JP3727622B2 - ワイヤボンディング装置用放電電極 - Google Patents
ワイヤボンディング装置用放電電極 Download PDFInfo
- Publication number
- JP3727622B2 JP3727622B2 JP2002282935A JP2002282935A JP3727622B2 JP 3727622 B2 JP3727622 B2 JP 3727622B2 JP 2002282935 A JP2002282935 A JP 2002282935A JP 2002282935 A JP2002282935 A JP 2002282935A JP 3727622 B2 JP3727622 B2 JP 3727622B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- discharge
- discharge electrode
- wire bonding
- electrode
- film
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 36
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims description 28
- 239000011162 core material Substances 0.000 claims description 22
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 22
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 22
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 20
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 5
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 claims description 4
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 claims description 4
- 238000007750 plasma spraying Methods 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 6
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 6
- 239000000463 material Substances 0.000 description 6
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 5
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 5
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 3
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 3
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 238000009835 boiling Methods 0.000 description 2
- 238000006703 hydration reaction Methods 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N potassium dichromate Chemical compound [K+].[K+].[O-][Cr](=O)(=O)O[Cr]([O-])(=O)=O KMUONIBRACKNSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- JHWIEAWILPSRMU-UHFFFAOYSA-N 2-methyl-3-pyrimidin-4-ylpropanoic acid Chemical compound OC(=O)C(C)CC1=CC=NC=N1 JHWIEAWILPSRMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- PYVHTIWHNXTVPF-UHFFFAOYSA-N F.F.F.F.C=C Chemical compound F.F.F.F.C=C PYVHTIWHNXTVPF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000001133 acceleration Effects 0.000 description 1
- MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N acetic acid;nickel Chemical compound [Ni].CC(O)=O.CC(O)=O MQRWBMAEBQOWAF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical compound OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004327 boric acid Substances 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 1
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000010292 electrical insulation Methods 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229940078494 nickel acetate Drugs 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000002407 reforming Methods 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B23—MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- B23K—SOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
