表示装置である場合には、一方の基板１の上に反射層２、保護膜３、遮光膜１３、着色層４、保護膜６、密着性向上層５、電極７が順次積層された構造を有する（例えば、以下の特許文献１参照）。
【０００４】
一方、特に携帯型電子機器においては、反射表示と透過表示のいずれもが表示可能に構成された半透過反射型の液晶表示装置が採用される場合が多い。このような半透過反射型の液晶表示装置としては、たとえば、反射機能を有する反射層に画素毎に開口部を形成することにより、この開口部を通してバックライトなどの照明手段の光を透過可能に構成したものが知られている（例えば、以下の特許文献２参照）。すなわち、画素のうち、上記の開口部が設けられている部分が光透過領域となり、その他の部分が光反射領域となるので、昼間などでは光反射領域にて反射される反射光によって表示を視認可能とし、夜間などにおいては照明手段を点灯させて光透過領域を透過する透過光によって表示を視認可能とする。
【０００５】
ところで、上記のような半透過反射型の液晶表示装置においては、透過表示を行う場合には、表示光は照明手段から入射して液晶層を一回だけ通過するのに対して、反射表示を行う場合には、外光が入射して反射層によって反射された表示光は液晶層を往復２回通過するため、リタデーションΔｎ・ｄ（Δｎは液晶分子の屈折率異方性、ｄは液晶層の厚さ）の関数である光変調度合が透過表示と反射表示とで大きく異なることとなることから、透過表示と反射表示とをそれぞれ最適化することが困難であるという問題点がある。すなわち、透過表示と反射表示の一方の表示品位を優先すると他方の表示品位が犠牲になる。このため、上記の液晶表示装置では、上記光透過領域の液晶層を厚く、また、上記光反射領域の液晶層を薄く構成することによって、両表示のコントラストなどをより向上させる構造（マルチギャップ構造）を採用している。
【０００６】
ところが、このような半透過反射型の液晶表示装置では、光反射領域の電極を反射層を兼ねた金属電極とし、光透過領域の電極をＩＴＯなどで構成された透明電極としているため、基板内面上に金属電極が露出していることから耐食性の問題が生じやすいとともに、この金属電極と対向する透明電極との間に極性差が生ずるため、表示品位の低下や長期信頼性の低下をもたらすという問題点がある。
【０００７】
このような問題点を解決する方法としては、反射層上に絶縁層を介して透明電極を形成する方法がある。この方法では、反射層が絶縁層により被覆されるために耐食性の問題を回避することができるとともに、反射層とは別に透明電極を設けるために上記のような極性差が生じないという利点がある。また、このように構成する場合に、カラーフィルタの着色層を保護するための保護膜をパターニングすることにより基板上に表面凹凸を構成し、これによって上記のように光透過領域の液晶層を厚く、光反射領域の液晶層を薄くする構造が採用される場合がある。このような構造を有する液晶表示装置の細部構造を図１５に示す。
【０００８】
図１５に示す液晶表示装置２００においては、第１基板２１０と第２基板２２０との間に液晶層２３５が配置される。第１基板２１０には、基板２１１上に透明下地層２１２、反射層２１３、着色層２１４Ｆ，２１４Ｃ、保護膜２１５、透明電極２１６、配向膜２１７が順次形成され、第２基板２２０には、基板２２１上に透明電極２２２及び配向膜２２３が順次形成されている。反射層２１３には画素Ｐ毎に開口部２１３ａが形成され、この開口部２１３ａによって光透過領域Ｐｔが構成され、その他の部分は光反射領域Ｐｒとなっている。画素間には遮光層２１４ＢＭが形成されている。この液晶表示装置では、保護膜２１５をパターニングするだけで光透過領域Ｐｔにおいて液晶層２３５を厚く、光反射領域Ｐｒにおいて液晶層２３５を薄く形成することができる。また、この図示例では、光透過領域Ｐｔの着色層２１４Ｃの光学濃度を大きくし、光反射領域Ｐｒの着色層２１４Ｆの光学濃度を小さくすることによって、透過表示と反射表示との間の表示態様の差を低減している。
【０００９】
【特許文献１】
特開２００２−１４３３４号公報
【特許文献２】
特開平１１−２４２２２６号公報（特に、図１、図４、図２４、図２５など参照。）
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、図１５に示した半透過反射型の液晶表示装置においては、光透過領域Ｐｔにおいて着色層２１４Ｃ上に保護膜２１５が形成されていないことから、着色層２１４Ｃを介して反射層２１３と透明電極２１６との間にリーク電流が流れ、これによって表示品位が低下するといった問題点がある。
【００１１】
一方、上記の問題点を解消するために、光透過領域Ｐｔにおいても反射層２１３の開口部２１３ａ上に絶縁層を形成する場合が考えられるが、この場合には、この絶縁層や保護膜の厚さが増大するため、特に、透明電極２１６に接続された配線の下地表面に、大きな表面段差が生じたり、表面傾斜角が増大したりすることにより、透明導電体の成膜時においてカバレッジ不足などにより配線に断線が発生するという問題点が考えられる。この配線の断線が発生すると、上記透明電極がストライプ状に構成されている場合には、当該透明電極が伸びている画素列全体に表示不良が発生するという深刻な問題を生ずる。
【００１２】
そこで本発明は上記問題点を解決するものであり、その課題は、表面段差を備えた基板上に電極及びこれに接続された配線を形成してなる電気光学装置用基板若しくは電気光学装置において、反射層と電極との間のリーク電流を低減することのできるとともに、表面段差上に形成された電極に接続された配線の断線を低減することのできる構造を提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】
上記課題を解決するために本発明の電気光学装置用基板は、基板上に複数の画素を含む表示領域と、該表示領域の外側に配置された周辺領域とを有する電気光学装置用基板において、前記基板上には前記画素毎に開口部を備えた反射層が形成され、該反射層上に第１絶縁層と第２絶縁層とが積層され、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方が部分的に存在しないことにより、前記開口部の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、前記凹凸表面上に電極が配置され、前記電極に接続され前記表示領域から前記周辺領域に延在する配線が設けられ、前記周辺領域における前記第１絶縁層の外縁位置と前記第２絶縁層の外縁位置が前記配線の延在方向に見て相互に異なることを特徴とする。
【００１４】
上記のように、反射層上に第１絶縁層と第２絶縁層とを積層し、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方が部分的に存在しないことにより、前記開口部の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成されていることにより、マルチギャップタイプの電気光学装置を容易に構成することができる。特に、第１絶縁層と第２絶縁層の少なくとも一方をパターニングすることによって簡単に所望の位置に所望の段差を有する凹凸表面を構成できる。
【００１５】
本発明では、上記の凹凸表面を構成しても、反射層と電極との間には第１絶縁層と第２絶縁層の少なくとも一方が必ず存在するように構成することにより、反射層と電極との間の電気リークを防止することができる。
【００１６】
また、表面領域に設けられた電極に接続された配線が周辺領域に引き出されるように延在し、この配線の延在方向に見て周辺領域における第１絶縁層の外縁位置と第２絶縁層の外縁位置とが相互に異なることにより、周辺領域における配線の下地表面の表面段差（表面傾斜角）を低減することができるため、配線の断線を防止することができる。
【００１７】
ここで、上記第１絶縁層及び第２絶縁層は、透光性を有する無機材料や有機材料などによって構成できる。無機材料としては、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５などが挙げられる。また、有機材料としては、アクリル系樹脂、エポキシ系樹脂などが挙げられる。特に樹脂材料によって構成する場合、感光性樹脂材料をフォトリソグラフィ法によってパターニングすることが好ましい。このパターニングによって、第１絶縁層と第２絶縁層の少なくとも一方を部分的に除去することができ、これによって上記の表面段差を構成できる。なお、第１絶縁層と第２絶縁層は相互に同じ材料によって構成されていてもよく、或いは、相互に異なる材料によって構成されていてもよい。
