KR20030094251A - 연신가능한 액정 중합체 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 p-옥시벤조일, 6-옥시-2-나프토일 및 m-옥시벤조일로부터 유도된 반복 단위들로 본질적으로 이루어진 연신가능한 중합체에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 열가소성 물질 층, 및 연신가능한 중합체 층을 포함하는 다층 적층물을 제공하는 단계; 및 상기 적층물을, 약 200℃ 미만의 온도에서 약 100% 초과의 연신율로 연신시키는 단계를 포함하는, 다층 적층물을 연신시키는 방법에 관한 것이다.

Description

연신가능한 액정 중합체 조성물{STRETCHABLE LIQUID CRYSTAL POLYMER COMPOSITION}
이방성 용융-성형 중합체(이는 또한 액정 중합체 또는 LCP로도 공지되어 있음)는 해당 분야에 익히 공지되어 있다. 이방성 용융-성형 중합체는 용융 상에서 분자 쇄의 평행한 정렬을 나타내며, 이는 또한 "온도전이형(thermotropic)" 액정 중합체로도 일컬어진다.
상업적으로 입수가능한 LCP는 종래 중합체에 비해 다수의 우수한 물리적 특성, 예컨대 더욱 높은 강도와 모듈러스를 갖는 것으로 공지되어 있다. LCP는 또한 화학물질, 기체 및 수증기 투과에 대한 우수한 장벽능을 갖는다. LCP는 팩키지에서 기체 투과율을 감소시키는 다른 열가소성 물질과 결합하여 기체 차단 층으로서사용될 수 있다. 그러나, 종래 LCP의 문제점중 하나는 섬유 연신, 필름 배향 및 열성형과 같은 후 배향 공정을 요구하는 용도에는 사용될 수 없다는 점이다. 연신되지 않거나 신장되지 않는 종래의 열가소성 물질은 낮은 강도 및 모듈러스와 같은 불량한 물리적 특성을 갖는다. 이들 종래 열가소성 물질은, 그의 유리 전이 온도 이상, 전형적으로는 130 내지 160℃로 가열되어져야만 하고, 중합체를 배향시기키도록 연신되어야 하며 그의 물리적 특성을 개선시켜야 한다. 종래 LCP가 갖는 문제로는, 종래의 열가소성 배향 공정에 전형적으로 사용되는 온도에서 잘 연신되지 않기 때문에 배향된 팩키지를 위한 장벽 층으로 사용될 수 없다는 데 있다.
따라서, 본 발명의 목적은, 전형적으로 팩키지 산업의 열가소성 배향 공정에서 사용되는 온도에서 연신가능한 액정 중합체를 제공하는 것이다.
이러한 본 발명의 목적 및 다른 목적은 하기 발명의 상세한 설명으로부터 명백해질 것이다.
린스티드 3세(Linstid III) 등에게 허여된 미국 특허 제 6,132,884 호는, p-하이드록시벤조산, 6-하이드록시-2-나트토산, 하나 이상의 방향족 이산 및 방향족 디올(이중 일부는 4-4'-비페놀, 레졸시놀, 및 선택된 메타 결합을 갖는 생성된 중합체를 제공하는 하나 이상의 추가의 단량체이다)로부터 유도된 단위를 함유하는 연신가능한 LCP를 개시하고 있다.
린스티드 3세 등에게 허여된 미국 특허출원 제 09/483,765 호는, p-하이드록시벤조산, 6-하이드록시-2-나프토산, 방향족 이산(이중 적어도 일부는 2,6-나프탈렌 디카복실산이다), 및 방향족 디올 및/또는 방향족 아미노페놀 성분(이중 적어도일부는 4,4'-비페놀 및 레졸시놀이다)으로부터 유도된 단위를 함유하는 연신가능한 LCP를 개시하고 있다.
린스티드 3세 등에게 허여된 미국 특허출원 제 09/483,103 호는, p-하이드록시-2-나프토산, 하나 이상의 방향족 이산 및 하나 이상의 방향족 디올 및/또는 방향족 아미노페놀 성분(이중 적어도 일부는 4,4'-비페놀, 및 선택된 메타 결합을 갖는 중합체를 제공하는 하나 이상의 방향족 단량체이며, 이때 레졸시놀은 제외된다)으로부터 유도된 단위를 함유하는 연신가능한 LCP를 개시하고 있다.
미국 특허 제 5,656,714 호는, p-하이드록시벤조산, 6-하이드록시-2-나프토산, 테레프탈산, 4,4'-비페놀, 및 레졸시놀로부터 유도된 반복 단위를 갖는 비결정질 중합체 및 "반-결정질"로 일컬어지는 중합체를 개시하고 있다. 미국 특허 제 5,656,714 호에 예시된 중합체는 결정도 등급이 다양하며, 이들 중합체중 일부(모두는 아님)는 고도로 연신가능하다.
