JPS6110237A - 密接型マスク露光方法および装置 - Google Patents
密接型マスク露光方法および装置Info
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- JPS6110237A JPS6110237A JP59131670A JP13167084A JPS6110237A JP S6110237 A JPS6110237 A JP S6110237A JP 59131670 A JP59131670 A JP 59131670A JP 13167084 A JP13167084 A JP 13167084A JP S6110237 A JPS6110237 A JP S6110237A
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- Japan
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-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
- G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
- G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
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- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔発明の技術分野〕
本発明は感光剤を塗布した検算光物にマスクを密接させ
て露光する密接型マスク露光方法および装置に関する。
て露光する密接型マスク露光方法および装置に関する。
〔発明の技術的背景およびその問題点〕従来、元になる
７つのマスクから同一パターン若しくは陽陰が逆のノミ
ターンのマスクを製作するとき、すなわち、マザーマス
クからコピーマスクを製作するときには第３図（２Ｌ）
に示す装置が用いられていた。
７つのマスクから同一パターン若しくは陽陰が逆のノミ
ターンのマスクを製作するとき、すなわち、マザーマス
クからコピーマスクを製作するときには第３図（２Ｌ）
に示す装置が用いられていた。
この第３図（ａ） において、ガラス面にクロムのノに
ターン／ａが形成されたマザーマスク／と、コビ−マス
クを製作するためにガラス面にクローム膜２ａおよび感
光剤ｊｂを塗布したマスク素材（以下コピーマスクと言
う）、２とが、膜面を互いに対向寧せた状態で、箱枠状
の保持体３に固着されたノξツキング３ａおよび３ｂに
よってそれぞれ保持場ハている。
ターン／ａが形成されたマザーマスク／と、コビ−マス
クを製作するためにガラス面にクローム膜２ａおよび感
光剤ｊｂを塗布したマスク素材（以下コピーマスクと言
う）、２とが、膜面を互いに対向寧せた状態で、箱枠状
の保持体３に固着されたノξツキング３ａおよび３ｂに
よってそれぞれ保持場ハている。
この場合、ノにツキング３ａおよび３ｂはそれぞれ中心
部にマザーマスク／およびコピーマスクコを嵌装し得る
穴が穿たれ、その外周部が保持体３の内壁に［ｉ！’Ｉ
着されているのでそれぞれマスクを嵌装しｋときここに
閉空間６が形成される。
部にマザーマスク／およびコピーマスクコを嵌装し得る
穴が穿たれ、その外周部が保持体３の内壁に［ｉ！’Ｉ
着されているのでそれぞれマスクを嵌装しｋときここに
閉空間６が形成される。
また、閉空間６に連通するように保持体３から・ξイブ
が導出され、これに三方弁りが接続されている、この三
方弁りはその切換状態に応じて閉空間６を温圧１７たり
、あるいは、大気圧に戻したりするように真空ポンプと
窒素ガスゼンベとが接続きれている。
が導出され、これに三方弁りが接続されている、この三
方弁りはその切換状態に応じて閉空間６を温圧１７たり
、あるいは、大気圧に戻したりするように真空ポンプと
窒素ガスゼンベとが接続きれている。
しかして、三方弁りを切換えて閉空間６を減圧すると第
３図（ｂ）に示すようにマザーマスク／およびコピーマ
スクλは密接せられ、次いで、密接面から見たマザーマ
スク／の背面より光Ｉを照射するとコピーマスクλの感
光剤２ｂが露光される。
３図（ｂ）に示すようにマザーマスク／およびコピーマ
スクλは密接せられ、次いで、密接面から見たマザーマ
