KR20030068051A - 유기 물질로부터 유기 층을 생성하는 방법 및 펠릿을사용하는 방법 - Google Patents

유기 물질로부터 유기 층을 생성하는 방법 및 펠릿을사용하는 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20030068051A
KR20030068051A KR10-2003-0008236A KR20030008236A KR20030068051A KR 20030068051 A KR20030068051 A KR 20030068051A KR 20030008236 A KR20030008236 A KR 20030008236A KR 20030068051 A KR20030068051 A KR 20030068051A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
organic
powder
pellets
sublimable
die
Prior art date
Application number
KR10-2003-0008236A
Other languages
English (en)
Inventor
고쉬샤멀쿠마르
칼튼돈버톤
하트워투카람키산
반슬라이크스티븐알랜드
Original Assignee
이스트맨 코닥 캄파니
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 이스트맨 코닥 캄파니 filed Critical 이스트맨 코닥 캄파니
Publication of KR20030068051A publication Critical patent/KR20030068051A/ko

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/12—Organic material
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/10—Deposition of organic active material
    • H10K71/16—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering
    • H10K71/164—Deposition of organic active material using physical vapour deposition [PVD], e.g. vacuum deposition or sputtering using vacuum deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/30—Doping active layers, e.g. electron transporting layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

유기 발광 장치의 일부분을 형성하게될 기판 상에 유기 물질로부터 유기 층을 생성하는 방법은 승화가능 유기 물질을 분말형으로 제공하는 단계와, 열 전도성 및 비-승화가능 세라믹 물질을 분말형으로 제공하는 단계와, 승화가능 유기 물질 분말과 열 전도성 및 비-승화가능 세라믹 물질 분말의 혼합물을 형성하는 단계와, 그러한 혼합물을 다이에 배치하고 펀치를 사용하여 가열된 혼합물에 충분한 압력을 인가하여 분말들의 혼합물이 고체 펠릿으로 응집되도록 하는 단계와, 다이로부터 펠릿을 제거하는 단계를 포함한다.