- B23K35/00—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting
- B23K35/02—Rods, electrodes, materials, or media, for use in soldering, welding, or cutting characterised by mechanical features, e.g. shape
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/50—Assembly of semiconductor devices using processes or apparatus not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326, e.g. sealing of a cap to a base of a container
- H01L21/60—Attaching or detaching leads or other conductive members, to be used for carrying current to or from the device in operation
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies
- H01L24/78—Apparatus for connecting with wire connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
- H01L2224/45001—Core members of the connector
- H01L2224/45099—Material
- H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
- H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
- H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/78268—Discharge electrode
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/74—Apparatus for manufacturing arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and for methods related thereto
- H01L2224/78—Apparatus for connecting with wire connectors
- H01L2224/7825—Means for applying energy, e.g. heating means
- H01L2224/783—Means for applying energy, e.g. heating means by means of pressure
- H01L2224/78301—Capillary
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
- H01L2224/85009—Pre-treatment of the connector or the bonding area
- H01L2224/8503—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector
- H01L2224/85035—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball"
- H01L2224/85045—Reshaping, e.g. forming the ball or the wedge of the wire connector by heating means, e.g. "free-air-ball" using a corona discharge, e.g. electronic flame off [EFO]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
- H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01006—Carbon [C]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01011—Sodium [Na]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01013—Aluminum [Al]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01014—Silicon [Si]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01019—Potassium [K]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01023—Vanadium [V]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01028—Nickel [Ni]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01033—Arsenic [As]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01078—Platinum [Pt]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01079—Gold [Au]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/01—Chemical elements
- H01L2924/01082—Lead [Pb]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
- H01L2924/1204—Optical Diode
- H01L2924/12042—LASER
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Wire Bonding (AREA)
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、ワイヤボンディング装置用放電電極に係り、特に、表面に絶縁膜を有するワイヤボンディング装置用放電電極に関する。
【0002】
【従来の技術】
ワイヤボンディング装置は、例えば、LSI等のダイに設けられたボンディングパッドと、回路基板のボンディングリードとの間を例えば細い金ワイヤで接続する技術を用いた装置である。金ワイヤをボンディングパッド上に最初にボンディングするにあたっては、キャピラリに挿通された金ワイヤの先端がボール状に形成される。この金ワイヤの先端に形成されたボール状のものはイニシャルボールと呼ばれる。
【0003】
図4は、従来技術におけるイニシャルボール形成の様子を示す図である。放電電極10は、先端が曲げられ、キャピラリ12に挿通されたワイヤ14の先端と対向する位置にセットされる。放電電極10とワイヤ14との間に、高電圧発生器16により、放電電極側を負極性とした高電圧が印加されると、対向している放電電極10の先端とワイヤ14との間で空中放電が起こり、ワイヤ14の先端が溶融し、イニシャルボールが形成される。このように、イニシャルボールは、放電電極10とワイヤ14先端との間の放電18により形成される。
【0004】
放電電極における放電個所を限定し、安定な放電を得てイニシャルボールの安定した形状を得るため、放電電極の放電面以外に絶縁膜を被覆することが行われる。絶縁膜としては4弗化エチレン膜、アルミナ皮膜、フッ素樹脂皮膜、酸化珪素、酸化アルミナ(例えば特許文献1,2)等さまざまな膜が用いられる。また、図4に示すように放電電極を曲げて、放電距離の差を明確につけて安定な放電を得ることも行われる(なお、特許文献2参照)。
【0005】
【特許文献1】
特開昭61−279140号公報
【特許文献2】
特開平4−263442号公報
【0006】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように放電電極のコーティング膜としてさまざまな膜が用いられているのは、絶縁膜の耐熱性、絶縁性、放電電極の外形の凹凸に対する被覆性等でそれぞれ一長一短があるためである。例えば樹脂皮膜は耐久性に難があり、材料によっては放電時の高熱によりガスを発生し、ワイヤボンディング装置の光学系を曇らせ、あるいはそのガスが固化してボンディングヘッドに付着する等、システムを構成する要素に劣化を与えることがある。
【0007】
また、アルミナ膜は、安定した物理特性、化学特性を有し、放電時に高熱を生ずる放電電極と相性がよい絶縁膜と考えられているが、そのポーラス構造のため、接触抵抗としては十分な電気抵抗値を有するのに対し、放電に対する抵抗は低い。すなわち、ポーラス構造の膜の薄い部分から低い電圧で放電がおこり、連続放電が起こると、その周辺の膜が破壊される欠点を有する。なお、ポーラス構造を封孔する技術は成膜技術を中心にいくつか知られているが、いずれも絶縁膜としての特性評価が中心で、放電に対する抵抗等には触れられていない。例えば、片岡他2名、「レーザPVD法により封孔処理したアルミナ溶射皮膜の電気絶縁性」、[online]、1994年、愛知県工業技術センター報告、[平成14年8月28日検索]、インターネット、<URL:
HYPERLINK "http://www.airi.aichi-iic.or.jp/reports/1994/original.html" http://www.airi.aichi-iic.or.jp/reports/1994/original.html>
においては、溶射被膜にPVD膜を被覆し、その絶縁抵抗を評価しているが、放電に対する抵抗についての評価は示されていない。
【0008】
このように、従来技術によれば、放電電極のコーティング膜には、放電によって好ましくないガスが発生し、あるいは放電に対する抵抗が低い等の問題があり、放電耐性が十分でなく、安定した放電を確保できず、イニシャルボールについても安定した形状が確保できない。
【0009】
十分でない放電耐性をカバーするため、放電電極の先を曲げて放電個所を限定する方法は、放電によりイニシャルボールを形成するためにその曲がり分だけ余分にキャピラリを上昇させることが必要となり、ワイヤボンディングの処理速度が低下し、さらに、キャピラリを含めたボンディングヘッド周りの可動範囲に制約を与えることにもなる。
【0010】
本発明は、かかる従来技術の課題を解決し、安定した放電を確保できるワイヤボンディング装置用放電電極を提供することである。他の目的は、放電に対する抵抗を向上させることができるワイヤボンディング装置用放電電極を提供することである。
【0011】
【課題を解決するための手段】
上記目的を達成するため、本発明に係るワイヤボンディング装置用放電電極は、ワイヤボンディング用ワイヤの先端との間に高電圧を印加して前記ワイヤとの間に放電を生じさせるワイヤボンディング装置用放電電極であって、導電性の電極芯材を備え、前記電極芯材の表面に形成されたポーラス構造の絶縁膜について前記ポーラス構造を封孔処理してなる絶縁層で前記電極芯材が覆われ、前記ワイヤの先端に対向する放電部位の部分においては前記電極芯材が露出する露出面を有することを特徴とする。
【0012】
上記構成により、ワイヤの先端に対向する放電部位の部分を除いて、ポーラス構造が封孔された絶縁膜で電極芯材が覆われる。ポーラス構造の絶縁膜は放電に対する抵抗が低いが、ポーラス構造が封孔処理されると、放電に対する抵抗が向上する。したがって、放電は放電部位の露出面に限定して生じ、安定した放電が確保できる。
【0013】
また、前記ポーラス構造の絶縁膜は、陽極酸化法またはプラズマ溶射法で形成されたポーラスなアルミナ膜であることが好ましい。また、前記封孔処理してなる絶縁層は、前記ポーラス構造の絶縁膜の上に、レーザPVD法により、無機系材料膜を堆積させてなる絶縁層であることが好ましい。上記構成により、ポーラス構造の絶縁膜を無機系材料膜で封孔する。したがって、放電時に高熱を生ずる放電電極にポーラス構造の絶縁膜を用いることができる。
【0014】
また、前記封孔処理してなる絶縁層は、前記ポーラス構造の絶縁膜に樹脂を含浸させてなる絶縁層であることが好ましい。上記構成により、ポーラス構造のアルミナ膜を樹脂で封孔する。ポーラス構造を埋める樹脂は、アウトガスの少ない材料を選ぶことが好ましい。
【0015】
【発明の実施の形態】
以下、図面を用いて本発明に係る実施の形態につき詳細に説明する。以下の説明において、図4と共通の要素には同一の符号を付す。図1は、実施の形態の放電電極20をホルダ22に取り付けた状態の図である。放電電極20は、一部断面図で示してある。放電電極20は、先端が半球状に丸められた直棒状をなし、電極芯材24の表面を封孔処理されたアルミナ膜26が覆い、その先端には、直棒の中心軸から偏在した位置に、電極芯材24が露出する露出面28が設けられる。電極芯材24は、導電性金属の丸棒、例えば直径が約0.6mmのPt材を用いることができる。封孔処理されたアルミナ膜の厚みは、例えば5−7μmを用いることができる。
【0016】
封孔処理されたアルミナ膜26は、大別して2段階の工程により形成することができる。第1の工程は、電極芯材24の表面にポーラス構造のアルミナ膜を形成する工程で、第2の工程は、ポーラス構造を封孔処理する工程である。なお、これらの工程において、放電電極20がホルダ22に取り付けられる部分には、ポーラス構造のアルミナ膜も封孔処理による膜も形成されないようにマスキングを行うことが望ましい。もちろんこれらの膜を全面に形成後、ホルダに取り付けられる部分の膜を除去することもできる。
【0017】
第1のポーラス構造アルミナ膜形成工程は、例えば直径が約0.6mmのPt材に、プラズマ溶射法により約6μmの厚みのアルミナ膜を形成する。プラズマ溶射法に代えて、陽極酸化法により電極芯材の表面に約6μmの厚みのアルミナ膜を形成することもできる。
【0018】
第2の封孔処理は、無機系の材料でもって封孔するときは、ポーラス構造のアルミナ膜の上に、レーザPVD法を用いて例えばアルミナ膜を付着させる。膜形成において、レーザをターゲットに照射する入熱量を制御することで、付着するアルミナ膜をポーラス構造の気孔内に浸入させることができる。
【0019】
樹脂でもって封孔処理するときは、ポーラス構造のアルミナ膜を有する放電電極を、例えばエポキシ樹脂を塗布あるいはエポキシ樹脂に浸して、減圧下で含浸させる。エポキシ樹脂に代えてアクリル樹脂、シリコン樹脂を用いることもできる。図2は、陽極酸化法によるポーラス構造のアルミナ膜26aにおいて、その気孔の中に樹脂26bを含浸させた様子を模式的に示す図である。このように、ポーラス構造の絶縁膜と樹脂の含浸とを併用するときは、ポーラス構造の気泡部分を埋めるに足りる樹脂量で、放電に対する十分な絶縁性能を得ることができる。したがって、電極芯材の表面の全面に樹脂を塗布する場合に比してかなり少ない量の樹脂量で封孔処理を行えるので、従来の樹脂コーティングによる絶縁膜形成法に比し、例えば、アウトガスの量が大幅に少なくなり、使用可能な樹脂の選択の幅が拡大する。
【0020】
このようにして電極芯材の表面に封孔処理されたアルミナ膜を形成した後、直棒状の先端で、直棒の中心軸から偏在した位置の部分を、工具を用いて封孔処理したアルミナ膜を除去して電極芯材24が露出する露出面28を設ける。露出面28を直棒の中心軸から偏在させるのは、放電の相手側であるワイヤの先端に対向して放電方向を限定させるためである。
【0021】
放電電極20の先端に露出面28を設けるために用いる工具は、専用の削り取り工具、やすり等を用いることができる。また、ポーラスアルミナ膜形成工程及び封孔処理工程において、所望の露出面に対応する部分をマスキング処理し、封孔処理されたアルミナ膜が付着しないようにすることもできる。また、マスクにレジストを用いてリフトオフ等により所望の部分の封孔処理されたアルミナ膜を除去することもできる。また、封孔処理されたアルミナ膜が形成された電極芯材に、所望の露出面の位置に至近距離から強制的に放電させて封孔処理されたアルミナ膜を除去することもできる。
【0022】
次に、電極芯材の表面に封孔処理されたアルミナ膜を有し、先端に露出面を有する放電電極の放電耐性の評価について説明する。放電電極の放電耐性は、高電圧の放電電圧を放電電極とワイヤとの間に印加したときに、放電により生ずる高熱により好ましくないガスが発生するか否か、高圧の放電電圧により露出面以外の絶縁層で被覆した部分から放電が生ずるか否か等の観点から行われる。例えば、樹脂について一般的なアウトガスの規格が定められているものがあるが、それらの規格の基準は必ずしもワイヤボンディング装置の要素、例えばレンズに曇りを与えるか否かの観点で定められてはいない。また、絶縁膜の絶縁性も、上記のように、一般にはいわゆる接触抵抗における絶縁性の評価であって、放電に対する抵抗の観点では評価が行われていない。したがって、放電電極については、実際の放電環境における放電耐性の評価が必要となる。
【0023】
図3は、ワイヤボンディング装置30において、放電電極20をホルダ22に取り付け、その放電耐性を評価する様子を説明する図である。放電電極20はホルダ22を介して高電圧発生器16の負極性側に接続され、ワイヤ14は高電圧発生器16の接地側に接続される。放電電極20の先端における露出面28とワイヤの先端の距離は例えば10mmにセットされる。
【0024】
この状態で、高電圧発生器16を用いて、放電電極20とワイヤ14との間に例えば−2400から−3000Vの高電圧を所定の時間印加して放電を発生させ、その後、放電電極20を取り外し、外観を観察する。放電電極20の他の表面からの部外放電32が生じているときには、表面に例えば黒い放電痕が観察される。特に、局部的に連続放電が起こると、顕著に放電痕を検知できる。
【0025】
このようにして、封孔処理されたアルミナ膜の放電に対する抵抗を評価することができる。例えば、レーザPVD法を用いて封孔のためのアルミナ膜を付着させるときは、レーザのターゲットを照射する入熱量等により封孔性が制御できるので、これらの封孔性制御パラメータと放電に対する抵抗とを対応付けることで、所望の放電に対する抵抗性能を満たす製造条件を選定できる。
【0026】
また、樹脂を用いて封孔処理を行う場合は、放電電極20からのアウトガス34の評価を行う。上記のように高電圧を所定の時間印加した後、ワイヤボンディング装置の光学部品、例えばレンズ等の表面の曇りを観察する。また、放電電極20に近接するキャピラリ12等のボンディングヘッドの表面にアウトガスの結晶化した成分の付着について観察する。このばあい、放電18を連続的に行う等の加速試験を行うこともできる。
【0027】
このようにして、放電の際の高熱によるアウトガスの影響を評価することができる。アウトガスの発生は、含浸樹脂の成分によるので、樹脂成分とアウトガスの影響評価とを対応付けることで、ワイヤボンディング装置の要素に影響を与えるアウトガスの少ない樹脂を選定することができる。
【0028】
上記説明では、電極芯材を丸棒としたが、他の断面形状、例えば楕円、矩形等の断面形状であってもよい。その断面の大きさも0.6mm直径に限られない。また、電極芯材は単純な直棒としたが、設計の範囲で必要な曲げ等を用いても本発明が実施できる。また、ポーラス構造膜としてアルミナ膜を用いたが、他の材料のポーラス膜、例えば他の材料の陽極酸化膜等であってもよい。膜厚も5−7μmに限られない。
【0029】
また、封孔処理として、無機系材料としてのアルミナの堆積と、樹脂含浸とを説明したが、ポーラス材料の表面を改質して封孔する方法を用いてもよい。例えば、0.3−0.6atmの加圧水蒸気を用いてポーラス材料との間の水和反応を利用する水蒸気封孔処理、沸騰水に浸漬してポーラス材料との間の水和反応を利用する沸騰水封孔処理を用いることができる。また、これらの封孔液に、有機化合物、無機化合物等の添加物を加えることもできる。添加物には、例えば酢酸ニッケル塩、ほう酸、重クロム酸カリウム、重クロム酸ナトリウム等を用いることができる。これらの改質法による封孔処理においても、上記放電耐性評価と対応付けることで、所望の放電耐性を満たす製造条件を選定できる。
【0030】
【発明の効果】
本発明に係るワイヤボンディング装置用放電電極によれば、安定した放電を確保することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】 本発明に係る実施の形態における放電電極をホルダに取り付けた状態で、放電電極を一部断面図で示した図である。
【図2】 本発明に係る実施の形態において、ポーラス構造のアルミナ膜の気孔の中に樹脂を含浸させた様子を模式的に示す図である。
【図3】 本発明に係る実施の形態において、ワイヤボンディング装置のホルダに放電電極を取り付け、その放電耐性を評価する様子を説明する図である。
【図4】 従来技術におけるイニシャルボール形成の様子を示す図である。
【符号の説明】
10,20 放電電極
12 キャピラリ
14 ワイヤ
16 高電圧発生器
22 ホルダ
24 電極芯材
26 封孔処理されたアルミナ膜
26a ポーラス構造のアルミナ膜
26b 樹脂
28 露出面
32 部外放電
34 アウトガス
Claims (4)
- ワイヤボンディング用ワイヤの先端との間に高電圧を印加して前記ワイヤとの間に放電を生じさせるワイヤボンディング装置用放電電極であって、
導電性の電極芯材を備え、
前記電極芯材の表面に形成されたポーラス構造の絶縁膜について前記ポーラス構造を封孔処理してなる絶縁層で前記電極芯材が覆われ、前記ワイヤの先端に対向する放電部位の部分においては前記電極芯材が露出する露出面を有することを特徴とするワイヤボンディング装置用放電電極。 - 請求項1に記載のワイヤボンディング装置用放電電極において、
前記ポーラス構造の絶縁膜は、陽極酸化法またはプラズマ溶射法で形成されたポーラスなアルミナ膜であることを特徴とするワイヤボンディング装置用放電電極。 - 請求項1または請求項2に記載のワイヤボンディング装置用放電電極において、
前記封孔処理してなる絶縁層は、前記ポーラス構造の絶縁膜の上に、レーザPVD法により、無機系材料膜を堆積させてなる絶縁層であることを特徴とするワイヤボンディング装置用放電電極。 - 請求項1または請求項2に記載のワイヤボンディング装置用放電電極において、
前記封孔処理してなる絶縁層は、前記ポーラス構造の絶縁膜に樹脂を含浸させてなる絶縁層であることを特徴とするワイヤボンディング装置用放電電極。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002282935A JP3727622B2 (ja) | 2002-09-27 | 2002-09-27 | ワイヤボンディング装置用放電電極 |
TW092121464A TWI267928B (en) | 2002-09-27 | 2003-08-06 | Discharge electrode for wire bonding apparatus |
KR1020030058816A KR100559943B1 (ko) | 2002-09-27 | 2003-08-25 | 와이어본딩 장치용 방전전극 |
US10/671,089 US6818861B2 (en) | 2002-09-27 | 2003-09-25 | Discharge electrode for a wire bonding apparatus |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2002282935A JP3727622B2 (ja) | 2002-09-27 | 2002-09-27 | ワイヤボンディング装置用放電電極 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004119799A JP2004119799A (ja) | 2004-04-15 |
JP2004119799A5 JP2004119799A5 (ja) | 2005-07-07 |
JP3727622B2 true JP3727622B2 (ja) | 2005-12-14 |
Family
ID=32025252
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002282935A Expired - Fee Related JP3727622B2 (ja) | 2002-09-27 | 2002-09-27 | ワイヤボンディング装置用放電電極 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6818861B2 (ja) |
JP (1) | JP3727622B2 (ja) |
KR (1) | KR100559943B1 (ja) |
TW (1) | TWI267928B (ja) |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US20050067382A1 (en) * | 2003-09-26 | 2005-03-31 | Gary Gillotti | Fine pitch electronic flame-off wand electrode |
JP4974986B2 (ja) * | 2007-09-28 | 2012-07-11 | 富士フイルム株式会社 | 太陽電池用基板および太陽電池 |
EP2435537A4 (en) | 2009-05-26 | 2013-09-04 | Inentec Llc | HIGH-PRESSURE GASIFICATION SYSTEM USING ELECTRICALLY SUPPORTED HEATING |
US20150196977A1 (en) | 2014-01-13 | 2015-07-16 | Camarc Llc | Electrode and method changing an electrode to a welding torch |
CN107672319B (zh) | 2014-01-27 | 2019-12-31 | 株式会社日立产机系统 | 盒式喷墨记录装置 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61279140A (ja) | 1985-06-04 | 1986-12-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | Icボンダ−用放電電極 |
JP2798515B2 (ja) | 1991-02-18 | 1998-09-17 | ローム株式会社 | 電子部品におけるワイヤーボンディング装置 |
JPH07263480A (ja) * | 1994-03-18 | 1995-10-13 | Shinkawa Ltd | ワイヤボンデイング方法及び装置 |
US5527441A (en) * | 1994-05-04 | 1996-06-18 | General Electric Company | Welding electrode with flat blade |
-
2002
- 2002-09-27 JP JP2002282935A patent/JP3727622B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2003
- 2003-08-06 TW TW092121464A patent/TWI267928B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-08-25 KR KR1020030058816A patent/KR100559943B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-09-25 US US10/671,089 patent/US6818861B2/en not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW200405494A (en) | 2004-04-01 |
TWI267928B (en) | 2006-12-01 |
US6818861B2 (en) | 2004-11-16 |
JP2004119799A (ja) | 2004-04-15 |
KR20040027312A (ko) | 2004-04-01 |
US20040060915A1 (en) | 2004-04-01 |
KR100559943B1 (ko) | 2006-03-13 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN1272234C (zh) | 在一基体上形成微电子弹簧结构的方法 | |
JP6211738B2 (ja) | 立体成型部品の製造方法及び立体成型部品 | |
JP5875702B2 (ja) | 積層体を備えた電子デバイスの製造方法および電子デバイス | |
TWI577257B (zh) | 於基材絕緣表面形成導電線路的方法 | |
JPH0322437A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP3727622B2 (ja) | ワイヤボンディング装置用放電電極 | |
KR101241337B1 (ko) | 페릴렌 코팅층을 이용하는 pdms 기반의 유연성 전극 및 그 제조 방법 | |
US20200045834A1 (en) | Wiring Substrate And Method Of Manufacturing The Wiring Substrate | |
CA2513691A1 (en) | Pre-plating surface treatments for enhanced galvanic-corrosion resistance | |
JP3226250B2 (ja) | 転写マスク | |
US20120196039A1 (en) | Method for enhancing metallization in selective deposition processes | |
KR101620672B1 (ko) | 이종 금속 용접부의 부식방지방법 | |
JP4439963B2 (ja) | 電着膜形成方法及び半導体装置 | |
US20050139475A1 (en) | Insert dies, molds, and methods for fabricating the same | |
JP2004119799A5 (ja) | ||
US8879274B2 (en) | Method of manufacturing an electrical component | |
US20140377477A1 (en) | Method for forming metal layer on surface of insulating plastic | |
JP2017185727A (ja) | 液体吐出ヘッド用基板及びその製造方法 | |
JP6819416B2 (ja) | 貫通電極基板およびその製造方法 | |
JP2001144035A (ja) | 半導体装置の製造方法および半導体装置 | |
JP2005036306A5 (ja) | ||
JP2024003147A (ja) | 半導体装置用基板およびその製造方法、半導体装置 | |
JP2006128355A (ja) | シリコン半導体基板 | |
JP2006134973A (ja) | 絶縁膜形成方法 | |
JP2012231034A (ja) | ボンディングワイヤ、並びに、プリント回路板およびその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041027 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20041027 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050831 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20050906 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20050928 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20091007 Year of fee payment: 4 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |