CN117597631A - 屏蔽设备和方法 - Google Patents

Abstract

一种光刻工具包括：第一区域，所述第一区域包括第一部件；第二区域，所述第二区域包括第二部件；和屏蔽设备，被布置于所述第一区域和所述第二区域之间。屏蔽设备配置成减少污染物在所述第一区域和所述第二区域之间的转移。所述屏蔽设备包括在所述第一区域和所述第二区域之间的流体流动路径。

Description

屏蔽设备和方法

相关申请的交叉引用

本申请要求于2019年2月11日递交的欧洲申请19156434.3的优先权，该欧洲申请的全部内容通过引用而被合并入本文中。

技术领域

本发明涉及屏蔽设备、方法、以及包括所述屏蔽设备的光刻工具。具体地，所述屏蔽设备和方法涉及等离子体和颗粒碎片屏蔽设备，诸如气体之类的流体可以流过所述等离子体和颗粒碎片屏蔽设备。

背景技术

光刻设备是被构造成将期望的图案施加到衬底上的机器。光刻设备可以被用于例如制造集成电路(IC)。光刻设备可以例如将图案形成装置(例如掩模)处的图案投影到被设置在衬底上的辐射敏感材料(抗蚀剂)层上。

为了将图案投影到衬底上，光刻设备可以使用电磁辐射。这种辐射的波长确定了可以在所述衬底上所形成的特征的最小尺寸。相较于使用例如波长为193nm的辐射的光刻设备，使用波长在4至20nm范围内(例如6.7nm或13.5nm)的极紫外(EUV)辐射的光刻设备可以被用于在衬底上形成更小的特征。

所述光刻设备的所谓的“清洁”区域可以基本上保持在真空中，即处于非常低的压力，并且利用净化流体(例如氢气)来保持关键部件(例如光学部件)清洁。EUV辐射可以与净化流体相互作用并且在所述清洁区域中形成等离子体。所述光刻设备的所谓的“脏”区域包括产生碎片的部件和装置，例如产生颗粒的可移动部件。应该防止等离子体到达脏区域，以避免产生不良影响(例如，部件损坏和/或从部件排气)。应该防止碎片到达所述清洁区域，以避免产生不良影响(例如光学部件的污染)。

已知在清洁区域和脏区域之间布置屏蔽板。已知的屏蔽板减少了从所述清洁区域行进到所述脏区域的等离子体的量并且减少了从所述脏区域行进到所述清洁区域的碎片的量。也已知提供从清洁区域行进到脏区域的净化流体流。净化流体流进一步减少了从所述脏区域行进到所述清洁区域的碎片的量。然而，已知的屏蔽板在实际使用中受到限制，因为已知的屏蔽板可能阻挡和/或以其它方式干扰净化流体流。类似地，已知的屏蔽板的闭合板状结构将多个区域划分为多个分离的即单独的环境，这在某些应用中可能是不利的。一般而言，已知的屏蔽板具有有限的适用范围，并且可能引入与净化流体流有关的问题。

发明内容

可能期望提供一种解决上述问题或与现有技术相关联的一些其它问题的光刻设备。特别地，可能需要一种具有较大适用范围的屏蔽设备。

根据本公开的一方面，提供了一种光刻工具，所述光刻工具包括：第一区域，所述第一区域包括第一部件；第二区域，所述第二区域包括第二部件；以及屏蔽设备，被布置于所述第一区域和所述第二区域之间。所述屏蔽设备被配置成减少污染物在所述第一区域和所述第二区域之间的转移。所述屏蔽设备包括在所述第一区域和所述第二区域之间的流体流动路径。

所述污染物可以包括颗粒碎片。所述屏蔽设备可以被配置成至少部分地阻挡所述颗粒碎片。

所述污染物可以包括等离子体。所述屏蔽设备可以被配置成至少部分地阻挡所述等离子体。

所述屏蔽设备可以被配置成保护所述第一部件免受源自所述第二区域的污染物的影响。所述屏蔽设备可以被配置成保护所述第二部件免受源自所述第一区域的污染物的影响。

源自所述第二区域的污染物可以包括颗粒碎片。源自所述第一区域的污染物可以包括等离子体。所述屏蔽设备可以被配置成至少部分地阻挡所述颗粒碎片和所述等离子体两者。

所述屏蔽设备可以被布置成使得所述流体流动路径蜿蜒穿过所述屏蔽设备。

所述屏蔽设备可以被电接地。

所述屏蔽设备可以包括邻近所述第一区域并且由第一系列间隙分隔开的第一排屏蔽元件。所述屏蔽设备可以包括由邻近所述第二区域的第二系列间隙分隔开的第二排屏蔽元件。所述第一排屏蔽元件和所述第二排屏蔽元件可以被布置成使得通过所述第二系列间隙的污染物路径至少部分地被所述第一排屏蔽元件阻挡。

所述第一排屏蔽元件和所述第二排屏蔽元件可以被布置成使得通过所述第一系列间隙的污染物路径至少部分地被所述第二排屏蔽元件阻挡。

所述屏蔽设备可以包括多个至少部分地重叠的屏蔽元件。

所述多个至少部分地重叠的屏蔽元件可以包括：形成百叶帘布置的一排倾斜地定向的板。所述多个至少部分地重叠的屏蔽元件可以包括一排V形结构。

所述屏蔽设备可以包括邻近所述第一区域的穿孔的第一板。所述屏蔽设备可以包括邻近所述第二区域的穿孔的第二板。所述第一板和所述第二板的穿孔可以被布置成使得通过所述第二板的穿孔的污染物路径至少部分地被所述第一板阻挡。