Description

유기 물질로부터 유기 층을 생성하는 방법 및 펠릿을 사용하는 방법{USING ORGANIC MATERIALS IN MAKING AN ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE}
본 발명은 유기 발광 장치(organic light-emitting device; OLED)를 제조하는 방법에 관한 것으로, 특히 유기 물질의 분말로부터 고체 펠릿(solid pellets)을 형성하고 그러한 펠릿을 물리적 증착(physical vapor deposition)에서 사용하여 OLED 부분을 형성하게될 기판 상에 유기 층을 형성하는 개선된 방법에 관한 것이다.
유기 EL(electroluminescent; EL) 장치로도 지칭되는 유기 발광 장치는 제 1 전극과 제 2 전극 사이에 둘 이상의 유기 층을 삽입함으로써 구성될 수 있다.
종래 구성의 수동 매트릭스 OLED에 있어서, 인듐-주석-산화물(ITO) 애노드와 같은, 다수의 측방향으로 이격된 광-투과 애노드는 유리 기판과 같은 광-투과 기판 상에서 제 1 전극으로서 형성된다. 그런 다음 둘 이상의 유기 층은 대개 10-3토르 보다 낮은 감소된 압력으로 유지되는 챔버 내에서, 제각기의 소스로부터의 제각기의 유기 물질에 대한 물리적 증착에 의해 연속적으로 형성된다. 다수의 측방향으로 이격된 캐소드는 유기 층들 중 최상의 층 위에 제 2 전극으로서 증착된다. 캐소드는 애노드에 대해 비스듬히, 대개는 직각으로 배향된다.
그러한 종래의 수동 매트릭스 유기 발광 장치는 전위(구동 전압이라고도 지칭됨)를 적절한 열들(columns)(애노드) 사이에 인가하고 순차적으로 각 행(캐소드)에 인가함으로써 동작된다. 캐소드가 애노드에 대해 음으로 바이어스될 경우, 빛은 캐소드 및 애노드의 중첩 영역으로 정의된 픽셀로부터 방출되고, 방출된 빛은 애노드 및 기판을 통해 관찰자에게 도달한다.
능동 매트릭스 유기 발광 장치(OLED)에 있어서, 애노드의 어레이는 제각기의 광-투과 부분에 연결된 박막 트랜지스터(TFTs)에 의해 제 1 전극으로서 제공된다. 둘 이상의 유기 층은 앞에서 언급한 수동 매트릭스 장치의 구성과 실질적으로 동일한 방식인 증착에 의해 연속적으로 형성된다. 공통 캐소드는 유기 층들 중 최상의 층 위에 제 2 전극으로서 증착된다. 능동 매트릭스 유기 발광 장치의 구성 및 기능은 역시 본 출원인에게 양도된 미국 특허 제 5,550,066 호에 개시되어 있고, 그것의 개시 사항은 본 명세서에서 참조로써 합체된다.
유기 발광 장치를 구성하는 데 유용한 유기 물질, 증착 유기 층의 두께 및 층 구성은 예를 들어 역시 본 출원인에게 양도된 미국 특허 제 4,356,429 호, 제 4,539,507 호, 제 4,720,432 호, 제 4,769,292 호에 개시되어 있고, 그것의 개시 사항은 본 명세서에서 참조로써 합체된다.
OLED의 제조에 유용한 유기 물질 예를 들어, 유기 정공-이송 물질(organic hole-transporting materials), 유기 도펀트(organic dopant)로 사전 도핑된 유기 발광 물질 및 유기 전자-이송 물질은 비교적 약한 분자 결합력을 가진 비교적 복합 분자 기판(relatively complex molecular substrates)을 가질 수 있고, 그렇기 때문에 물리적 증착 동안 유기 물질의 분해(decomposition)를 피하기 위한 주의가 요구되어야 한다.
앞에서 언급한 유기 물질은 비교적 높은 순도로 합성되어야하고, 분말(powders), 박편(flakes) 및 과립(granules) 형태로 제공된다. 그러한 분말 또는 박편은 지금까지 물리적 증착 소스로 사용되어 왔고, 유기 물질의 승화 또는 기화에 의해 증기를 형성하기 위해 열이 가해지고, 증기는 기판 상에서 응축되어 유기 층을 제공한다.
유기 분말, 박편 또는 과립을 물리적 증착에 사용함에 있어 몇가지 문제점이 발견되었다.
(i) 분말, 박편 또는 과립은 다루기가 어려운데 그 이유는 그들은 마찰 전기 충전(triboelectric charging)으로 지칭되는 프로세스를 통해 정전 전하를 얻기 때문이다.
(ii) 분말, 박편 또는 과립 형태의 유기 물질은 일반적으로 약 1g/cm3인 이상적인 고체 유기 물질의 물리적 밀도에 비교해 볼 때, 약 0.05 내지 약 0.2 g/cm3의 범위의 상대적으로 낮은 물리적 밀도(단위 부피당 무게라는 용어로 표현됨)를 갖는다.
(iii) 분말, 박편 또는 과립 형태의 유기 물질은 바람직하지 않은 낮은 열 전도성을 가지는데, 특히 10-6토르 만큼 낮은 감소된 압력으로 배기된(evacuated) 챔버 내에 배치되는 물리적 증착 소스에 배치되는 경우에 더욱 그러하다. 따라서, 분말 입자, 박편 또는 과립들은 가열된 소스로부터의 복사열 및 소스의 가열된 표면과 직접 접촉하는 입자 또는 박편의 전도열에 의해서만 가열된다. 소스의 가열된 표면과 접촉하지 않는 분말 입자, 박편 또는 과립들은 입자-대-입자 접촉 면적이 상대적으로 작기 때문에 전도열에 의해서는 효과적으로 가열되지 않는다.
(iv) 분말, 박편 또는 과립들은 그러한 입자들의 표면적 대 부피 비율이 상대적으로 높을 수 있고, 그에 대응하여 주변 입자들 사이에 공기 및/또는 이슬을 가두려는 경향이 높을 수 있다. 따라서, 일단 챔버가 감소된 압력으로 배기되면 챔버 내에 배치된 물리적 증착 소스로 로딩된 유기 분말, 박편 또는 과립들은 소스를 사전 가열함으로써 전체적으로 기체 방출되어야 한다. 기체 방출이 생략되거나 불완전할 경우, 기판 상에 유기 층을 물리적으로 증기-증착하는 동안 입자들은 증기 스트림과 함께 소스로부터 방출될 수 있다. 다수의 유기 층을 갖는 OLED는 그러한 층이 입자 또는 미립자를 포함하는 경우 기능적으로 동작할 수 없게될 수 있다.
유기 분말, 박편 또는 과립에 관해 앞에서 언급한 측면들의 각각 또는 조합은 물리적 증착 소스인 그러한 유기 물질의 불균일 가열을 야기하여 유기 물질의 부가적인 공간적 불균일 승화 또는 기화를 가질 수 있고 따라서, 기판 상에서 형성되는 잠재적으로 불균일한 증기-증착 유기 층을 야기할 수 있다.
OLED 부분을 형성하게 될 기판 상에 유기 층을 생성하기에 적합한 유기 물질을 다루는 방법을 제공하는 것이 본 발명의 목적이다.
유기 분말을 고체 펠릿으로 응집시키는 방법을 제공하는 것이 본 발명의 또다른 목적이다.
유기 층을 유기 물질의 고체 펠릿으로부터 또한 OLED의 부분을 형성하게 될 기판 상에 생성하는 방법을 제공하는 것이 본 발명의 또 다른 목적이다.
승화가능 유기 물질 분말과 열 전도성 비-승화가능 세라믹 분말의 혼합물을 고체 펠릿으로 응집시키는 방법을 제공하는 것이 본 발명의 또 다른 목적이다.
일 측면에서, 본 발명은 유기 층을 유기 물질로부터 또한 OLED 부분을 형성하게 될 기판 상에 생성하는 방법을 제공하고, 이 방법은
(a) 분말 형태의 승화가능 유기 물질을 제공하는 단계와,
(b) 분말 형태의 열 전도성 비-승화가능 세라믹 물질을 제공하는 단계와,
(c) 승화가능 유기 물질 분말과 열 전도성 비-승화가능 세라믹 물질 분말의 혼합물을 형성하는 단계와,
(d) 그러한 혼합물을 다이에 배치시키고 두 개의 펀치, 즉 하위 및 상위 펀치를 사용하여 분말의 혼합물이 고체 펠릿으로 응집되도록 혼합물에 충분한 압력을 가하는 단계와,
(e) 분말의 혼합물이 고체 펠릿으로 응집되는 것을 돕기 위해 맞은편 펀치들에 의해 압력이 인가되는 동안 또는 압력이 인가되기 앞서 다이에 열을 가하는 단계와,
(f) 다이로부터 펠릿을 제거하는 단계를 포함한다.
또 다른 측면에 있어서, 본 발명은 OLED 장치의 유기 물질 층을 생성하기 위해 형성된 고체 펠릿을 사용하는 방법을 제공하고, 이 방법은
(a) 고체 펠릿을 챔버에 배치된 물리적 증착 소스에 배치시키는 단계와,
(b) 기판을 소스와 일정한 간격을 두며 챔버 내에 위치시키는 단계와,
(c) 챔버를 비워서 감소된 압력으로 배기(evacuate)하는 단계와,
(d) 소스에 열을 가하여 펠릿의 유기 물질의 적어도 일부분이 승화하도록 하는 한편 열 전도성 세라믹 물질은 승화되지 않은 상태로 남게 되어 기판 상에 유기 층을 형성하는 유기 물질의 증발(a vapor of the organic material)을 제공하도록 하는 단계를 포함한다.
유기 분말을 고체 펠릿으로 응집시키는 방법은 비교적 간단한 도구를 이용해서 그리고 물리적 증착 장치에서 그러한 펠릿을 사용하는 위치로부터 떨어진 위치에서 성취될 수 있다는 것이 본 발명의 일 특징이다.
유기 분말을 고체 펠릿으로 응집시키는 방법은 상이한 위치에서 그리고 그 위치 사이에서 유기 물질의 처리(handling), 전달(transfer) 또는 적재(shipping)를 실질적으로 용이하게 한다는 것이 본 발명의 또 다른 특징이다.
본 발명의 방법에 따라 마련된 복수의 유기 물질의 펠릿은 분말 형태의 또한 유사한 무게의 유기 물질을 처리, 전달 또는 적재하는 컨테이너와 비교해 상당히 감소된 부피를 갖는 컨테이너에 처리, 전달 또는 적재될 수 있다는 것이 본 발명의 또 다른 특징이다.
OLED 물질의 고체 펠릿은 본 발명의 방법에 의해 생성될 수 있고 여기서 혼합물을 고체 펠릿으로 응집하기에 앞서 적어도 하나의 OLED 호스트 물질의 분말과 적어도 하나의 유기 도펀트 물질의 분말을 섞거나 혼합하여 혼합물을 제공한다.