【００１８】
また、上記第１絶縁層及び／又は第２絶縁層の外縁上に構成される表面傾斜面の最大傾斜角は１０度以下であることが配線の断線を防止する上でより好ましい。上記外縁上の表面傾斜面は、第１絶縁層及び／又は第２絶縁層の外縁を外側（表示領域から離れる側）へ向けて徐々に薄くするような傾斜状の外縁断面形状とすることによって構成できる。例えば、第１絶縁層又は第２絶縁層が感光性樹脂で構成される場合には、上記外縁となるべき位置において露光強度を外側へ向けて徐々に変化させることによって傾斜状の外縁断面形状を構成できる。
【００１９】
本発明において、前記第１絶縁層の外縁が前記第２絶縁層の外縁よりも前記延在方向に見て前記表示領域側（すなわち内側）に位置することが好ましい。これによれば、第１絶縁層の外縁が第２絶縁層によって被覆されることになるため、第１絶縁層の外縁に起因して生ずる表面傾斜を第２絶縁層によって緩和したり、傾斜角の変化をより滑らかに構成したりすることができることから、配線の断線をより低減することができる。
【００２０】
本発明において、前記周辺領域には前記反射層と前記配線との間に遮光部が構成され、該遮光部の外縁位置は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の外縁位置に対して前記延在方向に見て異なることが好ましい。
【００２１】
配線の下層に遮光部が構成されていることによって、表示領域から周辺領域に延在する配線の高低差も大きくなることから、本発明の構成による効果、すなわち配線の断線防止効果がより顕著に発揮される。また、第１絶縁層、第２絶縁層及び遮光部のそれぞれの外縁位置が相互に異なる位置にあるため、配線の下地表面の段差量を低減し、段差上の表面傾斜角を低減することができることから、配線の断線をより低減することができる。
【００２２】
ここで、遮光部は、配線と第２絶縁層との間、第２絶縁層と第１絶縁層との間、第１絶縁層の下のいずれに配置されていてもよいが、特に、第１絶縁層の下層に遮光部が構成されていることが望ましい。この場合、遮光部の外縁位置が第１絶縁層及び第２絶縁層のうち少なくとも一方の外縁位置より前記表示領域側に配置されていることにより、少なくとも一方の絶縁層によって遮光部が覆われ保護されるため、遮光部の劣化を防止できる。
【００２３】
なお、この遮光部は、黒色樹脂などにより単一材料で構成することもでき、また、後述するように、複数色の着色層を積層することによって構成することも可能である。
【００２４】
本発明において、前記表示領域には、前記反射層と前記電極との間に着色層が形成されていることが好ましい。
【００２５】
この着色層によって電気光学装置の表示を着色することが可能になる。特に、複数色の着色層を配列させることによってマルチカラー表示（例えばフルカラー表示）が可能になる。また、着色層が第１絶縁層及び第２絶縁層の下層に配置されている場合には、第１絶縁層及び第２絶縁層を着色層の保護膜として用いることができる。
【００２６】
また、上記着色層を形成することによって表示領域における第１絶縁層及び第２絶縁層が高い位置に設けられることになるため、表示領域から周辺領域に延在する配線の高低差も増大することから、本発明の構成による効果、すなわち配線の断線防止効果がより顕著に発揮される。
【００２７】
本発明において、前記周辺領域には前記反射層と前記電極との間に複数色の前記着色層が積層されてなる遮光部が構成され、該遮光部を構成する前記複数色の着色層の外縁位置が前記延在方向に見て相互に異なることが好ましい。
【００２８】
このように複数色の着色層を積層することによっても遮光部を構成することができる。特に、表示領域において複数色の着色層が配列形成される場合には、遮光部のための専用の製造工程を設けることなく遮光部を形成できるという利点がある。このとき、複数色の着色層を積層して構成された遮光部は、当然のことながら単層の着色層よりも厚くなるため、周辺領域における配線の下地表面の表面段差量も増大する。したがって、本発明を適用することによる効果がさらに顕著なものとなる。
【００２９】
また、遮光部を構成する複数色の着色層の外縁位置が配線の延在方向に見て相互に異なるように構成されることにより、遮光部が配線の延在方向に見て外側に徐々に薄くなるように形成されるため、配線の下地表面の表面段差量や表面傾斜角を低減することができ、その結果、配線の断線をより低減することが可能になる。
【００３０】
本発明において、前記第１絶縁層は前記表示領域において全面的に形成され、前記第２絶縁層は前記開口部の形成領域において形成されていないことが好ましい。第１絶縁層を表示領域において全面的に形成し、第２絶縁層を開口部の形成領域において形成しないことによって、第１絶縁層によって反射層と電極との間の絶縁性を確保しつつ、表示領域における凹凸表面形状を制御性良く形成することが可能になるため、凹凸表面に起因する光学特性をより向上させることができる。たとえば、液晶装置においては、液晶層の厚さの変化態様を高精度に設定することができるため、液晶分子の配向の乱れの態様やその範囲を制御することにより、コントラストの低下などを防止することができる。
【００３１】
次に、本発明の電気光学装置は、一対の対向する電極の間に電気光学層が配置された複数の画素を含む表示領域と、該表示領域の外側に配置された周辺領域とを有する電気光学装置において、前記電気光学層の一方側には基板が配置され、該基板上には前記画素毎に開口部を備えた反射層が形成され、該反射層上に、前記電気光学層に向けて、第１絶縁層と第２絶縁層とが積層され、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方が部分的に存在しないことにより、前記開口部の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、前記凹凸表面上に一方の前記電極が配置され、前記一方の電極に接続され前記表示領域から前記周辺領域に延在する配線が設けられ、前記周辺領域における前記第１絶縁層の外縁位置と前記第２絶縁層の外縁位置が前記配線の延在方向に見て相互に異なることを特徴とする。
【００３２】
本発明において、前記第１絶縁層の外縁が前記第２絶縁層の外縁よりも前記延在方向に見て前記表示領域側に位置することが好ましい。
【００３３】
本発明において、前記周辺領域には前記反射層と前記電極との間に遮光部が構成され、該遮光部の外縁位置は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の外縁位置に対して前記延在方向に見て異なることが好ましい。この場合、前記遮光部は、第１絶縁層及び第２絶縁層より下層に配置されることが望ましい。このときにはさらに、遮光部の外縁は、第１絶縁層と第２絶縁層の少なくとも一方の外縁より前記表示領域側に配置されていることが好ましい。
【００３４】
本発明において、前記表示領域には、前記反射層と前記電極との間に着色層が形成されていることが好ましい。これにより、表示を着色化する事が可能になる。
【００３５】
本発明において、前記周辺領域には前記反射層と前記電極との間に複数色の前記着色層が積層されてなる遮光部が構成され、該遮光部を構成する前記複数色の着色層の外縁位置が前記延在方向に見て相互に異なることが好ましい。これにより、遮光層の外縁上の表面段差量や表面傾斜角を低減することが可能になる。
【００３６】
本発明において、前記第１絶縁層は前記表示領域において全面的に形成され、前記第２絶縁層は前記開口部の形成領域において形成されていないことが好ましい。これにより、凹凸表面を制御性良く形成することができる。
【００３７】
