KR20210012917A - 광학장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 - Google Patents

광학장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 Download PDF

Info

Publication number
KR20210012917A
KR20210012917A KR1020200086534A KR20200086534A KR20210012917A KR 20210012917 A KR20210012917 A KR 20210012917A KR 1020200086534 A KR1020200086534 A KR 1020200086534A KR 20200086534 A KR20200086534 A KR 20200086534A KR 20210012917 A KR20210012917 A KR 20210012917A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
opening
gas
barrel
optical component
optical device
Prior art date
Application number
KR1020200086534A
Other languages
English (en)
Inventor
히로노리 야다
Original Assignee
캐논 가부시끼가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP2020070010A external-priority patent/JP7425661B2/ja
Application filed by 캐논 가부시끼가이샤 filed Critical 캐논 가부시끼가이샤
Publication of KR20210012917A publication Critical patent/KR20210012917A/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70925Cleaning, i.e. actively freeing apparatus from pollutants, e.g. using plasma cleaning
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70908Hygiene, e.g. preventing apparatus pollution, mitigating effect of pollution or removing pollutants from apparatus
    • G03F7/70933Purge, e.g. exchanging fluid or gas to remove pollutants
    • GPHYSICS
    • G02OPTICS
    • G02BOPTICAL ELEMENTS, SYSTEMS OR APPARATUS
    • G02B27/00Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00
    • G02B27/0006Optical systems or apparatus not provided for by any of the groups G02B1/00 - G02B26/00, G02B30/00 with means to keep optical surfaces clean, e.g. by preventing or removing dirt, stains, contamination, condensation
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/70216Mask projection systems
    • G03F7/70316Details of optical elements, e.g. of Bragg reflectors, extreme ultraviolet [EUV] multilayer or bilayer mirrors or diffractive optical elements
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34

Abstract

광을 통과시키는 개구가 형성된 경통과, 상기 개구의 면적보다도 큰 면적을 갖는 표면을 포함하고, 상기 표면이 상기 개구에 마주 대하도록 상기 경통에 수용되는 광학부품과, 상기 개구를 둘러싸도록 배치되어, 상기 표면에 대하여, 상기 경통의 외부의 기체의 청정도보다도 높은 청정도를 갖는 기체를 내뿜는 내뿜기부를, 갖는 것을 특징으로 하는 광학장치를 제공한다.

