JP6819416B2 - 貫通電極基板およびその製造方法 - Google Patents

Description

本開示は、貫通電極基板およびその製造方法に関する。

従来から、貫通孔が設けられた透明基板と、透明基板の貫通孔の内部に位置する貫通電極とを備えた貫通電極基板に関して、種々の技術が提案されている。例えば、特許文献１には、透明基板と貫通電極との密着性を高めるために、貫通孔の側壁に密着層を介して貫通電極を形成したインターポーザが開示されている。

特開２０１７−５０８１号公報

しかしながら、特許文献１に記載の技術では、透明基板と貫通電極との密着性を高めることはできても、透明基板と、透明基板の表面上に位置する配線との密着性を高めることはできなかった。

本開示は、以上の点を考慮してなされたものであり、透明基板からの配線の剥離を抑制することができる貫通電極基板およびその製造方法を提供することを目的とする。

上記の課題を解決するために、本開示の一態様では、
第１表面および前記第１表面の反対側の第２表面を有し、前記第１表面から前記第２表面まで貫通する貫通孔が設けられた透明基板と、
前記第１表面および前記第２表面のうちの少なくとも一方の表面における前記貫通孔の周辺の第１領域上に位置する第１部分、および前記少なくとも一方の表面における前記第１領域の外側の第２領域上に位置し、少なくとも部分的に前記第１部分よりも厚みが厚い第２部分を有する第１密着層と、
前記貫通孔の側壁上に位置する貫通電極と、
前記第１密着層上に位置する導電層と、を備える、貫通電極基板が提供される。

前記導電層は、
前記第１部分上に位置し、前記少なくとも一方の表面側の前記貫通電極の一端に連続するパッド部と、
前記第２部分上に位置する配線部と、を有してもよい。

前記第１密着層は、有機物を含有してもよい。

前記第２部分は、少なくとも部分的に前記第１部分よりも４０ｎｍ以上厚みが厚くてもよい。

前記第２部分は、全体的に前記第１部分よりも厚みが厚くてもよい。

前記第１部分は、前記貫通孔の開口側の第１範囲において、前記第２部分の厚みよりも薄い厚みを有し、前記貫通孔の開口と反対側の第２範囲において、前記第１範囲の厚みよりも厚く、前記第２部分の厚み以下の厚みを有してもよい。

前記貫通孔の前記第１表面に沿った面方向の寸法に対する前記第１表面に交差する厚み方向の寸法の比であるアスペクト比は、３以上３３以下であってもよい。

前記第１密着層を介した前記透明基板と前記導電層との密着性は、前記透明基板と前記導電層との直接的な密着性より高くてもよい。

前記第１密着層の厚みは、１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。

前記第１密着層と前記導電層との間に触媒が存在してもよい。

前記導電層は、前記第１密着層上に位置する第１導電層と、前記第１導電層上に位置する第２導電層と、を有してもよい。

前記第１導電層と前記第２導電層とは、同一の成分を含有してもよい。

前記貫通孔の側壁上に位置する第２密着層を更に備え、
前記貫通電極は、前記第２密着層上に位置してもよい。

前記導電層は、前記第１部分上に位置し、前記少なくとも一方の表面側の前記貫通電極の一端に連続するパッド部を有し、
前記貫通電極と前記パッド部との境界部において、前記第１部分は前記第２密着層に連続していてもよい。

前記第２密着層は、有機物を含有してもよい。

前記第２密着層を介した前記透明基板と前記貫通電極との密着性は、前記透明基板と前記貫通電極との直接的な密着性より高くてもよい。

前記第２密着層の厚みは、１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であってもよい。

前記第２密着層と前記貫通電極との間に触媒が存在してもよい。

前記透明基板は、ガラスを含有してもよい。

本開示の他の一態様では、
第１表面および前記第１表面の反対側の第２表面を有する透明基板を準備する工程と、
前記透明基板に、前記第１表面から前記第２表面まで貫通する貫通孔を形成する工程と、
前記第１表面および前記第２表面のうちの少なくとも一方の表面における前記貫通孔の周辺の第１領域上に、第１密着層の第１部分を形成し、前記少なくとも一方の表面における前記第１領域の外側の第２領域上に、少なくとも部分的に前記第１部分よりも厚みが厚くなるように前記第１密着層の第２部分を形成する工程と、
前記貫通孔の側壁上に貫通電極を形成する工程と、
前記第１密着層上に導電層を形成する工程と、を備える、貫通電極基板の製造方法が提供される。

本開示によれば、透明基板からの配線の剥離を抑制することができる。

本実施形態による貫通電極基板を示す断面図である。 本実施形態による貫通電極基板において、貫通電極と第１面導電層との境界部分を示す拡大断面図である。 本実施形態による貫通電極基板において、貫通電極と第２面導電層との境界部分を示す拡大断面図である。 本実施形態による貫通電極基板の製造方法を示す断面図である。 図４に続く本実施形態による貫通電極基板の製造方法を示す断面図である。 図５に続く本実施形態による貫通電極基板の製造方法を示す断面図である。 図６に続く本実施形態による貫通電極基板の製造方法を示す断面図である。 図７に続く本実施形態による貫通電極基板の製造方法を示す断面図である。 図８に続く本実施形態による貫通電極基板の製造方法を示す断面図である。 図９に続く本実施形態による貫通電極基板の製造方法を示す断面図である。 図１０に続く本実施形態による貫通電極基板の製造方法を示す断面図である。 図１２（ａ）は、本実施形態による貫通電極基板において、透明基板上へのシード層の形成状態を模式的に示す平面図であり、図１２（ｂ）は、第１の比較例による貫通電極基板において、透明基板上へのシード層の形成状態を模式的に示す平面図であり、図１２（ｃ）は、第２の比較例による貫通電極基板において、透明基板上へのシード層の形成状態を模式的に示す平面図である。 本実施形態の第１の変形例による貫通電極基板において、貫通電極と第１面導電層との境界部分を示す拡大断面図である。 本実施形態の第１の変形例による貫通電極基板において、貫通電極と第２面導電層との境界部分を示す拡大断面図である。 本実施形態の第２の変形例による貫通電極基板において、貫通電極と第２面導電層との境界部分を示す拡大断面図である。 本実施形態の第３の変形例による貫通電極基板において、貫通電極と第１面導電層との境界部分を示す拡大断面図である。 本実施形態の第４の変形例による貫通電極基板において、貫通電極と第１面導電層との境界部分を示す拡大断面図である。 図１８（ａ）は、本実施形態の第５の変形例による貫通電極基板として、貫通孔の一変形例を示す断面図であり、図１８（ｂ）は、図１８（ａ）と異なる貫通孔の変形例を示す断面図であり、図１８（ｃ）は、図１８（ａ）および図１８（ｂ）と異なる貫通孔の変形例を示す断面図である。 本実施形態の第６の変形例による貫通電極基板を示す断面図である。 本実施形態の第７の変形例による貫通電極基板を示す断面図である。 本実施形態による貫通電極基板を適用できる製品の例を示す図である。

以下、本開示の実施形態に係る貫通電極基板の構成ついて、図面を参照しながら詳細に説明する。なお、以下に示す実施形態は本開示の実施形態の一例であって、本開示はこれらの実施形態に限定して解釈されるものではない。また、本明細書において、「基板」、「基材」、「シート」や「フィルム」など用語は、呼称の違いのみに基づいて、互いから区別されるものではない。例えば、「基板」や「基材」は、シートやフィルムと呼ばれ得るような部材も含む概念である。また、本実施形態で参照する図面において、同一部分または同様な機能を有する部分には同一の符号または類似の符号を付し、その繰り返しの説明は省略する場合がある。また、図面の寸法比率は説明の都合上実際の比率とは異なる場合や、構成の一部が図面から省略される場合がある。

先ず、図１を参照しながら、本開示の貫通電極基板の一例について説明する。図１は、本実施形態による貫通電極基板１を示す断面図である。本実施形態の貫通電極基板１は、例えば、光学用途のインターポーザ基板に用いることができる。

図１に示すように、本実施形態の貫通電極基板１は、透明基板２と、第２密着層の一例である側壁密着層３１と、第１密着層の一例である第１面密着層３２および第２面密着層３３と、貫通電極４と、導電層の一例である第１面導電層５１および第２面導電層５２と、有機層６と、を備える。

（透明基板２）
透明基板２は、可視光に対する透過性を有する基板であり、例えば、石英ガラス、無アルカリガラス、ソーダライムガラス、パイレックス（登録商標）ガラス、合成石英板等の可撓性のない透明なリジッド材が挙げられる。この種の透明基板２は、透明性が要求される貫通電極基板１に好適に用いることができる。特に無アルカリガラスは信頼性とコストの点で好ましい。

透明基板２は、第１表面２１と、第１表面２１の反対側の第２表面２２とを有する。図１の例において、第１表面２１と第２表面２２とは互いに平行である。透明基板２の内部に貫通電極４を位置させるため、透明基板２には、第１表面２１から第２表面２２まで透明基板２を貫通する貫通孔２３が設けられている。

貫通孔２３は、第１表面２１に直交すなわち交差する透明基板２の厚み方向Ｄ１に垂直な断面において円形状を有する。また、図示はしないが、貫通孔２３は、第１表面２１に沿った第１表面２１の面方向Ｄ２に間隔を空けて複数設けられている。

また、図１の例において、貫通孔２３の内径は、第１表面２１から第２表面２２に至るまで殆ど変化しない。すなわち、図１の貫通孔２３は、厚み方向Ｄ１に沿ってストレートな円筒形状の側壁２３１を有している。後述の図１８（ａ）〜図１８（ｃ）に示すように、貫通孔２３の内径は、第１表面２１および第２表面２２の一方から他方に向かって変化してもよい。

貫通孔２３は、面方向Ｄ２の寸法すなわち内径φに対する厚みＴの比Ｔ／φであるアスペクト比が、３以上３３以下であることが望ましい。一例として、貫通孔２３の内径φは、１５μｍ以上１００μｍ以下であり、貫通孔２３の厚みＴは、３００μｍ以上５００μｍ以下である。貫通孔２３のアスペクト比Ｔ／φを３以上とすることで、貫通孔２３の内径φを抑制できるので、貫通電極４の配線密度を高めることができる。貫通孔２３のアスペクト比Ｔ／φを３３以下とすることで、貫通孔２３の内部に貫通電極４を形成するために十分な内径φを確保することができる。

（側壁密着層３１）
側壁密着層３１は、貫通孔２３の側壁２３１上に位置し、透明基板２および貫通電極４の双方への密着性および絶縁性を有する層である。

側壁密着層３１を介した透明基板２と貫通電極４との密着性は、側壁密着層３１が無い場合の透明基板２と貫通電極４との直接的な密着性より高い。このような密着性の大小関係は、側壁密着層３１を介して側壁２３１上に形成した貫通電極４を剥離することを模擬した剥離試験と、側壁２３１上に直接形成した貫通電極４を剥離することを模擬した剥離試験とを実施し、双方の剥離試験における剥離力を比較することで確認することができる。剥離試験としては、ＪＩＳ Ｈ ８５０４に規定されているめっきの密着性試験方法のうち、テープ試験を用いることができる。テープ試験は、めっき皮膜に粘着力のあるテープを貼り付けて急速に引き剥がす試験である。テープを引き剥がすとき、めっき皮膜の密着性が悪いほど、テープ粘着面に付着するめっき皮膜の量、すなわちめっき皮膜の剥離量が多くなる。めっき皮膜の剥離量が多いほど、めっき皮膜の剥離に要する剥離力は小さい。テープ試験によれば、透明基板上に密着層を介して形成されためっき皮膜にテープを貼り付けて引き剥がした場合のめっき皮膜の剥離量と、透明基板上に直接形成されためっき皮膜にテープを貼り付けて引き剥がした場合のめっき皮膜の剥離量とを比較することで、密着層の有無に応じた剥離力を比較することができる。

なお、密着層の大小関係は、実施例において説明する「ＪＩＳ Ｋ５６００ 塗料一般試験方法」に規定されているクロスカット試験法によって確認することもできる。

側壁密着層３１は、有機物を含有する。有機物を含有することで、側壁密着層３１は、
透明基板２および貫通電極４との間で高い密着性を発揮することができる。

側壁密着層３１に含有される有機物は、側壁密着層３１上に無電解めっき法で貫通電極４のシード層を形成する場合における金属析出性と薬液耐性との双方を有することが望ましい。このような有機物としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂などの高分子樹脂を好適に用いることができる。なお、高分子樹脂は、無機酸化膜や有機単分子膜と比較して、側壁２３１上に均一に側壁密着層３１が形成されているか否かを判断し易いので、生産性の向上に寄与することもできる。

側壁密着層３１の厚みは、１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。側壁密着層３１の厚みを１５ｎｍ以上とすることで、側壁密着層３１上に無電解めっき法で貫通電極４のシード層を形成する場合に、側壁密着層３１に十分な量の触媒を吸着させることができるので、貫通電極４のシード層の析出性を向上させることができる。側壁密着層３１の厚みを２００ｎｍ以下とすることで、無電解めっきの後工程として実施される各種の加熱工程において側壁密着層３１から発生するガスの総量を抑制することができるので、ガスの圧力による貫通電極４の変形およびこれにともなう電気的特性の悪化を抑制することができる。

側壁密着層３１は、例えば、ディップコート、スプレーコート、およびスピンコートなどのウェットプロセスを用いて形成してもよい。

（第１面密着層３２）
第１面密着層３２は、第１表面２１上に位置し、透明基板２および第１面導電層５１の双方への密着性および絶縁性を有する層である。

図２は、本実施形態による貫通電極基板１において、貫通電極４と第１面導電層５１との境界部分を示す拡大断面図である。図２に示すように、第１面密着層３２は、第１部分の一例である第１面第１密着層３２１と、第２部分の一例である第１面第２密着層３２２とを有する。

第１面第１密着層３２１は、後述する第１面パッド部５１２の透明基板２への密着性を高めることを意図して設けられた層である。このため、第１面第１密着層３２１は、第１面パッド部５１２の形成領域に対応するように、第１表面２１における貫通孔２３の周辺の第１領域の一例である第１面第１領域２１１上に位置する。また、第１面第１密着層３２１は、貫通孔２３の開口２３１ａ側の一端すなわち内周端において、第１表面２１側の側壁密着層３１の一端に連続している。

図２の例において、第１表面２１側の側壁２３１の一端２３１ａである貫通孔２３の開口２３１ａは、平面視した場合に円形状を有する。このため、貫通孔２３の開口２３１ａを囲む第１面第１領域２１１と、第１面第１領域２１１上に位置する第１面第１密着層３２１とは、貫通孔２３とほぼ同心の円環形状を有する。なお、第１面第１密着層３２１の形状は、貫通孔２３の開口形状に応じて異なってよい。

第１面第２密着層３２２は、後述する第１面配線部５１１の透明基板２への密着性を高めることを意図して設けられた層である。このため、第１面第２密着層３２２は、第１面配線部５１１の形成領域に対応するように、第１表面２１における第１領域の外側の第２領域の一例である第１面第２領域２１２上に位置する。また、面方向Ｄ２に間隔を空けて第１表面２１上に位置される第１面配線部５１１に対応するように、第１面第２密着層３２２は、面方向Ｄ２に間隔を空けて部分的に第１面第２領域２１２上に位置する。

配線幅Ｗ_５１１が細いため透明基板２から剥がれ易い第１面配線部５１１の密着性を向上させるため、図２の例において、第１面第２密着層３２２は、第１面第１密着層３２１との間で以下の関係式を満足する。
ｔ_３２１＜ｔ_３２２ （１）
但し、数式（１）において、ｔ_３２１は、第１面第１密着層３２１の厚みである。ｔ_３２２は、第１面第２密着層３２２の厚みである。

図２の例において、第１面第１密着層３２１および第１面第２密着層３２２は、それぞれがほぼ一定の厚みを有している。数式（１）は、第１面第１密着層３２１および第１面第２密着層３２２のそれぞれが勾配を有する場合にも、各層のそれぞれの任意の位置の厚み同士の間で成立してもよい。

数式（１）は、第１面第２密着層３２２が全体的に第１面第１密着層３２１よりも厚みが厚いことを示している。言い換えれば、数式（１）は、第１面第１密着層３２１が、面方向Ｄ２の全範囲において第１面第２密着層３２２よりも厚みが薄いことを示している。

数式（１）に示すように、第１面第２密着層３２２の厚みｔ_３２２は、第１面第１密着層３２１の厚みｔ_３２１より厚い。これにより、図２に示される第１面パッド部５１２の配線幅Ｗ_５１２よりも細い配線幅Ｗ_５１１を有する第１面配線部５１１を、透明基板２上に十分な密着力で密着させることができる。なお、図２の例においては、第１面パッド部５１２の配線幅Ｗ_５１２および第１面配線部５１１の配線幅Ｗ_５１１として、各部５１１、５１２の面方向Ｄ２の寸法のうち最小の寸法を想定している。具体的には、第１面パッド部５１２の配線幅Ｗ_５１２は、貫通孔２３の外周縁上で周回する無端の第１面パッド部５１２を周方向に直交する切断線で切断したときに現れる断面についての面方向Ｄ２の寸法である。第１面配線部５１１の配線幅Ｗ_５１１は、第１面配線部５１１の延伸方向に直交する方向の寸法である。

第１面第２密着層３２２の厚みｔ_３２２は、第１面第１密着層３２１の厚みｔ_３２１より４０ｎｍ以上厚くてもよい。すなわち、第１面第２密着層３２２は、全体的に第１面第１密着層３２１よりも４０ｎｍ以上厚みが厚くてもよい。４０ｎｍ以上厚みが厚いことで、第１面配線部５１１の密着性を更に高めることができる。

第１面第１密着層３２１の長さは、最大で４０μｍであってもよい。

第１面密着層３２を介した透明基板２と第１面導電層５１との密着性は、第１面密着層３２が無い場合の透明基板２と第１面導電層５１との直接的な密着性より高い。このような密着性の大小関係は、第１面密着層３２を介して第１表面２１上に形成した第１面導電層５１を剥離することを模擬した剥離試験と、第１表面２１上に直接形成した第１面導電層５１を剥離することを模擬した剥離試験とを実施し、双方の剥離試験における第１面導電層５１の剥離力を比較することで確認することができる。剥離試験としては、ＪＩＳ Ｈ ８５０４に規定されているめっきの密着性試験方法のうち、テープ試験、または、「ＪＩＳ Ｋ５６００ 塗料一般試験方法」に規定されているクロスカット試験法を用いることができる。

側壁密着層３１と同様に、第１面密着層３２は、有機物を含有する。有機物を含有することで、第１面密着層３２は、透明基板２および第１面導電層５１との間で高い密着性を発揮することができる。

側壁密着層３１と同様に、第１面密着層３２に含有される有機物は、第１面密着層３２上に無電解めっき法で第１面導電層５１のシード層を形成する場合における金属析出性と薬液耐性との双方を有することが望ましい。このような有機物としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂などの高分子樹脂を好適に用いることができる。なお、高分子樹脂は、無機酸化膜や有機単分子膜と比較して第１表面２１上に均一に第１面密着層３２が形成されているか否かを判断し易いので、生産性の向上に寄与することもできる。

側壁密着層３１と同様に、第１面密着層３２の厚みは、１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。第１面密着層３２の厚みを１５ｎｍ以上とすることで、第１面密着層３２上に無電解めっき法で第１面導電層５１のシード層を形成する場合に、第１面密着層３２に十分な量の触媒を吸着させることができるので、第１面導電層５１のシード層の析出性を向上させることができる。第１面密着層３２の厚みを２００ｎｍ以下とすることで、無電解めっき後の加熱工程において第１面密着層３２から発生するガスの総量を抑制することができるので、ガスの圧力による第１面導電層５１の膨張およびこれにともなう電気的特性の悪化を抑制することができる。

第１面密着層３２すなわち第１面第１密着層３２１および第１面第２密着層３２２は、後述する第１面導電層５１の複数の第１面配線部５１１および第１面パッド部５１２に対応するように、面方向Ｄ２に間隔を空けて部分的に第１表面２１上に位置している。第１面配線部５１１および第１面パッド部５１２に対応するように面方向Ｄ２に間隔を空けて部分的に第１表面２１上に位置しているため、複数の第１面配線部５１１間には第１面密着層３２が存在しない。このような構成によれば、後述する複数の第１面配線部５１１間におけるマイグレーションを抑制することができる。

第１面密着層３２は、例えば、ディップコート、スプレーコート、およびスピンコートなどのウェットプロセスによって側壁密着層３１と同一材料で同時に形成してもよい。

（第２面密着層３３）
第２面密着層３３は、第２表面２２上に位置し、透明基板２および第２面導電層５２の双方への密着性および絶縁性を有する層である。

図３は、本実施形態による貫通電極基板１において、貫通電極４と第２面導電層５２との境界部分を示す拡大断面図である。図３に示すように、第２面密着層３３は、第１部分の一例である第２面第１密着層３３１と、第２部分の一例である第２面第２密着層３３２とを有する。

第２面第１密着層３３１は、後述する第２面パッド部５２２の透明基板２への密着性を高めることを意図して設けられた層である。このため、第２面第１密着層３３１は、第２面パッド部５２２の形成領域に対応するように、第２表面２２における貫通孔２３の周辺の第１領域の一例である第２面第１領域２２１上に位置する。また、第２面第１密着層３３１は、貫通孔２３の開口２３１ｂ側の一端すなわち内周端において、第２表面２２側の側壁密着層３１の一端に連続している。

図３の例において、第２表面２２側の側壁２３１の一端２３１ｂである貫通孔２３の開口２３１ｂは、平面視した場合に円形状を有する。このため、貫通孔２３の開口２３１ｂを囲む第２面第１領域２２１と、第２面第１領域２２１上に位置する第２面第１密着層３３１とは、貫通孔２３とほぼ同心の円環形状を有する。なお、第２面第１密着層３３１の形状は、貫通孔２３の開口形状に応じて異なってよい。

第２面第２密着層３３２は、後述する第２面配線部５２１の透明基板２への密着性を高めることを意図して設けられた層である。このため、第２面第２密着層３３２は、第２面配線部５２１の形成領域に対応するように、第２表面２２における第１領域の外側の第２領域の一例である第２面第２領域２２２上に位置する。また、面方向Ｄ２に間隔を空けて第２表面２２上に位置される第２面配線部５２１に対応するように、第２面第２密着層３３２は、面方向Ｄ２に間隔を空けて部分的に第２面第２領域２２２上に位置する。

配線幅Ｗ_５２１が細いため透明基板２から剥がれ易い第２面配線部５２１の密着性を向上させるため、図３の例において、第２面第２密着層３３２は、第２面第１密着層３３１との間で以下の関係式を満足する。
ｔ_３３１＜ｔ_３３２ （２）
但し、数式（２）において、ｔ_３３１は、第２面第１密着層３３１の厚みである。ｔ_３３２は、第２面第２密着層３３２の厚みである。

図３の例において、第２面第１密着層３３１および第２面第２密着層３３２は、それぞれがほぼ一定の厚みを有している。数式（２）は、第２面第１密着層３３１および第２面第２密着層３３２のそれぞれが勾配を有する場合にも、各層のそれぞれの任意の位置の厚み同士の間で成立してもよい。

数式（２）は、第２面第２密着層３３２が全体的に第２面第１密着層３３１よりも厚みが厚いことを示している。言い換えれば、数式（２）は、第２面第１密着層３３１が、面方向Ｄ２の全範囲において第２面第２密着層３３２よりも厚みが薄いことを示している。

数式（２）に示すように、第２面第２密着層３３２の厚みｔ_３３２は、第２面第１密着層３３１の厚みｔ_３３１より厚い。これにより、図３に示される第２面パッド部５２２の配線幅Ｗ_５２２よりも細い配線幅Ｗ_５２１を有する第２面配線部５２１を、透明基板２上に十分な密着力で密着させることができる。なお、図３の例においては、第２面パッド部５２２の配線幅Ｗ_５２２および第２面配線部５２１の配線幅Ｗ_５２１として、各部５２１、５２２の面方向Ｄ２の寸法のうち最小の寸法を想定している。具体的には、第２面パッド部５２２の配線幅Ｗ_５２２は、貫通孔２３の外周縁上で周回する無端の第２面パッド部５２２を周方向に直交する切断線で切断したときに現れる断面についての面方向Ｄ２の寸法である。第２面配線部５２１の配線幅Ｗ_５２１は、第２面配線部５２１の延伸方向に直交する方向の寸法である。

第２面第２密着層３３２の厚みｔ_３３２は、第２面第１密着層３３１の厚みｔ_３３１より４０ｎｍ以上厚くてもよい。すなわち、第２面第２密着層３３２は、全体的に第２面第１密着層３３１よりも４０ｎｍ以上厚みが厚くてもよい。４０ｎｍ以上厚みが厚いことで、第２面配線部５２１の密着性を更に高めることができる。

第２面第１密着層３３１の長さは、最大で４０μｍであってもよい。

第２面密着層３３を介した透明基板２と第２面導電層５２との密着性は、第２面密着層３３が無い場合の透明基板２と第２面導電層５２との直接的な密着性より高い。このような密着性の大小関係は、第２面密着層３３を介して第２表面２２上に形成した第２面導電層５２を剥離することを模擬した剥離試験と、第２表面２２上に直接形成した第２面導電層５２を剥離することを模擬した剥離試験とを実施し、双方の剥離試験における第２面導電層５２の剥離力を比較することで確認することができる。剥離試験としては、ＪＩＳ Ｈ ８５０４に規定されているめっきの密着性試験方法のうち、テープ試験、または、「ＪＩＳ Ｋ５６００ 塗料一般試験方法」に規定されているクロスカット試験法を用いることができる。

側壁密着層３１と同様に、第２面密着層３３は、有機物を含有する。有機物を含有することで、第２面密着層３３は、透明基板２および第２面導電層５２との間で高い密着性を発揮することができる。

側壁密着層３１と同様に、第２面密着層３３に含有される有機物は、第２面密着層３３上に無電解めっき法で第２面導電層５２のシード層を形成する場合における金属析出性と薬液耐性との双方を有することが望ましい。このような有機物としては、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂、ポリイミド樹脂、ウレタン樹脂などの高分子樹脂を好適に用いることができる。なお、高分子樹脂は、無機酸化膜や有機単分子膜と比較して第２表面２２上に均一に第２面密着層３３が形成されているか否かを判断し易いので、生産性の向上に寄与することもできる。

側壁密着層３１と同様に、第２面密着層３３の厚みは、１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下であることが望ましい。第２面密着層３３の厚みを１５ｎｍ以上とすることで、第２面密着層３３上に無電解めっき法で第２面導電層５２のシード層を形成する場合に、第２面密着層３３に十分な量の触媒を吸着させることができるので、第２面導電層５２のシード層の析出性を向上させることができる。第２面密着層３３の厚みを２００ｎｍ以下とすることで、無電解めっき後の加熱工程において第２面密着層３３から発生するガスの総量を抑制することができるので、ガスの圧力による第２面導電層５２の膨張およびこれにともなう電気的特性の悪化を抑制することができる。

第２面密着層３３すなわち第２面第１密着層３３１および第２面第２密着層３３２は、後述する第２面導電層５２の複数の第２面配線部５２１および第２面パッド部５２２に対応するように、面方向Ｄ２に間隔を空けて部分的に第２表面２２上に位置している。したがって、複数の第２面配線部５２１間には第２面密着層３３が存在しない。このような構成によれば、後述する複数の第２面配線部５２１間におけるマイグレーションを抑制することができる。

第２面密着層３３は、例えば、ディップコート、スプレーコート、およびスピンコートなどのウェットプロセスによって側壁密着層３１および第１面密着層３２と同一材料で同時に形成してもよい。

（貫通電極４）
貫通電極４は、貫通孔２３の内部において側壁密着層３１上に位置し、且つ導電性を有する部材である。図１の例において、貫通電極４の厚みは、貫通孔２３の幅すなわち内径よりも小さく、このため、貫通孔２３の内部には、貫通電極４が存在しない空間がある。すなわち、貫通電極４は、いわゆるコンフォーマルビアである。なお、図１の例において、貫通孔２３の内部の空間は、貫通電極４の内側に位置する有機層６で埋められている。

図１に示すように、貫通電極４は、第３導電層の一例として、側壁密着層３１上に位置するシード層７と、第４導電層の一例として、シード層７上に位置するめっき層８とを有する。

シード層７は、電解めっき法によってめっき層８を形成する電解めっき工程の際に、めっき液中の金属イオンを析出させてめっき層８を成長させるための土台となる、導電性を有する層である。

シード層７の材料としては、銅などの導電性を有する材料を用いることができる。シード層７の材料は、めっき層８の材料と同一であってもよく、異なっていてもよい。例えば、シード層７は、チタンと銅を順に積層した積層膜や、クロムなどであってもよい。シード層７は、例えば、無電解めっき法で形成することができる。

めっき層８は、電解めっき法によって形成される、導電性を有する層である。めっき層８は、例えば、銅を含有する。めっき層８は、銅と、銅以外の金属、例えば、金、銀、白金、ロジウム、スズ、アルミニウム、ニッケル、クロムとの合金を含有していてもよく、または、銅と銅以外の金属とを積層したものであってもよい。

また、シード層７およびめっき層８は、タングステン、チタン、タンタルその他の高融点化合物を主成分として含有していてもよい。

（第１面導電層５１）
第１面導電層５１は、第１面密着層３２上に位置し、且つ導電性を有する層である。第１面導電層５１は、複数の第１面配線部５１１と、第１面パッド部５１２とを有する。

より具体的には、第１面導電層５１のうち第１面パッド部５１２は、第１面第１領域２１１上において、貫通電極４の第１表面２１側の端部に連続している。これにより、第１面パッド部５１２は、貫通電極４と電気的に接続されている。既述したように、図２の例における第１面パッド部５１２は、平面視した場合に貫通孔２３と同心の円環形状を呈する。

図２の例において、第１面パッド部５１２は、第１面第１密着層３２１上に位置している。

貫通電極４と同様に、第１面パッド部５１２は、第１導電層の一例として、第１面密着層３２上に位置するシード層７と、第２導電層の一例として、シード層７上に位置するめっき層８とを有する。第１面パッド部５１２のシード層７およびめっき層８は、貫通電極４のシード層７およびめっき層８と共通、すなわち同一成分を含有する。

複数の第１面配線部５１１は、面方向Ｄ２に間隔を空けて第１面密着層３２上に位置する。各第１面配線部５１１の少なくとも１つは、貫通電極４と電気的に接続されていてもよい。貫通電極４と同様に、各第１面配線部５１１は、第１導電層の一例として、第１面密着層３２上に位置するシード層７と、第２導電層の一例として、シード層７上に位置するめっき層８とを有する。第１面配線部５１１のシード層７およびめっき層８は、貫通電極４のシード層７およびめっき層８と共通、すなわち同一成分を含有する。

なお、各第１面配線部５１１に覆われた第１面密着層３２は、各第１面配線部５１１のそれぞれに対応するように面方向Ｄ２に間隔を空けて第１表面２１上に位置する。図１の例において、隣り合う第１面配線部５１１同士の間には第１面密着層３２が存在しない。これにより、隣り合う第１面配線部５１１同士の間で、第１面密着層３２の表面を伝った金属の移動によるマイグレーションが生じることを抑制することができる。

（第２面導電層５２）
第２面導電層５２は、第２面密着層３３上に位置し、且つ導電性を有する層である。第２面導電層５２は、複数の第２面配線部５２１と、第２面パッド部５２２とを有する。

より具体的には、第２面パッド部５２２は、第２面第１領域２２１上において、貫通電極４の第２表面２２側の端部に連続している。これにより、第２面パッド部５２２は、貫通電極４と電気的に接続されている。既述したように、図３の例における第２面パッド部５２２は、平面視した場合に貫通孔２３と同心の円環形状を呈する。

図３の例において、第２面パッド部５２２は、第２面第１密着層３３１上に位置している。

貫通電極４と同様に、第２面パッド部５２２は、第１導電層の一例として、第２面密着層３３上に位置するシード層７と、第２導電層の一例として、シード層７上に位置するめっき層８とを有する。第２面パッド部５２２のシード層７およびめっき層８は、貫通電極４のシード層７およびめっき層８と共通、すなわち同一成分を含有する。

複数の第２面配線部５２１は、面方向Ｄ２に間隔を空けて第２面密着層３３上に位置する。各第２面配線部５２１の少なくとも１つは、貫通電極４と電気的に接続されていてもよい。貫通電極４と同様に、各第２面配線部５２１は、第１導電層の一例として、第２面密着層３３上に位置するシード層７と、第２導電層の一例として、シード層７上に位置するめっき層８とを有する。第２面配線部５２１のシード層７およびめっき層８は、貫通電極４のシード層７およびめっき層８と共通、すなわち同一成分を含有する。

なお、各第２面配線部５２１に覆われた第２面密着層３３は、各第２面配線部５２１のそれぞれに対応するように面方向Ｄ２に間隔を空けて第２表面２２上に位置する。図１の例において、隣り合う第２面配線部５２１同士の間には第２面密着層３３が存在しない。これにより、第２面配線部５２１同士の間で、第２面密着層３３の表面を伝った金属の移動によるマイグレーションが生じることを抑制することができる。

（有機層６）
有機層６は、貫通孔２３の内部に位置する、絶縁性を有する層である。有機層６の有機材料としては、ポリイミドやエポキシ樹脂などを用いることができる。

（貫通電極基板１の製造方法）
以下、貫通電極基板１の製造方法の一例について、図１乃至図１１を参照して説明する。

（貫通孔形成工程）
図４は、本実施形態による貫通電極基板１の製造方法を示す断面図である。まず、透明基板２を準備する。透明基板２を準備した後、図４に示すように、第１表面２１から第２表面２２まで透明基板２を貫通する貫通孔２３を透明基板２に形成する。貫通孔２３の形成方法としては、例えば、レーザ照射を用いることができる。レーザとしては、エキシマレーザ、Ｎｄ：ＹＡＧレーザ、フェムト秒レーザ等を用いることができる。Ｎｄ：ＹＡＧレーザを採用する場合、波長が１０６４ｎｍの基本波、波長が５３２ｎｍの第２高調波、波長が３５５ｎｍの第３高調波等を用いることができる。

また、レーザ照射とウェットエッチングを適宜組み合わせることもできる。具体的には、まず、レーザ照射によって透明基板２のうち貫通孔２３が形成されるべき領域に変質層を形成する。続いて、透明基板２をフッ化水素などに浸漬して、変質層をエッチングする。これによって、透明基板２に貫通孔２３を形成することができる。

レーザ照射以外にも、透明基板２に研磨材を吹き付けるブラスト処理や、反応性イオンエッチング法、深掘り反応性イオンエッチング法などのドライエッチング法などによって透明基板２に貫通孔２３を形成してもよい。

（密着層形成工程）
図５は、図４に続く本実施形態による貫通電極基板１の製造方法を示す断面図である。貫通孔２３を形成した後、図５に示すように、貫通孔２３の側壁２３１上への側壁密着層３１の形成と、第１表面２１上への第１面密着層３２の形成と、第２表面２２上への第２面密着層３３の形成とを行う。具体的には、第１面第１領域２１１上への第１面第１密着層３２１の形成と、第１面第２領域２１２上への第１面第２密着層３２２の形成と、第２面第１領域２２１上への第２面第１密着層３３１の形成と、第２面第２領域２２２上への第２面第２密着層３３２の形成とを行う。

密着層３１〜３３は、例えば、１５〜２００ｎｍの厚みに形成する。具体的には、第１面第２密着層３２２を全体的に第１面第１密着層３２１より厚く形成し、第２面第２密着層３３２を全体的に第２面第１密着層３３１より厚く形成する。

密着層３１〜３３の形成は、例えば、ディップコート、スプレーコートまたはスピンコートなどのウェットプロセスで行うことができる。このうち、ディップコートによれば、すべての密着層３１〜３３を同時に形成することができるので、製造効率を向上させることができる。

（シード層形成工程）
図６は、図５に続く本実施形態による貫通電極基板１の製造方法を示す断面図である。密着層３１〜３３を形成した後、図６に示すように、密着層３１〜３３上にシード層７を形成する。シード層７は、例えば２００〜５００ｎｍの厚みに形成する。以下、密着層３１〜３３が形成された透明基板２のことを、単に透明基板２とも呼ぶ。

シード層７の形成においては、先ず、透明基板２を洗浄と、透明基板２の濡れ性を上げるための表面改質とを行う。洗浄および表面改質は、例えば、ＰＨ２以下の酸性水溶液またはＰＨ１１以上のアルカリ性水溶液を４０〜５０℃に保持し、当該酸性水浴液またはアルカリ性水溶液中に透明基板２を５〜１５分間浸漬することで行うことができる。

洗浄および表面改質を行った後、透明基板２を触媒化する。具体的には、無電解銅めっきの触媒となるＰｄイオンまたはＳｎ／Ｐｄコロイドを密着層３１〜３３に吸着させる。触媒化は、例えば、Ｐｄイオンを含有するＰＨ９〜１１のアルカリ性水溶液またはＳｎ／Ｐｄコロイドを含有するＰＨ２以下の酸性水溶液を４０〜５０℃に保持し、当該酸性水浴液またはアルカリ性水溶液中に透明基板２を５〜１５分間浸漬することで行うことができる。

触媒化を行った後、密着層３１〜３３に吸着させたＰｄイオンのＰｄへの還元または密着層３１〜３３に吸着させたＳｎ／ＰｄコロイドにおけるＰｄの活性化を行う。Ｐｄの還元は、例えば、適当な還元剤を含むＰＨ５〜８の水溶液を５０℃に保持し、この水溶液中に透明基板２を１〜５分間浸漬することで行うことができる。Ｐｄの活性化は、例えば、ＰＨ２以下の酸性水溶液またはＰＨ１１以上のアルカリ性水溶液を５０℃に保持し、この水溶液中に透明基板２を１〜５分間浸漬することで行うことができる。

Ｐｄイオンの還元またはＰｄの活性化を行った後、無電解銅めっきを行う。具体的には、密着層３１〜３３に吸着されたＰｄを触媒とし、密着層３１〜３３上に銅の被膜を形成する。無電解銅めっきは、例えば、銅イオン、水酸化ナトリウムおよびホルマリンを含有するアルカリ性水溶液を３０〜４０℃に保持し、このアルカリ性水溶液中に透明基板２を５〜３０分間浸漬することで行うことができる。

（レジスト層形成工程）
図７は、図６に続く本実施形態による貫通電極基板１の製造方法を示す断面図である。シード層７を形成した後、図７に示すように、貫通電極４、第１面導電層５１および第２面導電層５２を形成すべき一部の領域を除いて、シード層７上にレジスト層９を形成する。レジスト層９の形成は、例えば、シード層７上にドライフィルムレジストをラミネートし、ラミネートされたドライフィルムレジストを露光および現像することで行うことができる。

（めっき層形成工程）
図８は、図７に続く本実施形態による貫通電極基板１の製造方法を示す断面図である。レジスト層９を形成した後、図８に示すように、レジスト層９をマスクとした電解めっき法により、レジスト層９によって覆われていないシード層７上にめっき層８を形成する。めっき層８は、例えば２〜１２μｍの厚みに形成する。

（レジスト層除去工程）
図９は、図８に続く本実施形態による貫通電極基板１の製造方法を示す断面図である。めっき層８を形成した後、図９に示すように、透明基板２からレジスト層９を剥離すなわち除去する。レジスト層９は、例えば、アルカリ溶液への浸漬で除去することができる。

（シード層除去工程）
図１０は、図９に続く本実施形態による貫通電極基板１の製造方法を示す断面図である。レジスト層９を除去した後、図１０に示すように、シード層７のうちレジスト層９が形成されていた部分を除去する。シード層７は、例えば、ウェットエッチングで除去することができる。シード層７を除去することで、貫通電極４と、第１面導電層５１と、第２面導電層５２とが同時に形成される。

（密着層除去工程）
図１１は、図１０に続く本実施形態による貫通電極基板１の製造方法を示す断面図である。シード層７を除去した後、図１１に示すように、第１面密着層３２のうち第１面導電層５１で覆われていない部分を除去するとともに、第２面密着層３３のうち第２面導電層５２で覆われていない部分を除去する。密着層３２、３３は、例えば、プラズマアッシングやアルカリ浸漬などで除去することができる。

（有機層形成工程）
密着層３２、３３を除去した後、図１に示すように、貫通孔２３の内部に有機層６を形成する。具体的には、先ず、有機層６を構成するための樹脂層を含むフィルムを、透明基板２の第１表面２１上及び第２表面２２上に配置する。次いで、フィルムを加圧することにより、樹脂層を貫通孔２３の内部に押し込む。その後、貫通孔２３の内部に押し込まれた樹脂層を、樹脂層に光を照射することなどによって硬化させる。また、樹脂層の不要部分を除去する。このようにして、貫通孔２３の内部に有機層６を設けることができる。

（実施例）
以下、第１の実施形態の実施例として、貫通電極基板１の試料に対して実施した観察および電気検査の結果について説明する。

実施例では、密着層の厚みが互いに異なる試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７の７つの試料を作製した。各試料の作製にあたっては、先ず、各試料に共通の透明基板２として、厚み４５０ｎｍの無アルカリガラスに９０μｍφすなわちアスペクト比：５の貫通孔２３を形成した透明基板２を準備した。

透明基板２上への密着層３１〜３３の形成においては、ポリイミドを主成分とする有機樹脂を、各試料毎にディップコートの有無または速度を変えて異なる厚みに形成した。具体的には、試料Ｎｏ．１については、ディップコートを行わず、密着層３１〜３３を形成しなかった。その他の試料の密着層３１〜３３の厚みは、試料Ｎｏ．２については１５ｎｍ、試料Ｎｏ．３については２２ｎｍ、試料Ｎｏ．４については９８ｎｍ、試料Ｎｏ．５については１８５ｎｍ、試料Ｎｏ．６については２０３ｎｍ、試料Ｎｏ．７については２１０ｎｍとした。

シード層７の形成においては、各試料とも、無電解めっき法によって５００ｎｍの厚みを有するようにシード層７を形成した。

シード層７上へのレジスト層９の形成においては、各試料とも、日立化成社製のＲＹ５３１９をラミネートした後、膜表面から１００μｍ離れた位置にフォトマスクを配置して、プロキシミティアライナにより、超高圧水銀ランプでパターン露光した。パターン露光後、液温３０℃、濃度１％の炭酸ナトリウム水溶液中に透明基板２を１分間浸漬して現像を行うことで、レジスト層９の未硬化部分を除去した。

シード層７上へのめっき層８の形成においては、各試料とも、電解銅めっき法によって、レジスト層９で覆われていないシード層７上に５μｍの厚みを有するように、めっき層８を形成した。

めっき層８の形成後のレジスト層９の除去においては、各試料とも、濃度３％の水酸化ナトリウム水溶液を用いて３分間のスプレー剥離を行うことで、透明基板２からレジスト層９を剥離した。

レジスト層９の除去後のシード層７の除去においては、各試料とも、銅除去剤であるメック社製ＳＦ−５４２０に透明基板２を１分間浸漬するウェットエッチングを行うことで、シード層７を除去した。

シード層７の除去後の密着層３２、３３の除去においては、プラズマ照射により、めっき層８で覆われていない配線部間および配線部とパッド部との間の密着層３２、３３を除去した。

密着層３２、３３の除去後は、各試料とも、窒素雰囲気下において２００℃で３０分間のアニール処理を行った。

以上のようにして作製された試料Ｎｏ．１〜Ｎｏ．７に対して、シード層の析出状態の観察と、アニール処理後のシード層の膨張状態の観察と、「ＪＩＳ Ｋ５６００ 塗料一般試験方法」に規定されているクロスカット試験法によるシード層の剥離状態の観察とを行った。観察には、電子顕微鏡を使用した。また、電気検査として、シード層による電気信号の導通検査を行った。なお、クロスカット試験法は、既述したテープ試験と類似している。クロスカット試験法では、シード層が形成された透明基板の試験面に、カッターで透明基板に達する碁盤目状の切り傷を形成する。そして、碁盤目部分にテープを強く圧着させ、テープの端を４５°の角度で一気に引き剥がし、碁盤目部分の状態を標準図と比較して評価する。実施例の観察結果および電気検査結果を以下の表１および図１２（ａ）〜図１２（ｃ）に示す。

表１中の“○”は、結果が良好であることを示している。一方、表１中の“×”は、結果が悪いことを示している。また、図１２（ａ）は、試料Ｎｏ．２〜試料Ｎｏ．６に示される本実施形態による貫通電極基板１において、透明基板２上へのシード層７の形成状態を模式的に示す平面図である。図１２（ｂ）は、試料Ｎｏ．１に示される第１の比較例による貫通電極基板において、透明基板２上へのシード層７の形成状態を模式的に示す平面図である。図１２（ｃ）は、試料Ｎｏ．７に示される第２の比較例による貫通電極基板において、透明基板２上へのシード層７の形成状態を模式的に示す平面図である。

表１および図１２（ａ）に示すように、試料Ｎｏ.２〜Ｎｏ．６においては、透明基板２上にシード層７が万遍なく形成され、アニールにともなうシード層７の膨張も殆ど無いことが確認された。更に、試料Ｎｏ.２〜Ｎｏ．６においては、クロスカット試験によるシード層７の剥離が殆ど無く、また、導通状態が良好であることが確認された。このような試料Ｎｏ．２〜試料Ｎｏ．６の結果は、試料Ｎｏ．２〜試料Ｎｏ．６が適度な厚みの密着層３１〜３３を有することで、シード層７の密着性を確保しつつアニールの際に密着層３１〜３３から生じるガスの総量を抑制できることによるものと推測される。

一方、試料Ｎｏ．１においては、表１および図１２（ｂ）に示すように、シード層７が形成されずに透明基板２が露出した箇所が確認された。更に、試料Ｎｏ．１においては、クロスカット試験によるシード層７の剥離量が多く、また、導通不良が生じることが確認された。このような試料Ｎｏ．１の結果は、試料Ｎｏ．１が密着層３１〜３３を有しないことで、シード層７の密着性を確保できないことによるものと推測される。

また、試料Ｎｏ．７においては、表１および図１２（ｃ）に示すように、アニールにともなうシード層７の膨張部７ａが多数生じることが確認された。更に、試料Ｎｏ．７においては、導通不良が生じることが確認された。このような試料Ｎｏ．７の結果は、試料Ｎｏ．７の密着層３１〜３３の厚みが過大であることで、アニールの際に密着層３１〜３３から生じるガスの総量が多いことによるものと推測される。

以上の実施例によれば、密着層３１〜３３の厚みを１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすることで、シード層７の密着性および電気特性が良好になることが確認された。

以下、本実施形態によってもたらされる作用について説明する。

図２に示したように、第１表面２１上には、配線幅Ｗ_５１２が大きい第１面パッド部５１２と、配線幅Ｗ_５１１が小さい第１面配線部５１１とが位置している。第１面パッド部５１２および第１面配線部５１１は、いずれも透明基板２との密着性を高めるために第１面密着層３２を介して第１表面２１上に位置している。しかるに、配線幅Ｗ_５１１が小さい第１面配線部５１１は、配線幅Ｗ_５１２が大きく且つ貫通電極４に連続している第１面パッド部５１２と比較して、透明基板２との密着性が悪く剥離し易い。また、図３に示したように、第２表面２２上には、配線幅Ｗ_５２２が大きい第２面パッド部５２２と、配線幅Ｗ_５２１が小さい第２面配線部５２１とが位置している。第２面パッド部５２２および第２面配線部５２１は、いずれも透明基板２との密着性を高めるために第２面密着層３３を介して第２表面２２上に位置している。しかるに、配線幅Ｗ_５２１が小さい第２面配線部５２１は、配線幅Ｗ_５２２が大きく且つ貫通電極４に連続している第２面パッド部５２２と比較して、透明基板２との密着性が悪く剥離し易い。

もし、第１面配線部５１１が覆う第１面密着層３２の厚みを、第１面パッド部５１２が覆う第１面密着層３２の厚みと同程度にした場合、第１面密着層３２の量が不十分であることで、第１面密着層３２上への無電解めっきプロセスにおいて薬液等による第１面密着層３２の部分的な除去が生じた場合に、十分な量の第１面密着層３２を確保できず、第１面配線部５１１の密着性を高めることが困難となる虞がある。また、第２面配線部５２１が覆う第２面密着層３３の厚みを、第２面パッド部５２２が覆う第２面密着層３３の厚みと同程度にした場合、第２面密着層３３の量が不十分であることで、第２面密着層３３上への無電解めっきプロセスにおいて薬液等による第２面密着層３３の部分的な除去が生じた場合に、十分な量の第２面密着層３３を確保できず、第２面配線部５２１の密着性を高めることが困難となる虞がある。

これに対して、本実施形態によれば、第１面第１密着層３２１よりも全体的に厚みが厚い第１面第２密着層３２２上に第１面配線部５１１を形成することで、仮に、第１面密着層３２上への無電解めっきプロセスにおいて薬液等による第１面密着層３２の部分的な除去が生じたとしても、第１面第２領域２１２上に尚十分な量の第１面第２密着層３２２を確保することができる。これにより、第１面第２密着層３２２を介して配線幅が小さい第１面配線部５１１の密着性を向上させることができる。また、本実施形態によれば、第２面第１密着層３３１よりも全体的に厚みが厚い第２面第２密着層３３２上に第２面配線部５２１を形成することで、仮に、第２面密着層３３上への無電解めっきプロセス等において第２面密着層３３の部分的な除去が生じたとしても、第２面第２領域２２２上に尚十分な量の第２面第２密着層３３２を確保することができる。これにより、第２面第２密着層３３２を介して配線幅が小さい第２面配線部５２１の密着性を向上させることができる。

したがって、本実施形態によれば、厚みが厚い密着層３２２、３３２を介して透明基板２への配線部５１１、５２１の密着性を向上させることができるので、透明基板２からの配線５１１、５２１の剥離を有効に抑制することができる。

また、図１に示したように、本実施形態によれば、側壁密着層３１と、第１面密着層３２と、第２面密着層３３とを備えることで、透明基板２と貫通電極４との密着性だけでなく、透明基板２と第１面導電層５１および第２面導電層５２との密着性も高めることができる。これにより、透明基板２からの貫通電極４および配線部５１１、５２１の剥離を同時に抑制することができる。

また、本実施形態によれば、貫通電極４と第１面パッド部５１２との境界部において、第１面パッド部５１２に覆われた第１面密着層３２は、側壁密着層３１に連続している。第１面密着層３２が側壁密着層３１に連続していることで、透明基板２の中で比較的にめっき不良が起こり易い角部上に位置する第１面パッド部５１２についても、透明基板２への密着性を可及的に向上させることができる。

また、本実施形態によれば、貫通電極４と第２面パッド部５２２との境界部において、第２面パッド部５２２に覆われた第２面密着層３３は、側壁密着層３１に連続している。第２面密着層３３が側壁密着層３１に連続していることで、透明基板２の中で比較的にめっき不良が起こり易い角部上に位置する第２面パッド部５２２についても、透明基板２への密着性を可及的に向上させることができる。

また、本実施形態によれば、隣り合う配線部５１１、５２１間に密着層３２、３３が設けられていないため、隣り合う配線部５１１、５２１同士の間でのマイグレーションを抑制することができる。

また、貫通孔２３のアスペクト比Ｔ／φを３以上３３以下とすれば、貫通電極４の配線密度を高めることができるとともに、貫通孔２３の内部に貫通電極４を形成するために十分な内径φを確保することができる。

また、密着層３１〜３３の厚みを１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下とすれば、貫通孔２３のアスペクト比が高い場合においてもシード層７の析出性を向上させることができ、また、加熱工程において密着層３１〜３３から発生したガスによる貫通電極４および配線部５１１、５２１の変形を抑制することができ、電気的特性の悪化を抑制することができる。

（第１の変形例）
次に、第１の変形例として、第１面第１密着層３２１のうち第１範囲Ｒ_１の厚みｔ_{３２１＿Ｒ１}が第１面第２密着層３２２の厚みｔ_３２２より薄く、第２面第１密着層３３１のうち第１範囲Ｒ_１の厚みｔ_{３３１＿Ｒ１}が第２面第２密着層３３２の厚みｔ_３３２より薄い貫通電極基板１の例について説明する。

図１３は、第１の変形例による貫通電極基板１において、貫通電極４と第１面導電層５１との境界部分を示す拡大断面図である。図１３の例において、第１面第２密着層３２２は、第１面第１密着層３２１との間で以下の関係式を満足する。
ｔ_{３２１＿Ｒ１}＜ｔ_{３２１＿Ｒ２}≦ｔ_３２２ （３）
但し、数式（３）において、ｔ_{３２１＿Ｒ１}は、第１面第１密着層３２１のうち貫通孔２３の開口２３１ａ側の第１範囲Ｒ_１における第１面第１密着層３２１の厚みである。ｔ_{３２１＿Ｒ２}は、第１面第１密着層３２１のうち貫通孔２３の開口２３１ａと反対側の第２範囲Ｒ_２における第１面第１密着層３２１の厚みである。ｔ_３２２は、第１面第２密着層３２２の厚みである。

図１３の例において、第１面第１密着層３２１の第１範囲Ｒ_１、第１面第１密着層３２１の第２範囲Ｒ_２、および第１面第２密着層３２２は、それぞれがほぼ一定の厚みを有している。数式（３）は、第１面第１密着層３２１の第１範囲Ｒ_１、第１面第１密着層３２１の第２範囲Ｒ_２、および第１面第２密着層３２２のそれぞれが勾配を有する場合にも、各層のそれぞれの任意の位置の厚み同士の間で成立してもよい。また、第１面第１密着層３２１の第１範囲Ｒ_１と第１面第１密着層３２１の第２の範囲Ｒ_２との間には、第１範囲Ｒ_１側に向かうにしたがって厚みが漸減する直線状または曲線状の傾斜勾配を有する第１面第１密着層３２１の第３範囲が存在してもよい。

数式（３）は、第１面第２密着層３２２が少なくとも部分的に第１面第１密着層３２１よりも厚みが厚いことを示している。より具体的には、数式（３）は、第１面第１密着層３２１が、第１範囲Ｒ_１において第１面第２密着層３２２の厚みｔ_３２２よりも薄い厚みｔ_{３２１＿Ｒ１}を有し、第２範囲Ｒ_２において第１面第２密着層３２２の厚みｔ_３２２以下の厚みｔ_{３２１＿Ｒ２}を有することを示している。このことは、第１面第１密着層３２１を全体にわたって覆う第１面パッド部５１２が、厚みの薄い第１面第１密着層３２１の第１範囲Ｒ_１よりも面方向Ｄ２に広範囲にわたって位置していることも意味している。

数式（３）に示すように、第１面第２密着層３２２の厚みｔ_３２２は、第１面第１密着層３２１の第１範囲Ｒ_１の厚みｔ_{３２１＿Ｒ１}より厚い。これにより、図１３に示される第１面パッド部５１２の配線幅Ｗ_５１２よりも細い配線幅Ｗ_５１１を有する第１面配線部５１１を、透明基板２上に十分な密着力で密着させることができる。

第１面第２密着層３２２の厚みｔ_３２２は、第１面第１密着層３２１の第１範囲Ｒ_１の厚みｔ_{３２１＿Ｒ１}より４０ｎｍ以上厚くてもよい。すなわち、第１面第２密着層３２２は、少なくとも部分的に第１面第１密着層３２１よりも４０ｎｍ以上厚みが厚くてもよい。４０ｎｍ以上厚みが厚いことで、第１面配線部５１１の密着性を更に高めることができる。

第１範囲Ｒ_１の長さは、最大で４０μｍであってもよい。

図１３の例において、第１面パッド部５１２は、第１面第１密着層３２１上に位置している。第１面パッド部５１２は、厚みｔ_{３２１＿Ｒ１}が薄い第１面第１密着層３２１の第１範囲Ｒ_１と、厚みｔ_{３２１＿Ｒ２}が厚い第１面第１密着層３２１の第２範囲Ｒ_２とを覆っている。このため、第１面パッド部５１２は、第１範囲Ｒ_１と第２範囲Ｒ_２との厚みの違いによる段差を有している。この段差により、第１面パッド部５１２のうち貫通孔２３側の所定範囲の領域には、貫通孔２３の厚み方向Ｄ１の中央部に向かって陥没した凹部５１２ａが設けられている。この凹部５１２ａは、貫通孔２３の内部に有機層６を形成する際に、貫通孔２３の内部への有機層６の流動を促進して有機層６中のボイドの発生を抑制してもよい。

図１４は、第１の変形例による貫通電極基板１において、貫通電極４と第２面導電層５２との境界部分を示す拡大断面図である。図１４の例において、第２面第２密着層３３２は、第２面第１密着層３３１との間で以下の関係式を満足する。
ｔ_{３３１＿Ｒ１}＜ｔ_{３３１＿Ｒ２}≦ｔ_３３２ （４）
但し、数式（４）において、ｔ_{３３１＿Ｒ１}は、第２面第１密着層３３１のうち貫通孔２３の開口２３１ｂ側の第１範囲Ｒ_１における第２面第１密着層３３１の厚みである。ｔ_{３３１＿Ｒ２}は、第２面第１密着層３３１のうち貫通孔２３の開口２３１ｂと反対側の第２範囲Ｒ_２における第２面第１密着層３３１の厚みである。ｔ_３３２は、第２面第２密着層３３２の厚みである。

図１４の例において、第２面第１密着層３３１の第１範囲Ｒ_１、第２面第１密着層３３１の第２範囲Ｒ_２、および第２面第２密着層３３２は、それぞれがほぼ一定の厚みを有している。数式（４）は、第２面第１密着層３３１の第１範囲Ｒ_１、第２面第１密着層３３１の第２範囲Ｒ_２、および第２面第２密着層３３２のそれぞれが勾配を有する場合にも、各層のそれぞれの任意の位置の厚み同士の間で成立してもよい。また、第２面第１密着層３３１の第１範囲Ｒ_１と第２面第１密着層３３１の第２の範囲Ｒ_２との間には、第１範囲Ｒ_１側に向かうにしたがって厚みが漸減する直線状または曲線状の傾斜勾配を有する第２面第１密着層３３１の第３範囲が存在してもよい。

数式（４）は、第２面第２密着層３３２が少なくとも部分的に第２面第１密着層３３１よりも厚みが厚いことを示している。より具体的には、数式（４）は、第２面第１密着層３３１が、第１範囲Ｒ_１において第２面第２密着層３３２の厚みｔ_３３２よりも薄い厚みｔ_{３３１＿Ｒ１}を有し、第２範囲Ｒ_２において第２面第２密着層３３２の厚みｔ_３３２以下の厚みｔ_{３３１＿Ｒ２}を有することを示している。このことは、第２面第１密着層３３１を全体にわたって覆う第２面パッド部５２２が、厚みの薄い第２面第１密着層３３１の第１範囲Ｒ_１よりも面方向Ｄ２に広範囲にわたって位置していることも意味している。

数式（４）に示すように、第２面第２密着層３３２の厚みｔ_３３２は、第２面第１密着層３３１の第１範囲Ｒ_１の厚みｔ_{３３１＿Ｒ１}より厚い。これにより、図１４に示される第２面パッド部５２２の配線幅Ｗ_５２２よりも細い配線幅Ｗ_５２１を有する第２面配線部５２１を、透明基板２上に十分な密着力で密着させることができる。

第２面第２密着層３３２の厚みｔ_３３２は、第２面第１密着層３３１の第１範囲Ｒ_１の厚みｔ_{３３１＿Ｒ１}より４０ｎｍ以上厚くてもよい。すなわち、第２面第２密着層３３２は、少なくとも部分的に第２面第１密着層３３１よりも４０ｎｍ以上厚みが厚くてもよい。４０ｎｍ以上厚みが厚いことで、第２面配線部５２１の密着性を更に高めることができる。

第２面第１密着層３３１の第１範囲Ｒ_１の長さは、最大で４０μｍであってもよい。

図１４の例において、第２面パッド部５２２は、第２面第１密着層３３１上に位置している。第２面パッド部５２２は、厚みｔ_{３３１＿Ｒ１}が薄い第２面第１密着層３３１の第１範囲Ｒ_１と、厚みｔ_{３３１＿Ｒ２}が厚い第２面第１密着層３３１の第２範囲Ｒ_２とを覆っている。このため、第２面パッド部５２２は、第１範囲Ｒ_１と第２範囲Ｒ_２との厚みの違いによる段差を有している。この段差により、第２面パッド部５２２のうち貫通孔２３側の所定範囲の領域には、貫通孔２３の厚み方向Ｄ１の中央部に向かって陥没した凹部５２２ａが設けられている。この凹部５２２ａは、貫通孔２３の内部に有機層６を形成する際に、貫通孔２３の内部への有機層６の流動を促進して有機層６中のボイドの発生を抑制してもよい。

第１の変形例によれば、第１面第１密着層３２１の少なくとも一部よりも厚みが厚い第１面第２密着層３２２上に第１面配線部５１１を形成することで、仮に、第１面密着層３２上への無電解めっきプロセスにおいて薬液等による第１面密着層３２の部分的な除去が生じたとしても、第１面第２領域２１２上に尚十分な量の第１面第２密着層３２２を確保することができる。これにより、第１面第２密着層３２２を介して配線幅が小さい第１面配線部５１１の密着性を向上させることができる。また、第１の変形例によれば、第２面第１密着層３３１の少なくとも一部よりも厚みが大きい第２面第２密着層３３２上に第２面配線部５２１を形成することで、仮に、第２面密着層３３上への無電解めっきプロセス等において第２面密着層３３の部分的な除去が生じたとしても、第２面第２領域２２２上に尚十分な量の第２面第２密着層３３２を確保することができる。これにより、第２面第２密着層３３２を介して配線幅が小さい第２面配線部５２１の密着性を向上させることができる。

したがって、第１の変形例においても、厚みが厚い密着層３２２、３３２を介して透明基板２への配線部５１１、５２１の密着性を向上させることができるので、透明基板２からの配線５１１、５２１の剥離を有効に抑制することができる。

（第２の変形例）
次に、側壁密着層３１を省略した第２の変形例について説明する。図１５は、本実施形態の第２の変形例による貫通電極基板１において、貫通電極４と第１面導電層５１との境界部分を示す拡大断面図である。

第１の変形例では、側壁密着層３１、第１面密着層３２および第２面密着層３３を備えた貫通電極基板１の例について説明した。これに対して、第２の変形例の貫通電極基板１は、側壁密着層３１を備えておらず、第１面密着層３２および図示しない第２面密着層３３のみを備えている。

図１５に示すように、第２の変形例の貫通電極基板１において、第１面配線部５１１は、図１３の例と同様に、第１面第１密着層３２１の第１範囲Ｒ_１よりも厚みが厚い第１面第２密着層３２２上に位置している。これにより、図１３の例と同様に、第１面第２密着層３２２を介して配線幅が小さい第１面配線部５１１の密着性を向上させることができる。また、図示はしないが、第２面配線部５２１は、図１４の例と同様に、第２面第１密着層３３１の第１範囲Ｒ_１よりも厚みが大きい第２面第２密着層３３２上に位置している。これにより、図１４の例と同様に、第２面第２密着層３３２を介して配線幅が小さい第２面配線部５２１の密着性を向上させることができる。

したがって、第２の変形例においても、透明基板２からの配線５１１、５２１の剥離を有効に抑制することができる。

（第３の変形例）
次に、側壁密着層３１が厚みの増加傾向を有する第３の変形例について説明する。図１６は、本実施形態の第３の変形例による貫通電極基板１において、貫通電極４と第１面導電層５１との境界部分を示す拡大断面図である。

貫通電極４と第１面配線部５１１との境界部分にクラックが生じることを抑制するため、図１６の例において、側壁密着層３１は、第１表面２１側の側壁２３１の一端から第２表面２２側に向かうにしたがって少なくとも部分的に厚みが増加する。図１６の例において、側壁密着層３１は、第１表面２１側の側壁２３１の端部２３１ａから第２表面２２側すなわちＤ１１方向に向かうにしたがって厚みｔが漸増している。

また、図１６の例において、第１面密着層３２と側壁密着層３１との境界部における第１面密着層３２に対する側壁密着層３１の屈曲角θ１と、第１面導電層５１と貫通電極４との境界部におけるシード層７の屈曲角θ２との間には、次式が成立する。
θ２＜θ１ （５）

ここで、側壁密着層３１の厚みｔが側壁２３１上において一様である場合、第１面導電層５１と貫通電極４との境界部におけるシード層７の屈曲角θ２は、第１面密着層３２と側壁密着層３１との境界部における第１面密着層３２に対する側壁密着層３１の屈曲角θ１と殆ど変らない。シード層７の屈曲角θ２が側壁密着層３１の屈曲角θ１と殆ど変らないことで、貫通孔２３の一端に位置する透明基板２の角部２ａを覆う貫通電極４と第１面導電層５１との境界部分の中でも、特に熱衝撃等による応力が集中し易いシード層７において応力を十分に緩和することが困難となる。これにより、貫通電極４と第１面導電層５１との境界部分におけるクラックの発生を抑制して貫通電極４と第１面導電層５１との電気的接続の信頼性を向上させることが困難となる。

これに対して、第３の変形例では、図１６に示すように、側壁密着層３１の厚みｔが第１表面２１側の側壁２３１の一端２３１ａから第２表面２２側に向かうにしたがって増加している。このような厚みの増加傾向を側壁密着層３１が有することで、図２に示すように、第１面導電層５１と貫通電極４との境界部におけるシード層７の屈曲角θ２は、第１面密着層３２と側壁密着層３１との境界部における第１面密着層３２に対する側壁密着層３１の屈曲角θ１よりも小さくなっている。

シード層７の屈曲角θ２が側壁密着層３１の屈曲角θ１よりも小さいことで、貫通孔２３の一端に位置する透明基板２の角部２ａを覆う貫通電極４と第１面導電層５１との境界部分の中でも、特に熱衝撃等による応力が集中し易いシード層７において応力を十分に緩和することが可能となる。

したがって、第３の変形例によれば、貫通電極４と第１面導電層５１との境界部分におけるクラックの発生を抑制して貫通電極４と第１面導電層５１との電気的接続の信頼性を向上させることができる。また、同様の作用効果は、第２表面２２側の側壁２３１の一端から第１表面２１側に向かうにしたがって側壁密着層３１の厚みｔを増加させることで、貫通電極４と第２面導電層５２との間でも得られる。

また、第３の変形例によれば、透明基板２の角部２ａが、既述した厚みの増加傾向を有する側壁密着層３１と、これに連続する第１面密着層３２とによって覆われていることで、角部２ａの角度π−θ１よりも、角部２ａを覆うように側壁密着層３１と第１面密着層３２との境界部分に位置する密着層の角部３ａの角度π−θ２の方が大きくなっている。密着層の角部３ａの角度π−θ２が透明基板２の角部２ａの角度より大きいことで、密着層の角部３ａを覆うシード層７の角部７ａの尖鋭度が緩和されている。シード層７の角部７ａの尖鋭度が緩和されていることで、透明基板２の角部２ａ上に直接形成したシード層７上に電解めっき処理を行う場合と比較して、処理中の電荷集中を抑制することができる。これにより、めっき層８の異常析出を抑制することができる。

また、本実施形態によれば、側壁密着層３１が既述した厚みの増加傾向を有するため、側壁密着層３１の厚みが一様である場合と比較して、密着層の角部３ａの尖鋭度が緩和されている。このため、側壁密着層３１の厚みが一様である場合と比較して、密着層３１、３２上への触媒の未着によるめっき不良を抑制することができる。

（第４の変形例）
次に、第１面第１密着層３２１の厚みが漸減する第４の変形例について説明する。図１７は、本実施形態の第４の変形例による貫通電極基板１において、貫通電極４と第１面導電層５１との境界部分を示す拡大断面図である。

第１〜第３の変形例においては、第１面第１密着層３２１が厚みの不連続点すなわち段差を有することで、第１面第１密着層３２１が第１範囲Ｒ_１と第２範囲Ｒ_２とを有する貫通電極基板１の例について説明した。

これに対して、第４の変形例の貫通電極基板１においては、図１７に示すように、第１面第１密着層３２１の厚みｔ_３２１が、貫通孔２３の開口２３１ａ側に向かうにしたがって連続的に減少すなわち漸減している。言い換えれば、第１面第１密着層３２１は、連続する直線状または曲線状の傾斜勾配を有しており、段部を有していない。なお、図１７の例において、側壁密着層３１は、第３の変形例と同様の厚みｔ_３１の増加傾向を有しているが、側壁密着層３１の厚みｔ_３１は一様であってもよい。

第４の変形例においても、第１面第２密着層３２２の厚みｔ_３２２が第１面第１密着層３２１の厚みｔ_３２１よりも厚いことで、第１面第２密着層３２２を介して配線幅が小さい第１面配線部５１１の密着性を向上させることができる。また、第１面第１密着層３２１の厚みｔ_３２１が漸減することにともなって、密着層３の角部３ａの尖鋭度が緩和されてもよく、例えば、図１７に示すように、密着層３の角部３ａにアールが形成されていてもよい。密着層３の角部３ａの尖鋭度が緩和されることで、貫通電極４と第１面導電層５１との境界部分におけるクラックの発生を更に効果的に抑制することができる。同様の構成および作用効果は、第２面第１密着層３３１にも適用することができる。

（第５の変形例）
次に、第５の変形例として、貫通孔２３の形状の変形例について説明する。図１８（ａ）は、本実施形態の第１の変形例による貫通電極基板１として、貫通孔２３の一変形例を示す断面図である。図１８（ｂ）は、図１８（ａ）と異なる貫通孔２３の変形例を示す断面図である。図１８（ｃ）は、図１８（ａ）および図１８（ｂ）と異なる貫通孔２３の変形例を示す断面図である。

図１の例において、貫通孔２３の側壁２３１は、厚み方向Ｄ１の位置によらず内径が均一の円筒形状を有している。しかしながら、貫通孔２３の形状が特に限られることはない。例えば、図１８（ａ）に示すように、貫通孔２３の側壁２３１は、第１表面２１および第２表面２２の一方から他方に向かうにしたがって内径が漸増するテーパ形状を有していてもよい。

また、図１８（ｂ）に示すように、貫通孔２３の側壁２３１は、第１表面２１および第２表面２２から透明基板２の厚み方向Ｄ１の中央部に向かうにしたがって内径が漸減する形状を有していてもよい。

また、図１８（ｃ）に示すように、貫通孔２３の側壁２３１は、第１表面２１および第２表面２２から透明基板２の厚み方向Ｄ１の中央部に向かうにしたがって内径が漸増する形状を有していてもよい。また、貫通孔２３の面方向Ｄ２の断面は、円形状に限らず、例えば、多角形状であってもよい。

第５の変形例においても、図１の例と同様に、側壁密着層３１と、第１面密着層３２と、第２面密着層３３とを備えることで、透明基板２からの貫通電極４および配線部５１１、５２１の剥離を同時に抑制することができる。

（第６の変形例）
次に、第１面密着層３２および第２面密着層３３が全面的に形成された第６の変形例について説明する。図１９は、本実施形態の第６の変形例による貫通電極基板１を示す断面図である。図１の例において、第１面密着層３２は、第１面導電層５１に対応するように第１表面２１上に部分的に位置し、第２面密着層３３は、第２面導電層５２に対応するように第２表面２２上に部分的に位置している。すなわち、第１面密着層３２は、第１面導電層５１が存在しない第１表面２１上には設けられておらず、第２面密着層３３は、第２面導電層５２が存在しない第２表面２２上には設けられていない。

これに対して、第６の変形例の第１面密着層３２は、図１９に示すように、第１表面２１上に全面的に位置している。また、第２面密着層３３は、第２表面２２上に全面的に位置している。

第６の変形例によれば、図１１に示した密着層３２、３３の除去工程が不要となるので、製造工数を削減することができる。

（第７の変形例）
次に、導電層５１、５２が密着層３２、３３の側壁を覆う第７の変形例について説明する。図２０は、本実施形態の第７の変形例による貫通電極基板１を示す断面図である。

図１の例において、第１面導電層５１は、第１面密着層３２に対して厚み方向Ｄ１の一方すなわち上方にのみ位置し、第２面導電層５２は、第２面密着層３３に対して厚み方向Ｄ１の他方すなわち下方のみに位置していた。

これに対して、第７の変形例の第１面導電層５１は、図２０に示すように、第１面密着層３２に対して厚み方向Ｄ１の一方に位置する第１部分５１ａと、第１面密着層３２に対して面方向Ｄ２に位置する第２部分５１ｂとを有している。第２部分５１ｂは、第１面密着層３２の側壁を覆っている。

また、図２０に示すように、第２面導電層５２は、第２面密着層３３に対して厚み方向Ｄ１の他方に位置する第１部分５２ａと、第２面密着層３３に対して面方向Ｄ２に位置する第２部分５２ｂとを有している。第２部分５２ｂは、第２面密着層３３の側壁を覆っている。

第７の変形例の貫通電極基板１は、密着層３１〜３３をパターニングした後にシード層７およびめっき層８を形成することによって製造することができる。

第７の変形例によれば、第１面導電層５１および第２面導電層５２の断面積を増加することができるので、配線抵抗を低減することができる。

第１〜第７の変形例は、これらを適宜組み合わせてもよい。

（製品への適用例）
図２１は、上記各態様の貫通電極基板１を適用できる製品の例を示す図である。本開示の実施形態に係る貫通電極基板１は、光学用途の様々な製品に適用できる。例えば、貫通電極基板１は、携帯電話１１０のカメラ、スマートフォン１２０のカメラ、デジタルビデオカメラ１３０、デジタルカメラ１４０等に搭載できる。

本開示の態様は、上述した個々の実施形態に限定されるものではなく、当業者が想到しうる種々の変形も含むものであり、本開示の効果も上述した内容に限定されない。すなわち、特許請求の範囲に規定された内容およびその均等物から導き出される本開示の概念的な思想と趣旨を逸脱しない範囲で種々の追加、変更および部分的削除が可能である。

１ 貫通電極基板、２ 透明基板、２１ 第１表面、２２ 第２表面、２３ 貫通孔、３２ 第１面密着層、３２１ 第１面第１密着層、３２２ 第１面第２密着層、４ 貫通電極、５１ 第１面導電層

Claims (20)

1. 第１表面および前記第１表面の反対側の第２表面を有し、前記第１表面から前記第２表面まで貫通する貫通孔が設けられた透明基板と、
   前記第１表面および前記第２表面のうちの少なくとも一方の表面における前記貫通孔の周辺の第１領域上に位置する第１部分、および前記少なくとも一方の表面における前記第１領域の外側の第２領域上に位置し、少なくとも部分的に前記第１部分よりも厚みが厚い第２部分を有する第１密着層と、
   前記貫通孔の側壁上に位置する貫通電極と、
   前記第１密着層上に位置する導電層と、を備える、貫通電極基板。
2. 前記導電層は、
   前記第１部分上に位置し、前記少なくとも一方の表面側の前記貫通電極の一端に連続するパッド部と、
   前記第２部分上に位置する配線部と、を有する、請求項１に記載の貫通電極基板。
3. 前記第１密着層は、有機物を含有する、請求項１または２に記載の貫通電極基板。
4. 前記第２部分は、少なくとも部分的に前記第１部分よりも４０ｎｍ以上厚みが厚い、請求項１乃至３のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
5. 前記第２部分は、全体的に前記第１部分よりも厚みが厚い、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
6. 前記第１部分は、前記貫通孔の開口側の第１範囲において、前記第２部分の厚みよりも薄い厚みを有し、前記貫通孔の開口と反対側の第２範囲において、前記第１範囲の厚みよりも厚く、前記第２部分の厚み以下の厚みを有する、請求項１乃至４のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
7. 前記貫通孔の前記第１表面に沿った面方向の寸法に対する前記第１表面に交差する厚み方向の寸法の比であるアスペクト比は、３以上３３以下である、請求項１乃至６のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
8. 前記第１密着層を介した前記透明基板と前記導電層との密着性は、前記透明基板と前記導電層との直接的な密着性より高い、請求項１乃至７のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
9. 前記第１密着層の厚みは、１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項１乃至８のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
10. 前記第１密着層と前記導電層との間に触媒が存在する、請求項１乃至９のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
11. 前記導電層は、前記第１密着層上に位置する第１導電層と、前記第１導電層上に位置する第２導電層と、を有する、請求項１乃至１０のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
12. 前記第１導電層と前記第２導電層とは、同一の成分を含有する、請求項１１に記載の貫通電極基板。
13. 前記貫通孔の側壁上に位置する第２密着層を更に備え、
    前記貫通電極は、前記第２密着層上に位置する、請求項１乃至１２のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
14. 前記導電層は、前記第１部分上に位置し、前記少なくとも一方の表面側の前記貫通電極の一端に連続するパッド部を有し、
    前記貫通電極と前記パッド部との境界部において、前記第１部分は前記第２密着層に連続している、請求項１３に記載の貫通電極基板。
15. 前記第２密着層は、有機物を含有する、請求項１３または１４に記載の貫通電極基板。
16. 前記第２密着層を介した前記透明基板と前記貫通電極との密着性は、前記透明基板と前記貫通電極との直接的な密着性より高い、請求項１３乃至１５のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
17. 前記第２密着層の厚みは、１５ｎｍ以上２００ｎｍ以下である、請求項１３乃至１６のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
18. 前記第２密着層と前記貫通電極との間に触媒が存在する、請求項１３乃至１７のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
19. 前記透明基板は、ガラスを含有する、請求項１乃至１８のいずれか一項に記載の貫通電極基板。
20. 第１表面および前記第１表面の反対側の第２表面を有する透明基板を準備する工程と、
    前記透明基板に、前記第１表面から前記第２表面まで貫通する貫通孔を形成する工程と、
    前記第１表面および前記第２表面のうちの少なくとも一方の表面における前記貫通孔の周辺の第１領域上に、第１密着層の第１部分を形成し、前記少なくとも一方の表面における前記第１領域の外側の第２領域上に、少なくとも部分的に前記第１部分よりも厚みが厚くなるように前記第１密着層の第２部分を形成する工程と、
    前記貫通孔の側壁上に貫通電極を形成する工程と、
    前記第１密着層上に導電層を形成する工程と、を備える、貫通電極基板の製造方法。

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