KR20040022938A - 액정표시소자의 제조방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (7)
- 게이트라인과 데이터라인이 교차되는 영역에 박막트랜지스터를 형성하는 단계와,상기 박막트랜지스터가 형성된 기판을 덮도록 보호막을 형성하는 단계와,상기 보호막을 부분노광마스크를 이용하여 선택적으로 제거하여 관통홀을 형성함과 동시에 드레인접촉홀을 형성하는 단계와,상기 관통홀 및 드레인접촉홀을 통해 각각 게이트절연막 및 박막트랜지스터의 드레인전극과 접촉되는 화소전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 1 항에 있어서,상기 박막트랜지스터를 형성하는 단계는상기 게이트라인을 형성함과 동시에 기판 상에 게이트전극을 형성하는 단계와,상기 게이트전극 및 게이트라인을 덮도록 게이트절연막을 형성하는 단계와,상기 게이트절연막 상에 반도체층을 형성하는 단계와,상기 반도체층이 형성된 기판 상에 소스 및 드레인전극을 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 2 항에 있어서,상기 드레인접촉홀은 상기 보호막을 관통하여 상기 드레인전극을 노출시키는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 3 항에 있어서,상기 부분노광마스크는 전면 노광영역, 차단영역, 그리고 부분 노광영역을 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조 방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 관통홀과 드레인접촉홀을 형성하는 단계는상기 보호막이 형성된 기판 상에 포토레지스트를 증착하는 단계와,상기 부분 노광 마스크를 이용한 포토리쏘그래피공정으로 상기 드레인전극 상에 형성된 포토레지스트를 제거함과 동시에 상기 게이트라인 상에 제1 영역을 갖는 포토레지스트패턴과 그 이외의 영역 상에 제2 영역을 갖는 포토레지스트패턴을 형성하는 단계와,상기 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여 상기 드레인전극과 대응되는 보호막을 제거함과 동시에 상기 제1 영역과 대응되는 보호막을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 5 항에 있어서,상기 포토레지스트 패턴에서상기 제1 영역은 상기 마스크의 부분노광영역에 대응되고, 상기 제2 영역은 차단영역에 대응되는 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
- 제 4 항에 있어서,상기 부분노광영역과 대응되는 보호막의 두께는 상기 차단영역과 대응되는 보호막의 두께의 약 0~70%정도인 것을 특징으로 하는 액정표시소자의 제조방법.
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