所述第一板和所述第二板的穿孔可以被布置成使得通过所述第一板的穿孔的污染物路径至少部分地被所述第二板阻挡。

根据本公开的另一方面，提供了一种光刻设备，所述光刻设备被布置成将图案从图案形成装置投影到衬底上。所述光刻设备包括本公开的光刻工具。所述第一区域包括辐射束。所述第一部件被配置成与所述辐射束相互作用。

所述第二区域可以包括致动系统。所述第二部件可以形成所述致动系统的一部分。

所述第二区域可以包括被配置成容纳所述致动系统的壳体。可以在所述壳体中提供排气出口。

根据本公开的另一方面，提供了一种方法，所述方法包括：将第一部件定位在光刻工具的第一区域中，将第二部件定位在所述光刻工具的第二区域中，以及将屏蔽设备布置在所述第一区域和所述第二区域之间。所述方法包括：使用所述屏蔽设备来减少污染物在所述第一区域和所述第二区域之间的转移。所述方法包括：在所述第一区域和所述第二区域之间提供穿过所述屏蔽设备的流体流动路径。

所述污染物可以包括颗粒碎片。所述方法可以包括：使用所述屏蔽设备来至少部分地阻挡所述颗粒碎片。

所述污染物可以包括等离子体。所述方法可以包括：使用所述屏蔽设备来至少部分地阻挡所述等离子体。

所述方法可以包括：使用所述屏蔽设备来保护所述第一部件免受源自所述第二区域的污染物的影响。所述方法可以包括：使用所述屏蔽设备来保护所述第二部件免受源自所述第一区域的污染物的影响。

所述第一污染物可以包括颗粒碎片。所述第二污染物可以包括等离子体。所述方法可以包括：使用所述屏蔽设备来至少部分地阻挡所述颗粒碎片和所述等离子体两者。

所述方法可以包括：将所述屏蔽设备布置成使得所述流体流动路径蜿蜒穿过所述屏蔽设备。

所述方法可以包括：将所述屏蔽设备电接地。

所述方法可以包括：将图案从图案形成装置投影到衬底上。所述方法可以包括：将辐射束定位在所述第一区域中。所述方法可以包括：使用所述第一部件与所述辐射束相互作用。

所述方法可以包括：将致动系统定位在所述第二区域中。所述第二部件可以形成所述致动系统的一部分。

在上述一个方面或实施例的情境中所描述的特征可以与上述其它方面或实施例一起使用。

附图说明

现在将仅通过示例并且参考随附的示意性附图来描述本发明的实施例，在附图中：

-图1示意性地描绘了根据本公开的包括光刻设备、辐射源和屏蔽设备的光刻系统。

-图2A示意性地描绘了从包括根据本公开的实施例的屏蔽设备的光刻工具上方看到的视图。

-图2B示意性地描绘了从图2A的光刻工具的侧面看到的透视图。-图3示意性地描绘了从包括根据本公开的实施例的第一示例性屏蔽设备的光刻工具上方看到的视图。

-图4示意性地描绘了从包括根据本公开的实施例的第二示例性屏蔽设备的光刻工具上方看到的视图。

-图5示意性地描绘了从包括根据本公开的实施例的第三示例性屏蔽设备的光刻工具的侧面看到的透视图。

-图6示出了根据本公开的方法的流程图。

具体实施方式

图1示出了包括辐射源SO和光刻设备LA的光刻系统。所述辐射源SO被配置成产生EUV辐射束B并且将所述EUV辐射束B供应到所述光刻设备LA。所述光刻设备LA包括照射系统IL、被配置成支撑图案形成装置MA(例如，掩模)的支撑结构MT、投影系统PS、以及被配置成支撑衬底W的衬底台WT。

所述照射系统IL被配置成在所述EUV辐射束B入射到所述图案形成装置MA上之前调节所述EUV辐射束B。此外，所述照射系统IL可以包括琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11。所述琢面场反射镜装置10和琢面光瞳反射镜装置11一起为所述EUV辐射束B提供所需的横截面形状和期望的强度分布。作为所述琢面场反射镜装置10和所述琢面光瞳反射镜装置11的补充或替代，所述照射系统IL可以包括其它反射镜或装置。

在如此调节之后，所述EUV辐射束B与所述图案形成装置MA相互作用。由于这种相互作用，产生了经图案化的EUV辐射束B’。所述投影系统PS被配置成将经图案化的EUV辐射束B’投影到所述衬底W上。为此目的，所述投影系统PS可以包括多个反射镜13、14，它们被配置成将经图案化的EUV辐射束B’投影到由所述衬底台WT保持的所述衬底W上。所述投影系统PS可以对经图案化的EUV辐射束B’应用缩减因子，因而形成具有比所述图案形成装置MA上对应的特征更小的特征的图像。例如，可以应用等于4或8的缩减因子。虽然在图1中投影系统PS被示出为仅具有两个反射镜13、14，但是所述投影系统PS可以包括不同数量的反射镜(例如，六个或八个反射镜)。

所述衬底W可以包括先前形成的图案。在这种情况下，所述光刻设备LA将由经图案化的EUV辐射束B’所形成的图像与先前形成在所述衬底W上的图案对准。

可以在所述辐射源SO、所述照射系统IL和/或所述投影系统PS中提供相对真空，即压力远低于大气压的少量气体(例如氢气)。

图1所示的辐射源SO属于例如可以被称为激光产生等离子体(LPP)源的类型。例如可以包括CO₂激光器的激光系统1被布置成经由激光束2将能量沉积到燃料中，诸如从例如燃料发射器3所提供的锡(Sn)。虽然在下面的描述中提到了锡，但是可以使用任何合适的燃料。所述燃料可以例如呈液体形式，并且可以例如是金属或合金。所述燃料发射器3可以包括喷嘴，所述喷嘴被配置成沿着等离子体形成区域4的轨迹引导例如呈液滴的形式的锡。所述激光束2在等离子体形成区域4处入射到锡上。沉积到锡中的激光能量在等离子体形成区域4处产生锡等离子体7。在电子与等离子体的离子的去激发和重组期间，从等离子体7发射辐射，包括EUV辐射。

来自等离子体的EUV辐射由收集器5收集和聚焦。所述收集器5包括例如近正入射辐射收集器5(有时更一般地称为正入射辐射收集器)。所述收集器5可以具有被布置成反射EUV辐射(例如，具有诸如13.5nm的所需波长的EUV辐射)的多层反射镜结构。所述收集器5可以具有椭球形构造，具有两个焦点。所述焦点中的第一焦点可以位于等离子体形成区域4处，并且所述焦点中的第二焦点可以位于中间焦点6处，如下文所论述的。

所述激光系统1可以在空间上与所述辐射源SO是分离的。在这种情况下，激光束2可以借助于包括例如合适的引导反射镜和/或扩束器和/或其它光学器件的束传递系统(未示出)从所述激光系统1传递到所述辐射源SO。所述激光系统1、所述辐射源SO所述和束传递系统可以一起被认为是辐射系统。

由所述收集器5所反射的辐射形成所述EUV辐射束B。所述EUV辐射束B被聚焦在中间焦点6处，以在等离子体形成区域4处存在的等离子体的中间焦点6处形成图像。所述中间焦点6处的图像充当所述照射系统IL的虚拟辐射源。所述辐射源SO被布置成使得所述中间焦点6位于所述辐射源SO的围封结构9中的开口8处或附近。

虽然图1将所述辐射源SO描绘为激光产生等离子体(LPP)源，但是任何合适的源(诸如放电产生等离子体(DPP)源或自由电子激光器(FEL))都可以被用于产生EUV辐射。

如先前所论述的，可以在辐射源SO中、在照射系统IL中、和/或在投影系统PS中提供压力远低于大气压力的少量气体(例如，氢气)。可以提供气体以保持对碎片敏感的部件即碎片敏感部件清洁。碎片敏感部件可以包括与传播通过所述光刻设备LA的EUV辐射B、B’相互作用的部件。传播通过所述光刻设备LA的EUV辐射可以与气体相互作用并且产生等离子体。

光刻设备LA可以被理解为具有一个或更多个区域，包括一个或更多个碎片敏感部件，等离子体起源于其中。这样的区域可以被称为“清洁”区域。所述碎片敏感部件的示例包括反射镜10、11、13、14、掩模版MA和衬底W。如果诸如颗粒物质之类的碎片到达碎片敏感部件，则所述光刻过程可能受到负面影响。例如，一个或更多个反射镜10、11、13、14的反射率可能被降低，所述掩模版MA上的颗粒碎片可能对经图案化的辐射束B’的图案产生负面影响，所述衬底W上的颗粒碎片可能对被形成在所述衬底W的光致抗蚀剂上的图案产生负面影响，等等。因此，保护碎片敏感部件免受源自其它不太清洁区域的颗粒碎片的影响是重要的。

所述光刻设备LA包括一个或更多个产生颗粒碎片的区域。这些区域通常位于EUV辐射B、B’的光路的外部，并且往往容纳非光学部件，诸如缆线和致动系统(例如电机)。这种部件的示例是掩模版致动系统50。所述掩模版致动系统50可以包括被配置成相对于所述辐射束B移动所述支撑结构MT和所述掩模版MA的一个或更多个电机。所述致动系统50可以被容纳于壳体60中。这样的部件不需要像关键光学部件那样保持清洁，因为它们不与EUV辐射B、B’相互作用。例如，当所述致动系统产生所述光刻设备LA的一个或更多个部分的运动时，所述致动系统可能通过摩擦力产生颗粒碎片。因此，当与“清洁”区域相比时，这些区域可以被称为“脏”区域。尽管这些部件对颗粒碎片基本上不敏感，但它们可能对等离子体敏感。例如，诸如缆线和致动系统之类的部件可能被等离子体损坏和/或由于与等离子体的相互作用而开始排气即放气。因此，重要的是保护等离子体敏感部件免受源自例如在上面论述的“清洁”区域的等离子体的影响。根据本发明的实施例的屏蔽设备100可以被用于减少污染物在“清洁”区域和“脏”区域之间的转移。参照图2A至图5示出并且描述了这种屏蔽设备100的示例。

已知在清洁区域和脏区域之间布置屏蔽板。已知的屏蔽板减少了从所述清洁区域行进到所述脏区域的等离子体的量并且减少了从所述脏区域行进到所述清洁区域的碎片的量。也已知提供从清洁区域行进到脏区域的净化流体流。所述净化流体流进一步减少了从所述脏区域行进到所述清洁区域的颗粒碎片的量。可以在正常使用中和/或在特殊清洁工序期间提供所述净化流体流。将净化流体从清洁区域提供到脏区域可以被称为常规流动。如果净化流体曾从所述脏区域流向所述清洁区域，则这被称为常规流动违规。常规流动违规将颗粒碎片从所述脏区域转移到所述清洁区域，且因此必须被最小化或完全避免。