분말을 고체 펠릿으로 응집시키는 방법 및 물리적 증착 소스의 고체 펠릿의 일부분을 증발시킴으로써 기판 상에 유기 층을 생성하는 방법은 소스로부터 방출된 분말 입자를 실질적으로 제거하여, 미립자 함유로부터 실질적으로 자유로운 유기 층을 제공한다는 것이 본 발명의 또 다른 특징이다.
분말을 고체 펠릿으로 응집시키는 방법은 펠릿의 일부분이 증발되어 기판 상에 유기 층을 형성하게 하는 물리적 증착 소스의 형태에 순응하도록 선택된 모양을 가진 펠릿을 제공하도록 조정(tailored)될 수 있다는 것이 본 발명의 또 다른 특징이다.
그렇지 않을 경우 열적으로 비-전도성인 고체 유기 펠릿 내에 열 전도성 세라믹 분말을 균질 분산(homogeneous dispersion)하면 고체 펠릿 전체에 걸쳐 고르게 열을 분배하는 수단에 의한 열 증발 및 응집 프로세스(consolidation process)를 돕는다는 것이 본 발명의 또 다른 특징이다.
열 전도성 세라믹 분말은 열 증발된 유기 분자를 방해 또는 오염시키지 않는다는 것이 본 발명의 또 다른 중요한 특징이다.
도 1은 종래 기술의 OLED를 도시하는 도면,
도 2는 종래 기술의 또 다른 OLED를 도시하는 도면,
도 3은 다양한 층을 보이게 하는 부분적으로 필링된-후면 요소를 가진 수동 매트릭스 OLED의 개략적인 사시도,
도 4는 허브로부터 확장하는 다수의 스테이션을 구비하고 비교적 다수의 OLED를 생성하기 적합한 장치에 대한 개략적인 사시도,
도 5는 도 4에서 섹션 라인(5-5)에 의해 표신된 바와 같이, 도 4의 시스템의 부하 스테이션에 위치하고 비교적 다수의 기판을 포함하는 캐리어에 대한 개략적인 단면도,
도 6a 내지 도 6f는 본 발명에 따라 단축 프레스에 배치된 다이에서 유기 및 세라믹 분말의 혼합물로부터 고체 펠릿을 형성하는 일련의 프로세스 단계를 개략적으로 도시하되,
도 6a는 하위 펀치 위의 다이 공동 내부에 충진된 유기 및 세라믹 분말 혼합물을 갖는 다이를 도시하는 도면,
도 6b는 다이 공동 내에 배치되고 분말 물질의 상위 표면과 접촉하는 상위 펀치를 도시하는 도면,
도 6c는 유기 및 세라믹 분말 혼함 물질이 고체 펠릿으로 응집되도록 상위 및 하위 펀치에 단축 프레스가 인가하는 압력을 도시하는 도면,
도 6d는 다이로부터 제거되는 상위 펀치를 도시하는 도면,
도 6e는 프레스로부터 제거되는 다이와 다이 공동으로부터 제거되는 하위 펀치를 도시하되, 펠릿은 공동 다이의 측면에 접착되는 것으로 도시하는 도면,
도 6f는 다이로부터 펠릿을 제거하고 순응형 컨테이너에 그 펠릿을 캡쳐하는 데 유용한 펠릿 플런저를 도시하는 도면,
도 7a 내지 도 7e는 원하는 다이와 그에 대응하는 상위 및 하위 펀치를 선택함으로써 도 6a 내지 도 6d의 프레스에서 형성될 수 있는 고체 펠릿의 예시적인 형상을 도시하되,
도 7a는 두 개의 공통 평면 주 표면을 갖는 원통형 펠릿을 도시는 도면,
도 7b는 하나의 평면 주 표면(13pB-1)과 맞은편에 하나의 오목형 주표면을 갖는 원형 펠릿을 도시하는 도면,
도 7c는 두 개의 오목형 주 표면을 갖는 원형 펠릿을 도시하는 도면,
도 7d는 두 개의 공통 평면 주 표면을 갖는 인장된진 펠릿을 도시하는 도면,
도 7e는 하나의 평면 주 표면과 그와 마주보는 하나의 오목형 주 표면을 갖는 인장된 펠릿을 도시하는 도면,
도 8은 본 발명의 일 측면에 따라, 도 4의 섹션 라인(8-8)으로 표시된 바와같이 도 4의 장치의 기판 상에 유기 정공-이송 층(HTL)을 형성하는 물리적 증착 스테이션의 개략적인 단면도와, 증착 소스에 배치된 유기 정공-이송 물질의 고체 펠릿을 도시하는 도면,
도 9는 3개의 유기 정공-이송 물질의 인장된 고체 펠릿이 배치된 공동을 갖는 관형의 증착 소스의 부분적 단면도,
도 10은 본 발명의 또 다른 측면에 따라, 승화가능 유기 물질의 분말과 열 전도성 및 비-승화가능 세라믹 물질의 분말의 혼합물로부터 고체 펠릿을 형성하는 단계를 나타내는 프로세스 흐름도,
도 11은 본 발명의 또 다른 측면에 따라, 첫째로 승화가능 OLED 호스트 물질의 분말을 승화가능 유기 도펀트 물질의 분말과 혼합하고, 둘째로 호스트 도펀트 혼합물을 열 전도성 및 비-승화가능 세라믹 물질의 분말과 혼합시킴으로써 고체 펠릿을 생성하는 단계를 나타내는 프로세스 흐름도.
도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명
13p : 고체 펠릿32 : 애노드
107 : 펌핑 포트108 : 압력 계기
200 : 크리스탈 매스 감지기230 : 제어기
240 : 소스 전원757 : 열 램프
757f : 필라멘트762 : 열 쉴드
본 명세서에서 사용되는 "분말"이라는 용어는 박편, 과립 또는 변형된 입자 형상의 혼합물일 수 있는 개별 입자의 양을 나타내는 데 사용된다.
OLED의 방사 층(emission layer; EML)은 EL로서 알려지고, 층에서의 전자-정공 재결합(electron-hole recombination)의 결과로서 빛을 생성하는 유기 또는 유기금속 물질을 포함한다. 이하에서는, "유기(organic)"라는 용어는 유기 및 유기금속 물질 모두를 포함하는 것으로 취급될 것이다. 도 1에 도시된 종래 기술의 가장 간단한 구성에 있어서, 방사 층(14)은 애노드(12)와 캐소드(15) 사이에 삽입된다. 방사 층(14)은 높은 발광 효율을 가진 단일 순(pure) 물질일 수 있다. 이러한 목적으로 잘 알려진 물질은 탁월한 녹색 전기장 발광을 발생시키는 트리스(tris)(8-퀴노린라토(quinolinolato)-N1, O8)알루미늄(Alq)이다. 방사 층(14)은 EL 효율 또는 방사된 빛의 색깔을 변경시키는 기능을 가진 통상적으로 도펀트(dopants)로 불리는 보다 적은 양의 다른 물질을 포함할 수 있다. 기판(11)은 OLED(10)에 대해 기계적 지지를 제공하고 OLED를 전원에 연결하는 전기적 리드를 제공한다. 기판(11)과 함께 층(12 내지 15)은 OLED(10)를 구성한다. EL 빛에 대해 캐소드(15), 또는 애노드(12)와 기판(11)은 투명(transparent)하여, 그 빛이 관측될 수 있다. "투명"이라는 용어는 EL 빛의 80 퍼센트 이상 전송할 수 있는 능력을 지칭한다. 이 기판의 변형(variant)에 있어서, 애노드가 아닌 캐소드가 기판 상에 배치된다. 그 변형 기판에 있어서, 애노드, 또는 캐소드와 지지대는 EL 빛에 투명하다. 캐소드 및 애노드가 전류원에 연결되는 경우(도시되어 있지 않음), 정공은 애노드로부터 주입되고 전자는 캐소드로부터 주입되며, 그들은 방사 층에서 재결합하여 EL 빛을 생성한다.
도 2에서 보다 자세히 도시된 OLED(20)에 있어서, 방사 층(EML)(25)은 정공-이송 층(24)과 전자-이송 층(26) 사이에 위치하게 된다. 이들 층 각각은 대부분 유기 물질로 구성된다. 이들 두 개의 이송 층은 애노드(22)로부터는 정공을 캐소드(27)로부터는 전자를 각각 방사 층(25)에 이송시킨다. 선택적인(optional) 정공-주입 층(23)은 애노드(22)로부터 정공을 전자-이송 층(24)에 주입시키는 것을 용이하게 해준다. 방사 층(25)은 전자-정공 재결합 및 결과적인 EL 빛의 방사에 대한 제 1 사이트(primary site)로서 기능을 한다. 이 측면에 있어서, 개별 유기 층의 기능은 구별되고 그러므로 독립적으로 최적화될 수 있다. 그러므로, 방사 층(25)은 원하는 EL 컬러 및 높은 휘도 효율을 대해 최적화될 수 있다. 방사 층(25)은 또한 EL 효율 또는 방사된 빛의 컬러를 변경하는 기능을 가진 보다 적은 양의 도펀트를 포함할 수 있다. 마찬가지로, 정공 및 전자 이송 층(24 및 26) 각각은 그들의 전하 이동 특성(properties)에 대해 최적화될 수 있다. 기판(21)은 OLED에 대한 기계적 지지를 제공하고 OLED(20)를 전류원에 연결하는 전기적 리드를 제공한다. 기판(21)과 함께 층(22 내지 27)은 OLED(20)를 구성한다. EL 빛에 대해 캐소드, 또는 애노드와 기판은 투명하다. 이 기판의 변형에 있어서, 애노드가 아닌 캐소드가 기판 상에 배치된다. 그 변형의 기판에 있어서, EL 빛에 대해 애노드, 또는 캐소드와 지지대는 투명하다. 이 기판의 또 다른 변형에 있어서, 방사 층 및 전자 이송 층은 결합되어 그들 모두의 기능을 수행하는 단일 층을 형성할 수 있다. 또한, 또 다른 기판에 있어서, 정공 이송 층은 애노드에서 따로 전하를 주입시키는 인터페이스 및 정공 이송 층의 나머지의 전하 이송 특성을 따로 최적화하도록 선택되는 상이한 조성(composition)의 적어도 두 개의 하위층(sublayers)을 포함할 수 있다.
전위차(도시되지 않음)가 애노드(22)와 캐소도(27) 사이에 인가되는 경우,캐소드(27)는 전자를 전자-이송 층(26)에 주입시키고, 그들은 그 층을 가로질러 방사 층(25)으로 이동한다. 동시에, 정공은 애노드(22)로부터 정공 이송 층(24)으로 주입되고, 그들은 그 층을 가로질러 방사 층(25)으로 이동한다. 정공 및 전자는 흔히 정공 이송 층(24)과 방사 층(25) 사이의 접합부 근처에서 방사 층(25)에서 재결합한다. 재결합 프로세스에 의해 방출되는 에너지의 일부는 투명한 애노드 또는 캐소드 및/또는 기판을 통해 방출되는 EL로서 방출된다.
