KR20030096065A - 인산아연함유 표면조정제, 인산염 화성처리 강판 및 도장강판 그리고 인산아연 분산액 - Google Patents
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Abstract
(과제) 종래의 표면조정제에 비하여 액상이고 안정성이 좋으며, 다음 공정의 인산아연 피막화성공정에서 편차가 없는 균일하고 치밀한 인산아연 화성피막을 제공한다.
(해결수단) 금속재료에 대한 인산염 피막화성의 전처리인 표면조정에서 사용되는 인산아연함유 표면조정제로, 인산아연을 500∼20,000ppm 함유하고, 상기 인산아연의 평균입경이 3㎛ 이하이고 D90이 4㎛ 이하이고, pH 3∼11인 것을 특징으로 하는 인산아연함유 표면조정제.
Description
본 발명은 금속재료에 대한 인산아연 화성처리의 전처리에서 사용되는 표면조정제에 관한 것이다.
자동차 차체, 가전제품 등은 강판, 아연도금강판 등의 금속재료를 금속성형물로 한 후 도장하고 조립함으로써 제품화되고 있다. 이와 같은 금속성형물의 도장은 탈지, 표면조정, 화성처리, 전착도장 등의 각종 공정을 거침으로써 실행되고 있다.
표면조정처리는 다음 공정인 인산염 화성처리에서 인산염의 결정으로 이루어지는 피막이 금속표면 전체에 균일하고, 신속하게 또한 높은 밀도로 형성되는 것을 목적으로 하여 실시되는 처리로, 통상 금속재료를 표면조정조에 침지함으로써 금속표면에 인산염의 결정핵을 형성시키는 것이다. 이 표면조정공정에서는 통상 인산티탄의 콜로이드를 금속표면에 형성시키고, 이 콜로이드에 의해 화성처리에서 화성피막을 금속표면에 양호하게 형성시키고 있다.
이와 같은 표면조정에 사용되는 표면조정제로서, 예컨대 일본 공개특허공보 평9-249978호에는 티탄이온 1∼50ppm, 인산근이온 50∼1000ppm, 트리폴리인산근이온 50∼400ppm, 20∼1500ppm, (트리폴리인산근이온의 중량)/(티탄이온의 중량) 의 값이 10∼100이고 pH가 8.5∼10.0의 수용액인 고내구성 표면조정제가 개시되어 있다.
그러나 이들 표면조정제로서 각종 제안되고 있는 인산티탄콜로이드는 시간의 경과에 따라 용해나 응집을 일으키기 쉬운 것 등의 성질을 갖는 점이나, 그 형상이 분체이기 때문에 취급이 불편하다는 결점을 갖고 있다.
또, 일본 공개특허공보 2000-96256호에는 2가 또는 3가의 금속의 인산염 입자와, 촉진성분으로서 단당류나 다당류를 함유하는 표면조정처리 용액이 개시되어 있다. 그러나 이 표면조정처리용액은 안정성이 떨어지는 점이나, 알루미늄합금이나 복잡한 구조를 갖는 부재(部材)의 자루부(袋部)나 흑피강판과 같은 난화성강판에 대한 처리성이 충분히 만족스럽지 못한 점 등의 문제점을 갖고 있는 것이 본 발명자들의 검토에 의해 밝혀졌다.
본 발명은 상기 현상을 감안하여 액상이고, 안정성이 우수하고 또한 자루부나 흑피강판과 같은 난화성강판에 대해서도 우수한 처리성을 나타내는 표면조정제를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 감안하여 예의검토하였다. 그 결과, 인산아연을 특정 상태에서 분산시킨 것을 표면조정제로서 사용함으로써, 우수한 표면상태의 화성강판을 얻을 수 있는 것을 발견하고 본 발명에 도달하였다. 즉, 본 발명은,
(1) 금속재료에 대한 인산염 피막화성의 전처리인 표면조정에서 사용되는 인산아연함유 표면조정제로, 인산아연을 500∼20,000ppm 함유하고, 상기 인산아연의 평균입경이 3㎛ 이하이고 D90이 4㎛ 이하이고, pH 3∼11인 것을 특징으로 하는 인산아연함유 표면조정제,
(2) 상기 (1) 에 기재된 인산아연함유 표면조정제에 금속재료를 침지하고, 이어서 인산염 화성처리를 실행하는 것을 특징으로 하는 인산염 화성처리 강판의 제조방법,
(3) 상기 (1) 에 기재된 인산아연함유 표면조정제에 금속재료를 침지하고, 이어서 인산염 화성처리를 실행하고, 다시 도장하는 것을 특징으로 하는 도장 강판의 제조방법,
(4) 금속재료에 대한 인산아연 피막화성의 전처리인 표면조정에서 사용되는 인산아연함유 표면조정제의 제작에 사용하는 인산아연함유 분산액으로, 인산아연을 0.5∼50중량% 함유하고, 상기 인산아연의 평균입경이 3㎛ 이하이고 D90이 4㎛이하이며, pH가 3∼11인 것을 특징으로 하는 표면조정제 제작용 인산아연 분산액,
에 있다.
