JP4525011B2 - 電気光学装置の製造方法 - Google Patents

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【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、配線構造および電気光学パネルの製造方法、ならびに、電気光学パネル、その配線構造および電子機器の技術分野に属する。
【0002】
【背景技術】
液晶装置等の電気光学装置は、2枚の基板を所定の間隙を持って張り合わせて構成される。基板間の距離を規制するのは、略四角形の形状をしたシール部と呼ばれる外枠であり、シール部の内側には液晶等の電気光学物質が充填されるようになっている。
【0003】
このような電気光学装置には、バックライトの光を用いて表示する透過型、外光を装置内部で反射した反射光を表示に用いる反射型、さらには、明所では外光を用いた反射表示を行い、暗所では内蔵されたバックライトから発せられる光源光を用いて透過表示を行う半透過反射型がある。
【0004】
半透過反射型の電気光学装置として、マトリックス状に配列された各画素に半透過反射電極を備える内面反射方式のものが開発されている。この装置では、半透過反射電極は、例えば、アルミニウム(アルミニウム)膜等の反射電極或いは反射膜の上に、ITO(インジウム・ティン・オキサイド)膜等の透明電極が重ねて形成されている。
【0005】
また、各画素に対応して薄膜トランジスタ(以下、適宜TFT(Thin Film Transistor)と称す))が設けられている。各TFTのソースは各データ線と接続され、そのドレインは各透明電極と接続され、そのゲートは各走査線と接続されている。各データ線や各走査線は、シール内部から外部へ引き出され、接続端子が形成されている。このような構造に関しては、例えば、特許文献1に記載されている。また、データ線の配線構造として、特許文献2に記載されているように、チタン、アルミニウム、窒化チタンの順に積層された3層構造のものが用いられることがある。
【特許文献1】
特開平06−289414号公報(第2頁、図2)
【特許文献2】
特開2000−243834号公報(第7頁)
【0006】
そして、TFTが形成される基板は、概略、第1にガラス等の基板上にTFTを形成し、第2にデータ線等の配線構造を形成し、第3にその上から保護膜およびアクリル層を形成し、第4に反射電極を形成し、第5に透明電極を形成する、といった工程によって製造される。
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
ところで、データ線等の配線は、シール部の外に引き出されるが、その端部においては、外部からの信号供給を受けるために、電気的な接続を良好に行う接続端子を設ける必要がある。そして、接続端子は、上述した製造工程で形成する必要がある。
【0008】
図16に接続端子部分の断面図を示す。この例では、シール部の外においても配線の上に保護膜とアクリル層を積層し、上述した第5工程において透明電極を形成する際に、コンタクトホールを介して、透明電極と同一材料で接続端子を形成する。この例では、アクリル層のパターニングマスクを用いて、保護膜をパターニングできる。
【0009】
しかし、アクリル層は環境水分により膨潤する性質があるため、接続端子を剥がす作用を引き起こし、信頼性を著しく悪化させてしまうといった問題があった。
【0010】
そこで、図17に示すようにシール部の外ではアクリル層を除去して接続端子部分を構成することも考えられる。この場合には、接続端子の信頼性が向上するが、アクリル層のパターニングマスクとは別のマスクを用いて、保護膜をパターニングする必要がある。したがって、製造コストが上昇するといった問題があった。
【0011】
さらに、図18に示すように、シール部の外では保護膜およびアクリル層を除去して接続端子部分を構成することも考えられる。この場合には、反射電極をパターニングする際に3層構造の配線の中央層(アルミニウム)がエッチャントにより侵食され、中央層にサイドカットが入るといった問題がある。その上に透明導電膜を被せようとすると、エッジ部が十分に被覆できず、透明導電膜が膜はがれを起こし、剥がれた破片が画素電極間に付着し連結点欠陥を引き起こすといった問題があった。
【0012】
本発明は上記問題点に鑑みなされたものであり、配線構造および電気光学パネルの製造方法、ならびに、電気光学パネル、その配線構造および電子機器を提供することを課題とする。
【0013】
上記課題を解決するために、本発明の電気光学装置の製造方法は、第1層と前記第1層の上に積層された第2層とを有する配線を有する電気光学装置の製造方法であって、前記配線の側壁を少なくとも覆い、かつ、前記第2層の上面の一部を露出させるように前記配線の上から第3層をエッチングによりパターニングする工程と、少なくとも前記第2層が露出している部分に第4層を形成する工程とを備え、前記第2層は前記第3層のエッチングに用いるエッチャントにて対して耐食性を有する一方、前記第1層は前記エッチャントに対して侵食性を有することを特徴とする電気光学装置の製造方法。