スク／の背面より光Ｉを照射するとコピーマスクλの感
光剤２ｂが露光される。
続いて、この露光工程が終了した時点で三方弁りを切換
えて閉空間乙に窒素ガスを送り込むと再び第３図（ａ）
に示す状態に戻される。
えて閉空間乙に窒素ガスを送り込むと再び第３図（ａ）
に示す状態に戻される。
次に、Ａツキフグ３ｂからコピーマスクλを取り外して
周知の現像、エツチング工程等を得てコピーマスクが形
成される。
周知の現像、エツチング工程等を得てコピーマスクが形
成される。
斯かる従来の密接型マスクツ光装置にあっては。
閉空間６に窒素ガスを導入してマザーマスク／およびコ
ピーマスクλを相互に離隔させるとき両者の表面部がそ
れぞれ帯電され、次に述べる不具合があった。
ピーマスクλを相互に離隔させるとき両者の表面部がそ
れぞれ帯電され、次に述べる不具合があった。
（ａ） コピーマスク−の感光剤２ｂの帯電により周
囲の微小なダストが吟い寄せられてここに付着する。こ
のダストはプロセス処理時に除去し詐く、パターン欠陥
の要因になることがめった・（ｂ）マザーマスク／の表
面に微小なダストが吸い寄せられて付着すると、これが
次回の密接露光時に光を遮り、同様にパターン欠陥の要
因になっていた。
囲の微小なダストが吟い寄せられてここに付着する。こ
のダストはプロセス処理時に除去し詐く、パターン欠陥
の要因になることがめった・（ｂ）マザーマスク／の表
面に微小なダストが吸い寄せられて付着すると、これが
次回の密接露光時に光を遮り、同様にパターン欠陥の要
因になっていた。
（Ｃ）マザーマスク／の表面が一定限度以上帯電すると
、金属クロムパターン部に静電破壊が生じてＪｅターン
部を欠損することがあった。
、金属クロムパターン部に静電破壊が生じてＪｅターン
部を欠損することがあった。
このことは、マザーマスク／からコピーマスクコを製作
する場合に限らず、マスクと感光剤を塗布した被露光物
とを密接させて露光する場合にも共辿する間が点であっ
た。
する場合に限らず、マスクと感光剤を塗布した被露光物
とを密接させて露光する場合にも共辿する間が点であっ
た。
本発明は上記事情を考慮してなされたもので、密接露光
時の静電気に起因する・ぞターン欠陥を確実に抑さえ得
る密接型マスク露光方法および装置の提供を目的とする
。
時の静電気に起因する・ぞターン欠陥を確実に抑さえ得
る密接型マスク露光方法および装置の提供を目的とする
。
この目的を達成するために５本発明の密接型マスク露光
方法は、マスク、および、感光剤を塗布１、た被露光物
を密接させる工程と、前記被露光物との密接面から見た
前記マスクの背面よ９元を照射する工程と、前記マスク
および被露光物間にイオン化した気体を送り込んでこれ
らマスクおよび被露光物を離隔させる工程とを含むこと
を特命とし、さらに、この方法を実施するための密接型
マスク′Ｎ党装置は、マスク、および、＃党則を塗布し
た被露光物間に閉空間を形成し、１つ、前記マスクおよ
び露光物を密接可能に保持する保持部と、前記閉空間か
ら見た前記マスクの背面より光を照射する光源と、前記
閉空間の気体を排、給して前記マスクおよび被露光物を
相互に密接、離隔掃作する圧力制御部と、前記マスクお
よび被露光物を相互に離隔壊せるために、前記閉空間に
供給される気体をイオン化するイオン発生器とを具備し
たことを特徴とするものである、 〔発明の実施例〕 第１図は本発明を実施する密接型マスク露光装置の構成
例で、図中第３図と同一の符号を何したものはそれぞれ
同一または同効の要素を示している。
方法は、マスク、および、感光剤を塗布１、た被露光物
を密接させる工程と、前記被露光物との密接面から見た
前記マスクの背面よ９元を照射する工程と、前記マスク
および被露光物間にイオン化した気体を送り込んでこれ
らマスクおよび被露光物を離隔させる工程とを含むこと
を特命とし、さらに、この方法を実施するための密接型
マスク′Ｎ党装置は、マスク、および、＃党則を塗布し
た被露光物間に閉空間を形成し、１つ、前記マスクおよ
び露光物を密接可能に保持する保持部と、前記閉空間か
ら見た前記マスクの背面より光を照射する光源と、前記
閉空間の気体を排、給して前記マスクおよび被露光物を
相互に密接、離隔掃作する圧力制御部と、前記マスクお
よび被露光物を相互に離隔壊せるために、前記閉空間に
供給される気体をイオン化するイオン発生器とを具備し
たことを特徴とするものである、 〔発明の実施例〕 第１図は本発明を実施する密接型マスク露光装置の構成
