KR20030036694A

KR20030036694A - 표층부에 보이드 무결함층을 갖는 직경 300㎜이상의실리콘단결정 웨이퍼 및 그 제조방법

Info

Publication number: KR20030036694A
Application number: KR10-2003-7002090A
Authority: KR
Inventors: 이이다마코토
Original assignee: 신에쯔 한도타이 가부시키가이샤
Priority date: 2001-06-15
Filing date: 2002-06-07
Publication date: 2003-05-09
Also published as: US20030172865A1; EP1308544A4; JP2003002785A; US6902618B2; EP1308544A1; WO2002103091A1; TWI265218B; CN1463305A

Abstract

본 발명은 직경 300mm이상의 실리콘단결정 웨이퍼에 있어서, 그 표면으로 부터 3㎛이상에 걸쳐 COP가 없는 무결함층이 존재하는 것을 특징으로 하는 실리콘단결정 웨이퍼와 CZ법으로 질소도프하여 직경 300mm이상의 실리콘단결정을 인상할때, 인상속도를 V[mm/min]으로 하고, 실리콘 융점으로부터 1400℃와의 사이에 인상축방향 결정내온도구배의 평균값을 G[K/mm]로 표시할때, V/G[mm²/K·min]값을 0.17이하로 하여 결정을 육성하는 실리콘단결정 제조방법, 및 직경 300mm이상의 질소가 도프된 실리콘단결정 웨이퍼에 열처리를 실시하는 실리콘단결정 웨이퍼의 제조방법에 있어서, 불활성가스 또는 수소가스, 또는 이들의 혼합가스분위기하, 1230℃이상, 1시간이상의 열처리를 실시하는 실리콘단결정 웨이퍼의 제조방법에 관한 것이다. 이에 의해, 직경 300mm이상의 실리콘단결정을 인상하여 웨이퍼를 가공하고, 웨이퍼를 열처리하여 표층에 충분한 깊이로 COP가 없는 무결함층을 갖는 실리콘단결정 웨이퍼를 얻기위한 실리콘단결정 인상조건 및 웨이퍼 열처리조건이 확립될 수 있다.

Description

표층부에 보이드 무결함층을 갖는 직경 300㎜이상의 실리콘단결정 웨이퍼 및 그 제조방법{SILICON SINGLE WAFER HAVING VOID DENUDED ZONE ON THE SURFACE AND DIAMETER OF ABOVE 300mm AND ITS PRODUCTION METHOD}

쵸크랄스키법(CZ법)에 의해 제조된 질소도프된 실리콘단결정을 웨이퍼로 가공한후, 아르곤등 불활성가스분위기에서 고온장시간의 열처리(어닐이라고 한다)를 실시한 실리콘 웨이퍼는, 웨이퍼표면의 디바이스 활성층의 안정성을 높이고 디바이스 제작에 필요한 표면으로부터 적어도 3㎛정도 깊이까지의 영역을 무결함화하고, 또한 벌크중의 BMD(Bulk Micro Defect)라 불리우는 게터링사이트로 되는 산소석출물밀도를 증가시킴으로써 금속불순물등에 대한 게터링능력을 높인 제품으로서 최근 주목되고 있다.

이 기술이 적용된 제품으로서는 현재, 직경 200mm이하의 웨이퍼가 주류이지만 현재 개발중인 직경 300mm의 웨이퍼에 대해서도 적용이 시도되고 있으며, 금후 차츰 직경이 300mm이상의 웨이퍼로의 수요는 확대되어 갈 것으로 추정된다.

그런데, 직경 300mm이상의 결정은, 그 제조에 이용되는 인상기의 용적이 제법 크므로 열용량이 큼과 아울러, 비열의 영향으로 인상결정의 냉각이 상당히 진행되지 않는다. 그 때문에, 실리콘단결정중의 보이드결함(COP라 불리우고 있다)의 크기가 크게 되고, 질소도프된 단결정 웨이퍼에 있어서도, 그후의 표준적인 어닐조건(1200℃, 1시간, 아르곤분위기)하에서는, 보이드결함은 웨이퍼의 극히 표면밖에 소멸시킬 수 없음이 밝혀졌다.

결정냉각이 상당히 진행되지 않는 현상은 종래 웨이퍼의 직경 세대교체시(예컨데, 직경 150mm부터 직경 200mm로의 전환기)에도 동일한 현상이 일어나지만, 직경을 200mm부터 300mm로 확대할때의 인상기의 용적이나 결정체적의 대폭적인 증가에 비하면 그 영향은 적으며, 결과적으로 현상의 표준적인 어닐조건(1200℃, 1시간, 아르곤분위기)에서 보이드결함을 충분한 깊이(적어도 3㎛)까지 소멸시킬 수 있었다.

또한 대개 결정인상시에 도입되는 소위 그로운인결함에 대한 연구가 왕성하게 행하여 지게 된 것은 수년정도 전부터이며, 그때는 아직 직경 300mm의 웨이퍼가 양산레벨로 모두 도달하지 못하였으며, 간신히 형상샘플이 가능하게 되는 시기였으므로, 직경 300mm의 웨이퍼를 어닐하여 그로운인결함을 소멸시키려는 발상은 없었으며, 또한 직경 300mm의 그로운인결함을 어닐에 의해 소멸시키는 것은 직경 200mm의 웨이퍼에 비하여 현저하게 곤란하게 되어지는 현상은 현재에 이르기까지 모두 예측되고 있지 않다.

본 발명은 직경 300mm이상의 고기능, 무결함층을 가지는 실리콘단결정 웨이퍼 및 그 제조방법에 관한 것이다.

따라서 본 발명은 상술한 문제를 해결하기 위하여 마련된 것으로서, 직경300mm이상의 실리콘단결정을 인상하여 웨이퍼로 가공하고, 웨이퍼를 열처리하여 표층에 충분한 깊이로 COP가 없는 무결함층을 실리콘단결정 웨이퍼를 얻기위한 실리콘단결정 인상조건 및 웨이퍼 열처리조건을 확립하는 것을 그 주된 목적으로 한다.

상기 과제를 해결하기 위한 본 발명의 실리콘단결정 웨이퍼는, 직경 300mm이상의 실리콘단결정 웨이퍼에 있어서, 그 표면으로 부터 3미크론 이상에 걸쳐 COP 없는 무결함층이 존재하는 것을 특징으로 한다.

이와 같이 본 발명에서는, 실제로 직경 300mm이상의 실리콘단결정 웨이퍼에 있어서, 표면으로 부터 3미크론 이상에 걸쳐 COP 없는 무결함층이 존재하는 결정성이 우수한 고품질의 열처리 실리콘단결정 웨이퍼를 제공할 수 있다.

또한 본 발명에 관한 실리콘단결정 제조방법은, 쵸크랄스키법으로 질소를 도프하여 직경 300mm이상의 실리콘단결정을 인상할때, 인상속도를 V[mm/min]으로 하고, 실리콘융점에서 부터 1400℃와의 사이에 인상축방향의 결정내온도구배 평균값을 G[K/mm]로 표시할때 V/G[mm²/K·min] 값을 0.17이하로 하여 결정을 육성하는 것을 특징으로 한다.

이와 같이, 직경 300mm이상의 실리콘단결정을 인상할때에 질소를 도프하고, 파라메터 V/G값이 0.17이하가 되도록 V와 G를 조정하여 결정을 육성하면, COP 크기의 축소가 가능하게 되고, 그 후 열처리를 행하면 확실하게 표층의 무결함층 깊이를 깊게 할 수 있는 실리콘단결정을 얻을 수 있다. 특히, 인상속도의 저하에 의해 생산성이 현저하게 저하하는 것을 회피하기 위해서는 V/G값을 0.1이상으로 할 필요가 있으며 0.13이상이면 인상결정중에 미소한 전위가 있어도 후(後)의 어닐에 의해 제거할 수 있다. 또한 0.146 이상이면 인상결정중의 전위를 완전히 프리(free)하게 할 수 있으므로 보다 바람직하다.

이 경우, 질소를 도프할때의 질소농도를 1×10¹³/cm³이상으로 하여 결정을 육성하는 것이 바람직하다.

이와 같이, 질소농도를 고농도화하면, 웨이퍼 표면에 COP 없는 무결함층 깊이를 보다 일층 깊게 할 수 있음과 동시에, 벌크중 BMD를 증가시켜 충분한 IG능력을 갖는 웨이퍼를 제조할 수 있다.

더욱이, 본 발명에 관한 실리콘단결정 웨이퍼의 제조방법은, 직경 300mm이상의 질소가 도프된 실리콘단결정 웨이퍼에 열처리를 실시하는 실리콘단결정 웨이퍼의 제조방법에 있어서, 불활성가스 또는 수소 또는 이들의 혼합가스분위기하, 1230℃이상, 1시간이상의 열처리를 실시하는 것을 특징으로 한다.

이와 같이, 직경 300mm이상의 실리콘단결정 웨이퍼에는 불활성가스 또는 수소 또는 이들의 혼합가스 분위기하에서의 열처리는, 1230℃이상, 1시간이상 실시하면 웨이퍼 표면으로 부터 3㎛이상의 깊이에 걸쳐서 COP가 없는 무결함층을 형성할 수 있으며, 고기능, 고품질의 열처리 실리콘단결정 웨이퍼를 제조할 수 있다.

특히, 본 발명에 관한 실리콘단결정 웨이퍼의 제조방법은, 상기와 같이 질소를 도프하고 V/G를 소정값이하로 하여 육성하는 방법으로 제조된 실리콘단결정을 슬라이스하여 얻어지는 실리콘단결정 웨이퍼에 상기에서 규정하는 열처리를 실시하는 것을 특징으로 하며, 이러한 제조방법에 의하면 직경 300mm이상의 웨이퍼에 대하여 웨이퍼 표면으로부터 3㎛이상의 깊이에 걸쳐서 확실하게 COP가 없는 무결함층을 형성시킬 수 있으며, 고기능, 고품질의 열처리 웨이퍼를 제조할 수 있다.

이상 설명한 바와같이, 본 발명에 의하면, 직경 300mm이상의 실리콘단결정 웨이퍼를 열처리하여 표층에 COP가 없는 무결함층을 갖는 실리콘단결정 웨이퍼를 얻기위한 실리콘단결정 인상조건으로서 낮은 V/G 및 웨이퍼 열처리조건으로서 고온 어닐을 채용함으로써 낮은 비용으로 COP가 없는 무결함층의 깊이를 3㎛이상인 고기능, 고품질 열처리 웨이퍼를 얻을 수 있다.

이하, 본 발명에 대하여 보다 상세히 설명하지만 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다.

본 발명자등은 직경 300mm이상의 실리콘단결정 웨이퍼를 열처리하여 표층에 충분한 깊이의 COP가 없는 무결함층을 갖는 실리콘단결정 웨이퍼를 제조하는 방법을 확립하기 위해, 실리콘단결정 인상조건 및 웨이퍼의 열처리조건에 대하여 예의조사, 실험을 행하고, 제조건을 고려하여 본 발명을 완성하였다.

COP(Cryatal Originated Particle)는 점결함인 공공이 응집하여 형성된 결함(보이드)이며, 웨이퍼의 산화막내압을 열화시키는 원인으로 된다. 웨이퍼를 SC-1세정(NH₄OH:H₂O_2:H₂O=1:1:10의 혼합액으로 세정)하면 선택에칭되고, 피트(pit)로써 현재화(顯在化)한다. 이 피트의 직경은 1㎛이하이며, 광산란법으로 조절할 수있다.

또한 최근 고감도의 광산란법에 의한 검사장치를 이용하면, SC-1세정등의 현재화처리없이 검출하는 것도 가능하다.

전술한 바와 같이, 직경 300mm이상의 실리콘단결정 육성에는 결정의 냉각속도가 느리고 공공의 응집이 진행되어 COP 크기가 크게 되어 어닐에 의해 소멸하기가 곤란하게 된다.

따라서 직경 300mm이상의 실리콘 웨이퍼에 있어서, 어닐후의 웨이퍼의 표면에 COP가 없는 무결함층을 충분한 깊이로 얻기 위해서는, (1)COP 크기를 작게 한다, (2)열처리온도·시간을 고온·장시간화한다, 의 두개의 수단을 고려할 수 있다.

그래서 먼저 직경 300mm(직경 12인치)의 결정에 대하여 급냉하여 공공의 응집을 억지함에 따른 COP 크기의 축소가능성을 검토하기로 하고, 단결정 인상기의 HZ(Hot Zone:노내구조)를 개조하여 결함응집온도대에 있는 1100℃ 근방에서 급냉을 실시하였다.

그렇지만 원래 인상기의 열용량이 크기 때문에 1.5~1.7℃/min의 냉각속도가 한도이며, 극적인 급냉(만족한 COP 크기가 얻어질 수 있는 급냉)은 달성될 수 없었다.

다음으로 속도 V[mm/min]를 변화시키거나 인상축방향의 결정내온도구배의 평균값 G[K/mm]의 면내분포를 개선함으로써, 파라메터로서 V/G[mm²/K·min]값을 콘트롤하여 점결함 도입을 제어함에 의해 COP 크기의 축소를 시도하였다.

V/G의 산출은 FEMAG를 이용하고 HZ를 고려하여 행할 수가 있다.

여기에서 FEMAG는 문헌(F.Dupret, P.Nicodeme, Y.Ryckmans, P.Wouters, and M.J.Crochet, Int.J.Heat Mass Transfer, 33, 1849(1990))에 개시되어 있는 총합전열해석쇼프트이다.

그 결과, V/G값이 0.17mm²/K·min이하에서 겨우 만족할 수 있는 COP 크기인 평균 약 80nm로 되고, 표준어닐조건(1200℃, 1시간, 아르곤분위기)하에서 COP 없는 무결함층의 깊이 3㎛를 달성할 수 있음을 알아내었다. 이때, 질소농도는 3×10¹³/cm³~ 10×10¹³/cm³이었다.

이와 같이, V/G값을 저하시킴으로써 COP의 크기와 밀도를 작게할 수 있는 이유는 다음과 같이 고려된다. 즉, 낮은 V/G값화에 의해 점결함인 공공과 격자간 실리콘 농도차가 감소한다. 따라서 응집하여 보이드를 형성함에 기여하는 공공량이 감소하고, 응집온도의 저온화를 유발한다. 저온화에 의해, 적은 밀도의 공공 응집이 어렵게 되고 보이드 크기도 작아지게 된다. 크기가 작게 되면, 보이드가 지나치게 작게 되는 것은 검출되지 않으므로 결함밀도도 감소하는 것으로 된다.

특히, COP 없는 무결함층 깊이의 측정은, 제작된 이러한 웨이퍼를 그 표면에서 부터 소정의 깊이까지 연마가공한후 표면에 열산화막을 형성하고, 그 각각의 깊이에서의 열산화막 내압특성[TZDB(Time Zero Dielectric Breakdown)] 양품율을 측정하는 것으로서 행하였다. TZDB 양품율(良品率)은 보이드결함(COP)과 좋은 상관관계가 있으며, 보이드 결함이 많으면 양품율이 저하하는 것이 알려져 있다.

TZDB 양품율의 측정에 있어서는, 웨이퍼 표면에 25nm의 열산화막을 형성하고 그 위에 더욱이 인(P)도프 폴리실리콘 전극(전극면적 8mm²)을 제작하고, 판정전류치를 1mA/cm²으로 하여 절연파괴전계 8MV/cm이상의 것을 양품으로 하고, 웨이퍼면내 100점(点)을 측정함으로써 양품율을 산출하고 양품율 95%이상을 보이드 프리로 판단하였다.

또한 결정의 인상조건은 표준(V=1.1mm/min, V/G=0.37mm²/K·min)에서 질소농도를 고농도화하여 COP 크기를 작게함으로써, 표준어닐조건 보다 보이드결함이 없는 무결함층 깊이를 3㎛이상으로 하기 위해서는 8×10¹⁴/cm³이상의 농도가 필요하였다.

그러나 편석계수와 질소의 고용한계 관계때문에 이러한 고농도에서는 인상결정의 단결정화가 곤란하게 되고, 단결정 제조의 수율이 현저하게 저하해 버렸다.

이어, 결정의 인상조건은 표준상태 그대로에서, COP크기가 평균 13nm로 되는 질소농도(3×10¹³/cm³)에서, 어닐조건에 의한 보이드결함이 없는 무결함층 깊이 개량을 시도하였다.

그 결과, 어닐온도 1200℃에서는 4시간의 어닐에서 간신히 3㎛ 깊이로 되었다. 그러나 이러한 장시간 열처리하는 방법에서는 비용이 높게 되므로 어닐온도의 고온화를 시도하였는데, 1230℃까지 고온화하고 1시간의 어닐을 실시함으로써 3㎛의 보이드결함이 없는 무결함층 깊이를 달성할 수 있었다.

더욱이, 상기 V/G값의 저하(0.17mm²/K·mm이하)에 의한 COP 크기의 축소화와 열처리의 고온화(1250℃, 1시간)을 조합하였더니, 6㎛이상의 COP가 없는 무결함층 깊이를 달성할 수 있었다.

특히, 열처리조건으로서, 1230℃이상의 온도에서는 보다 높은 온도로 하는 편이 표층의 COP를 보다 단시간에 제거할 수 있지만, 물리적으로 실리콘융점미만으로 할 필요가 있으며 웨이퍼의 오염, 노의 내구성을 고려하면 1350℃이하로 하는 것이 바람직하다.

열처리시간도 1시간이상으로 하면, 무결함층 깊이를 보다 깊게 할 수 있지만 천천히 길게 열처리하면 무의미하므로 3시간이하로 하는 것이 바람직하다.

본 발명의 열처리는 웨이퍼의 열처리에 통상 사용되고 있는 저항가열식 열처리로를 사용하면 된다. 이 저항가열식 열처리로는 복수매의 웨이퍼를 한번에 처리가능한 소위 배치로이며, 일반적으로는 종형로와 횡형로가 있다. 횡형 배치로는 동경 일렉트론사 제품 UL-260-10H와 같은 장치를 들수가 있다.

이 열처리로에 의한 열처리는 질소를 도프하여 육성된 단결정을 슬라이스하여 얻어진 웨이퍼에 대하여, 아르곤등 불활성가스 또는 수소 또는 이들의 혼합가스분위기하, 온도 1230℃이상, 1시간이상의 열처리를 실시하는 것이다. 이 열처리에 의해 웨이퍼의 표면으로 부터 3㎛이상의 깊이에 걸쳐 COP가 없는 무결함층을 형성하는 것을 완성하였다.

이하, 본 발명을 실시예를 들어 구체적으로 설명하지만, 본 발명은 이에 제한되는 것은 아니다.

(실시예)

[단결정의 인상]

원료다결정중에 질화막부착 웨이퍼를 소정량 투입하고 직경 300mm의 단결정을 다음과 같은 조건으로 인상하였다.

공통조건: 고액계면 온도구배 G: 2.94K/mm,

시험 1:

V = 1.1mm/min, V/G = 0.37mm²/K·min,

시험 2:

V = 0.7mm/min, V/G = 0.24mm²/K·min,

시험 3:

V = 0.5mm/min, V/G = 0.17mm²/K·min,

시험 4:

V = 0.38mm/min, V/G = 0.13mm²/K·min,

시험 5:

V = 0.8mm/min, V/G = 0.27mm²/K·min,로

투입된 질화막부착 웨이퍼의 질화량과 원료다결정의 양, 및 질소편석계수를 고려한 계산에 의해, 시험 1~4는 질소농도가 3×10¹³으로 되는 결정위치로부터 웨이퍼를 절출(切出)하고, 시험 5는 1×10¹⁵로 되는 위치로부터 웨이퍼를 절출하였다. 그리고 이러한 웨이퍼에 대하여 다음과 같은 열처리조건을 조합하여 열처리를 실시하였다. 이어, 웨이퍼 표면의 무결함층의 깊이(COP 프리깊이)를 상기 TZDB 양품율로부터 구하였다.

열처리조건(온도/시간): 1200℃/1Hr, 1200℃/4hr, 1230℃/1hr,1250℃/1hr의 4가지 수준(모두 아르곤가스 100%분위기).

이상의 단결정 인상조건, 열처리조건 및 웨이퍼의 표면 무결함층 깊이의 관계를 표 1에 나타내었다.

시험 No.	단결정 인상조건	열처리 조건
시험 No.	단결정 인상조건	온도=1200℃시간=1Hr	온도=1200℃시간=4Hr	온도=1230℃시간=1Hr	온도=1250℃시간=1Hr
시험 1	NC = 3×10¹³V = 1.10V/G = 0.37	D	C	C	B
시험 2	NC = 3×10¹³V = 0.70V/G = 0.24	D	C	C	B
시험 3	NC = 3×10¹³V = 0.50V/G = 0.17	C	B	B	A
시험 4	NC = 3×10¹³V = 0.38V/G = 0.13	B	A	A	A
시험 5	NC = 1×10¹⁵V = 0.80V/G = 0.27	B	A	A	A

[주] ①고액계면 온도구배 G=2.94K/mm일정 ②NC :질소농도[/cm³],

③ V: 인상속도[mm/min] ④V/G: 파라메터[mm²/K·min]

⑤

COP 프리 깊이 d(㎛)	기호
d＜1d ≒33＜d＜6d≥6	DCBA

표 1로부터, 질소농도가 3×10¹³정도의 비교적 저농도의 직경 300mm이상의 실리콘단결정 웨이퍼에, 1200℃, 1시간의 열처리를 행하고, 표층에 충분한 깊이(적어도 3㎛)의 COP가 없는 무결함층을 갖는 실리콘단결정 웨이퍼를 제조함에는, 먼저 실리콘단결정의 인상에 있어서 V/G값이 0.17mm²/K·min 이하가 되도록 인상속도 V와 고액계면온도구배 G를 제어하여 단결정을 육성하고, COP 크기를 축소시킴이 좋음이 판단된다. 또한 열처리온도로는 1250℃이상으로 하면 V/G가 0.17보다 커지고 질소가 비교적 저농도(3×10¹³)에서도 1시간으로 무결함층 깊이가 3㎛를 초과하는 깊이로 할 수 있으며, 1230℃에서 열처리하면 1시간으로 무결함층의 깊이를 약 3㎛로 할 수 있음이 판단되었다. 그리고 이 V/G값을 0.17mm²/K·min 이하로 하여 육성된 단결정으로부터 절출된 웨이퍼에 1230℃이상, 1시간이상, 불활성가스분위기하에서 열처리를 실시하면 웨이퍼의 표면으로 부터 6미크론이상에 걸쳐서 COP가 없는 무결함층이 존재하는 고품질, 고기능을 갖는 열처리 웨이퍼를 제조할 수 있음을 알 수있다.

더욱이, 열처리분위기를 수소가스 100%, 또는 수소와 아르곤의 혼합가스분위기로 하여 열처리하여도 표 1과 동일한 효과를 얻을 수 있음을 확인하였다.

나아가 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것은 아니다. 상기 실시형태는 예시로서, 본 발명의 특허청구범위에 기재된 기술사상과 실질적으로 동일한 구성을 가지며, 동일한 작용효과를 갖는 것이라면 어느 것이라도 본 발명의 기술적범위에 포함된다.

예컨데, 본 발명방법이 적용될 수 있는 실리콘웨이퍼의 직경은 300mm로 한정되는 것은 아니다. 왜냐하면 본 발명방법으로 V/G값을 0.17이하로 하고 COP 크기를 작게함으로써 그후 열처리로 무결함층의 깊이를 깊게 할 수 있는 것은 웨이퍼의 직경에 관계없이 적용될 수 있기 때문이다. 즉, V/G값은 실리콘단결정의 직경에 관계없이 적용될 수 있는 파라메터이며, 본 발명방법은 금후 더욱 대직경화, 예컨데 400mm, 500mm, 또는 그 이상에 대해서도 적용가능한 이점이 있다.

Claims

직경 300mm이상의 실리콘단결정 웨이퍼에 있어서,

그 표면으로 부터 3미크론 이상에 걸쳐서 COP가 없는 무결함층이 존재하는 것을 특징으로 하는 실리콘단결정 웨이퍼.
쵸크랄스키법으로 질소를 도프하여 직경 300mm이상의 실리콘단결정을 인상할때에, 인상속도를 V[mm/min]으로 하고, 실리콘 융점으로부터 1400℃와의 사이에 인상축방향 결정내온도구배의 평균값을 G[K/mm]로 표시할때, V/G[mm²/K·min]값을 0.17이하로 하여 결정을 육성하는 것을 특징으로 하는 실리콘단결정 제조방법.
제 2항에 있어서, 상기 질소를 도프할때의 질소농도를 1×10¹³/cm³이상으로 하여 결정을 육성하는 것을 특징으로 하는 실리콘단결정 제조방법.
직경 300mm이상의 질소가 도프된 실리콘단결정 웨이퍼에 열처리를 실시하는 실리콘단결정 웨이퍼의 제조방법에 있어서,

불활성가스 또는 수소가스, 또는 이들의 혼합가스분위기하, 1230℃이상, 1시간이상의 열처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 실리콘단결정 웨이퍼의 제조방법.
청구항 2항 또는 청구항 3항에서 제조된 실리콘단결정을 슬라이스하여 얻어지는 실리콘단결정 웨이퍼에, 청구항 4항에서 규정하는 열처리를 실시하는 것을 특징으로 하는 실리콘단결정 웨이퍼의 제조방법.