KR20040061187A - 액정 표시 장치 - Google Patents
액정 표시 장치 Download PDFInfo
- Publication number
- KR20040061187A KR20040061187A KR1020020086985A KR20020086985A KR20040061187A KR 20040061187 A KR20040061187 A KR 20040061187A KR 1020020086985 A KR1020020086985 A KR 1020020086985A KR 20020086985 A KR20020086985 A KR 20020086985A KR 20040061187 A KR20040061187 A KR 20040061187A
- Authority
- KR
- South Korea
- Prior art keywords
- data pad
- liquid crystal
- region
- data
- substrate
- Prior art date
Links
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 46
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 47
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 23
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims abstract description 16
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 67
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 16
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 11
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 10
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 7
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 11
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 10
- 239000010408 film Substances 0.000 description 24
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 14
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 5
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 5
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 5
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 3
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 2
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000002542 deteriorative effect Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000008054 signal transmission Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1345—Conductors connecting electrodes to cell terminals
- G02F1/13458—Terminal pads
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/1333—Constructional arrangements; Manufacturing methods
- G02F1/1337—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers
- G02F1/133711—Surface-induced orientation of the liquid crystal molecules, e.g. by alignment layers by organic films, e.g. polymeric films
- G02F1/133723—Polyimide, polyamide-imide
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136209—Light shielding layers, e.g. black matrix, incorporated in the active matrix substrate, e.g. structurally associated with the switching element
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136286—Wiring, e.g. gate line, drain line
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/68—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor controllable by only the electric current supplied, or only the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/76—Unipolar devices, e.g. field effect transistors
- H01L29/772—Field effect transistors
- H01L29/78—Field effect transistors with field effect produced by an insulated gate
- H01L29/786—Thin film transistors, i.e. transistors with a channel being at least partly a thin film
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
- G02F1/136—Liquid crystal cells structurally associated with a semi-conducting layer or substrate, e.g. cells forming part of an integrated circuit
- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
- G02F1/136222—Colour filters incorporated in the active matrix substrate
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/121—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode common or background
-
- G—PHYSICS
- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F2201/00—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00
- G02F2201/12—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode
- G02F2201/123—Constructional arrangements not provided for in groups G02F1/00 - G02F7/00 electrode pixel
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Nonlinear Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Optics & Photonics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
Abstract
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
액정 표시 장치의 제조 공정을 감소시키기 위해 배향막을 보호막으로 사용할 수 있는데, 이러한 경우 씰 패턴 바깥쪽에 위치하는 데이터 패드의 금속이 드러나게 되어 직류부식인 전식이 생길 수 있다. 이에 따라, 신호 전달이 제대로 되지 못하여 화질이 나빠지게 된다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 배향막이 보호막의 역할도 함께 하도록 하면서, 데이터 패드를 덮는 데이터 패드 터미널을 씰 패턴의 하부에까지 형성한다. 따라서, 제조 공정을 감소시키고 비용을 줄일 수 있으며, 데이터 패드의 금속 물질이 노출되지 않아 전식을 방지할 수 있다.
Description
본 발명은 액정 표시 장치에 관한 것이다.
최근 정보화 사회로 시대가 급발전함에 따라 박형화, 경량화, 저 소비전력화 등의 우수한 특성을 가지는 평판 표시 장치(flat panel display)의 필요성이 대두되었는데, 이 중 액정 표시 장치(liquid crystal display)가 해상도, 컬러표시, 화질 등에서 우수하여 노트북이나 데스크탑 모니터에 활발하게 적용되고 있다.
일반적으로 액정 표시 장치는 전계 생성 전극이 각각 형성되어 있는 두 기판을 두 전극이 형성되어 있는 면이 마주 대하도록 배치하고 두 기판 사이에 액정 물질을 주입한 다음, 두 전극에 전압을 인가하여 생성되는 전기장에 의해 액정 분자를 움직이게 함으로써, 이에 따라 달라지는 빛의 투과율에 의해 화상을 표현하는 장치이다.
