KR20040008101A

KR20040008101A - 플라즈마표시패널을 제조하기 위한 장치 및 방법

Info

Publication number: KR20040008101A
Application number: KR1020030049359A
Authority: KR
Inventors: 히라노도시아키; 고쿠라다케시
Original assignee: 엔이시 플라즈마 디스플레이 가부시키가이샤
Priority date: 2002-07-17
Filing date: 2003-07-18
Publication date: 2004-01-28
Also published as: JP3624234B2; US20040072497A1; KR100655673B1; JP2004055180A

Abstract

플라즈마표시패널을 제조하기 위한 장치로서, 보호막을 플라즈마표시패널의 기판의 표시영역에 형성하는 장치는, (a) 진공챔버(2), 및 (b) 진공챔버(4) 내에서기판(3)을 제1방향(4)으로 반송하는 반송기(5)를 포함하며, (c) 복수개의 증발원들(11a, 11b)은 기판(3)이 막형성위치(7)에 있는 때에 기판(3)의 표시영역(6)과 정렬되게 위치되고, 증발원들 중의 적어도 하나(11a)는 반송기(5)에 의해 반송될 수 있는 기판들 중에서 최대 기판의 제1방향(4)으로 뻗어있는 가장자리들(3a)로부터 제1방향(4)에 수직한 제2방향(4a)으로 소정의 길이 만큼 기판(3) 안쪽으로 뻗어있는 영역들로서 정의되는 제1영역들(3A)의 각각에 위치된 것을 특징으로 한다.

Description

플라즈마표시패널을 제조하기 위한 장치 및 방법{Apparatus for fabricating plasma display panel and method of fabricating the same}

본 발명은 플라즈마표시패널을 제조하기 위한, 특히, 기판상에 보호막을 형성하기 위한 장치 및 이를 행하는 방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는, 본 발명은 균일한 특성을 갖는 보호막을 형성할 수 있는 플라즈마표시패널를 제조하기 위한 장치 및 이러한 플라즈마표시패널의 제조를 행하는 방법에 관한 것이다.

플라즈마표시패널은 앞면기판 및 뒷면기판을 구비한다.

앞면기판은 투명기판, 투명기판 상에 서로 평행하게 형성된 복수개의 주사전극들, 투명기판 상에 주사전극들과는 평행하게 그리고 주사전극들과는 교대로 형성된 복수개의 공통전극들, 투명기판 상에서 주사 및 공통전극들을 덮도록 형성된 투명유전체층, 및 투명유전체층 상에 형성된 보호막을 구비한다. 보호막은 예컨대 산화마그네슘(MgO)으로 이루어진다.

뒷면기판은 전기절연기판, 전기절연기판 상에 서로 평행하게 형성된 복수개의 데이터전극들, 전기절연기판 상에 데이터전극들을 덮도록 형성된 유전체층, 유전체층 상에 형성되며 셀들을 매트릭스형태로 규정하기 위한 격벽, 그리고 격벽의 측벽들 및 유전체층의 노출된 표면을 덮는 인광체층을 구비한다.

앞면 및 뒷면기판들은 주사 및 공통전극들이 데이터전극들에 수직하게 뻗어있도록 서로 부착된다. 그 후, 앞면 및 뒷면기판들은 서로 밀봉된다. 앞면 및 뒷면기판들 사이에서 정해지는 공간에 존재하는 공기는 배기되고, 이 공간에는 방전기체가 채워진다. 따라서, 플라즈마표시패널이 완성된다.

산화마그네슘(MgO)막으로 구성된 보호막은 방전이 행해지는 동안 이온화된 방전기체에 의해 야기된 스퍼터링으로부터 투명유전체막을 보호하고 또 2차전자를 방출하여 방전을 용이하게 한다. 산화마그네슘막들의 특성들의 차이에 따라, 보호막들의 2차전자방출특성들 및 스퍼터링내성은 서로 다르며, 결과적으로 쓰기방전이 셀들의 각각에서 개시되는 전압, 쓰기방전이 셀들의 각각에서 잘못 발생되게 하는 전압, 셀들의 각각에서의 방전지연시간, 및 셀의 수명이 달라지게 된다. 여기서, 방전지연시간은 전극들에 펄스를 인가한 시간부터 방전이 실제 발생하기까지의 기간으로서 정의된다. 방전지연시간은 통상적으로 최대 약 3마이크로초이다.

일본공개특허공보 제2001-118518호, 제2002-83546호, 및 제2002-33054호는 2차전자방출특성을 개선하기 위해 산화마그네슘막의 결정구조 및 배향을 제어하는 방법을 제안하고 있다. 예를 들어, 일본공개특허공보 제2001-118518호는 (110) 및 (100)으로 배향된 결정들을 함유하거나 두께방향에 대해 5 내지 60도로 경사진 결정기둥(crystal column)을 갖는 산화마그네슘막이 향상된 2차전자방출특성을 가지며, 쓰기방전을 개시하는 전압을 낮추고, 방전지연시간을 단축시킨다고 기재하고 있다.

도 1은 산화마그네슘막으로 구성된 보호막을 형성하는 종래의 장치의 측면도이다. 도 1에 도시된 장치는 전술한 일본공개특허공보 제2002-83546호에 개시된 것이다.

도 1에 도시된 종래의 장치에서는, 산화마그네슘막이 투명기판(예컨대, 유리기판으로 구성; 101) 상의 표시영역(102)에 진공증착에 의해 연속적으로 형성된다. 이 종래의 장치는 복수개의 MgO증발원들(103)이 기판(101)이 반송되는 방향에 수직한 방향으로 선(line)형태로 배치된 진공챔버(미도시)를 가지도록 설계된다. 증발원들(103)은 표시영역(102)에 형성하려는 산화마그네슘막이 균일한 두께를 가지도록 배치된다. 복수개의 전자총들(미도시)이 진공챔버 내에 배치된다.

투명기판들(101)이 진공챔버 내로 일정한 속도로 반송되는 동안, 전자총들은 산화마그네슘(MgO)을 증발시키기 위해 전자빔들을 증발원들(103)에 방사한다. 투명기판(101)이 증발원들(103) 위쪽에 도달하는 경우, 증발된 산화마그네슘은 투명기판(101)의 표면에 부착되고, 따라서, 산화마그네슘막(미도시)이 투명기판(101)상의 표시영역(102)에 형성된다. 이렇게 형성된 산화마그네슘막은 앞면기판의 보호막을 구성한다.

