JPH07263480A - ワイヤボンデイング方法及び装置 - Google Patents

ワイヤボンデイング方法及び装置

Info

Publication number
JPH07263480A
JPH07263480A JP6072943A JP7294394A JPH07263480A JP H07263480 A JPH07263480 A JP H07263480A JP 6072943 A JP6072943 A JP 6072943A JP 7294394 A JP7294394 A JP 7294394A JP H07263480 A JPH07263480 A JP H07263480A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
tip
wire
electrode
discharge
wire bonding
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP6072943A
Other languages
English (en)
Inventor
Kouichi Harada
耕弌 原田
Kuniyuki Takahashi
邦行 高橋
Iwao Takahashi
巌 高橋
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Shinkawa Ltd
Original Assignee
Shinkawa Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinkawa Ltd filed Critical Shinkawa Ltd
Priority to JP6072943A priority Critical patent/JPH07263480A/ja
Priority to KR1019950005053A priority patent/KR0179193B1/ko
Priority to US08/407,139 priority patent/US5616257A/en
Publication of JPH07263480A publication Critical patent/JPH07263480A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K20/00—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating
    • B23K20/002—Non-electric welding by applying impact or other pressure, with or without the application of heat, e.g. cladding or plating specially adapted for particular articles or work
    • B23K20/004—Wire welding
    • B23K20/005—Capillary welding
    • B23K20/007—Ball bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
    • H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
    • H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/78268—Discharge electrode
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
    • H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
    • H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
    • H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
    • H01L2224/78301—Capillary
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
    • H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
    • H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
    • H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01005—Boron [B]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01006—Carbon [C]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01033—Arsenic [As]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/01—Chemical elements
    • H01L2924/01074—Tungsten [W]
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/013—Alloys
    • H01L2924/014—Solder alloys

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Wire Bonding (AREA)