액정 표시 장치는 다양한 형태로 이루어질 수 있는데, 현재 박막 트랜지스터와 박막 트랜지스터에 연결된 화소 전극이 행렬 방식으로 배열된 능동 행렬 액정 표시 장치(Active Matrix LCD : AM-LCD)가 해상도 및 동영상 구현 능력이 우수하여 가장 주목받고 있다.
이러한 액정 표시 장치는 하부 기판에 화소 전극이 형성되어 있고 상부 기판에 공통 전극이 형성되어 있는 구조로, 두 전극 사이에 걸리는 기판에 수직한 방향의 전기장에 의해 액정 분자를 구동하는 방식이다. 이는, 투과율과 개구율 등의 특성이 우수하다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 일반적인 액정 표시 장치의 구조에 대하여 설명한다.
도 1은 일반적인 액정 표시 장치에 대한 단면도이다.
도 1에 도시한 바와 같이, 액정 표시 장치는 일정 간격 이격되어 마주 대하고 있는 제 1 및 제 2 기판(10, 60)을 포함하며, 제 1 및 제 2 기판(10, 60)은 화상이 표현되는 제 1 영역(A)과 제 1 영역(A)의 소자에 신호를 인가하기 위해 구동 회로와 연결되는 패드가 위치하는 제 2 영역(B)으로 나누어진다.
먼저, 제 1 영역(A)의 투명한 제 1 기판(10) 위에는 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 게이트 전극(22)이 형성되어 있고, 그 위에 게이트 절연막(24)이 형성되어 게이트 전극(22)을 덮고 있다. 게이트 절연막(24)은 제 2 영역(B)에까지 연장되어 있다. 다음, 게이트 절연막(24) 위에는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(26)이 형성되어 있으며, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(28)이 형성되어 있다. 액티브층(26)과 오믹 콘택층(28)은 게이트 전극(22)에 대응하도록 형성되어 있다.
오믹 콘택층(28) 상부에는 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 데이터 배선(32)과 소스 및 드레인 전극(34, 36)이 형성되어 있는데, 소스 및 드레인 전극(34, 36)은 게이트 전극(22)과 함께 박막 트랜지스터(T)를 이룬다. 게이트 전극(22)은 게이트 배선(도시하지 않음)과 연결되어 있고 소스 전극(32)은 데이터 배선(32)과 연결되어 있으며, 게이트 배선과 데이터 배선(32)은 교차하여 화소 영역(P)을 정의한다. 한편, 제 2 영역(B)에는 데이터 배선(32)에서 연장되어 외부의 구동회로로부터 신호를 인가받기 위한 데이터 패드(38)가 형성되어 있다.
다음, 데이터 배선(32)과 소스 및 드레인 전극(34, 36), 그리고 데이터 패드(38) 위에는 실리콘 질화막이나 실리콘 산화막 또는 유기 절연막으로 이루어진 보호막(40)이 형성되어 있으며, 보호막(40)은 드레인 전극(36)을 드러내는 드레인 콘택홀(42)과 데이터 패드(38)를 드러내는 패드 콘택홀(44)을 가진다.
제 1 영역(A)에서, 보호막(40) 상부의 화소 영역(P)에는 투명 도전 물질로 이루어진 화소 전극(52)이 형성되어 있고, 화소 전극(52)은 드레인 콘택홀(42)을 통해 드레인 전극(36)과 연결되어 있다. 또한, 제 2 영역(B)의 보호막(40) 상부에는 화소 전극(52)과 같은 물질로 이루어진 데이터 패드 터미널(54)이 형성되어 있으며, 데이터 패드 터미널(54)은 패드 콘택홀(44)을 통해 데이터 패드(38)와 연결되어 있다.
다음, 화소 전극(52) 상부에는 제 1 배향막(72)이 형성되어 있는데, 제 1 배향막(72)은 제 1 영역(A)의 보호막(40)도 덮고 있다.
