KR20030034049A - 현장에서의 리소그래피 마스크 세척을 위한 방법 및 장치 - Google Patents

현장에서의 리소그래피 마스크 세척을 위한 방법 및 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 레티클을 현장에서 세척하기 위한 방법 및 시스템에 관한 것이다. 이온화된 가스는 운반 장치에 의해 레티클 상으로 유입된다. 이온화된 가스는 레티클과 레티클 상의 미립자 오염물 사이의 정전기적 인력을 상쇄하여, 레티클로부터 오염물을 제거한다. 그후, 이온화된 가스 및 미립자 오염물은 진공 펌프에 의해 레티클로부터 제거되고 오염물 수집기에 의해 시스템으로부터 운반된다. 현장에서 세척하는 방법 및 시스템의 결과로, 레티클 미립자 오염물에 의한 칩 결함의 전체적인 위험이 감소되고, 칩 및 웨이퍼 생산이 개선된다.

Description

현장에서의 리소그래피 마스크 세척을 위한 방법 및 장치{IN-SITU LITHOGRAPHY MASK CLEANING}
리소그래피는 기판의 표면 상에 형상부를 생성하기 위해 사용되는 공정이다. 이러한 기판은 편평 패널 디스플레이, 회로 기판, 다양한 집적 회로 등의 제조에서 사용되는 것들을 포함한다. 이러한 적용을 위해 자주 사용되는 기판은 반도체 웨이퍼이다. 본 설명이 설명의 목적으로 반도체 웨이퍼에 관하여 기술되지만, 본 기술 분야에서 숙련된 자들은 본 설명이 또한 그들에게 알려진 다른 형태의 기판에도 적용됨을 인식할 것이다.
리소그래피 중에, 웨이퍼 스테이지 상에 배치되는 웨이퍼는 리소그래피 시스템 내에 위치하는 노출 시스템에 의해 웨이퍼 표면 상으로 투영된 화상에 노출된다. 노출 시스템은 화상을 웨이퍼 상으로 투영하기 위한 레티클(또한, "마스크"라고도 함)을 포함한다. 노출 시스템은 또한 조명 시스템, 투영 광학 시스템 및 웨이퍼 정렬 스테이지를 포함한다.
레티클 상의 미립자 오염물은 웨이퍼의 각각의 패턴 상에 상을 만든다. 미립자는 원하는 패턴의 일부가 아니므로, 생성된 레티클 화상은 결함(미립자의 화상)을 포함하게 된다. 다양한 경우에서, 이러한 결함은 오염된 레티클과 함께 인쇄된 모든 웨이퍼 상의 모든 패턴의 기능적 실패를 유발한다. 리소그래피 공정을 개선시키고 양호한 형상부를 인쇄하기 위한 능력을 개선시키기 위해 점점 더 짧은 파장이 채택됨에 따라, 시스템은 더 작은 미립자에 더욱 민감해지게 된다. 레티클을 리소그래피 공구에 장착하기 전에, 레티클 상을 검사하는 것은 매우 어렵다(또는, 현재는 불가능하다). 또한, 레티클 상의 이러한 작은 미립자의 증착을 방지하기에 충분하도록 레티클 환경의 청결도를 유지하는 것은 매우 어렵다(불가능할 수도 있다).
노출 광학이 포토리소그래피의 경우에 사용되는 동안, 다른 형태의 노출 장치가 특별한 적용에 따라 사용된다. 예를 들어, X-레이, 이온, 전자 또는 광자는 각각 기술 분야에서 숙련된 자들에게 잘 알려진, 다른 노출 장치를 필요로 한다. 포토리소그래피의 특별한 예가 본 명세서에서 설명의 목적으로만 기술된다.