히지카타(Hijikata) 등에게 허여된 미국 특허 제 4,910,284 호는, p-하이드록시벤조산 잔기 35 내지 90 몰%, 6-하이드록시-2-나프토산 잔기 0.5 내지 30 몰%, 및 m-하이드록시벤조산 잔기 0.5 내지 30 몰%로 이루어진 중합체를 기술하고 있다. 상기 특허에는 팩키지 산업에서 전형적으로 사용되는 온도에서 연신가능한 어떠한 조성물도 기술되어 있지 않다.
칼룬단(Calundann)에게 허여된 미국 특허 제 4,337,190 호는 6-하이드록시-2-나프토산 잔기 및 m-하이드록시벤조산 잔기로 이루어진 중합체를 기술하고 있다.
칼룬단에게 허여된 미국 특허 제 4,130,545 호는 p-하이드록시벤조산 잔기,2,6-나프탈렌 디카복실산 잔기, m-하이드록시벤조산 잔기 및 방향족 디올 잔기로 이루어진 중합체를 기술하고 있다.
발명의 요약
본 발명의 목적은 하기 화학식 I의 반복 단위 I, 하기 화학식 II의 반복 단위 II, 및 하기 화학식 III의 반복 단위 III으로 본질적으로 이루어지며 도 1의 A 영역내의 조성을 갖는 연신가능한 중합체를 제공함으로써 달성된다.
본 발명은 또한 (a) 열가소성 물질 층, 및 상기 반복 단위 I, II 및 III으로 본질적으로 이루어지며 도 2의 B 영역내의 조성을 갖는 중합체 층을 포함하는 다층 적층물을 제공하는 단계; 및 (b) 상기 중합체의 제 1 차 전이점 초과의 온도이고 약 200℃ 미만의 온도에서 약 100% 초과의 연신율로 상기 적층물을 연신시키는 단계를 포함하는 다층 적층물을 연신시키는 방법을 제공한다.
본 발명은 필름, 섬유, 다층 적층물 및 취입-성형물을 포함하는 다양한 형상의 제품의 제조에 사용하기 적합한 연신가능한 액정 중합체(LCP) 조성물에 관한 것이다. 또한, 본 발명은 한 층이 연신가능한 LCP 조성물로 이루어진 다층 적층물을 연신시키는 방법에 관한 것이다.
첨부된 도면을 참고한다.
도 1은 A 영역을 나타내는 3성분 중합체 시스템을 몰%로 표현한 3성분계 좌표이다.
도 2는 B 영역을 나타내는 3성분 중합체 시스템을 몰%로 표현한 3성분계 좌표이다.
본 발명은 화학식 I의 반복 단위 I, 화학식 II의 반복 단위 II, 화학식 III 또는 III-1의 반복 단위 III으로 본질적으로 이루어진 연신가능한 LCP(이때 중합체는 연신가능하다)에 관한 것이다.
화학식 I
화학식 II
화학식 III
상기 식에서,
R1은 독립적으로 수소 및 C1내지 C6알킬로 이루어진 군으로부터 선택된다.
본 발명자들은 이들 성분의 조합이 연신가능한 LCP를 제공하는 것을 발견하였다. 거의 모든 액정 중합체가 용융된 상태에서 연신가능한 반면, 상대적으로 대부분은 융점 이하의 온도에서도 연신가능하지 못하다. 연신되지 않거나 신장될 수 없는 중합체의 범위는 연신이 일어나는 온도뿐 아니라 연신되어지는 물질의 형태 및 크기에 따라 확장될 수 있다. 본 출원에서, "연신가능한"이라는 용어는, 중합체로 제조된 테이프가 하기 제시되는 "테이프 연신 절차"에 따라 테이프의 파단점 또는 파열점 이전에서 150℃에서 적어도 100%의 연신율(즉, 파단 변형률 100%)로 연신될 수 있는 것을 의미한다. 대부분의 시판되는 LCP는 "테이프 연신 절차"를 사용하여 150℃에서 수% 연신률 이상으로는 연신될 수 없음에 주목한다.
파단 변형률 또는 연신율은 연신 후의 중합체의 최종 길이(Lf)에서 연신 전의 초기 길이(Li)를 뺀 값을 초기 길이(Li)로 나눈 값이다[즉, 연신율(%)=(Lf-Li)/Li]. 필름 또는 다른 평면 제품의 경우, 연신율(%)은 제품의 초기 면적 및 최종 면적에 의해 측정된다.
본 발명의 중합체는 3개의 상이한 반복 단위로 본질적으로 이루어진다. 본 단량체의 단위 I은, p-옥시벤조일 단위로 일컬어지며, 이는 하기 화학식 I를 갖는다.
화학식 I
상기 화학식에 별도로 정의되지 않았으나, 단위 I의 방향족 고리 상에 존재하는 몇개 이상의 수소원자는 치환될 수 있다. 반복 단위 I가 유도될 수 있는 전구체의 예로는 하기 전구체들이 포함된다: 4-하이드록시벤조산, 3-클로로-4-하이드록시벤조산, 3-메틸-4-하이드록시벤조산, 3-메톡시-4-하이드록시벤조산 3-페닐-4-하이드로시벤조산, 3,5-디클로로-4-하이드록시벤조산, 3,5-디메틸-4-하이드록시벤조산, 3,5-디메톡시-4-하이드록시벤조산 등. 바람직한 실시양태에서, 고리 치환은 반복 단위 I 상에 존재하지 않는다.