한편, 제 2 기판(60) 안쪽면에는 블랙 매트릭스(62)가 박막 트랜지스터(T)와 대응되는 위치에 형성되어 있다. 블랙 매트릭스(62)는 제 2 영역(B)에까지 연장되어 있다. 이어, 제 1 영역(A)의 블랙 매트릭스(62) 상부에는 컬러필터(64)가 형성되어 있는데, 컬러필터(64)는 적, 녹, 청의 색이 순차적으로 반복되어 있으며, 하나의 색이 하나의 화소 영역(P)에 대응한다. 컬러필터(64) 상부에는 컬러필터(64)를 보호하며, 컬러필터(64)가 형성된 기판을 평탄화시키기 위한 오버코트층(66)이 형성되어 있고, 그 위에 투명한 도전 물질로 이루어진 공통 전극(68)이 형성되어 있다. 오버코트층(66)과 공통 전극(68)은 제 2 영역(B)에 까지 연장되어 있다. 이어, 제 1 영역(A)의 공통 전극(68) 위에는 제 2 배향막(74)이 형성되어 있다.
제 1 및 제 2 배향막(72, 74) 사이에는 액정층(80)이 위치한다. 제 1 및 제 2 배향막(72, 74)은 액정 분자의 초기 배열 상태를 결정하는 것으로서, 주로 폴리이미드(polyimide) 계열의 유기막을 이용하여 형성된다.
다음, 제 2 영역(B)의 제 1 기판(10)과 제 2 기판(60) 사이에는 액정 주입을 위한 갭을 형성하고 주입된 액정의 누설을 방지하는 씰 패턴(seal pattern)(90)이 형성되어 있다. 씰 패턴(90)은 보호막(40)과 공통 전극(68) 사이에 위치하게 된다.
이러한 액정 표시 장치에서 하부의 어레이 기판은 박막을 증착하고 마스크를 이용하여 사진 식각하는 공정을 여러 번 반복함으로써 형성되는데, 통상적으로 마스크 수는 5장 내지 6장이 사용되고 있으며, 마스크의 수가 공정수를 대표한다. 그런데, 사진 식각 공정에는 세정, 감광막 도포, 노광 및 현상, 그리고 식각 등 여러 공정을 수반하고 있기 때문에, 제조 시간이 길고 제조 비용이 큰 문제가 있다. 따라서, 마스크 수를 줄여 어레이 기판을 제조하는 것이 바람직하다.
본 발명은 상기한 종래의 문제점을 해결하기 위해 안출된 것으로서, 본 발명의 목적은 제조 공정을 감소시키고 비용을 줄일 수 있는 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 신뢰성 높은 모듈 공정을 위한 액정 표시 장치를 제공하는 것이다.
도 1은 일반적인 액정 표시 장치에 대한 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치를 대략적으로 도시한 평면도.
도 3은 도 2의 C 영역을 확대한 평면도.
도 4는 도 3에서 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 자른 단면도.
도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 데이터 패드부에 대한 평면도.
도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대한 단면도.
< 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명 >
210 : 제 1 기판 222 : 게이트 전극
224 : 게이트 절연막 226 : 액티브층
228 : 오믹 콘택층 232 : 데이터 배선
234 : 소스 전극 236 : 드레인 전극
238 : 데이터 패드 242 : 화소 전극
244 : 데이터 패드 터미널 250 : 제 1 배향막
260 : 제 2 기판 262 : 블랙 매트릭스
264 : 컬러필터 266: 오버코트층
268 : 공통전극 270 : 제 2 배향막
280 : 액정층 290 : 씰 패턴
상기한 목적을 달성하기 위해, 본 발명에 따른 액정 표시 장치는 일정 간격 이격되어 마주 대하고 있으며, 제 1 영역과 제 2 영역을 가지는 제 1 및 제 2 기판과, 상기 제 1 기판 안쪽면에 형성되어 있으며, 상기 제 1 영역에 위치하는 게이트 배선, 상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선, 상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터, 상기 데이터 배선에서 연장되어 있으며, 상기 제 2 영역에 위치하는 데이터 패드, 상기 화소 영역에 형성되고 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극, 상기 화소 전극과 데이터 배선 및 박막 트랜지스터를 덮고 있는 제 1 배향막, 상기 제 2 기판 안쪽면에 형성되어 있는 블랙매트릭스, 상기 블랙 매트릭스 상부에 형성되고, 상기 화소 영역에 대응하는 컬러필터, 상기 컬러필터 상부에 형성되어 있는 공통전극, 상기 공통전극상부에 형성되어 있는 제 2 배향막, 상기 제 1 영역의 상기 제 1 및 제 2 배향막 사이에 형성되어 있는 액정층, 그리고 상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 형성되어 있으며, 상기 액정층을 둘러싸고 있는 씰 패턴을 포함하며, 여기서 상기 데이터 패드 터미널은 상기 데이터 패드와 상기 씰 패턴 사이에 위치한다.
