KR20030066447A - 산화세륨으로 피복된 규소 분말을 포함하는 수성 분산액, 이의 제조방법 및 당해 분산액을 사용한 화학적-기계적 연마방법 - Google Patents
산화세륨으로 피복된 규소 분말을 포함하는 수성 분산액, 이의 제조방법 및 당해 분산액을 사용한 화학적-기계적 연마방법 Download PDFInfo
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Abstract
본 발명은 세륨 염 용액 또는 현탁액을 혼합, 바람직하게는 분무하여 산화세륨 쉘(shell)을 형성시킴으로써, 도핑(dopping)되고 발열적으로 제조된 저급 구조의 이산화규소의 코어(core)로부터 수득한 수성 분산액으로서, 분산액 중의 분말의 평균 제2 입자 크기가 0.2㎛를 초과하지 않는 분산액에 관한 것이다. 분산액은 화학적-기계적 연마에 사용된다.
Description
본 발명은 산화세륨으로 피복된 이산화규소 분말을 포함하는 수성 분산액 및, 이의 제조방법 및 화학적-기계적 연마를 위한 이의 용도를 제공한다.
세륨 화합물을 하소(calcining)하고, 후속적으로 이 산화물을 분쇄하여 수득한 산화세륨 분산액을 유리 연마용으로 장기간 동안 사용해 왔다. 이 분산액은 입자 크기가 1000㎚ 이상이고, 상당한 비율의 불순물을 갖는다. 이 분산액은 표면을 조악하게 연마하기에는 적합하지만, 민감성 광학 표면, 반도체 기판 또는 집적회로(화학적-기계적 연마, CMP)를 연마하기에는 적합하지 않다.
보다 작은 산화세륨 입자는 소위 수열(hydrothermal) 합성으로부터 수득된다. 이 공정에서 세륨(III) 염이 온도 및 압력 영향하에서 결정화되어 미세한 입자 형태의 산화세륨으로 산화 전환된다. 이러한 방법에 의해 수득되는 산화세륨 입자의 크기는 80 내지 100㎚(유럽 특허공개공보(EP-A) 제947 469호), 7 내지50㎚(미국 특허 제5,389,352호) 또는 30㎚ 미만 60㎚ 초과(미국 특허 제5,772,780호)이다. 이 방법의 단점은 상당히 희석된 세륨(III) 용액을 출발 물질로서 사용해야 한다는 것이다.
미국 특허 제5,891,205호에는 상기한 방법에 따라 제조한 산화세륨의 및 이산화규소의 혼합물이 기재되어 있다. 산화세륨은 제1 단계에서 밀(mill)을 사용하여 분쇄하여야 한다. 제2 단계에서, 산화세륨 분산액을 실리카 졸(sol)계 이산화규소 분산액과 함께 혼합하고, 규소 디스크(disc)를 평탄화하는데 사용할 수 있다.
이러한 방법의 단점은 고도의 복잡성과 이러한 미세-입자 분산액을 제조하는데 필요한 비용이다. 산화세륨을 밀을 사용하여 분쇄하는 것은 분산액으로 불순물을 전달할 위험을 수반한다. 또한, 실리카 졸계 이산화규소 분산액은 발열적으로 제조된 이산화규소계 분산액보다 불순물 비율이 높다.
미국 특허 제5,382,272호에는 산화세륨 또는 산화지르코늄 분산액의 수 중량%, 바람직하게는 2중량%의 흡착에 의한 이산화규소 입자의 활성화를 기재하고 있다. 이 방법의 고유한 특징은 활성 효과를 시판되는 산화세륨 또는 산화지르코늄 분산액과 이산화규소 분산액을 분쇄하여 간단히 성취하는 것이다. 이러한 방법으로 수득한 혼합된 분산액은 높은 제거율을 갖는 반도체 기판의 연마에서 순수한 산화세륨과 같이 거동하지만, 연마된 표면 위에 어떠한 스크래치(scratch)도 남기지 않는다. 선행 기술이 정체된 것과는 대조적으로 적은 비용으로 간단히 성취한다. 또한, 국제 특허공개공보(WO) 제00/17 282 A1호에 상세하게 기재된 바와 같이, 특히 이 방법의 단점은 협소한 입자 크기 분포를 갖는 분산액을 제조하고 재생할 수 있는 연마 결과를 성취한다는 것이다.