본 발명의 중합체에서 반복 단위 II는 6-옥시-2-나프토일 단위로 일컬어지며, 하기 화학식 II를 갖는다.
화학식 II
반복 단위 I의 경우와 마찬가지로, 반복 단위 II의 방향족 고리 구조 상에존재하는 몇개 이상의 수소원자는 치환될 수 있다. 이러한 치환기의 예로는, 탄소수 1 내지 4의 알킬기, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 페닐, 할로겐(예: Cl, Br 및 I) 및 이들의 혼합물이 있다. 반복 단위 II가 유도될 수 있는 전구체의 예로는 하기 전구체들을 포함하는 방향족 하이드록시-나프토산이 있다: 6-하이드록시-2-나프토산, 6-하이드록시-5-클로로-2-나프토산, 6-하이드록시-5-메틸-2-나프토산, 6-하이드록시-5-메톡시-2-나프토산, 6-하이드록시-5-페닐-2-나프토산, 6-하이드록시-7-클로로-2-나프토산, 6-하이드록시-5,7-디클로로-2-나프토산 등. 바람직한 실시양태에서, 고리 치환은 반복 단위 II 상에 존재하지 않는다.
본 중합체(이때 중합체는 연신가능하다)의 반복 단위 III은 하기 화학식 III, III-1 및 그의 혼합물로부터 선택될 수 있다.
화학식 III
화학식 III-1
상기 식에서,
R1은 독립적으로 수소 및 C1내지 C6알킬로 이루어진 군으로부터 선택된다.
상기 화학식에 별도로 정의되지 않았으나, 반복 단위 III의 방향족 고리 구조는 반복 단위 I에 대해 기술된 바와 유사한 방식으로 치환될 수 있다. 바람직하게는, 어떠한 고리 치환도 반복 단위 III 상에 존재하지 않는다. 반복 단위 III가 유도될 수 있는 전구체의 예로는 m-아미노벤조산 및 m-하이드록시벤조산이 포함된다.
반복 단위가 생성된 중합체에 에스테르아미드 결합을 도입하는 잔기인 경우, 즉 반복 단위 III이인 경우, 이는 m-아미노벤조일 잔기로 일컬어지며, 생성된 중합체의 Tg 값은 반복 단위 III이 m-하이드록시벤조일 단위로 이루어진 유사한 중합체의 Tg 값을 초과하는 경향을 갖는다. 이러한 에스테르아미드 결합을 갖는 중합체의 고체에서의 네마틱(nematic)으로의 전이 온도는 증가되며 뿐만아니라 가공 온도도 증가된다.
에스테르 또는 에스테르-아미드 결합을 제공하는 미량의 다른 단위가 존재할 수 있으며, 이러한 단위는 본 발명에 의해 목적하는 특성을 제거하지 않는다.
본 발명의 한 실시양태에서, 반복 단위 I는 약 15 내지 약 35 몰%로 존재하고, 반복 단위 II는 약 20 내지 약 55몰%, 바람직하게는 약 30 내지 약 50 몰%로 존재하고, 반복 단위 III은 약 12 내지 약 48 몰%, 바람직하게는 약 12 내지 약 25 몰%로 존재한다.
본 발명의 다른 실시양태에서, 반복 단위 I는 약 10 내지 약 50 몰%로 존재하고, 반복 단위 II는 약 35 내지 약 55 몰%로 존재하고, 반복 단위 III은 약 12 내지 약 50 몰%, 바람직하게는 약 12 내지 약 25 몰%로 존재한다.
본 발명의 또다른 실시양태에서, 반복 단위 I는 약 10 내지 약 50 몰%로 존재하고, 반복 단위 II는 약 35 내지 약 45 몰%로 존재하고, 반복 단위 III은 약 8 내지 약 50 몰%로 존재한다.
본 발명의 추가의 또다른 실시양태에서, 중합체는 도 1의 A 영역내의 조성을 갖는다. 도 1은 3성분 중합체 시스템을 몰%로 표현한 3성분계 좌표이다. 삼각형의 상부 꼭지점은 p-하이드록시벤조일 잔기(4-HBA)를 100% 함유하는 중합체를 나타내며, 삼각형의 왼쪽 꼭지점은 6-하이드록시-2-나프토일 잔기(HNA)를 100% 함유하는 중합체를 나타내며, 삼각형의 오른쪽 꼭지점은 m-하이드록시벤조일 잔기(3-HBA)를 100% 함유하는 중합체를 나타낸다. 삼각형내의 점들은, 예컨대 A 영역은 3개의 성분을 모두 함유하는 중합체 조성물을 나타낸다.
바람직하게는, 상기 실시양태에서 A 영역내 조성의 중합체는 반복 단위 III를 약 40 몰% 미만, 더욱 바람직하게는 약 30 몰% 미만, 더더욱 바람직하게는 약 20 몰% 미만으로 가질 것이다.