발명의 실시형태
이하 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 인산아연함유 표면조정제는 철, 아연계, 알루미늄계 등의 금속표면에 인산아연의 콜로이드를 부착시키는 것으로, 다음에 실행되는 인산아연 화성처리 공정에서 상기 콜로이드를 결정핵으로 하는 인산아연 피막의 생성을 빠르게 하여 양호한 인산아연 피막을 형성시키는 것이다.
(인산아연)
본 발명의 표면조정제는 인산아연을 함유한다. 여기에서 인산아연은 Zn3(PO4)2로 표시되는 것으로, 일반적으로 무색, 결정성의 고체이나, 백색의 분말상태의 시판품을 입수할 수 있다.
인산아연을 얻기 위해서는 황산아연과 인산수소2나트륨의 희석액을 몰비 3:2로 혼합가온하면, 인산아연의 4수화물이 결정성 침전물로서 생성된다. 또 희석 인산수용액과 산화아연 또는 탄산아연을 반응시켜도 인산아연의 4수화물을 얻을 수 있다. 4수화물의 결정은 사방정계로 3종의 변태가 있다. 가열하면 100℃에서 2수화물, 190℃에서 1수화물, 250℃에서 무수화물로 된다. 본 발명에서의 인산아연은 이들 4수화물, 2수화물, 1수화물, 무수화물 모두를 이용할 수 있으나, 일반적으로 입수 용이한 4수화물을 그대로 사용하면 된다.
또 인산아연으로서 각종 표면처리를 실행한 것을 사용해도 된다. 예컨대 실란커플링제나 로진, 실리콘 화합물, 규소알콕시드나 알루미늄알콕시드 등의 금속알콕시드로 표면처리한 것이어도 된다.
아연화합물과 인산을 반응시킬 때에 실리카와 폴리인산을 첨가함으로써 미립자화한 인산아연을 얻는 것 (일본 특허공보 소49-2005호 등), 인산아연을 각종 금속화합물과 기계적 수단으로 습식 연화(練和)하여 메카노케미컬적으로 반응을 완결시킴으로써 인산아연 중의 아연의 일부를 마그네슘, 칼슘, 알루미늄 등의 금속으로 치환하는 것 (일본 공개특허공보 평4-310511호 등) 이 알려져 있으나, 예컨대 이와 같은 수단에 의해 실리카, 칼슘, 알루미늄 등의 인, 산소, 아연 이외의 성분이 도입된 것이나, 규산변성 인산아연으로서 시판되는 것이어도 된다. 이 경우, ZnO 환산으로 25질량% 이상, P2O5환산으로 15질량% 이상의 인산아연을 함유하는 것이 바람직하다.
인산아연의 형상도 특별히 한정되지 않는다. 시판품은 백색의 분말형상이 일반적이나, 분말형상은 미립자상, 판상, 인편상(鱗片狀) 등 어느 형상이어도 상관없다. 입경도 특별히 한정되지 않으나, 통상, 평균입경이 수㎛ 정도인 분말이다. 특히 염기성을 부여하는 것으로 처리를 함으로써 완충작용을 높인 제품 등, 방청안료로서 시판되고 있는 것이 바람직하게 사용된다. 후술하는 바와 같이 본 발명에서는 인산아연이 미세하게 분산된 안정적인 분산액을 조제할 수 있으므로, 분말로서의 1차입경이나 형상에는 좌우되지 않고 안정된 표면처리효과를 얻을 수 있다.
(분산액의 제작)
이상 설명한 인산아연을 미리 분산액으로 함으로써 미세하게 분산시켜 사용하는 것이 바람직하다.
인산아연을 수성 매체 중에 분산시킨 수성 분산액의 조제방법은 한정되지 않지만, 바람직하게는 물 또는 유기용매 등의 분산매 중에 인산아연을 배합하고, 분산제의 존재하에서 습식분쇄를 실행함으로써 달성할 수 있다.
(분산매)
인산아연을 분산시키는 분산매로서는, 물을 80중량% 이상 함유하는 수성 매체를 들 수 있는 것 외에, 물 이외의 매체로서는 각종 유기용제를 사용할 수 있으나, 유기용제의 함유량은 낮게 억제하는 것이 좋고, 바람직하게는 수성 매체의 10중량% 이하, 더욱 바람직하게는 5중량% 이하로 한다. 본 발명에 의해 물 이외의 분산매를 전혀 함유하지 않은 분산액으로 할 수도 있다.
수용성의 유기용제는 특별히 한정되지 않고 예컨대 메탄올, 이소프로판올, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노프로필에테르 등의 알코올계 용제, 헥산, 헵탄, 자일렌, 톨루엔, 시클로헥산, 나프타 등의 탄화수소계 용제, 메틸이소부틸케톤, 메틸에틸케톤, 이소포론, 아세토페논 등의 케톤계 용제, 디메틸아세트아미드, 메틸피롤리돈 등의 아미드계 용제, 아세트산에틸, 아세트산이소부틸, 아세트산옥틸, 아세트산에틸렌글리콜모노메틸에테르, 아세트산디에틸렌글리콜모노메틸에테르 등의 에스테르계 용제를 들 수 있다.