미국 특허 제5,697,992호에는 연마 입자의 분말의 제조 및 이로부터 생성된 수성 분산액을 기재하고 있다. 연마 입자는 이산화규소 또는 산화알루미늄 및 산화세륨 피복물로 이루어지고, 평균 입자크기가 2㎛ 이하이다. 언급한 입자 크기는 분말 또는 분산액을 나타내는지는 분명하지 않다. 산화세륨으로 피복된 이산화규소 입자에서, 입자 크기 0.6㎛는 하나의 예에서 인용된다. 금속 산화물은 졸-겔(gel) 또는 발열 방법 중의 하나로부터 제조된다. 이 방법의 단점은 세륨 화합물로 피복되는 경우 금속 산화물 입자, 특히 발열 원 입자의 케이킹(caking)이다. 케이킹은 분산시키기 곤란한 견고한 응집을 일으킨다. 분산액 중에서 케이킹은 매우 광범위한 입자 크기 분포를 갖게 하고, 때때로 분산 동안 산화세륨의 형태로 일부 피복물에 탈착된다. 이와 같은 분산액은 불균일하고, 반도체 산업에서 연속 소형화되고, 산화 표면의 재생성할 수 있는 연마에 대해 단지 제한된 안정성을 갖는다.
선행 기술에 의해 나타난 바와 같이, 주로 화학적-기계적 연마(CMP)의 영역에서 이산화규소 및 다른 절연성 산화물과 비교하여 산화세륨의 매우 높은 활성을 이용하는 것에 관심이 높아지고 있다.
본 발명의 기술적인 목적은, 제조방법이 간단하고 낮은 비율의 불순물을 갖고 입자 크기를 재생적으로 조절할 수 있는 산화세륨을 포함하는 수성 분산액을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은, 세륨 염 용액 또는 현탁액을 혼합, 바람직하게는 분무하여 산화세륨 피복물을 형성시킴으로써, 도핑(doping)되고 발열적으로 생성된 저급 구조를 갖는 이산화규소의 코어(core)로부터 수득한 분말을 포함하는 수성 분산액으로서, 분산액중의 분말의 평균 제2 입자 크기가 0.2㎛를 초과하지 않는 분산액에 의해 성취된다.
수성 분산액은 액상의 주성분이 물인 분산액을 의미한다.
도핑되고 발열적으로 생성된 이산화규소로 이루어진 코어는 도핑이 염 용액 또는 도핑 성분을 포함하는 현탁액의 에어로졸(aerosol)에 의해 혼입되는 코어를 의미한다. 이러한 코어의 제조방법은 예를 들면, 독일 특허공개공보(DE-A) 제196 50 500호에 기재되어 있다.
저급 구조는 코어가 단지 작은 정도로 함께 융합되는 다수의 개별적인 구형 제1 입자로 이루어진다는 것을 의미한다. 저급 구조의 측정방법는 DBP 흡수량(디부틸 프탈레이트 흡수량)이다. 이는 100g DBP/100g 분말 미만이고, 여기서 용어 분말은 도핑된 코어를 나타낸다. 또한, 어떠한 말단점도 DBP 흡수량에서 검출될 수 없을 가능성도 있다. 발열적으로 생성되고 도핑되지 않은 동일한 BET 표면적을 갖는 이산화규소에서, 제1 입자가 보다 현저하게 함께 융합되고, DBP 흡수량은 일반적으로 150g DBP/100g 분말 이상이다. 예를 들면, 시판되는 발열적으로 제조된 이산화규소 OX 50[제조원: 데구사 아게(Degussa AG)]은 DBP 흡수량이 160g/100g 분말이다.
DBP 흡수량에서, DBP 측정 기기의 흡입력 및 회전 블레이드(blade)의 토크(torque)는 적정에 필적하는 DBP의 정의된 양을 가하여 측정한다. 이는 DBP의 특정한 부가량에서 연속 적가하여 발열적 금속 산화물(예: 이산화티탄 또는 이산화규소)의 명확하게 정의된 최대량을 제공하다. 매우 낮은 융합 정도를 갖는 입자에서, 측정 장치는 말단점을 검출할 수 없을 수도 있다.
또한, 코어의 저급 구조를 투과 전자현미경으로부터 볼 수 있다.
세륨 클로라이드, 세륨 니트레이트, 세륨 아세테이트, 세륨 카보네이트, 세륨 옥살레이트, 세륨 설페이트, 암모늄 세륨 설페이트 및 암모늄 세륨 니트레이트는 세륨 염 용액 또는 현탁액으로 사용된다.