도 3을 참조하면, 다양한 층이 드러나도록 부분적으로 필링된 후면 요소(partially peeled-back element)를 가진 수동 매트릭스 OLED(30)의 개략적인 사시도가 도시되어 있다. 광-투과 기판(31)은 측방향으로 이격된 복수의 제 1 애노드(32)를 자기 자신 위에 형성한다. 이하에서 보다 자세히 설명되듯이, 유기 정공-이송 층(HTL)(33), 유기 방사 층(EML)(34) 및 유기 전자-이송 층(ETL)(35)은 물리적 증착 프로세스에 의해 순차적으로 형성된다. 다수의 측방향으로 이격된 캐소드(36)는 유기 전자-이송 층(35) 위에 형성되고 실질적으로 제 1 애노드(32)와 직교한다. 캡슐 또는 커버(38)는 기판 중 환경에 민감한 부분을 봉합하여, 완성된 OLED(30)를 제공한다.
도 4를 참조하면, 버퍼 허브(102) 및 이송 허브(104)로부터 확장하는 복수의 스테이션 사이의 기판을 이송 또는 이동시키는 자동 또는 로봇 수단을 사용하여 비교적 다수의 유기 발광 장치를 생성하는 데 적합한 시스템(100)의 개략적인 사시도가 도시되어 있다. 펌핑 포트(107)를 통해 진공 펌프(106)는 허브(102 및 104) 및 이들 허브로부터 확장하는 각 스테이션 내의 압력을 감소시킨다. 압력 계기(108)는 시스템(100)의 감소된 압력을 나타낸다. 압력은 약 10-3내지 10-6토르의 범위일 수 있다.
스테이션은 기판의 부하(a load of substrates)를 제공하는 부하 스테이션(110), 유기 정공-이송 층(HLT)을 형성하는 증착 스테이션(130), 유기 발광 층(LEL)을 형성하는 증착 스테이션(140), 유기 전자-이송 층(ETL)을 형성하는 증착 스테이션(150), 복수의 제 2 전극(캐소드)을 형성하는 증착 스테이션(160), 기판을 버퍼 허브(102)에서 저장 스테이션(170)을 제공하는 전달 허브(104)로 이동시키는 부하제거 스테이션(103), 접속 포트(105)를 통해 허브(104)에 연결되는 캡슐화 스테이션(180)을 포함한다. 이들 각 스테이션은 허브(102 및 104)로 각각 확장하는 개방 포트를 갖고, 각 스테이션은 진공-봉합 액세스 포트(도시되지 않음)를 구비하여 세척, 재료 보급 및 부품 교체 또는 수리를 위해 스테이션에 액세스한다. 각 스테이션은 챔버를 정의하는 하우징을 포함한다.
도 5는 도 4의 섹션 라인(5-5)을 따라 취해진 부하 스테이션(110)의 개략적인 단면도이다. 부하 스테이션(110)은 챔버(110C)를 정의하는 하우징(110H)을 갖는다. 사전 형성된 제 1 전극(32)(도 3을 참조)을 갖는 복수의 기판(31)을 운반하도록 설계된 캐리어(111)가 챔버(110C) 내에 배치되어 있다. 또 다른 캐리어(111)는 복수의 능동 매트릭스 기판을 지지하기 위해 제공될 수 있다. 캐리어(111)는 부하제거 스테이션(103) 및 저장 스테이션(170)에도 제공될 수 있다.
도 6a 내지 도 6f를 참조하면, 단축 프레스(uniaxial press)(500)에 위치한다이 공동(die cavity)(526)에서 분말형의 유기 정공-이송 물질 또는 방사 물질(13)을 응집시킴으로써 유기 정공-이송 물질(NPB) 및 방사 물질(Alq)에 대한 유기 호스트의 고체 펠릿(13p)을 형성하는 순차적인 처리 단계가 개략적으로 도시되어 있다. 단축 프레스(500)는 포스트(516)에 장착된 이동가능 플랫폼(514) 및 고정된 플랫폼(512)을 포함한다. 이동가능 플랫폼(514)은 수력 수단 또는 수력과 공기의 결합 또는 기계적 수단(도시되어 있지 않음)에 의해 구동되고, 다이(520) 및 하위 펀치(522)를 지탱한다.
도 6a에 있어서, 유기 정공-이송 물질 또는 유기 방사 물질(13a)의 분말, 박편, 미립자 또는 과립은 다이 공동(526)에서 하위 펀치(522) 위에서부터 레벨(13b)까지 충진된다. 가열 코일(530)은 약 20°C의 주변 온도에서 약 300°C의 주변 온도까지 가열할 수 있고, 적어도 하나의 냉각 코일(540)은 가열된 다이를 예를 들어, 300°C의 온도에서 50°C의 온도 또는 주변 온도까지 비교적 급속하게 냉각시킬 수 있다. 다이(520)는 유도적으로도 가열될 수 있다.
도 6b에 있어서, 상위 펀치(524)는 유기 분말(13a)의 상위 표면(충만 레벨(13b))과 접촉하도록 다이 공동(526)에 배치된다.
다이(520)의 내부 표면(521)은 연마된 표면이고, 적어도 하위 펀치(522)의 표면(523) 및 상위 펀치(524)의 표면(525)은 연마된 표면이다. 함께 취급할 경우, 다이와 하위 및 상위 펀치는 또한 본 명세서에서는 하나의 다이로서 지칭된다.
도 6c에 있어서, 이동가능 플랫폼(514)은 고정된 플랫폼(512)쪽으로 향하여 위로 구동하는 것으로 도시되어 있고, 압력은 상위 펀치(524) 및 하위 펀치(522)각각에 의해 가해진다. 일 방향으로만 압력을 인가하는 단축 프레스(500)는 상위 펀치(524) 및 하위 펀치(522)에 대해 작용하고 그 결과 상위 펀치(524) 및 하위 펀치(522)가 함께 압력을 인가하여 다이(526)에서 유기 분말 물질(13a)이 고체 펠릿(13p)으로 응집되도록 한다. 단축 프레스(500)에 의해 인가된 압축 압력은 2,000과 15,000psi 사이에서 변하고, 보다 바람직하게 4,000과 10,000psi 사이에서 변하여 고 밀도 고체 펠릿을 얻을 수 있다. 응집 후 요구되는 정확한 치수를 달성하기 위해 정확한 부피의 OLED 분말을 포함하도록 사전 결정된 공동을 형성하도록 다이 내부에 펀치가 사전 배치된다.
도 6d에 있어서, 이동가능 플랫폼(514)은 하강하였고 상위 펀치는 다이(520)로부터 제거된다. 다이(520)는 반대편 펀치(524, 522)에 의해 압력이 가해지는 동안 또는 가해지기 전에 가열될 수 있다. 가열된 입자들의 혼합물이 분말들의 혼합물로 하여금 고체 펠릿으로 응집되도록 보조하는 한 이것은 사실이다. 고체 펠릿(13p)을 형성하기 전 또는 형성하는 동안 다이(520)가 가열되는 경우, 적어도 하나의 냉각 코일(540)을 통해 온도가 20°C 내지 80°C 사이의 범위로 냉각되면 상위 펀치(524)는 다이로부터 제거된다.
도 6e에 있어서, 다이(520)는 단축 프레스(500)로부터 제거되고, 하위 펀치(522)는 다이(520)로부터 제거되는 것으로 도시되어 있다. 단지 예시를 목적으로, 유기 고체 펠릿(13p)은 다이(520)의 내부 표면(521)에 접착되어 있는 것으로 도시하였다.
도 6f에 있어서, 펠릿 플런저(550)는 다이(520)로부터 고체 펠릿(13p)을 제거하는 용도로 사용된다. 고체 펠릿(13p)은 순응형 컨테이너(560)에 포함되어 고체 펠릿(13p)의 손상을 최소화시킨다.
단축 프레스(500)에 압력을 인가하기 전 또는 인가하는 동안 다이(520)를 가열하면 축소된 압력 인가 간격 동안 또는 대안으로 하위 압력에서 고체 펠릿(13p)의 밀도를 증가시킬 수 있다. 다이 온도의 바람직한 범위는 50°C 내지 300°C까지이다. 다이 온도는 일반적으로 고체 펠릿(13p)을 형성하게될 유기 물질의 유리 변이 온도, Tg 이하에서 유지된다. 다이(520)는 고체 펠릿(13p)을 다이(520)로부터 제거하기 전 또한 바람직하게 다이(520)로부터 상위 펀치를 제거하기 전에 80°C 내지 20°C 범위의 바람직한 온도까지 냉각된다.
"분말"이라는 용어는 물질의 미세한 알갱이, 유기 정공-이송 물질(13a)의 박편, 미립자 또는 과립을 포함하고 하나 이상의 정공-이송 호스트 물질 및 하나 이상의 유기 도펀트 물질을 포함하는 혼합물을 포함할 수 있다. 그러한 혼합물로부터의 고체 펠릿(13p)은 기판 상에 도핑된 유기 정공-이송 층(13)을 생성하기 위해 물리적 증착 소스에 놓여질 수 있다. 그러한 도핑된 층 또는 하위-층은 OLED 발광의 강화된 동작 안정성을 제공하는 것으로 도시되고, 이러한 내용은 2001년 6월 6일에 출원되고, 역시 본 출원인에게 양도된 제목이 "Organic Light-Emitting Device Having a Color-Neutral Dopant in a Hole-Transport Layer and/or in an Electron-Transport Layer"인 미국 특허 출원 제 09/875,646 호에 개시되어 있고, 그것의 개시 사항은 본 명세서에서 참조로써 합체된다.
기판 상에 증착된 도핑된 유기 발광 층을 제공하는데 효과적인 도펀트는 역시 본 출원인에게 양도된 미국 특허 제 4,769,292 호 및 제 5,294,870 호에 개시되어 있다.
사전도핑된 유기 발광 물질 및 그로부터 증착에 의해 형성된 도핑된 유기 발광 장치는 역시 본 출원인에게 양도되고, 2000년 5월 19일에 출원된 제목이 "Predoped Materials for Making an Organic Light-Emitting Device"인 미국 특허 출원 제 09/574,949 호에 개시되어 있고, 그것의 개시 사항은 본 명세서에 참조로써 합체된다.
제거가능한 슈라우드(도시되지 않음)는 하위 펀치(522), 다이(520) 및 상위 펀치(524)의 적어도 일부분을 감싸는 데 사용될 수 있다. 슈라우드 및 그것에 의해 봉해지는 요소는 감소된 압력으로 배기될 수 있다. 대안으로, 불활성 가스가 슈라우드에 도입되어 슈라우드 내에 불활성 즉, 화학적으로 반응이 없는 대기를 제공하고 그 결과 불활성 가스로부터 형성된 유기 분말(예로, 13a) 및 고체 펠릿(예로, 13p)은 다이(520)가 300°C까지 가열되는 경우에도 분해로부터 보호를 받는다. 이것은 또한 수분에 매우 민감한 유기 분말에 유익한데 그 이유는 응집 프로세스 동안 그것을 펠릿(13p) 내에 가둬둘 수 있기 때문이다.