例で、図中第３図と同一の符号を何したものはそれぞれ
同一または同効の要素を示している。
この第１図において、保持体３は装置の本体部を形成す
る箱体１０に嵌装され、Ａツキフグ３ａおよび３ｂが固
着された位置のちょうど中間部にて箱体１０と共に図面
の左右方向に分割、および、突き合わせ可能に構成され
ている。ここで、箱体１０の突き合わせ面にはＯリング
ｊが装着されており１．６ツキング３ａおよび３ｂにそ
れぞれマザーマスク／、および、上述したと同様にクロ
ーム膜、２ａ、感光剤、２ｂを塗布したコピーマスク−
を嵌挿したとき両者間に閉空間２が形成される。甘た、
この閉空間６から見たコピーマスク−の裏側にはコピー
マスクＪおよび保持体３で囲まれる閉空間７が、マザー
マスク／の裏側にはマザーマスク／、保持体３および透
明の板体グで囲まれる閉空間ｇがそれぞれ形成されてい
る。
る箱体１０に嵌装され、Ａツキフグ３ａおよび３ｂが固
着された位置のちょうど中間部にて箱体１０と共に図面
の左右方向に分割、および、突き合わせ可能に構成され
ている。ここで、箱体１０の突き合わせ面にはＯリング
ｊが装着されており１．６ツキング３ａおよび３ｂにそ
れぞれマザーマスク／、および、上述したと同様にクロ
ーム膜、２ａ、感光剤、２ｂを塗布したコピーマスク−
を嵌挿したとき両者間に閉空間２が形成される。甘た、
この閉空間６から見たコピーマスク−の裏側にはコピー
マスクＪおよび保持体３で囲まれる閉空間７が、マザー
マスク／の裏側にはマザーマスク／、保持体３および透
明の板体グで囲まれる閉空間ｇがそれぞれ形成されてい
る。
このうち、閉空間６Ｖｉ前述した如く三方弁りに配管さ
れ、さらＫ、この三方弁りには管路／３によって図示し
ない真空ポンプに接続される他、管路／９によって図示
しない窒素ガスボンベに接続されている０なお、管路／
ｑにはここを通って閉窒間乙に導入される窒素ガスをイ
オン化するイオン発生器１５が介設されている。
れ、さらＫ、この三方弁りには管路／３によって図示し
ない真空ポンプに接続される他、管路／９によって図示
しない窒素ガスボンベに接続されている０なお、管路／
ｑにはここを通って閉窒間乙に導入される窒素ガスをイ
オン化するイオン発生器１５が介設されている。
一方、閉空間７およびｒＨそれぞれ管路／／および／コ
によって図示しない圧力制御機器を介して真空ポンプや
窒素ガスボンベ等に接続され、閉空間７およびざの減圧
および加圧制御が可能に構成されている。
によって図示しない圧力制御機器を介して真空ポンプや
窒素ガスボンベ等に接続され、閉空間７およびざの減圧
および加圧制御が可能に構成されている。
また、閉空間６から見るマザーマスク／の裏側で、しか
も、板体グの外側には図示しない光源が設けられており
、上述したと同様に光Ｊを照射する構成になっている。
も、板体グの外側には図示しない光源が設けられており
、上述したと同様に光Ｊを照射する構成になっている。
上記の如く構成された本実施例の作用を第２図（ａ）
、 （ｂ） 、 （０）をも参照して以下Ｋａ明する。
、 （ｂ） 、 （０）をも参照して以下Ｋａ明する。
先ず、第２図（ａ）に示すように、マザーマスク／およ
びコピーマスクλをそれぞれバンキング３ａおよび３ｂ
に嵌装し、分割構造の箱体３を突き合わせた状態で、管
路／／ 、 １２を通して、閉空間７およびどの気体を
排出するとマザーマスク／はバッキング３ａに押しつけ
られ、コピーマスク、２はバッキング３ｂに押しつけら
れる。このとき閉空間６は大気圧に保持される。
びコピーマスクλをそれぞれバンキング３ａおよび３ｂ
に嵌装し、分割構造の箱体３を突き合わせた状態で、管
路／／ 、 １２を通して、閉空間７およびどの気体を
排出するとマザーマスク／はバッキング３ａに押しつけ
られ、コピーマスク、２はバッキング３ｂに押しつけら
れる。このとき閉空間６は大気圧に保持される。
次に、第２図（ｂ）に示すように、三方弁７により閉空
間６を図示しない真空ポンプに接続してその気体を排出
すると同時に、閉空間７およびｇに窒素ガスを供給する
と、バッキング３ａ、３ｂが撓められ、これによって、
マザーマスク／の膜面とコピーマスク２の膜面とが相互
に密接される。この状態で元２０を照射して、いわゆる
、露光が行なわｆ＋る。
間６を図示しない真空ポンプに接続してその気体を排出
すると同時に、閉空間７およびｇに窒素ガスを供給する
と、バッキング３ａ、３ｂが撓められ、これによって、