이들 유기용제는 단독 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수도 있다.
인산아연의 수성 분산액을 얻는 데에 있어서는, 분산액의 조제시에 인산아연을 수성 매체에 배합하여 습식분쇄를 실행하는 것이 공정상 바람직하지만, 습식분쇄를 수성 매체 이외의 분산매 중에서 실행한 후 용매치환하여 조제해도 된다.
(분산제)
분산액의 제작에서는 분산제를 사용할 수 있다. 분산제는 특별히 한정되지 않고, 예컨대 고분자 분산제, 계면활성제 또는 커플링제 등을 사용할 수 있다.
고분자 분산제의 바람직한 예로서는 천연고분자를 들 수 있고, 그 구체예로서는 아교, 젤라틴, 카세인, 혹은 알부민 등의 단백질류, 아라비아고무 혹은 트라가칸트고무 등의 천연고무류, 사보닌 등의 글루코시드류, 알긴산 및 알긴산프로필렌글리콜에스테르, 알긴산트리에탄올아민, 혹은 알긴산암모늄 등의 알긴산 유도체, 메틸셀룰로오스, 카르복시메틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스, 혹은 에틸히드록시셀룰로오스 등의 셀룰로오스 유도체를 들 수 있다.
이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중 특히 바람직하게는 메틸셀룰로오스, 더욱 바람직하게는 카르복시메틸셀룰로오스, 히드록시에틸셀룰로오스 등을 사용할 수 있다.
또한 고분자 분산제의 다른 바람직한 예로서 합성고분자를 들 수 있다. 그 구체적인 예로서 폴리아민계 수지, 폴리카르복실산계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리비닐알코올류, 폴리비닐피롤리돈류, 폴리아크릴산계 수지, 아크릴산-아크릴니트릴 공중합체, 아크릴산칼륨-아크릴니트릴 공중합체, 아세트산비닐-아크릴산에스테르 공중합체, 혹은 아크릴산-아크릴산에스테르 공중합체 등의 아크릴산계 수지, 스티렌-아크릴산 공중합체, 스티렌-메타크릴산 공중합체,스티렌-메타크릴산-아크릴산에스테르 공중합체, 스티렌-α-메틸스티렌-아크릴산 공중합체, 혹은 스티렌-α-메틸스티렌-아크릴산-아크릴산에스테르 공중합체 등의 스티렌-아크릴산계 수지, 스티렌-말레산 공중합체, 스티렌-무수말레산 공중합체, 비닐나프탈렌-아크릴산 공중합체, 비닐나프탈렌-말레산 공중합체, 및 아세트산비닐-에틸렌 공중합체, 아세트산비닐-지방산 비닐에틸렌 공중합체, 아세트산비닐-말레산에스테르 공중합체, 아세트산비닐-크로톤산 공중합체, 아세트산비닐-아크릴산 공중합체 등의 아세트산비닐계 공중합체 및 이들의 염을 들 수 있다.
이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중 특히 바람직하게는 폴리아민계 수지, 폴리카르복실산계 수지, 폴리에스테르계 수지, 폴리우레탄계 수지, 폴리비닐알코올류, 폴리비닐피롤리돈류, 스티렌-이크릴산계 수지, 폴리아크릴산계 수지, 스티렌-말레산 공중합체 등을 사용할 수 있다.
더욱 구체적으로는 폴리아민계 수지로서 유니센스 CP-102 (센카사 제조), KZ-125K (센카사 제조), 폴리에스테르계 수지로서 아디스파-PB821 (아지노모또사 제조), 소르스파스24000GR (제네카사 제조), 소르스파스 32550 (제네카사 제조), Disperbyk190 (빅케미사 제조), 폴리우레탄계 수지로서 EFKA-4046 (윌바ㆍ엘리스사 제조), Disperbyk161 (빅케미사 제조), Disperbyk163 (빅케미사 제조), Disperbyk165 (빅케미사 제조), 폴리비닐알코올류, 폴리비닐피롤리돈류로서 PVP K-90 (고교산업사 제조), 스티렌-아크릴산계 수지로서 종크릴61J, 폴리아크릴산계 수지로서 Disperbyk191 (빅케미사 제조), EFKA-4550 (윌바ㆍ엘리스사 제조), 스티렌말레산계 수지로서 SMA레진1440H (ATO사 제조), 마리아림AKM-0531 (닛뽕유시사 제조) 을 들 수 있다.