펀치 표면(523 및 525)은 평면 표면일 수 있다. 대안으로, 하위 펀치(522)의 표면(523) 또는 상위 펀치(524)의 표면(525)은 오목한 표면일 수 있고, 또는 표면(523 및 525) 모두가 오목한 형상을 가질 수 있어서, 고체 펠릿은 각각 공통-평면 주 표면(co-planar major surfaces), 하나의 평면 주 표면과 하나의 오목형 주 표면, 또는 두 개의 오목형 주 표면을 가질 것이다.
도 7a 내지 도 7e는 다이(520) 및 그에 대응하는 상위 펀치(524) 및 하위 펀치(522)를 선택함으로써 도 6a 내지 도 6d의 단축 프레스(500)에서 쉽게 형성될 수 있는 유기 물질의 고체 펠릿의 형상의 예를 도시하고 있다.
도 7a는 공통 평면 주 표면(13pA-1 및 13pA-2)을 갖는 유기 정공-이송 물질의 원통형 펠릿(13pA)을 도시한다.
도 7b는 하나의 평면 주 표면(13pB-1)과 맞은편에 하나의 오목형 주 표면(13pB-2)을 갖는 원형 펠릿(13pB)을 도시한다.
도 7c는 두 개의 오목형 주 표면(13pC-1 및 13pC-2)을 갖는 원형 펠릿(13pC)을 도시한다.
도 7d는 두 개의 공통 평면 주 표면(13pD-1 및 13pD-2)을 갖는 인장된 펠릿(13pE)을 도시한다.
도 7e는 하나의 평면 주 표면(13pE-1)과 그와 마주보는 하나의 오목형 주 표면(13pE-2)을 갖는 인장된 펠릿(13pE)을 도시한다.
펠릿의 특정 형상은 펠릿이 놓여질 특정 증착 소스와 호환성이 있도록 선택된다. 예를 들어, 펠릿 혹은 펠릿들(13pA)(도 7a 참조)은 평면 하부 표면를 갖는 원통형 증착 소스에서 유리하게 사용될 수 있다. 펠릿 혹은 펠릿들(13pE)(도 7e 참조)은 인장된 원통형 관 모양의 증착 소스에서 유리하게 사용될 수 있고, 이때 주 표면(13pE-2)의 곡율(curvature)은 원통형 관 모양의 소스의 공동의 반경과 거의 일치한다.
도 8을 참조하면, 유기 HTL, ETL 또는 EML 물리적 증착 스테이션(130)을 도4의 섹션 라인(8-8)을 따라 잘라낸 개략적인 단면도가 도시되어 있다. 하우징(130H)은 챔버(130C)를 정의한다. 기판(31)(도 1 참조)은 마스크 프레임으로 구성될 수 있는 홀더(131)에 고정된다. 증착 소스(134)는 열 절연 지지대(132) 상에 위치하고, 이 소스(134)는 예를 들어 도 5a의 펠릿(13pA)과 같은 유기 정공-이송 물질의 펠릿(13p)으로 충진된다. 소스(134)는 리드(245 및 2476)를 통해 소스 전원(240)의 대응 출력 단자(244 및 246)에 연결된 가열 소자(135)에 의해 가열된다.
소스 온도가 충분히 상승할 경우, 펠릿의 일부는 승화 또는 증발될 것이고 따라서 점선 및 화살표에 의해 개략적으로 표시되는 유기 정공-이송 물질의 증기의 증착 구역(13v)을 제공한다. 이하 유사하게, ETL 및 EML과 같은 다른 유기 층은 물리적 증착에 의해 순차적으로 형성되어 OLED(30)를 형성할 수 있다.
기판(31) 및 종래의 크리스탈 매스-감지기(crystal mass-sensor)(200)는 증착 구역 내에 배치되고, 이들 각 소자들은 윤곽이 점선으로 도시된 지정(13f)에 의해 표시된 바와 같이 자기 자신 위에 형성된 유기 정공-이송 층(HTL)을 갖는다.
당업계에 잘 알려진 바와 같이, 크리스탈 매스-감지기(200)는 리드(210)를 통해 증착률 모니터(deposition rate monitor)(220)의 입력 단자(216)에 연결된다. 감지기(200)는 모니터(220)에서 제공된 발진기 회로의 일부이고 이 회로는 형성되고 있는 층(13f)에 의해 제공되는 매스-로딩과 같이 크리스탈의 매스-로딩에 역비례하는 주파수에서 발진한다. 이 신호는 증착율 모니터(220)에 의해 표시되고, 그것의 출력 단자(222)에 제공된다. 리드(224)는 이 신호를 출력 단자(232)에 출력신호를 제공하는 제어기 또는 증폭기(230)의 입력 단자(226)에 연결한다. 후자의 출력 신호는 리드(234) 및 입력 단자(236)를 통해 소스 전원(240)의 입력이 된다.
그러므로, 증착 구역(13v) 내의 증기 스트림이 시간적으로 안정적일 경우, 매스 구축 또는 층(13f)의 성장은 일정한 속도로 진행될 것이다. 증착률 모니터(220)는 출력 단자(222)에 일정한 신호를 제공할 것이고, 소스 전원(240)은 리드(245 및 247)를 통해 소스(134)의 가열 소자(135)에 일정한 전류를 제공하여, 증착 구역 내에 시간적으로 안정적인 증기 스트림을 유지한다. 안정적인 증착 조건 하에서, 즉 일정한 증착율의 조건 하에서, 유기 정공-이송 층(33) 또는 유기 방사 층(34) 또는 유기 전자 이송 층(35)(도 3 참조)의 원하는 최종 두께는 고정된 증착 주기 동안 기판 및 크리스탈 매스-감지기(200) 상에서 달성되고, 이 시점에서 증착은 소스(134)의 가열을 종료시킴으로써, 또는 소스 상에 셔터(도시되지 않음)를 배치함으로써 종료된다.
비교적 간단한 도가니형 소스(134)가 도 8에 예시를 목적으로 도시되어 있으나, 다수의 다른 소스 구성이 증착 구역 내에 유기 물질의 증발 또는 승화 증기를 제공하는데 효과적으로 사용될 수 있다는 것을 이해할 것이다. 유용한 소스는 확장되거나 역시 본 출원인에게 양도되고, 2000년 3월 3일에 출원된 미국 특허 출원 번호 제 09/518,600 호에 개시된 선형 물리적 증착 소스이고, 그것의 개시 사항은 본 명세서에서 참조로써 합체된다.
특히 유용한 물리적 증착 소스는 역시 본 출원인에게 양도되고, 2001년 4월 26일에 출원된 미국 특허 출원 번호 제 09/843,489 호에 개시된 인장된 관형 소스이고, 그것의 개시 사항은 본 명세서에서 참조로써 합체된다.
도면을 명료하게 하기 위해 단일 크리스탈 매스-감지기(200)가 도 8에 도시되어 있다.
OLED를 생성함에 있어 물리적 증착에 의한 유기 층의 형성을 모니터하고 제어하는 것은 역시 본 출원인에게 양도되고 2001년 4월 20일에 출원된 미국 특허 출원 번호 제 09/839,886 호에 개시된 바와 같이 하나 이상의 이동가능 크리스탈 매스-감지기에 의해 달성될 수 있다는 것이 이해될 것이고, 그것의 개시 사항은 본 명세서에서 참조로써 합체된다.
OLED를 생성함에 있어 유기 층의 두께를 제어하는 다른 장치는 역시 본 출원인에게 양도되고 2001년 4월 20일에 출원된 미국 특허 출원 번호 제 09/839,885 호에 개시되어 있고, 그것의 개시 사항은 본 명세서에서 참조로써 합체된다.
도 9를 참조하면, 원통형 관 모양의 물리적 증착 소스 어셈블리(700)의 개략적인 종축 단면도가 도시되어 있다. 이 어셈블리는 중앙 라인(CL)을 갖는 관형 소스(710)를 포함한다. 열-반사 표면(742)을 갖는 열 쉴드(740)도 지탱하는 열 및 전기적 차단 종단 캡(732 및 734)에 의해 관형 소스(710)가 지탱된다.
열 쉴드 지지대 및 종단 캡(732 및 734)과 함께, 관형 소스(710)는 유기 정공-이송 물질의 3개의 인장된 고체 펠릿(13p)이 제거가능 공동 시일(758)을 통해 배치되는 공동(712)을 정의한다.
관형 소스(710)는 공동(712)으로 확장하는 복수의 개구(714)를 포함한다. 개구(714)는 관형 소스의 높이 치수(H)보다 적어도 3배 이상 더 큰 길이 치수(L)의라인을 따라 배열된다(원통형이고 관형인 소스에 대해 H는 공동(712)의 직경에 대응한다). 개구(714)는 직경(D) 및 중심-대-중심 간격(l)을 갖는다.
글라이드 브래킷(760)은 열 쉴드(740)에 부착되고 비둘기 꼬리 모양의 텅(dovetail-shaped tongue)(760T) 및 쓰레드 구멍(threaded bore)(762)을 갖는다. 쓰레드 구멍(762)은 리드스크루(도시되지 않음)에 의해 처리되어 어셈블리(700)는 챔버에 배치된 기판에 관련하여 챔버에서 전환, 이동 또는 스캐닝될 수 있으며, 이러한 내용은 위에서 인용된 역시 본 출원인에게 양도되고 2001년 4월 26일 출원된 미국 특허 출원 번호 제 09/843,489 호에 보다 자세히 설명되어 있고, 본 명세서에서 참조로써 합체된다.
10-3토르 미만의 감소된 압력으로 유지되는 챔버(예를 들어, 도 2의 HTL 증착 스테이션(130)의 챔버(130C))에 배치되는 경우, 펠릿(13p)의 유기 정공-이송 물질의 승화 또는 기화는 전력을 램프 리드(757a 및 757b)를 통해 필리멘트(757F)에 인가함으로써 이루어진다. 열 램프(757)는 공동(712) 내부에 배치되고 관형 소스(710)의 개구(714)쪽으로 향하는 방향에서 중심 라인(CL)으로부터의 위쪽 위치에서 열 쉴드 지지대 및 종단 캡(732, 734)에 의해 지탱된다. 그러므로 공동(712)에 형성된 증기 구름은 개구(714)를 통해 공동을 빠져나간다.
인장된 펠릿(13p)은 도 7e의 펠릿(13pE)과 유사한 형태일 수 있고, 그 결과 오목형 주 표면은 원통형이고 관형인 소스(710)의 내부 표면과 접촉하고, 펠릿의 평면 주 표면은 열 램프(757) 쪽으로 대면한다.
증착 소스에 대해 두 가지 예가 도면(도 8 및 도 9)에 도시되었지만, 고체 펠릿을 제공하고, 그러한 펠릿을 OLED를 제조하는데 사용함으로써 유기 물질을 다루는 본 발명의 방법은 변형된 열 물리적 증착 소스 및 시스템에 적용가능하다는 것이 이해될 것이다.