여기서, 데이터 패드 터미널은 씰 패턴 하부에까지 연장되어 있는 것이 바람직하다.
본 발명에서, 제 1 및 제 2 배향막은 폴리이미드 계열의 물질로 이루어질 수 있으며, 인쇄 방법에 의해 형성될 수 있다.
한편, 데이터 패드 터미널은 화소 전극과 같은 물질로 이루어질 수 있으며, 인듐-틴-옥사이드와 인듐-징크-옥사이드 중의 하나로 이루어질 수 있다.
이와 같이, 본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 배향막이 보호막의 역할도 함께 하며, 인쇄 방법에 의해 형성되므로 별도의 패터닝 공정이 필요하지 않다. 따라서, 제조 공정을 감소시키고 비용을 줄일 수 있다. 또한, 투명 도전 물질로 이루어진 데이터 패드 터미널이 씰 패턴의 하부까지 형성되어 있으므로, 데이터 패드의 금속 물질이 노출되지 않아 전식을 방지할 수 있다.
이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명에 따른 액정 표시 장치에 대하여 상세히 설명한다.
최근, 제조 공정을 감소시키기 위해 배향막으로 이용되는 폴리이미드막을 보호막으로 사용한 예가 제시되었다. 이러한 액정 표시 장치에서는 데이터 배선과 소스 및 드레인 전극, 그리고 데이터 패드를 형성한 후, 화소 전극 및 데이터 패드 터미널을 형성하고, 그 위에 폴리이미드막을 인쇄 방법으로 형성한다. 이때, 이후 모듈 공정에서 데이터 구동 회로를 데이터 패드 터미널과 연결하기 위해, 폴리이미드막은 데이터 패드 터미널을 덮지 않도록 형성한다. 이러한, 액정 표시 장치에서는 배향막이 보호막으로 사용되며, 또한 데이터 패드 터미널을 드러내기 위한 사진 식각 공정이 필요하지 않으므로, 제조 공정을 감소시키고 비용을 줄일 수 있다.
도 2는 이러한 본 발명의 제 1 실시예에 따른 액정 표시 장치를 대략적으로 도시한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 박막 트랜지스터(도시하지 않음) 및 화소 전극(도시하지 않음)을 포함하는 제 1 기판(110)과 컬러필터(도시하지 않음)를 포함하는 제 2 기판(120)이 배치되어 있으며, 제 1 및 제 2 기판(110, 120) 사이에는 씰 패턴(130)이 형성되어 있다. 제 2 기판(120)은 제 1 기판(110) 보다 작은 크기를 가진다. 이러한 액정 표시 장치는 표시영역(140)과 비표시 영역(150)으로 나누어지는데, 표시영역(140)은 씰 패턴(130)으로 둘러싸여 화상이 표현되며, 비표시영역(150)은 표시영역(140)의 둘레에 위치하고 패드부(160, 170)가 형성되어 있다.
다음, 도 2의 데이터 패드부에 대해 도 3 및 도 4에 확대 도시하였는데, 도 3은 도 2의 C 부분을 확대한 평면도이고, 도 4는 도 3에서 Ⅳ-Ⅳ선을 따라 자른 단면에 해당한다.