本発明において、前記配線は、上下導通部を介して前記電気光学層の反対側に導電接続されていることが好ましい。配線が上下導通部を介して電気光学層の反対側に導電接続されていることにより、電気光学層を介して対向する一対の電極を共に電気光学層の一方側に配置することができるので、上記基板上における配線の引き回し面積が低減され、その分、周辺領域の幅を増大させなくても、配線の延在方向の長さを充分に確保することが可能になり、その結果、第１絶縁層の外縁と第２絶縁層の外縁を相互に離反させることができる（遮光部が設けられている場合には、遮光部の外縁からも離反させることができる）ため、配線の下地表面をさらに平坦化或いは平滑化することが可能になることから、配線の断線をさらに低減できる。
【００３８】
本発明において、前記上下導通部は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の外縁以外の平坦面上において前記配線と導電接続されていることが好ましい。これによって、上下導通部の導通状態をより確実に得ることができ、電気的信頼性を向上できる。
【００３９】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、一対の対向する電極の間に電気光学層が配置された複数の画素を含む表示領域と、該表示領域の外側に配置された周辺領域とを有する電気光学装置の製造方法において、前記電気光学層の一方側に基板を配置し、該基板上に前記画素毎に開口部を備えた反射層を形成し、該反射層上に、前記電気光学層に向けて、第１絶縁層と第２絶縁層とを積層し、前記画素においては、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方を部分的に存在させないことにより、前記開口部の形成部位が低く構成された凹凸表面を構成し、前記凹凸表面上に一方の前記電極を配置し、前記一方の電極に接続され前記表示領域から前記周辺領域に延在する配線を設け、前記周辺領域における前記第１絶縁層の外縁位置と前記第２絶縁層の外縁位置を前記配線の延在方向に見て相互に異ならせることを特徴とする。
【００４０】
次に、本発明の電子機器は、上記のいずれかに記載の電気光学装置と、該電気光学装置の制御手段とを有することを特徴とする。本発明に係る電気光学装置は、半透過反射型の構成を有することによって透過表示と反射表示のいずれでも表示が可能となるため、特に、携帯電話機、携帯型情報端末、電子時計などの携帯型電子機器を構成する上できわめて有効である。
【００４１】
【発明の実施の形態】
次に、添付図面を参照して本発明に係る電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器の実施形態について詳細に説明する。以下に説明する各実施形態は、いずれも電気光学装置の一種である液晶装置に関するものであるが、本発明は、液晶装置に限らず、エレクトロルミネッセンス装置、プラズマディスプレイ装置、フィールドエミッション表示装置などの各種の電気光学装置に用いることができるものである。
【００４２】
［液晶装置の全体構成］
最初に、各実施形態に共通する液晶装置１００の全体構成について説明する。図１は液晶装置１００の分解斜視図、図２は液晶装置１００の平面透視図である。液晶装置１００は、第１基板１１０と、第２基板１２０とをシール材１３１によって貼り合せ、第１基板１１０、第２基板１２０及びシール材１３１によって囲まれた空間内に図示しない電気光学物質である液晶を封入したものである。第１基板１１０は、第２基板１２０の外形よりも張り出した基板張出部１１０Ｔを有し、この基板張出部１１０Ｔの表面上に液晶駆動回路などを内蔵した電子部品（半導体ＩＣチップ）１３２，１３３が実装されている。これらの電子部品１３２，１３３の図示しない複数の端子は、基板張出部１１０Ｔ上にそれぞれ引き出された電極配線１１２ａ、配線１１２ｂ及び入力端子１１２ｃ，１１２ｄに導電接続されている。
【００４３】
第１基板１１０においては、ガラスやプラスチックなどの透明材料で構成される基板１１１の表面上にＩＴＯなどで構成された導体パターン１１２が形成されている。この導体パターン１１２には、シール材１３１の内側に設定された表示領域Ｄ（図２参照）内にストライプ状に形成された電極配線１１２ａが含まれる。これらの電極配線１１２ａは、図示を省略した駆動素子（たとえば、ＴＦＤ（薄膜ダイオード））に接続されている。電極配線１１２ａは、表示領域Ｄ内から上記基板張出部１１０Ｔの表面上に引き出されている。また、表示領域Ｄの外側には周辺領域Ｅ（図２参照）が設けられている。この周辺領域Ｅには基板１１１上に複数の配線１１２ｂが形成されている。これらの配線１１２ｂには、表示領域Ｄとの境界線に沿って配設された接続パッド部１１２ｂｐが設けられている。また、配線１１２ｂにおける接続パッド部１１２ｂｐとは反対側の端部は、上記基板張出部１１０Ｔに引き出されている。さらに、基板張出部１１０Ｔの端縁近傍には、複数の入力端子１１２ｃ，１１２ｄが形成されている。これらの入力端子１１２ｃ，１１２ｄは、図示しないフレキシブル配線基板などの配線部材が接続されることにより、外部の表示制御手段から制御信号や表示データなどを導入可能とするためのものである。
【００４４】
一方、第２基板１２０には、ガラスやプラスチックなどで構成された基板１２１の表面（第１基板１１０と対向する内面）上に、ＩＴＯなどで構成される導体パターン１２２が形成されている。この導体パターン１２２には、ストライプ状に構成された複数の帯状導体１２２ａが設けられている。これらの帯状導体１２２ａの端部にはそれぞれ接続パッド部１２２ａｐが形成されている。これらの帯状導体１２２ａは、上記第１基板１１０の電極配線１１２ａの延長方向と直交する方向に伸びている。
【００４５】
図３は、第２基板１２０に設けられた帯状導体１２２ａの両端部近傍を拡大して示す概略平面図である。帯状導体１２２ａは、表示領域Ｄ内に配置された部分が電極１２２ａ−１となっており、この電極１２２ａ−１と一体に構成された配線１２２ａ−２は周辺領域Ｅにおいて外側に向けて延在している。上記接続パッド部１２２ａｐは上記配線１２２ａ−２の外側の端部において拡幅した形状に構成されている。なお、この配線１２２ａ−２及びその近傍の構成について以下に説明する場合、表示領域Ｄ側を内側、周辺方向Ｅ側或いはさらにその外縁に向かう方向を外側ということにする。
【００４６】
図４に示すように、帯状導体１２２ａの接続パッド部１２２ａｐは、シール材１３１を介して配線１１２ｂの接続パッド部１１２ｂｐに接続されている。シール材１３１には、樹脂基材中に多数の微小な導電粒子１３１Ａが分散配置されている。なお、図４ではシール材１３１の幅と導電粒子１３１Ａの直径とがほぼ同様に描かれているが、実際には、導電粒子１３１Ａの外径は５〜１０μｍ程度であり、シール材１３１の幅は０．１〜３．０ｍｍ程度である。これらの導電粒子１３１Ａは、第１基板１１０と第２基板１２０とがシール材１３１を介して貼り合わされ、加圧された状態でシール材１３１が硬化されたとき、接続パッド部１２１ｂｐと接続パッド部１２２ａｐとを導電接続するように構成されている。より具体的には、上記のような構成によりシール材１３１は導電異方性を有するので、複数の接続パッド部１１２ｂｐと接続パッド部１２２ａｐとは、このシール材１３１を介して相互に対応するもの同士のみが導電接続される。
【００４７】
本実施形態では、上記のように第２基板１２０において配線１２２ａ−２の端部に接続パッド部１２２ａｐが設けられ、この接続パッド部１２２ａｐから上下導通部であるシール材１３１を介して電気光学層である液晶層の反対側に導電接続される配線構造を有している。このため、第２基板１２０において配線構造の引き回し面積を小さくすることが可能になることから、第２基板１２０の周辺領域Ｅの幅を拡大しなくても、配線１２２ａ−２の長さを充分に確保することが可能になる。したがって、後述する第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の外縁を表示領域Ｄからより離れた場所に配置することが可能になることから、配線１２２ａ−２の下地表面の表面段差量や表面傾斜角を低減することができ、その結果、配線１２２ａ−２の断線の発生確率を低減できるという利点がある。
【００４８】