도 6a 내지 도 6f, 도 7a 내지 도 7e, 도 8 및 도 9에 있어서, 고체 펠릿을 만들고 사용하는 방법은 유기 정공-이송 물질 및 그로부터 생성되는 펠릿(13p)과 관련하여 설명되었다. 본 발명의 방법은 도핑된 또는 도핑되지 않은 유기 발광 물질 및 도핑된 또는 도핑되지 않은 유기 전자-이송 물질의 고체 펠릿을 생성 및 사용하여 예를 들어 도 3에 도시되고 도 4의 OLED 장치(100)의 각 증착 스테이션(140)에서 생성되는 층(34)(EML) 및 층(35)(ETL)과 같은 도핑된 또는 도핑되지 않은 유기 발광 층과 도핑된 또는 도핑되지 않은 유기 전자 이송 층 각각을 생성하는 대응 고체 펠릿을 기판 상에 제공한다.
도 10은 승화가능 OLED 물질의 분말과 비-승화가능 및 열 전도성 세라믹 물질의 혼합물로부터 고체 펠릿을 생성하는 단계를 나타내는 처리 흐름도이다.
프로세스는 단계(800)에서 시작한다. 단계(810)에서, 승화가능 OLED 물질은 분말형으로 제공된다. 승화가능 유기 물질은 유기 도핑된 또는 도핑되지 않은 정공-이송 물질, 유기 방사(발광) 물질 및 도핑된 또는 도핑되지 않은 유지 전자-이송 물질을 포함한다.
단계(812)에서, OLED 물질 분말의 (형성될 혼합물의) 무게 비율이 선택된다. OLED 물질 분말의 바람직한 무게 비율은 50 내지 99 퍼센트의 범위이다.
단계(820)에서, 열 전도성 및 비-승화가능 세라믹 물질은 분말형으로 제공된다. 바람직한 열 전도성 및 비-승화가능 세라믹 물질은 분말형의 알루미늄 질화물, 티탄 탄화물 또는 텅스텐 탄화물 또는 기타 다른 열 전도성 탄화물 또는 질화물 또는 그들의 혼합물을 포함한다.
단계(822)에서, 열 전도성 및 비-승화가능 세라믹 물질 분말의 (형성될 혼합물의) 무게 비율은 바람직하게 1.0-50 퍼센트의 범위에서 선택된다.
단계(830)에서, 승화가능 OLED 물질 분말과 열 전도성 및 비-승화가능 세라믹 물질의 분말의 선택된 무게 비율은 혼합되어 비교적 일정하고 균일한 혼합물을 제공한다.
단계(840)에서, 혼합물(또는 혼합물의 일부분)은 다이에 놓여지게 되고, 충분한 압력이 하위 및 상위 펀치에 인가되어 그 혼합물이 고체 펠릿으로 응집되도록 한다. 다이는 혼합물에 펀치로 충분한 압력을 가하기 전 또는 가하는 동안, 유기 물질의 Tg를 초과하지 않고서 50°C 내지 300°C의 범위에서 선택되는 온도까지 가열될 수 있다.
단계(850)에서, 고체 펠릿은 다이로부터 제거된다. 다이가 가열된 경우, 다이는 다이로부터 고체 펠릿을 제거하기 전에 50°C 내지 20°C의 범위의 온도까지 냉각된다. 단계(860)에서 표시한 바와 같이, 이제 프로세스는 종료된다.
펠릿 또는 펠릿들은 챔버내에 배치된 물리적 증착 소스에 놓여져서 OLED의 부분을 형성하게될 기판 상에 유기 층을 생성할 수 있다.
도 11은 첫째로 승화가능 OLED 호스트 유기 물질(Alq 및 NPB)의 분말을 승화가능 유기 도펀트 물질과 혼합시키고, 둘째로 호스트-도펀트 혼합물을 열 전도성 및 비-승화가능 세라믹 물질의 분말과 혼합시킴으로써 펠릿을 응집시키는 단계를 나타내는 프로세스 흐름도이다.
프로세스는 단계(900)에서 시작한다. 단계(902)에서, 승화가능 OLED호스트 유기 물질은 분말형으로 제공된다. 승화가능 OLED 호스트 유기 물질은 유기 정공-이송 호스트 물질, 유기 방사 호스트 물질 및 유기 전자-이송 호스트 물질을 포함한다.
단계(904)에서, 승화가능 유기 도펀트 물질의 분말의 선택된 무게 비율이 제공된다. 선택된 무게 비율은 도핑되는 OLED 호스트 물질, 도펀트 클래스 또는 선택될 도펀트 클래스 및 호스트 물질에서 달성될 도펀트 농도에 따라 결정되고 그 결과 기판 상에 생성될 층은 호스트 물질에서의 사전결정된 도펀트 농도를 가질 것이다.
단계(906)에서, 유기 도펀트 무질의 선택된 무게 비율은 유기 호스트 물질과 혼합되어 비교적 균질한 유기 물질의 혼합물을 제공한다.
시작 커맨드(900)의 지연(905)에 있어서, 단계(920)에서 지연된 시작 커맨드(915)는 열 도전성 및 비-승화가능 세라믹 물질을 분말 형태로 제공하기 시작한다. 바람직한 열 도전성 및 비-승화가능 세라믹 물질은 분말 형태의 알루미늄 질화물, 타타늄 탄화물 또는 텅스텐 탄화물 또는 다른 열 도전성 탄화물 또는 질화물 또는 그들의 혼합물을 포함한다.
단계(912)에서, 제 1 호스트 도펀트 혼합물의 (형성될 제 2 혼합물의) 무게비율이 선택된다. 이 유기 혼합물의 바람직한 무게 비율은 50 내지 99 퍼센트 범위에서 선택된다.
단계(922)에서, 열 도전성 및 비-승화가능 세라믹 분말의 (형성될 제 2 혼합물의) 무게 비율은 바람직하게 1 내지 50 퍼센트 범위에서 선택된다.
단계(930)에서, 제 1 유기 호스트 도펀트 분말 혼합물과 열 도전성 및 비-승화가능 세라믹 물질 분말의 선택된 무게 비율이 혼합되어 제 1 혼합물의 선택된 부분과 열 도전성 및 비-승화가능 세라믹 물질 분말을 포함하는 비교적 균일한 제 2 혼합물을 제공한다.
단계(940)에서, 제 2 혼합물(또는 제 2 혼합물의 일부분)은 다이에 배치되고, 펀치에 의해 충분한 압력이 제 2 혼합물에 인가되어 제 2 혼합물이 고체 펠릿으로 응집되도록 한다. 다이는 펀치에 의해 제 2 혼합물에 충분한 압력이 가해지기 전에 또는 가해지는 동안 20°C 내지 300°C 범위에서 선택된 온도까지 가열될 수 있다.
단계(950)에서, 고체 펠릿은 다이로부터 제거된다. 다이가 가열된 경우, 다이는 고체 펠릿이 다이로부터 제거되기 전에 80°C 내지 20°C 범위의 온도까지 냉각된다. 단계(960)에서 표시된 바와 같이 프로세스는 이제 종료된다.
펠릿 또는 펠릿들은 챔버에 배치된 물리적 증착 소스에 배치되어 유기 발광 장치(OLED)의 부분을 형성하게될 기판 상의 도핑된 유기 층을 생성할 수 있다.
도핑된 유기 정공-이송 층 또는 하부-층 및 도핑된 전자-이송 층 또는 하위-층은 OLED의 발광의 강화된 동작 안정성을 제공할 수 있고, 도핑된 유기 방사 층은OLED의 발광의 강화된 동작 안정성 및 가시 스펙트럼 영역 내의 발광의 강화된 발광 효율을 제공할 수 있다. 도핑된 층 또는 하위층은 감소된 구동 전압 레벨에서 동작될 수 있는 OLED를 또한 제공한다.
실시예
예 1:
유기 방사 물질 Alq 분말은 볼 밀(ball mill)에서 열 전도성 AlN 세라믹 분말과 5 및 10%의 무게 비율로 골고루 혼합되었다. 그런 다음 분말 혼합물은 압력이 3,000psi 내지 15,000psi의 범위이고 온도가 60°C 내지 300°C 의 다이 내에서 수압에 의해 고체화된다. 양호한 물리적 무결성과 이론상 밀도의 90% 보다 높은 밀도를 가진 고체 펠릿은 OLED 장치의 방사 층을 증착하는 증발 소스로서 사용되었다. 약 3,000psi 내지 12,000psi의 압력에서 고체화된 펠릿, 바람직하게 약 5,000 내지 10,000psi이고 50°C 내지 120°C의 온도 범위에서 고체화된 펠릿은 분말 Alq 물질로부터 생성된 제어 샘플과 유사한 최상의 장치 성능을 제공한다.
예 2:
유기 정공-이송 호스트 물질 NPB 분말은 볼 밀에서 열 전도성 AlN 세라믹 분말과 5 및 10%의 무게 비율로 골고루 혼합되었다. 분말 혼합물은 압력이 2000psi 내지 15,000psi의 범위고 온도가 60 내지 200°C인 다이에서 수압에 의해 고체화되었다. 양호한 물리적 무결성과 이론상 밀도의 90% 보다 높은 밀도를 가진 고체 펠릿은 OLED 장치의 정공-이송 층을 증착하는 증발 소스로서 사용되었다. 약2,000psi 내지 10,000psi의 압력에서 고체화된 펠릿, 바람직하게 약 3,000 내지 8,000psi이고 50°C 내지 120°C의 온도 범위에서 고체화된 펠릿은 분말 NPB 물질로부터 생성된 제어 샘플과 유사한 최상의 장치 성능을 제공한다.
비교예
유기 Alq 및 NPB 분말은 구리 및 알루미늄의 열 도전성 금속 분말과 함께 5 내지 25%의 무게 비율로 혼합되었다. 유기 방사 물질 Alq 및 유기 정공-이송 물질 NPB 분말 각각은 볼 밀에서 열 도전성 Al 및 Cu 금속 분말과 5 및 25 %의 무게 비율로 골고루 혼합되었다. 그런 다음 분말 혼합물은 압력이 2,000psi 내지 15,000psi의 범위이고 온도가 60 내지 200°C에서 다이내에서 수압에 의해 고체화되었다. 양호한 물리적 무결성과 이론상 밀도의 90% 보다 높은 밀도를 가진 고체 펠릿은 OLED 장치의 방사 층 및 정공-이송 층을 증착하는 증발 소스로서 사용되었다. 이 장치들은 제각기의 분말 소스로부터 생성된 제어 장치를 기준으로 할 때 열악한 전자-광학 성능을 보여주었다. Cu 및 Al 금속 종들은 OLED 장치를 오염시켰다.
분말 형태인 하나 이상의 유기 호스트 물질과 분말 형태인 하나 이상의 유기 도펀트 물질은 혼합되어 유기 물질들의 제 1 혼합물을 제공하며 이제 이 혼합물은 열 전도성 및 비-승화가능 세라믹 물질 분말과 혼합되어 고체 펠릿이 형성되는 제 2 혼합물을 제공할 수 있다.
본 발명에 따르면, OLED 장치를 제조함에 있어 유기 분말, 박편 또는 과립들은 앞에서 언급한 바와 같이 물리적 증착 소스인 그러한 유기 물질의 불균일 가열하여 유기 물질의 공간적 불균일 승화 또는 기화를 야기할 수 있고 따라서, 기판 상에서 형성되는 잠재적으로 균일하지 않은 증기-증착 유기 층을 야기할 수 있는데, 이를 해결하기 위한 방법으로 유기 분말을 고체 펠릿으로 응집시키는 방법과, OLED의 부분을 형성하게 될 기판 상의 유기 물질의 고체 펠릿으로부터 유기 층을 생성하는 방법과, 승화가능 유기 물질 분말과 열 전도성 비-승화가능 세라믹 분말의 혼합물을 고체 펠릿으로 응집시키는 방법을 제공함으로써 위에서 언급한 단점을 해결할 수 있다.