도 3 및 도 4에 도시한 바와 같이, 유리와 같이 투명한 제 1 기판(110)과 제 2 기판(120)이 이격되어 마주 대하고 있다. 제 1 기판(110)의 안쪽면에는 게이트절연막(112)이 형성되어 있고, 그 위에 금속 물질로 이루어진 데이터 배선(114)과 데이터 배선(114)에서 연장된 데이터 패드(115)가 형성되어 있다. 데이터 패드(115) 상부에는 투명 도전 물질로 이루어진 데이터 패드 터미널(116)이 형성되어 데이터 패드(115)와 연결되어 있다. 여기서, 데이터 패드(115)는 금속 물질로 이루어져 부식되기 쉬우므로, 패드를 보호하고 외부 회로 장치와의 접착성을 보완하기 위해, 데이터 패드 터미널(116)을 형성하여 데이터 패드(115)를 덮도록 한다. 한편, 데이터 배선(114) 상부에는 제 1 배향막(118)이 형성되어 데이터 배선(114)을 덮고 있는데, 제 1 배향막(118)은 데이터 패드 터미널(116)을 드러내도록 형성되어 있다. 제 1 배향막(118)은 폴리이미드 계열의 물질을 인쇄함으로써 형성되며, 보호막으로도 이용된다. 도시하지 않았지만, 제 1 배향막(118)은 데이터 배선(114)과 연결되어 있는 박막 트랜지스터 및 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극도 덮고 있다.
다음, 제 2 기판(120)의 안쪽면에는 블랙 매트릭스(122)가 형성되어 있고, 그 위에 컬러필터(도시하지 않음)가 형성되어 있다. 이어, 컬러필터 위에는 오버코트층이 형성되어 있고, 그 위에 투명도전 물질로 이루어진 공통 전극(126)이 형성되어 있다. 공통 전극(126) 위에는 폴리이미드계 물질로 이루어진 제 2 배향막(128)이 형성되어 있다.
제 1 및 제 2 기판(110, 120) 사이, 상세하게는 공통 전극(126)과 데이터 배선(114) 사이에는 씰 패턴(130)이 형성되어 있으며, 제 1 및 제 2 배향막(118, 128) 사이에는 액정층(160)이 위치하여 씰 패턴(130)으로 둘러싸여 있다.
이와 같이, 본 발명의 제 1 실시예에서는 제 1 배향막(118)이 보호막의 역할을 하며, 또한 제 1 배향막(118)이 인쇄 방법에 의해 형성되므로, 사진 식각 공정 없이 데이터 패드 터미널(116)을 드러내도록 형성할 수 있다. 따라서, 제조 공정을 감소시키고, 비용을 줄일 수 있다.
그러나, 이러한 경우 D 영역에서와 같이, 씰 패턴(130) 바깥쪽에 위치하는 데이터 패드(115)의 금속이 드러날 경우 직류부식인 전식이 생길 수 있다. 전식은 신호 전달이 제대로 되지 못하게 하여 화질을 나빠지게 하는데, 이를 방지할 수 있는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대하여 도 5에 도시하였다. 도 5는 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시 장치의 데이터 패드부에 대한 평면도이다.
도시한 바와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에서는 보호막의 역할을 하는 제 1 배향막(250)이 씰 패턴(290)의 안쪽 영역에 형성되어 있으며, 씰 패턴(290)의 바깥쪽 영역의 데이터 패드(238)를 덮고 있는 데이터 패드 터미널(244)이 씰 패턴(290) 하부에까지 형성되도록 한다. 따라서, 씰 패턴(290) 바깥쪽의 G 영역에서 데이터 패드(238)가 공기 중에 드러나지 않게 된다.
이러한 본 발명의 제 2 실시예에 대하여 도 6을 참조하여 더욱 상세하게 설명한다. 도 6은 본 발명의 제 2 실시예에 따른 액정 표시 장치에 대한 단면도이다. 도시한 바와 같이, 본 발명의 액정 표시 장치는 일정 간격 이격되어 마주 대하고 있는 제 1 및 제 2 기판(210, 260)을 포함하며, 제 1 및 제 2 기판(210, 260)은 화상이 표현되는 제 1 영역(E)과 제 1 영역(E)의 소자에 신호를 인가하기 위해 구동회로와 연결되는 패드가 위치하는 제 2 영역(F)으로 나누어진다. 제 2 기판(260)은 제 1 기판(210)보다 크기가 작으며, 제 1 및 제 2 기판(210, 260)은 유리와 같이 투명한 기판으로 이루어질 수 있다.
