KR20030057698A - 기준전압 발생 장치 - Google Patents

Abstract

본 발명은 테스트 전압 레벨의 제한을 해결하고 기준전원 변동이 가능한 반도체 소자의 기준전압 발생장치를 제공하기 위한 것으로, 이를 위한 본 발명은 기준전압을 발생시키는 기준전압발생부; 상기 기준전압발생부에서 출력되는 기준전압을 입력받아 소정 레벨의 전압으로 출력하는 레벨 시프트; 외부에서 전압을 입력받는 패드; 상기 레벨 시프트의 출력전압 또는 상기 패드를 통해 입력되는 전압을 선택하여 출력하는 셀렉터; 및 상기 셀렉터에서 출력되는 전압을 입력받아 내부전압으로 출력하는 전압 드라이버를 구비하는 기준전압발생장치가 제공된다.

Description

기준전압 발생 장치{Reference Voltage Generator}

본 발명은 반도체 집적회로에 관한 것으로, 특히 반도체 소자 구동을 위한 기준전원 발생장치에 관한 것이다.

통상 반도체 소자에서는 외부에서 인가되는 전원으로 부터 내부에서 실제 사용되는 전원을 만들기 위해 내부전원 발생장치를 내장하고 있다.

도1a는 종래 기술의 기준전원 발생장치의 블럭구성도이다.

도1a를 참조하여 살펴보면, 종래 기술의 기준전원 발생장치(10)는 기준전압을 발생시키는 기준전압발생부(11)와, 기준전압발생부(11)에서 출력되는 기준전압(VREFI)을 입력받아 여러 레벨의 전압으로 만들어 출력하는 레벨 시프트(12)와, 레벨시프트(12)의 출력을 입력받아 내부전압(Vinit)을 출력하는 전압 드라이버(13)로 구성된다.

도1b는 도1a의 기준전원 발생장치를 이용하여 내부회로를 테스트 할 때의 구성도이다.

통상적으로 반도체 소자를 테스트 할 때에는 기준전압 발생장치(10)에서 출력되는 내부전압(Vint)을 가변시킬 필요가 있다. 이 때에는 도1b에 도시된 바와 같이, 레벨시프트(12)에 테스트 모드를 전환되는 신호를 입력하고 레벨시프트에서 출력되는 전압 레벨을 가지고 반도체 소자 동작의 정상여부를 테스트한다.

그러나, 이때에는 이미 반도체 소자 내부에 집적된 레벨시프트 회로에서 출력되는 전압 레벨을 가지고 테스트 하게 되는데, 제어 가능한 전압레벨이 제한적이고 이에 따라 테스트를 할 수 있는 트리밍 스텝(trimming step)이 제한적이고, 또한 반도체 소자의 기준전원 변동에 대한 고려가 불가능하다.

본 발명은 테스트 전압 레벨의 제한을 해결하고 기준전원 변동이 가능한 반도체 소자의 기준전압 발생장치를 제공함을 목적으로 한다.

도1a는 종래 기술에 의한 기준전원 발생장치의 블럭구성도.

도1b는 도1a의 기준전원 발생장치를 이용하여 내부회로를 테스트 할 때의 구성도.

도2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기준전원 발생장치의 블럭구성도.

* 도면의 주요 부분에 대한 부호의 설명

31 : 기준전압 발생부

32 : 레벨 시프트

33 : 셀렉터

34 : 전압 드라이버

35 : 외부 기준전압 입력패드

상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 기준전압을 발생시키는 기준전압발생부; 상기 기준전압발생부에서 출력되는 기준전압을 입력받아 소정 레벨의 전압으로 출력하는 레벨 시프트; 외부에서 전압을 입력받는 패드; 상기 레벨 시프트의 출력전압 또는 상기 패드를 통해 입력되는 전압을 선택하여 출력하는 셀렉터; 및 상기 셀렉터에서 출력되는 전압을 입력받아 내부전압으로 출력하는 전압 드라이버를 구비하는 기준전압발생장치가 제공된다.

이하, 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자가 본 발명의 기술적 사상을 용이하게 실시 할 수 있을 정도로 상세히 설명하기 위하여, 본 발명의 가장 바람직한 실시예를 첨부된 도면을 참조하여 설명하기로 한다.

도2는 본 발명의 바람직한 실시예에 따른 기준전원 발생장치의 블럭구성도이다.

도2를 참조하여 살펴보면, 기준전원 발생장치(30)는 기준전압을 발생시키는 기준전압발생부(31)와, 기준전압발생부(31)에서 출력되는 기준전압(VREFI)을 입력받아 여러 레벨의 전압으로 만들어 출력하는 레벨 시프트(32)와, 외부의 기준전압(VREF)을 입력받는 패드(35)와, 레벨시프트(32)의 출력(VREFIS) 또는 외부의 기준전압(VREF)을 선택하여 출력하는 셀렉터(33)와, 셀렉터(33)에서 출력되는 전압을 입력받아 내부전압(Vinit)을 출력하는 전압 드라이버(34)로 구성된다.

이하 도2를 참조하여 본 발명의 일실시에에 따른 기준전압 발생장치의 동작에 대해서 설명한다.

먼저, 반도체 소자의 노멀모드일 때에는 기준전압발생부(31)에서 출력되는 기준전압을 레벨시프트(32)에 출력하고, 셀렉터(33)에서는 레벨시프트(32)에서 입력되는 전압레벨을 노멀모드 제어신호(Normal)에 따라 전압드라이버(34)로 출력한다. 전압드라이버(34)는 최종적으로 내부전압(VInit)로 출력한다.

한편, 테스트를 위해 내부전압(Vinit)을 가변해야 할 때는 외부의 기준전압(VREF)을 입력받는 패드(35)를 통해서 원하는 입력 기준전압(VREF)을 셀렉터(33)으로 입력시키고, 이때에는 셀렉터(33)는 테스트 모드 제어신호(TestMOde)에 따라 패드(35)를 통해서 입력되는 기준전압(VREF)을 전압드라이버(34)로 출력하게 된다.

따라서 전술한 실시예에 따라 테스트 모드일 때 외부에서 다양한 전압레벨을 입력할 수 있고, 이에 따라 트리밍 스텝의 제한이 해소되어 보다 효과적으로 테스트할 수 있다.

한편으로는, 기준전압(VREF)을 입력받는 패드(35)로 다양한 동작전압을 입력할 수 있어, 반도체 소자의 신뢰성 향상에 도움이 된다.

이상에서 설명한 본 발명은 전술한 실시예 및 첨부된 도면에 의해 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 여러 가지 치환, 변형 및 변경이 가능하다는 것이 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어 명백할 것이다.

본 발명의 기준전압 발생장치에 따라 다양한 전압레벨로 테스트 할 수 있으며, 가변적으로 동작전압을 정할 수 있어 반도체 소자의 신뢰성 향상을 기대할 수 있다.

Claims (3)

1. 기준전압을 발생시키는 기준전압발생부;

   상기 기준전압발생부에서 출력되는 기준전압을 입력받아 소정 레벨의 전압으로 출력하는 레벨 시프트;

   외부에서 전압을 입력받는 패드;

   상기 레벨 시프트의 출력전압 또는 상기 패드를 통해 입력되는 전압을 선택하여 출력하는 셀렉터; 및

   상기 셀렉터에서 출력되는 전압을 입력받아 내부전압으로 출력하는 전압 드라이버를 구비하는 기준전압발생장치.
2. 제 1 항에 있어서,

   노멀모드시에 상기 셀렉터가 상기 레벨 시프트의 출력전압을 선택함을 특징으로 하는 기준전압발생장치.
3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,

   테스트모스에서는 상기 셀렉터가 상기 패드를 통해 입력된 전압을 선택함을 특징으로 하는 기준전압발생장치.