Claims (7)

  1. 유기 발광 장치의 부분을 형성하게 될 기판 상에 유기 물질로부터 유기 층을 생성하는 방법에 있어서,
    (a) 분말 형태의 승화가능 유기 물질(sublimable organic material)을 제공하는 단계와,
    (b) 분말 형태의 열 전도성 및 비-승화가능 세라믹 물질(a thermally conductive and non-sublimable ceramic material)을 제공하는 단계와,
    (c) 승화가능 유기 물질 분말과 열 전도성 비-승화가능 세라믹 물질 분말의 혼합물을 형성하는 단계와,
    (d) 그러한 혼합물을 다이에 배치시키고 서로 마주보는 두 개의 펀치를 사용하여 상기 혼합물에 충분한 압력을 가하는 단계와,
    (e) 상기 분말의 혼합물이 고체 펠릿으로 응집(consolidate)되는 것을 돕도록 서로 마주보는 펀치로에 압력을 가하는 동안 또는 압력을 가하기 앞서 다이에 열을 가하는 단계와,
    (f) 상기 다이로부터 상기 펠릿을 제거하는 단계를 포함하는
    유기 층 생성 방법.
  2. OLED 장치에 유기 물질 층을 생성하는 제 1 항에서 형성된 상기 펠릿을 사용하는 방법에 있어서,
    (a) 상기 고체 펠릿을 챔버에 배치된 물리적 증착 소스에 배치시키는 단계와,
    (b) 상기 기판을 상기 소스와 일정한 간격을 두며 상기 챔버 내에 위치시키는 단계와,
    (c) 감소된 압력으로 상기 챔버를 배기(evacuating)시키는 단계와,
    (d) 상기 소스에 열을 가하여 상기 펠릿의 상기 유기 물질의 적어도 일부분이 승화하는 한편 상기 열 전도성 세라믹 물질은 승화되지 않은 상태로 남게 되어 상기 기판 상에 상기 유기 층을 형성하는 상기 유기 물질의 증발(a vapor of the organic material)을 제공하는 단계를 포함하는
    펠릿 사용 방법.
  3. 제 1 항에 있어서,
    단계(a)는 유기 정공-이송 물질, 유기 방사 물질 또는 유기 전자-이송 물질을 제공하는 단계를 더 포함하는
    유기 층 생성 방법.
  4. 제 3 항에 있어서,
    단계(a)는 적어도 하나의 유기 정공-이송 호스트 물질(organic hole-transporting host material) 및 그에 대한 적어도 하나의 유기 도펀트 물질, 적어도 하나의 유기 방사 호스트 물질(organic emission host material) 및 그에 대한 적어도 하나의 유기 도펀트 물질, 또는 적어도 하나의 전자-이송 호스트 물질 및 그에 대한 적어도 하나의 유기 도펀트 물질을 제공하는 단계를 더 포함하는
    유기 층 생성 방법.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 열 전도성 세라믹 물질은 알루미늄 질화물, 텅스텐 탄화물 및 티타늄 산화물 또는 그들의 혼합물로 구성된 그룹으로부터 선택되는
    유기 층 생성 방법.
  6. 제 5 항에 있어서,
    단계(c)는 무게 50 내지 99 퍼센트의 범위에서 상기 승화가능 유기 물질 분말의 일부분을 선택하는 단계와 무게 1 내지 50 퍼센트의 범위에서 상기 열 전도성 및 비-승화가능 세라믹 물질 분말의 일부분을 선택하는 단계를 포함하는
    유기 층 생성 방법.
  7. 제 2 항에 있어서,
    단계(a)는 둘 이상의 펠릿을 상기 물리적 증착 소스에 배치하는 단계를 포함하는
    펠릿 사용 방법.
KR10-2003-0008236A 2002-02-11 2003-02-10 유기 물질로부터 유기 층을 생성하는 방법 및 펠릿을사용하는 방법 KR20030068051A (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/073,690 US6649436B2 (en) 2002-02-11 2002-02-11 Using organic materials in making an organic light-emitting device
US10/073,690 2002-02-11