マザーマスク／の膜面とコピーマスク２の膜面とが相互
に密接される。この状態で元２０を照射して、いわゆる
、露光が行なわｆ＋る。
続いて、第２図（Ｃ）に示すように、三方弁りを窒素ガ
スボンベ側に切捨えて閉窒間乙に窒素ガスを供給すると
同時に、閉空間７および♂の窒素ガスを排気するとマザ
ーマスクｌおよびコピーマスク２は相互に離隔せしめら
れるが、このとき閉空間６に送給さｔする窒素ガスはイ
オン発生器１５によってイオン化されるので、マザーマ
スク／およびコピーマスクコにはイオンシャワーが吹き
付けられる。したがって、マスク面の静電気は双方同時
に除去づれるため、静電気の発生に伴ってマスク面にダ
ストが付着するという事態を確実に防止することができ
る。
スボンベ側に切捨えて閉窒間乙に窒素ガスを供給すると
同時に、閉空間７および♂の窒素ガスを排気するとマザ
ーマスクｌおよびコピーマスク２は相互に離隔せしめら
れるが、このとき閉空間６に送給さｔする窒素ガスはイ
オン発生器１５によってイオン化されるので、マザーマ
スク／およびコピーマスクコにはイオンシャワーが吹き
付けられる。したがって、マスク面の静電気は双方同時
に除去づれるため、静電気の発生に伴ってマスク面にダ
ストが付着するという事態を確実に防止することができ
る。
なお、上記実施例では閉空間６，７および♂に’Ｎ ３
：３ ｈスインベを接続しているか、この代わりに管路
／／ 、 ／、１２および／弘を通じて大気に開放する
ようにしても上述したと略同様な作用を行なわせること
ができる。
：３ ｈスインベを接続しているか、この代わりに管路
／／ 、 ／、１２および／弘を通じて大気に開放する
ようにしても上述したと略同様な作用を行なわせること
ができる。
なおまた上記実施例ではコピーマスクを製作するための
装置について説明したか本発明はこれに限定されるもの
ではなく、例えば、半導体ウェファに感光剤を塗布して
ウェファエツチング用またはウェファ拡散用の窓を開け
る場合等、他の１露光物にも全く同様にして適用し得る
。
装置について説明したか本発明はこれに限定されるもの
ではなく、例えば、半導体ウェファに感光剤を塗布して
ウェファエツチング用またはウェファ拡散用の窓を開け
る場合等、他の１露光物にも全く同様にして適用し得る
。
さらに、上記実施例では閉空間６から舅たマザーマスク
／の裏面部に板体ｌで仕切られた閉空間ｇを形成し、こ
の板体グの外側に光源を設けているが、板体ｌを除去し
てなるより太さな閉窒ｌｉｔに光源を設けるようにして
もよい。
／の裏面部に板体ｌで仕切られた閉空間ｇを形成し、こ
の板体グの外側に光源を設けているが、板体ｌを除去し
てなるより太さな閉窒ｌｉｔに光源を設けるようにして
もよい。
以上の説明によって明らかな如く、本発明によればマス
クおよび被露光物間にイオン化した気体を送り込んで両
者を離隔せしめているので、Ｓｔ露光時の静電気に起因
する・ぞターン欠陥を確実に抑さえることができるとい
う効果が得られている。
クおよび被露光物間にイオン化した気体を送り込んで両
者を離隔せしめているので、Ｓｔ露光時の静電気に起因
する・ぞターン欠陥を確実に抑さえることができるとい
う効果が得られている。
第１図は本発明の一実施例を示す断面図、第２図（ａ）
〜（ｃ）は同実施例の作用を説明する断面図、第３図（
ａ） 、 （ｂ）は従来装置の構成および作用を示す断
面図である。 ／・・・マスクとしてのマザーマスク、λ・・・Ｉｊｋ
光体としてのマスク素材、３・・・保持体、３ａ、３ｂ
・・バッキング、＆−４・・・閉空間、り・・・圧力制
御部を構成する三方弁、１５・・・イオン発生器、Ｊ・
・・光源より得られる光。 出願人代理人 猪 股 消量ｉ図 Ｉと １１ ＋２ ＩＩ 第３図
〜（ｃ）は同実施例の作用を説明する断面図、第３図（
ａ） 、 （ｂ）は従来装置の構成および作用を示す断
面図である。 ／・・・マスクとしてのマザーマスク、λ・・・Ｉｊｋ
光体としてのマスク素材、３・・・保持体、３ａ、３ｂ
・・バッキング、＆−４・・・閉空間、り・・・圧力制
御部を構成する三方弁、１５・・・イオン発生器、Ｊ・
・・光源より得られる光。 出願人代理人 猪 股 消量ｉ図 Ｉと １１ ＋２ ＩＩ 第３図
Claims (2)
- （１）マスク、および、感光剤を塗布した被露光物を密
接させる工程と、前記被露光物との密接面から見た前記
マスクの背面より光を照射する工程と、前記マスクおよ
び被露光物間にイオン化した気体を送り込んでこれらマ
