KR20030052998A - 실리콘 단결정 제조용 종결정 및 실리콘 단결정의 제조방법 - Google Patents
실리콘 단결정 제조용 종결정 및 실리콘 단결정의 제조방법 Download PDFInfo
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Abstract
초크랄스키법에 의해 실리콘 단결정을 제조할때에 종결정이 실리콘융액에 침적할때에 생기는 유전위화를 방지할 수 있으며, 부가하여 대중량의 실리콘 단결정의 부하에 잘 견딜 수 있는 실리콘 단결정 제조용 종결정 및 그 제조방법 및 무전위화율의 향상을 가능하게 하는 실리콘 단결정의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정을 제조할때 사용하는 실리콘 종결정에 있어서, 그 실리콘 종결정을 잘라내는 모재의 실리콘 단결정중의 붕소농도가 4 ×1018atoms/㎤이상, 4 ×1018atoms/㎤이하이며, 또 실리콘 종결정을 모재의 실리콘 단결정에서 잘라내어, 연삭래핑후에 표면에칭을 하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조용 종결정 및 그 제조방법 또 그 종결정을 사용한 실리콘 단결정의 제조방법이다.
Description
본 발명은 초크랄스키법으로 실리콘 단결정을 제조할때에 사용하는 실리콘 종결정 및 그 종결정을 사용한 실리콘 단결정 제조방법에 관한 것이다.
초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정 제조에서는 실리콘 종결정을 실리콘융액에 침적시킨후, 목표로 하는 직경으로 성장시킨다. 통상, 실리콘 종결정을 실리콘융액에 침적할때, 침적부분을 중심으로 하여 결정결함인 전위(dislocation)가 발생한다. 주로, 전위발생의 원인은 융액에 침적하는 전후에서의 종결정의 온도차에 의해 생기는 열응력으로 고려되고 있다. 실리콘 단결정 제조시에 있어서, 전위의 발생을 방지하는 것, 또는 전위를 제거하는 것이 불가결하여, 종래 침적시에 발생한 전위를 제거하는 수단으로서, 침적후의 종결정직경을 일단 작게 하는 대시네킹 (dash necking)이 행하여 지고 있다. 그 대시네킹에 의해 무전위화할 수 있는 최대감속직경은 4mm정도이며, 그 보다도 큰 직경으로 되면 전위를 완전히 제거할 수가 없다.
근년의 실리콘 단결정의 대직경화에 따라, 대중량화한 단결정을 지지하는 실리콘의 강도로서 감소직경이 4mm에서는 파탄할 위험성이 있다. 그 때문에, 실리콘의 강도상 문제로 되는 네킹에 의한 감소부를 형성함 없이 단결정을 제조하는 방법이 일본국 특개평 9-249492호 공보에 공개되어 있다. 본 발명은 종결정중의 붕소농도를 크게 함으로써, 종결정의 강도를 높이고, 융액과의 침적시에 열응력에 의해전위를 발생 안시키든가, 또 발생하여도 전위의 길이가 작아서 종결정을 그 직경이상 융해함으로써, 전위를 제거할 수가 있어, 네킹에 의한 감소부를 형성하지 않아도, 실리콘 단결정을 육성할 수 있다는 기술이다.
종결정중의 붕소농도가 상기의 종래기술과 같이, 높은 경우에도 본 발명자들이 시험을 시행한 결과, 육성한 실리콘 결정에 전위가 발생하였다. 즉, 이와같은 종래기술에 의해 단결정의 유전위화를 억제하였으나, 완전하게는 전위발생이 방지되지 않았으며, 붕소농도 이외의 인자와 전위발생과의 정량적인 인과관계는 명확하게 밝혀지지 않았다.
그러므로, 본 발명은 초크랄스키법에 의해 실리콘 단결정을 제조하는 경우에, 종결정이 실리콘융액에 침적할때에 발생하는 유전위화를 방지할 수 있으며, 부가하여 대중량의 실리콘 단결정의 부하에 견디어내는 실리콘 단결정 제조용 종결정을 제공하는 것을 목적으로 한다. 또, 본 발명은 초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정의 제조공정에 있어서, 무전위화율의 향상을 가능하게 하는 실리콘 단결정의 제조방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은 종결정의 표면처리상태에 관한 관점, 특히 표면의 변형량에 착안하여 실리콘 단결정 육성시 유전위화에서의 종결정의 표면처리상태의 효과를 검토한 결과, 새로운 지견을 도입하여 완성한 것이다. 또한, 본 발명은 실리콘융액의 온도변동에 착안하여, 종결정이 융액에 접촉하고 있을때의 종결정의 유전위화에 대한 온도변동의 효과를 검토한 결과, 새로운 지견을 도입하여 완성한 것이다.
즉, 본 발명은
(1) 초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정을 제조할때에 사용하는 실리콘 종결정이며, 그 실리콘 종결정을 잘라낸 모재의 실리콘 단결정중의 붕소농도가 4 ×1018atoms/㎤이상, 4×1019atoms/㎤이하이며, 또 그 실리콘 종결정을 모재의 실리콘 단결정에서 잘라내어, 연마,래핑후에 표면에칭을 실시하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정용 종결정(단, 그 실리콘 종결정의 에칭공정에서, 실리콘 단결정제조시에 최소한 그 실리콘 종결정이 실리콘융액에 접하는 부분의 에칭량이 다음식(I)을 만족한다.
Y ≥exp(-4.96 ×logA + 18.7).........(I)
여기서, Y는 에칭량(㎛), A는 연삭숫돌의 JIS R 6001에 규정되는 입자크기 (#)를 나타낸다).
(2) 초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정의 제조방법에 있어서, 청구항 1에 기재된 종결정을 사용하여 대시네킹(dash necking)을 실시않고, 실리콘 단결정을 견인성장시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
(3) 초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정의 제조방법에 있어서, 청구항 1에 기재된 종결정을 사용하여, 대시네킹을 실시않고, 실리콘 단결정을 견인성장시키는 실리콘 단결정의 제조방법이며, 실리콘융액의 주기 10초이상의 온도변동의 표준편차가 4℃이하를 만족하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
(4) 초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정의 제조방법에 있어서, 청구항 1에 기재된 종결정을 사용하여, 그 종결정을 실리콘융액에 일부 용해시킨후에 대시네킹을 실시않고, 실리콘 단결정을 견인성장시키는 실리콘 단결정의 제조방법이며, 그 종결정의 용해량이 그 종결정의 직경이상이고, 실리콘융액의 주기 10초이상의 온도변동의 표준편차 4℃이하의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법을 요지로 한 것이다.
도 1은 종결정 가공시의 연삭숫돌입도와 도입된 가공변형층 두께와의 관계도이다.
본 발명을 다음에 설명한다.
본 발명자들은 실리콘 단결정 제조시의 유전위화에 대해서 예의 검토한 결과, 종결정의 표면상태가 중요하며, 종결정의 연삭 및 래핑시에 발생하는 표면의 잔류가공변형이 전위의 발생원인으로 되어 있는 것을 알게 되었다. 그와같은, 변형이 표면에 잔존하고 있으면, 예로서 종결정중의 붕소농도가 높아서, 종결정의 경도가 크게 되어 있어도, 종결정과 융액과의 접속시의 열응력에 의해 종결정선단부에 전위가 발생한다.
종결정중의 붕소농도는 4 ×1018atoms/㎤보다 작을 경우, 종결정의 경도가 부족하여 융액과의 접촉시에 전위가 발생하는 확율이 높아진다. 한편, 4 ×1019atoms/㎤보다 큰 경우에는 종결정은 분명치 않은 이유로 융액과의 접촉시에 전위가 발생하는 확율을 허용한다.
잔류가공변형은 연삭 또는 래핑에 사용하는 연삭숫돌의 입도(roughness, 거칠기)에 의존하는 것을 알게 되었다.
여기서, 사용하는 "잔류가공변형"이란 다음에 설명하는 X선 도포그래피(X-ray topography)로 관찰되는 상(image)으로 점의한다.
일반적으로 변형없는 실리콘 단결정에서는 콘트라시트가 없는 균일한 토포그래피의 패턴으로 된다. 그러나, 가공변형만이 존재하는 경우, 실리콘원자로 구성되는 격자가 변형되음으로서, 계측상, 무변형만의 상태보다도 높은 회전강도가 검출되기 때문이다. 예의연구결과, 연삭 또는 래핑에 사용되는 연삭숫돌의 입도 및 가공변형층의 두께는 일정한 상호관계에 있는 것을 알게 되었다.