この実施形態では、上下導通部に設けられる接続パッド部１２２ａｐは、基板１２１の表面上に直接形成され、これによってその表面がほぼ平坦面となっているため、シール材１３１による導電接続の信頼性を向上させることができる。ただし、接続パッド部１２２ａｐは、基板１２１上に直接形成されている必要はなく、たとえば、第１絶縁層１２５や第２絶縁層１２６の表面上に形成されていても構わない。ただし、この場合、第１絶縁層１２５の外縁１２５ｅや第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅの直上位置を除いた、表面が平坦な部分に接続パッド部１２２ａｐが形成されることが好ましい。
【００４９】
［第１実施形態］
次に、図５及び図７乃至図９を参照して本発明に係る電気光学装置用基板及び電気光学装置の第１実施形態について説明する。図７は、液晶装置１００の第２基板１２０について表示領域Ｄと周辺領域Ｅの境界近傍を示す拡大平面透視図、図８は、液晶装置１００の表示領域Ｄ内の一部を配線１２２ａ−２の延在方向に切断した状態を示す拡大断面図、図９は、液晶装置１００の表示領域Ｄ内の一部を配線１２２ａ−２の延在方向と直交する方向に切断した状態を示す拡大断面図である。
【００５０】
この実施形態では、図７に示すように、表示領域Ｄにおいて複数の画素Ｐが平面的に配列形成されている。表示領域Ｄ内の画素Ｐの間には画素間領域が存在し、この画素間領域には後述する遮光層１２９が形成されている。また、周辺領域Ｅの表示領域Ｄの外縁に沿った部分にも遮光層１２９が表示領域Ｄを取り囲むように構成されている。
【００５１】
図９に示すように、第１基板１１０において、上記の電極配線１１２ａは、駆動素子１１３を介して画素電極１１２Ｐに接続されている。駆動素子１１３及び画素電極１１２Ｐは画素毎に形成されている。駆動素子１１３としては、例えば、薄い絶縁膜を介して導体が接合したＭＩＭ構造を有するＴＦＤ（薄膜ダイオード素子）が挙げられる。画素電極１１２Ｐは、たとえば、ＩＴＯなどの透明導電体で構成される。これらの電極配線１１２ａ、駆動素子１１３及び画素電極１１２Ｐの上には、ポリイミド樹脂などで配向膜１１８が形成される。
【００５２】
図８及び図９に示すように、第２基板１２０の基板１２１上には透明下地層１２７が形成されている。この透明下地層１２７の表面には図示しない微細な凹凸が形成されている。透明下地層１２７は、たとえば、基板１２１の表面上に感光性樹脂を塗布し、所定の露光マスクを用いて露光（例えばプロキシミティ露光）した後に現像することによって微細な凹凸表面を備えた状態に形成される。この透明下地層１２７は、その凹凸表面によって以下に説明する反射層１２３の反射面を光散乱性反射面とするために設けられるものである。これによって、反射層１２３の正反射による背景の写り込みや照明光による幻惑などを防止できる。
【００５３】
上記の透明下地層１２７の上には反射層１２３が形成される。この反射層１２３は、アルミニウム、アルミニウム合金、銀合金などの金属材料で、蒸着法やスパッタリング法などを用いて形成される。反射層１２３には、図７に示すように、上記画素Ｐ毎に開口部１２３ａが形成される。この開口部１２３ａによって画素Ｐ内には光透過領域Ｐｔが構成される。この光透過領域Ｐｔ以外は、光反射領域Ｐｒとなっている。反射層の厚さは、一般的に１０００〜２０００Å程度である。
【００５４】
次に、反射層１２３の上に遮光層１２９が形成される。この遮光層１２９は、観察側（図１の下側、図８及び図９の上側）へ放出される表示光をある程度遮断できるものであればよい。たとえば、黒色樹脂層や表面処理（酸化膜）を施した金属層などで構成できる。遮光層１２９は、光学濃度（Ｏｐｔｉｃａｌ Ｄｅｎｓｉｔｙ）が１以上であることが好ましく、特に、１．５以上であることが望ましい。遮光層１２９の厚さは、たとえば０．５〜３．０μｍ程度である。
【００５５】
また、反射層１２３及び遮光層１２９の上には、第１絶縁層１２５が形成される。第１絶縁層１２５は、ＳｉＯ２、ＴｉＯ２、Ｔａ２Ｏ５などの透明な無機材料、アクリル樹脂やエポキシ樹脂などの透明な有機樹脂材料などで構成できる。この第１絶縁層１２５は、材料によっても異なるが、塗布法、スパッタリング法、ＣＶＤ法などによって形成できる。本実施形態の場合、第１絶縁層１２５は、表示領域Ｄにおいてほぼ等しい厚さになるように形成されている。また、第１絶縁層１２５は表示領域Ｄから周辺領域Ｅに広がり、上記遮光層１２９を越えて外側にさらに広がるように構成されている。第１絶縁層１２５の厚さは、絶縁特性との兼ね合いで決定されるが、アクリル樹脂などで構成する場合には０．５μｍ程度で充分な絶縁性を備えるので、例えば０．５〜２．５μｍ程度とされる。
【００５６】
上記第１絶縁層１２５の上には第２絶縁層１２６が形成されている。この第２絶縁層１２６は、上記第１絶縁層１２５において説明した各素材により、同様の方法で構成できる。第２絶縁層１２６は、図８及び図９に示すように、表示領域Ｄにおいて、開口部１２３ａ上の領域、すなわち光透過領域Ｐｔを避けるように構成されている。より具体的には、第２絶縁層１２６は、光透過領域Ｐｔには形成されておらず、光反射領域Ｐｒには形成されている。これによって、第２基板１２０には、光透過領域Ｐｔにおいて低くなった凹凸表面が構成される。第２絶縁層１２６の厚さは、本実施形態の場合には表面段差量を決定するため、光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとにおける液晶層１３５の必要とされる厚さの差に応じた厚さとされる。第２絶縁層１２６の厚さは、例えば１．５〜３．０μｍ程度である。
【００５７】
次に、上記第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６上には、ＩＴＯ（インジウムスズ酸化物）などの透明導電体で構成された帯状導体１２２ａが形成される。この帯状導体１２２ａは上述の通り表示領域Ｄ内の電極１２２ａ−１と周辺領域Ｅ内の配線１２２ａ−２が一体に構成されたものである。配線１２２ａ−２は周辺領域Ｅにおいて表示領域Ｄから遠ざかる方向に延在している。電極１２２ａ−１上にはポリイミド樹脂などで配向膜１２８が形成される。
【００５８】
上記の構成によって、第２基板１２０の表面は、光透過領域Ｐｔにおいて一段低く構成された凹凸表面を有する。これによって、第１基板１１０と第２基板１２０との間に挟持された液晶層１３５は、各画素Ｐ毎に、光透過領域Ｐｔで厚く、光反射領域Ｐｒで薄くなるように構成される。すなわち、マルチギャップタイプの液晶装置が構成される。ここで、液晶層１３５の光に対する複屈折率や旋光性の程度（光変調度合）は、リタデーションΔｎ・ｄ（Δｎは液晶層１３５内の液晶分子の屈折率異方性、ｄは液晶層１３５の厚さ）の関数となるため、液晶層１３５の厚さが光透過領域Ｐｔで厚く光反射領域Ｐｒで薄いことによって、透過表示と反射表示の表示品位をより高いレベルで両立させることが可能になる。つまり、光透過領域Ｐｔでは、図示しないバックライトなどの照明手段から放出される照明光は一回だけ液晶層１３５を通過するのに対して、光反射領域Ｐｒでは、入射した外光は往復２回液晶層１３５を通過するので、液晶層１３５の厚さが光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとで等しい場合には、透過表示と反射表示のいずれか一方を光学的に最適化すると、他方は犠牲になり表示品位（例えばコントラストなど）が低下する。これに対して、本実施形態では、光透過領域Ｐｔにおける液晶層１３５は厚く、光反射領域Ｐｒにおける液晶層１３５は薄いため、上記の液晶層１３５に対する通過回数の差による影響が低減され、透過表示と反射表示を共に高品位化することができる。
【００５９】
本実施形態においては、第１絶縁層１２５を画素Ｐ内の全面に形成することにより、反射層１２３と電極１２２ａ−１との絶縁性を確保し、また、第２絶縁層１２６をパターニングすることにより、光透過領域Ｐｔにおいて第２絶縁層１２６が存在せず、光反射領域Ｐｒにおいて第２絶縁層１２６が存在するように構成されていることにより、上記第２基板１２０の表面が凹凸状に構成されている。このように構成すると、より上層にある第２絶縁層１２６がパターニングされることによって上記凹凸表面の段差部分のダレを低減することができるため、凹凸表面形状をより制御性良く形成することができ、所望の光学特性を高精度かつ歩留まり良く得ることができるという利点がある。たとえば、光透過領域Ｐｔと光反射領域Ｐｒとの境界の段差部分に形成される傾斜面の幅は、当該幅内では液晶分子の配向が乱れるため、電極１２２ａ−１に断線が生じない範囲でなるべく小さく構成することが好ましいが、上記の幅は一般的には水平方向に約８〜１０μｍ程度であるのに対して、本実施形態では５〜７μｍ程度の幅に抑制することができる。