또 계면활성제의 바람직한 예로서는 예컨대 폴리옥시에틸렌알킬에테르, 폴리옥시알킬렌알킬에테르, 폴리옥시에틸렌 유도체, 옥시에틸렌-옥시프로필렌블록코폴리머, 소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌소르비탄 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌솔비톨 지방산 에스테르, 글리세린 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌 지방산 에스테르, 폴리옥시에틸렌알킬아민, 알킬알카노이드아미드, 노닐페놀, 알킬노닐페놀, 폴리옥시알킬렌글리콜, 알킬아민옥사이드, 아세틸렌디올, 폴리옥시에틸렌노닐페닐에테르, 폴리옥시에틸렌알킬페닐에테르 변성 실리콘 등의 규소계 계면활성제, 탄화수소계 계면활성제의 소수기에 있는 수소원자의 적어도 하나가 불소원자로 치환된 불소계 계면활성제 등의 노니온계 계면활성제를 들 수 있다. 이들 노니온계 계면활성제는 다른 분산제와 병용함으로써 더욱 효과를 올릴 수 있다.
또는 알킬트리메틸암모늄염류, 예컨대 염화라우릴트리메틸암모늄, 브롬화세틸트리메틸암모늄, 염화스테아릴트리메틸암모늄, 또는 알킬디메틸벤질암모늄염류, 예컨대 염화스테아릴디메틸벤질암모늄, 염화벤잘코늄, 염화라우릴디메틸벤질암모늄염, 인산아민염 등의 카티온계 계면활성제를 들 수 있다.
또는 지방산염, 알킬황산에스테르염, 알킬에테르황산에스테르염, 알킬벤젠술폰산염, 알킬나프탈렌술폰산염, 알킬술포숙신산염, 알킬디페닐에테르디술폰산염, 알킬인산염, 폴리옥시에틸알킬황산에스테르염, 폴리옥시에틸알킬알릴황산에스테르염, 알파올레핀술폰산염, 메틸타우린산염, 에테르카르복실산염, 나프탈렌술폰산포르말린 축합물, 폴리옥시에틸렌알킬인산에스테르 등의 어니온계 계면활성제를 들수 있다. 이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
이들 중 특히 바람직하게는 폴리옥시에틸렌알킬인산에스테르를 사용할 수 있다. 보다 구체적으로는 폴리옥시에틸렌알킬인산에스테르로서 포스파놀RS-610 (도오호화학(주) 제조), Disperbyk180 (빅케미사 제조), 인산아민염으로서 하이드로파라트884 (산노프코사 제조) 를 바람직한 예로서 들 수 있다.
여기에서 사용되는 어니온계 계면활성제나 상기 서술한 고분자 분산제 중 어니온성의 수지는 암모니아 또는 아민계 중화제로 중화시켜 사용할 수 있다. 이와 같은 아민계 중화제로서는 예컨대 디에틸아민 (DEA), 트리에틸아민 (TEA), 모노에탄올아민 (META), 디에탄올아민 (DETA), 트리에탄올아민 (TETA), 디메틸에탄올아민 (DMEA), 디에틸에탄올아민 (DEEA), 이소프로필에탄올아민 (IPEA), 디이소프로판올아민 (DIPA), 2-아미노-2-메틸프로판올 (AMP), 2-(디메틸아미노)-2-메틸프로판올 (DMAMP), 모르폴린 (MOR), N-메틸모르폴린 (NMM), N-에틸모르폴린 (NEM) 등을 들 수 있다.
이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중 특히 바람직하게는 2-아미노-2-메틸프로판올 (AMP) 을 사용할 수 있다.
혹은 알라닌계, 이미다졸륨베타인계, 아미드프로필베타인계, 아미노디프로피온산염 등의 양성 계면활성제를 들 수 있다.
혹은 실란계 커플링제, 알루미늄계 커플링제, 티탄계 커플링제, 지르코늄계 커플링제 등의 커플링제를 들 수 있다.
이들은 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다. 이들 중 특히 바람직하게는 실란계 커플링제를 사용할 수 있다.
특히 바람직한 분산제로서는 폴리옥시에틸렌알킬인산에스테르를 사용할 수 있다.
이들 분산제는 단독으로 또는 2종 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
인산아연의 배합량은 분산액 중 통상 0.5∼50중량%가 적절하다. 0.5중량% 미만이면 인산아연의 함유량이 너무 적기 때문에 분산액을 사용하여 얻어지는 표면조정제의 효과가 충분하지 않다. 한편, 50중량%를 초과하면, 습식분쇄에 의해 균일하고 미세한 입도분포를 얻는 것이 곤란하고, 또 미세한 분산상태를 형성하는 것이 곤란하다. 특히 바람직하게는 1∼50중량%로 한다.
또 분산제의 첨가량은 분산액 중 0.1∼50중량% 이고, 바람직하게는 0.5∼20중량%의 범위이다. 0.1중량% 이하에서는 분산성이 충분하지 않고, 50중량%에서도 역시 잉여 분산제끼리의 상호작용에 의해 분산성이 나빠지는 경우가 있는데다, 분산이 충분하다고 해도 경제적으로는 유리하지 않다.
(분산상태의 설명)
이하의 방법에 의해 인산아연을 분산매 중에 미세하게 분산시켜 둔다. 이 때의 분산의 정도는 평균분산직경이 3㎛ 이하로 하는 것이 바람직하다.
또한, 여기에서는 D50(체적 50% 직경) 을 평균분산직경 및 평균입경으로 한다.