또한, 도 1은 중합체 조성의 데이터 점들을 함유한다. 150℃에서 테이프 연신 절차에 따라 연신가능한 중합체 조성물은 사각형으로 구별되었으며, 연신가능하지 못한 것들은 다이아몬드로, 가공될 수 없는 것들은 별모양으로 구별되어 있다. 도 1을 작성하는데 사용된 데이터는 하기 표 1에 제시되어 있다.
본 발명의 연신가능한 중합체는 공지되어 있는 통상의 열가소성 공정에 의한 다양한 형상의 제품으로 가공될 수 있다. 성형 제품은 사출 성형법, 공압출법, 압출 취입 성형법, 연신 취입 성형법, 이축 연신 취입 성형법, 진공 성형법, 압축 성형법, 건식 적층법, 샌드위치식 적층법, 열성형법, 섬유 방사법 또는 이들의 조합 을 포함하는 통상적인 공정에 의해 형성된 임의의 유형의 제품 또는 부품이다. 또한, 중합체는 복합체에 사용될 수 있다.
본 발명의 중합체는 통상의 열가소성 물질에 사용되는 온도에서 가열 열신되는 능력에 따라 시이트 및 필름을 형성하기에 특히 적합하다. 용기(예컨대 병, 봉지, 탱크, 패키지 등)와 같은 중공 형상의 제품은 취입 성형 압출법, 직접 취입법, 사출 취입 성형법, 이축 연신 취입 성형법 등과 같은 방법에 의해 제조될 수 있다.
본 발명의 중합체는 우수한 기체 차단 특성을 가지며 연신능을 보유한다는 점에는 종래 LCP 중합체에 비해 유리하다. 연신가능한 중합체는 식료품, 약품, 화장품 및 섬유 공업용 약품 등과 같이 고도의 산소 차단 특성이 요구되는 다양한 패키지 물질 및 용기에 특히 적합하다.
또한, 연신가능한 중합체는 통상의 섬유 형성 장비를 사용하여 모노필라멘트, 멀티필라멘트 및 이성분 섬유와 같은 섬유를 제조하는데 사용될 수 있다.
특히, 상기 중합체는 섬유 연신시 사용된 온도에서 연신능을 보유하므로 이성분 섬유에서 하나 이상의 성분으로 사용될 수 있다. 이성분 섬유는 익히 공지되어 있으며, 상이한 상대적 점성을 갖는 중합체로부터 각각 형성된 개별 단면 도메인을 2개 이상 갖는 섬유로 한정될 수 있다. 개별 도메인은 2개 이상의 상이한 중합체, 및 상이한 상대 점성을 갖는 동일한 중합체 부류에 의해 형성될 수 있다. 이성분 섬유는 코어형 및 시드(sheath)형 섬유 구조, 병렬식(side by side) 섬유 구조, 팁핑된(tipped) 섬유 구조, 마이크로데니어(micro-denier) 구조 및 혼합된 섬유 구조를 포함하지만 이에 한정되지 않는다. 이들 유형의 이성분 섬유 구조들은 본원에 참고로 인용되고 있는 미국 특허 제 6,074,590 호에 기술되어 있다.
또한, 본 발명은 (a) 열가소성 물질 층 및 하기 화학식 I의 반복 단위 I, 하기 화학식 II의 반복 단위 II 및 하기 화학식 III의 반복 단위 III으로 본질적으로 이루어진 중합체 층을 포함하는 다층 적층물을 제공하는 단계, 및 (b) 상기 적층물을, 중합체(이때 중합체는 도 2의 B 영역 또는 도 1의 A 영역내의 조성을 갖는다)의 제 1 전이점(예컨대 유리 전이 온도 Tg)보다 높고 약 200℃ 미만인 온도 또는 약 120 내지 약 160℃의 온도에서 약 100% 연신율로 연신시키는 단계를 포함하는, 다층 적층물을 연신시키는 방법에 관한 것이다.
화학식 I
화학식 II
화학식 III
도 2는 도 1과 유사하며, 3성분 중합체 시스템을 몰%로서 표현한 3성분계 좌표이다. 도 2는 중합체의 조성물이 중합체의 제 1 전이점 온도 및 약 200℃에서 연신가능하도록 여겨지는 B 영역을 도시하고 있다.
바람직하게는, 상기 실시양태에서 B 영역내의 중합체의 조성은 약 40 몰%, 더욱 바람직하게는 약 30 몰%, 더더욱 바람직하게는 약 20 몰%로 존재하는 반복 단위 III을 가질 것이다.
다층 적층물에서 하나의 층으로 사용될 수 있는 열가소성 물질은 임의의 적합한 열가소성 물질, 예컨대 폴리올레핀(예: 폴리에틸렌 및 폴리프로필렌), 폴리에스테르(예: 폴리에틸렌 테레프탈레이트, 폴리부틸렌 테레프탈레이트 및 폴리에틸렌 나프탈레이트) 및 폴리아미드(예: 나일론)일 수 있다. 이들 다층 적층물은 공압출법, 건식 적층법, 샌드위치식 적층법에 의해 적층된 필름, 시이트, 튜브 등에 사용될 수 있다. 적층된 용기, 예컨대 병, 봉지, 탱크 및 기타 등은 또한 취입 성형법, 연신 취입 성형법, 진공 성형법, 압축 성형법 또는 기타 성형법에 의해 제조될 수 있다.