【００６０】
なお、図８及び図９に示すように、この液晶装置１００においては、第２基板１２０に向けて偏光板１３６及び位相差板１３７が配置され、第１基板１１０の外側に、観察側（図示上側）に向けて位相差板１３８及び偏光板１３９が配置される。これらの偏光板１３６，１３９及び位相差板１３７，１３８は、第１基板１１０及び第２基板１２０の外面上に貼着固定される。
【００６１】
図５は、本実施形態における第２基板１２０について、周辺領域Ｅの一部（表示領域Ｄに隣接する部分）を拡大して示す拡大部分断面図である。ここで、断面の方向は、上記配線１２２ａ−２の延在方向としてある。また、図５に示す各層の厚さと長さの比は実際のものとは大幅に異なり、厚さを長さに対して拡大して強調表示してある。
【００６２】
図５（ａ）に示す構成においては、第１絶縁層１２５の外縁１２５ｅと、第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅとが配線１２２ａ−２の延在方向に見て相互に異なる位置に形成されている。これによって、外縁１２５ｅ，１２６に起因する表面段差や表面傾斜角を小さくすることができ、配線１２２ａ−２の断線の発生確率を低減できる。
【００６３】
また、この実施形態では、遮光層１２９の外縁１２９ｅは、上記いずれの外縁１２５ｅ，１２６ｅとも上記延在方向に見て異なる位置に形成されている。これによって、配線１２２ａ−２の下地表面は、延在方向に向けてみたとき、外縁１２９ｅ，１２６ｅ，１２５ｅ上の段差が比較的小さくなり、全体として滑らかに傾斜するようになるため、配線１２２ａ−２の断線が発生しにくくなることから、線欠陥の発生が低減される。
【００６４】
ここで、遮光層１２９の外縁１２９ｅが外縁１２５ｅ，１２６ｅの少なくとも一方よりも内側（表示領域Ｄ側）に配置されているため、遮光層１２９は第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６の少なくとも一方により被覆され保護されていることになるから、遮光層１２９の変質を防止することができ、その耐久性を高めることができる。なお、図示例では、遮光層１２９の外縁１２９ｅは外縁１２５ｅ，１２６ｅのいずれよりも内側に配置されていて、遮光層１２９は第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の双方によって被覆されている。
【００６５】
図５（ｂ）に示す構成は、第２絶縁層１２６を、感光性樹脂などをフォトリソグラフィ法などによりパターニングすることにより形成したものである。ガラスなどで構成された基板１２１上に形成した第１絶縁層１２５をパターニングする場合には、下地である基板１２１に対してエッチング液（フォトリソグラフィ法であれば現像液）がしみこみにくいため、外縁１２５ｅの表面傾斜角が小さくなるように構成できるが、第１絶縁層１２５上に第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅを形成しようとする場合には、第１絶縁層１２５自体や第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６の界面にエッチング液（現像液）がしみこみやすくなることなどから、外縁１２６ｅの表面傾斜角が図示のように大きくなりやすい。このため、この外縁１２６ｅの表面上に形成される配線１２２ａ−２の部分に断線が発生しやすい。
【００６６】
このとき、たとえば、フォトリソグラフィ法を用いる場合には、露光量を外縁１２６ｅとなるべき領域にて徐々に外側に向けて変化させ、露光量の変化によって意図的に外縁１２６ｅの表面傾斜角を低下させる対策を採ることができる。たとえば、第１絶縁層１２５の上に第２絶縁層となる感光性樹脂を塗布し、その後、所定の露光マスクを用いて露光を行い、現像することによって第２絶縁層１２６のパターニングを行う場合について説明すれば、感光性樹脂がポジ型であるときには、露光量（照射光のエネルギー密度或いは照射時間）を、外縁１２６ｅとなるべき領域において外側に向けて徐々に大きくし、これによって、炭酸ソーダや水酸化カリウム水溶液などの現像液による溶解量を調整することができる。このとき、露光マスクとしては、要求される露光量に応じて露光波長の光透過率が変化するものを用いることができる。
【００６７】
図５（ｃ）に示す構成においては、第１絶縁層１２５′の外縁１２５ｅ′の位置を、第２絶縁層１２６′の外縁１２６ｅ′の位置よりも内側（すなわち表示領域Ｄ側）に配置してある。この場合には、第１絶縁層１２５′の外縁１２５ｅ′が第２絶縁層１２６′によって覆われるため、外縁１２５ｅ′上の第２絶縁層１２６′の表面部位は外縁１２５ｅ′の表面傾斜よりも緩和された（平坦化或いは平滑化された）面形状となる。したがって、全体として配線１２２ａ−２の断線の発生確率をさらに低減することができる。
【００６８】
この場合、たとえば、第１絶縁層１２５′の外縁１２５ｅ′及び第２絶縁層１２６′の外延１２６ｅ′はいずれも基板１２１上に直接配置されている（すなわち、下層に絶縁層がない部分に配置されている）ため、上記のようなパターニングを行う場合でも、比較的容易にその表面傾斜角を小さく構成することができる。したがって、配線１２２ａ−２の下地表面をより低段差で滑らかなものとすることができることから、さらに配線の断線を低減することができる。
【００６９】
なお、遮光層１２９の外縁１２９ｅは、通常、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の双方に覆われていることから、この外縁１２９ｅの上方に位置する表面段差や表面傾斜角は比較的小さなものとなる。しかし、配線１２２ａ−２の断線をより低減するためには、遮光層１２９の外縁１２９ｅについてもある程度表面傾斜角が小さくなるように形成することが好ましい。
【００７０】
第１絶縁層１２５の外縁１２５ｅや第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅによって生ずる表面傾斜角は、１５度以下であることが好ましく、１０度以下であることが望ましい。なお、この表面傾斜角とは、水平面を基準とする外縁全体の平均の傾斜角度を言うものとする。
【００７１】
この実施形態では、反射層１２３が金属で構成されているため、表示領域Ｄ内において全面的に形成された第１絶縁層１２５によって反射層１２３と電極１２２ａ−１との間の絶縁が確保されている。したがって、電極１２２ａ−１と反射層１２３との間の電気リークによって表示品位が損なわれることはない。
【００７２】
上記実施形態では、第１絶縁層１２５を表示領域Ｄ内に全面的に形成するとともに、第２絶縁層１２６を表示領域Ｄ内において部分的に存在しないように構成することにより、第２基板１２０に、光透過領域Ｐｔが低くなるように構成された凹凸表面を形成している。しかしながら、本発明はこのような場合に限られるものではない。たとえば、第１絶縁層１２５を表示領域Ｄ内において部分的に存在しないように構成することによって第１基板１２０の凹凸表面を形成し、この上に第２絶縁層１２６を全面的に形成することによって電気リークを防止してもよい。さらには、第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６の双方を表示慮域Ｄ内において部分的に存在しないように構成することによって凹凸表面を形成するようにしても構わない。この場合、第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６のいずれか少なくとも一方が反射層１２３と電極１２２ａ−１との間に介在するようにすれば（第１絶縁層１２５の非形成範囲と、第２絶縁層１２６の非形成範囲とが平面的に重ならないようにすれば）、上記の電気リークを防止し、これに起因する表示品位の低下を回避できる。