인산아연이 3㎛ 이하로 미세하게 분산된 분산액을 얻는 방법은 한정되지 않지만, 바람직하게는 분산매에 인산아연을 0.5∼50중량%, 분산제를 0.1∼50중량%가 되도록 존재시켜 습식분쇄한다. 습식분쇄의 방법은 특별히 한정되지 않고, 일반적인 습식분쇄의 수단을 사용하면 된다. 예컨대 디스크형, 핀형 등으로 대표되는 비즈밀, 고압 호모게나이저, 초음파분산기 등으로 대표되는 미디어리스 분산기 등을 사용할 수 있다.
또한 분쇄시에 과도하게 분쇄하면, 비표면적의 증대에 따른 분산제 부족이 발생하여 과분산입자가 응집을 일으킴으로써, 오히려 조대(粗大)입자를 형성하여 분산안정성을 손상시키는 과분산 현상이 발생한다. 또 배합이나 분산조건에 따라서는 분산성의 편차가 발생하고, 조대입자나 미세입자가 가장 빽빽하게 충전되는 것에 의한 응집이나 증점, 혹은 미세입자끼리의 응집과 같은 현상을 일으킨다. 이와 같은 현상을 방지하기 위해, D90(체적 90% 직경) 을 모니터하여 과분산을 일으키지 않을 정도의 배합 및 분산조건을 선택하는 것이 바람직하다. 본 발명에서는 D90을 4㎛ 이하로 한다.
또한, 여기에서 D50(체적 50% 직경) 및 D90(체적 90% 직경) 은 분산액 중에서의 입도분포에 의거하여, 입자의 전체 체적을 100%로 하여 누적 커브를 구했을 때, 그 누적 커브가 각각 50%, 90%가 되는 점의 입경이다. 대표적으로는 레이저 도플러식 입도분석계 (닛끼소우(주) 제조, 「마이크로트락 UPA150」) 등의 입도측정장치를 사용하면 D50, D90을 자동적으로 측정할 수 있다.
이상의 방법에 의해 수성 매체 중에서의 인산아연의 분산직경의 평균값을 3㎛ 이하로 조절할 수 있어, 안정성이 우수하고, 표면조정제로서 우수한 성능을 갖는 수성 분산액을 얻을 수 있다. 분산직경의 평균값은 통상 0.01∼3㎛의 범위에서 원하는 정도로 조절할 수 있다.
이상과 같은 본 발명의 방법에 의해 수성 분산액을 조제함으로써, 3㎛를 초과하는 인산아연이라도 3㎛ 이하의 분산직경으로 액 중에 분산시킬 수 있다. 수십 μ의 1차 입자경을 갖는 인산아연입자이라도 마찬가지이다. 이것은 가장 1차 입자경이 작은 인산아연을 사용하지 않아도, 상기 서술한 방법에 따라 흡식분쇄함으로써 안료의 1차 입자경을 작게 할 수 있는 것도 의미한다. 상기 서술한 방법에 의하면, 수성 분산액 중의 분산직경의 평균값을 3㎛ 이하, 나아가서는 1㎛ 이하, 나아가서는 0.2㎛ 이하로 할 수도 있다.
이와 같이 하여 얻어진 본 발명의 분산액은, 액 중의 인산아연의 분산직경의 평균값을 3㎛ 이하에서 용도에 맞춰 조절할 수 있어, 분산안정성이 우수하고, 표면조정제로서 우수한 성능을 갖는 수성 분산액이다.
상기 습식분쇄법에 의해 D90을 초과하는 입경의 입자로서 표시되는 조대입자의 비율을 저감할 수 있기 때문에, 특히 분산직경의 분포로서 D90이 4㎛ 이하, 나아가서는 2.6㎛ 이하, 나아가서는 0.3㎛ 이하의, 대분산직경이지만 억제된 분산직경의 분포를 갖는 샤프한 분산액으로 할 수 있다. 이 때문에 미세한 분산직경으로 인산아연이 분산되고, 또한 분산상태가 매우 안정되어 있는 것으로 추측된다. 또 조대입자의 비율이 낮은 점에서 액 중의 인산아연이 효율적으로 결정핵의 생성에 기여하는 것, 또 분산직경의 분포가 샤프하고 입경이 균일한 점에서 표면조정처리공정에서는 보다 균일한 결정핵이 형성되고 계속되는 화성처리에 의해 균일한 인산아연 결정의 형성을 초래하여, 얻어지는 화성처리 강판의 표면성상이 균일하고 우수한 것이 되는 것, 또한 이것이 복잡한 구조의 부재의 자루부나 흑피강판과 같은 난화성강판에 대한 처리성을 향상시키는 것으로 추측된다.
또한 분산액 중의 인산아연의 분산직경은, 레이저 도플러식 입도분석계를 사용하여 입도분포를 측정하여 구할 수 있다.
본 발명의 수성 분산액은 특히 인산아연을 10중량% 이상, 나아가서는 20중량% 이상, 나아가서는 30중량% 이상까지 배합한 고농도의 수성 분산액을 얻을 수도 있다. 이 때문에 높은 성능을 발휘하는 표면조정제를 용이하게 조제할 수 있다.