다층 적층물은 접착제 층을 추가로 함유할 수 있다. 임의의 적합한 접착제 층이 사용될 수 있다. 적합한 일반적 부류의 접착제의 예로는, 폴리에스테르 폴리우레탄, 폴레에테르 폴리우레판, 폴리에스테르 엘라스토머, 폴리에테르 엘라스토머, 폴리아미드, 폴리에테르 폴리아미드, 폴리에테르 폴리이미드, 또는 작용화된 폴리올레핀이 있으며, 상기 작용화된 폴리올레핀은 카복실 그룹 및 그의 에스테르, 카복실산 무수물 그룹, 글리시딜 그룹, 알콕실란 그룹 및 그의 조합된 그룹으로 이루어진 군으로부터 선택된 작용기를 포함한다.
사용될 수 있는 특정 접착체의 예로는, 에틸렌-말레산 무수물 공중합체, 에틸렌-메틸 아크릴레이트 공중합체, 말레산 무수물과 그래프트된(grafted) 에틸렌-메틸 아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-메틸 아크릴레이트-말레산 삼원공중합체, 에틸렌-글리시딜 메타그릴레이트 공중합체, 에틸렌-메틸 아크릴레이트-글리시딜 메타크릴레이트 삼원공중합체, 에틸렌-메틸 메타크릴레이트-아크릴산 삼원공중합체, 에틸렌-비닐 아세테이트 공중합체, 알콕실란 개질된 에틸렌-에틸아크릴레이트 공중합체, 에틸렌-아크릴산 공중합체, 및 말레산 무수물로 그래프트된 폴리프로필렌과 폴리아미드계 다이머의 블렌드가 있다.
이들 적층물의 주요 장점은, 종래 열가소성 물질을 연신시키는데 전형적으로 사용되는 온도(예컨대 120 내지 160℃)에서 연신될 수 있다는 것이다. 적층물을 연신시키는 것은 종래 열가소성 중합체를 배향시키고, 적층물의 강도를 증강시킨다. 종래 LCP는 용융 상태 아래에서는 실질적으로 연신될 수 없으므로 배향된 다층 적층물에 사용되지 않는 것이 전형적이다.
본 발명의 중합체는 하이드로카복실산 및 아미노-카복실산 반응물의 아세테이트 형태를 통해 가공되는 중합 반응에 의해 전형적으로 제조된다. 따라서, 상기 중합체는 예비-아세틸화된 하이드록실 그룹 및 아미노 그룹을 갖는 출발 물질 반응물로서 사용될 수 있고, 반응 혼합물을 중축합 온도로 가열하고 목적하는 중합체 점성에 도달할 때까지 반응을 유지할 수 있다. 다르게는, 동일 반응계에서 아세틸화하는 것이 가능하며, 방향족 하이드록시카복실산의 경우, 및 존재하는 아미노카복실산이 아세트산 무수물과 반응하는 경우, 아세트산 부산물은 제거되고, 에스테르화된 반응물과 함께 중축합 온도로 가열되고, 반응은 목적하는 중합체 점성에 도달할 때까지 유지된다. 만약 아세틸화 및 중축합 반응이 단일 반응기에서 수행된다면, 단일 단계에서 반응물과 함께 반응기를 바꾸는 것이 통상적이다.
아세틸화 및 중축합 반응은 적합한 촉매의 존재하에 전형적으로 수행된다. 이러한 촉매들은 당해 분야에 익히 공지되어 있으며, 예컨대 카복실산의 알칼리 금속 및 알칼리 토금속 염, 예를 들어 포타슘 아세테이트, 소듐 아세테이트, 마그네슘 아세테이트 등이 있다. 이러한 촉매는 반복 단위 전구체의 총 중량을 기준으로 약 50 내지 약 500 ppm(part per million)의 양으로 전형적으로 사용된다.
아세틸화는 약 90℃의 온도에서 일반적으로 개시된다. 아세틸화의 개시 단계에서, 환류가 바람직하게 도입되어 아세틸화 아세트산 부산물 및 무수물이 증류하기 시작하는 지점 이하의 온도에서 증기상을 유지시킨다. 아세틸화 개시 단계 중의 온도는 전형적으로 90 내지 150℃, 바람직하게는 약 100 내지 약 130℃ 범위이다. 아세틸화를 완결시키기 위해, 이어서 반응 혼합물은 약 150 내지 약 220℃, 바람직하게는 약 150 내지 약 200℃로 가열되며, 180 내지 200℃로 가열하는 것이 특히 바람직하다. 이 지점에서, 환류가 사용되는 경우, 증기상 온도는 아세트산의 비점을 초과해야만 하지만 잔여 아세트산 무수물을 보유시킬 만큼 충분히 낮도록 유지시켜야 한다.