【００７３】
［第２実施形態］
次に、図６及び図１０乃至図１２を参照して、本発明に係る第２実施形態について説明する。この実施形態において、第１実施形態の構成要素と対応する部分には同一符号を付し、同様の部分についての説明は省略する。
【００７４】
この実施形態においては、図１０乃至図１２に示すように、反射層１２３及びその開口部１２３ａ上に、着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂが配置され、これらの着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂ上に上記第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６が積層されている。各画素Ｐには、複数色の着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂのいずれかが配置されている。これらの複数色の着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂは、上記表示領域Ｄ内において所定の配列パターンとなるように配設されている。この配列パターンとしては、たとえば、公知のストライプ配列、デルタ配列、斜めモザイク配列などが挙げられる。
【００７５】
この実施形態では、第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６は、上記着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂを外部から保護する保護膜としても機能するようになっている。
【００７６】
本実施形態において、遮光層１２４ＢＭは、第１実施形態のように単一素材によって構成することもできるが、特に、複数色の着色層を積層することによって構成することが望ましい。これによって、遮光層を形成するための専用の工程を実施する必要がなくなり、着色層１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂの製造工程と共に遮光層１２４ＢＭを形成することが可能になる。遮光層１２４ＢＭは、図示例では、２色の着色層を積層することによって構成してある。ただし、表示領域Ｄに形成する全ての色（図示例では３色）の着色層を積層することによって構成してもよい。この場合には、遮光層１２４ＢＭの厚さが厚くなるものの、遮光層１２４ＢＭの光学濃度を大きくすることができ、より完全な遮光性能を得ることが可能になる。
【００７７】
図６は、周辺領域Ｅにおける表示領域Ｄに隣接した部分を示す拡大部分断面図である。ここで、図面の断面方向が上記配線１２２ａ−２の延在方向となるように設定してある。この周辺領域Ｅにおいては、表示領域Ｄを取り囲むように表示領域Ｄに隣接する部分に遮光層１２４ＢＭが形成されている。この遮光層１２４ＢＭは、図示例では、光学濃度の高い青色の着色層１２４Ｂと、赤色の着色層１２４Ｒとを積層したものとなっている。
【００７８】
図６（ａ）に示す構成においては、第１絶縁層１２５の外縁１２５ｅと、第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅとが配線１２２ａ−２の延在方向に見て相互に異なる位置に配置されている。より具体的には、外縁１２５ｅよりも外縁１２６ｅが内側（表示領域Ｄ側）に配置されている。また、遮光層１２４ＢＭの外縁１２４ＢＭｅは、上記外縁１２５ｅ，１２６ｅのいずれとも異なる位置に配置されている。
【００７９】
ここで、遮光層１２４ＢＭの外縁１２４ＢＭｅが外縁１２５ｅ，１２６ｅの少なくとも一方よりも内側（表示領域Ｄ側）に配置されているため、遮光層１２４ＢＭは第１絶縁層１２５と第２絶縁層１２６の少なくとも一方により被覆され保護されていることになるから、遮光層１２４ＢＭの変質を防止することができ、その耐久性を高めることができる。なお、図示例では、遮光層１２４ＢＭの外縁１２４ＢＭｅは外縁１２５ｅ，１２６ｅのいずれよりも内側に配置されていて、遮光層１２４ＢＭは第１絶縁層１２５及び第２絶縁層１２６の双方によって被覆されている。
【００８０】
図６（ｂ）に示す構成においては、第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅは第１絶縁層１２５の上に配置されている。この場合、第１実施形態で説明したように、第２絶縁層１２６のパターニング方法によっては図示のように外縁１２６ｅの表面傾斜角が比較的大きくなる場合がある。このような場合には、第２絶縁層１２６の外縁１２６ｅの表面傾斜角を意図的に小さくする方策を第１実施形態と同様に採用することにより、配線１２２ａ−２の断線を低減できる。
【００８１】
図６（ｃ）に示す構成においては、第１絶縁層１２５′の外縁１２５ｅ′を、第２絶縁層１２６′の外縁１２６ｅ′よりも内側（表示領域Ｄ側）に配置することにより、第１実施形態と同様に、外縁１２６ｅ′上の表面段差又は表面傾斜角を低減している。
【００８２】
また、この構成例では、遮光層１２４ＢＭ′の外縁を緩やかに構成することによって、遮光層１２４ＢＭ′の外縁上の表面段差又は表面傾斜角を低減している。より具体的には、遮光層１２４ＢＭ′を構成する一層目の着色層１２４Ｂ′の外縁１２４Ｂｅ′を、二層目の着色層１２４Ｒ′の外縁１２４Ｒｅ′よりも外側（表示領域Ｄから離れる側）に形成してある。これによって、遮光層１２４ＢＭ′の外縁上の表面をよりなだらかに構成できる。なお、この場合に、着色層１２４Ｂ′の外縁１２４Ｂｅ′と、着色層１２４Ｒ′の外縁１２４Ｒｅ′の双方が上記第１絶縁層１２５′の外縁１２５ｅ′と第２絶縁層１２６′の外縁１２６ｅ′のいずれとも異なる位置に形成されていることが望ましいことはもちろんである。
【００８３】
また、上記とは逆に、一層目の着色層１２４Ｂ′の外縁１２４Ｂｅ′を、二層目の着色層１２４Ｒ′の外縁１２４Ｒｅ′よりも内側（表示領域Ｄ側）に配置してもよい。この場合においても、一層目１２４Ｂ′の外縁１２４Ｂｅ′よりも外側には二層目の着色層１２４Ｒ′だけが存在することとなるため、遮光層１２４ＢＭ′は全体として外側に向けて徐々に薄く形成されることになる。すなわち、上記のように複数色の着色層を積層してなる遮光層では、各着色層の外縁位置を相互に異ならしめることによって、配線１２２ａ−２の断線の発生率を低減できることになる。
【００８４】
［電子機器］
最後に、図１３及び図１４を参照して、本発明に係る電子機器の実施形態について説明する。この実施形態では、上記電気光学装置（液晶装置１００）を表示手段として備えた電子機器について説明する。図１３は、本実施形態の電子機器における液晶装置１００に対する制御系（表示制御系）の全体構成を示す概略構成図である。ここに示す電子機器は、表示情報出力源１９１と、表示情報処理回路１９２と、電源回路１９３と、タイミングジェネレータ１９４とを含む表示制御回路１９０を有する。また、上記と同様の液晶装置１００には、上述の構成を有する液晶パネル１００Ａを駆動する駆動回路１００Ｂが設けられている。この駆動回路１００Ｂは、上記のように液晶パネル１００Ａに直接実装されている電子部品（半導体ＩＣチップ）１３２，１３３で構成される。ただし、駆動回路１００Ｂは、上記のような態様の他に、パネル表面上に形成された回路パターン、或いは、液晶パネルに導電接続された回路基板に実装された半導体ＩＣチップ若しくは回路パターンなどによっても構成することができる。
【００８５】
表示情報出力源１９１は、ＲＯＭ（Ｒｅａｄ Ｏｎｌｙ Ｍｅｍｏｒｙ）やＲＡＭ（Ｒａｎｄｏｍ Ａｃｃｅｓｓ Ｍｅｍｏｒｙ）等からなるメモリと、磁気記録ディスクや光記録ディスク等からなるストレージユニットと、デジタル画像信号を同調出力する同調回路とを備え、タイミングジェネレータ１９４によって生成された各種のクロック信号に基づいて、所定フォーマットの画像信号等の形で表示情報を表示情報処理回路１９２に供給するように構成されている。
【００８６】
表示情報処理回路１９２は、シリアル−パラレル変換回路、増幅・反転回路、ローテーション回路、ガンマ補正回路、クランプ回路等の周知の各種回路を備え、入力した表示情報の処理を実行して、その画像情報をクロック信号ＣＬＫと共に駆動回路１００Ｂへ供給する。駆動回路１００Ｂは、走査線駆動回路、信号線駆動回路及び検査回路を含む。また、電源回路１９３は、上述の各構成要素にそれぞれ所定の電圧を供給する。