Description

광학장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법{OPTICAL APPARATUS, EXPOSURE APPARATUS, AND METHOD OF MANUFACTURING ARTICLE}
본 발명은, 광학장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법에 관한 것이다.
광학부품에 부착하는 화학물자나 그 밖의 불순물은, 광학부품을 포함하는 장치 또는 기기의 기능이나 성능에 영향을 미치기 때문에, 광학부품에의 화학물질이나 불순물의 부착을 억제하기 위한 대책이 필요해진다. 예를 들면, 원판 패턴을 기판에 전사하는 노광 장치에서는, 광원으로부터의 광(노광 광)으로 원판을 조명하는 조명 광학계나 원판 패턴을 정확하게 투영하는 투영 광학계에, 렌즈나 미러등의 광학부품이 사용되고 있다. 이러한 노광 장치에 있어서는, 노광 광의 단파장화에 따라, 이러한 노광 광이 투과하거나, 혹은, 조사되는 광학부품에 흐림이 발생한다고 하는 문제가 있다. 광학부품의 흐림의 원인이 되는 물질은, 유기화합물이나 황산암모늄(NH4) 2SO4이다. 이것들은, 공기중에 존재하는 암모늄 이온(NH4+)이나 황산 이온(SO42-) 또는 그것들의 화합물, 혹은, 유기 가스가, 노광 광의 조사에 의해 광화학 반응을 일으킨 것이다. 이러한 물질이 광학부품에 부착하는 것으로, 광학부품에 흐림이 생긴다고 생각되고 있다.
이러한 과제에 대하여, 노광 장치내의 온도, 습도, 먼지를 제어하는 환경 챔버에 불순물 제거 필터를 설치하고, 환경 챔버의 분위기중에 존재하는 염기성 가스, 황산 가스, 유기화합 가스등의 물질을 제거하는 것이 행해지고 있다. 이때, 환경 챔버내에서 사용되는 부품류에는 세정등의 처리가 실시되어, 윤활제등도 탈가스량이 적은 것이 선정되어 있다.
또한, 노광 장치를 구성하는 광학부품을 경통에 수용하고, 이러한 경통을 폐공간으로 하고, 환경 챔버내의 공기보다도 청정도가 높은 공기로 경통내를 퍼지하는 기술이 일본 특허공개 2001-028331호 공보에 제안되어 있다. 더욱, 환경 챔버에 노출되는 광학부품(의 표면) 및 그 부근의 공간에 대하여, 청정도가 높은 공기를, 주변의 오염물질을 말려들게 하지 않는 소정의 유속으로 내뿜는 것으로, 광학부품에의 불순물의 부착을 방지하는 기술도 일본 특허공개 2006-245401호 공보에 제안되어 있다.
일본 특허공개 2006-245401호 공보에서는, 환경 챔버내에 노출되는 광학부품 및 그 부근의 공간에 대하여 청정도가 높은 공기를 내뿜음과 아울러, 정류판으로 기류의 흐트러짐을 억제함으로써, 광학부품에의 불순물의 부착을 방지하고 있다. 일본 특허공개 2006-245401호 공보에 개시된 기술은, 반도체용의 노광 장치등의 비교적 사이즈가 작은 기판을 처리하는 장치에는 유효하다.
그렇지만, LCD나 OLED등의 플랫 패널 디스플레이용의 노광 장치는, 처리하는 기판의 사이즈가 크기 때문에, 청정도가 높은 공기를 내뿜는 광학부품 및 그 부근의 공간도 커진다. 따라서, 플랫 패널 디스플레이용의 노광 장치에 있어서, 반도체용의 노광 장치와 마찬가지의 기류를 형성하기 위해서는, 반도체용의 노광 장치에서 필요해지는 유량의 약 100배의 유량이 필요해진다.
이것을 실현하기 위해서는, 대유량의 청정도가 높은 공기를 공급하기 위한 공조설비가 필요해지기 때문에, 비용의 증가를 초래함과 아울러, 정류판을 배치하는 스페이스나 공기의 분출구 및 덕트를 둘러치기 위한 스페이스를 장치내에 확보해야만 한다. 단, 플랫 패널 디스플레이용의 노광 장치에는, 고선명화나 각종 광학성능을 보정하기 위한 다수의 광학부품이 설치되어 있기 때문에, 특히, 스테이지(물체면 또는 결상면)와 스테이지에 가장 근접한 광학부품과의 간격이 좁아져 있다. 그 때문에, 정류판을 배치하는 스페이스나 공기의 분출구 및 덕트를 둘러치기 위한 스페이스를 확보하는 것이 어렵고, 현실적이지는 않다.
본 발명은, 광학부품에의 오염물질의 부착을 억제하는데 유리한 광학장치를 제공한다.
본 발명의 일측면으로서의 광학장치는, 광을 통과시키는 개구가 형성된 경통과, 상기 개구의 면적보다도 큰 면적을 갖는 표면을 포함하고, 상기 표면이 상기 개구에 마주 대하도록 상기 경통에 수용되는 광학부품과, 상기 개구를 둘러싸도록 배치되어, 상기 표면에 대하여, 상기 경통의 외부의 기체의 청정도보다도 높은 청정도를 갖는 기체를 내뿜는 내뿜기부를 갖는 것을 특징으로 한다.
본 발명의 추가의 목적 또는 기타의 측면은, 이하, 첨부도면을 참조하여 설명되는 실시 형태에 의해 밝혀질 것이다.
본 발명에 의하면, 예를 들면, 광학부품에의 오염물질의 부착을 억제하는데 유리한 광학장치를 제공할 수 있다.
도1은, 발명의 일측면으로서의 노광 장치의 구성을 도시한 개략도다.
도2a 내지 도2c는, 제1실시 형태에 있어서의 노광 장치의 구성을 설명하기 위한 도다.
도3은, 제2실시 형태에 있어서의 노광 장치의 구성을 설명하기 위한 도다.
도4a 및 도4b는, 제3실시 형태에 있어서의 노광 장치의 구성을 설명하기 위한 도다.
도5는, 제4실시 형태에 있어서의 노광 장치의 구성을 설명하기 위한 도다.
도6a 및 도6b는, 제5실시 형태에 있어서의 노광 장치의 구성을 설명하기 위한 도다.
도7은, 제6실시 형태에 있어서의 노광 장치의 구성을 설명하기 위한 도다.
도8은, 제7실시 형태에 있어서의 노광 장치의 구성을 설명하기 위한 도다.
이하, 첨부 도면을 참조해서 실시 형태를 상세히 설명한다. 또한, 이하의 실시 형태는 특허청구의 범위에 따른 발명을 한정하는 것이 아니다. 실시 형태에는 복수의 특징이 기재되어 있지만, 이것들의 복수의 특징의 모두가 발명에 필수적인 것으로는 한정하지 않고, 또한, 복수의 특징은 임의로 조합하여도 좋다. 더욱, 첨부 도면에 있어서는, 동일 혹은 같은 구성에 동일한 참조 번호를 첨부하고, 중복된 설명은 생략한다.
도1은, 본 발명의 일측면으로서의 노광 장치(100)의 구성을 도시한 개략도다. 노광 장치(100)는, 원판(마스크)을 통해 기판(유리 플레이트)을 노광하고, 기판에 원판 패턴을 전사하는 리소그래피 장치다. 노광 장치(100)는, 플랫 패널 디스플레이, 액정표시 소자, 반도체 소자, MEMS등의 제조에 사용되고, 특히, 플랫 패널 디스플레이 노광 장치로서 적합하다.
노광 장치(100)는, 조명 광학계(101)와, 마스크(102)를 보유해서 이동하는 마스크 스테이지(103)와, 투영 광학계(104)와, 기판(105)을 보유해서 이동하는 기판 스테이지(106)와, 경통(107)과, 챔버(110)를 가진다. 또한, 노광 장치(100)는, 챔버용의 제1급기부(111)와, 챔버용의 제1배기부(112)와, 투영 광학계용의 제2급기부(108)와, 투영 광학계용의 제2배기부(109)와, 제어부(130)를 가진다.
조명 광학계(101)는, 광원으로부터의 광(노광 광)(114)으로 마스크(102)를 조명한다. 투영 광학계(104)는, 마스크(102)에 형성된 패턴을 기판(105)에 투영한다. 투영 광학계(104)는, 마스크(102)의 패턴을 정확하게 기판(105)에 투영시키기 위해서 필요한 렌즈나 미러등의 복수의 광학부품을 포함하고, 이러한 광학부품을 사용한 각종 광학성능의 보정기능을 가진다.
챔버(110)는, 노광 장치(100)의 각부를 수용하고, 장치내의 기체(공기)의 청정도, 온도, 습도등을 포함하는 장치내 환경을 적절하게 유지한다. 제1급기부(111)는, 챔버(110)의 내부에, 광학부품의 흐림의 원인이 되는 화학물질을 케미칼 필터로 제거(여과)한 높은 청정도를 갖는 기체, 예를 들면, 클린 드라이 에어를 공급한다. 또한, 제1급기부(111)로부터 챔버(110)의 내부에 공급되는 기체는, 노광 장치(100)의 광학성능을 유지하기 위해서, 적절한 온도 및 습도로 조정되고, 또한, 제진 필터로 먼지가 제거된 기체다. 제1배기부(112)는, 제1급기부(111)로부터 공급된 기체를 포함하는 챔버(110)의 내부의 기체를 챔버(110)의 외부에 배출한다(배기한다).