반응을 실질적으로 확실히 완결시키기 위해, 아세틸화를 실시하는 과정에서 과량의 아세트산 무수물을 이용하는 것이 바람직할 수 있다. 과량의 무수물은 환류를 사용하거나 사용하지 않는 것을 포함하는, 사용된 특정 아세틸화 조건에 따라 변할 것이다. 존재하는 반응물 하이드록실기의 전체 몰을 기준으로하여 과량의 약 1 내지 약 10 몰%의 아세트산 무수물을 과량으로 사용하는 것은 드물지 않다.
아세틸화를 완결시키기 위해, 무수물 손실을 최소화해야 한다. 아세트산은 약 118℃의 온도에서 증발한다. 더욱 높은 옥도에서, 즉 약 140℃에서, 아세트산 무수물은 또한 증발하기 시작한다. 반응기에 증기상 환류를 조절하는 수단을 제공하는 것이 바람직하다. 약 120 내지 약 130℃에서 증기상 환류 온도를 유지하는 것이 특히 바람직하다.
아세틸화 출발 물질의 중축합은 약 210 내지 약 260℃ 범위내의 온도에서 발생하기 시작한다. 아세트산은 또한 축합 반응의 부산물이기 때문에, 중축합 반응을 실시하는 경우 조절된 증기상 환류를 사용하는 것이 바람직하다. 조절된 증기상 환류를 사용하지 않는 경우에는, 아세트산 무수물, 아세톡시벤조산 및 다른 휘발성 물질이 중합 온도가 증가함에 따라 증발된다. 합성된 특정 중합체에 따라, 중합 반응 과정에서 약 120 내지 약 130℃의 증기상 환류 온도를 유지시키는 것이 바람직하다.
최종 중합 온도에 도달함에 따라, 아세트산 및 아세트산 무수물의 비점보다 높은 비점을 갖는 휘발성인 반응 부산물은 제거되어야 한다. 따라서, 약 250 내지 약 300℃의 반응기 온도에서, 증기상 환류는, 사용된다면, 일반적으로 더욱 높은 증기상 온도를 허용하도록 조절되거나 또는 중단되다. 일반적으로 중합은 목적하는 중합체 점성에 도달할 때까지 실시된다. 용융 상태에서 분자량을 키우기 위해, 중합 반응은 일반적으로 중축합의 최종 단계에서 형성된 휘발성 물질의 제거를 촉진시키는 환경에서 진공하에 실시된다.
중합에 이어서, 용융된 중합체는 전형적으로 목적하는 구성의 다이(die)를 갖춘 압출 오리피스를 통해 전형적으로 반응기로부터 제거되고, 냉각되고, 수거된다. 통상적으로, 용융물은 가닥을 형성하도록 구멍이 난 다이를 통해 방출되는데, 이는 수조에서 이루어지며, 펠렛화되고 건조된다.
테이프 연신 절차
중합체의 연신가능 여부를 측정하기 위한 시험 절차를 하기에서 상세히 설명하였다. 중합체는 마이크로멜트(Micromelt, 상표명) 장치를 사용하여 테이프 모양으로 용융 가공하였다. 상기 장치는 0.127㎜×6.35㎜ 다이가 장착되어 있다. 용융 온도는 약 250 내지 300℃에서 LCP 시료의 용융 특성에 따라 전형적으로 다양하다. 중합체의 Tg(또는 Tm)에 따라, 처리 속도는 약 0.45 cc/분이고, 권취 롤러 속도는 약 2 rpm이고, 포장 압력은 전형적으로 약 100㎏/㎠ 내지 약 290㎏/㎠ 범위이다. 생성된 테이프는 약 0.05㎜의 두께 및 약 6㎜의 너비를 가질 것이다.
시험 단편은 각각의 테이프로부터 절단된 길이가 약 12.7㎝이어야 한다. 시편을 미리-가열된 인스트론 오븐에 위치시키고, 6분 동안 유지시켜 시험 온도, 예컨대 120 내지 200℃에 도달시킨 후, 시험 온도에서 열 챔버가 장착된 인스트론 타입 유니버셜 테스터(Instron type universal tester) 상에서 시험하였다. 게이지 길이는 약 25㎜이고, 크로스헤드 속도는 약 50.8㎜/분이다. 파단 변형률(%) 또는 연신율(%)은 파단점에서 산출하였다.
하기 실시예는 본 발명을 추가로 예시하고자 제시되어 있다. 그러나, 실시예는 어떠한 방식으로도 본 발명을 한정하지 않는다.
실시예 1 내지 31
스테인레스강 "C"-형 교반기, 기체 유입 튜브, 열전대(thermocouple), 증류트랩, 및 응축기 및 리시버(receiver)에 부착된 비그럭스(Vigreux) 칼럼이 장착된 3목 실린더형 플라스크에, 하기 화합물을 첨가하였다:
p-하이드록시벤조산 372.6g,
6-하이드록시-2-나프토산 451.2g,
m-하이드록시벤조산 124.2g,
아세트산 무수물(1 몰% 초과) 623.7g, 및
포타슘 아세테이트(30 ppm) 0.06 g.