【0014】
この発明によれば、配線の側壁は第3層により覆われるから、第3層をエッチングによりパターニングする工程において、そのエッチャントが第1層を侵食することはない。したがって、信頼性の高い配線構造を製造することが可能となる。
【0015】
ここで、前記第1層および前記第3層は、同一の材料によって構成されてもよい。また、前記第4層を形成する工程の一部は、酸素を含む雰囲気中で行われ、前記第3層と前記第4層との界面には、前記第2層の単位面積当たりの抵抗値と比較して単位面積の当たりの抵抗値が高い酸化膜が形成され、前記第2層の材料は、前記第3層の材料と比較して酸化されにくい導電材料を用いることが好ましい。この発明によれば、第3層と第4層との介面に酸化膜が形成されたとしても、第2層の材料は、第3層の材料と比較して酸化されにくいので、第2層と第4層との間の導電率は良好なものとなる。この結果、第4層を接続端子の表面に用いれば、低抵抗の接続端子を構成することが可能となる。
【0016】
また、前記配線は、前記第1層の下に下層を有する3層構造であり、前記配線を形成する工程は、前記下層、前記第1層および前記第2層を順にパターニングすることが好ましい。この場合、パターニングに用いるマスクとして同一のものを用いてもよい。
【0017】
さらに、前記第1層はアルミニウムを含み、前記第2層は窒化チタンを含み、前記第4層はインジウム・ティン・オキサイドを含むことが好ましい。
【0018】
次に、本発明の電気光学装置の製造方法は、基板上に複数の電極を有する半導体素子をマトリックス状に形成する工程と、外部からの信号供給を受けるための接続端子と接続され、第1層と前記第1層の上に積層された第2層とを有する配線を形成する工程と、前記各半導体素子の上から絶縁層を形成する工程と、第1材料を用いて、前記各半導体素子に対応して前記絶縁層の上に複数の反射電極を形成するとともに、前記配線の側壁を少なくとも覆い、かつ、前記接続端子の一部では前記第2層を露出させるように前記配線の上から第3層を形成する工程と、第2材料を用いて、前記反射電極を覆うように透明電極を形成するとともに、前記配線のうち、少なくとも前記第2層が露出している部分の上から第4層を形成する工程とを備えたことを特徴とする。
【0019】
この発明によれば、反射電極と第3層を同時に形成することができ、かつ、透明電極と第4層を同時に形成することができるから、工程を削減できる。なお、半導体素子としては、例えば、TFTや薄膜ダイオードTFD(Thin Film Diode)が該当する。
【0020】
また、電気光学装置の製造方法において、前記第1層は前記第1材料によって構成されることが好ましい。この場合、反射電極および第3層をパターニングする際に用いるエッチャントによって第1層は侵食されるが、配線の側壁は第3層によって覆われているので、第1層が侵食されるのを防止することが可能となる。
【0021】
また、電気光学装置の製造方法において、前記透明電極および前記第4層を形成する工程の一部は、酸素を含む雰囲気中で行われ、前記第3層と前記接続電極との界面には、前記第2層の単位面積当たりの抵抗値と比較して単位面積の当たりの抵抗値が高い酸化膜が形成され、前記第2層の材料は、前記第3層の材料と比較して酸化されにくい導電材料を用いることが好ましい。この発明によれば、第3層と第4層との介面に酸化膜が形成されたとしても、第2層の材料は、第3層の材料と比較して酸化されにくいので、第2層と第4層との間の導電率は良好なものとなる。この結果、低抵抗の接続端子を構成することが可能となる。
【0022】
また、電気光学装置の製造方法において、前記配線は、前記第1層の下に下層を有する3層構造であり、前記配線を形成する工程は、前記下層、前記第1層および前記第2層を順にパターニングすることが好ましい。また、前記第1層はアルミニウムを含み、前記第2層は窒化チタンを含み、前記第1材料はアルミニウムを含み、前記第2材料はインジウム・ティン・オキサイドを含むことが好ましい。
【0023】
次に、本発明の電気光学装置は、基板上に、外部からの信号供給を受けるための接続端子が配置されて構成される電気光学装置であって、前記接続端子は、第1層と、前記第1層の上に積層された第2層と、前記第1層および前記第2層の側壁を少なくとも覆い、かつ、前記接続端子の一部において前記第2層を露出させるように形成された第3層と、前記第2層が露出している部分に形成された第4層と、を備えたことを特徴とする。
【0024】
また、本発明の電気光学装置は、基板上に、外部からの信号供給を受けるための接続端子と、該接続端子に接続される配線とが配置されて構成される電気光学装置であって、前記配線は、第1層と、前記第1層の上に積層された第2層と、前記第1層および前記第2層の側壁を少なくとも覆うように形成された第3層と、を備えたことを特徴とする。
【0025】
この発明によれば、配線の側壁は第3層により覆われるから、第3層をエッチングによりパターニングする工程において、そのエッチャントが第1層を侵食することはない。したがって、信頼性の高い配線構造を製造することが可能となる。
【0026】
ここで、前記反射膜と前記第3層とは同一の反射導電性材料によって構成され、かつ、前記透明電極と前記第4層とは同一の透明導電性材料によって構成されることを特徴とする。このような構成により、製造工程の簡略化が可能となる。
【0027】
次に、本発明の電気光学装置は、基板上に、外部からの信号供給を受けるための接続端子が配置されて構成される電気光学装置であって、前記基板上にマトリックス状に配列された複数の半導体素子と、前記各半導体素子に対応して、反射導電性材料によって構成された反射電極および透明導電性材料によって構成された透明電極により形成される画素が配置され、前記接続端子と、第1層と前記第1層の上に積層された第2層とを有する配線とが接続されて配置され、前記接続端子は、前記第1層および前記第2層の側壁を少なくとも覆い、かつ、少なくとも前記接続端子の一部では前記第2層を露出させるように形成された第3層と、前記第2層が露出している部分に形成された前記第4層とを備えていることを特徴とする電気光学装置。この発明によれば、配線の側壁は第3層により覆われるから、第3層をエッチングによりパターニングする工程において、そのエッチャントが第1層を侵食することはない。したがって、信頼性の高い電気光学装置を提供できる。
【0028】
次に、本発明の電気光学装置は、前記半導体素子の上に凹凸形状を有する有機絶縁膜を備え、前記反射電極は、前記有機絶縁膜の上に形成されることにより凹凸形状を有し、前記透明電極は前記反射電極を覆うように形成され、前記反射電極と前記第3層とは同一の反射導電性材料によって構成され、前記透明電極と前記第4層とは同一の透明導電性材料によって構成されることを特徴とする。この場合は製造工程を簡略化することが可能となる。
【0029】
また、前記配線は前記第1層の下に下層を備える3層構造で構成され、前記下層はチタンを含み、前記第1層はアルミニウムを含み、前記第2層は窒素化チタンを含み、前記反射電極および前記第3層はアルミニウムを含み、前記透明電極と前記第4層はインジウム・ティン・オキサイドを含むことが好ましい。
【0030】
次に、本発明に係る電子機器は、上述した電気光学装置を備えたことを特徴とし、例えば、半透過反射型の電気光学装置を表示部として有する、携帯電話やページャの表示部、液晶テレビ、パソコンやモバイル或いは携帯端末のモニター部、カメラのファインダ部などが該当する。
【0031】
本発明のこのような作用および他の利得は次に説明する実施の形態から明らかにされる。
【0032】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて説明する。以下の実施形態は、本発明の電気光学装置を、半透過反射型の液晶装置に適用したものである。ここでは、電気光学装置の一例として、バックライトを備えており駆動回路内蔵型のTFTアクティブマトリクス駆動方式の半透過反射型の液晶装置を例にとる。
【0033】
<1.液晶装置の全体構成>
まず、電気光学装置の全体構成について、図1および図2を参照して説明する。図1は、TFTアレイ基板をその上に形成された各構成要素と共に対向基板の側から見た平面図であり、図2は、図1のH−H’断面図である。
【0034】
図1および図2において、本実施形態に係る電気光学装置では、TFTアレイ基板10と対向基板20とが対向配置されている。TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50が封入されており、TFTアレイ基板10と対向基板20とは、画像表示領域10aの周囲に位置するシール部52により相互に接着されている。
【0035】
シール部52の材料は、両基板を貼り合わせるための、例えば紫外線硬化樹脂、熱硬化樹脂等からなり、製造プロセスにおいてTFTアレイ基板10上に塗布された後、紫外線照射、加熱等により硬化させられたものである。
【0036】
シール部52中には、基板間ギャップを規定するための、グラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材が散布されている。或いは、比較的大型の液晶装置の場合には、これに加えてまたは代えて、液晶層50中に、グラスファイバ或いはガラスビーズ等のギャップ材を散布してもよい。また、画像表示領域10aの全域に渡って画素間隙に、ギャップ材として多数の貝柱部を設けてもよい。
【0037】
シール部52が配置されたシール領域の内側に並行して、画像表示領域10aの額縁領域を規定する遮光性の額縁遮光膜53が、対向基板20側に設けられている。但し、このような額縁遮光膜の一部または全部は、TFTアレイ基板10側に内蔵遮光膜として設けられてもよい。
【0038】
画像表示領域の周辺に広がる領域のうち、シール部52の外側に位置する周辺領域には、データ線駆動回路101および外部回路接続端子102がTFTアレイ基板10の一辺に沿って設けられており、走査線駆動回路104が、この一辺に隣接する2辺に沿って設けられている。更にTFTアレイ基板10の残る一辺には、画像表示領域10aの両側に設けられた走査線駆動回路104間をつなぐための複数の配線105が設けられている。また図1に示すように、対向基板20の4つのコーナー部には、両基板間の上下導通端子として機能する上下導通材106が配置されている。他方、TFTアレイ基板10にはこれらのコーナーに対向する領域において上下導通端子が設けられている。これらにより、TFTアレイ基板10と対向基板20との間で電気的な導通をとることができる。
【0039】
図2において、TFTアレイ基板10は、その基板本体として、石英板、ガラス板等からなる透明な第2透明基板202を備えてなる。第2透明基板202の上には、画素スイッチング用のTFTや走査線、データ線等の配線、画素電極9aが形成され、更にその最上層部分に配向膜が形成されている。他方、対向基板20上は、その基板本体として、石英板、ガラス板等からなる透明な第1透明基板201を備えてなる。第1透明基板201上には、対向電極22および格子状の遮光膜23が形成されており、更にその最上層部分に配向膜が形成されている。また、液晶層50は、例えば一種または数種類のネマティック液晶を混合した液晶からなり、これら一対の配向膜間で、所定の配向状態をとる。
【0040】
対向基板20は更に、第1透明基板201における液晶層50と反対側には、偏光板207および位相差板208を備えて構成されている。
【0041】
TFTアレイ基板10は更に、第2透明基板202における液晶層50と反対側に、偏光板217および位相差板218を備える。加えて、偏光板217の外側に、蛍光管220と蛍光管220からの光を偏光板217から液晶パネル内に導くための導光板219とを備えて構成されている。導光板219は、裏面全体に散乱用の粗面が形成され、或いは散乱用の印刷層が形成されたアクリル樹脂板などの透明体であり、光源である蛍光管220の光を端面にて受けて、図の上面からほぼ均一な光を放出するようになっている。尚、図1では説明の便宜上、このようなTFTアレイ基板10に対して外付けされる蛍光管220の図示を省略してある。
【0042】
尚、図1および図2に示したTFTアレイ基板10上には、これらのデータ線駆動回路101、走査線駆動回路104等に加えて、画像信号線上の画像信号をサンプリングしてデータ線に供給するサンプリング回路、複数のデータ線に所定電圧レベルのプリチャージ信号を画像信号に先行して各々供給するプリチャージ回路、製造途中や出荷時の当該電気光学装置の品質、欠陥等を検査するための検査回路等を形成してもよい。更に、本実施形態では、データ線駆動回路101や走査線駆動回路104をTFTアレイ基板10の上に設ける代わりに、例えばTAB(Tape Automated bonding)基板上に実装された駆動用LSIに、TFTアレイ基板10の周辺部に設けられた異方性導電フィルムを介して電気的および機械的に接続するようにしてもよい。
【0043】
次に図3を参照して、図1および図2に示した電気光学装置の画素部における電気的な構成について詳細に説明する。ここに、図3は、TFTアレイ基板上に構成される配線、電子素子等の等価回路図である。
【0044】
図3において、本実施形態における電気光学装置の画像表示領域を構成するマトリクス状に形成された複数の画素には夫々、画素電極9aと当該画素電極9aをスイッチング制御するためのTFT30とが形成されており、画像信号が供給されるデータ線6aが当該TFT30のソースに電気的に接続されている。データ線6aに書き込む画像信号S1、S2、…、Snは、この順に線順次に供給しても構わないし、相隣接する複数のデータ線6a同士に対して、グループ毎に供給するようにしても良い。また、TFT30のゲートに走査線3aが電気的に接続されており、所定のタイミングで、走査線3aにパルス的に走査信号G1、G2、…、Gmを、この順に線順次で印加するように構成されている。
【0045】
画素電極9aは、TFT30のドレインに電気的に接続されており、スイッチング素子であるTFT30を一定期間だけそのスイッチを閉じることにより、データ線6aから供給される画像信号S1、S2、…、Snを所定のタイミングで書き込む。画素電極9aを介して電気光学物質の一例としての液晶に書き込まれた所定レベルの画像信号S1、S2、…、Snは、対向基板20に形成された対向電極22(図2参照)との間で一定期間保持される。液晶は、印加される電圧レベルにより分子集合の配向や秩序が変化することにより、光を変調し、階調表示を可能にする。ノーマリーホワイトモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が減少し、ノーマリーブラックモードであれば、各画素の単位で印加された電圧に応じて入射光に対する透過率が増加され、全体として電気光学装置からは画像信号に応じたコントラストを持つ光が出射する。ここで、保持された画像信号がリークするのを防ぐために、画素電極9aと対向電極22との間に形成される液晶容量と並列に蓄積容量70を付加する。蓄積容量70は、例えば、容量線300の一部からなる固定電位側容量電極と、TFT30のドレイン側および画素電極に9aに接続された画素電位側容量電極とによって構成することが可能である。
【0046】
<2.液晶装置の詳細な構成>
次に、図4は、液晶装置の部分断面図である。尚、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならしめてある。同図に示すように、液晶装置は、TFTアレイ基板10と対向基板20との間に液晶層50を充填して構成される。
【0047】
まず、対向基板20は、第1透明基板201上に、遮光膜23、カラーフィルタ500、配向膜21および対向電極22を備える。カラーフィルタ500は、各画素に対応してマトリクス状に、赤(R)、緑(G)および青(B)に分けられている。カラーフィルタ500は、顔料分散法などのフォトリソグラフィを用いて製造される。カラーフィルタ500の配列には、ストライプ配列の他に、デルタ配列、モザイク配列、トライアングル配列等がある。
【0048】
遮光膜23は、カラーフィルタ500における各色材部分の間隙を規定すべく格子状に、第1透明基板201上に形成されている。遮光膜23は、例えばCr(クロム)、Ni(ニッケル)等の金属から形成されている。TFTアレイ基板10側に形成される配線部や素子部は、概ね遮光膜23によって隠される。遮光膜23は、カラーフィルタ500における各色材部分の間隙における光抜けを防止し、更にカラーフィルタ500における混色防止の機能を有すると共に入射光に起因する電気光学装置の温度上昇を防ぐ機能を有する。
【0049】
対向電極22は、カラーフィルタ500上の全面に渡って、ITO膜等の透明電極膜から形成されている。配向膜21は、対向電極22上の全面に渡って、形成されている。配向膜21は、例えば、ポリイミド樹脂が塗布された後、焼成され、更にラビング処理が行われることで形成されている。
【0050】
次に、TFTアレイ基板10のシール部52の内側においては、第2透明基板202上に、画素スイッチング用のTFT30、データ線6a、反射膜44、および透明導電膜45を備える一方、シール部52の外側においてはデータ線6aが引き出され、その端部に接続端子90が形成される。
【0051】
第2透明基板202の上の全面には下地絶縁膜12が設けられている。下地絶縁膜12は、第2透明基板202の表面の研磨時における荒れや、洗浄後に残る汚れ等で画素スイッチング用のTFT30の特性変化を防止する機能を有する。
【0052】
画素スイッチング用のTFT30は、LDD(Lightly Doped Drain)構造を有する。TFT30は、ゲート405、当該ゲート405からの電界によりチャネルが形成される半導体層1aのチャネル領域1a’、ゲート405と半導体層1aとを絶縁するゲート絶縁膜を含む絶縁膜2、半導体層1aの低濃度ソース領域1bおよび低濃度ドレイン領域1c、半導体層1aの高濃度ソース領域1d並びに高濃度ドレイン領域1eを備える。
【0053】
TFT30の上には第1層間絶縁膜41、パッシベーション膜42、および有機絶縁膜43が積層されている。第1層間絶縁膜41には、コンタクトホール83および81が開口されており、パッシベーション膜42および有機絶縁膜43には、コンタクトホール85が開口されている。パッシベーション膜42は、TFT30をアルカリ汚染や水分から保護する保護膜として機能するとともに、有機絶縁膜43との密着力を高める機能を有する。また、有機絶縁膜43の材料は透明かつ良好な絶縁特性を有する有機物質であり、例えば、アクリル等が該当する。
透過型の電気光学装置の場合には、前記有機絶縁膜43の表面は平坦でよいが、反射型または半透過反射型の電気光学装置の場合には、鏡面反射を避ける為に前記有機絶縁膜43の表面に凹凸が形成される。図4は、後者の場合を図示したが、前者の場合にも本発明は同様に適用されるものである。
【0054】
半導体層1aのドレイン領域1eは、コンタクトホール83、中継層71およびコンタクトホール85を介して透明導電膜45と電気的に接続されている。透明導電膜45はITOにより構成される。また、透明導電膜45の下には反射膜44が形成されている。反射膜44は、例えば、アルミニウムによって構成される。
【0055】
透明導電膜45および反射膜44は上述した画素電極9a(図2参照)を構成する。なお、画素電極9aの上側には、ラビング処理等の所定の配向処理が施された配向膜(図示略)が設けられおり、例えば、ポリイミド膜などの有機膜から構成される。
【0056】