그러나, 전술한 종래의 장치는 다음의 문제들을 동반한다.

도 1에 도시된 장치를 사용하여 산화마그네슘막을 형성할 때, 증발원들(103)이 적절히 배치되고 전자총들로부터 방출된 전자빔들이 투명기판(101)의 폭방향으로 균일한 두께를 갖는 산화마그네슘막을 형성하기 위해 적절히 제어되는 경우에도, 결과적인 산화마그네슘막은 폭방향의 반대 끝부분들에서 나빠진 특성들을 나타낼 것이다. 그래서, 이러한 산화마그네슘막을 보호막으로서 가지는 투명기판(101)이 플라즈마표시패널에 사용된다면, 표시영역(102)의 모서리에 위치된 셀들은 쓰기방전이 개시되는 전압의 증가, 쓰기방전이 잘못 발생되는 전압의 감소, 방전지연시간의 증가, 및 전압수명의 감소와 같은 문제들을 가진다.

쓰기방전이 개시되는 전압이 증가되고 쓰기방전이 잘못 발생되는 전압이 증가한다면, 쓰기방전에 대한 구동마진이 좁게되어, 플라즈마표시패널를 적절히 구동하기가 어렵게 된다. 방전지연시간이 증가된다면, 펄스가 전극들에 인가되는 기간이 더 길게 되어, 플라즈마표시패널를 고속으로 구동하는 것이 불가능하게 되고, 이는 플라즈마표시패널을 대형으로 제작하기 어렵게 만든다. 더구나, 전압수명이 감소된다면, 보호막 두께의 증가를 피할 수 없어, 제조비용이 증가하게 된다.

증발원들은 종래에는 보호막이 균일한 두께를 가지도록 배치되었다. 플라즈마표시패널이 원피스제작(one-piece making)으로 제조된 경우, 즉, 하나의 표시영역이 단일 기판으로부터 형성된다면, 기존의 장치는 소망의 크기를 갖는 표시영역을 구비한 플라즈마표시패널을 제조하기에 충분하였고, 그래서, 전술한 문제들은 야기되지 않았다.

그러나, 근래의 플라즈마표시패널의 크기의 진보로, 장치는 이 장치의 한계에 거의 접근한 크기를 갖는 표시영역을 구비한 기판을 다룰 수 있어야 하고, 결과적으로 전술한 문제들이 야기된다.

예를 들어, 55-사이즈 이상의 플라즈마표시패널이 단일 기판으로 형성된다면, 전술한 문제들은 기판의 가장자리들에서 야기될 수 있다. 기판이 반송되는 방향에 수직한 방향으로 배치된 2개의 표시영역들이 단일 기판으로부터 취해진다면, 2개의 42-사이즈 표시영역들을 취하는데는 문제를 일으키진 않지만, 전술한 문제들은 50-사이즈 이상의 표시영역들을 취하는데는 문제를 일으킨다. 게다가, 3개 이상의 42-사이즈 표시영역들이 단일 기판으로부터 치해진다면, 전술한 문제들이 야기될 수 있다.

기존 장치의 전술한 문제들을 고려하여, 본 발명의 목적은 향상된 2차전자방출특성, 향상된 스퍼터링내성, 및 균일한 구조를 갖는 보호막을 기판 위에 형성할 수 있는 플라즈마표시패널제조용 장치를 제공함에 있다.

본 발명의 다른 목적은 이러한 일을 행할 수 있는 플라즈마표시패널제조방법을 제공함에 있다.

도 1은 보호막을 형성하기 위한 기존 장치의 측면도,

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따라 플라즈마표시패널을 제조하기 위한 장치의 평면도,

도 3은 도 2에 도시된 장치의 단면도,

도 4는 산화마그네슘막의 (111)배향과 기판의 위치 사이의 관계를 보여주는 그래프,

도 5는 산화마그네슘막의 (111)배향과 각도(α) 사이의 관계를 보여주는 그래프,

도 6은 산화마그네슘막의 (111)배향과, 쓰기방전이 개시되는 전압 및 쓰기방전이 잘못 발생되는 전압 사이의 관계를 보여주는 그래프,

도 7은 산화마그네슘막의 (111)배향과 방전지연시간 사이의 관계를 보여주는 그래프,

도 8은 산화마그네슘막의 (111)배향과 전압수명 사이의 관계를 보여주는 그래프,

도 9는 산화마그네슘막의 두께와 전압수명 사이의 관계를 보여주는 그래프,

도 10은 본 발명의 제2실시예에 따라 플라즈마표시패널을 제조하기 위한 장치의 평면도.

본 발명의 한 양태로는, 플라즈마표시패널을 제조하기 위한 장치로서, 보호막을 플라즈마표시패널의 기판의 표시영역에 형성하는 장치가 제공되며, 이 장치는, (a) 진공챔버, 및 (b) 상기 진공챔버 내에서 상기 기판을 제1방향으로 반송하는 반송기를 포함하며, (c) 복수개의 증발원들이 상기 기판이 막형성위치에 있는 때에 상기 기판의 상기 표시영역과 정렬되게 위치되고, 상기 증발원들 중의 적어도 하나는 상기 제1방향에 수직한 제2방향에서 상기 표시영역의 바깥에 위치된 것을 특징으로 한다.

이 장치에서, 적어도 하나의 증발원이 제2방향에서 표시영역의 바깥에 배치된다. 이것은 증발된 재료가 표시영역의 바깥에서부터 제2방향으로 표시영역의 모든 지점들로 날아드는 것을 보장한다. 그 결과, 표시영역 전체에서 균일한 결정배향을 갖는 보호막을 형성하는 것이 가능하다. 따라서, 보호막이 표시영역 전체에서 향상된 2차전자방출특성 및 향상된 스퍼터링내성을 가지도록 하는 것이 가능하고, 쓰기방전 시에 충분한 구동마진을 가지며 고속으로 구동될 수 있고 긴 전압수명을 갖는 플라즈마표시패널을 얻는 것이 가능하다.