플라스크를 무수 질소로 배기시키고 플러싱(flushing)함으로써 산소로 퍼징하고, 전기적으로 가열된 유동화 모래조내에 침지시켰다. 플라스크의 내용물을 75 rpm으로 교반하면서 약 150℃까지 가열하여 하이드록시 그룹을 아세틸화하였다. 온도는 70분에 걸쳐 150 내지 220℃로 승온시켜 부산물인 아세트산을 증류시켰다. 중합은 220℃에서 시작되었고, 반응 온도를 110분에 걸쳐 320℃로 승온시켰다. 이 기간 중에, 발생된 아세트산은 증류하여 제거하였다. 320℃에서 유지 시간 30분 후, 진공을 적용하고, 압력을 20분에 걸쳐 약 5㎜Hg로 서서히 감소시켰다. 교반 속도를 유지하는데 요구되는 토크가 목적하는 용융 점도(MV)가 얻어지는데 필요한 표적 값에 도달할 때까지 진공을 유지하였다. 표적 토크에서, 진공을 제거하고, 플라스크를 무수 질소를 사용하여 대기압에 이르게 하였다.
이 방법에 의해, 지름 1㎜ 및 길이 20㎜의 오리피스를 사용하여 모세관 점도계에서 270℃에서 측정한 경우 100 초-1의 전단 속도에서 약 900 포이즈의 용융 점도를 갖는 폴리에스테르가 제조되었다.
시차주사열량계(DSC)(가열 속도 20℃/분)로 분석한 결과 중합체의 Tg는 103℃이고 Tm은 192℃이었다.
추가 중합체를 제조하여 유사한 절차를 따라 시험하였다. 표 1은 사용된 반응 단량체 몰%와 함께 여러 실시예를 나열한 것이다. 약어는 다음과 같다:
"p-HBA"는 p-하이드록시벤조산이고,
"HNA"는 6-하이드록시-2-나프토산이고,
"m-HBA" 또는 "3-HBA"는 m-하이드록시벤조산이다.
모든 중합은 존재하는 하이드록실 그룹을 완전히 아세틸화하도록 과량의 1몰% 아세트산 무수물을 사용하여, 포타슘 아세테이트 30 ppm의 존재하에 실시되었다.
편광된 광을 사용하는 고온 스테이지 현미경(hot stage microscopy)을 이용하여 모든 중합체는 광학적 이방성임을 확인하였다. 중합체는 반응 단량체의 몰 변화에 상응하는 반복 단위의 몰 함량을 함유하였다. 중합체에 대한 M.V., Tm 및 Tg 데이터(상기와 같이 측정됨)는 표 1에 보고되어 있다.
상기 중합체는 앞서 기술된 테이프 연신 절차를 사용하여 연신력을 시험하였다. 파단 변형률(%)은 파단점에서 산출되었다. 파단 변형률(%)은 시험한 5개의 시편에 대한 데이터의 평균으로서 표 1에 보고되어 있다. 표 1에 제시된 데이터는 도 1을 작성하는데 사용되었다.
전술한 내용은 본 발명을 예시하기 위한 것으로 이로써 본 발명이 제한되어서는 아니된다. 본 발명은 본원에 첨부되는 하기 청구범위의 내용 및 그의 등가물에 의해 한정된다.

Claims (32)

  1. 화기 화학식 I의 반복 단위 I, 하기 화학식 II의 반복 단위 II 및 하기 화학식 III의 반복 단위 III으로 본질적으로 이루어지며 도 1의 A 영역내의 조성을 갖는 중합체.
    화학식 I
    화학식 II
    화학식 III
  2. 제 1 항에 있어서,
    반복 단위 III의 양이 약 40 몰% 미만인 중합체.
  3. 제 1 항에 있어서,
    반복 단위 III의 양이 약 20 몰% 미만인 중합체.
  4. 제 1 항에 있어서,
    필름, 시이트, 섬유, 복합체 또는 성형 제품으로 형성되는 중합체.
  5. 하기 화학식 I의 반복 단위 I, 하기 화학식 II의 반복 단위 II, 및 하기 화학식 III, III-1 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 반복 단위 III로 본질적으로 이루어진 중합체로서,
    상기 반복 단위 I이 약 15 내지 약 35 몰%의 양으로 존재하고, 상기 반복 단위 II가 약 20 내지 약 55 몰%의 양으로 존재하고, 상기 반복 단위 III이 약 12 내지 약 48 몰%의 양으로 존재하는 중합체.
    화학식 I
    화학식 II
    화학식 III
    화학식 III-1
    상기 식에서,
    R1은 독립적으로 수소 및 C1내지 C6알킬로 이루어진 군으로부터 선택된다.
  6. 제 5 항에 있어서,
    반복 단위 III이 하기 화학식 III인 중합체.
    화학식 III
  7. 제 5 항에 있어서,
    반복 단위 III이 하기 화학식 III-1인 중합체.