투영된 화상은 웨이퍼의 표면 상에 증착된 층, 예를 들면 포토레지스트의 특성에서의 변화를 유발한다. 이러한 변화는 노출 동안 웨이퍼 상으로 투영된 화상 형상부에 대응한다. 노출에 이어서, 층은 패턴화된 층을 형성하도록 에칭된다. 패턴은 노출 동안 웨이퍼 상으로 투영된 이러한 화상 형상부에 대응한다. 그후, 이러한 패턴화된 층은 도전성, 반도전성 또는 절연층들과 같은, 웨이퍼 내의 하부의 구조적 층들의 노출된 부분을 제거하거나 또는 더 처리하도록 사용된다. 그후, 원하는 형상부가 표면 또는 웨이퍼의 다양한 층들에 형성될 때까지, 이러한 공정은다른 단계들과 함께 반복된다.
스텝-앤드-스캔(step-and-scan) 기술은 노출 필드(field)로 불려지는 일반적으로 좁은 직사각형 화상 슬롯을 갖는 투영 광학 시스템과 연계하여 작업한다. 한 번에 전체 웨이퍼를 노출시키기 보다는, 개개의 필드들이 한 번에 하나씩 웨이퍼 상으로 스캔된다. 이는 화상 슬롯이 스캔 동안 필드를 가로질러 이동되도록 웨이퍼와 레티클을 동시에 이동시킴으로써 수행된다. 그후, 웨이퍼 스테이지는 레티클 패턴의 다중 복사가 웨이퍼 표면 위로 노출되도록 필터 노출들 사이에서 비동기식으로 옮겨져야 한다. 이러한 방식으로, 웨이퍼 상으로 투영된 화상의 질은 극대화된다. 스텝-앤드-스캔 기술을 사용하는 것이 전체적인 화상의 질을 향상시키는 것을 돕는 반면에, 화상 왜곡이 투영 광학 시스템, 조사 시스템 및 사용되는 특별한 레티클 내의 불완전함으로 인해 이러한 시스템에서 발생한다. 대표적인 스텝-앤드-스캔 리소그래피 시스템은 캘리포니아 산 조세 소재의 실리콘 밸리 그룹사에 의해 제조된 마이크로스캔 Ⅱ(Microscan Ⅱ)이다.
리소그래피 시스템의 조명 시스템은 광원을 포함한다. 엑시머(excimer) 레이저는 이러한 광원 중 하나이고 진공 자외선에서 사용되는 가스 혼합물에 따라 400nm 이상까지 범위의 여러 특징적인 파장에서 작동한다. 광의 파장을 짧게 함으로써, 투영 시스템의 해상도는 개선된다. 따라서, 리소그래피 시스템에서, 진공 자외선 범위 내, 즉 200nm 이하의 파장을 갖는 광원을 사용하는 것이 바람직하다.
더 짧은 파장의 광원이 리소그래피에서 사용됨에 따라, 리소그래피 시스템의 노출 영역의 유기 오염물이 더욱 큰 문제가 된다. 유기 오염물이 짧은 파장, 특히157nm 이하의 파장에서 높은 광 흡수 계수를 갖는 것은 잘 알려져 있다. 알켄 그룹에 속하는 유기 오염물의 1nm 필름은 157nm에서 1%만큼 광 투과를 떨어뜨린다. 또한, 칼슘 불화물 광학 요소의 표면 상에 남겨진 아세톤 잔류물은 157nm에서 4%만큼 투과를 감소시킨다[본 명세서에 참고로 합체된, 티.엠. 블룸스테인(T.M. Bloomstein) 등의 "157nm에서의 광학 재료 및 코팅", 3676 S.P.I.E. Proceedings 342-9(1999) 참조]. 광학 요소의 수가 리소그래피 시스템에서 증가함에 따라, 광학 강도는 중요한 문제가 된다. 유기 오염물이 157nm 이하의 리소그래피 시스템에서 광학 요소에 치명적일 수 있다는 것이 그 이유이다.
리소그래피 시스템 내의 유기 오염물원은 예를 들면, 공구 부품의 탈지를 위해 사용되는 폴리머 재료 및 용제에서 가스가 제거된 제품을 포함한다. 매우 낮은 정도의 유기 오염물은 리소그래피 시스템의 노출 경로에서 중요하고, 적극적인 정화 시스템 및 엄격한 재료 선택이 이러한 경로와 관련된 시스템의 영역에서 필요하다.
따라서, 연장된 시간동안 마스크의 미립자 오염물을 제거하는 기술이 필요하다.
본 발명은 일반적으로 리소그래피 시스템에 관한 것이다. 특히, 본 발명은 리소그래피 시스템에서의 사용중에 레티클을 세척하는 것에 관한 것이다.
본 명세서에 합체되어 명세서의 일부를 구성하는 첨부된 도면은 본 발명을 도시하고 있고, 상세한 설명과 더불어 본 발명의 원리를 설명하고 관련 기술분야에서 숙련된 자들이 본 발명을 실시하고 이용할 수 있도록 한다.
도1은 본 발명의 세척 장치의 예시적인 실시예를 도시하는 도면이다.
도2는 본 발명의 세척 장치의 블록도이다.
도3은 본 발명의 시스템에 포함되는 운반 장치의 개략도이다.
도4는 본 발명의 예시적인 실시예의 단면도이다.
도5는 본 발명의 예시적인 실시예의 사시도이다.
본 발명은 실제적인 노출 공정 동안 마스크의 반복적인 세척에 의해 연장된 시간동안 마스크의 미립자 오염물을 실제적으로 거의 제로로 유지시킨다. 반복된 세척은 거의 제로의 미립자 요구조건과 일치하게 현실적인 수준의 환경 제어(등급 1에서 등급 10까지)를 하면서, 마스크가 오염물에 노출되는 유효 시간의 양을 감소시킨다.
본 발명은 레티클이 스텝 앤드 스캔 방법을 사용하여 운반 장치 아래로 통과하는 세척 시스템을 사용한다. 일 실시예에서, 운반 장치는 정지 상태로 있다. 운반 장치는 가스를 운반하고, 가스는 레티클의 마스크 표면 상으로 유입되기 전에 이온화된다. 이온화된 가스는 마스크와 미립자 사이의 정전기적 인력을 상쇄하여, 미립자가 "발산되게" 한다. 그후, 이온화된 가스 및 미립자는 오염물 수집기에 의해 레티클의 마스크 표면으로부터 멀리 운반된다. 양전하 및 음전하는 마스크로부터 미립자 오염물의 수집을 더 증진시키도록 오염물 수집기에 인가된다.
본 발명의 다양한 실시예의 구조 및 작동뿐만 아니라 본 발명의 다른 특징 및 이점들이 첨부된 도면을 참조하여 상세히 기술된다.
본 발명의 일 실시예가 도면을 참조하여 기술되고, 여기서 유사한 참조 부호는 동일하거나 또는 기능적으로 유사한 요소를 나타낸다. 각각의 참조 부호의 가장 좌측의 숫자는 그 참조 부호가 제일 먼저 사용된 도면과 일치한다. 특정 구성 및 배열이 기술되지만, 이는 단지 설명을 위한 것임을 이해해야 한다. 관련 기술분야에서 숙련된 자는 본 발명의 기술사상 및 범위로부터 벗어남이 없이 다른 구성 및 배열이 사용될 수 있음을 인식할 것이다. 본 발명이 또한 다양한 다른 적용으로 채택될 수 있음은 관련 기술분야에서 숙련된 자에게는 명백할 것이다.
도1은 본 발명의 세척 장치의 대표적인 실시예를 도시하는 도면이다. 레티클(110)은 (도시되지 않은) 화상 스테이션 내로 운반되어, 현장에서 세척된다. 리소그래피용의 노출 필드가 참조 부호 105로 도시되고 있다. 조명 시스템에 의해 생성되는 노출 필드(105)는 정지되어 있다. 상술한 바와 같이, (도시되지 않은) 웨이퍼의 부분을 노출시키기 위해, 관련 기술분야에서 숙련된 자에게는 명백한 바와 같이, 레티클(110)은 노출 필드(105)를 가로질러 옮겨지고 스캔되도록 2차원으로 운반된다. 본 발명에 따르면, 세척 장치(145)는 레티클(110)의 마스크 표면에 근접하여 위치된다. 용어 "근접"은, 기술분야에서 숙련된 자가 과도한 실습없이 경험적 데이터와 가스류의 체적, 오염물의 양, 오염물의 크기, 세척 장치의 물리적 특성 등과 같은 다른 변수에 기초하여 세척 장치(145)가 레티클(110)에 얼마나 가까이 근접해야 하는 지를 결정할 수 있다는 것을 의미한다. 세척 장치(145)는 운반 장치(130) 및 오염물 수집기(115)를 포함한다.
레티클(110)이 (도시되지 않은) 웨이퍼를 노출시키도록 옮겨지고 스캔됨에따라, 레티클(110)은 세척 장치(145) 아래로 반복적으로 통과한다. 노출 필드(105) 및 세척 장치(145)는 정지하고 있다. 운반 장치(130)는 레티클(110)의 마스크 표면 상으로 이온화된 가스(140)를 유입한다. 이온화된 가스(140)는 레티클(110)의 마스크(즉, 상부) 표면과 (도시되지 않은) 위에 있는 미립자 오염물 사이의 정전기적 인력을 감소시킨다. 이온화된 가스(140)는 레티클(110)의 마스크 표면에서 미립자 오염물을 제거하도록 사용된다. 그 결과, 레티클(110)의 미립자 오염물은 허용가능한 정도로 감소된다.
가스는 양호하게는 N2음이온 및 전자의 흐름을 생산하도록 이온화되는 질소이다. 다른 가스가 사용될 수도 있다. 이러한 이온 흐름을 생산하는 "오프-더-쉘프"(off-the-shelf) 장치가 상업적으로 입수가능하다(예를 들면, 뉴욕주 그랜드 아일랜드 소재의 엔알디사(NRD Inc.)로부터 상표명 NuclecelTM의 모델 2021CR로 입수가능하다).
선택적으로, 이온화된 가스(140)는 충격시키거나 또는 방사성 동위원소로 생성된 알파 입자를 갖는 가스를 노출시킴으로써 생산될 수 있다. 방사성 동위원소가 세척 장치(145) 내에 위치되거나, 또는 가스가 방사성 동위원소 상류로[예를 들면, (도시되지 않은) 가스원(gas source)에 가까운] 노출된다. 예를 들면, 원자량이 210인 폴로늄이 알파 입자를 생산한다. 방사성 동위원소 아메리슘도 또한 알파 입자를 생산한다. 다른 실시예에서, 이온화된 가스(140)는 관련 기술분야에서 숙련된 자에게는 명백한 기술을 사용하여, 가스를 정전기적으로 대전시켜 생산된다.
운반 장치(130)는 내부 공동을 통해 이온화된 가스(140)를 운반한다. 운반 장치(130)는 운반 덕트(135)를 포함한다. 운반 덕트(135)는 이온화된 가스(140)를 레티클(110)의 마스크 표면 상으로 유입하도록 사용되는 구멍, 슬롯, 슬릿 또는 분출구이다. 이온화된 가스(140)를 운반하도록 사용되는 구멍, 슬롯, 슬릿 또는 분출구의 크기, 형상, 수 및 위치는 실행 조건에 따라 결정된다.
이온화된 가스(140)가 레티클(110)의 마스크 표면으로부터 미립자 오염물을 제거하기 위해 레티클(110)의 마스크 표면 상으로 유입된 후, 오염물 수집기(115)는 레티클(110)의 마스크 표면으로부터 이온화된 가스(140)를 흡입한다. 오염물 수집기(115)는 진공 덕트(140)를 포함한다. 진공 덕트(155)는 레티클(110)로부터 이온화된 가스(140)와 미립자 오염물을 제거하도록 사용되는 구멍, 슬롯, 슬릿 또는 분출구이다. 미립자 오염물과 이온화된 가스(140)를 흡입하기 위해 사용되는 구멍, 슬롯, 슬릿 또는 분출구의 크기, 형상, 수 및 위치는 실행 요구조건에 따라 결정된다.
미립자 오염물(150) 및 이온화된 가스(140)는 진공 덕트(155)를 통해 흡입되고 오염물 수집기(115)에 의해 레티클(110)의 마스크 표면으로부터 제거된다. 진공 덕트(155)는 레티클(110)의 마스크 표면에서 제거된 오염물의 추가적인 흡인력을 제공하도록 양전기적 또는 음전기적으로 바이어스된다. 진공 덕트(155)의 크기, 형상, 수 및 위치는 실행 요구조건에 따라 결정된다. 다른 실시예에서, 운반 장치(130) 및 오염물 수집기(115)의 위치는 반대로 된다.
도2는 본 발명의 세척 장치의 개괄적인 블록도이다. 가스원(210)은 질소와같은 가스를 공급한다. 이온화원(ionizing source)(220)은 가스원(210)에 의해 제공되는 가스를 이온화하도록 사용된다. 상술한 바와 같이, 가스는 알파 입자로 충격되거나 또는 이온화원(220)에 의해 정전기적으로 이온화된다. 그후, 이온화된 가스(140)는 이온화된 가스(140)를 레티클(110) 상으로 유도하는 운반 장치(130)로 제공된다. 이온화된 가스(140)가 레티클(110)로부터 오염물을 제거한 후, 이온화된 가스(140) 및 오염물(150)은 오염물 수집기(115)를 통해 진공 펌프(230)로 흡입된다.
도3은 본 발명에 따른 알파 입자 이온화원(220)의 개략적인 도면이다. 비이온화된 가스(305)는 알파 입자(315)를 생산하는 복사원(radiation source)(310)을 갖는 챔버로 들어간다. 알파 입자(315)는 이온화된 가스(140)를 생산하도록 (대체로 유동(320)으로 도시되는) 가스를 충격하고, 그후 이온화된 가스(140)는 배출되어 레티클(110) 상으로 유입된다. 상술한 바와 같이, 일 실시예에서, 이온화원(310)은 폴로늄 및 아메리슘과 같은 방사성 동위원소이다. 다른 실시예에서, 복사원(310)은 가스를 이온화하도록 사용되는 정전기 장치로 바꿔진다.
도4는 본 발명의 예시적인 실시예를 도시하는 단면도이다. 레티클(110)은 단면으로 도시되고 스텝 앤드 스캔 방식으로 노출 필드(105)를 가로질러 이동된다. 노출 필드(105)에 대응하는 광은 상기 도면에서 우측에서 좌측으로 이동하고 화살표로 도시된 바와 같이, 전달 레티클을 통과한다(물론, 본 발명은 또한 반사 레티클을 실행하는 리소그래피 시스템용으로 구성되었다). 본 예시적인 실시예에서, 단일 운반 튜브(430)는 이온화된 가스류(140)를 레티클 상으로 유도한다. 노출 필트의 양측면 상의 튜브를 포함하는 복수의 운반 튜브가 사용될 수 있다. 미립자 오염물(150)은 이온화된 가스류(140)에 의해 마스크 표면에서 제거되고 오염물 수집기 튜브(445)에 의한 흡입을 통해 이동된다. 단일 수집기 튜브가 사용될 수 있다. 운반 튜브 및 수집기 튜브는 원통형, 타원형, 직사각형 등의 단면을 갖는다.
도5는 본 발명의 예시적인 실시예의 사시도이다. 레티클(110)은 패턴화된 측이 상부로 향하도록 도시되고 있다. 마스크의 부분이 (도시되지 않은) 웨이퍼 상으로 영사됨에 따라, 레티클(110)은 스텝 앤드 스캔 방향(580)에서 노출 필드(105) 아래로 이동된다. 가스원은 운반 튜브(540)로 비이온화된 가스를 공급한다. 이온화원(220)은 상기 도면에서는 도시되지 않는다. 그러나, 다른 실시예에서, 복사원은 운반 튜브(540) 내에 위치되거나, 또는 가스원(210)과 운반 튜브(540) 사이의 공급 튜브 내에 위치한다. 알파 입자원(alpha particle source)은 아메리슘, 폴로늄 또는 알파 입자를 생산하도록 기술분야에서 숙련된 자들에게 알려진 다른 방사성 동위원소일 수 있고, 접착식으로 부착된다. 운반 튜브(540)는 구멍, 슬롯, 슬릿 또는 분출구의 패턴을 포함하고, 또 다른 실시예에서는 내부 알파 입자원을 포함한다. 이온화된 가스(140)를 운반하기 위해 사용되는 구멍, 슬롯, 슬릿 또는 분출구(550)의 크기, 형상, 수 및 위치는 실행 요구조건에 따라 결정된다.
예를 들면, 일 실시예에서, 구멍, 슬롯, 슬릿 또는 분출구(550)는 운반 튜브(540) 아래에 직접 위치한다. 예시적인 실시예(500)는 또한 복수의 운반 튜브(540)를 포함한다. 운반 튜브(540)는 리티클(110) 상으로 이온화된 가스(140)를 유입한다. 이온화된 가스(140)는 미립자 오염물을 제거한다.
진공 튜브(570)는 구멍, 슬롯, 슬릿 또는 분출구(585)의 패턴을 포함한다. 이온화된 가스(140)를 운반하기 위해 사용되는 구멍, 슬롯, 슬릿 또는 분출구(585)의 크기, 형상, 수 및 위치는 실행 요구조건에 따라 결정된다. 예를 들면, 일 실시예에서, 구멍, 슬롯, 슬릿 또는 분출구(585)는 진공 튜브(570) 아래에 직접 위치한다. 예시적인 실시예(500)는 또한 진공 튜브(570) 중의 하나만 포함한다. 진공 튜브(570)는 레티클(110)의 패턴화된 측으로부터 미립자 오염물(150)을 흡입하여 미립자 오염물(150)이 결과적으로 여과되거나 제거/버려지는 배출 펌프(565)로 운반된다. 운반 튜브(540) 및 진공 튜브(570)의 위치는 반대로 된다.
다른 실시예에서, 자동 세척이 세척량을 변화시키기 위해 컴퓨터 제어에 의해 수행된다. 예를 들면, 가스류는 (배출 펌프 전에 가스를 샘플링함으로써 결정되는) 오염물의 정도, 온도, 압력과 같은 시스템 변수 또는 다른 변수에 기초하여 조절된다.
결론
따라서, 본 발명에 따른 미립자 오염물은 리소그래피 중에 현장에서 레티클(110)로부터 연속적으로 제거된다. 선택적으로, 상술한 세척은 화상 형성이 수행되기 전, 수행중 및/또는 수행후에 이루어진다.
본 발명의 다양한 실시예가 상기에서 기술되었지만, 이는 예로써 제시한 것이며 제한적인 것이 아니라는 것을 이해해야 한다. 본 발명의 기술사상 및 범위로부터 벗어남이 없이 형태 및 세부사항에서 다양한 변형이 이루어질 수 있음은 관련기술분야에서 숙련된 자들에게 명백할 것이다. 따라서, 본 발명은 상술한 예시적인 실시예들 중 어느 것에 의해서도 제한되어서는 안되며 이하의 청구범위 및 그 동등물에 따라서만 한정되어야 한다.