즉, 연삭숫돌의 입상도를 A(#), 가공변형두께를 Y(㎛)로 했을때, 다음식 (Ⅱ)의 관계가 있는 것을 알게 되었다. 여기서, 사용하는 A는 연삭숫돌의 JIS R 6001에서 규정되는 입도(granularity)(#)를 나타낸다.
Y = exp(-4.96 ×logA + 18.7)........(Ⅱ)
이것을 그래프로 나타내면, 도 1과 같이 된다. 가공변형의 두께는 연산, 래핑처리후의 종결정을 단계적으로 에칭처리하여, X선포토그래피로 변형이 관찰안될때까지의 제거두께로 정의하였다. 따라서, 연산, 래핑후의 에칭두께를 식(Ⅱ)의 Y㎛이상으로 하면, X선토포그래피로 계측가능한 가공변형층은 제거될 수 있다. 그러므로, 실리콘 단결정견인의 무전위율은 에칭두께를 Y㎛이상의 치로 함으로서, 현저하게 향상한다. X선토포그래피의 변형량 분해능은 0.2㎛임으로, 종결정의 잔류표면가공변형의 두께를 0.2㎛이하로 하면, 실리콘 단결정견인의 무전위율이 향상하게 된다.
또한, 에칭액으로서는 통상 불화수소산, 질산의 혼산수용액이 사용되나, 에칭에 의해 표면의 평활도가 확보되면, 다른 조성을 사용하여도 식(Ⅱ)으로 규정되는 가공변형층(Y)이 제거되면 된다. 불화수소산, 질산의 혼산수용액을 사용하는 경우에는 불화수소산에 의한 실리콘의 에칭속도가 높음으로, 배합비는 질산과다의 쪽이 바람직하며, 용적비로서 불화수소산 : 초산 = 1 : 3~8이 보다 바람직하다. 또, 에칭에 의한 표면거칠기가 큰 경우나, 실리콘 표면에 피막이 형성하는 문제가 생길대에는 식초산등의 완화제를 혼합함으로서 회피할 수가 있다. 식초산의 첨가량으로서는 상기의 불화수소산과 질산의 배합비에 대하여, 2 ~ 8이 바람직하다. 즉, 불화수소산 : 질산 : 신초산 = 1 : (3~8) : (2~8)의 배합비가 표면거칠기 및 표면피막을 회피하기에 바람직하다. 그 이유는 식초산의 첨가량이 그 미만이면 첨가의 효과가 낮으며, 8보다 크게 되면, 실리콘의 에칭속도가 현저하게 저하하기 때문이다.
또, 연삭, 래핑에 사용하는 연삭숫돌은 Si과 화학적인 반응성이 낮은 SiC 또는 Al2O3등의 세라믹 또는 다이아몬드가 바람직하다. 그와같은, 연마숫돌을 사용한 경우, 가공변형층의 두께는 실제로 재질에 의하지 않고, 연삭숫돌의 입도로 결정됨으로 입도에 따른 가공변형층 이상의 두께를 에칭으로 제거하면 된다.
한편, 종결정의 융액에 침적되는 선단형상은 반드시 밑으로 볼록상 아니라도 되며, 평탄하여도 된다. 그때, 선단형상이 평탄한 경우의 선단면 및 밑으로 볼록한 경우의 직경이 작게 되는 부분의 외주부는 면치기(chamfering)되어 있는 것이 바람직하다. 그것은 외주부에서는 연삭가공시에 치핑(chipping)으로 불리우는 깨진 틈이 생기기 쉬우며, 연삭숫돌입도로 형성되는 가공변형층보다도 깊은 영역까지 변형이 형성되는 경우가 있기 때문이다. 면치기가공을 하는 경우, 면치기의 공율반경을 100㎛이상으로 하면, 치핑에 의한 변형을 제거할 수가 있다.
면치기부의 가공은 치핑이 생기는 경우, 거칠고 낮은 입도의 연삭숫돌로 연삭하고, 다시 곱게 높은 입도의 연마숫돌로 연마함으로서, 식(Ⅲ)으로 규정되는 가공변형층으로 할 수가 있다. 또, 실용상의 관점에서는 면치기의 곡율반경을 5mm로 하는 것이 바람직하다. 면치기의 곡율반경을 필요이상으로 크게 하면, 실리콘 단결정은 취성임으로, 가공이 곤란하여 필요이상으로 가공시간을 요하기 때문이다.
가공시에 치핑이 발생한 경우에는 치핑부와 종결정의 다른 표면을 동일한 가공상태로 하는 것이 바람직하다.
이것은 가공후에 에칭하는 두께를 가공변형후의 가장 두꺼운 영역에 맞게 하지 않으면 안되기 때문이다.
본 발명에서는 종결정을 사용함으로서, 표면가공변형층이 없음으로, 실리콘용액에 종결정을 침적하는 경우에, 종결정 및 육성하는 실리콘 단결정에 열응력에 의한 전위가 단계적으로 발생하기 곤란하다. 따라서, 대시네킹(dash necking)에 의한 감소부를 형성하지 않고, 대중량의 부하에 견디어 낼 수 있는 무전위의 대구경 실리콘 단결정의 제조가 가능하다.
또, 본 발명자는 실리콘 단결정 제조시의 유전위화에 대해서 예의검토한 결과, 상기와 같은 잔류가공변형이 없는 종결정을 사용하여도, 실리콘융액의 온도변동을 억제하지 않으면, 전위가 발생하는 경우가 있는 것을 알아냈다. 다음에 그 이유를 설명한다.
실리콘융액, 특히 대형결정을 견인하기 위한 대형도가니내의 융액은 난류상태로 되어 있어, 여러가지 주기의 온도변동을 포함하고 있다. 그중 주기 10초 이상의 온도변동이 전위의 발생에 큰 영향을 끼친다. 그 온도변동에 의해 종결정의 침적중에 급속한 성장과 융해가 생긴다. 즉, 저온의 융액이 종결정의 근방에 올때에는 결정은 급속히 성장하며, 고온의 융액이 종결정의 근방에 올때에는 결정은 급속히 용해한다. 그와같은, 급성장, 급용해에 의해 전위가 발생하는 경우가 있다. 주기가 10초보다도 작은 온도변동의 영향은 작다. 왜냐하면, 융액과 종결정간에 존재하는 온도경계층이 전대역필터로서 작용함으로, 빠른 온도변동은 종결정에는 전도되기 어려움으로, 결정의 급성장 또는 급용해는 일어나기 어렵기 때문이다.
견인조건에 따라서는 융액과의 접속시에 열응력이 매우 크며, 그와같은 가공변형없는 종결정을 사용하여도 전위가 유지되는 경우가 있다. 그 경우는 예로써, 일본국 특개평 9-249492호 공보에 공개되어 있는 것 같이, 종결정을 융액에 어느 일정량 용해시킴으로서, 그 융액과의 접속시에 도입된 전위를 용해소멸시킬 수가 있다. 그 이유는 종결정중이 붕소농도가 높은 경우에는 종결정이 단단함으로, 융액과의 접촉시에 발생하는 전위의 길이는 짧고, 그리고 종결정의 침적중에도 그 전위는 길게 안되기 때문이다. 그러나, 총결정측면에 가공변형이 남아 있는 경우에는 종결정을 침적하여가는 단계에서 종결정측면의 결정-융액-가스 3중점(종결정의외주선)에서 새로운 열응력에 의해 전위가 도입될 확율이 높다. 그 전위는 종결정을 침적하여 용해소멸시켜가도, 새로운 3중점에서 차례로 전위가 발생함으로, 최종적으로 소멸시킬 수가 없다. 따라서, 초기부터 종결정의 측면의 잔류가공변형을 제거하여, 종결정의 침적중에 전위의 발생이 일어나지 않도록 할 필요가 있다. 즉, 표면가공변형이 없는 층은 최소한 종결정이 융액에 침적되는 영역전부에 걸쳐서 형성되어 있지 않으면, 안된다.
다음, 본 발명에 의한 종결정중의 붕소농도, 표면가공처리, 융액온도변동과 육성한 단결정의 무전위화율(DF율, dislocation free)의 관계에 대하여 실시예를 사용하여 설명한다.
실시예
여기서, 사용하는 종결정은 실리콘 단결정잉곳에서 절단가공후, 원통절삭 및 후술하는 표면처리를 시행한 직경 13mm의 원주형상이다.
초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정육성은, 그 종결정을 홀더에 접착한 후에, 아르곤가스 분위기중에서 실시된다. 가열한 결정육성노내에서 다결정 실리콘을 융해한 후, 종결정을 실리콘 융액표면에 향하여 서서히 하강시킨다. 특히, 1300℃ 온도역에서 융액접촉위치까지는 종결정의 급격한 온도변화에 의한 열응력의 발생을 피하기 위해, 강하속도를 1mm/분으로 하였다. 종결정이 융액에 접촉후에, 경우에 따라서 종결정의 일정길이를 융액에 침적융해하여, 종결정을 융액에 조화하게 한 후, 결정육성을 개시하였다. 결정육성에서는 대시네킹(dash necking)을 행하지 않고, 직경을 서서히 넓히면서 원추부를 형성하고, 직경 300mm에서 넓힘을 정지하여, 그 직경을 유지한채로 500mm의 직동부를 형성하였다.
실시예, 비교예에서는 상기의 육성조건에서 각각 10회의 육성을 향하여, DF율을 평가하였다. DF율은 육성한 단결정을 성장방향을 따라서, 종절단의 슬라이싱 가공을 하여, X선토포그래피에 의해 종결정부를 포함한 잉곳전체의 전위의 유무를 평가하였다. X선토포그래피로 단결정의 횡단면에 조금이라도 전위가 관찰되는 경우에는, DF를 영(0)으로 하고, DF율은 10회의 육성에서의 전위가 존재않는 잉곳의 개수의 비율에서 산출한다.
종결정의 표면가공은 원통연삭을 사용하여 원주상으로 끝마무리함과 동시에, 선단형상을 평탄 또는 하방으로 볼록한 형상으로 하였다. 그때, 표면가공에서의 연삭숫돌로서 SiC 또는 다이아몬드를 사용하여 소정의 숫돌입도까지 연삭, 래핑가공을 하였다. 한편, 면치기가공으로서 선단형상이 평탄한 경우의 선단면 및 하방으로 볼록한 경우의 직경이 작게 되는 부위의 외주부에서 면치기 한 곡율반경이 1mm로 되도록 연삭, 래핑가공을 시행하였다. 연삭, 래핑후의 표면층의 제거처리는 불화수소산과 질산의 용량비가 1 : 8인 혼합수용액으로 에칭을 하여, 초기종결정에서 처리후의 종결정직경의 변화분을 에칭에 의한 표면층제거두께로 하였다.
다음, 종결정의 실시예, 비교예를 사용하여 종결정의 표면가공조건과 에칭에 의한 표면층제거두께를 기술한다.
표 1은 종결정의 붕소농도, 마무리연삭숫돌입도, 에칭에 의한 제거두께, 주기 10초이상의 융액온도변동의 표준편차, 그 직경을 초과한 크기의 종결정의 융해상태 및 실시예 1 ~ 8 및 비교예 1 ~ 4에서 얻은 변화조건의 조합으로 발생한 DF율을 나타낸다.
실시예 1 및 2에서 DF율은 붕소농도가 적절한 영역에 있고, 처리변형층이 에칭에 의해 제거되었음으로, 70%의 높은 치를 가졌다. 실시예 3 및 4에서 DF율은 주기 10초이상의 융액온도변동의 표준편차가 이전의 조건에 추가하여 4℃이하로 억제되었음으로, 90%를 초과한 치를 가졌다. 실시예 5 ~ 8에서 DF율은 종결정의 선단이 실시예 3 및 4의 조건에 종결정의 직경과 동일한 길이로 각각 융해되었음으로, 100%로 증가되었다.
비교예 1 및 2에서 에칭량이 충분하였다 할지라도, 융액온도의 변동은 4℃이하로 되었으며, 종결정의 선단은 결정의 직경과 동일한 크기로 융해되었으며, 종결정은 그의 표면에서 전위를 생성하였으며, 육성잉곳의 통부분은 전위의 성장을 가였으며, 또 DF율은 종결정의 붕소농도가 각각 3 ×1018이하 및 5 ×1018이상이였으므로, 0%로 떨어졌다. 비교예 3 및 4에서, 종결정의 붕소농도가 적정한 영역에 있을 지라도, 융해온도의 변동은 4℃이하였으며, 또 종결정의 선단은 결정직경과 동일한 크기로 융해되고, DF율은 에칭량이 너무 작았음으로, 10%이하로 되었다.
표 1
| 종결정중붕소농도(atoms/㎤) | 마무리연삭숫돌입도(#) | 에칭제거두께(㎛) | 주기10초이상의융액온도변동표준편차(℃) | 종결정융해 | DF율 | |
| 실시예 1 | 7 ×1018 | 1500 | 50 | 5 | 무 | 70 |
| 실시예 2 | 7 ×1018 | 400 | 500 | 5 | 무 | 70 |
| 실시예 3 | 7 ×1018 | 1500 | 50 | 4 | 무 | 90 |
| 실시예 4 | 7 ×1018 | 400 | 500 | 4 | 무 | 90 |
| 실시예 5 | 4 ×1019 | 1500 | 50 | 4 | 유 | 100 |
| 실시예 6 | 4 ×1019 | 1500 | 50 | 4 | 유 | 100 |
| 실시예 7 | 4 ×1019 | 1500 | 50 | 4 | 유 | 100 |
| 실시예 8 | 7 ×1018 | 400 | 500 | 4 | 유 | 100 |
| 비교예 1 | 7 ×1018 | 1500 | 50 | 4 | 유 | 0 |
| 비교예 2 | 5 ×1019 | 1500 | 50 | 6 | 유 | 0 |
| 비교예 3 | 7 ×1018 | 1500 | 10 | 4 | 유 | 10 |
| 비교예 4 | 7 ×1018 | 400 | 300 | 4 | 유 | 10 |
본 발명의 종결정은 붕소농도가 높음으로 단단하며, 표면처리를 하여, 가공변형층을 제거한 종결정임으로, 열응력의 영향을 받기 어려우며, 따라서 대시네킹 (dash necking)을 하지 않아도 전위가 발생하기 어력운 종결정을 제공할 수가 있다.
또, 종결정은 종래의 종결정 제조공정을 변경하지 않고, 제조할 수가 있어 저가인 종결정의 제조방법을 제공할 수가 있다.
또한, 종결정을 실리콘 단결정제조에 사용하면, 대직경, 대중량의 실리콘 단결정의 제조비용을 대폭으로 저감하는 효과가 나타날 뿐아니라, 종결정직경이 크게 됨으로써, 내하중이 크게 되어 실리콘 단결정육성중에 잉곳의 파단 ㆍ락하하는 사고도 방지해지며, 대직경 ㆍ대중량의 실리콘 단결정제조시의 조업안정성이 과감하게 향상하는 것이다.
Claims (4)
- 초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정을 제조하는 경우에, 사용하는 실리콘 종결정이며, 그 실리콘 종결정을 잘라내는 모재의 실리콘 단결정중의 붕소농도가 4 ×1018atoms/㎤이상, 4 ×1019atoms/㎤이하이며, 또 그 실리콘 종결정을 모재의 실리콘 단결정에서 잘라내어, 연삭, 래핑한 후에 표면에칭을 실시하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정 제조용 종결정.(단, 그 실리콘 종결정의 에칭공정에 있어서, 실리콘 단결정 제조시에 최소한 그 실리콘 종결정이 실리콘융액에 접하는 부분의 에칭량이 다음식 (I)을 만족한다)(수식 1)Y ≥exp(-4.96 ×logA + 18.7)........(I)여기서, Y는 에칭량(㎛), A는 연삭숫돌의 JIS R 6001에 규정되는 입도(#)를 나타낸다.
- 초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정의 제조방법에 있어서, 청구항 1에 기재된 종결정을 사용하여, 대시네킹(dash necking)을 행하지 않고, 실리콘 단결정을 견인성장시키는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
- 초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정의 제조방법에 있어서, 청구항 1에 기재된 종결정을 사용하여, 대시네킹을 행하지 않고, 실리콘 단결정을 견인성장시키는 실리콘 단결정의 제조방법이며, 실리콘융액의 주기 10초이상의 온도변동의 표준편차가 4℃이하를 만족하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
- 초크랄스키법에 의한 실리콘 단결정의 제조방법에 있어서, 청구항 1에 기재된 종결정을 사용하여 그 종결정을 실리콘융액에 일부용해시킨 후에 대시네킹을 행하지 않고, 실리콘 단결정을 견인성장시키는 실리콘 단결정의 제조방법이며, 그 종결정이 융해량이 그 종결정의 직경이상 또 실리콘융액의 주기 10초이상의 온도변동의 표준편차가 4℃이하의 조건을 만족하는 것을 특징으로 하는 실리콘 단결정의 제조방법.
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