피복물을 적용하기 위해 코어의 수성 및/또는 알콜성 슬러리(slurry)를 세륨 염 용액 또는 현탁액과 혼합, 바람직하게는 분무한다. 반응 혼합물을 건조시키고, 임의로 하소한다. 반응 조건하에서 세륨 염 용액 또는 현탁액은 산화세륨으로 전환된다. 산화세륨 피복물은 완전히 또는 부분적으로 형성될 수 있다.
코어 중의 도핑 성분의 함량은 10ppm 내지 10중량%이다. 피복된 코어에서 산화세륨의 함량은 10ppm 내지 62중량%이다.
분말의 BET 표면적은 5 내지 600㎡/g이다.
본 발명에 따른 분산액 중 평균 제2 입자 크기는 0.2㎛ 미만이다. 예를 들면, 동적 광 산란에 의해 측정된다.
바람직하게는, 알칼리 산화물 또는 산화알루미늄인 도핑 성분인 코어를 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 분산액의 고체 함량은 주로 의도하는 용도에 좌우된다. 수송 비용을 절약하기 위해, 가능한 한 최대 고체 함량을 갖는 분산액이 바람직하지만, 연마와 같은 특정한 적용에서, 고체 함량이 낮은 분산액이 사용된다. 본 발명에 따라 0.1 내지 70중량%의 고체 함량이 바람직하고, 1 내지 30중량% 범위가 특히 바람직하다.
본 발명에 따른 분산액의 pH는 3 내지 11일 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 분산액은 산, 염기 및/또는 완충제 시스템, 산화제, 산화 활성화제, 부식 억제제, 연마제 및/또는 표면 활성 물질과 같은 pH-조절 물질을 포함하는 그룹으로부터의 첨가제를 포함할 수도 있다.
바람직하게는 pH의 증가는 알칼리 수화물 또는 아민을 가하는 경우 일어난다. 암모늄 하이드록사이드, 칼륨 하이드록사이드 및 테트라메틸암모늄 하이드록사이드가 특히 바람직하다.
산을 가하여, pH를 pH 3 이하의 산성 범위로 전환할 수 있다. 화학식 CnH2n+1CO2H의 카복실산(여기서, n은 0 내지 6이거나, n은 8, 10, 12, 14, 16이다) 또는 화학식 HO2C(CH2)nCO2H의 디카복실산(여기서, n은 0 내지 4이다) 또는 화학식 R1R2C(OH)CO2H의 하이드록시카복실산(여기서, R1은 H이고, R2는 CH3이다), CH2CO2H, CH(OH)CO2H 또는 글리콜산, 피루브산, 살리실산 또는 상기한 산의 혼합물이 이러한 목적을 위해 사용되는 것이 바람직하다. 아세트산, 시트르산 및 살리실산은 이러한 목적을 위해 특히 바람직하다.
또한, 본 발명은 분말을 먼저 수성 매질에 예비분산시키고, 임의로 첨가제를 가한 다음, 예비분산액을 분산시키는 것을 특징으로 하는, 본 발명에 따른 분산액의 제조방법을 제공한다.
예비분산액은 평균 입자 크기가 1㎜ 이하인 분산액을 의미한다. 예를 들면, 고속 믹서 또는 치상 디스크(toothed disc)가 예비분산에 적합하다.
울트라 투랙스(Ultra Turrax; IKA)와 같은 회전자-고정자 기계 또는 이스트랄(Ystral)에서 제조한 장치가 볼 밀(ball mill) 및 마찰 밀로서 분산을 위해 적합하다.
보다 높은 에너지 공급은 행성형 혼련기/믹서를 사용하여 수행할 수 있다. 그러나, 이 시스템의 효과는 입자를 파쇄하는데 필요한 고 전단 에너지를 도입하는데 작용하는 혼합물의 충분히 높은 점도와 관련되어 있다.
고압 균질화를 사용하여, 특히 미립자 분산액을 제조할 수 있다. 이들 장치에서, 고압하에 두개의 예비분산된 현탁액 스트림(stream)을 노즐을 사용하여 감압한다. 2개의 분산액 제트(jet)를 서로 정확하게 충돌시켜서 입자들을 서로 분쇄시킨다. 또다른 양태에서, 예비분산액은 또한 고압하에 위치시키지만 입자는 강화된 벽 영역에 충돌한다. 작동은 종종 보다 작은 입자 크기를 수득하기 위해 경우에 따라 반복할 수 있다.
