KR20030044829A - 와이어 본딩장치 - Google Patents

와이어 본딩장치 Download PDF

Info

Publication number
KR20030044829A
KR20030044829A KR1020020074704A KR20020074704A KR20030044829A KR 20030044829 A KR20030044829 A KR 20030044829A KR 1020020074704 A KR1020020074704 A KR 1020020074704A KR 20020074704 A KR20020074704 A KR 20020074704A KR 20030044829 A KR20030044829 A KR 20030044829A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
wire
discharge electrode
electrode
tip
ball
Prior art date
Application number
KR1020020074704A
Other languages
English (en)
Other versions
KR100521893B1 (ko
Inventor
모리타나오키
Original Assignee
가부시키가이샤 신가와
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 가부시키가이샤 신가와 filed Critical 가부시키가이샤 신가와
Publication of KR20030044829A publication Critical patent/KR20030044829A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100521893B1 publication Critical patent/KR100521893B1/ko

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • B23K20/005—Capillary welding
    • B23K20/007—Ball bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78268—Discharge electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01004—Beryllium [Be]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01082—Lead [Pb]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

불꽃의 경로를 보정함으로써 안정한 볼 형성을 실현한다. 방전전극에의 오물의 부착을 억제한다.
와이어(2)의 선단과 방전전극(3)의 선단에 끼워진 영역을 둘러싸도록, 부전극(4a,4b,4c,4d)을 배치한다. 부전극(4a,4c)으로부터의 전계에 의해, 불꽃(8)에 있어서의 와이어(2)측의 단부를, 와이어(2)에 있어서의 캐필러리(1)로부터 돌출하는 부분의 축선상으로 유도할 수 있어, 불완전한 볼 형성을 방지할 수 있다. 부전극(4b,4d)으로부터의 전계에 의해서, 불꽃(8)에 있어서의 방전전극(3)측의 단부를, 방전전극(3)의 축선상으로 유도할 수 있어, 불꽃(8)에 있어서의 방전전극(3)측의 단부의 위치가 방전전극(3)의 선단으로부터 근원측으로 어긋나는 것에 의한 불안정한 볼 형성을 방지할 수 있다. 부전극(4b)으로부터의 전계의 작용에 의해서, 전리된 이온을 흡착할 수 있다.

Description

와이어 본딩장치{WIRE BONDING APPARATUS}
본 발명은 와이어 본딩장치에 관한 것으로, 특히, 와이어의 선단과 방전전극과의 사이에 고전압을 인가하여 방전시키고, 와이어의 선단에 볼을 형성하는 것에 관한 것이다
와이어 본딩장치에서는, 캐필러리로부터 돌출하는 와이어의 선단과, 캐필러리로부터 이간하여 설치되고 와이어의 선단과의 사이에 불꽃을 발생시키는 방전전극을 구비하고, 불꽃에 의해 와이어의 선단을 용융하여 볼을 형성하고, 이 볼을 전극 등의 소정의 대상에 본딩한다.
이런 종류의 방전을 이용한 장치에는, 방전전극을 고정으로 한 고정형 방전전극 방식과, 솔레노이드 등으로, 필요에 따라서 방전전극을 이동시키는 가동형 방전전극 방식이 있다. 고정형 방전전극 방식으로서는, 예를 들면 일본 특개평 7-263480호 공보를 들 수 있다. 가동형 방전전극 방식으로서는, 예를 들면 일본 특개평 5-36748호 공보, 일본 특개평 5-102233호 공보, 일본 특개평 7-176560호 공보등을 들 수 있다.
고정형 방전전극 방식에서는, 방전전극을 와이어의 선단에 가능한 한 근접시키고, 또한 캐필러리가 하강했을 때에 접촉하지 않도록 하기위해서, 방전전극은 와이어 선단의 측방에 배치된다. 가동형 방전전극 방식은, 와이어 선단의 바로 아래에 방전전극을 위치시키고, 방전시켜서 볼을 형성하는 것이기때문에, 볼 형성후에는 방전전극을 캐필러리의 하방으로부터 퇴피시킨다.
고정형 방전전극 방식은, 가동형 방전전극 방식에 대하여 방전전극을 구동하는 구동부 및 제어부가 불필요하다. 이 때문에, 본딩헤드 전체의 경량화를 도모할 수 있고, 고속화가 용이해짐과 동시에, 장치의 저렴화 및 관리유지를 용이하게 할 수 있다는 우수한 특징을 가지고 있다.
그러나, 고정형 방전전극 방식에서는, 도 4에 나타낸 바와 같이, 캐필러리(101)에 삽입 통과된 와이어(102)의 선단의 측방에 방전전극(103)이 배치되어 있기때문에, 방전을 하면, 불꽃(108a,108b,108c)은 와이어(102)의 측방으로부터 와이어(102)를 향하여 방전하므로, 와이어(102)의 선단이 용융하여 생긴 볼(107a,107b,107c)은 불꽃(106a,106b,106c)의 방향으로부터 용융하여, 도 4(b)에 나타낸 바와 같이 와이어(102)의 축심으로부터 편심된 또는 변형된 볼(107d)이 된다.
또 방전전극(103)의 선단부에, 방전후의 이온 등의 오물이 부착되어 있으면, 방전은 불꽃(108c)과 같이 방전전극(103)의 측면으로부터 행하여지게 된다. 이 경우, 와이어(102)는 볼(107c)의 위치로부터 용융되기 시작하므로, 와이어(102)가 도중에서 끊어져버려 볼이 생기지 않거나, 또는 극소한 볼이 생겨버리게 된다. 또, 와이어(102)가 도중에 끊어지지 않아도, 도 4(c)와 같은 일그러진 형상의 볼(107e)이 생겨버리면, 볼 직경의 차이의 원인이 된다.
그래서 본 발명의 목적은, 불꽃의 경로를 보정함으로써 안정된 볼 형성을 실현할 수 있고, 또 방전전극에의 오물의 부착도 억제할 수 있는 수단을 제공하는 것에 있다.
도 1은 본 발명의 실시형태의 와이어 본딩장치를 나타내는 정면도,
도 2는 실시형태의 와이어 본딩장치를 나타내는 평면도,
도 3의 (a)는 실시형태의 작용을 나타내는 정면도, (b)는 형성된 볼을 나타내는 정면도,
도 4의 (a)는 본 발명에 의한 개량전의 장치의 작용을 나타내는 정면도, (b) 및 (c)는 그 장치에 의해 형성된 볼을 나타내는 정면도이다.
(부호의 설명)
1,101 캐필러리
2,102 와이어
3,103 방전전극
4a,4b,4c,4d 부전극
5 제어부
6 증폭부
7a,7b,7c,7d,107a,107b,107c,107d,107e 볼
8,8a,8b,8c,108a,108b,108c 불꽃
10 카메라
(과제를 해결하기 위한 수단)
제 1의 본 발명은, 캐필러리로부터 돌출하는 와이어의 선단과, 상기 캐필러리로부터 이간하여 설치되고 상기 와이어의 선단과의 사이에 방전에 의한 불꽃을 발생시키는 방전전극을 구비하고, 상기 불꽃에 의해 상기 와이어의 선단을 용융하여 볼을 형성하고, 그 볼을 소정의 대상에 본딩하는 와이어 본딩장치로서, 상기 와이어의 선단과 상기 방전전극의 선단 사이의 소정영역에 작용할 전계를 발생시키는 부전극을 더 구비하고, 상기 부전극에 의해 발생하는 전계에 의해, 상기 불꽃의 경로를 보정하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩장치이다.
제 1의 본 발명에서는, 캐필러리로부터 돌출하는 와이어의 선단과, 방전전극의 사이에 생긴 불꽃의 경로가, 부전극에 의해 생기는 전계에 의해 보정되므로, 불꽃의 경로의 치우침에 기인한 불완전한 볼 형성을 방지할 수 있다. 또 부전극의 작용에 의한 이물의 흡착에 의해, 방전전극에의 오물의 부착도 억제할 수 있다.
제 2의 본 발명은, 제 1의 본 발명의 와이어 본딩장치로서, 상기 방전전극이, 상기 캐필러리의 이동경로 외에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩장치이다.
제 2의 본 발명에서는, 제 1의 본 발명에 의한 효과를 특히 적합하게 실현할 수 있다.
제 3의 본 발명은, 제 1 또는 제 2의 본 발명의 와이어 본딩장치로서, 상기부전극에 의해 생기는 전계에 의해, 상기 불꽃에 있어서의 상기 와이어측의 단부를, 상기 와이어에 있어서의 상기 캐필러리로부터 돌출하는 부분의 축선상으로 유도하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩장치이다.
제 3의 본 발명에서는, 불꽃에 있어서의 와이어측의 단부를, 와이어에 있어서의 캐필러리로부터 돌출하는 부분의 축선상으로 유도하므로, 불꽃에 있어서의 와이어측의 단부의 치우침에 기인한 불완전한 볼 형성을 방지할 수 있다.
제 4의 본 발명은, 제 1 내지 제 3 중 어느 한 본 발명의 와이어 본딩장치로서, 상기 부전극에 의해 생기는 전계에 의해, 상기 불꽃에 있어서의 상기 방전전극측의 단부를, 상기 방전전극의 축선상으로 유도하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩장치이다.
제 4의 본 발명에서는, 불꽃에 있어서의 방전전극측의 단부를, 방전전극의 축선상으로 유도하므로, 불꽃에 있어서의 방전전극측의 단부의 치우침에 기인한 불완전한 볼 형성을 방지할 수 있다.
제 5의 본 발명은, 제 1 내지 제 4 중 어느 한 본 발명의 와이어 본딩장치로서, 상기 부전극이, 그것에 인접하는 와이어의 선단 또는 상기 방전전극과 동극성을 가지는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩장치이다.
제 5의 본 발명에서는, 부전극이 그것에 인접하는 와이어의 선단 또는 방전전극과 동극성을 가지는 것으로 했으므로, 이들 와이어의 선단 또는 방전전극의 근방의 불꽃의 단부의 위치를 부전극측으로 끌어당길 수가 있다.
제 6의 본 발명은, 제 1 내지 제 4 중 어느 한 본 발명의 와이어 본딩장치로서, 상기 부전극이, 그것에 인접하는 와이어의 선단 또는 상기 방전전극과 이극성을 가지는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩장치이다.
제 6의 본 발명에서는, 부전극이 그것에 인접하는 와이어의 선단 또는 방전전극과 이극성을 가지는 것으로 했으므로, 이들 와이어의 선단 또는 방전전극 근방의 불꽃의 단부 위치를 부전극과 반대측으로 퇴피시킬 수가 있다.
본 발명의 실시형태에 관하여, 이하에 도면을 따라서 설명한다. 도 1에 있어서, 실시형태의 와이어 본딩장치는, 본딩 툴인 캐필러리(1)와, 캐필러리(1)로부터 이간하여 설치되고 캐필러리(1)로부터 돌출하는 와이어(2)의 선단과의 사이에 불꽃을 발생시키는 방전전극(3)을 구비하고 있다.
캐필러리(1)는, 도시하지 않은 본딩헤드의 본딩아암에 유지되어 있고, 이 본딩아암의 승강에 의해서 상하로 구동된다. 방전전극(3)은, 이동하는 캐필러리(1)와 간섭하지 않도록 캐필러리(1)의 이동경로 외에, 또한 용융전의 와이어(2)의 선단부(2a)의 측방에, 설치되어 있다. 와이어(2)와 방전전극(3)에는, 도시하지 않은 전원 및 전압조정 회로가 접속되어 있고, 이것에 의해 와이어(2)와 방전전극(3)과의 사이에는, 와이어(2)를 양극으로 하고 방전전극(3)을 음극으로 하도록 전압이 인가된다.
와이어(2)의 선단과 방전전극(3)의 선단에 끼워진 영역을 둘러싸도록, 부전극(4a,4b,4c,4d) (이하 적절히 부전극(4)이라고 한다)이 배치되어 있다. 부전극(4a, 4b)은, 방전전극(3)에 대하여 와이어(2)의 선단부의 축선을 끼고 대향하도록 설치되어 있고, 부전극(4a)은 캐필러리(1)에, 또 부전극(4b)은 방전전극(3)에, 각각 인접하고 있다. 한편, 부전극(4c,4d)은, 와이어(2)의 선단부의 축선과 방전전극(3)의 축선에 끼워진 영역에 설치되어 있고, 부전극(4c)은 캐필러리(4a)에, 또 부전극(4d)은 방전전극(4b)에, 각각 인접하고 있다.
부전극(4)은 각각 만곡한 판형상의 도체이다. 또 부전극(4)의 각 표면에는, 각각 절연피막이 형성되어 있다.
장치를 제어하는 제어부(5)의 출력은 증폭부(6)에 접속되고, 증폭부(6)의 출력은 부전극(4)에 접속되어 있고, 부전극(4)으로부터 출력되는 전압이 제어부(5)에 의해서 제어된다. 부전극(4a,4d)에는 와이어(2)와 동극의 (+)전압이 인가되고, 또 부전극(4b,4c)에는 방전전극(3)과 동극의 (-)전압이 인가된다. 부전극(4)에 인가되는 전압은, 방전개시 전압보다 낮은 전압으로 한다.
이상의 구성에 있어서, 이제, 와이어(2)와 방전전극(3)과의 사이에, 방전개시 전압을 상회하는 전압이 인가되면, 와이어(2)와 방전전극(3)과의 사이의 영역에 있는 분위기 중의 분자가 (-)전자와 (+)이온으로 전리(플라즈마화)되고, (-)전자가 양극인　와이어(2)의 선단에, 또 (+)이온이 음극인　방전전극(3)의 선단에, 각각 흡인되어 불꽃(8)이 생기고, 이 불꽃(8)의 열에 의해 와이어(2)의 선단이 용융되어, 볼이 형성된다.
여기서, 본 발명에 의한 개량전이면, 불꽃은 와이어(2)의 선단과 방전전극(3)의 선단을 연결하는 직선형상의 경로(9)에 형성되어야 하는 바, 본 실시형태에서는, 부전극(4a,4b)에 의한 흡인력과, 부전극(4c,4d)에 의한 척력의 작용에 의해, 불꽃(8)의 경로가 만곡형상으로 보정된다. 그리고, 불꽃(8)에 있어서 와이어(2)에 연속되는 단부가 와이어(2)의 축선과 대략 일치한 연직방향 상향이 되고, 또, 불꽃(8)에 있어서 방전전극(3)에 연속하는 단부가 방전전극(3)의 축선과 대략 일치한 수평방향이 된다. 이것에 의해 와이어(2)는, 도 3(a)에 나타낸 바와 같이 바로 아래로부터의 불꽃(8a,8b,8c)의 열에 의해 용융되어 볼(7a,7b,7c)을 형성하므로, 도 3(b)에 나타낸 바와 같이, 와이어(2)의 중심으로부터 편심되지 않고 또 변형되지 않는 볼(7d)이 형성된다.
또 만곡된 불꽃(8a,8b,8c)은, 그 경로에 있어서 방전전극(3) 위의 가장 와이어(2)에 가까운 부위, 즉 방전전극(3)의 선단으로부터 방전된다. 이것에 의해서 방전전극(3)에 있어서의 방전위치는 일정하게 되어, 안정된 방전이 행하여지고, 볼 직경도 안정된다.
이와 같이 본 실시형태에서는, 부전극(4a,4c)으로부터의 전계의 작용에 의해, 불꽃(8)에 있어서의 와이어(2)측의 단부를, 와이어(2)에 있어서의 캐필러리(1)로부터 돌출하는 부분의 축선상으로 유도할 수 있으므로, 불꽃(8)의 경로의 치우침에 기인한 불완전한 볼 형성을 방지할 수 있다.
또 본 실시형태에서는, 부전극(4b,4d)으로부터의 전계에 의해서, 불꽃(8)에 있어서의 방전전극(3)측의 단부를, 방전전극(3)의 축선상으로 유도할 수 있으므로, 불꽃(8)에 있어서의 방전전극(3)측의 단부의 치우침에 기인한 불완전한 볼 형성, 예를 들면 불꽃(8)에 있어서의 방전전극(3)측의 단부의 위치가 방전전극(3)의 선단으로부터 근원측으로 어긋나는 것에 의한 불안정한 볼 형성을 방지할 수 있다. 또본 실시형태에서는, 부전극(4b)으로부터의 전계의 작용에 의해서, 전리된 (+)이온이 흡착되므로, 이 (+)이온 등의 이물에 의한 방전전극(3)에의 오물의 부착도 억제할 수 있다.
또, 전극에 의한 전계의 세기는 일반적으로 전극으로부터의 거리의 2승에 비례하는 바, 본 실시형태에서는 부전극(4)을 판형상으로 했으므로, 전계의 세기를 국소적으로 부전극(4)으로부터의 거리에 비례시킬 수가 있어, 설계 및 제어를 간이화할 수 있다. 또 본 실시형태에서는, 부전극(4)의 표면에 절연피막을 형성하고, 또한 부전극(4)에 인가하는 전압을 방전개시 전압보다 낮게 했으므로, 부전극(4)의 상호간, 및 부전극(4)과 와이어(2) 또는 방전전극(3)과의 사이의 방전을 방지할 수 있다.
또한, 본 실시형태에서는 부전극(4)을 4개소에 설치했는데, 본 발명에 있어서의 부전극의 개수는 임의이고, 또 그 위치도, 캐필러리(1)의 이동경로에 간섭하지 않는 위치라면, 와이어(2)의 선단의 근방, 방전전극(3)의 선단의 근방, 흡인측(와이어(2)의 축선을 끼고 방전전극(3)의 반대측) 및 압출측(와이어(2)의 축선에 대해서 방전전극(3)측)의 어느 쪽이라도 좋다. 특히, 흡인측이 되는 부전극(4a,4b)만을 설치하는 구성으로 하여도 좋다.
또, 부전극(4)의 각각에 인가하는 전압은, 수동으로 조정하는 것으로 해도 좋지만, 이 조정을 자동적으로 행하는 구성으로 하여도 좋다. 예를 들면, 불꽃을 카메라(10)(도 2 참조)에 의해 촬상하여 얻어진 화상의 처리에 의해 취득되는 현재의 불꽃경로와, 현재의 와이어(2)의 선단·그 연직방향 소정거리하방·방전전극(3)의 선단 및 그 수평방향 소정거리 측방의 각 점의 위치좌표에 의거한 3차 스프라인 곡선법 등의 자유곡선 묘화에 의해 생성된 목표 불꽃경로를 비교하여, 양자의 어긋남양이 소정의 허용 어긋남양의 범위내가 되도록, 부전극(4)의 각각에 인가하는 전압을 자동적으로 피드백 제어하는 구성으로 하여도 좋다.
또, 본 실시형태에서는 고정형 방전전극 방식에 의한 와이어 본딩장치에 본 발명을 적용한 예에 관하여 설명했는데, 본 발명은 가동형 방전전극 방식의 와이어 본딩장치에 관하여 적용하는 것도 가능하고, 이 경우에도, 불꽃의 경로의 안정화와 방전전극에의 오물의 부착의 억제에 의해, 안정된 볼 형성을 실현할 수 있다.
상기 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 캐필러리로부터 돌출하는 와이어의 선단과, 방전전극의 사이에 생긴 불꽃의 경로가, 부전극에 의해 생기는 전계에 의해 보정되므로, 불꽃의 경로의 치우침에 기인한 불완전한 볼 형성을 방지할 수 있다. 또 부전극의 작용에 의한 이물의 흡착에 의해, 방전전극에의 오물의 부착도 억제할 수 있다.

Claims (6)

  1. 캐필러리로부터 돌출하는 와이어의 선단과, 상기 캐필러리로부터 이간하여 설치되고 상기 와이어의 선단과의 사이에 방전에 의한 불꽃을 발생시키는 방전전극을 구비하고, 상기 불꽃에 의해 상기 와이어의 선단을 용융하여 볼을 형성하고, 그 볼을 소정의 대상에 본딩하는 와이어 본딩장치로서,
    상기 와이어의 선단과 상기 방전전극의 선단과의 사이의 소정영역에 작용할 전계를 발생시키는 부전극을 더 구비하고,
    상기 부전극에 의해 생기는 전계에 의해, 상기 불꽃의 경로를 보정하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩장치.
  2. 제 1항에 있어서,
    상기 방전전극이, 상기 캐필러리의 이동경로 외에 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩장치.
  3. 제 1 항 또는 제 2 항에 있어서,
    상기 부전극에 의해 생기는 전계에 의해, 상기 불꽃에 있어서의 상기 와이어측의 단부를, 상기 와이어에 있어서의 상기 캐필러리로부터 돌출하는 부분의 축선상으로 유도하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩장치.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부전극에 의해 생기는 전계에 의해, 상기 불꽃에 있어서의 상기 방전전극측의 단부를, 상기 방전전극의 축선상으로 유도하는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩장치.
  5. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부전극이, 그것에 인접하는 와이어의 선단 또는 상기 방전전극과 동극성을 가지는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩장치.
  6. 제 1 항 내지 제 4 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 부전극이, 그것에 인접하는 와이어의 선단 또는 상기 방전전극과 이극성을 가지는 것을 특징으로 하는 와이어 본딩장치.
KR10-2002-0074704A 2001-11-29 2002-11-28 와이어 본딩장치 KR100521893B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2001-00364532 2001-11-29
JP2001364532A JP2003163235A (ja) 2001-11-29 2001-11-29 ワイヤボンディング装置

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20030044829A true KR20030044829A (ko) 2003-06-09
KR100521893B1 KR100521893B1 (ko) 2005-10-14

Family

ID=19174708

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-2002-0074704A KR100521893B1 (ko) 2001-11-29 2002-11-28 와이어 본딩장치

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6776324B2 (ko)
JP (1) JP2003163235A (ko)
KR (1) KR100521893B1 (ko)
TW (1) TW561566B (ko)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3704328B2 (ja) * 2002-06-26 2005-10-12 株式会社新川 ワイヤボンディング用ワイヤのイニシャルボール形成方法およびワイヤボンディング装置
JP3727615B2 (ja) * 2002-06-26 2005-12-14 株式会社新川 ワイヤボンディング用ワイヤのイニシャルボール形成方法およびワイヤボンディング装置
US7703197B2 (en) * 2005-07-01 2010-04-27 Moltion James R Process for depopulating a circuit board
DE102007057429A1 (de) * 2007-11-29 2009-06-04 Linde Ag Vorrichtung und Verfahren zum Drahtbonden
KR101771142B1 (ko) * 2012-10-05 2017-08-24 가부시키가이샤 신가와 산화 방지 가스 취출 유닛
CN108788355B (zh) * 2017-04-27 2021-05-25 河北宇天材料科技有限公司 焊料可用电场驱动的焊接方法和应用

Family Cites Families (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL8005922A (nl) * 1980-10-29 1982-05-17 Philips Nv Werkwijze voor het vormen van een draadverbinding.
US4594493A (en) * 1983-07-25 1986-06-10 Fairchild Camera & Instrument Corp. Method and apparatus for forming ball bonds
JP2835989B2 (ja) * 1991-05-24 1998-12-14 株式会社新川 ワイヤボンダ用ボール形成装置
JP2904618B2 (ja) * 1991-07-18 1999-06-14 株式会社カイジョー ワイヤボンダー用ボール形成装置
JPH0536748A (ja) 1991-07-31 1993-02-12 Nec Kansai Ltd ワイヤボンデイング装置
JP3027448B2 (ja) 1991-10-04 2000-04-04 株式会社リコー ワイヤボンディング装置
EP0562224A1 (de) * 1992-03-26 1993-09-29 Esec Sa Kontaktierungssystem für Halbleiter-Drahtverbindungen
JPH07176560A (ja) 1993-12-20 1995-07-14 Nippon Steel Corp ワイヤーボンディング装置
JPH07263480A (ja) 1994-03-18 1995-10-13 Shinkawa Ltd ワイヤボンデイング方法及び装置
JP3400269B2 (ja) * 1996-10-17 2003-04-28 株式会社新川 ワイヤボンディングにおけるボール形成装置
JPH10125714A (ja) * 1996-10-17 1998-05-15 Shinkawa Ltd ワイヤボンディングにおけるボール形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW561566B (en) 2003-11-11
US20030098330A1 (en) 2003-05-29
JP2003163235A (ja) 2003-06-06
KR100521893B1 (ko) 2005-10-14
US6776324B2 (en) 2004-08-17

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US8147705B2 (en) Method of operating ion source and ion implanting apparatus
KR100521893B1 (ko) 와이어 본딩장치
JP2012160386A (ja) イオン注入方法およびイオン注入装置
EP0645794B1 (en) Focusing and steering electrodes for electron sources
CN101300658B (zh) 用于冗余阳极溅射的方法和系统
KR101245212B1 (ko) 고정 빔 이온 주입 공정에서 빠른 이온빔 제어를 이용한 글리치 복구를 위한 방법 및 장치
JP2012513089A (ja) 走査型フィールド効果が軽減されたイオン注入
KR100253131B1 (ko) 소모전극식 아크용접방법 및 아크용접장치
EP0390118A3 (en) Field emission scanning electron microsope and method of controlling beam aperture angle
JPH0620279Y2 (ja) ダイナミックフォーカス電子銃
JPH1085936A (ja) 消耗電極式のアーク溶接方法及びアーク溶接装置
JP6949547B2 (ja) Ｔｉｇ溶接装置
JP3066993B2 (ja) プラズマア−ク装置およびパイロットア−ク発生方法
JPH10125715A (ja) ワイヤボンディングにおけるボール形成方法及びボール形成装置
EP0725424B1 (en) Arc-type evaporator
ATE371260T1 (de) Elektronenhohlstrahl-schaltröhre mit hoher spannungsfestigkeit und stromregelung
KR20000058187A (ko) 집속 이온 빔 장치
WO2009104511A1 (ja) 除電装置
CN219658658U (zh) 带电离子束的偏移控制装置及离子注入设备
KR0177128B1 (ko) 브라운관의 고압처리 방법
JPWO2018207392A1 (ja) Ｔｉｇ溶接方法及びｔｉｇ溶接装置
JP3713972B2 (ja) 多電極ｔｉｇ溶接トーチのアーク長制御方法及び装置
JPH07201497A (ja) 同軸型電磁加速式溶射装置
KR920702896A (ko) 증가된 비임 전류 레벨에서 교차점의 감소된 이동을 가지는 전자총 및 이의 작동방법
KR0140069Y1 (ko) 음극선관용 전자총의 전극구조

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
LAPS Lapse due to unpaid annual fee