JP3760889B2 - エピタキシャルウェーハの製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、シリコン単結晶の育成過程で窒素をドープし、育成された単結晶インゴットからシリコンウェーハを切り出して、エピタキシャル成長処理をする前に、得られたウェーハに所定の熱処理を施し、その後のエピタキシャル成長処理を行うことによって、高いゲッタリング能力を有するエピタキシャルウェーハの製造方法に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
現在では、シリコン半導体の集積回路素子(デバイス)の集積高密度化の傾向は、急速に進行しており、デバイスを形成させるシリコンウェーハの品質への要求は、ますます厳しくなっている。すなわち、集積が高密度化するほど回路は繊細となるので、ウェーハ上でのデバイスが形成されるいわゆるデバイス活性領域においては、リーク電流の増大やキャリアのライフタイム短縮原因となる、転位などの結晶欠陥およびドーパント以外の金属系元素の不純物は、これまでよりはるかに厳しく制限される。
従来から、半導体のデバイス用としては、チョクラルスキー法(以下、「CZ法」という)によって引上げられたシリコン単結晶から切り出されたウェーハ(以下、「CZウェーハ」という)が用いられてきた。このウェーハには、過飽和の格子間酸素が1018atoms/cm3程度含まれている。酸素は転位の発生防止によるウェーハの強度向上や、ゲッタリング効果などの有用な効果もあるが、一方においては酸化物となって析出し、デバイス形成時の熱履歴によって、転位や積層欠陥などの結晶欠陥をもたらすこともよく知られている。
【0003】
ところが、デバイス製造の過程で、フィールド酸化膜のLOCOSによる形成やウエル拡散層の形成に、1100〜1200℃の高温で数時間保持されるため、ウェーハ表面近傍では格子間酸素の外方拡散によって、表面近傍数十μmには結晶欠陥のないDZ層(denuded zone)が形成される。このDZ層がデバイス活性領域となるので、結晶欠陥の少ない状態がもたらされていた。
【0004】
ところが、集積の高密度化による微細化に伴い、ウエル形成に高エネルギーイオン注入法が採用され、デバイスの製造が1000℃以下で処理されるようになると、上述の酸素の拡散が充分に起こらず、表面近傍でのDZ層の形成が困難になる。そこで、ウェーハの低酸素化が進められたが、結晶欠陥は十分には抑制できず、酸素低減によるウェーハの性能劣化も生じ、満足すべき結果は得られなかった。このため、シリコンウェーハ上に、結晶欠陥をほとんど含まないSiのエピタキシャル層を成長させた、エピタキシャルウェーハが開発され、高集積度デバイスに多く用いられるようになっている。
【0005】
ところが、結晶の完全性が高いエピタキシャルウェーハを用いても、その後のデバイスの製造工程におけるエピタキシャル膜の金属系元素の不純物による汚染は、集積が高密度化するほどデバイスプロセスも複雑になって、不純物汚染の機会が増し、影響も大きくなってくる。
【0006】
この不純物汚染の対処手段としてゲッタリング方法があり、これは、汚染により侵入してきた不純物元素をデバイス活性領域外の場所(シンク)に集め、無害化する手段である。ゲッタリング技術として、デバイスプロセスでの熱処理中に誘起される酸素起因の結晶欠陥(BMD:Bulk Micro Defect )をシンクとするイントリンシックゲッタリング(IG:intrinsic gettering)とよばれるものがある。
【0007】
しかしながら、エピタキシャルウェーハの場合、エピタキシャル層形成の工程で、1050〜1200℃の高温になるため、ウェーハ中の微小欠陥の核となるべき酸素析出物が縮小、消滅し、その後のデバイスプロセスにおいて、ウェーハ内にゲッタリング源となるBMDを充分に誘起することが困難になる。特に、前述のように、デバイスプロセスが低温化すると、酸素析出物の成長が遅くなり、デバイスプロセスの初期だけでなく、デバイスプロセスの全体にわたって金属不純物に対して充分なゲッタリング効果が望めないという問題が生じる。
【0008】
このため、ゲッタリング方法として、イクストリンシックゲッタリング(EG:extrinsic gettering)も併用されてきた。この方法は、ウェーハのデバイスを形成させる面の裏面側にサンドブラスト、研削、レーザー照射、イオン打ち込み、あるいはSi3N4膜や多結晶Si膜の成長など、外的要因によって歪みを与え結晶欠陥を導入するものである。このため、EG法を併用することによって、工程数の増加に伴うコストの問題の他に、歪み層からシリコン片が剥がれることによるパーティクルの発生や、多結晶シリコン膜の成長によるフラットネスの劣化といった問題がある。