바람직하게는, 고압 균질화기는 본 발명에 따른 분산액을 제조하는데 사용할 수 있다.
또한, 본 발명은 반도체 기판 또는 이에 적용된 층, 특히 산성 및 금속성 층, 및 섈로우 트렌치 분리공정(shallow trench isolation process)에서 화학적-기계적 연마를 위한 본 발명에 따른 분산액의 용도를 제공한다. 이러한 방법에서, 질화규소 층을 적용한 후, 분리 구조를 웨이퍼(wafer)의 규소 층으로 에칭(etching)한 다음, 수득한 홈(groove)을 이산화규소로 충전하고, 과량의 이산화규소를 화학적-기계적 연마에 의해 제거한다.
따라서, 도핑되고 발열적으로 제조된 이산화규소 입자로부터 수득되는 저급 구조를 갖는 분말과, 세륨 염 용액 또는 현탁액을, 탈착되는 산화세륨이 없고 어떠한 조악한 입자도 형성되지 않는 수성 매질 중에 0.2㎛ 이하의 제2 입자 크기로 재생할 수 있게 분산시킬 수 있다. 예를 들면, 미국 특허 제5,697,992호에 따라 수득한 분산액이, 코어가 재생할 수 있게 분산될 수 없고 산화세륨이 탈착되는 도핑되지 않은 이산화규소를 포함하기 때문에 당해 결과는 놀랍다.
실시예
분석 방법
평균 제2 입자 크기는 제타사이저(Zetasizer) 3000[제조원: 말베른(Malvern)]을 사용하여 측정한다.
BET 표면적은 DIN 66131에 따라 측정한다. 건조 LOD 손실은 DIN/ISO 787/II, ASTM D 280, JIS K 5101/21을 기초로 하여 105℃에서 2시간 동안 측정한다. 강열감량(loss on ignition) LOI는 DIN 55921, ASTM D 1208, JIS K 5101/23을기초로 하여 105℃에서 2시간 동안 건조한 물질에 대해서는 1000℃에서 2시간 동안 측정한다.
분산액의 점도는 피지카(Physica)에서 제조한 회전 유동계, 모델(model) MCR 300 및 CC 27 측정 컵(cup)으로 측정한다. 점도 값은 전단 속도 100ℓ/초에서 측정한다. 이러한 전단 속도는 점도가 전단 응력에 실질적으로 독립적인 범위 내에 존재한다.
침전 형성물의 평가는 1주의 체류 시간 후 1000㎖ 광구 플리에틸렌 플라스크(flask)에서 가시적으로 평가한다. 플라스크를 조심스럽게 기울여서, 존재하는 소량의 침전물을 용이하게 볼 수 있도록 한다.
분말
분말 1(P1): 산화세륨으로 피복하고 산화알루미늄으로 도핑(dopping)한 이산화규소
독일 특허공개공보 제198 47 161호에 따라 수득한 Al2O3(DBP 값: 80g/100g)으로 도핑한 이산화규소 분말 15㎏을 물 3ℓ중의 질산세륨 5㎏ 용액[(Ce(NO3)3x 6H2O)]과 함께 분무한다. 물은 90℃에서 건조하여 제거한다. 이어서, 500℃에서 3시간 동안 열처리한다.
분말 2(P2): 산화세륨으로 피복하고 산화칼륨으로 도핑한 이산화규소
독일 특허공개공보 제196 50 500호에 따라 수득한 0.2중량% 산화칼륨(DBP 값: 측정 불가)으로 도핑한 이산화규소 분말 15㎏을 물 3ℓ중의 질산세륨 5㎏용액[(Ce(NO3)3x 6H2O)]과 함께 분무한다. 물은 90℃에서 건조하여 제거한다. 이어서, 500℃에서 3시간 동안 열처리한다.
분말 3(P3): 에어로실(Aerosil) 90
시판되는 에어로실R90(제조원: 데구사)
분말 P1 내지 P3의 분석 데이타를 표 1에 나타낸다.
| SiO2중량% | CeO2중량% | BET㎡/g | LOD중량% | LOI중량% | |
| P1 | 91.50 | 8.25 | 61 | 1.9 | 0.8 |
| P2 | 92.70 | 9.10 | 121 | 2.4 | 0.3 |
| P3 | 99.9 초과 | - | 90 | 0.9 | 0.8 |
분산액
방법 A
탈이온수 18.0㎏ 및 30% KOH 용액 80g을 초기에 60ℓ 스테인레스 스틸 배치(stainless steel batch) 용기에 채운다. 분산 조제 및 진공 믹서(제조원: 이스트랄)(4500rpm)를 사용하여, 분말 P1 내지 P3 중의 하나 6.25㎏을 흡착시키고, 조악하게 예비분산시킨다. 분말을 도입한 후, 4개의 가공 링(ring)을 갖는 고정자 슬롯(slot) 너비가 1㎜이고, 속도가 11,500rpm인 회전자/고정자 연속 균질화기 타입 Z 66(제조원: 이스트랄)으로 완전히 분산시킨다. 11,500rpm으로 15분 동안 분산시키는 동안 KOH 용액을 추가로 가하여 pH를 10.5로 조절하고 유지하도록 한다.추가로 KOH 용액 150g을 이 목적으로 사용하고 물 0.5㎏을 가하여 25중량%의 연마 물질 농도 25중량%를 성취한다. 방법 B에서 분산액 12.5㎏을 제거한 후, 배치 용기로부터 탈이온수 12.5㎏을 가하고, 12.5%인 분산액을 연속 균질화기에서 11,500rpm의 속도로 5분 동안 균질화시킨다.
분산액 D1-A, D2-A 및 D3-A를 수득한다.
방법 B
방법 A에 따르는 분산액의 대략 반을 250MPa의 압력하에서 다이아몬드 노즐 직경이 0.3㎜이고 분쇄기를 2회 통과하는 고압 균질화기[울티마이저 시스템(Ultimaizer System), 제조원: 수기노 머신 리미티드(Sugino Machine Ltd.), 모델 HJP-25050]를 사용하여 분쇄한다.
분쇄한 후, 탈이온수 12.5㎏ 및 분쇄된 분산액 12.5㎏을 60ℓ 스테인레스 스틸 배치 용기 속에 위치시키고, 12.5%인 분산액을 11,500rpm의 속도에서 연속 균질화기 타입 Z 66(제조원: 이스트랄)으로 5분 동안 균질화시킨다.
분산액 D1-B, D2-B 및 D3-B를 수득한다.
분산액에 대한 분석 데이타를 표 2에 나타낸다.
어떠한 침전도 형성하지 않는 안정한 분산액을 분산 방법 B에 의해서만 수득할 수 있다. 방법 B에 의해 수득한 분산액의 평균 입자 직경은 방법 A에 의해 수득한 분산액의 평균 입자 직경보다 휠씬 작다. 산화세륨으로 피복된 이산화규소 입자를 포함하는 분산액 D1-B 및 D2-B는 개수 및 용적에 대해 평균 입자 직경 200㎚ 미만을 나타낸다.
| 평균 입자 직경 | ||||
| 분산액 | 개수[㎚] | 용적[㎚] | 점도[mPas] | 침전물 |
| D1-A | 122 | 301 | 3 | 있음 |
| D1-B | 80 | 195 | 2 | 없음 |
| D2-A | 119 | 249 | 8 | 있음 |
| D2-B | 71 | 147 | 4 | 없음 |
| D3-A | 197 | 271 | 7 | 있음 |
| D3-B | 150 | 163 | 3 | 없음 |
(1) 고체 함량 30중량%, pH 10.5
연마 공정
장치
천공된 로델(Rodel) IC 1400 연마 패드(pad)를 갖는 550㎜ 연마 테이블(table)을 장착한 프라이(Presi) 연마기 타입 460 M.
웨이퍼
500㎚ SiO2로 피복된 4" 규소 디스크(가열 제조), 500㎚ Si3N4로 피복된 4" 규소 디스크(LPCVD).
연마 파라메터(parameter)를 표 3에 나타내었다.
제거 속도(RR)을 프로메트릭스(Prometrix) FDT 650 장치[KLA-텐콜 코포레이션(Tencor Corporation)]를 사용하여 피복 두께를 측정하고, 사토리우스(Satorius) BP 210D 저울로 웨이퍼의 무게를 측정하여 평가한다. 평균 RR에 대해서, 10개의 웨이퍼를 각각 연마하고 평가한다.