【００８７】
図１４は、本発明に係る電子機器の一実施形態である携帯電話の外観を示す。この電子機器１０００は、操作部１００１と、表示部１００２とを有し、表示部１００２の内部に回路基板１１００が配置されている。回路基板１１００上には上記の液晶装置１００が実装されている。そして、表示部１００２の表面において上記液晶パネル１００Ａを視認できるように構成されている。
【００８８】
本実施形態の液晶装置１００は、上記のように透過表示と反射表示とを状況に応じて切り替えて実施することが可能であるため、上記のような携帯型の電子機器に搭載される場合に特に有効である。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施形態の液晶装置の全体構成を示す概略分解斜視図。
【図２】実施形態の液晶装置の概略平面透視図。
【図３】実施形態の第２基板の導体パターンの一部を拡大して示す拡大部分平面図。
【図４】実施形態の上下導通部を拡大して示す拡大部分断面図。
【図５】第１実施形態の第２基板の周辺領域の一部を拡大して示す拡大部分断面図（ａ）〜（ｃ）。
【図６】第２実施形態の第２基板の周辺領域の一部を拡大して示す拡大部分断面図（ａ）〜（ｃ）。
【図７】第１実施形態の第２基板の一部を拡大して示す拡大平面透視図。
【図８】第１実施形態の表示領域の一部を第２基板の配線の延在方向に拡大して示す部分拡大断面図。
【図９】第１実施形態の表示領域の一部を第２基板の配線の延在方向と直交する方向に拡大して示す部分拡大断面図。
【図１０】第２実施形態の第２基板の一部を拡大して示す拡大平面透視図。
【図１１】第２実施形態の表示領域の一部を第２基板の配線の延在方向に拡大して示す部分拡大断面図。
【図１２】第２実施形態の表示領域の一部を第２基板の配線の延在方向と直交する方向に拡大して示す部分拡大断面図。
【図１３】電子機器に搭載された電気光学装置及びその制御手段を示す概略構成図。
【図１４】電子機器の一例を示す概略斜視図。
【図１５】従来の半透過反射型の液晶表示装置の構造を示す拡大部分断面図。
【符号の説明】
１００…液晶装置、１１０…第１基板、１２０…第２基板、１２１…基板、１２２…導体パターン、１２２ａ…帯状導体、１２２ａ−１…電極、１２２ａ−２…配線、１２２ａｐ…接続パッド部、１２３…反射層、１２３ａ…開口部、１２４Ｒ，１２４Ｇ，１２４Ｂ…着色層、１２４ＢＭ，１２９…遮光層、１２４ＢＭｅ，１２５ｅ，１２６ｅ，１２９ｅ…外縁、１２５…第１絶縁層、１２６…第２絶縁層、１３１…シール材、１３１Ａ…導電粒子、１３２，１３３…電子部品、１３５…液晶層
Claims (11)
- 基板上に複数の画素を含む表示領域と、該表示領域の外側に配置された周辺領域とを有する電気光学装置用基板において、
前記基板上には前記画素毎に開口部を備えた反射層が形成され、該反射層上に第１絶縁層と第２絶縁層とが積層され、
前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方が部分的に存在しないことにより、前記開口部の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、
前記凹凸表面上に電極が配置され、
前記電極に接続され前記表示領域から前記周辺領域に延在する配線が設けられ、
前記周辺領域における前記第１絶縁層の外縁位置と前記第２絶縁層の外縁位置が前記配線の延在方向に見て相互に異なることを特徴とする電気光学装置用基板。 - 前記第１絶縁層の外縁が前記第２絶縁層の外縁よりも前記延在方向に見て前記表示領域側に位置することを特徴とする請求項１に記載の電気光学装置用基板。
- 前記周辺領域には前記反射層と前記配線との間に遮光部が構成され、該遮光部の外縁位置は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の外縁位置に対して前記延在方向に見て異なることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板。
- 前記表示領域には、前記反射層と前記電極との間に着色層が形成されていることを特徴とする請求項１又は２に記載の電気光学装置用基板。
- 前記周辺領域には前記配線の下層に複数色の前記着色層が積層されてなる遮光部が構成され、該遮光部を構成する前記複数色の着色層の外縁位置が前記延在方向に見て相互に異なることを特徴とする請求項４に記載の電気光学装置用基板。
- 前記第１絶縁層は前記表示領域において全面的に形成され、前記第２絶縁層は前記開口部において形成されていないことを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載の電気光学装置用基板。
- 一対の対向する電極の間に電気光学層が配置された複数の画素を含む表示領域と、該表示領域の外側に配置された周辺領域とを有する電気光学装置において、
前記電気光学層の一方側には基板が配置され、該基板上には前記画素毎に開口部を備えた反射層が形成され、該反射層上に、前記電気光学層に向けて、第１絶縁層と第２絶縁層とが積層され、
前記画素においては、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方が部分的に存在しないことにより、前記開口部の形成部位が低く構成された凹凸表面が構成され、
前記凹凸表面上に一方の前記電極が配置され、
前記一方の電極に接続され前記表示領域から前記周辺領域に延在する配線が設けられ、
前記周辺領域における前記第１絶縁層の外縁位置と前記第２絶縁層の外縁位置が前記配線の延在方向に見て相互に異なることを特徴とする電気光学装置。 - 前記配線は、上下導通部を介して前記電気光学層の反対側に導電接続されていることを特徴とする請求項７に記載の電気光学装置。
- 前記上下導通部は、前記第１絶縁層及び前記第２絶縁層の外縁位置以外の平坦面上において前記配線と導電接続されていることを特徴とする請求項８に記載の電気光学装置。
- 一対の対向する電極の間に電気光学層が配置された複数の画素を含む表示領域と、該表示領域の外側に配置された周辺領域とを有する電気光学装置の製造方法において、
前記電気光学層の一方側に基板を配置し、該基板上に前記画素毎に開口部を備えた反射層を形成し、該反射層上に、前記電気光学層に向けて、第１絶縁層と第２絶縁層とを積層し、
前記画素においては、前記第１絶縁層と前記第２絶縁層の少なくとも一方を部分的に存在させないことにより、前記開口部の形成部位が低く構成された凹凸表面を構成し、
前記凹凸表面上に一方の前記電極を配置し、
前記一方の電極に接続され前記表示領域から前記周辺領域に延在する配線を設け、
前記周辺領域における前記第１絶縁層の外縁位置と前記第２絶縁層の外縁位置を前記配線の延在方向に見て相互に異ならせることを特徴とする電気光学装置の製造方法。 - 請求項７乃至９のいずれか一項に記載の電気光学装置と、該電気光学装置の制御手段とを有することを特徴とする電子機器。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003128074A JP4370804B2 (ja) | 2003-05-06 | 2003-05-06 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2003128074A JP4370804B2 (ja) | 2003-05-06 | 2003-05-06 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2004333754A true JP2004333754A (ja) | 2004-11-25 |
| JP4370804B2 JP4370804B2 (ja) | 2009-11-25 |
Family
ID=33504359