Abstract

(57)【要約】 【目的】放電が安定してボールのバラツキの減少が図
れ、また加工が容易でコスト低減が図れると共に、長寿
命化が図れる電極を提供する。 【構成】キャピラリ２に挿通されたワイヤ１の先端と電
極１０の間に高電圧を印加して放電させ、ワイヤ１の先
端にボールを形成するワイヤボンデイング装置におい
て、電極１０は、丸棒の先端部を垂直で後方に斜めにカ
ットしたカット面１１を形成して先端面に半円形状を残
し、該半円形状の上面部分のエッジ部１２を放電部とし
た。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ワイヤの先端と電極の
間に高電圧を印加して放電させ、ワイヤの先端にボール
を形成するワイヤボンデイング方法及び装置に係り、特
にボール形成方法及びその装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、ワイヤボンデイング装置に用いる
電極として、例えば特開昭４７−８５９号公報（以下、
公知例１という）、実公昭５７−２１３２５号公報（以
下、公知例２という）、特開平５−１０２２３３号公報
（以下、公知例３という）に示すものが知られている。
【０００３】公知例１の電極は、先端部が截頭円錐より
なり、截頭円錐の先端の平面が放電部となっている。公
知例２の電極は、ワイヤの軸線に対して傾斜した傾斜平
面又は曲面が放電部となっている。公知例３の電極は、
平面である上面を放電部とし、この平面の一部を開口し
て他の上面を絶縁膜で覆っている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ところで、放電の電荷
は、エッジ部又は突起部に集中する傾向がある。しかる
に、上記従来技術の電極は、いずれも放電部が平面又は
曲面であるので、電荷が集中する部分がなく、放電の勢
いが弱い。このため、短時間の内に勢いよく放電が行わ
れないために放電が安定しなく、その結果としてボール
が安定しない（ボール径がバラツク）という問題があっ
た。
【０００５】そこで、図６に示すように、丸棒よりなる
電極４の先端部を鋭利な円錐形状にすることが考えられ
る。図において、１はキャピラリ２に挿通したワイヤ
で、キャピラリ２の下端に突出したワイヤ先端に高電圧
印加発生器３から電極４を通して高電圧を印加して放電
５させ、ボール６を形成する。このように、電極４の放
電部を鋭利な円錐形状にすると、電荷は鋭利な先端に集
中する。従って、放電５が短時間の内に勢いよく行わ
れ、安定したボール６が形成されるように思われる。
【０００６】しかし、実験の結果、キャピラリ２に挿通
したワイヤ１に対して電極４の側面及び下面となる先端
部からも放電５が行われ、放電が安定しなく、安定した
ボール６が形成されなかった。また電極４は非常に硬い
材質、例えばタングステンよりなるので、精度良い加工
が非常に難しい。このため、円錐形状のような加工を行
うと、加工むらによる突起７が残ってしまい、この部分
からの放電５も起こり放電が安定しない。
【０００７】また勢いのある放電を行いボールのバラツ
キを小さくするには、電極４の放電部の領域をできる限
り狭い領域に限定する必要があり、できる限り鋭利な円
錐形状に加工することが必要となる。しかし、鋭利な円
錐形状にすると、電極４の先端部分の容積が非常に小さ
くなり、放電による磨耗の進行スピードが速く、電極４
の寿命が短い。
【０００８】本発明の目的は、放電が安定してボールの
バラツキの減少が図れ、また加工が容易でコスト低減が
図れると共に、長寿命化が図れる電極を備えたワイヤボ
ンデイング方法及び装置を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
の本発明の第１の方法は、ワイヤの先端と電極の間に高
電圧を印加して放電させ、ワイヤの先端にボールを形成
するワイヤボンデイング方法において、先端部が半円形
状の電極のエッジ部を上面にし、エッジ部の先端部分か
らワイヤに放電することによりボールを形成することを
特徴とする。
【００１０】上記目的を達成するための本発明の第２の
方法は、ワイヤの先端と電極の間に高電圧を印加して放
電させ、ワイヤの先端にボールを形成するワイヤボンデ
イング方法において、先端部の上面が角状の電極のエッ
ジ部の先端部分からワイヤに放電することによりボール
を形成することを特徴とする。
【００１１】上記目的を達成するための本発明の第１の
装置は、ワイヤの先端と電極の間に高電圧を印加して放
電させ、ワイヤの先端にボールを形成するワイヤボンデ
イング装置において、前記電極は、丸棒の先端部を垂直
で後方に斜めにカットして先端面に半円形状を残し、該
半円形状の上面のエッジ部の先端部分を放電部としたこ
とを特徴とする。
【００１２】上記目的を達成するための本発明の第２の
装置は、ワイヤの先端と電極の間に高電圧を印加して放
電させ、ワイヤの先端にボールを形成するワイヤボンデ
イング装置において、前記電極は、少なくとも先端部の
上面が角状よりなり、この角状のエッジ部を放電部とし
たことを特徴とする。
【００１３】上記目的を達成するための本発明の第３の
装置は、前記第１及び第２の装置における電極の前記エ
ッジ部の放電部を開口して耐熱性でかつ絶縁性のカバー
で周囲を覆ったことを特徴とする。
【００１４】上記目的を達成するための本発明の第４の
装置は、前記第３の装置におけるカバーをセラミックス
としたことを特徴とする。
【００１５】
【作用】上記第１、第２の方法及び装置によれば、エッ
ジ部が形成されるので、このエッジ部に電荷が集中し、
放電が短時間の内に勢い良く行われ、放電が安定して安
定したボールが形成される。またエッジ部は半円形状に
よって形成されるので、エッジ部をそれほど鋭利にしな
くても体積的に余裕があり、磨耗の進行が遅く、長寿命
化が図れる。また第１の装置の電極は、丸棒の先端部を
垂直で後方に斜めにカット面を形成した形状より、第２
の装置の電極は先端部の上面が角状よりなるので、加工
は非常に容易で加工コスト低減が図れると共に、加工む
らによる突起が残るようなことはなく、放電が安定す
る。
【００１６】上記第３の装置によれば、カバーにより電
極のエッジ部の放電領域を一定の範囲に限定することが
容易に行える。またカバーにより電極の下面となる部分
からの放電は完全に防止され、より一層放電が安定す
る。
【００１７】また上記第４の装置のように、カバーをセ
ラミックスとすると、セラミックスは空気に比べて誘電
率が高いので、等電圧曲線の密度はセラミックスに近い
部分で低くなり、放電しにくい。他方、空気中に露出し
ている電極のエッジ部は密度が高く、放電はエッジ部に
集中するようになる。
【００１８】
【実施例】以下、本発明の一実施例を図１乃至図４によ
り説明する。電極１０は、丸棒の先端部を垂直で後方に
斜めにカットしたカット面１１が形成され、先端面に半
円形状を残している。これにより、カット面１１の先端
面の上面部分のエッジ部１２が放電部となる。
【００１９】このように、電極１０は、垂直で後方に斜
めにカット面１１を形成した形状よりなるので、加工は
非常に容易で加工コスト低減が図れると共に、図６に示
す円錐形状の電極４のように加工むらによる突起７が残
るようなことはなく、放電５が安定する。またエッジ部
１２が形成されるので、このエッジ部１２に電荷が集中
し、放電５が短時間の内に勢い良く行われ、放電が安定
して安定したボール６が形成される。またエッジ部１２
は半円形状によって形成されるので、エッジ部１２をそ
れほど鋭利にしなくても、図６に示す円錐形状の電極４
の先端部分と比較して体積的に余裕があり、磨耗の進行
が遅く、長寿命化が図れる。
【００２０】電極１０は、エッジ部１２の放電部を開口
するように、先端の上面部が半円形状にカットしてカッ
ト面２１が形成された耐熱性でかつ絶縁性を有するキャ
ップよりなるカバー２０で周囲が覆われており、カバー
２０は接着材２２で電極１０に固定されている。ここ
で、電極１０の先端面は、カバー２０の先端面より突出
しないようになっており、電極１０の先端面はカバー２
０の先端面より０〜０．５ｍｍの範囲の長さＳで引っ込
んでいる。なお、カバー２０は、電極１０にコーティン
グ材をコーティングして形成してもよい。
【００２１】このカバー２０により、電極１０のエッジ
部１２の放電領域を一定の範囲に限定することが容易に
行える。またカバー２０により、電極１０の下面となる
部分からの放電は完全に防止され、より一層放電５が安
定する。またカバー２０としてセラミックスを用いる
と、セラミックスは空気に比べて誘電率が高いので、等
電圧曲線の密度はセラミックスに近い部分で低くなり、
放電しにくい。他方、空気中に露出している電極１０の
エッジ部１２は密度が高く、放電はエッジ部１２に集中
するようになる。
【００２２】カバー２０が設けられた電極１０は、導電
性の連結棒３０にろう付け固定されている。従って、ワ
イヤ１を挿通したキャピラリ２の下端に突出したワイヤ
先端には、高電圧印加発生器３から連結棒３０を通して
電極１０より高電圧を印加させ、ボール６が形成され
る。
【００２３】図５は本発明の第２実施例を示す。電極１
０は、四角形状よりなり、角状のエッジ部１２を上面に
配設して放電部としたものである。従って、本実施例に
おいても前記実施例と同様に、電極１０は平面カットで
製作でき、加工は非常に容易で加工コスト低減が図れる
と共に、図６に示す円錐形状の電極４のように加工むら
による突起７が残るようなことはなく、放電５が安定す
る。またエッジ部１２が形成されるので、このエッジ部
１２に電荷が集中し、放電５が短時間の内に勢い良く行
われ、放電が安定して安定したボール６が形成される。
またエッジ部１２は角状によって形成されるので、エッ
ジ部１２をそれほど鋭利にしなくても、図６に示す円錐
形状の電極４の先端部分と比較して体積的に余裕があ
り、磨耗の進行が遅く、長寿命化が図れる。
【００２４】また本実施例も前記実施例と同様に、電極
１０は、先端の上面部が半円形状にカットしてカット面
２１が形成された耐熱性でかつ絶縁性を有するキャップ
よりなるカバー２０で周囲が覆われており、カバー２０
は接着材２２で電極１０に固定されている。従って、前
記実施例と同様に、カバー２０により、電極１０のエッ
ジ部１２の放電領域を一定の範囲に限定することが容易
に行える。またカバー２０により、電極１０の下面とな
る部分からの放電は完全に防止され、より一層放電５が
安定する。
【００２５】なお、前記第２実施例において、カバー２
０はコーティング材をコーティングして形成してもよ
い。コーティングの場合には、電極１０とカバー２０と
の隙間がなくなりより好ましい。また前記第２実施例に
おいては、電極１０の全体を四角形状に形成したが、少
なくとも先端部のみを四角形状に形成すればよい。要
は、上面の放電部が角状のエッジ部１２であればよく、
下面の形状は特に限定されない。そこで、例えば丸棒の
上面を山形形状（角状）に形成してもよい。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、放電が安定してボール
のバラツキの減少が図れ、また加工が容易でコスト低減
が図れると共に、長寿命化が図れる。また前記電極に、
上面部分の放電部を開口して耐熱性でかつ絶縁性のカバ
ーで周囲を覆うと、電極のエッジ部の放電領域を一定の
範囲に限定することが容易に行えると共に、電極の下面
となる部分からの放電は完全に防止され、より一層放電
が安定すると共に、強い放電が得られる。またカバーを
セラミックスにすると、放電はより一層エッジ部に集中
するようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明になるワイヤボンデイング装置の一実施
例を示す概略構成斜視図である。
【図２】図１の要部拡大斜視図である。
【図３】電極の放電部の説明図である。
【図４】（ａ）は正面図、（ｂ）は平面図、（ｃ）は右
側面図である。
【図５】本発明になるワイヤボンデイング装置の第２実
施例を示す概略構成斜視図である。
【図６】従来例の改良として考えられるワイヤボンデイ
ング装置の概略構成正面図である。
【符号の説明】
１ ワイヤ ２ キャピラリ ３ 高電圧印加発生器 ６ ボール １０ 電極 １１ カット面 １２ エッジ部 ２０ カバー ２１ カット面
─────────────────────────────────────────────────────
【手続補正書】
【提出日】平成７年１月９日
【手続補正１】
【補正対象書類名】明細書
【補正対象項目名】請求項６
【補正方法】変更
【補正内容】

Claims (8)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 ワイヤの先端と電極の間に高電圧を印加
    して放電させ、ワイヤの先端にボールを形成するワイヤ
    ボンデイング方法において、先端部が半円形状の電極の
    エッジ部を上面にし、エッジ部の先端部分からワイヤに
    放電することによりボールを形成することを特徴とする
    ワイヤボンデイング方法。
  2. 【請求項２】 ワイヤの先端と電極の間に高電圧を印加
    して放電させ、ワイヤの先端にボールを形成するワイヤ
    ボンデイング方法において、先端部の上面が角状の電極
    のエッジ部の先端部分からワイヤに放電することにより
    ボールを形成することを特徴とするワイヤボンデイング
    方法。
  3. 【請求項３】 ワイヤの先端と電極の間に高電圧を印加
    して放電させ、ワイヤの先端にボールを形成するワイヤ
    ボンデイング装置において、前記電極は、丸棒の先端部
    を垂直で後方に斜めにカットして先端面に半円形状を残
    し、該半円形状の上面のエッジ部の先端部分を放電部と
    したことを特徴とするワイヤボンデイング装置。
  4. 【請求項４】 ワイヤの先端と電極の間に高電圧を印加
    して放電させ、ワイヤの先端にボールを形成するワイヤ
    ボンデイング装置において、前記電極は、少なくとも先
    端部の上面が角状よりなり、この角状のエッジ部を放電
    部としたことを特徴とするワイヤボンデイング装置。
  5. 【請求項５】 ワイヤの先端と電極の間に高電圧を印加
    して放電させ、ワイヤの先端にボールを形成するワイヤ
    ボンデイング装置において、前記電極は、丸棒の先端部
    を垂直で後方に斜めにカットして先端面に半円形状を残
    し、該半円形状の上面のエッジ部の先端部分を放電部と
    し、前記エッジ部の放電部を開口して耐熱性でかつ絶縁
    性のカバーで周囲を覆ったことを特徴とするワイヤボン
    デイング装置。
  6. 【請求項６】 ワイヤの先端と電極の間に高電圧を印加
    して放電させ、ワイヤの先端にボールを形成するワイヤ
    ボンデイング装置において、前記電極は、少なくとも先
    端部の上面がを角状よりなり、この角状のエッジ部を放
    電部とし、前記エッジ部の放電部を開口して耐熱性でか
    つ絶縁性のカバーで周囲を覆ったことを特徴とするワイ
    ヤボンデイング装置。
  7. 【請求項７】 前記電極の角状のエッジ部は、多角形状
    によって形成されていることを特徴とする請求項２、４
    又は６記載のワイヤボンデイング装置。
  8. 【請求項８】 前記カバーは、セラミックスよりなるこ
    とを特徴とする請求項５又は６記載のワイヤボンデイン
    グ装置。
JP6072943A 1994-03-18 1994-03-18 ワイヤボンデイング方法及び装置 Pending JPH07263480A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6072943A JPH07263480A (ja) 1994-03-18 1994-03-18 ワイヤボンデイング方法及び装置
KR1019950005053A KR0179193B1 (ko) 1994-03-18 1995-03-11 와이어본딩 방법 및 장치
US08/407,139 US5616257A (en) 1994-03-18 1995-03-20 Wire bonding method and apparatus

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP6072943A JPH07263480A (ja) 1994-03-18 1994-03-18 ワイヤボンデイング方法及び装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPH07263480A true JPH07263480A (ja) 1995-10-13

Family

ID=13503975

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP6072943A Pending JPH07263480A (ja) 1994-03-18 1994-03-18 ワイヤボンデイング方法及び装置

Country Status (3)

Country Link
US (1) US5616257A (ja)
JP (1) JPH07263480A (ja)
KR (1) KR0179193B1 (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5958259A (en) * 1996-10-17 1999-09-28 Kabushiki Kaisha Shinkawa Method for forming a ball in wire bonding
US5957371A (en) * 1996-10-17 1999-09-28 Kabushiki Kaisha Shinkawa Method and apparatus for forming a ball in wire bonding
US6776324B2 (en) 2001-11-29 2004-08-17 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding apparatus

Families Citing this family (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6133540A (en) * 1998-08-03 2000-10-17 International Business Machines Corporation Apparatus and method for producing punch pin with spherical head
US7032802B2 (en) * 1999-02-25 2006-04-25 Reiber Steven F Bonding tool with resistance
US20060071050A1 (en) * 1999-02-25 2006-04-06 Reiber Steven F Multi-head tab bonding tool
US7124927B2 (en) * 1999-02-25 2006-10-24 Reiber Steven F Flip chip bonding tool and ball placement capillary
US6354479B1 (en) 1999-02-25 2002-03-12 Sjm Technologies Dissipative ceramic bonding tip
US20080197172A1 (en) * 1999-02-25 2008-08-21 Reiber Steven F Bonding Tool
US20060261132A1 (en) * 1999-02-25 2006-11-23 Reiber Steven F Low range bonding tool
US7389905B2 (en) 1999-02-25 2008-06-24 Reiber Steven F Flip chip bonding tool tip
US6651864B2 (en) * 1999-02-25 2003-11-25 Steven Frederick Reiber Dissipative ceramic bonding tool tip
US20070131661A1 (en) * 1999-02-25 2007-06-14 Reiber Steven F Solder ball placement system
JP3727622B2 (ja) * 2002-09-27 2005-12-14 株式会社新川 ワイヤボンディング装置用放電電極
US7411157B2 (en) * 2003-09-26 2008-08-12 Kulicke And Soffa Industries, Inc. Electronic flame-off electrode with ball-shaped tip
US20050067382A1 (en) * 2003-09-26 2005-03-31 Gary Gillotti Fine pitch electronic flame-off wand electrode
US7495378B2 (en) * 2004-07-15 2009-02-24 Ngk Insulators, Ltd. Dielectric device
US20070085085A1 (en) * 2005-08-08 2007-04-19 Reiber Steven F Dissipative pick and place tools for light wire and LED displays
JP4872663B2 (ja) * 2006-12-28 2012-02-08 株式会社日立製作所 接合用材料及び接合方法
WO2009152066A2 (en) * 2008-06-10 2009-12-17 Kulicke Adn Sofa Industries, Inc. Gas delivery system for reducing oxidation in wire bonding operations

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3715561A (en) * 1970-06-15 1973-02-06 Atomenergi Ab Non-consumable electrode configuration having increased arc starting capabilities
US3950631A (en) * 1970-06-19 1976-04-13 U.S. Philips Corporation Device for welding a wire by means of thermo-compression bonding
US4549059A (en) * 1982-11-24 1985-10-22 Nec Corporation Wire bonder with controlled atmosphere
US4594493A (en) * 1983-07-25 1986-06-10 Fairchild Camera & Instrument Corp. Method and apparatus for forming ball bonds
US4523071A (en) * 1984-05-14 1985-06-11 Hughes Aircraft Company Method and apparatus for forming a ball at the end of a wire
US5037023A (en) * 1988-11-28 1991-08-06 Hitachi, Ltd. Method and apparatus for wire bonding
JP3027448B2 (ja) * 1991-10-04 2000-04-04 株式会社リコー ワイヤボンディング装置

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5958259A (en) * 1996-10-17 1999-09-28 Kabushiki Kaisha Shinkawa Method for forming a ball in wire bonding
US5957371A (en) * 1996-10-17 1999-09-28 Kabushiki Kaisha Shinkawa Method and apparatus for forming a ball in wire bonding
US6776324B2 (en) 2001-11-29 2004-08-17 Kabushiki Kaisha Shinkawa Wire bonding apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
KR950028026A (ko) 1995-10-18
US5616257A (en) 1997-04-01
KR0179193B1 (ko) 1999-04-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPH07263480A (ja) ワイヤボンデイング方法及び装置
US4778097A (en) Ultrasonic wire bonding tool
JPS5916385B2 (ja) イオン源
JPH08255595A (ja) 電球のフィラメント支持構造及びフィラメントの支持体への固定方法
TW341709B (en) Method of making a needle electrode
JP2004207219A (ja) スパークプラグ
JP2551843B2 (ja) 消耗電極式アーク溶接トーチ用コンタクトチップ
JPH09162223A (ja) ワイヤーボンディングキャピラリー
JPH07235363A (ja) 内燃機関用スパークプラグの製造方法
JP3049881B2 (ja) プラズマ切断トーチ
JP2673513B2 (ja) プラズマ電極の製造方法
KR910000286A (ko) 와이어 컷(wire Cut) 방전 가공기
JP4193401B2 (ja) 電解コンデンサ用リード線の製造方法
JPS5847627Y2 (ja) 真空しや断器
JP3534852B2 (ja) ワイヤボンディング装置
JP3291072B2 (ja) プラズマ用電極の製造方法
RU97105080A (ru) Контактный наконечник для сварочной горелки
JP3700405B2 (ja) Ｔｉｇ溶接トーチ
JP3973319B2 (ja) ワイヤボンダの電気トーチ
JPS6215727A (ja) 電子管の陰極構体及びその製造方法
JPS60244481A (ja) スタツド溶接用ア−クシ−ルド
JPH01122528A (ja) 真空遮断器
JP2002319389A (ja) 鉛蓄電池の端子構造
JPH02307312A (ja) 細線の被覆剥離方法
JPS5917506B2 (ja) 接続導体

Legal Events

Date Code Title Description
A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20001128