Claims (22)

  1. 리소그래피 시스템의 레티클을 현장에서 세척하는 방법이며,
    (a) 리소그래피 시스템 내의 레티클을 운반하는 단계와,
    (b) 레티클의 마스크 표면 상으로 이온화된 가스를 유입하는 단계와,
    (c) 레티클의 마스크 표면으로부터 오염물을 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  2. 제1항에 있어서, 상기 유입 및 제거 단계는 레티클의 마스크 표면에 근접하여 수행되는 것을 특징으로 하는 방법.
  3. 제1항에 있어서, 이온화된 가스는 알파 입자를 함유한 가스에 노출시킴으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  4. 제1항에 있어서, 이온화된 가스는 가스를 정전기적으로 대전시킴으로써 생성되는 것을 특징으로 하는 방법.
  5. 제3항에 있어서, 가스는 질소인 것을 특징으로 하는 방법.
  6. 제3항에 있어서, 알파 입자를 생성하도록 방사성 동위원소를 사용하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  7. 제3항에 있어서, 알파 입자를 생성하도록 폴로늄원을 사용하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  8. 제3항에 있어서, 알파 입자를 생성하도록 아메리슘원을 사용하는 단계를 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  9. 제2항에 있어서, 상기 유입 단계는 이온화된 질소 가스를 유입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  10. 제4항에 있어서, 가스는 질소인 것을 특징으로 하는 방법.
  11. 리소그래피 시스템의 레티클을 현장에서 세척하는 방법이며,
    (a) 운반 장치에 알파 입자원을 위치시키는 단계와,
    (b) 운반 장치를 통해 레티클의 마스크 표면을 향해 질소 가스를 유입시키고, 상기 질소 가스는 알파 입자와 상호작용할 때 이온화되어서 가스가 레티클의 마스크 표면으로부터 오염물을 더 잘 제거할 수 있도록 하는 단계와,
    (c) 레티클의 마스크 표면으로부터 상기 오염물을 흡입하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 방법.
  12. 리소그래피 시스템의 레티클을 현장에서 세척하는 장치이며,
    (a) 가스를 배출하는 가스원과,
    (b) 가스를 이온화하도록 상기 가스원에 결합되는 이온화원과,
    (c) 레티클의 마스크 표면 상으로 이온화된 가스를 뿌려서 레티클의 마스크 표면으로부터 오염물을 제거하기 위해 상기 가스원과 상기 이온화원 중 하나에 결합되는 운반 장치와,
    (d) 오염물을 제거하기 위한 오염물 수집기를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  13. 제12항에 있어서, 가스는 질소인 것을 특징으로 하는 장치.
  14. 제12항에 있어서, 상기 이온화원은 알파 입자를 생성하는 것을 특징으로 하는 장치.
  15. 제12항에 있어서, 상기 알파 입자는 방사성 동위원소에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  16. 제12항에 있어서, 상기 알파 입자는 폴로늄에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  17. 제12항에 있어서, 상기 알파 입자는 아메리슘에 의해 생성되는 것을 특징으로 하는 장치.
  18. 제12항에 있어서, 상기 이온화원은 정전기적 전하를 생산하는 것을 특징으로 하는 장치.
  19. 제14항에 있어서, 상기 이온화원은 상기 운반 장치 내에 있는 것을 특징으로 하는 장치.
  20. 제12항에 있어서, 상기 운반 장치 및 상기 오염물 수집기는 레티클의 마스크 표면에 인접하는 측면 상에 개구를 가지는 튜브를 포함하는 것을 특징으로 하는 장치.
  21. 제12항에 있어서, 상기 오염물 수집기는 레티클의 마스크 표면으로부터 제거된 오염물을 추가로 흡인하도록 양전기적 또는 음전기적으로 바이어스되는 것을 특징으로 하는 장치.
  22. 제12항에 있어서, 상기 운반 장치 및 상기 오염물 수집기는 이중 챔버 장치에 의해 수행되고, 상기 이중 챔버 장치의 제1 챔버는 상기 운반 장치로서 사용되고, 상기 이중 챔버의 제2 챔버는 상기 오염물 수집기로서 사용되는 것을 특징으로 하는 장치.
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