조악한 스크래치 및 결함을 텐콜에서 제조한 장치 서프스캔(Surfscan) 5000 모델로 측정한다.
| 연마 시간/연마 압력 | 15s/0.2bar, 60s/0.8bar15s/0.2bar 세정 |
| 회전 속도 | 60rpm |
| 분산액의 첨가 속도 | 100㎖/분 |
| 온도 | 약 25℃ |
| 컨디셔닝(conditioning) | 1bar, 시간 10s에서 다이아몬드 분쇄스핀들(spindle) 디스크를 사용한 각각의연마 실험 전 |
| 후 CMP 세척 | 초음파 세척(테크소닉(Techsonic)) 및브러쉬 세척기 SVG 8620 단일 면 세척기/건조기 |
분산액의 제거율 및 선택도를 표 4에 나타낸다.
본 발명에 따른 높은 제거율 및 우수한 선택도를 갖는 분산액 D1-B 및 D2-B를 사용하는 경우, 이산화규소 표면 연마에서 어떠한 스크래치도 검출할 수 없다는 것이 명백하다. 또한, 분산액 D1-A 및 D2-A도 높은 제거율 및 우수한 선택도를 나타내지만 스크래치 및 결함이 검출될 수 있어서, 연마용 현탁액으로서의 이의 용도는 제한된다. 총괄적으로, 연구되는 산화세륨으로 피복된 도핑된 이산화규소 분산액 전부는 순수한 이산화규소계 분산액(D3-A, D3-B)에 비해 보다 우수한 제거율, 선택도 및 보다 적은 결점의 수의 값을 나타낸다.
| 분산액 | RR 열 SiO2 | RR Si3N4 | 선택도RR SiO2/RR Si3N4 | 스크래치/결함 | |||
| 계량[㎚/분] | 프로메트릭스(Prometrix)[㎚/분] | 계량[㎚/분] | 프로메트릭스[㎚/분] | 계량[㎚/분] | 프로메트릭스[㎚/분] | ||
| D1-A | 1821 | 1753 | 314 | 301 | 5.8 | 5.8 | 거의 없음 |
| D1-B | 1790 | 1693 | 307 | 293 | 5.8 | 5.8 | 없음 |
| D2-A | 1774 | 1695 | 311 | 297 | 5.7 | 5.7 | 거의 없음 |
| D2-B | 1723 | 1650 | 303 | 290 | 5.7 | 5.7 | 없음 |
| D3-A | 1078 | 1005 | 325 | 303 | 3.3 | 3.4 | 약간 있음 |
| D3-B | 1023 | 956 | 321 | 313 | 3.3 | 3.3 | 없음 |
본 발명은, 이산화규소 입자의 우수한 활성 효과를 이산화규소 분산액을 분쇄하여 성취하는, 제조방법이 간단하고 낮은 비율의 불순물을 갖고 입자 크기가 재생적으로 조절할 수 있는 산화세륨을 포함하는 수성 분산액을 제공할 수 있게 한다.
Claims (7)
- 세륨 염 용액 또는 현탁액을 혼합, 바람직하게는 분무하여 산화세륨 쉘(shell)을 형성시킴으로써, 도핑(dopping)되고 발열적으로 제조된 저급 구조의 이산화규소로 이루어진 코어(core)로부터 수득한, 평균 제2 입자 크기가 0.2㎛를 초과하지 않는 분말을 포함함을 특징으로 하는 수성 분산액.
- 제1항에 있어서, 도핑물이 알칼리 산화물 또는 산화알루미늄인 것을 특징으로 하는 수성 분산액.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 분산액중의 고체 함량이 0.1 내지 70중량%인 것을 특징으로 하는 수성 분산액.
- 제1항 내지 제3항 중의 어느 한 항에 있어서, 분산액의 pH가 3 내지 11인 것을 특징으로 하는 수성 분산액.
- 제1항 내지 제4항 중의 어느 한 항에 있어서, 산, 염기 및/또는 완충제 시스템을 포함하는 pH-조절 물질, 산화제, 산화 활성화제, 부식 억제제, 연마제 및/또는 표면 활성 물질을 포함하는 그룹으로부터의 첨가제를 포함하는 것을 특징으로 하는 수성 분산액.
- 분말을, 임의로 첨가제를 첨가하면서, 수성 매질중에 먼저 예비분산시킨 다음, 예비 분산액을 분산시키는 것을 특징으로 하는, 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 따르는 수성 분산액의 제조방법.
- 반도체 기판 또는 이에 적용된 층 및 섈로우 트렌치 분리공정(shallow trench isolation process)에서 화학적-기계적 연마를 위한, 제1항 내지 제5항 중의 어느 한 항에 따르는 수성 분산액의 용도.
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