画素電極9aのうち透明導電膜45のみが延在する部分はバックライトからの光を透過させる透過領域A1となり、画素電極9aのうち反射膜44および透明導電膜45が延在する部分は外光を反射する反射領域A2となる。なお、画素電極9aの下の有機絶縁膜43に凹凸を設け、反射膜44の表面に多数の微小な略半球状の凹部を形成してもよい。これにより、鏡面反射を避け、光を散乱させた反射表示が可能とされている。
【0057】
半導体層1aの高濃度ソース領域1dはコンタクトホール81を介してデータ線6aに接続されている。データ線6aは、複数の層からなる多層構造を有する。この例のデータ線6aは、図5に示すように下層61、中央層62、および上層63を備える。例えば、下層61はチタン、中央層62はアルミニウム、および上層63は窒化チタンにより構成される。また、データ線6aを図6に示すように2層構造としてもよい。この場合、下層64はアルミニウムである一方、上層65は窒化チタンで構成される。
【0058】
次に、TFTアレイ基板10のシール部52の外側においては、接続端子90が形成される。接続端子90は、データ線6aの上に反射膜44と透明導電膜45をパーターニングして構成される。図7は、接続端子90の外観を示す斜視図である。この図に示すように接続端子90は、シール部52の外側であって、データ線6aの端部に形成される。
【0059】
図8は図7に示す接続端子90とその周辺構成についてJ−J’を含む平面で切断した断面図であり、図9は図7に示す接続端子90についてK−K’を含む平面で切断した断面図である。
【0060】
これらの図に示すようにシール部52の外側には、有機絶縁膜43が延在しないので、接続端子90やシール部52の外側の配線において、有機絶縁膜43の膨潤作用によって、接続端子90や配線の信頼性が悪化するといった不都合が解消される。
【0061】
また、シール部52の外側の配線および接続端子90をパッシベーション膜42によって被覆していないので、パッシベーション膜42を有機絶縁膜43と同一のマスクを用いてパターニングすることができる。
【0062】
さらに、データ線6aの側壁および上面の一部は反射膜44で覆われているから、反射膜44をパターニングする際に中央層62がエッチャントにより侵食されるといった不都合も解消される。
【0063】
くわえて、接続端子90においては、反射膜44にコンタクトホール44aが形成され、コンタクトホール44aを介して透明導電膜45がデータ線6aの上層63と接続されている。これは、以下の理由による。
【0064】
すなわち、ITOからなる透明導電膜45は、後述するように反射膜44が形成された後に、酸素を含む雰囲気中でスパッタリング等により形成される。このため、アルミニウムを材料とする反射膜44と透明導電膜45との介面に酸化膜が形成されてしまう。この酸化膜の単位面積当たりの抵抗値は、窒化チタンで構成される上層63の単位面積当たりの抵抗値より高い。したがって、接続端子90において、仮に、データ線6a全体を反射膜44で被覆すると、導電率が低下して、良好な導通が確保し難くなる。
【0065】
一方、データ線6aを構成する上層63は窒化チタンを材料とするから、アルミニウムと比較して酸化されにくく、透明導電膜45をスパッタリング等により形成する工程で酸化膜が形成されることもない。
【0066】
そこで、反射膜44にコンタクトホール44aを形成し、コンタクトホール44aを介して透明導電膜45とデータ線6aの上層63とを直接接続したのである。これにより、接続端子90の抵抗値を下げ、良好な導通を確保することができる。
【0067】
<3.液晶装置の製造方法>
次に、液晶装置の製造方法を説明する。図10および図11は、TFTアレイ基板10の製造工程を示す工程図である。
【0068】
第1工程Sa1では、第2透明基板202の上に、プレーナプロセスを利用して、12、1a、2、第1層間膜41等を順次作成する。
【0069】
第2工程Sa2では、コンタクトホール81および83を、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、あるいは、ウエットエッチングにより形成する。
【0070】
第3工程Sa3では、中継層71とデータ線6aを形成する。具体的には、スパッタ処理等により、チタン、アルミニウム、窒化チタンを積層し、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、中継層71とデータ線6aを形成する。この際、シール部52の外に位置する接続端子90においてもデータ線6aが同時に形成される。
【0071】
第4工程Sa4では、中継層71およびデータ線6aの上から、例えば、常圧または減圧CVD法やTEOSガス等を用いて、NSG、PSG、BSG、BPSGなどのシリケートガラス膜、窒化シリコン膜や酸化シリコン膜等からなるパッシベーション膜42を形成する。
【0072】
そして、パッシベーション膜42の上に光硬化型感光性アクリル樹脂等或いはアクリル系、エポキシ系などの有機絶縁膜43をスピンコート、印刷等により塗布し、硬化させる。なお、有機絶縁膜43に凹凸を形成する場合には、マスクを用いて凸部を露光して硬化させ、凹部を露光せず未硬化とし、ポストベークを行って樹脂を硬化させればよい。