【0009】
上述の問題に対応するため、EGの併用に頼らず、IG能力そのものを向上させるための方法として、酸素析出を促進させる不純物を単結晶の育成時に、ドープする方法が提案されている。例えば、特開平11−189493号公報では、酸素析出を促進させゲッタリング能力を付与させる元素として窒素を選択し、窒素濃度で1×1013atoms/cm3以上ドープすることによって、高温処理であるエピタキシャル工程でも消滅しがたい、安定した析出物をウェーハ内に形成する方法を提案している。
【0010】
しかしながら、提案された方法に基づいて、窒素を1×1013atoms/cm3以上の所定濃度でドープすると、育成された単結晶インゴットのトップ部からテール部に向かって窒素が偏析し、単結晶インゴットの全長にわたり窒素濃度が変化する。これにともなって、ゲッタリング能力に影響を及ぼすBMD密度が変化するため、単結晶インゴットのトップ部からテール部まで、均一なゲッタリング能力を期待することができない。
【0011】
さらに、ゲッタリング能力を向上させる方法として、特開2000−44389号公報では、窒素を1×1010〜5×1015atoms/cm3ドープしたCZウェーハを用いて、エピタキシャル成長処理前に、900℃からシリコンの融点以下の温度、望ましくは1100℃から1250℃の温度で熱処理する方法が提案されている。この方法によれば、エピタキシャル層内の欠陥発生を抑制することができるとともに、ゲッタリング効果を得ることができるとしている。しかし、ここで提案された方法であっても、育成された単結晶インゴットのトップ部からテール部に向かって発生する窒素の偏析に対して考慮されておらず、単結晶インゴット全体にわたって均一なゲッタリング能力を得ることは困難である。
【0012】
【発明が解決しようとする課題】
本発明は、CZ法による育成の際の窒素偏析に起因して、単結晶インゴットから切り出される位置により、エピタキシャルウェーハ中のゲッタリング能力が異なるという問題に鑑みてなされたものであり、単結晶インゴットから切り出された位置に拘わらず、いずれのウェーハであっても、均一で高い水準のゲッタリング能力を有し、かつエピタキシャル層の欠陥の発生を抑制できるエピタキシャルウェーハの製造方法を提供することを目的としている。
【0013】
【課題を解決するための手段】
本発明は、下記の(1)〜(3)のエピタキシャルウェーハの製造方法を要旨としている。
(1) 窒素を1×1013atoms/cm3以上ドープして育成したシリコン単結晶インゴットから切り出したシリコンウェーハに700℃以上900℃未満の温度で15分から4時間の処理時間で熱処理を施した後、ウェーハ表面にエピタキシャル成長処理した場合に、前記単結晶インゴットから切り出されるウェーハの位置に拘わらず、酸素析出物の密度が3×10 4 個/cm 2 以上であることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法である。さらに、シリコンウェーハ中の酸素濃度を11×1017atoms/cm3以上にするのが望ましい。
(2) 上記(1)のエピタキシャルウェーハの製造方法では、700℃以上900℃未満の温度で15分から4時間の処理時間での熱処理をウェーハの鏡面研磨工程前に行うこと、さらには、この熱処理を酸素と不活性ガスの混合雰囲気で行うことが望ましい。
(3) 上記(1)での単結晶インゴットの育成に際し、テール部形成時の引き上げ速度を直胴部の引き上げ速度より速めることがないようにすること、または、単結晶インゴットの直胴部とテール部の境界から200mmまでの直胴部領域において、1050℃から700℃までの冷却速度を2.5℃/分以下にすることが望ましい。
【0014】
上述した本発明が完成に至ったのは、種々の検討結果に基づくものであり、その検討結果から得られた知見について、以下に、詳細に説明する。
酸素含有に起因する結晶の微細欠陥に、酸化誘起積層欠陥(Oxidation-induced stacking fault:以下単に「OSF」と言う)がある。これはデバイス製造プロセスの高温の熱酸化処理の際、酸化膜の下地結晶に発生する積層欠陥である。
【0015】
前述の通り、CZ法によって育成された単結晶インゴットは酸素を含有するもであるから、これから切り出されたウェーハは、1000〜1200℃で1〜20時間の熱酸化処理を施すことにより、ウェーハの結晶面にリング状の酸化誘起積層欠陥( ring likely distributed oxidation-induced stacking faults :以下、「OSFリング」という)が発生する場合がある。
【0016】
OSFは、1200℃以上の高温でも消滅し難い安定な酸素析出物を核として、上記1000〜1200℃での熱酸化処理により誘起される。この熱酸化処理を施した場合に、ウェーハ面内にOSFの発生が想定されるリング状の領域を、ここでは「潜在的OSFリング」と呼ぶことにする。この潜在的OSFリングを含むウェーハの表面にSiのエピタキシャル層を形成させると、リング領域の酸素析出物核は消失せず、エピタキシャル層形成後のデバイスプロセスでBMDを形成して、効果的なゲッタリング能力を発揮する。
【0017】
通常、OSFリングは数〜10数mmの幅を有するが、単結晶の育成時に窒素をドープすることにより、OSFリングの幅を拡大することができる。そして、この単結晶インゴットから切り出されたウェーハは、良好なゲッタリング能力を発揮する。
【0018】
しかしながら、OSFの核である酸素析出物の密度は、窒素濃度に依存する。さらに、単結晶インゴットに含有される窒素は、融液からの偏析係数にしたがって単結晶中に導入される。このため、インゴットのトップ部とテール部では必然的に窒素濃度が変化し、BMD密度もそれに応じて変化する。換言すると、単結晶インゴットの窒素濃度は、トップ部からテール部に向かって増加し、それに伴いゲッタリング能力が変動するため、ウェーハに切り出す単結晶インゴット位置によりゲッタリング能力が異なることになる。
【0019】
CZウェーハを使用する場合に、エピタキシャル成長処理前に700℃以上900℃未満の温度でウェーハに熱処理を施すことによって、小さな析出核の成長を促進させることができる。したがって、この熱処理がなければ高温のエピタキシャル成長処理によって消滅してしまうような析出核も、この熱処理で成長させることによって、エピタキシャル成長処理によっても消滅せず残留する析出物の核密度を増大させることができる。
【0020】
この熱処理を実施する際には、熱処理にともなって発生する表面疵、例えば、被熱処理材であるウェーハを積載するウェーハボートによる疵を残さないようにするため、エピタキシャル処理を行うウェーハの鏡面研磨工程の前に行うことが望ましい。
【0021】
エピタキシャル成長処理前に実施される熱処理は、エピタキシャル工程でも消滅し難い酸素析出物を形成することが目的である。しかし、熱処理時間が4時間を超えると、析出物がエピタキシャル層まで突き抜け、エピタキシャル層の欠陥を誘起しやすくなる。このため、熱処理時間は4時間以下にする。
【0022】
また、熱処理時には炉からの汚染が発生する恐れがあるが、そのウェーハの汚染防止を図るためには、ウェーハの保護膜として酸化膜を形成するのが有効である。このため、熱処理の雰囲気として、酸素と不活性ガスの混合雰囲気を用いるのが望ましい。
【0023】
さらに、ウェーハの鏡面研磨工程前に上記の熱処理を実施すれば、ウェーハ表面に形成された酸化膜は、鏡面研磨工程にて除去される。このため、酸化膜を取り除くための特別な工程として、例えば、沸酸(HF)による酸化膜の除去工程を必要としない。
【0024】
エピタキシャル成長処理前に実施される熱処理のうち、上限の900℃近傍で処理した場合、単結晶インゴットのテール部に近い直胴部におけるBMD密度が、それ以外の部分に比べ小さくなる。これは、一般的なCZ法では、単結晶インゴットのテール部形成に移行する際の引き上げ速度を、それ以前の直胴部(ボディー部)の引き上げ速度の1.1〜1.3倍の高速にして、テール部の形成に移行することが原因である。
【0025】
すなわち、引き上げ速度を速くすることによって、テール部形成に移行する直胴部において急冷されることによる。該当する直胴部位では、酸素析出核が形成する温度領域である1050℃から700℃を通過する時間が、他の直胴部位に比べ、短時間になるため、酸素析出物核の形成が阻害されるためである。
【0026】
単結晶インゴットのテール部の形成は、引き上げ速度の調整によらず、融液温度を高めてテール部を絞り込むことによっても行うことができる。したがって、単結晶インゴットのテール部形成に移行する際の引き上げ速度を速めることなく、融液温度を増大させて、テール部を形成すれば、テール部に近い直胴部においても酸素析出物の増大が図れ、BMD密度を均一にすることができる。
【0027】
【発明の実施の形態】
シリコン単結晶に窒素を単独でドープする場合に、窒素ドープ量を1×1013atoms/cm3以上とするのは、これより窒素量が少ない場合、OSFリングの幅の拡大が不十分で、ゲッタシンクのウェーハ内均一分散が得られないためである。また、ドープ量の上限は特には規制しないが、多くなりすぎると多結晶になりやすくなるので、4.5×1015atoms/cm3程度までとするのが望ましい。
【0028】
ドープの方法としては、所要濃度の窒素をドープできるのであれば、どんな方法でもよく、特に従来例の少ない窒素ドープについて言えば、原料中あるいは融液中への窒化物の混合、窒素を添加したフローティングゾーン法(FZ法)によるシリコン結晶や表面に窒化珪素膜を形成させたウェーハの原料への混合、炉内への窒素あるいは窒素化合物ガスを流しながらの単結晶育成、溶融前の高温にて多結晶シリコンへの窒素あるいは窒素化合物ガスの吹き付け、窒化物製るつぼの使用等があげられる。
【0029】
上記の窒素をドープした単結晶をスライスし、表面を研磨清浄化後エピタキシャル層を形成させ、ウェーハを作製するが、気相成長法の熱分解法など、結晶欠陥のないエピタキシャル層の形成方法であればどんな方法でも良い。
【0030】
【実施例】
本発明の効果を明らかにするため、実施例1および2に基づいて説明する。
(実施例1)
CZ法によって、窒素をドープした100kgの原料シリコンの溶液から、直胴部の直径が200mmで、酸素濃度が13×1017atoms/cm3(old ASTM、1976)、および抵抗率が0.1Ωcmであるp型(100)の単結晶インゴットを育成した。さらに、この単結晶インゴットの各部位から切り出してCZウェーハを作製した。
【0031】
得られたCZウェーハを鏡面研磨仕上げして、直ちにエピタキシャル成長処理する場合と、CZウェーハを鏡面研磨仕上げして880℃で1時間の熱処理を施した後にエピタキシャル成長処理する場合とに区分した。
【0032】
また、880℃で1時間の熱処理を施した後にエピタキシャル成長処理する場合には、単結晶インゴットのテール部形成において、引き上げ速度は直胴部の引き上げ速度と同じとし、融液温度の上昇によりテール部を形成した場合を加えた。
【0033】
エピタキシャル成長処理は、枚葉式エピタキシャル成長装置(ASM社製:イプシロン)を使用し、堆積温度を1150℃として、厚み約5μmのエピタキシャル層をウェーハ表面上に成長させた。得られたエピタキシャルウェーハは、デバイスプロセスでの熱履歴を模した酸素雰囲気中で1000℃にて16時間の評価熱処理を施した。その後、ウェーハ断面をライトエッチング液で5分間の選択エッチングをおこない、光学顕微鏡で断面のBMD密度を測定した。
【0034】
図1には、単結晶インゴット直胴部の各部位から得られたエピタキシャルウェーハの窒素濃度と、評価熱処理後のウェーハ断面におけるBMD密度との関係を示す図である。CZウェーハを直ちにエピタキシャル成長処理したウェーハでは、窒素濃度の増加に伴い、BMD密度が増大している。このBMD密度の増大は、ウェーハ中に導入される窒素濃度が単結晶インゴットのトップ部からテール部に向かって高まることに起因しており、単結晶インゴットからの切り出し位置によって、エピタキシャルウェーハのゲッタリング能力が変化することを示している。
【0035】
一方、エピタキシャル成長処理前に880℃で1時間の熱処理を施したウェーハでは、単結晶インゴットのトップ部においてBMD密度が1×105個/cm2以上に増大しており、さらにテール部においてもBMD密度が3×10 4 個/cm 2 以上確保することができ、単結晶インゴットの全長にわたってゲッタリング能力が高い水準にあることがわかる。
【0036】
このようなゲッタリング能力を有することは、デバイスプロセス初期から高いゲッタリング能力が要求されるデバイスにおいて有効である。しかも、エピタキシャル成長処理前に880℃で1時間の熱処理を施すことにより、単結晶インゴットからの切り出し位置に拘わらず、一定のゲッタリング能力を有したエピタキシャルウェーハを得ることができる。
【0037】
さらに、テール部近傍の直胴部でのBMD密度を比較すると、CZウェーハを直ちにエピタキシャル成長処理した場合には、BMD密度の低下が著しい。また、880℃で1時間の熱処理を施した後にエピタキシャル成長処理する場合であっても、単結晶インゴットのテール部形成において、引き上げ速度を直胴部の引き上げ速度と同じとし、融液温度の上昇によりテール部を形成しなければ、テール部近傍の直胴部でのBMD密度の低下が観察される。このBMD密度の低下は、直胴部とテール部の境界から200mmまでの直胴部の領域において観察されることが判明した。
【0038】
それぞれのテール部近傍の直胴部での冷却速度を比較すると、単結晶インゴットのテール部形成において、引き上げ速度を直胴部の引き上げ速度と同じとし、融液温度の上昇によりテール部を形成した場合には、1050℃から700℃までの冷却速度は2.5℃/minであったのに対し、この処理をしなかった場合には、冷却速度は3.0℃/分であった。テール部近傍の直胴部でのBMD密度の均一化には、融液温度の上昇によりテール部を形成することが望ましい。
【0039】
(実施例2)
実施例2では、窒素濃度を2×1013atoms/cm3とし、酸素濃度を3水準(11×1017atoms/cm3、13×1017atoms/cm3、15×1017atoms/cm3、old ASTM、1976)に変化させたCZウェーハを使用した。得られたウェーハに650℃〜1100℃の温度範囲で0.5〜4時間の熱処理を施して、鏡面研磨処理を施した後、実施例1と同様の条件でエピタキシャル成長処理をして、その後、酸素雰囲気中で1000℃/16hrの評価熱処理、ライトエッチおよび顕微鏡観察を実施し、ウェーハ断面のBMD密度を評価した。
【0040】
さらに、市販の面欠陥検出器(Tenchor社製:SP1)を用い、エピタキシャル層内のサイズ0.09μm以上の欠陥の発生状況を欠陥密度で観察を行った。実施例2での、製造条件および評価結果を表1に示す。
【0041】
【表1】
【0042】
表1の結果に基づいて、熱処理の処理時間を比較すると、ウェーハに880℃で1.0時間の熱処理を施した場合(本発明例3〜5)には、酸素濃度が11×1017/cm3と低くても(本発明例3)、BMD密度は105個/cm2以上になっている。また、処理時間が1時間未満で処理する場合(本発明例1〜2)でも、酸素濃度が13×10 17 /cm 3 程度(本発明例1)であれば、BMD密度は10 5 個 / cm 2 以上になっている。
【0043】
また、エピタキシャル層の欠陥密度は、酸素濃度および熱処理時間にともなって増大しており、酸素濃度15×1017/cm3のように高い濃度は選択しない方が望ましいことが分かる。
【0044】
さらに、880℃の熱処理において処理時間が4時間では(本発明例6〜8)、エピタキシャル層の欠陥密度が急激に増大しており、処理時間は4時間未満にするのが望ましい。熱処理温度が600℃以下では(比較例2〜4)、BMD密度は増加せず、700℃の熱処理で処理時間を4時間にすることによって(本発明例9〜11)、BMD密度は3〜7×104個/cm2となっている。
【0045】
一方、熱処理温度が1100℃と高すぎても(比較例5〜7)、析出物密度は増大しない。したがって、エピタキシャル成長処理前に施す熱処理は、880℃程度と比較的高い温度で、しかも酸素濃度を13×1017atoms/cm3程度を含有させたウェーハに、処理時間が1時間未満で処理するのが望ましい。
【0046】
【発明の効果】
本発明の製造方法によれば、所定の窒素濃度を含有させ、熱処理を施した後、エピタキシャル成長処理することによって、単結晶インゴットから切り出されるウェーハの位置に拘わらず、ほぼ一定で高い水準のゲッタリング能力を有するエビタキシャルウェーハを製造することができ、しかも、エビタキシャル層内の欠焔発生を抑制することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】単結晶インゴット直胴部の各部位から得られたエピタキシャルウェーハの窒素濃度と、評価熱処理後のウェーハ断面におけるBMD密度との関係を示す図である。
Claims (6)
- 窒素を1×1013atoms/cm3以上ドープして育成したシリコン単結晶インゴットから切り出したシリコンウェーハに700℃以上900℃未満の温度で15分から4時間の処理時間で熱処理を施した後、ウェーハ表面にエピタキシャル成長処理した場合に、
前記単結晶インゴットから切り出されるウェーハの位置に拘わらず、酸素析出物の密度が3×10 4 個/cm 2 以上であることを特徴とするエピタキシャルウェーハの製造方法。 - シリコンウェーハ中の酸素濃度が11×1017atoms /cm3以上であることを特徴とする請求項1に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 700℃以上900℃未満の温度で15分から4時間の処理時間での熱処理をウェーハの鏡面研磨工程前に行うことを特徴とする請求項1または2に記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 上記熱処理を酸素と不活性ガスの混合雰囲気で行うことを特徴とする請求項1〜3のいずれかに記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 上記単結晶インゴットの育成に際し、テール部形成時の引き上げ速度を直胴部の引き上げ速度より速めることがないことを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
- 上記単結晶インゴットの育成に際し、単結晶インゴットの直胴部とテール部の境界から200mmまでの直胴部領域において、1050℃から700℃までの冷却速度が2.5℃/分以下であることを特徴とする請求項1〜4のいずれかに記載のエピタキシャルウェーハの製造方法。
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