    화학식 III-1
  8. 제 5 항에 있어서,
    반복 단위 II가 약 30 내지 약 50 몰%의 양으로 존재하고, 반복 단위 III이 약 12내지 약 25 몰%의 양으로 존재하는 중합체.
  9. 제 5 항에 있어서,
    필름, 시이트, 섬유, 복합체 또는 성형 제품으로 형성되는 중합체.
  10. 하기 화학식 I의 반복 단위 I, 하기 화학식 II의 반복 단위 II, 및 하기 화학식 III, III-1 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 반복 단위 III으로 본질적으로 이루어진 중합체로서,
    상기 반복 단위 I이 약 10 내지 약 50 몰%의 양으로 존재하고, 상기 반복 단위 II가 약 35 내지 약 55 몰%의 양으로 존재하고, 상기 반복 단위 III이 약 12 내지 약 50 몰%의 양으로 존재하는 중합체.
    화학식 I
    화학식 II
    화학식 III
    화학식 III-1
    상기 식에서,
    R1은 독립적으로 수소 및 C1내지 C6알킬로 이루어진 군으로부터 선택된다.
  11. 제 10 항에 있어서,
    반복 단위 III이 하기 화학식 III인 중합체.
    화학식 III
  12. 제 10 항에 있어서,
    반복 단위 III이 하기 화학식 III-1인 중합체.
    화학식 III-1
  13. 제 10 항에 있어서,
    반복 단위 III이 약 12 내지 약 25 몰%의 양으로 존재하는 중합체.
  14. 제 10 항에 있어서,
    필름, 시이트, 섬유, 복합체 또는 성형 제품으로 형성되는 중합체.
  15. 하기 화학식 I의 반복 단위 I, 하기 화학식 II의 반복 단위 II, 및 하기 화학식 III, III-1 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 반복 단위 III으로 본질적으로 이루어진 중합체로서,
    상기 반복 단위 I이 약 10 내지 약 50 몰%의 양으로 존재하고, 상기 반복 단위 II가 약 35 내지 약 45 몰%의 양으로 존재하고, 상기 반복 단위 III이 약 8 내지 약 50 몰%의 양으로 존재하는 중합체.
    화학식 I
    화학식 II
    화학식 III
    화학식 III-1
    상기 식에서,
    R1은 독립적으로 수소 및 C1내지 C6알킬로 이루어진 군으로부터 선택된다.
  16. 제 15 항에 있어서,
    반복 단위 III이 하기 화학식 III인 중합체.
    화학식 III
  17. 제 15 항에 있어서,
    반복 단위 III이 하기 화학식 III-1인 중합체.
    화학식 III-1
  18. 제 15 항에 있어서,
    반복 단위 III이 약 12 내지 약 25 몰%의 양으로 존재하는 중합체.
  19. 제 15 항에 있어서,
    필름, 시이트, 섬유, 복합체 또는 성형 제품으로 형성되는 중합체.
  20. 열가소성 수지 층 및 제 1 항에 따르는 중합체 층을 포함하는 다층 적층물.
  21. 제 20 항에 있어서,
    접착제 층을 추가로 포함하는 다층 적층물.
  22. 열가소성 수지 층 및 제 5 항에 따르는 중합체 층으로 이루어진 다층 적층물.
  23. 제 22 항에 있어서,
    접착제 층을 추가로 포함하는 다층 적층물.
  24. 열가소성 수지 층 및 제 10 항에 따르는 중합체 층을 포함하는 다층 적층물.
  25. 제 24 항에 있어서,
    접착제 층을 추가로 포함하는 다층 적층물.
  26. 열가소성 수지 층 및 제 15 항에 따르는 중합체 층을 포함하는 다층 적층물.
  27. 제 26 항에 있어서,
    접착제 층을 추가로 포함하는 다층 적층물.
  28. (a) 열가소성 물질 층, 및 하기 화학식 I의 반복 단위 I, 하기 화학식 II의 반복 단위 II 및 하기 화학식 III의 반복 단위 III으로 본질적으로 이루어지며 도 2의 B 영역내의 조성을 갖는 중합체 층을 포함하는 다층 적층물을 제공하는 단계; 및
    (b) 상기 적층물을, 중합체의 제 1 차 전이점 보다 높고 약 200℃ 미만인 온도에서 약 100% 초과의 연신율로 연신시키는 단계를 포함하는, 다층 적층물의 연신방법.
    화학식 I
    화학식 II
    화학식 III
  29. 제 28 항에 있어서,
    적층물을 약 120 내지 약 160℃의 온도에서 약 100%의 연신율로 연신시키는 다층 적층물의 연신방법.
  30. 제 28 항에 있어서,
    반복 단위 III의 양이 약 40 몰% 미만인 다층 적층물의 연신방법.
  31. 제 28 항에 있어서,
    반복 단위 III의 양이 약 20 몰% 미만인 다층 적층물의 연신방법.
  32. 제 28 항에 있어서,
    적층물이 접착제 층을 추가로 포함하는 다층 적층물의 연신방법.
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