スクおよび被露光物を離隔させる工程とを含むことを特
徴とする密接型マスク露光方法。 - （２）マスク、および、感光剤を塗布した被露光物間に
閉空間を形成し、且つ、前記マスクおよび被露光物を密
接可能に保持する保持体と、前記閉空間から見た前記マ
スクの背面より光を照射する光源と、前記閉空間の気体
を排、給して前記マスクおよび被露光物を相互に密接、
離隔操作する圧力制御部と、前記マスクおよび被露光物
を相互に離隔させるために前記閉空間に供給される気体
をイオン化するイオン発生器とを具備したことを特徴と
する密接型マスク露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59131670A JPS6110237A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 密接型マスク露光方法および装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59131670A JPS6110237A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 密接型マスク露光方法および装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6110237A true JPS6110237A (ja) | 1986-01-17 |
Family
ID=15063477
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59131670A Pending JPS6110237A (ja) | 1984-06-26 | 1984-06-26 | 密接型マスク露光方法および装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6110237A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063396A1 (en) * | 2001-01-04 | 2002-08-15 | Asml Us, Inc. | In-situ lithography mask cleaning |
| US7522263B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| JP2011007879A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Howa Mach Ltd | 内層基板用露光装置及び基板とマスクの剥離方法 |
-
1984
- 1984-06-26 JP JP59131670A patent/JPS6110237A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002063396A1 (en) * | 2001-01-04 | 2002-08-15 | Asml Us, Inc. | In-situ lithography mask cleaning |
| US6589354B2 (en) | 2001-01-04 | 2003-07-08 | Paul B. Reid | Method and apparatus for in-situ lithography mask cleaning |
| US7522263B2 (en) | 2005-12-27 | 2009-04-21 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and method |
| US8064038B2 (en) | 2005-12-27 | 2011-11-22 | Asml Netherlands B.V. | Inspection apparatus, lithographic system provided with the inspection apparatus and a method for inspecting a sample |
| JP2011007879A (ja) * | 2009-06-23 | 2011-01-13 | Howa Mach Ltd | 内層基板用露光装置及び基板とマスクの剥離方法 |
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