【0073】
次に、第5工程Sa5では、有機絶縁膜43上に、スパッタリング、蒸着等によりアルミニウムを堆積し、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、反射膜44を形成する。この際、シール部52の外に位置する接続端子90において、データ線6aの側壁から上面にかけて反射膜44がパターニングされる。したがって、エッチャントによってアルミニウムの不要部分を除去する際に、接続端子90およびデータ線6aに連なりシール部52の外に延在する配線において、中央層62を構成するアルミニウムが溶けて、サイドカットが発生するといった不都合が解消される。
【0074】
第6工程Sa6では、コンタクトホール85を、反応性エッチング、反応性イオンビームエッチング等のドライエッチングにより、あるいは、ウエットエッチングにより形成する。
【0075】
第7工程Sa7では、スパッタリング等により、酸素雰囲気中でITOを一面に堆積させ、更に、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程等により、透明導電膜45を形成する。この際、シール部52の外に位置する接続端子90において、データ線6aの上層63と透明導電膜45が接続される。したがって、スパッタリングによって、反射膜44と透明導電膜45との介面に酸化膜が形成されても、接続端子90の抵抗値を低く抑えることができる。以上のようにして、TFTアレイ基板20が製造される。
【0076】
次に、対向基板20の製造方法およびTFTアレイ基板10と対向基板20とから液晶装置を製造する方法について説明する。
【0077】
対向基板20については、第1透明基板201としてガラス基板等の光透過性基板を用意し、第1透明基板201の上にブラックマトリックスとしての遮光膜23を形成する。遮光膜23は、例えばCr、Ni、アルミニウムなどの金属材料をスパッタリングした後、フォトリソグラフィ工程、エッチング工程を経て形成される。なお、遮光膜23は、上記の金属材料の他、カーボンやチタンなどをフォトレジストに分散させた樹脂ブラックなどの材料から形成してもよい。
【0078】
その後、カラーフィルタ500を形成し、その上からスパッタリング法などにより、ITO等の透明導電性薄膜を、約50〜200nmの厚さに堆積することにより、対向電極22を形成する。更に、対向電極22の表面上の全面にポリイミドなどの配向膜の塗布液を塗布した後、所定のプレティルト角を持つように、且つ所定方向にラビング処理を施すこと等により、配向膜21を形成する。以上のようにして、対向基板20が製造される。
【0079】
最後に、上述のように製造されたTFTアレイ基板10と対向基板20とを、画素電極9aおよび対向電極22が互いに対向するようにシール材により貼り合わせ、真空吸引法などの方法により、両基板間の空間に、例えば複数種類のネマティック液晶を混合してなる液晶を吸引して、所定の厚みを有する液晶層50を形成することにより、上記構造の液晶装置が製造される。
【0080】
<4.液晶装置の変形例>
上述した実施形態においては、有機絶縁膜43が存在しないシール部52の外側におけるデータ線6aの配線に、反射膜44と透明導電膜45の被覆を施したが、シール部52の内側におけるデータ線6aに上述した被覆を施してもよいことは勿論である。
【0081】
例えば、図12に示すように、画素電極9aに対応する部分のみに有機絶縁膜43が存在する場合には、データ線6aの側壁を保護しないと反射膜44を形成する際に中央層62がエッチャントにより侵食されるといった問題が生じる。そこで、シール部52の内側においてもデータ線6aに上述した被覆を施すことが好ましい。
【0082】
<5.電子機器>
次に、上述した各実施形態に係る半透過反射型の電気光学装置を電子機器に用いた例について図13から図15を参照して説明する。
【0083】
先ず、上述した電気光学装置を、モバイル型コンピュータの表示部に適用した例について説明する。図13は、この構成を示す斜視図である。図13において、コンピュータ1200は、キーボード1202を備えた本体部1204と、表示部として用いられる表示装置1005とを備えている。
【0084】
次に、上述した電気光学装置を、携帯電話の表示部に適用した例について説明する。図14は、この構成を示す斜視図である。図14において、携帯電話1250は、複数の操作ボタン1252のほか、受話口、送話口とともに、上述した電気光学装置を表示装置1005として備えるものである。
【0085】
次に、上述した電気光学装置を、ファインダに用いたデジタルスチルカメラについて説明する。図15は、この構成を背面から示す斜視図である。デジタルスチルカメラ1300におけるケース1302の背面には、上述した電気光学装置が表示装置1005として設けられ、ケース1302の前面に設けられたCCD1304による撮像信号に基づいて、表示を行うようになっている。即ち、表示装置1005は、被写体を表示するファインダとして機能することになる。