먼저, 제 1 영역(E)의 제 1 기판(210) 위에는 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 게이트 전극(222)이 형성되어 있고, 그 위에 실리콘 질화막(SiNx)이나 실리콘 산화막(SiO2)으로 이루어진 게이트 절연막(224)이 게이트 전극(222)을 덮고 있다. 게이트 절연막(224)은 제 2 영역(F)에까지 연장되어 있다. 다음, 게이트 절연막(224) 위에는 비정질 실리콘으로 이루어진 액티브층(226)이 형성되어 있으며, 그 위에 불순물이 도핑된 비정질 실리콘으로 이루어진 오믹 콘택층(228)이 형성되어 있다. 액티브층(226)과 오믹 콘택층(228)은 게이트 전극(222)에 대응한다.
이어, 오믹 콘택층(228) 상부에는 금속과 같은 도전 물질로 이루어진 데이터 배선(232)과 소스 및 드레인 전극(234, 236)이 형성되어 있는데, 소스 및 드레인 전극(234, 236)은 게이트 전극(222)과 함께 박막 트랜지스터(T)를 이룬다. 게이트 전극(222)은 게이트 배선(도시하지 않음)과 연결되어 있고 소스 전극(232)은 데이터 배선(232)과 연결되어 있으며, 게이트 배선과 데이터 배선(232)은 교차하여 화소 영역(P)을 정의한다. 한편, 제 2 영역(E)에는 데이터 배선(232)에서 연장되어 외부의 구동회로로부터 신호를 인가받기 위한 데이터 패드(238)가 형성되어 있다.
다음, 드레인 전극(236) 상부의 화소 영역에는 투명한 도전 물질로 이루어진 화소 전극(242)이 형성되어 드레인 전극(236)과 연결되어 있으며, 데이터패드(238) 상부에는 투명 도전 물질로 이루어진 데이터 패드 터미널(244)이 형성되어 데이터 패드(238)을 덮고 있다. 데이터 패드 터미널(244)은 화소 전극(242)과 같은 물질로 이루어지는 것이 바람직하며, 인듐-틴-옥사이드(indium-tin-oxide)나 인듐-징크-옥사이드(indium-zinc-oxide)로 이루어질 수 있다.
다음, 제 1 영역(E)에는 제 1 배향막(250)이 형성되어 화소 전극(242)과 데이터 배선(232), 그리고 소스 및 드레인 전극(234, 236)을 덮고 있으며, 제 1 배향막(250)은 보호막의 역할도 한다. 제 1 배향막(250)은 폴리이미드계 물질을 인쇄함으로써 형성되며, 패터닝을 위한 별도의 사진 식각 공정이 필요없이 데이터 패드 터미널(244)을 드러낼 수 있다.
다음, 제 2 기판(260)의 안쪽면에는 블랙 매트릭스(262)가 박막 트랜지스터(T)와 대응되는 위치에 형성되어 있는데, 블랙 매트릭스(262)는 제 2 영역(F)에까지 연장되어 있다. 제 1 영역(E)의 블랙 매트릭스(262) 상부에는 컬러필터(264)가 형성되어 있는데, 컬러필터(264)는 적, 녹, 청의 색이 순차적으로 반복되어 있으며, 하나의 색이 하나의 화소 영역에 대응한다. 컬러필터(264) 상부에는 컬러필터(264)를 보호하며, 컬러필터(264)가 형성된 기판을 평탄화시키기 위한 오버코트층(266)이 형성되어 있고, 그 위에 투명한 도전 물질로 이루어진 공통 전극(268)이 형성되어 있다. 오버코트층(266)과 공통 전극(268)은 제 2 영역(E)에까지 연장되어 있으며, 오버코트층(266)은 생략할 수도 있다. 이어, 공통 전극(268) 위에는 제 2 배향막(270)이 형성되어 있다. 제 2 배향막(270)도 폴리이미드 계열의 물질을 인쇄함으로써 형성될 수 있다.
제 1 및 제 2 배향막(250, 270) 사이에는 액정층(280)이 위치하며, 제 1 및 제 2 배향막(250, 270)은 액정 분자의 초기 배열 상태를 결정한다.
다음, 제 2 영역(F)의 제 1 기판(210)과 제 2 기판(260) 사이에는 액정 주입을 위한 갭을 형성하고 주입된 액정의 누설을 방지하는 씰 패턴(290)이 형성되어 있다. 여기서, 데이터 패드 터미널(244)은 씰 패턴(290)의 하부에까지 연장되어 있어, 실질적으로 씰 패턴(290)은 데이터 패드 터미널(244)과 공통 전극(268) 사이에 위치하게 된다.
이와 같이, 본 발명의 제 2 실시예에서는 제 1 배향막이 보호막의 역할도 함께 하며, 별도의 패터닝 공정이 필요하지 않기 때문에 제조 공정을 감소시키고 비용을 줄일 수 있다. 또한, 투명 도전 물질로 이루어진 데이터 패드 터미널이 씰 패턴의 하부까지 형성되어 있으므로, 데이터 패드의 금속 물질이 노출되지 않아 전식을 방지할 수 있다.
본 발명에 따른 액정 표시 장치에서는 배향막이 보호막의 역할도 함께 하며, 별도의 패터닝 공정이 필요하지 않기 때문에 제조 공정을 감소시키고 비용을 줄일 수 있다. 또한, 투명 도전 물질로 이루어진 데이터 패드 터미널이 씰 패턴의 하부까지 형성되어 있으므로, 데이터 패드의 금속 물질이 노출되지 않아 전식을 방지할 수 있다.
Claims (6)
- 일정 간격 이격되어 마주 대하고 있으며, 제 1 영역과 제 2 영역을 가지는 제 1 및 제 2 기판;상기 제 1 기판 안쪽면에 형성되어 있으며, 상기 제 1 영역에 위치하는 게이트 배선;상기 게이트 배선과 교차하여 화소 영역을 정의하는 데이터 배선;상기 게이트 배선 및 데이터 배선과 연결되어 있는 박막 트랜지스터;상기 데이터 배선에서 연장되어 있으며, 상기 제 2 영역에 위치하는 데이터 패드;상기 화소 영역에 형성되고 상기 박막 트랜지스터와 연결되어 있는 화소 전극;상기 화소 전극과 데이터 배선 및 박막 트랜지스터를 덮고 있는 제 1 배향막;상기 제 2 기판 안쪽면에 형성되어 있는 블랙매트릭스;상기 블랙 매트릭스 상부에 형성되고, 상기 화소 영역에 대응하는 컬러필터;상기 컬러필터 상부에 형성되어 있는 공통전극;상기 공통전극 상부에 형성되어 있는 제 2 배향막;상기 제 1 영역의 상기 제 1 및 제 2 배향막 사이에 형성되어 있는 액정층; 그리고상기 제 1 및 제 2 기판 사이에 형성되어 있으며, 상기 액정층을 둘러싸고 있는 씰 패턴을 포함하며,상기 데이터 패드 터미널은 상기 데이터 패드와 상기 씰 패턴 사이에 위치하는 액정 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 데이터 패드 터미널은 상기 씰 패턴 하부에까지 연장되어 있는 액정 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 배향막은 폴리이미드 계열의 물질로 이루어진 액정 표시 장치.
- 제 3 항에 있어서,상기 제 1 및 제 2 배향막은 인쇄 방법에 의해 형성되는 액정 표시 장치.
- 제 1 항에 있어서,상기 데이터 패드 터미널은 상기 화소 전극과 같은 물질로 이루어진 액정 표시 장치.
- 제 5 항에 있어서,상기 데이터 패드 터미널은 인듐-틴-옥사이드와 인듐-징크-옥사이드 중의 하나로 이루어진 액정 표시 장치.