이상 설명한 바와 같이 미리 인산아연을 수성 매체 중에 미분산한 수성 분산액으로 해 두고, 추가로 수성 매체를 적절히 첨가하여 표면조정제로 하는 것이 바람직하다. 이렇게 함으로써 안정된 미분산상태를 달성할 수 있다.
본 발명의 인산아연함유 표면조정제는 인산아연 600∼20,000ppm을 함유한다. 인산아연이 600ppm 미만이면 결정핵이 되는 인산염이 부족하고, 한편 20,000ppm을 초과해도 원하는 효과이상의 효과를 얻을 수 있는 것이 아니므로 비경제적이다.
특히 바람직하게는 50ppm∼1,000ppm 이다.
(첨가제)
또 안정성을 더욱 향상시키기 위해서는 필요에 따라 증점제를 첨가할 수 있다. 증점제로서 백토, 탤크, 크레이, 규조토, 탄산칼슘, 황산바륨, 산화티탄, 알루미나화이트, 실리카, 카올린, 마이카, 수산화알루미늄 등의 무기계 증점제, 폴리아크릴산에스테르, 폴리우레탄, 폴리에스테르, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 폴리염화비닐, 폴리염화비닐리덴, 폴리스티렌, 폴리실록산, 증점다당류, 페놀수지, 에폭시수지, 벤조구아나민수지 등의 유기계 증점제 또는 이들의 중합체로 이루어지는 증점제 등을 단독 또는 2종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
증점제의 사용에 관해서는 종류, 첨가량 등을 적절히 선택하면 된다. 일반적으로는 분산액에 대해 0.01∼10wt%, 바람직하게는 0.1∼5wt% 첨가하면 된다.
또한 작업시의 거품을 억제하는 목적에서 소포제, 분산액의 방균 방미(곰팡이방지)의 목적에서 방부제, 방미제 등을 사용할 수 있다. 사용에 관해서는 종류, 첨가량 등을 적절히 선택하면 된다.
본 발명의 인산아연함유 표면조정제는 pH가 3∼11이다.
pH가 3 미만이면 다음 공정의 화성욕의 pH 저하를 초래함으로써 화성피막의 형성이 저해되고, 한편 pH가 11을 초과하면 인산염 미립자가 용해되기 쉬워져 불안정해진다. 또한 다음 공정에 영향을 준다. 바람직하게는 pH 7∼10 이다.
본 발명에서는 또한 인산아연 미립자를 안정시키고, 다음에 실행되는 인산염 피막화성처리공정에서 미세한 화성피막을 형성하는 목적에서 소다회 등의 알칼리염이 첨가되어도 된다.
(표면조정처리)
이상 설명한 본 발명의 표면조정제를 사용하여 각종 금속재료의 표면조정처리를 실행할 수 있다.
표면조정처리의 방법은 한정되지 않고, 표면조정제와 금속표면을 접촉시키는 것으로 종래부터 공지된 방법을 적절히 채택하면 된다.
상기 서술한 본 발명의 인산아연함유 표면조정제에 금속재료를 침지하고, 이어서 인산아연 화성처리를 실행하여 인산아연 화성처리 강판을 제조하면 된다. 대표적으로는 표면조정조에 금속재료를 침지한 후, 인산염 화성처리를 실행한다. 표면조정제와 금속표면의 접촉시간, 표면조정제의 온도도 특별히 제한되지 않고 공지된 방법을 채택하면 된다.
대상이 되는 금속재료도 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 인산염 화성처리를 실시하는 각종 재료, 예컨대 철강, 아연도금강판, 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 및 마그네슘합금에 적용할 수 있다.
또, 본 발명의 표면조정제를 사용하여, 탈지(脫脂)겸 표면처리공정에 사용할 수 있다. 이렇게 함으로써 탈지처리 후의 수세공정을 생략할 수 있다.
탈지겸 표면조정공정에서는 세정력을 높이기 위해 공지된 무기알칼리빌더, 유기빌더, 및 계면활성제 등을 첨가해도 상관없다. 또 공지된 킬레이트재, 축합인산염 등을 첨가해도 상관없다.
(화성처리공정)
상기 서술한 본 발명의 안산아연함유 표면조정제에 금속재료를 침지하고, 이어서 인산아연 화성처리를 실행하고, 다시 전착도장을 실행함으로써 도장 강판을 제조할 수 있다.
인산염 화성처리방법에 관해서는 한정되지 않고, 침지 (딥) 처리, 스프레이처리, 전해처리 등의 각종 공지된 공법을 적용할 수 있다. 물론 이들을 복수 조합해도 된다. 석출시키는 인산염 피막에 관해서도 인산염이라면 인산아연, 인산철, 인산망간, 인산아연칼슘 등 조금도 제한되지 않는다.