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20030068051A true KR20030068051A (ko) 2003-08-19

Family

ID=27622762

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2003-0008236A KR20030068051A (ko) 2002-02-11 2003-02-10 유기 물질로부터 유기 층을 생성하는 방법 및 펠릿을사용하는 방법

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6649436B2 (ko)
EP (1) EP1337132B1 (ko)
JP (1) JP4275962B2 (ko)
KR (1) KR20030068051A (ko)
CN (1) CN100380707C (ko)
DE (1) DE60300429T2 (ko)
TW (1) TW200305350A (ko)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100581918B1 (ko) * 2004-06-03 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR100623073B1 (ko) * 2005-09-15 2006-09-13 김일중 무광택표면과 광택표면을 함께 갖는 광고용 패드 및 그제조방법
KR100949819B1 (ko) * 2008-03-11 2010-03-30 박진연 타블릿 성형 다이 어셈블리
KR101456669B1 (ko) * 2013-04-11 2014-11-04 주식회사 선익시스템 증발물질 공급장치
KR102487491B1 (ko) * 2022-06-13 2023-01-12 솔루스첨단소재 주식회사 유기 전계 발광 소자용 펠릿 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자

Families Citing this family (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU2002309314B2 (en) * 2001-06-14 2006-04-27 Kun-Hee Suh Method of forming building materials mostly consisting of magnesium oxide
US6797314B2 (en) * 2001-07-03 2004-09-28 Eastman Kodak Company Method of handling organic material in making an organic light-emitting device
TWI262034B (en) * 2002-02-05 2006-09-11 Semiconductor Energy Lab Manufacturing system, manufacturing method, method of operating a manufacturing apparatus, and light emitting device
TWI285515B (en) * 2002-02-22 2007-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device and method of manufacturing the same, and method of operating manufacturing apparatus
US7238383B2 (en) * 2003-03-07 2007-07-03 Eastman Kodak Company Making and using compacted pellets for OLED displays
US20050056968A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-17 Eastman Kodak Company Forming homogeneous mixtures of organic materials for physical vapor deposition using wet mixing
US20050056958A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-17 Eastman Kodak Company Forming homogeneous mixtures of organic materials for physical vapor deposition using dry mixing
US20050056969A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-17 Eastman Kodak Company Forming homogeneous mixtures of organic materials for physical vapor deposition using a solvent
US20050056960A1 (en) * 2003-09-16 2005-03-17 Eastman Kodak Company Forming homogeneous mixtures of organic materials for physical vapor deposition using melting
JP4366226B2 (ja) * 2004-03-30 2009-11-18 東北パイオニア株式会社 有機ｅｌパネルの製造方法、有機ｅｌパネルの成膜装置
US20060102079A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Glassman Timothy E Reducing variability in delivery rates of solid state precursors
US7252859B2 (en) * 2004-11-19 2007-08-07 Eastman Kodak Company Organic materials for an evaporation source
JP2006244906A (ja) * 2005-03-04 2006-09-14 Tohoku Pioneer Corp 自発光素子の製造方法及び製造装置
DE502005004666D1 (de) * 2005-10-28 2008-08-21 Novaled Ag Abscheiden einer Schicht aus dotiertem organischen Material auf einem Substrat
TWI281760B (en) * 2005-12-30 2007-05-21 Ind Tech Res Inst Organic tri-stable device and method for manufacturing and operating the same
JP5045062B2 (ja) * 2006-10-30 2012-10-10 住友化学株式会社 固体有機金属化合物の供給方法
DE102010007111B4 (de) * 2010-02-05 2012-02-16 Von Ardenne Anlagentechnik Gmbh Verfahren und Pulvermischung zur Beschichtung von Substraten aus der Dampfphase
JP2011199174A (ja) * 2010-03-23 2011-10-06 Fujifilm Corp 発光層形成用固形材料、並びに有機電界発光素子及びその製造方法
WO2012177673A2 (en) * 2011-06-21 2012-12-27 Kateeva, Inc. Materials and methods for oled microcavities and buffer layers
KR20200022010A (ko) 2017-06-26 2020-03-02 메르크 파텐트 게엠베하 균질 혼합물
KR20200040537A (ko) * 2018-10-10 2020-04-20 엘지디스플레이 주식회사 측향식 진공증착용 소스, 소스 어셈블리 및 이를 이용한 측향식 진공증착 장치
WO2023243109A1 (ja) * 2022-06-18 2023-12-21 ノベリオンシステムズ株式会社 蒸気発生材料

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4356429A (en) 1980-07-17 1982-10-26 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent cell
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
US5294870A (en) 1991-12-30 1994-03-15 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent multicolor image display device
JP2795194B2 (ja) * 1994-09-22 1998-09-10 株式会社デンソー エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法
US5550066A (en) 1994-12-14 1996-08-27 Eastman Kodak Company Method of fabricating a TFT-EL pixel
US5946550A (en) * 1997-03-14 1999-08-31 University Of Connecticut Self-assembled semiconductor and method of making same
JPH10324970A (ja) * 1997-03-28 1998-12-08 Dowa Mining Co Ltd Ｃｖｄ用原料およびこれを用いた成膜法
JP3738869B2 (ja) * 1997-06-05 2006-01-25 松下電器産業株式会社 蒸着方法および蒸着装置
US6114088A (en) * 1999-01-15 2000-09-05 3M Innovative Properties Company Thermal transfer element for forming multilayer devices
JP4543446B2 (ja) * 1999-04-05 2010-09-15 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ素子
JP3782255B2 (ja) * 1999-04-28 2006-06-07 株式会社アルバック 有機化合物用の蒸着源、及び蒸着装置
JP4423701B2 (ja) * 1999-06-07 2010-03-03 Ｔｄｋ株式会社 有機ｅｌ表示装置
US6489044B1 (en) * 1999-09-01 2002-12-03 Lucent Technologies Inc. Process for fabricating polarized organic photonics devices, and resultant articles
JP4187367B2 (ja) * 1999-09-28 2008-11-26 三洋電機株式会社 有機発光素子、その製造装置およびその製造方法
JP3415801B2 (ja) * 2000-02-21 2003-06-09 三容真空工業株式会社 有機系被膜の蒸着方法とその装置
EP1132493A3 (en) * 2000-03-09 2001-09-19 Junji Kido Vapor deposition method of organic compound and refinement method of organic compound
JP2001323367A (ja) * 2000-03-09 2001-11-22 Junji Kido 有機化合物の蒸着方法、及び有機化合物の精製方法
TW593622B (en) * 2000-05-19 2004-06-21 Eastman Kodak Co Method of using predoped materials for making an organic light-emitting device
US6558735B2 (en) * 2001-04-20 2003-05-06 Eastman Kodak Company Reusable mass-sensor in manufacture of organic light-emitting devices

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100581918B1 (ko) * 2004-06-03 2006-05-23 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자
KR100623073B1 (ko) * 2005-09-15 2006-09-13 김일중 무광택표면과 광택표면을 함께 갖는 광고용 패드 및 그제조방법
KR100949819B1 (ko) * 2008-03-11 2010-03-30 박진연 타블릿 성형 다이 어셈블리
KR101456669B1 (ko) * 2013-04-11 2014-11-04 주식회사 선익시스템 증발물질 공급장치
KR102487491B1 (ko) * 2022-06-13 2023-01-12 솔루스첨단소재 주식회사 유기 전계 발광 소자용 펠릿 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자
WO2023243995A1 (ko) * 2022-06-13 2023-12-21 솔루스첨단소재 주식회사 유기 전계 발광 소자용 펠릿 및 이를 이용한 유기 전계 발광 소자

Also Published As

Publication number Publication date
US6649436B2 (en) 2003-11-18
EP1337132A1 (en) 2003-08-20
TW200305350A (en) 2003-10-16
US20030153109A1 (en) 2003-08-14
JP2003249359A (ja) 2003-09-05
JP4275962B2 (ja) 2009-06-10
DE60300429T2 (de) 2006-01-26
EP1337132B1 (en) 2005-03-30
CN100380707C (zh) 2008-04-09
CN1438826A (zh) 2003-08-27
DE60300429D1 (de) 2005-05-04

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR20030068051A (ko) 유기 물질로부터 유기 층을 생성하는 방법 및 펠릿을사용하는 방법
US6797314B2 (en) Method of handling organic material in making an organic light-emitting device
EP1374641B1 (en) Double doped-layer, phosphorescent organic light emitting devices
KR101499041B1 (ko) 안정한 청색 인광성 유기 발광 소자
US7238383B2 (en) Making and using compacted pellets for OLED displays
EP1156536A2 (en) Method of using predoped materials for making an organic light-emitting device
US20040142098A1 (en) Using compacted organic materials in making white light emitting oleds
US6719936B2 (en) Method of making a solid compacted pellet of organic material for vacuum deposition of OLED displays
US20050056958A1 (en) Forming homogeneous mixtures of organic materials for physical vapor deposition using dry mixing
JP4391773B2 (ja) 感湿性有機材料の圧縮方法
US20050175770A1 (en) Fabricating an electrode for use in organic electronic devices
US20050056968A1 (en) Forming homogeneous mixtures of organic materials for physical vapor deposition using wet mixing
US20050056960A1 (en) Forming homogeneous mixtures of organic materials for physical vapor deposition using melting
CN115955893B (zh) 一种含有Ag电极的OLED器件的制备方法
KR20220078505A (ko) 패시베이션층을 포함하는 페로브스카이트 발광 소자 및 이의 제조방법
KR20030050987A (ko) 유기 전자 발광 소자 및 그 제조방법

Legal Events

Date Code Title Description
WITN Application deemed withdrawn, e.g. because no request for examination was filed or no examination fee was paid