제2급기부(108) 및 제2배기부(109)는, 투영 광학계(104)에 설치되고, 경통(107)의 내부의 기체(공기)의 청정도, 온도, 습도등을 포함하는 경통내 환경을 적절하게 유지한다. 제2급기부(108)는, 경통(107)의 내부에, 광학부품의 흐림의 원인이 되는 화학물질을 케미칼 필터로 제거(여과)한 높은 청정도를 갖는 기체, 예를 들면, 클린 드라이 에어를 공급한다. 또한, 제2급기부(108)로부터 경통(107)의 내부에 공급되는 기체는, 제1급기부(111)로부터 챔버(110)의 내부에 공급되는 기체와 마찬가지로, 적절한 온도 및 습도로 조정되고, 또한, 제진 필터로 먼지가 제거된 기체다. 또한, 제2급기부(108)는, 케미칼 필터로 화학물질을 제거한 기체 대신에, 질소, 헬륨, 아르곤등의 순도가 높은 불활성 가스를, 경통(107)의 내부에 공급해도 좋다. 제2배기부(109)는, 제2급기부(108)로부터 공급된 기체를 포함하는 경통(107)의 내부의 기체를 경통(107)의 외부에 배출한다(배기한다).
경통(107)의 내부(투영 광학계 공간)에는, 투영 광학계(104)를 구성하는 다수의 광학부품이 수용되어 있기 때문에 챔버(110)의 내부보다도 높은 청정도로 유지하는 것이 요청된다. 따라서, 제2급기부(108)는, 제1급기부(111)로부터 챔버(110)의 내부에 공급되는 기체의 청정도보다도 높은 청정도를 갖는 기체를 경통(107)의 내부에 공급한다. 더욱, 제2급기부(108) 및 제2배기부(109)는, 제어부(130)의 제어하에서, 챔버(110)의 내부에 대하여 경통(107)의 내부가 양압으로 유지되도록, 경통(107)의 내부에 기체를 공급하고, 경통(107)의 내부로부터 기체를 배출한다. 이에 따라, 챔버(110)의 내부의 기체, 다시 말해, 경통(107)의 외부의 기체가 경통(107)의 내부에 유입하는 것을 억제(방지)할 수 있다.
제어부(130)는, CPU나 메모리등을 포함하는 정보처리 장치(컴퓨터)로 구성되고, 기억부에 기억된 프로그램에 따라, 노광 장치(100)의 각부를 제어한다. 제어부(130)는, 예를 들면, 마스크(102)를 통해 기판(105)을 노광해서 기판(105)에 마스크(102)의 패턴을 전사하는 처리(노광)를 제어한다.
<제1실시 형태>
도2a, 도2b 및 도2c는, 제1실시 형태에 있어서의 노광 장치(100)의 구성을 설명하기 위한 도다. 도2a에는, 도1에 나타내는 마스크 스테이지(103) 및 투영 광학계(104)의 근방이 확대해서 나타내어져 있다. 도2a에 도시한 바와 같이, 경통(107)에는, 마스크(102)로부터 사출되어서 투영 광학계(104)에 입사하는 광(노광 광)(114)을 통과시키기 위한 개구(202)가 형성되고, 개구(202)의 부근에는, 투영 광학계(104)를 구성하는 광학부품(201)이 설치되어 있다. 광학부품(201)은, 개구(202)의 면적보다도 큰 면적을 갖는 표면(201A)(투영 광학계(104)를 구성하는 광학부품 중 가장 외측의 광학부품의 최표면)을 포함하고, 표면(201A)가 개구(202)에 마주 대하도록 경통(107)에 수용되어 있다. 광학부품(201)은, 본 실시 형태에서는, 비구면 유리이지만, 이것에 한정되는 것이 아니고, 여러 가지의 광학부품을 포함한다.
여기에서, 챔버(110)의 내부(경통(107)의 외부)에는, 경통(107)의 내부와 비교하여, 낮은 청정도의 기체(205)가 흐르고 있다. 낮은 청정도의 기체(205)는, 광(114)에 의해 화학반응을 일으키고, 그것들이 개구(202)를 통해 경통(107)의 내부에 유입하고, 광학부품(201)(의 표면(201A))에 부착하는 것으로, 광학부품(201)에 흐림이 발생해버린다.
그래서, 본 실시 형태에서는, 광학부품(201), 상세하게는, 광학부품(201)의 표면(201A)에 높은 청정도를 갖는 기체를 내뿜는 것으로, 챔버(110)의 내부의 낮은 청정도를 갖는 기체(205)가 광학부품(201)에 접하는 것을 억제(방지)한다. 이에 따라, 화학반응에 기인하는 불순물이 광학부품(201)에 부착되는 것이 억제되어, 광학부품(201)에 흐림이 발생하는 것을 감소할 수 있다.
구체적으로는, 본 실시 형태에서는, 도2a에 도시한 바와 같이, 광학부품(201)의 표면(201A)에 대하여, 기체(204)를 내뿜는 내뿜기부(203)를 경통(107)에 설치하고 있다. 내뿜기부(203)는, 경통(107)에 보유(고정)되어, 케미칼 필터로 화학물질을 제거(여과)한 높은 청정도의 기체(204)를 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는다. 기체(204)는, 챔버(110)의 내부의 기체의 청정도, 게다가, 경통(107)의 내부의 기체의 청정도보다도 높은 청정도를 가진다. 또한, 내뿜기부(203)는, 기체(204)로서, 질소, 헬륨, 아르곤등의 순도가 높은 불활성 가스를, 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜어도 좋다. 내뿜기부(203)로부터의 기체(204)는, 도2a에 도시한 바와 같이, 광학부품(201)의 표면(201A)에 충돌한다. 광학부품(201)의 표면(201A)에 충돌한 기체(204)의 일부는, 표면(201A)을 따라 흘러, 제2배기부(109)를 통하여, 경통(107)의 외부에 배출된다.
이렇게, 본 실시 형태에서는, 광학부품(201)의 표면(201A)을 따른 기체(204)의 흐름(기류)을 형성함으로써, 광학부품(201)의 표면(201A)을 높은 청정도를 갖는 기체(204)로 채우고 있다(커버하고 있다). 따라서, 광학부품(201)의 표면(201A)이 챔버(110)의 내부의 낮은 청정도를 갖는 기체(205)에 노출되는 것이 억제되기 때문에, 광학부품(201)에 흐림이 발생하는 것을 저감할 수 있다.
도2b에는, 경통(107) 및 내뿜기부(203)를 위쪽에서 본 모양을 도시하고 있다. 경통(107)에 형성된 개구(202)는, 본 실시 형태에서는, U자형(원호형 또는 초생달형)의 개구형상을 가진다. 단, 개구(202)의 개구형상은, 한정되는 것이 아니고, 직사각형등이여도 좋다. 또한, 내뿜기부(203)는, 개구(202)를 둘러싸도록 배치되어 있다. 이에 따라, 광학부품(201)의 표면(201A)의 전역에 대하여, 높은 청정도를 갖는 기체(204)로 채우는(내뿜는) 것이 가능해진다.
광학부품(201)의 표면(201)에 대하여 기체(204)를 내뿜으면, 도2a에 도시한 바와 같이, 내뿜기부(203)의 근방에는, 주변의 기체와의 속도 경사도나 점성작용에 의해, 소용돌이(206)(기류의 흐트러짐)가 발생한다. 일반적으로는, 속도 경사도가 클수록, 소용돌이(206)는 커지는 경향이 있다. 소용돌이(206)는, 주변의 공기(본 실시 형태에서는, 챔버(110)의 내부의 기체(205))를 말려들게 하는 특성을 가지고 있다. 따라서, 소용돌이(206)가 챔버(110)의 내부에 근접하고 있을 경우, 낮은 청정도의 기체(205)가 개구(202)를 통해 소용돌이(206)에 말려들어, 광학부품(201)의 표면(201A)이 기체(205)에 노출될 가능성이 높아진다.
그래서, 본 실시 형태에서는, 도2a에 도시한 바와 같이, 광학부품(201)의 표면(201A)을 따른 방향에 있어서, 내뿜기부(203)를 개구(202)의 단부로부터 떨어지게 해서 배치하고, 내뿜기부(203)와 개구(202)와의 사이에 미리 정해진 거리(207)를 마련하고 있다. 이러한 거리(207)의 범위에, 광학부품(201)의 표면(201)에 대하여 기체(204)를 내뿜는 것으로 발생하는 소용돌이(206)를 제한하므로, 낮은 청정도를 갖는 기체(205)의 말려듦을 억제할 수 있다.