图2A示意性地描绘了从根据本公开的实施例的光刻工具200上方看到的视图。图2B示意性地描绘了从图2A的光刻工具200的侧面看到的透视图。所述光刻工具200包括第一区域210，所述第一区域210包括碎片敏感部件215。在图2A的示例中，所述第一区域210对应于掩模版环境，并且所述碎片敏感部件215可以是例如图1的图案形成装置(即，掩模版MA)。所述光刻工具200包括第二区域220，所述第二区域220包括等离子体敏感部件225。在图2A的示例中，所述第二区域220对应于致动系统环境并且等离子体敏感部件225是致动系统。所述致动系统可以是例如图1的所述掩模版致动系统50。所述光刻工具200包括被布置于所述第一区域210与所述第二区域220之间的屏蔽设备230。所述屏蔽设备230被配置成减少污染物在第一区域和第二区域之间的转移。在图2A和图2B的示例中，所述屏蔽设备230被配置成保护所述碎片敏感部件215免受源自所述第二区域220的碎片(例如，弹道颗粒)的影响，并且保护所述等离子体敏感部件225免受源自所述第一区域210的等离子体的影响。所述屏蔽设备230包括从所述第一区域210到所述第二区域220的流体流动路径240。在图2A的示例中，存在从所述第一区域210到所述第二区域220的多个流体流动路径。所述流体流动路径240蜿蜒穿过所述屏蔽设备230，使得从所述第二区域220行进到所述第一区域215的碎片至少部分地被所述屏蔽设备230阻挡，并且从所述第一区域210行进到所述第二区域220的等离子体至少部分地被所述屏蔽设备230阻挡。所述等离子体包括离子和电子。所述等离子体可以由氢气在与EUV光相互作用之后形成。所述屏蔽设备230被电接地。将所述屏蔽设备230电接地允许去除聚集在所述屏蔽设备230上的等离子体和/或任何电荷。优选地，所述屏蔽设备230由金属形成以用于有效的等离子体屏蔽。所述屏蔽设备230可以由例如铝或不锈钢形成。

在图2A的示例中，所述屏蔽设备230包括邻近所述第一区域210的由第一系列间隙254分隔开的第一排250屏蔽元件252。所述屏蔽设备230还包括邻近所述第二区域220的由第二系列间隙264分隔开的第二排260屏蔽元件262。第一排250屏蔽元件252和第二排260屏蔽元件262被布置成使得通过所述第二系列间隙264的污染物路径至少部分地被第一排250屏蔽元件252阻挡，并且通过所述第一系列间隙254的污染物路径至少部分地被第二排260屏蔽元件262阻挡。即，第一排250屏蔽元件252和第二排260屏蔽元件262被配置成阻止至少一些污染物在第一区域210和第二区域220之间行进。在图2A和图2B的示例中，第一排250屏蔽元件252和第二排260屏蔽元件262被布置成使得行进通过所述第二系列间隙264的颗粒碎片至少部分地被第一排250屏蔽元件252阻挡，并且行进通过所述第一系列间隙254的等离子体至少部分地被第二排260屏蔽元件262阻挡。

在图2A和图2B的示例中，所述屏蔽设备230还包括邻近所述第二区域220的由第三系列间隙274分隔开的第三排270屏蔽元件272。所述第三排屏蔽元件272可以充当防止污染物从所述第二区域220行进到所述第一区域210的第一道防线以及防止污染物从所述第一区域210行进到所述第二区域220的最后一道防线。所述第一排250屏蔽元件252可以充当防止污染物从所述第一区域210行进到所述第二区域220的第一道防线以及防止污染物从所述第二区域220行进到所述第一区域210的最后一道防线。所述第二排260屏蔽元件262可以充当防止污染物在所述第一区域210和所述第二区域220之间行进的第二道防线。所述屏蔽设备230可以包括更多或更少数量的排250、260、270的屏蔽元件252、262、272。

在图2A和图2B的示例中，所述屏蔽元件252、262基本上相同。每个屏蔽元件252、262可以具有小于约1米的宽度。每个屏蔽元件252、262可以具有约100mm或更小的宽度。每个屏蔽元件252、262可以具有约10mm或更大的宽度。每个屏蔽元件252、262可以具有约30mm的宽度。每个屏蔽元件252、262可以具有约1mm或更大的厚度。每个屏蔽元件252、262可以具有约10mm或更小的厚度。替代地，所述屏蔽元件252、262可以具有不同的形状和/或尺寸。在图2A和图2B的示例中，间隙254、264基本上相同。每个间隙254、264可以具有等于或大于屏蔽元件252、262的宽度的约30％的宽度。每个间隙254、264可以具有等于或小于屏蔽元件252、262的宽度的约90％的宽度。每个间隙254、264可以具有约20mm的宽度。替代地，间隙254、264可以具有不同的形状和/或尺寸。

各排屏蔽元件250、260、270被布置成允许流体沿着流体流动路径240从所述第一区域210流动到所述第二区域220。所述流体可以包括被配置成从所述光刻工具移除颗粒碎片的净化气体200。所述第二区域220可以包括被配置成允许所述流体离开所述光刻工具200的排放出口290。所述屏蔽元件252、262、272之间的间隙254、264、274的尺寸和/或数量可以至少部分地确定流体可以沿着所述流体流动路径240从所述第一区域210流动到所述第二区域220的容易程度。增加屏蔽元件252、262、272之间的间隙254、264、274的尺寸和/或数量可以实现流体流过所述屏蔽设备230的较大的速率。屏蔽元件252、262、272的相邻排250、260、270之间的间隔280可以至少部分地确定流体可以从所述第一区域210流到所述第二区域220的容易程度。增加屏蔽元件252、262、272的相邻排250、260、270之间的间隔280可以实现通过所述屏蔽设备230的较大的流体流动速率。增大流体流动通过所述屏蔽设备230的速率可以降低污染物(例如，颗粒碎片)入射在关键部件(例如，掩模版MA)上的风险。所述屏蔽元件252、262、272的相邻排250、260、270之间的间隔280可以基本上等于屏蔽元件252、262、272之间的间隙254、264、274的宽度。屏蔽元件252、262、272的相邻的排250、260、270之间的间隔280可以等于或大于屏蔽元件252、262、272的宽度的约30％。屏蔽元件252、262、272的相邻排250、260、270之间的间隔280可以等于或小于屏蔽元件252、262、274的宽度的约90％。

将明白的是，所述屏蔽设备230可以采用其它形式。图3示意性地描绘了从包括根据本公开的实施例的第一示例性屏蔽设备330的光刻工具300上方看到的视图。所述屏蔽设备330包括多个至少部分地重叠的屏蔽元件352。在图3的示例中，所述多个至少部分地重叠的屏蔽元件包括形成百叶帘布置的一排350倾斜地定向的板352。在图3的示例中，板352基本上相同。每个板352可以具有约10mm或更大的宽度。每个板352可以具有约100mm或更小的宽度。每个板352可以具有约1mm或更大的厚度。每个板352可以具有约10mm或更小的厚度。替代地，板352可以具有不同的形状和/或尺寸。板352可以被布置成使得每个板352的宽度的约10％或更多与相邻的板352的宽度重叠。板352可以被布置成使得每个板352的宽度的约90％或更少与相邻的板352的宽度重叠。每个板352之间的间隔可以是例如约20mm。

图4示意性地示出了从包括根据本公开的实施例的第二示例性屏蔽设备430的光刻工具400上方看到的视图。所述屏蔽设备430包括多个至少部分地重叠的屏蔽元件452。在图4的示例中，所述多个至少部分地重叠的屏蔽元件包括一排450V形结构452。在图4的示例中，所述V形结构452基本上相同。每个V形结构452可以具有约10mm或更大的宽度。每个V形结构452可以具有约100mm或更小的宽度。每个V形结构452可以具有约1mm或更大的厚度。每个V形结构452可以具有约10mm或更小的厚度。替代地，V形结构452可以具有不同的形状和/或尺寸。V形结构452可以被布置成使得每个V形结构452的宽度的约10％或更多与相邻的V形结构452的宽度重叠。V形结构452可以被布置成使得每个V形结构452的宽度的约90％或更少与相邻的V形结构452的宽度重叠。每个V形结构452之间的间隔可以是例如约20mm。每个V形结构452包括两个臂。两个臂之间的角度可以是约30°或更大。两个臂之间的角度可以是约150°或更小。两个臂之间的角度可以是例如约90°。

图5示意性地描绘了从根据本公开的实施例的包括第三示例性屏蔽设备530的光刻工具500的侧面看到的透视图。在图5的示例中，所述屏蔽设备530包括邻近所述第一区域210的穿孔的第一板510。屏蔽设备530还包括邻近所述第二区域220的穿孔的第二板520。第一板520和第二板520的穿孔被布置成使得通过所述第二板520的穿孔的污染物路径至少部分地被所述第一板510阻挡，并且通过所述第一板510的穿孔的污染物路径至少部分地被所述第二板520阻挡。在图5的示例中，第一板510的穿孔515和第二板520的穿孔525被布置成使得行进通过所述第二板520的穿孔525的颗粒碎片至少部分地被所述第一板510阻挡，并且行进通过所述第一板510的穿孔515的等离子体至少部分地被所述第二板520阻挡。在图5的示例中，穿孔515、525基本上相同。每个穿孔515、525可以具有约10mm或更大的直径。每个穿孔515、525可以具有约100mm或更小的直径。每个板510、520可以具有约1mm或更大的厚度。每个板510、520可以具有约10mm或更小的厚度。替代地，穿孔515、525和/或板510、520可以具有不同的形状和/或尺寸。相邻的穿孔515、525之间的间隔(即，穿孔515、525的间距)可以是穿孔515、525的直径的大约2.5倍。相邻的穿孔515、525之间的间隔(即，穿孔515、525的间距)可以是穿孔515、525的直径的大约10倍。每个板510、520的闭合面积可以是每个板510、520的敞开面积的大约2.5倍。每个板510、520的闭合面积可以是每个板510、520的敞开面积的大约10倍。

在图2A至图5所示的全部示例中，所述屏蔽设备被布置成使得来自关注的角度的视线被阻挡。再次参考图3，当面向所述屏蔽设备330时，覆盖从一个区域210到另一个区域220的所有可能的入射角370至372的完整视场360可以被认为是跨任何给定平面的180°。在图3的示例中，仅示出了三个示例性入射角370-372，但是存在其它角度。将明白的是，完整视场360以及对所述屏蔽设备330的阻挡动作适用于图2A-图5中的全部。所述屏蔽设备330可以被配置成阻挡沿着所有可能的入射角370至372的约90％行进的污染物。在视场为180°的示例中，所述屏蔽设备330可以被配置成阻挡具有约10°或更大的入射角的污染物。在180°的视场的示例中，所述屏蔽设备可以被配置成阻挡具有约160°或更小的入射角的污染物。

图2至图5的任何光刻工具均可以形成图1的光刻设备LA的一部分。所述第一区域210可以包括辐射束B、B’。所述碎片敏感部件可以被配置成与辐射束B、B’相互作用。例如，所述碎片敏感部件可以包括反射镜10、11、13、14，图案形成装置MA，衬底W，等等。所述第二区域可以包括致动系统，并且等离子体敏感部件可以形成驱动系统的部分。

光刻设备LA的可以使用屏蔽设备和净化流体流两者的区域的示例是掩模版环境。所述掩模版环境中的第一区域包括掩模版MA本身。如前文所论述，所述掩模版MA可以被认为是碎片敏感部件。存在于所述第一区域中的EUV辐射和净化气体可以产生等离子体。如此，所述第一区域是等离子体可能起源的区域。所述第一区域可以被认为是清洁区域。

所述掩模版区域中的第二区域包括致动系统，所述致动系统被配置成控制掩模版遮蔽刀片(未示出)，所述掩模版遮蔽刀片限定所述掩模版MA上的被照射的场的范围。当掩模版MA被设置于支撑结构MT上时，照射系统IL可操作以照射所述掩模版MA的区域。此区域可以被称为所述照射系统IL的狭缝，并且至少部分地由多个掩模版遮蔽刀片(例如，四个掩模版遮蔽刀片)限定，所述多个掩模版遮蔽刀片限定所述掩模版MA的能够接收辐射的大致矩形区域。每个遮蔽刀片均被设置成靠近但稍微偏离所述支撑结构MT上的所述掩模版MA的平面。每个遮蔽刀片在所述图案形成装置MA的平面中限定能够接收辐射的矩形场区域的一个边缘。每个刀片可以在缩回位置与插入位置之间独立地移动，在缩回位置，刀片不被设置于所述辐射束的路径中；在插入位置，刀片至少部分地阻挡由所述照射系统IL投影到所述掩模版MA上的辐射束。通过将遮蔽刀片移动到辐射束的路径中，可以截断辐射束B(在x和/或y方向上)，因而限制接收辐射束B的所述场区域的范围。被配置成移动所述掩模版遮蔽刀片的致动系统可以被认为是等离子体敏感部件，因为所述致动系统可能被等离子体损坏。所述致动系统在所述第二区域中的运动可能产生碎片(例如，颗粒)。如此，所述第二区域是碎片可能起源的区域。所述第二区域可以被认为是“脏”区域。所述致动系统可以位于所述第二区域(即，“脏”区域)中。所述掩模版遮蔽刀片的至少一部分可以延伸到所述第一区域(即，“清洁”区域)中以与所述辐射束B相互作用。

已知的屏蔽板可以被设置在所述第一区域(包括所述碎片敏感掩模版MA)与所述第二区域(包括等离子体敏感致动系统)之间，以保护所述掩模版MA和所述致动系统两者。可以从所述第一区域向所述第二区域提供常规流动，以进一步保护所述掩模版MA免受源自所述第二区域中的所述致动系统的碎片的影响。

在所述光刻设备LA的正常操作期间，第一区域和第二区域中的压力至少部分地由于所述掩模版遮蔽刀片的移动而波动。在一些情况下，所述第一区域中的压力可能暂时地下降到低于所述第二区域中的压力，导致净化流体从第二(“脏”)区域流到第一(“清洁”)区域，并且由此导致常规流动违规。源自所述致动系统的运动的碎片可能入射在所述掩模版MA上，导致对所述光刻过程产生负面影响的掩模版污染。在清洁和/或维护操作期间，所述第一区域中的压力可能由于较强的净化流体流而经历较大的波动，这进而可能增加常规流动违规的风险。流体流动路径(诸如排气口)可以被设置在所述第二区域与具有比所述第二区域更低的压力的第三区域(例如，另一个脏区域)之间，以降低发生常规流动违规的风险。即，由所述致动系统的运动所产生的颗粒碎片可以经由所述流体流动路径从所述第二区域行进到所述第三区域。然而，已知的屏蔽板的闭合结构可能阻挡或以其它方式干扰从所述第一区域经由所述第二区域通向到所述第三区域的常规流动，导致常规流动违规。

图2至图5的所述屏蔽设备可以被集成到掩模版环境中。由本公开的所述屏蔽设备实现的流体流可以有利地使排气功能(例如排气出口290)能够在掩模版环境中使用，而同时维持碎片屏蔽和等离子体屏蔽功能。与已知的系统相比，由本公开的所述屏蔽设备实现的改进的排气功能也允许增加排气流量。这有利地改善了净化气流(由此提高了净化效率)，而不必增大区域之间的压差。

本公开的所述屏蔽设备可以实现进一步的修改，以进一步改进常规流动。例如，孔可以被形成在容纳所述致动系统(例如致动系统50)的壳体(例如壳体60)中。本公开的所述屏蔽设备能够在执行清洁和/或维护工序(例如抽空/冲洗)时更好地从所述壳体流出，并且改善从第一“清洁”区域到第二“脏”区域的常规流动。这有利地实现了区域中的一定体积的气体能够在较短的时间内被替换。即，与已知的系统相比，关注的区域中的一定体积的流体在较短的时间内被替换或“更新”。这可以被称为“更新”。增加区域的更新减少了污染物可能存在于所述区域中的时间量，由此降低了部件被污染的风险。在所述壳体中设置孔可以在光刻过程期间实现通过所述第二区域的较好的常规流动(这显著改善了清洁区域的清洁度)，并且在维护净化处理期间实现更好的流出(由此降低常规流动违规的风险)。

将所述屏蔽设备定位在所述掩模版遮蔽刀片致动系统和掩模版MA之间的上述论述仅是示例。参考图1，将理解的是，本公开的所述屏蔽设备100可以位于所述光刻设备LA的一个或更多个替代性区域中。例如，支撑结构致动系统50可以被用于相对于辐射束B移动所述支撑结构MT和所述掩模版MA。所述支撑结构致动系统50可以包括用于精细移动的短行程模块和用于粗略移动的长行程模块。所述支撑结构致动系统50可能对等离子体敏感。所述支撑结构致动系统50的运动可能产生碎片。根据本公开的屏蔽设备100可以位于所述支撑结构致动系统50与掩模版MA和/或被配置成与所述辐射束B、B’相互作用的光学器件IL、PS之间。作为另一个示例，根据本公开的屏蔽设备100可以位于所所述照射系统IL与被配置成与辐射B、B’相互作用的所述掩模版MA和/或光学器件之间(例如沿着所述照射系统IL的上表面)。所述照射系统IL可以包括均匀性校正系统(未示出)，所述均匀性校正系统被配置成校正或减少存在于辐射束B中的不均匀性，例如强度不均匀性。所述均匀性校正系统可以包括均匀性致动系统(未示出)，所述均匀性致动系统被配置成将一个或更多个指状部插入辐射束B的边缘以校正强度变化。所述均匀性校正系统可能对等离子体敏感。所述均匀性致动系统的运动可能产生碎片。作为另一个示例，根据本公开的屏蔽设备100可以位于所述均匀性致动系统与被配置成与辐射束B、B’相互作用的所述掩模版MA和/或光学器件之间。

作为另一个示例，根据本公开的屏蔽设备100可以位于所述投影系统PS与被配置成与辐射束B、B’相互作用的掩模版MA和/或光学器件之间(例如沿着所述投影系统PS的上表面)。所述光刻设备LA可以包括掩模版交换装置(未示出)。所述掩模版交换装置可以包括掩模版致动系统(未示出)，诸如机械臂，所述掩模版致动系统被配置成从掩模版储存器(未示出)收集掩模版MA并且将所述掩模版MA移动到所述支撑结构MT。所述掩模版致动系统可能对等离子体敏感。所述掩模版致动系统的运动可能产生碎片。作为另一个示例，根据本公开的屏蔽设备100可以位于所述掩模版致动系统与被配置成与辐射束B、B’相互作用的掩模版MA和/或光学器件IL、PS之间。所述光刻设备LA可以包括被配置成相对于辐射束B’移动所述衬底台WT和所述衬底W的衬底致动系统(未示出)。所述衬底致动系统可能对等离子体敏感。所述衬底致动系统的运动可能产生碎片。作为另一个示例，根据本公开的屏蔽设备100可以位于所述衬底致动系统与被配置成与辐射束B’相互作用的衬底W和/或光学器件IL、PS之间。

所述光刻设备LA的包括辐射束B的任何区域(即“亮”区域)和朝向不包括辐射束B的另一个区域(即“暗”区域)的开口均可以受益于由本发明的所述屏蔽设备100所提供的优点。由于亮区域往往包括对碎片敏感的部件即碎片敏感部件(例如光学器件)，而暗区域往往包括对等离子体敏感的部件即等离子体敏感部件(例如致动系统和/或缆线)，所以需要减少所述亮区域与所述暗区域之间的碎片和/或等离子体转移。从亮区域流到暗区域以保持清洁的光学器件的净化流体能够流过本公开的所述屏蔽设备100，由此提高所述光刻设备LA的清洁度。具有靠近等离子体敏感部件和/或碎片敏感部件的移动部分和/或复杂内部结构的任何模块均可以受益于由本公开的所述屏蔽设备100所提供的保护。

图6示出了根据本公开的方法的流程图。所述方法包括：将第一部件定位在光刻工具的第一区域中的第一步骤400。所述方法包括：将第二部件定位在光刻工具的第二区域中的第二步骤410。所述方法包括：将屏蔽设备布置于所述第一区域与所述第二区域之间的第三步骤420。所述方法包括：使用所述屏蔽设备来减少污染物在所述第一区域与所述第二区域之间的转移的第四步骤430。所述方法包括：在所述第一区域与所述第二区域之间提供穿过所述屏蔽设备的流体流动路径的第五步骤440。

污染物可能包括颗粒碎片或等离子体。所述方法可以包括：使用所述屏蔽设备来保护所述第一部件免受源自所述第二区域的污染物的影响的可选步骤。所述方法可以包括：使用所述屏蔽设备来保护所述第二部件免受源自所述第一区域的污染物的影响的可选步骤。所述方法可以包括：将所述流体流动路径布置成蜿蜒穿过所述屏蔽设备的可选步骤。所述方法可以包括：将所述屏蔽设备电接地的可选步骤。

所述方法可以包括：将图案从图案形成装置投影到衬底上的可选步骤。所述方法可以包括：将辐射束定位在所述第一区域中的可选步骤。所述方法可以包括：使用所述第一部件与所述辐射束相互作用的可选步骤。所述方法可以包括：将致动系统定位在所述第二区域中的可选步骤。所述第二部件可以形成所述致动系统的一部分。

虽然在本文中可以具体提及光刻设备在IC的制造中的使用，但是应该理解的是，本文描述的光刻设备可以具有其它应用。可能的其它应用包括制造集成光学系统、磁畴存储器的引导和检测图案、平板显示器、液晶显示器(LCD)、薄膜磁头等。

虽然在本文中可以在光刻设备的背景下具体提及本发明的实施例，但是本发明的实施例可以被用于其它设备中。本发明的实施例可以形成掩模检查设备、量测设备、或者测量或处理诸如晶片(或其它衬底)或掩模(或其它图案形成装置)之类的物体的任何设备的一部分。这些设备可以被统称为光刻工具。这样的光刻工具可以使用真空条件或环境(非真空)条件。

虽然以上已经具体提及了在光学光刻的情境中使用本发明的实施例，但是将明白的是，在情境允许的情况下，本发明不限于光学光刻，并且可以在其它应用(例如压印光刻)中使用。

在情境允许的情况下，本发明的实施例可以被实施为硬件、固件、软件或它们的任意组合。本发明的实施例还可以被实现为存储在机器可读介质上的指令，该指令可以由一个或更多个处理器读取和执行。机器可读介质可以包括用于以机器(例如，计算装置)可读的形式存储或传输信息的任何机制。例如，机器可读介质可以包括只读存储器(ROM)；随机存取存储器(RAM)；磁存储介质；光存储介质；闪存装置；电、光、声或其它形式的传播信号(例如，载波、红外信号、数字信号等)等。此外，固件、软件、例程、指令在本文中可以被描述为执行某些动作。然而，应该明白的是，这样的描述仅是为了方便，并且这样的动作实际上是由计算装置、处理器、控制器或执行固件、软件、例程、指令等的其它装置产生的，并且在这样做时可能引起致动器或其它装置与实体世界进行交互。

虽然以上已经描述了本发明的具体实施例，但是将明白的是，本发明可以用不同于所描述的方式来实践。上述描述意图是说明性的，而非限制性的。因此，对于本领域技术人员而言显而易见的是，可以在不脱离随附的权利要求的范围的情况下对所描述的本发明进行修改。

Claims (25)

1.一种光刻工具，包括：

第一区域，所述第一区域包括第一部件；

第二区域，所述第二区域包括第二部件；和

屏蔽设备，所述屏蔽设备被布置于所述第一区域和所述第二区域之间，所述屏蔽设备被配置成减少污染物在所述第一区域和所述第二区域之间的转移，其中，所述屏蔽设备包括在所述第一区域和所述第二区域之间的流体流动路径。

2.根据权利要求1所述的光刻工具，其中，所述污染物包括颗粒碎片，并且所述屏蔽设备被配置成至少部分地阻挡所述颗粒碎片。

3.根据权利要求1所述的光刻工具，其中，所述污染物包括等离子体，并且所述屏蔽设备被配置成至少部分地阻挡所述等离子体。

4.根据权利要求1所述的光刻工具，其中，所述屏蔽设备被配置成：

保护所述第一部件免受源自所述第二区域的污染物的影响；并且

保护所述第二部件免受源自所述第一区域的污染物的影响。

5.根据权利要求4所述的光刻工具，其中，源自所述第二区域的所述污染物包括颗粒碎片，源自所述第一区域的所述污染物包括等离子体，并且所述屏蔽设备被配置成至少部分地阻挡所述颗粒碎片和所述等离子体两者。

6.根据前述权利要求中任一项所述的光刻工具，其中，所述屏蔽设备被布置成使得所述流体流动路径蜿蜒穿过所述屏蔽设备。

7.根据前述权利要求中任一项所述的光刻工具，其中，所述屏蔽设备被电接地。

8.根据前述权利要求中任一项所述的光刻工具，其中，所述屏蔽设备包括：

第一排屏蔽元件，所述第一排屏蔽元件邻近所述第一区域并且由第一系列间隙分隔开；和

第二排屏蔽元件，所述第二排屏蔽元件邻近所述第二区域并且由第二系列间隙分隔开，其中，所述第一排屏蔽元件和所述第二排屏蔽元件被布置成使得通过所述第二系列间隙的污染物路径至少部分地被所述第一排屏蔽元件阻挡。

9.根据权利要求8所述的光刻工具，其中，所述第一排屏蔽元件和所述第二排屏蔽元件被布置成使得通过所述第一系列间隙的污染物路径至少部分地被所述第二排屏蔽元件阻挡。

10.根据前述权利要求中任一项所述的光刻工具，其中，所述屏蔽设备包括多个至少部分地重叠的屏蔽元件。

11.根据权利要求10所述的光刻工具，其中，所述多个至少部分地重叠的屏蔽元件包括：

形成百叶帘布置的一排倾斜地定向的板；或

一排V形结构。

12.根据前述权利要求中任一项所述的光刻工具，其中，所述屏蔽设备包括：

邻近所述第一区域的穿孔的第一板；和

邻近所述第二区域的穿孔的第二板，其中，所述第一板和所述第二板的穿孔被布置成使得通过所述第二板的穿孔的污染物路径至少部分地被所述第一板阻挡。

13.根据权利要求12所述的光刻工具，其中，所述第一板和所述第二板的穿孔被布置成使得通过所述第一板的穿孔的污染物路径至少部分地被所述第二板阻挡。

14.一种光刻设备，被布置成将图案从图案形成装置投影到衬底上，所述光刻设备包括根据前述权利要求中任一项所述的光刻工具，其中，所述第一区域包括辐射束，并且所述第一部件被配置成与所述辐射束相互作用。

15.根据权利要求14所述的光刻设备，其中，所述第二区域包括致动系统，并且所述第二部件形成所述致动系统的一部分。

16.根据权利要求15所述的光刻设备，其中，所述第二区域包括被配置成容纳所述致动系统的壳体，并且其中，在所述壳体中设置有排气出口。

17.一种方法，包括：

将第一部件定位在光刻工具的第一区域中；

将第二部件定位在所述光刻工具的第二区域中；

将屏蔽设备布置在所述第一区域和所述第二区域之间；

使用所述屏蔽设备来减少污染物在所述第一区域和所述第二区域之间的转移；和

在所述第一区域和所述第二区域之间提供穿过所述屏蔽设备的流体流动路径。

18.根据权利要求17所述的方法，其中，所述污染物包括颗粒碎片，并且所述方法包括：使用所述屏蔽设备来至少部分地阻挡所述颗粒碎片。

19.根据权利要求17所述的方法，其中，所述污染物包括等离子体，并且所述方法包括：使用所述屏蔽设备来至少部分地阻挡所述等离子体。

20.根据权利要求17所述的方法，包括：

使用所述屏蔽设备来保护所述第一部件免受源自所述第二区域的污染物的影响；和

使用所述屏蔽设备来保护所述第二部件免受源自所述第一区域的污染物的影响。

21.根据权利要求20所述的方法，其中，源自所述第二区域的污染物包括颗粒碎片，源自所述第一区域的污染物包括等离子体，并且所述方法包括：使用所述屏蔽设备来至少部分地阻挡所述颗粒碎片和所述等离子体两者。

22.根据权利要求17至21中任一项所述的方法，包括：将所述屏蔽设备布置成使得所述流体流动路径蜿蜒穿过所述屏蔽设备。

23.根据权利要求17至22中任一项所述的方法，包括：将所述屏蔽设备电接地。

24.根据权利要求17至23中任一项所述的方法，包括：

将图案从图案形成装置投影到衬底上；

将辐射束定位在所述第一区域中；和

使用所述第一部件与所述辐射束相互作用。

25.根据权利要求24所述的方法，包括：将致动系统定位在所述第二区域中，其中，所述第二部件形成所述致动系统的一部分。