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020086985A KR100862075B1 (ko) | 2002-12-30 | 2002-12-30 | 액정 표시 장치 |
| US10/697,024 US7385651B2 (en) | 2002-12-26 | 2003-10-31 | Array substrate for liquid crystal display device and method of manufacturing the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020020086985A KR100862075B1 (ko) | 2002-12-30 | 2002-12-30 | 액정 표시 장치 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20040061187A true KR20040061187A (ko) | 2004-07-07 |
| KR100862075B1 KR100862075B1 (ko) | 2008-10-09 |
Family
ID=37352750
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020020086985A KR100862075B1 (ko) | 2002-12-26 | 2002-12-30 | 액정 표시 장치 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| KR (1) | KR100862075B1 (ko) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100561645B1 (ko) * | 2003-10-13 | 2006-03-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시패널 및 그 제조방법 |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101938000B1 (ko) * | 2011-09-20 | 2019-01-15 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
Family Cites Families (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100710143B1 (ko) * | 2000-10-25 | 2007-04-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정 디스플레이 패널 제조 방법 |
| KR100704510B1 (ko) * | 2001-02-12 | 2007-04-09 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 횡전계형 액정표시장치용 하부 기판 및 그의 제조방법 |
| KR100857719B1 (ko) * | 2001-03-26 | 2008-09-08 | 엘지디스플레이 주식회사 | 액정표시장치 및 그 제조방법 |
-
2002
- 2002-12-30 KR KR1020020086985A patent/KR100862075B1/ko active IP Right Grant
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100561645B1 (ko) * | 2003-10-13 | 2006-03-20 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 액정표시패널 및 그 제조방법 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100862075B1 (ko) | 2008-10-09 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US11036098B2 (en) | Liquid crystal display device having rectangular-shaped pixel electrodes overlapping with comb-shaped counter electrodes in plan view | |
| US6731369B2 (en) | Liquid crystal display device having improved adhesion of a seal pattern | |
| US6774975B2 (en) | Liquid crystal display panel having a patterned spacer | |
| US6731358B2 (en) | Color liquid crystal panel and color liquid crystal display apparatus | |
| US7952677B2 (en) | Array substrate for in-plane switching mode liquid crystal display device and method of fabricating the same | |
| US7405798B2 (en) | Liquid crystal display apparatus and method of forming the same | |
| US8400606B2 (en) | Liquid crystal display apparatus and method of manufacturing the same | |
| US7116383B2 (en) | Array substrate for liquid crystal display device and fabricating method thereof | |
| WO2004011998A1 (en) | Upper substrate, liquid crystal display apparatus having the same and method of fabricating the same | |
| KR20050063882A (ko) | 액정 표시 장치 및 그 제조 방법 | |
| JP2004158826A (ja) | 配線構造の製造方法、電気光学装置の製造方法、電気光学装置および電子機器 | |
| JP2006201312A (ja) | 液晶表示パネル及び液晶表示装置 | |
| US20070188682A1 (en) | Method for manufacturing a display device | |
| KR20070043098A (ko) | 어레이 기판 및 이의 제조방법 | |
| US7179673B2 (en) | Method of fabricating liquid crystal display device | |
| KR100473588B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판 | |
| US20080191211A1 (en) | Thin film transistor array substrate, method of manufacturing the same, and display device | |
| KR100626347B1 (ko) | 티에프티 엘시디 판넬의 제작방법 | |
| KR20080042466A (ko) | 액정표시패널 및 그 제조방법 | |
| KR100679100B1 (ko) | 수평 전계 인가형 액정 표시 패널 및 그 제조방법 | |
| KR100413512B1 (ko) | 액정 표시 장치용 어레이 기판 및 그의 제조 방법 | |
| KR100862075B1 (ko) | 액정 표시 장치 | |
| US20080149933A1 (en) | Display panel | |
| US10497725B2 (en) | Method of producing display panel board | |
| KR100268105B1 (ko) | 박막트랜지스터기판및그제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20130619 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140630 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150818 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160816 Year of fee payment: 9 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170816 Year of fee payment: 10 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180816 Year of fee payment: 11 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190814 Year of fee payment: 12 |