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003128074A Expired - Fee Related JP4370804B2 (ja) | 2003-05-06 | 2003-05-06 | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4370804B2 (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7446836B2 (en) | 2004-12-01 | 2008-11-04 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device with reflective and transmissive regions spanning across adjacent pixels of a pixel row |
| CN112581861A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-30 | 群创光电股份有限公司 | 可挠式显示设备 |
-
2003
- 2003-05-06 JP JP2003128074A patent/JP4370804B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7446836B2 (en) | 2004-12-01 | 2008-11-04 | Seiko Epson Corporation | Liquid crystal display device with reflective and transmissive regions spanning across adjacent pixels of a pixel row |
| CN112581861A (zh) * | 2019-09-27 | 2021-03-30 | 群创光电股份有限公司 | 可挠式显示设备 |
| CN112581861B (zh) * | 2019-09-27 | 2023-09-05 | 群创光电股份有限公司 | 可挠式显示设备 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP4370804B2 (ja) | 2009-11-25 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI250341B (en) | Manufacturing method of wire structure, manufacturing method of electrooptical device and electrooptical device | |
| US7675589B2 (en) | Liquid crystal device and electronic apparatus | |
| WO1999053368A1 (fr) | Afficheur a cristaux liquides et dispositif electronique | |
| KR100659430B1 (ko) | 전기 광학 장치 | |
| US20030030055A1 (en) | Color-filter substrate assembly, method for manufacturing the color-filter substrate assembly, electro-optical device, method for manufacturing electro-optical device, and electronic apparatus | |
| US7123327B2 (en) | Substrate for reflective-transmissive electro-optical device having opening in base layer varying in size along a first direction | |
| JP4107047B2 (ja) | 半透過型液晶表示装置 | |
| JP2003302626A (ja) | 電気光学パネル用基板及びその製造方法、電気光学パネル並びに電子機器 | |
| JP4045878B2 (ja) | カラーフィルタ基板、電気光学装置及び電子機器 | |
| JP4370804B2 (ja) | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 | |
| JP4292863B2 (ja) | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電気光学装置の製造方法及び電子機器 | |
| JP2006154599A (ja) | 液晶表示装置、液晶表示装置の製造方法、及び電子機器 | |
| JP2006349789A (ja) | 電気光学装置、電気光学装置の製造方法、及び電子機器 | |
| JP4511248B2 (ja) | 液晶表示装置 | |
| JP4449336B2 (ja) | 電気光学装置用基板、電気光学装置及び電子機器並びに電気光学装置の製造方法 | |
| KR100975132B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
| JP4258231B2 (ja) | 電気光学装置、およびそれを用いた電子機器 | |
| JP2007094030A (ja) | 液晶装置および電子機器 | |
| JP2007052106A (ja) | 半透過型液晶パネル用基板およびその製造方法、半透過型液晶パネルならびに半透過型液晶表示装置 | |
| KR101023975B1 (ko) | 액정 표시 장치 및 이를 형성하기 위한 박막 트랜지스터기판의 제조방법 | |
| JP4466044B2 (ja) | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器 | |
| KR20040110386A (ko) | 액정표시장치 | |
| JP2009145835A (ja) | 液晶装置とその製造方法及び電子機器 | |
| KR20040063621A (ko) | 컬러필터기판 및 이를 갖는 액정표시장치 | |
| JP2005049638A (ja) | 電気光学装置用基板、電気光学装置、電子機器、電気光学装置用基板の製造方法、露光マスク |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060323 |
|
| RD04 | Notification of resignation of power of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424 Effective date: 20070403 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20090219 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20090407 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20090604 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090811 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090824 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120911 Year of fee payment: 3 |
|
| R150 | Certificate of patent (=grant) or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (prs date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130911 Year of fee payment: 4 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |