WO2002103091A1 - Plaquette de monocristal de silicium presentant une zone denudee vide sur la surface et un diametre superieur a 300 mm et son procede de production - Google Patents

Description

明 細 書 表層部にボイ ド無欠陥層を有する直径 3 0 O m m以上 のシリ コ ン単結晶ゥェ一ハおよびその製造方法 技術分野

本発明は、 直径 3 O O m m以上の高機能、 無欠陥層を有するシ リ コ ン 単結晶ゥエーハおよびその製造方法に関する。 背景技術 チヨ ク ラルスキ一法 （ C Z法） によ り製造された窒素 ド一プしたシリ コ ン単結晶をゥエーハに加工した後、 アルゴン等の不活性ガス雰囲気で 高温長時間の熱処理 （ァニールという こ と がある） を施したシ リ コ ンゥ ェ一ハは、 ゥェ一ハ表面のデバイ ス活性層の完全性を高め、 デバイ ス作 製に必要な少なく と も表面から 3 μ m程度の深さまでの領域を無欠陥化 し、 力 つ、 バルタ中の B MD (Bulk Micro Defect ) と呼ばれるゲッタ リ ングサイ ト となる酸素析出物密度を増加させるこ とによ り 、 金属不純 物等に対するゲッタ リ ング能力を高めた製品と して、 最近注目 されてい る。

この技術が適用 された製品と しては、 現在、 直径 2 0 0 m m以下のゥ エーハが主流であるが、 現在開発中である直径が 3 0 0 mmのゥエーハ に対しても適応が試みられており 、 今後益々直径が 3 0 0 m m以上のゥ エーハへの需要は拡大していく ものと推定される。

と こ ろが、 直径 3 0 0 m m以上の結晶は、 その製造に用いられる引上 げ機の容積がかな り大きいこ とによ り熱容量が大きいこ と と、 比熱の影 響によ り 、 引上げ結晶の冷却がなかなか進まない。 そのため、 シ リ コ ン 単結晶中のボイ ド欠陥 （ C O P と も呼ばれている） のサイズが大き く な り 、 窒素 ドープした単結晶ゥェ一ハであっても、 その後の標準的なァニ ール条件 （ 1 2 0 0 °C、 1 時間、 アルゴン雰囲気） 下では、 ボイ ド欠陥 はゥエーハの極く 表面しか消滅させられないこ とが明 らかになつてきた。 結晶の冷却がなかなか進まないとい う現象は、 従来のゥエーハ直径の 世代交代の際 （例えば、 直径 1 5 O m mから直径 2 0 0 m mへの転換期） にも同様の現象が起こっていたわけであるが、 直径を 2 0 O m mから 3

0 0 m mへ拡大する際の引上げ機の容積や結晶体積の大幅な増加に比べ ればその影響は少なく 、 結果的に現状の標準的なァニール条件 （ 1 .2 0

0 °C、 1 時間、 アルゴン雰囲気） でボイ ド欠陥を十分な深さ （少な く と も 3 μ m ) まで消滅させるこ とができ ていた。

また、 そもそも結晶引上げ時に導入されるいわゆるグロ ーイ ン欠陥に 対する研究が盛んに行われる よ う になったのはこ こ数年程度前からのこ とであり 、 その時にはまだ直径 3 0 0 m mのゥエーハは量産レベルには 全く 達しておらず、 よ うやく 形状サンプルが可能になる時期であつたの で、 直径 3 0 O m mのゥエーハをァニールしてグロ ーイ ン欠陥を消滅さ せる とい う発想はなく 、 ま して、 直径 3 0 0 m mゥエーハのグローイ ン 欠陥をァニールによ り消滅させるこ と が、 直径 2 0 O m mのゥエーハに 比べて格段に困難になるとい う現象は、 現在に至るまで全く 予測されて いなかった。

発明の開示

そこで本発明は、 かかる問題を解決するためになされたも ので、 直径 3 0 O m m以上のシリ コン単結晶を引上げてゥエーハに力！]ェし、 ゥエー ハを熱処理して表層の十分な深さに C O Pのない無欠陥層を有するシリ コ ン単結晶ゥエーハを得るためのシリ コ ン単結晶引上げ条件およびゥェ —ハの熱処理条件を確立するこ と を主たる 目的とする。

上記課題を解決するために本発明に係るシ リ コ ン単結晶ゥエーハは、 直径 3 0 O m m以上のシリ コ ン単結晶ゥエーハであって、 表面から 3 ミ ク 口 ン以上にわたって C O Pのない無欠陥層が存在するこ と を特徴と し ている。

こ のよ う に本発明では、 実際に直径 3 0 0 m m以上のシリ コ ン単結晶 ゥエ ー八であって、 表面力、ら 3 ミ ク ロ ン以上にわたって C O Pのない無 欠陥層が存在する結晶性に優れた高品質の熱処理シ リ コ ン単結晶ゥエー ノ、を提供するこ と ができ る。

また、 本発明に係るシ リ コ ン単結晶の製造方法は、 チ ヨ ク ラルス キー 法によ り 窒素を ドープして直径 3 0 O mm以上のシリ コ ン単結晶を引上 げる際に、 引上げ速度を V [ m m / m i n ] と し、 シ リ コ ンの融点から 1 4 0 0 °Cの間の引上げ軸方向の結晶内温度勾配の平均値を G [ K / m m ] で表した時、 V / G [ m m ² / K · m i n ] の値を 0 . 1 7以下と して結晶を育成するこ と を特徴と している。

このよ う に、 直径 3 0 0 m m以上のシリ コン単結晶を引上げる際に、 窒素を ドープし、 ノ ラメータ V / Gの値を 0 . 1 7以下になる よ う に V と Gを調整して結晶を育成すれば、 C O Pサイ ズの縮小が可能とな り 、 その後熱処理を行えば、 確実に表層の無欠陥層の深さを深くするこ とが でき るシリ コ ン単結晶を得る こ とができ る。 尚、 引上げ速度の低下によ り 生産性が著しく 低下するこ とを回避するためには、 V Z Gの値は 0 . 1 以上とする必要があ り 、 0 . 1 3以上であれば、 引上げ結晶中に微小 な転位があっても、 後のァニールによって除去するこ とができ る。 また、 0 . 1 4 6以上であれば、 引上げ結晶中の転位を完全にフ リ ーにするこ と ができ るので、 よ り好ま しい。

この場合、 窒素を ド一プする際の窒素濃度を 1 X 1 0 ¹³/ c m ³ 以上 と して結晶を育成するこ とが好ま しい。

こ のよ う に窒素濃度を高濃度化すれば、 ゥエ ーハ表面の C O P のない 無欠陥層の深さをよ り一層深く するこ とができ る と と もに、 バルク中の B M Dを増加させて、 十分な I G能力を有する ゥエ ーハを製造する こ と ができ る。

さ らに、 本発明に係るシ リ コ ン単結晶ゥエーハの製造方法は、 直径 3 JP02/05692

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0 O m m以上の窒素が ドープされたシリ コ ン単結晶ゥェ一ハに熱処理を 施すシリ コン単結晶ゥヱーハの製造方法において、 不活性ガスまたは水 素あるいはこれらの混合ガスの雰囲気下、 1 2 3 0 °C以上、 1 時間以上 の熱処理を施すこ と を特徴と している。

このよ う に、 直径 3 0 0 m m以上のシリ コン単結晶ゥエーノヽでは、 不 活性ガスまたは水素あるいはこれらの混合ガス の雰囲気下の熱処理は、

1 2 3 0 °C以上、 1 時間以上施せば、 ゥエーハ表面から 3 /z m以上の深 さにわたって、 C O Pのない無欠陥層を形成させる こ とができ、 高機能、 高品質の熱処理シ リ コ ン単結晶ゥエーハを製造する こ とができ る。

特に、 本発明に係るシリ コ ン単結晶ゥェ一ハの製造方法は、 上記のよ う に窒素を ド一プし、 VZ Gを所定値以下と して育成する方法で製造さ れたシリ コ ン単結晶をス ラ イ ス して得られるシリ コ ン単結晶ゥエーハに 上記で規定する熱処理を施すこ と を特徴と しており 、 こ の よ う な製造方 法によれば、 直径 3 0 0 m m以上のゥェ一ハに対して、 ゥェ一ハ表面か ら 3 m以上の深さにわたって、 確実に C O Pのない無欠陥層を形成さ せる こ とができ、 高機能、 高品質の熱処理ゥェ一ハを製造するこ とがで き る。

