CN102061514B - 一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法 - Google Patents
一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102061514B CN102061514B CN 201010529157 CN201010529157A CN102061514B CN 102061514 B CN102061514 B CN 102061514B CN 201010529157 CN201010529157 CN 201010529157 CN 201010529157 A CN201010529157 A CN 201010529157A CN 102061514 B CN102061514 B CN 102061514B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- gas
- zone
- heavy doping
- melting
- single crystal
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 48
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 34
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 34
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 34
- ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N Boron Chemical compound [B] ZOXJGFHDIHLPTG-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 24
- 229910052796 boron Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 24
- 238000004857 zone melting Methods 0.000 title claims abstract description 13
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 title claims abstract description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 73
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 46
- UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N borane Chemical compound B UORVGPXVDQYIDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 34
- 229910000085 borane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 29
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 28
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims abstract description 23
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 17
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 14
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 7
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000002844 melting Methods 0.000 claims description 7
- 230000008018 melting Effects 0.000 claims description 7
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 claims description 6
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 claims description 5
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 238000007664 blowing Methods 0.000 claims description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims description 3
- 238000010899 nucleation Methods 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 abstract description 5
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 abstract description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 abstract 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 4
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 1
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000004435 hydrogen atom Chemical class [H]* 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 239000002210 silicon-based material Substances 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
本发明涉及一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法，包括区熔气相重掺杂和拉晶工艺，区熔气相重掺杂和拉晶工艺中采用的区熔气相重掺杂装置使高浓度的硼烷气体在充入高温的炉膛内的过程中不发生分解，所述区熔气相重掺杂装置包括一个放置于保温桶下方的重掺杂硼烷、氮气和氩气的三路联合进气管道；采用本方法所生产的气相重掺硼区熔硅单晶具有氧含量为1ppm以下，轴向电阻率均匀度为±15％以内，电阻率达到0.004Ω.cm的特点，运用该发明方法生产的重掺硼区熔p型硅单晶很好地满足了国内外瞬态电压抑制器(TVS)对于p型硅衬底材料的要求。
Description
技术领域
本发明涉及硅单晶的生产方法，特别是一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法。
背景技术
瞬态电压抑制器（TVS）对于硅衬底材料有非常严格的要求，需要具备氧杂质含量低、轴向电阻率分布均匀、电阻率低等特点。而目前用直拉法所生产的重掺硅单晶，氧含量高、轴向电阻率分布不稳定，并不适合于TVS器件硅衬底材料的基本要求。如果能采用区熔法来生产重掺硼硅单晶则可以完全满足TVS器件硅衬底材料的要求。硼烷作为区熔常规的掺杂气体，在进行区熔气相重掺杂单晶生产过程中会出现很多的问题。
首先，在重掺杂情况进行拉晶的过程中，掺杂气体的进气管道会堵塞，使得气相掺杂无法进行，这主要是因为，硼烷受热会分解为单质硼和氢气，由于拉晶过程中炉膛温度很高，在硼烷的入气管道的地方硼烷就已分解为单质硼，在重掺杂情况下大量分解的单质硼会堵塞掺杂管道。
其次，运用一般的区熔气掺拉晶工艺进行重掺硼拉晶时，经常会出现大量位错而导致无法成晶的问题。因此，现有掺杂装置很难满足重掺硼硅单晶的制备，同时采用怎样的重掺硼区熔制备方法也是需要解决的难题。
发明内容
鉴于上述所存在的问题，本发明的目的提供一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法，采用硼烷、氮气和氩气的三路联合进气来掺杂气体，通过对氩气的进气流量、硼烷进气流量的控制，用强的氩气气流将受热分解的硼冲开，可以有效地避免掺杂管道口堵塞掺杂管道的问题，完成重掺硼区熔硅单晶制备，并为实现此方法专门设计一种气相重掺杂装置。
本发明是通过这样的技术方案实现的：一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法，包括区熔气相重掺杂和拉晶工艺，其特征在于：所述区熔气相重掺杂和拉晶工艺中采用的区熔气相重掺杂装置使高浓度的硼烷气体在充入高温的炉膛内的过程中不发生分解，所述区熔气相重掺杂装置包括一个放置于保温桶下方的重掺杂硼烷、氮气和氩气的三路联合进气管道；三路联合进气管道包括与其主管道连接的一个硼烷进气管道，一个氩气进气管道和一个氮气进气管道，所述拉晶工艺包括如下次序的步骤：
（1）装炉、抽真空、充氩气；利用纤维纸擦拭炉膛、电磁铜线圈、保温桶、多晶与籽晶夹持器及三路联合进气管道的管口；将多晶硅棒固定在多晶夹持器上；将籽晶装入籽晶夹持器上；关闭炉门，抽真空充氩气，氩气气体流量控制在15±1L/min，抽空后室压力为0.050mbar；
（2）硅棒预热、化料；打开霍廷格（Huettinger）2.5MHz高频功率发生器电源，调节电压设定值到20～30%对硅棒进行预热；待硅棒微红，调节电压设定值到30～50%，启动上转为3～5rpm化料；
（3）充入重掺杂气体硼烷及保护气氮气阶段，充入区熔炉的重掺杂气体，硼烷气体流量和氮气的气体流量之比控制在1:30到1:60之间；
（4）引晶，生长细径：将籽晶与熔区点接触，同时启动上、下部传送装置，调整电压设定值到30～50%，以生长细径；
（5）放肩、等径生长：生长完细颈后开始放肩，调整电压设定值到50～70%放肩到要求的直径后，进行等径生长单晶；
（6）收尾、拉断；
（7）停气、停炉、拆炉；
根据上述方法所生产的气相重掺硼区熔硅单晶具有：
氧含量：1ppm以下；
轴向电阻率均匀度：±15%以内；
电阻率：0.004Ω.cm。
本发明的气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法，由于氩气的进气流量是硼烷进气流量的一百倍以上，这样强的气流可以将受热分解的硼冲开，可以有效地避免掺杂管道口堵塞掺杂管道的问题，另外，将三路联合进气管道的入炉口放置于保温桶的下方，利用保温桶的冷却作用，避免掺杂管道口硼烷就进行分解，同时也使得重掺杂气体硼烷接近熔区，更有利于掺杂。在气相掺杂过程中加入保护气氮气，同时调整了相应的区熔拉晶工艺，保证拉晶的正常进行。利用该重掺杂装置和区熔重掺硼拉晶工艺，可成功地制备气相重掺硼区熔硅单晶。
采用本发明方法所生产的气相重掺硼区熔硅单晶具有氧含量低（1ppm以下）、轴向电阻率均匀（±15%以内）、电阻率低（最低可以达到0.004Ω.cm）等特点。我们运用该发明方法生产重掺硼区熔（p型）硅单晶很好地满足了国内外瞬态电压抑制器（TVS）对于（p型）硅衬底材料的要求。
附图说明
图1是本发明中区熔气相重掺杂装置示意图。
图中：区熔气相重掺杂装置包括：1.硼烷进气管道，2.氩气进气管道，3.氮气进气管道，4.三路联合进气管道，5.保温桶，6.炉膛。
具体实施方式
下面结合附图来描述本发明的一个具体实施例，进一步说明本发明是如何实现的。
所述区熔气相重掺杂装置包括放置于保温桶5下方的重掺杂硼烷、氮气和氩气的三路联合进气管道4；三路联合进气管道4包括连接其主管的硼烷进气管道1，氩气进气管道2，氮气进气管道3，保温桶5和三路联合进气管道4的主管部分置于炉膛6内。
本实施例的工艺过程包括：
1．本实施案例的主要设备及原材料如下：
区熔炉：型号： FZ-30； 掺杂控制器：型号： 0154E；
多晶硅：一级料： 基硼≥9000Ω·cm 基磷 ≥ 900Ω·cm；
高纯氩气：露点：-70℃ 纯度：>99.9993% 氧含量≤1PPma；
氢氟酸：优级纯；
硝酸：优级纯；
硼烷: 纯度：99.999%；
籽晶：检验标准按《硅片检测操作规程》选择。
2．本实施案例主要原材料消耗定额：
拉制1㎏Φ3"合格单晶一次成晶需消耗（美国ASIMI的硅材料）：
多晶硅：1.6kg ；氢氟酸：0.06L；硝酸：0.3L；氩气：1.7m3；
籽晶：每颗单晶1-2颗。
3．以下是气相掺杂区熔硅单晶的生产方法的具体步骤：
（1）装炉、抽空、充氩气：
操作者利用纤维纸擦拭炉膛、电磁铜线圈、保温桶、多晶与籽晶夹持器及三路联合进气管道的管口；将多晶硅棒固定在多晶夹持器上；将籽晶装入籽晶夹持器上；关闭炉室、炉门，拧紧炉门固定螺栓，抽真空、充氩气。在触屏上设定抽空程序设定氩气流量为15L/min，抽空程序包括抽空次数（2次）、抽空后室压力为0.050mbar，抽空时间取决于抽空压力，启动自动抽空至自动抽空结束。
（2）硅棒预热、化料：
打开霍廷格（Huettinger）2.5MHz高频功率发生器电源，调节电压设定值到20～25%对硅棒进行预热；待硅棒微红，调节电压设定值到25～50%，启动上转为3～5rpm化料；
（3）充入重掺杂气体硼烷及保护气氮气：
打开触摸屏上的掺杂开关，充入区熔炉的重掺杂气体硼烷气体流量和氮气的气体流量之比控制在1:40左右。
例： 重掺硼烷气体浓度下拉制Φ3" (76.2mm)，电阻率0.01-0.05Ω.cm单晶。
多晶料：N型〈111〉，电阻率 400Ω.cm，Φ90-100mm
掺杂剂量：硼烷气体流量：50±5mL/min,而充入氮气的气体流量控制在2000±200mL/min。
（4）引晶，生长细径：
将籽晶与熔区点接触，调整电压设定值到30-50%，并确保熔区长度为9～10mm，回熔区的直径在8～9mm。减小功率并停止下部传送，增加下转，停止上部传送，以生长细径。然后不断调节功率以保持恒定的熔区高度(15mm),要不断调节上速以保持恒定的直径。
（5）放肩、线圈偏置、等径生长：生长完细颈后开始放肩，使用上速控制放肩角度，放肩角度应≤60o。用功率的变化控制熔区的形状，调整电压设定值到50-70%放肩到要求的直径后，再进行等径生长单晶；根据上料直径、单晶直径和单晶走速计算上压速度，计算公式如下：Ｖ上＝（Ｄ下／Ｄ上）２×Ｖ下。再根据上料的大小和单晶炉的下部行程定时１～２小时，定时器报警时开始释放夹持器。
（6）收尾、拉断。
当上限位报警时，开始缓慢的降低上速，保持单晶的生长到最后拉断。拉断晶体时逐渐降低上部压速和功率，使单晶直径减小至30mm，拉断晶体。
（7）停气、停炉、拆炉
在触摸屏上关闭掺杂开关，并关闭掺杂气体控制装置。熔区拉断后，进行慢速降温过程。当观察到晶体变黑时，停止加热。当晶体冷却后，打开炉门和下部炉室，取出单晶。
Claims (1)
1.一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法，包括区熔气相重掺杂和拉晶工艺，其特征在于：所述区熔气相重掺杂和拉晶工艺中采用的区熔气相重掺杂装置使高浓度的硼烷气体在充入高温的炉膛内的过程中不发生分解，所述区熔气相重掺杂装置包括一个放置于保温桶下方的重掺杂硼烷、氮气和氩气的三路联合进气管道；三路联合进气管道包括与其主管道连接的一个硼烷进气管道，一个氩气进气管道和一个氮气进气管道，所述拉晶工艺包括如下次序的步骤：
（1）装炉、抽真空、充氩气；利用纤维纸擦拭炉膛、电磁铜线圈、保温桶、多晶与籽晶夹持器及三路联合进气管道的管口；将多晶硅棒固定在多晶夹持器上；将籽晶装入籽晶夹持器上；关闭炉门，抽真空充氩气，氩气气体流量控制在15±1L/min，抽空后室压力为0.050mbar；
（2）硅棒预热、化料；打开霍廷格Huettinger2.5MHz高频功率发生器电源，调节电压设定值到20～30%对硅棒进行预热；待硅棒微红，调节电压设定值到30～50%，启动上转为3～5rpm化料；
（3）充入重掺杂气体硼烷及保护气氮气阶段，充入区熔炉的重掺杂气体，硼烷气体流量和氮气的气体流量之比控制在1:30到1:60之间；
（4）引晶，生长细径：将籽晶与熔区点接触，同时启动上、下部传送装置，调整电压设定值到30～50%，以生长细径；
（5）放肩、等径生长：生长完细颈后开始放肩，调整电压设定值到50～70%放肩到要求的直径后，进行等径生长单晶；
（6）收尾、拉断；
（7）停气、停炉、拆炉；
根据上述方法所生产的气相重掺硼区熔硅单晶具有：
氧含量：1ppm以下；
轴向电阻率均匀度：±15%以内；
电阻率：0.004Ω.cm。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010529157 CN102061514B (zh) | 2010-11-03 | 2010-11-03 | 一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| CN 201010529157 CN102061514B (zh) | 2010-11-03 | 2010-11-03 | 一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102061514A CN102061514A (zh) | 2011-05-18 |
| CN102061514B true CN102061514B (zh) | 2012-03-28 |
Family
ID=43997013
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN 201010529157 Active CN102061514B (zh) | 2010-11-03 | 2010-11-03 | 一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| CN (1) | CN102061514B (zh) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102808216A (zh) * | 2012-08-22 | 2012-12-05 | 北京京运通科技股份有限公司 | 一种区熔单晶硅生产工艺方法及区熔热场 |
| CN105177699A (zh) * | 2015-10-19 | 2015-12-23 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种提高区熔硅单晶轴向与径向电阻率均匀性的反射环 |
| CN108411357A (zh) * | 2018-04-13 | 2018-08-17 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 一种提高区熔气相掺杂稳定性的掺杂装置及方法 |
| CN109696345A (zh) * | 2019-01-31 | 2019-04-30 | 内蒙古通威高纯晶硅有限公司 | 一种磷硼检样棒头部预热拉晶方法 |
Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003192488A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-09 | Wacker Nsce Corp | シリコン単結晶製造用種結晶及びシリコン単結晶の製造方法 |
| CN1519398A (zh) * | 2003-09-02 | 2004-08-11 | 浙江大学 | 一种具有晶格补偿的重掺硼硅单晶衬底 |
| JP2006052133A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Siltronic Ag | シリコンからなるドーピングされた半導体ウェーハを製造する方法およびこの種の半導体ウェーハ |
| CN101168850A (zh) * | 2006-09-05 | 2008-04-30 | 株式会社Sumco | 硅单晶的制造方法及硅片的制造方法 |
| CN101713099A (zh) * | 2008-10-08 | 2010-05-26 | 天津希力斯新能源技术研发有限公司 | 一种太阳能电池用硅片 |
-
2010
- 2010-11-03 CN CN 201010529157 patent/CN102061514B/zh active Active
Patent Citations (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2003192488A (ja) * | 2001-12-20 | 2003-07-09 | Wacker Nsce Corp | シリコン単結晶製造用種結晶及びシリコン単結晶の製造方法 |
| CN1519398A (zh) * | 2003-09-02 | 2004-08-11 | 浙江大学 | 一种具有晶格补偿的重掺硼硅单晶衬底 |
| JP2006052133A (ja) * | 2004-08-12 | 2006-02-23 | Siltronic Ag | シリコンからなるドーピングされた半導体ウェーハを製造する方法およびこの種の半導体ウェーハ |
| CN101168850A (zh) * | 2006-09-05 | 2008-04-30 | 株式会社Sumco | 硅单晶的制造方法及硅片的制造方法 |
| CN101713099A (zh) * | 2008-10-08 | 2010-05-26 | 天津希力斯新能源技术研发有限公司 | 一种太阳能电池用硅片 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN102061514A (zh) | 2011-05-18 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101979719B (zh) | 一种气相重掺磷区熔硅单晶的生产方法 | |
| CN102912424B (zh) | 提高直拉单晶硅轴向电阻率均匀性的方法及得到的单晶硅 | |
| CN101805925B (zh) | 太阳能电池用掺镓铟单晶硅材料及其制备方法 | |
| CN1325702C (zh) | 区熔气相掺杂太阳能电池硅单晶的生产方法 | |
| CN102061514B (zh) | 一种气相重掺硼区熔硅单晶的制备方法 | |
| US20070056504A1 (en) | Method and apparatus to produce single crystal ingot of uniform axial resistivity | |