인산염 화성처리 후 도장을 실행한다. 도장방법은 전착도장이 일반적이다. 도장에 사용되는 도료는 특별히 한정되지 않고, 일반적으로 인산염 화성처리 강판의 도장에 사용되는 각종의 것, 예컨대 에폭시멜라민도료, 카올린 전착도료와 폴리에스테르계 중도 도료와 폴리에스테르계 상도 도료 등을 들 수 있다. 또한 화성처리 후, 도장에 앞서 세정공정을 실행하는 것과 같은 공지된 방법이 채택된다.
[실시예]
실시예 1
이하의 방법에 의해 인산아연 분산액을 제작하였다.
물 142.3중량부에 시판되는 인산아연 (형상이 인편상의 표준형 인산아연, 평균입자경 3㎛ : 원심식 광투과형 입도분포 측정기로 측정, 수용분 1% 이하 : JIS-K-5101, pH 6.9 : JIS-K-5101, 흡유량 26㎖/100g : JIS-K-5101, 밀도 3.0g/㎖ : JIS-K-5101, 체 잔분 (45㎛) 1% 이하 : JIS-K-5101, Zn0분 58% : EDTA법, P2O5분 33% : 비색분석법) 100중량부를 배합하고, 이어서 분산제로서 시판되는 어니온계 계면활성제로 폴리옥시에틸렌알킬인산에스테르인 「포스파놀RS-610」 (도오호화학(주) 제조) 를 5중량부 첨가하였다. 다시 중화제로서 AMP 1중량부, 증점제로서 크산탄검 0.3중량부 첨가하여 교반하였다. 교반 후, 다이노밀 분쇄기 (φ1㎜ 알칼리유리비즈) 를 사용하여 습식분쇄하여 레이저 도플러식 입도분석계 (닛끼소우(주) 제조, 「마이크로트락 UPA150」) 를 사용하여 입도분포측정을 실행하여 D50(분산체의 평균직경) 및 D90을 모니터하고, D50이 0.49㎛, D90이 1.40㎛인 분산액을 얻었다.
분산 후, 분산액을 안정화시키기 위해 추가로 증점제로서 크산탄검 0.6중량부 첨가하여 교반하였다.
실시예 2
이하의 방법으로 인산아연 분산액을 제작하였다.
물 142.3중량부에 시판되는 인산아연 (시판되는 규산염 변성의 인산아연, 평균입자경 4∼5㎛ : 원심식 광투과형 입도분포 측정기로서 측정, 수용분 1.9% : JIS-K-5101, pH 9.4 : JIS-K-5101, Zn0분 40% : EDTA법, P2O5분 24% : 비색분석법, CaO분 9% : EDTA법, SiO2분 10% : 중량법) 100중량부를 배합하고, 이어서 분산제로서 시판되는 어니온계 계면활성제로 폴리옥시에틸렌알킬인산에스테르인 「포스파놀RS-610」 (도오호화학(주) 제조) 를 5중량부 첨가하였다. 다시 중화제로서 AMP 1중량부, 증점제로서 크산탄검 0.3중량부를 첨가하여 교반하였다. 교반 후, 다이노밀 분쇄기 (φ1㎜ 알칼리유리비즈) 를 사용하여 습식분쇄하여 레이저 도플러식 입도분석계 (닛끼소우(주) 제조, 「마이크로트락 UPA150」) 를 사용하여 입도분포측정을 실행하여 D50및 D90를 모니터하고, D50이 0.49㎛, D90이 1.36㎛인 분산액을 얻었다.
분산 후, 분산액을 안정화시키기 위해 추가로 증점제로서 크산탄검 0.6중량부를 첨가하여 교반하였다.
(비교예 1)
물 142.3중량부에 실시예 1 에서 사용한 것과 동일한, 시판되는 인산아연 100중량부를 배합하고, 이어서 분산제로서 시판되는 어니온계 계면활성제로 폴리옥시에틸렌알킬인산에스테르인 「포스파놀RS-610」 (도오호화학(주) 제조) 를 5중량부 첨가하였다. 다시 중화제로서 AMP 1중량부, 증점제로서 크산탄검 0.3중량부 첨가하여 교반하였다. 교반 후, 다이노밀 분쇄기 (φ1㎜ 알칼리유리비즈) 를 사용하여 습식분쇄하였다. 분쇄공정에서 평균입경 및 D90의 모니터는 실행하지 않았다.
분산 후, 분산액을 안정화시키기 위해 추가로 증점제로서 크산탄검 0.6중량부 첨가하여 교반하고 분산액을 얻었다.
이 분산액을 레이저 도플러식 입도분석계 (닛끼소우(주) 제조, 「마이크로트락 UPA150」) 를 사용하여 입도분포측정을 실행한 결과, D50(분산체의 평균직경) 은 4㎛, D90은 5㎛ 이었다.
(비교예 2)
닛뽕페인트(주) 제조의 표면조정제 「사프파인 5N-10」 (분체) 를 사용하였다.