以上説明 したよ う に、 本発明によれば、 直径 3 0 0 m m以上のシ リ コ ン単結晶ゥエーハを熱処理して表層に C O Pのない無欠陥層を有するシ リ コ ン単結晶ゥエーハを得るためのシ リ コ ン単結晶引上げ条件と して低 V Z Gおよびゥエーハの熱処理条件と して高温ァニールを採用 したこ と によ り 、 低コ ス ト で、 C O Pのない無欠陥層の深さが 3 μ πι以上である 高機能、 高品質熱処理ゥエーハを得るこ とができ る。

発明を実施するための最良の形態

以下、 本発明について、 さ らに詳細に説明するが、 本発明はこれらに 限定されるも のではない。

本発明者等は、 直径 3 0 0 m m以上のシリ コ ン単結晶ゥェ一ハを熱処 理して表層に十分な深さのある C O Pのない無欠陥層を有するシ リ コ ン 単結晶ゥエーハを製造する方法を確立するため、 シリ コ ン単結晶引上げ 条件およびゥエーハの熱処理条件について鋭意調査、 実験を行い、 諸条 件を見極めて本発明を完成させた。

C O P ( Crystal Originated Particle ) は、 点欠陥である空孔が凝集 して形成される欠陥 （ボイ ド） であり 、 ゥエーハの酸化膜耐圧を劣化さ せる原因となる。 ゥエーハを S C — 1 洗浄 （N H ₄ O H ： H ₂ O ₂ ： H ₂ 0 = 1 ： 1 ： 1 0 の混合液によ る洗浄） する と選択エッチングされ、 ピッ ト と して顕在化する。 こ の ピ ッ ト の直径は Ι μ πι以下であり 、 光散 乱法で調べる こ とができ る。

また、 最近の高感度の光散乱法によ る検査装置を用いれば、 S C — 1 洗浄等の顕在化処理せずに検出するこ と もでき る。

前述のよ う に、 直径 3 0 0 m m以上のシリ コ ン単結晶の育成では、 結 晶の冷却速度が遅く 、 空孔の凝集が進み、 C O Pのサイ ズが大き く なつ てァニールによ り 消滅し難く なる。

従って、 直径 3 0 0 mm以上のシリ コンゥエーノ、において、 ァニール 後の ゥェ一ハ表面に C O Pのない無欠陥層の十分な深さを得るためには、 ( 1 ) C O Pのサイズを小さ く する、 （ 2 ) 熱処理温度 ·時間を高温 - 長時間化する、 の二つの手段が考えられる。

そ こで、 まず直径 3 0 0 m m (直径 1 2 イ ンチ） の結晶について、 急 冷して空孔の凝集を抑止するこ と による C O Pサイ ズの縮小の可能性を 検討するこ と にし、 単結晶引上げ機の H Z ( H o t Z o n e ： 炉内構 造） を改造して、 欠陥凝集温度帯である 1 1 0 0 °C近辺の急冷を試みた。

しかしながら、 も と も と引上げ機の熱容量が大きいため、 1 . 5〜 1 . 7 °Cノ m i n の冷却速度が限度であり 、 劇的な急冷 （満足な C O Pサイ ズが得られる急冷） は達成できなかった。

次に引上げ速度 V [ m m/ m i n ] を変化させた り 、 引上げ軸方向の 結晶内温度勾配の平均値 G [ K / m m ] の面内分布を改善するこ とによ り 、 パラ メ —ター と して V / G [ m m ² / K · m i n ] 値をコ ン ト 口一 ルして、 点欠陥の導入を制御する こ と によ り 、 C O Pサイ ズの縮小を試 みた。

V Z Gの算出は、 F E M A Gを用い、 H Z を考慮 して行 う こ と ができ る。

こ こ で F E M A Gは、 文献 （ F . D u p r e t , P . N c o d e m e , Y . R y c k m a n s , P . W o u t e r s , a d M . J . C r o c h e t , I n t . J . H e a t M a s s T r a n s f e r , 3 3 , 1 8 4 9 ( 1 9 9 0 )) に開示 されている総合伝熱解析 ソ フ ト であ る。

その結果、 V / G値が 0 . 1 7 mm² / K · m i n以下でよ うやく 満 足でき る C O Pサイ ズである平均約 8 O n mと な り 、 標準ァニ一ル条件 ( 1 2 0 0 °C、 1 時間、 アルゴン雰囲気） 下で C 〇 P のない無欠陥層の 深さ 3 μ πιを達成する こ と が出来た。 この と き の窒素濃度は 3 X I 0 ¹³ / c m ³ 〜 1 0 X 1 0 ¹³/ c m ³ であっ た。

こ の よ う に V / G値を低下 させる こ と に よ り 、 C O P のサイ ズも密度 も小 さ く する こ と ができ るのは、 次の よ う に考え られる。 すなわち、 低 V G値化に よ り 、 点欠陥である空孔と格子間シ リ コ ンの濃度差が減少 する。 従っ て、 凝集してボイ ドを形成する のに寄与する空孔量が減少 し、 凝集温度の低温化が起こ る。 低温化によ り 、 少ない密度の空孔が凝集し に く く な り 、 ボイ ドのサイ ズが小 さ く なる。 サイ ズが小 さ く なればボィ ドが小さ過ぎる も のは、 検出 されないので、 欠陥密度も減少する こ と に な る。

尚、 C O P のない無欠陥層の深 さの測定は、 作製 されたこれ らの ゥェ ーハを表面から所定の深さ まで研磨加工した後の表面に熱酸化膜を形成 し、 それぞれの深 さにおける熱酸化膜の耐圧特性 [ T Z D B (Time Zer o Dielectric Breakdown) ] 良品率を測定する こ と によ り行っ た。 T Z D B 良品率は、 ボイ ド欠陥 （ C O P ) と よい相関があ り 、 ボイ ド欠陥が多 いと良品率が低下するこ とが判っている。

T Z D B良品率の測定にあたっては、 ゥエーハ表面に 2 5 n mの熱酸 化膜を形成し、 その上にさ らにリ ン （ P ) ドープポリ シ リ コ ン電極 （電 極面積 8 m m ² ) を作製し、 判定電流値を I m A Z c m ² と して絶縁 破壊電界 8 M V , c m以上のものを良品と して、 ゥエーハ面内 1 0 0 点を測定するこ とによ り 、 良品率を算出し、 良品率 9 5 %以上をボイ ド フ リ ーと判断した。

また、 結晶の引上げ条件は標準 （ V = 1 . 1 m m Z m i n 、 V / G = 0 . 3 7 mm ² / K - m i n ) で、 窒素濃度を高濃度化して C O Pのサ ィズを小さ く するこ とによって、 標準ァニール条件によ り ボイ ド欠陥の ない無欠陥層の深さを 3 μ πα以上とするためには、 8 X I 0 ¹⁴/ c m ³ 以上の濃度が必要であった。

しかし、 偏析係数と窒素の固溶限界の関係から、 このよ う な高濃度で は引上げ結晶の単結晶化が困難にな り 、 単結晶製造の歩留ま り が著しく 低下してしまった。

続いて、 結晶の引上げ条件は標準のままで、 C O Pサイズが平均 1 3 O n m程度になる窒素濃度 （ 3 X 1 0 ¹³/ c m ³ ) において、 ァニール 条件によ るボイ ド欠陥のない無欠陥層の深さの改良を試みた。

その結果、 ァニール温度 1 2 0 0 °Cでは 4時間のァニールでよ うやく 3 μ mの深さ となった。 しかし、 このよ う な長時間熱処理する方法では、 コ ス ト高になるので、 ァニール温度の高温化を試みたと ころ、 1 2 3 0 °C まで高温化し、 1 時間のァニ一ルを施すこ とによって、 3 μ mのボイ ド 欠陥のない無欠陥層の深さ を達成するこ と ができた。

さ らに、 前記 V Z G値の低下 （ 0 . 1 7 mm ² / K · m i n以下） に よる C O Pサイ ズの縮小化と熱処理の高温化 （ 1 2 5 0 °C、 1 時間） を 組み合わせたと ころ、 6 μ ιη以上の C O Pのない無欠陥層の深さを達成 するこ とができた。

尚、 熱処理条件と して、 1 2 3 0 °C以上の温度であれば、 よ り 高い温 度と した方が表層の C O P をよ り短時間で除去するこ とができ るが、 物 理的にシ リ コ ンの融点未満とする必要があ り 、 ゥェ一ハの汚染、 炉の耐 久性を考える と、 1 3 5 0 °C以下とするのが好ま しい。

熱処理時間も 1 時間以上とすれば、 よ り 無欠陥層を深く するこ と がで き るが、 余 り に長く熱処理する と無駄であるので 3時間以下とするのが 好ま しい。

本発明の熱処理は、 ゥエ ーハの熱処理に通常使用 されている抵抗加熱 式の熱処理炉を使用すればよい。 こ の抵抗加熱式の熱処理炉は、 複数枚 のゥエ ーハを一度に処理可能な、 いわゆるバッチ炉であ り 、 一般的には、 縦型炉と横型炉とがある。 横型のバッチ炉と しては、 東京エレク ト ロ ン 社製の U L — 2 6 0 — 1 0 Hのよ う な装置を挙げるこ とができ る。

こ の熱処理炉による熱処理は、 窒素を ドープして育成された単結晶を スライス して得たゥェ一ハに対して、 アルゴン等の不活性ガスまたは水 素あるいはこれらの混合ガスの雰囲気下、 温度 1 2 3 0 °C以上、 1 時間 以上の熱処理を施すものである。 この熱処理によ り ゥエ ーハの表面から 3 /x m以上の深さにわたって、 C O Pのない無欠陥層を形成するこ とが 出来る。

以下、 本発明の実施例を挙げて具体的に説明するが、 本発明はこれら に限定されるものではない。

(実施例）

[単結晶の引上げ]

原料多結晶中に窒化膜付き ゥエ ーハを所定量投入し、 直径 3 0 0 m m の単結晶を次の条件で引上げた。

共通条件 ： 固液界面温度勾配 G 9 4 K / m m

試験 1 ：

V = 1 . l m m / m i n 、 V / G = 0 . 3 7 m m κκ m i η

試験 2 _: 9

V = 0 . 7 m m/m i n 、 V / G = 0 . 2 4 m m ² / K ' m i n 、

試験 3 :

V = 0 . 5 m m / m i n 、 V / G = 0 . 1 7 m m ² / K ' m i n 、

試験 4 :

V = 0 . 3 8 mm/ m i n 、 V / G = 0 . 1 3 mm² / K ' m i n 、 試験 5 :

V = 0 . 8 m m / m i n , V / G = 0 . 2 7 m m ² / K ' m i n 、

投入した窒化膜付き ゥエーハの窒化膜の量と原料多結晶の量、 および 窒素偏析係数を考慮した計算によ り 、 試験 1 〜 4 は、 窒素濃度が 3 X I 0 ¹³ となる結晶の位置から ゥエーハを切り 出し、 試験 5 は、 1 X 1 0 ¹⁵ となる位置から ゥェ—ハを切 り出した。 そして、 これらのゥエーハに対 して次の熱処理条件を組合わせて熱処理を施した。 次いで、 ゥエーハ表 面の無欠陥層の深さ （ C O P フ リ ー深さ） を前記 T Z D B良品率から求 めた。

熱処理条件 （温度 時間） ： 1 2 0 0 °C / 1 H r 、 1 2 0 0 °C / 4 H r , 1 2 3 0 °C/ l H r , 1 2 5 0 °C/ l H r 、 の 4水準 （いずれもァルゴ ンガス 1 0 0 %雰囲気）。

以上の単結晶引上げ条件、 熱処理条件およびゥエーハ表面の無欠陥層 の深さの関係を表 1 にま と めて示した。

(表 1 )

[註] ① 固液界面温度勾配 G= 2. 9 4 KZmm—定、 ② N C _:窒素濃度 [ c m³ ]、 ③ V：引上げ速度 [mm/m i n]、 ④ V/G ：パラメータ [mm² /K · m i n]

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CO Pフリーの深さ 記 号

d (μ m) d < 1 D

d ^ 3 C

3 < d < 6 B

d≥ 6 A 表 1 から、 窒素濃度が 3 X I 0 ¹³程度の比較的低濃度の直径 3 0 0 m m以上のシ リ コ ン単結晶ゥエ ーハに、 1 2 0 0 ° (：、 1 時間の熱処理を行 い、 表層に十分な深さ （少なく と も 3 μ πι ) のある C O Pのない無欠陥 層を有するシ リ コ ン単結晶ゥエーハを製造するには、 先ず、 シ リ コ ン単 結晶の引上げにおいて、 Vノ G値を 0 . 1 7 m m ² / K ' m i n以下に なるよ う に引上げ速度 Vと固液界面温度勾配 Gを制御して単結晶を育成 し、 C O Pサイズを縮小させるのがよいこ とが判る。 また、 熱処理温度 と しては、 1 2 5 0 °C以上とすれば、 V Z Gが 0 . 1 7 よ り 大き く 、 窒 素が比較的低濃度 （ 3 X 1 0 ¹³) でも、 1 時間で無欠陥層の深さを 3 /X mを超える深さ とする こ とができ、 1 2 3 0 °Cで熱処理すれば、 1 時間 で無欠陥層の深さを約 3 / mにするこ とができ るこ とが判った。 そして こ の V Z G値を 0 . 1 7 m m ² / K · m i n以下と して育成した単結晶 から切り 出したゥエ ー八に 1 2 3 0 °C以上、 1 時間以上、 不活性ガス雰 囲気下の熱処理を施せば、 ゥエ ーハ表面から 6 ミ ク ロ ン以上にわたって C O Pのない無欠陥層が存在する高品質、 高機能を有する熱処理ゥエ ー ハをも製造するこ とができ る こ とがわかる。

さ らに、 熱処理雰囲気を水素ガス 1 0 0 %、 あるいは水素とアルゴン の混合ガス雰囲気と して熱処理しても表 1 と同様の結果が得られるこ と を確認した。

なお、 本発明は、 上記実施形態に限定される も の ではない。 上記実施 形態は、 例示であ り 、 本発明の特許請求の範囲に記載された技術的思想 と実質的に同一な構成を有し、 同様な作用効果を奏する ものは、 いかな る も のであっても本発明の技術的範囲に包含される。

例えば、 本発明方法が適用でき るシ リ コ ンゥエーハの直径は、 3 0 0 m mに限られるも のではない。 なぜな らば、 本発明方法によ り 、 V / G 値を 0 . 1 7 以下と し、 C O Pサイズを小さ く する こ と によって、 その 後の熱処理で無欠陥層の深さを深く でき るのは、 ゥエ ーハ直径にかかわ らず適用でき るからである。 すなわち、 Vノ G値は、 シ リ コ ン単結晶の 直径にかかわ らず、 適用でき るパラ メ ータ であ り 、 本発明方法は今後の 更な る大直径化、 例えば 4 O O m m、 5 0 0 m m , あるいはそれ以上に ついても適用可能である と い う利点がある。

Claims

請 求 の 範 囲

1 . 直径 3 0 0 m m以上のシリ コ ン単結晶ゥェ一ハであって、 表面か ら 3 ミ ク 口 ン以上にわたって C O Pのない無欠陥層が存在する こ と を特 徴とするシ リ コ ン単結晶ゥエーハ。

2 . チ ヨ ク ラルス キー法によ り 窒素を ドープして直径 3 0 0 m m以上 の シ リ コ ン単結晶を引上げる際に、 引上げ速度を V [ m m / m i n ] と し、 シ リ コ ンの融点から 1 4 0 0 °Cの間の引上げ軸方向の結晶内温度勾 配の平均値を G [ K / m m ] で表した時、 / G [ mm ² / K · m i n ] の値を 0 . 1 7以下と して結晶を育成する こ と を特徴とするシ リ コ ン単 結晶の製造方法。

3 . 前記窒素を ドープする際の窒素濃度を 1 X I 0 ¹³/ c m ³ 以上と して結晶を育成する こ と を特徴とする請求項 2 に記載のシリ コ ン単結晶 の製造方法。

4 . 直径 3 0 0 m m以上の窒素が ドープされたシ リ コ ン単結晶ゥエー ハに熱処理を施すシリ コ ン単結晶 ゥェ一ハの製造方法において、 不活性 ガスまたは水素あるいはこれらの混合ガスの雰囲気下、 1 2 3 0 °C以上、 1 時間以上の熱処理を施すこ と を特徴とするシリ コ ン単結晶ゥエーハの 製造方法。

5 . 請求項 2 または請求項 3 で製造されたシ リ コ ン単結晶をス ラ イ ス して得られるシリ コ ン単結晶 ゥエーハに、 請求項 4 で規定する熱処理を 施すこ と を特徴とするシ リ コ ン単結晶ゥエーハの製造方法。