본 발명의 다른 앙태로는, 플라즈마표시패널을 제조하기 위한 방법이 제공되며, 이 방법은, 보호막을 플라즈마표시패널의 기판의 표시영역에 형성하는 단계를 포함하며, 상기 단계는, (a) 상기 기판을 진공분위기에서 제1방향으로 반송하는 단계; 및 (b) 적어도 하나의 증발원이 상기 제1방향에 수직한 제2방향에서 상기 표시영역의 바깥에 위치되며, 복수개의 증발원들이 상기 기판의 상기 표시영역에 마주하여 위치된 복수개의 증발원들을 가열하고 증발시키는 단계를 구비한다.

발명자들은 전술한 목적들을 달성하기 위해 많은 실험들을 행하였고, 보호막이 기판의 폭방향으로 균일한 두께를 가지도록 형성되는 경우에도 보호막의 결정배향이 기판의 폭방향의 대향 끝부분들에서 낮아지는 것을 알아내었다. 발명자들은 추가로, 산화마그네슘막으로 구성된 보호막이 (111)배향된 결정들을 가진다면 이 보호막은 향상된 2차전자방출특성 및 향상된 스퍼터링내성을 가지는 반면, (111)배향이 감소된다면 그러한 특성 및 내성도 나빠진다는 것을 알아내었다.

본 발명은 위에서 언급된 발견에 기초하여 만들어진 것이다.

[제1실시예]

도 2는 본 발명의 제1실시예에 따라 플라즈마표시패널을 제조하는 장치의 평면도이고, 도 3은 도 2에 도시된 장치의 단면도이다.

이 장치(1)는 진공챔버(2), 기판(3)을 제1방향(4)으로 반송하여 기판(3)이 막형성위치(7) 위를 통과하도록 하는 기판반송기(5)를 구비한다.

기판(3)은 전술한 앞면기판의 구조와 동일한 구조를 가진다. 도 2에서, 주사 및 공통전극들과 투명유전체층은 기판(3)의 하부표면 위에 형성된다. 기판(3)은 산화마그네슘막으로 구성된 보호막이 장치(1)에 의해 형성되는 표시영역(6)을 가진다.

표시영역(6)은 기판(3)의 중앙부에 위치된다. 기판(3)의 표시영역(6) 바깥의 영역들, 즉, 표시영역(6)의 제1방향(4)으로 뻗어있는 가장자리들(6a) 및 제1방향(4)으로 뻗어있는 가장자리들(3a) 사이에 끼어있는 영역들은 제1영역들(3A)을 정한다. 달리 말하면, 제1영역들(3A)은 기판(3)의 가장자리들(3a)로부터 제1방향(4)에 수직한 제2방향(4a)으로 기판(3)의 안쪽으로 소정의 길이만큼 뻗어있는 영역들로서 정해진다.

예를 들어, 소정의 길이가 바람직하게는 기판(3)이 기판반송기(5)에 의해 반송될 수 있는 기판들 중에서 최대크기의 기판이고, 이 경우, 소정의 길이는 40㎜이다.

서로 다른 크기를 갖는 기판들(3)은 장치(1) 속으로 도입되고, 또, 서로 다른 크기를 갖는 표시영역(6)을 각각 구비한 기판들(3)은 장치(1) 속으로 도입된다.

2개의 링형닻줄구멍부들(ring-hawses; 8)이 진공챔버(2) 내에서 막형성위치(7) 하류에 제2방향(4a)으로 배치된다. 회전자들(미도시)이 링형닻줄구멍부들(8)을 회전시킨다.

링형닻줄구멍부들(8) 사이에는 칸막이판(9)이 세워진다. 칸막이판(9)은 제2방향(4a)에 수직한 대향 표면들을 가진다.

전자총들(10)이 링형닻줄구멍부들(8)을 마주하게끔 배치된다. 구체적으로는, 링형닻줄구멍부들(8)은 전자총들(10) 및 칸막이판(9) 사이에 위치된다. 전자총들(10)의 각각은 링형닻줄구멍부들(8)에서 전자총들(10)에 가장 가깝게 위치된 제1부분들(11a) 및 전자총들(10)로부터 가장 멀리 위치된 제2부분들(11b)에 전자빔들(12)을 조사한다. 산화마그네슘(MgO)은 링형닻줄구멍부들(8)의 제1 및 제2부분들(11a 및 11b)로부터 증발된다.

구체적으로, 장치(1)는 제2방향(4a)에서 하나의 선 상에 표시영역(6)과 마주하는 관계로 배치된 4개의 MgO증발원들을 구비하며 기판(3)은 막형성위치(7)에 있다. MgO증발원들은 산화마그네슘막이 표시영역(6)에서 균일한 두께를 가지도록 위치된다.

도 3에 도시된 바와 같이, 마스크(20)가 기판(3)의 하부표면에 긴밀하게 붙여진다. 마스크(3)는 증발에 의해 산화마그네슘막이 형성되는 영역을 정하는 직사각형 개구부(3a)를 가지도록 형성된다. 개구부(3a)는 표시영역(6) 전체를 덮고, 4 변들에서 표시영역(6)보다 약 5㎜만큼 더 크고, 이것은 결과적인 막이 개구부(20a)의 가장자리 부근에서 균일한 두께를 가지지 않을 것이기 때문이다.

전자빔들(12)이 통과하는 공간에 자기장을 발생하여 전자빔들(12)의 경로를 제어하는 유닛이, 링형닻줄구멍부들(8)의 각각의 부근에 위치된다.

칸막이판(9)은 자기장을 차단한다. 그래서, 자기장은 칸막이판(9)의 대향 측들에서 서로 독립적으로 제어될 수 있다.

진공챔버(2) 바깥에 배치된 배기유닛(미도시)은 진공챔버(2)를 진공으로 유지한다. 도 3에서, 진공챔버(2)와 기판반송기(5)는 간략화를 위해 생략된다.

도 2를 참조하면, 제1부분 또는 증발원(11a)이 기판(3)의 위쪽에서 보았을 때 표시영역(6) 바깥에 제2방향(4a)으로 배치된다. 달리 말하면, 증발원(11a)은 제1영역들(3A)의 각각에 배치된다.

구체적으로, 기판(3)의 중심을 제2방향(4a)으로 통과하는 수직면(13)과 제1부분(11a) 사이의 거리(La)는 수직면(13)과 표시영역(6)의 가장자리들(6a) 사이의 거리(W1)보다 길지만, 수직면(13)과 기판(3)의 가장자리들(3a) 사이의 거리(W2)보다 짧다.

기판(3)이 막형성위치(7)에 있는 경우, 제1선(14) 및 제2선(15)에 의해 정해지는 각도는 80도 이하이다. 제1선(14)은 제1부분(11a)의 중심을 표시영역(6)의 가장자리들(6a) 상에 있으며 제1부분(11a)의 중심에 가장 가까운 점에 연결하는 선으로서 정의되고, 제2선(15)은 제1부분(11a)의 중심으로부터 제2방향(4a)으로 수평으로 뻗어있는 선으로서 정의된다.

제1영역(3A)이 40㎜의 길이를 가지도록 설계된다면, 길이들(W1 및 W2) 사이의 차이도 40㎜가 되고, 표시영역(6)의 가장자리들(6a)은 기판(3)의 가장자리들(3a)의 40㎜ 안쪽에 위치된다.

이후로는 장치(1)의 동작이 설명된다. 하나의 표시영역(6)이 기판(1)에서 정해지는 것으로 가정한다. 이 표시영역은 임의의 크기 이를테면 55-사이즈 또는 60-사이즈를 가져도 좋다.

도 2 및 3에 도시된 바와 같이, 기판(3)은 진공챔버(2)에 도입된다.

그 후, 기판반송기(5)는 기판(3)을 제1방향(4)으로 반송한다. 그 후, 전자총들(10)은 전자빔들(12)의 조사를 개시한다. 전술한 유닛은, 전자빔들(12)의 경로를 제어하기 위해, 전자빔들(12)이 통과하는 영역에 자기장을 발생한다. 그 결과, 전자빔들(12)은 제1부분들(11a) 및 제2부분들(11b)에 번갈아 조사된다. 따라서, 제1 및 제2부분들(11a 및 11b)의 산화마그네슘은 증발된다.

회전자들이 링형닻줄구멍부들(8)를 회전시키므로, 새로운 산화마그네슘이 제1 및 제2부분들(11a 및 11b)에 공급된다.

기판(3)이 막형성위치(7)에 도달하는 경우, 링형닻줄구멍부들(8)의 제1 및 제2부분들(11a 및 11b)로부터 증발된 산화마그네슘분자들은 기판(3)의 표시영역(6)에 부착되고, 결과적으로, 산화마그네슘막이 표시영역(6)에 형성된다. 산화마그네슘분자들은 표시영역(6)에 제2방향(4a)에서 반대 방향들로 날려간다. 이렇게 쌓여진 산화마그네슘은 플라즈마표시패널의 앞면기판의 보호막을 이룬다.

이렇게 형성된 산화마그네슘막은 면심입방(fcc)결정구조를 가지고 (111)배향된 표면을 가진다. 예를 들어, 산화마그네슘막은 기판(3)의 표면에 수직하게 뻗어있는 기둥형결정들을 구비한다.

이후로는 제1실시예에서 발견된 제한된 모양들이 설명된다.

전술한 바와 같이, 제1선(14) 및 제2선(15)에 의해 정해지는 각도(α)는 80도 이하로 설정된다.

이 각도가 80도를 넘는다면, 증발된 산화마그네슘분자들은 가장자리(6a) 부근의 표시영역(6)에 빗나간 방향들로 조사되어, 보호막의 결정배향이 저하되게 하고, 그래서, 2차전자방출의 특성 및 스퍼터링내성 둘 다가 감소되게 한다. 따라서, 각도는 바람직하게는 80도 이하이다.

이후로는 각도를 80도 이하로 설정한 이유를 상세히 설명한다.

도 4는 산화마그네슘막의 (111)배향과 기판(3)의 위치 사이의 관계를 보여주는 그래프이다. 도 4에서, x축은 제2방향(4a)에서의 기판(3)의 위치를 나타내며, y축은 X선회절분석계에 의해 측정된 산화마그네슘막의 (111)회절광의 세기를 나타낸다. 도 4의 y축은 제2방향(4a)에서의 기판(3)의 중심으로부터 거리를 나타내고, 이 도면에서 기판(3)의 우측절반의 거리가 양의 거리로서 표시되고 기판(3)의 좌측절반의 거리는 음의 거리로서 표시된다.

도 5는 산화마그네슘막의 (111)배향과 각도(α) 사이의 관계를 보여주는 그래프이다. 도 5에서, x축은 기판(3)의 한 점에서부터 복수의 증발원들 중 가장 바깥에 위치된 증발원까지를 연결하는 선과, 복수의 증발원들 중 가장 바깥에 위치된 증발원에서부터 제2방향(3a)으로 수평으로 뻗어있는 선에 의해 정해지는 각도(α)를 나타낸다.

산화마그네슘막은 치수들이 다음과 같은 도 2 및 3에 도시된 장치(1)로 형성된다.

수직면(13)과 제1부분(11a)의 중심 사이의 거리(La) : 710㎜

수직면(13)과 제2부분(11b)의 중심 사이의 거리(Lb) : 190㎜

수직면(13)과 기판(3)의 가장자리들(3a) 사이의 거리(W2) : 760㎜

수직면(13)과 기판(3)의 가장자리들(6a) 사이의 거리(W1) : 600㎜

기판(3)과 제1부분(11a)의 중심 사이의 거리(H) : 655㎜

거리(W1)이 600㎜로 설정되는 경우, 기판(3)은 표시영역(6)이 2W1과 동일한 종방향길이를 가지도록 놓여지고, 이 경우, 표시영역(6)이 16:9의 종횡비를 가진다면, 표시영역(6)은 54-사이즈이고, 즉, 플라즈마표시패널이 675㎜×1200㎜의 크기를 가진다.

진공챔버(2)는 3.1×10^-2㎩의 진공도를 가지도록 제어되고 전자총들(10)은 300㎃의 출력을 방출한다.

산화마그네슘막의 형성 후, 결과적인 산화마그네슘막의 결정배향은 X선회절분석계에 의해 측정된다. 측정의 결과들은 도 4 및 5에 보여진다.

플라즈마표시패널의 크기는 표시영역(6)과 표시영역(6) 주위의 제1영역들(3A)의 합과 동일하다. 일반적으로, 제1영역(3A)이 최소한 약 40㎜의 폭을 가지는 것이 필요하다. 그래서, 플라즈마표시패널의 가로세로길이는 표시영역(6)의 가로세로길이의 합 이상이다. 하나의 기판으로부터 하나의 플라즈마표시패널을 얻기 위해서는, 기판은 플라즈마표시패널의 크기보다 크며 장치(1) 속으로 도입할 수 있게 하는 큰 크기를 가져야 한다.

기판(3)의 크기는 비용을 고려하여 결정된다. 기판(3)의 크기는 서로 다른 크기들을 갖는 복수개의 표시영역들(6)이 기판(3)에서 정해질 수 있도록 결정된다.도 3에서, 표시영역(6)은 2W1 또는 1200㎜의 종방향길이를 가지게끔 설계되는 반면, 기판(3)은 2W2 또는 1520㎜의 종방향길이를 가지게끔 설계된다. 그러나, 전술한 치수들은 일 예일뿐이고, 기판(1)은 전술한 치수들로 한정되지 않음에 유의해야 한다.

도 4에 도시된 바와 같이, 결과적인 산화마그네슘막은 (111)배향로 되며, 산화마그네슘막이 다른 방향들로 배향되는 것은 발견되지 않았다. 더구나, 산화마그네슘막은 거의 균일한 두께를 가진다.

산화마그네슘막의 (111)회절광의 세기는, 기판(3)의 중심으로부터의 거리가 제2방향(4a)에서 ±500㎜의 범위 내에 있는 영역에서는 다른 영역들보다 높고, 기판(3)의 중심으로부터의 거리가 500㎜를 초과하고 -500㎜ 미만인 영역에서 기판(3)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치에서는 작다. 이것은 증발된 산화마그네슘분자들이 표시영역(6)의 대향 측들로부터 표시영역(6)으로 날아들지 않기 때문이다. 산화마그네슘막의 (111)회절광의 세기는 영(0)인 거리 주위에서 약간 감소된다. 이것은 증발된 산화마그네슘분자들이 표시영역(6)에 도달하는 것을 칸막이벽(9)에 의해 약간 차단되기 때문이다.

도 4에 도시된 것처럼, (111)회절광의 세기는 기판(3)의 중심으로부터 제2방향(4a)으로 약 450㎜에서 최대이고, 기판(3)의 가장자리들(3a)쪽으로 갈수록 감소된다. 예를 들어, 기판(3)의 중심으로부터 600㎜에서의 (111)회절광의 세기는 최대세기에 비해 15%만큼 감소된다.

기판(3)의 중심으로부터 약 450㎜의 거리는 제1부분들(11a) 및제2부분들(11b) 사이의 중심에 해당한다.

[La(710㎜) + Lb(190㎜)]/2 = 450㎜

제1선(14) 및 제2선(15)에 의해 정의된 전술한 각도(α)는 식 (A)를 만족하고 여기서 "x[㎜]"는 기판(3)의 중심에서부터 제2방향(4a)으로의 거리를 나타낸다.

tan α = H/(La - x) ...(A)

전술한 치수들을 식 (A)에 도입하면, 각도(α)는 80도인 것으로 계산된다. 그래서, 각도(α)가 80도 이하인 영역에서, (111)회절광의 세기는 최대세기의 15% 이하가 되어, 산화마그네슘막의 안정한 특성을 보장한다.

따라서, 표시영역(6)이 고정된 크기를 가지도록 설계된다면, 표시영역(6)의 가장자리들(6a)에서의 전술한 각도(α)를 80도 이하로 설정함으로써 표시영역(6)에서 전체적으로 균일한 특성을 갖는 산화마그네슘막을 형성하는 것이 가능할 것이다.

도 5는 도 4와 동일한 결과들을 보여준다. 도 5에서, x축은 기판(3)의 중심에서부터의 제2방향(4a)으로의 전술한 거리와 같은 방식으로 계산된 전술한 각도(α)를 나타낸다.

도 5를 보면 알 수 있는 바와 같이, 각도(α)가 80도 이하인 영역에서, (111)회절광의 세기는 최대세기의 15% 이하이다.

증발된 산화마그네슘분자들이 표시영역(6)에 빗나간 방향들로 조사된다면 산화마그네슘막의 (111)배향이 감소하는 이유들은, 산화마그네슘결정들의 (111)면이 경사지고 산화마그네슘막이 결정성이 나빠지기 때문이라고 생각된다. 발명자들에의한 X선회절분석계를 통해 행해진 연구에 따라, 처음 언급된 이유가 어느 정도 맞다는 것이 확인되었다. 즉, 증발된 산화마그네슘분자들이 조사되는 방향과 그레인배향의 기울기 사이에는 얼마간의 관계가 발견되었다. 그러나, 두번째 언급된 이유가 정확한지는 확인되지 않았다.

이후로는 산화마그네슘막의 (111)배향이 줄어드는 경우의 보호막의 특성 저하를 상세히 설명한다.

도 6은 산화마그네슘막의 (111)배향과 쓰기방전이 개시되는 전압 및 쓰기방전이 잘못 발생되는 전압 사이의 관계를 보여주는 그래프이다. 도 6에서, x축은 산화마그네슘막의 두께에 의해 정규화된 (111)배향의 세기를 나타내며, y축은 쓰기방전이 개시되는 전압 및 쓰기방전이 잘못 발생되는 전압의 상대전압을 나타낸다.

도 6에서, 속이 빈 백색의 정사각형들()은 쓰기방전이 잘못 발생되는 전압을 나타내고, 속이 검정색으로 채워진 마름모꼴들(◆)은 쓰기방전이 개시되는 전압을 나타낸다. 이러한 전압들은 쓰기방전이 개시되는 전압이 (111)배향의 세기가 4200cps일 때에 일(1)로서 정의되는 것을 가정하여 상대적인 값들로 표현된다.

도 6에 그려진 도형들은 표 1에 보여진다. 도 6 및 표 1에 보인 것처럼, (111)배향의 세기가 증가함에 따라, 쓰기방전이 개시되는 전압은 감소되고, 쓰기방전이 잘못 발생되는 전압은 증가된다. 표 1에서, "-"는 데이터가 없음을 나타낸다.

도 7은 산화마그네슘막의 (111)배향과 방전지연시간 사이의 관계를 보여주는 그래프이다. 도 7에서, x축은 산화마그네슘막의 두께에 의해 정규화된 (111)배향의 세기를 나타내고, y축은 쓰기방전의 방전지연시간의 상대값을 나타낸다. 이 방전지연시간은 (111)배향의 세기가 4200cps일 때에 방전지연시간이 일(1)로서 정의되는 것으로 가정하여 상대값으로 표현된다.

도 7에 그려진 도형들은 표 1에 보여진다. 도 7 및 표 1에 보인 것처럼, (111)배향의 세기가 증가함에 따라, 방전지연시간은 감소된다.

(111)배향의 세기가 증가하는 경우 방전지연시간이 감소되는 이유는 공개되지 않았지만, 산화마그네슘결정의 (111)면이 밀도가 높게 된 면이므로, 산화마그네슘막이 (111)배향된다면, 산화마그네슘막의 표면으로부터 전하들이 탈출할 수 없어, 벽전하들이 장시간 존재한 상태로 유지될 수 있고, 따라서, 방전지연시간이 감소된다고 생각된다.

도 8은 산화마그네슘막의 (111)배향과 전압수명 간의 관계를 보여주는 그래프이다. 도 8에서, x축은 산화마그네슘막의 두께에 의해 정규화된 (111)배향의 세기를 나타내고 y축은 전압수명의 상대값을 나타낸다. 전압수명은 (111)배향의 세기가 4200cps일 때에 전압수명이 일(1)로서 정해진다고 가정하여 상대값으로 표현된다.

도 8에 보인 도형들은 표 1에 보여진다. 도 8 및 표 1에 보인 것처럼, (111)배향의 세기가 증가함에 따라, 전압수명은 감소된다. 이것은 산화마그네슘결정의 (111)면이 밀도가 높게 된 면이므로 산화마그네슘막이 (111)로 배향된다면 스퍼터링내성이 향상되기 때문이라고 생각된다.

예를 들어, 산화마그네슘막의 두께와 전압수명 사이의 관계는 도 9에 보여진다. 도 9에서, x축은 산화마그네슘막의 두께를 나타내고 y축은 전압수명의 상대값을 나타낸다. 전압수명은 (111)배향의 세기가 4200cps일 때에 전압수명이 일(1)로 정해진다고 가정하여 상대값으로 표현된다.

도 9를 보면 알 수 있는 것처럼, 산화마그네슘막의 두께는 전압수명에 비려하고, 그래서, 두께가 증가함에 따라, 전압수명은 증가한다.

(111)배향세기[cps]	전압 A(상대값)	전압 B(상대값)	방전지연시간(상대값)	전압수명(상대값)
840	-	-	-	0.16
1800	1.11	1.13	2.92	-
1900	-	-	-	0.36
2500	1.08	1.15	2.42	-
3780	-	-	-	1.00
3800	1.05	1.18	1.50	-
4200	1.00	1.23	1.00	-

(전압 A는 쓰기방전이 개시되는 전압을 나타내고 전압 B는 쓰기방전이 잘못 발생되는 전압을 나타낸다.)

제1실시예에 따라 장치(1)에서, 증발원들의 제1부분들(11a)은 제2방향(4a)에서 표시영역(6)의 바깥에, 즉, 표시영역(6)의 가장자리들(6a) 기판(3)의 가장자리들(3a) 사이에 끼어있는 영역들로서 정의된 제1영역들(3A) 내에 위치된다. 이는 증발된 산화마그네슘분자들이 표시영역(6)의 제2방향(4a)에서의 대향 측들로부터 표시영역(6)에 들어가는 것을 보장한다. 따라서, 표시영역(6)에서 전체적으로 균일한 결정배향을 갖는 산화마그네슘막을 형성하는 것이 가능하다.

특히, (111)회절광선의 세기는 각도(α)가 80도 이하인 영역에서 최대세기의 15% 이하라서, 균일하게 (111)배향된 산화마그네슘막을 형성하는 것을 보장한다.

표시영역(6)에서 제2부분들(11b) 바로 위쪽의 영역에서, 증발된 산화마그네슘분자들의 입사각은 80도보다 크다. 그러나, 전술한 제2부분(11b)이 속한 링형닻줄구멍부(8)의 제1부분(11a)과 다른 링형닻줄구멍부(8)의 제2부분(11b)으로부터의 증발된 산화마그네슘의 입사각이 80도 이하이기 때문에, 산화마그네슘막의 결정성에 대해 야기된 문제는 없다.

그러므로, 향상된 2차전자방출특성 및 향상된 스퍼터링내성을 갖는 산화마그네슘막을 표시영역(6)에 전체적으로 형성하는 것이 가능하다. 그래서, 제1실시예에 따른 플라즈마표시패널은 쓰기방전이 셀들의 각각에서 개시되는 전압을 낮추는 것과, 쓰기방전이 잘못 발생되는 전압을 높이는 것, 방전지연시간을 줄이는 것, 및 전압수명을 길게 하는 것을 가능하게 한다. 따라서, 플라즈마표시패널은 쓰기방전 시에 충분한 구동마진을 가지며, 고속으로 구동될 수 있고, 긴 전압수명을 가진다.

제1실시예에서, 제1부분들(11a) 사이의 거리와 기판(3) 및 제1/제2부분들(11a/11b) 사이의 거리(H)는 예컨대 표시영역(6)의 크기에 따라 가변된다.

표시영역(6)이 제2방향(4a)에서 길이 A 또는 B(A>B)를 가진다고 가정하면, 표시영역(6)이 길이 B를 가질 때에 선택된 전술한 거리들(La×2와 H)은 표시영역(6)이 길이 A를 가질 때에 선택된 거리들 이하이다. 제1실시예에서, 표시영역(6)은 제2방향(4a)으로 1200㎜(W1×2)의 길이를 가지고 거리 H는 655㎜이다. 표시영역(6)이 제2방향(4a)에서 1200㎜보다 작은 길이를 가지도록 설계된다면, 거리 H는 표시영역(6)의 길이에 비례하여 작게될 수도 있다.

제1부분들(11a) 사이의 거리(La×2)는 각도(α)가 80도 이하가 아니면 작게만들어질 수 있다. 예를 들어, 표시영역(6)이 제2방향(4a)에서 1000㎜의 길이를 가질 때에 선택된 거리들(La×2 및 H)은 표시영역(6)이 제2방향(4a)에서 1200㎜의 길이를 가질 때에 선택된 거리들(La×2 및 H)보다 작게끔 설정될 수도 있다. 이는 산화마그네슘막의 결정성의 열화 없이 산화마그네슘막의 증발율을 향상시키는 것이 가능하고, 그래서, 플라즈마표시패널의 제조수율을 향상시키는 것이 가능하다.

[제2실시예]

도 10은 본 발명의 제2실시예에 따라 플라즈마표시패널을 제조하기 위한 장치(1A)의 평면도이다.

제1실시예에 따른 장치(1)에서의 것들에 대응하는 부분들 또는 요소들은 동일한 참조번호가 부여되며, 제1실시예의 대응하는 부분들 또는 요소들과 동일한 방식으로 작동하고, 이하에서는 명시적으로 설명하지 않는다.

제2실시예는 3개의 표시영역들(16a, 16b 및 16c)이 기판(3)에서 정해진다는 점이 제1실시예와는 다르다. 기판(3)에서 정해지는 표시영역들의 수를 제외하면, 제2실시예에 따른 장치(1A)는 제1실시예에 따른 장치(1)와 구조가 동일하다. 도 10에 도시된 바와 같이, 복수개의 표시영역들이 단일 기판에서 정해지는 경우, 이 표시영역들은 제1방향(4)으로 뻗어있는 길이방향의 변을 가지도록 설계된다.

도 10에 도시된 것처럼, 3개의 표시영역들(16a, 16b 및 16c)은 기판(3)에서 정해진다. 그것들은 제2방향(4a)으로 이 순서대로 배치된다. 예를 들어, 표시영역들(16a 내지 16c)은 37-사이즈로 된다.

제2실시예에서, 증발원들의 제1부분들(11a)은 각각이 표시영역(16b)에서부터표시영역(16a)보다 더 멀리 그리고 표시영역(16b)에서부터 표시영역(16c)보다 더 멀리 위치된 제1영역들(3A)에 배치된다. 따라서, 증발된 산화마그네슘분자들은 표시영역들(16a 내지 16c)의 대향 측들로부터 제2방향(4a)으로 표시영역들(16a 내지 16c)의 전체로 날아들어, 균일한 결정성을 갖는 산화마그네슘막이 형성되는 것을 보장한다.

장치(1A)을 통한 플라즈마표시패널 제조방법은 제1실시예에 따른 장치(1)를 통한 플라즈마표시패널 제조방법과 동일하다.

제1실시예에서는 하나의 표시영역(6)이 하나의 기판(3)에서 정해지고, 제2실시예에서는 3개의 표시영역들(16a 내지 16)이 하나의 기판(3)에서 정해진다. 기판에서 정할려는 표시영역들의 수는 1개 또는 3개로 한정되지 않고, 그 수는 2개 또는 4개 또는 그 이상이 될 수도 있다. 2개의 표시영역들이 하나의 기판에서 정해지는 경우, 그것들은 예컨대 50-사이즈 이상으로 될 수도 있다.

제1 및 제2실시예들에서, 산화마그네슘막은 전자총들의 사용을 통한 진공증착에 의해 형성된다. 대체예로서는, 산화마그네슘막이 저항기들이 가열되는 진공증착 또는 이온도금에 의해 형성될 수도 있다. 산화마그네슘막이 이온도금에 의해 형성되는 경우, 플라즈마가 발생되는 영역이 제1 및 제2부분들(11a 및 11b) 대신 형성된다. 더구나, 증발된 산화마그네슘분자들이 표시영역들로 날아드는 방향을 기판에 인가되는 전압에 따라 제어하는 것도 가능하다.

산화마그네슘막의 배향은 (111)배향로 제한되지는 않는다. 향상된 2차전자방출특성 및 향상된 스퍼터링내성이 보장된다면, 다른 배향들이 선택되어도 좋다. 예를 들어, (220)배향이 선택되어도 좋다. 산화마그네슘막이 이온도금에 의해 형성된다면, 산화마그네슘막은 쉽사리 (220)배향로 될 수 있다.

보호막이 제1 및 제2실시예들에서는 산화마그네슘막으로 구성되었지만, 향상된 2차전자방출특성 및 향상된 스퍼터링내성을 나타낸다면, 보호막은 산화마그네슘과는 다른 재료로 구성될 수도 있다.

장치들(1 및 1A)은 제1 및 제2실시예들에서는 4개의 증발원들(11a 및 11b)을 구비하도록 설계된다. 그러나, 증발원들의 수는 4개로 제한되지 않고, 증발원들의 수는 3개 이하, 또는 5개 이하가 될 수도 있다. 그러나, 증발원들의 수가 너무 작다면, 균일한 두께를 갖는 보호막을 형성하기 어려울 것이고, 증발원들의 수가 너무 많다면, 보호막이 형성되는 때에 기판의 온도는 높이 올라가, 보호막이 형성되기 전 및 후 간에 기판의 온도에는 높은 차이가 있게 되어, 기판이 금이 가게 된다.

제1 및 제2실시예들에서, 제1부분들(11a)은 기판(3)의 제1영역들(3A)과 배향되게 배치된다. 대체예에서는, 제1부분들(11a)이 제2방향(4a)에서 제1영역들(3A)의 바깥에 배치될 수도 있다.

전술한 본 발며에 의해 얻어지는 효과들을 설명하면 다음과 같다.

본 발명에 따르면, 적어도 하나의 증발원이, 기판이 반송되는 제1방향에 수직한 제2방향에서 표시영역의 바깥에 배치된다. 예를 들어, 적어도 하나의 증발원은 반송기에 의해 반송될 수 있는 기판들 중의 최대기판의 제1방향으로 뻗어있는가장자리들로부터 제1방향에 수직한 제2방향으로 소정의 길이만큼 기판 안쪽으로 뻗어있는 영역들로서 정해지는 제1영역들의 각각에 위치된다. 소정의 길이는 예컨대 40㎜로 설정된다. 이것은 증발된 재료가 표시영역의 바깥에서부터 제2방향으로 표시영역의 모든 지점들로 날아드는 것을 보장한다. 그 결과, 표시영역 전체에서 균일한 결정배향을 갖는 보호막을 형성하는 것이 가능하다. 따라서, 보호막이 표시영역 전체에서 향상된 2차전자방출특성 및 향상된 스퍼터링내성을 가지도록 하는 것이 가능하고, 쓰기방전 시에 충분한 구동마진을 가지며 고속으로 구동될 수 있고 긴 전압수명을 갖는 플라즈마표시패널을 얻는 것이 가능하다.

Claims

플라즈마표시패널을 제조하기 위한 장치로서, 보호막을 플라즈마표시패널의 기판의 표시영역에 형성하는 장치에 있어서, (a) 진공챔버, 및 (b) 상기 진공챔버 내에서 상기 기판을 제1방향으로 반송하는 반송기기를 포함하며,

(c) 복수개의 증발원들이 상기 기판이 막형성위치에 있는 때에 상기 기판의 상기 표시영역과 정렬되게 위치되고, 상기 증발원들 중의 적어도 하나는 상기 제1방향에 수직한 제2방향에서 상기 표시영역의 바깥에 위치된 것을 특징으로 하는 장치.
플라즈마표시패널을 제조하기 위한 장치로서, 보호막을 플라즈마표시패널의 기판의 표시영역에 형성하는 장치에 있어서, (a) 진공챔버, 및 (b) 상기 진공챔버 내에서 상기 기판을 제1방향으로 반송하는 반송기를 포함하며,

(c) 복수개의 증발원들이 상기 기판이 막형성위치에 있는 때에 상기 기판의 상기 표시영역과 정렬되게 위치되고, 상기 증발원들 중의 적어도 하나는 상기 반송기에 의해 반송될 수 있는 기판들 중에서 최대 기판의 상기 제1방향으로 뻗어있는 가장자리들로부터 상기 제1방향에 수직한 제2방향으로 소정의 길이 만큼 상기 기판 안쪽으로 뻗어있는 영역들로서 정의되는 제1영역들의 각각에 위치된 것을 특징으로 하는 장치.
제2항에 있어서, 상기 소정의 길이는 40㎜인 장치.
플라즈마표시패널을 제조하기 위한 장치로서, 보호막을 플라즈마표시패널의 기판의 표시영역에 형성하는 장치에 있어서,

(a) 진공챔버;

(b) 상기 진공챔버 내에서 상기 기판을 제1방향으로 반송하는 반송기;

(c) 상기 기판이 막형성위치에 있을 때 상기 기판의 상기 표시영역과 정렬되게 위치된 복수개의 증발원들; 및

(d) 상기 기판 및 상기 증발원들 사이에 위치되며, 상기 표시영역과 정렬된 개구부를 갖는 마스크를 포함하며.

상기 증발원들 중의 적어도 하나는 상기 제1방향에 수직한 제2방향에서 상기 개구부 바깥에 상기 기판의 표면과 평행하게 위치된 장치.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 증발원들 중의 적어도 하나는 상기 제2방향에서 상기 제1영역 바깥에 위치된 장치.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 보호막은 진공증착에 의해 형성되는 장치.
제6항에 있어서, 전자빔을 상기 증발원들에 조사하여 상기 증발원들을 가열하고 증발시키는 전자총을 더 포함하는 장치.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 제1선과 제2선에 의해 정해진 각도는 80도 이하이며, 상기 제1선은, 상기 기판이 상기 막형성위치에 있을 때에, 상기 상기 적어도 하나의 상기 증발원들의 각각을, 제1방향에서 상기 기판의 상기 가장자리들로부터 상기 소정의 길이로 뻗어있는 선들의 각각 위에 있으며 상기 적어도 하나의 상기 증발원들의 각각에 가장 가까이 있는 지점에 연결하는 하나의 선으로서 정의되고, 상기 제2선은 상기 증발원들 중의 상기 적어도 하나로부터 상기 제2방향으로 뻗어있는 선으로서 정의되는 장치.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 제1선과 제2선에 의해 정해진 각도는 80도 이하이며, 상기 제1선은, 상기 기판이 상기 막형성위치에 있을 때에, 상기 적어도 하나의 상기 증발원들의 각각을, 상기 기판 상에 있으며 상기 적어도 하나의 상기 증발원들의 각각에 가장 가까이 있는 지점에 연결하는 선으로서 정의되고, 상기 제2선은 상기 증발원들 중의 상기 적어도 하나로부터 상기 제2방향으로 뻗어있는 선으로서 정의되는 장치.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 증발원들 및 상기 기판 사이의 거리는 서로 다른 복수의 거리들로부터 선택되고, 상기 표시영역이 상기 제2방향에서 길이 A 또는 B(A>B)를 가진다면, 상기 표시영역이 길이 B를 가질 때에 선택된 거리는 상기 표시영역이 길이 A를 가질 때에 선택된 거리 이하인 장치.
제2항 내지 제4항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 증발원들의 각각은 산화마그네슘으로 구성되고, 상기 장치는 산화마그네슘막으로 구성된 보호막을 형성하는 장치.
제11항에 있어서, 상기 산화마그네슘막은 면심입방구조(fcc)를 가지는 장치.
제1항에 있어서, 상기 산화마그네슘막은 (111)정렬된 면을 가지는 장치.
플라즈마표시패널을 제조하기 위한 방법에 있어서, 보호막을 플라즈마표시패널의 기판의 표시영역에 형성하는 단계를 포함하며, 상기 단계는,

(a) 상기 기판을 진공분위기에서 제1방향으로 반송하는 단계; 및

(b) 적어도 하나의 증발원이 상기 제1방향에 수직한 제2방향에서 상기 표시영역의 바깥에 위치되며, 복수개의 증발원들이 상기 기판의 상기 표시영역에 마주하여 위치된 복수개의 증발원들을 가열하고 증발시키는 단계를 구비하는 방법.
제14항에 있어서, 상기 보호막은 진공증착에 의해 형성되는 방법.
제14항에 있어서, 제1선 및 제2선에 의해 정해지는 각도는 80도 이하이며,상기 제1선은 상기 증발원들 중에서 상기 제2방향에서 상기 표시영역 바깥에 위치된 상기 적어도 하나의 상기 증발원들의 각각을, 상기 표시영역에서 상기 증발원들 중의 상기 적어도 하나에 가장 가까이 있는 지점에 연결하는 선으로서 정의되고, 상기 제2선은 상기 증발원들 중의 상기 적어도 하나로부터 상기 제2방향으로 뻗어있는 선으로서 정의되는 방법.
제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 50-사이즈 이상의 크기를 각각 갖는 적어도 두 개의 표시영역들을 가지는 방법.
제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 기판은 적어도 세 개의 표시영역들을 가지는 방법.
제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표시영역은 55-사이즈 이상의 크기를 가지는 방법.
제14항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 표시영역은 60-사이즈 이상의 크기를 가지는 방법.