<평가시험>
실시예 1, 2 및 비교예 1 에서 얻어진 각종 인산아연 분산액을, 소정의 농도 (표-1 중에 「표면처리제」항목으로 나타냄) 가 되도록 물을 첨가하여 잘 교반하여 건욕(建浴)하였다. 얻어진 표면조정액을 사용하여 하기의 방법으로 평가하여, 결과를 표-1 에 나타냈다. 비교예 2 의 표면조정제에 대해서도, 소정의 농도로 되도록 물을 첨가하여 잘 교반하고 건욕하여 얻어진 표면조정액을 사용하고, 동일하게 평가를 실행하여 결과를 표-1 에 나타냈다.
<평가방법>
1. 표면조정액의 안정성
실시예 1, 2 의 표면조정액을 50℃의 항온조에 세트하여 시간 경과에 따란 안정성 촉진 테스트를 실행한 결과, 1개월 경과한 시점에서도 침강, 증점 경향은 일체 볼 수 없고, 또 입도분포에도 변화는 볼 수 없었다. 이에 의해 이 표면조정액은 안정성이 우수한 것임을 알 수 있었다.
2. 인산아연 피막의 화성성
미리 탈지처리한 냉연(冷延)강판 (SPC) (70 ㎜ ×150 ㎜ ×0.8 ㎜), 알루미늄강판 (A6063S) (70㎜ ×150㎜ ×0.8㎜) 을 각각 표면조정액에 실온에서 30초간 침지처리하고, 이어서 액을 제거한 후, 이어서 인산아연 처리액 (닛뽕페인트(주) 제조, 「사프다인 SD6000」) 을 사용하여 침지법으로 43℃, 2분간 화성처리하고 수세정, 순수세정, 건조시켜 시험판을 얻었다.
얻어진 각 시험판의 인산아연 화성피막을 SEM (닛뽕덴시(주) 제조, JSM5600) 으로 관찰하였다 (1500배). 결정 사이즈를 표-1에 나타낸다. 실시예 1 및 2의 것은 매우 치밀한 결정인 것을 알 수 있다. 육안으로 관찰한 표면상태의 평가결과를 표-1 중 「외관」으로 나타낸다. ◎ 는 균일하고 녹 없음, ○는 약간 편차가 있으나 녹 없음, ×는 편차가 두드러지고 녹 발생도 있는 것을 나타낸다.
3. 화성피막중량 (C/W)
얻어진 시험판의 중량을 ①(g) 으로 하고, 다음의 방법으로 시험판으로부터 화성피막을 박리한 후의 중량을 ②(g) 으로 하고, 이들의 차 (①-②)(g) 를 시험판의 표면적으로 나눈 값으로 하여 구하였다. 결과를 표-1에 나타낸다.
(1) SPC 시험판의 박리방법
시험판을 75℃로 가온한 삼산화크롬의 50g/ℓ용액 중에 5분간 침지하여 화성피막을 박리하였다.
(2) 알루미늄 시험판
시험판을 30% 질산염수용액 중에 실온에서 1분간 침지하여 화성피막을 박리하였다.
실시예 | 비교예 | |||||||
1 | 2 | 1 | 2 | |||||
표면처리제 | 1의 0.3%용액 | 2의 0.3%용액 | 1의 0.3%용액 | 2의 0.1%용액 | ||||
대상금속 | SPC | Al | SPC | Al | SPC | Al | SPC | Al |
C/W(g/㎡) | 1.79 | 1.59 | 1.71 | 1.72 | 3.25 | 0.73 | 2.07 | 1.52 |
외관 | ◎ | ◎ | ◎ | ◎ | X | X | ◎ | O |
결정사이즈(μ) | 2~3 | 3~5 | 2~3 | 3~5 | 15~20 | 15~20 | 3~5 | 5~7 |
본 발명은 상기 서술한 구성에 의해 종래의 표면조정제에 비하여 액상이고 안정성이 좋으며, 다음 공정의 인산아연 피막화성공정에서 편차가 없는 균일하고 치밀한 인산아연 화성피막을 얻을 수 있는 것이다.
Claims (4)
- 금속재료에 대한 인산염 피막화성의 전처리인 표면조정에서 사용되는 인산아연함유 표면조정제로, 인산아연을 500∼20,000ppm 함유하고, 상기 인산아연의 평균입경이 3㎛ 이하이고, D90이 4㎛ 이하이며 pH가 3∼11인 것을 특징으로 하는 인산아연함유 표면조정제.
- 제 1 항에 기재된 인산아연함유 표면조정제에 금속재료를 침지하고, 이어서 인산염 화성처리를 실행하는 것을 특징으로 하는 인산염 화성처리 강판의 제조방법.
- 제 1 항에 기재된 인산아연함유 표면조정제에 금속재료를 침지하고, 이어서 인산염 화성처리를 실행하고, 그리고 도장하는 것을 특징으로 하는 도장 강판의 제조방법.
- 금속재료에 대한 인산아연 피막화성의 전처리인 표면조정에서 사용되는 인산아연함유 표면조정제의 제작에 사용하는 인산아연함유 분산액으로, 인산아연을 0.5∼50중량% 함유하고, 상기 인산아연의 평균입경이 3㎛ 이하이고, D90이 4㎛이하이며, pH 가 3∼11인 것을 특징으로 하는 표면조정제 제작용 인산아연 분산액.
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