| CN102260900B (zh) | 提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置及其处理工艺 | |
| CN101560693A (zh) | 一种含有掺杂元素的太阳能级硅晶体的制备方法 | |
| CN108138354A (zh) | 生产被挥发性掺杂剂掺杂的单晶锭的方法 | |
| CN101435105A (zh) | 低含氧量硅晶体的制备方法 | |
| CN104532345A (zh) | 一种多晶硅铸锭的制造方法及其多晶硅铸锭 | |
| CN105063744A (zh) | 硅单晶拉制方法 | |
| CN102560646B (zh) | 一种掺杂电阻率均匀的n型铸造硅单晶及其制备方法 | |
| CN1254565C (zh) | 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 | |
| CN106283180A (zh) | 多晶硅的制造方法以及单晶硅的制造方法 | |
| CN112795979A (zh) | 一种单晶硅制备方法及装置 | |
| JPH09227275A (ja) | ドープ剤添加装置 | |
| CN1289722C (zh) | 用于重掺直拉硅单晶制造的掺杂方法及其掺杂漏斗 | |
| CN101173369A (zh) | 一种改进的生长掺杂硅单晶体的方法及其装置 | |
| CN202144523U (zh) | 一种提高单晶硅纵向电阻率一致性的装置 | |
| CN101306817A (zh) | 重掺硅中磷、砷、锑、硼的去除方法及其装置 | |
| CN114059173B (zh) | 一种制备氧化镓料棒的装置及方法 | |
| CN108588816A (zh) | 低阻单晶硅掺杂方法 | |
| CN102534749A (zh) | 用直拉区熔法制备6英寸n型太阳能硅单晶的方法 | |
| CN212174463U (zh) | 制备区熔用电子级多晶硅的系统 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20181213 Address after: 300384 Tianjin Binhai New Area high tech Zone Huayuan Industrial Area (outside the ring) Hai Tai Road 12 Patentee after: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 300384 Tianjin Huayuan Industrial Park (outside the ring) 12 East Hai Tai Road Patentee before: TIANJIN HUANOU SEMICONDUCTOR MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20191223 Address after: 214200 Dongfen Avenue, Yixing Economic and Technological Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province Co-patentee after: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. Patentee after: Zhonghuan leading semiconductor materials Co.,Ltd. Address before: 300384 in Tianjin Binhai high tech Zone Huayuan Industrial Zone (outer ring) Haitai Road No. 12 Patentee before: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| CP03 | Change of name, title or address |
Address after: 214200 Dongjia Avenue, Yixing Economic and Technological Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee after: Zhonghuan Leading Semiconductor Technology Co.,Ltd. Country or region after: China Patentee after: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. Address before: 214200 Dongjia Avenue, Yixing Economic and Technological Development Zone, Wuxi City, Jiangsu Province Patentee before: Zhonghuan leading semiconductor materials Co.,Ltd. Country or region before: China Patentee before: TIANJIN ZHONGHUAN ADVANCED MATERIAL TECHNOLOGY Co.,Ltd. |
|
| CP03 | Change of name, title or address |