소용돌이(206)의 크기는, 내뿜기부(203)로부터 분출되는 기체(204)의 유속 및 각도나 내뿜기부(203)로부터 광학부품(201)(의 표면(201A))까지의 거리등에 의해 변화된다. 또한, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 오염물질의 농도등에 의해, 허용가능한 말려드는 양도 변화된다. 따라서, 내뿜기부(203)와 개구(202)와의 사이의 거리(207)의 최적값은, 여러가지 조건에 의해 변동한다.
예를 들면, 광학부품(201)의 표면(201A)에 대하여 내뿜기부(203)로부터 분출하는 기체(204)의 유속을 1m/s로 하고 광학부품(201)의 표면(201A)을 따른 방향에 직교하는 방향에 있어서의 내뿜기부(203)와 표면(201A)과의 사이의 거리를 10mm로 한다. 이 경우, 내뿜기부(203)와 개구(202)와의 사이의 거리(207)를 15mm로 함으로써, 거리(207)의 범위에 소용돌이(206)를 거두고, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 말려듦을 억제할 수 있다.
한편, 개구(202)의 단부에 내뿜기부(203)를 설치한(즉, 거리(207)가 제로인) 경우에는, 도2c에 도시한 바와 같이, 광학부품(201)의 표면(201)에 대하여 기체(204)를 내뿜는 것으로 발생하는 소용돌이(206)에 낮은 청정도의 기체(205)가 말려들어버린다. 소용돌이(206)에 말려든 기체(205)는, 내뿜기부(203)로부터 분출되는 높은 청정도를 갖는 기체(204)와 혼합되면서, 광학부품(201)의 표면(201)을 따라 흐른다. 따라서, 광학부품(201)의 표면(201A)이 낮은 청정도를 갖는 기체(205)에 노출되어, 광학부품(201)의 흐림의 원인이 된다.
또한, 개구(202)(경통107), 내뿜기부(203) 및 광학부품(201)을 포함하는 광학장치는, 도2a에 도시한 것 같은 마스크 스테이지(103)와 투영 광학계(104)와의 사이에 한정되는 것이 아니고, 높은 청정도의 공간과 낮은 청정도의 공간과의 사이(경계)에 적용가능하다. 예를 들면, 투영 광학계(104)와 기판 스테이지(106)와의 사이에 개구(202), 내뿜기부(203) 및 광학부품(201)을 포함하는 광학장치를 설치해도 좋다. 이 경우, 개구(202)는, 투영 광학계(104)로부터 사출되어 기판(105)에 입사하는 광을 통과시킨다. 또한, 조명 광학계(101)와 마스크 스테이지(103)와의 사이에 개구(202), 내뿜기부(203) 및 광학부품(201)을 포함하는 광학장치를 설치해도 좋다. 이 경우, 개구(202)는, 조명 광학계(101)로부터 사출되어 마스크(102)에 입사하는 광을 통과시킨다.
<제2실시 형태>
도3은, 제2실시 형태에 있어서의 노광 장치(100)의 구성을 설명하기 위한 도다. 도3에는, 도1에 도시하는 마스크 스테이지(103) 및 투영 광학계(104)의 근방이 확대해서 도시되어 있다. 본 실시 형태에서는, 제1실시 형태와 비교하여, 챔버(110)의 내부의 낮은 청정도를 갖는 기체(205)가 광학부품(201)(의 표면(201A))에 접촉할 가능성을 보다 낮게 할 수 있다.
예를 들면, 마스크 스테이지(103)가 이동함으로써 챔버(110)의 내부의 기체(205)에 흐트러짐이 생기면, 그 영향에 의해, 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜고 있는 높은 청정도를 갖는 기체(204)의 흐름(기류)이 흐트러진다. 이에 따라, 광학부품(201)(의 표면(201A))이 챔버(110)의 내부의 낮은 청정도를 갖는 기체(205)에 노출될 가능성이 높아진다. 또한, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 오염물질의 농도가 높을 경우에는, 얼마 안된 기체(205)에도 많은 오염물질이 포함되어 있기 때문에, 광학부품(201)이 동일량의 기체(205)에 노출되어도, 광학부품(201)에 접하는 오염물질의 양은 많아진다.
그래서, 본 실시 형태에서는, 도3에 도시한 바와 같이, 경통(107)에 형성되어 있는 개구(202)의 근방에 둘러싸는 부재(301)를 설치하고 있다. 바꾸어 말하면, 본 실시 형태는, 둘러싸는 부재(301)를 갖는 점에서 제1실시 형태와는 상이하다. 둘러싸는 부재(301)는, 개구(202)로부터 경통(107)의 외측을 향하고, 다시 말해, 개구(202)의 단부로부터 광학부품(201)과는 반대측의 경통(107)의 외부를 향해서 연장하고, 개구(202)를 둘러싸는 부재다. 이렇게, 제1실시 형태에서는 광학부품(201)에의 오염물질의 부착의 억제가 불충분할 경우에는, 둘러싸는 부재(301)를 설치하면 좋다.
경통(107)의 내부는, 상술한 것 같이, 챔버(110)의 내부에 대하여 양압으로 유지되어 있기 때문에, 둘러싸는 부재(301)를 설치하는 것에 의해, 둘러싸는 부재(301)에 둘러싸여진 공간이 높은 청정도의 기체(204)나 제2급기부(108)로부터 공급되는 기체로 채워진다. 따라서, 둘러싸는 부재(301)에 둘러싸여진 공간은, 높은 청정도의 경통(107)의 내부와 낮은 청정도의 챔버(110)의 내부와의 완충 공간으로서 기능한다. 이에 따라, 챔버(110)의 내부의 기체(205)가 흐트러졌을 때에, 그 영향을 둘러싸는 부재(301)에 둘러싸여진 공간에서 흡수할 수 있으므로, 광학부품(201)의 표면(201A)에의 오염물질의 영향을 작게 할 수 있다. 또한, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 오염물질의 농도가 높은 경우에 있어서도, 둘러싸는 부재(301)(에 둘러싸여진 공간)를 설치함으로써, 광학부품(201)에 가까워짐에 따라서 서서히 오염물질의 농도를 낮게 할 수 있다. 따라서, 광학부품(201)에 접하는 오염물질의 양을 저감할 수 있다.
<제3실시 형태>
제1실시 형태나 제2실시 형태에 있어서, 내뿜기부(203)로부터 광학부품(201)(의 표면(201A))에 내뿜는 기체(204)의 양을 증가시키면, 광학부품(201)의 표면(201A)을 따라 흐르는 기체(204)의 양이나 유속이 증가한다. 따라서, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 흐름(기류)의 흐트러짐등의 영향을 억제할 수 있다. 단, 내뿜기부(203)의 부근에 발생하는 소용돌이(206)는 커지기 때문에, 챔버(110)의 내부의 기체(205)를 말려들게 하는 양은 증가해버린다.
한편, 내뿜기부(203)로부터 광학부품(201)에 내뿜는 기체(204)의 양을 감소시키면, 내뿜기부(203)의 부근에 발생하는 소용돌이(206)가 작아지기 때문에, 챔버(110)의 내부의 기체(205)를 말려들게 하는 양은 저감한다. 단, 광학부품(201)의 표면(201A)을 따라 흐르는 기체(204)의 양이나 유속이 저하하기 때문에, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 흐름의 흐트러짐등의 영향을 받기 쉬워진다.
이러한 현상으로부터, 내뿜기부(203)로부터 광학부품(201)에 내뿜는 기체(204)의 양의 최적값은, 챔버(110)의 내부의 상황, 구체적으로는, 챔버(110)의 내부(개구상에 있어서의 경통(107)의 외부)의 기체(205)의 유량에 따라 상이하다고 생각된다. 그래서, 본 실시 형태에서는, 제어부(130)에 있어서, 챔버(110)의 내부(경통(107)의 외부)의 기체(205)의 유량에 근거하여, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 제어한다. 바꾸어 말하면, 제어부(130)는, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 유량의 변화(흐름의 흐트러짐)에 따라서, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 변화시킨다. 본 실시 형태는, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 변화시키는 점에서 제1실시 형태와는 상이하다.
예를 들면, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 흐름의 흐트러짐의 영향이 작고, 기체(205)의 유량이 감소할 경우를 생각한다. 이 경우, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량은, 소용돌이(206)에 의한 말려듦을 억제하는 것이 최적값이 된다. 따라서, 제어부(130)는, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 감소시키거나, 혹은, 제로로 한다.
한편, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 흐름의 흐트러짐의 영향이 크고, 기체(205)의 유량이 증가하는 경우를 생각한다. 이 경우, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량은, 소용돌이(206)에 의한 말려듦을 허용하고, 광학부품(201)의 표면(201A)에 접하는 오염물질의 양을 감소하는 것이 최적값이 된다. 따라서, 제어부(130)는, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 증가시킨다.
여기에서, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 흐름의 흐트러짐의 원인이 마스크 스테이지(103)의 이동등일 경우에는, 기체(205)의 흐름의 흐트러짐이 발생하는 타이밍이나 양을 파악하는 것이 가능하다. 따라서, 기체(205)의 흐름의 흐트러짐이 발생하는 타이밍이나 양에 따라, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 변화시키므로, 기체(205)의 상황에 대하여 항상 최적의 유량으로 운용하는 것이 가능해진다.
도4a 및 도4b는, 제3실시 형태에 있어서의 노광 장치(100)의 구성을 설명하기 위한 도다. 도4a는, 마스크 스테이지(103)가 이동하지 않고 있는 상태를 도시하고 있다. 도4a에 도시한 바와 같이, 경통(107)에 형성된 개구(202)의 부근에 마스크 스테이지(103)가 존재하고 있지 않기 때문에, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 흐름이 흐트러지지 않고 있다. 따라서, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 감소시키고 있다.
도4b는, 마스크 스테이지(103)가 이동하고 있는 상태를 도시하고 있다. 도4b에 도시한 바와 같이, 경통(107)에 형성된 개구(202)의 부근을 마스크 스테이지(103)가 통과하면, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 흐름에 흐트러짐이 발생한다. 따라서, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 증가시켜서, 광학부품(201)의 표면(201A)에 접하는 오염물질의 양을 저감시키고 있다. 한편, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 증가시키는 것으로 소용돌이(206)가 커지고, 소용돌이(206)에 의한 기체(205)의 말려드는 양이 증가한다. 단, 광학부품(201)의 표면(201A)에 접하는 오염물질의 양이 저감되기 때문에, 결과(토털)로서, 기체(204)의 유량이 적은 도4a에 도시하는 상태보다도, 광학부품(201)의 표면(201A)의 청정도가 유지된다.
이렇게, 본 실시 형태에서는, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 흐름의 흐트러짐(유량의 변화)의 원인인 마스크 스테이지(103)의 이동에 따라서, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 제어한다. 이에 따라, 내뿜기부(203)로부터 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을, 광학부품(201)의 흐림을 억제하기 위한 최적의 유량으로 운용할 수 있다.
<제4실시 형태>
도5는, 제4실시 형태에 있어서의 노광 장치(100)의 구성을 설명하기 위한 도다. 본 실시 형태에서는, 광학부품(201)은, 도5에 도시한 바와 같이, 개구(202)와는 반대측에 밀폐 공간을 형성하도록, 경통(107)에 취부되어 있다. 본 실시 형태는, 광학부품(201)이 경통(107)에 취부되어, 경통(107)의 내부에 밀폐 공간을 형성한다고 하는 점에서 제1실시 형태와는 상이하다.
내뿜기부(203)는, 제1실시 형태와 마찬가지로, 경통(107)에 형성된 개구(202)를 둘러싸도록 배치되어, 내뿜기부(203)로부터 내뿜어지는 높은 청정도를 갖는 기체(204)는, 광학부품(201)의 표면(201A)에 충돌한다. 광학부품(201)의 표면(201A)에 충돌한 기체(204)의 모두는, 표면(201A)을 따라 흘러, 제2배기부(109)를 통하여, 경통(107)의 외부에 배출된다. 또한, 내뿜기부(203)는, 내뿜기부(203)의 부근에 발생하는 소용돌이(206)에 의한 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 말려듦을 저감하기 위해서, 개구(202)의 단부로부터 떼어 놓아서 배치되어, 내뿜기부(203)와 개구(202)와의 사이에 미리 정해진 거리(207)가 마련되어 있다.
<제5실시 형태>
제3실시 형태에서는, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 흐름이 흐트러져서 광학부품(201)의 표면(201A)에의 영향이 있을 경우에, 소용돌이(206)에 의한 기체(205)의 말려듦을 허용하고, 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 증가시키는 예에 대해서 설명했다.
본 실시 형태에서는, 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 증가시킴과 아울러, 내뿜기부(203)를 표면(201A)을 따른 방향으로 이동시키고, 개구(202)의 단부로부터 내뿜기부(203)까지의 거리(207)를 길게 한다. 이에 따라, 소용돌이(206)에 의한 기체(205)의 말려드는 양을 더욱 더 억제하는 것이 가능해진다. 본 실시 형태는, 광학부품(201)의 표면(201A)을 따른 방향에 있어서의 내뿜기부(203)의 위치를 변화시키는 점에서 제1실시 형태와는 상이하다.
도6a 및 도6b는, 제5실시 형태에 있어서의 노광 장치(100)의 구성을 설명하기 위한 도다. 본 실시 형태에서는, 도6a 및 도6b에 도시한 바와 같이, 내뿜기부(203)를 광학부품(201)의 표면(201A)을 따른 방향으로 이동시키는 제1이동부(140)가 설치되어 있다. 제1이동부(140)는, 예를 들면, 액추에이터나 리니어 모터등을 포함하고, 챔버(110)의 내부(개구상에 있어서의 경통(107)의 외부)의 기체(205)의 유량에 근거하여, 내뿜기부(203)를 광학부품(201)의 표면(201A)을 따른 방향으로 이동시킨다. 바꾸어 말하면, 제1이동부(140)는, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 유량의 변화(흐름의 흐트러짐)에 따라, 개구(202)의 단부와 내뿜기부(203)와의 사이의 거리(207)를 변경하도록, 내뿜기부(203)를 광학부품(201)의 표면(201A)을 따른 방향으로 이동시킨다.
도6a는, 마스크 스테이지(103)가 이동하지 않고 있는 상태를 도시하고 있다. 도6a에 도시한 바와 같이, 경통(107)에 형성된 개구(202)의 부근에 마스크 스테이지(103)가 존재하고 있지 않기 때문에, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 흐름이 흐트러지지 않고 있다. 따라서, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 감소시킴과 아울러, 개구(202)의 단부와 내뿜기부(203)와의 사이의 거리(207)가 짧아지도록, 내뿜기부(203)를 광학부품(201)의 표면(201A)을 따른 방향으로 이동시킨다.
도6b는, 마스크 스테이지(103)가 이동하고 있는 상태를 도시하고 있다. 도6b에 도시한 바와 같이, 경통(107)에 형성된 개구(202)의 부근을 마스크 스테이지(103)가 통과하면, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 흐름에 흐트러짐이 발생한다. 따라서, 내뿜기부(203)가 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 증가시킴과 아울러, 개구(202)의 단부와 내뿜기부(203)와의 사이의 거리(207)가 길어지도록, 내뿜기부(203)를 광학부품(201)의 표면(201A)을 따른 방향으로 이동시킨다. 이에 따라, 개구(202)의 부근에 발생하는 소용돌이(206)는 커지지만, 개구(202)의 단부와 내뿜기부(203)와의 사이의 거리(207)가 길어져 있기 때문에, 챔버(110)의 내부의 기체(205)의 말려드는 양의 증가를 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량을 제어함과 아울러, 개구(202)의 단부와 내뿜기부(203)와의 사이의 거리(207)를 제어하는 경우에 대해서 설명했지만, 이것에 한정되는 것이 아니다. 예를 들면, 광학부품(201)의 표면(201A)에 내뿜는 기체(204)의 유량은 변화시키지 않고, 개구(202)의 단부와 내뿜기부(203)와의 사이의 거리(207)만을 변화시켜도 좋다(즉, 제1이동부(140)에 의해 내뿜기부(203)를 이동시켜도 좋다).
<제6실시 형태>
도7은, 제6실시 형태에 있어서의 노광 장치(100)의 구성을 설명하기 위한 도다. 도7에는, 도1에 도시하는 마스크 스테이지(103) 및 투영 광학계(104)의 근방이 확대해서 도시되어 있다.
본 실시 형태에서는, 광학부품(201)은, 프레임(701), 고정 부재(702) 및 구조물(703)을 통해 경통(107)에 보유(고정)되어 있다. 프레임(701), 고정 부재(702) 및 구조물(703)은, 광학부품(201)을 보유하는 보유 부재를 구성한다. 또한, 내뿜기부(203)는, 본 실시 형태에서는, 구조물(703)에 설치되어 있다. 더욱, 본 실시 형태에서는, 투영 광학계(104)의 광학성능을 보정(조정)하기 위해서, 광학부품(201)을 표면(201A)을 따른 방향에 직교하는 방향으로 이동시키는 이동 기구가 설치되어 있다. 이러한 이동 기구는, 프레임(701), 고정 부재(702) 및 구조물(703)을 포함하는 보유 부재를, 광학부품(201)의 표면(201A)을 따른 방향에 직교하는 방향으로 이동시키는 제2이동부(150)로서 구성되어 있다. 이와 같은 구성에 의해, 광학부품(201)을 표면(201A)을 따른 방향에 직교하는 방향으로 이동시켰다고 하여도, 표면(201A)과 내뿜기부(203)와의 사이의 거리를 일정하게 유지할 수 있다. 이에 따라, 광학부품(201)을 표면(201A)을 따른 방향에 직교하는 방향으로 이동시켰을 경우라도, 챔버(110)의 내부의 낮은 청정도의 기체(205)를 말려들게 하는 것을 억제할 수 있다.
또한, 본 실시 형태에서는, 제2이동부(150)는, 광학부품(201)과 내뿜기부(203)를 동시에 이동시키는 구성을 갖고 있지만, 광학부품(201)과 내뿜기부(203)를 따로따로 이동시키는 구성이여도 좋다. 이 경우, 내뿜기부(203)를 이동시키는 기구는, 표면(201A)을 따른 방향에 직교하는 방향에의 광학부품(201)의 이동에 따라서, 표면(201A)과 내뿜기부(203)와의 사이의 거리가 일정해지도록, 내뿜기부(203)를 이동시킨다.
<제7실시 형태>
도8은, 제7실시 형태에 있어서의 노광 장치(100)의 구성을 설명하기 위한 도다. 도8에는, 도1에 도시하는 마스크 스테이지(103) 및 투영 광학계(104)의 근방이 확대해서 도시되어 있다.
본 실시 형태에서는, 높은 청정도를 갖는 기체(204)로서, 경통(107)의 내부의 기체(804)를 사용하고 있다. 또한, 내뿜기부(203)로서, 광학부품(201)과 차폐부(801)와의 사이에 오리피스부(802)(공간)를 설치하고 있다(형성하고 있다). 차폐부(801)는, 경통(107)에 설치된 차폐물이다.
이러한 구성에 있어서, 경통(107)의 내부를 양압으로 유지함으로써, 경통(107)의 내부의 기체(804)는, 오리피스부(802)를 통과하고, 광학부품(201)의 표면(201A)을 따라 흘러, 개구(202)를 향해서 흐른다. 바꾸어 말하면, 경통(107)의 내부의 기체(804)는, 오리피스부(802)로부터 광학부품의 표면(201A)에 내뿜어진다. 본 실시 형태는, 높은 청정도를 갖는 기체로서 경통(107)의 내부의 기체(804)를 사용하고 있는 점, 및, 내뿜기부로서 오리피스부(802)를 사용하고 있는 점에서, 제1실시 형태와는 상이하다.
여기에서, 광학부품(201)과, 개구(202)와, 차폐부(801)와의 관계에 대해서 설명한다. 예를 들면, 광학부품(201)(의 표면(201A))과 차폐부(801)와의 간격을 X로 하고, 광학부품(201)(의 표면(201A))과 개구(202)와의 간격을 Y로 한다. 이 경우, 광학부품(201)과, 개구(202)와, 차폐부(801)와의 관계가, 1/100 <X/Y <1/5가 되는 조건을 충족시키도록 한다.
이에 따라, 차폐부(801)와 광학부품(201)과의 사이의 오리피스부(802)를 통과해서 개구(202)를 향하는 기체(804)에 있어서, 광학부품(201)의 표면(201A)의 청정도를 유지하는데 충분한 유속을 얻을 수 있다. 한편, 상술한 조건을 일탈하면, 차폐부(801)와 광학부품(201)과의 사이의 오리피스부(802)를 통과해서 개구(202)를 향하는 기체(804)의 유속이 저하하고, 광학부품(201)의 표면(201A)의 청정도가 불충분해질 가능성이 있다.
이렇게, 본 실시 형태에서는, 높은 청정도를 갖는 기체(204)를 내뿜기 위한 전용의 배관이나 설비를 필요로 하지 않고, 챔버(110)의 내부의 낮은 청정도의 기체(205)를 말려들게 하는 것을 억제하고, 광학부품(201)의 표면(201A)의 청정도를 유지할 수 있다. 단, 본 실시 형태에서는, 경통(107)의 내부의 기체(804)가 높은 청정도를 갖는 것이 필요해진다.
<제8실시 형태>
본 발명의 실시 형태에 있어서의 물품의 제조 방법은, 예를 들면, 플랫 패널 디스플레이, 액정표시 소자, 반도체소자, MEMS등의 물품을 제조하는데 적합하다. 이러한 제조 방법은, 상술한 노광 장치(100)를 사용해서 감광제가 도포된 기판을 노광하는 공정과, 노광된 감광제를 현상하는 공정을 포함한다. 또한, 현상된 감광제 패턴을 마스크로 하여서 기판에 대하여 에칭 공정이나 이온 주입 공정등을 행하고, 기판상에 회로 패턴이 형성된다. 이것들의 노광, 현상, 에칭등의 공정을 반복하고, 기판상에 복수의 층으로 이루어진 회로 패턴을 형성한다. 후공정에서, 회로 패턴이 형성된 기판에 대하여 다이싱(가공)을 행하고, 팁의 마운팅, 본딩, 검사 공정을 행한다. 또한, 이러한 제조 방법은, 다른 주지의 공정(산화, 성막, 증착, 도핑, 평탄화, 레지스트 박리등)을 포함할 수 있다. 본 실시 형태에 있어서의 물품의 제조 방법은, 종래와 비교하여, 물품의 성능, 품질, 생산성 및 생산 코드 중 적어도 1개에 있어서 유리하다.
발명은 상기 실시 형태에 제한되는 것이 아니고, 발명의 정신 및 범위로부터 이탈하지 않고, 여러가지 변경 및 변형이 가능하다. 따라서, 발명의 범위를 밝히기 위해서 청구항을 첨부한다.

Claims (23)

  1. 광을 통과시키는 개구가 형성된 경통과,
    상기 개구의 면적보다도 큰 면적을 갖는 표면을 포함하고, 상기 표면이 상기 개구에 마주 대하도록 상기 경통에 수용되는 광학부품과,
    상기 개구를 둘러싸도록 배치되어, 상기 표면에 대하여, 상기 경통의 외부의 기체의 청정도보다도 높은 청정도를 갖는 기체를 내뿜는 내뿜기부를, 갖는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 내뿜기부는, 상기 표면을 따른 방향에 있어서, 상기 개구의 단부로부터 떨어져서 배치되어 있는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 개구의 단부로부터 상기 광학부품과는 반대측의 상기 경통의 외부를 향해서 연장하고, 상기 개구를 둘러싸는 둘러싸는 부재를 더욱 갖는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 개구상에 있어서의 상기 경통의 외부의 기체의 유량에 근거하여, 상기 내뿜기부가 상기 표면에 내뿜는 기체의 유량을 제어하는 제어부를 더욱 갖는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 제어부는, 상기 개구상에 있어서의 상기 경통의 외부의 기체의 유량의 변화에 따라서, 상기 내뿜기부가 상기 표면에 내뿜는 기체의 유량을 변화시키는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 제어부는,
    상기 개구상에 있어서의 상기 경통의 외부의 기체의 유량이 증가할 경우에는, 상기 내뿜기부가 상기 표면에 내뿜는 기체의 유량을 증가시키고,
    상기 개구상에 있어서의 상기 경통의 외부의 기체의 유량이 감소할 경우에는, 상기 내뿜기부가 상기 표면에 내뿜는 기체의 유량을 감소시키는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  7. 제 1 항에 있어서,
    상기 내뿜기부를 상기 표면을 따른 방향으로 이동시키는 제1이동부를 더욱 갖는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 제1이동부는, 상기 개구상에 있어서의 상기 경통의 외부의 기체의 유량에 근거하여, 상기 내뿜기부를 상기 표면을 따른 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 제1이동부는, 상기 개구상에 있어서의 상기 경통의 외부의 기체의 유량의 변화에 따라서, 상기 개구의 단부와 상기 내뿜기부와의 사이의 거리를 변경하도록, 상기 내뿜기부를 상기 표면을 따른 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 제1이동부는,
    상기 개구상에 있어서의 상기 경통의 외부의 기체의 유량이 증가할 경우에는, 상기 개구의 단부와 상기 내뿜기부와의 사이의 거리가 길어지도록, 상기 내뿜기부를 상기 표면을 따른 방향으로 이동시키고,
    상기 개구상에 있어서의 상기 경통의 외부의 기체의 유량이 감소할 경우에는, 상기 개구의 단부와 상기 내뿜기부와의 사이의 거리가 짧아지도록, 상기 내뿜기부를 상기 표면을 따른 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 내뿜기부를 상기 표면을 따른 방향에 직교하는 방향으로 이동시키는 제2이동부를 더욱 갖는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 제2이동부는, 상기 표면을 따른 방향에 직교하는 방향에의 상기 광학부품의 이동에 따라서, 상기 표면과 상기 내뿜기부와의 사이의 거리가 일정해지도록, 상기 내뿜기부를 상기 표면을 따른 방향에 직교하는 방향으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  13. 제 1 항에 있어서,
    상기 개구는, U자형의 개구형상을 갖는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  14. 제 1 항에 있어서,
    상기 내뿜기부가 상기 표면에 내뿜는 기체는, 필터로 여과된 공기 및 불활성 가스 중 적어도 한쪽을 포함하는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  15. 제 1 항에 있어서,
    상기 내뿜기부는, 상기 경통에 보유되어 있는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  16. 제 1 항에 있어서,
    상기 경통에 설치되고, 상기 광학부품을 보유하는 보유 부재를 더욱 갖고,
    상기 내뿜기부는, 상기 보유 부재에 보유되어 있는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  17. 제 1 항에 있어서,
    상기 광학부품은, 상기 개구와는 반대측에 밀폐 공간을 형성하도록, 상기 경통에 취부되어 있는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  18. 광을 통과시키는 개구가 형성된 경통과,
    상기 개구의 면적보다도 큰 면적을 갖는 표면을 포함하고, 상기 표면이 상기 개구에 마주 대하도록 상기 경통에 수용되는 광학부품과,
    상기 경통에 설치된 차폐부를 구비한 광학장치로서,
    상기 경통의 외부의 기체의 청정도보다도 높은 청정도를 갖는 기체가, 상기 차폐부와 상기 광학부품과의 사이의 공간을 통과해서 상기 개구를 향해서 흐르도록, 상기 차폐부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  19. 제 18 항에 있어서,
    상기 광학부품과 상기 차폐부와의 간격을 X로 하고, 상기 광학부품과 상기 개구와의 간격을 Y로 했을 때,
    1/100 <X/Y <1/5
    를 충족시키는 것을 특징으로 하는 광학장치.
  20. 마스크를 통해 기판을 노광하는 노광 장치로서,
    상기 마스크를 보유해서 이동하는 스테이지와,
    상기 마스크의 패턴을 상기 기판에 투영하는 투영 광학계를, 갖고,
    상기 투영 광학계는,
    상기 마스크로부터 사출되어 상기 투영 광학계에 입사하는 광을 통과시키는 개구가 형성된 경통과,
    상기 개구의 면적보다도 큰 면적을 갖는 표면을 포함하고, 상기 표면이 상기 개구에 마주 대하도록 상기 경통에 수용되는 광학부품과,
    상기 개구를 둘러싸도록 배치되어, 상기 표면에 대하여, 상기 경통의 외부의 기체의 청정도보다도 높은 청정도를 갖는 기체를 내뿜는 내뿜기부를, 포함하는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  21. 마스크를 통해 기판을 노광하는 노광 장치로서,
    상기 마스크를 보유해서 이동하는 스테이지와,
    상기 마스크의 패턴을 상기 기판에 투영하는 투영 광학계를, 갖고,
    상기 투영 광학계는,
    상기 마스크로부터 사출된 상기 투영 광학계에 입사하는 광을 통과시키는 개구가 형성된 경통과,
    상기 개구의 면적보다도 큰 면적을 갖는 표면을 포함하고, 상기 표면이 상기 개구에 마주 대하도록 상기 경통에 수용되는 광학부품과,
    상기 경통에 설치된 차폐부를, 포함하고,
    상기 경통의 외부의 기체의 청정도보다도 높은 청정도를 갖는 기체가, 상기 차폐부와 상기 광학부품과의 사이의 공간을 통과해서 상기 개구를 향해서 흐르도록, 상기 차폐부가 설치되어 있는 것을 특징으로 하는 노광 장치.
  22. 청구항 20에 기재된 노광 장치를 사용해서 기판을 노광하는 공정과,
    노광한 상기 기판을 현상하는 공정과,
    현상된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 공정을,
    갖는 것을 특징으로 하는 물품의 제조 방법.
  23. 청구항 21에 기재된 노광 장치를 사용해서 기판을 노광하는 공정과,
    노광한 상기 기판을 현상하는 공정과,
    현상된 상기 기판으로부터 물품을 제조하는 공정을,
    갖는 것을 특징으로 하는 물품의 제조 방법.
KR1020200086534A 2019-07-25 2020-07-14 광학장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법 KR20210012917A (ko)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2019-137081 2019-07-25
JP2019137081 2019-07-25
JPJP-P-2020-070010 2020-04-08
JP2020070010A JP7425661B2 (ja) 2019-07-25 2020-04-08 光学装置、露光装置及び物品の製造方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
KR20210012917A true KR20210012917A (ko) 2021-02-03

Family

ID=74420092

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020200086534A KR20210012917A (ko) 2019-07-25 2020-07-14 광학장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법

Country Status (2)

Country Link
KR (1) KR20210012917A (ko)
CN (1) CN112286002A (ko)

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL136037A0 (en) * 1997-11-12 2001-05-20 Nikon Corp Exposure apparatus, apparatus for manufacturing devices, and method of manufacturing exposure apparatuses
KR20030051421A (ko) * 2000-03-31 2003-06-25 가부시키가이샤 니콘 광학 부재의 유지 방법 및 장치, 광학 장치, 노광 장치 및디바이스 제조 방법
JP2001358056A (ja) * 2000-06-15 2001-12-26 Canon Inc 露光装置
US9632433B2 (en) * 2012-10-31 2017-04-25 Asml Holding N.V. Patterning device support, lithographic apparatus, and method of controlling patterning device temperature
JP6660179B2 (ja) * 2015-12-28 2020-03-11 キヤノン株式会社 露光装置、および物品の製造方法
JP6742870B2 (ja) * 2016-09-16 2020-08-19 キヤノン株式会社 露光装置、及び物品製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN112286002A (zh) 2021-01-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US7061573B2 (en) Contamination prevention in optical system
EP1207425B1 (en) Exposure apparatus
KR100722905B1 (ko) 현장에서의 리소그래피 마스크 세척을 위한 방법 및 장치
US6833903B2 (en) Inert gas purge method and apparatus, exposure apparatus, reticle stocker, reticle inspection apparatus, reticle transfer box, and device manufacturing method
JP2002373852A (ja) 露光装置
US6356338B2 (en) Semiconductor production system with an in-line subsystem
JP3977377B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
US10401745B2 (en) Exposure apparatus and article manufacturing method
JP3969871B2 (ja) 露光装置およびデバイス製造方法
JP2006245400A (ja) 光学装置およびデバイス製造方法。
JP2005064210A (ja) 露光方法、該露光方法を利用した電子デバイスの製造方法及び露光装置
US7724350B2 (en) Immersion exposure apparatus and device manufacturing method
KR20210012917A (ko) 광학장치, 노광 장치 및 물품의 제조 방법
JP2022526573A (ja) リソグラフィ装置に関する方法
JP7425661B2 (ja) 光学装置、露光装置及び物品の製造方法
WO2005083759A1 (ja) 露光装置、及び微細パターンを有するデバイスの製造方法
JP2010283015A (ja) 光学装置及びデバイス製造方法
JP2021021932A5 (ko)
CN117597631A (zh) 屏蔽设备和方法
CN114637168A (zh) 收纳装置、曝光装置以及物品制造方法
JP2004080052A (ja) 露光装置、デバイスの製造方法
CN114114846A (zh) 曝光装置和用于制造物品的方法
JP2000021744A (ja) 露光装置およびそれを用いるデバイス製造方法
CN114509922A (zh) 浸润式曝光装置
JP2000315645A (ja) 光学部材およびその製造方法、光学装置およびこれを用いた露光装置