【0086】
なお、電子機器としては、これらの他、液晶テレビや、ビューファインダ型、モニタ直視型のビデオテープレコーダ、カーナビゲーションシステム、ページャ、電子手帳、電卓、ワードプロセッサ、ワークステーション、テレビ電話、POS端末、タッチパネルを備えた機器等が挙げられる。
【0087】
本発明は、上述した実施形態に限られるものではなく、請求の範囲および明細書全体から読み取れる発明の要旨或いは思想に反しない範囲で適宜変更可能であり、そのような変更を伴なう電気光学装置およびその製造方法並びに電子機器もまた本発明の技術的範囲に含まれるものである。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明の実施形態に係る電気光学装置の平面図である。
【図2】 図1のH−H’断面図である。
【図3】 TFTアレイ基板10上に構成される配線、電子素子等の等価回路図である。
【図4】 電気光学装置の部分断面図である。
【図5】 データ線6aの断面図である。
【図6】 データ線6aの他の構成例を示す断面図である。
【図7】 接続端子近傍の外観を示す斜視図である。
【図8】 図7に示したJ−J’を含む平面に沿って切断したときの電気光学装置の断面図である。
【図9】 図7に示したK−K’を含む平面に沿って切断したときの電気光学装置の断面図である。
【図10】 TFTアレイ基板10の製造工程を示す工程図である。
【図11】 TFTアレイ基板10の製造工程を示す工程図である。
【図12】 変形例に係るデータ線6aおよび有機絶縁膜43を模式的に示す概念図である。
【図13】 実施形態に係る電気光学装置を適用した電子機器の一例たるモバイル型コンピュータを示す斜視図である。
【図14】 実施形態に係る電気光学装置を適用した電子機器の他の例たる携帯電話を示す斜視図である。
【図15】 実施形態に係る電気光学装置を適用した電子機器の他の例たるデジタルスチルカメラの構成を示す斜視図である。
【図16】 従来の配線構造を示す断面図である。
【図17】 従来の配線構造の他の例を示す断面図である。
【図18】 従来の配線構造の他の例を示す断面図である。
【符号の説明】
6a・・・データ線
9a・・・画素電極
10・・・TFTアレイ基板
20・・・対向基板
44・・・反射膜
45・・・透明導電膜
50・・・液晶層
90・・・接続端子

Claims (3)

  1. シール材を介して対向配置された一対の基板間に電気光学物質が挟持され、前記一対の基板のうちの一方の基板が、反射膜上に透明導電膜を積層してなる画素電極と、画素スイッチング素子を介して前記画素電極に信号を供給する配線と、外部からの信号を入力するために前記配線の端部に設けられた接続端子と、を備えた半透過反射型の電気光学装置を製造する方法であって、
    前記一方の基板上に、第1層と前記第1層上に積層された第2層とを少なくとも含む積層膜からなる前記配線および前記接続端子を形成する工程と、
    前記シール材の外側にあたる領域の前記配線の一部および前記接続端子を覆わず、前記シール材の内側にあたる領域の一部を覆うように有機絶縁膜を形成する工程と、
    フォトリソグラフィ法およびエッチング法を用いて、前記有機絶縁膜上に前記画素電極を構成する前記反射膜を形成するとともに、前記配線のうちの少なくとも前記シール材よりも外側にあたる領域に位置する部分の側壁および上面の一部、および前記接続端子の側壁および上面の一部を覆い、前記配線および前記接続端子を構成する前記第2層の一部を露出させるように前記反射膜を形成する工程と、
    前記画素電極を構成する前記反射膜上に前記透明導電膜を積層するとともに、前記配線および前記接続端子において露出した前記第2層上に前記透明導電膜を積層する工程と、を備え、
    前記第2層の材料として、前記反射膜のエッチング時に用いるエッチャントに対する耐食性が前記反射膜の材料よりも高いものを用い、
    前記第1層の材料として、前記反射膜の材料と同一のものを用いることを特徴とする電気光学装置の製造方法。
  2. 前記透明導電膜の形成が酸素を含む雰囲気中で行われ、
    前記第2層の材料として、前記反射膜の材料よりも酸化されにくい導電材料を用いることを特徴とする請求項1に記載の電気光学装置の製造方法。
  3. 前記有機絶縁膜を形成する工程において、前記シール材の内側にあたる領域の前記画素電極に対応する部分のみに前記有機絶縁膜を形成し、
    前記反射膜を形成する工程において、前記シール材の内側にあたる領域の前記配線の側壁および上面の一部、および前記接続端子の側壁および上面の一部を覆い、前記配線を構成する前記第2層の一部を露出させるように前記反射膜を形成することを特徴とする請求項1または2に記載の電気光学装置の製造方法。
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